JP4039214B2 - 研磨パッド - Google Patents
研磨パッド Download PDFInfo
- Publication number
- JP4039214B2 JP4039214B2 JP2002321856A JP2002321856A JP4039214B2 JP 4039214 B2 JP4039214 B2 JP 4039214B2 JP 2002321856 A JP2002321856 A JP 2002321856A JP 2002321856 A JP2002321856 A JP 2002321856A JP 4039214 B2 JP4039214 B2 JP 4039214B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- water
- polishing
- polishing pad
- soluble particles
- mass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 198
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 95
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 50
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 38
- 238000010828 elution Methods 0.000 claims description 21
- 229920006037 cross link polymer Polymers 0.000 claims description 18
- WHGYBXFWUBPSRW-FOUAGVGXSA-N beta-cyclodextrin Chemical compound OC[C@H]([C@H]([C@@H]([C@H]1O)O)O[C@H]2O[C@@H]([C@@H](O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O3)[C@H](O)[C@H]2O)CO)O[C@@H]1O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]3O[C@@H]1CO WHGYBXFWUBPSRW-FOUAGVGXSA-N 0.000 claims description 12
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 claims description 9
- 229920002589 poly(vinylethylene) polymer Polymers 0.000 claims description 7
- 239000001116 FEMA 4028 Substances 0.000 claims description 6
- 229920000858 Cyclodextrin Polymers 0.000 claims description 5
- 235000011175 beta-cyclodextrine Nutrition 0.000 claims description 5
- 229960004853 betadex Drugs 0.000 claims description 5
- KHLRJDNGHBXOSV-UHFFFAOYSA-N 5-trimethoxysilylpentane-1,3-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCC(N)CCN KHLRJDNGHBXOSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 31
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 27
- -1 etc. Polymers 0.000 description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 description 21
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 11
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 11
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 10
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 description 7
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 7
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 7
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 7
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 6
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 5
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 5
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerol Natural products OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920005830 Polyurethane Foam Polymers 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 4
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 4
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical group OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001451 organic peroxides Chemical class 0.000 description 4
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 4
- 239000011496 polyurethane foam Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 4
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 125000004018 acid anhydride group Chemical group 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 3
- OTYBMLCTZGSZBG-UHFFFAOYSA-L potassium sulfate Chemical compound [K+].[K+].[O-]S([O-])(=O)=O OTYBMLCTZGSZBG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 229910052939 potassium sulfate Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000011151 potassium sulphates Nutrition 0.000 description 3
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 3
- 150000003871 sulfonates Chemical class 0.000 description 3
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 3
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 3
- CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 2-aminophenol Chemical compound NC1=CC=CC=C1O CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N D-gluconic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical compound OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N Peracetic acid Chemical compound CC(=O)OO KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 2
- 229930182556 Polyacetal Natural products 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N acrylonitrile butadiene styrene Chemical compound C=CC=C.C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 2
- FACXGONDLDSNOE-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diene;styrene Chemical compound C=CC=C.C=CC1=CC=CC=C1.C=CC1=CC=CC=C1 FACXGONDLDSNOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 2
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 229920003049 isoprene rubber Polymers 0.000 description 2
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GEYXPJBPASPPLI-UHFFFAOYSA-N manganese(iii) oxide Chemical compound O=[Mn]O[Mn]=O GEYXPJBPASPPLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 2
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L persulfate group Chemical group S(=O)(=O)([O-])OOS(=O)(=O)[O-] JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 2
- KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N potassium dichromate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- CPRMKOQKXYSDML-UHFFFAOYSA-M rubidium hydroxide Chemical compound [OH-].[Rb+] CPRMKOQKXYSDML-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000468 styrene butadiene styrene block copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000009864 tensile test Methods 0.000 description 2
