JP4048687B2 - ORGANIC EL ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING ORGANIC EL ELEMENT - Google Patents
ORGANIC EL ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING ORGANIC EL ELEMENT Download PDFInfo
- Publication number
- JP4048687B2 JP4048687B2 JP2000105997A JP2000105997A JP4048687B2 JP 4048687 B2 JP4048687 B2 JP 4048687B2 JP 2000105997 A JP2000105997 A JP 2000105997A JP 2000105997 A JP2000105997 A JP 2000105997A JP 4048687 B2 JP4048687 B2 JP 4048687B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitting layer
- light emitting
- ink composition
- organic
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 30
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 68
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 33
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 23
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 23
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 18
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 25
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 5
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- UOHMMEJUHBCKEE-UHFFFAOYSA-N prehnitene Chemical compound CC1=CC=C(C)C(C)=C1C UOHMMEJUHBCKEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002490 anilino group Chemical class [H]N(*)C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940125898 compound 5 Drugs 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
- H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
ディスプレイ、表示光源などに用いられる電気的発光素子である有機EL素子およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年液晶ディスプレイに替わる自発発光型ディスプレイとして有機物を用いた発光素子の開発が加速している。有機物を用いた有機EL(エレクトロルミネッセンス)素子としては、Appl.Phys.Lett.51(12)、21 September 1987の913ページから示されているように低分子を蒸着法で成膜する方法と、Appl.Phys.Lett.71(1)、7 July 1997の34ページから示されているように高分子を塗布する方法が主に報告されている。
【0003】
有機EL素子において、カラー化の手段としては低分子系材料の場合、マスク越しに異なる発光材料を所望の画素上に蒸着し形成する方法が行われている。一方、高分子系材料については、微細かつ容易にパターニングができることからインクジェット法を用いたカラー化が注目されている。インクジェット法による有機EL素子の形成としては方法は、例えば、特開平7−235378、特開平10−12377、特開平10−153967、特開平11−40358、特開平11−54270、特開平11−339957に開示されている。
【0004】
また、素子構造という観点からは、発光効率、耐久性を向上させるために、正孔注入/輸送層を陽極と発光層の間に形成することが多い(Appl.Phys.Lett.51、21 September 1987の913ページ)。従来、バッファ層や正孔注入/輸送層としては導電性高分子、例えばポリチオフェン誘導体やポリアニリン誘導体(Nature,357,477、1992)を用い、スピンコート等の塗布法により膜を形成する。低分子系材料においては正孔注入/輸送層として、フェニルアミン誘導体を蒸着で形成することが報告されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
有機薄膜材料を無駄にせず、簡便にかつ微細パターニング製膜する手段としてインクジェット方式は大変有効である。
【0006】
しかしながら、インクジェット法による薄膜製膜においては、十分に膜厚を制御し、均一な薄膜を形成することが困難であった。
【0007】
例えば、バンクで仕切られた領域に液滴を塗布して膜を形成する場合、バンクが撥インク性を有していても、乾燥過程で膜が凹に(中央が薄く、周囲が厚く)なることや、時に未塗布領域などの膜厚ムラを生じることがあった。
【0008】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたもので、その課題とするところは、画素内で膜厚が制御された、均一な有機EL薄膜を得るための、インクジェット法による有機EL素子の製造方法ならびに有機EL素子を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明に係る有機 EL 素子の製造方法は、第1の発光層用インク組成物を吐出し膜を形成する工程と、前記膜上に第2の発光層用インク組成物を吐出し発光層を形成する工程と、を含み、前記第1の発光層用インク組成物が発光層材料と溶媒とを含み、前記第2の発光層用インク組成物が溶媒を含み、かつ、前記第2の発光層用インク組成物が発光層材料を含まず、前記膜及び前記発光層が前記発光層材料を含むものである、ことを特徴とする。
