JP4291656B2 - キャビティ付き多層セラミック基板の製造方法 - Google Patents
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 38
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 84
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 45
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 34
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 24
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims description 19
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 17
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 9
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 8
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 23
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 17
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 10
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 5
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 5
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 3
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N Di-n-octyl phthalate Natural products CCCCCCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCCCCCC MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49109—Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body
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- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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Description
例えば、ガラスセラミック・グリーンシートを積層して凹部を有する積層体を作製し、かかる凹部に拘束用無機組成物を充填し、この積層体の両面に密着剤層を介在させて、難焼結性無機材料および有機バインダを含む拘束グリーンシートをそれぞれ積層し、得られた積層体を焼成した後、上記拘束用無機組成物と拘束グリーンシートとを除去する、という工程からなるガラスセラミック基板の製造方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
一方、前記凹部に予め所定形状および寸法に成形した無機成形物を挿入する方法もあるが、当該凹部に見合った高い寸法精度の無機成形物でないと、その凹部が変形することがあり、しかも、凹部の寸法や形状が変更される度に成形型を変更する必要があるため、製造上の負担が大きい、という問題があった。
即ち、本発明のキャビティ付き多層セラミック基板の製造方法(請求項1)は、表面および裏面を有するグリーンシートと、表面および裏面を有し且つかかる表面と裏面との間を貫通する貫通孔を有するグリーンシートと、を積層してキャビティ付きグリーンシート積層体を形成する工程と、上記グリーンシートの焼結温度よりも高い焼結温度を有するペースト状の無機組成物を、減圧状態で上記キャビティの開口部付近に塗布し、該キャビティ外を加圧して該キャビティの内外に設けた差圧により該キャビティ内に充填する工程と、上記無機組成物を含むキャビティ付きグリーンシート積層体の両面に上記グリーンシートの焼結温度よりも高い焼結温度を有する焼成収縮抑制シートを積層して複合積層体を形成する工程と、かかる複合積層体を上記グリーンシートの焼結温度で焼成する工程と、焼成後の上記複合積層体から未焼結の上記焼成収縮抑制シートおよび未焼結の上記無機組成物を除去する工程と、を含む、ことを特徴とする。
尚、前記表・裏面を有するグリーンシートや貫通孔を有するグリーンシートは、それぞれ単一のグリーンシートの形態の他、複数のグリーンシートを積層した形態も含まれ、これらの間には所定パターンの配線層が形成されている。
尚、上記セラミックには、アルミナや窒化アルミニウム(AlN)などが含まれ、上記ガラスには、アルミナ、ケイ酸、およびB2O3を主成分とするケイ酸ホウケイ酸系ガラスが含まれる。また、無機組成物におけるガラスの含有量が20wt%を越えると、隣接し且つキャビティの底面を形成するグリーンシートとの間に、軟化および流動化したガラス(成分)が介在して固まるため、焼成後における無機組成物の除去が困難となり、キャビティの形状および寸法精度が低下する。これを防ぐため、上記範囲としたものである。
これによれば、焼成工程において、無機組成物に含まれるガラスは、グリーンシートに含まれるガラスと同時に、あるいはこれよりも早く軟化するが、無機組成物に隣接し且つキャビティの底面を形成するグリーンシートに対して、かかる無機組成物中のガラス(成分)が、両者の界面を経て当該グリーンシート中に浸透(拡散)し易くなる。この結果、かかる無機組成物に隣接するグリーンシートの焼成収縮を確実に抑制できるため、クラックがなく形状および寸法精度の高いキャビティを形成できる。
尚、有機溶媒は、例えば酢酸ブチルが用いられ、1〜5wt%の範囲で無機組成物に添加されるが、望ましい含有量は、1〜3wt%である。
図1は、表面および裏面を有し且つかかる表面と裏面との間を貫通する貫通孔cを有するグリーンシートs1〜s3と、表面および裏面を有するグリーンシートs4〜s6との断面を示す。グリーンシートs1〜s6は、重量比が1:1のホウケイ酸系ガラスとアルミナとを主成分とし、これらの粉末に有機バインダおよび可塑剤成分を添加して混合し、得られたセラミックスラリをドクターブレード法によりシート化したもので、それぞれ約150μmの厚みを有する。また、貫通孔cは、平面視で正方形(例えば3mm×3mm)または長方形を呈する。
次に、図1に示すように、グリーンシートs1〜s6をそれらの順序で積層して圧着する。
次いで、キャビティ付きグリーンシート積層体ssを図示しない気密チャンバ内に収容し、かかるチャンバ内を約2.5×104Paに減圧する。
この減圧状態で、図3に示すように、キャビティ付きグリーンシート積層体ssのキャビティCの開口部付近にペースト状の無機組成物zを塗布する。かかる無機組成物zは、少なくともアルミナと1〜5wt%の酢酸ブチルとを含み、更にこれらに20wt%以下のガラスを含んだものである。このガラスの軟化点は、グリーンシートs1〜s6に含まれるガラスの軟化点と同じか、それ以下である。
更に、キャビティCに無機組成物zが充填されたキャビティ付きグリーンシート積層体ssを前記チャンバから取り出し、図5に示すように、その表面1および裏面2(両面)に、焼成収縮抑制シートy1,y2を圧着し且つ積層して複合積層体fsを形成する。かかる焼成収縮抑制シートy1,y2は、アルミナ粉末に有機バインダおよび可塑剤成分を添加して得たセラミックスラリをドクターブレード法によって、厚さ約250μmにシート化したものである。
尚、図6に示すように、焼成収縮抑制シートy1に替えて、前記同様の形状および大きさの貫通孔cを内側に有する焼成収縮抑制シートy3をグリーンシート積層体ssの表面1上に積層し、上記貫通孔cの底面に無機組成物zの上面を位置させた複合積層体fsを形成しても良い。
その結果、図7に示すように、前記グリーンシートs1〜s6が焼結したセラミック層S1〜S6からなるセラミック基板SK、前記導電性ペーストが焼結した配線4,10や所定パターンの配線層5〜9、ビア導体v、および表面1に開口するキャビティCを有するキャビティ付き多層セラミック基板K1を得ることができる。
尚、焼成収縮抑制シートy1,y2および無機組成物zの除去は、水とアルミナなどの硬質粒子との混合物を吹き付ける方法により行っても良い。
以上のような工程を経る製造方法によれば、平面方向の焼成収縮が抑制されたセラミック層S1〜S6および底面にクラックがなく且つ形状や寸法精度の高いキャビティCを有するキャビティ付き多層セラミック基板K1を確実に提供することができる。尚、前述した多数個取り用の大版のグリーンシートを用いて、前記積層体ssの形成工程、無機組成物zのキャビティCへの充填工程、複合積層体fsの形成工程、焼成工程、および無機組成物zなどの除去工程を行っても良い。この場合、上記除去工程の後、大版の多層セラミック基板の集合体を、例えばダイシング加工で個別のキャビティ付き多層セラミック基板K1に分割する。
ケイ酸、アルミナ、およびB2O3を主成分とするホウケイ酸系ガラス粉末とアルミナ粉末とを、重量比が1:1で且つ総重量1kgに秤量して、アルミナ製のポットに投入した。上記アルミナ粉末は、平均粒径:3μm、比表面積:1.0m2/gである。また、上記ガラス粉末とアルミナ粉末との重量比1:1は、一般的な低温焼成基板に比べて、ガラス成分が過剰である。
上記ポット中に、アクリル樹脂系バインダ:120gと、適当なスラリ粘度およびシート強度を与えるのに必要な量の溶剤(MEK:メチルエチルケトン)と可塑剤(DOP:ジオクチルフタレート)とを添加した後、5時間にわたり混合することで、セラミックスラリを得た。かかるスラリをドクターブレード法によって、厚みが150μmで且つ縦・横200mmずつの大版のグリーンシートに形成した。かかるグリーンシートを複数枚用意した。
上記アルミナ粉末または混合粉末に、前記同様のアクリル樹脂系バインダを個別に添加し、更に1組の混合粉末を除き、1,3,5wt%の酢酸ブチル(有機溶媒)を添加して、合計9種類のペースト状の無機組成物を用意した。
更に、前記と同じアルミナ粉末に、アクリル樹脂系バインダ、溶剤(MEK)、および可塑剤(DOP)を前記同様に添加し且つ混合してセラミックスラリを得ると共に、かかるスラリをドクターブレード法により、厚みが250μmの焼成収縮抑制シートを複数枚形成した。
各組の上記グリーンシート積層体における36個のキャビティに対し、表1に示すように、先に減圧された気密チャンバ中に移し、各キャビティの開口部に無機組成物を塗布してから更にキャビティの内外に差圧を設けて減圧しつつ充填するか、予めキャビティにペースト状の無機組成物を物理的に充填した後に気密チャンバ中に移して減圧するか、あるいは、何れの減圧充填も行わずにメタルマスクとスキージとを用いて物理的に無機組成物を充填した。
各例のキャビティに無機組成物を充填したグリーンシート積層体の両面に、焼成収縮抑制シートをそれぞれ圧着して積層し、各組ごとに複合積層体を得た。
各例の複合積層体を図示しない焼成炉に入れ、前記グリーンシートの焼結温度(約900℃)で焼成した。焼成後の各例の複合積層体を25℃に30分以上保持した後、10℃の冷水中に浸漬して、未焼成の焼成収縮抑制シートと無機組成物とを除去し、各例ごとにキャビティ付き多層セラミック基板(大版)を得た。
また、前記除去工程で、各例のキャビティの全てから無機組成物が容易に除去できたものを「○容易」とし、1箇所のキャビティでも無機組成物の除去が困難であったものを「×困難」として、表1に示した。
一方、表1によれば、比較例1のキャビティ付き多層セラミック基板は、無機組成物を物理的に充填したため、図8に示すように、キャビティCの底面の内隅に沿って隙間qが形成されていた。かかる隙間qが残った状態で、焼成したため、隙間qの直下におけるセラミック層S4には、クラックkが発生していた。
更に、表1に示すように、比較例3のキャビティ付き多層セラミック基板も、無機組成物をキャビティに充填と同時に減圧して均一に充填したが、かかる無機組成物のガラス含有量が30wt%と過多であったため、隣接するグリーンシートへ浸透すべきガラス(成分)がキャビティ底面において溶出した。この結果、前記除去工程で、キャビティの底面やこれに近接する側面に固着したガラス(成分)が残ったため、無機組成物の除去が困難となった。
以上のような実施例1〜5の結果によって、本発明の製造方法における作用および効果が容易に理解されよう。
図9に示すように、グリーンシートs7〜s6間には、前記同様の導電性ペーストからなる配線層5〜9が所定パターンで形成され、且つ上記積層体ssの表面1および裏面2には、表層電極の配線4,10が前記同様に配置されると共に、これらの間はビア導体vを介して接続されている。また、配線層5,6から段部d1,d2上に接続端子である複数の配線5a,6aが個別に延びている。
次いで、図11に示すように、グリーンシート積層体ssの表面1および裏面2(両面)に、前記同様の焼成収縮抑制シートy1,y2を圧着し且つ積層して複合積層体fsを形成する。
その結果、図12に示すように、前記グリーンシートs3〜s8が焼結したセラミック層S3〜S8からなるセラミック基板SK、前記導電性ペーストが焼結した配線4,10や所定パターンの配線層5〜9、ビア導体v、および表面1に開口するキャビティC1を有するキャビティ付き多層セラミック基板K2を得られる。
以上のような工程を経る製造方法によれば、平面方向の焼成収縮が抑制されたセラミックS3〜S8と底面などにクラックがなく且つ形状や寸法精度の高いキャビティC1とを有するキャビティ付き多層セラミック基板K2を確実に提供できる。尚、前述した多数個取り用の大版のグリーンシートを用いて、前記積層体ssの形成工程、無機組成物zのキャビティC1への充填工程、複合積層体fsの形成工程、焼成工程、および無機組成物zなどの除去工程を行っても良い。
例えば、前記配線層4などやビア導体vは、W、Mo、Cuなどの金属、またはAg−Cu、Cu−W、Ag−Pd、Ag−Ptなどの合金としても良く、前記各製造方法の準備工程では、これらの金属粉末または合金粉末を含む導電性ペーストを用いて良い。
また、キャビティ付き多層セラミック基板K1,K2の裏面2に位置する表層電極の配線10には、NiメッキおよびAuメッキした表面10bに、ハンダボールまたは導体ピンなどをハンダ付けしても良い。
更に、前記キャビティ付き多層セラミック基板K1,K2には、複数のキャビティC,C1を形成しても良く、この場合、前記グリーンシートs1〜s3またはグリーンシートs3,s7,s8に複数の貫通孔cを予め開設しておく。
2………………裏面
s1〜s8……グリーンシート
c………………貫通孔
ss……………グリーンシート積層体
C,C1………キャビティ
z………………無機組成物
y1〜y3……焼成収縮抑制シート
fs……………複合積層体
K1,K2……キャビティ付き多層セラミック基板
Claims (4)
- 表面および裏面を有するグリーンシートと、表面および裏面を有し且つかかる表面と裏面との間を貫通する貫通孔を有するグリーンシートと、を積層してキャビティ付きグリーンシート積層体を形成する工程と、
上記グリーンシートの焼結温度よりも高い焼結温度を有するペースト状の無機組成物を、減圧状態で上記キャビティの開口部付近に塗布し、該キャビティ外を加圧して該キャビティの内外に設けた差圧により該キャビティ内に充填する工程と、
上記無機組成物を含むキャビティ付きグリーンシート積層体の両面に上記グリーンシートの焼結温度よりも高い焼結温度を有する焼成収縮抑制シートを積層して複合積層体を形成する工程と、
上記複合積層体を上記グリーンシートの焼結温度で焼成する工程と、
焼成後の上記複合積層体から未焼結の上記焼成収縮抑制シートおよび未焼結の上記無機組成物を除去する工程と、を含む、
ことを特徴とするキャビティ付き多層セラミック基板の製造方法。 - 前記グリーンシートは、セラミックとガラスとの混合物からなると共に、前記無機組成物は、前記焼成収縮抑制シートを構成するセラミックのみからなるか、あるいは上記セラミックとガラスとの混合物からなり且つかかるガラスの含有量は20wt%以下で且つ上記グリーンシートのガラス含有量よりも少ない、請求項1に記載のキャビティ付き多層セラミック基板の製造方法。
- 前記無機組成物に含まれるガラスの軟化点は、前記グリーンシートに含まれるガラスの軟化点と同等またはそれ以下である、
請求項1または2に記載のキャビティ付き多層セラミック基板の製造方法。 - 前記無機組成物は、前記グリーンシートが溶解可能な有機溶媒を含む、請求項1乃至3の何れか一項に記載のキャビティ付き多層セラミック基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2003329217A JP4291656B2 (ja) | 2003-09-22 | 2003-09-22 | キャビティ付き多層セラミック基板の製造方法 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2003329217A Expired - Fee Related JP4291656B2 (ja) | 2003-09-22 | 2003-09-22 | キャビティ付き多層セラミック基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4291656B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4765468B2 (ja) * | 2005-08-03 | 2011-09-07 | 株式会社村田製作所 | セラミック基板の製造方法およびセラミック基板 |
JP5332038B2 (ja) * | 2009-05-22 | 2013-11-06 | 三菱電機株式会社 | セラミック構造体の製造方法 |
EP2548734A1 (de) * | 2011-07-18 | 2013-01-23 | Micro Systems Engineering GmbH | Keramische Mehrlagenstruktur und Verfahren zur Herstellung derselben |
JP7058580B2 (ja) * | 2018-09-25 | 2022-04-22 | 日本特殊陶業株式会社 | セラミックス部材の製造方法 |
JP7216611B2 (ja) * | 2019-05-15 | 2023-02-01 | 日本特殊陶業株式会社 | SiC焼結部材の製造方法 |
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---|---|
JP2005093961A (ja) | 2005-04-07 |
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