JP4151196B2

JP4151196B2 - 回転磁気ヘッド装置および回転磁気ヘッド装置の磁気抵抗素子ヘッドの抵抗値測定方法

Info

Publication number: JP4151196B2
Application number: JP2000127675A
Authority: JP
Inventors: 芳紀高井; 典稔江口; 潔栗原
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2000-04-24
Filing date: 2000-04-24
Publication date: 2008-09-17
Anticipated expiration: 2020-04-24
Also published as: JP2001307301A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、テープ状の情報記録媒体の情報を再生する回転磁気ヘッド装置および回転磁気ヘッド装置の磁気抵抗素子ヘッドの抵抗値測定方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
磁気テープに対して情報を記録したり磁気テープの情報を再生するような装置としては、ビデオテープレコーダやテープストリーマ等がある。このような種類の情報記録装置は、磁気テープに対して信号を記録したり、磁気テープの信号を再生するために回転磁気ドラム装置を備えている。
回転磁気ドラム装置は、回転磁気ヘッド装置などともいい、回転ドラムと固定ドラムを有し、たとえば回転ドラムは記録ヘッドと再生ヘッドを有している。記録ヘッドは磁気テープに対して信号を記録するヘッドで、再生ヘッドは磁気テープに記録されている信号を再生するのに用いられる。
【０００３】
回転ドラムはこれらの記録ヘッド及び再生ヘッドを保持し、固定ドラムに対してモータの作動により回転することで、記録ヘッドあるいは再生ヘッドを磁気テープに対して、例えばヘリカルスキャン方式で走査して、磁気テープに対して情報を記録したり磁気テープの情報を再生することができる。このようなヘリカルスキャン方式を採用することにより、磁気テープに対して信号の高密度記録が可能である。
【０００４】
この種の回転磁気ドラム装置の再生ヘッドとしては、磁気抵抗素子ヘッド（ＭＲヘッド）が採用されている。
再生用の磁気抵抗素子ヘッドは、再生信号を得る場合には常時バイアス電流を必要とし、磁気抵抗素子ヘッドは、磁界が変化すると抵抗の変化を起こすヘッドであり、信号磁界（入力信号）の変化を抵抗変化に変換して再生出力信号の変化として取り出すことができる。磁気抵抗素子ヘッドは、磁気テープの速度に依存せずに高い安定した再生出力信号を得ることから再生ヘッドとしては有効である。
【０００５】
磁気抵抗素子ヘッドは、上述したようにテープ状の情報記録媒体（メディア）に記録された磁気信号の磁気変化量を抵抗変化量として検出する。磁気抵抗素子ヘッドの抵抗値は、磁気抵抗素子ヘッドの膜厚（ＭＲ膜厚ともいう）と密接に関係し、抵抗値と膜厚は反比例の関係にある。
磁気抵抗素子ヘッドの抵抗値を最適にするためには、製造段階での磁気抵抗素子ヘッドの表面研摩量を厳密に管理する必要がある。
図１１は、従来行われている磁気抵抗素子ヘッドの研摩工程を示している。図１１（ａ）に示す磁気抵抗素子ヘッド１０００は、磁気抵抗素子ヘッドの製造プロセスで作られたものである。このように製造プロセスで作られた磁気抵抗素子ヘッド１０００は、図１１（ｂ）に示すようにＭＲ膜１００１が研摩材１００２によりある程度研摩される。
【０００６】
磁気抵抗素子ヘッド１０００のＭＲ膜厚とＤＣ抵抗値（直流抵抗値）の関係は、図１２に示すような反比例の関係がある。このことから、ＭＲ膜１００１の研摩量の目安として、磁気抵抗素子ヘッドの電極端子のＤＣ抵抗値を測りながらＭＲ膜１００１の研摩を行う。ＭＲ膜１００１は、図１２の領域Ａで示すように、ある程度の膜厚のある時にはあまりＤＣ抵抗値が変化しない。しかしある膜厚の値Ｅよりも小さくなると、ＤＣ抵抗値は急激に大きくなる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
以上のことから、図１２の領域Ａでは、抵抗値の変化を検出することが難しく、正確な膜厚の管理をすることが困難である。そのために、膜厚を測定して管理できるようにするために、膜厚が図１２に示すある膜厚の値Ｅになるまでは、図１１（ｂ）で示すように研摩材１００２を用いてＭＲ膜１００１を研摩する。膜厚が図１２のある膜厚の値Ｅよりも小さくなったところで、図１１（ｃ）に示すように、回転ドラム１０１０に対して磁気抵抗素子ヘッド１０００を取り付けた後に、回転ドラム１０１０を実際のたとえばビデオテープレコーダに搭載する。そして、カセット１０３０の研摩用テープ１０２０をＦ方向に走行させながら、回転ドラム１０１０を連続回転させることにより、磁気抵抗素子ヘッド１０００の表面を研摩する。実際のビデオテープレコーダにおける磁気抵抗素子ヘッドのいわゆるあたりのばらつきを吸収する。このような研摩用テープ１０２０による研摩により、ＭＲ膜厚がさらに薄くなり、図１２の領域Ｂのいずれかの膜厚になる。
【０００８】
しかしこのような従来の研摩方法では、次のような問題がある。回転ドラム１０１０とともに磁気抵抗素子ヘッド１０００を実際の機械であるビデオテープレコーダに搭載してしまうと、作業者は磁気抵抗素子ヘッド１０００の実際のＤＣ抵抗値（ＭＲ抵抗値とも呼ぶ）を直接測定することができないために、研摩用テープ１０２０で研摩した磁気抵抗素子ヘッド１０００のＤＣ抵抗値が不明であり、最適な抵抗値に設定することは全くできない。
【０００９】
また磁気抵抗素子ヘッド１０００のＭＲ膜１００１の研摩量は、研摩用テープ１０２０の走行時間等からの推測でしか管理できないために、いわゆるあたりやＭＲ膜厚に依存する耐久時間のばらつきが、搭載した実機毎に異なってしまうので、磁気抵抗素子ヘッドのＤＣ抵抗値の管理、すなわち磁気抵抗素子ヘッドのＭＲ膜厚の管理ができない。そこで本発明は上記課題を解消し、磁気抵抗素子ヘッドの膜厚の管理を簡単にかつ確実に行うことができる回転磁気ヘッド装置および回転磁気ヘッド装置の磁気抵抗素子ヘッドの抵抗値測定方法を提供することを目的としている。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明の回転磁気ヘッド装置は、テープ状の情報記録媒体の情報を再生する回転磁気ヘッド装置であって、固定体と、この固定体に対して回転してこの情報を再生するための磁気抵抗素子ヘッドを有する回転体と、を備え、この回転体は、この磁気抵抗素子ヘッドの抵抗値を測定する抵抗値測定部と、この抵抗値測定部で得られたこの磁気抵抗素子ヘッドの抵抗値をデータとしてこの回転体の外部に伝送するための変換部と、を有し、この磁気抵抗素子ヘッドの抵抗値を、磁気抵抗素子ヘッドの製造段階で、この回転磁気ヘッド装置が電子機器に搭載された状態で、この磁気抵抗素子ヘッドを研摩してその研摩量を管理する際にデータとして伝送するものである。
本発明では、磁気抵抗素子ヘッドの抵抗値を、磁気抵抗素子ヘッドの製造段階において、回転磁気ヘッド装置が電子機器に搭載された状態でかつ磁気抵抗素子ヘッドを研摩してその研摩量を管理する際にデータとして伝送する。これにより回転磁気ヘッド装置を実際の電子機器に搭載した状態で、リアルタイムで磁気抵抗素子ヘッドの抵抗値、すなわち磁気抵抗素子ヘッドの膜厚の値を研摩しながら正確に知ることができる。
【００１９】
本発明の回転磁気ヘッド装置の磁気抵抗素子ヘッドの抵抗値測定方法は、回転体が固定体に対して回転することで、この回転体の磁気抵抗素子ヘッドがテープ状の情報記録媒体の情報を再生するようになっている回転磁気ヘッド装置における、この磁気抵抗素子ヘッドの抵抗値を測定する測定方法であり、この回転磁気ヘッド装置が電子機器に搭載された状態で、この回転体のこの磁気抵抗素子ヘッドの抵抗値を抵抗値測定部により測定する測定ステップと、この抵抗値測定部で得られたこの磁気抵抗素子ヘッドの抵抗値をデータとしてこの回転体の外部に伝送するデータ伝送ステップと、を有し、この磁気抵抗素子ヘッドの抵抗値を、磁気抵抗素子ヘッドの製造段階で、この回転磁気ヘッド装置が電子機器に搭載された状態で、この磁気抵抗素子ヘッドを研摩してその研摩量を管理する際にデータとして伝送するものである。
本発明では、磁気抵抗素子ヘッドの抵抗値を、磁気抵抗素子ヘッドの製造段階において、回転磁気ヘッド装置が電子機器に搭載された状態でかつ磁気抵抗素子ヘッドを研摩してその研摩量を管理する際にデータとして伝送する。これにより回転磁気ヘッド装置を実際の電子機器に搭載した状態で、リアルタイムで磁気抵抗素子ヘッドの抵抗値、すなわち磁気抵抗素子ヘッドの膜厚の値を研摩しながら正確に知ることができる。
【００２０】
請求項３の発明は、請求項２に記載の回転磁気ヘッド装置の磁気抵抗素子ヘッドの抵抗値測定方法において、前記磁気抵抗素子ヘッドを研摩するのは、前記電子機器において走行される研摩用のテープ体である。請求項３では、電子機器において走行される研摩用のテープ体により磁気抵抗素子ヘッドを研摩する。
【００２１】
請求項４の発明は、請求項３に記載の回転磁気ヘッド装置の磁気抵抗素子ヘッドの抵抗値測定方法において、前記磁気抵抗素子ヘッドの前記抵抗値が目標設定値に近づくにつれて前記回転体の回転数を下げる。請求項４では、磁気抵抗素子ヘッドの抵抗値が目標設定値に近づくにつれて回転体の回転数を下げていく。これにより、磁気抵抗素子ヘッドの研摩量を徐々に減らしていくことができるので、抵抗値は目標設定値に容易に設定することができる。
【００２２】
請求項５の発明は、請求項３に記載の回転磁気ヘッド装置の磁気抵抗素子ヘッドの抵抗値測定方法において、前記磁気抵抗素子ヘッドの前記抵抗値が目標設定値に近づくにつれて前記研摩用のテープ体のテープテンションを下げる。請求項５では、抵抗値が目標設定値に近づくにつれて研摩用のテープ体のテープテンションを下げていく。これにより、磁気抵抗素子ヘッドの研摩量を徐々に減らしていくことができるので、抵抗値は目標設定値に容易に設定することができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。
なお、以下に述べる実施の形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。
【００２４】
図１は、本発明の回転磁気ヘッド装置（以下では、回転磁気ドラム装置と称する）の好ましい実施の形態を示している。図２は、図１の回転磁気ドラム装置１０の断面構造例を示している。図１と図２の回転磁気ドラム装置１０は、回転磁気ヘッド装置や回転磁気再生装置あるいは回転磁気記録再生装置等ともいい、たとえばビデオテープレコーダ、データストリーマ、デジタルオーディオシステム等に適用されて、テープ状の情報記録媒体である磁気テープＴＰに対して信号を記録したり、磁気テープＴＰに記録されている信号を再生するのに用いられる。回転磁気ドラム装置１０は、この磁気テープＴＰに記録されている信号を再生するために、磁気抵抗素子ヘッド（ＭＲヘッド）２０を有している。この磁気抵抗素子ヘッド２０の他に、磁気テープＴＰに対して信号を記録する記録ヘッド等も有しているが、図示を省略している。
【００２５】
回転磁気ドラム装置１０は、固定ドラム１、回転ドラム２、ロータリトランス３、およびモータＭを有している。
磁気抵抗素子ヘッド２０および図示しない記録ヘッドは、回転ドラム２に搭載されている。
固定ドラム１は固定体であり、回転ドラム２は回転体である。回転ドラム２は上ドラムともいい、固定ドラム１は下ドラムともいう。ロータリトランス３は、たとえばパワーロータリトランスであり、いわゆる非接触型の伝送装置である。図１に示すように、磁気テープＴＰは、テープ走行方向ＩＮ（入口側）から入り、固定ドラム１のリードガイド部３に沿って案内された後に、テープ走行方向ＯＵＴに沿って出ていくようになっている。
【００２６】
まず固定ドラム１について説明する。図２に示す固定ドラム１は、本体１Ａとステータコア３Ａおよび円筒部３０を有している。円筒部３０の中には２組の軸受３２，３４が設けられている。軸受３２，３４の間にはスプリング３６が配置されている。軸受３２，３４のボール３２Ａ，３４Ａは、軸３８を回転可能に支持している。このスプリング３６が軸受３２，３４の間に設けられているのは、ボール３２Ａ，３４Ａを、軸３８の溝３８Ａ，３８Ｂに押し付けることにより、軸３８を安定して回転させるためである。固定ドラム１の内底面には、ロータリトランス３のステータコア３Ａが固定されている。
【００２７】
次に、回転ドラム２について説明する。
図２に示す回転ドラム２は、本体２Ａ、回路基板４０、ヘッド２０等を有している。
回転ドラム２の本体２Ａは、固定ドラム１の本体１Ａと同様に、たとえばアルミニウム等の材質で作られている。
ヘッド２０は、再生ヘッドであり、回転ドラム２に対して所定角度をおいて、１つまたは複数個配置されている。
ヘッド２０は、磁気抵抗素子型の再生ヘッド（ＭＲヘッド）を採用することができる。
【００２８】
この再生用の磁気抵抗素子ヘッドは、再生信号を得る場合には常時バイアス電流を必要とし、磁気抵抗素子ヘッドは、磁界が変化すると抵抗の変化を起こすヘッドであり、信号磁界（入力信号）の変化を抵抗変化に変換して再生出力信号の変化として取り出すことができる。磁気抵抗素子ヘッドは、磁気テープの速度に依存せずに高い安定した再生出力信号を得ることから再生ヘッドとしては有効である。
【００２９】
回転ドラム２の本体２Ａの上部には、回路基板４０が固定されている。本体２Ａの下部には、ロータリトランス３のロータコア３Ｂが固定されている。ロータコア３Ｂは、ステータコア３Ａに対して所定の隙間をおいて対向して配置されている。
回転ドラム２は、軸３２の上部にたとえば圧入により固定されている。
【００３０】
次に、モータＭについて説明する。モータＭは、ロータ７０とステータ８０を有している。ロータ７０のハウジング７１は、取付部７２により保持されている。ハウジング７１はリング状もしくは円盤状であり、ハウジング７１の内側には、リング状のマグネット７３が固定されている。このマグネット７３は、Ｓ極とＮ極が交互に多極着磁されたものである。取付部７２は、軸３８の下部に圧入により固定されている。
【００３１】
ステータ８０は、ステータ基板８２とコイル８４および鉄芯８６を有している。
ステータ基板８２を通じて、コイル８４に所定のパターンで通電することにより、ロータ７０の駆動用のマグネット７３と、コイル８４との磁気的作用により、ロータ７０はステータ８０に対して連続回転する。ロータ７０が連続回転することにより、軸３８を介して、回転ドラム２が、固定ドラム１に対して軸３８を中心として連続回転するようになっている。
回転ドラム２が連続回転すると、記録用のヘッドは、図１に示すように斜めに送られている磁気テープＴＰに対してヘリカルスキャン方式で磁気テープＴＰに対して情報を記録する。磁気素子ヘッドであれば、ヘッド２０は磁気テープＴＰに記録されている情報を再生することができる。
【００３２】
次に、図２のロータリトランス３について説明する。
ロータリトランス３は、非接触型の伝送装置である。
ロータリトランス３のステータコア３Ａは、上述したように固定ドラム１側に固定されており、ロータコア３Ｂは、回転ドラム２側に固定されている。図２の実施の形態では、ステータコア３Ａとロータコア３Ｂは、リング状でかつ円盤状のコアであり、たとえばフェライトのような透磁性の材料により作られている。ステータコア３Ａとロータコア３Ｂは、信号を非接触で磁気的な誘導により伝送する非接触型のトランスである。
【００３３】
磁気抵抗素子ヘッド２０は、磁気テープＴＰに記録された情報である磁気信号の磁界変化量を抵抗変化量に検出するものである。磁気抵抗素子ヘッドのＤＣ抵抗値（直流抵抗値）は、磁気抵抗素子ヘッドのＭＲ膜厚（磁気抵抗膜厚）と密接な関係、すなわち反比例の関係にある。この磁気抵抗素子ヘッドの抵抗値と、ＭＲ膜厚の関係は、図８に示している。図８において、ＭＲ膜厚が、たとえば４〜８μｍよりも大きいと、領域Ａで示すようにたとえば磁気抵抗素子ヘッドのＤＣ抵抗値（オーム）は、たとえば４０オームよりも小さく、ほぼ一定値である。
これに対してＭＲ膜厚が４〜８μｍよりも小さい領域Ｂでは、ＭＲ膜厚が小さくなっていくと、磁気抵抗素子ヘッドのＤＣ抵抗値は急激に大きくなっていくという特徴がある。
【００３４】
このようなことから磁気抵抗素子ヘッドの抵抗値を最適な抵抗値にするには、ヘッド表面研摩量を厳密に管理する必要がある。
磁気抵抗素子ヘッド（ＭＲヘッド）２０は、異方性磁気抵抗（ＡＭＲ：ＡｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃＭａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）効果を利用した再生専用ヘッドである。磁気抵抗素子ヘッドは、テープ状の情報記録媒体である磁気テープＴＰからの磁界により抵抗が変化する。磁気抵抗素子ヘッドに対してセンス電流（バイアス電流とも呼ぶ）を流すことにより、再生電圧を取り出す構造である。これにより磁気抵抗素子ヘッド２０は、磁気テープＴＰの速度に依存せずに高い安定した再生出力信号を得ることができる。
【００３５】
図３は、回転ドラム２に搭載されている回路例と、固定ドラム１に搭載されている回路例を示している。
回転ドラム２は、磁気抵抗素子ヘッド２０にバイアス電流を与えるバイアス電流回路１００と、周波数変換部１５０等を搭載している。固定ドラム１はアンプ１６０を搭載している。