また、本発明に係る有機 EL 素子の製造方法は、陽極を形成する工程と、前記陽極上に正孔注入/輸送層を形成する工程と、前記正孔注入/輸送層上に発光層材料と溶媒とを含む第1の発光層用インク組成物を吐出し膜を形成する工程と、前記膜上に第2の発光層用インク組成物を吐出し発光層を形成する工程と、前記発光層上に陰極を形成する工程と、を含み、前記第1の発光層用インク組成物が発光層材料と溶媒とを含み、前記第2の発光層用インク組成物が溶媒を含み、かつ、前記第2の発光層用インク組成物が発光層材料を含まず、前記膜及び前記発光層が前記発光層材料を含むものである、ことを特徴とする。
これらの課題は下記(1)〜(9)の本発明によって達成される。
【0010】
(1)有機EL材料を含むインク組成物をインク吐出法により同一画素内に少なくとも2回以上吐出して製膜することを特徴とする有機EL素子の製造方法。
【0011】
(2)次のインク組成物の吐出が、前回の吐出した液滴が乾燥後に行われる事を特徴とする上記(1)の有機EL素子の製造方法。
【0012】
(3)有機EL材料が発光材料であることを特徴とする上記(1)又は(2)の有機EL素子の製造方法。
【0013】
(4)各回のインク組成物の吐出量が、異なることを特徴とする上記(1)乃至(3)のいずれかの有機EL素子の製造方法。
【0014】
(5)インク組成物をバンクで区画された領域内に吐出し、n回目(nは吐出回数)の吐出ドット径が、バンク径に比べて等しいかもしくは小さいことを特徴とする上記(1)乃至(4)のいずれの有機EL素子の製造方法。
【0015】
(6)n回目の吐出インク組成物の溶質濃度が、(n−1)回目の吐出インクの溶質濃度よりも等しいかもしくは低いことを特徴とする上記(4)又は(5)の有機EL素子の製造方法。
【0016】
(7)n回目の吐出インク組成物が所定の溶質を含まないことを特徴とする上記(6)の有機EL素子の製造方法。
【0017】
(8)n回目に吐出される溶質を含まないインク組成物が、(n−1)回目までの吐出インクに含まれる溶媒であることを特徴とする上記(7)の有機EL素子の製造方法。
【0018】
(9)上記(1)乃至(8)のいずれかの方法を用いて得られた有機EL素子。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
【0020】
インクジェット方式による有機EL素子の製造方法とは、素子を構成する正孔注入/輸送材料ならびに発光材料を溶媒に溶解または分散させたインク組成物を、インクジェットヘッドから吐出させて透明電極基板上にパターニング塗布し、正孔注入/輸送層ならびに発光材層をパターン形成する方法である。
【0021】
図1はインクジェット方式による有機EL素子の製造に用いられる基板の断面図を示したものである。ガラス基板10あるいはTFT付きの基板上にITO11が透明画素電極としてパターンニングされ、画素を隔てる領域にSiO212と撥インク性あるいは撥インク化された有機物からなる隔壁(以下バンクと称する)13を設けた構造である。バンクの形状つまり画素の開口形は、円形、楕円、四角、ストライプいづれの形状でも構わないが、インク組成物には表面張力があるため、四角形の角部は丸みを帯びているほうが好ましい。
【0022】
図2〜6において、インクジェット方式による正孔注入/輸送層+発光層の積層構造を有する素子の製造工程を示す。
【0023】
正孔注入/輸送材料を含むインク組成物15をインクジェットヘッド14から吐出し、パターン塗布する(図2)。塗布後、溶媒除去および/または熱処理、あるいは窒素ガスなどのフローにより正孔注入/輸送層16を形成する(図3)。
【0024】
続いて発光材料を含むインク組成物17を正孔注入/輸送層上に塗布し(図4)、溶媒除去および/または熱処理あるいは窒素ガスなどのフローにより発光層18を形成する(図5)。
【0025】
Ca、Mg、Ag、Al、Li等の金属を用い、蒸着法およびスパッタ法等により陰極19を形成する。さらに素子の保護を考え、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、液状ガラス等により封止層20を形成し、素子が出来上がる(図6)。
【0026】
しかし、インクジェット法による膜形成においては、図7に示したように、(A)画素内中央部で膜が薄く、バンク裾で厚くなる、(B)未塗布領域ができる、ことがある。
【0027】
そこで、膜厚が所望の厚さに最適化し、均一な薄膜を得るためには、図8、9に示すように、同一画素に少なくとも2回以上のインク組成物を画素内に塗布し製膜することが好ましい。さらに好ましくは、最後に吐出する液滴のドット径が、バンクのドット径以下であること、および/または最後に吐出するインク組成物の有機EL材料濃度が、その前に吐出したインク組成物の有機EL材料濃度以下であることがよい。さらに好ましくは、最後に吐出するインクが有機EL材料を含まない溶媒である事が望ましい。特に、画素内に存在する材料量を変えずに、未塗布領域を塗膜し、膜厚を整えるのに有効である。
【0028】
実際の液滴量は、画素の大きさ、目的とする膜厚およびインク組成物の材料濃度にあわせて適宜調製すればよい。
【0029】
以下、実施例を参照して本発明を更に、具体的に説明するが、本発明はこれらに制限されるものではない。
【0030】
(実施例1)
図10に本実施例に用いた基板を示す。
【0031】
ITO51がパターニングされたガラス基板50上にバンクをフォトリソグラフィーにより、ポリイミド53およびSiO252の積層で形成したものである。バンク径( SiO2の開口径)は28μm、高さが2μmである。ポリイミドバンクの開口は44μmである。これらの画素が70.5μmピッチで配置されている基板である。
【0032】
正孔注入/輸送材料インク組成物を塗布する前に、大気圧プラズマ処理によりポリイミドバンク53を撥インク処理した。大気圧プラズマ処理の条件は、大気圧下で、パワー300W、電極−基板間距離1mm、酸素プラズマ処理では、酸素ガス流量80ccm、ヘリウムガス流量10SLM、テーブル搬送速度10mm/sで行い、続けてCF4プラズマ処理では、 CF4ガス流量100ccm、ヘリウムガス流量10SLM、テーブル搬送速度5mm/sで行った。
【0033】
正孔注入/輸送層用インク組成物として表1に示した処方のものを調製した。
【0034】
【表1】
【0035】
基板の表面処理後、表1に示した正孔注入/輸送層用インク組成物をインクジェットプリント装置のヘッド(エプソン社製MJ−930C)から15pl吐出しパターン塗布。真空中(1torr)、室温、20分という条件で溶媒を除去した。続けて、同じ正孔注入/輸送層用インク組成物を15pl吐出しパターン塗布した。真空中(1torr)、室温、20分という条件で溶媒を除去し、大気中、200℃(ホットプレート上)、10分の熱処理により正孔注入/輸送を形成した。これにより、膜厚50nmの平坦な正孔注入/輸送層を得た。
【0036】
発光層用インク組成物として、表2に示した処方のものを調製した。
【0037】
【表2】
【0038】
表2に示した化合物1〜3を下記に示す。
【0039】
【化1】
表2に示した1%(wt/vol)濃度の発光層用インク組成物をインクジェットプリント装置のヘッド(エプソン社製MJ−930C)から、N2ガスをフローしながら20pl吐出しパターン製膜した。
【0040】
次に、表2のインク組成物に用いた溶媒である1,2,3,4−テトラメチルベンゼンだけを、 N2ガスをフローしながら15plパターン塗布した。これにより、膜厚70nmの平坦な緑色発光層を得た。
【0041】
陰極として、Caを蒸着で20nm、Alをスパッタで200nmで形成し、最後にエポキシ樹脂により封止を行った。
【0042】
選られた素子は均一な緑色発光を示した。
【0043】
(実施例2)
正孔注入/輸送層までは、実施例1と同様に形成した。
【0044】
発光層用インク組成物として、表3に示した処方のものを調製した。
【0045】
【表3】
【0046】
表3に示した化合物1及び2は、実施例1で用いたものと同様である。化合物4は下記構造を有する化合物である。
【0047】
【化2】
表3に示した1%(wt/vol)濃度の発光層用インク組成物をインクジェットプリント装置のヘッド(エプソン社製MJ−930C)から、N2ガスをフローしながら15pl吐出しパターン製膜した。
【0048】
次に、表3のインク組成物において、濃度が0.25%のインク組成物を調製し、 N2ガスをフローしながら15plパターン塗布した。これにより、膜厚50nmの平坦な青色発光層を得た。
【0049】
陰極として、Caを蒸着で20nm、Alをスパッタで200nmで形成し、最後にエポキシ樹脂により封止を行った。
【0050】
選られた素子は均一な青色発光を示した。
【0051】
(実施例3)
正孔注入/輸送層までは、実施例1と同様に形成した。
【0052】
発光層用インク組成物として、表4に示した処方のものを調製した。
【0053】
【表4】
【0054】
表4に示した化合物1、2は、実施例1で用いたものと同様である。化合物5は下記構造を有する化合物である。
【0055】
【化3】
表4に示した1%(wt/vol)濃度の発光層用インク組成物をインクジェットプリント装置のヘッド(エプソン社製MJ−930C)から、N2ガスをフローしながら15pl吐出しパターン製膜した。
【0056】
次に、表4のインク組成物において、濃度が0.5%のインク組成物を調製し、 N2ガスをフローしながら10plパターン塗布した。これにより、膜厚70nmの平坦な赤色発光層を得た。
【0057】
陰極として、Caを蒸着で20nm、Alをスパッタで200nmで形成し、最後にエポキシ樹脂により封止を行った。
【0058】
選られた素子は均一な赤色発光を示した。
【0059】
(実施例5)
正孔注入/輸送層までは、実施例1と同様に形成した。
【0060】
発光層用インク組成物として、表5に示した処方のものを調製した。
【0061】
【表5】
【0062】
表5に示した化合物1、2、4は、実施例1、2で用いたものと同様である。
表5に示した0.5%(wt/vol)濃度の発光層用インク組成物をインクジェットプリント装置のヘッド(エプソン社製MJ−930C)から、N2ガスをフローしながら15pl吐出しパターン製膜した。
【0063】
同様に、上記(表5)インク組成物(表5)を、N2ガスをフローしながら15pl吐出しパターン製膜した。次に、上記インクを N2ガスをフローしながら10pl吐出し、パターン製膜した。最後に、1,2,3.4−テトラメチルベンゼンを N2ガスをフローしながら10pl塗布して、膜厚50nmの平坦な青色発光層を得た。
【0064】
陰極として、Caを蒸着で20nm、Alをスパッタで200nmで形成し、最後にエポキシ樹脂により封止を行った。
【0065】
選られた素子は均一な青色発光を示した。
【0066】
【発明の効果】
以上述べたように本発明によれば、インクジェット法による有機EL素子の製造において、画素内における膜厚を制御した、均一な有機EL薄膜からなる有機EL素子を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例にかかる有機EL素子の製造工程を示す断面図。
【図2】本発明の実施例にかかる有機EL素子の製造工程を示す断面図。
【図3】本発明の実施例にかかる有機EL素子の製造工程を示す断面図。
【図4】本発明の実施例にかかる有機EL素子の製造工程を示す断面図。
【図5】本発明の実施例にかかる有機EL素子の製造工程を示す断面図。
【図6】本発明の実施例にかかる有機EL素子の製造工程を示す断面図。
【図7】インクジェット法で製膜される薄膜の構造を模式的に示す断面図。
【図8】本発明の実施例にかかるインクジェット法で製膜される薄膜の断面図。
【図9】本発明の実施例にかかるインクジェット法で製膜される薄膜の断面図。
【図10】本発明の実施例にかかるインクジェット法による有機EL素子の作製に用いた基板の断面図。
【符号の説明】
10.ガラス基板
11.透明電極ITO
12.SiO2バンク
13.撥インクバンク
14.インクジェットヘッド
15.正孔注入/輸送用インク組成物
16.正孔注入/輸送層
17.発光層用インク組成物
18.発光層
19.陰極
20.封止層
21.ガラス基板
22.透明電極ITO
23.SiO2バンク
24.撥インクバンク
25.インクジェット法で形成される有機EL薄膜
26.インクジェット法で形成される有機EL薄膜
30.ガラス基板
31.透明電極ITO
32.SiO2バンク
33.撥インクバンク
34.インクジェットヘッド
35.一回目に吐出されるインク組成物
36.一回目の吐出で形成される有機EL薄膜
37.二回目に吐出されるインク組成物
38.二回の吐出で形成される有機EL薄膜
39.一回目に吐出されるインク組成物
40.一回目の吐出で形成される有機EL薄膜
41.二回目に吐出されるインク組成物
42.二回の吐出で形成される有機EL薄膜
50.ガラス基板
51.透明電極ITO
52.SiO2バンク
53.有機物(ポリイミド)バンク[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an organic EL element which is an electroluminescent element used for a display, a display light source, and the like, and a manufacturing method thereof.
[0002]
[Prior art]
In recent years, the development of light-emitting elements using organic substances has been accelerated as a spontaneous emission type display that replaces a liquid crystal display. As an organic EL (electroluminescence) element using an organic substance, Appl. Phys. Lett. 51 (12), 21 September 1987, page 913, a method of depositing a low molecule by a vapor deposition method, Appl. Phys. Lett. 71 (1), 7 July 1997,
[0003]
In the case of a low molecular weight material in an organic EL element, a method of depositing and forming a different light emitting material on a desired pixel through a mask is performed. On the other hand, since high molecular weight materials can be patterned finely and easily, colorization using an ink jet method has attracted attention. Examples of the method for forming an organic EL element by the ink jet method include, for example, JP-A-7-235378, JP-A-10-12377, JP-A-10-153967, JP-A-11-40358, JP-A-11-54270, and JP-A-11-339957. Is disclosed.
[0004]
From the viewpoint of the element structure, in order to improve luminous efficiency and durability, a hole injection / transport layer is often formed between the anode and the light emitting layer (Appl. Phys. Lett. 51, 21 September). 1987, page 913). Conventionally, a conductive polymer such as a polythiophene derivative or a polyaniline derivative (Nature, 357, 477, 1992) is used as the buffer layer or hole injection / transport layer, and a film is formed by a coating method such as spin coating. In low molecular weight materials, it has been reported that a phenylamine derivative is formed by vapor deposition as a hole injection / transport layer.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
The ink jet system is very effective as a means for forming a thin pattern easily and without using organic thin film materials.
[0006]
However, in the thin film formation by the ink jet method, it is difficult to sufficiently control the film thickness and form a uniform thin film.
[0007]
For example, when a film is formed by applying droplets to a region partitioned by a bank, even if the bank has ink repellency, the film becomes concave (the center is thin and the periphery is thick) during the drying process. Sometimes, film thickness unevenness such as uncoated areas occurs.
[0008]
The present invention has been made in view of the above problems, and the problem is to manufacture an organic EL element by an ink jet method for obtaining a uniform organic EL thin film having a controlled film thickness within a pixel. A method and an organic EL device are provided.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, a method for producing an organic EL device according to the present invention includes a step of discharging a first light emitting layer ink composition to form a film, and a second light emitting layer ink on the film. Discharging the composition to form a light emitting layer, wherein the first light emitting layer ink composition includes a light emitting layer material and a solvent, and the second light emitting layer ink composition includes a solvent. In addition, the second ink composition for a light emitting layer does not contain a light emitting layer material, and the film and the light emitting layer contain the light emitting layer material.
Further, the organic EL device manufacturing method according to the present invention includes a step of forming an anode, a step of forming a hole injection / transport layer on the anode, and a light emitting layer material on the hole injection / transport layer. A step of discharging a first light emitting layer ink composition containing a solvent to form a film; a step of discharging a second light emitting layer ink composition on the film to form a light emitting layer; and the light emitting layer. Forming a cathode thereon, wherein the first light emitting layer ink composition contains a light emitting layer material and a solvent, the second light emitting layer ink composition contains a solvent, and The second light emitting layer ink composition does not include a light emitting layer material, and the film and the light emitting layer include the light emitting layer material.
These objects are achieved by the present inventions (1) to (9) below.
[0010]
(1) A method for producing an organic EL element, wherein an ink composition containing an organic EL material is ejected into the same pixel at least twice by an ink ejection method to form a film.
[0011]
(2) The method for producing an organic EL element according to (1), wherein the next ink composition is ejected after the previously ejected droplets are dried.
[0012]
(3) The method for producing an organic EL element according to (1) or (2), wherein the organic EL material is a light emitting material.
[0013]
(4) The method for producing an organic EL element according to any one of the above (1) to (3), wherein the discharge amount of the ink composition each time is different.
[0014]
(5) The above-mentioned (1), wherein the ink composition is ejected into an area partitioned by banks, and the n-th (n is the number of ejection times) ejection dot diameter is equal to or smaller than the bank diameter. The manufacturing method of any organic EL element of thru | or (4).
[0015]
(6) The organic EL element according to (4) or (5) above, wherein the solute concentration of the nth discharge ink composition is equal to or lower than the solute concentration of the (n-1) th discharge ink. Manufacturing method.
[0016]
(7) The method for producing an organic EL element according to (6) above, wherein the nth discharge ink composition does not contain a predetermined solute.
[0017]
(8) The method for producing an organic EL element according to (7) above, wherein the ink composition containing no solute ejected n times is a solvent contained in the ink ejected up to (n−1) times. .
[0018]
(9) An organic EL device obtained by using any one of the methods (1) to (8).
[0019]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.
[0020]
An organic EL device manufacturing method using an inkjet method is a method in which an ink composition in which a hole injecting / transporting material and a light emitting material constituting the device are dissolved or dispersed in a solvent is discharged from an inkjet head and patterned on a transparent electrode substrate. It is a method of applying and patterning the hole injection / transport layer and the light emitting material layer.
[0021]
FIG. 1 is a cross-sectional view of a substrate used for manufacturing an organic EL element by an ink jet method. ITO 11 is patterned as a transparent pixel electrode on a
[0022]
2 to 6 show a manufacturing process of an element having a laminated structure of a hole injection / transport layer + a light emitting layer by an ink jet method.
[0023]
An ink composition 15 containing a hole injection / transport material is ejected from the
[0024]
Subsequently, an ink composition 17 containing a light emitting material is applied onto the hole injection / transport layer (FIG. 4), and the
[0025]
The cathode 19 is formed by vapor deposition, sputtering, or the like using a metal such as Ca, Mg, Ag, Al, or Li. Further, considering the protection of the device, the sealing layer 20 is formed of epoxy resin, acrylic resin, liquid glass, etc., and the device is completed (FIG. 6).
[0026]
However, in the film formation by the ink jet method, as shown in FIG. 7, (A) the film is thin at the center in the pixel and thick at the bank hem, and (B) an uncoated region may be formed.
[0027]
Therefore, in order to optimize the film thickness to a desired thickness and obtain a uniform thin film, as shown in FIGS. 8 and 9, the ink composition is applied at least twice to the same pixel to form a film. It is preferable to do. More preferably, the dot diameter of the last ejected droplet is equal to or less than the dot diameter of the bank and / or the organic EL material concentration of the ink composition ejected last is that of the ink composition ejected before that. It is good that it is below the organic EL material concentration. More preferably, the ink ejected last is a solvent that does not contain an organic EL material. In particular, it is effective for coating the uncoated area and adjusting the film thickness without changing the amount of material present in the pixel.
[0028]
The actual droplet amount may be appropriately adjusted according to the size of the pixel, the target film thickness, and the material concentration of the ink composition.
[0029]
Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples, but the present invention is not limited thereto.
[0030]
Example 1
FIG. 10 shows the substrate used in this example.
[0031]
A bank is formed by lamination of polyimide 53 and SiO 2 52 on a glass substrate 50 patterned with ITO 51 by photolithography. The bank diameter (the opening diameter of SiO 2 ) is 28 μm and the height is 2 μm. The opening of the polyimide bank is 44 μm. A substrate in which these pixels are arranged at a pitch of 70.5 μm.
[0032]
Before applying the hole injection / transport material ink composition, the polyimide bank 53 was subjected to ink repellent treatment by atmospheric pressure plasma treatment. The atmospheric pressure plasma treatment is performed under the conditions of atmospheric pressure, power of 300 W, electrode-substrate distance of 1 mm, oxygen plasma treatment at an oxygen gas flow rate of 80 ccm, a helium gas flow rate of 10 SLM, and a table transfer speed of 10 mm / s. In the 4 plasma treatment, a CF 4 gas flow rate of 100 ccm, a helium gas flow rate of 10 SLM, and a table transfer speed of 5 mm / s were performed.
[0033]
The ink composition for the hole injection / transport layer was prepared according to the formulation shown in Table 1.
[0034]
[Table 1]
[0035]
After the surface treatment of the substrate, the hole injection / transport layer ink composition shown in Table 1 was ejected by 15 pl from the head of an inkjet printing apparatus (MJ-930C, manufactured by Epson Corporation) to apply a pattern. The solvent was removed in vacuum (1 torr) at room temperature for 20 minutes. Subsequently, 15 pl of the same ink composition for hole injection / transport layer was discharged and a pattern was applied. The solvent was removed under the conditions of vacuum (1 torr), room temperature, and 20 minutes, and hole injection / transport was formed by heat treatment in the atmosphere at 200 ° C. (on a hot plate) for 10 minutes. As a result, a flat hole injection / transport layer having a thickness of 50 nm was obtained.
[0036]
The ink composition for the light emitting layer was prepared with the formulation shown in Table 2.
[0037]
[Table 2]
[0038]
Compounds 1 to 3 shown in Table 2 are shown below.
[0039]
[Chemical 1]
The ink composition for the light emitting layer having a concentration of 1% (wt / vol) shown in Table 2 was discharged from the head of an inkjet printing apparatus (MJ-930C, manufactured by Epson Corporation) while discharging N 2 gas to form a pattern. .
[0040]
Next, only 1,2,3,4-tetramethylbenzene, which is a solvent used in the ink composition shown in Table 2, was applied in a 15 pl pattern while flowing N 2 gas. Thereby, a flat green light emitting layer having a thickness of 70 nm was obtained.
[0041]
As the cathode, Ca was formed by vapor deposition at 20 nm and Al was formed by sputtering at 200 nm, and finally sealed with an epoxy resin.
[0042]
The selected device showed uniform green emission.
[0043]
(Example 2)
The hole injection / transport layer was formed in the same manner as in Example 1.
[0044]
The ink composition for the light emitting layer was prepared with the formulation shown in Table 3.
[0045]
[Table 3]
[0046]
Compounds 1 and 2 shown in Table 3 are the same as those used in Example 1. Compound 4 is a compound having the following structure.
[0047]
[Chemical 2]
The ink composition for the light emitting layer having a concentration of 1% (wt / vol) shown in Table 3 was discharged from the head of an ink jet printing apparatus (MJ-930C, manufactured by Epson Corporation) while flowing N 2 gas at 15 pl to form a pattern. .
[0048]
Next, in the ink composition of Table 3, an ink composition having a concentration of 0.25% was prepared, and a 15 pl pattern was applied while flowing N 2 gas. As a result, a flat blue light emitting layer having a thickness of 50 nm was obtained.
[0049]
As the cathode, Ca was formed by vapor deposition at 20 nm and Al was formed by sputtering at 200 nm, and finally sealed with an epoxy resin.
[0050]
The selected device showed uniform blue emission.
[0051]
(Example 3)
The hole injection / transport layer was formed in the same manner as in Example 1.
[0052]
The ink composition for the light emitting layer was prepared with the formulation shown in Table 4.
[0053]
[Table 4]
[0054]
Compounds 1 and 2 shown in Table 4 are the same as those used in Example 1. Compound 5 is a compound having the following structure.
[0055]
[Chemical 3]
The ink composition for the light emitting layer having a concentration of 1% (wt / vol) shown in Table 4 was discharged from the head of an inkjet printing apparatus (MJ-930C, manufactured by Epson Corporation) while flowing N 2 gas at 15 pl to form a pattern. .