- CIHOLLKRGTVIJN-UHFFFAOYSA-N tert‐butyl hydroperoxide Chemical compound CC(C)(C)OO CIHOLLKRGTVIJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 description 2
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001567 vinyl ester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004711 α-olefin Substances 0.000 description 2
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 1,2-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC=C1N GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 1,3-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC(N)=C1 WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MFGOFGRYDNHJTA-UHFFFAOYSA-N 2-amino-1-(2-fluorophenyl)ethanol Chemical compound NCC(O)C1=CC=CC=C1F MFGOFGRYDNHJTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 2-dodecylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ROGIWVXWXZRRMZ-UHFFFAOYSA-N 2-methylbuta-1,3-diene;styrene Chemical compound CC(=C)C=C.C=CC1=CC=CC=C1 ROGIWVXWXZRRMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003504 2-oxazolinyl group Chemical group O1C(=NCC1)* 0.000 description 1
- KGIGUEBEKRSTEW-UHFFFAOYSA-N 2-vinylpyridine Chemical compound C=CC1=CC=CC=N1 KGIGUEBEKRSTEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNJSNEKCXVFDKW-UHFFFAOYSA-N 3-(5-amino-1h-indol-3-yl)-2-azaniumylpropanoate Chemical compound C1=C(N)C=C2C(CC(N)C(O)=O)=CNC2=C1 YNJSNEKCXVFDKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KFDVPJUYSDEJTH-UHFFFAOYSA-N 4-ethenylpyridine Chemical compound C=CC1=CC=NC=C1 KFDVPJUYSDEJTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIKGLXJNZXSPGV-UHFFFAOYSA-N 5,6-dimethyl-1,2,4-triazin-3-amine Chemical compound CC1=NN=C(N)N=C1C UIKGLXJNZXSPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRUDIIUSNGCQKF-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-1H-benzotriazole Chemical compound C1=C(C)C=CC2=NNN=C21 LRUDIIUSNGCQKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INVVMIXYILXINW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-1h-[1,2,4]triazolo[1,5-a]pyrimidin-7-one Chemical compound CC1=CC(=O)N2NC=NC2=N1 INVVMIXYILXINW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical group N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N D-gluconic acid Natural products OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- 229920002943 EPDM rubber Polymers 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000181 Ethylene propylene rubber Polymers 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 241000047703 Nonion Species 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004433 Thermoplastic polyurethane Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical group CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000800 acrylic rubber Polymers 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L barium(2+);oxomethanediolate Chemical compound [Ba+2].[O-][14C]([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L 0.000 description 1
- XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N benzopyrazine Natural products N1=CC=NC2=CC=CC=C21 XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- 229920005549 butyl rubber Polymers 0.000 description 1
- HUCVOHYBFXVBRW-UHFFFAOYSA-M caesium hydroxide Inorganic materials [OH-].[Cs+] HUCVOHYBFXVBRW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 159000000007 calcium salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 1
- 238000010382 chemical cross-linking Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 229910052570 clay Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- CMMUKUYEPRGBFB-UHFFFAOYSA-L dichromic acid Chemical class O[Cr](=O)(=O)O[Cr](O)(=O)=O CMMUKUYEPRGBFB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229920003244 diene elastomer Polymers 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical class OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 229940060296 dodecylbenzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000011087 fumaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000000174 gluconic acid Substances 0.000 description 1
- 235000012208 gluconic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- MVFCKEFYUDZOCX-UHFFFAOYSA-N iron(2+);dinitrate Chemical compound [Fe+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MVFCKEFYUDZOCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 229940018564 m-phenylenediamine Drugs 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 159000000003 magnesium salts Chemical class 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 1
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- LFSXCDWNBUNEEM-UHFFFAOYSA-N phthalazine Chemical compound C1=NN=CC2=CC=CC=C21 LFSXCDWNBUNEEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920006124 polyolefin elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000056 polyoxyethylene ether Polymers 0.000 description 1
- 229940051841 polyoxyethylene ether Drugs 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920003226 polyurethane urea Polymers 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- JLKDVMWYMMLWTI-UHFFFAOYSA-M potassium iodate Chemical compound [K+].[O-]I(=O)=O JLKDVMWYMMLWTI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000001230 potassium iodate Substances 0.000 description 1
- 229940093930 potassium iodate Drugs 0.000 description 1
- 235000006666 potassium iodate Nutrition 0.000 description 1
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 description 1
- 159000000001 potassium salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229920005604 random copolymer Chemical group 0.000 description 1
- ORIHZIZPTZTNCU-YVMONPNESA-N salicylaldoxime Chemical compound O\N=C/C1=CC=CC=C1O ORIHZIZPTZTNCU-YVMONPNESA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 239000000344 soap Substances 0.000 description 1
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229920001935 styrene-ethylene-butadiene-styrene Polymers 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- HQYALQRYBUJWDH-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](OC)(OC)OC HQYALQRYBUJWDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004636 vulcanized rubber Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
- B24D3/02—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent
- B24D3/20—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially organic
- B24D3/28—Resins or natural or synthetic macromolecular compounds
- B24D3/32—Resins or natural or synthetic macromolecular compounds for porous or cellular structure
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
- B24D3/34—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents characterised by additives enhancing special physical properties, e.g. wear resistance, electric conductivity, self-cleaning properties
- B24D3/342—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents characterised by additives enhancing special physical properties, e.g. wear resistance, electric conductivity, self-cleaning properties incorporated in the bonding agent
- B24D3/344—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents characterised by additives enhancing special physical properties, e.g. wear resistance, electric conductivity, self-cleaning properties incorporated in the bonding agent the bonding agent being organic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1436—Composite particles, e.g. coated particles
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は研磨パッドに関する。更に詳しくは、スラリーの保持性が良好であり、硬度が高く、十分な平坦性を有する研磨面とすることができる等の優れた研磨特性を備える研磨パッドに関する。
本発明は半導体ウェハ等の表面の研磨に広く利用される。
【0002】
【従来の技術】
高い平坦性を有する研磨面を形成することができる研磨方法としてCMP(Chemical Mechanical Polishing)が近年注目されている。CMPでは研磨パッドと被研磨面とを摺動させながら、研磨パッド表面に、砥粒が分散された水系分散体であるスラリーを上方から流下させて研磨が行われる。
このCMPにおいて生産性を大きく左右する因子として研磨速度が挙げられるが、この研磨速度は従来よりもスラリーの保持量を多くすることにより大幅に向上することができるとされている。
【0003】
従来より、CMPでは微細な気泡を含有するポリウレタンフォームを研磨パッドとして用い、この研磨パッドの表面に開口する穴(以下、「ポア」という。)にスラリーを保持させて研磨が行われる。
しかし、ポリウレタンフォームでは発泡状態を自在に制御することは難しく、気泡の大きさ、発泡密度等をフォームの全体に渡って均一に制御することは極めて困難である。その結果、ポリウレタンフォームからなる研磨パッドの品質がばらつき、研磨速度等がばらつく原因となっている。
【0004】
この発泡体からなる研磨パッドに対して、よりポアの制御が容易な研磨パッドとして、水溶性物質を種々の樹脂中に分散させたものが知られている(例えば、特許文献1、特許文献2、特許文献3参照。)。これらのうち、特許文献1及び特許文献2においては、水溶性物質を含有する研磨パッドの有効性が記載されている。また、特許文献3では、マトリックス材の材質が検討され、より安定した研磨と研磨速度の向上が認められるが、スラリーの保持性及び研磨速度は必ずしも十分ではない。
更に、従来から、広い範囲のpH域においてそれぞれ異なるpHを有するスラリーが用いられており、これらのpHの異なる種々のスラリーに対応し得る研磨パッドが望まれている。
【0005】
【特許文献1】
特表平8−500622号公報
【特許文献2】
特開2000−34416号公報
【特許文献3】
特開2000−33552号公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、広い範囲のpH域においてそれぞれ異なるpHを有するスラリーを用いた場合でも、スラリーの保持性に優れるため研磨速度が大きく、また、硬度が高く、十分な平坦性を有する研磨面とすることができ、研磨中及びドレッシング後にもその保持性及び研磨速度の低下を効果的に防止することができる研磨パッドを提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、研磨中にスラリーの保持性及び研磨速度が次第に低下する機構、及びダイヤモンド砥石等により研磨パッド表面のポアを形成(面出し)又は更新(面更新)を行うドレッシングにおけるポア形成の機構を詳細に検討した。その結果、従来の研磨パッド表面に上記研磨及びドレッシング等によりずり応力が働いた場合、主構成材料であるマトリックス材は伸びを生じ、その後、塑性変形するためにポアが塞がれることが分かった。更に、被研磨面だけでなくマトリックス材自身の屑も発生するため、この屑によってもポアが塞がれることが分かった。即ち、これらの原因により研磨速度の維持が困難であることが分かった。これらを防止する方法としてマトリックス材に弾性回復性を発現する架橋構造を有する材料を用いることが効果的ではあるが、より安定した研磨が望まれており、また、スラリーの保持性及び研磨速度の更なる向上も必要である。
本発明は、このような知見に基づきなされたものである。
【0008】
本発明は以下のとおりである。
1.架橋重合体を含有する非水溶性マトリックス材と、該非水溶性マトリックス材中に分散された水溶性粒子であるβ−シクロデキストリンと、を含有する研磨パッドにおいて、該水溶性粒子自体の水への溶解度が25℃で0.1〜10質量%であり、且つ研磨パッドを水に浸積した際の該研磨パッド中に含まれる水溶性粒子の溶出度が25℃で0.05〜50質量%であり、カップリング剤としてのγ−(2−アミノエチル)−アミノプロピルトリメトキシシランによって上記水溶性粒子の最外部の少なくとも一部に外殻が形成されていることを特徴とする研磨パッド。
2.上記水溶性粒子自体の水への溶解度が50℃で0.5〜15質量%であり、且つ研磨パッドを水に浸積した際の研磨パッド中に含まれる水溶性粒子の溶出度が50℃で0.05〜50質量%である上記1.に記載の研磨パッド。
3.上記水溶性粒子自体のpH3からpH11の全範囲における水への溶解度が25℃で0.1〜3質量%である上記1.に記載の研磨パッド。
4.上記架橋重合体を含有する非水溶性マトリックス材の少なくとも一部は、架橋された1,2−ポリブタジエンである上記1.乃至3.のいずれかに記載の研磨パッド。
5.上記カップリング剤を上記水溶性粒子に対して0.001〜10質量%用いる上記1.乃至4.のいずれかに記載の研磨パッド。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳しく説明する。
上記「非水溶性マトリックス材」(以下、単に「マトリックス材」ともいう。)には、架橋重合体が含有される。
上記「架橋重合体」は、マトリックス材を構成し、架橋構造を有することによりマトリックス材に弾性回復力を付与する。架橋重合体を含有することにより、研磨時に研磨パッドにかかるずり応力による変位を小さく抑えることができ、研磨時及びドレッシング時にマトリックス材が過度に引き延ばされ塑性変形してポアが埋まること、また、研磨パッド表面が過度に毛羽立つこと等を効果的に抑制することができる。従って、ポアが効率よく形成され、研磨時のスラリーの保持性の低下が少なく、また、毛羽立ちが少なく研磨平坦性等が阻害されることもない。
【0010】
このような架橋重合体としては、熱可塑性樹脂、エラストマー、ゴム及び硬化性樹脂(熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等、熱、光等により、硬化される樹脂)等の未架橋重合体のうちの1種が架橋されてなる架橋重合体や、これらの未架橋重合体のうちの2種以上が共架橋されてなる架橋重合体等が挙げられる。また、重合体の一部が架橋されていてもよく、全体が架橋されていてもよい。更に、重合体の一部が架橋された架橋重合体と未架橋重合体との混合物でもよいし、全体が架橋された架橋重合体と未架橋重合体との混合物でもよい。尚、架橋方法は、架橋剤による化学架橋、又は紫外線又は電子線等の照射による放射線架橋のいずれでもよい。
【0011】
熱可塑性樹脂としては、1,2−ポリブタジエン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA、通常、3質量%以上の酢酸ビニル単位を含有する。)及びポリエチレン等のポリオレフィン系樹脂、アクリロニトリル−スチレン−ブタジエン共重合体(ABS樹脂等)、ポリスチレン系樹脂、ポリアクリル系樹脂{(メタ)アクリレート系樹脂等}、ビニルエステル系樹脂(EVAを除く。)、飽和ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、フッ素樹脂(ポリフッ化ビニリデン等)、ポリカーボネート系樹脂、ポリアセタール系樹脂等が挙げられる。
【0012】
エラストマーとしては、ポリオレフィン系エラストマー(EVAを除く。)、スチレン系エラストマー{スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、その水素添加ブロック共重合体(SEBS)等}、熱可塑性ポリウレタン系エラストマー、熱可塑性ポリエステル系エラストマー、ポリアミド系エラストマー、シリコーン樹脂系エラストマー、フッ素樹脂系エラストマー等が挙げられる。
【0013】
ゴムとしては、ブタジエン系ゴム(高シスブタジエンゴム、低シスブタジエンゴム等)、イソプレン系ゴム、スチレン−ブタジエン系ゴム、スチレン−イソプレン系ゴム等の共役ジエン系ゴム、アクロルニトリル−ブタジエン系ゴム等のニトリル系ゴム、アクリル系ゴム、エチレン−プロピレン系ゴム、エチレン−プロピレン−ジエン系ゴム等のエチレン−α−オレフィン系ゴム、及び、ブチルゴムやシリコーンゴムやフッ素ゴム等のその他のゴムが挙げられる。
硬化性樹脂としては、ウレタン系樹脂、エポキシ系樹脂、(メタ)アクリル系樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、ポリウレタン−ウレア系樹脂、ウレア系樹脂、ケイ素系樹脂、フェノール系樹脂等が挙げられる。
【0014】
これらの架橋重合体のうちでは、1,2−ポリブタジエン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリエチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリアクリル系樹脂、ビニルエステル系樹脂、飽和ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂及びポリアセタール系樹脂のうちの少なくとも1種が架橋された架橋重合体が好ましい。また、これらの樹脂のうちの2種以上が共架橋された架橋重合体であってもよい。これらの架橋重合体は、成形性及び耐摩耗性を向上させる効果が大きい。また、吸水による軟化が少なく、スラリー中に含有される酸やアルカリに対して安定である。
これらは1種のみが含有されていてもよく、2種以上が含有されていてもよい
【0015】
尚、マトリックス材は、酸無水物基、カルボキシル基、ヒドロキシル基、エポキシ基、アミノ基等により変性されていてもよい。この変性によりマトリックス材と水溶性粒子及びスラリーとの親和性を調節することができる。尚、水溶性粒子がアミノ基、エポキシ基、イソシアヌレート基及びヒドロキシル基を少なくとも1種含有する場合は、官能基を含有するマトリックス材と、官能基を含有する水溶性粒子とが、所要量の水溶性粒子が溶出し得ないほどに反応しないことが好ましい。
【0016】
マトリックス材は、JIS K 6251に準じ、マトリックス材からなる試験片を80℃において破断させた場合に、破断後に残留する伸び(以下、単に「破断残留伸び」という)が100%以下であることが好ましい。即ち、破断した後の標線間合計距離が破断前の標線間距離の2倍以下であることが好ましい。この破断残留伸びは30%以下(更に好ましくは10%以下、とりわけ好ましくは5%以下、通常0%を超える。)であることがより好ましい。破断残留伸びが100%を超えると、研磨時及び面更新時に研磨パッド表面から掻き取られた又は引き伸ばされた微細片がポアを塞ぎ易くなる傾向にあり好ましくない。
【0017】
尚、上記「破断残留伸び」とは、JIS K 6251「加硫ゴムの引張試験方法」に準じて、試験片形状ダンベル状3号形、引張速度500mm/分、試験温度80℃で引張試験において試験片を破断させた場合に、破断して分割された試験片の各々の標線から破断部までの合計距離から、試験前の標線間距離を差し引いた伸びである。また、実際の研磨においては摺動により発熱するため温度80℃における試験となっている。
【0018】
また、マトリックス材の含水率は3%以下であることが好ましく、より好ましくは2%以下、特に好ましくは1%以下である。含水率が3%以下と低い場合は、研磨パッドの内部における水溶性粒子の膨潤等が十分に抑えられ、硬度の高い研磨パッドとすることができ、面内均一性やローカルプラナリティ等の研磨特性が向上する。マトリックス材の含水率が3%を超えると、マトリックス材中の水溶性粒子が溶解及び/又は膨潤する可能性があり、面内均一性やローカルプラナリティ等の研磨特性が低下することがあり好ましくない。
【0019】
上記「水溶性粒子」は、研磨の際に研磨パッドが水及び/又は水系分散体であるスラリーと接触した際に、マトリックス材から離脱する。特に、研磨パッドの最表層近傍に存在する水溶性粒子が溶出し、それによりポアが形成される。このポアはスラリーを保持し、研磨屑を一時的に滞留させる機能を有する。尚、マトリックス材中に分散されている水溶性粒子は、水との接触により溶解して離脱するばかりでなく、水等を含有して膨潤し、ゲル状となってマトリックス材から遊離することもある。更に、水溶性粒子は、水ばかりでなく、メタノール等のアルコール系溶剤を含有する水系混合媒体との接触によっても溶解又は膨潤し、マトリックス材から離脱又は遊離する。
【0020】
水溶性粒子としてはβ−シクロデキストリンが含有される。
【0021】
また、この水溶性粒子の平均粒径は0.1〜500μm、より好ましくは0.5〜100μmである。平均粒径が0.1μm未満であると、形成されるポアの大きさが使用する砥粒より小さくなるためスラリーを十分に保持できる研磨パッドが得難くなる傾向にある。一方、500μmを超えると、形成されるポアの大きさが過大となり、得られる研磨パッドの機械的強度及び研磨速度が低下する傾向にある。また、粒径分布については特に制限はなく、粒子径が揃っていても、不揃いでもよい。更に、水溶性粒子の形状は特に制限されず、板状、粒状、無定型、球状、スピンドル状、針状、その他いずれの形状であってもよい。
【0022】
この水溶性粒子の研磨パッド中の含有量は、マトリックス材と水溶性粒子との合計を100体積%とした場合に、水溶性粒子は0.1〜90体積%、より好ましくは1〜60体積%、特に好ましくは2〜40体積%である。水溶性粒子の含有量が0.1体積%未満であると、得られる研磨パッドにおいてポアが十分に形成されず研磨速度が低下する傾向にある。一方、90体積%を超えて水溶性粒子を含有する場合は、得られる研磨パッドにおいて研磨パッド内部に存在する水溶性粒子が膨潤又は溶解することを十分に防止でき難くなる傾向にあり、研磨パッドの硬度及び機械的強度を適正な値に保持し難くなる。
【0023】
また、本発明では、カップリング剤としてのγ−(2−アミノエチル)−アミノプロピルトリメトキシシランによって上記水溶性粒子の最外部の少なくとも一部に外殻が形成されている。
【0024】
また、水溶性粒子が、アミノ基、エポキシ基、イソシアヌレート基及びヒドロキシル基を少なくとも1種含有する場合は、マトリックス材と水溶性粒子との相溶化剤及び/又は分散安定化剤として機能し、マトリックス材と水溶性粒子との親和性を高め、マトリックス材中での水溶性粒子の分散性を向上させることができる。このように水溶性粒子の分散性が向上することにより、均質な研磨パッドとすることができ、面内均一性やローカルプラナリティ等の研磨特性が向上する。この官能基としては前記のようにヒドロキシル基が好ましい。尚、マトリックス材が酸無水物基、カルボキシル基、ヒドロキシル基、エポキシ基、アミノ基等により変性されている場合は、官能基を含有する水溶性粒子と、官能基を含有するマトリックス材とが、所要量の水溶性粒子が溶出し得ないほどに反応しないことが好ましい。
【0025】
カップリング剤としては、上述のようにγ−(2−アミノエチル)−アミノプロピルトリメトキシシランを使用する。
【0029】
カップリング剤を用いた処理は、このカップリング剤を水溶性粒子に対して0.001〜10質量%、より好ましくは0.01〜5質量%用いて行うことができる。このカップリング剤処理によって、水溶性粒子は、アミノ基を少なくとも1種表面に含有することになる。尚、前記の外殻が形成されている場合、この外殻は水溶性粒子の一部のみに形成されていても十分に上記効果を得ることができる。
【0030】
水溶性粒子自体の水(脱イオン水)への溶解度は25℃で0.1〜10質量%であり、好ましくは0.2〜8質量%、より好ましくは0.5〜5質量%である。この溶解度が0.1質量%未満であると、研磨時の水溶性粒子の溶出が不十分となり、ポアを十分に形成できなくなる可能性があり、研磨速度が低下することがある。一方、溶解度が10質量%を超えると、後述する水溶性粒子の研磨パッドからの溶出度が上限を上回る可能性があり好ましくない。溶解度がこの範囲にあることにより、本発明の研磨パッドが研磨時に各種スラリーと接触した際に、研磨パッドの最表層近傍に存在する水溶性粒子が溶解又は膨潤することにより脱離又は遊離し、適度なポアの形成が容易となる。
【0031】
また、水溶性粒子が、アミノ基、エポキシ基及びイソシアヌレート基を少なくとも1種含有する場合は、水への溶解度を低下させることができ、水溶性粒子自体の溶解度をより容易に適正な範囲とすることができる。更には水溶性粒子のpH3からpH11の全範囲、好ましくはpH1からpH13の全範囲における水への溶解度は25℃で0.1〜3質量%、特に0.5〜2.5質量%であることが好ましい。このように水への溶解度が低い場合は、後記の溶出度を好ましい範囲に容易に調整することができ、研磨パッド内部までポアが形成されることが防止され、十分な硬度を有する研磨パッドとすることができ、面内均一性やローカルプラナリティ等の研磨特性が向上する。
ここで、水溶性粒子のpH3からpH11の全範囲、好ましくはpH1からH13の全範囲における水への溶解度は、脱イオン水に硝酸又は水酸化カリウムを添加し、pH調整した水を用いて測定した溶解度である。以下も同様である。
【0032】
更に、50℃での水溶性粒子自体の水への溶解度は0.5〜15質量%であることが好ましく、より好ましくは0.7〜12質量%、特に好ましくは1〜10質量%である。この溶解度が0.5質量%未満であると、上記と同じくポアを十分に形成できなくなる可能性があり、研磨速度が低下することがある。一方、15質量%を超えると、上記と同じく水溶性粒子の研磨パッドからの溶出度が上限を上回る可能性があり好ましくない。
【0033】
また、上記の水溶性粒子自体のpH3からpH11の全範囲、好ましくはpH1からpH13の全範囲における水への溶解度は25℃で0.1〜10質量%であり、且つpH7の場合の25℃での水への溶解度に対して、pH3からpH11の範囲、好ましくはpH1からpH13における25℃での溶解度が±50%以内、好ましくは30%以内、より好ましくは20%以内であることが好ましい。特に、水溶性粒子自体のpH3からpH11の全範囲、好ましくはpH1からpH13の全範囲における水への溶解度は25℃で0.1〜3質量%、特に0.5〜2.5質量%であり、且つpH7の場合の25℃での水への溶解度に対して、pH3からpH11の全範囲、好ましくはpH1からpH13の全範囲における25℃での溶解度が±50%以内、好ましくは30%以内、より好ましくは20%以内であることが特に好ましい。溶解度のpHによる変化がこの範囲にあることにより、研磨時のpHにかかわらず、更には研磨中にpHが変化しても、研磨パッドの最表層近傍に存在する水溶性粒子が溶解又は膨潤することにより脱離又は遊離し、適度なポアの形成が容易となる。
【0034】
更に、研磨パッドを水に浸積した際の研磨パッド中に含まれる水溶性粒子の溶出度は25℃で0.05〜50質量%であることが好ましく、より好ましくは0.1〜25質量%、特に好ましくは0.2〜10質量%である。また、50℃でも同様に0.05〜50質量%であることが好ましく、より好ましくは0.1〜25質量%、特に好ましくは0.2〜10質量%である。溶出度が0.05質量%未満であると、ポアが十分に形成されず、所望の研磨速度が発現しない可能性がある。また、50質量%を超えると、研磨パッド内部までポアが形成される可能性があり、研磨パッドの硬度が低下し、面内均一性やローカルプラナリティ等の研磨特性が悪化する可能性があり好ましくない。
【0035】
この水への溶出度は、pH3からpH11の範囲、好ましくはpH2からpH13の範囲において25℃で0.05〜50質量%であることが好ましく、より好ましくは0.1〜25質量%、特に好ましくは0.2〜10質量%である。この範囲のpHにおいて溶出度が所定の範囲にあることにより、研磨時のpHにかかわらず、更には研磨中にpHが変化しても、水溶性粒子の過度な溶出が抑えられ、研磨パッドの最表層近傍に存在する水溶性粒子のみが溶解又は膨潤することにより脱離又は遊離し、適度なポアの形成が容易となる。また、パッドの硬度の低下も抑えられるため、面内均一性やローカルプラナリティ等の優れた研磨特性が維持される。
ここで、水溶性粒子のpH3からpH11の全範囲、好ましくはpH1からH13の全範囲における水への溶出度は、脱イオン水に硝酸又は水酸化カリウムを添加し、pH調整した水を用いて測定した溶出度である。
尚、水溶性粒子の水への溶出度は、研磨パッドを質量比で2倍量の水(脱イオン水)に25℃で12時間浸漬した際に水に溶出した水溶性粒子の質量を、浸漬前の研磨パッドに含有されていた水溶性粒子の質量で除して100倍した値として算出することができる。
【0036】
水溶性粒子は、ポアを形成する機能以外にも、研磨パッドの押し込み硬さを大きくする機能を有する(例えば、ショアーD硬度35〜100)。この押し込み硬さが大きいことにより、研磨パッドにおいて被研磨面に負荷する圧力を大きくすることができる。このため、研磨速度を向上させるばかりでなく、同時に高い研磨平坦性が得られる。従って、この水溶性粒子は、研磨パッドにおいて十分な押し込み硬さを確保できる中実体であることが特に好ましい。
【0037】
ポアの大きさは0.1〜500μm(より好ましくは0.5〜100μm)であることが好ましい。このポアの大きさが0.1μm未満であると砥粒の粒径より小さくなることがあるため、砥粒を十分に保持し難くなる傾向にある。一方、ポアの大きさが500μmを超えると十分な強度及び押し込み硬さを得難くなる傾向にある。
【0038】
本発明においては、非水溶性マトリックス及び/又は水溶性粒子中に、従来からスラリーに含有されている砥粒、酸化剤、アルカリ金属の水酸化物、酸、使用時に酸を発生する塩、pH調節剤、界面活性剤及びスクラッチ防止剤等の1種又は2種以上を含有することができる。これにより研磨時に水のみを供給して研磨を行うことも可能となる。
上記砥粒としては、シリカ、アルミナ、セリア、ジルコニア及びチタニア等からなる粒子を挙げることができる。これらは1種又は2種以上を用いることができる。
【0039】
上記酸化剤としては、過酸化水素、過酢酸、過安息香酸、tert−ブチルハイドロパーオキサイド等の有機過酸化物、過マンガン酸カリウム等の過マンガン酸化合物、重クロム酸カリウム等の重クロム酸化合物、ヨウ素酸カリウム等のハロゲン酸化合物、硝酸及び硝酸鉄等の硝酸化合物、過塩素酸等の過ハロゲン酸化合物、過硫酸アンモニウム等の過硫酸塩、並びにヘテロポリ酸等が挙げられる。これらの酸化剤のうちでは、分解生成物が無害である過酸化水素及び有機過酸化物の他、過硫酸アンモニウム等の過硫酸塩が特に好ましい。これらは1種又は2種以上を用いることができる。
【0040】
上記アルカリ金属の水酸化物としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化ルビジウム、及び水酸化セシウム等が挙げられる。これらは1種又は2種以上を用いることができる。
上記酸としては有機酸及び無機酸が挙げられる。このうち有機酸としては、パラトルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、イソプレンスルホン酸、グルコン酸、乳酸、クエン酸、酒石酸、リンゴ酸、グリコール酸、マロン酸、ギ酸、シユウ酸、コハク酸、フマル酸、マレイン酸及びフタル酸等が挙げられる。また、無機酸としては、硝酸、塩酸及び硫酸等が挙げられる。これら酸は1種又は2種以上を用いることができる。
上記塩としては、上記酸のアンモニウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属塩、カルシウム塩、マグネシウム塩等のアルカリ土類金属塩等が挙げられる。これらは1種又は2種以上を用いることができる。
【0041】
上記界面活性剤としては、カチオン系、アニオン系及びノニオン系を挙げることができる。このうちカチオン系界面活性剤としては、脂肪族アミン塩、脂肪族アンモニウム塩等が挙げられる。また、アニオン系界面活性剤としては、脂肪酸石鹸、アルキルエーテルカルボン酸塩等のカルボン酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルナフタレンスルホン酸塩、α−オレフィンスルホン酸塩等のスルホン酸塩、高級アルコール硫酸エステル塩、アルキルエーテル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩等の硫酸エステル塩、アルキルリン酸エステル塩等のリン酸エステル塩などが挙げられる。更に、ノニオン系界面活性剤としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル等のエーテル型、グリセリンエステルのポリオキシエチレンエーテル等のエーテルエステル型、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル、グリセリンエステル、ソルビタンエステル等のエステル型などが挙げられる。これらは1種又は2種以上を用いることができる。
【0042】
上記スクラッチ防止剤としては、ビフェノール、ビピリジル、2−ビニルピリジン及び4−ビニルピリジン、サリチルアルドキシム、o−フェニレンジアミン及びm−フェニレンジアミン、カテコール、o−アミノフェノール、チオ尿素、N−アルキル基含有(メタ)アクリルアミド、N−アミノアルキル基含有(メタ)アクリルアミド、7−ヒドロキシ−5−メチル−1,3,4−トリアザインドリジン、5−メチル−1H−ベンゾトリアゾール、フタラジン、メラミン及び3−アミノ−5,6−ジメチル−1,2,4−トリアジン等が挙げられる。これらは1種又は2種以上を用いることができる。
【0043】
また、非水溶性マトリックス材は、上記従来からスラリーに含有されている各種材料以外に、相溶化剤、充填剤、軟化剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、帯電防止剤、滑剤、可塑剤等の各種の添加剤を添加することができる。このうち相溶化剤としては、酸無水物基、カルボキシル基、ヒドロキシル基、エポキシ基、オキサゾリン基、アミノ基等により変性された単独重合体、ブロック共重合体、ランダム共重合体、及び種々のノニオン系界面活性剤等を使用することができる。また、充填剤としては、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、タルク、クレー等の剛性を向上させる材料、及びシリカ、アルミナ、セリア、チタニア、ジルコニア、二酸化マンガン、三酸化二マンガン、炭酸バリウム等の研磨効果を備える材料等を用いることができる。更に、硫黄や過酸化物等の反応性添加物を添加して反応させ、架橋させることもできる。
【0044】
研磨パッドを形成するための組成物の調製方法は特に限定されない。混練工程を有する場合は公知の混練機等により混練を行うことができる。例えば、ロール、ニーダー、バンバリーミキサー、押出機(単軸、多軸)等の混練機を挙げることができる。尚、混練された研磨パッド用組成物は、プレス成形、押出成形、射出成形等を行うことによりシート状、ブロック状又はフィルム状等の所望の形状に加工することができる。また、これを所望の大きさに加工することにより研磨パッドを得ることができる。
【0045】
また、水溶性粒子と未架橋重合体とを上記の方法により混練し、その後、所望の形状に加工し、この成形体を前記の方法により架橋することにより研磨パッドを得ることができる。架橋のための加熱温度は室温〜300℃、好ましくは50〜200℃とすることができる。また、水溶性粒子と未架橋重合体とを含有する組成物を金型内で成形するとともに、架橋させることができ、予め所望の形状に成形した成形体を架橋させることもできる。
【0046】
また、水溶性粒子をマトリックス材中に分散させる方法は特に限定されないが、通常、未架橋重合体、水溶性粒子及びその他の添加剤等を上記のように混練して分散させることができる。この混練において未架橋重合体は加工し易いように加熱されて混練されるが、この時の温度において水溶性粒子は固体であることが好ましい。固体であることにより、未架橋重合体との相溶性の大きさに関わらず水溶性粒子を前記の好ましい平均粒径を呈する状態で分散させ易くなる。従って、使用する未架橋重合体の加工温度により、水溶性粒子の種類を選択することが好ましい。
【0047】
本発明の研磨パッドのショアーD硬度は前記のように35以上(通常100以下、より好ましくは50〜90、更に好ましくは60〜85)であることが好ましい。このショアーD硬度が35未満であると、研磨時に被研磨体に加えることのできる圧力が低下する傾向にあり、研磨速度が低下し、研磨平坦性が十分でなくなることがある。
【0048】
本発明の研磨パッドの表面(研磨面)にはスラリーの排出性を向上させる目的等で必要に応じて溝及びドットパターンを所定の形状で形成できる。また、この研磨パッドの裏面(研磨面と反対側)に、例えばより軟質な層を張り合わせた研磨パッドのような多層構造を呈する研磨パッドとすることもできる。更に、この研磨パッドの形状は特に限定されず、円盤状、ベルト状、ローラー状等研磨装置に応じて適宜選択することができる。また、本発明の研磨パッドに貫通穴を設け、透光性を有する終点検出用の窓を装着することもできる。
【0049】
本発明の研磨パッドは、各種の被研磨体の表面を研磨する研磨方法に使用することができる。この研磨方法によると、平坦性に優れた化学機械研磨を行うことができ、更に、高い研磨速度を得ることができる。
被研磨体は特に限定されず、各種の被研磨体を用いることができる。被研磨体としては、例えば、埋め込み材料を伴う被研磨体及び埋め込み材料を伴わない被研磨体等が挙げられる。
埋め込み材料を伴う被研磨体は、例えば、少なくともその表面側に溝を備える半導体装置となる基板(通常、少なくともウェハとこのウェハの表面に形成された絶縁膜とを備える。更には、絶縁膜表面に研磨時のストッパとなるストッパ層を備えることができる。)の表面側に、少なくとも溝内に所望の材料が埋め込まれるように堆積等(CVD等による)した積層体等である。この被研磨体の研磨に際しては、余剰に堆積等された埋め込み材料を本発明の研磨パッドを用いて研磨により除去し、その表面を平坦化する研磨を行うことができる。被研磨体が埋め込み材料の下層にストッパ層を備える場合にはストッパ層の研磨も研磨の後期には同時に行うことができる。
【0050】
埋め込み材料は、特に限定されないが、例えば、▲1▼STI工程に用いられるP−TEOS、PE−TEOS、O3−TEOS、HDP−SiO及びFSG(フッ素添加SiO2系絶縁性膜)等のSiO2系絶縁材料、▲2▼ダマシン工程に用いられるAl及びCu等のうちの少なくとも1種からなるメタル配線用材料、▲3▼ビアプラグ形成工程に用いられるAl、Cu及びW等のうちの少なくとも1種からなるビアプラグ用材料、▲4▼層間絶縁膜形成工程に用いられるP−TEOS、PE−TEOS、O3−TEOS、HDP−SiO及びFSG等のSiO2系絶縁材料、BPSG(SiO2にB及び/又はPを含有させた材料)、Low−k(有機系の低誘電絶縁材)、SOG、及び、HSQ−SOG(水素含有多孔質SOG)等の層間絶縁膜材料等が挙げられる。また、上記ストッパ層を構成するストッパ材料としてはSi3N4、TaN及びTiN等の窒化物系材料が挙げられる。一方、埋め込み材料を伴わない被研磨体としては、ポリシリコン及びベアシリコン等が挙げられる。
【0051】
また、被研磨体の研磨に際しては、通常、研磨剤を用いることができる。研磨剤は被研磨体により各々に適したものを適宜選択することが好ましいが、例えば、水系分散体が挙げられる。水系分散体を構成する材料も特に限定されないが、例えば、水、砥粒、酸化剤、アルカリ金属の水酸化物、酸、pH調節剤、界面活性剤及びスクラッチ防止剤等の前記の各材料が挙げられる。これらは1種又は2種以上を用いることができる。
【0052】
【実施例】
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
[1]研磨パッド用組成物の調製及び研磨パッドの成形
実施例1
後に架橋されてマトリックス材となる1,2−ポリブタジエン(ジェイエスアール社製、商品名「JSR RB830」)80体積%と、水溶性粒子として予め1質量%のγ−(2−アミノエチル)−アミノプロピルトリメトキシシランにより処理された
平均粒径が16μmのβ−シクロデキストリン(横浜国際バイオ研究所社製、商品名「デキシーパールβ−100」、以下、変性後のものを「変性β−シクロデキストリン」という。)20体積%とを、170℃に加熱されたルーダーにて混練した。その後、有機過酸化物(日本油脂社製、商品名「パーヘキシン25B」)0.3質量部を添加してさらに130℃で混練した後、金型内にて170℃で20分間架橋反応させて成形し、直径60cm、厚さ3mmの研磨パッドを得た。
【0053】
得られたパッドの質量は約1kgであり、280gの変性β−シクロデキストリンが含有されている。このパッドと質量で2倍量、即ち、2kgの脱イオン水とをステンレス鋼製の容器に投入し、これを25℃に調温された恒温槽に収容し、マグネティックスターラーで攪拌した。12時間経過後、パッドを取り出し、1.5gの溶出液をアルミニウム皿に採取し、200℃に調温された乾燥機により30分間乾燥させた。乾燥後、皿に残った固形分(変性β−シクロデキストリン)の質量は3.0mgであった。これらの数値から脱イオン水に溶出したβ−シロクデキストリンの溶出度[浸漬により溶出した変性β−シクロデキストリンの質量/研磨パッドに含有されていた変性β−シクロデキストリンの質量]×100、を、下記のようにして算出したところ、約1.4質量%であった。また、50℃に調温された恒温槽を用いた他は同様の実験を行ったときの溶出度は約1.5質量%であり、温度による差異は極めて小さいことが分かる。
溶出度の算出法;全溶出量をx(g)、皿に残った固形分の質量をy(3.0mg)とすると、x/(2000+x)=(y/1000)/1.5となり、xは4.008gとなる。従って、溶出度は、(4.008/280)×100=1.428で約1.4%と算出される。
【0054】
尚、カップリング処理された変性β−シクロデキストリンの水への溶解度は25℃で2.3質量%、50℃で4.9質量%であった。この変性β−シクロデキストリンの25℃における溶解度のpH依存性を図1に示す。この図1によれば、pH3、5、7、9及び11における溶解度は、それぞれ2.4質量%、2.5質量%、2.5質量%、2.7質量%及び2.6質量%であった。また、pH7のときの溶解度に対してpH3、5、9及び11のときの各々のpHは、それぞれ−4%、0%、+8%、及び+4%であり、pH3からpH11の範囲において溶解度の変化が極めて小さいことが分かる。尚、pHの調整は硝酸又は水酸化カリウムを用いて行った。
【0055】
次いで、この研磨パッドの研磨面側に加藤機械社製オリジナル溝加工機を用いて、溝幅の平均値が0.5mm、溝深さの平均値が1mm、ピッチの平均値が1.75mmの環状の複数の溝を同心円状に形成した。その後、この研磨パッドの研磨性能を以下のようにして評価した。
(1)研磨速度及びスクラッチの有無
研磨パッドを研磨装置(SFT社製、型式「ラップマスター LM−15」)の定盤上に装着し、定盤の回転数を50rpmとし、3倍に希釈した化学機械研磨用スラリー(ジェイエスアール社製、商品名「CMS 1101」)を流量100cc/分の条件で用いて、SiO2膜ウェハを2分間研磨し、研磨速度及びスクラッチの有無を評価した。研磨速度は光学式膜厚計により研磨前後の膜厚を測定し、この膜厚差を研磨時間で除して算出した。また、スクラッチは研磨後のSiO2膜ウェハの研磨面を電子顕微鏡により観察して確認した。その結果、研磨速度は350nm/分であり、スクラッチはほとんど認められなかった。
【0056】
(2)ディッシングの評価
半導体ウェハ(SKW社製、商品名「SKW−7」)を下記の条件により研磨した後、微細形状測定装置(KLA-Tencor社製、型式「P−10」)によりディッシングを測定した。その結果、ディッシングは70nmであり、被研磨面は平坦性に優れていた。
スラリー;CMS1101(ジェイエスアール社製)
化学機械研磨装置;EPO112(荏原製作所社製)
スラリー供給量;200ml/分
研磨荷重;400g/cm2
定盤回転数;70rpm
ヘッド回転数;70rpm
研磨速度;400nm/分
研磨時間;5.75分(15%オーバーポリッシュ)
【0057】
参考例
未架橋1,2−ポリブタジエン(ジェイエスアール社製、商品名「JSR RB830」)60体積部と、未架橋エチレン−酢酸ビニル共重合体(東ソー社製、商品名「ウルトラセン630」)20体積部と、水溶性粒子であるβ−シクロデキストリン(横浜国際バイオ研究所社製、商品名「デキシーパールβ−100」、平均粒径20μm)20体積部と、を160℃に調温された二軸押し出し機を用いて混練した。その後、有機過酸化物(日本油脂社製、品名「パークミルD40」)1.0質量部を添加してさらに混練し、この混練物を金型に押し出した。その後、170℃で18分間保持する架橋処理を行い、直径60cm、厚さ3mmの研磨パッドを得た。次いで、この研磨パッドの研磨面側に、加藤機械社製オリジナル溝加工機を用い、溝幅の平均値が0.5mm、溝深さの平均値が0.5mm、ピッチの平均値が4mmの環状の複数の溝を同心円状に形成した。更に、実施例1と同様にして研磨速度、スクラッチの有無及びディッシングを評価した。その結果、研磨速度は300nm/分であり、スクラッチはほとんど認められず、ディッシングは60nmであり、被研磨面は平坦性に優れていた。
【0058】
比較例1
水溶性粒子として平均粒径20μmの硫酸カリウム(高杉製薬社製)を使用した以外は実施例1に従い、直径60cm、厚さ3mmの研磨パッドを得た。また、実施例1と同様にして硫酸カリウムの水への溶出度を算出したところ80質量%であった。同様の実験を50℃の水中で行ったときの溶出度は82質量%であった。尚、硫酸カリウムの溶解度は25℃で11質量%、50℃で12質量%であった。更に、この研磨パッドの研磨面側に、加藤機械社製オリジナル溝加工機を用い、実施例1と同様の環状の複数の溝を同心円状に形成した。また、実施例1と同様にして研磨速度、スクラッチの有無及びディッシングを評価した。その結果、研磨速度は300nm/分であり問題なかったが、多くのスクラッチが認められ、ディッシングは180nmであり、被研磨面は平坦性にも劣っていた。
【0059】
比較例2
市販の発泡ポリウレタン製の研磨パッド(ロデール・ニッタ社製、商品名「IC1000」)の研磨面側に加藤機械社製オリジナル溝加工機を使用し、実施例1と同様の環状の複数の溝を同心円状に形成した。また、実施例1と同様にして研磨速度、スクラッチの有無及びディッシングを評価した。その結果、研磨速度は350nm/分であり問題なかったが、多くのスクラッチが認められ、ディッシングは150nmであり、被研磨面は平坦性にも劣っていた。
【0060】
【発明の効果】
本発明の研磨パッドは、広い範囲のpH域においてそれぞれ異なるpHを有するスラリーを用いた場合でも、ポアの形成状態が良好であり、ドレッシングによってもポアが塞がれず、スラリーの保持性がよい。また、含有される水溶性粒子が吸湿及び膨潤せず、硬度の高い研磨パッドとすることができ、研磨速度が大きく、平坦性等の研磨特性が良好である。
また、水溶性粒子の50℃での水への溶解度、及び研磨パッドを水に浸積した際の水溶性粒子の50℃での溶出度が特定の範囲内であれば、より優れた研磨特性等を有する研磨パッドとすることができる。
更に、水溶性粒子のpH3からpH11の範囲における25℃での水への溶解度が特定の範囲にあれば、より優れた研磨特性等を有する研磨パッドとすることができる。
また、非水溶性マトリックス材が架橋された1,2−ポリブタジエンを含有する場合は、パッドに弾性回復力が付与され、ポアが塞がれず、より平坦性等に優れた研磨パッドとすることができる。
【0061】
水溶性粒子がアミノ基、エポキシ基、イソシアヌレート基及びヒドロキシル基を少なくとも1種含有する本発明の研磨パッドでは、ポアの形成状態が良好であり、ドレッシングによってもポアが塞がれず、スラリーの保持性がよい。また、水溶性粒子の水への溶解度を適正な範囲により容易に調整することができ、パッド内部の水溶性粒子の吸湿及び膨潤が抑えられ、特に硬度の高い研磨パッドとすることができ、研磨速度が大きく、平坦性等の研磨特性が良好である。
【図面の簡単な説明】
【図1】γ−(2−アミノエチル)−アミノプロピルトリメトキシシランによりカップリング処理されたβ−シクロデキストリンの水への25℃での溶解度がpHによってほとんど変化しないことを示すグラフである。
Claims (5)
- 架橋重合体を含有する非水溶性マトリックス材と、該非水溶性マトリックス材中に分散された水溶性粒子であるβ−シクロデキストリンと、を含有する研磨パッドにおいて、該水溶性粒子自体の水への溶解度が25℃で0.1〜10質量%であり、且つ研磨パッドを水に浸積した際の該研磨パッド中に含まれる水溶性粒子の溶出度が25℃で0.05〜50質量%であり、
カップリング剤としてのγ−(2−アミノエチル)−アミノプロピルトリメトキシシランによって上記水溶性粒子の最外部の少なくとも一部に外殻が形成されていることを特徴とする研磨パッド。 - 上記水溶性粒子自体の水への溶解度が50℃で0.5〜15質量%であり、且つ研磨パッドを水に浸積した際の研磨パッド中に含まれる水溶性粒子の溶出度が50℃で0.05〜50質量%である請求項1に記載の研磨パッド。
- 上記水溶性粒子のpH3からpH11の全範囲における水への溶解度が25℃で0.1〜3質量%である請求項1に記載の研磨パッド。
- 上記架橋重合体を含有する非水溶性マトリックス材の少なくとも一部は、架橋された1,2−ポリブタジエンである請求項1乃至3のいずれかに記載の研磨パッド。
- 上記カップリング剤を上記水溶性粒子に対して0.001〜10質量%用いる請求項1乃至4のいずれかに記載の研磨パッド。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002321856A JP4039214B2 (ja) | 2002-11-05 | 2002-11-05 | 研磨パッド |
EP03025202A EP1418021B1 (en) | 2002-11-05 | 2003-11-04 | Polishing pad |
DE60325925T DE60325925D1 (de) | 2002-11-05 | 2003-11-04 | Polierkissen |
CNB2003101203490A CN100443263C (zh) | 2002-11-05 | 2003-11-05 | 抛光垫 |
US10/700,554 US6992123B2 (en) | 2002-11-05 | 2003-11-05 | Polishing pad |
KR1020030077870A KR100681980B1 (ko) | 2002-11-05 | 2003-11-05 | 연마 패드 |
TW092130950A TWI264344B (en) | 2002-11-05 | 2003-11-05 | Polishing pad |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002321856A JP4039214B2 (ja) | 2002-11-05 | 2002-11-05 | 研磨パッド |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007228264A Division JP4798103B2 (ja) | 2007-09-03 | 2007-09-03 | 研磨パッド |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004158581A JP2004158581A (ja) | 2004-06-03 |
JP4039214B2 true JP4039214B2 (ja) | 2008-01-30 |
Family
ID=32105440
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002321856A Expired - Lifetime JP4039214B2 (ja) | 2002-11-05 | 2002-11-05 | 研磨パッド |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6992123B2 (ja) |
EP (1) | EP1418021B1 (ja) |
JP (1) | JP4039214B2 (ja) |
KR (1) | KR100681980B1 (ja) |
CN (1) | CN100443263C (ja) |
DE (1) | DE60325925D1 (ja) |
TW (1) | TWI264344B (ja) |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MY114512A (en) * | 1992-08-19 | 2002-11-30 | Rodel Inc | Polymeric substrate with polymeric microelements |
DE10255652B4 (de) * | 2002-11-28 | 2005-07-14 | Infineon Technologies Ag | Schleifkissen, Vorrichtung zum chemisch-mechanischen Polieren und Verfahren zum nasschemischen Schleifen einer Substratoberfläche |
KR100590513B1 (ko) * | 2002-12-30 | 2006-06-15 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 화학 기계적 연마 장치 및 방법 |
EP1466699A1 (en) * | 2003-04-09 | 2004-10-13 | JSR Corporation | Abrasive pad, method and metal mold for manufacturing the same, and semiconductor wafer polishing method |
CN100424830C (zh) * | 2004-04-23 | 2008-10-08 | Jsr株式会社 | 用于抛光半导体晶片的抛光垫、层叠体和方法 |
JP2005340271A (ja) | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Jsr Corp | 化学機械研磨用パッド |
US7153191B2 (en) * | 2004-08-20 | 2006-12-26 | Micron Technology, Inc. | Polishing liquids for activating and/or conditioning fixed abrasive polishing pads, and associated systems and methods |
EP1637281B1 (en) * | 2004-09-17 | 2008-05-28 | JSR Corporation | Chemical mechanical polishing pad and chemical mechanical polishing process |
US7316977B2 (en) * | 2005-08-24 | 2008-01-08 | Air Products And Chemicals, Inc. | Chemical-mechanical planarization composition having ketooxime compounds and associated method for use |
TWI409136B (zh) * | 2006-07-19 | 2013-09-21 | Innopad Inc | 表面具微溝槽之化學機械平坦化墊 |
US7985269B2 (en) * | 2006-12-04 | 2011-07-26 | 3M Innovative Properties Company | Nonwoven abrasive articles and methods of making the same |
US7635290B2 (en) * | 2007-08-15 | 2009-12-22 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Interpenetrating network for chemical mechanical polishing |
US9028572B2 (en) * | 2007-09-21 | 2015-05-12 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing composition and method utilizing abrasive particles treated with an aminosilane |
JP2009117815A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-28 | Jsr Corp | 化学機械研磨パッドの製造方法 |
WO2009088606A2 (en) | 2007-12-31 | 2009-07-16 | 3M Innovative Properties Company | Plasma treated abrasive article and method of making same |
WO2009134775A1 (en) * | 2008-04-29 | 2009-11-05 | Semiquest, Inc. | Polishing pad composition and method of manufacture and use |
CN102271867B (zh) | 2009-01-05 | 2015-07-01 | 音诺帕德股份有限公司 | 多层的化学机械平面化垫体 |
CN103154178B (zh) * | 2010-10-21 | 2015-02-25 | 株式会社Moresco | 玻璃基板抛光用润滑组合物和抛光浆料 |
US9050697B2 (en) | 2012-03-20 | 2015-06-09 | Jh Rhodes Company, Inc. | Self-conditioning polishing pad and a method of making the same |
US9144880B2 (en) | 2012-11-01 | 2015-09-29 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Soft and conditionable chemical mechanical polishing pad |
US9233451B2 (en) | 2013-05-31 | 2016-01-12 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Soft and conditionable chemical mechanical polishing pad stack |
US9238296B2 (en) | 2013-05-31 | 2016-01-19 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Multilayer chemical mechanical polishing pad stack with soft and conditionable polishing layer |
US9238295B2 (en) | 2013-05-31 | 2016-01-19 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Soft and conditionable chemical mechanical window polishing pad |
JP2015185815A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-22 | 株式会社東芝 | 研磨パッド、研磨方法、及び半導体装置の製造方法 |
US20150306731A1 (en) | 2014-04-25 | 2015-10-29 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad |
CN105802508B (zh) * | 2014-12-29 | 2020-03-13 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种氮唑类化合物在提高化学机械抛光液稳定性中的应用 |
CN105802510A (zh) * | 2014-12-29 | 2016-07-27 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种化学机械抛光液及其应用 |
US9484212B1 (en) | 2015-10-30 | 2016-11-01 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing method |
KR102341036B1 (ko) * | 2016-05-06 | 2021-12-20 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | 경화성 조성물, 연마 물품, 및 이의 제조 방법 |
US11168237B2 (en) | 2018-06-14 | 2021-11-09 | 3M Innovative Properties Company | Adhesion promoters for curable compositions |
EP3814445B1 (en) * | 2018-06-14 | 2023-04-19 | 3M Innovative Properties Company | Method of treating a surface, surface-modified abrasive particles, and resin-bond abrasive articles |
CN110774153B (zh) * | 2019-10-23 | 2022-02-08 | 华侨大学 | 一种大尺寸单晶金刚石的抛光方法 |
CN118438342B (zh) * | 2024-04-29 | 2025-01-21 | 广东工业大学 | 一种可改变磨料运动状态的核壳磨料研抛盘、制备方法及其应用 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MY114512A (en) | 1992-08-19 | 2002-11-30 | Rodel Inc | Polymeric substrate with polymeric microelements |
US5250085A (en) * | 1993-01-15 | 1993-10-05 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Flexible bonded abrasive articles, methods of production and use |
US5976000A (en) * | 1996-05-28 | 1999-11-02 | Micron Technology, Inc. | Polishing pad with incompressible, highly soluble particles for chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers |
DE69806029T2 (de) * | 1997-08-15 | 2003-02-06 | Struers A/S, Rodovre | Schleifprodukt und schleifverfahren |
JP3668046B2 (ja) | 1998-05-11 | 2005-07-06 | 株式会社東芝 | 研磨布及びこの研磨布を用いた半導体装置の製造方法 |
JP3918359B2 (ja) | 1998-05-15 | 2007-05-23 | Jsr株式会社 | 研磨パッド用重合体組成物および研磨パッド |
US6390890B1 (en) * | 1999-02-06 | 2002-05-21 | Charles J Molnar | Finishing semiconductor wafers with a fixed abrasive finishing element |
JP3880028B2 (ja) * | 1999-08-06 | 2007-02-14 | Jsr株式会社 | 研磨パッド用重合体組成物及びそれを用いた研磨パッド |
JP3925041B2 (ja) | 2000-05-31 | 2007-06-06 | Jsr株式会社 | 研磨パッド用組成物及びこれを用いた研磨パッド |
JP3826702B2 (ja) * | 2000-10-24 | 2006-09-27 | Jsr株式会社 | 研磨パッド用組成物及びこれを用いた研磨パッド |
US20020098790A1 (en) * | 2001-01-19 | 2002-07-25 | Burke Peter A. | Open structure polishing pad and methods for limiting pore depth |
US6855034B2 (en) * | 2001-04-25 | 2005-02-15 | Jsr Corporation | Polishing pad for semiconductor wafer and laminated body for polishing of semiconductor wafer equipped with the same as well as method for polishing of semiconductor wafer |
-
2002
- 2002-11-05 JP JP2002321856A patent/JP4039214B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-11-04 DE DE60325925T patent/DE60325925D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-11-04 EP EP03025202A patent/EP1418021B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-11-05 KR KR1020030077870A patent/KR100681980B1/ko active IP Right Grant
- 2003-11-05 CN CNB2003101203490A patent/CN100443263C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-11-05 TW TW092130950A patent/TWI264344B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-11-05 US US10/700,554 patent/US6992123B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200414967A (en) | 2004-08-16 |
KR100681980B1 (ko) | 2007-02-15 |
DE60325925D1 (de) | 2009-03-12 |
KR20040040374A (ko) | 2004-05-12 |
CN1498723A (zh) | 2004-05-26 |
US6992123B2 (en) | 2006-01-31 |
EP1418021A1 (en) | 2004-05-12 |
CN100443263C (zh) | 2008-12-17 |
EP1418021B1 (en) | 2009-01-21 |
US20040118051A1 (en) | 2004-06-24 |
TWI264344B (en) | 2006-10-21 |
JP2004158581A (ja) | 2004-06-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4039214B2 (ja) | 研磨パッド | |
TWI290576B (en) | Composition for polishing pad and polishing pad using the same | |
KR100661444B1 (ko) | 연마 패드 및 화학 기계 연마 방법 | |
KR100584050B1 (ko) | 연마 패드용 조성물 및 이를 사용한 연마 패드 | |
US7097550B2 (en) | Chemical mechanical polishing pad | |
JP2004327974A (ja) | 研磨パッド、その製造法と製造用金型および半導体ウエハの研磨方法 | |
JP4798103B2 (ja) | 研磨パッド | |
JP3849582B2 (ja) | 研磨パッド及び複層型研磨パッド | |
KR101006648B1 (ko) | 연마 패드 | |
JP3849594B2 (ja) | 研磨パッド | |
JP4379462B2 (ja) | 研磨パッド用組成物及びこれを用いた研磨パッド | |
JP2004343016A (ja) | 研磨パッド及び研磨方法 | |
JP2001214154A (ja) | 研磨パッド用組成物及びそれを用いた研磨パッド | |
JP3849593B2 (ja) | 研磨パッド及び複層型研磨パッド | |
JP4259069B2 (ja) | 研磨パッド用組成物及びこれを用いた研磨パッド | |
JP3867629B2 (ja) | 研磨パッド及び複層型研磨パッド | |
JP3938082B2 (ja) | 研磨パッド | |
JP2010056184A (ja) | 化学機械研磨パッドおよび化学機械研磨方法 | |
JP2004083722A (ja) | 研磨パッド用組成物及びこれを用いた研磨パッド | |
JP2008149458A (ja) | 研磨パッド用組成物及びこれを用いた研磨パッド | |
JP2004140264A (ja) | 化学機械研磨方法及び素子微細化分離用研磨パッド | |
JP2005246599A (ja) | 化学機械研磨用パッド及び化学機械研磨方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050224 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20050606 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070123 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070130 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070322 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070417 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070606 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070710 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070903 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20070912 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071016 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071029 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101116 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4039214 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101116 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101116 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111116 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111116 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121116 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121116 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131116 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |