JP4308444B2 - 部品接合装置 - Google Patents
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- 238000005304 joining Methods 0.000 title claims description 27
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 21
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 92
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 230000036544 posture Effects 0.000 description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0556—Disposition
- H01L2224/05568—Disposition the whole external layer protruding from the surface
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05573—Single external layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体ウエハから切り分けたいわゆるベアチップのような電子部品を例えば回路基板上にバンプを介して直接に搭載して超音波振動を作用させて接合するフリップチップ実装等に適用可能な部品接合方法及び装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型、軽量化、及び機器に用いられる電子部品の高周波化に伴い、電子部品を直接に回路基板上に搭載して接合するフリップチップ実装が用いられてきている。中でも、SAWフィルタや水晶発振器などの微小デバイスをパッケージ基板に実装する際に、超音波振動を上記微小デバイスに与えることによって、上記微小デバイス又は上記パッケージ基板上に形成されたバンプを介して上記パッケージ基板上に上記微小デバイスを接合する超音波接合フリップチップ実装方式が多く用いられている。
【0003】
図16には、上記パッケージ基板上に上記微小デバイスを接合するための部品接合装置30の構成の内、主な構成部分として、ヘッド2と、認識装置6と、ステージ8とを図示している。ヘッド2は、上記微小デバイスに相当する電子部品1を保持し、該電子部品1を回路基板9上の接合位置に接合するため位置決めされた後、保持している電子部品1を回路基板9上に押圧しかつ超音波振動を電子部品1に作用させながら接合させる装置である。よってヘッド2には、上記超音波振動を発生する超音波振動発生部3と、先端部に電子部品1を吸着保持するための保持部4aを有し上記超音波振動発生部3に取り付けられるノズル4と、上記超音波振動発生部3及びノズル4をノズル4の周方向に回転させる回転装置5とを有する。尚、該ヘッド2は、不図示の移動装置にて例えばX方向に移動する。
【0004】
ステージ8には上記回路基板9が載置され、ステージ8は例えばY方向に移動可能な構造を有する。
認識装置6は、上記保持部4aに保持されている電子部品1の姿勢を認識する撮像カメラを備え、撮像情報は表示部7に表示される。保持部4aに保持されている電子部品1が回路基板9上の接合位置に接合されるように、上記撮像情報に基づき、上記ヘッド2及びステージ8がX、Y方向に移動する。
【0005】
上述の構成を有する部品接合装置30による従来の電子部品接合方法について説明する。
ヘッド2が部品保持位置に移動し、保持部4aによって電子部品1を吸着保持する。次に、保持部4aに保持された電子部品1を認識装置6にて認識し、保持されている電子部品1の位置及び角度を検出した後、回路基板9上の接合位置へ正しく接合可能なように、上記認識結果に基づいてヘッド2及び回転装置5を動作させて電子部品1の位置補正を行なう。そして回路基板9上の上記接合位置へ電子部品1を搭載しさらに押圧する。このとき、超音波振動発生部3を動作させて、ノズル4及び保持部4aを介して電子部品1に超音波振動を作用させる。
上記押圧動作及び超音波振動の作用により、電子部品1に接合されている図17に示すバンプ11と、回路基板9上の電極部10とが、両者の金属拡散現象にて接合する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、超音波振動を印加する前に上記バンプ11を上記電極部10に接触させた時点の搭載位置に対して、電子部品1に超音波振動を印加することによって、上記搭載位置からずれた位置に電子部品1が移動して接合されてしまうことがある。これは、バンプ11の配置が超音波振動の振動方向に対して対称でない場合に、接合が進行するときに各バンプ11における摩擦力のバランスが崩れることにより生じる。例えば図20に示すように、バンプ11が3つ存在する電子部品1に対して矢印14の方向に沿って上記超音波振動を作用させたような場合が相当する。電子部品1の位置ずれ量が大きいときには、接合後の製品が不良となることもある。
【0007】
これに対して、接合強度をできるだけ維持するとともに接合位置ずれを防ぐような接合条件を求めて対策を施す場合もあるが、接合強度及び位置ずれに関する不良がゼロとなる接合条件が必ずしも得られるものではない。一般的に、超音波振動の振幅を抑えることによって接合位置ずれは減少するが、これは接合強度の低下を招く。つまり、接合強度を増すことと接合位置ずれを抑えることは相反する関係にあるといえる。
【0008】
又、接合前において円形状のバンプ11は、超音波振動を印加されて接合されると、通常、楕円形に変形する。よって、電子部品1が回路基板9上に搭載されたとき、図18に示すように、バンプ11が回路基板9の電極部10の周縁部に位置した場合、上記超音波振動の印加による上記変形により、図19に示すように、回路基板9の電極部10の端部に接合したバンプ11は、該電極部10に隣接する配線パターンにまで達し、電気的なショートを引き起こして製品が不良となる場合がある。又、上記ショートに至らない場合であっても、バンプ11の変形によってバンプ11が電極部10からはみだして、バンプ11の接合面積の減少による接合強度の低下を起こし製品不良となる場合もある。これらに対しても、接合強度をできるだけ維持するとともに、バンプ11の変形を防ぐような接合条件を求め対策を施すこともあるが、必ずしも不良をゼロに抑える接合条件が得られるものではない。
【0009】
このように、従来の電子部品接合方法では、電子部品の接合位置のずれが発生したり、バンプ変形によるショート及び接合強度低下が発生して、製品不良が発生するという問題がある。又、製品不良の発生を防止する接合条件を求めるために長時間を要するという問題や、求めた条件によっては接合強度が低下し製品不良が発生するという問題もある。
本発明は、このような問題点を解決するためになされたもので、超音波振動を作用させて部品接合を行なうときに、製品不良の発生を従来に比べて低減可能な部品接合方法、及び該部品接合方法を実行する部品接合装置を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明の第2態様の部品接合装置は、電子部品の電極と、回路形成体の電極部とをバンプを介して接合するバンプ接合装置と、
上記バンプ接合装置による接合動作時に上記電子部品及び上記回路形成体を振動方向に沿って相対的に超音波振動させる超音波振動発生装置と、
上記バンプの数、上記バンプの配置位置、上記バンプの材質、及び上記バンプの高さの内の少なくとも一つの要素に基づいて上記振動方向を求め、求めた振動方向に沿って上記超音波振動発生装置に超音波振動を発生させる制御装置と、を備え、
上記バンプ接合装置は、上記電子部品と同じ大きさにてなる保持部材を先端に取り付けたノズルに上記超音波振動発生装置を取り付けた構成を有する状態にて、該バンプ接合装置は、さらに、上記超音波振動発生装置を上記ノズルの周方向に回転させる回転装置を有し、
上記制御装置は、上記回転装置による上記回転を制御して上記超音波振動発生装置を上記振動方向に沿って配置させて上記振動方向に沿った超音波振動を上記超音波振動発生装置に発生させ、
上記超音波振動発生装置は、上記回転装置による回転に対して上記電子部品を保持可能な姿勢に上記ノズルの取り付けを変更する取付変更機構を有する、ことを特徴とする。
【0016】
又、上記第2態様において、上記保持部材を撮像する撮像装置と、該撮像情報を可視的に表示するモニタとをさらに備えるように構成することもできる。
【0017】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態である部品接合方法、及び該部品接合方法を実行する部品接合装置について、図を参照しながら以下に説明する。尚、各図において同じ構成部分については同じ符号を付している。
又、この明細書で回路形成体とは、樹脂基板、紙−フェノール基板、セラミック基板、ガラス・エポキシ(ガラエポ)基板、フィルム基板等の回路基板、単層基板若しくは多層基板などの回路基板、部品、筐体、又は、フレーム等、回路が形成されている対象物を意味する。尚、本実施形態では、回路基板を例に採る。又、電子部品の一例として、本実施形態では半導体ウエハより切り分けた半導体チップを例に採る。又、本実施形態では、該半導体チップの電極に金にてなるバンプが形成されている。しかしながら、電子部品、及びバンプ形成されている部材は、上述の場合に限定するものではない。
【0018】
図1に示すように、上記実施形態の部品接合装置101は、大別して、部品供給装置102、回路形成体保持装置としての機能を果たす一例としてのボンディングステージ103、部品反転装置104、バンプ接合装置105、回路基板搬送装置106、撮像装置124、及び制御装置110を備える。
上記部品供給装置102には、半導体ウエハに形成された集積回路の電極にバンプが形成され、さらに個々の集積回路毎にスクライブされた状態のウエハ112がマガジンリフタ111から供給される。上記部品供給装置102は、上記ウエハ112のいわゆる引き延ばしを行って、上記集積回路部分が形成された個々の上記半導体チップに分割し、該分割によりウエハ112から切り分けられた半導体チップ150を供給する装置である。本実施形態では、図9に示すように半導体チップ150の電極13にはバンプ11が形成されている。尚、本実施形態において上記バンプ11における直径寸法Iは、約100μmであり、半導体チップ150の電極13上における土台部分11aの高さ寸法IIIは約30〜35μmであり、全高寸法IIは約70〜75μmである。又、後述するように、バンプ11は、回路基板20の電極部21に押圧されるが、押圧後のつぶれたバンプ(以後、つぶれたバンプ11に対して符号「12」を付す)は、図10に示すような形状であり、バンプ12の高さ寸法IVは、上記土台部分11aの高さ寸法IIIにほぼ等しい。
【0019】
又、部品供給装置102に供給されたウエハ112及び個々の上記半導体チップ150の状態は、部品供給装置102の上方に設置されたウエハ認識装置113にて撮像され、その撮像情報は制御装置110に供給される。
尚、上述のように本実施形態では、電子部品として上記半導体チップを例に採っているので、このような形態の部品供給装置102を備えるが、処理する電子部品の形態が異なればそれに対応して当然に部品供給装置の形態も変更されることになる。
【0020】
上記回路基板搬送装置106は、当該部品接合装置101へ回路基板20を搬入、搬出する装置である。
上記ボンディングステージ103は、上記回路基板搬送装置106にて搬入された上記回路基板20を載置してバンプ接合を行なうためのステージであり、図11に示すように、いわゆるボールねじ構造にてなり駆動部としてのモータ114を有するY軸ロボット107にて、Y方向へ滑動する。又、ボンディングステージ103は、回路基板搬送装置106から供給される回路基板20の大きさに応じて、該回路基板20をボンディングステージ103上に載置するため、上記回路基板20のY方向に沿った周縁部分を保持しX方向に可動な基板規正部115と、上記回路基板20のX方向に沿った周縁部分を保持しY方向に可動な基板規正部116とを備える。又、上記ボンディングステージ103には、上記回路基板20を吸着保持するための吸入用通路が形成されており上記吸入用通路は吸引装置117に連通している。又、バンプ接合のために上記回路基板20を約150℃に加熱する加熱装置118が備わる。
【0021】
上記ウエハ112では、当然に、上記バンプ11を有する回路形成部分が上を向いている。そして、分割された上記半導体チップ150のそれぞれは、部品供給装置102に備わる突き上げ装置120にて上記半導体チップ150の厚み方向に突き上げられた後、部品反転装置104にて一つずつ保持される。部品反転装置104は、上記部品供給装置102から上記半導体チップ150を保持し該半導体チップ150の電極13に形成されているバンプ11が上記ボンディングステージ103上に載置されている上記回路基板20に対向するように、保持した半導体チップ150を反転する装置である。
【0022】
バンプ接合装置105は、上記部品反転装置104から上記半導体チップ150を受け取り上記ボンディングステージ103へ搬送した後、ボンディングステージ103に載置されている上記回路基板20の所定位置へ、保持している半導体チップ150をZ方向に押圧するとともに超音波振動を作用させて上記バンプ11を回路基板20の電極部21へ接合する装置である。該接合装置105は、図2及び図12に示すように、半導体チップ150を保持する部品保持装置96と、半導体チップ150をバンプ11を介して回路基板20に押圧するボイスコイルモータ(VCM)121と、該ボイスコイルモータ121による押圧動作時に、本実施形態では半導体チップ150を主振動方向に沿って超音波振動させる圧電素子91を有する超音波振動発生装置9と、本実施形態において特徴的な構成部分の一つであり、制御装置110の制御に基づいて下記のノズル93の周方向(θ方向と記す場合もある)に上記圧電素子91を回転させる回転装置122とを備える。上記圧電素子91は、発振器133を介して制御装置110に接続される。
【0023】
上記部品保持装置96は、図12に示すように、本実施形態では保持される半導体チップ150と同形状で同じ大きさにてなり、上記半導体チップ150を保持する保持部材95と、先端に保持部材95を取り付け本実施形態では上記半導体チップ150を吸着保持するための吸引用通路94が軸方向に沿って形成されているノズル93と、上記吸引用通路94に連通し制御装置110にて動作制御される吸引装置119と、を備える。尚、半導体チップ150の保持方法としては、上述の吸着動作に限定されるものではなく、例えば機械的に保持するように構成することもできる。
【0024】
保持部材95を、保持される半導体チップ150と同形状で同じ大きさとするのは以下の理由による。即ち、保持する半導体チップ150に対して保持部材95が小さいときには、半導体チップ150の全体に超音波振動が伝導しないため、接合強度が悪化するという問題が生じる場合がある。逆に、保持する半導体チップ150に対して保持部材95が大きいときには、半導体チップ150と、保持部材95の半導体チップ接触面とが超音波振動により擦れるため、保持部材95の上記半導体チップ接触面が磨耗し、上記半導体チップ接触面に半導体チップ150と同形状の窪みができる場合がある。よって、上記半導体チップ接触面にて半導体チップ150の位置ずれが生じたときには、半導体チップ150に局所的な荷重が作用し半導体チップ150を破損する場合があるからである。
よって、保持部材95は、保持される半導体チップ150と同形状で同じ大きさとするのが好ましい。
【0025】
上記ボイスコイルモータは、本実施形態では、上記バンプ11と上記回路基板20の電極部21とを接合するため、上記電極部21に対して上記バンプ11を対向させてバンプ11と上記電極部21とが互いに近接する方向(本実施形態では、Z方向)へ上記半導体チップ150を移動し、バンプ11と上記電極部21とを押圧する。
【0026】
上記超音波振動発生装置9は、上記バンプ11と回路基板20側の電極部21との間に摩擦熱を発生させて、上記ボンディングステージ3の加熱温度の低減を図りかつ上記バンプ11の接合を強固なものにするため、上記バンプ11を振動させるための超音波振動を発生する装置である。該超音波振動発生装置9は、図12に示すように、複数積層された圧電素子91と該圧電素子91が一端部に接続される超音波ホーン92とを備え、これらの圧電素子91に電圧が印加されることで、圧電素子91の積層方向に相当する主振動方向97に沿って超音波振動を発生する。発生した上記主振動方向97への振動は、超音波ホーン92にて増幅される。超音波ホーン92の他端部には、上記半導体チップ150を保持する上記保持部材95を先端に設けたノズル93が取り付けられており、圧電素子91の上記振動により、ノズル93、即ち保持部材95に保持されている半導体チップ150が上記主振動方向97へ超音波振動する。尚、圧電素子91は上記主振動方向97へ振動するが、発生した振動が上記半導体チップ150へ伝導する過程にて、実際には種々の方向への振動が生じる。よって、上記半導体チップ150では主たる振動方向は上記主振動方向97であるが実際には種々の方向へ振動している。
【0027】
部品接合装置101では、上記ボンディングステージ103にて約150℃に加熱された上記回路基板20に対して上記半導体チップ150の上記バンプ11を押圧した後、上記半導体チップ150を介して上記バンプ11を超音波振動して上記バンプ11と上記電極部21との間に摩擦熱を発生させて上記接合を行っている。
【0028】
次に、上記回転装置122について説明する。
図20を参照して説明したように、バンプ11の配置が超音波振動の振動方向に対して対称でない場合に、接合が進行するときに各バンプ11における摩擦力のバランスが崩れることにより、上記搭載位置からずれた位置に電子部品1が移動して接合されてしまう場合が生じる。又、図19を参照して説明したように、作用させる超音波振動の方向によっては、バンプ11は、該電極部10に隣接する配線パターンにまで達し、電気的なショートを引き起こす場合や、バンプ11の接合面積の減少による接合強度の低下を起こす場合がある。
【0029】
そこで本実施形態ではこのような問題点を解消するために、電子部品の一例である半導体チップ150に対して、接合を行なうに際し作用させる超音波振動の上記主振動方向97を、バンプ11の位置ずれを防止する方向に変化させる。具体的に説明すると、上記主振動方向97は、半導体チップ150における、バンプ11の数、バンプ11の配置位置、バンプ11の材質、及びバンプ11の高さの内の少なくとも一つの要素に基づいて求められ、本実施形態では、求めた主振動方向97に沿って半導体チップ150を超音波振動させながら上記接合を行なう。これは、一つの半導体チップ150における上記バンプ11の数、配置位置、高さは、超音波振動を作用させた接合時に、各バンプ11における摩擦力のバランスを崩す要因になるからである。又、例えばLED(発光ダイオード)にあっては、2つの電極部の材質が例えばアルミニウムと金とからなるように異なる場合がある。よって、例えば金にてなるバンプ11と電極部との材質の相異により、接合が完了するまでの時間や、接合強度が各バンプ11で相違する。このようにバンプ11の材質も上記摩擦力のバランスを崩す要因になる。
【0030】
よって、例えばパワーモジュールICや、ハードディスク用ヘッドの先端に取り付けられるGMR(Giant Magneto Resistive:巨大磁気抵抗効果)ヘッドの場合のようにバンプ11の配置位置に偏りがある場合で、バンプ11の配置位置に基づいて上記主振動方向97を求めるとき、主振動方向97は、バンプ11の配置をほぼ対称とする対称軸に沿う方向として求められる。具体的に説明すると、例えば図5に示すように、バンプ11が四角形の各頂点部分に存在するようなときには、上記対称軸としては、符号971−1から971−4にて示す4つの軸が考えられる。よって、上記主振動方向97は、これら対称軸971−1〜971−4のいずれか一つに沿った方向となる。
又、例えば図6に示すようにバンプ11が三角形の各頂点部分に存在するようなときには、もし符号973にて示す方向に超音波振動させたとすると、接合が進行中の状態においてバンプ数の多い、図の上側の接合強度が下側に比べて強くなる。その状態で更に超音波振動を与えると、接合強度が強い上記上側では、半導体チップ150と保持部材95とが滑るのに対し、下側では回路基板20に接しているバンプ11が振動することになる。その結果、上側の2バンプ11の内どちらかのバンプ11を支点にして、回転方向に半導体チップ150が位置ずれする場合がある。これに対し、符号972にて示す45度方向に超音波振動を作用させたときには、接合の進行中において各バンプ11の接台強度バランスが保たれたまま振動するため、半導体チップ150のずれは発生しない。
よって、上記対称軸としては、符号972にて示すものが考えられ、上記主振動方向97は、対称軸972に沿った方向となる。
【0031】
又、上記電気的ショートや、バンプ11の接合面積減による接合強度の低下を起こすときには、上記主振動方向97は、上記電極13又は上記電極部21の領域内で上記バンプ11が上記超音波振動により接合する方向である。具体的には、例えば図7に示すように、バンプ11が電極部21の周縁部に位置するようなときには、超音波振動によるバンプ11の変形が電極部21の領域からはみ出さないような、矢印973にて示す方向が上記主振動方向97となる。
【0032】
尚、制御装置110には、接合動作に関わる半導体チップ150におけるバンプ11の位置情報、該半導体チップ150が接合される回路基板20における電極部21の位置及び大きさ情報、電極部21に対するバンプ11の配置情報等の接合動作に必要な接合用情報が格納されており、制御装置110は、上記接合用情報に基づいて自動的に上記主振動方向97を求めることができる。あるいは又、主振動方向97を制御装置110に作業者が入力することも可能であり、さらに、通信回線を介して供給するように構成することも可能である。
【0033】
このように主振動方向97が求まる状況において、上記回転装置122は、図2及び図12に示すように、上記圧電素子91を保持する圧電素子保持部材1221と、Z軸方向に延在する上記ノズル93の周方向(θ方向)1222へ圧電素子保持部材1221を回転させ、制御装置110にて動作制御される、本実施形態ではモータにて構成される駆動部1223と、該駆動部1223の動力を上記圧電素子保持部材1221へ伝達する伝達機構1224と、を有する。
【0034】
このような構成により、圧電素子91の積層方向が上記主振動方向97に沿うように制御装置110にて制御されて駆動部1223が動作し、伝達機構1224を介して圧電素子保持部材1221が上記周方向(θ方向)1222へ回転する。よって、圧電素子保持部材1221に保持されている圧電素子91及び該圧電素子91の一端に取り付けられている超音波ホーン92も上記周方向1222へ回転する。このように、本実施形態では、回転装置122及び制御装置110にて、圧電素子91の積層方向を上記主振動方向97に沿わせることができる。よって、上記搭載位置からずれた位置に電子部品1が移動して接合されてしまうことや、上記電気的ショートや、バンプ11の接合面積の減少による接合強度の低下を起こすことはなくなり、製品不良の発生を従来に比べて低減することができる。
【0035】
一方、圧電素子91の該回転により、上記超音波ホーン92の他端部に取り付けられているノズル93、さらにノズル93に固定されている保持部材95も上記周方向1222に回転する。本実施形態では、上述のように保持部材95は、保持する半導体チップ150と同形状及び同面積にてなるので、保持部材95が上記周方向1222に回転することで、上記部品反転装置104から保持部材95が半導体チップ150を保持しようとしたとき、図13に示すように、保持部材95と半導体チップ150とが位置ずれしてしまう場合がある。
そこで本実施形態では、図4に示すように、圧電素子保持部材1221に保持されている圧電素子91の超音波ホーン92に対して独立して、保持部材95が半導体チップ150を保持可能な姿勢に保持部材95の向き、つまりノズル93の取り付けを変更可能とする取付変更機構98を超音波ホーン92に設けている。
【0036】
上記取付変更機構98として、本実施形態では、図示するように、超音波ホーン92に設けられノズル93を挿通するノズル取付穴921に、ノズル93を圧接させる固定用ネジ922を有する締結機構にてなる。尚、取付変更機構98の構造としては、該形態に限定されるものではなく、公知の締結構造を採ることができる。
よって、圧電素子91の積層方向が上記主振動方向97に沿うように上記回転装置122により上記圧電素子保持部材1221を上記周方向1222に回転させた後、上記固定用ネジ922を緩めることで、圧電素子保持部材1221に圧電素子91を介して保持されている超音波ホーン92に対してノズル93、即ち上記保持部材95を上記周方向1222へ自由に回転させることができる。よって、保持部材95によって保持される半導体チップ150の向きに応じて保持部材95の向きを変更することができる。
尚、バンプ接合装置105において、ノズル93は、上記周方向1222へ自由に回転可能な構造にて取り付けられている。
【0037】
上述の説明では、予め超音波ホーン92にノズル93が取り付いた状態で圧電素子保持部材1221を介して圧電素子91及び超音波ホーン92を上記周方向1222に回転させたが、超音波ホーン92にノズル93を未装着の状態にて、圧電素子保持部材1221を介して圧電素子91及び超音波ホーン92を上記周方向1222に回転させた後、部品反転装置104から半導体チップ150を保持可能な姿勢に保持部材95が一致するように、超音波ホーン92に対してノズル93を装着し、上記取付変更機構98の固定用ネジ922にて取り付けを完了させてもよい。尚、後述する接合方法の動作説明では、この、追ってノズル93を装着する方法にて説明する。
【0038】
以上のように構成されるバンプ接合装置105は、X軸ロボット108にてX軸方向へ移動させる。X軸ロボット108は、本実施形態では図2に示すようにいわゆるボールねじ構造を有し、制御装置110にて動作制御される駆動部としてのモータ123を有する。よって、ボンディングステージ103上に保持されている回路基板20に対してバンプ接合装置105に保持されている半導体チップ150を接合させるときには、上記X軸ロボット108にてX軸方向における位置制御がなされ、ボンディングステージ103のY軸ロボット107にてY軸方向における位置制御がなされ、半導体チップ150の電極13に形成されているバンプ11と回路基板20の電極部21とが対向して配置可能となる。
【0039】
上記撮像装置124は、上記保持部材95における上記周方向1222への回転量を認識するため、及び保持部材95に保持されている半導体チップ150の位置ずれを認識するために、保持部材95をその真下から撮像し認識する装置であり、撮像カメラ1241と、上記制御装置110に含まれる画像認識部1242と、撮像した画像を表示するモニタ1243とを有する。さらに又、上記撮像カメラ1241を上記保持部材95の撮像可能位置まで移動させる移動装置を備えることもできる。
上述のように、上記回転装置122により上記圧電素子保持部材1221を上記周方向1222に回転させた後、部品反転装置104に保持されている半導体チップ150の向きに応じて保持部材95の向きを変更する必要があるが、該撮像装置124にて保持部材95の姿勢を認識してモニタ1243に表示させることで、上記向きを変更するための上記周方向1222における保持部材95の回転をモニタ1243の映像にて確認しながら行なうことができる。よって、モニタ1243は、超音波ホーン92に対してノズル93を作業者が取り付けながら目視確認できる位置に配置されている。
【0040】
上記制御装置110は、上述したそれぞれの装置、例えば部品供給装置102、ボンディングステージ103等の動作制御を行なう。機能面より制御装置110を区分すると、制御装置110は、図3に示すように主処理部1101、メモリ部1102、モータ制御部1103、荷重制御部1104、及び上記画像認識部1242を有する。上記メモリ部1102は、上述の接合用情報を含め種々の情報を格納する。上記モータ制御部1103は、上記X軸ロボット108のモータ123、ボンディングステージ103のY軸ロボット107におけるモータ114、バンプ接合装置105の上記ボイスコイルモータ121、及び上記回転装置122の駆動部1223の動作制御を行なう。よって、回転装置122による上記主振動方向97への圧電素子91の上記周方向1222への回転は、上記主処理部1101にて上記主振動方向97が求められ、モータ制御部1103の制御により回転装置122の駆動部1223が動作制御される。上記荷重制御部1104は、ボイスコイルモータ121へ供給する電流を制御して発生する押圧力を制御する。
尚、本実施形態では制御装置110は、部品接合装置101の全体にて一つ設けられ、例えばバンプ接合動作の制御等を行なうが、もちろんそれぞれの装置に対応して個々に制御装置を設けることもできる。
【0041】
次に、上述の構成を備えた当該部品接合装置101による、上記半導体チップ150と回路基板20との接合方法について、図8を参照して以下に説明する。尚、上記接合方法は、制御装置110の動作制御に基づいて実行される。
まず、ステップ(図内では「S」にて示す)1では、上述したように制御装置110は、接合対象となっている上記半導体チップ150及び回路基板20における上記接合用情報に基づいて、上記主振動方向97を求める。そして、求めた主振動方向97に圧電素子91の上記積層方向及び超音波ホーン92が沿うように、上記バンプ接合装置105の回転装置122の駆動部1223を動作制御して上記圧電素子保持部材1221を介して圧電素子91及び超音波ホーン92を上記周方向1222へ回転させる。尚、ここでは、該回転動作において超音波ホーン92にはノズル93は未装着の状態である。
【0042】
次のステップ2では、部品反転装置104から半導体チップ150を保持可能な角度である部品保持角度に保持部材95が一致するように、超音波ホーン92に対してノズル93を装着し、上記取付変更機構98の固定用ネジ922にて超音波ホーン92にノズル93を固定する。
該ノズル93の超音波ホーン92への取り付け動作において、撮像装置124の撮像カメラ1241を上記保持部材95の撮像可能位置へ移動させ、上記モニタ1243にて保持部材95の向きを目視確認しながら、保持部材95が上記部品保持角度になるようにセットした後、上記固定用ネジ922にてノズル93を超音波ホーン92に固定するのが、作業性より好ましい。
【0043】
次のステップ3では、ボンディングステージ103に保持されている回路基板20上の接合位置に半導体チップ150を装着させる一連の動作を開始する。
次のステップ4では、部品反転装置104にて部品供給装置102から半導体チップ150を保持した後、上下が反転され、部品保持位置まで搬送される。一方、バンプ接合装置105もX軸ロボット108にて上記部品保持位置まで移動される。
次のステップ5では、再度、上記バンプ接合装置105の回転装置122の駆動部1223を動作制御して上記圧電素子保持部材1221を介して圧電素子91及び超音波ホーン92を上記周方向1222へ回転させる。上述のようにステップ1にて該回転動作は既に実行しているが、一連の動作により圧電素子91及び超音波ホーン92が原点復帰していたり、連続動作においては前回実装における角度に設定されたままになっているため、ステップ5においても実行される。
【0044】
次のステップ6では、反転された半導体チップ150は、上記部品保持位置にてバンプ接合装置105の保持部材95によって部品反転装置104から保持される。このとき、上記ステップ2にて保持部材95の向きは、部品反転装置104にて保持されている半導体チップ150の向きに一致するように配向したことから、図13に示すように保持部材95と半導体チップ150とが位置ずれすることはない。
【0045】
次のステップ7では、上記X軸ロボット108にてバンプ接合装置105を上記撮像装置124の撮像カメラ1241の上方まで移動させ、ステップ8にて、撮像カメラ1241は、保持部材95に保持されている半導体チップ150の保持姿勢を撮像する。
次のステップ9では、上記保持されている半導体チップ150が上記接合位置に正確に装着可能となるように、上記保持姿勢の撮像情報に基づいて半導体チップ150の微小な位置補正が実行される。即ち、上記回転装置122によって、圧電素子保持部材1221及び超音波ホーン92を介してなされるノズル93の先端の保持部材95における上記周方向1222への回転量が制御させるとともに、上記X軸ロボット108及びY軸ロボット107のX、Y方向への移動量が制御される。
【0046】
そしてステップ10にて、保持部材95に保持されている半導体チップ150は、ボンディングステージ103に保持されている回路基板20上の接合位置にバンプ接合装置105によって搭載される。
次のステップ11では、圧電素子91を動作させて、保持部材95に保持されている半導体チップ150に対して超音波振動を作用させながら、ボイスコイルモータ121により押圧して、バンプ11を介して半導体チップ150を回路基板20に接合する。
【0047】
上述したように、接合時において半導体チップ150に作用される超音波振動の振動方向は、ステップ1にて設定した上記主振動方向97における角度と、ステップ9にて設定した補正用角度とを加算した角度方向となる。通常、上記補正用角度は、微小であるため、接合時に半導体チップ150に作用する超音波の振動方向は、上記主振動方向97に等しいとみなすことができる。
このように本実施形態では、半導体チップ150を保持するときの角度や、保持部材95と半導体チップ150との位置関係を変えることなく、バンプ11の位置ずれを生じさせない適切な方向に超音波振動を作用させて半導体チップ150を回路基板20へ接合させることができる。よって、半導体チップ150は、位置ずれを生じずかつ接合強度が低下することもない。
【0048】
尚、上述の実施形態では、バンプ11を形成した半導体チップ150を回路基板20側へZ方向に沿って移動させて押圧しているが、該形態に限定するものではない。即ち、図14に示すように、バンプ11は、回路基板20の電極部21に形成されていても良く、又、例えば図15に示すように、バンプ接合時においてバンプ接合装置205を固定しておき上記回路基板20を載置したボンディングステージ203をバンプ接合装置205へ移動させてもよい。その移動用の駆動装置としては、例えば上述したようなボイスコイルモータ221を使用し、上述のように該ボイスコイルモータ221へ供給する電流値にて移動量を制御しても良い。要するにバンプ接合時においてバンプ11と電極部21とを相対的に移動させれば良い。尚、図15において、符号207はY軸ロボットを示し、符号208はX軸ロボットを示す。
【0049】
又、上述の実施形態では、超音波振動をノズル93を介して半導体チップ150に作用させたが、これに限定されるものではなく、図15に示すように回路基板20側を超音波振動発生装置209にて超音波振動させてもよい。要するに、バンプ11と回路基板20とを相対的に振動させれば良い。
【0050】
又、上述の実施形態では、保持部材95は、半導体チップ150と同形状、同面積としたが、半導体チップ150を超える大きさにて形成されてもよい。このような保持部材を用いることで、保持部材と半導体チップ150とにおける上記周方向1222での姿勢が異なるときでも、該姿勢を一致させるための動作を省くこともできる。
【0051】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明の第2態様の部品接合装置によれば、バンプ接合装置、超音波振動発生装置、及び制御装置を備え、電子部品と回路形成体とを接合させる際に作用させる超音波振動の振動方向をバンプの位置ずれを防止する方向に変化させた後、上記接合を行なうことから、超音波振動の作用により電子部品が位置ずれしたり、バンプの接触面積が減少することによる接合強度の低下を防止でき、いかなる接合対象物に対しても常に最適の超音波振動方向において接合を行なえ、製品不良の発生を従来に比べて低減することができる。
【0052】
上記振動方向は、バンプの数、配置位置等に基づいて求めることができ、バンプの配置位置に基づいて上記振動方向を求めるときにはバンプの配置をほぼ対称とする対称軸に沿う方向を上記振動方向とすることで、又、上記振動方向を、電子部品の電極又は回路形成体の電極部の領域内でバンプが接合可能な方向とすることで、バンプ配置や上記電極部のパターンが異なる接合対象物に対しても常に最適の超音波振動方向において接合を行なうことができる。よって、電子部品の位置ずれ、バンプの接合強度低下を防止でき、電子部品及び回路基板の接合対象物の相異に起因する接合品質及び不良率の差をなくすことができ、製品不良の発生を従来に比べて低減することができる。
【0053】
又、上記第2態様において、上記バンプ接合装置は、上記電子部品と同じ大きさにてなる保持部材を先端に取り付けたノズルに上記超音波振動発生装置を取り付けた構成を有するとき、上記バンプ接合装置は、取付変更機構を有することもできる。よって、上記バンプ接合装置に備わる回転装置にて超音波振動発生装置を回転させた後、保持部材の姿勢を変更するために、上記超音波振動発生装置に対して上記取付変更機構にて上記ノズルを取り付け姿勢を変更することができ、保持部材と電子部品との姿勢を一致させることができる。したがって、保持部材から電子部品に対して超音波振動を確実に伝達することができ、電子部品の接合を確実に行なうことができる。又、超音波振動発生装置の配置方向が変化しても同じ保持部材を使用することができることから、保持部材の種類を増やすことなく超音波印加方向を変化させることができる。
【0054】
又、撮像装置を備えることで、上記ノズルの取り付け姿勢の変更を撮像情報に基づいて実行することができ、作業時間の短縮及び容易化を図れ作業性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施形態における部品接合装置の全体を示す斜視図である。
【図2】 図1に示す部品接合装置に備わるバンプ接合装置の拡大斜視図である。
【図3】 図1に示す部品接合装置に備わる制御装置の制御系を説明するためのブロック図である。
【図4】 上記バンプ接合装置における超音波ホーンへのノズルの取り付け状態を説明するための斜視図である。
【図5】 上記バンプ接合装置に備わる超音波振動発生装置にて発生させる超音波振動の主振動方向を説明するための図である。
【図6】 上記バンプ接合装置に備わる超音波振動発生装置にて発生させる超音波振動の主振動方向を説明するための図である。
【図7】 上記バンプ接合装置に備わる超音波振動発生装置にて発生させる超音波振動の主振動方向を説明するための図である。
【図8】 図1に示す部品接合装置にて実行される部品接合動作のフローチャートである。
【図9】 図1に示す部品接合装置にて扱われる半導体チップに形成されたバンプを示す図である。
【図10】 図9に示すバンプが回路基板の電極部に接合された状態を示す図である。
【図11】 図1に示す部品接合装置に備わるボンディングステージ部分の拡大斜視図である。
【図12】 上記バンプ接合装置における圧電素子、超音波ホーン、ノズル、保持部材部分の拡大図である。
【図13】 上記バンプ接合装置における保持部材と半導体チップとの位置ずれを示す図である。
【図14】 図9に示す構造の変形例であって回路基板にバンプを形成した状態を示す図である。
【図15】 図1に示す部品接合装置の変形例であって、回路基板側をZ方向に移動可能とし、さらに超音波振動させる構造を示す図である。
【図16】 従来の部品接合装置の主要部分を示す斜視図である。
【図17】 バンプ付きの電子部品を示す斜視図である。
【図18】 回路基板の電極部とバンプとの位置関係を示す図である。
【図19】 超音波振動によるバンプの変形によりバンプが配線パターンに接触した状態を示す図である。
【図20】 不適切な方向に超音波振動を作用させた状態を示す図である。
【符号の説明】
9…超音波振動発生装置、11…バンプ、13…電極、20…回路基板、
21…電極部、93…ノズル、95…保持部材、97…主振動方向、
98…取付変更機構、
101…部品接合装置、105…バンプ接合装置、110…制御装置、
122…回転装置、124…撮像装置、150…半導体チップ、
971、972…対称軸、1222…周方向。
Claims (2)
- 電子部品(150)の電極(13)と、回路形成体(20)の電極部(21)とをバンプ(11)を介して接合するバンプ接合装置(105)と、
上記バンプ接合装置による接合動作時に上記電子部品及び上記回路形成体を振動方向に沿って相対的に超音波振動させる超音波振動発生装置(9)と、
上記バンプの数、上記バンプの配置位置、上記バンプの材質、及び上記バンプの高さの内の少なくとも一つの要素に基づいて上記振動方向を求め、求めた振動方向に沿って上記超音波振動発生装置に超音波振動を発生させる制御装置(110)と、を備え、
上記バンプ接合装置は、上記電子部品と同じ大きさにてなる保持部材(95)を先端に取り付けたノズル(93)に上記超音波振動発生装置を取り付けた構成を有する状態にて、該バンプ接合装置は、さらに、上記超音波振動発生装置を上記ノズルの周方向(1222)に回転させる回転装置(122)を有し、
上記制御装置は、上記回転装置による上記回転を制御して上記超音波振動発生装置を上記振動方向に沿って配置させて上記振動方向に沿った超音波振動を上記超音波振動発生装置に発生させ、
上記超音波振動発生装置は、上記回転装置による回転に対して上記電子部品を保持可能な姿勢に上記ノズルの取り付けを変更する取付変更機構(98)を有する、
ことを特徴とする部品接合装置。 - 上記保持部材を撮像する撮像装置(124)と、該撮像情報を可視的に表示するモニタ(1243)とをさらに備える、請求項1記載の部品接合装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001048499A JP4308444B2 (ja) | 2001-02-23 | 2001-02-23 | 部品接合装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001048499A JP4308444B2 (ja) | 2001-02-23 | 2001-02-23 | 部品接合装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002252253A JP2002252253A (ja) | 2002-09-06 |
JP4308444B2 true JP4308444B2 (ja) | 2009-08-05 |
Family
ID=18909754
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001048499A Expired - Fee Related JP4308444B2 (ja) | 2001-02-23 | 2001-02-23 | 部品接合装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4308444B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007207951A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Toshiba Corp | バンプ配置評価装置、半導体装置設計支援装置及び半導体装置製造方法 |
JP5173624B2 (ja) * | 2008-06-20 | 2013-04-03 | キヤノン株式会社 | 記録ヘッド及び記録ヘッドの製造方法 |
KR102507222B1 (ko) * | 2018-05-14 | 2023-03-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
-
2001
- 2001-02-23 JP JP2001048499A patent/JP4308444B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002252253A (ja) | 2002-09-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090210 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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