[0056]
Next, in the ink composition of Table 4, an ink composition having a concentration of 0.5% was prepared, and a 10 pl pattern was applied while flowing N 2 gas. Thereby, a flat red light emitting layer having a thickness of 70 nm was obtained.
[0057]
As the cathode, Ca was formed by vapor deposition at 20 nm and Al was formed by sputtering at 200 nm, and finally sealed with an epoxy resin.
[0058]
The selected device showed uniform red emission.
[0059]
(Example 5)
The hole injection / transport layer was formed in the same manner as in Example 1.
[0060]
The ink composition for the light emitting layer was prepared with the formulation shown in Table 5.
[0061]
[Table 5]
[0062]
Compounds 1, 2, and 4 shown in Table 5 are the same as those used in Examples 1 and 2.
The ink composition for a light emitting layer having a concentration of 0.5% (wt / vol) shown in Table 5 was discharged from a head of an inkjet printing apparatus (MJ-930C manufactured by Epson Corporation) while flowing N 2 gas at 15 pl. Filmed.
[0063]
Similarly, the ink composition (Table 5) (Table 5) was discharged to form a film by discharging 15 pl while flowing N 2 gas. Next, 10 pl of the ink was discharged while flowing N 2 gas to form a pattern. Finally, 10 pl of 1,2,3.4-tetramethylbenzene was applied while flowing N 2 gas to obtain a flat blue light emitting layer having a thickness of 50 nm.
[0064]
As the cathode, Ca was formed by vapor deposition at 20 nm and Al was formed by sputtering at 200 nm, and finally sealed with an epoxy resin.
[0065]
The selected device showed uniform blue emission.
[0066]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, it is possible to manufacture an organic EL element composed of a uniform organic EL thin film in which the film thickness in a pixel is controlled in the manufacture of an organic EL element by an inkjet method.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of an organic EL element according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of an organic EL element according to an example of the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of an organic EL element according to an example of the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of an organic EL element according to an example of the present invention.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of an organic EL element according to an example of the present invention.
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of an organic EL element according to an example of the present invention.
FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing the structure of a thin film formed by an inkjet method.
FIG. 8 is a cross-sectional view of a thin film formed by an inkjet method according to an embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a cross-sectional view of a thin film formed by an inkjet method according to an embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a cross-sectional view of a substrate used for manufacturing an organic EL element by an inkjet method according to an example of the present invention.
[Explanation of symbols]
10. Glass substrate 11. Transparent electrode ITO
12 SiO 2 bank 13.
23. SiO 2 bank 24.
32. SiO 2 bank 33.
52. SiO 2 bank 53. Organic (polyimide) bank
Claims (5)
前記膜上に第2の発光層用インク組成物を吐出し発光層を形成する工程と、を含み、
前記第1の発光層用インク組成物が発光層材料と溶媒とを含み、前記第2の発光層用インク組成物が溶媒を含み、かつ、前記第2の発光層用インク組成物が発光層材料を含まず、前記膜及び前記発光層が前記発光層材料を含むものである、ことを特徴とする有機EL素子の製造方法。Discharging the first light emitting layer ink composition to form a film;
Discharging a second light-emitting layer ink composition onto the film to form a light-emitting layer,
The first light emitting layer ink composition includes a light emitting layer material and a solvent, the second light emitting layer ink composition includes a solvent, and the second light emitting layer ink composition is a light emitting layer. A method for producing an organic EL element, characterized in that the film and the light emitting layer contain no material, and the light emitting layer material is contained.
前記陽極上に正孔注入/輸送層を形成する工程と、
前記正孔注入/輸送層上に発光層材料と溶媒とを含む第1の発光層用インク組成物を吐出し膜を形成する工程と、
前記膜上に第2の発光層用インク組成物を吐出し発光層を形成する工程と、
前記発光層上に陰極を形成する工程と、を含み、
前記第1の発光層用インク組成物が発光層材料と溶媒とを含み、前記第2の発光層用インク組成物が溶媒を含み、かつ、前記第2の発光層用インク組成物が発光層材料を含まず、前記膜及び前記発光層が前記発光層材料を含むものである、ことを特徴とする有機EL素子の製造方法。Forming an anode;
Forming a hole injection / transport layer on the anode;
Discharging a first light emitting layer ink composition containing a light emitting layer material and a solvent on the hole injection / transport layer to form a film;
Discharging a second light-emitting layer ink composition onto the film to form a light-emitting layer;
Forming a cathode on the light emitting layer,
The first light emitting layer ink composition includes a light emitting layer material and a solvent, the second light emitting layer ink composition includes a solvent, and the second light emitting layer ink composition is a light emitting layer. A method for producing an organic EL element, characterized in that the film and the light emitting layer contain no material, and the light emitting layer material is contained.
前記第1の発光層用インク組成物がバンクの開口部に吐出され、前記膜が前記開口部に形成され、また、前記第2の発光層用インク組成物が前記バンクの開口部に吐出され、前記発光層が前記開口部に形成されるものであり、前記バンクの前記開口部における前記発光層の膜厚の平坦性が、前記バンクの前記開口部における前記膜の膜厚の平坦性より大きい、ことを特徴とする有機EL素子の製造方法。In claim 1 or claim 2 ,
The first light emitting layer ink composition is discharged into the opening of the bank, the film is formed in the opening, and the second light emitting layer ink composition is discharged into the opening of the bank. The light emitting layer is formed in the opening, and the flatness of the film thickness of the light emitting layer in the opening of the bank is greater than the flatness of the film thickness of the film in the opening of the bank. The manufacturing method of the organic EL element characterized by being large.
前記膜が前記第1の発光層用インク組成物を複数回吐出することで形成される、ことを特徴とする有機EL素子の製造方法。In any one of Claims 1 thru | or 3 ,
The method for producing an organic EL element, wherein the film is formed by discharging the first light emitting layer ink composition a plurality of times.
前記第2の発光層用インク組成物の吐出によって前記膜の膜厚が整えられ、前記発光層が形成されるものである、ことを特徴とする有機EL素子の製造方法。In any one of Claims 1 thru | or 4 ,
A method for producing an organic EL element, wherein the film thickness of the film is adjusted by discharging the second light emitting layer ink composition to form the light emitting layer.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000105997A JP4048687B2 (en) | 2000-04-07 | 2000-04-07 | ORGANIC EL ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING ORGANIC EL ELEMENT |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000105997A JP4048687B2 (en) | 2000-04-07 | 2000-04-07 | ORGANIC EL ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING ORGANIC EL ELEMENT |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001291583A JP2001291583A (en) | 2001-10-19 |
JP4048687B2 true JP4048687B2 (en) | 2008-02-20 |
Family
ID=18619241
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000105997A Expired - Fee Related JP4048687B2 (en) | 2000-04-07 | 2000-04-07 | ORGANIC EL ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING ORGANIC EL ELEMENT |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4048687B2 (en) |
Families Citing this family (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4021177B2 (en) | 2000-11-28 | 2007-12-12 | セイコーエプソン株式会社 | Organic electroluminescence device manufacturing method, organic electroluminescence device, and electronic apparatus |
JP2005135929A (en) * | 2001-02-19 | 2005-05-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Formation method of light emitting device |
SG143944A1 (en) | 2001-02-19 | 2008-07-29 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
KR100635037B1 (en) * | 2001-04-12 | 2006-10-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | Organic electroluminescent devices |
JP2003022892A (en) | 2001-07-06 | 2003-01-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light emitting device manufacturing method |
JP2003249377A (en) * | 2001-12-18 | 2003-09-05 | Seiko Epson Corp | Display device, electronic device, and method of manufacturing display device |
JP3823916B2 (en) * | 2001-12-18 | 2006-09-20 | セイコーエプソン株式会社 | Display device, electronic apparatus, and display device manufacturing method |
JP4425531B2 (en) * | 2002-08-21 | 2010-03-03 | 富士通株式会社 | Organic EL device and manufacturing method thereof |
WO2004026003A1 (en) * | 2002-09-12 | 2004-03-25 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Organic el display |
US8932666B2 (en) | 2002-09-24 | 2015-01-13 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Method and apparatus for manufacturing active-matrix organic el display, active matrix organic el display, method for manufacturing liquid crystal array, liquid crystal array, method and apparatus for manufacturing color filter substrate, and color filter substrate |
KR100612118B1 (en) * | 2003-03-31 | 2006-08-14 | 엘지전자 주식회사 | Organic electroluminescent device comprising multi-layered barrier rib structure and manufacturing method thereof |
JP4344270B2 (en) | 2003-05-30 | 2009-10-14 | セイコーエプソン株式会社 | Manufacturing method of liquid crystal display device |
JP2005013986A (en) | 2003-05-30 | 2005-01-20 | Seiko Epson Corp | Device and manufacturing method thereof, active matrix substrate manufacturing method, electro-optical device, and electronic apparatus |
JP4363094B2 (en) * | 2003-06-27 | 2009-11-11 | セイコーエプソン株式会社 | Droplet discharge method and droplet discharge apparatus for droplet discharge apparatus, method for manufacturing color filter display device, method for manufacturing electroluminescence display device, and method for manufacturing plasma display device |
JP3915806B2 (en) * | 2003-11-11 | 2007-05-16 | セイコーエプソン株式会社 | Electro-optical device and electronic apparatus |
JP4815761B2 (en) | 2003-11-27 | 2011-11-16 | セイコーエプソン株式会社 | Electro-optical device, method of manufacturing electro-optical device, and electronic apparatus |
JP4613489B2 (en) * | 2003-12-08 | 2011-01-19 | ソニー株式会社 | Element arrangement method and display device |
KR100755398B1 (en) * | 2004-05-21 | 2007-09-04 | 엘지전자 주식회사 | Organic light emitting display device and manufacturing method thereof |
KR20050112456A (en) | 2004-05-25 | 2005-11-30 | 삼성에스디아이 주식회사 | Organic electroluminescence displaye and fabrication method of the same |
KR101112534B1 (en) | 2005-03-04 | 2012-03-13 | 삼성전자주식회사 | Organic light emitting display and method for manufacturing the same |
JP4894150B2 (en) * | 2005-03-15 | 2012-03-14 | セイコーエプソン株式会社 | Electro-optical device manufacturing method, droplet discharge device |
JP4752303B2 (en) * | 2005-03-29 | 2011-08-17 | セイコーエプソン株式会社 | EL device manufacturing method, EL device, and electronic apparatus |
JPWO2006120854A1 (en) * | 2005-05-09 | 2008-12-18 | 松下電器産業株式会社 | Light emitting element, light emitting element array, manufacturing method thereof, and exposure apparatus |
JP2007073316A (en) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | Manufacturing method of organic el display device |
KR100661642B1 (en) * | 2005-11-28 | 2006-12-26 | 삼성전자주식회사 | Manufacturing method of display device and display device thereby |
KR100773938B1 (en) * | 2005-12-19 | 2007-11-07 | 주식회사 대우일렉트로닉스 | Manufacturing method of organic light emitting element |
JP4251331B2 (en) * | 2005-12-27 | 2009-04-08 | カシオ計算機株式会社 | Display device manufacturing apparatus and display device manufacturing method |
JP4211804B2 (en) | 2006-05-19 | 2009-01-21 | セイコーエプソン株式会社 | Device, film forming method and device manufacturing method |
CN101622076B (en) * | 2007-02-27 | 2013-06-26 | 株式会社东芝 | Coating device, method of manufacturing coated body, and fluid ejection device |
JP5018186B2 (en) * | 2007-04-03 | 2012-09-05 | 凸版印刷株式会社 | Manufacturing method of optical element, manufacturing method of color filter, and manufacturing method of organic electroluminescence element |
JP2009181932A (en) * | 2008-02-01 | 2009-08-13 | Seiko Epson Corp | Organic EL element manufacturing method, organic EL element, and organic EL device |
JP5272971B2 (en) * | 2009-08-27 | 2013-08-28 | セイコーエプソン株式会社 | Manufacturing method of organic EL device and manufacturing method of color filter |
JP5411765B2 (en) * | 2010-03-24 | 2014-02-12 | 富士フイルム株式会社 | Thin film fabrication method |
JP5679689B2 (en) * | 2010-04-08 | 2015-03-04 | 富士フイルム株式会社 | Thin film manufacturing method and manufacturing apparatus |
JP5520902B2 (en) * | 2011-09-09 | 2014-06-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Method for manufacturing light emitting device |
JP6086854B2 (en) * | 2013-09-27 | 2017-03-01 | 富士フイルム株式会社 | Metal oxide film manufacturing method, metal oxide film, thin film transistor, display device, image sensor, and X-ray sensor |
WO2015166647A1 (en) * | 2014-04-30 | 2015-11-05 | 株式会社Joled | Method for forming functional layer of organic light-emitting device and method for manufacturing organic light-emitting device |
CN106960922B (en) * | 2017-04-10 | 2019-03-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | Inkjet printing film build method |
JP6844845B2 (en) | 2017-05-31 | 2021-03-17 | 三国電子有限会社 | Display device |
JP7246681B2 (en) | 2018-09-26 | 2023-03-28 | 三国電子有限会社 | TRANSISTOR, TRANSISTOR MANUFACTURING METHOD, AND DISPLAY DEVICE INCLUDING TRANSISTOR |
CN110634924B (en) * | 2019-09-25 | 2022-06-21 | 合肥京东方卓印科技有限公司 | Display backboard and display device |
JP7444436B2 (en) | 2020-02-05 | 2024-03-06 | 三国電子有限会社 | liquid crystal display device |
KR20230005362A (en) * | 2020-06-23 | 2023-01-09 | 미쿠니 일렉트론 코포레이션 | Inverse structure electroluminescent device having coating type inorganic transparent oxide semiconductor electron transport layer |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04261503A (en) * | 1991-02-15 | 1992-09-17 | Kyodo Printing Co Ltd | Manufacture of color filter |
JP2839133B2 (en) * | 1994-03-31 | 1998-12-16 | キヤノン株式会社 | Method and apparatus for manufacturing color filter, method for manufacturing liquid crystal display, and method for manufacturing apparatus equipped with liquid crystal display |
JPH08179307A (en) * | 1994-12-22 | 1996-07-12 | Sharp Corp | Production of image display panel |
JP3124718B2 (en) * | 1995-03-31 | 2001-01-15 | キヤノン株式会社 | Method and apparatus for manufacturing color filter and method for reducing color unevenness in filter element row of color filter |
JP3134727B2 (en) * | 1995-09-05 | 2001-02-13 | 東レ株式会社 | Manufacturing method of color filter |
CN100485904C (en) * | 1996-09-19 | 2009-05-06 | 精工爱普生株式会社 | Matrix type display device and manufacturing method thereof |
KR100608543B1 (en) * | 1998-03-17 | 2006-08-03 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | Manufacturing method of display device and manufacturing method of thin firm light-emitting device |
JP3193687B2 (en) * | 1998-04-30 | 2001-07-30 | オリンパス光学工業株式会社 | Industrial single-sided treatment tool |
JP3895077B2 (en) * | 1999-09-10 | 2007-03-22 | シャープ株式会社 | Manufacturing method of organic LED display |
JP4477726B2 (en) * | 1999-12-09 | 2010-06-09 | シャープ株式会社 | Manufacturing method of organic LED element |
JP3891753B2 (en) * | 2000-02-22 | 2007-03-14 | シャープ株式会社 | Manufacturing method of organic light emitting device |
-
2000
- 2000-04-07 JP JP2000105997A patent/JP4048687B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001291583A (en) | 2001-10-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4048687B2 (en) | ORGANIC EL ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING ORGANIC EL ELEMENT | |
CN100444698C (en) | Organic EL element and method for producing organic EL element | |
JP3628997B2 (en) | Method for manufacturing organic electroluminescence device | |
JP5880638B2 (en) | Organic electroluminescence device and electronic device | |
JP4042409B2 (en) | Organic electroluminescence device | |
CN100574546C (en) | Filmogen and organic EL and manufacture method thereof | |
CN105118932B (en) | The preparation method and application of pixel ink duct | |
JP4042691B2 (en) | Method for manufacturing organic electroluminescence device | |
JP4042763B2 (en) | Organic electroluminescence device and electronic device | |
JP4241669B2 (en) | Organic electroluminescence device | |
JP4042762B2 (en) | ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE | |
JP2004087509A (en) | Organic electroluminescence device and electronic device | |
JP2005259717A (en) | Method for manufacturing organic electroluminescence device | |
Jin et al. | Large-area wet micro-printing (LAMP) for organic device patterning |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060516 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070123 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070323 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070731 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070914 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071106 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071119 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101207 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101207 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111207 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111207 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121207 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121207 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131207 Year of fee payment: 6 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |