JP4164904B2 - 硬化樹脂組成物、これの表面粗化処理方法及びそれを用いた電子機器部品 - Google Patents
硬化樹脂組成物、これの表面粗化処理方法及びそれを用いた電子機器部品 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4164904B2 JP4164904B2 JP22077998A JP22077998A JP4164904B2 JP 4164904 B2 JP4164904 B2 JP 4164904B2 JP 22077998 A JP22077998 A JP 22077998A JP 22077998 A JP22077998 A JP 22077998A JP 4164904 B2 JP4164904 B2 JP 4164904B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin composition
- resin
- cured resin
- aromatic ring
- filler
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、優れた導体層密着強度が要求される電子機器部品全般に利用することが出来る樹脂組成物およびそれを用いた電子機器部品に関し、特に、ＰＷＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｗｉｒｉｎｇ Ｂｏａｒｄ）、ＭＣＭ（Ｍｕｔｉ Ｃｈｉｐ Ｍｏｄｕｌｅ）などに代表される電子機器部品のうち、高密度化および特に高い導体層密着性が要求されるビルドアップ工法に好適に用いることができる技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年電子機器の軽薄短小化が進んでおり、これに搭載されるプリント基板などの電子機器部品においては高密度実装化が要求されている。この目的のために、最近、配線層と有機絶縁樹脂層を交互に積層することにより多層プリント基板を形成するビルドアップ工法が広く採用されてきている。
【０００３】
ビルドアップ工法においては、有機絶縁樹脂層上に無電解めっきを行った後電気めっきにより配線層を形成するため、無電解めっきを有機絶縁樹脂層上に密着性よく形成することが重要になる。しかし、有機絶縁樹脂層上に無電解めっきを密着性よく行うことは大変困難であり、これまでは導体層密着強度をあげるためにシリカなどのフィラーを樹脂に添加した樹脂硬化物に溶剤処理を行うことにより粗面化を行っていたが、従来の比較的粗面化の容易なエポキシ樹脂から、より高耐熱性で溶剤耐性の高い粗面化の困難な樹脂がプリント基板用絶縁樹脂として用いられてくるようになった。
このため、通常の過マンガン酸溶液処理等による粗面化工程の条件検討が困難になってきている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、前記従来の技術が抱える問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、粗面化の困難な樹脂が用いられた電子機器部品および配線間隔の狭い高密度化された電子機器部品において、容易に、十分な導体層密着強度が得られる、信頼性の高い樹脂組成物、この樹脂組成物の表面粗化処理方法及びこの樹脂組成物と表面粗化処理方法を用いた電子機器部品を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために本発明が提供する手段とは、まず、請求項１に記載の本発明は、加熱、紫外線または電子線で重合する樹脂と硬化剤又は触媒とフィラーからなる硬化された硬化樹脂組成物において、前記重合する樹脂が構造中に芳香環を有し、前記フィラーがプラズマ処理におけるエッチングレート（腐蝕速度）が芳香環を有する前記樹脂より速い芳香環を有しない樹脂の有機フィラーであり、硬化された硬化樹脂組成物の表面がプラズマ処理により粗面化されていることを特徴とする硬化樹脂組成物である。
【０００６】
芳香環を構造中に有する樹脂組成物に芳香環を構造中に含まない有機フィラーを混合した樹脂組成物は、プラズマ処理を行った際、エッチングレートが異なり芳香環を含まない有機フィラーの方がエッチングレート（腐蝕速度）が速いため、有機フィラーの部位が選択的にエッチングされ、粗面化される。
【０００７】
このエッチングされた部分が無電解めっきを行う際のアンカーとなり、導体層密着強度を大きく左右するものとなる。
また有機フィラーを用いた場合、無機フィラーを用いた場合に比べて誘電率を低く抑えることができ、高周波対応の基板にも好適である。
【０００８】
また、請求項２に記載の本発明は、前記構造中に芳香環を有する樹脂がビスフェノール型エポキシ、ノボラック型エポキシ、グリシジルエステル型エポキシ、グリシジルアミン型エポキシであり、硬化剤がアミン、酸無水物、フェノール樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の硬化樹脂組成物である。
【００１３】
また、請求項３に記載の本発明は、前記有機フィラーが、架橋アクリル樹脂、ポリメチルメタクリル樹脂、フッ素樹脂、フッ化ビニリデン樹脂、ポリエチレン樹脂であることを特徴とする請求項１又は２に記載の硬化樹脂組成物である。
【００１４】
また、請求項４に記載の本発明は、前記有機フィラーの粒径が１μｍ以上１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の硬化樹脂組成物である。その粒径が１０μｍより大きい場合には、請求項７のプラズマ処理における表面粗さが大きくなるため、配線密度が高い場合に障害となるばかりでなく有効なアンカー効果が得にくくなる。また、その粒径が１μｍより小さい場合にはアンカー効果を得るに充分な深さのアンカーが得られない。
【００１５】
また、請求項５に記載の本発明は、前記有機フィラーの添加量が硬化樹脂組成物に対し５〜５０重量部であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の硬化樹脂組成物である。有機フィラーの添加量が５重量部より少ないと有効なアンカー効果が得られず、５０重量部より多いと樹脂が脆くなりめっき工程に耐えられなくなる。
【００１６】
また、請求項６に記載の本発明は、加熱、紫外線または電子線で重合する樹脂と硬化剤又は触媒とからなる硬化樹脂並びにフィラーからなる硬化樹脂組成物であって、前記樹脂が構造中に芳香環を有し、前記フィラーがプラズマ処理におけるエッチングレートが芳香環を有する樹脂より速い芳香環を有しない樹脂の有機フィラーである硬化樹脂組成物を硬化させた後、その表面をプラズマ処理を行うことを特徴とする硬化樹脂組成物の表面粗化処理方法である。
【００１７】
また、請求項７に記載の本発明は、前記プラズマ処理において、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｎ２、Ｏ２、Ｈ２、ＣＯ、ＣＯ２、ＮＯ２ 、Ｎ２Ｏ、ＳＯ２，ＮＨ３のうち少なくとも１種類以上含むガスを用いることを特徴とする請求項７に記載の硬化樹脂組成物の表面粗化処理方法である。
【００１８】
上記のガスの種類を選択することにより、各樹脂に適したエッチング状態が得られるようになる。更にこれらのガスを用いることにより樹脂表面の親水性が上がり、より強固な化学的な結合が得られるようになるため、安定した強い密着強度をもつめっきが形成されるようになる。
【００１９】
また、請求項８に記載の本発明は、請求項１〜５のいずれか１項に記載の硬化樹脂組成物を用いてセミアディティブ法、アディティブ法により配線層を形成することを特徴とする電子機器部品である。
【００２０】
本発明の主たる発明は、アディティブ法（Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）に好適な硬化樹脂組成物とこの樹脂の表面粗化処理法であるので、アディティブ法に付いて詳細に記述しないが理解し易いように簡単に記述しておく。
図１は、アディティブ法による片面配線板の製造を説明する概略工程図を示す。基板（１）に硬化樹脂組成物（２）をコーティング、硬化させた後、この硬化樹脂組成物の表面を粗面化し、この粗面（４）上に回路設計に基づいて、めっきレジスト（３）を形成し導体パターン部（５）だけに、導電性材料をめっきによって析出固着させる方法である。この図では１層だけであるが同様の工程で多層の構成のものを作成できる。
【００２１】
また、請求項９に記載の本発明は、前記配線層を形成する電子機器部品として、プリント配線板、マルチチップモジュールである請求項９に記載の電子機器部品である。
【００２２】
【発明の実施の形態】
本発明においては、ベースとして用いる構造中に芳香環を含む樹脂としては、プリント基板用樹脂として広く用いられているエポキシ樹脂だけでなく、フェノール樹脂、粗面化の困難なイミド系樹脂等を広く用いることができ、本樹脂組成物に粒径１μｍ以上１０μｍ以下の有機フィラーを混合後、三本ローラーにて分散することにより調製を行う。
【００２３】
有機フィラーとしては芳香環を構造中に含まない樹脂で、例えば、架橋アクリル樹脂、ＰＭＭＡ、フッ素樹脂、フッ化ビニリデン樹脂、ポリエチレン樹脂などを用いるが、必ずしもこれらに限定するものではない。
【００２４】
本発明の化合物を、スピンコーター、浸漬、アプリケーター、バーコーター、スロットコーターなどを使用する塗布方法によりガラスエポキシ板、金属板、樹脂上などに塗布することで、ＰＷＢ、ＭＣＭ、層間絶縁材料として使用することができる。
【００２５】
【実施例】
＜実施例１＞
エポキシ系樹脂（商品名ＨＰ−７２００、大日本インキ化学工業（株）製）１００ｇと２−エチル−４−メチルイミダゾール２．０ｇと架橋ポリメタクリル酸メチルフィラー（商品名：テクポリマーＭＢＸ−５、積水化成品工業（株）製）１５．３ｇを三本ローラーにて混練後、１０ｐｓにエチルカルビトールアセテートにて調整しスピンコータにてビスマレイミド・トリアジン（ＢＴ）基板にコートした。これを１７５℃で１時間ベークすることにより３０μｍ厚の硬化樹脂膜を得た後、東京応化（株）製プラズマアッシング装置にてＯ2 ＝１００ｓｃｃｍ、０．５Ｔｏｒｒ、３００Ｗの条件で１０分間プラズマ処理を行った。その後無電解銅めっき、電解銅めっきを順次施した。
ここで、ｓｃｃｍ（ｓｔａｎｄａｒｄ ｃｕｂｉｃ ｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒ ｍｉｎｕｔｅ）は１分間にガスを供給する体積を示す。
【００２６】
＜実施例２＞
カルド樹脂であるＶ−２５９ＰＡ（新日鐵化学（株）製）１００ｇと架橋ポリメタクリル酸メチルフィラー（商品名：テクポリマーＭＢＸ−５、積水化成品工業（株）製）１５．０ｇを三本ローラーにて混練後、スピンコータにてＢＴ基板にコートした。プリベークを８０℃で１５分行った後、２００ｍＪ／ｃｍ２で露光、１８０℃で１時間ベークすることにより３０μｍ厚の硬化樹脂膜を得た。これにＯ２＝１００ｓｃｃｍにて実施例１と同様にしてプラズマ処理を行い、その後無電解銅めっき、電解銅めっきを順次施した。
【００２７】
＜比較例１＞
カルド樹脂であるＶ−２５９ＰＡ（新日鐵化学（株）製）１００ｇとシリカフィラー（商品名：サイリシア５５０、富士シリシア化学（株）製）１５．０ｇを、実施例１と同様にして混練、スピンコータにて塗布後、プリベークを８０℃で１５分行った。その後２００ｍＪ／ｃｍ２で露光、１８０℃で１時間ベークすることにより３０μｍ厚の硬化樹脂膜を得た。これを７０ｇ／Ｌの過マンガン酸溶液に７０℃で７分間浸漬することにより粗化を行った。その後無電解銅めっき、電解銅めっきを順次施した。
【００２８】
＜比較例２＞
カルド樹脂であるＶ−２５９ＰＡ（新日鐵化学（株）製）１００ｇと架橋ポリメタクリル酸メチルフィラー（商品名：テクポリマーＭＢＸ−５、積水化成品工業（株）製）６０．０ｇを三本ローラーにて混練後、スピンコータにてＢＴ基板にコートした。プリベークを８０℃で１５分行った後、２００ｍＪ／ｃｍ２で露光、１８０℃で１時間ベークすることにより３０μｍ厚の硬化樹脂膜を得た。これにＯ２＝１００ｓｃｃｍにて実施例１と同様にしてプラズマ処理を行い、その後無電解銅めっき、電解銅めっきを順次施した。
【００２９】
＜比較例３＞
カルド樹脂であるＶ−２５９ＰＡ（新日鐵化学（株）製）１００ｇと架橋ポリメタクリル酸メチルフィラー（商品名：テクポリマーＭＢＸ−５、積水化成品工業（株）製）１．５ｇを三本ローラーにて混練後、スピンコータにてＢＴ基板にコートした。プリベークを８０℃で１５分行った後、２００ｍＪ／ｃｍ２で露光、１８０℃で１時間ベークすることにより３０μｍ厚の硬化樹脂膜を得た。これにＯ２＝１００ｓｃｃｍにて実施例１と同様にしてプラズマ処理を行い、その後無電解銅めっき、電解銅めっきを順次施した。
【００３０】
＜比較例４＞
カルド樹脂であるＶ−２５９ＰＡ（新日鐵化学（株）製）１００ｇと架橋ポリスチレンフィラー（商品名：テクポリマーＳＢＸ−６、積水化成品工業（株）製）１５．０ｇを三本ローラーにて混練後、スピンコータにてＢＴ基板にコートした。プリベークを８０℃で１５分行った後、２００ｍＪ／ｃｍ２で露光、１８０℃で１時間ベークすることにより３０μｍ厚の硬化樹脂膜を得た。これにＯ２＝１００ｓｃｃｍにて実施例１と同様にしてプラズマ処理を行い、その後無電解銅めっき、電解銅めっきを順次施した。
【００３１】
以上の＜実施例１＞〜＜実施例２＞、および＜比較例１＞〜＜比較例４＞で得られためっきを施した樹脂硬化膜を試料として用いて、ＪＩＳ−Ｃ−６１８４に規定された方法に従って、めっきピール強度の測定を行った。その結果を表１に示す。
【００３２】
【表１】
【００３３】
【発明の効果】
以上のように、本発明の樹脂組成物および粗面化手段により優れた導体層密着強度を得ることができるため、電子機器部品へ広く使用することが可能である。特には、ＰＷＢ、ＭＣＭのビルドアップ工法を採用したものの層間絶縁性樹脂として好適である。
このように本発明によれば、容易に、且つ安定して、信頼性の高い導体層密着強度をもつ電子機器部品を提供することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、アディティブ法による片面配線板製造を説明する概略工程図。
【符号の説明】
１…基板 ２…硬化樹脂組成物
３…めっきレジスト ４…粗面
５…導体パターン部
【発明の属する技術分野】
本発明は、優れた導体層密着強度が要求される電子機器部品全般に利用することが出来る樹脂組成物およびそれを用いた電子機器部品に関し、特に、ＰＷＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｗｉｒｉｎｇ Ｂｏａｒｄ）、ＭＣＭ（Ｍｕｔｉ Ｃｈｉｐ Ｍｏｄｕｌｅ）などに代表される電子機器部品のうち、高密度化および特に高い導体層密着性が要求されるビルドアップ工法に好適に用いることができる技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年電子機器の軽薄短小化が進んでおり、これに搭載されるプリント基板などの電子機器部品においては高密度実装化が要求されている。この目的のために、最近、配線層と有機絶縁樹脂層を交互に積層することにより多層プリント基板を形成するビルドアップ工法が広く採用されてきている。
【０００３】
ビルドアップ工法においては、有機絶縁樹脂層上に無電解めっきを行った後電気めっきにより配線層を形成するため、無電解めっきを有機絶縁樹脂層上に密着性よく形成することが重要になる。しかし、有機絶縁樹脂層上に無電解めっきを密着性よく行うことは大変困難であり、これまでは導体層密着強度をあげるためにシリカなどのフィラーを樹脂に添加した樹脂硬化物に溶剤処理を行うことにより粗面化を行っていたが、従来の比較的粗面化の容易なエポキシ樹脂から、より高耐熱性で溶剤耐性の高い粗面化の困難な樹脂がプリント基板用絶縁樹脂として用いられてくるようになった。
このため、通常の過マンガン酸溶液処理等による粗面化工程の条件検討が困難になってきている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、前記従来の技術が抱える問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、粗面化の困難な樹脂が用いられた電子機器部品および配線間隔の狭い高密度化された電子機器部品において、容易に、十分な導体層密着強度が得られる、信頼性の高い樹脂組成物、この樹脂組成物の表面粗化処理方法及びこの樹脂組成物と表面粗化処理方法を用いた電子機器部品を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために本発明が提供する手段とは、まず、請求項１に記載の本発明は、加熱、紫外線または電子線で重合する樹脂と硬化剤又は触媒とフィラーからなる硬化された硬化樹脂組成物において、前記重合する樹脂が構造中に芳香環を有し、前記フィラーがプラズマ処理におけるエッチングレート（腐蝕速度）が芳香環を有する前記樹脂より速い芳香環を有しない樹脂の有機フィラーであり、硬化された硬化樹脂組成物の表面がプラズマ処理により粗面化されていることを特徴とする硬化樹脂組成物である。
【０００６】
芳香環を構造中に有する樹脂組成物に芳香環を構造中に含まない有機フィラーを混合した樹脂組成物は、プラズマ処理を行った際、エッチングレートが異なり芳香環を含まない有機フィラーの方がエッチングレート（腐蝕速度）が速いため、有機フィラーの部位が選択的にエッチングされ、粗面化される。
【０００７】
このエッチングされた部分が無電解めっきを行う際のアンカーとなり、導体層密着強度を大きく左右するものとなる。
また有機フィラーを用いた場合、無機フィラーを用いた場合に比べて誘電率を低く抑えることができ、高周波対応の基板にも好適である。
【０００８】
また、請求項２に記載の本発明は、前記構造中に芳香環を有する樹脂がビスフェノール型エポキシ、ノボラック型エポキシ、グリシジルエステル型エポキシ、グリシジルアミン型エポキシであり、硬化剤がアミン、酸無水物、フェノール樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の硬化樹脂組成物である。
【００１３】
また、請求項３に記載の本発明は、前記有機フィラーが、架橋アクリル樹脂、ポリメチルメタクリル樹脂、フッ素樹脂、フッ化ビニリデン樹脂、ポリエチレン樹脂であることを特徴とする請求項１又は２に記載の硬化樹脂組成物である。
【００１４】
また、請求項４に記載の本発明は、前記有機フィラーの粒径が１μｍ以上１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の硬化樹脂組成物である。その粒径が１０μｍより大きい場合には、請求項７のプラズマ処理における表面粗さが大きくなるため、配線密度が高い場合に障害となるばかりでなく有効なアンカー効果が得にくくなる。また、その粒径が１μｍより小さい場合にはアンカー効果を得るに充分な深さのアンカーが得られない。
【００１５】
また、請求項５に記載の本発明は、前記有機フィラーの添加量が硬化樹脂組成物に対し５〜５０重量部であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の硬化樹脂組成物である。有機フィラーの添加量が５重量部より少ないと有効なアンカー効果が得られず、５０重量部より多いと樹脂が脆くなりめっき工程に耐えられなくなる。
【００１６】
また、請求項６に記載の本発明は、加熱、紫外線または電子線で重合する樹脂と硬化剤又は触媒とからなる硬化樹脂並びにフィラーからなる硬化樹脂組成物であって、前記樹脂が構造中に芳香環を有し、前記フィラーがプラズマ処理におけるエッチングレートが芳香環を有する樹脂より速い芳香環を有しない樹脂の有機フィラーである硬化樹脂組成物を硬化させた後、その表面をプラズマ処理を行うことを特徴とする硬化樹脂組成物の表面粗化処理方法である。
【００１７】
また、請求項７に記載の本発明は、前記プラズマ処理において、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｎ２、Ｏ２、Ｈ２、ＣＯ、ＣＯ２、ＮＯ２ 、Ｎ２Ｏ、ＳＯ２，ＮＨ３のうち少なくとも１種類以上含むガスを用いることを特徴とする請求項７に記載の硬化樹脂組成物の表面粗化処理方法である。
【００１８】
上記のガスの種類を選択することにより、各樹脂に適したエッチング状態が得られるようになる。更にこれらのガスを用いることにより樹脂表面の親水性が上がり、より強固な化学的な結合が得られるようになるため、安定した強い密着強度をもつめっきが形成されるようになる。
【００１９】
また、請求項８に記載の本発明は、請求項１〜５のいずれか１項に記載の硬化樹脂組成物を用いてセミアディティブ法、アディティブ法により配線層を形成することを特徴とする電子機器部品である。
【００２０】
本発明の主たる発明は、アディティブ法（Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）に好適な硬化樹脂組成物とこの樹脂の表面粗化処理法であるので、アディティブ法に付いて詳細に記述しないが理解し易いように簡単に記述しておく。
図１は、アディティブ法による片面配線板の製造を説明する概略工程図を示す。基板（１）に硬化樹脂組成物（２）をコーティング、硬化させた後、この硬化樹脂組成物の表面を粗面化し、この粗面（４）上に回路設計に基づいて、めっきレジスト（３）を形成し導体パターン部（５）だけに、導電性材料をめっきによって析出固着させる方法である。この図では１層だけであるが同様の工程で多層の構成のものを作成できる。
【００２１】
また、請求項９に記載の本発明は、前記配線層を形成する電子機器部品として、プリント配線板、マルチチップモジュールである請求項９に記載の電子機器部品である。
【００２２】
【発明の実施の形態】
本発明においては、ベースとして用いる構造中に芳香環を含む樹脂としては、プリント基板用樹脂として広く用いられているエポキシ樹脂だけでなく、フェノール樹脂、粗面化の困難なイミド系樹脂等を広く用いることができ、本樹脂組成物に粒径１μｍ以上１０μｍ以下の有機フィラーを混合後、三本ローラーにて分散することにより調製を行う。
【００２３】
有機フィラーとしては芳香環を構造中に含まない樹脂で、例えば、架橋アクリル樹脂、ＰＭＭＡ、フッ素樹脂、フッ化ビニリデン樹脂、ポリエチレン樹脂などを用いるが、必ずしもこれらに限定するものではない。
【００２４】
本発明の化合物を、スピンコーター、浸漬、アプリケーター、バーコーター、スロットコーターなどを使用する塗布方法によりガラスエポキシ板、金属板、樹脂上などに塗布することで、ＰＷＢ、ＭＣＭ、層間絶縁材料として使用することができる。
【００２５】
【実施例】
＜実施例１＞
エポキシ系樹脂（商品名ＨＰ−７２００、大日本インキ化学工業（株）製）１００ｇと２−エチル−４−メチルイミダゾール２．０ｇと架橋ポリメタクリル酸メチルフィラー（商品名：テクポリマーＭＢＸ−５、積水化成品工業（株）製）１５．３ｇを三本ローラーにて混練後、１０ｐｓにエチルカルビトールアセテートにて調整しスピンコータにてビスマレイミド・トリアジン（ＢＴ）基板にコートした。これを１７５℃で１時間ベークすることにより３０μｍ厚の硬化樹脂膜を得た後、東京応化（株）製プラズマアッシング装置にてＯ2 ＝１００ｓｃｃｍ、０．５Ｔｏｒｒ、３００Ｗの条件で１０分間プラズマ処理を行った。その後無電解銅めっき、電解銅めっきを順次施した。
ここで、ｓｃｃｍ（ｓｔａｎｄａｒｄ ｃｕｂｉｃ ｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒ ｍｉｎｕｔｅ）は１分間にガスを供給する体積を示す。
【００２６】
＜実施例２＞
カルド樹脂であるＶ−２５９ＰＡ（新日鐵化学（株）製）１００ｇと架橋ポリメタクリル酸メチルフィラー（商品名：テクポリマーＭＢＸ−５、積水化成品工業（株）製）１５．０ｇを三本ローラーにて混練後、スピンコータにてＢＴ基板にコートした。プリベークを８０℃で１５分行った後、２００ｍＪ／ｃｍ２で露光、１８０℃で１時間ベークすることにより３０μｍ厚の硬化樹脂膜を得た。これにＯ２＝１００ｓｃｃｍにて実施例１と同様にしてプラズマ処理を行い、その後無電解銅めっき、電解銅めっきを順次施した。
【００２７】
＜比較例１＞
カルド樹脂であるＶ−２５９ＰＡ（新日鐵化学（株）製）１００ｇとシリカフィラー（商品名：サイリシア５５０、富士シリシア化学（株）製）１５．０ｇを、実施例１と同様にして混練、スピンコータにて塗布後、プリベークを８０℃で１５分行った。その後２００ｍＪ／ｃｍ２で露光、１８０℃で１時間ベークすることにより３０μｍ厚の硬化樹脂膜を得た。これを７０ｇ／Ｌの過マンガン酸溶液に７０℃で７分間浸漬することにより粗化を行った。その後無電解銅めっき、電解銅めっきを順次施した。
【００２８】
＜比較例２＞
カルド樹脂であるＶ−２５９ＰＡ（新日鐵化学（株）製）１００ｇと架橋ポリメタクリル酸メチルフィラー（商品名：テクポリマーＭＢＸ−５、積水化成品工業（株）製）６０．０ｇを三本ローラーにて混練後、スピンコータにてＢＴ基板にコートした。プリベークを８０℃で１５分行った後、２００ｍＪ／ｃｍ２で露光、１８０℃で１時間ベークすることにより３０μｍ厚の硬化樹脂膜を得た。これにＯ２＝１００ｓｃｃｍにて実施例１と同様にしてプラズマ処理を行い、その後無電解銅めっき、電解銅めっきを順次施した。
【００２９】
＜比較例３＞
カルド樹脂であるＶ−２５９ＰＡ（新日鐵化学（株）製）１００ｇと架橋ポリメタクリル酸メチルフィラー（商品名：テクポリマーＭＢＸ−５、積水化成品工業（株）製）１．５ｇを三本ローラーにて混練後、スピンコータにてＢＴ基板にコートした。プリベークを８０℃で１５分行った後、２００ｍＪ／ｃｍ２で露光、１８０℃で１時間ベークすることにより３０μｍ厚の硬化樹脂膜を得た。これにＯ２＝１００ｓｃｃｍにて実施例１と同様にしてプラズマ処理を行い、その後無電解銅めっき、電解銅めっきを順次施した。
【００３０】
＜比較例４＞
カルド樹脂であるＶ−２５９ＰＡ（新日鐵化学（株）製）１００ｇと架橋ポリスチレンフィラー（商品名：テクポリマーＳＢＸ−６、積水化成品工業（株）製）１５．０ｇを三本ローラーにて混練後、スピンコータにてＢＴ基板にコートした。プリベークを８０℃で１５分行った後、２００ｍＪ／ｃｍ２で露光、１８０℃で１時間ベークすることにより３０μｍ厚の硬化樹脂膜を得た。これにＯ２＝１００ｓｃｃｍにて実施例１と同様にしてプラズマ処理を行い、その後無電解銅めっき、電解銅めっきを順次施した。
【００３１】
以上の＜実施例１＞〜＜実施例２＞、および＜比較例１＞〜＜比較例４＞で得られためっきを施した樹脂硬化膜を試料として用いて、ＪＩＳ−Ｃ−６１８４に規定された方法に従って、めっきピール強度の測定を行った。その結果を表１に示す。
【００３２】
【表１】
【発明の効果】
以上のように、本発明の樹脂組成物および粗面化手段により優れた導体層密着強度を得ることができるため、電子機器部品へ広く使用することが可能である。特には、ＰＷＢ、ＭＣＭのビルドアップ工法を採用したものの層間絶縁性樹脂として好適である。
このように本発明によれば、容易に、且つ安定して、信頼性の高い導体層密着強度をもつ電子機器部品を提供することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、アディティブ法による片面配線板製造を説明する概略工程図。
【符号の説明】
１…基板 ２…硬化樹脂組成物
３…めっきレジスト ４…粗面
５…導体パターン部
Claims (9)
- 加熱、紫外線または電子線で重合する樹脂と硬化剤又は触媒とフィラーからなる硬化された硬化樹脂組成物において、前記重合する樹脂が構造中に芳香環を有し、前記フィラーがプラズマ処理におけるエッチングレートが芳香環を有する前記樹脂より速い芳香環を有しない樹脂の有機フィラーであり、硬化された硬化樹脂組成物の表面がプラズマ処理により粗面化されていることを特徴とする硬化樹脂組成物。
- 前記構造中に芳香環を有する樹脂がビスフェノール型エポキシ、ノボラック型エポキシ、グリシジルエステル型エポキシ、グリシジルアミン型エポキシであり、硬化剤がアミン、酸無水物、フェノール樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の硬化樹脂組成物。
- 前記有機フィラーが、架橋アクリル樹脂、ポリメチルメタクリル樹脂、フッ素樹脂、フッ化ビニリデン樹脂、ポリエチレン樹脂であることを特徴とする請求項１又は２に記載の硬化樹脂組成物。
- 前記有機フィラーの粒径が１μｍ以上１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の硬化樹脂組成物。
- 前記有機フィラーの添加量が硬化樹脂組成物に対し５〜５０重量部であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の硬化樹脂組成物。
- 加熱、紫外線または電子線で重合する樹脂と硬化剤又は触媒とからなる硬化樹脂並びにフィラーからなる硬化樹脂組成物であって、前記樹脂が構造中に芳香環を有し、前記フィラーがプラズマ処理におけるエッチングレートが芳香環を有する樹脂より速い芳香環を有しない樹脂の有機フィラーである硬化樹脂組成物を硬化させた後、その表面をプラズマ処理を行うことを特徴とする硬化樹脂組成物の表面粗化処理方法。
- 前記プラズマ処理において、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｎ２、Ｏ２、Ｈ２、ＣＯ、ＣＯ２、ＮＯ２、Ｎ２Ｏ、ＳＯ２，ＮＨ３のうち少なくとも１種類以上含むガスを用いることを特徴とする請求項６に記載の硬化樹脂組成物の表面粗化処理方法。
- 請求項１〜５のいずれか１項に記載の硬化樹脂組成物を用いてセミアディティブ法、アディティブ法により配線層を形成することを特徴とする電子機器部品。
- 前記配線層を形成する電子機器部品として、プリント配線板、マルチチップモジュールである請求項８に記載の電子機器部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22077998A JP4164904B2 (ja) | 1998-08-04 | 1998-08-04 | 硬化樹脂組成物、これの表面粗化処理方法及びそれを用いた電子機器部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22077998A JP4164904B2 (ja) | 1998-08-04 | 1998-08-04 | 硬化樹脂組成物、これの表面粗化処理方法及びそれを用いた電子機器部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000053868A JP2000053868A (ja) | 2000-02-22 |
| JP4164904B2 true JP4164904B2 (ja) | 2008-10-15 |
Family
ID=16756445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22077998A Expired - Fee Related JP4164904B2 (ja) | 1998-08-04 | 1998-08-04 | 硬化樹脂組成物、これの表面粗化処理方法及びそれを用いた電子機器部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4164904B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4156913B2 (ja) | 2002-12-04 | 2008-09-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の処理方法 |
| JP5092391B2 (ja) * | 2006-12-22 | 2012-12-05 | 富士通株式会社 | 樹脂筐体及びその製造方法 |
| JP5325399B2 (ja) * | 2007-06-28 | 2013-10-23 | 東京応化工業株式会社 | 塗膜形成方法 |
-
1998
- 1998-08-04 JP JP22077998A patent/JP4164904B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000053868A (ja) | 2000-02-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8409982B2 (en) | Method of forming solid blind vias through the dielectric coating on high density interconnect (HDI) substrate materials | |
| JPH06275959A (ja) | 多層配線基板とその製造方法および両面プリント配線板の製造方法 | |
| EP0947124B1 (en) | A method for adding layers to a pwb which yields high levels of copper to dielectric adhesion | |
| US6156870A (en) | Resin composition which can be cured by application of heat or irradiation of light, film, laminate and production of multilayer wiring board | |
| JP4164904B2 (ja) | 硬化樹脂組成物、これの表面粗化処理方法及びそれを用いた電子機器部品 | |
| JPH09214140A (ja) | 多層プリント配線板及びその製造方法 | |
| JP3311450B2 (ja) | 多層プリント配線板の製造方法および多層プリント配線板 | |
| JPH1022641A (ja) | 多層プリント配線板及びその製造方法 | |
| JPH06260763A (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
| JP2000129137A (ja) | 高密着性樹脂組成物及びそれを用いた電子機器部品 | |
| JP2001015934A (ja) | 多層プリント配線板及びその製造方法 | |
| JP2002204078A (ja) | 多層回路基板及び半導体集積回路装置 | |
| JP2004244584A (ja) | 絶縁樹脂組成物及びその使用 | |
| JPH06268380A (ja) | プリント配線板 | |
| JPH0983138A (ja) | 多層プリント配線板の製造方法 | |
| JPH104271A (ja) | 多層プリント配線板の製造方法 | |
| JP3593351B2 (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
| JP3848229B2 (ja) | 絶縁性樹脂組成物及びそれを用いたプリント配線板 | |
| JP3219827B2 (ja) | アンカー形成用耐熱性樹脂粒子および無電解めっき用接着剤とこの接着剤を用いたプリント配線板の製造方法およびプリント配線板 | |
| JP2000191910A (ja) | 耐熱性樹脂組成物、層間絶縁膜及び多層回路基板 | |
| JP2001203464A (ja) | ビルドアップ多層プリント配線板及びその製造方法 | |
| JPH09232756A (ja) | 多層プリント配線板の製造方法 | |
| JP2002275241A (ja) | 絶縁樹脂組成物およびその用途ならびに配線板の製造方法 | |
| JP2000208889A (ja) | 低誘電配線基板用樹脂組成物及びそれを用いた低誘電配線基板 | |
| JPH1027963A (ja) | 多層プリント配線板及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050621 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070724 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071120 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080115 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080219 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080410 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080708 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080721 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110808 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110808 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120808 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120808 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130808 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |