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JP4079151B2 - Polishing method - Google Patents

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JP4079151B2 JP2005015113A JP2005015113A JP4079151B2 JP 4079151 B2 JP4079151 B2 JP 4079151B2 JP 2005015113 A JP2005015113 A JP 2005015113A JP 2005015113 A JP2005015113 A JP 2005015113A JP 4079151 B2 JP4079151 B2 JP 4079151B2
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  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
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Description

この発明は、半導体ウエハ等の被研磨物を研磨する研磨方法に関し、特にウエハ保持部においてウエハのまわりに研削性のドレッシングツールを設けたことによりドレッサの占有面積を減らすと共に安定した研磨性能が得られるようにしたものである。 The present invention relates to a polishing method for polishing an object to be polished such as a semiconductor wafer, and in particular, by providing a grindable dressing tool around a wafer in a wafer holding portion, the occupation area of the dresser is reduced and stable polishing performance is obtained. It is intended to be.

従来、半導体ウエハの表面に形成した層間絶縁膜を平坦化するなどの目的でウエハに研磨処理を施す手段としては、回転する定盤上に固着した研磨布にウエハを圧接して研磨を行なう研磨装置が知られている。   Conventionally, as a means for polishing a wafer for the purpose of flattening an interlayer insulating film formed on the surface of a semiconductor wafer, polishing is performed by pressing the wafer against a polishing cloth fixed on a rotating surface plate. The device is known.

この種の研磨装置にあっては、ウエハの処理枚数が多くなるにつれて研磨剤や研磨屑などによって研磨布に目詰まりが生ずる。また、ウエハの回転やウエハ側からの荷重により研磨布が変形したり、すり減ったりする。この結果、研磨速度の低下といった研磨性能の劣化やウエハの損傷又は汚染等が起こる。   In this type of polishing apparatus, as the number of processed wafers increases, the polishing cloth becomes clogged by abrasives and polishing debris. In addition, the polishing cloth is deformed or worn by the rotation of the wafer and the load from the wafer side. As a result, degradation of polishing performance such as a decrease in polishing rate, wafer damage or contamination, and the like occur.

このような事態に対処するため、目詰まりした研磨布を再生するドレッシング機能を研磨装置に付加することが知られている(例えば、特許文献1,2参照)。   In order to cope with such a situation, it is known to add a dressing function for reclaiming a clogged polishing cloth to a polishing apparatus (for example, see Patent Documents 1 and 2).

図10〜17は、ドレッシング機能を有する研磨装置を用いる従来の研磨処理の一例を示すものである。研磨装置の本体10には、盤面に研磨布が固着された定盤12が設けられると共に定盤12の近傍にウエハ受け14が設けられている。また、本体10には、図17に示すようにドレッサ保持部22に保持されたドレッサ24が移動自在に設けられているが、図10〜16では簡単のため図示を省略した。ドレッサ24のドレッシングツールとしては、ワイヤブラシ、樹脂ブラシ、ダイアモンド電着プレート等のうちの1種類のものが用いられる。   10 to 17 show an example of a conventional polishing process using a polishing apparatus having a dressing function. The main body 10 of the polishing apparatus is provided with a surface plate 12 having a polishing cloth fixed to the surface of the plate and a wafer receiver 14 in the vicinity of the surface plate 12. In addition, as shown in FIG. 17, the body 10 is provided with a dresser 24 held by a dresser holding portion 22 so as to be movable. However, in FIG. As the dressing tool of the dresser 24, one of a wire brush, a resin brush, a diamond electrodeposition plate and the like is used.

ウエハ保持部18は、図18に示すように真空吸着等によりガイド26の内側にウエハ16を保持して移動可能なもので、ウエハ16を定盤12上の研磨布に圧接した状態で回転軸28を介して回転駆動されるようになっている。   As shown in FIG. 18, the wafer holding unit 18 is movable while holding the wafer 16 inside the guide 26 by vacuum suction or the like. The wafer 16 is in a state where the wafer 16 is in pressure contact with the polishing cloth on the surface plate 12. It is configured to be rotationally driven through 28.

図10の工程では、ウエハ受け14に処理すべきウエハ16が載置される。そして、図11の工程では、ウエハ保持部18でウエハ16を吸着・保持する。   In the process of FIG. 10, the wafer 16 to be processed is placed on the wafer receiver 14. In the process of FIG. 11, the wafer 16 is sucked and held by the wafer holding unit 18.

次に、図12の工程では、ウエハ保持部18をウエハ保持状態のまま定盤12の中央部まで移動させる。そして、図13の工程では、ウエハ保持部18を降下させ、ウエハ16を回転する定盤12上の研磨布に圧接する。滴下ノズル20から定盤12上に研磨剤を供給しながら保持・圧接状態にあるウエハ16を回転させて研磨を行なう。   Next, in the process of FIG. 12, the wafer holding part 18 is moved to the center part of the surface plate 12 in the wafer holding state. In the process of FIG. 13, the wafer holding unit 18 is lowered and pressed against the polishing cloth on the surface plate 12 that rotates the wafer 16. Polishing is performed by rotating the wafer 16 in a holding / pressing state while supplying an abrasive from the dropping nozzle 20 onto the surface plate 12.

研磨が終ると、図14の工程でウエハ保持部18によりウエハ16を定盤12から上昇させる。そして、図15の工程では、ウエハ保持部18をウエハ保持状態のままウエハ受け14まで移動させ、ウエハ受け14上でウエハ16をウエハ保持部18から吸着解除及び水圧付加等により外す。   When the polishing is completed, the wafer 16 is lifted from the surface plate 12 by the wafer holder 18 in the step of FIG. In the process of FIG. 15, the wafer holding unit 18 is moved to the wafer receiver 14 while the wafer is being held, and the wafer 16 is removed from the wafer holding unit 18 on the wafer receiver 14 by releasing suction and applying water pressure.

次に、図16の工程では、ウエハ保持部18を初期位置に戻す。そして、図17の工程では、ドレッサ保持部22によりドレッサ24を定盤12上に移動させた後、ドレッサ24のドレッシングツールを回転する定盤12上の研磨布に圧接して回転させながらドレッシングを行なう。この場合、図示しない配管から純水等の洗浄液を供給して研磨布を洗浄することもできる。   Next, in the process of FIG. 16, the wafer holding unit 18 is returned to the initial position. In the step of FIG. 17, after the dresser 24 is moved onto the surface plate 12 by the dresser holding unit 22, dressing is performed while pressing the dressing tool of the dresser 24 against the polishing cloth on the surface plate 12 that rotates. Do. In this case, the polishing pad can be cleaned by supplying a cleaning liquid such as pure water from a pipe (not shown).

ドレッシングが終ると、図10の工程に戻り、次のウエハの研磨処理を上記したと同様に行なう。なお、ドレッシングは、1枚のウエハの研磨終了毎に行なうのではなく、複数枚のウエハの研磨終了毎に行なうこともある。
特開平4−364730号公報 特開平7−254578号公報
When the dressing is completed, the process returns to the step shown in FIG. 10 and the next wafer is polished in the same manner as described above. Note that dressing is not performed every time polishing of one wafer is completed, but may be performed every time polishing of a plurality of wafers is completed.
JP-A-4-364730 JP 7-254578 A

上記した従来のドレッシング手段によると、ドレッサ24がウエハ保持部18とは独立に設けられ、独立に回転駆動されるようになっているので、定盤12上でのドレッサ24の占有面積が大きく、ウエハ保持部18を複数設けるのが困難であると共に、ドレッサ24のための保持、回転、移動等の機構が必要であり、構成が複雑となる不都合があった。   According to the conventional dressing means described above, since the dresser 24 is provided independently of the wafer holder 18 and is driven to rotate independently, the occupation area of the dresser 24 on the surface plate 12 is large. It is difficult to provide a plurality of wafer holders 18 and a mechanism for holding, rotating, moving, etc. for the dresser 24 is necessary, and the configuration is complicated.

また、上記した従来のドレッシング手段では、研磨処理とは別にドレッシング処理を行なうので、研磨性能が安定しないと共にスループットが低下する不都合もあった。   Further, since the above conventional dressing means performs the dressing process separately from the polishing process, there are disadvantages that the polishing performance is not stable and the throughput is lowered.

一般に、ドレッシングには次の(イ)〜(ニ)のような性能が要求される。   In general, the following performances (a) to (d) are required for dressing.

(イ)研磨布上の目詰まりした部分の掻き出しあるいは研磨(研削性)
(ロ)研磨布上の異物除去(表面洗浄性)
(ハ)弾性質の研磨布などでの永久変形(押し込み性)
(ニ)繊維質の研磨布などでの毛羽揃え(軌跡揃え)
従来、種々のドレッシングツールが提案されている。しかし、現状では1種類のドレッシングツールで(イ)〜(ニ)の性能要求をすべて満たすものは存在しない。従って、上記した従来のドレッシング手段では、いずれかの性能が不満足となる不都合があった。
(B) Scraping or polishing clogged parts on polishing cloth (grindability)
(B) Removal of foreign matter on the polishing cloth (surface cleanability)
(C) Permanent deformation (pushability) with an elastic polishing cloth
(D) Fuzz alignment (track alignment) with fibrous polishing cloth, etc.
Conventionally, various dressing tools have been proposed. However, at present, there is no one dressing tool that satisfies all the performance requirements (a) to (d). Therefore, the conventional dressing means described above has a disadvantage that any performance is unsatisfactory.

例えば、研削性の大きいダイアモンド電着プレートをドレッシングツールとして用いたものでは、研磨布切削屑や脱落ダイアモンド粒が研磨布上に残存し、ウエハに対し損傷や汚染などの悪影響を与える。また、洗浄性のないドレッシングツールを用いたものでは、ドレッサで汚染した研磨剤が被研磨物に供給される。   For example, in a case where a diamond electrodeposition plate having high grindability is used as a dressing tool, polishing cloth cutting scraps and falling diamond grains remain on the polishing cloth, which adversely affects the wafer such as damage and contamination. Further, in the case of using a dressing tool having no cleaning property, the abrasive contaminated with the dresser is supplied to the object to be polished.

この発明の目的は、ドレッサの占有面積を減らすと共に安定した研磨性能を得ることができる新規な研磨方法を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a novel polishing method capable of reducing the area occupied by a dresser and obtaining stable polishing performance.

この発明に係る研磨方法は、回転駆動可能な定盤の盤面に研磨布を固着し、被研磨物を保持部で保持しつつ、前記保持部で保持された被研磨物を回転させながら前記定盤の回転中に前記研磨布に圧接して研磨する研磨方法であって、前記保持部において被研磨物を保持する個所のまわりに独立に回転駆動する研削性のドレッシングツールを設け、さらに該ドレッシングツールとは種類を異にする他のドレッシングツールを設け、被研磨物の研磨に並行してこれらの異種のドレッシングツールを独立に回転駆動することにより前記研磨布のドレッシングを行うことを特徴とするものである。 In the polishing method according to the present invention, a polishing cloth is fixed to a surface of a surface plate that can be driven to rotate, and while the object to be polished is held by a holding part, the object to be polished held by the holding part is rotated and the surface is fixed. A polishing method for polishing by pressing against the polishing cloth during rotation of a disc, wherein a grinding dressing tool that is independently driven to rotate around a portion for holding an object to be polished in the holding portion is provided, and further the dressing Another dressing tool of a different type from the tool is provided, and the polishing cloth is dressed by independently rotating and driving these different kinds of dressing tools in parallel with the polishing of the object to be polished. Is.

この発明の構成によれば、被研磨物としてウエハを保持する保持部においてウエハを保持する個所のまわりに研削性のドレッシングツールを設けたので、ウエハ保持部とは独立にドレッサを設けるのに比べて定盤上でのドレッサの占有面積を減らすことができ、ドレッシングツールのための保持、回転、移動等の機構をウエハ保持部と共有することができる。従って、構成を簡略化することができ、定盤上に複数のウエハ保持部を設けるのが容易となる。
また、ウエハの研磨に並行して研磨布に研削性のドレッシングが施されるので、安定した研磨性能が得られると共にスループットの向上が可能となる。
According to the configuration of the present invention, since the grindable dressing tool is provided around the portion for holding the wafer in the holding portion for holding the wafer as an object to be polished, the dresser is provided independently of the wafer holding portion. Therefore, the area occupied by the dresser on the surface plate can be reduced, and the holding, rotating and moving mechanisms for the dressing tool can be shared with the wafer holder. Therefore, the configuration can be simplified, and it becomes easy to provide a plurality of wafer holders on the surface plate.
In addition, since the abrasive cloth is subjected to grindable dressing in parallel with the polishing of the wafer, stable polishing performance can be obtained and throughput can be improved.

また、前記研磨方法においては、前記保持部と前記ドレッシングツールを独立に回転駆動することにより前記研磨布をドレッシングする、としてもよい
さらに、前記研磨方法においては、前記保持部を回転させつつ揺動させてもよい。
また、前記研磨方法においては、前記研削性のドレッシングツールに連結された回転軸を上下動自在とし、適時に前記研削性のドレッシングツールを降下させて研削性のドレッシングを付加してもよい。
Moreover, in the said grinding | polishing method, it is good also as dressing the said polishing cloth by rotationally driving the said holding | maintenance part and the said dressing tool independently .
Furthermore, in the polishing method, the holding portion may be swung while being rotated.
In the polishing method, a rotating shaft connected to the grindable dressing tool may be moved up and down, and the grindable dressing tool may be lowered at an appropriate time to add grindable dressing.

この発明によれば、ウエハ保持部においてウエハのまわりに研削性のドレッシングツールを設け、研磨に並行して研削性のドレッシングを行なうようにしたので、(a)ドレッサの占有面積の低減、(b)ドレッシング機構の簡略化、(c)研磨性能の安定化、(d)スループットの向上等の効果が得られる。   According to the present invention, since the grindable dressing tool is provided around the wafer in the wafer holding portion and the grindable dressing is performed in parallel with the polishing, (a) reduction of the dresser occupation area, (b) Effects such as simplification of dressing mechanism, (c) stabilization of polishing performance, and (d) improvement of throughput can be obtained.

また、ウエハ保持部を回転させつつ揺動させる構成にすると、ドレッシングの均一性が向上すると共に研磨効率が向上する効果も得られる。   Further, if the wafer holding portion is rotated while being rotated, the effect of improving the polishing efficiency as well as the uniformity of the dressing can be obtained.

さらに、ウエハ保持部と研削性のドレッシングツールとを互いに独立に回転駆動したり、ウエハ保持部及び研削性のドレッシングツールと他種類のドレッシングツールとを互いに独立に回転駆動したりすると、きめ細かなドレッシング制御が可能になる効果も得られる。   Furthermore, if the wafer holder and the grindable dressing tool are rotationally driven independently of each other, or if the wafer holder and the grindable dressing tool and other types of dressing tools are rotationally driven independently of each other, fine dressing is possible. The effect that control becomes possible is also acquired.

さらに、1つの定盤に対して複数のウエハ保持部を設け、各ウエハ保持部毎に研削性のドレッシングツールを設けて研磨に並行して研削性のドレッシングを行なうようにすると、スループットの大幅な向上が可能になる効果も得られる。   Furthermore, if a plurality of wafer holders are provided for one surface plate, and a grindable dressing tool is provided for each wafer holder so that grindability dressing is performed in parallel with polishing, the throughput is greatly increased. An effect that can be improved is also obtained.

図1は、この発明の一実施形態に係る研磨装置を示すもので、図2には、図1の装置によるウエハ研磨の様子を示す。   FIG. 1 shows a polishing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 shows a state of wafer polishing by the apparatus of FIG.

本体10には、図2に示すように盤面に研磨布12aが固着された定盤12が設けられている。定盤12は、図示しないモータ等により回転駆動される。本体10において、定盤12の近傍には、被研磨物としてのウエハを載置するためのウエハ受け14が設けられている。   As shown in FIG. 2, the main body 10 is provided with a surface plate 12 having a polishing cloth 12a fixed to the surface of the plate. The surface plate 12 is rotationally driven by a motor or the like (not shown). In the main body 10, a wafer receiver 14 for placing a wafer as an object to be polished is provided in the vicinity of the surface plate 12.

ツール・ウエハ保持部30は、図10〜18に関して前述したと同様に真空吸着等によりガイド34の内側にウエハ16を保持して移動可能なもので、図2に示すようにウエハ16を定盤12に圧接した状態で回転軸38を介して回転駆動されるようになっている。   The tool / wafer holding section 30 is movable while holding the wafer 16 inside the guide 34 by vacuum suction or the like, as described above with reference to FIGS. 10 to 18, and as shown in FIG. In a state of being in pressure contact with 12, it is driven to rotate through a rotating shaft 38.

ツール・ウエハ保持部30において、ウエハ16を保持する個所のまわり(ガイド34の内側)には、研削具36がリング状に設けられている。研削具36としては、ダイアモンド電着プレート等を用いることができる。研削具36の代りに、目的に応じてブラシ、セラミックプレート等の他のドレッシングツールを設けてもよい。   In the tool / wafer holding unit 30, a grinding tool 36 is provided in a ring shape around a portion for holding the wafer 16 (inside the guide 34). As the grinding tool 36, a diamond electrodeposition plate or the like can be used. Instead of the grinding tool 36, other dressing tools such as a brush and a ceramic plate may be provided depending on the purpose.

ツール・ウエハ保持部30において、ガイド34と研削具36との間の部分には、保持部30の上面に開口するリング状の溝Sが設けられると共に、溝Sに連通して保持部30の底面まで貫通する多数の孔Rがリング状に設けられている。滴下ノズル40から供給される研磨剤Pは、研削具36等のドレッシングツールに妨げられることなく溝S及び孔Rを介してウエハ16に供給されるので、安定した研磨が可能になる。   In the tool / wafer holding unit 30, a ring-shaped groove S that opens on the upper surface of the holding unit 30 is provided in a portion between the guide 34 and the grinding tool 36, and the groove 30 is communicated with the groove S. A large number of holes R penetrating to the bottom surface are provided in a ring shape. The polishing agent P supplied from the dropping nozzle 40 is supplied to the wafer 16 through the groove S and the hole R without being hindered by a dressing tool such as the grinding tool 36, so that stable polishing can be performed.

本体10には、定盤12を取囲んで下方に延長するように排出部32が設けられている。研削屑は、遠心力で外に向かい、定盤12から排出部32に落下し、除去される。また、使用済みの研磨剤も排出部32を介して排出される。   The main body 10 is provided with a discharge portion 32 so as to surround the surface plate 12 and extend downward. The grinding scraps are moved outward by centrifugal force, fall from the surface plate 12 to the discharge unit 32, and are removed. In addition, the used abrasive is also discharged through the discharge unit 32.

研磨処理に際しては、図10〜13で述べたと同様にしてツール・ウエハ保持部30でウエハ受け14から定盤12上にウエハ16を移した後、保持部30でウエハ16を保持した状態でウエハ16を回転させながら定盤12上の研磨布12aにウエハ16を圧接して研磨を行なう。研磨中は、図2に示すように滴下ノズル40から溝S及び孔Rを介してウエハ16及び研磨布12aに研磨剤Pを供給する。また、研磨中は、研削具36が回転しつつ研磨布12aに圧接されるので、研磨布12aに対しては研削性のドレッシング処理が施される。   In the polishing process, the wafer 16 is transferred from the wafer receiver 14 onto the surface plate 12 by the tool / wafer holder 30 in the same manner as described with reference to FIGS. While rotating 16, the wafer 16 is pressed against the polishing cloth 12a on the surface plate 12 to perform polishing. During the polishing, the polishing agent P is supplied from the dropping nozzle 40 to the wafer 16 and the polishing pad 12a through the groove S and the hole R as shown in FIG. In addition, during polishing, the grinding tool 36 is pressed against the polishing pad 12a while rotating, so that the polishing pad 12a is subjected to a grinding dressing process.

研磨が終了したときは、図14〜16で述べたと同様にウエハ16をウエハ受け14に戻すと共にツール・ウエハ保持部30からウエハ16を外し、保持部30を初期位置に戻す。   When the polishing is completed, the wafer 16 is returned to the wafer receiver 14 and the wafer 16 is removed from the tool / wafer holding portion 30 and the holding portion 30 is returned to the initial position in the same manner as described with reference to FIGS.

上記した研磨装置によれば、図17に示した従来装置に比べて定盤12上でのドレッサの占有面積が低減される。また、ドレッサの保持、回転、移動等の機構をウエハ保持部と共有する構成にしたので、構成が簡単である。さらに、ウエハ研磨と同時に研磨布のドレッシングが行なわれるので、安定した研磨性能が得られると共に、図17に示したような独立のドレッシング工程が不要となり、スループットが向上する。   According to the polishing apparatus described above, the area occupied by the dresser on the surface plate 12 is reduced as compared with the conventional apparatus shown in FIG. Further, since the mechanism for holding, rotating, and moving the dresser is shared with the wafer holding unit, the configuration is simple. Further, since dressing of the polishing cloth is performed simultaneously with the wafer polishing, a stable polishing performance can be obtained, and an independent dressing process as shown in FIG. 17 is not required, thereby improving the throughput.

図3は、ツール・ウエハ保持部の変形例を示すもので、図2と同様の部分には同様の符号を付して詳細な説明を省略する。   FIG. 3 shows a modified example of the tool / wafer holding portion, and the same parts as those in FIG.

図3のツール・ウエハ保持部30の特徴とするところは、保持部30の底面において研削具36と孔Rとの間の部分にブラシ37をリング状に設けたことである。この構成は、外側の研削具36で研磨布12aの目詰まり部の研削を行なうと共に内側のブラシ37で研削屑がウエハ16に行かないように外側に掻き出すことを意図したものである。   A feature of the tool / wafer holding unit 30 in FIG. 3 is that a brush 37 is provided in a ring shape in a portion between the grinding tool 36 and the hole R on the bottom surface of the holding unit 30. This configuration is intended to grind the clogged portion of the polishing pad 12 a with the outer grinding tool 36 and to scrape the grinding scraps outward with the inner brush 37 so as not to go to the wafer 16.

ブラシ37の内側に溝S及び孔Rを設けたので、研削具36及びブラシ37に妨げられることなく滴下ノズル40から溝S及び孔Rを介してウエハ16に研磨剤Pを供給することができる。   Since the groove S and the hole R are provided inside the brush 37, the abrasive P can be supplied to the wafer 16 from the dropping nozzle 40 through the groove S and the hole R without being obstructed by the grinding tool 36 and the brush 37. .

図3の例では、異種のドレッシングツールとして研削性のもの(研削具36)と表面洗浄性のもの(ブラシ37)とを組合せたが、研削性のものと押し込み性のもの(例えばアルミナセラミックプレート)との組合せ、押し込み性のものと表面洗浄性のものとの組合せ等であってもよく、目的に応じて選択すればよい。   In the example of FIG. 3, as a different type of dressing tool, a grindable tool (grinding tool 36) and a surface-cleaning tool (brush 37) are combined, but a grindable tool and a pushable tool (for example, an alumina ceramic plate). ), A combination of an indentable type and a surface-cleaning type, etc., and may be selected according to the purpose.

図4は、この発明の他の実施形態に係るツール・ウエハ保持部を示すもので、図2と同様の部分には同様の符号を付して詳細な説明を省略する。   FIG. 4 shows a tool / wafer holding unit according to another embodiment of the present invention. The same parts as those in FIG.

図4のツール・ウエハ保持部30の特徴とするところは、研磨具36を設けたツール保持部30bを、ウエハ16を保持するウエハ保持部30aとは独立に回転駆動する構成にしたことである。すなわち、研削具36は、ウエハ保持部30aを覆うように設けられたツール保持部30bの底面に固着されると共に、保持部30bは、保持部30aを回転駆動する回転軸38aの外側に同軸的に配置された回転軸38bを介して回転駆動される。保持部30bには、保持部30aに設けた溝Sに対応して溝Sbがリング状に設けられており、滴下ノズル40から溝Sb、S及び孔Rを介してウエハ16に研磨剤Pを供給することができる。   A feature of the tool / wafer holding unit 30 in FIG. 4 is that the tool holding unit 30b provided with the polishing tool 36 is configured to be driven to rotate independently of the wafer holding unit 30a holding the wafer 16. . That is, the grinding tool 36 is fixed to the bottom surface of the tool holding unit 30b provided so as to cover the wafer holding unit 30a, and the holding unit 30b is coaxial with the outer side of the rotating shaft 38a that rotationally drives the holding unit 30a. It is rotationally driven via the rotating shaft 38b arrange | positioned. The holding portion 30b is provided with a groove Sb in a ring shape corresponding to the groove S provided in the holding portion 30a, and the polishing agent P is applied to the wafer 16 from the dropping nozzle 40 through the grooves Sb, S and the hole R. Can be supplied.

図4の構成によれば、研削具36に最適の回転速度でドレッシングを行なうことができる。図4の例は、図2の構成においてドレッシングツールをウエハ保持部とは独立に回転駆動する構成にしたものであるが、図3の構成においても、図4に示したと同様にして異種のドレッシングツール(36,37)をウエハ保持部とは独立に回転駆動する構成にすることができる。   According to the configuration of FIG. 4, dressing can be performed on the grinding tool 36 at an optimum rotational speed. The example of FIG. 4 is configured such that the dressing tool is rotationally driven independently of the wafer holding unit in the configuration of FIG. 2, but in the configuration of FIG. 3, different types of dressing are performed in the same manner as shown in FIG. The tool (36, 37) can be configured to be driven to rotate independently of the wafer holder.

図5は、ツール・ウエハ保持部の変形例を示すもので、図3,4と同様の部分には同様の符号を付して詳細な説明を省略する。   FIG. 5 shows a modified example of the tool / wafer holding section, and the same parts as those in FIGS.

図5のツール・ウエハ保持部30の特徴とするところは、異種のドレッシングツールを互いに独立に回転駆動する構成にしたことである。すなわち、ブラシ37は、ウエハ保持部30aにおいて孔Rの外側にリング状に設けられ、回転軸38aにより保持部30aと共に回転駆動され、研削具36は、図4で述べたと同様にして回転軸38bによりツール保持部30bと共に回転駆動される。   A feature of the tool / wafer holding unit 30 of FIG. 5 is that different kinds of dressing tools are driven to rotate independently of each other. That is, the brush 37 is provided in a ring shape outside the hole R in the wafer holding portion 30a, and is rotationally driven together with the holding portion 30a by the rotating shaft 38a. The grinding tool 36 is rotated in the same manner as described in FIG. Thus, it is rotationally driven together with the tool holding portion 30b.

図5の構成によれば、研削具36に最適の回転速度でドレッシングを行なうことができる。また、図5の構成においては、ブラシ37を研削具36及びウエハ保持部30aとは独立に回転駆動する構成にしてもよい。このようにすると、ブラシ37に最適の回転速度でドレッシングを行なうことができる。   According to the configuration of FIG. 5, dressing can be performed on the grinding tool 36 at an optimum rotational speed. In the configuration of FIG. 5, the brush 37 may be driven to rotate independently of the grinding tool 36 and the wafer holding unit 30a. In this way, the brush 37 can be dressed at an optimum rotational speed.

図6は、この発明の更に他の実施形態に係る研磨装置を示すもので、図1と同様の部分には同様の符号を付して詳細な説明を省略する。   FIG. 6 shows a polishing apparatus according to still another embodiment of the present invention. The same parts as those in FIG.

図6の装置の特徴とするところは、ツール・ウエハ保持部30を回転させつつ揺動させる構成にしたことである。一例として、本体10の上部には、可動部31を支持し、案内する支持・案内部材33を設けると共に可動部31にツール・ウエハ保持部30を取付け、図示しないシリンダ等の駆動手段により可動部31を矢印A,A’方向に往復的に駆動する。ツール・ウエハ保持部30としては、図2〜5に関して前述したいずれの形式のものを用いてもよい。   The apparatus shown in FIG. 6 is characterized in that the tool / wafer holding unit 30 is swung while being rotated. As an example, a support / guide member 33 for supporting and guiding the movable portion 31 is provided on the upper portion of the main body 10, and a tool / wafer holding portion 30 is attached to the movable portion 31, and the movable portion is driven by driving means such as a cylinder (not shown). 31 is driven reciprocally in the directions of arrows A and A ′. As the tool / wafer holding unit 30, any of the types described above with reference to FIGS.

図6の構成によれば、定盤12の盤面内におけるドレッシングの均一性を図1のものに比べて一層向上させることができる。また、図1のものに比べて研磨効率も向上する。   According to the configuration of FIG. 6, the uniformity of dressing within the surface of the surface plate 12 can be further improved as compared with that of FIG. Also, the polishing efficiency is improved as compared with that of FIG.

図7は、研磨・ドレッシング部の変形例を示すものである。図7の例の特徴とするところは、矢印K方向に回転駆動される定盤12の上に3つのツール・ウエハ保持部30A〜30Cを配置すると共に、これらの保持部30A〜30Cをそれぞれ回転軸38A〜38Cを介して矢印方向に回転駆動する構成にしたことである。保持部30A〜30Cとしては、図2〜5に関して前述したいずれの形式のものを用いてもよい。   FIG. 7 shows a modification of the polishing / dressing part. The feature of the example of FIG. 7 is that three tool / wafer holders 30A to 30C are arranged on the surface plate 12 that is rotationally driven in the direction of arrow K, and these holders 30A to 30C are rotated respectively. That is, it is configured to rotate in the direction of the arrow through the shafts 38A to 38C. As the holding portions 30A to 30C, any of the types described above with reference to FIGS.

図7の構成によれば、スループットが図2のものに比べて約3倍向上する。ツール・ウエハ保持部の設置数は、3に限らず、任意の複数とすることができる。   According to the configuration of FIG. 7, the throughput is improved about three times as compared with that of FIG. The number of tool / wafer holding units is not limited to three, and may be any plural number.

図8は、研磨・ドレッシング部の他の変形例を示すもので、図7と同様の部分には同様の符号を付して詳細な説明を省略する。この例では、回転軸38A、38B、38Cをそれぞれ矢印a,a’方向、b,b’方向、c,c’方向に独立に揺動することによりツール・ウエハ保持部30A、30B、30Cを互いに独立して揺動させる構成にしたものである。   FIG. 8 shows another modified example of the polishing / dressing unit. The same reference numerals are given to the same parts as those in FIG. 7, and the detailed description thereof will be omitted. In this example, the tool / wafer holders 30A, 30B, and 30C are moved by independently swinging the rotary shafts 38A, 38B, and 38C in the directions of arrows a, a ′, b, b ′, and c, c ′, respectively. It is configured to swing independently of each other.

図9は、研磨・ドレッシング部の更に他の変形例を示すもので、図7と同様の部分には同様の符号を付して詳細な説明を省略する。この例では、回転軸38A〜38Cを連結する連結部42を設け、連結部42を矢印S,S’方向に揺動することによりツール・ウエハ保持部30A〜30Cを互いに連動して揺動させる構成にしたものである。   FIG. 9 shows still another modified example of the polishing / dressing unit. The same reference numerals are given to the same parts as those in FIG. 7, and the detailed description will be omitted. In this example, a connecting portion 42 for connecting the rotating shafts 38A to 38C is provided, and the tool / wafer holding portions 30A to 30C are swung in conjunction with each other by swinging the connecting portion 42 in the directions of arrows S and S ′. It is a configuration.

図8,9の構成によれば、スループットが向上する効果が得られる他、図6で述べた研磨・ドレッシング部と同様にドレッシングの均一性が向上すると共に研磨効率が向上する効果が得られる。   8 and 9, in addition to the effect of improving the throughput, the effect of improving the dressing uniformity and the polishing efficiency can be obtained in the same manner as the polishing / dressing unit described in FIG.

この発明は、上記した実施形態に限定されるものではなく、種々の改変形態で実施可能なものである。例えば、図4又は図5に示した実施形態では、研削具36に連結された回転軸38bを上下動自在とし、適時に研削具36を降下させて研削性のドレッシングを付加するようにしてもよい。   The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be implemented in various modifications. For example, in the embodiment shown in FIG. 4 or 5, the rotary shaft 38 b connected to the grinding tool 36 can be moved up and down, and the grinding tool 36 is lowered at an appropriate time to add a grindable dressing. Good.

この発明の一実施形態に係る研磨装置を示す斜視図である。1 is a perspective view showing a polishing apparatus according to an embodiment of the present invention. 図1の装置のツール・ウエハ保持部を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the tool wafer holding | maintenance part of the apparatus of FIG. ツール・ウエハ保持部の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification of a tool wafer holding part. この発明の他の実施形態に係るツール・ウエハ保持部を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the tool wafer holding part which concerns on other embodiment of this invention. ツール・ウエハ保持部の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification of a tool wafer holding part. この発明の更に他の実施形態に係る研磨装置を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the grinding | polishing apparatus which concerns on further another embodiment of this invention. 研磨・ドレッシング部の変形例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the modification of a grinding | polishing and dressing part. 研磨・ドレッシング部の他の変形例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the other modification of a grinding | polishing and dressing part. 研磨・ドレッシング部の更に他の変形例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the further another modification of a grinding | polishing and dressing part. 従来の研磨処理におけるウエハ載置工程を示す側面図である。It is a side view which shows the wafer mounting process in the conventional grinding | polishing process. 図10の工程に続くウエハ保持工程を示す側面図である。FIG. 11 is a side view showing a wafer holding step following the step of FIG. 10. 図11の工程に続くウエハ移動工程を示す側面図である。FIG. 12 is a side view showing a wafer moving process subsequent to the process of FIG. 11. 図12の工程に続くウエハ降下及びウエハ研磨工程を示す側面図である。FIG. 13 is a side view showing a wafer lowering and wafer polishing step following the step of FIG. 12. 図13の工程に続くウエハ上昇工程を示す側面図である。It is a side view which shows the wafer raising process following the process of FIG. 図14の工程に続くウエハ移動及びウエハ外し工程を示す側面図である。FIG. 15 is a side view showing a wafer movement and wafer removal step subsequent to the step of FIG. 14. 図15の工程に続くウエハ保持部戻し工程を示す側面図である。FIG. 16 is a side view showing a wafer holding unit returning step subsequent to the step of FIG. 15. 図16の工程に続く研磨布ドレッシング工程を示す側面図である。It is a side view which shows the polishing cloth dressing process following the process of FIG. 従来のウエハ保持部を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the conventional wafer holding part.

符号の説明Explanation of symbols

10:本体、12:定盤、12a:研磨布、14:ウエハ受け、16:ウエハ、30,30A〜30C:ツール・ウエハ保持部、32:排出部、34:ガイド、36:研削具、37:ブラシ、38,38A〜38C,38a,38b:回転軸、40:滴下ノズル。   10: Main body, 12: Surface plate, 12a: Polishing cloth, 14: Wafer receiver, 16: Wafer, 30, 30A-30C: Tool / wafer holding part, 32: Discharge part, 34: Guide, 36: Grinding tool, 37 : Brush, 38, 38A to 38C, 38a, 38b: rotating shaft, 40: dropping nozzle.

Claims (4)

回転駆動可能な定盤の盤面に研磨布を固着し、
被研磨物を保持部で保持しつつ、
前記保持部で保持された被研磨物を回転させながら前記定盤の回転中に前記研磨布に圧接して研磨する研磨方法であって、
前記保持部において被研磨物を保持する個所のまわりに独立に回転駆動する研削性のドレッシングツールを設け、
さらに該ドレッシングツールとは種類を異にする他のドレッシングツールを設け、
被研磨物の研磨に並行してこれらの異種のドレッシングツールを独立に回転駆動することにより前記研磨布のドレッシングを行うことを特徴とする研磨方法。
Abrasive cloth is fixed to the surface of the surface plate that can be rotated,
While holding the object to be polished by the holding part,
A polishing method for polishing by pressing the polishing cloth while rotating the surface plate while rotating the object held by the holding unit,
A grindable dressing tool that independently rotates around a portion that holds an object to be polished in the holding portion,
Furthermore, another dressing tool of a different type from the dressing tool is provided,
A polishing method comprising: dressing the polishing cloth by independently rotating and driving these different kinds of dressing tools in parallel with polishing of an object to be polished.
前記保持部と前記ドレッシングツールを独立に回転駆動することにより前記研磨布をドレッシングする請求項1記載の研磨方法。 The polishing method of claim 1 wherein the dressing said polishing cloth by driving independently rotating said dressing tool and the holding portion. 前記保持部を回転させつつ揺動させることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の研磨方法。 The polishing method according to claim 1, wherein the holding portion is swung while being rotated. 前記研削性のドレッシングツールに連結された回転軸を上下動自在とし、適時に前記研削性のドレッシングツールを降下させて研削性のドレッシングを付加する請求項1から請求項3の何れか1項に記載の研磨方法。 And vertically movable rotary shaft connected to the grinding of the dressing tool, timely lowers the grindability of the dressing tool of claims 1 to add the dressing grindability to any one of claims 3 The polishing method described.
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