磁気抵抗素子ヘッド２０のバイアス電流回路１００は、磁気抵抗素子ヘッド２０のＤＣ抵抗値の検出回路を兼ねている。ＤＣ抵抗値の抵抗値測定部に相当する。
【００３６】
磁気抵抗素子ヘッド２０のバイアス電流回路１００と周波数変換部１５０は、たとえば図２に示す回路基板４０に搭載されている。バイアス電流回路１００は、バイアス電流源１７０と、磁気抵抗素子ヘッド２０の等価回路である可変抵抗器１７５を有している。可変抵抗器１７５はバイアス電流源１７０からバイアス電流が供給される。可変抵抗器１７５の一端部は端子１７１に接続されている。可変抵抗器１７５の他端部はコンデンサ１７８を介してヘッドアンプ１８０に接続されている。もう１つの端子１７２はコンデンサ１７６を介してヘッドアンプ１８０に接続されている。さらに別の端子１７３と、上述した端子１７１，１７２は、切換スイッチＳＷ１を構成している。
ヘッドアンプ１８０の出力側はロータリトランス３のロータコア３Ｂの巻線３Ｍに接続されている。
【００３７】
切換スイッチＳＷ１の端子１７３とヘッドアンプ１８０の出力側の間には周波数変換部（変換部に相当）１５０が設けられている。端子１７３はアンプ１８２を介してＶ／Ｆ変換器１８４に接続されている。Ｖ／Ｆ変換器１８４は、アンプ１８２から出力される出力電圧Ｖの大きさを周波数に変換するものである。
Ｖ／Ｆ変換器１８４の出力側は、ヘッドアンプ１８０の出力側にそれぞれ接続されている。
固定ドラム１のステータコア３Ａの巻線３Ｎは、アンプ１６０の入力側に接続されている。アンプ１６０の出力側は固定ドラム１の外部に設けられたモニター装置１９０に接続されている。このモニター装置１９０により作業者がＤＣ抵抗値をモニターするための装置である。
【００３８】
磁気抵抗素子ヘッドのバイアス電流回路１００のバイアス電流源１７０からバイアス電流が可変抵抗器１７５に送られると、可変抵抗器１７５すなわち磁気抵抗素子ヘッド２０は、再生出力信号をヘッドアンプ１８０を介してロータリトランス３のロータコア３Ｂの巻線３Ｍに出力する。これによりステータコア３Ａの巻線３Ｎには再生出力信号が非接触で伝達されることから、アンプ１６０はこの再生出力信号をモニター装置１９０に送ることができる。この場合には、切換スイッチＳＷ１の端子１７１と端子１７２が電気的に接続されており、端子１７３は開放状態である。
【００３９】
一方、ＤＣ抵抗値をモニター装置１９０でモニターするためにバイアス電流回路１００がＤＣ抵抗値の検出回路として機能する場合には、切換スイッチＳＷ１の端子１７１と端子１７３が電気的に接続され、端子１７２は開放された状態である。この状態では、可変抵抗器１７５、すなわち磁気抵抗素子ヘッド２０の出力電圧は、アンプ１８２により増幅されて出力電圧Ｖとなる。この出力電圧Ｖは、Ｖ／Ｆ変換器１８４により電圧／周波数変換される。
変換で得られる出力周波数Ｆは、ロータコア３Ｂの巻線３Ｍに供給される。出力周波数Ｆは、ロータリトランス３のロータコア３Ｂの巻線３Ｍとステータコア３Ａの巻線３Ｎの間で非接触で伝送されてアンプ１６０に送られる。アンプ１６０は送られてきた出力周波数Ｆを増幅して、この出力周波数Ｆはモニター用のモニター装置１９０に送られるようになっている。
【００４０】
次に、回転磁気ドラム装置の磁気抵抗素子ヘッドの抵抗値測定方法について説明する。
図６の測定ステップのステップＳＴ１において、図５（Ｂ）に示すように、回転磁気ドラム装置１０は、測定の最初から実機であるたとえばビデオテープレコーダに組み込んで搭載される。回転磁気ドラム装置１０の回転ドラム２には磁気抵抗素子ヘッド２０が搭載されている。研摩用のテープ体である研摩用のテープＴは、研摩用のテープのカセットＣから繰り出されており、研摩用のテープＴは２本のテンションガイド２００により案内されることで、研摩用のテープＴは回転ドラム２の周囲面に接している。この研摩用のテープＴは、回転ドラム２の磁気抵抗素子ヘッド２０のＭＲ膜を研摩するためのテープであり、たとえば酸化クロム系（Ｃｒ₂Ｏ₃）、酸化鉄系（Ｆｅ₂Ｏ₃）あるいはダイヤモンド砥粒を含んだテープ等を採用することができる。
【００４１】
次に、図６の測定ステップのステップＳＴ２において、図３の周波数変換部１５０の切換スイッチＳＷ１の端子１７１が端子１７３と電気的に接続される。これにより、磁気抵抗素子ヘッド２０に相当する可変抵抗器１７５の出力電圧がアンプ１８２により増幅されて出力電圧Ｖとなる。この出力電圧Ｖの大きさはＶ／Ｆ変換器１８４により出力周波数Ｆに変換される。出力周波数Ｆは、ロータリトランス３のロータコア３Ｂの巻線３Ｍに供給される。
【００４２】
図４は、磁気抵抗素子ヘッドのＤＣ抵抗値Ｒと、図３の出力電圧Ｖおよび出力周波数Ｆ（モニター用の出力周波数Ｆ）の関係例を示している。
図４（Ａ）で示す磁気抵抗素子ヘッドのＤＣ抵抗値Ｒと、出力電圧Ｖは、研摩時間が経過するとほぼ同じように増大していく関係を有している。図４（Ｂ）の出力電圧Ｖに対応して、図４（Ｃ）に示すように出力周波数Ｆ（モニター用の出力周波数Ｆ）の周波数が変化する。すなわち出力電圧Ｖの値が小さいと、出力周波数Ｆの周波数は低いが、出力電圧Ｖが大きくなっていくと、出力周波数Ｆの周波数はそれに対応して高くなっていく。出力電圧Ｖは研摩時間が経過すると増大し、出力周波数Ｆも高くなってゆく。
【００４３】
図５（Ａ）は、モニター用の出力周波数Ｆの周波数の変化の関係を示している。
図５の研摩用のテープＴがＪ方向に走行することにより、所定のテープテンションで研摩用のテープＴが磁気抵抗素子ヘッド２０のＭＲ膜を研摩していく。図８に示すように、磁気抵抗素子ヘッドのＭＲ膜厚がたとえば４〜８μｍよりも小さくなると急激にＭＲ抵抗値が増加する。図３のアンプ１８２から得られる出力電圧Ｖは、磁気抵抗素子ヘッド２０のヘッド表面のＭＲ膜の研摩が進むにつれて、その電圧が高くなる。
【００４４】
磁気抵抗素子ヘッド２０のＭＲ膜の研摩があまりされていない段階すなわち研摩時間がさほど経過していない段階では、図４（Ｂ）および（Ｃ）に示すように、出力電圧Ｖが低く出力周波数Ｆまたはモニター用の出力周波数Ｆの周波数は低い。
しかし磁気抵抗素子ヘッド２０のＭＲ膜が研摩されて薄くなっていくに従い、図４（Ｂ）と（Ｃ）に示すように出力電圧Ｖは高くなり出力周波数Ｆは高くなる。
【００４５】
次に図６のデータ伝送ステップＳＴ３に移り、このような図４（Ｃ）の出力周波数Ｆの変化は、図３のロータリトランス３を介して非接触で回転ドラム２から固定ドラム１側に伝送する。これにより作業者はモニター用の出力周波数Ｆをモニター装置１９０により観測することができる。
【００４６】
図３と図４（Ｃ）のモニター用の出力周波数Ｆと図５（Ａ）のモニター用の出力周波数Ｆが、所定の目標設定値に達すると、図５に示す研摩用のテープＴを用いた磁気抵抗素子ヘッド２０のＭＲ膜の研摩を終了する。
その後図３の切換スイッチＳＷ１の端子１７１は端子１７２側に電気的に接続され、端子１７３は開放状態になる。この状態にしてから、回転磁気ドラム装置１０を備える電子機器であるたとえばビデオテープレコーダを出荷することになる。
【００４７】
このように、本発明の実施の形態では、磁気抵抗素子ヘッドのＤＣ抵抗値を測定して、ＤＣ抵抗値Ｒは非接触の伝送回路であるロータリトランスを通じて回転ドラム側から固定ドラム側に伝送することにより、回転ドラム２を回転させながら研摩用のテープＴにより磁気抵抗素子ヘッド２０のＭＲ膜を研摩する作業中に、磁気抵抗素子ヘッドのＤＣ抵抗値を管理しながら磁気抵抗素子ヘッドのＭＲ膜厚の管理を容易かつ確実に行うことができる。
【００４８】
図７は、本発明の磁気抵抗素子ヘッドの抵抗値測定方法の別の実施の形態を示している。
図７の実施の形態は、上述した図１〜図５の実施の形態とほぼ同様であるが、次の点で異なる。図３のモニター装置１９０がモニター用の出力周波数Ｆをモニターしている状態で、図５の回転ドラム２の回転速度ＳＰの値と、２本のテンションガイド２１０によるテープテンションＴＴの値を変化させる。このように回転ドラム２の回転速度ＳＰとテープテンションＴＴを変化させることにより、磁気抵抗素子ヘッドのＭＲ膜の厚みの研摩精度を上げることが可能である。
【００４９】
磁気抵抗素子ヘッド２０のＭＲ膜の研摩量と研摩時間は、研摩用のテープＴが同じものであるとすると、回転ドラム２の回転速度ＳＰとテープテンションＴＴに大きく依存する。テープテンションＴＴは、磁気抵抗素子ヘッド２０に対して研摩用のテープＴが押し付けられる強さである。
図７では、縦軸に周波数をとり、横軸に研摩時間（研摩量）をとっており、図７ではモニター用の出力周波数Ｆと、テープテンションＴＴおよび回転ドラム２の回転速度ＳＰの関係例を示している。
【００５０】
モニター用の出力周波数Ｆが、ある周波数Ｆａ（Ｈｚ）に研摩時間Ａにおいて達すると、回転ドラム２の回転速度ＳＰを遅くして、時間当たりの研摩量を少なくすることにより、磁気抵抗素子ヘッドのＭＲ膜の研摩量の正確なコントロールを行う。
さらに図７においてモニター用の出力周波数Ｆが、研摩時間Ｂにおいてある周波数Ｆｂ（Ｈｚ）に達して目標のＭＲ膜の厚みに近づくと、図５においてテープテンションガイド２１０を弱める方向Ｘ１方向に移動することによりテープテンションＴＴを下げる。これにより磁気抵抗素子ヘッド２０のＭＲ膜の時間当たりの研摩量の正確なコントロールを行うことができる。
そして研摩時間Ｃに達すると、研摩用のテープＴの排出を行い回転ドラム２の回転を停止して、磁気抵抗素子ヘッド２０のＭＲ膜の研摩を終了する。
このようにすることで、作業者はモニター用の出力周波数Ｆを図３のモニター装置１９０で観測しながら、回転ドラムの回転速度ＳＰとテープテンションＴＴを別々に下げていくことで、回転磁気ドラム装置１０を実際の機械であるビデオテープレコーダに搭載しているにもかかわらず、従来とは異なり目標のＭＲ膜をリアルタイムで確実かつ容易に得ることができる。
【００５１】
次に、図９と図１０を参照して、本発明の別の実施の形態について説明する。図９の実施の形態では、回転ドラム２側には変換部３５０が設けられている。この変換部３５０は、発光部３４０とアンプ３８２を有している。アンプ３８２からの出力電圧３３０は発光部３４０に供給される。この発光部３４０は、出力電圧３３０の大きさに応じた光強度を発生するたとえばＬＥＤ（発光ダイオード）あるいはＬＤ（レーザダイオード）等である。
【００５２】
一方、固定ドラム１には、受光部３６０とＩ／Ｖ変換器３７０およびアンプ３８０を有している。受光部３６０は、たとえばフォトダイオードを用いることができる。
発光部３４０と受光部３６０は、図３の実施の形態におけるロータリトランスによる非接触伝送に代えて使用される光空間伝送装置４００を構成している。発光部３４０が発生する光Ｌは、受光部３６０で受光すると受光部３６０は出力電流Ｉ１を生じる。その出力電流はＩ／Ｖ変換器３７０により電流／電圧変換が行われ、Ｉ／Ｖ変換器３７０から出力される出力電圧Ｖ２は、アンプ３８０により増幅されて、ＭＲ抵抗値に対応したモニター用の出力電圧Ｖ３になり、このモニター用の出力電圧Ｖ３はモニター装置１９０によりモニターすることができる。
【００５３】
図９の実施の形態では、磁気抵抗素子ヘッド２０に相当する可変抵抗器１７５の再生出力信号は、ヘッドアンプ１８０によりロータリトランス３のロータコア３Ｂの巻線３Ｍに供給できる。この場合には切換スイッチＳＷ１の端子１７１と端子１７２が電気的に接続され、端子１７３は開放されている。
ロータコア３Ｂの巻線３Ｍに供給された可変抵抗器１７５の出力電圧は、ステータコア３Ａの巻線３Ｎに電磁的誘導により非接触で送られて、アンプ４６０により増幅されることにより、磁気抵抗素子ヘッドの再生信号を得ることができる。
可変抵抗器１７５のＤＣ抵抗値を測定する場合には、切換スイッチＳＷ１の端子１７１が端子１７３に接続されて端子１７２は開放された状態になる。これにより可変抵抗器１７５から出力される電圧はアンプ３８２により増幅されて出力電圧３３０となり、この出力電圧３３０は発光部３４０に送られる。
【００５４】
図１０は、磁気抵抗素子ヘッドのＤＣ抵抗値Ｒと、出力電圧３３０、発光部３４０の光強度４５０およびモニター用の出力電圧Ｖ３の関係例を示している。
これらのＤＣ抵抗値Ｒ、出力電圧３３０、光強度４５０およびモニター用の出力電圧Ｖ３の関係は、研摩時間が経過するのに従って増大する関係にある。
このことから、モニター装置１９０はモニター用の出力電圧Ｖ３をモニターすることにより、磁気抵抗素子ヘッドのＤＣ抵抗値Ｒ、すなわち磁気抵抗素子ヘッドのＭＲ膜の厚みのチェックを簡単かつ確実に行うことができる。
【００５５】
図３においては、磁気抵抗素子ヘッドのＤＣ抵抗値を周波数に変換して電磁的な誘導により非接触型で伝送している。しかし図９の実施の形態では磁気抵抗素子ヘッドのＤＣ抵抗値は周波数ではなく光空間伝送装置４００により光により伝送している。
その他に光空間伝送装置に代えて、他の形式の非接触の伝送形式を採用することも勿論可能である。
【００５６】
本発明では、回転磁気ドラム装置の磁気抵抗素子ヘッドの膜厚が、実機搭載後のＭＲ抵抗値の正確な測定により検出可能となり、膜厚測定において信頼性が向上する。
ＭＲ膜厚の必要最小限の研摩が可能となることで、ヘッド摩耗による耐久時間の向上が図れる。
製品出荷後ユーザによる抵抗値の測定が行えるので、ユーザによるメンテナンスタイミングの推測が可能となる。
【００５７】
実際の電子機器に回転磁気ドラム装置を実装した後にヘッド表面の研摩を行う際に、ヘッドの抵抗値がリアルタイムで計測できることにより、ヘッドの磁気テープに対するあたりの確保が図れ、最適なＭＲ膜厚の管理が行える。製品出荷前検査等で、ＭＲ抵抗値を測定することで、ＭＲヘッドのバイアス電流を自動調整することもできる。
【００５８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、磁気抵抗素子ヘッドの膜厚の管理を簡単にかつ確実に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の回転磁気ドラム装置の好ましい実施の形態を示す斜視図。
【図２】図１の回転磁気ドラム装置の断面構造例を示す図。
【図３】回転ドラムと固定ドラムにおける回路例を示す図。
【図４】磁気抵抗素子ヘッドのＤＣ抵抗値、出力電圧および出力周波数、モニター用の出力周波数の関係例を示す図。
【図５】モニター用の出力周波数と、研摩用のテープにより磁気抵抗素子ヘッドの表面を研摩する様子の例を示す図。
【図６】本発明の回転磁気ドラム装置の磁気抵抗素子ヘッドの抵抗値測定方法の例を示す図。
【図７】モニター用の出力周波数、テープテンション、および回転ドラムの回転速度の関係の例を示す図。
【図８】ＤＣ抵抗値とＭＲ膜厚の関係例を示す図。
【図９】本発明の回転磁気ドラム装置の回路例の別の実施の形態を示す図。
【図１０】図９の実施の形態におけるＭＲヘッドのＤＣ抵抗値、出力電圧、発光部の光強度およびモニター用の出力電圧の関係例を示す図。
【図１１】従来の磁気抵抗素子ヘッドの研摩工程を示す図。
【図１２】ＤＣ抵抗値とＭＲ膜厚の関係例を示す図。
【符号の説明】
１・・・固定ドラム（固定体）、２・・・回転ドラム（回転体）、３・・・ロータリトランス（非接触型の伝送装置）、１０・・・回転磁気ドラム装置、２０・・・磁気抵抗素子ヘッド（ＭＲヘッド）、１００・・・磁気抵抗素子ヘッドのバイアス電流回路（ＤＣ抵抗値の検出回路を兼ねる抵抗値測定部）、１５０・・・周波数変換部（変換部）、１７５・・・可変抵抗器（磁気抵抗素子ヘッド２０に相当する等価回路）、２１０・・・テンションガイド、ＳＰ・・・回転ドラムの回転速度、ＳＷ１・・・切換スイッチ、Ｔ・・・研摩用のテープ、ＴＴ・・・テープテンション、ＴＰ・・・磁気テープ（テープ状の情報記録媒体）

Claims

テープ状の情報記録媒体の情報を再生する回転磁気ヘッド装置であって、
固定体と、前記固定体に対して回転して前記情報を再生するための磁気抵抗素子ヘッドを有する回転体と、を備え、
前記回転体は、前記磁気抵抗素子ヘッドの抵抗値を測定する抵抗値測定部と、前記抵抗値測定部で得られた前記磁気抵抗素子ヘッドの抵抗値をデータとして前記回転体の外部に伝送するための変換部と、を有し、
前記磁気抵抗素子ヘッドの抵抗値を、前記磁気抵抗素子ヘッドの製造段階で、前記回転磁気ヘッド装置が電子機器に搭載された状態で、前記磁気抵抗素子ヘッドを研摩してその研摩量を管理する際にデータとして伝送する回転磁気ヘッド装置。
回転体が固定体に対して回転することで、前記回転体の磁気抵抗素子ヘッドがテープ状の情報記録媒体の情報を再生するようになっている回転磁気ヘッド装置における、前記磁気抵抗素子ヘッドの抵抗値を測定する測定方法であり、
前記回転磁気ヘッド装置が電子機器に搭載された状態で、前記回転体の前記磁気抵抗素子ヘッドの抵抗値を抵抗値測定部により測定する測定ステップと、前記抵抗値測定部で得られた前記磁気抵抗素子ヘッドの抵抗値をデータとして前記回転体の外部に伝送するデータ伝送ステップと、を有し、
前記磁気抵抗素子ヘッドの抵抗値を、前記磁気抵抗素子ヘッドの製造段階で、前記回転磁気ヘッド装置が電子機器に搭載された状態で、前記磁気抵抗素子ヘッドを研摩してその研摩量を管理する際にデータとして伝送する回転磁気ヘッド装置の磁気抵抗素子ヘッドの抵抗値測定方法。
前記磁気抵抗素子ヘッドを研摩するのは、前記電子機器において走行される研摩用のテープ体である請求項２に記載の磁気抵抗素子ヘッドの抵抗値測定方法。
前記磁気抵抗素子ヘッドの前記抵抗値が目標設定値に近づくにつれて前記回転体の回転数を下げる請求項３に記載の磁気抵抗素子ヘッドの抵抗値測定方法。
前記磁気抵抗素子ヘッドの前記抵抗値が目標設定値に近づくにつれて前記研摩用のテープ体のテープテンションを下げる請求項３に記載の磁気抵抗素子ヘッドの抵抗値測定方法。