[go: up one dir, main page]

JP4291656B2 - キャビティ付き多層セラミック基板の製造方法 - Google Patents

キャビティ付き多層セラミック基板の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4291656B2
JP4291656B2 JP2003329217A JP2003329217A JP4291656B2 JP 4291656 B2 JP4291656 B2 JP 4291656B2 JP 2003329217 A JP2003329217 A JP 2003329217A JP 2003329217 A JP2003329217 A JP 2003329217A JP 4291656 B2 JP4291656 B2 JP 4291656B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cavity
green sheet
inorganic composition
glass
ceramic substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2003329217A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005093961A (ja
Inventor
裕之 高橋
弘至 片桐
学 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Niterra Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Spark Plug Co Ltd filed Critical NGK Spark Plug Co Ltd
Priority to JP2003329217A priority Critical patent/JP4291656B2/ja
Publication of JP2005093961A publication Critical patent/JP2005093961A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4291656B2 publication Critical patent/JP4291656B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/49105Connecting at different heights
    • H01L2224/49109Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors

Landscapes

  • Devices For Post-Treatments, Processing, Supply, Discharge, And Other Processes (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Description

本発明は、焼成収縮が少なく形状および寸法精度の高いキャビティ付き多層セラミック基板の製造方法に関する。
複数のグリーンシートを積層し、その両面にかかるグリーンシートよりも焼結温度が高い収縮抑制シートをそれぞれ積層した状態で上記グリーンシートの焼結温度にて焼成した後、未焼成の収縮抑制シートを除去することにより、平面方向の寸法精度が高いキャビティ付き多層セラミック基板を得るための製造方法が提案されている。
例えば、ガラスセラミック・グリーンシートを積層して凹部を有する積層体を作製し、かかる凹部に拘束用無機組成物を充填し、この積層体の両面に密着剤層を介在させて、難焼結性無機材料および有機バインダを含む拘束グリーンシートをそれぞれ積層し、得られた積層体を焼成した後、上記拘束用無機組成物と拘束グリーンシートとを除去する、という工程からなるガラスセラミック基板の製造方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
特開2002−193674号公報(1〜8頁、図1)
前記拘束用無機組成物は、ペースト状または粉体状のものであり、例えばペースト状の拘束用無機組成物を印刷法により前記凹部に充填した場合、かかる組成物と凹部(キャビティ)の内面との間には、密着が不十分で隙間を生じることがある。かかる隙間があると、凹部の底面を形成する前記グリーンシートに対する前記焼成工程での拘束が不十分になるため、当該グリーンシートにクラックを生じる、という問題があった。
一方、前記凹部に予め所定形状および寸法に成形した無機成形物を挿入する方法もあるが、当該凹部に見合った高い寸法精度の無機成形物でないと、その凹部が変形することがあり、しかも、凹部の寸法や形状が変更される度に成形型を変更する必要があるため、製造上の負担が大きい、という問題があった。
本発明は、以上において説明した背景技術の問題点を解決し、焼成収縮が少なく形状および寸法精度の高いキャビティ付き多層セラミック基板を確実に得るための製造方法を提供する、ことを課題とする。
課題を解決するための手段および発明の効果
本発明は、上記課題を解決するため、複数のグリーンシートを積層して形成したキャビティ内に無機組成物を充填するに際し、キャビティ内面と充填した無機組成物との間に隙間を生じないように減圧に伴う圧力差により強制的に充填する、ことに着目して成されたものである。
即ち、本発明のキャビティ付き多層セラミック基板の製造方法(請求項1)は、表面および裏面を有するグリーンシートと、表面および裏面を有し且つかかる表面と裏面との間を貫通する貫通孔を有するグリーンシートと、を積層してキャビティ付きグリーンシート積層体を形成する工程と、上記グリーンシートの焼結温度よりも高い焼結温度を有するペースト状の無機組成物を、減圧状態で上記キャビティの開口部付近に塗布し、該キャビティ外を加圧して該キャビティの内外に設けた差圧により該キャビティに充填する工程と、上記無機組成物を含むキャビティ付きグリーンシート積層体の両面に上記グリーンシートの焼結温度よりも高い焼結温度を有する焼成収縮抑制シートを積層して複合積層体を形成する工程と、かかる複合積層体を上記グリーンシートの焼結温度で焼成する工程と、焼成後の上記複合積層体から未焼結の上記焼成収縮抑制シートおよび未焼結の上記無機組成物を除去する工程と、を含む、ことを特徴とする。
これによれば、ペースト状の上記無機組成物は、減圧状態で前記キャビティの開口部付近に塗布され、該キャビティ外を加圧して該キャビティの内外に設けた差圧により該キャビティ内に減圧されつつ充填されるため、キャビティの内面との間に隙間を生じることなく均一に充填される。このため、グリーンシート積層体の焼成時において、かかる無機組成物によるキャビティの底面を形成するグリーンシートの焼成収縮を抑制できるので、形状および寸法精度の高いキャビティを有するキャビティ付き多層セラミック基板を確実に製造することが可能となる。
尚、前記表・裏面を有するグリーンシートや貫通孔を有するグリーンシートは、それぞれ単一のグリーンシートの形態の他、複数のグリーンシートを積層した形態も含まれ、これらの間には所定パターンの配線層が形成されている。
また、本発明には、前記グリーンシートは、セラミックとガラス(成分)との混合物からなると共に、前記無機組成物は、前記焼成収縮抑制シートを構成するセラミックのみからなるか、あるいは上記セラミックとガラスとの混合物からなり且つかかるガラスの含有量は20wt%以下で且つ上記グリーンシートのガラス含有量よりも少ない、キャビティ付き多層セラミック基板の製造方法(請求項2)も含まれる。これによれば、焼成工程において、無機組成物中のガラスが軟化した後、グリーンシートの表面に均一に拡散するため、キャビティの底面を形成するグリーンシートの焼成収縮を確実に抑制することができる。
尚、上記セラミックには、アルミナや窒化アルミニウム(AlN)などが含まれ、上記ガラスには、アルミナ、ケイ酸、およびBを主成分とするケイ酸ホウケイ酸系ガラスが含まれる。また、無機組成物におけるガラスの含有量が20wt%を越えると、隣接し且つキャビティの底面を形成するグリーンシートとの間に、軟化および流動化したガラス(成分)が介在して固まるため、焼成後における無機組成物の除去が困難となり、キャビティの形状および寸法精度が低下する。これを防ぐため、上記範囲としたものである。
更に、本発明には、前記無機組成物に含まれるガラスの軟化点は、前記グリーンシートに含まれるガラスの軟化点と同等またはそれ以下である、キャビティ付き多層セラミック基板の製造方法(請求項3)も含まれる。
これによれば、焼成工程において、無機組成物に含まれるガラスは、グリーンシートに含まれるガラスと同時に、あるいはこれよりも早く軟化するが、無機組成物に隣接し且つキャビティの底面を形成するグリーンシートに対して、かかる無機組成物中のガラス(成分)が、両者の界面を経て当該グリーンシート中に浸透(拡散)し易くなる。この結果、かかる無機組成物に隣接するグリーンシートの焼成収縮を確実に抑制できるため、クラックがなく形状および寸法精度の高いキャビティを形成できる。
加えて、本発明には、前記無機組成物は、前記グリーンシートが溶解可能な有機溶媒を含む、キャビティ付き多層セラミック基板の製造方法(請求項4)も含まれる。これによれば、キャビティ内に均一に充填された無機組成物から有機触媒がかかる無機組成物に隣接するグリーンシートを溶解するため、当該無機組成物とグリーンシートとの密着性を更に高められる。このため、焼成工程におけるキャビティ底面を形成するグリーンシートのクラックの発生を防ぎ、且つかかるキャビティの形状および寸法精度を確保することが容易となる。
尚、有機溶媒は、例えば酢酸ブチルが用いられ、1〜5wt%の範囲で無機組成物に添加されるが、望ましい含有量は、1〜3wt%である。
以下において、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
図1は、表面および裏面を有し且つかかる表面と裏面との間を貫通する貫通孔cを有するグリーンシートs1〜s3と、表面および裏面を有するグリーンシートs4〜s6との断面を示す。グリーンシートs1〜s6は、重量比が1:1のホウケイ酸系ガラスとアルミナとを主成分とし、これらの粉末に有機バインダおよび可塑剤成分を添加して混合し、得られたセラミックスラリをドクターブレード法によりシート化したもので、それぞれ約150μmの厚みを有する。また、貫通孔cは、平面視で正方形(例えば3mm×3mm)または長方形を呈する。
図1に示すように、グリーンシートs1〜s6の表面および裏面の少なくとも一方には、配線(表層電極)4,10または所定パターンの配線層5〜9が形成されている。配線・配線層4〜10は、厚みが約15μmのAg粉などを含む導電性ペーストからなる。上記配線・配線層4〜10には、グリーンシートs1〜s6の表面と裏面との間を貫通する直径約150μmのビア導体vが個別に接続され、かかるビア導体vもAg粉などを含む導電性ペーストからなる。尚、グリーンシートs1〜s6は、多数個取り用の大版のグリーンシートとしても良い。
次に、図1に示すように、グリーンシートs1〜s6をそれらの順序で積層して圧着する。
その結果、図2に示すように、積層されたグリーンシートs1〜s6からなり、表面1に開口するキャビティCを有するキャビティ付きグリーンシート積層体ssが形成され、キャビティCの底面には、グリーンシートs4の表面が露出する。同時に、前記配線・配線層4〜10間は、ビア導体vを介して接続される。また、上記積層体ssの表面1と裏面2とには、配線4,10が位置する。尚、上記キャビティCは、平面視が一辺3mmの正方形を呈し、その深さは約0.5mmである。
次いで、キャビティ付きグリーンシート積層体ssを図示しない気密チャンバ内に収容し、かかるチャンバ内を約2.5×10Paに減圧する。
この減圧状態で、図3に示すように、キャビティ付きグリーンシート積層体ssのキャビティCの開口部付近にペースト状の無機組成物zを塗布する。かかる無機組成物zは、少なくともアルミナと1〜5wt%の酢酸ブチルとを含み、更にこれらに20wt%以下のガラスを含んだものである。このガラスの軟化点は、グリーンシートs1〜s6に含まれるガラスの軟化点と同じか、それ以下である。
次に、前記気密チャンバ内を約5.0×10Paに加圧する。この結果、前記積層体ssのキャビティC外の圧力p1がキャビティC内の圧力p2よりも相対的に高くなって差圧が生じるため、図3中の矢印で示すように、ペースト状の無機組成物zは、当該キャビティCの底面寄りに強制的に吸引される。同時に、当該キャビティC中の残留エアは、泡状の気泡となって上記無機組成物zを通過し、キャビティCの外側に放出される。即ち、上記無機組成物zは、減圧されつつあるキャビティC中に均一に充填される
その結果、図4に示すように、無機組成物zは、キャビティC中に隙間なく均一に充填される。尚、キャビティCの開口部よりも上方の余分な無機組成物zは、スキージなどにより掻き出されるため、無機組成物zの上面は、キャビティ付きグリーンシート積層体ssの表面1と面一となる。
更に、キャビティCに無機組成物zが充填されたキャビティ付きグリーンシート積層体ssを前記チャンバから取り出し、図5に示すように、その表面1および裏面2(両面)に、焼成収縮抑制シートy1,y2を圧着し且つ積層して複合積層体fsを形成する。かかる焼成収縮抑制シートy1,y2は、アルミナ粉末に有機バインダおよび可塑剤成分を添加して得たセラミックスラリをドクターブレード法によって、厚さ約250μmにシート化したものである。
尚、図6に示すように、焼成収縮抑制シートy1に替えて、前記同様の形状および大きさの貫通孔cを内側に有する焼成収縮抑制シートy3をグリーンシート積層体ssの表面1上に積層し、上記貫通孔cの底面に無機組成物zの上面を位置させた複合積層体fsを形成しても良い。
次に、複合積層体fsを図示しない焼成炉に挿入し、グリーンシートs1〜s6の焼結温度(800〜1000℃)で所要時間にわたり加熱して焼成する。この際、前記配線層5などやビア導体vも同時に焼結される。また、焼成後において、グリーンシートs1〜s6が焼結したセラミック層は、未焼結の焼成収縮抑制シートy1,y2に表面1および裏面2で拘束されるため、平面方向の焼成収縮を抑制される。しかも、キャビティCの底面を形成するグリーンシートs4が焼結して得られるセラミック層も、隣接する未焼結の無機組成物zにより拘束されるため、平面方向の焼成収縮を抑制される。
更に、焼成された複合積層体fsから未焼結の焼成収縮抑制シートy1(y3),y2およびキャビティC内の無機組成物zを除去する。かかる除去工程は、焼成後の複合積層体fsを例えば25℃において30分以上保持した後、10℃の冷水(冷却媒体)中に投入して浸漬し、焼成収縮抑制シートy1,y2および無機組成物z中の焼結時の残留応力を瞬時に開放する熱衝撃によって迅速に行える。
その結果、図7に示すように、前記グリーンシートs1〜s6が焼結したセラミック層S1〜S6からなるセラミック基板SK、前記導電性ペーストが焼結した配線4,10や所定パターンの配線層5〜9、ビア導体v、および表面1に開口するキャビティCを有するキャビティ付き多層セラミック基板K1を得ることができる。
尚、焼成収縮抑制シートy1,y2および無機組成物zの除去は、水とアルミナなどの硬質粒子との混合物を吹き付ける方法により行っても良い。
尚、図7に示すように、キャビティC内に実装したICチップ12は、その上面に位置する図示しない接続端子が表面1の配線(表層電極)4との間でロウ付けされるワイヤwを介して接続される。また、基板K1の裏面2の配線(表層電極)10は、その表面にAuメッキおよびNiメッキが被覆され、図示しないマザーボードとの接続端子として活用される。
以上のような工程を経る製造方法によれば、平面方向の焼成収縮が抑制されたセラミック層S1〜S6および底面にクラックがなく且つ形状や寸法精度の高いキャビティCを有するキャビティ付き多層セラミック基板K1を確実に提供することができる。尚、前述した多数個取り用の大版のグリーンシートを用いて、前記積層体ssの形成工程、無機組成物zのキャビティCへの充填工程、複合積層体fsの形成工程、焼成工程、および無機組成物zなどの除去工程を行っても良い。この場合、上記除去工程の後、大版の多層セラミック基板の集合体を、例えばダイシング加工で個別のキャビティ付き多層セラミック基板K1に分割する。
ここで本発明の具体的な実施例について、比較例と併せて説明する。
ケイ酸、アルミナ、およびBを主成分とするホウケイ酸系ガラス粉末とアルミナ粉末とを、重量比が1:1で且つ総重量1kgに秤量して、アルミナ製のポットに投入した。上記アルミナ粉末は、平均粒径:3μm、比表面積:1.0m/gである。また、上記ガラス粉末とアルミナ粉末との重量比1:1は、一般的な低温焼成基板に比べて、ガラス成分が過剰である。
上記ポット中に、アクリル樹脂系バインダ:120gと、適当なスラリ粘度およびシート強度を与えるのに必要な量の溶剤(MEK:メチルエチルケトン)と可塑剤(DOP:ジオクチルフタレート)とを添加した後、5時間にわたり混合することで、セラミックスラリを得た。かかるスラリをドクターブレード法によって、厚みが150μmで且つ縦・横200mmずつの大版のグリーンシートに形成した。かかるグリーンシートを複数枚用意した。
また、前記と同じアルミナ粉末のみからなる1組のアルミナ粉末と、アルミナ粉末および5〜20wt%の前記と同じ種類のガラス粉末からなる複数組の混合粉末を用意した。尚、上記ガラス(成分)の軟化点は、前記グリーンシートに含まれるガラスの軟化点とほぼ同じである。
上記アルミナ粉末または混合粉末に、前記同様のアクリル樹脂系バインダを個別に添加し、更に1組の混合粉末を除き、1,3,5wt%の酢酸ブチル(有機溶媒)を添加して、合計9種類のペースト状の無機組成物を用意した。
更に、前記と同じアルミナ粉末に、アクリル樹脂系バインダ、溶剤(MEK)、および可塑剤(DOP)を前記同様に添加し且つ混合してセラミックスラリを得ると共に、かかるスラリをドクターブレード法により、厚みが250μmの焼成収縮抑制シートを複数枚形成した。
前記大版のグリーンシートのうち、一部について縦・横:3mm×3mmの貫通孔を縦×横方向にそれぞれ6個ずつ合計36個穿孔した。かかる貫通孔付きのグリーンシート3枚と、貫通孔のないグリーンシート3枚とを積層して、9組の多数個取り用のキャビティ付きグリーンシート積層体を形成した。
各組の上記グリーンシート積層体における36個のキャビティに対し、表1に示すように、先に減圧された気密チャンバ中に移し、各キャビティの開口部に無機組成物を塗布してから更にキャビティの内外に差圧を設けて減圧しつつ充填するか、予めキャビティにペースト状の無機組成物を物理的に充填した後に気密チャンバ中に移して減圧するか、あるいは、何れの減圧充填も行わずにメタルマスクとスキージとを用いて物理的に無機組成物を充填した。
各組のキャビティへの無機組成物の充填方法、各組の無機組成物のガラス含有量、およびグリーンシートが溶解可能な有機溶媒成分(酢酸ブチル:有機溶媒)量によって、表1に示すように、実施例1〜5、参考例、および比較例1〜3に区分した。
各例のキャビティに無機組成物を充填したグリーンシート積層体の両面に、焼成収縮抑制シートをそれぞれ圧着して積層し、各組ごとに複合積層体を得た。
各例の複合積層体を図示しない焼成炉に入れ、前記グリーンシートの焼結温度(約900℃)で焼成した。焼成後の各例の複合積層体を25℃に30分以上保持した後、10℃の冷水中に浸漬して、未焼成の焼成収縮抑制シートと無機組成物とを除去し、各例ごとにキャビティ付き多層セラミック基板(大版)を得た。
各例の上記多層セラミック基板について、36個のキャビティ全てを目視で観察した上、それらの底面にクラックが1箇所も発見されなかったものを「○無」とし、1箇所でもクラックが発見されたものを「×有」として、表1に示した。
また、前記除去工程で、各例のキャビティの全てから無機組成物が容易に除去できたものを「○容易」とし、1箇所のキャビティでも無機組成物の除去が困難であったものを「×困難」として、表1に示した。
Figure 0004291656
表1によれば、実施例1〜のキャビティ付き多層セラミック基板は、充填時にキャビティ内外に差圧を設ける減圧充填方法で無機組成物がキャビティに均一に充填され、且つ用いた無機組成物のガラス含有量が無いか20wt%以下であり、しかも、グリーンシートが溶解可能な成分の酢酸ブチル(有機溶媒)が1,3,5wt%の何れかであったため、全てのキャビティでクラックが発生しなかった。また、グリーンシートに含まれるガラスの一部が無機組成物に浸透したが、無機組成物のガラス含有量が無いか若しくは少ないため、キャビティの底面に溶出せず、焼成後での無機組成物の除去が容易に行え、且つ形状および寸法精度が高く清浄な底面のキャビティを得ることができた。尚、参考例は、予め前記組成物を充填した後に気密チャンバ内で減圧したが、上記実施例1〜5と同様になった
一方、表1によれば、比較例1のキャビティ付き多層セラミック基板は、無機組成物を物理的に充填したため、図8に示すように、キャビティCの底面の内隅に沿って隙間qが形成されていた。かかる隙間qが残った状態で、焼成したため、隙間qの直下におけるセラミック層S4には、クラックkが発生していた。
また、表1に示すように、比較例2のキャビティ付き多層セラミック基板は、無機組成物をキャビティに充填と同時に減圧して均一に充填したが、かかる無機組成物にはグリーンシート溶解可能な成分の酢酸ブチル(有機溶媒)に含まれていなかった。このため、キャビティの底面や側面のグリーンシートに対する拘束力が小さくなり、クラックキャビティの底面にクラックが発生した。
更に、表1に示すように、比較例3のキャビティ付き多層セラミック基板も、無機組成物をキャビティに充填と同時に減圧して均一に充填したが、かかる無機組成物のガラス含有量が30wt%と過多であったため、隣接するグリーンシートへ浸透すべきガラス(成分)がキャビティ底面において溶出した。この結果、前記除去工程で、キャビティの底面やこれに近接する側面に固着したガラス(成分)が残ったため、無機組成物の除去が困難となった。
以上のような実施例1〜の結果によって、本発明の製造方法における作用および効果が容易に理解されよう。
図9は、異なる形態のキャビティC1を有するキャビティ付きグリーンシート積層体ssの断面を示す。この積層体ssは、大きな貫通孔を有するグリーンシートs7とこれよりもやや小さな貫通孔を有するグリーンシートs8とを、前記と同じグリーンシートs3〜s6の上方に積層したものであり、キャビティC1側のグリーンシートs7,s8,s3の間には段部d1,d2が階段状に位置している。尚、グリーンシートs7,s8も前記同様の材料および厚みを有する。
図9に示すように、グリーンシートs7〜s6間には、前記同様の導電性ペーストからなる配線層5〜9が所定パターンで形成され、且つ上記積層体ssの表面1および裏面2には、表層電極の配線4,10が前記同様に配置されると共に、これらの間はビア導体vを介して接続されている。また、配線層5,6から段部d1,d2上に接続端子である複数の配線5a,6aが個別に延びている。
次に、グリーンシート積層体ssを減圧した気密チャンバに挿入・減圧し、キャビティC1の開口部付近に無機組成物zを塗布した後、当該チャンバ内を加圧して、キャビティC1内との差圧により、上記無機組成物zを強制的に充填する。その結果、図10に示すように、無機組成物zは、側面が階段状のキャビティC1中に隙間なく均一になるよう強制的に充填される
次いで、図11に示すように、グリーンシート積層体ssの表面1および裏面2(両面)に、前記同様の焼成収縮抑制シートy1,y2を圧着し且つ積層して複合積層体fsを形成する。
更に、複合積層体fsを図示しない焼成炉に挿入し、グリーンシートs3〜s8の焼結温度(800〜1000℃)で所要時間にわたり加熱して焼成する。この際、前記配線層5などやビア導体vも同時に焼結される。また、焼成後において、グリーンシートs3〜s8が焼結したセラミック層は、未焼結の焼成収縮抑制シートy1,y2に表面1および裏面2で拘束されているため、平面方向の焼成収縮を抑制される。しかも、キャビティC1の底面を形成するグリーンシートs4やキャビティC1の段部d1,d2を形成するグリーンシートs3,s8が焼結して得られるセラミック層も、隣接する未焼結の無機組成物zに拘束されるため、平面方向の焼成収縮を抑制される。
次に、焼成された複合積層体fsから未焼結の焼成収縮抑制シートy1,y2およびキャビティC1内の無機組成物zを除去する。かかる除去工程も、焼成後の複合積層体fsを例えば25℃において30分以上保持した後、10℃の冷水中に浸漬し、焼成収縮抑制シートy1,y2および無機組成物z中の焼結時における残留応力を瞬時に開放する熱衝撃によって迅速に行われる。
その結果、図12に示すように、前記グリーンシートs3〜s8が焼結したセラミック層S3〜S8からなるセラミック基板SK、前記導電性ペーストが焼結した配線4,10や所定パターンの配線層5〜9、ビア導体v、および表面1に開口するキャビティC1を有するキャビティ付き多層セラミック基板K2を得られる。
尚、図12に示すように、キャビティC1内に実装したICチップ12は、その上面に位置する図示しない接続端子が表面1の配線4や段部d1,d2の配線5a,6aとの間でロウ付けされるワイヤwを介して接続される。
以上のような工程を経る製造方法によれば、平面方向の焼成収縮が抑制されたセラミックS3〜S8と底面などにクラックがなく且つ形状や寸法精度の高いキャビティC1とを有するキャビティ付き多層セラミック基板K2を確実に提供できる。尚、前述した多数個取り用の大版のグリーンシートを用いて、前記積層体ssの形成工程、無機組成物zのキャビティC1への充填工程、複合積層体fsの形成工程、焼成工程、および無機組成物zなどの除去工程を行っても良い。
本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
例えば、前記配線層4などやビア導体vは、W、Mo、Cuなどの金属、またはAg−Cu、Cu−W、Ag−Pd、Ag−Ptなどの合金としても良く、前記各製造方法の準備工程では、これらの金属粉末または合金粉末を含む導電性ペーストを用いて良い。
また、キャビティ付き多層セラミック基板K1,K2の裏面2に位置する表層電極の配線10には、NiメッキおよびAuメッキした表面10bに、ハンダボールまたは導体ピンなどをハンダ付けしても良い。
更に、前記キャビティ付き多層セラミック基板K1,K2には、複数のキャビティC,C1を形成しても良く、この場合、前記グリーンシートs1〜s3またはグリーンシートs3,s7,s8に複数の貫通孔cを予め開設しておく。
本発明の製造方法に用いる複数のグリーンシートを示す断面図。 上記複数のグリーンシートを積層した積層体を示す断面図。 上記積層体のキャビティに無機組成物を充填する工程を示す断面図。 上記無機組成物をキャビティに充填した状態を示す断面図。 上記積層体を含む複合積層体を示す断面図。 異なる形態の複合積層体を示す断面図。 上記製造方法により得られたキャビティ付き多層セラミック基板を示す断面図。 比較例のキャビティ付き多層セラミック基板を示す断面図。 本発明に用いる異なる形態のグリーンシート積層体を示す断面図。 上記積層体のキャビティに無機組成物を充填した状態を示す断面図。 上記積層体を含む複合積層体を示す断面図。 上記製造方法により得られたキャビティ付き多層セラミック基板を示す断面図。
符号の説明
1………………表面
2………………裏面
s1〜s8……グリーンシート
c………………貫通孔
ss……………グリーンシート積層体
C,C1………キャビティ
z………………無機組成物
y1〜y3……焼成収縮抑制シート
fs……………複合積層体
K1,K2……キャビティ付き多層セラミック基板

Claims (4)

  1. 表面および裏面を有するグリーンシートと、表面および裏面を有し且つかかる表面と裏面との間を貫通する貫通孔を有するグリーンシートと、を積層してキャビティ付きグリーンシート積層体を形成する工程と、
    上記グリーンシートの焼結温度よりも高い焼結温度を有するペースト状の無機組成物を、減圧状態で上記キャビティの開口部付近に塗布し、該キャビティ外を加圧して該キャビティの内外に設けた差圧により該キャビティに充填する工程と、
    上記無機組成物を含むキャビティ付きグリーンシート積層体の両面に上記グリーンシートの焼結温度よりも高い焼結温度を有する焼成収縮抑制シートを積層して複合積層体を形成する工程と、
    上記複合積層体を上記グリーンシートの焼結温度で焼成する工程と、
    焼成後の上記複合積層体から未焼結の上記焼成収縮抑制シートおよび未焼結の上記無機組成物を除去する工程と、を含む、
    ことを特徴とするキャビティ付き多層セラミック基板の製造方法。
  2. 前記グリーンシートは、セラミックとガラスとの混合物からなると共に、前記無機組成物は、前記焼成収縮抑制シートを構成するセラミックのみからなるか、あるいは上記セラミックとガラスとの混合物からなり且つかかるガラスの含有量は20wt%以下で且つ上記グリーンシートのガラス含有量よりも少ない、請求項1に記載のキャビティ付き多層セラミック基板の製造方法。
  3. 前記無機組成物に含まれるガラスの軟化点は、前記グリーンシートに含まれるガラスの軟化点と同等またはそれ以下である、
    請求項1または2に記載のキャビティ付き多層セラミック基板の製造方法。
  4. 前記無機組成物は、前記グリーンシートが溶解可能な有機溶媒を含む、請求項1乃至3の何れか一項に記載のキャビティ付き多層セラミック基板の製造方法。
JP2003329217A 2003-09-22 2003-09-22 キャビティ付き多層セラミック基板の製造方法 Expired - Fee Related JP4291656B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003329217A JP4291656B2 (ja) 2003-09-22 2003-09-22 キャビティ付き多層セラミック基板の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003329217A JP4291656B2 (ja) 2003-09-22 2003-09-22 キャビティ付き多層セラミック基板の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005093961A JP2005093961A (ja) 2005-04-07
JP4291656B2 true JP4291656B2 (ja) 2009-07-08

Family

ID=34458521

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003329217A Expired - Fee Related JP4291656B2 (ja) 2003-09-22 2003-09-22 キャビティ付き多層セラミック基板の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4291656B2 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4765468B2 (ja) * 2005-08-03 2011-09-07 株式会社村田製作所 セラミック基板の製造方法およびセラミック基板
JP5332038B2 (ja) * 2009-05-22 2013-11-06 三菱電機株式会社 セラミック構造体の製造方法
EP2548734A1 (de) * 2011-07-18 2013-01-23 Micro Systems Engineering GmbH Keramische Mehrlagenstruktur und Verfahren zur Herstellung derselben
JP7058580B2 (ja) * 2018-09-25 2022-04-22 日本特殊陶業株式会社 セラミックス部材の製造方法
JP7216611B2 (ja) * 2019-05-15 2023-02-01 日本特殊陶業株式会社 SiC焼結部材の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2005093961A (ja) 2005-04-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7736544B2 (en) Electrically conductive composition for via-holes
JP2012031040A (ja) 低温同時焼成セラミック組成物及びこれを含む低温同時焼成セラミック基板並びにその製造方法
JP4291656B2 (ja) キャビティ付き多層セラミック基板の製造方法
JPH025315B2 (ja)
JP2005116938A (ja) キャビティ付き多層セラミック基板およびその製造方法
JP2010525544A (ja) ビアホール用導電性組成物
KR100800509B1 (ko) 도전성 페이스트 및 다층 세라믹 기판
JP4599783B2 (ja) 低温焼成セラミック回路基板の製造方法
JP4967668B2 (ja) 多層セラミック基板の製造方法
JP4705320B2 (ja) 多層セラミック基板の製造方法
JP4888564B2 (ja) キャビティ付きセラミック多層基板の製造方法
JP2007221115A (ja) 導体ペースト及び多層セラミック基板の製造方法
JP4003011B2 (ja) キャビティ付き多層セラミック基板およびその製造方法
JP4095468B2 (ja) ガラスセラミック基板の製造方法
JP4567328B2 (ja) 多層セラミック基板の製造方法
WO2009151006A1 (ja) セラミック成形体の製造方法
JP3811381B2 (ja) ガラスセラミック基板の製造方法
JP2006324617A (ja) セラミック基板およびセラミック基板の製造方法
JP3909200B2 (ja) ガラスセラミック基板の製造方法
JP4336164B2 (ja) 複合シートの製造方法、複合積層体の製造方法及びセラミック基板の製造方法
JP3872282B2 (ja) ガラスセラミック基板の製造方法
JP3811378B2 (ja) ガラスセラミック基板の製造方法
JP2005179097A (ja) 多層セラミック基板の製造方法およびこれにより得られた多層セラミック基板
KR100762824B1 (ko) 도전성 페이스트 및 다층 세라믹 기판
JP2005183522A (ja) 多層セラミック基板およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060904

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20081202

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090106

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090210

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090310

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090403

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4291656

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120410

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120410

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120410

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130410

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130410

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140410

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees