JP4280843B2 - 電磁シールド膜およびそのメッシュ構造パターンの設計方法 - Google Patents

Description

本発明は、フラットパネルディスプレイ分野で、特にＰＤＰ（プラズマディスプレイ）用に多く用いられる電磁シールド膜に関し、特に電磁シールド膜のメッシュ構造のパターンの設計方法に関する。

従来から、ディスプレイ装置には、その前面から漏洩する電磁波を遮蔽するための電磁シールド膜が前面板として装着されている。一方、大型の平面ディスプレイ装置として開発されているプラズマディスプレイパネル（以下、「ＰＤＰ」と称する。）は、その前面から漏洩する電磁波が従来からの冷陰極線管（ＣＲＴ）と比較して大きいため、より有効に電磁波をシールドし得る電磁シールド膜の開発が望まれている。

電磁波を発生させる電子装置からの電磁波を除去するには、通常、導電性物質で周囲を覆い、電磁波を吸収させ、それをア−スによって地面へ流すことでシールド（遮蔽）する。ＰＤＰ等のディスプレイでは、電磁波が直接人体へ所定以上当らないよう規格が定められている。また、ディスプレイでは、画像を映すという本質上、シールド方法は透明でなければならない。そのため、ＩＴＯ等の透明導電性材料が検討されている。

例えば、導電性格子パターンと導電層とを積層して透明基板上に設けた電磁シールド膜が提案されているが（特開昭５７−１５４８９８号公報）、かかる電磁シールド膜に用いられている導電層は、酸化インジウムと酸化スズとの複合酸化物（以下、「ＩＴＯ」と称する。）層または金属層がそれぞれ単独で用いられているため、この電磁シールド膜をＰＤＰ用の前面板として用いた場合には、結果として可視光線の透過率が低下したり、反射率が大きくなる傾向にあった。また、導電性格子パターンと導電層とは透明基板の内部で接触した状態で積層されているため、電磁シールド膜の可視光線の表面反射を低減するには、電磁シールド膜の表面に別途、反射防止層などを設ける必要もあった。つまり、ＩＴＯ等を厚く塗ると、光の透過性が悪くなるというジレンマがある。通常、光の透過量は９０％以上が望まれているが、ＩＴＯでは６０％以下となってしまう。また、ＩＴＯ等の膜はスパッタリング法や蒸着法などの薄膜作製方法で作られるので高価であり、コスト面でも代替が望まれている。

その代替法として、金属メッシュ法がある。通常、金属メッシュ法では、プラスチックフィルム基板上に、無電解メッキや蒸着で全面に金属薄膜を形成し、ついで、フォトレジストを用いたフォトリソグラフィーを用いて金属薄膜の不要部をエッチングで除去する方法がとられる。銅などの金属薄膜をメッシュ状に形成すると、ＩＴＯ等のベタ塗り法に比べて導電性が一桁以上大きいという長所がある。つまりシールド性は勝っている。しかし、金属メッシュ法でも光の透過率の確保は容易ではない。線幅を細くすることで、透過率を９０％以上を確保している。

電磁波の波長によって、吸収されやすいメッシュパターンのピッチは異なってくる。一般にディスプレイから放出される波長幅は広いので、一定のピッチでは、充分に吸収できない波長帯が出てくる可能性がある。その意味でも、パターンのピッチはある程度の変化を付ける必要があると考えられる。

また、金属メッシュ法での最大の問題は、モワレフリンジの発生である。一般に、モワレフリンジの発生は、メッシュパターンがＰＤＰの表示走査線と３０度の角度をなすときが最小であるとはいわれているが、メッシュパターンが規則正しく、かつ直線状に並んでいるとき、特に際立ち不愉快なものである。

この問題に対して、特開平１１−１２１９７８号公報では、図１に示すように、メッシュパターン１の縦線２，横線３の間隔を、ある乱れ度で配置している。しかし、この場合、縦線，横線は直線で構成されているので、現在の構造と本質は同じであり、モワレフリンジに対する効果は小さい。

特開平１１−１５０３８８号公報には、図２のように、メッシュパターン４はＬ字型メッシュ５を組み合わせたもので、２個組み合わせれば、結局、規則正しい矩形メッシュになるのでモワレフリンジには効果がないと思われる。

特開２０００−１１４７７３号公報には、図３に示すように、メッシュパターン６は、円形メッシュ７が組み合わされている。円形メッシュのエッジの並びは、縦方向および横方向に規則正しく直線状になっているので、モワレフリンジには大きな効果はないと思われる。また、円メッシュとその隙間の大きさの差が大きく、発光源を隠す要素が大きく、光透過量の減少を招く可能性がある。
特開昭５７−１５４８９８号公報 特開平１１−１２１９７８号公報 特開平１１−１５０３８８号公報 特開２０００−１１４７７３号公報

上記のように、従来のパターンのよるメッシュ構造を用いた場合、規則正しく並んだ発光源であるセルに対してモワレフリンジが出てしまう。それを避けるため、メッシュ構造を蛍光体セル列に対して４５度傾けて、できるだけモワレフリンジが出ないようにはしているが、それでも方向，画像によってモワレフリンジが出てしまう問題点がある。

本発明の目的は、モワレフリンジが出ないメッシュ構造のパターンをコンピュータを利用して設計する方法を提供することにある。

本発明の他の目的は、モワレフリンジが出ないメッシュ構造のパターンをコンピュータを利用して設計する場合に、コンピュータ上で実行されるプログラムを提供することにある。

本発明のさらに他の目的は、モワレフリンジが出ないメッシュ構造のパターンを有する電磁シールド膜を提供することにある。

発明者は、互いに直交する直線状の銅線によるメッシュ構造が規則正しい構造をしていることからモワレフリンジが出るのであって、矩形のサイズあるいは配列を不規則にすることによって、各矩形の各辺が互いに直線状に並ばない乱れた略矩形群よりなるメッシュ構造を作れば、規則正しく並んだ発光源であるセルに対してモワレフリンジが現出することがなくなることを見出し、本発明をなすに至った。

このようなメッシュ構造の略矩形群は、各矩形を乱数を用いて上下，左右に平行移動させ、および／または、各矩形の各辺の長さを乱数を用いて変えることにより形成できる。本発明によれば、このようなメッシュ構造のパターンは、コンピュータにより演算で求める。

本発明の第１の態様は、メッシュ構造の電磁シールド膜である。この電磁シールド膜は、メッシュ構造が、互いに直交する２つの直線の方向に略矩形が配列された略矩形群よりなるパターンを有し、各略矩形の各辺が、２つの直線の方向に互いに直線状に並ばないことを特徴とする。

本発明の第２の態様は、ディスプレイ用装置の前面板として用いる電磁シールド膜のメッシュ構造のパターンを、コンピュータを用いて設計する方法である。この方法は、
入力部から演算部へ、数値ａ，ｂが入力されるステップと、
演算部で、ｘ座標軸，ｙ座標軸よりなる仮想座標を作成するステップと、
演算部で、前記仮想座標上に、ｘ座標軸に平行な直線とｙ座標軸に平行な直線とによって形成される、各辺の長さがａ，ｂである仮想矩形よりなる仮想矩形群を作成するステップと、
演算部で、前記仮想矩形を記憶部から読出された乱数を用いてｘ座標軸および／またはｙ座標軸方向に平行移動させるステップと、
演算部で、前記平行移動された仮想矩形の各辺の長さａ，ｂを、記憶部から読出された乱数を用いて変更して、略矩形群を形成するステップとを含んでいる。

本発明の第３の態様は、ディスプレイ用装置の前面板として用いる電磁シールド膜のメッシュ構造のパターンを設計するためのプログラムである。

このプログラムの一例は、
数値ａ，ｂと、乱れ度ＲＸｍａｘ，ＲＹｍａｘ（１≧ＲＸｍａｘ≧０，１≧ＲＹｍａｘ≧０）、および、ＲＡｍａｘ，ＲＢｍａｘ（１≧ＲＡｍａｘ≧０，１≧ＲＢｍａｘ≧０）とを取込むステップと、
ｘ座標軸，ｙ座標軸よりなる仮想座標を作成するステップと、
前記仮想座標上に、ｘ座標軸に平行な直線とｙ座標軸に平行な直線とによって形成される、各辺の長さがａ，ｂである仮想矩形よりなる仮想矩形群を作成するステップと、
前記仮想座標のｎ行，ｍ列に存在する仮想矩形（ｍ，ｎ）の中心位置を通過し、それぞれｘ座標方向，ｙ座標方向に平行で、直交する２本の仮想中心線を導入し、１行，１列の仮想矩形（１，１）の仮想中心線の交点を原点として、仮想矩形（ｍ，ｎ）の中心位置を（Ｘ₀ （ｍ，ｎ），Ｙ₀（ｍ，ｎ））と表すとき、仮想矩形（ｍ，ｎ）の中心位置を、
Ｘ₀ （ｍ，ｎ）＝ａ×（ｍ−１），Ｙ₀ （ｍ，ｎ）＝ｂ×（ｎ−１）
で求めるステップと、
ｎ行の各仮想矩形の位置を、前記乱れ度ＲＸｍａｘに対して、ＲＸｍａｘ≧｜ＲＸ（ｎ）｜を満たす乱数ＲＸ（ｎ）で、あるいは、ｍ列の各仮想矩形の位置を、乱れ度ＲＸｍａｘに対して、ＲＸｍａｘ≧｜ＲＸ（ｍ）｜を満たす乱数ＲＸ（ｍ）で、ｘ座標軸方向に平行移動させ、および／または、ｍ列の各仮想矩形の位置を、乱れ度ＲＹｍａｘに対して、ＲＹｍａｘ≧｜ＲＹ（ｍ）｜を満たす乱数ＲＹ（ｍ）で、あるいは、ｎ行の各仮想矩形の位置を、乱れ度ＲＹｍａｘに対して、ＲＹｍａｘ≧｜ＲＹ（ｎ）｜を満たす乱数ＲＹ（ｎ）でｙ座標軸に平行移動させ、移動された各仮想矩形（ｍ，ｎ）の中心位置（Ｘ₀ ′（ｍ，ｎ）），（Ｙ₀ ′（ｍ，ｎ））を求めるステップと、
平行移動した仮想矩形（ｍ，ｎ）の互いに相対する１対の頂点Ｅ，Ｆの座標Ｅ（ＸＥ，ＹＥ），Ｆ（ＸＦ，ＹＦ）を、
ＸＥ＝Ｘ₀ ′（ｍ，ｎ）−ａ／２
ＹＥ＝Ｙ₀ ′（ｍ，ｎ）−ｂ／２
ＸＦ＝Ｘ₀ ′（ｍ，ｎ）＋ａ／２
ＹＦ＝Ｙ₀ ′（ｍ，ｎ）＋ｂ／２
で求めるステップと、
ｎ_i1＝ｎ₀ ＋２ｉ＋１，ｎ_i2＝ｎ₀ ＋２ｉ＋２（ここで、ｎ₀ は０または任意の正の整数、ｉ＝０，１，２，３，…）、ｍ_j1＝ｍ₀＋２ｊ＋１，ｍ_j2＝ｍ₀＋２ｊ＋２（ここで、ｍ₀ は０または任意の正の整数、ｊ＝０，１，２，３，…）とするとき（ｎは、ｎ_i1またはｎ_i2を示し、ｍはｍ_j1またはｍ_j2を示す）、ｎ＝ｎ_i1行の奇数番目（ｍ₀ が偶数の場合）（あるいは偶数番目（ｍ₀ が奇数の場合））の列ｍ＝ｍ_j1列の仮想矩形（ｍ_j1，ｎ_i1）の各辺の長さを、前記乱れ度ＲＡｍａｘ，ＲＢｍａｘに対して、ＲＡｍａｘ≧｜ＲＡ（ｍ，ｎ）｜，ＲＢｍａｘ≧｜ＲＢ（ｍ，ｎ）｜を満たす乱数ＲＡ（ｍ，ｎ），ＲＢ（ｍ，ｎ）を用いて、（１＋ＲＡ（ｍ_j1，ｎ_i1））×ａ，（１＋ＲＢ（ｍ_j1，ｎ_i1））×ｂとなるように変更するステップと、
変更後の矩形の頂点Ｅ，Ｆの座標を、
ＸＥ＝Ｘ₀ ′（ｍ_j1，ｎ_i1）−（１＋ＲＡ（ｍ_j1，ｎ_i1））×ａ／２
ＹＥ＝Ｙ₀ ′（ｍ_j1，ｎ_i1）−（１＋ＲＢ（ｍ_j1，ｎ_i1））×ｂ／２
ＸＦ＝Ｘ₀ ′（ｍ_j1，ｎ_i1）＋（１＋ＲＡ（ｍ_j1，ｎ_i1））×ａ／２
ＹＦ＝Ｙ₀ ′（ｍ_j1，ｎ_i1）＋（１＋ＲＢ（ｍ_j1，ｎ_i1））×ｂ／２
で求めるステップと、
変更後の頂点Ｅ，Ｆの座標で定義される矩形を基準として、ｎ＝ｎ_i1行の、偶数番目列（ｍ₀ が偶数の場合）（あるいは奇数番目列（ｍ₀ が奇数の場合））であるｍ＝ｍ_j2列の仮想矩形（ｍ_j2，ｎ_i1）において、仮想矩形の上下の辺のｙ座標のみを乱数ＲＢ（ｍ，ｎ）で変化させて、
ＹＥ＝Ｙ₀ ′（ｍ_j2，ｎ_i1）−（１＋ＲＢ（ｍ_j2，ｎ_i1））×ｂ／２
ＹＦ＝Ｙ₀ ′（ｍ_j2，ｎ_i1）＋（１＋ＲＢ（ｍ_j2，ｎ_i1））×ｂ／２
を求めるステップと、
仮想矩形（ｍ_j2，ｎ_i1）の左辺のｘ座標は、左隣の矩形（ｍ_j1，ｎ_i1）のＸＦと同じとし、右辺のｘ座標は右隣の矩形（ｍ_(j+1)1，ｎ_i1）のＸＥと同じとするステップと、
ｎ＝ｎ_i2行の、偶数番目列あるいは奇数番目列であるｍ＝ｍ_j1あるいはｍ＝ｍ_j2列の仮想矩形（ｍ，ｎ_i2）において、仮想矩形の左右の辺のｘ座標のみを乱数ＲＡ（ｍ，ｎ）で変化させて、
ＸＥ＝Ｘ₀ ′（ｍ，ｎ_i2）−（１＋ＲＡ（ｍ，ｎ_i2））×ａ／２
ＸＦ＝Ｘ₀ ′（ｍ，ｎ_i2）＋（１＋ＲＡ（ｍ，ｎ_i2））×ａ／２
を求めるステップと、
仮想矩形（ｍ，ｎ_i2）の左右の辺を上下に延長して、上下の行の矩形の横辺と交わるところをそれぞれのｙ座標であるＹＥ，ＹＦとすることによって略矩形を作成するステップと、
ｉ，ｊのすべて整数について略矩形を作成し、略矩形群を作成するステップとを実行する。

本発明は、ＰＤＰを始めとするＦＥＤ（電界放出ディスプレイ），ＣＲＴなどのディスプレイ装置の前面から漏洩する電磁波を遮蔽するため前面板に装着されている電磁シールド膜のメッシュ構造の、各仮想矩形を乱数に応じて上下，左右に平行移動させ、および／または、各仮想矩形の各辺の長さを乱数を用いて変形させることにより、矩形のサイズあるいは配列を不規則にすることによって、略矩形の各辺が互いに直線状に並ばない略矩形群よりなるパターンを有するメッシュ構造を作れば、規則正しく並んだ発光源であるセルに対してモワレフリンジが現出することがない電磁シールド膜を提供できる。

図４に、本発明の電磁シールド膜のメッシュ構造の設計方法を実施するコンピュータの基本構成を示す。コンピュータ１０は、演算部（ＣＰＵ）１２と、記憶部１４と、入力部１６と、出力部１８とから構成される。電磁シールド膜のメッシュ構造のパターンの形成は、記憶部に格納された乱数およびプログラムに基づいて、演算部で実行される。

図５は、演算部１２の機能ブロック図である。演算部１２は、仮想座標上に仮想矩形群を作成する仮想矩形群作成部２０と、乱数発生部２２と、仮想矩形を平行移動する平行移動処理部２４と、仮想矩形の辺の長さを変更する長さ変更処理部２６とから構成されている。

コンピュータでの処理を説明する前に、メッシュ構造のパターン設計についての要件を説明しておく。
（１）仮想座標の導入
メッシュ構造のパターンをコンピュータで設計する場合、ｘ座標軸，ｙ座標軸よりなる仮想座標を導入する。この仮想座標上に、ｘ座標軸に平行な直線とｙ座標軸に平行な直線とによって、設計の元となる矩形を作成する。矩形のｘ座標軸方向の長さをａ、ｙ座標軸方向の長さをｂとする。矩形は正方形（ａ＝ｂ）、あるいは長方形（ａ≠ｂ）のいずれであってもよい。

以下、この明細書では、仮想座標上に作成された元となる矩形を、仮想矩形と言い、このような仮想矩形の集合を仮想矩形群と言うものとする。

仮想矩形群では、矩形は行（ｘ座標軸方向）×列（ｙ座標軸方向）マトリックス状に配列されており、ｎ行，ｍ列（ｎ，ｍは正の整数）の仮想矩形を、矩形（ｍ，ｎ）と表すものとする。

以下の説明では、便宜上、横方向，縦方向という表現を用いるが、横方向はｘ座標軸方向を、縦方向はｙ座標軸方向を意味している。
（２）乱れ度の導入
本発明の設計方法では、仮想矩形を平行移動および／または辺の長さの変更を行うときに、乱数を用いて行う。このような乱数の絶対値の最大値を制限するものとして、乱れ度という概念を導入する。

本発明では、最大４種類の乱れ度を導入する。各仮想矩形の辺の長さの乱れ度ＲＡｍａｘ，ＲＢｍａｘは次のように定義される。仮想矩形の横辺の長さ（ｘ座標軸方向の長さ）、縦辺の長さ（ｙ座標軸方向の長さ）は、各々乱数ＲＡ（ｍ，ｎ），ＲＢ（ｍ，ｎ）で変更を受ける。ここで、１≧ＲＡｍａｘ≧０，１≧ＲＢｍａｘ≧０であり、
ＲＡｍａｘ≧｜ＲＡ（ｍ，ｎ）｜，ＲＢｍａｘ≧｜ＲＢ（ｍ，ｎ）｜
である。

また、仮想矩形の平行移動の乱れ度ＲＸｍａｘ，ＲＹｍａｘを定義する。ここで、１≧ＲＸｍａｘ≧０，≧ＲＹｍａｘ≧０であり、ｎ行の矩形の左右（ｘ座標軸方向）の平行移動を規定する乱数をＲＸ（ｎ）、ｍ列の矩形の左右の平行移動を規定する乱数をＲＸ（ｍ）と表し、ＲＸｍａｘ≧｜ＲＸ（ｍ）｜，ＲＸｍａｘ≧｜ＲＸ（ｎ）｜とする。

また、ｎ行の矩形の上下（ｙ座標軸方向）の平行移動を規定する乱数をＲＹ（ｎ）と表し、ｍ列の矩形の上下方向の平行移動を規定する乱数をＲＹ（ｍ）と表し、ＲＹｍａｘ≧｜ＲＹ（ｎ）｜，Ｙｍａｘ≧｜ＲＹ（ｍ）｜とする。

ここで、ＲＡｍａｘ＝ＲＢｍａｘ，ＲＸｍａｘ＝ＲＹｍａｘとすれば、乱れ度を４種類から２種類に減らすこともできる。

乱数は、記憶部に格納されている乱数を用いる。同じ乱れ度でも異なる乱数列を用いれば、全く異なるパターンになりうるが、しかし、効果は乱れ度で決まるものであり、パターンは異なっても同じ効果が得られる。
（３）略矩形の定義
仮想座標上で仮想矩形を平行移動および／または辺の長さの変更を行うことによって、最終的にメッシュ構造のパターンを作成できる。メッシュ構造を構成する要素の形状は、平行移動および／または辺の長さの変更という処理によって、矩形または矩形でない形状となる。

図６は、矩形でない形状の例を示す。正確な矩形になっておらず、細かく見ると隣接する矩形が上に重なった形になっている。本明細書では、メッシュ構造を構成する矩形および矩形でないものを総称して、略矩形と言うものとする。すなわち、設計されたメッシュ構造のパターンは、略矩形の集合、すなわち略矩形群で構成される。

なお、本発明では、行を最初に指定して、行内の偶数列または奇数列に略矩形を作成し、これら略矩形の間に、略矩形を作成するという過程を経ているが、仮想座標上で行および列は直交する関係にある相対的なものであるから、行と列を入れ替える、すなわち、列を最初に指定して、列内の偶数行または奇数行に略矩形を作成し、これら略矩形の間に、略矩形を作成するという過程を経てもよい。あるいは、ｘ座標とｙ座標を入れ替えた定義と考えても同じであるのは言うまでもない。

以下、コンピュータによるメッシュ構造のパターンの作成例について説明する。
（１）メッシュ構造の作成例１
作成例１は、本発明の設計方法の概略を説明するためのものである。

図７に、作成例１における演算部１２での処理を説明するためのフローチャートを示す。

図４に示したコンピュータ１０の記憶部１４には、パターン作成のためのプログラム、および乱数が格納されている。入力部１６からは、仮想矩形の各辺の長さａ，ｂの値、および各仮想矩形の平行移動に対する乱れ度ＲＸｍａｘ，ＲＹｍａｘ（１≧ＲＸｍａｘ≧０，１≧ＲＹｍａｘ≧０）および各仮想矩形の辺の長さに対する乱れ度ＲＡｍａｘ，ＲＢｍａｘ（１≧ＲＡｍａｘ≧０，１≧ＲＢｍａｘ≧０）が演算部１２に入力される（ステップＳ１）。

演算部１２の仮想矩形群作成部２０では、入力された矩形サイズａ，ｂにより、図８に示すように、ｘ座標軸方向の直線３２およびｙ座標軸方向の直線３４によって、横辺の長さａ、縦辺の長さｂの仮想矩形３６よりなる仮想矩形群３８を作成する（ステップＳ２）。図８では、ａ＝ｂとする。

一方、演算部１２の乱数発生部２２では、入力された乱れ度により、ＲＸｍａｘ≧｜ＲＸ（ｍ）｜，ＲＸｍａｘ≧｜ＲＸ（ｎ）｜，ＲＹｍａｘ≧｜ＲＹ（ｎ）｜，ＲＹｍａｘ≧｜ＲＹ（ｍ）｜を満たす矩形（ｍ，ｎ）に作用する乱数ＲＸ（ｍ），ＲＸ（ｎ），ＲＹ（ｎ），ＲＹ（ｍ）が読出され、およびＲＡｍａｘ≧｜ＲＡ（ｍ，ｎ）｜，ＲＢｍａｘ≧｜ＲＢ（ｍ，ｎ）｜を満たす矩形（ｍ，ｎ）に作用する乱数ＲＡ（ｍ，ｎ），ＲＢ（ｍ，ｎ）が読出される（ステップＳ３）。

演算部１２の平行移動処理部２４では、各ｍ列の仮想矩形を乱数ＲＸ（ｍ）で左右に平行移動させ、または各ｎ行の仮想矩形を乱数ＲＸ（ｎ）で左右に平行移動させ、および／または、各ｎ行の仮想矩形を乱数ＲＹ（ｎ）で上下に平行移動させ、または各ｍ列の仮想矩形を乱数ＲＹ（ｍ）で上下に平行移動させる（ステップＳ４）。

次に、演算部１２の長さ変更処理部２６では、乱数ＲＡ（ｍ，ｎ），ＲＢ（ｍ，ｎ）を用いて、平行移動された各仮想矩形の辺の長さを、（１＋ＲＡ（ｍ，ｎ））×ａ、（１＋ＲＢ（ｍ，ｎ））×ｂとなるように変更する（ステップＳ４）。以上のステップにより、略矩形群が形成される。このような略矩形群は、メッシュ構造のパターンを形成する。

以上の例では、平行移動および辺の長さの変更を行ったが、平行移動のみ、あるいは長さの変更のみを行って、略矩形群を作成することができる。

平行移動のみ行う場合には、ＲＡｍａｘ＝ＲＢｍａｘ＝０とすればよい。

また、辺の長さの変更のみ行う場合には、ＲＸｍａｘ＝ＲＹｍａｘ＝０とすればよい。

以下に説明する、作成例においても同様である。
（２）メッシュ構造の作成例２
作成例２では、作成例１よりも、より詳しく説明する。

図９に、作成例２における演算部１２での処理を説明するためのフローチャートを示す。

仮想座標を作成し、仮想矩形群を作成し、乱数を発生させるまでの処理は、作成例１と同じである。
（ａ）仮想中心線の導入
図１０に示すように、仮想座標上で仮想矩形（ｍ，ｎ）の中心位置を通過し、それぞれｘ座標軸方向，ｙ座標軸方向に平行で、直交する２本の仮想中心線４２，４４を作成する（図９，ステップＳ４）。

まず、１行，１列の矩形（１，１）の仮想中心線の交点を原点として、仮想矩形（ｍ，ｎ）の中心座標（Ｘ₀ （ｍ，ｎ），Ｙ₀ （ｍ，ｎ））を、
Ｘ₀ （ｍ，ｎ）＝ａ×（ｍ−１），Ｙ₀ （ｍ，ｎ）＝ｂ×（ｎ−１）
により求める（ステップＳ５）。

以下の説明では、図１０に示すように、座標Ｅ（ＸＥ，ＹＥ）を仮想矩形（ｍ，ｎ）の左上の頂点とし、Ｆ（ＸＦ，ＹＦ）を仮想矩形（ｍ，ｎ）の右下の頂点として説明するが、座標Ｅ（ＸＥ，ＹＥ）を仮想矩形（ｍ，ｎ）の左下の頂点とし、Ｆ（ＸＦ，ＹＦ）を仮想矩形（ｍ，ｎ）の右上の頂点としてもよい。
（ｂ）矩形の平行移動
ｎ行の各仮想矩形の位置をＲＸｍａｘ≧｜ＲＸ（ｎ）｜を満たす乱数ＲＸ（ｎ）で、あるいは、ｍ列の各仮想矩形の位置をＲＸｍａｘ≧｜ＲＸ（ｍ）｜を満たす乱数ＲＸ（ｍ）で、左右に平行移動させ、および／または、ｍ列の各矩形の位置をＲＹｍａｘ≧｜ＲＹ（ｍ）｜を満たす乱数ＲＹ（ｍ）で、あるいは、ｎ行の各矩形の位置をＲＹｍａｘ≧｜ＲＹ（ｎ）｜を満たす乱数ＲＹ（ｎ）で上下に平行移動させる（ステップＳ６）。図１１には、仮想矩形（ｍ，ｎ）を、平行移動した状態を示す。

平行移動された仮想矩形（ｍ，ｎ）の中心座標（Ｘ₀ ′（ｍ，ｎ）、Ｙ₀ ′（ｍ，ｎ））を求める（ステップＳ７）。

左右への移動を各ｍ列ごとに行い、上下の移動を各ｎ行で行う場合、中心座標は、
Ｘ₀ ′（ｍ，ｎ）＝ａ×（ｎ−１）＋ＲＸ（ｍ）×ａ
Ｙ₀ ′（ｍ，ｎ）＝ｂ×（ｍ−１）＋ＲＹ（ｎ）×ｂ
と表すことができる。

また、左右の移動を各ｎ行ごとに行い、上下方向の移動を各ｍ列で行う場合、中心座標は、
Ｘ₀ ′（ｍ，ｎ）＝ａ×（ｎ−１）＋ＲＸ（ｎ）×ａ
Ｙ₀ ′（ｍ，ｎ）＝ｂ×（ｍ−１）＋ＲＹ（ｍ）×ｂ
と表される。左右移動と上下移動は、上記の行ごと、列ごと別の組み合わせも可能であることは、いうまでもない。

平行移動された仮想矩形（ｍ，ｎ）の互いに相対する１対の頂点の座標をＥ（ＸＥ，ＹＥ），Ｆ（ＸＦ，ＹＦ）とし、位置Ｅ点，Ｆ点の座標を、
Ｅ（Ｘ₀ ′（ｍ，ｎ）−ａ／２，Ｙ₀ ′（ｍ，ｎ）−ｂ／２）
Ｆ（Ｘ₀ ′（ｍ，ｎ）＋ａ／２，Ｙ₀ ′（ｍ，ｎ）＋ｂ／２）
により求める（ステップＳ８）。
（ｃ）平行移動された仮想矩形の辺の長さの変更
乱数ＲＡ（ｍ，ｎ）、ＲＢ（ｍ，ｎ）を用いて、平行移動された仮想矩形（ｍ，ｎ）の横辺，縦辺の長さを変更し（ステップＳ９）、変更後のＥ点，Ｆ点の座標を、
Ｅ（Ｘ₀ ′（ｍ，ｎ）−（１＋ＲＡ（ｍ，ｎ））×ａ／２，Ｙ₀ ′（ｍ，ｎ）−（１＋ＲＢ（ｍ，ｎ））×ｂ／２）
Ｆ（Ｘ₀ ′（ｍ，ｎ）＋（１＋ＲＡ（ｍ，ｎ））×ａ／２，Ｙ₀ ′（ｍ，ｎ）＋（１＋ＲＢ（ｍ，ｎ））×ｂ／２）
により求める（ステップＳ１０）。

以上の矩形の平行移動および矩形の辺の長さの変更を行うことによって、略矩形群を得ることができる。

これにより、各略矩形の各辺が互いに直線状に並ばないようメッシュ構造のパターンを作成できる。
（３）メッシュ構造の作成例３
作成例３は、具体的な一つの例である。

図１２に、作成例３における演算部１２での処理を説明するためのフローチャートを示す。

仮想座標を作成し、仮想矩形群を作成し、乱数を発生させ、仮想中心線を作成し、仮想矩形（ｍ，ｎ）の中心座標を求め、仮想矩形を平行移動させ、平行移動させた仮想矩形の中心座標を求め、Ｅ点，Ｆ点の座標を求めるまでの処理は、作成例２と同じである。
（ａ）辺の長さの変更
ｎ，ｍを偶数または奇数として区別する。したがって、ｎ_i1＝ｎ₀ ＋２ｉ＋１、ｎ_i2＝ｎ₀ ＋２ｉ＋２（ここで、ｎ₀ は０または任意の正の整数、ｉ＝０，１，２，３，…）、ｍ_j1＝ｍ₀ ＋２ｊ＋１、ｍ_j2＝ｍ₀ ＋２ｊ＋２（ここで、ｍ₀ は０または任意の正の整数、ｊ＝０，１，２，３，…）とする。ｎは、ｎ_i1またはｎ_i2を示し、ｍはｍ_j1またはｍ_j2を示す。

ｎ＝ｎ_i1行の奇数番目（ｍ₀ が偶数の場合）（あるいは偶数番目（ｍ₀ が奇数の場合））の列ｍ＝ｍ_j1列の平行移動された仮想矩形（ｍ_j1，ｎ_i1）の辺の長さを、乱数ＲＡ（ｍ，ｎ），ＲＢ（ｍ，ｎ）を用いて変更し（ステップＳ９）、変更後のＥ点，Ｆ点の座標を、
ＸＥ＝Ｘ₀ ′（ｍ_j1，ｎ_i1）−（１＋ＲＡ（ｍ_j1，ｎ_i1））×ａ／２
ＹＥ＝Ｙ₀ ′（ｍ_j1，ｎ_i1）−（１＋ＲＢ（ｍ_j1，ｎ_i1））×ｂ／２
ＸＦ＝Ｘ₀ ′（ｍ_j1，ｎ_i1）＋（１＋ＲＡ（ｍ_j1，ｎ_i1））×ａ／２
ＹＦ＝Ｙ₀ ′（ｍ_j1，ｎ_i1）＋（１＋ＲＢ（ｍ_j1，ｎ_i1））×ｂ／２
により求め、これにより変更された略矩形（ｍ_j1，ｎ_i1）が作成される（ステップＳ１０）。

ｉ，ｊのすべてについて、略矩形（ｍ_j1，ｎ_i1）を作成する。図１３には、作成された略矩形（ｍ_j1，ｎ_i1）を実線で示す。ただし、図をわかりやすくするため、仮想矩形を平行移動せず、辺の長さを変更した場合を示している。

以上のようにして作成された略矩形を基準として、
１）ｎ＝ｎ_i1行の、偶数番目列（ｍ₀ が偶数の場合）（あるいは奇数番目列（ｍ₀ が奇数の場合））であるｍ＝ｍ_j2列の仮想矩形（ｍ_j2，ｎ_i1）において、図１４に示すように、仮想矩形の上下の辺のｙ座標のみを乱数ＲＢ（ｍ，ｎ）で変更して、
ＹＥ＝Ｙ₀ ′（ｍ_j2，ｎ_i1）−（１＋ＲＢ（ｍ_j2，ｎ_i1））×ｂ／２
ＹＦ＝Ｙ₀ ′（ｍ_j2，ｎ_i1）＋（１＋ＲＢ（ｍ_j2，ｎ_i1））×ｂ／２
を求める（ステップＳ１１）。図１４には、変更させた上下の辺を、太い実線で示している。

矩形（ｍ_j2，ｎ_i1）の左辺のｘ座標は、図１５に示すように、左隣の略矩形（ｍ_j1，ｎ_i1）のＸＦと同じとし、右辺のｘ座標は右隣の略矩形（ｍ_(j+1)1，ｎ_i1）のＸＥと同じとする（ステップＳ１２）。図１５には、変更した左右の辺を、太い実線で示している。

以上の処理により、略矩形（ｍ_j2，ｎ_i1）が形成される。
２）次に、ｎ＝ｎ_i2行は、図１６に示すように、偶数番目列（ｍ₀ が偶数の場合）（あるいは奇数番目列（ｍ₀ が奇数の場合））であるｍ＝ｍ_j2列の矩形（ｍ_j2，ｎ_i2）に対して、仮想矩形の左右の辺のｘ座標のみを乱数ＲＲ（ｍ，ｎ）で変更して、
ＸＥ＝Ｘ₀ ′（ｍ_j2，ｎ_i2）−（１＋ＲＡ（ｍ_j2，ｎ_i2））×ａ／２
ＸＦ＝Ｘ₀ ′（ｍ_j2、ｎ_i2）＋（１＋ＲＡ（ｍ_j2、ｎ_i2））×ａ／２
を求める（ステップＳ１３）。図１６には、変更した左右の辺を、太い実線で示している。

矩形（ｍ_j2，ｎ_i2）の左右の辺を、図１６に示すように上下に延長して、上下の行の矩形の横辺と交わるところをそれぞれのｙ座標、ＹＥ，ＹＦとする（ステップＳ１４）。

以上の処理により、略矩形（ｍ_j2，ｎ_i2）が形成される。偶数番目の略矩形が形成されることにより、奇数番目列（ｍ_j1，ｎ_i2）の略矩形は自動的に定まる。この場合に、図１６からもわかるように、一番端の奇数番目列の端部である左辺または右辺は定まらず、略矩形が作成されない。

実際には、作製された電磁シールド膜の端の部分は切り取って使用されるので、端部に略矩形が作成されなくても問題はない。

しかし、設計上、端部の略矩形を完成させる必要がある場合には、中心座標から−ａ／２または＋ａ／２のｘ座標の位置で左辺または右辺を定めるとよい。
３）以下、ｉ，ｊのすべて整数について略矩形を作成する（ステップＳ１３）。

上記処理を行うことによって、各略矩形の各辺が互いに直線状に並ばないようメッシュ構造のパターンを作成することができる。
（７）メッシュ構造の作成例４
作成例４は、具体的な他の例である。

図１７Ａ，図１７Ｂに、作成例４における演算部での処理を説明するためのフローチャートを示す。

仮想座標を作成し、仮想矩形群を作成し、乱数を発生させ、仮想中心線を作成し、仮想矩形（ｍ，ｎ）の中心座標を求め、仮想矩形を平行移動させ、平行移動させた仮想矩形の中心座標を求め、Ｅ点，Ｆ点の座標を求めるまでの処理は、作成例２と同じである。
（ａ）辺の長さの変更
ｎを４の倍数に対して１，２，３，４を加えたものとして区別し、ｍを偶数または奇数とする。したがって、ｎ_i1＝ｎ₀＋４ｉ＋１、ｎ_i2＝ｎ₀＋４ｉ＋２、ｎ_i3＝ｎ₀＋４ｉ＋３、ｎ_i4＝ｎ₀＋４ｉ＋４（ここで、ｎ₀ は０または任意の正の整数、ｉ＝０，１，２，３，…）、ｍ_j1＝ｍ₀＋２ｊ＋１、ｍ_j2＝ｍ₀＋２ｊ＋２（ここで、ｍ₀ は０または任意の正の整数、ｊ＝０，１，２，３，…）とする。ｎは、ｎ_i1，ｎ_i2，ｎ_i3またはｎ_i4を示し、ｍはｍ_j1またはｍ_j2を示す。

ｎ＝ｎ_i1行の奇数番目列（ｍ₀ が偶数の場合）（あるいは偶数番目列（ｍ₀ が奇数の場合））であるｍ＝ｍ_j1列の矩形（ｍ_j1，ｎ_i1）の辺の長さを、乱数ＲＡ（ｍ，ｎ），ＲＢ（ｍ，ｎ）を用いて、図１８に示すように変更し（ステップＳ９）、変更後のＥ点，Ｆ点の座標を、
ＸＥ＝Ｘ₀ ′（ｍ_j1，ｎ_i1）−（１＋ＲＡ（ｍ_j1，ｎ_i1））×ａ／２
ＹＥ＝Ｙ₀ ′（ｍ_j1，ｎ_i1）−（１＋ＲＢ（ｍ_j1，ｎ_i1））×ｂ／２
ＸＦ＝Ｘ₀ ′（ｍ_j1，ｎ_i1）＋（１＋ＲＡ（ｍ_j1，ｎ_i1））×ａ／２
ＹＦ＝Ｙ₀ ′（ｍ_j1，ｎ_i1）＋（１＋ＲＢ（ｍ_j1，ｎ_i1））×ｂ／２
より求め、これにより変更された略矩形（ｍ_j1，ｎ_i1）が作成される（ステップＳ１０）。図１８には、作成された略矩形（ｍ_j1，ｎ_i1）を実線で示す。ただし、図をわかりやすくするため、仮想矩形を平行移動せず、辺の長さを変更した場合を示している。

以上のようにして作成された略矩形を基準として、
１）ｎ＝ｎ_i1行において、偶数番目列（ｍ₀ が偶数の場合）（あるいは奇数番目列（ｍ₀ が奇数の場合））であるｍ＝ｍ_j2列の矩形（ｍ_j2，ｎ_i1）に対して、図１９に示すように、仮想矩形の上下の辺のｙ座標のみを乱数ＲＢ（ｍ，ｎ）で変化させて、
ＹＥ＝Ｙ₀ ′（ｍ_j2，ｎ_i1）−（１＋ＲＢ（ｍ_j2, ｎ_i1））×ｂ／２
ＹＦ＝Ｙ₀ ′（ｍ_j2，ｎ_i1）＋（１＋ＲＢ（ｍ_j2，ｎ_i1））×ｂ／２
を求める（ステップＳ１１）。図１９には、変更した上下の辺を、太い実線で示している。

さらに、図２０に示すように、矩形（ｍ_j2，ｎ_i1）左辺のｘ座標は、左隣の略矩形（ｍ_j1，ｎ_i1）のＸＦと同じとし、右辺のｘ座標は右隣の略矩形（ｍ_(j+1)1，ｎ_i1）のＸＥと同じとする（ステップＳ１２）。図２０は、変更した左右の辺を、太い実線で示している。

以上の処理により、略矩形（ｍ_j2，ｎ_i1）が形成される。
２）次に、ｎ＝ｎ_i3行の偶数番目列（ｍ₀ が偶数の場合）（あるいは奇数番目列（ｍ₀ が奇数の場合））であるｍ＝ｍ_j2列の矩形（ｍ_j2，ｎ_i3）の辺の長さを、図２１に示すように、乱数ＲＡ（ｍ，ｎ），ＲＢ（ｍ，ｎ）を用いて変更し（ステップＳ１３）、変更後のＥ点，Ｆ点の座標を、
ＸＥ＝Ｘ₀ ′（ｍ_j2，ｎ_i3）−（１＋ＲＡ（ｍ_j2，ｎ_i3））×ａ／２
ＹＥ＝Ｙ₀ ′（ｍ_j2，ｎ_i3）−（１＋ＲＢ（ｍ_j2，ｎ_i3））×ｂ／２
ＸＦ＝Ｘ₀ ′（ｍ_j2，ｎ_i3）＋（１＋ＲＡ（ｍ_j2，ｎ_i3））×ａ／２
ＹＦ＝Ｙ₀ ′（ｍ_j2，ｎ_i3）＋（１＋ＲＢ（ｍ_j2，ｎ_i3））×ｂ／２
により求め、これにより変更された略矩形（ｍ_j2，ｎ_i3）が作成される（ステップＳ１４）。図２１には、作成された略矩形（ｍ_j2，ｎ_i3）を実線で示す。ただし、図をわかりやすくするため、仮想矩形を平行移動せず、辺の長さを変更した場合を示している。

以上のようにして作成された略矩形を基準として、
３）ｎ＝ｎ_i3行において、奇数番目列（ｍ₀ が偶数の場合）（あるいは偶数番目列（ｍ₀ が奇数の場合））であるｍ＝ｍ_j1列の矩形（ｍ_j1，ｎ_i3）に対して、図２２に示すように、矩形の上下の辺のｙ座標のみを乱数ＲＢ（ｍ，ｎ）で変化させて、
ＹＥ＝Ｙ₀ ′（ｍ_j1，ｎ_i3）−（１＋ＲＢ（ｍ_j1, ｎ_i3））×ｂ／２
ＹＦ＝Ｙ₀ ′（ｍ_j1，ｎ_i3）＋（１＋ＲＢ（ｍ_j1，ｎ_i3））×ｂ／２
を求める（ステップＳ１５）。図２２には、変更した上下の辺を、太い実線で示している。

さらに、図２３に示すように、矩形（ｍ_j1，ｎ_i3）の左辺のｘ座標は、左隣の矩形（ｍ_(j-1)2，ｎ_i3）のＸＦと同じとし、右辺のｘ座標は右隣の略矩形（ｍ_j2，ｎ_i3）のＸＥと同じとする（ステップＳ１６）。図２３には、変更した左右の辺を、太い実線で示している。この場合において、一番端の矩形を完成させる必要がある場合には、中心座標から−ａ／２または＋ａ／２のｘ座標の位置で左辺または右辺を定めるとよい。

以上の処理により、略矩形（ｍ_j1，ｎ_i3）が形成される。
４）ｎ_i2行とｎ_i4行については、各行の偶数番目列あるいは奇数番目列であるｍ＝ｍ_j1列あるいはｍ＝ｍ_j2列の仮想矩形（ｍ，ｎ_i2），（ｍ，ｎ_i4）に対して、図２４に示すように、仮想矩形の左右の辺のｘ座標のみを乱数ＲＡ（ｍ，ｎ）で変更して、仮想矩形（ｍ，ｎ_i2）については
ＸＥ＝Ｘ₀ ′（ｍ，ｎ_i2）−（１＋ＲＡ（ｍ，ｎ_i2））×ａ／２
ＸＦ＝Ｘ₀ ′（ｍ，ｎ_i2）＋（１＋ＲＡ（ｍ，ｎ_i2））×ａ／２
を求め、仮想矩形（ｍ，ｎ_i4）については
ＸＥ＝Ｘ₀ ′（ｍ，ｎ_i4）−（１＋ＲＡ（ｍ，ｎ_i4））×ａ／２
ＸＦ＝Ｘ₀ ′（ｍ，ｎ_i4）＋（１＋ＲＡ（ｍ，ｎ_i4））×ａ／２
を求める（ステップＳ１７）。図２４には、変更した左右の辺を、太い実線で示している。

矩形（ｍ_j2，ｎ_i2），（ｍ_j2，ｎ_i4）の左右の辺を上下に延長して、上下の行の矩形の横辺と交わるところをそれぞれのｙ座標、ＹＥ，ＹＦとする（ステップＳ１８）。

以上の偶数番目列の矩形の処理により、略矩形（ｍ_j2，ｎ_i2），（ｍ_j2，ｎ_i4）が形成される。偶数番目の略矩形が形成されることにより、奇数番目列（ｍ_j1，ｎ_i2），（ｍ_j1，ｎ_i4）の略矩形は自動的に定まる。
５）以下、ｉ，ｊのすべて整数について略矩形を作成する（ステップＳ１９）。

上記処理を行うことによって、各略矩形の各辺が互いに直線状に並ばないようメッシュ構造のパターンを作成することができる。

作成例４に従って、メッシュ構造のパタ−ンを作成した例を図２５に示す。ここで使用した乱れ度は、
ＲＸｍａｘ＝０．７，ＲＹｍａｘ＝０．７
ＲＡｍａｘ＝０．３，ＲＢｍａｘ＝０．３
である。図２５からわかるように、ｘ座標軸方向，ｙ座標軸方向どちらから見ても、略矩形は直線状に並んでおらず、また各略矩形のサイズもあるばらつき度で様々なものがあることがわかる。

本作成例では、行を最初に指定して、行内の偶数列または奇数列に略矩形を作成し、これら略矩形の間に、略矩形を作成するという過程を経ているが、仮想座標上で行および列は直交する関係にある相対的なものであるから、行と列を入れ替える、すなわち、列を最初に指定して、列内の偶数行または奇数行に略矩形を作成し、これら略矩形の間に、略矩形を作成するという過程を経てもよい。

実施例の説明を行う前に、電磁シールド膜の一般的な作製方法を説明しておく。

電磁シールド膜の作製方法には以下のように大きくわけて、電着法（メッキ）とエッチング法の２種類あり、さらに、それぞれ、直接法と転写法がある。
１）電着法−直接法
この方法では、以下の手順で電着を行う。
（ｉ）透明導電性基板の上にレジスト等で、本発明により作成された電磁シールド膜のメッシュ構造の所望のパターンを作る。
（ii）電磁シールド膜に使用する金属の電解液に浸漬して電着により導電性パターンを作る。この導電性パターンは、電磁シールド膜のメッシュ構造を形成する。
（iii ）電子シールド膜の表面が金属光沢が残っていると画面の目視中に視認性が悪くなるので、金属の表面を黒化処理する。
２）電着法−転写法
この方法については、図２６に示す。
（ｉ）導電性基板６０の上に絶縁性レジスト６２で、本発明により作成された電磁シールド膜のメッシュ構造の所望のパターンを作る。
（ii）電磁シールド膜に使用する金属の電解液に浸漬して電着により金属パターン６４を作る。
（iii ）透明接着材６６を一方の面に塗った導電性基板を、電着を行った透明導電性基板６８に接着させる。ここで、透明接着材６６は、金属にはよく接着するが、レジストには接着性の悪いものを選ぶことが好ましい。
（iv）その後、図２６に示すように、金属パターン６４を透明導電性基板６８の側に接着させた状態で、透明導電性基板６８を、導電性基板６０から剥離させる。

以上の工程により、電磁シールド膜が形成される。
３）エッチング法−直接法
この方法については、図２７に示す。
（ｉ）透明絶縁性基板７０（例えば、ガラス基板）の上に、金属層７２をメッキで全面に積層する。
（ii）金属層７２の上に、エッチングレジストパターン７４を形成する。このパターンは、本発明により作成されたメッシュ構造のパターンである。
（iii ）レジストで保護されていない金属層部分のみをエッチングで除去する。
（iv）透明な硬化性のアクリル系樹脂を塗布し硬化させ、保護膜７６とする。レジストパターンは必ずしも除去する必要はない。レジストパターンにあらかじめ、カーボンブラック等を含めておけば、金属光沢を消す効果がある。

以上の工程により、電磁シールド膜が形成される。
４）エッチング法−転写法
この方法については、図２８に示す。
（ｉ）導電性基板８０の上に金属層８２を接着する。
（ii）エッチングレジスト８４で本発明により作成されたメッシュ構造のパターンを作る。
（iii ）金属層８２をエッチングし、金属パターンを形成する。
（iv）パターンに接着材８６を流し込む。
（ｖ）接着材の上に透明導電性膜８８を成膜する。
（vi）金属パターン８２と接着材８６の層とを導電性基板８０からはがす。
（vii ）表面に透明保護膜９０を成膜する。

以上の工程により、電磁シールド膜が形成される。
（実施例１）
乱れ度とモワレフリンジの関係を調べるために、以下の方法で電磁シールド膜サンプルを作製した。

電磁シールド膜サンプルは、エッチング法−直接法で作製した。ガラス基板（有効領域３００ｍｍ×３００ｍｍ）の上に銅の金属膜をスパッタリング法により約０．１μｍほど積層したのち、メッキ法によって２０μｍ積層した試料を多数作り、各種乱れ度に応じて銅パターンを作製した。銅パターン作製は、通常のフォトレジスト法によりエッチングレジストを作り、レジストのない部分を塩化第２鉄エッチング液で銅を除去することにより行った。線幅は、すべて２０μｍとした。金属パターンの上に、アクリル系の保護層をつけた。レジストは、市販のネガ型フォトレジスト（東京応化株式会社 商品名 ＫＯＲ）を用いた。

以上のようにして作製された電磁シールド膜を、ディスプレイ、例えば、４３型ＰＤＰに取り付けた。このＰＤＰの規格を示す。

・画面サイズ：９５２ｍｍ×５３６ｍｍ
・１２８０（横）×７６８（縦）画素
・０．９３０ｍｍ（横）×０．６９８ｍｍ（縦）の画素ピッチ
モワレフリンジの判定は目視によって行った。
１）電磁シールド膜のメッシュ構造が、矩形の位置のみを乱数で変化させ、矩形の辺の長さを変えないものであるとき、すなわち、乱れ度Ｒ１＝ＲＡｍａｘ＝ＲＢｍａｘ＝０であり、ＲＸｍａｘ，ＲＹｍａｘのみを変化させたものであるとき。
（ａ）電磁シールド膜の矩形の各辺の向きが、ＰＤＰの画素列の向きに同じであるとき。

Ｒ２＝ＲＸｍａｘ＝ＲＹｍａｘとしたとき、Ｒ２＜０．２では、モワレフリンジが確認できたが、Ｒ２≧０．４では、この画素と矩形の配置の場合は、モワレフリンジは確認できなかった。また０．２≦Ｒ２＜０．４では、モワレフリンジの存在は不明確であった。画像の種類によってモワレフリンジの発現は依存する範囲であると考えられた。
（ｂ）メッシュ構造の矩形の各辺の向きが、ＰＤＰの画素列の向きに対して、３０度の傾きがあるとき。

Ｒ２＝ＲＸｍａｘ＝ＲＹｍａｘとしたとき、Ｒ２＜０．２では、わずかにモワレフリンジが確認できたが、Ｒ２≧０．３では、モワレフリンジは見えなかった。
２）電磁シールド膜のメッシュ構造が、矩形の位置を変化させず、矩形の辺の長さを変更したものであるとき、すなわちＲ２＝ＲＸｍａｘ＝ＲＹｍａｘ＝０であり、ＲＡｍａｘ，ＲＢｍａｘのみを変化させたものであるとき。

Ｒ１＝ＲＡｍａｘ＝ＲＢｍａｘとして、電磁シールド膜の矩形の辺がＰＤＰの画素列と平行のとき、Ｒ１＜０．１では、モワレフリンジが確認できたが、Ｒ１≧０．１であると、電磁シールド膜の矩形の辺がＰＤＰの画素列に平行であろうが、角度３０度をなしていようが、モワレフリンジは確認できなかった。
３）電磁シールド膜のメッシュ構造が、矩形の位置を変化させ、かつ、矩形の辺の長さを変更したものであるとき。

Ｒ１＝ＲＡｍａｘ＝ＲＢｍａｘ，Ｒ２＝ＲＸｍａｘ＝ＲＹｍａｘであって、Ｒ１≧０．１，Ｒ２≧０．１であれば、モワレフリンジは確認できなかった。
４）乱れ度とモワレフリンジ
上記の測定によって得られた結果を、乱れ度（Ｒ１，Ｒ２）とモアレフリンジとの関係として、図２９に示す。

点々を付した領域がモワレフリンジの確認できない領域である。特に、Ｒ１≒０．３、Ｒ２≒０．５付近では、どのような画面でもモワレフリンジは確認できなかった。

図２９から、Ｒ１／２＋Ｒ２／４＞０．０７５、かつ、Ｒ１＜０．９
の範囲にある乱れ度Ｒ１，Ｒ２を用いて作成された略矩形群からなるメッシュ構造は、モワレフリンジが出ないことがわかる。
（実施例２）
乱れ度：Ｒ１＝ＲＡｍａｘ＝ＲＢｍａｘ＝０，Ｒ２＝ＲＸｍａｘ＝ＲＹｍａｘ＝０．４のメッシュ構造パターンを有する電磁シールド膜を、エッチング法−直接法で作製した。ガラス基板のサイズや評価に用いたＰＤＰも実施例１と同様とした。作製した電磁シールド膜のパターンを図３０に示す。

これで、ＰＤＰを利用して目視でモワレフリンジを観測したところ、長いレンジにわたるものは観測されなかった。
（実施例３）
乱れ度：Ｒ１＝ＲＡｍａｘ＝ＲＢｍａｘ＝０，Ｒ２＝ＲＸｍａｘ＝ＲＹｍａｘ＝０．８のメッシュ構造パターンを有する電磁シールド膜を作製した。

得られたメッシュ構造のパターンは図３１に示す通りであった。この場合は、モワレフリンジはまったく観測されなかった。メッシュ構造の略矩形の辺とＰＤＰの画素列との角度は無関係であった。Ｒ１＝０の場合は、各略矩形の面積はほぼ等しいので、透過光量に関しては、乱れ度がないときと同じであった。
（実施例４）
乱れ度：Ｒ１＝ＲＡｍａｘ＝ＲＢｍａｘ＝０．４，Ｒ２＝ＲＸｍａｘ＝ＲＹｍａｘ＝０のメッシュ構造パターンを有する電磁シールド膜を作製した。得られたパターンは図３２に示す通りであった。

この条件では、各略矩形の辺の長さが変化するので、モワレフリンジが発現しにくさは、Ｒ１＝０の時よりも効果があった。この場合、各略矩形の中心はｘ座標軸，ｙ座標軸に平行に並んでいる。
（実施例５）
乱れ度：Ｒ１＝１．０，Ｒ２＝０のメッシュ構造パターンを有する電磁シールド膜を作製した。得られたパターンは図３３に示す通りであった。

図３３に見られるように、大きい略矩形と小さい略矩形が混在しているため、特に小さい矩形のかたまって存在しているところがあり、それが、実際の画像では黒点のように見えるところはあったが、モワレフリンジについては確認できなかった。
（実施例６）
Ｒ１，Ｒ２を同時に変化させ、Ｒ１＝０．３，Ｒ２＝０．５のメッシュ構造パターンの電磁シールド膜を作製した。得られたパターンは図３４に示す通りであった。

略矩形のサイズのばらつき、位置のばらつきもちょうど良く、モワレフリンジも見えないし、黒点も確認できなかった。
（実施例７）
Ｒ１＝Ｒ２＝０．６のメッシュ構造パターンを有する電磁シールド膜を作製した。得られたパターンは図３５の通りであった。

このパターンは、略矩形のサイズ、位置ともに最も相関がないように見える配置となっており、モワレフリンジも見えないし、黒点も確認できなかった。

従来の電磁シールド膜のメッシュ構造のパターンを示す図である。 従来の電磁シールド膜のメッシュ構造のパターンを示す図である。 従来の電磁シールド膜のメッシュ構造のパターンを示す図である。 コンピュータの基本構成を示す図である。 演算部の機能ブロック図である。 略矩形の一例を示す図である。 作成例１における演算部での処理を説明するためのフローチャートを示す図である。 仮想矩形群を示す図である。 作成例２における演算部での処理を説明するためのフローチャートを示す図である。 仮想中心線を説明する図である。 仮想矩形（ｍ，ｎ）を、平行移動した状態を示す図である。 作成例３における演算部での処理を説明するためのフローチャートを示す図である。 基準となる略矩形を示す図である。 略矩形の作成の過程を示す図である。 略矩形の作成の過程を示す図である。 略矩形の作成の過程を示す図である。 作成例４における演算部での処理を説明するためのフローチャートを示す図である。 作成例４における演算部での処理を説明するためのフローチャートを示す図である。 基準となる略矩形を示す図である。 略矩形の作成の過程を示す図である。 略矩形の作成の過程を示す図である。 略矩形の作成の過程を示す図である。 略矩形の作成の過程を示す図である。 略矩形の作成の過程を示す図である。 略矩形の作成の過程を示す図である。 作成例４に従って作成されたメッシュ構造のパターンを示す図である。 電着−転写法による電磁シールド膜の作製を説明するための図である。 エッチング法−直接法による電磁シールド膜の作製を説明するための図である。 エッチング法−転写法による電磁シールド膜の作製を説明するための図である。 モワレフリンジの出なかったＲ１，Ｒ２領域を示す図である。 本発明の方法により作成されたメッシュ構造のパターンを示す図である。 本発明の方法により作成されたメッシュ構造のパターンを示す図である。 本発明の方法により作成されたメッシュ構造のパターンを示す図である。 本発明の方法により作成されたメッシュ構造のパターンを示す図である。 本発明の方法により作成されたメッシュ構造のパターンを示す図である。 本発明の方法により作成されたメッシュ構造のパターンを示す図である。

符号の説明

１，４，６ メッシュ構造パターン
１０ コンピュータ
１２ 演算部（ＣＰＵ）
１４ 記憶部
１６ 入力部
１８ 出力部
２０ 仮想矩形群作成部
２２ 乱数発生部
２４ 平行移動処理部
２６ 長さ変更処理部
３２ ｘ座標軸方向の直線
３４ ｙ座標軸方向の直線
３８ 仮想矩形群
４２，４４ 仮想中心線

Claims (17)

1. ディスプレイ用装置の前面板として用いる電磁シールド膜のメッシュ構造のパターンを、コンピュータを用いて設計する方法であって、
   入力部から演算部へ、数値ａ，ｂが入力されるステップと、
   演算部で、ｘ座標軸，ｙ座標軸よりなる仮想座標を作成するステップと、
   演算部で、前記仮想座標上に、ｘ座標軸に平行な直線とｙ座標軸に平行な直線とによって形成される、各辺の長さがａ，ｂである仮想矩形よりなる仮想矩形群を作成するステップと、
   演算部で、前記仮想矩形を記憶部から読出された乱数を用いてｘ座標軸および／またはｙ座標軸方向に平行移動させるステップと、
   演算部で、前記平行移動された仮想矩形の各辺の長さａ，ｂを、記憶部から読出された乱数を用いて変更して、略矩形群を形成するステップとを含み、
   前記仮想座標上で、前記略矩形群の各略矩形の各辺がｘ座標軸およびｙ座標軸方向に互いに直線状に並ばないメッシュ構造のパターンを作成する設計方法。
2. 前記各仮想矩形を乱数を用いてｘ座標軸，ｙ座標軸方向に平行移動させるステップは、
   入力部から演算部へ乱れ度ＲＸｍａｘ，ＲＹｍａｘ（１≧ＲＸｍａｘ≧０，１≧Ｒ
   Ｙｍａｘ≧０）が入力されるステップと、
   各ｍ列の矩形を、ＲＸｍａｘ≧｜ＲＸ（ｍ）｜を満たす乱数ＲＸ（ｍ）でｘ座標軸
   方向に平行移動させるか、あるいは、各ｎ行の略矩形を、ＲＸｍａｘ≧｜ＲＸ（ｎ）
   ｜を満たす乱数ＲＸ（ｎ）でｘ座標軸方向に平行移動させるか、および／または、各
   ｎ行の略矩形を、ＲＹｍａｘ≧｜ＲＹ（ｎ）｜を満たす乱数ＲＹ（ｎ）を用いてｙ座
   標軸方向に平行移動させるか、あるいは、各ｍ列の略矩形を、ＲＹｍａｘ≧｜ＲＹ（
   ｍ）｜を満たす乱数ＲＹ（ｍ）を用いてｙ座標軸方向に平行移動させるステップとを
   含み、
   前記各矩形の各辺の長さを乱数を用いて変更するステップは、
   入力部から演算部へ乱れ度ＲＡｍａｘ，ＲＢｍａｘ（１≧ＲＡｍａｘ≧０，１≧Ｒ
   Ｂｍａｘ≧０）が入力されるステップと、
   演算部で、前記仮想座標上でｎ行，ｍ列に存在する仮想矩形（ｍ，ｎ）（ｍ，ｎは
   正の整数）の各辺の長さａ，ｂを、ＲＡｍａｘ≧｜ＲＡ（ｍ，ｎ）｜，ＲＢｍａｘ≧
   ｜ＲＢ（ｍ，ｎ）｜を満たす乱数ＲＡ（ｍ，ｎ），ＲＢ（ｍ，ｎ）を用いて、（１＋
   ＲＡ（ｍ，ｎ））×ａ，（１＋ＲＢ（ｍ，ｎ））×ｂとなるように変更するステッ
   プとを含む、
   請求項１に記載の設計方法。
3. ディスプレイ用装置の前面板として用いる電磁シールド膜のメッシュ構造のパターンを、コンピュータを用いて設計する方法であって、
   入力部から演算部へ、数値ａ，ｂと、乱れ度ＲＸｍａｘ，ＲＹｍａｘ（１≧ＲＸｍａｘ≧０，１≧ＲＹｍａｘ≧０）、および、ＲＡｍａｘ，ＲＢｍａｘ（１≧ＲＡｍａｘ≧０，１≧ＲＢｍａｘ≧０）とが入力されるステップと、
   演算部で、ｘ座標軸，ｙ座標軸よりなる仮想座標を作成するステップと、
   演算部で、前記仮想座標上に、ｘ座標軸に平行な直線とｙ座標軸に平行な直線とによって形成される、各辺の長さがａ，ｂである仮想矩形よりなる仮想矩形群を作成するステップと、
   演算部で、前記仮想座標のｎ行，ｍ列に存在する仮想矩形（ｍ，ｎ）の中心位置を通過し、それぞれｘ座標方向，ｙ座標方向に平行で、直交する２本の仮想中心線を導入し、１行，１列の仮想矩形（１，１）の仮想中心線の交点を原点として、仮想矩形（ｍ，ｎ）の中心位置を（Ｘ₀ （ｍ，ｎ），Ｙ₀（ｍ，ｎ））と表すとき、仮想矩形（ｍ，ｎ）の中心位置を、
   Ｘ₀ （ｍ，ｎ）＝ａ×（ｍ−１），Ｙ₀ （ｍ，ｎ）＝ｂ×（ｎ−１）
   で求めるステップと、
   演算部で、ｎ行の各仮想矩形の位置を、前記乱れ度ＲＸｍａｘに対して、ＲＸｍａｘ≧｜ＲＸ（ｎ）｜を満たす乱数ＲＸ（ｎ）で、あるいは、ｍ列の各仮想矩形の位置を、乱れ度ＲＸｍａｘに対して、ＲＸｍａｘ≧｜ＲＸ（ｍ）｜を満たす乱数ＲＸ（ｍ）で、ｘ座標軸方向に平行移動させ、および／または、ｍ列の各仮想矩形の位置を、乱れ度ＲＹｍａｘに対して、ＲＹｍａｘ≧｜ＲＹ（ｍ）｜を満たす乱数ＲＹ（ｍ）で、あるいは、ｎ行の各仮想矩形の位置を、乱れ度ＲＹｍａｘに対して、ＲＹｍａｘ≧｜ＲＹ（ｎ）｜を満たす乱数ＲＹ（ｎ）でｙ座標軸に平行移動させ、移動された各仮想矩形（ｍ，ｎ）の中心位置（Ｘ₀ ′（ｍ，ｎ）），（Ｙ₀ ′（ｍ，ｎ））を求めるステップと、
   演算部で、平行移動した仮想矩形（ｍ，ｎ）の互いに相対する１対の頂点Ｅ，Ｆの座標Ｅ（ＸＥ，ＹＥ），Ｆ（ＸＦ，ＹＦ）を、
   ＸＥ＝Ｘ₀ ′（ｍ，ｎ）−ａ／２，ＹＥ＝Ｙ₀ ′（ｍ，ｎ）−ｂ／２
   ＸＦ＝Ｘ₀ ′（ｍ，ｎ）＋ａ／２，ＹＦ＝Ｙ₀ ′（ｍ，ｎ）＋ｂ／２
   で求めるステップと、
   演算部で、平行移動した仮想矩形（ｍ，ｎ）の各辺の長さａ，ｂを、前記乱れ度ＲＡｍａｘ，ＲＢｍａｘに対して、ＲＡｍａｘ≧｜ＲＡ（ｍ，ｎ）｜，ＲＢｍａｘ≧｜ＲＢ（ｍ，ｎ）｜を満たす乱数ＲＡ（ｍ，ｎ），ＲＢ（ｍ，ｎ）を用いて、（１＋ＲＡ（ｍ，ｎ））×ａ，（１＋ＲＢ（ｍ，ｎ））×ｂとなるように変更するステップと、
   演算部で、変更後の矩形の頂点Ｅ，Ｆの座標を、
   ＸＥ＝Ｘ₀ ′（ｍ，ｎ）−（１＋ＲＡ（ｍ，ｎ））×ａ／２，
   ＹＥ＝Ｙ₀ ′（ｍ，ｎ）−（１＋ＲＢ（ｍ，ｎ））×ｂ／２
   ＸＦ＝Ｘ₀ ′（ｍ，ｎ）＋（１＋ＲＡ（ｍ，ｎ））×ａ／２，
   ＹＦ＝Ｙ₀ ′（ｍ，ｎ）＋（１＋ＲＢ（ｍ，ｎ））×ｂ／２
   で求めるステップとを含み、
   前記仮想座標上で、前記略矩形群の各略矩形の各辺がｘ座標軸およびｙ座標軸方向に互いに直線状に並ばないメッシュ構造のパターンを作成する設計方法。
4. ディスプレイ用装置の前面板として用いる電磁シールド膜のメッシュ構造のパターンを、コンピュータを用いて設計する方法であって、
   入力部から演算部へ、数値ａ，ｂと、乱れ度ＲＸｍａｘ，ＲＹｍａｘ（１≧ＲＸｍａｘ≧０，１≧ＲＹｍａｘ≧０）、および、ＲＡｍａｘ，ＲＢｍａｘ（１≧ＲＡｍａｘ≧０，１≧ＲＢｍａｘ≧０）とが入力されるステップと、
   演算部で、ｘ座標軸，ｙ座標軸よりなる仮想座標を作成するステップと、
   演算部で、前記仮想座標上に、ｘ座標軸に平行な直線とｙ座標軸に平行な直線とによって形成される、各辺の長さがａ，ｂである仮想矩形よりなる仮想矩形群を作成するステップと、
   演算部で、前記仮想座標のｎ行，ｍ列に存在する仮想矩形（ｍ，ｎ）の中心位置を通過し、それぞれｘ座標方向，ｙ座標方向に平行で、直交する２本の仮想中心線を導入し、１行，１列の仮想矩形（１，１）の仮想中心線の交点を原点として、仮想矩形（ｍ，ｎ）の中心位置を（Ｘ₀ （ｍ，ｎ），Ｙ₀（ｍ，ｎ））と表すとき、仮想矩形（ｍ，ｎ）の中心位置を、
   Ｘ₀ （ｍ，ｎ）＝ａ×（ｍ−１），Ｙ₀ （ｍ，ｎ）＝ｂ×（ｎ−１）
   で求めるステップと、
   演算部で、ｎ行の各仮想矩形の位置を、前記乱れ度ＲＸｍａｘに対して、ＲＸｍａｘ≧｜ＲＸ（ｎ）｜を満たす乱数ＲＸ（ｎ）で、あるいは、ｍ列の各仮想矩形の位置を、乱れ度ＲＸｍａｘに対して、ＲＸｍａｘ≧｜ＲＸ（ｍ）｜を満たす乱数ＲＸ（ｍ）で、ｘ座標軸方向に平行移動させ、および／または、ｍ列の各仮想矩形の位置を、乱れ度ＲＹｍａｘに対して、ＲＹｍａｘ≧｜ＲＹ（ｍ）｜を満たす乱数ＲＹ（ｍ）で、あるいは、ｎ行の各仮想矩形の位置を、乱れ度ＲＹｍａｘに対して、ＲＹｍａｘ≧｜ＲＹ（ｎ）｜を満たす乱数ＲＹ（ｎ）でｙ座標軸に平行移動させ、移動された各仮想矩形（ｍ，ｎ）の中心位置（Ｘ₀ ′（ｍ，ｎ）），（Ｙ₀ ′（ｍ，ｎ））を求めるステップと、
   演算部で、平行移動した仮想矩形（ｍ，ｎ）の互いに相対する１対の頂点Ｅ，Ｆの座標Ｅ（ＸＥ，ＹＥ），Ｆ（ＸＦ，ＹＦ）を、
   ＸＥ＝Ｘ₀ ′（ｍ，ｎ）−ａ／２
   ＹＥ＝Ｙ₀ ′（ｍ，ｎ）−ｂ／２
   ＸＦ＝Ｘ₀ ′（ｍ，ｎ）＋ａ／２
   ＹＦ＝Ｙ₀ ′（ｍ，ｎ）＋ｂ／２
   で求めるステップと、
   演算部で、ｎ_i1＝ｎ₀ ＋２ｉ＋１，ｎ_i2＝ｎ₀ ＋２ｉ＋２（ここで、ｎ₀ は０または任意の正の整数、ｉ＝０，１，２，３，…）、ｍ_j1＝ｍ₀＋２ｊ＋１，ｍ_j2＝ｍ₀＋２ｊ＋２（ここで、ｍ₀ は０または任意の正の整数、ｊ＝０，１，２，３，…）とするとき（ｎは、ｎ_i1またはｎ_i2を示し、ｍはｍ_j1またはｍ_j2を示す）、ｎ＝ｎ_i1行の奇数番目（ｍ₀ が偶数の場合）（あるいは偶数番目（ｍ₀ が奇数の場合））の列ｍ＝ｍ_j1列の仮想矩形（ｍ_j1，ｎ_i1）の各辺の長さを、前記乱れ度ＲＡｍａｘ，ＲＢｍａｘに対して、ＲＡｍａｘ≧｜ＲＡ（ｍ，ｎ）｜，ＲＢｍａｘ≧｜ＲＢ（ｍ，ｎ）｜を満たす乱数ＲＡ（ｍ，ｎ），ＲＢ（ｍ，ｎ）を用いて、（１＋ＲＡ（ｍ_j1，ｎ_i1））×ａ，（１＋ＲＢ（ｍ_j1，ｎ_i1））×ｂとなるように変更するステップと、
   演算部で、変更後の矩形の頂点Ｅ，Ｆの座標を、
   ＸＥ＝Ｘ₀ ′（ｍ_j1，ｎ_i1）−（１＋ＲＡ（ｍ_j1，ｎ_i1））×ａ／２
   ＹＥ＝Ｙ₀ ′（ｍ_j1，ｎ_i1）−（１＋ＲＢ（ｍ_j1，ｎ_i1））×ｂ／２
   ＸＦ＝Ｘ₀ ′（ｍ_j1，ｎ_i1）＋（１＋ＲＡ（ｍ_j1，ｎ_i1））×ａ／２
   ＹＦ＝Ｙ₀ ′（ｍ_j1，ｎ_i1）＋（１＋ＲＢ（ｍ_j1，ｎ_i1））×ｂ／２
   で求めるステップと、
   演算部で、変更後の頂点Ｅ，Ｆの座標で定義される矩形を基準として、ｎ＝ｎ_i1行の、偶数番目列（ｍ₀ が偶数の場合）（あるいは奇数番目列（ｍ₀ が奇数の場合））であるｍ＝ｍ_j2列の仮想矩形（ｍ_j2，ｎ_i1）において、仮想矩形の上下の辺のｙ座標のみを乱数ＲＢ（ｍ，ｎ）で変化させて、
   ＹＥ＝Ｙ₀ ′（ｍ_j2，ｎ_i1）−（１＋ＲＢ（ｍ_j2，ｎ_i1））×ｂ／２
   ＹＦ＝Ｙ₀ ′（ｍ_j2，ｎ_i1）＋（１＋ＲＢ（ｍ_j2，ｎ_i1））×ｂ／２
   を求めるステップと、
   演算部で、仮想矩形（ｍ_j2，ｎ_i1）の左辺のｘ座標は、左隣の矩形（ｍ_j1，ｎ_i1）のＸＦと同じとし、右辺のｘ座標は右隣の矩形（ｍ_(j+1)1，ｎ_i1）のＸＥと同じとするステップと、
   演算部で、ｎ＝ｎ_i2行の、偶数番目列あるいは奇数番目列であるｍ＝ｍ_j1あるいはｍ＝ｍ_j2列の仮想矩形（ｍ，ｎ_i2）において、仮想矩形の左右の辺のｘ座標のみを乱数ＲＡ（ｍ，ｎ）で変化させて、
   ＸＥ＝Ｘ₀ ′（ｍ，ｎ_i2）−（１＋ＲＡ（ｍ，ｎ_i2））×ａ／２
   ＸＦ＝Ｘ₀ ′（ｍ，ｎ_i2）＋（１＋ＲＡ（ｍ，ｎ_i2））×ａ／２
   を求めるステップと、
   演算部で、仮想矩形（ｍ，ｎ_i2）の左右の辺を上下に延長して、上下の行の矩形の横辺と交わるところをそれぞれのｙ座標であるＹＥ，ＹＦとすることによって略矩形を作成するステップと、
   演算部で、ｉ，ｊのすべて整数について略矩形を作成し、略矩形群を作成するステップとを含み、
   前記仮想座標上で、前記略矩形群の各略矩形の各辺がｘ座標軸およびｙ座標軸方向に互いに直線状に並ばないメッシュ構造のパターンを作成する設計方法。
5. ディスプレイ用装置の前面板として用いる電磁シールド膜のメッシュ構造のパターンを、コンピュータを用いて設計する方法であって、
   入力部から演算部へ、数値ａ，ｂと、乱れ度ＲＸｍａｘ，ＲＹｍａｘ（１≧ＲＸｍａｘ≧０，１≧ＲＹｍａｘ≧０）、および、ＲＡｍａｘ，ＲＢｍａｘ（１≧ＲＡｍａｘ≧０，１≧ＲＢｍａｘ≧０）とが入力されるステップと、
   演算部で、ｘ座標軸，ｙ座標軸よりなる仮想座標を作成するステップと、
   演算部で、前記仮想座標上に、ｘ座標軸に平行な直線とｙ座標軸に平行な直線とによって形成される、各辺の長さがａ，ｂである仮想矩形よりなる仮想矩形群を作成するステップと、
   演算部で、前記仮想座標のｎ行，ｍ列に存在する仮想矩形（ｍ，ｎ）の中心位置を通過し、それぞれｘ座標方向，ｙ座標方向に平行で、直交する２本の仮想中心線を導入し、１行，１列の仮想矩形（１，１）の仮想中心線の交点を原点として、仮想矩形（ｍ，ｎ）の中心位置を（Ｘ₀ （ｍ，ｎ），Ｙ₀（ｍ，ｎ））と表すとき、仮想矩形（ｍ，ｎ）の中心位置を、
   Ｘ₀ （ｍ，ｎ）＝ａ×（ｍ−１），Ｙ₀ （ｍ，ｎ）＝ｂ×（ｎ−１）
   で求めるステップと、
   演算部で、ｎ行の各仮想矩形の位置を、前記乱れ度ＲＸｍａｘに対して、ＲＸｍａｘ≧｜ＲＸ（ｎ）｜を満たす乱数ＲＸ（ｎ）で、あるいは、ｍ列の各仮想矩形の位置を、乱れ度ＲＸｍａｘに対して、ＲＸｍａｘ≧｜ＲＸ（ｍ）｜を満たす乱数ＲＸ（ｍ）で、ｘ座標軸方向に平行移動させ、および／または、ｍ列の各仮想矩形の位置を、乱れ度ＲＹｍａｘに対して、ＲＹｍａｘ≧｜ＲＹ（ｍ）｜を満たす乱数ＲＹ（ｍ）で、あるいは、ｎ行の各仮想矩形の位置を、乱れ度ＲＹｍａｘに対して、ＲＹｍａｘ≧｜ＲＹ（ｎ）｜を満たす乱数ＲＹ（ｎ）でｙ座標軸に平行移動させ、移動された各仮想矩形（ｍ，ｎ）の中心位置（Ｘ₀ ′（ｍ，ｎ）），（Ｙ₀ ′（ｍ，ｎ））を求めるステップと、
   演算部で、平行移動した仮想矩形（ｍ，ｎ）の互いに相対する１対の頂点Ｅ，Ｆの座標Ｅ（ＸＥ，ＹＥ），Ｆ（ＸＦ，ＹＦ）を、
   ＸＥ＝Ｘ₀ ′（ｍ，ｎ）−ａ／２
   ＹＥ＝Ｙ₀ ′（ｍ，ｎ）−ｂ／２
   ＸＦ＝Ｘ₀ ′（ｍ，ｎ）＋ａ／２
   ＹＦ＝Ｙ₀ ′（ｍ，ｎ）＋ｂ／２
   で求めるステップと、
   演算部で、ｎ_i1＝ｎ₀ ＋４ｉ＋１，ｎ_i2＝ｎ₀ ＋４ｉ＋２，ｎ_i3＝ｎ₀ ＋４ｉ＋３，ｎ_i4＝ｎ₀ ＋４ｉ＋４（ここで、ｎ₀ は０または正の整数、ｉ＝０，１，２，３，…）、ｍ_j1＝ｍ₀ ＋２ｊ＋１，ｍ_j2＝ｍ₀ ＋２ｊ＋２（ここで、ｍ₀ は０または正の整数、ｊ＝０，１，２，３，…）とするとき（ｎは、ｎ_i1、ｎ_i2、ｎ_i3またはｎ_i4を示し、ｍはｍ_j1またはｍ_j2を示す）、ｎ＝ｎ_i1行の、奇数番目列（ｍ₀ が偶数の場合）（あるいは偶数番目列（ｍ₀ が奇数の場合））であるｍ＝ｍ_j1列の仮想矩形（ｍ_j1，ｎ_i1）の各辺の長さを、前記乱れ度ＲＡｍａｘ，ＲＢｍａｘに対して、ＲＡｍａｘ≧｜ＲＡ（ｍ，ｎ）｜，ＲＢｍａｘ≧｜ＲＢ（ｍ，ｎ）｜を満たす乱数ＲＡ（ｍ，ｎ），ＲＢ（ｍ，ｎ）を用いて、（１＋ＲＡ（ｍ_j1，ｎ_i1））×ａ，（１＋ＲＢ（ｍ_j1，ｎ_i1））×ｂとなるように変更するステップと、
   演算部で、変更後の矩形の頂点Ｅ，Ｆの座標を、
   ＸＥ＝Ｘ₀ ′（ｍ_j1，ｎ_i1）−（１＋ＲＡ（ｍ_j1，ｎ_i1））×ａ／２
   ＹＥ＝Ｙ₀ ′（ｍ_j1，ｎ_i1）−（１＋ＲＢ（ｍ_j1，ｎ_i1））×ｂ／２
   ＸＦ＝Ｘ₀ ′（ｍ_j1，ｎ_i1）＋（１＋ＲＡ（ｍ_j1，ｎ_i1））×ａ／２
   ＹＦ＝Ｙ₀ ′（ｍ_j1，ｎ_i1）＋（１＋ＲＢ（ｍ_j1，ｎ_i1））×ｂ／２
   で求めるステップと、
   演算部で、変更後の頂点Ｅ，Ｆの座標で定義される矩形を基準として、ｎ＝ｎ_i1行において、偶数番目列（ｍ₀ が偶数の場合）（あるいは偶数番目列（ｍ₀が奇数の場合））であるｍ＝ｍ_j2列の矩形（ｍ_j2，ｎ_i1）において、仮想矩形の上下の辺のｙ座標のみを乱数ＲＢ（ｍ，ｎ）で変化させて、
   ＹＥ＝Ｙ₀ ′（ｍ_j2，ｎ_i1）−（１＋ＲＢ（ｍ_j2, ｎ_i1））×ｂ／２
   ＹＦ＝Ｙ₀ ′（ｍ_j2，ｎ_i1）＋（１＋ＲＢ（ｍ_j2，ｎ_i1））×ｂ／２
   を求めるステップと、
   演算部で、仮想矩形（ｍ_j2，ｎ_i1）の左辺のｘ座標は、左隣の矩形（ｍ_j1，ｎ_i1）のＸＦと同じとし、右辺のｘ座標は右隣の矩形（ｍ_(j+1)1，ｎ_i1）のＸＥと同じとするステップと、
   演算部で、ｎ＝ｎ_i3行の、偶数番目列（ｍ₀ が偶数の場合）（あるいは奇数番目列（ｍ₀ が奇数の場合））であるｍ＝ｍ_j2列の仮想矩形（ｍ_j2，ｎ_i3）の各辺の長さを、前記乱れ度ＲＡｍａｘ，ＲＢｍａｘに対して、ＲＡｍａｘ≧｜ＲＡ（ｍ，ｎ）｜，ＲＢｍａｘ≧｜ＲＢ（ｍ，ｎ）｜を満たす乱数ＲＡ（ｍ，ｎ），ＲＢ（ｍ，ｎ）を用いて、（１＋ＲＡ（ｍ_j2，ｎ_i3））×ａ，（１＋ＲＢ（ｍ_j2，ｎ_i3））×ｂとなるように変更するステップと、
   演算部で、変更後の矩形の頂点Ｅ，Ｆの座標を、
   ＸＥ＝Ｘ₀ ′（ｍ_j2，ｎ_i3）−（１＋ＲＡ（ｍ_j2，ｎ_i3））×ａ／２
   ＹＥ＝Ｙ₀ ′（ｍ_j2，ｎ_i3）−（１＋ＲＢ（ｍ_j2，ｎ_i3））×ｂ／２
   ＸＦ＝Ｘ₀ ′（ｍ_j2，ｎ_i3）＋（１＋ＲＡ（ｍ_j2，ｎ_i3））×ａ／２
   ＹＦ＝Ｙ₀ ′（ｍ_j2，ｎ_i3）＋（１＋ＲＢ（ｍ_j2，ｎ_i3））×ｂ／２
   で求めるステップと、
   演算部で、変更後の頂点Ｅ，Ｆの座標で定義される矩形を基準として、ｎ＝ｎ_i3行の奇数番目列（ｍ₀ が偶数の場合）（あるいは偶数番目列（ｍ₀ が奇数の場合））であるｍ＝ｍ_j1列の仮想矩形（ｍ_j1，ｎ_i3）において、仮想矩形の上下の辺のｙ座標のみを乱数ＲＢ（ｍ，ｎ）で変化させて、
   ＹＥ＝Ｙ₀ ′（ｍ_j1，ｎ_i3）−（１＋ＲＢ（ｍ_j1, ｎ_i3））×ｂ／２
   ＹＦ＝Ｙ₀ ′（ｍ_j1，ｎ_i3）＋（１＋ＲＢ（ｍ_j1，ｎ_i3））×ｂ／２
   を求めるステップと、
   演算部で、仮想矩形（ｍ_j1，ｎ_i3）の左辺のｘ座標は、左隣の矩形（ｍ_(j-1)2，ｎ_i3）のＸＦと同じとし、右辺のｘ座標は右隣の矩形（ｍ_j2，ｎ_i3）のＸＥと同じとするステップと、
   演算部で、ｎ_i2行とｎ_i4行については、各行の偶数番目列あるいは奇数番目列であるｍ＝ｍ_j1列あるいはｍ＝ｍ_j2列の仮想矩形（ｍ，ｎ_i2），（ｍ，ｎ_i4）において、仮想矩形の左右の辺のｘ座標のみを乱数ＲＡ（ｍ，ｎ）で変化させて、
   矩形（ｍ，ｎ_i2）については
   ＸＥ＝Ｘ₀ ′（ｍ，ｎ_i2）−（１＋ＲＡ（ｍ，ｎ_i2））×ａ／２
   ＸＦ＝Ｘ₀ ′（ｍ，ｎ_i2）＋（１＋ＲＡ（ｍ，ｎ_i2））×ａ／２
   矩形（ｍ，ｎ_i4）については
   ＸＥ＝Ｘ₀ ′（ｍ，ｎ_i4）−（１＋ＲＡ（ｍ，ｎ_i4））×ａ／２
   ＸＦ＝Ｘ₀ ′（ｍ，ｎ_i4）＋（１＋ＲＡ（ｍ，ｎ_i4））×ａ／２
   を求めるステップと、
   演算部で、仮想矩形（ｍ_j2，ｎ_i2），（ｍ_j2，ｎ_i4）の左右の辺を上下に延長して、上下の行の矩形の横辺と交わるところをそれぞれのｙ座標であるＹＥ，ＹＦとすることによって略矩形を作成するステップと、
   ｉ，ｊのすべて整数について略矩形を作成し、略矩形群を作成するステップとを含み、
   前記仮想座標上で、前記略矩形群の各略矩形の各辺がｘ座標軸およびｙ座標軸方向に互いに直線状に並ばないメッシュ構造のパターンを作成する設計方法。
6. ＲＸｍａｘ＝０，ＲＹｍａｘ＝０である、請求項２〜５のいずれかに記載の設計方法。
7. ＲＡｍａｘ＝０，ＲＢｍａｘ＝０である、請求項２〜５のいずれかに記載の設計方法。
8. 入力部から演算部へ入力される乱れ度が、
   Ｒ１＝ＲＡｍａｘ＝ＲＢｍａｘ，Ｒ２＝ＲＸｍａｘ＝ＲＹｍａｘ
   である場合に、Ｒ１，Ｒ２は、
   Ｒ１／２＋Ｒ２／４＞０．０７５、かつ、Ｒ１＜０．９であることを特徴とする請求項２〜５のいずれかに記載の設計方法。
9. ディスプレイ用装置の前面板として用いる電磁シールド膜のメッシュ構造のパターンを設計するためのプログラムであって、
   数値ａ，ｂと、乱れ度ＲＸｍａｘ，ＲＹｍａｘ（１≧ＲＸｍａｘ≧０，１≧ＲＹｍａｘ≧０）、および、ＲＡｍａｘ，ＲＢｍａｘ（１≧ＲＡｍａｘ≧０，１≧ＲＢｍａｘ≧０）とを取込むステップと、
   ｘ座標軸，ｙ座標軸よりなる仮想座標を作成するステップと、
   前記仮想座標上に、ｘ座標軸に平行な直線とｙ座標軸に平行な直線とによって形成される、各辺の長さがａ，ｂである仮想矩形よりなる仮想矩形群を作成するステップと、
   前記仮想座標のｎ行，ｍ列に存在する仮想矩形（ｍ，ｎ）の中心位置を通過し、それぞれｘ座標方向，ｙ座標方向に平行で、直交する２本の仮想中心線を導入し、１行，１列の仮想矩形（１，１）の仮想中心線の交点を原点として、仮想矩形（ｍ，ｎ）の中心位置を（Ｘ₀ （ｍ，ｎ），Ｙ₀（ｍ，ｎ））と表すとき、仮想矩形（ｍ，ｎ）の中心位置を、
   Ｘ₀ （ｍ，ｎ）＝ａ×（ｍ−１），Ｙ₀ （ｍ，ｎ）＝ｂ×（ｎ−１）
   で求めるステップと、
   ｎ行の各仮想矩形の位置を、前記乱れ度ＲＸｍａｘに対して、ＲＸｍａｘ≧｜ＲＸ（ｎ）｜を満たす乱数ＲＸ（ｎ）で、あるいは、ｍ列の各仮想矩形の位置を、乱れ度ＲＸｍａｘに対して、ＲＸｍａｘ≧｜ＲＸ（ｍ）｜を満たす乱数ＲＸ（ｍ）で、ｘ座標軸方向に平行移動させ、および／または、ｍ列の各仮想矩形の位置を、乱れ度ＲＹｍａｘに対して、ＲＹｍａｘ≧｜ＲＹ（ｍ）｜を満たす乱数ＲＹ（ｍ）で、あるいは、ｎ行の各仮想矩形の位置を、乱れ度ＲＹｍａｘに対して、ＲＹｍａｘ≧｜ＲＹ（ｎ）｜を満たす乱数ＲＹ（ｎ）でｙ座標軸に平行移動させ、移動された各仮想矩形（ｍ，ｎ）の中心位置（Ｘ₀ ′（ｍ，ｎ）），（Ｙ₀ ′（ｍ，ｎ））を求めるステップと、
   平行移動した仮想矩形（ｍ，ｎ）の互いに相対する１対の頂点Ｅ，Ｆの座標Ｅ（ＸＥ，ＹＥ），Ｆ（ＸＦ，ＹＦ）を、
   ＸＥ＝Ｘ₀ ′（ｍ，ｎ）−ａ／２
   ＹＥ＝Ｙ₀ ′（ｍ，ｎ）−ｂ／２
   ＸＦ＝Ｘ₀ ′（ｍ，ｎ）＋ａ／２
   ＹＦ＝Ｙ₀ ′（ｍ，ｎ）＋ｂ／２
   で求めるステップと、
   ｎ_i1＝ｎ₀ ＋２ｉ＋１，ｎ_i2＝ｎ₀ ＋２ｉ＋２（ここで、ｎ₀ は０または任意の正の整数、ｉ＝０，１，２，３，…）、ｍ_j1＝ｍ₀＋２ｊ＋１，ｍ_j2＝ｍ₀＋２ｊ＋２（ここで、ｍ₀ は０または任意の正の整数、ｊ＝０，１，２，３，…）とするとき（ｎは、ｎ_i1またはｎ_i2を示し、ｍはｍ_j1またはｍ_j2を示す）、ｎ＝ｎ_i1行の奇数番目（ｍ₀ が偶数の場合）（あるいは偶数番目（ｍ₀ が奇数の場合））の列ｍ＝ｍ_j1列の仮想矩形（ｍ_j1，ｎ_i1）の各辺の長さを、前記乱れ度ＲＡｍａｘ，ＲＢｍａｘに対して、ＲＡｍａｘ≧｜ＲＡ（ｍ，ｎ）｜，ＲＢｍａｘ≧｜ＲＢ（ｍ，ｎ）｜を満たす乱数ＲＡ（ｍ，ｎ），ＲＢ（ｍ，ｎ）を用いて、（１＋ＲＡ（ｍ_j1，ｎ_i1））×ａ，（１＋ＲＢ（ｍ_j1，ｎ_i1））×ｂとなるように変更するステップと、
   変更後の矩形の頂点Ｅ，Ｆの座標を、
   ＸＥ＝Ｘ₀ ′（ｍ_j1，ｎ_i1）−（１＋ＲＡ（ｍ_j1，ｎ_i1））×ａ／２
   ＹＥ＝Ｙ₀ ′（ｍ_j1，ｎ_i1）−（１＋ＲＢ（ｍ_j1，ｎ_i1））×ｂ／２
   ＸＦ＝Ｘ₀ ′（ｍ_j1，ｎ_i1）＋（１＋ＲＡ（ｍ_j1，ｎ_i1））×ａ／２
   ＹＦ＝Ｙ₀ ′（ｍ_j1，ｎ_i1）＋（１＋ＲＢ（ｍ_j1，ｎ_i1））×ｂ／２
   で求めるステップと、
   変更後の頂点Ｅ，Ｆの座標で定義される矩形を基準として、ｎ＝ｎ_i1行の、偶数番目列（ｍ₀ が偶数の場合）（あるいは奇数番目列（ｍ₀ が奇数の場合））であるｍ＝ｍ_j2列の仮想矩形（ｍ_j2，ｎ_i1）において、仮想矩形の上下の辺のｙ座標のみを乱数ＲＢ（ｍ，ｎ）で変化させて、
   ＹＥ＝Ｙ₀ ′（ｍ_j2，ｎ_i1）−（１＋ＲＢ（ｍ_j2，ｎ_i1））×ｂ／２
   ＹＦ＝Ｙ₀ ′（ｍ_j2，ｎ_i1）＋（１＋ＲＢ（ｍ_j2，ｎ_i1））×ｂ／２
   を求めるステップと、
   仮想矩形（ｍ_j2，ｎ_i1）の左辺のｘ座標は、左隣の矩形（ｍ_j1，ｎ_i1）のＸＦと同じとし、右辺のｘ座標は右隣の矩形（ｍ_(j+1)1，ｎ_i1）のＸＥと同じとするステップと、
   ｎ＝ｎ_i2行の、偶数番目列あるいは奇数番目列であるｍ＝ｍ_j1あるいはｍ＝ｍ_j2列の仮想矩形（ｍ，ｎ_i2）において、仮想矩形の左右の辺のｘ座標のみを乱数ＲＡ（ｍ，ｎ）で変化させて、
   ＸＥ＝Ｘ₀ ′（ｍ，ｎ_i2）−（１＋ＲＡ（ｍ，ｎ_i2））×ａ／２
   ＸＦ＝Ｘ₀ ′（ｍ，ｎ_i2）＋（１＋ＲＡ（ｍ，ｎ_i2））×ａ／２
   を求めるステップと、
   仮想矩形（ｍ，ｎ_i2）の左右の辺を上下に延長して、上下の行の矩形の横辺と交わるところをそれぞれのｙ座標であるＹＥ，ＹＦとすることによって略矩形を作成するステップと、
   ｉ，ｊのすべて整数について略矩形を作成し、略矩形群を作成するステップと、
   を実行するプログラム。
10. ディスプレイ用装置の前面板として用いる電磁シールド膜のメッシュ構造のパターンを設計するプログラムであって、
    数値ａ，ｂと、乱れ度ＲＸｍａｘ，ＲＹｍａｘ（１≧ＲＸｍａｘ≧０，１≧ＲＹｍａｘ≧０）、および、ＲＡｍａｘ，ＲＢｍａｘ（１≧ＲＡｍａｘ≧０，１≧ＲＢｍａｘ≧０）とを取込むステップと、
    ｘ座標軸，ｙ座標軸よりなる仮想座標を作成するステップと、
    前記仮想座標上に、ｘ座標軸に平行な直線とｙ座標軸に平行な直線とによって形成される、各辺の長さがａ，ｂである仮想矩形よりなる仮想矩形群を作成するステップと、
    前記仮想座標のｎ行，ｍ列に存在する仮想矩形（ｍ，ｎ）の中心位置を通過し、それぞれｘ座標方向，ｙ座標方向に平行で、直交する２本の仮想中心線を導入し、１行，１列の仮想矩形（１，１）の仮想中心線の交点を原点として、仮想矩形（ｍ，ｎ）の中心位置を（Ｘ₀ （ｍ，ｎ），Ｙ₀（ｍ，ｎ））と表すとき、仮想矩形（ｍ，ｎ）の中心位置を、
    Ｘ₀ （ｍ，ｎ）＝ａ×（ｍ−１），Ｙ₀ （ｍ，ｎ）＝ｂ×（ｎ−１）
    で求めるステップと、
    ｎ行の各仮想矩形の位置を、前記乱れ度ＲＸｍａｘに対して、ＲＸｍａｘ≧｜ＲＸ（ｎ）｜を満たす乱数ＲＸ（ｎ）で、あるいは、ｍ列の各仮想矩形の位置を、乱れ度ＲＸｍａｘに対して、ＲＸｍａｘ≧｜ＲＸ（ｍ）｜を満たす乱数ＲＸ（ｍ）で、ｘ座標軸方向に平行移動させ、および／または、ｍ列の各仮想矩形の位置を、乱れ度ＲＹｍａｘに対して、ＲＹｍａｘ≧｜ＲＹ（ｍ）｜を満たす乱数ＲＹ（ｍ）で、あるいは、ｎ行の各仮想矩形の位置を、乱れ度ＲＹｍａｘに対して、ＲＹｍａｘ≧｜ＲＹ（ｎ）｜を満たす乱数ＲＹ（ｎ）でｙ座標軸に平行移動させ、移動された各仮想矩形（ｍ，ｎ）の中心位置（Ｘ₀ ′（ｍ，ｎ）），（Ｙ₀ ′（ｍ，ｎ））を求めるステップと、
    平行移動した仮想矩形（ｍ，ｎ）の互いに相対する１対の頂点Ｅ，Ｆの座標Ｅ（ＸＥ，ＹＥ），Ｆ（ＸＦ，ＹＦ）を、
    ＸＥ＝Ｘ₀ ′（ｍ，ｎ）−ａ／２
    ＹＥ＝Ｙ₀ ′（ｍ，ｎ）−ｂ／２
    ＸＦ＝Ｘ₀ ′（ｍ，ｎ）＋ａ／２
    ＹＦ＝Ｙ₀ ′（ｍ，ｎ）＋ｂ／２
    で求めるステップと、
    ｎ_i1＝ｎ₀ ＋４ｉ＋１，ｎ_i2＝ｎ₀ ＋４ｉ＋２，ｎ_i3＝ｎ₀ ＋４ｉ＋３，ｎ_i4＝ｎ₀ ＋４ｉ＋４（ここで、ｎ₀ は０または任意の正の整数、ｉ＝０，１，２，３，…）、ｍ_j1＝ｍ₀ ＋２ｊ＋１，ｍ_j2＝ｍ₀ ＋２ｊ＋２（ここで、ｍ₀ は０または任意の正の整数、ｊ＝０，１，２，３，…）とするとき（ｎは、ｎ_i1、ｎ_i2、ｎ_i3またはｎ_i4を示し、ｍはｍ_j1またはｍ_j2を示す）、ｎ＝ｎ_i1行の、奇数番目列（ｍ₀ が偶数の場合）（あるいは偶数番目列（ｍ₀ が奇数の場合））であるｍ＝ｍ_j1列の仮想矩形（ｍ_j1，ｎ_i1）の各辺の長さを、前記乱れ度ＲＡｍａｘ，ＲＢｍａｘに対して、ＲＡｍａｘ≧｜ＲＡ（ｍ，ｎ）｜、ＲＢｍａｘ≧｜ＲＢ（ｍ，ｎ）｜を満たす乱数ＲＡ（ｍ，ｎ），ＲＢ（ｍ，ｎ）を用いて、（１＋ＲＡ（ｍ_j1，ｎ_i1））×ａ，（１＋ＲＢ（ｍ_j1，ｎ_i1））×ｂとなるように変更するステップと、
    変更後の矩形の頂点Ｅ，Ｆの座標を、
    ＸＥ＝Ｘ₀ ′（ｍ_j1，ｎ_i1）−（１＋ＲＡ（ｍ_j1，ｎ_i1））×ａ／２
    ＹＥ＝Ｙ₀ ′（ｍ_j1，ｎ_i1）−（１＋ＲＢ（ｍ_j1，ｎ_i1））×ｂ／２
    ＸＦ＝Ｘ₀ ′（ｍ_j1，ｎ_i1）＋（１＋ＲＡ（ｍ_j1，ｎ_i1））×ａ／２
    ＹＦ＝Ｙ₀ ′（ｍ_j1，ｎ_i1）＋（１＋ＲＢ（ｍ_j1，ｎ_i1））×ｂ／２
    で求めるステップと、
    変更後の頂点Ｅ，Ｆの座標で定義される矩形を基準として、ｎ＝ｎ_i1行において、偶数番目列（ｍ₀ が偶数の場合）（あるいは偶数番目列（ｍ₀が奇数の場合））であるｍ＝ｍ_j2列の矩形（ｍ_j2，ｎ_i1）において、仮想矩形の上下の辺のｙ座標のみを乱数ＲＢ（ｍ，ｎ）で変化させて、
    ＹＥ＝Ｙ₀ ′（ｍ_j2，ｎ_i1）−（１＋ＲＢ（ｍ_j2, ｎ_i1））×ｂ／２
    ＹＦ＝Ｙ₀ ′（ｍ_j2，ｎ_i1）＋（１＋ＲＢ（ｍ_j2，ｎ_i1））×ｂ／２
    を求めるステップと、
    仮想矩形（ｍ_j2，ｎ_i1）の左辺のｘ座標は、左隣の矩形（ｍ_j1，ｎ_i1）のＸＦと同じとし、右辺のｘ座標は右隣の矩形（ｍ_(j+1)1，ｎ_i1）のＸＥと同じとするステップと、
    ｎ＝ｎ_i3行の、偶数番目列（ｍ₀ が偶数の場合）（あるいは奇数番目列（ｍ₀ が奇数の場合））であるｍ＝ｍ_j2列の仮想矩形（ｍ_j2，ｎ_i3）の各辺の長さを、前記乱れ度ＲＡｍａｘ，ＲＢｍａｘに対して、ＲＡｍａｘ≧｜ＲＡ（ｍ，ｎ）｜，ＲＢｍａｘ≧｜ＲＢ（ｍ，ｎ）｜を満たす乱数ＲＡ（ｍ，ｎ），ＲＢ（ｍ，ｎ）を用いて、（１＋ＲＡ（ｍ_j2，ｎ_i3））×ａ，（１＋ＲＢ（ｍ_j2，ｎ_i3））×ｂとなるように変更するステップと、
    変更後の矩形の頂点Ｅ，Ｆの座標を、
    ＸＥ＝Ｘ₀ ′（ｍ_j2，ｎ_i3）−（１＋ＲＡ（ｍ_j2，ｎ_i3））×ａ／２
    ＹＥ＝Ｙ₀ ′（ｍ_j2，ｎ_i3）−（１＋ＲＢ（ｍ_j2，ｎ_i3））×ｂ／２
    ＸＦ＝Ｘ₀ ′（ｍ_j2，ｎ_i3）＋（１＋ＲＡ（ｍ_j2，ｎ_i3））×ａ／２
    ＹＦ＝Ｙ₀ ′（ｍ_j2，ｎ_i3）＋（１＋ＲＢ（ｍ_j2，ｎ_i3））×ｂ／２
    で求めるステップと、
    変更後の頂点Ｅ，Ｆの座標で定義される矩形を基準として、ｎ＝ｎ_i3行の奇数番目列（ｍ₀ が偶数の場合）（あるいは偶数番目列（ｍ₀ が奇数の場合））であるｍ＝ｍ_j1列の仮想矩形（ｍ_j1，ｎ_i3）において、仮想矩形の上下の辺のｙ座標のみを乱数ＲＢ（ｍ，ｎ）で変化させて、
    ＹＥ＝Ｙ₀ ′（ｍ_j1，ｎ_i3）−（１＋ＲＢ（ｍ_j1, ｎ_i3））×ｂ／２
    ＹＦ＝Ｙ₀ ′（ｍ_j1，ｎ_i3）＋（１＋ＲＢ（ｍ_j1，ｎ_i3））×ｂ／２
    を求めるステップと、
    仮想矩形（ｍ_j1，ｎ_i3）の左辺のｘ座標は、左隣の矩形（ｍ_(j-1)2，ｎ_i3）のＸＦと同じとし、右辺のｘ座標は右隣の矩形（ｍ_j2，ｎ_i3）のＸＥと同じとするステップと、
    ｎ_i2行とｎ_i4行については、各行の偶数番目列あるいは奇数番目列であるｍ＝ｍ_j1列あるいはｍ＝ｍ_j2列の仮想矩形（ｍ，ｎ_i2），（ｍ，ｎ_i4）において、仮想矩形の左右の辺のｘ座標のみを乱数ＲＡ（ｍ，ｎ）で変化させて、
    矩形（ｍ，ｎ_i2）については
    ＸＥ＝Ｘ₀ ′（ｍ，ｎ_i2）−（１＋ＲＡ（ｍ，ｎ_i2））×ａ／２
    ＸＦ＝Ｘ₀ ′（ｍ，ｎ_i2）＋（１＋ＲＡ（ｍ，ｎ_i2））×ａ／２
    矩形（ｍ，ｎ_i4）については
    ＸＥ＝Ｘ₀ ′（ｍ，ｎ_i4）−（１＋ＲＡ（ｍ，ｎ_i4））×ａ／２
    ＸＦ＝Ｘ₀ ′（ｍ，ｎ_i4）＋（１＋ＲＡ（ｍ，ｎ_i4））×ａ／２
    を求めるステップと、
    仮想矩形（ｍ_j2，ｎ_i2），（ｍ_j2，ｎ_i4）の左右の辺を上下に延長して、上下の行の矩形の横辺と交わるところをそれぞれのｙ座標であるＹＥ，ＹＦとすることによって略矩形を作成するステップと、
    ｉ，ｊのすべて整数について略矩形を作成し、略矩形群を作成するステップと、
    を実行するプログラム。
11. ＲＸｍａｘ＝０，ＲＹｍａｘ＝０である、請求項９または１０に記載のプログラム。
12. ＲＡｍａｘ＝０，ＲＢｍａｘ＝０である、請求項９または１０に記載のプログラム。
13. Ｒ１＝ＲＡｍａｘ＝ＲＢｍａｘ，Ｒ２＝ＲＸｍａｘ＝ＲＹｍａｘ
    である場合に、Ｒ１，Ｒ２は、
    Ｒ１／２＋Ｒ２／４＞０．０７５、かつ、Ｒ１＜０．９であることを特徴とする請求項９または１０に記載のプログラム。
14. メッシュ構造の電磁シールド膜において、
    メッシュ構造が、互いに直交する２つの直線の方向に略矩形が配列された略矩形群よりなるパターンを有し、各略矩形の各辺が、前記２つの直線の方向に互いに直線状に並ばないことを特徴とする電磁シールド膜。
15. メッシュ構造が、アルミ，銅，銀，金，ニッケルから選ばれた一種、あるいはそれらの合金からなる電磁シールド用導電体で形成されていることを特徴とする請求項１４に記載の電磁シールド膜。
16. 電磁波を放出する表示器用に用いられることを特徴とする請求項１４または１５に記載の電磁シールド膜。
17. 前記表示器がＦＥＤ，ＰＤＰ，ＣＲＴであることを特徴とする請求項１６に記載の電磁シールド膜。

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