JP4160083B2 - 光学装置用モジュール及び光学装置用モジュールの製造方法 - Google Patents
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Description
光学装置用モジュールの電気的配線が、
前記固体撮像素子を貫通する第1貫通電極と、前記固体撮像素子の裏面上の必要な位置まで再配線できるように形成され、前記第1貫通電極と電気的に接続される第1再配線層と、
前記画像処理装置の裏面上の必要な位置まで再配線できるように形成され、前記第1再配線層と電気的に接続される第2再配線層と、
前記画像処理装置を貫通し、前記第2再配線層と電気的に接続される第2貫通電極と、
前記画像処理装置の表面上の必要な位置まで再配線できるように形成され、前記第2貫通電極と電気的に接続される第3再配線層とから構成され、
前記画像処理装置が、前記第3再配線層と電気的に接続される外部接続用端子を備えることを特徴とする。
前記有効画素領域への光路を画定する光路画定器と、
上記有効画素領域を覆うように配置される透光性蓋部とを備え、
光の入射側から、前記光路画定器、前記透光性蓋部、前記固体撮像素子および画像処理装置がこの順に積層されてなり、
前記透光性蓋部は、接着部を介して前記固体撮像素子に固定されており、
前記光路画定器は、前記透光性蓋部にのみ支持されている構成とすることが望ましい。
前記固体撮像素子を貫通する第1貫通電極を形成する工程と、
前記固体撮像素子の裏面上の必要な位置まで再配線できるように形成され、前記第1貫通電極と電気的に接続される第1再配線層を形成する工程と、
前記画像処理装置の裏面上の必要な位置まで再配線できるように形成され、前記第1再配線層と電気的に接続される第2再配線層を形成する工程と、
前記画像処理装置を貫通し、前記第2再配線層と電気的に接続される第2貫通電極を形成する工程と、
前記画像処理装置の表面上の必要な位置まで再配線できるように形成され、前記第2貫通電極と電気的に接続される第3再配線層を形成する工程とを含み、さらに、
前記画像処理装置の表面上に、前記第3再配線層と電気的に接続される外部接続用端子を形成する工程を含むことを特徴とする。
透光性蓋部を、前記有効画素領域を覆うように、接着部を介して前記固体撮像素子に固定する工程と、
前記有効画素領域への光路を画定する光路画定器を、前記透光性蓋部にのみ支持されるように載置する工程とを含み、
光の入射側から、前記光路画定器と前記透光性蓋部とが、この順に前記固体撮像素子上に積層されるように形成する構成とすることが望ましい。
前記光学装置用モジュールの電気的配線が、
前記固体撮像素子を貫通する第1貫通電極と、前記固体撮像素子の裏面上の必要な位置まで再配線できるように形成され、前記第1貫通電極と電気的に接続される第1再配線層と、
前記画像処理装置の裏面上の必要な位置まで再配線できるように形成され、前記第1再配線層と電気的に接続される第2再配線層と、
前記画像処理装置を貫通し、前記第2再配線層と電気的に接続される第2貫通電極と、
前記画像処理装置の表面上の必要な位置まで再配線できるように形成され、前記第2貫通電極と電気的に接続される第3再配線層とから構成され、
前記画像処理装置が、前記第3再配線層と電気的に接続される外部接続用端子を備えることを特徴とする。
最後に、裏面再配線12を保護する裏面絶縁膜11を形成する。
固体撮像素子1を貫通する貫通電極7を形成する工程と、
固体撮像素子1の裏面上の必要な位置まで再配線できるように形成され、貫通電極7と電気的に接続される裏面再配線9を形成する工程と、
画像処理装置10の裏面上の必要な位置まで再配線できるように形成され、再配線層9と電気的に接続される裏面再配線12を形成する工程と、
画像処理装置10を貫通し、裏面再配線12と電気的に接続される貫通電極13を形成する工程と、
画像処理装置10の表面上の必要な位置まで再配線できるように形成され、貫通電極13と電気的に接続される表面再配線14を形成する工程とを含み、さらに、
画像処理装置10の表面上に、表面再配線層14と電気的に接続されるハンダ電極16を形成する工程を含むことを特徴とする。
2 有効画素領域
3 接着剤層
4 透光性蓋部
5 レンズ
6 光路画定器
7 貫通電極(第1貫通電極)
8 裏面絶縁膜(固体撮像素子)
9 裏面再配線(第1再配線層)
10 画像処理装置(DSP)
11 裏面絶縁膜(DSP)
12 裏面再配線(第2再配線層)
13 貫通電極(第2貫通電極)
14 表面再配線(第3再配線層)
15 表面保護膜
16 ハンダ電極(外部接続端子)
17 チップ部品
18 半導体基板(固体撮像素子)
19 半導体基板(画像処理装置)
Claims (15)
- 入射光を光電変換する有効画素領域を表面に有する固体撮像素子と、
前記固体撮像素子と裏面同士が対向するように積層され、前記有効画素領域で光電変換された電気信号を処理する画像処理装置とを備えた光学装置用モジュールであって、
上記光学装置用モジュールの電気的配線が、
前記固体撮像素子を貫通する第1貫通電極と、
前記固体撮像素子の裏面上の必要な位置まで再配線できるように形成され、前記第1貫通電極と電気的に接続される第1再配線層と、
前記画像処理装置の裏面上の必要な位置まで再配線できるように形成され、前記第1再配線層と電気的に接続される第2再配線層と、
前記画像処理装置を貫通し、前記第2再配線層と電気的に接続される第2貫通電極と、
前記画像処理装置の表面上の必要な位置まで再配線できるように形成され、前記第2貫通電極と電気的に接続される第3再配線層とから構成され、
前記画像処理装置が、前記第3再配線層と電気的に接続される外部接続用端子を備えており、
前記画像処理装置の外周が、前記固体撮像素子の外周よりも小さく、前記画像処理装置の外周が、表面方向に前記固体撮像素子の外周の内側に位置するように積層されてなり、
前記固体撮像素子の裏面上に搭載され、前記第1再配線層と電気的に接続されるチップ部品を備えていることを特徴とする光学装置用モジュール。 - 入射光を光電変換する有効画素領域を表面に有する固体撮像素子と、
前記固体撮像素子と裏面同士が対向するように積層され、前記有効画素領域で光電変換された電気信号を処理する画像処理装置とを備えた光学装置用モジュールであって、
上記光学装置用モジュールの電気的配線が、
前記固体撮像素子を貫通する第1貫通電極と、
前記固体撮像素子の裏面上の必要な位置まで再配線できるように形成され、前記第1貫通電極と電気的に接続される第1再配線層と、
前記画像処理装置の裏面上の必要な位置まで再配線できるように形成され、前記第1再配線層と電気的に接続される第2再配線層と、
前記画像処理装置を貫通し、前記第2再配線層と電気的に接続される第2貫通電極と、
前記画像処理装置の表面上の必要な位置まで再配線できるように形成され、前記第2貫通電極と電気的に接続される第3再配線層とから構成され、
前記画像処理装置が、前記第3再配線層と電気的に接続される外部接続用端子を備えており、
前記固体撮像素子の外周が、前記画像処理装置の外周よりも小さく、前記画像処理装置の外周が、前記固体撮像素子の外周の外側に位置するように積層されてなり、
前記画像処理装置の裏面上に搭載され、前記第2再配線層と電気的に接続されるチップ部品を備えていることを特徴とする光学装置用モジュール。 - 入射光を光電変換する有効画素領域を表面に有する固体撮像素子と、
前記固体撮像素子と裏面同士が対向するように積層され、前記有効画素領域で光電変換された電気信号を処理する画像処理装置とを備えた光学装置用モジュールであって、
上記光学装置用モジュールの電気的配線が、
前記固体撮像素子を貫通する第1貫通電極と、
前記固体撮像素子の裏面上の必要な位置まで再配線できるように形成され、前記第1貫通電極と電気的に接続される第1再配線層と、
前記画像処理装置の裏面上の必要な位置まで再配線できるように形成され、前記第1再配線層と電気的に接続される第2再配線層と、
前記画像処理装置を貫通し、前記第2再配線層と電気的に接続される第2貫通電極と、
前記画像処理装置の表面上の必要な位置まで再配線できるように形成され、前記第2貫通電極と電気的に接続される第3再配線層とから構成され、
前記画像処理装置が、前記第3再配線層と電気的に接続される外部接続用端子を備えており、
前記固体撮像素子の外周と前記画像処理装置の外周とが略同一の大きさおよび形状を有し、各外周が表面方向にずれて積層されてなり、
前記固体撮像素子の裏面上に搭載され、前記第1再配線層と電気的に接続されるチップ部品と、前記画像処理装置の裏面上に搭載され、前記第2再配線層と電気的に接続されるチップ部品とを備えていることを特徴とする光学装置用モジュール。 - さらに、前記有効画素領域への光路を画定する光路画定器と、
上記有効画素領域を覆うよう配置される透光性蓋部とを備え、
光の入射側から、前記光路画定器、前記透光性蓋部、前記固体撮像素子および画像処理装置が順に積層されてあり、
前記透光性蓋部は、接着部を介して前記固体撮像素子に固定されており、
前記光路画定器は、前記透光性蓋部にのみ支持されていることを特徴とする請求項1ないし3の何れかに記載の光学装置用モジュール。 - 前記光路画定器と前記透光性蓋部の各外周が表面方向に略一致するように積層されてなることを特徴とする請求項4に記載の光学装置用モジュール。
- 前記固体撮像素子の外周が、前記光路画定器および前記透光性蓋部の各外周と平面方向に略一致するように積層されてなることを特徴とする請求項5に記載の光学装置用モジュール。
- 前記接着部が、前記有効画素領域を囲むように形成され、前記有効画素領域と前記透光性蓋部の間に空間が形成されることを特徴とする請求項4ないし6の何れかに記載の光学装置用モジュール。
- 前記接着部が、前記有効画素領域の外周部を密封することを特徴とする請求項7に記載の光学装置用モジュール。
- 前記光路画定器が、前記有効画素領域に対向して配置されるレンズを保持することを特徴とする請求項4ないし8の何れかに記載の光学装置用モジュール。
- 前記画像処理装置の複数の端子のうち、前記固体撮像素子に接続される端子および前記チップ部品に接続される端子のみが、前記第2貫通電極を介して前記第2再配線層に接続されることを特徴とする請求項1ないし9の何れかに記載の光学装置用モジュール。
- 入射光を光電変換する有効画素領域を表面に有する固体撮像素子と、前記固体撮像素子と裏面同士が対向するように積層され、前記有効画素領域で光電変換された電気信号を処理する画像処理装置とを備えた光学装置用モジュールの製造方法であって、
前記光学装置用モジュールの電気的配線を形成する工程が、
前記固体撮像素子を貫通する第1貫通電極を形成する工程と、
前記固体撮像素子の裏面上の必要な位置まで再配線できるように形成され、前記第1貫通電極と電気的に接続される第1再配線層を形成する工程と、
前記画像処理装置の裏面上の必要な位置まで再配線できるように形成され、前記第1再配線層と電気的に接続される第2再配線層を形成する工程と、
前記画像処理装置を貫通し、前記第2再配線層と電気的に接続される第2貫通電極を形成する工程と、
前記画像処理装置の表面上の必要な位置まで再配線できるように形成され、前記第2貫通電極と電気的に接続される第3再配線層を形成する工程とを含んでおり、
前記画像処理装置の表面上に、前記第3再配線層と電気的に接続される外部接続用端子を形成する工程と、
前記画像処理装置の外周が、前記固体撮像素子の外周よりも小さく、前記画像処理装置の外周を、表面方向に前記固体撮像素子の外周の内側に位置するように積層するとともに、前記第1再配線層と電気的に接続されるチップ部品を、前記固体撮像素子の裏面上に搭載する工程とを含むことを特徴とする光学装置用モジュールの製造方法。 - 入射光を光電変換する有効画素領域を表面に有する固体撮像素子と、前記固体撮像素子と裏面同士が対向するように積層され、前記有効画素領域で光電変換された電気信号を処理する画像処理装置とを備えた光学装置用モジュールの製造方法であって、
前記光学装置用モジュールの電気的配線を形成する工程が、
前記固体撮像素子を貫通する第1貫通電極を形成する工程と、
前記固体撮像素子の裏面上の必要な位置まで再配線できるように形成され、前記第1貫通電極と電気的に接続される第1再配線層を形成する工程と、
前記画像処理装置の裏面上の必要な位置まで再配線できるように形成され、前記第1再配線層と電気的に接続される第2再配線層を形成する工程と、
前記画像処理装置を貫通し、前記第2再配線層と電気的に接続される第2貫通電極を形成する工程と、
前記画像処理装置の表面上の必要な位置まで再配線できるように形成され、前記第2貫通電極と電気的に接続される第3再配線層を形成する工程とを含んでおり、
前記画像処理装置の表面上に、前記第3再配線層と電気的に接続される外部接続用端子を形成する工程と、
前記固体撮像素子の外周が、前記画像処理装置の外周よりも小さく、前記画像処理装置の外周を、前記固体撮像素子の外周の外側に位置するように積層するとともに、前記第2再配線層と電気的に接続されるチップ部品を、前記画像処理装置の裏面上に搭載する工程とを含むことを特徴とする光学装置用モジュールの製造方法。 - 入射光を光電変換する有効画素領域を表面に有する固体撮像素子と、前記固体撮像素子と裏面同士が対向するように積層され、前記有効画素領域で光電変換された電気信号を処理する画像処理装置とを備えた光学装置用モジュールの製造方法であって、
前記光学装置用モジュールの電気的配線を形成する工程が、
前記固体撮像素子を貫通する第1貫通電極を形成する工程と、
前記固体撮像素子の裏面上の必要な位置まで再配線できるように形成され、前記第1貫通電極と電気的に接続される第1再配線層を形成する工程と、
前記画像処理装置の裏面上の必要な位置まで再配線できるように形成され、前記第1再配線層と電気的に接続される第2再配線層を形成する工程と、
前記画像処理装置を貫通し、前記第2再配線層と電気的に接続される第2貫通電極を形成する工程と、
前記画像処理装置の表面上の必要な位置まで再配線できるように形成され、前記第2貫通電極と電気的に接続される第3再配線層を形成する工程とを含んでおり、
前記画像処理装置の表面上に、前記第3再配線層と電気的に接続される外部接続用端子を形成する工程と、
前記固体撮像素子の外周と前記画像処理装置の外周とが略同一の大きさおよび形状を有し、各外周を表面方向にずらして積層するとともに、前記第1再配線層と電気的に接続されるチップ部品を、前記固体撮像素子の裏面上に搭載し、前記第2再配線層と電気的に接続されるチップ部品を、前記画像処理装置の裏面上に搭載する工程とを含むことを特徴とする光学装置用モジュールの製造方法。 - 透光性蓋部を、前記有効画素領域を覆うように、接着部を介して前記固体撮像素子に固定する工程と、
前記有効画素領域への光路を画定する光路画定器を、前記透光性蓋部にのみ支持されるように前記透光性蓋部上に搭載する工程とを含み、
光の入射側から、前記光路画定器と前記透光性蓋部とが、この順に前記固体撮像素子上に積層されるように形成することを特徴とする請求項11ないし13の何れかに記載の光学装置用モジュールの製造方法。 - 前記接着部が、感光性接着剤を含むことを特徴とする請求項14に記載の光学装置用モジュールの製造方法。
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JP2010238995A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体モジュールおよびこれを搭載したカメラモジュール |
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KR101069289B1 (ko) * | 2009-08-10 | 2011-10-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이미지 센서 모듈 및 이미지 센서 모듈의 제조 방법 |
KR101640417B1 (ko) * | 2010-01-22 | 2016-07-25 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 패키지 및 이의 제조 방법 |
KR101143938B1 (ko) * | 2010-04-22 | 2012-05-15 | 주식회사 지멤스 | 이미지센서 모듈, 이를 포함하는 영상 장치 및 그 제조방법 |
JP2012009816A (ja) * | 2010-05-28 | 2012-01-12 | Casio Comput Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
CN102263116B (zh) * | 2010-05-28 | 2014-11-05 | 兆探晶股份有限公司 | 具有光传感器的摄像装置及其制造方法 |
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US8872293B2 (en) * | 2011-02-15 | 2014-10-28 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and method of manufacturing the same and electronic apparatus |
DE102011011527A1 (de) * | 2011-02-17 | 2012-08-23 | Conti Temic Microelectronic Gmbh | Kameramodul |
US9276030B2 (en) * | 2013-03-15 | 2016-03-01 | Sensors Unlimited, Inc. | Read out integrated circuit input/output routing on permanent carrier |
US9000344B2 (en) * | 2013-03-15 | 2015-04-07 | Sensors Unlimited, Inc. | Focal plane array periphery through-vias for read out integrated circuit |
JP6299406B2 (ja) * | 2013-12-19 | 2018-03-28 | ソニー株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び電子機器 |
US9899442B2 (en) | 2014-12-11 | 2018-02-20 | Invensas Corporation | Image sensor device |
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US20160336370A1 (en) * | 2015-05-11 | 2016-11-17 | Sensors Unlimited, Inc. | Focal plane arrays with backside contacts |
EP3125008A1 (en) * | 2015-07-29 | 2017-02-01 | CCS Technology Inc. | Method to manufacture optoelectronic modules |
CN106611715A (zh) * | 2015-10-21 | 2017-05-03 | 精材科技股份有限公司 | 晶片封装体及其制造方法 |
US20170256576A1 (en) * | 2016-03-02 | 2017-09-07 | Semiconductor Components Industries, Llc | High reliability housing for a semiconductor package |
JP6586036B2 (ja) * | 2016-03-15 | 2019-10-02 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US10204893B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-02-12 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Stacked dies and methods for forming bonded structures |
US10466501B2 (en) * | 2016-05-26 | 2019-11-05 | Ams Sensors Singapore Pte. Ltd. | Optoelectronic modules including an optical system tilted with respect to a focal plane |
CN109314122B (zh) * | 2016-06-20 | 2023-06-16 | 索尼公司 | 半导体芯片封装件 |
EP3267484B1 (en) * | 2016-07-04 | 2021-09-01 | ams International AG | Sensor chip stack and method of producing a sensor chip stack |
CN108206195B (zh) * | 2016-12-20 | 2020-08-25 | 精材科技股份有限公司 | 半导体结构的制作方法 |
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US10418396B1 (en) * | 2018-04-03 | 2019-09-17 | Semiconductor Components Industries, Llc | Stacked image sensor package |
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CN111866321B (zh) * | 2019-04-30 | 2022-03-29 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | 摄像模组及其感光组件、电子设备和减少杂散光的方法 |
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US11373967B2 (en) * | 2019-11-14 | 2022-06-28 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device package and method for packaging the same |
US11742314B2 (en) | 2020-03-31 | 2023-08-29 | Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. | Reliable hybrid bonded apparatus |
KR102396490B1 (ko) * | 2020-05-08 | 2022-05-10 | (주)에이피텍 | 반도체 칩을 포함하는 카메라 패키징 장치 |
CN111580297A (zh) * | 2020-06-30 | 2020-08-25 | 北京小米移动软件有限公司 | 显示模组和显示模组的制作方法 |
US11631647B2 (en) | 2020-06-30 | 2023-04-18 | Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. | Integrated device packages with integrated device die and dummy element |
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KR20220051470A (ko) * | 2020-10-19 | 2022-04-26 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 및 이의 제조 방법 |
US11843022B2 (en) * | 2020-12-03 | 2023-12-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | X-ray imaging panel and method of manufacturing X-ray imaging panel |
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AU2003219459A1 (en) * | 2002-05-30 | 2003-12-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electronic imaging device |
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