JP4137239B2 - ISFET array - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、例えば溶液中のイオン濃度をFET(電界効果トランジスタ)の中を流れる電流値に変換して測定するISFET(イオン感応性電界効果トランジスタ)を縦横に複数個配置してなるISFETアレイに関する。
【0002】
【従来の技術】
上記ISFETを二次元的に複数個配置し、pHの二次元分布を測定するものとして、例えば、特公平5−33745号公報に示すような水素イオン濃度分布測定装置がある。図3は、この水素イオン濃度分布測定装置におけるISFETアレイの構成を示すもので、このISFETアレイは、例えば9つのISFET31〜39を3行3列に配置し、これらのISFET31〜39を、各行および各列に対応するスイッチ40〜45のスイッチング動作により、それぞれの位置のpH情報を電圧信号として取り出すようにしたもので、例えば、スイッチング素子40,43を閉じる(オンする)ことにより、ISFET31がオンとなり、これによって、ISFET31におけるpH情報が出力端子46に出力される。なお、図3において、47は電流信号を電圧信号として取り出すための抵抗、48はスイッチングゲート電圧電源である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、一般に、ISFETはオンとなって出力が安定するまで多少の時間がかかるといった性質があるが、上記従来のISFETアレイにおいては、スイッチ40〜45をオンまたはオフして、特定のISFETにおけるpH情報を得ようとした場合、そのISFETがオンまたはオフして、その状態が安定せず、このため、その出力信号がスイッチング動作の影響を大きく受け、出力が安定しないという不都合があった。
【0004】
この発明は、上述の事柄に留意してなされたもので、その目的は、スイッチのオン、オフによるいわゆるノイズの影響を可及的に少なくしたISFETアレイを提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、この発明は、基板の表面にISFETを二次元的に複数個配置してなり、前記複数のISFETと接続し単一のISFETからの信号が選択可能な1行、1列のみのスイッチ素子が設けられているISFETアレイであって、全てのISFETに常に電圧を印加し、全てのISFETを常に動作状態にしながら、前記スイッチ素子のスイッチング動作によりISFETからの出力信号を取り出すように構成されている(請求項1)。
また、この発明は別の観点から、ISFETと、このISFETに直列に接続されるスイッチ素子としてのFETとからなる複数の単位センサを基板の表面に二次元的に複数個配置してなるとともに、
前記FETを介して前記複数のISFETと接続し単一のISFETからの信号が選択可能な1行、1列のみのスイッチ素子が前記基板に設けられており、
さらに、全てのISFETに常に電圧を印加し、全てのISFETを常に動作状態にしながら、前記1行、1列のみのスイッチ素子のスイッチング動作によりISFETからの出力信号を取り出すように構成されているISFETアレイであって、
ISFETの第1の電極と前記FETの第2の電極とが直列接続される一方、各ISFETの第2の電極は、電源に共通接続されていることを特徴とするISFETアレイを提供する(請求項2)。
また、この発明はさらに別の観点から、ISFETと、このISFETに直列に接続されるスイッチ素子としてのFETとからなる複数の単位センサを基板の表面に二次元的に複数個配置してなるとともに、
前記FETを介して前記複数のISFETと接続し単一のISFETからの信号が選択可能な1行、1列のみのスイッチ素子が前記基板に設けられており、
さらに、ISFETの第1の電極と前記FETの第2の電極とが直列接続される一方、全てのISFETに常に電圧を印加し、全てのISFETを常に動作状態になるよう各ISFETの第2の電極は、電源に共通接続されており、
全てのISFETを常に動作状態にしながら、前記1行、1列のみのスイッチ素子のスイッチング動作によりISFETからの出力信号を取り出すように構成されているISFETアレイであって、
前記FETは、各行ごとにそのゲート同士が互いに接続され、各行に対応して設けられる前記1行のスイッチ素子の第1の電極に接続され、かつ、前記1行のスイッチ素子のゲートは、垂直走査回路に接続される一方、
前記FETは、各列ごとにその第1の電極同士が互いに接続され、各列に対応して設けられる前記1列のスイッチ素子の第2の電極に接続され、かつ、前記1列のスイッチ素子のゲートは、水平走査回路に接続されており、
さらに、前記各1列のスイッチ素子の第1の電極同士は互いに接続されるとともに、出力端子に接続されていることを特徴とするISFETアレイを提供する(請求項3)。
【0006】
上記構成によれば、ISFET自体はオンオフしてないので、1行、1列のみのスイッチ素子のスイッチング動作によるノイズ影響が大幅に低減される。
【0007】
【発明の実施の形態】
発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。図1は、この発明のISFETアレイ1の構成を概略的に示すもので、このISFETアレイ1は、例えば、溶液中の水素イオン濃度を電流値に変換するISFET2と、このISFET2に直列に接続されるスイッチ素子としてのMOSFET3とからなる複数の単位センサ(画素ともいう)4を例えばシリコン基板5(図2参照)の表面5aに二次元的に配置してなるものである。より詳しくは、各単位センサ4において、ISFET2のドレインとMOSFET3のソースとが接続されている。これらの単位センサ4は、例えば3行3列に二次元的に配列されている。そして、各ISFET2のソースには、電源5によって常にソースドレイン電圧(Vd)が付与されるように構成されている。
【0008】
また、前記MOSFET3は、各行ごとにそのゲート同士が互いに接続され、各行に対応して設けられるスイッチ素子としてのMOSスイッチ6のドレインに接続されている。そして、各MOSスイッチ6のゲートは、垂直走査回路7に接続されている。8はMOSスイッチ6のゲートにスイッチングゲート電圧(Vg)を付与する電源で、その正極は各MOSスイッチ6のソースと接続され、負極は接地されている。
【0009】
さらに、前記MOSFET3は、各列ごとにそのドレイン同士が互いに接続され、各列に対応して設けられるスイッチ素子としてのMOSスイッチ9のソースに接続されている。そして、各MOSスイッチ9のゲートは、水平走査回路10に接続されている。また、各MOSスイッチ9のドレイン同士は互いに接続されるとともに、出力端子11に接続されている。12は電流信号を電圧信号として取り出すための抵抗である。
【0010】
上記構成のISFETアレイ1においては、垂直走査回路7および水平走査回路10によって、1行、1列のみのMOSスイッチ6,9をオンすることにより、装置の交叉している単位センサ4のみから信号電流が出力される。例えば、図1において、1行目と1列目のMOSスイッチ6,9をオンすることにより、左上の単位センサ4からの信号電流を取り出すことができる。この場合、当該単位センサ4を含む全ての単位センサ4におけるISFET2には、電源5によってソースドレイン電圧Vdが印加されており、全てのISFET2は常に動作状態になっている。つまり、ISFET2自体はオンオフしてないので、MOSスイッチ6,9のスイッチング動作によるノイズが殆どなくなり、その影響が大幅に低減される。
【0011】
そして、上記構成のISFETアレイ1においては、ISFET2に直列に接続されるスイッチ3としてMOSスイッチを用いているので、ISFETアレイ1全体の構成が簡単になる。
【0012】
図2は、前記ISFETアレイ1を用いたpH二次元分布測定装置13によってpHの分布を測定する状態を概略的に示す図で、この図において、14は被検体としての寒天である。そして、この寒天14の表面に、ISFETアレイ1が形成された基板5の表面5aが密着している。15は寒天14に挿入される比較電極である。16はISFETアレイ1の出力と比較電極15の出力との差をとる電圧計で、その出力は演算制御部としての画像処理可能なコンピュータ17に入力される。このコンピュータ17は、前記垂直走査回路7および水平走査回路10を制御する機能をも備えていることはいうまでもない。
【0013】
上記、図2に示すpH二次元分布測定装置13においては、コンピュータ17から垂直走査回路7および水平走査回路10に適宜制御信号を送り、MOSスイッチ6,9を順次オンオフ制御することにより、寒天14におけるpHの二次元分布を測定することができる。そして、このとき得られる信号を適宜画像処理することにより、pHの二次元分布画像を得ることができる。この場合、ISFETアレイ1においては、上述したようにスイッチノイズの影響をほとんど受けることがないので、高画質の二次元画像化を行うことができる。
【0014】
この発明は、上述の実施の形態に限られるものではなく、ISFETアレイ1としては、単位センサ4をn×n(nは自然数)配置にしたもののみならず、m×n(mは自然数)であってもよい。
【0015】
そして、ISFET2に直列に接続されているMOSスイッチ3に代えて、オペアンプなどの応用電子回路を用いてもよい。このようにすることにより、個々のISFET2の特性の補正、出力電流の増幅、電流電圧変換などを随時行うことができ、特に、早い段階において増幅することによりS/Nを大きくすることができ、信号精度を向上させることができる。
【0016】
また、ISFET2としては、水素イオン以外の他のイオンに感応するものであってもよいことはいうまでもない。
【0017】
【発明の効果】
この発明のISFETアレイにおいては、ISFETアレイを構成する全てのISFETに常に電圧を印加し、全てのISFETを常に動作状態にしているので、1行、1列のみのスイッチ素子のスイッチング動作によるノイズ影響を受けることがなくなり、精度の高い測定を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明のISFETアレイの構成を概略的に示す図である。
【図2】 前記ISFETアレイを用いたpH二次元分布測定装置の一例を概略的に示す図である。
【図3】 従来のISFETアレイを示す図である。
【符号の説明】
1…ISFETアレイ、2…ISFET、5…基板、5a…基板の表面、6,9…1行、1列のみのスイッチ素子。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an ISFET array in which, for example, a plurality of ISFETs (ion-sensitive field effect transistors) that measure the ion concentration in a solution by converting it into a current value flowing in an FET (field effect transistor) are arranged vertically and horizontally. .
[0002]
[Prior art]
As a device for measuring a two-dimensional pH distribution by arranging a plurality of ISFETs two-dimensionally, for example, there is a hydrogen ion concentration distribution measuring device as shown in Japanese Patent Publication No. 5-33745. FIG. 3 shows the configuration of an ISFET array in this hydrogen ion concentration distribution measuring apparatus. In this ISFET array, for example, nine
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
In general, the ISFET is turned on and takes some time until the output is stabilized. However, in the conventional ISFET array, the
[0004]
The present invention has been made in consideration of the above-described matters, and an object of the present invention is to provide an ISFET array in which the influence of so-called noise caused by switching on and off is minimized.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
To achieve the above object, the present invention is Ri Na by arranging a plurality of ISFET two-dimensionally on the surface of the substrate, connected to the plurality of
In addition, from another viewpoint, the present invention has two or more two-dimensionally arranged unit sensors composed of ISFETs and FETs as switching elements connected in series to the ISFETs on the surface of the substrate,
A switch element of only one row and one column, which is connected to the plurality of ISFETs via the FET and can select a signal from a single ISFET, is provided on the substrate.
Further, the ISFET is configured to take out an output signal from the ISFET by the switching operation of the switching element of only the first row and the first column while constantly applying voltages to all the ISFETs and keeping all the ISFETs in an operating state. An array ,
The ISFET array is characterized in that the first electrode of the ISFET and the second electrode of the FET are connected in series, while the second electrode of each ISFET is commonly connected to a power supply. Item 2).
Further, according to another aspect of the present invention, a plurality of unit sensors each including an ISFET and an FET as a switching element connected in series to the ISFET are two-dimensionally arranged on the surface of the substrate. ,
A switch element of only one row and one column, which is connected to the plurality of ISFETs via the FET and can select a signal from a single ISFET, is provided on the substrate.
Further, the first electrode of the ISFET and the second electrode of the FET are connected in series, while a voltage is always applied to all the ISFETs, and the second electrode of each ISFET is always in an operating state. The electrodes are connected in common to the power supply
An ISFET array configured to take out an output signal from an ISFET by a switching operation of the switching element of only one row and one column while keeping all ISFETs in an operating state,
The FETs have their gates connected to each other in each row, connected to a first electrode of the one row of switch elements provided corresponding to each row, and the gates of the one row of switch elements are vertical. While connected to the scanning circuit,
The FETs have their first electrodes connected to each other in each column, connected to a second electrode of the one column of switch elements provided corresponding to each column, and the one column of switch elements Is connected to the horizontal scanning circuit,
Furthermore, the ISFET array is characterized in that the first electrodes of the switch elements in each row are connected to each other and to the output terminal.
[0006]
According to the above configuration, since the ISFET itself is not turned on and off, the influence of noise due to the switching operation of the switching elements of only one row and one column is greatly reduced.
[0007]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 schematically shows the configuration of an
[0008]
The gates of the
[0009]
Further, the
[0010]
In the
[0011]
In the
[0012]
FIG. 2 is a diagram schematically showing a state in which the pH distribution is measured by the pH two-dimensional
[0013]
In the pH two-dimensional
[0014]
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and the
[0015]
An applied electronic circuit such as an operational amplifier may be used instead of the
[0016]
It goes without saying that the
[0017]
【The invention's effect】
In the ISFET array of the present invention, voltage is always applied to all ISFETs constituting the ISFET array, and all the ISFETs are always in an operating state. Therefore, the noise influence due to the switching operation of the switching elements of only one row and one column. The measurement can be performed with high accuracy.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration of an ISFET array of the present invention.
FIG. 2 is a diagram schematically showing an example of a pH two-dimensional distribution measuring apparatus using the ISFET array.
FIG. 3 shows a conventional ISFET array.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
Claims (3)
前記FETを介して前記複数のISFETと接続し単一のISFETからの信号が選択可能な1行、1列のみのスイッチ素子が前記基板に設けられており、
さらに、全てのISFETに常に電圧を印加し、全てのISFETを常に動作状態にしながら、前記1行、1列のみのスイッチ素子のスイッチング動作によりISFETからの出力信号を取り出すように構成されているISFETアレイであって、
ISFETの第1の電極と前記FETの第2の電極とが直列接続される一方、各ISFETの第2の電極は、電源に共通接続されていることを特徴とするISFETアレイ。 ISFET and, the ISFET in a by a plurality of units sensor comprising a FET as a switch element connected in series to a plurality arranged two-dimensionally on the surface of the substrate Rutotomoni,
A switch element of only one row and one column, which is connected to the plurality of ISFETs via the FET and can select a signal from a single ISFET , is provided on the substrate .
Furthermore, always applying a voltage to all of the ISFET, while all the ISFET always operating state, the first row, ISFET, which is configured to retrieve the output signal from the ISFET by the switching operation of the switching element of only one column An array ,
An ISFET array , wherein a first electrode of an ISFET and a second electrode of the FET are connected in series, and a second electrode of each ISFET is commonly connected to a power source .
前記FETを介して前記複数のISFETと接続し単一のISFETからの信号が選択可能な1行、1列のみのスイッチ素子が前記基板に設けられており、
さらに、ISFETの第1の電極と前記FETの第2の電極とが直列接続される一方、全てのISFETに常に電圧を印加し、全てのISFETを常に動作状態になるよう各ISFETの第2の電極は、電源に共通接続されており、
全てのISFETを常に動作状態にしながら、前記1行、1列のみのスイッチ素子のスイッチング動作によりISFETからの出力信号を取り出すように構成されているISFETアレイであって、
前記FETは、各行ごとにそのゲート同士が互いに接続され、各行に対応して設けられる前記1行のスイッチ素子の第1の電極に接続され、かつ、前記1行のスイッチ素子のゲートは、垂直走査回路に接続される一方、
前記FETは、各列ごとにその第1の電極同士が互いに接続され、各列に対応して設けられる前記1列のスイッチ素子の第2の電極に接続され、かつ、前記1列のスイッチ素子のゲートは、水平走査回路に接続されており、
さらに、前記各1列のスイッチ素子の第1の電極同士は互いに接続されるとともに、出力端子に接続されていることを特徴とするISFETアレイ。A plurality of unit sensors composed of ISFETs and FETs as switching elements connected in series to the ISFETs are two-dimensionally arranged on the surface of the substrate, and
A switch element of only one row and one column, which is connected to the plurality of ISFETs via the FET and can select a signal from a single ISFET, is provided on the substrate .
Further, a second electrode of the first electrode of the ISFET FET is while being connected in series, always applying a voltage to all of the ISFET, the second of the ISFET so that all the ISFET always operating state The electrodes are connected in common to the power supply
An ISFET array configured to take out an output signal from an ISFET by a switching operation of the switching element of only one row and one column while keeping all ISFETs in an operating state,
The FETs have their gates connected to each other in each row, connected to a first electrode of the one row of switch elements provided corresponding to each row, and the gates of the one row of switch elements are vertical. While connected to the scanning circuit,
The FETs have their first electrodes connected to each other in each column, connected to a second electrode of the one column of switch elements provided corresponding to each column, and the one column of switch elements Is connected to the horizontal scanning circuit,
The ISFET array is characterized in that the first electrodes of the switch elements in each row are connected to each other and to an output terminal .
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10444182B2 (en) | 2016-03-16 | 2019-10-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
US10563241B2 (en) | 2014-12-26 | 2020-02-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Biosensor |
Families Citing this family (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20080005303A (en) * | 2000-12-11 | 2008-01-10 | 프레지던트 앤드 펠로우즈 오브 하버드 칼리지 | Nanosensors |
DE10247889A1 (en) | 2002-10-14 | 2004-04-22 | Infineon Technologies Ag | Solid-state sensor assembly has a number of sensor components on or in a substrate and an electrical signal converter coupled to a sensor element |
US7908088B2 (en) * | 2002-12-11 | 2011-03-15 | Centre National De La Recherche Scientifique | Method for electronically detecting at least one specific interaction between probe molecules and target biomolecules |
GB2416210B (en) * | 2004-07-13 | 2008-02-20 | Christofer Toumazou | Ion sensitive field effect transistors |
WO2006025481A1 (en) * | 2004-09-03 | 2006-03-09 | Japan Science And Technology Agency | Sensor unit and reaction field cell unit and analyzer |
US8349167B2 (en) | 2006-12-14 | 2013-01-08 | Life Technologies Corporation | Methods and apparatus for detecting molecular interactions using FET arrays |
GB2457851B (en) | 2006-12-14 | 2011-01-05 | Ion Torrent Systems Inc | Methods and apparatus for measuring analytes using large scale fet arrays |
US11339430B2 (en) | 2007-07-10 | 2022-05-24 | Life Technologies Corporation | Methods and apparatus for measuring analytes using large scale FET arrays |
US8262900B2 (en) | 2006-12-14 | 2012-09-11 | Life Technologies Corporation | Methods and apparatus for measuring analytes using large scale FET arrays |
JP4927785B2 (en) * | 2008-06-02 | 2012-05-09 | 日本電信電話株式会社 | Field effect sensor |
EP2307577B1 (en) | 2008-06-25 | 2015-06-03 | Life Technologies Corporation | Methods for measuring analytes using large scale fet arrays |
US20100137143A1 (en) | 2008-10-22 | 2010-06-03 | Ion Torrent Systems Incorporated | Methods and apparatus for measuring analytes |
US20100301398A1 (en) | 2009-05-29 | 2010-12-02 | Ion Torrent Systems Incorporated | Methods and apparatus for measuring analytes |
US20120261274A1 (en) | 2009-05-29 | 2012-10-18 | Life Technologies Corporation | Methods and apparatus for measuring analytes |
US8776573B2 (en) | 2009-05-29 | 2014-07-15 | Life Technologies Corporation | Methods and apparatus for measuring analytes |
WO2011038228A1 (en) | 2009-09-24 | 2011-03-31 | President And Fellows Of Harvard College | Bent nanowires and related probing of species |
TWI547688B (en) | 2010-06-30 | 2016-09-01 | 生命技術公司 | Ion-sensing charge-accumulation circuits and methods |
CN103189986A (en) | 2010-06-30 | 2013-07-03 | 生命科技公司 | Transistor circuits for detection and measurement of chemical reactions and compounds |
TWI569025B (en) | 2010-06-30 | 2017-02-01 | 生命技術公司 | Methods and apparatus for testing isfet arrays |
US11307166B2 (en) | 2010-07-01 | 2022-04-19 | Life Technologies Corporation | Column ADC |
JP5876044B2 (en) | 2010-07-03 | 2016-03-02 | ライフ テクノロジーズ コーポレーション | Chemically sensitive sensor with lightly doped drain |
US9618475B2 (en) | 2010-09-15 | 2017-04-11 | Life Technologies Corporation | Methods and apparatus for measuring analytes |
US8685324B2 (en) | 2010-09-24 | 2014-04-01 | Life Technologies Corporation | Matched pair transistor circuits |
US9970984B2 (en) | 2011-12-01 | 2018-05-15 | Life Technologies Corporation | Method and apparatus for identifying defects in a chemical sensor array |
US8821798B2 (en) | 2012-01-19 | 2014-09-02 | Life Technologies Corporation | Titanium nitride as sensing layer for microwell structure |
US8786331B2 (en) | 2012-05-29 | 2014-07-22 | Life Technologies Corporation | System for reducing noise in a chemical sensor array |
US9080968B2 (en) | 2013-01-04 | 2015-07-14 | Life Technologies Corporation | Methods and systems for point of use removal of sacrificial material |
US9841398B2 (en) | 2013-01-08 | 2017-12-12 | Life Technologies Corporation | Methods for manufacturing well structures for low-noise chemical sensors |
EP2944951B1 (en) * | 2013-01-11 | 2017-03-22 | National University Corporation Toyohashi University of Technology | Method for identifying ph and device for same |
US8963216B2 (en) | 2013-03-13 | 2015-02-24 | Life Technologies Corporation | Chemical sensor with sidewall spacer sensor surface |
CN105051525B (en) | 2013-03-15 | 2019-07-26 | 生命科技公司 | Chemical device with thin conducting element |
JP6581074B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-09-25 | ライフ テクノロジーズ コーポレーション | Chemical sensor with consistent sensor surface area |
WO2014149780A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Life Technologies Corporation | Chemical sensor with consistent sensor surface areas |
US9835585B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-12-05 | Life Technologies Corporation | Chemical sensor with protruded sensor surface |
US9116117B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-08-25 | Life Technologies Corporation | Chemical sensor with sidewall sensor surface |
US20140336063A1 (en) | 2013-05-09 | 2014-11-13 | Life Technologies Corporation | Windowed Sequencing |
US10458942B2 (en) | 2013-06-10 | 2019-10-29 | Life Technologies Corporation | Chemical sensor array having multiple sensors per well |
WO2014207877A1 (en) * | 2013-06-27 | 2014-12-31 | 株式会社日立製作所 | Semiconductor device and production method for same |
TWI832669B (en) | 2014-12-18 | 2024-02-11 | 美商生命技術公司 | High data rate integrated circuit with transmitter configuration |
US10077472B2 (en) | 2014-12-18 | 2018-09-18 | Life Technologies Corporation | High data rate integrated circuit with power management |
CN111505087A (en) | 2014-12-18 | 2020-08-07 | 生命科技公司 | Method and apparatus for measuring analytes using large scale FET arrays |
EP3054597B1 (en) * | 2015-02-09 | 2020-04-15 | Nokia Technologies Oy | An apparatus and methods for sensing |
JP6668176B2 (en) | 2016-06-16 | 2020-03-18 | 株式会社東芝 | Sensor |
CN114354723B (en) * | 2021-12-30 | 2024-12-31 | 上海天马微电子有限公司 | A detection device and a detection method thereof |
CN115184436B (en) * | 2022-07-29 | 2025-01-17 | 上海天马微电子有限公司 | Detection device and detection method thereof |
-
1998
- 1998-08-03 JP JP21907598A patent/JP4137239B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10563241B2 (en) | 2014-12-26 | 2020-02-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Biosensor |
US10444182B2 (en) | 2016-03-16 | 2019-10-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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