JP4337854B2

JP4337854B2 - 液晶表示装置

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Publication number: JP4337854B2
Application number: JP2006252659A
Authority: JP
Inventors: 雅志三井; 徳夫小間
Original assignee: Epson Imaging Devices Corp
Current assignee: Epson Imaging Devices Corp
Priority date: 2006-09-19
Filing date: 2006-09-19
Publication date: 2009-09-30
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Description

本発明は、液晶表示装置に係り、より具体的には１つの画素内に透過表示を行う透過部と反射表示を行う反射部とを有し液晶を配向制御するための２つの電極を一方の基板に備えた液晶表示装置に関する。

広視野角の液晶パネルとして、例えばＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式やＩＰＳ（In-Plane Switching）方式の液晶パネルがある。これらの方式では、素子基板に画素電極と共通電極との両方を設け、両電極間に生じる電界の制御によって液晶分子を回転させて配向状態を制御する。

液晶パネルは、バックライト光を利用して表示を行う透過型と、外光の反射を利用して表示を行う反射型と、１つの画素内に透過型と反射型との両構造が作り込まれた半透過型と、に大別される。

特開２００３−２７０６２７号公報特開２００４−１９８９２２号公報

従来よりあるＴＮ方式およびＥＣＢ方式の半透過型はコントラストが十分でなく、視野角も狭い。また、ＶＡ方式の半透過型はコントラストが高く、視野角を広げることができるが、低視野角において色が変化するという問題がある。

上記のＴＮ方式およびＥＣＢ方式の場合に対して、ＦＦＳ方式やＩＰＳ方式の半透過型の場合は、視野角特性は良好であり、ＶＡ方式で見られるような低視野角における色変化が非常に少ない。しかし、透過表示と反射表示とを両立するために位相差フィルムまたは位相差板を貼り付ける必要があり、それによってコントラストが低下するという問題があった。さらに、ＦＦＳ方式やＩＰＳ方式の透過型に比べて液晶表示装置が厚くなる問題があった。

本発明は、１つの画素内に透過表示を行う透過部と反射表示を行う反射部とを有し液晶を配向制御するための２つの電極を一方の基板に備えた液晶表示装置について良好な表示を得ることを目的とする。

本発明に係る液晶表示装置は、第１基板と第２基板との間に液晶を狭持し、１つの画素内に透過表示を行う透過部と反射表示を行う反射部とを有し、第１電極と第２電極とを備えた前記第１基板と、前記画素を駆動する駆動回路と、を備える液晶表示装置であって、前記第１基板と前記液晶を介して対向する前記第２基板に第３電極を備え、前記第１電極は、前記第２電極とともに前記透過部に設けられている一方で、前記第３電極とともに前記反射部にも設けられ、前記第１電極には前記画素を駆動する駆動回路の画素ＴＦＴを介して電位が印加され、前記駆動回路は前記第２電極と前記第３電極とに独立に電位を印加可能に設けられ、前記透過部において前記第１電極と前記第２電極との間にオフ電圧が印加された時に、前記反射部において前記第１電極と前記第３電極との間にオン電圧が印加され、前記反射部において前記第１電極と前記第３電極との間にオフ電圧が印加された時に、前記透過部において前記第１電極と前記第２電極との間にオン電圧が印加されることを特徴とする。

上記構成により、反射部を第１基板と第２基板とに設けられた第１電極と第３電極とにより制御することができ、透過部を広い視野角を有したＦＦＳ方式等とした半透過型の液晶表示装置を実現できる。その際、透過部に位相差層を配置しないため、その位相差層に起因する透過部のコントラストの劣化を抑止できる。

また、前記透過部において前記第１電極と前記第２電極との間にオフ電圧が印加された時に、前記反射部において前記第１電極と前記第３電極との間にオン電圧が印加されて、前記反射部の前記液晶を前記第３電極に略直交するように配向させ、前記透過部および前記反射部を同時に暗表示にすることが好ましい。

また、前記反射部において前記第１電極と前記第３電極との間にオフ電圧が印加された時に、前記第１電極と前記第２電極との間にオン電圧が印加されて、前記透過部の前記液晶を前記第２電極の法線回りのねじれた状態に配向させ、前記透過部および前記反射部を同時に明表示にすることが好ましい。
また、反射部の液晶層はオフ電圧が印加された状態で１／４波長板として作用するように設定されていることが好ましい。
また、反射部には１／４波長板として作用する位相差層が配置されていることが好ましい。
また、前記位相差層によって、前記反射部のセルギャップが前記透過部のセルギャップよりも狭くされていることが好ましい。
また、前記第１基板には前記第１電極、絶縁膜、前記第２電極がこの順番に積層され、前記第２電極には第１電極と対向する領域にスリットを有していることが好ましい。

上記構成により、１つの画素内に透過部と反射部とを有し液晶を配向制御するための２つの電極を一方の基板に備える液晶表示装置について良好な表示を得ることができる。

以下に図面を用いて本発明に係る実施の形態について詳細に説明する。

図１および図２に本発明の実施の形態に係る液晶表示装置５０を説明する模式図を示す。液晶表示装置５０は、液晶パネル６０と、液晶パネル６０を駆動する駆動回路７０と、液晶パネル６０に対向して配置された不図示のバックライト装置とを含んで構成されている。なお、図１等では、液晶パネル６０の１つの画素（ドット、サブピクセル等とも呼ばれる）を断面図で示し、図面の煩雑化を避けるために一部の要素にのみハッチングを施している。

液晶パネル６０は、１つの画素内に透過表示を行う透過部６０Ｔと反射表示を行う反射部６０Ｒとを含んだ半透過型の液晶パネルである。なお、透過部６０Ｔおよび反射部６０Ｒはそれぞれ、画素の平面視における２次元領域だけでなく、当該２次元領域を液晶パネル６０の厚さ方向すなわち後述の基板１００，２００の重ね合わせ方向に投影して規定される液晶パネル６０の３次元領域をも指すものとする。

ここでは、液晶パネル６０が、透過表示をＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式によって行い、反射表示をＥＣＢ（Electrically Controled Birefringence）方式によって行う場合を例示する。

液晶パネル６０は、素子基板１００と、素子基板１００に対向する対向基板２００と、両基板１００，２００間に設けられた液晶（または液晶層）３００とを含んで構成されている。なお、液晶３００について液晶分子を模式的に図示している。

素子基板１００は、透光性基板１１２を含んで構成され、さらに、透光性基板１１２よりも内側すなわち当該基板１１２に対して液晶層３００の側に、回路層１１４と、平坦化膜１１６と、反射膜１１８と、第１電極１２０と、絶縁膜１２２と、第２電極１２４と、不図示の配向膜とを含んで構成されている。

透光性基板１１２は、例えば透明なガラス板で構成されている。

回路層１１４は、各種素子等が形成されて画素を駆動するための回路が形成された層であり、例えば画素ＴＦＴ（Thin Film Transistor）や各種配線を含んで構成されている。ここでは当該回路の詳細は省略するが、各種の回路が適用可能である。回路層１１４は透光性基板１１２上に透過部６０Ｔと反射部６０Ｒとにわたって配置されている。

平坦化膜１１６は、例えば絶縁性かつ透光性の樹脂で構成され、回路層１１４よりも液晶層３００の側に位置し回路層１１４上に配置されている。平坦化膜１１６は、透過部６０Ｔと反射部６０Ｒとにわたっている。平坦化膜１１６における対向基板２００側の表面は、透過部６０Ｔ内では平坦であり、反射部６０Ｒ内では凹凸形状になっている。当該凹凸形状は、各種方法によって形成可能であり、例えば平坦化膜１１６をフォトレジスト材料で構成し当該フォトレジスト材料のパターン露光および現像によって形成可能である。

反射膜１１８は、反射表示のために外光（可視光）を反射可能な材料、例えばアルミニウム等で構成されている。反射膜１１８は、反射部６０Ｒに配置され、平坦化膜１１６の上記凹凸面上に配置されている。反射膜１１８の対向基板２００側の表面は平坦化膜１１６の凹凸面と同様の凹凸形状になっている。

第１電極１２０は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透光性導電材料で構成されている。第１電極１２０は、反射膜１１８を覆って平坦化膜１１６上に配置されている。第１電極１２０は、透過部６０Ｔと反射部６０Ｒとにわたっており、すなわち透過部６０Ｔと反射部６０Ｒとに共通の電極である。第１電極１２０の対向基板２００側の表面は、透過部６０Ｔ内では平坦であり、反射部６０Ｒ内では反射膜１１８および平坦化膜１１６の凹凸面と同様の凹凸形状になっている。

なお、上記の反射膜１１８が導電性を有する場合、第１電極１２０は反射膜１１８に接続されている限り反射膜１１８の全体を覆わない形態でもよい。すなわち、第１電極１２０の反射部６０Ｒ内の部分を反射膜１１８によって構成することも可能である。

なお、図１等では説明のために第１電極１２０と駆動回路７０との接続を模式的に図示しているが、第１電極１２０への電位の印加は例えば回路層１１４内の上記画素ＴＦＴ等を介して行われる。

絶縁膜１２２は、例えば酸化シリコン、窒素シリコン等で構成されている。絶縁膜１２２は、透過部６０Ｔ内において第１電極１２０の上記平坦面上に配置されている。絶縁膜１２２の対向基板２００側の表面は平坦である。

第２電極１２４は、例えばＩＴＯ等の透光性導電材料で構成されている。第２電極１２４は、透過部６０Ｔ内において絶縁膜１２２上に配置されており、絶縁膜１２２を介して第１電極１２０に対向している。すなわち、第１電極１２０と絶縁膜１２２と第２電極１２４とがこの順序で積層されている。両電極１２４，１２０は、素子基板１００に設けられているので、液晶層３００に対して同じ側に位置している。第２電極１２４には第１電極１２０に対向する部分にスリット１２６が設けられており、ここではスリット１２６は図面の略垂直方向に延在している場合を例示する。第１電極１２０と第２電極１２４との電位差に起因した電界ＥＴがスリット１２６および絶縁膜１２２を介して発生する（図２参照）。当該電界ＥＴによって液晶３００の透過部６０Ｔ内での配向状態が制御される。

なお、図１等では説明のために第２電極１２４と駆動回路７０との接続を模式的に図示しているが、第２電極１２４への電位の印加は例えば回路層１１４内の配線等を介して行われる。

不図示の配向膜は、第２電極１２４と絶縁膜１２２と第１電極１２０とを覆って配置され、液晶３００に接している。

対向基板２００は、透光性基板２１２を含んで構成され、さらに、透光性基板２１２よりも内側すなわち当該基板２１２に対して液晶３００の側に、カラーフィルタ２１４と、位相差層２１６と、第３電極２１８と、不図示の配向膜とを含んで構成されている。

透光性基板２１２は、例えば透明なガラス板で構成されている。

カラーフィルタ２１４は、例えば染色された樹脂で構成され、透過部６０Ｔと反射部６０Ｒとにわたって透光性基板２１２上に配置されている。カラーフィルタ２１４によって、素子基板１００側から入射したバックライト光および対向基板２００側から入射した外光が着色されて画素が所定の色に点灯する。カラーフィルタ２１４の色は各画素の表示色（単色）に応じて設定されている。なお、近接する複数色の画素で構成される１単位はピクセル等と呼ばれ、当該１単位を画素と呼ぶ場合もある。

位相差層２１６は、ここでは１／４波長（４分の１波長）板に相当する場合を例示する。この場合、位相差層２１６によって直線偏光を右回り（または左回り）の円偏光に変換することが可能である。位相差層２１６は、カラーフィルタ２１４よりも液晶層３００の側に位置し、反射部６０Ｒ内においてカラーフィルタ２１４上に配置されている。この場合、位相差層２１６は液晶パネル６０に内蔵されている。ここで、内蔵とは、透光性基板１１２，２１２間に配置された配置形態を言うものとする。このとき、例えば上記の画素ＴＦＴ等も液晶パネル６０に内蔵されていると捉えられる。

位相差層２１６は、例えばＵＶ（紫外線）キュアラブル液晶（紫外線で硬化可能な液晶）を利用して形成可能である。より具体的には、カラーフィルタ２１４上に配向膜（図示せず）を形成し、当該配向膜上に液体状のＵＶキュアラブル液晶を塗布等し紫外線（ＵＶ）を照射して硬化することによって、位相差層２１６を形成可能である。この場合、位相差層２１６は、ＵＶキュアラブル液晶を含んで構成され、あるいはさらに上記配向膜を含んで構成される。なお、上記配向膜はＵＶキュアラブル液晶の配向を制御するものであり、液晶３００の配向を規定するものではない。ＵＶキュアラブル液晶用の上記配向膜として、各種の配向膜が利用可能である。例えば光照射によって液晶配向能を生じる光配向膜を利用可能であり、当該光配向膜によればラビングが不要である。ＵＶキュアラブル液晶は、ＵＶキュアを施す（ＵＶを照射して硬化する）ことによって、位相差板として機能する。その位相差は、ＵＶキュアラブル液晶の厚さを変えることで調整可能である。

第３電極２１８は、例えばＩＴＯ等の透光性導電材料で構成されている。第３電極２１８は、位相差層２１６よりも液晶層３００の側に位置し反射部６０Ｒ内において位相差層２１６上に配置され、液晶層３００を介して第１電極１２０に対向している。すなわち、第３電極２１８は、液晶３００に対して第１電極１２０とは反対側に位置している。第３電極２１８と第１電極１２０との電位差に起因した電界ＥＲによって液晶３００の反射部６０Ｒ内の配向状態が制御される（図１参照）。

なお、図１等では説明のために第３電極２１８と駆動回路７０との接続を模式的に図示しているが、第３電極２１８への電位の印加は例えば回路層１１４内の配線、基板１００，２００間に配置された導電性粒子等を介して行われる。第３電極２１８は、第２電極１２４への電位印加とは独立に電位印加が可能な状態で設けられている。

不図示の配向膜は、第３電極２１８と位相差層２１６とカラーフィルタ２１４とを覆って配置され、液晶３００に接している。

液晶パネル６０は、さらに偏光板１２８，２２０を含んで構成されている。偏光板１２８は素子基板１００の外側すなわち透光性基板１１２に対して液晶層３００とは反対の側に配置されている。偏光板２２０は対向基板２００の外側すなわち透光性基板２１２に対して液晶層３００とは反対の側に配置されている。

駆動回路７０は、電極１２０，１２４，２１８に接続されて電極１２０，１２４，２１８への印加電位を生成、伝達等するための各種要素を含んで構成されている。当該各種要素は、液晶パネル６０に外付けされ、または内蔵され、または実装されており、例えば回路層１１４内の画素ＴＦＴ等も含まれるものとする。駆動回路７０は、上記印加電位を生成し所定のタイミングで電極１２０，１２４，２１８へ印加する。駆動回路７０は第２電極１２４への電位印加と第３電極２１８への電位印加と独立に実施可能に設けられている。

液晶表示装置５０の動作の一例を説明する。ここでは上記のように透過表示をＦＦＳ方式によって行い反射表示をＥＣＢ方式によって行う場合を例示する。なお、液晶３００は、例えば、誘電異方性が正であり、屈折率異方性（複屈折性とも呼ばれる）Δｎは０．１である。

液晶パネル６０は、第１電極１２０と第２電極１２４との電位差がオフ（ＯＦＦ）電圧の場合に透過表示が輝度の最も低い状態である暗表示になるように構成されているとともに、第１電極１２０と第３電極２１８との電位差がオフ電圧の場合に反射表示が輝度の最も高い状態である明表示になるように構成されている。なお、透過表示についての輝度は透過率に対応し、反射表示についての輝度は反射率に対応する。また、暗表示は暗状態、黒表示等とも呼ばれ、明表示は明状態、白表示等とも呼ばれる。また、暗表示または明表示を実現する電圧であって電界ＥＴ，ＥＲをほとんど発生させない電圧をオフ電圧と呼び、これに対して暗表示または明表示を実現する電圧であってオフ電圧印加時に比べて大きな電界ＥＴ，ＥＲが発生する電圧をオン（ＯＮ）電圧と呼ぶことにする。

このため、ここでは、透過部６０Ｔはノーマリブラック方式（Normaly Black Type）に構成され、反射部６０Ｒはノーマリホワイト方式（Normaly White Type）に構成されている。このような構成は、液晶３００の材料、オフ電圧印加時における液晶３００の配向状態（いわゆる初期配向状態）、配向膜のラビング方向、偏光板１２８，２２０および位相差層２１６の特性や配置、等の調整によって可能である。

液晶表示装置５０では、第１電極１２０と第２電極１２４との間にオフ電圧が印加された場合、第１電極１２０と第３電極２１８との間にオン電圧を印加することによって反射部６０Ｒを暗表示にし、これにより透過部６０Ｔおよび反射部６０Ｒを同時に暗表示にする。すなわち画素全体を暗表示にする。他方、第１電極１２０と第３電極２１８との間にオフ電圧が印加された場合、第１電極１２０と第２電極１２４との間にオン電圧を印加することによって透過部６０Ｔを明表示にし、これにより透過部６０Ｔおよび反射部６０Ｒを同時に明表示にする。すなわち画素全体を明表示にする。

より具体的な一例を以下に説明する。

例えば、オフ電圧印加時において、透過部６０Ｔ内および反射部６０Ｒ内で液晶３００を液晶分子の長軸が電極１２０，１２４，２１８の表面に略平行になるようにかつスリット１２６の延在方向に略平行に初期配向させる（したがって図面の略垂直方向に配向させる）。なお、透過部６０Ｔと反射部６０Ｒとでラビング方向は同じに設定されている。また、偏光板１２８を透過軸が初期配向状態の液晶分子の長軸に略直交するように配置する。また、偏光板１２８の透過軸と透過軸を略直交させて偏光板２２０を配置する（いわゆる直交配置）。

この場合、オフ電圧印加時の透過表示について（図１参照）、素子基板１００側から入射したバックライト光は、偏光板１２８によって液晶分子の長軸に略直交する直線偏光になる。当該直線偏光の偏光方向と液晶分子の配向方向との関係によれば液晶３００の複屈折効果をほとんど受けないので、当該直線偏光は偏光状態を保ったまま偏光板２２０へ到達する。しかし、当該直線偏光は偏光板２２０の透過軸と略直交する方向に偏光しているので、偏光板２２０を透過することができず、その結果、透過表示は暗表示になる。

上記のように透過部６０Ｔにオフ電圧が印加される際には反射部６０Ｒにはオン電圧が印加されて反射部６０Ｒは暗表示にされる（図１参照）。暗表示時の反射部６０Ｒでは、液晶分子は電極１２０，２１８の表面に略直交する方向に配向する。対向基板２００側から入射した外光は、偏光板２２０によって直線偏光になり、１／４波長板として作用する位相差層２１６によって円偏光になり、液晶層３００へ進入する。当該円偏光は、液晶分子の上記配向状態によれば液晶３００の複屈折効果をほとんど受けないので、当該円偏光は偏光状態を保ったまま反射膜１１８へ到達し反射される。反射した円偏光は、位相差層２１６を再度通過して直線偏光になる。しかし、上記円偏光の回転方向（進行方向に対する回転方向）は往路と復路とでは逆になっているので、復路における直線偏光は、往路における直線偏光と略直交し、すなわち偏光板２２０の透過軸と略直交する方向に偏光している。このため、偏光板２２０を透過することができず、その結果、反射表示は暗表示になる。

他方、画素を明表示にする場合、上記のように反射部６０Ｒにオフ電圧を印加するとともに透過部６０Ｔにオン電圧を印加する（図２参照）。

透過部６０Ｔでは、オン電圧の印加によって、素子基板１００付近の液晶分子は、電極１２０，１２４の表面に略平行にかつスリット１２６の延在方向に略直交する方向に液晶分子が配向する。その一方で、対向基板２００付近の液晶分子は初期配向状態のままである。このため、透過部６０Ｔ内の液晶分子は全体として電極１２４，１２０の法線回りに９０°ねじれた状態に配向する。この場合、偏光板１２８によって直線偏光になったバックライト光は、素子基板１００付近の液晶分子の長軸に略平行な方向に偏光しており、液晶分子の上記ねじれた配向状態に従って旋光（回転）し、偏光板２２０へ到達した時点では対向基板２００付近の液晶分子の長軸に略平行な直線偏光になる。当該直線偏光は、偏光板２２０の透過軸と略平行に偏光しているので、偏光板２２０を透過し、その結果、透過表示は明表示になる。

反射部６０Ｒにオフ電圧が印加された場合、反射部６０Ｒの液晶３００は、オフ電圧が印加された透過部６０Ｔと同様に配向する。この場合、対向基板２００側から入射した外光は、暗表示時と同様の経路（光路）を辿る際に、液晶層３００の複屈折効果の影響を受ける。ここでは、反射部６０Ｒの液晶層３００はその複屈折性を利用して１／４波長板と同様に作用するように調整されている。外光は、偏光板２２０および位相差層２１６を透過することによって円偏光になり、１／４波長板として作用する液晶層３００によって直線偏光になり、反射膜１１８で反射する。反射した直線偏光は、液晶層３００によって円偏光になり、位相差層２１６へ到達する。このとき、復路における円偏光は往路における円偏光と回転方向が同じになるので、位相差層２１６を再度透過した後の直線偏光は、往路での直線偏光と略平行であり、すなわち偏光板２２０の透過軸と略平行に偏光している。このため、偏光板２２０を透過し、その結果、反射表示は明表示になる。

上記では暗表示および明表示の場合を説明したが、印加電圧の大きさの制御によって暗表示と明表示との間のレベルの輝度、いわゆる中間調表示を行うことも可能である。

上記構成によれば、透過部６０ＴがＦＦＳ方式であり、反射部６０ＲがＥＣＢ方式であり、透過部６０Ｔがオンの時に反射部６０Ｒをオフとし、反射部６０Ｒがオフの時に透過部６０Ｔがオンとするので、反射表示および透過表示の両方において、良好な表示を得ることができる。また、位相差層２１６を内蔵しているので、位相差板を外面に貼る必要がなく、他の方式の半透過型に比べて液晶パネルを薄くすることが可能となる。さらに、位相差層２１６が透過部６０Ｔのセルギャップより反射部６０Ｒのセルギャップを狭くするための層を兼ねることにより、製造工程を減らすことができる。

また、反射部６０ＲをＦＦＳ方式よりも反射率の高いＥＣＢ方式で構成しているので、透過部６０Ｔと反射部６０Ｒとの両方をＦＦＳ方式で構成する場合に比べて、高輝度の反射表示を得ることができる。

さらに、反射部６０ＲにＦＦＳ方式を採用していないので、平坦化膜１１６に上記凹凸面を形成する場合であっても、スリット１２６を有した電極１２４を当該凹凸面上に形成する必要がない。このため、凹凸面上におけるスリットのパターニング不具合が発生せず、良好な反射表示が得られる。また、透過表示についてはＦＦＳ方式によって広視野角、高コントラスト等が実現される。

また、ＦＦＳ方式では一般的に対向基板の外面にＩＴＯ膜等を形成して外部からの電界をシールドすることが多いが、上記構成によればシールド構造を外部に設ける必要がない。なぜならば、対向基板２００の第３電極２１８がシールド作用を奏するからである。なお、対向基板２００の全面にすきま無く設けられていなくても第３電極２１８によってシールド作用を得ることは可能である。

また、位相差層２１６は透過部６０Ｔには設けられていないので、透過部６０Ｔと反射部６０Ｒとを区別することなく全面的に外付けした場合とは異なり、透過表示についてＦＦＳ方式による広視野角、高コントラスト等が確保される。

また、位相差層２１６によって反射部６０Ｒでのセルギャップが透過部６０Ｔでのセルギャップよりも狭められている（いわゆるマルチギャップ構造）。このため、別途のトップコート層を用いなくても、透過部６０Ｔと反射部６０Ｒとでセルギャップを調整することができる。例えば、反射部６０ＲのセルギャップをＥＣＢ方式に適した値に調整することができる。

なお、上記では透過表示をＦＦＳ方式によって行う場合を例示したが、透過表示をＩＰＳ（In-Plane Switching）方式によって行う構成にすることも可能である。ＩＰＳ方式の場合、図３に示すように、透過部６０Ｔにおいて第１電極１２０と第２電極１２４とは平坦化膜１１６上に、すなわち同層に配置される。なお、図３には画素全体が明表示時の状態を例示している。

また、例えば偏光板１２８，２２０を互いの透過軸を略平行にして配置することによって、ノーマリブラック方式とノーマリホワイト方式とを入れ替えることも可能である。

また、第２電極１２４への電位印加と第３電極２１８への電位印加とが独立に実施可能であるので、上記とは異なる電位印加形態も可能である。例えば、透過部６０Ｔと反射部６０Ｒとでしきい値電位が相違する場合、電極１２４，２１８に異なる電位を独立に印加することによって、上記相違に起因した透過表示と反射表示との輝度差を低減して良好な表示を得ることができる。

本発明の実施の形態に係る液晶表示装置を説明する模式図である。本発明の実施の形態に係る液晶表示装置を説明する模式図である。本発明の実施の形態に係る他の液晶表示装置を説明する模式図である。

符号の説明

５０液晶表示装置、６０Ｔ透過部、６０Ｒ反射部、７０駆動回路、１００素子基板、１２０第１電極、１２４第２電極、２００対向基板、２１８第３電極、３００液晶。

Claims

第１基板と第２基板との間に液晶を狭持し、１つの画素内に透過表示を行う透過部と反射表示を行う反射部とを有し、第１電極と第２電極とを備えた前記第１基板と、前記画素を駆動する駆動回路と、を備える液晶表示装置であって、
前記第１基板と前記液晶を介して対向する前記第２基板に第３電極を備え、
前記第１電極は、前記第２電極とともに前記透過部に設けられている一方で、前記第３電極とともに前記反射部にも設けられ、
前記第１電極には前記画素を駆動する駆動回路の画素ＴＦＴを介して電位が印加され、
前記駆動回路は前記第２電極と前記第３電極とに独立に電位を印加可能に設けられ、
前記透過部において前記第１電極と前記第２電極との間にオフ電圧が印加された時に、前記反射部において前記第１電極と前記第３電極との間にオン電圧が印加され、
前記反射部において前記第１電極と前記第３電極との間にオフ電圧が印加された時に、前記透過部において前記第１電極と前記第２電極との間にオン電圧が印加されることを特徴とする液晶表示装置。
請求項１に記載の液晶表示装置であって、
前記透過部において前記第１電極と前記第２電極との間にオフ電圧が印加された時に、前記反射部において前記第１電極と前記第３電極との間にオン電圧が印加されて、前記反射部の前記液晶を前記第３電極に略直交するように配向させ、前記透過部および前記反射部を同時に暗表示にすることを特徴とする液晶表示装置。
請求項１または請求項２に記載の液晶表示装置であって、
前記反射部において前記第１電極と前記第３電極との間にオフ電圧が印加された時に、前記第１電極と前記第２電極との間にオン電圧が印加されて、前記透過部の前記液晶を前記第２電極の法線回りのねじれた状態に配向させ、前記透過部および前記反射部を同時に明表示にすることを特徴とする液晶表示装置。
請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の液晶表示装置であって、
前記反射部の液晶層はオフ電圧が印加された状態で１／４波長板として作用するように設定されていることを特徴とする液晶表示装置。
請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の液晶表示装置であって、
前記反射部には１／４波長板として作用する位相差層が配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
請求項５に記載の液晶表示装置であって、
前記位相差層によって、前記反射部のセルギャップが前記透過部のセルギャップよりも狭くされていることを特徴とする液晶表示装置。
請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の液晶表示装置であって、
前記第１基板には前記第１電極、絶縁膜、前記第２電極がこの順番に積層され、前記第２電極には第１電極と対向する領域にスリットを有していることを特徴とする液晶表示装置。