JP3955659B2 - 電子部品のダイボンディング方法およびそれに使用されるダイボンディング装置 - Google Patents
電子部品のダイボンディング方法およびそれに使用されるダイボンディング装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3955659B2 JP3955659B2 JP15511797A JP15511797A JP3955659B2 JP 3955659 B2 JP3955659 B2 JP 3955659B2 JP 15511797 A JP15511797 A JP 15511797A JP 15511797 A JP15511797 A JP 15511797A JP 3955659 B2 JP3955659 B2 JP 3955659B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dicing tape
- heating means
- chips
- die bonding
- ring frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 27
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 45
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 36
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 18
- 230000008602 contraction Effects 0.000 claims description 10
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 7
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 3
- 230000000274 adsorptive effect Effects 0.000 claims 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 22
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 22
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 229920006300 shrink film Polymers 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical group C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229920001038 ethylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920001083 polybutene Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920006264 polyurethane film Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 229920001289 polyvinyl ether Polymers 0.000 description 1
- 238000003847 radiation curing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10S156/934—Apparatus having delaminating means adapted for delaminating a specified article
- Y10S156/941—Means for delaminating semiconductive product
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
- Y10T156/1126—Using direct fluid current against work during delaminating
- Y10T156/1132—Using vacuum directly against work during delaminating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/19—Delaminating means
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49815—Disassembling
- Y10T29/49819—Disassembling with conveying of work or disassembled work part
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49815—Disassembling
- Y10T29/49821—Disassembling by altering or destroying work part or connector
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49815—Disassembling
- Y10T29/49822—Disassembling by applying force
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dicing (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は電子部品のダイボンディング方法およびそれに使用されるダイボンディング装置に関し、さらに詳しくは半導体チップ等の小型電子部品の製造工程において、ダイシングテープ上のチップを取り外すに際し、従来から行われていた、ピンによる突き上げを行うことなく、チップを一つずつ吸着分離することを可能にした電子部品のダイボンディング方法およびそれに使用されるダイボンディング装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば、シリコン、ガリウムヒ素などの半導体ウェハ40は、図9および図10に示したように大径の円盤状に製造され、その半導体ウェハ40は、粘着シート41を介してリングフレーム42に貼着された後、ダイシングカッター43にて賽の目状に多数のチップ44に切断分離(ダイシング)され、この状態で次の工程である洗浄、乾燥、ダイボンディングなどの各工程に移される。また、ダイシング工程が終了したら、粘着シート41は適宜な手段で外方向に引き延ばされ、これにより隣接しあうチップ44のチップ間隔が拡げられている。
【0003】
また、従来の粘着シート41は、賽の目状に切断分離するダイシング工程から乾燥工程まではチップ44に対して充分な接着力を有しており、図11に示すように粘着シート41からピックアップする際にはチップ44に粘着剤が付着していない程度の接着力を有しているものが望まれている。
【0004】
このような粘着シートとしては、例えば、特開昭60−196,956号公報および特開昭60−223,139号公報等に種々提案されており、また近年になっては、ピックアップ時の粘着力を弱めるためにUV硬化型粘着剤を使用した粘着シートも提案されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来の粘着シート41を用いた場合には、チップ間隔を拡張するにあたり、各チップ44間の離間距離が一定にすることが困難でバラツキが発生し、その結果、各工程で処理する場合に不具合が生じていた。また、ピックアップ時の接着力(垂直剥離力)を完全に消失させることは実質的に不可能であり、ピックアップ時の垂直剥離力を低減するとしても、100〜300g/10mm2程度が限界であった。このため、ピックアップするダイボンディング工程では、粘着シート41の裏面から突き上げピン45により、強制的に突き上げなければならず、その結果、チップ44を破損したり、突き上げピン45に付着する粘着剤等がチップ44の背面に移行するなどの不具合が生じていた。
【0006】
また、UV硬化型粘着剤を使用した粘着シートの場合にも、突き上げピン45を使用しないで全てのチップ44を剥離できるまでには至っていない。そこで、今日では、本願出願人等によって、UV硬化型粘着剤を使用した粘着シートに代えて熱収縮性のいわゆるシュリンクフィルムを用いることにより、チップとシートとの接着面積を少なくするとともに、接着力をより小さくする技術も提案されている。
【0007】
本発明は、このような従来技術に伴なう問題点を解決するものであり、従来のエキスパンド法とは全く異なる機構でチップ間隔を拡げることができるシュリンクフィルムを用いてチップに傷を付けることなく効果的にボンディングすることができる電子部品のボンディング方法およびこれに使用されるボンディング装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明は、少なくとも一層の収縮性フィルムと粘着剤層から構成されるダイシングテープに前記粘着剤層を介して貼着されたウェハをダイシング工程で多数のチップに切断分離した後、これら多数のチップを保持しているダイシングテープを加熱手段を備えたテーブル上に載置するとともに、このダイシングテープを構成している前記収縮性フィルムを前記加熱手段で収縮させて前記チップと前記接着剤層との接着面積および接着力を小さくし、その後、上方に配置された吸着コレットで所定間隔置きに配列されたチップを一つずつ吸着分離するようにした電子部品のダイボンディング方法であって、
前記少なくとも一層の収縮性フィルムを収縮させるに際し、第1段階として多数のチップが貼着されていない前記ダイシングテープの外周領域のみを加熱して第1の収縮部を形成するとともに、この第1の収縮部を形成した後、第2段階としてチップが貼着されている前記ダイシングテープの内部領域を加熱して第2の収縮部を形成し、この第2の収縮部を形成する工程で前記隣接しあう多数のチップを各々所定間隔置きに配列するようにし、その後、上方に配置された吸着コレットで切断分離された多数のチップを一つずつ吸着分離するようにしたことを特徴としている。
【0009】
これにより、外方向に引っ張るという従来のエキスパンド工程を行なわなくても、多数のチップを略一定の間隔毎に配列することができる。
ここで、前記少なくとも一層の収縮性フィルムを収縮させるに際し、第1段階として多数のチップが貼着されていない前記ダイシングテープの外周領域のみを加熱して第1の収縮部を形成するとともに、この第1の収縮部を形成した後、第2段階としてチップが貼着されている前記ダイシングテープの内部領域を加熱して第2の収縮部を形成し、この第2の収縮部を形成する工程で前記隣接しあう多数のチップを各々所定間隔置きに配列するようにし、その後、上方に配置された吸着コレットで切断分離された多数のチップを一つずつ吸着分離することが好ましい。
【0010】
これにより、エキスパンドが不要となり、ダイシングテープが撓んだりすることを防止することもできる。
また、前記加熱手段は、前記ダイシングテープの下面全体に配置することもでき、あるいは前記ダイシングテープの下面に部分的に配置することもできる。このように部分的に配置する場合には、前記吸着コレットと同期して水平方向に移動することが好ましい。
【0011】
また、前記加熱手段は、上下方向に移動可能に配置することもできる。
さらに、前記多数のチップが保持されたダイシングテープをリングフレームを介してテーブル上に載置するともに、その下方に前記加熱手段を配設し、該加熱手段により前記チップを加熱した後、該加熱手段を前記ダイシングテープの下面から離反させ、つづいて上方に配置された吸着コレットで切断分離されたチップを一つずつ吸着分離することが好ましい。
【0012】
これにより、チップが搭載されたダイシングテープをテーブル上に容易に搬送することができるとともに、チップを一つづつ吸着分離することができる。
また、前記多数のチップが保持されたダイシングテープは、リングフレーム上に貼着されており、このリングフレームには、所定間隔離して少なくとも2つの位置決め用の切欠部が形成され、一方、前記テーブル上には、これらの切欠部に対応するピンが所定間隔離して突設されており、前記リングフレームの切欠部が前記テーブル上のピンに合致されて前記テーブル上で位置決めされることが好ましい。これにより、テーブル上でのチップの位置合わせが容易となる。
【0013】
さらに、本発明に係るボンディング装置は、少なくとも一層の収縮性フィルムと粘着剤層とから構成されるダイシングテープにダイシングされた多数のチップを保持させるとともに、この多数のチップを保持したダイシングテープをリングフレームに貼着し、このリングフレームを、加熱手段を備えたテーブル上に配置するとともに、リングフレームの上方部に上下動可能にコレットを対向配置し、前記加熱手段で前記ダイシングテープを加熱した後に前記吸着コレットで所定間隔置きに配列された多数のチップを一つずつ吸着分離するようにした電子部品のダイボンディング装置であって、前記加熱手段が、前記少なくとも一層の収縮性フィルムを収縮させるに際し、第1段階として多数のチップが貼着されていない前記ダイシングテープの外周領域のみを加熱する第1の加熱手段と、第2段階としてチップが貼着されている前記ダイシングテープの内部領域を加熱する第2の加熱手段とから構成されていることを特徴としている。
【0014】
このような装置によれば、突き上げピンを用いないで、チップを容易にピックアップすることが可能となる。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る電子部品のダイボンディング方法およびそれに使用されるダイボンディング装置の実施の形態(実施例)について、添付図面に基づいて説明する。
【0016】
図1は、本発明のダイボンディング装置の第1の実施例の断面図、図2は、図1のダイボンディング装置の上面図、図3は、図1のダイボンディング装置の部分斜視図である。
【0017】
図1において、1は全体で本発明のダイボンディング装置を示している。ダイボンディング装置1は、載置台を構成する環状の固定テーブル2を備えており、このテーブル2の内周側には、第1の加熱手段を構成する環状の外周側ヒータテーブル3が固定テーブル2に固定されている。
【0018】
そして、固定テーブル2の下端外周側には、2箇所に下方に延設されたガイド部材4が設けられており、このガイド部材4が、架台または床Aに固定された架台フレーム5に設けられたガイドレール6上を上下に摺動するように構成されている。従って、この構成によって、図示しない駆動モータまたはシリンダ機構の作動によって、ガイド部材4がガイドレール6上を上下に摺動して、固定テーブル2が外周側ヒータテーブル3とともに、上下動可能になっている。
【0019】
なお、この場合、ガイド部材4は、固定テーブル2の下端外周側に2箇所設けたが、固定テーブルを偏りなく上下動させるためには、3箇所以上設けるのが好ましい。また、ガイド部材4がガイドレール6上を摺動する機構としては、ガイド部材4内にボールブッシュを設けるなどの周知の方法が採用可能であり、特に限定されるものではない。
【0020】
また、外周側ヒータテーブル3の内周側には、外周側ヒータテーブル3の内周側に形成される空隙4’内に上下動可能な第2の加熱手段を構成する円盤形状の内周側ヒータテーブル7が配設されている。すなわち、内周側ヒータテーブル7の下端の外周側には、少なくとも2箇所にボールブッシュ10が固定され、ボールブッシュ10内に架台または床Aに固定されたシャフト11が上下に摺動可能に装着されている。また、内周側ヒータテーブル7の下端中心部には、架台または床Aに固定されたシリンダ機構8のピストン9の上端が固定されており、シリンダ機構8の作動によって、内周側ヒータテーブル7が上下動可能になっている。
【0021】
これら、外周側ヒータテーブル3および内周側ヒータテーブル7は、その加熱手段として、シーズヒータがテーブル内に配設された構造、ラバーヒータとするなど周知の加熱手段が採用可能であり、特に限定されるものではない。また、これらの外周側ヒータテーブル3および内周側ヒータテーブル7の下面には、熱を遮断するためにポリエーテルエーテルケトンなどの断熱材3a、7aが貼着されている。
【0022】
一方、固定テーブル2の上面2aには、所定間隔離間して2本の位置決めピン12、12が突設されており、固定テーブル2の上面2aに略環状のリングフレーム13に所定位置に形成された位置決め用の切欠部14’、14’を、固定テーブル2の置決めピン12、12に合致させることによって、リングフレーム13を固定テーブル2の上面2aに載置した際に、所定の位置に位置合決めされるように構成されている。その後、真空吸着パッド、マグネット等で固定する。
【0023】
リングフレーム13は、円形のダイシングテープ20上にその粘着剤層22を介して円盤状のウェハ14が中央部分に貼着されたダイシングテープ17の外周に粘着剤層22を介して貼着されている。なお、このウェハ14は、すでに前行程であるウェハダイシング工程で多数のチップ16に賽の目状に切断分離されている。従って、これら多数のチップ16を保持しているダイシングテープ17がリングフレーム13に貼着されていることになる。
【0024】
このような多数のチップ16を保持したダイシングテープ17が貼着されたリングフレーム13を固定テーブル2の上面2aの所定の位置に載置した際に、外周側ヒータテーブル3が、ダイシングテープ17のチップ16が貼着されていない部分18aの下方に、内周側ヒータテーブル7のがダイシングテープ17のチップ16が貼着された部分18bの下方に位置するように構成されている。
【0025】
さらに、内周側ヒータテーブル7の上方には、ダイシングテープ17のチップ16を吸着分離するために、上下左右に位置移動自在な吸引コレット19が配置されており、バキュームポンプ(図示せず)の作用によって、ダイシングテープ17上のチップ16をチップ毎に吸着分離するようになっている。なお、吸引コレットは、その内部がテーパ形状19aとなっており、これによって、チップ16の外周側と接触するのみで、チップ16の表面とは接触せず、チップの損傷などが防止されるようになっている。また、この吸引コレット19としては、パッド付き吸引コレットなどが採用可能であり、特に限定されるものではない。
【0026】
一方、この装置で使用するダイシングテープ20としては、図4に示したように、収縮性フィルム21とその上面に設けられた粘着剤層22と、収縮性フィルム21の下面に接着剤層23を介して貼着された非収縮性フィルム24から構成されるダイシングテープ20を用いるのが好ましい。なお、非収縮性フィルム24を設けず、収縮性フィルム単層からなるものでもよいが、好ましくは複層からなるプラスチックフィルムの基材である。すなわち、1種または2種以上の収縮性フィルムを組み合わせたものであってもよく、また収縮性フィルムと非収縮性フィルムとを組み合わせたものであってもよい。
【0027】
この場合、粘着剤層22には、何ら限定されるものではないが、たとえばゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリビニルエーテル等の粘着剤放射線硬化型や加熱発泡型の粘着剤も用いることができ、紫外線硬化型粘着剤が好ましく用いられる。収縮性フィルム21としては、熱収縮率が30〜80%の紫外線透過性ポリエチレンテレフタレートフィルムが特に好ましく用いられる。
【0028】
接着剤層23は、収縮性フィルム21と非収縮性フィルム24とを接合する機能を有し、従来より汎用の接着剤が用いられ、アクリル系、ゴム系、シリコーン系などの粘着剤、ポリエステル系、ポリアミド系、エチレン共重合体系、エポキシ系、ウレタン系等の熱可塑性または熱硬化性の接着剤が用いられ、特に好ましくはアクリル系粘着剤が用いられる。
【0029】
非収縮性フィルム24としては、特に限定はされないが、耐水性および耐熱性にすぐれているものが適しており、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム等のポリオレフィンフィルム;ポリ塩化ビニルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン酢ビフィルムなどが用いられる。また重合体構成単位としてカルボキシル基を有する化合物を含む重合体フィルムあるいはこれと汎用重合体フィルムとの積層体を用いることもできる。特に、紫外線透過性のポリエチレンやポリエチレンテレフタレートが特に好ましく用いられる。
【0030】
ダイシングされたダイシングテープ17は、リングフレーム13ごとロボットアームに把持されて、ングフレーム13に所定位置に形成された位置決め用の切欠部14’、14’を、固定テーブル2の置決めピン12、12に合致させることによって、リングフレーム13を固定テーブル2の上面2aに載置される。この際、内周側ヒータテーブル7はシリンダ機構8によって、上方位置に位置するようになっている。
【0031】
その後、外周側ヒータテーブル3を作動させて、ダイシングテープ17のチップ16が貼着されていない部分18aのみを80〜150℃で加熱することによって収縮させる。これは、すべて同時に加熱するとテープにたるみが生じて好ましくなく、チップ16の間隔が一様でなくなり、吸引コレット19での吸引が困難となるためである。
【0032】
次に、内周側ヒータテーブル7を作動させて、ダイシングテープ17のチップ16が貼着された部分18bのみを80〜150℃加熱して、収縮フィルム21の収縮を行う。
【0033】
このようにしてフィルム21を収縮させると、この上に形成されている粘着剤層22もフィルム21の収縮に同伴して変形するため、チップ16と粘着剤層22との接着面積が減少する(図6)。この結果、チップ16と粘着剤層22との接着力(垂直剥離力)が低減し、従来のように突き上げピンを用いることなく、吸引コレット19のみで、容易にチップ16をピックアップできるようになる。
【0034】
なお、粘着剤層22として、紫外線硬化型粘着剤からなるものを用いた場合には、上記の収縮の前または後に、紫外線照射を行い、粘着剤層を硬化させ、粘着力を低減しておくことが特に好ましい。粘着層を硬化させることにより、垂直剥離力をさらに低減させることができ、チップ16のピックアップが容易になるとともに、チップの破損をも防止することができる。
【0035】
このように、内周側ヒータテーブル7による加熱にて、収縮フィルム21の収縮を行った後、内周側ヒータテーブル7をシリンダ機構8によって、下方位置に下降させる。これは、すべてのチップ16を移載するまでに、内周側ヒータテーブル7上にダイシングテープ17が位置すると、余熱によってダイシングテープ17にたるみが生じ、また、チップ16の性能に影響を与えるためである。
【0036】
その後、吸引コレット19を、チップ16の位置をセンサーなどで検出して、左右に移動して位置決めして下降させることによって、チップ16が個々に吸引されて、移載されていく。この際、従来のように突き上げピンを使用しなくてすむので、チップの損傷や、チップ下面への粘着剤の付着が防止できる。なお、吸引コレット19による吸引の際に、駆動モータまたはシリンダ機構の作動によって、ガイド部材4をガイドレール6上を上下に摺動させて、固定テーブル2を外周側ヒータテーブル3とともに、上下させることによって、吸引コレット19による吸引しやすくするのが好ましい。
【0037】
なお、本実施例では、外周側ヒータテーブル3を固定テーブル2に固定したが、固定テーブル2を外周側ヒータテーブル3とは別個に上下動可能な構成として、外周側ヒータテーブル3による加熱後に、固定テーブル2を上昇させて、ダイシングテープ17より離脱させるようにするのが、テープのたるみを生じないためには好ましい。
【0038】
さらに、本実施例では、吸引コレット19を、チップ16の位置をカメラ等のセンサーなどで検出して、左右に移動して位置決めして下降させて、チップ16を個々に吸引するようにしたが、吸引コレット19を静止させて、固定テーブル2側を左右上下に移動して吸引するようにしてもよい。
【0039】
図7は、本発明のダイボンディング装置の第2の実施例の断面図である。
この実施例のダイボンディング装置は、外周側ヒータテーブル3を省略して、内周側ヒータテーブル7のみとして、固定テーブル2を内周側ヒータテーブル7の外周まで延設した点が第1の実施例と相違し、その他の構成は、基本的には、第1の実施例と同様であり、同じ構成部材には、同じ参照番号を付して、その説明を省略する。
【0040】
なお、図示しないが、この実施例においても、固定テーブル2の下端外周側には、2箇所に下方に延設されたガイド部材4が設けられ、ガイドレール6上を上下に摺動するように構成されて、固定テーブル2が上下動可能であり、また、内周側ヒータテーブル7の下端中心部に、シリンダ機構8のピストン9の上端が固定されており、シリンダ機構8の作動によって、内周側ヒータテーブル7が上下動可能になっている。
【0041】
この実施例のダイボンディング装置では、一度に内周側ヒータテーブル7によって、ダイシングテープ17を加熱して収縮させるので、第1の実施例に比較すれば、収縮後において若干チップの配列の均一性が劣るが使用可能である。
【0042】
なお、上記第1の実施例および第2の実施例において、内周側ヒータテーブル7全体を加熱するようにしたが、内周側ヒータテーブル7を選択的に部分的に加熱することによって、ダイシングテープ17を加熱して収縮させて、チップ16を部分的にダイシングテープ20より剥離しやすくして、吸着コレット19にて吸着することも可能である。
【0043】
図8は、本発明のダイボンディング装置の第3の実施例の断面図である。
この実施例のダイボンディング装置では、外周側ヒータテーブル3を省略して、固定テーブル2のみとするとともに、内周側ヒータテーブル7を、チップ16の一つの寸法の大きさとほぼ同じ小型のヒータテーブル7’としてあり、このヒータテーブル7’が左右上下動可能となっている。これにより、ヒータテーブル7’によって加熱して収縮させて剥離すべきチップ16の位置に、このヒータテーブル7’と同期して吸着コレット19がその上方に移動して、吸着コレット19によって、剥離しやすくなったチップ16を個々に吸着することができるようになっている。
【0044】
これにより、第1の実施例と比較して、部分的にダイシングテープ17を加熱して収縮させて、チップ16をを剥離しやすくして、個々にチップ16を吸着コレット19にて吸着できるので、全体を収縮した場合に比較して、配置の乱れに起因するチップの吸引ミスが低減することになる。
【0045】
なお、その他の構成は、基本的には、第1の実施例と同様であり、同じ構成部材には、同じ参照番号を付して、その説明を省略する。
また、このヒータテーブル7’は、本実施例では、一つのチップ16とほぼ同じ大きさとしたが、2個以上のチップに対応する寸法として、一度に複数個のチップ16に対応する部位のダイシングテープ17を加熱して収縮させて、チップ16をを剥離しやすくすることも勿論可能である。
【0046】
【発明の効果】
本発明の電子部品のダイボンディング方法およびこれに使用されるダイボンディング装置によれば、少なくとも一層の収縮性フィルムと粘着剤層から構成されるダイシングテープを用いて、これにウェハを貼着してダイシングして多数のチップに切断分離したダイシングテープを、加熱手段を備えたテーブル上に載置し、加熱手段で収縮させチップと接着剤層との接着面積および接着力を小さくし、その後、上方に配置された吸着コレットで所定間隔置きに配列されたチップを一つずつ吸着分離するように構成したので、下記のような特有で顕著な作用効果を奏する極めて優れた発明である。
【0047】
(1)従来のエキスパンド法とは全く異なる機構で、チップ間隔を一定に拡げる(配置する)ことができ、しかもチップに対する接着面積および接着力が低減されるので、確実に個々のチップを吸引分離でき、ピックアップ時にチップを損傷したり、チップ下面に粘着剤が付着して汚染して性能を阻害することがなく、効果的にボンディングすることができる。
【0048】
(2)従来のように、突き上げピンを用いる必要がなく、吸着コレットのみで個々のチップに吸着分離できるので、突き上げピンによるチップの損傷が発生せず、デバイスの信頼性を向上することが可能である。しかも、突き上げピンの交換、補修が不要であり、作業効率が大幅に向上する。
【0049】
(3)従来のように、突き上げピンを使用しないので、ダイシングテープの下方にテーブルなどの支持体を備えることができるので、ウェハの口径が大型化してもテープの弛みが発生せず、均一な間隔を維持することが可能である。
【0050】
(4)また、ダイシングテープをチップが貼着されていない部分を加熱収縮した後に、チップが貼着された部分を収縮させるようにしたものでは、エキスパンドするにあたり、ダイシングテープが撓んだりすることなく、均一な距離離間して配列できるので、吸引コレットによって正確にチップ毎にピックアップすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明のダイボンディング装置の第1の実施例の断面図である。
【図2】図2は、図1のダイボンディング装置の上面図である。
【図3】図3は、図1のダイボンディング装置の部分斜視図である。
【図4】図4は、本発明に用いるダイシングテープの部分拡大断面図である。
【図5】図5は、半導体ウェハをダイシングする時の模式的な断面図である。
【図6】図6は、半導体ウェハチップを貼着したダイシングテープを熱収縮した際の模式的な断面図である。
【図7】図7は、本発明のダイボンディング装置の第2の実施例の断面図である。
【図8】図8は、本発明のダイボンディング装置の第3の実施例の断面図である。
【図9】図9は、従来の半導体ウェハをダイシングした状態を示す斜視図である。
【図10】図10は、従来の半導体ウェハをダイシングする状態を示す断面図である。
【図11】図11は、従来の半導体ウェハチップをピックアップする状態を説明する概略図である。
【符号の説明】
1・・・・ダイボンディング装置
2・・・・固定テーブル
3・・・・外周側ヒータテーブル
4・・・・ガイド部材
6・・・・ガイドレール
7・・・・内周側ヒータテーブル
8・・・・シリンダ機構
12・・・・位置決めピン
13・・・・リングフレーム
14・・・・ウェハ
16・・・・チップ
17・・・・ダイシングテープ
19・・・・吸引コレット
20・・・・ダイシングテープ
Claims (12)
- 少なくとも一層の収縮性フィルムと粘着剤層から構成されるダイシングテープに前記粘着剤層を介して貼着されたウェハをダイシング工程で多数のチップに切断分離した後、これら多数のチップを保持しているダイシングテープを加熱手段を備えたテーブル上に載置するとともに、このダイシングテープを構成している前記収縮性フィルムを前記加熱手段で収縮させて前記チップと前記接着剤層との接着面積および接着力を小さくし、その後、上方に配置された吸着コレットで所定間隔置きに配列されたチップを一つずつ吸着分離するようにした電子部品のダイボンディング方法であって、
前記少なくとも一層の収縮性フィルムを収縮させるに際し、第1段階として多数のチップが貼着されていない前記ダイシングテープの外周領域のみを加熱して第1の収縮部を形成するとともに、この第1の収縮部を形成した後、第2段階としてチップが貼着されている前記ダイシングテープの内部領域を加熱して第2の収縮部を形成し、この第2の収縮部を形成する工程で前記隣接しあう多数のチップを各々所定間隔置きに配列するようにし、その後、上方に配置された吸着コレットで切断分離された多数のチップを一つずつ吸着分離するようにしたことを特徴とする電子部品のダイボンディング方法。 - 前記加熱手段は、前記ダイシングテープの下面全体に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の電子部品のダイボンディング方法。
- 前記加熱手段は、前記ダイシングテープの下面に水平方向に移動可能に配置されており、前記吸着コレットと同期して水平方向に移動して小領域を選択的に加熱することを特徴とする請求項1に記載の電子部品のダイボンディング方法。
- 前記加熱手段は、上下方向に移動可能に配置されていることを特徴とする請求項2または3に記載の電子部品のダイボンディング方法。
- 前記多数のチップが保持されたダイシングテープをリングフレームを介してテーブル上に載置するとともに、その下方に前記加熱手段を配設し、該加熱手段により前記チップを加熱した後、該加熱手段を前記ダイシングテープの下面から離反させ、つづいて上方に配置された吸着コレットで切断分離されたチップを一つずつ吸着分離するようにしたことを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の電子部品のダイボンディング方法。
- 前記多数のチップが保持されたダイシングテープは、リングフレーム上に貼着されており、このリングフレームには、所定間隔離して少なくとも2つの位置決め用の切欠部が形成され、一方、前記テーブル上には、これらの切欠部に対応するピンが所定間隔離して突設されており、前記リングフレームの切欠部が前記テーブル上のピンに合致されて前記テーブル上で位置決めされるようにしたことを特徴とする請求項1に記載の電子部品のダイボンディング方法。
- 少なくとも一層の収縮性フィルムと粘着剤層とから構成されるダイシングテープにダイシングされた多数のチップを保持させるとともに、この多数のチップを保持したダイシングテープをリングフレームに貼着し、このリングフレームを、加熱手段を備えたテーブル上に配置するとともに、リングフレームの上方部に上下動可能にコレットを対向配置し、前記加熱手段で前記ダイシングテープを加熱した後に前記吸着コレットで所定間隔置きに配列された多数のチップを一つずつ吸着分離するようにした電子部品のダイボンディング装置であって、
前記加熱手段が、前記少なくとも一層の収縮性フィルムを収縮させるに際し、第1段階として多数のチップが貼着されていない前記ダイシングテープの外周領域のみを加熱する第1の加熱手段と、第2段階としてチップが貼着されている前記ダイシングテープの内部領域を加熱する第2の加熱手段とから構成されていることを特徴とする電子部品のダイボンディング装置。 - 前記リングフレームには、所定間隔離間して少なくとも2箇所の切欠部が形成されており、一方、加熱手段を備えたテーブル上には、所定間隔離間して少なくとも2本の位置決めピンが突設されており、該ピンにリングフレームの切欠部を合致させて前記テーブル上における前記リングフレームの姿勢を適正位置に合わせて配置するように構成したことを特徴とする請求項7に記載の電子部品のダイボンディング装置。
- 前記加熱手段は、前記ダイシングテープの下面全体に配置されていることを特徴とする請求項7または8に記載の電子部品のダイボンディング装置。
- 前記加熱手段は、前記ダイシングテープの下面に水平方向に移動可能に配置されており、前記吸着コレットと同期して水平方向に移動して小領域を選択的に加熱することを特徴とする請求項8に記載の電子部品のダイボンディング装置。
- 前記加熱手段は、上下方向に移動可能に配置されていることを特徴とする請求項8から10のいずれかに記載の電子部品のダイボンディング装置。
- 前記多数のチップが保持されたダイシングテープをリングフレームを介してテーブル上に載置するともに、その下方に前記加熱手段を配設し、該加熱手段により前記チップを加熱した後、該加熱手段を前記ダイシングテープの下面から離反させ、つづいて上方に配置された吸着コレットで切断分離されたチップを一つずつ吸着分離するようにしたことを特徴とする請求項7から10のいずれかに記載の電子部品のダイボンディング装置。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15511797A JP3955659B2 (ja) | 1997-06-12 | 1997-06-12 | 電子部品のダイボンディング方法およびそれに使用されるダイボンディング装置 |
TW087108684A TW521313B (en) | 1997-06-12 | 1998-06-03 | Method of die bonding electronic component and die bonding apparatus therefor |
SG1998001391A SG71802A1 (en) | 1997-06-12 | 1998-06-10 | Method of die bonding electronic component and die bonding apparatus therefor |
US09/095,739 US6176966B1 (en) | 1997-06-12 | 1998-06-11 | Method of die bonding electronic component and die bonding apparatus thereof |
EP98304634A EP0884766B1 (en) | 1997-06-12 | 1998-06-11 | Method and apparatus for dicing a wafer and separating chips |
DE69836398T DE69836398T2 (de) | 1997-06-12 | 1998-06-11 | Verfahren und Vorrichtung zum Zerteilen eines Wafers und zum Trennen von Bauelementen |
CNB981147704A CN1146032C (zh) | 1997-06-12 | 1998-06-11 | 电子元件的小片接合方法及其小片接合装置 |
KR1019980021621A KR100587719B1 (ko) | 1997-06-12 | 1998-06-11 | 전자부품들을다이본딩하기위한방법및그를위한다이본딩장치 |
MYPI98002611A MY120043A (en) | 1997-06-12 | 1998-06-11 | Method of die bonding electronic component and die bonding apparatus therefor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15511797A JP3955659B2 (ja) | 1997-06-12 | 1997-06-12 | 電子部品のダイボンディング方法およびそれに使用されるダイボンディング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH113875A JPH113875A (ja) | 1999-01-06 |
JP3955659B2 true JP3955659B2 (ja) | 2007-08-08 |
Family
ID=15598958
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15511797A Expired - Lifetime JP3955659B2 (ja) | 1997-06-12 | 1997-06-12 | 電子部品のダイボンディング方法およびそれに使用されるダイボンディング装置 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6176966B1 (ja) |
EP (1) | EP0884766B1 (ja) |
JP (1) | JP3955659B2 (ja) |
KR (1) | KR100587719B1 (ja) |
CN (1) | CN1146032C (ja) |
DE (1) | DE69836398T2 (ja) |
MY (1) | MY120043A (ja) |
SG (1) | SG71802A1 (ja) |
TW (1) | TW521313B (ja) |
Families Citing this family (89)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6498074B2 (en) | 1996-10-29 | 2002-12-24 | Tru-Si Technologies, Inc. | Thinning and dicing of semiconductor wafers using dry etch, and obtaining semiconductor chips with rounded bottom edges and corners |
EP2270845A3 (en) | 1996-10-29 | 2013-04-03 | Invensas Corporation | Integrated circuits and methods for their fabrication |
US6882030B2 (en) * | 1996-10-29 | 2005-04-19 | Tru-Si Technologies, Inc. | Integrated circuit structures with a conductor formed in a through hole in a semiconductor substrate and protruding from a surface of the substrate |
US6448153B2 (en) | 1996-10-29 | 2002-09-10 | Tru-Si Technologies, Inc. | Thinning and dicing of semiconductor wafers using dry etch, and obtaining semiconductor chips with rounded bottom edges and corners |
US6312800B1 (en) * | 1997-02-10 | 2001-11-06 | Lintec Corporation | Pressure sensitive adhesive sheet for producing a chip |
JP2000038556A (ja) * | 1998-07-22 | 2000-02-08 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハ保持保護用ホットメルトシート及びその貼り付け方法 |
EP0979852B1 (en) * | 1998-08-10 | 2004-01-28 | LINTEC Corporation | A dicing tape and a method of dicing a semiconductor wafer |
JP3784202B2 (ja) * | 1998-08-26 | 2006-06-07 | リンテック株式会社 | 両面粘着シートおよびその使用方法 |
US7105226B2 (en) * | 1998-08-26 | 2006-09-12 | Lintec Corporation | Pressure sensitive adhesive double coated sheet and method of use thereof |
JP3661444B2 (ja) * | 1998-10-28 | 2005-06-15 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置、半導体ウエハ、半導体モジュールおよび半導体装置の製造方法 |
JP4275254B2 (ja) | 1999-06-17 | 2009-06-10 | リンテック株式会社 | 両面粘着シートに固定された物品の剥離方法および剥離装置 |
JP2001060565A (ja) * | 1999-08-20 | 2001-03-06 | Lintec Corp | 光照射装置及びこれを用いたピックアップ装置 |
JP4137310B2 (ja) * | 1999-09-06 | 2008-08-20 | リンテック株式会社 | 両面粘着シートに固定された物品の剥離方法および剥離装置 |
EP1266399B1 (en) * | 2000-01-26 | 2012-08-29 | ALLVIA, Inc. | Thinning and dicing of semiconductor wafers using dry etch, and obtaining semiconductor chips with rounded bottom edges and corners |
JP4392732B2 (ja) * | 2000-02-07 | 2010-01-06 | リンテック株式会社 | 半導体チップの製造方法 |
JP3641217B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2005-04-20 | Tdk株式会社 | チップ状電子部品における端部電極形成方法及び装置 |
US6548327B2 (en) * | 2000-04-24 | 2003-04-15 | Interuniversitair Microelektronica Centrum, Vzw | Low cost electroless plating process for single chips and wafer parts and products obtained thereof |
US6383833B1 (en) * | 2000-05-23 | 2002-05-07 | Silverbrook Research Pty Ltd. | Method of fabricating devices incorporating microelectromechanical systems using at least one UV curable tape |
IL153026A0 (en) | 2000-05-24 | 2003-06-24 | Silverbrook Res Pty Ltd | Method of fabricating devices incorporating microelectromechanical systems using at least one uv curable tape |
KR100773170B1 (ko) * | 2000-09-12 | 2007-11-02 | 언액시스 인터내셔널 트레이딩 엘티디 | 반도체 칩을 장착하는 방법 및 장치 |
JP2002164414A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Shinkawa Ltd | 半導体ペレット処理方法及び装置 |
US6572944B1 (en) * | 2001-01-16 | 2003-06-03 | Amkor Technology, Inc. | Structure for fabricating a special-purpose die using a polymerizable tape |
US6610167B1 (en) | 2001-01-16 | 2003-08-26 | Amkor Technology, Inc. | Method for fabricating a special-purpose die using a polymerizable tape |
DE10108369A1 (de) * | 2001-02-21 | 2002-08-29 | B L E Lab Equipment Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Ablösen eines Halbleiterwafers von einem Träger |
US6717254B2 (en) | 2001-02-22 | 2004-04-06 | Tru-Si Technologies, Inc. | Devices having substrates with opening passing through the substrates and conductors in the openings, and methods of manufacture |
JP4482243B2 (ja) * | 2001-03-13 | 2010-06-16 | 株式会社新川 | ダイのピックアップ方法及びピックアップ装置 |
JP2002322436A (ja) * | 2001-04-25 | 2002-11-08 | Nitto Denko Corp | 被着物の加熱剥離方法及び被着物加熱剥離装置 |
JP4647831B2 (ja) * | 2001-05-10 | 2011-03-09 | 株式会社ディスコ | 被加工物の分割処理方法および分割処理方法に用いるチップ間隔拡張装置 |
JP4647830B2 (ja) * | 2001-05-10 | 2011-03-09 | 株式会社ディスコ | 被加工物の分割処理方法および分割処理方法に用いるチップ間隔拡張装置 |
US20030042615A1 (en) | 2001-08-30 | 2003-03-06 | Tongbi Jiang | Stacked microelectronic devices and methods of fabricating same |
US6787916B2 (en) | 2001-09-13 | 2004-09-07 | Tru-Si Technologies, Inc. | Structures having a substrate with a cavity and having an integrated circuit bonded to a contact pad located in the cavity |
JP3745260B2 (ja) * | 2001-10-02 | 2006-02-15 | ローム株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP3892703B2 (ja) * | 2001-10-19 | 2007-03-14 | 富士通株式会社 | 半導体基板用治具及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
US6896760B1 (en) * | 2002-01-16 | 2005-05-24 | Micron Technology, Inc. | Fabrication of stacked microelectronic devices |
JP2003218063A (ja) * | 2002-01-24 | 2003-07-31 | Canon Inc | ウエハ貼着用粘着シート及び該シートを利用する加工方法 |
JP3978345B2 (ja) * | 2002-02-06 | 2007-09-19 | 日本碍子株式会社 | 切断加工部品保持構造の形成方法および切断加工部品の製造方法 |
US6800018B2 (en) * | 2002-02-12 | 2004-10-05 | Saint-Gobain Abrasives Technology Company | Cutting device for separating individual laminated chip assemblies from a strip thereof, method of separation and a method of making the cutting device |
JP2004083633A (ja) * | 2002-08-23 | 2004-03-18 | Nihon Micro Coating Co Ltd | 研磨パッド及び研磨テープ用接着テープ |
JP4107417B2 (ja) | 2002-10-15 | 2008-06-25 | 日東電工株式会社 | チップ状ワークの固定方法 |
KR101151023B1 (ko) * | 2002-10-28 | 2012-05-30 | 가부시키가이샤 토쿄 세이미쯔 | 익스팬드방법 및 익스팬드장치 |
JP2004146727A (ja) * | 2002-10-28 | 2004-05-20 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハの搬送方法 |
JP4283596B2 (ja) * | 2003-05-29 | 2009-06-24 | 日東電工株式会社 | チップ状ワークの固定方法 |
JP4574251B2 (ja) * | 2003-09-17 | 2010-11-04 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4592270B2 (ja) * | 2003-10-06 | 2010-12-01 | 日東電工株式会社 | 半導体ウエハの支持材からの剥離方法およびこれを用いた装置 |
JP4275522B2 (ja) | 2003-12-26 | 2009-06-10 | 日東電工株式会社 | ダイシング・ダイボンドフィルム |
JP4443962B2 (ja) | 2004-03-17 | 2010-03-31 | 日東電工株式会社 | ダイシング・ダイボンドフィルム |
JP4716668B2 (ja) * | 2004-04-21 | 2011-07-06 | 日東電工株式会社 | 被着物の加熱剥離方法及び被着物加熱剥離装置 |
US7135385B1 (en) | 2004-04-23 | 2006-11-14 | National Semiconductor Corporation | Semiconductor devices having a back surface protective coating |
US7015064B1 (en) | 2004-04-23 | 2006-03-21 | National Semiconductor Corporation | Marking wafers using pigmentation in a mounting tape |
US7101620B1 (en) * | 2004-09-07 | 2006-09-05 | National Semiconductor Corporation | Thermal release wafer mount tape with B-stage adhesive |
JP4704017B2 (ja) | 2004-12-09 | 2011-06-15 | 日東電工株式会社 | 被着物の加熱剥離方法及び被着物加熱剥離装置 |
JP4750492B2 (ja) * | 2005-07-20 | 2011-08-17 | 富士通株式会社 | Icチップ実装方法 |
JP4616719B2 (ja) * | 2005-07-20 | 2011-01-19 | 富士通株式会社 | Icチップ実装方法 |
TW200717519A (en) * | 2005-10-28 | 2007-05-01 | Univ Nat Chiao Tung | Asynchronous first-in-first-out cell |
JP4769560B2 (ja) * | 2005-12-06 | 2011-09-07 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法 |
KR20070120319A (ko) * | 2006-06-19 | 2007-12-24 | 삼성전자주식회사 | 한 쌍의 이젝터들을 구비하는 반도체 칩의 탈착 장치 및이를 이용한 반도체 칩의 탈착 방법 |
JP4376250B2 (ja) | 2006-06-21 | 2009-12-02 | テイコクテーピングシステム株式会社 | 多層構造体の形成方法 |
US20070297885A1 (en) * | 2006-06-27 | 2007-12-27 | Jean Michel Processe | Product designed to be used with handling system |
US8030138B1 (en) | 2006-07-10 | 2011-10-04 | National Semiconductor Corporation | Methods and systems of packaging integrated circuits |
KR100817254B1 (ko) * | 2007-03-27 | 2008-03-27 | 한국뉴매틱(주) | 내장 진공펌프를 갖는 레벨 보정기 |
US20110198024A1 (en) * | 2007-04-05 | 2011-08-18 | Avery Dennison Corporation | Systems and Processes for Applying Heat Transfer Labels |
US8282754B2 (en) | 2007-04-05 | 2012-10-09 | Avery Dennison Corporation | Pressure sensitive shrink label |
AU2008237210B2 (en) | 2007-04-05 | 2012-08-16 | Avery Dennison Corporation | Pressure sensitive shrink label |
WO2008152701A1 (ja) * | 2007-06-13 | 2008-12-18 | Fujitsu Limited | キャリアテープから電子部品を取り出す方法 |
US7749809B2 (en) * | 2007-12-17 | 2010-07-06 | National Semiconductor Corporation | Methods and systems for packaging integrated circuits |
US8048781B2 (en) * | 2008-01-24 | 2011-11-01 | National Semiconductor Corporation | Methods and systems for packaging integrated circuits |
DE102008018536B4 (de) | 2008-04-12 | 2020-08-13 | Erich Thallner | Vorrichtung und Verfahren zum Aufbringen und/oder Ablösen eines Wafers auf einen/von einem Träger |
JP2008258639A (ja) * | 2008-05-02 | 2008-10-23 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハー切断片のピックアップ回収方法 |
US20100015329A1 (en) * | 2008-07-16 | 2010-01-21 | National Semiconductor Corporation | Methods and systems for packaging integrated circuits with thin metal contacts |
JP2010186971A (ja) * | 2009-02-13 | 2010-08-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP5412214B2 (ja) * | 2009-08-31 | 2014-02-12 | 日東電工株式会社 | 保護テープ剥離方法およびその装置 |
CN102148178A (zh) * | 2009-12-16 | 2011-08-10 | 第一毛织株式会社 | 电路小片粘性膜、卷筒、安装设备和电子产品 |
CN102822060B (zh) | 2010-01-28 | 2015-07-22 | 艾利丹尼森公司 | 标签施加带系统 |
JP5123357B2 (ja) * | 2010-06-17 | 2013-01-23 | 株式会社日立ハイテクインスツルメンツ | ダイボンダ及びピックアップ装置 |
JP2012182313A (ja) * | 2011-03-01 | 2012-09-20 | Lintec Corp | チップ状部品のピックアップ方法 |
CN103547905B (zh) * | 2011-05-20 | 2015-09-09 | 奥林巴斯株式会社 | 基板片的制造方法 |
KR101314398B1 (ko) * | 2011-09-23 | 2013-10-04 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | 웨이퍼 가공용 테이프 |
JP5472275B2 (ja) * | 2011-12-14 | 2014-04-16 | 株式会社村田製作所 | エキスパンド装置及び部品の製造方法 |
US9196535B2 (en) * | 2013-06-18 | 2015-11-24 | Infineon Technologies Ag | Method and apparatus for separating semiconductor devices from a wafer |
JP2015065367A (ja) * | 2013-09-26 | 2015-04-09 | 株式会社テセック | 剥離装置およびピックアップシステム |
CN103676282A (zh) * | 2013-12-23 | 2014-03-26 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 触摸屏和显示屏分离装置及分离方法 |
CN105324022A (zh) * | 2015-09-21 | 2016-02-10 | 厦门三安光电有限公司 | 一种芯粒抓取装置及其抓取方法 |
JP6582975B2 (ja) * | 2015-12-28 | 2019-10-02 | 富士通株式会社 | 半導体実装装置、半導体実装装置のヘッド及び積層チップの製造方法 |
TWI567011B (zh) * | 2016-06-15 | 2017-01-21 | All Ring Tech Co Ltd | Method and device for conveying the components of the bonding process |
KR102523850B1 (ko) * | 2016-07-11 | 2023-04-21 | 주식회사 미코세라믹스 | 척 구조물 및 척 구조물을 갖는 칩 분리 장치 |
CN107072045A (zh) * | 2016-11-30 | 2017-08-18 | 合肥瑞硕科技有限公司 | 一种电路板专用吸取装置 |
KR102617347B1 (ko) * | 2018-10-04 | 2023-12-26 | 삼성전자주식회사 | 다이 이젝터 및 상기 다이 이젝터를 포함하는 다이 공급 장치 |
SG10201912782SA (en) * | 2019-12-20 | 2021-07-29 | Rokko Systems Pte Ltd | Post-processing system and method |
TWI784622B (zh) * | 2020-08-12 | 2022-11-21 | 日商捷進科技有限公司 | 黏晶裝置及半導體裝置的製造方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59171137A (ja) * | 1984-01-30 | 1984-09-27 | Hitachi Ltd | ペレット取り外し方法 |
US5714029A (en) | 1984-03-12 | 1998-02-03 | Nitto Electric Industrial Co., Ltd. | Process for working a semiconductor wafer |
JPH0616524B2 (ja) * | 1984-03-12 | 1994-03-02 | 日東電工株式会社 | 半導体ウエハ固定用接着薄板 |
JP2521459B2 (ja) * | 1987-02-23 | 1996-08-07 | 日東電工株式会社 | 半導体チツプの製造方法 |
JPH01220454A (ja) * | 1988-02-27 | 1989-09-04 | Nitto Denko Corp | フレームアライメント装置 |
US4921564A (en) * | 1988-05-23 | 1990-05-01 | Semiconductor Equipment Corp. | Method and apparatus for removing circuit chips from wafer handling tape |
JPH0715087B2 (ja) | 1988-07-21 | 1995-02-22 | リンテック株式会社 | 粘接着テープおよびその使用方法 |
JP2866453B2 (ja) * | 1990-07-04 | 1999-03-08 | ローム株式会社 | エキスパンドテープ及びチップ部品の実装方法 |
JP3073239B2 (ja) * | 1990-12-28 | 2000-08-07 | リンテック株式会社 | ウェハ貼着用粘着シート |
GB2263195B (en) * | 1992-01-08 | 1996-03-20 | Murata Manufacturing Co | Component supply method |
JP2994510B2 (ja) * | 1992-02-10 | 1999-12-27 | ローム株式会社 | 半導体装置およびその製法 |
EP0571649A1 (en) | 1992-05-26 | 1993-12-01 | Nitto Denko Corporation | Dicing-die bonding film and use thereof in a process for producing chips |
DE4230784A1 (de) | 1992-09-15 | 1994-03-17 | Beiersdorf Ag | Durch Strahlung partiell entklebendes Selbstklebeband (Dicing Tape) |
US5466325A (en) | 1993-06-02 | 1995-11-14 | Nitto Denko Corporation | Resist removing method, and curable pressure-sensitive adhesive, adhesive sheets and apparatus used for the method |
JP3438369B2 (ja) * | 1995-01-17 | 2003-08-18 | ソニー株式会社 | 部材の製造方法 |
JP3496347B2 (ja) * | 1995-07-13 | 2004-02-09 | 株式会社デンソー | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH0964148A (ja) * | 1995-08-18 | 1997-03-07 | Shinkawa Ltd | ウェーハリングの供給・返送装置 |
JPH0963966A (ja) * | 1995-08-24 | 1997-03-07 | Toshiba Microelectron Corp | 気相成長装置 |
US5827394A (en) * | 1996-07-15 | 1998-10-27 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Step and repeat exposure method for loosening integrated circuit dice from a radiation sensitive adhesive tape backing |
-
1997
- 1997-06-12 JP JP15511797A patent/JP3955659B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-06-03 TW TW087108684A patent/TW521313B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-06-10 SG SG1998001391A patent/SG71802A1/en unknown
- 1998-06-11 EP EP98304634A patent/EP0884766B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-11 MY MYPI98002611A patent/MY120043A/en unknown
- 1998-06-11 DE DE69836398T patent/DE69836398T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-11 CN CNB981147704A patent/CN1146032C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-11 US US09/095,739 patent/US6176966B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-11 KR KR1019980021621A patent/KR100587719B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR19990006863A (ko) | 1999-01-25 |
EP0884766A2 (en) | 1998-12-16 |
SG71802A1 (en) | 2000-04-18 |
KR100587719B1 (ko) | 2006-10-31 |
MY120043A (en) | 2005-08-30 |
US6176966B1 (en) | 2001-01-23 |
DE69836398D1 (de) | 2006-12-28 |
CN1146032C (zh) | 2004-04-14 |
TW521313B (en) | 2003-02-21 |
DE69836398T2 (de) | 2007-03-15 |
EP0884766B1 (en) | 2006-11-15 |
EP0884766A3 (en) | 2000-09-20 |
CN1206329A (zh) | 1999-01-27 |
JPH113875A (ja) | 1999-01-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3955659B2 (ja) | 電子部品のダイボンディング方法およびそれに使用されるダイボンディング装置 | |
US7465142B2 (en) | Method and apparatus for picking up a semiconductor chip, method and apparatus for removing a semiconductor chip from a dicing tape, and a method of forming a perforated dicing tape | |
JP4482243B2 (ja) | ダイのピックアップ方法及びピックアップ装置 | |
KR100681838B1 (ko) | 양면점착시트에 고정된 물품의 박리방법 및 박리장치 | |
JP3737118B2 (ja) | 半導体ウエハの保護粘着テープの剥離方法およびその装置 | |
KR101066510B1 (ko) | 감압성 접착 시트의 부착 및 박리 방법, 및 감압성 접착시트의 부착 장치, 및 감압성 접착 시트의 박리 장치 | |
JP5253996B2 (ja) | ワーク分割方法およびテープ拡張装置 | |
TWI385767B (zh) | 晶粒選別用薄片及具有接著劑層之晶片的移送方法 | |
JP2002280330A (ja) | チップ状部品のピックアップ方法 | |
JP2009158879A (ja) | 基板への接着シートの貼付け装置 | |
JP2012169548A (ja) | チップ状部品のピックアップ方法 | |
CN107808847B (zh) | 芯片间隔维持方法 | |
JP5646395B2 (ja) | ウェーハ保持ジグ | |
KR20060123462A (ko) | 웨이퍼의 전사방법 | |
JP2002270560A (ja) | ウエハの加工方法 | |
JP2012182313A (ja) | チップ状部品のピックアップ方法 | |
JP2002151528A (ja) | ダイボンディングシート貼着装置およびダイボンディングシートの貼着方法 | |
JP2009130333A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TWI816752B (zh) | 部件製造方法、保持膜及保持工具形成裝置 | |
JP3618389B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 | |
JP7131175B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH10335270A (ja) | ペレットのピックアップ装置 | |
JP2005260187A (ja) | 感温性粘着テープの剥離方法 | |
JPH05251558A (ja) | ワーク分離装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040305 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061129 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070125 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070424 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070507 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110511 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110511 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120511 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130511 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140511 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |