JP3945742B2 - 磁性合金と磁気記録媒体およびその製造方法と磁性膜形成用ターゲットおよび磁気記録装置 - Google Patents

Description

技術分野
本発明は、磁性合金と磁気記録媒体およびその製造方法とターゲットおよび磁気記録装置に係り、より詳細には、高い規格化保磁力を有するとともに、熱擾乱を抑制し、熱的に安定な磁気特性を有する磁性合金と磁気記録媒体およびその製造方法と磁性膜形成用ターゲットおよびその磁気記録媒体を備えた磁気記録装置に関するもので、本発明に係る磁性合金及び磁気記録媒体は、ハードディスク、フロッピーディスク、磁気テープ等に好適に用いられる。
背景技術
近年、磁気記録媒体は高密度で大容量な記録媒体としてハードディスク装置等で多用されているが、更なる高記録密度化を図るために記録再生特性の向上が求められている。
図１９と図２０は磁気記録媒体の一例であるハードディスクを示す概略図である。図１９は、円盤型の磁気記録媒体全体の斜視図であり、図２０は図１９に示した磁気記録媒体５０のＡ−Ａ’部分の断面図である。
図１９に示す磁気記録媒体５０は、円盤型の非磁性体からなる基体５１とこの基体５１上に形成された下地層５４と記録層５５と保護層５６とを備えて構成されている。
この例の磁気記録媒体５０では、非磁性体からなる基体５１として例えばＡ１合金からなる基板５２の表面上にＮｉ−Ｐからなる非磁性層５３を設けてなるものが用いられている。なお、基体５１としてガラスからなる基板が用いられることもある。そして、この基体５１の上には、例えばＣｒからなる下地層５４、ＣｏＣｒＴａあるいはＣｏＣｒＴａＰｔなどの磁性膜からなる記録層５５、Ｃ（カーボン）からなる保護層５６が順次積層されている。なお、保護膜５６上にはパーフロロポリエーテルなどのフッ素系樹脂の潤滑膜などが被覆されることもあるが図２０に示す断面構造では潤滑膜などの記載を省略した。
この種の磁気記録媒体５０における記録層５５を構成する磁性膜は、第１世代としてＣｏＮｉＣｒ系の合金（Ｈｃ≒１２００ Ｏｅ程度）からなる磁性膜が使用され、第２世代としてＣｏ_{８４−８６}Ｃｒ_{１０−１２}Ｔａ_４の組成近傍のＣｏＣｒＴａ系合金からなる磁性膜が使用されるとともに、第３世代としてＣｏ_{７８−８０}Ｃｒ_{１５−１７}Ｔａ_５の組成近傍のＣｏＣｒＴａ系合金からなる磁性膜（Ｈｃ≒１８００ Ｏｅ程度）が使用され、第４世代としてＣｏ_{６４−７７}Ｃｒ_{１６−２２}Ｔａ_２−４Ｐｔ_５−１０の組成近傍のＣｏＣｒＴａＰｔ系合金からなる磁性膜が使用されてきた。
このような変遷は、磁気記録媒体の記録密度が向上するにつれて、用いられる磁性膜にも、より高い磁気特性が求められ、それにつれて種々の材料開発が進められてきた結果である。
ところで、前述の磁気特性の合金を基板上に磁性膜として形成しても、磁性膜においては合金として発揮するべき理想的な保磁力よりも著しく低い保磁力しか得られないという知見を本発明者らは得ている。例えば、ＣｏＮｉＣｒ合金では、等方性媒体の保磁力として約３０００ Ｏｅ程度、ＣｏＣｒＴａ合金では約２５００ Ｏｅ程度の保磁力を発現可能であると想像できるが、一般的な成膜プロセスで得られるこれらの合金材料の磁性膜ではこれらの値よりも遥かに小さい保磁力の磁性膜が得られることが多く、場合によっては半分以下の保磁力の磁性膜しか得られないとされている。
そこで本発明者らは、現在主流となっているＣｏＣｒＴａ系あるいはＣｏＣｒＴａＰｔ系の磁性膜に対し、磁気記録媒体の更なる高記録密度化に対応するために、これらの系の磁性膜の製造方法について鋭意研究した結果、これら磁性膜の磁気特性を飛躍的に向上さえ得る製造方法を知見し、この製造方法をウルトラクリーンプロセス（超清浄プロセス）と命名して先に種々の特許出願を行なっている。（米国特許第５，８５３，８４７号、国際出願ＰＣＴ／ＪＰ９４／０１１８４号公報等を参照）
前述の特許技術によれば、成膜雰囲気を高清浄化して到達真空度を３×１０^−９Ｔｏｒｒ（４００×１０^−９Ｐａ）レベル以下にまで調節し、超清浄ガスとしてＨ_２Ｏなどの不純物を１ｐｐｂ程度としたＡｒガスを用い、基板上に形成したＣｒの下地膜の表面をドライエッチングにより表面清浄して下地膜表面の酸化物等の不要物質を除去することで、ＣｏＮｉＣｒ磁性膜あるいはＣｏＣｒＴａ磁性膜で２７００〜３０００ Ｏｅにも達する高い保磁力を有するものを得ることができるようになった。これに対して一般的な成膜プロセスで得られるこの種の磁性膜にあっては、１５００〜２０００ Ｏｅ程度の保磁力を示すものが通常である。
しかしながら、磁気記録媒体の進歩は目覚ましいものがあり、ＣｏＣｒＴａ系合金磁性膜あるいはＣｏＣｒＴａＰｔ系合金磁性膜に代えて更に優れた磁性膜の登場が望まれている。また、前述の超清浄プロセスによらずに一般的な成膜条件によって優れた磁気特性を示す磁性膜の登場も望まれている。
本発明は、高い規格化保磁力を有すると共に、熱擾乱を抑制し、熱的に安定な磁気特性を有する合金、またはその合金の磁性膜を備えた磁気記録媒体を提供することを目的の１つとする。
本発明は、上述の特性を有する磁気記録媒体を製造する方法の提供を目的の１つとする。
本発明は、上述の特性を有する磁気記録媒体を製造する場合に用いて好適なターゲットを提供することを目的の１つとする。
本発明は、上述の優れた特性を有する磁気記録媒体を備えた磁気記録装置を提供することを目的とする。
発明の開示
本発明の磁性合金は、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、および、ゲルマニウム（Ｇｅ）を主体としてなる磁性合金であり、組成が、一般式Ｃｏ_ｘＣｒ_ｙＧｅ_ｚで示され、組成比を示すｘ、ｙ、ｚが７８≦ｘ≦８７、２．５≦ｙ≦２５、２≦ｚ≦１５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００（ただし、ｘ、ｙ、ｚは原子％による組成比を示す）なる関係を満足することを特徴とする。
前述の組成の磁性合金であれば、高記録密度化に対応可能な磁気特性、即ち、高い規格化保磁力と結晶磁気異方性を兼ね備え、更に優れた異方性磁界を有する磁性合金を得ることができる。
本発明において前記組成比を、８２≦ｘ≦８７、２．５≦ｙ≦１３、２．５≦ｚ≦１４の範囲とすることができる。
この範囲の組成とすることで、０．３５以上の高い規格化保磁力（Ｈｃ／Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}）を得るために必要な条件である４πＭｓ／Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}≦１．０が確保され、１．５×１０^６ｅｒｇ／ｃｍ^３以上の結晶磁気異方性（Ｋ_ｕ ^{ｇｒａｉｎ}）が得られるので、熱的に安定な磁気特性をも兼ね備えた磁性合金を形成可能である。
本発明の磁性合金は、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、および、元素Ｔ（ＴはＴａ、Ｓｉ、Ｎｂ、Ｂ、Ｎｉ、Ｐｔのうち、１種または２種以上を示す）を主体としてなる磁性合金であり、組成が、一般式（Ｃｏ_ｘＣｒ_ｙＧｅ_ｚ）_{１００−ｃ}Ｔ_ｃで示され、組成比を示すｘ、ｙ、ｚ、ｃが、６０≦ｘ≦８７、２．５≦ｙ≦２５、２≦ｚ≦１５、ｃ≦２０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００（ただし、ｘ、ｙ、ｚ、ｃは原子％による組成比を示す）なる関係を満足することを特徴とする。
本発明の磁性合金において、前記組成比を、７３≦ｘ≦８７、２．５≦ｙ≦１３、２．５≦ｚ≦１４の範囲とすることができる。
本発明の磁性合金において、前記元素ＴがＴａ、Ｓｉ、Ｎｂのうち、１種または２種以上の場合に元素Ｔの組成比を示すｃが５原子％以下であり、元素ＴがＢの場合に元素Ｔの組成比を示すｃが９原子％以下とすることができる。
本発明の磁性合金は、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、白金（Ｐｔ）および、元素Ｔ’（Ｔ’はＴａ、Ｂのうち、１種または２種を示す）を主体としてなる磁性合金であり、組成が、一般式（Ｃｏ_ｘＣｒ_ｙＧｅ_ｚＰｔ_ｖ）_{１００−ｃ}Ｔ’_ｃ’で示され、組成比を示すｘ、ｙ、ｚ、ｖ、ｃ’が、４５≦ｘ≦８７、２．５≦ｙ≦２５、２≦ｚ≦１５、２≦ｖ≦２５、２≦ｃ’≦１２、（ただし、ｘ、ｙ、ｚ、ｖ、ｃ’は原子％による組成比を示す）なる関係を満足することを特徴とする。
これらの各組成の磁性合金であるならば、先に記載のＣｏＣｒＧｅ３元系合金が有する優れた磁気特性に加え、低い媒体ノイズ、高い信号出力、優れたＳ／Ｎ比を発揮するものがえられ易くなる。
本発明の磁性合金において、前記元素Ｔ’がＢの場合にＢの組成比を示すｃ’が１原子％以上、８原子％以下とすることができる。
本発明の磁性合金において、前記元素Ｔ’がＴａの場合にＴａの組成比を示すｃ’が１原子％以上、８原子％以下とすることができる。
以上のような組成範囲とすることで、先に記載のＣｏＣｒＧｅ３元系合金が有する優れた磁気特性に加え、低い媒体ノイズ、高い信号出力、優れたＳ／Ｎ比を発揮するものが確実に得られる。
本発明は、基体上に金属下地層を介して強磁性金属磁性膜が形成されてなる磁気記録媒体において、前記強磁性金属磁性膜が、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、および、ゲルマニウム（Ｇｅ）からなる３元系合金の磁性膜であり、前記強磁性金属磁性膜の合金組成が、一般式Ｃｏ_ｘＣｒ_ｙＧｅ_ｚで示され、組成比を示すｘ、ｙ、ｚが、７８≦ｘ≦８７、２．５≦ｙ≦２５、２≦ｚ≦１５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００（ただし、ｘ、ｙ、ｚは原子％による組成比を示す）なる関係を満足することを特徴とする。
前述の組成の磁性合金の強磁性金属磁性膜であれば、到達真空度が１０^−６Ｔｏｒｒ台という成膜空間を利用する通常の成膜プロセスであっても、高記録密度化に対応可能な磁気特性、即ち、高い規格化保磁力と結晶磁気異方性を兼ね備えた磁気記録媒体が得られる。
本発明の磁気記録媒体において、前記強磁性金属磁性膜の組成比を、８２≦ｘ≦８７、２．５≦ｙ≦１３、２．５≦ｚ≦１４の範囲とすることができる。
この範囲の組成とすることで、０．３５以上の高い規格化保磁力（Ｈｃ／Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}）を得るために必要な条件である４πＭｓ／Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}≦１．０が確保され、１．５×１０^６ｅｒｇ／ｃｍ^３以上の結晶磁気異方性（Ｋ_ｕ ^{ｇｒａｉｎ}）が強磁性金属磁性膜で得られるので、熱的に安定な磁気特性をも兼ね備えた磁気記録媒体を形成可能である。
本発明は、基体上に金属下地層を介して強磁性金属磁性膜が形成されてなる磁気記録媒体において、前記強磁性金属磁性膜が、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、および、元素Ｔ（ＴはＴａ、Ｓｉ、Ｎｂ、Ｂ、Ｎｉ、Ｐｔのうち、１種または２種以上を示す）を主体としてなる磁性膜であり、前記強磁性金属磁性膜の合金組成が、一般式（Ｃｏ_ｘＣｒ_ｙＧｅ_ｚ）_{１００−ｃ}Ｔ_ｃで示され、組成比を示すｘ、ｙ、ｚ、ｃが、６０≦ｘ≦８７、２．５≦ｙ≦２５、２≦ｚ≦１５、ｃ≦２０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００（ただし、ｘ、ｙ、ｚ、ｃは原子％による組成比を示す）なる関係を満足することを特徴とする。
本発明において、前記強磁性金属磁性膜の組成比を、７３≦ｘ≦８７、２．５≦ｙ≦１３、２．５≦ｚ≦１４の関係とすることができる。
本発明において、前記元素ＴがＴａ、Ｓｉ、Ｎｂのうち、１種または２種以上の場合に元素Ｔの組成比を示すｃが５原子％以下であり、元素ＴがＢの場合に元素Ｔの組成比を示すｃが９原子％以下とすることができる。
本発明は、基体上に金属下地層を介して強磁性金属磁性膜が形成されてなる磁気記録媒体において、前記強磁性金属磁性膜が、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、白金（Ｐｔ）および、元素Ｔ’（Ｔ’はＴａ、Ｂのうち、１種または２種を示す）を主体としてなる磁性膜であり、前記強磁性金属磁性膜の合金組成が、一般式（Ｃｏ_ｘＣｒ_ｙＧｅ_ｚＰｔ_ｖ）_{１００−ｃ}Ｔ’_ｃ’で示され、組成比を示すｘ、ｙ、ｚ、ｖ、ｃ’が、４５≦ｘ≦８７、２．５≦ｙ≦２５、２≦ｚ≦１５、２≦ｖ≦２５、２≦ｃ’≦１２、（ただし、ｘ、ｙ、ｚ、ｖ、ｃ’は原子％による組成比を示す）なる関係を満足することを特徴とする。
これらの各組成の強磁性金属磁性膜であるならば、先に記載のＣｏＣｒＧｅ３元系合金が有する優れた磁気特性に加え、低い媒体ノイズ、高い信号出力、優れたＳ／Ｎ比を発揮するものがえられ易くなる。
本発明において、前記元素Ｔ’がＢの場合にＢの組成比を示すｃを１原子％以上、８原子％以下とすることができる。
本発明において、前記元素Ｔ’がＴａの場合にＴａの組成比を示すｃを１原子％以上、８原子％以下とすることができる。
以上のような組成範囲とすることで、先に記載のＣｏＣｒＧｅ３元系合金の強磁性金属磁性膜が有する優れた磁気特性に加え、低い媒体ノイズ、高い信号出力、優れたＳ／Ｎ比を発揮する磁気記録媒体が確実に得られる。
本発明は、先に記載の磁気記録媒体を製造する際、少なくとも前記強磁性金属磁性膜を金属下地上に、スパッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法、イオンビーム成膜法、レーザ蒸着法のいずれかの成膜法で作製することを特徴とする。
これらの成膜法を実施することで、目的の基材上に優れた磁気特性の強磁性金属磁性膜を備えた磁気記録媒体を得ることができる。
本発明において、先に記載の磁気記録媒体を製造する際、少なくとも前記強磁性金属磁性膜を金属下地上に成膜法で作製する際に、基体に電気的なバイアスを印加しない無バイアス状態で成膜することができる。
また、先に記載した特定組成比のＣｏＣｒＧｅ３元系合金磁性膜または前記特定組成のＣｏＣｒＧｅＴ系、ＣｏＣｒＧｅＴ’系の合金磁性膜を備えた磁気記録媒体であるならば、基体にバイアスを印加することなく無バイアス状態で成膜形成できるため、平坦性に優れる絶縁性のガラスを基体として利用することができる。また、基体へのバイアス印加による製造上の不具合を回避し、安定した製造が可能となる特徴を有する。
本発明において、先の製造方法を実施する際、Ｃｏターゲット上にＣｒチップとＧｅチップを載置した複合ターゲットを少なくとも用いてスパッタリングにより基材上に前記の強磁性金属磁性膜を形成することができる。
本発明は、先に記載の製造方法を実施する際、基体を成膜室に設置し、前記成膜室に設けた下地層形成用のターゲットを用いて前記基体上に金属下地層を形成し、金属下地層形成後に成膜室に設けた強磁性金属磁性膜形成用のターゲットを用いて同成膜室内で前記金属下地層上に強磁性金属磁性膜を形成することを特徴とする。
本発明は、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、および、ゲルマニウム（Ｇｅ）を主体としてなる磁性膜形成用ターゲットであり、組成が一般式Ｃｏ_ｘＣｒ_ｙＧｅ_ｚで示され、組成比を示すｘ、ｙ、ｚが、７８≦ｘ≦８７、２．５≦ｙ≦２５、２≦ｚ≦１５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００（ただし、ｘ、ｙ、ｚは原子％による組成比を示す）なる関係を満足することを特徴とする。
本発明は、前記組成比が、８２≦ｘ≦８７、２．５≦ｙ≦１３、２．５≦ｚ≦１４、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００であることを特徴とする。
本発明は、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、および、元素Ｔ（ＴはＴａ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｓｉのうち、１種または２種以上を示す）を主体としてなる磁性膜形成用ターゲットであり、組成が一般式（Ｃｏ_ｘＣｒ_ｙＧｅ_ｚ）_{１００−ｃ}Ｔ_ｃで示され、組成比を示すｘ、ｙ、ｚ、ｃが、６０≦ｘ≦８７、２．５≦ｙ≦２５、２≦ｚ≦１５、ｃ≦２０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００（ただし、ｘ、ｙ、ｚ、ｃは原子％による組成比を示す）なる関係を満足することを特徴とする。
これらの組成のターゲットを用いてスパッタ法などの成膜法により、先に記載した組成の優れた磁気特性の強磁性金属磁性膜を得ることができる。
本発明において、前記組成比を、７３≦ｘ≦８７、２．５≦ｙ≦１３、２．５≦ｚ≦１４の範囲とすることができる。
このような組成範囲のターゲットとすることで、０．３５以上の高い規格化保磁力（Ｈｃ／Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}）を得るために必要な条件である４πＭｓ／Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}≦１．０が確保され、１．５×１０^６ｅｒｇ／ｃｍ^３以上の結晶磁気異方性（Ｋ_ｕ ^{ｇｒａｉｎ}）を有する強磁性金属磁性膜であり、熱的に安定な磁気特性をも兼ね備えた強磁性金属磁性膜を備えた磁気記録媒体を形成可能である。
本発明において、前記元素ＴがＴａ、Ｓｉ、Ｎｂのうち、１種または２種以上の場合に元素Ｔの組成比を示すｃが５原子％以下であり、元素ＴがＢの場合に元素Ｔの組成比を示すｃが９原子％以下であることを特徴とするものでも良い。
本発明のターゲットにおいて、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、および、元素Ｔ’（Ｔ’はＴａ、Ｂのうち、１種または２種を示す）を主体としてなる磁性膜形成用ターゲットであり、組成が一般式（Ｃｏ_ｘＣｒ_ｙＧｅ_ｚＰｔ_ｖ）_{１００−ｃ}Ｔ’_ｃ’で示され、 組成比を示すｘ、ｙ、ｚ、ｖ、ｃ’が、４５≦ｘ≦８７、２．５≦ｙ≦２５、２≦ｚ≦１５、２≦ｖ≦２５、１≦ｃ’≦１２、（ただし、ｘ、ｙ、ｚ、ｖ、ｃ’は原子％による組成比を示す）なる関係を満足することを特徴とするものでも良い。
更に前記組成比が、８２≦ｘ≦８７、２．５≦ｙ≦１３、２．５≦ｚ≦１４であることを特徴とするターゲットでも良い。
更に前記元素Ｔ’が、Ｂの場合にＢの組成比を示すｃが１原子％以上、８原子％以下であることを特徴とするターゲットでも良い。
更に前記元素Ｔ’が、Ｔａの場合にＴａの組成比を示すｃが１原子％以上、８原子％以下であることを特徴とするターゲットでも良い。
このような組成範囲のターゲットとすることで、０．３５以上の高い規格化保磁力（Ｈｃ／Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}）を得るために必要な条件である４πＭｓ／Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}≦１．０が確保され、１．５×１０^６ｅｒｇ／ｃｍ^３以上の結晶磁気異方性（Ｋ_ｕ ^{ｇｒａｉｎ}）を有する強磁性金属磁性膜であり、熱的に安定な磁気特性をも兼ね備えた強磁性金属磁性膜を備えた磁気記録媒体を形成可能である。
本発明の磁気記録装置は、先に記載の磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を駆動する駆動部と、磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体に対して相対移動させる移動手段とを具備してなることを特徴とする。
先に記載の優れた磁気特性の磁気記録媒体を備えているので、高記録密度化に対応し、熱擾乱に強く、媒体ノイズが低く、信号出力を高くできる優れた磁気記録装置を提供できる。
本発明の磁気記録装置は、前記磁気ヘッドの再生部が磁気抵抗効果型磁気素子からなることを特徴とする。
再生部が磁気抵抗効果型磁気素子からなる磁気ヘッドであれば、磁気記録媒体の高出力化に対応することができ、微細な磁気情報の続出も可能であるので、磁気記録装置の高記録密度化に対応することができ、熱擾乱に強く、ノイズが低く、信号出力を高くできる優れた磁気記録装置を提供できる。
発明を実施するための最良の形態
本発明者らはこれまでの背景に鑑み、磁性材料に関して更なる研究を重ねた結果、最近に至り、以下に記述する研究成果を得ており、これらの研究成果に基づいて本願発明に到達した。
上記磁気記録媒体５０において記録再生特性を向上させるためには、記録層５５として機能する磁性膜を構成する結晶粒の粒間相互作用の低減、並びに、磁性膜の膜厚の低減が必要不可欠であることを本発明者等が以下の文献において１９９９年３月に報告している。
（”Ｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ ｈｉｇｈ ｄｅｎｓｉｔｙ ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｍｅｄｉａ ｅｓｔａｂｌｉｓｈｅｄ ｂｙ ｕｌｔｒａ ｃｌｅａｎ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ”ｂｙ Ｍ．Ｔａｋａｈａｓｈｉ ａｎｄ Ｈ．Ｓｈｏｊｉ，Ｊ．Ｍａｇｎ．Ｍａｇｎ．Ｍａｔｅｒ，１９３（１９９９）４４−５１）。
更に、本発明者らの最近の研究により、記録層５５をなす磁性膜の膜厚の低減に伴い、磁性膜を構成する結晶粒が微細化することによって、磁性膜に記録された磁化（残留磁化）等の磁気特性が時間に対して大きく変化してしまうという問題、即ち、熱擾乱の影響を受けやすくなるという問題を生じることが明らかになり、この内容についても先の文献において公表した。
そして、これらの研究発表内容から本発明者らは、磁性膜に対する高記録密度化を図るためには、磁性膜に記録する磁化パターンを更に小型化する必要性があり、磁性膜を構成する結晶の粒径を微細化してゆくと、熱擾乱の影響を無視できない状況となりつつあることを知見している。
記録再生特性に優れた高密度記録用磁気記録媒体を実現するためには、前記記録層５５を構成する磁性膜として、保磁力（Ｈｃ）および異方性磁界（Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}）が高く、かつ規格化保磁力（Ｈｃ／Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}）が０．３以上であるものが望ましいこと、および、このような磁気特性を備えた記録媒体について、超清浄プロセス（ウルトラクリーンプロセス：ｕｌｔｒａ ｃｌｅａｎ ｐｒｏｃｅｓｓ）を用いて作製可能なことを、本発明者らが国際出願ＰＣＴ／ＪＰ９４／０１１８４号公報において開示している。
ここで、規格化保磁力（Ｈｃ／Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}）とは、保磁力Ｈｃを、磁性膜の結晶粒の異方性磁界（Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}）で割った値であり、磁性膜の結晶粒の磁気的孤立性が高まる度合いを表している。
即ち、磁性膜の規格化保磁力（Ｈｃ／Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}）が高いということは、磁性膜を構成する個々の結晶粒の磁気的な相互作用が低下し、結果的に高い保磁力を実現できることを意味する。例えば、ＣｏＣｒ系の磁性膜において、Ｃｏの微細粒子が組織中に分散している場合、個々のＣｏ粒子が磁気的に分断されてＣｏ粒子間の磁気的な相互作用が低下していることが望ましいと考えられる。
同公報によれば、上記超清浄プロセスにより、金属下地層および／又は強磁性金属層の酸素濃度が１００ｗｔｐｐｍ以下である磁化反転を利用した磁気記録媒体が形成可能であり、このような磁気記録媒体を作製する超清浄プロセスの成膜条件は、従来の一般プロセスの成膜条件と比べて、次のような点で異なることが開示されている。
即ち、同公報によれば、超清浄プロセスの成膜条件と従来の一般的なプロセスの成膜条件とを比較して示すと、成膜室の背圧において、超清浄プロセスが１０^−９Ｔｏｒｒ（１０^−７Ｐａ）台であるのに対して一般的な成膜プロセスの背圧が１０^−７Ｔｏｒｒ（１０^−５Ｐａ）台であり、成膜に用いたＡｒガスにおいて、超清浄プロセスがｕｃ−Ａｒ（ウルトラクリーンアルゴン：不純物濃度が１００ｐｐｔ以下、好適には１０ｐｐｂ以下のＡｒ「ｕｌｔｒａ ｃｌｅａｎ Ａｒ」）であるのに対し、一般的な成膜プロセスがｎｏｒｍａｌ−Ａｒ（不純物濃度が１ｐｐｍ以上）を意味すると記載されている。
また、本発明者らが特許出願した国際出願ＰＣＴ／ＪＰ９７／０１０９２号公報には、記録層５５をなす磁性膜の飽和磁化（Ｍｓ）と異方性磁界（Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}）との関係を（４πＭｓ／Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}）≦１．０とすることにより、磁性膜の結晶粒径に依存せず０．３５以上の高い規格化保磁力が得られること、および、（４πＭｓ／Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}）≦１．０となる磁気媒体は、超清浄プロセス（国際出願ＰＣＴ／ＪＰ９４／０１１８４号公報に開示された技術）を用いて形成されることが開示されている。
更に、磁性膜厚の低減に伴い、磁性膜を構成する結晶粒が微細になり、熱擾乱の影響を受けやすくなること、および、磁性膜の結晶磁気異方性（Ｋ_ｕ ^{ｇｒａｉｎ}）の大きな材料ほど残留磁化の経時変化が小さいことを以下の文献において１９９９年３月に本発明者らが明らかにした。
（”Ｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ ｈｉｇｈ ｄｅｎｓｉｔｙ ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｍｅｄｉａ ｅｓｔａｂｌｉｓｈｅｄ ｂｙ ｕｌｔｒａ ｃｌｅａｎ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ”ｂｙ Ｍ．Ｔａｋａｈａｓｈｉ ａｎｄ Ｈ．Ｓｈｏｊｉ，Ｊ．Ｍａｇｎ．Ｍａｇｎ．Ｍａｔｅｒ，１９３（１９９９）４４−５１）
そして、従来の磁気記録媒体において、磁性膜として多用されているＣｏ系合金膜における結晶磁気異方性（Ｋ_ｕ ^{ｇｒａｉｎ}）の最大値は、例えば、ＣｏＮｉＣｒ合金膜の場合は約１．３×１０^６ｅｒｇ／ｃｍ^３であり、ＣｏＣｒＴａ合金膜の場合は１．４×１０^６ｅｒｇ／ｃｍ^３であった。
これに対して最近になって登場した超清浄プロセスによるＣｏＣｒＴａＰｔ合金膜の場合は２．５×１０^６ｅｒｇ／ｃｃ程度の結晶磁気異方性（Ｋ_ｕ ^{ｇｒａｉｎ}）を得ることができ、この値が従来のＣｏ系材料では熱安定性において最も高いことを本発明者らが以下の文献において１９９７年１０月に報告している。
しかし、この材料組成では、結晶磁気異方性（Ｋ_ｕ ^{ｇｒａｉｎ}）の値がある程度大きくても規格化保磁力（Ｈｃ／Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}）が０．３０以下と小さく、媒体ノイズが大きいことが予想される。
清浄雰囲気中で作製したＣｏＣｒＰｔ薄膜磁気記録媒体（磁気異方性と微細構造）、高橋研、菊池暁、三ツ矢晴仁、吉村哲、荘司弘樹、第２１回日本応用磁気学会学術講演概要集（１９９７）１６５頁
しかしながら、高記録密度化に伴い磁気媒体に記録される磁化パターンは更に小型化すると考えられており、これに対応するため磁性膜の膜厚を低減することにより磁性膜を構成する結晶粒の粒径が更に微細化しても、残留磁化等の磁気特性が時間に対して大きく変化しない、即ち熱擾乱を抑制し、熱的に安定な磁気特性を確保できる磁性膜が求められていると、本発明者は考えている。
換言すれば、高い規格化保磁力、即ち、磁性結晶粒径および静磁気的相互作用の大きさの指標となる４πＭｓ／Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}の値が１以下であり、かつ、従来より高い結晶磁気異方性を有する磁性膜を備えた磁気記録媒体の開発が望まれていると本発明者らは考えている。
以上のような背景に基づき、本発明者らが更に研究を重ねた結果、”Ｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ ｈｉｇｈ ｄｅｎｓｉｔｙ ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｍｅｄｉａ ｅｓｔａｂｌｉｓｈｅｄ ｂｙ ｕｌｔｒａ ｃｌｅａｎ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ”ｂｙ Ｍ．Ｔａｋａｈａｓｈｉ ａｎｄ Ｈ．Ｓｈｏｊｉ，Ｊ．Ｍａｇｎ．Ｍａｇｎ．Ｍａｔｅｒ，１９３（１９９９）４４−５１ １９９９年３月刊行 において、あるいは、応用物理 第６８巻 第２号 第１８５頁〜第１８９頁 １９９９年 ２月刊行 において、本発明者らは、１０〜１０００Ｇｂ／ｉｎ^２レベルに対応する超高密度対応型の磁気記録媒体を開発するためには、材料開発の指針として、粒間相互作用の低減と、静磁気的な相互作用の抑制と、結晶粒径の微細化と、磁性膜厚および残留磁束密度の関係と、磁性結晶粒径と緩和時間の関係が重要であるとの統括的な指標を世界で初めて提供した。
ここで粒間相互作用の低減とは、保磁力（Ｈｃ）を結晶粒の異方性磁界Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}で規格化した先に説明の規格化保磁力の値を制御することであり、先にも述べたように、０．３以上、好ましくは０．３５を超えることが必要となる。この種の磁性膜において１つの理想的な構造は、微細な多数の強磁性結晶粒が適切な厚さの非磁性層で磁気的に分断されて分散されている状態と本発明者は考えており、規格化保磁力としては大きい方が好ましいが、現在用いられているＣｏＣｒＴａ系磁性薄膜では０．３程度、ＣｏＣｒＴａＰｔ系磁性薄膜では０．３よりも低い値となっている。
静磁気的な相互作用の抑制とは、（４πＭｓ／Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}）≦１．０の条件を満足可能なことであり、この条件を満足することで先の規格化保磁力の値を０．３５以上とすることが可能となる。ここで（４πＭｓ／Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}）＝１．５程度の磁気媒体では結晶粒径の低減とともに規格化保磁力が低下してしまうことを先の文献において本発明者らは明らかにしている。
磁気記録媒体の低ノイズ化を進めるためには、磁性膜の結晶粒径の微細化も重要であり、そのためには１０ｎｍ以下の結晶粒とすることが好ましいことも本発明者らが先の文献において公表している。
磁性膜厚および残留磁束密度の関係とは、磁性膜の膜厚をｔ、残留磁束密度をＢｒとした場合にｔＢｒ＜５０Ｇμｍの関係を満足することを意味する。
磁性結晶粒径と緩和時間の関係とは、従来のＣｏＣｒＴａ系の磁性膜に対する残留磁化の時間依存性から１年後の減衰量を求めた場合、磁性結晶粒の体積をｖとし、磁性膜の結晶磁気異方性を（Ｋ_ｕ ^{ｇｒａｉｎ}）とし、ｋをボルツマン定数とし、Ｔを温度とすると、磁気エネルギーをどの程度有するかの指標であるｖＫ_ｕ ^{ｇｒａｉｎ}／ｋＴの値が４０以上が有効であるとの結論であり、本発明者らが先に記載の文献において示した。即ち、本発明者らは先の式の値が４０未満では１年後の残留磁化の減衰が著しく大きくなるとの研究結果を得ている。
更に、磁化は、その系のエネルギーが最小になる方向に向き、その方向は時間によって変化しないと考えられるが、実際には熱エネルギーが存在し、エネルギーバリアに対して確率統計的に磁化の緩和が生じるものと考えられるので、その緩和時間を加味すると、緩和時間としては約１０^８ｓが必要と考えると、本発明者らの最近の研究によれば緩和時間が約１０^８ｓを超えるためには、（Ｋ_ｕ ^{ｇｒａｉｎ}）の値として約１．５×１０^６ｅｒｇ／ｃｍ^３以上とすることが最低必要であり、約２．０×１０^６ｅｒｇ／ｃｍ^３以上が好ましく、約２．５×１０^６ｅｒｇ／ｃｍ^３以上がより好ましく、約３．０×１０^６ｅｒｇ／ｃｍ^３以上が最も好ましいとの知見を得ることができ、その内容についても先の文献において公表した。
しかしながら、以上説明した各指標をバランス良く満足する磁性材料は現在知られておらず、これらの指標をできる限り満足するに足りる磁性材料を研究した結果として本発明者は本発明に到達した。
以下に本発明の各最良の形態を詳細に説明するが、本発明はこれらの形態に限定されるものではない。
図１は本発明に係る磁気記録媒体をコンピュータのＨＤＤ（ハードディスク）に適用した一実施形態の部分断面構造を示すもので、この実施形態の磁気記録媒体６０は、円盤状の非磁性体からなる基板６２上に非磁性層６３を形成してなる基体６１を有し、この基体６１上に金属下地層６４を介して強磁性金属磁性膜（磁気記録層）６５と保護層６６とを積層してなる構造とされている。
なお、図１に示す本実施形態の磁気記録媒体６０の積層構造は、最も一般的なＨＤＤの構造であるので、基板６２と保護層６６との間に他の中間層を必要に応じて設けた構造としても良く、保護層６６の上にフッ素系樹脂などの潤滑層を設けても良いのは勿論である。また、図１では磁気記録媒体６０の部分的な断面構造のみを示したが、全体形状としては図１９に示す従来の磁気記録媒体５０と同等の円盤状とされている。
本実施形態の磁気記録媒体６０は、基体６１上に金属下地層６４を介して強磁性金属磁性膜６５が形成されてなる磁気記録媒体において、強磁性金属磁性膜６５をＣｏＣｒＧｅ系の３元系強磁性合金磁性膜、あるいはそれに必要な元素を添加した４元系、５元系、６元系あるいはそれ以上の多元系の強磁性金属磁性膜から構成されたものである。
以下、本発明の実施形態の磁気記録媒体６０を更に詳細に説明する。
（基体）
本発明に係る基体６１として、例えば、アルミニウムとその合金あるいは酸化物、チタンとその合金あるいは酸化物、または、シリコン、ガラス、カーボン、セラミック、プラスチック、樹脂およびそれらの複合体からなる基板６２の表面に、異種材質の非磁性層６３をスパッタ法、蒸着法、めっき法等の成膜法によって、表面コーティング処理を行ったものを例示することができる。
基体６１の表面に設けた非磁性層６３は、高温で磁化せず、好ましくは導電性を有し、機械加工などがしやすい反面、適度な表面硬度をもっていることが好ましい。このような条件を満たす非磁性膜としては、特にメッキ法により作製されたＮｉ−Ｐ膜が好ましい。また、非磁性層６３を省略し、基体６１としてガラス基板を用いても良い。
基体６１の形状としては、ディスク用途の場合、ドーナツ円盤状のものが使われる。後述する磁性層等を設けた基体、即ち磁気記録媒体は、磁気記録および再生時、円盤の中心を軸として、例えば３６００〜１５０００ｒｐｍの速度で回転させて使用する。この時、磁気記録媒体の表面または裏面の上空を磁気ヘッドが０．１μｍ程度の高さ、あるいは数１０ｎｍの高さをもって浮上走行する。また、更に低浮上の場合、１０ｎｍ程度の高さをもって浮上走行する磁気ヘッドの開発もなされている。
従って、基体５１としては、表面または裏面の平坦性、表裏両面の平行性、基体円周方向のうねり、および表裏面の粗さが適切に制御されたものが望ましい。
また、基体が回転／停止する場合には、磁気記録媒体と磁気ヘッドの表面同士が接触および摺動する（Ｃｏｎｔａｃｔ Ｓｔａｒｔ Ｓｔｏｐ，以下ＣＳＳと称する）ようになっている。この対策として、基体の表面には、同心円状の軽微なキズ（テクスチャ）をダイヤモンドスラリーやテープによる研磨により形成して磁気ヘッドの接触時の吸着を防止する場合もある。
テクスチャーについては図２０に示す従来構造に示す如くＮｉ−Ｐの非磁性層５３の上面に研磨紙を当ててキズを付けることでＶ字溝型に形成することが一般的になされているので、本実施形態の構造においてもＮｉ−Ｐなどからなる非磁性層６３の表面にテクスチャーを形成しても良い。また、ダイヤモンドスラリーやテープによる研磨によるテクスチャーに代わるものとして、レーザ加工によるテクスチャー、スパッタリングによる離散的な凹凸膜テクスチャー、保護膜のエッチングによる凹凸型のテクスチャーなどを形成した構造も知られているのでこれらの構造を採用し、非磁性層６３の上面に所望の形状の凹凸などを形成しても良いのは勿論である。更にまた、最近ではロード、アンロード方式で磁気ヘッドを磁気記録媒体の外側に待機させる方式のものも登場しているので、このような方式を採用する場合はテクスチャーを省略する構成とすることもできる。
（金属下地層）
本実施形態で用いられる金属下地層６４としては、例えばＣｒおよびその合金が挙げられる。合金とする場合は、例えば、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ等との組み合わせが用いられ、より具体的にはＣｒＭｏ合金、ＣｒＷ合金、ＣｒＴｉ合金、ＣｒＶ合金等が適用される。
特に、Ｃｒは、後述する強磁性金属磁性膜６５に対して偏析作用を起こすことから好ましい。また、これらの材料は量産的にも多用されており、成膜方法として、スパッタ法、蒸着法等が用いられる。この金属下地層６４の役割は、その上にＣｏ基からなる強磁性金属磁性膜６５を設けたとき、強磁性金属磁性膜６５の磁化容易軸が基体面内方向を取るように、即ち、基体面内方向の保磁力が高くなるように、強磁性金属磁性膜６５の結晶成長を促すことである。
なお、基板としてガラス基板を用いる場合に、Ｎｉ−Ａｌシード層を金属下地層の更に下に設けても良い。
Ｃｒなどからなる金属下地層６４をスパッタ法で作製する場合、その結晶性を制御する成膜因子としては、基体の表面形状、表面状態、若しくは表面温度、成膜時のガス圧、基体に印加するバイアス、および形成する膜厚等が挙げられる。
後述する強磁性金属磁性膜６５の保磁力はＣｒの膜厚に比例して高くなる傾向にあるが、それに伴い媒体の表面粗さも増大する傾向になる。しかしながら、記録密度を向上するためには、磁気ヘッドの磁気記録媒体表面からの浮上量を出来る限り小さくすることが求められる。従って、金属下地層６４の膜厚が薄くても高い保磁力が得られる材料からなる金属下地層６４が好適である。
（強磁性金属磁性膜）
本実施形態で用いられる前記強磁性金属磁性膜６５を構成する３元系強磁性合金からなる磁性膜の１種として、一般式Ｃｏ_ｘＣｒ_ｙＧｅ_ｚで示され、組成比を示すｘ、ｙ、ｚが、７８≦ｘ≦９５．５、２．５≦ｙ≦２５、２≦ｚ≦１５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００（ただし、ｘ、ｙ、ｚは原子％による組成比を示す）なる関係を満足するものを適用することができる。
前記磁性材料においては、磁性を担う磁性結晶粒の周囲に非磁性の粒間層を配した構造をとるものと思われ、磁性結晶粒の粒径を１０ｎｍ以下として、磁性結晶粒の相互間隔を適切なものとし、磁性結晶粒の粒間相互作用の低減と磁性結晶粒の静磁的な相互作用の抑制が必要である。
上述の組成範囲とすることで、強磁性金属磁性膜６５の結晶粒径に依存することなく、０．３５以上の高い規格化保磁力（Ｈｃ／Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}）を得るために必要な条件である（４πＭｓ／Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}）≦１．０を確保することが可能となる。また、このような組成範囲の中でも、７８≦ｘ≦８７、２．５≦ｙ≦１４．５、３．５≦ｚ≦１５の範囲であれば、（４πＭｓ／Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}）≦１．０の関係を確実に得ることができる。
また、同時に前記の組成範囲では、１．５×１０^６ｅｒｇ／ｃｍ^３以上の結晶磁気異方性（Ｋ_ｕ ^{ｇｒａｉｎ}）が得られるので、熱的に安定な磁気特性をも兼ね備えた磁気記録媒体の提供が可能となる。
特に、本発明に係るＣｏＣｒＧｅ系合金を強磁性金属磁性膜６５とした場合には、従来技術で示したところの超清浄プロセスを用いて製造しても良いが、必ずしも超清浄プロセスを用いることなく一般的な条件の成膜プロセスを利用することで上記磁気特性を実現する金属磁性膜を得ることも可能である。
また、前記強磁性金属磁性膜６５の合金組成比を一般式Ｃｏ_ｘＣｒ_ｙＧｅ_ｚにおいて、８２≦ｘ≦８７、２．５≦ｙ≦１３、２．５≦ｚ≦１４、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００（ただしｘ、ｙ、ｚは原子％による組成比）とした場合に、従来のＣｏ系強磁性金属材料では報告例が見られない、２．０×１０^６ｅｒｇ／ｃｍ^３以上の結晶磁気異方性（Ｋ_ｕ ^{ｇｒａｉｎ}）を備えた優れた磁性膜を提供できるので、より優れた熱的安定性をもつ磁気記録媒体が得られる。
更に、保磁力や飽和磁化等を増大させる目的から、上記組成の磁性膜にＮｉ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｓｉの中から選択される１種または２種以上を添加元素Ｔとして適宜加えても構わない。
これらの元素を添加したものとして、前記強磁性金属磁性膜が、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｇｅ、および、元素Ｔ（Ｔａ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｎｂ、Ｂのうち、１種または２種以上）からなる磁性膜であり、
前記強磁性金属磁性膜の合金組成が、一般式Ｃｏ_ｘＣｒ_ｙＧｅ_ｚＴ_ｃ示され、
組成比を示すｘ、ｙ、ｚ、ｃが、８０≦ｘ≦９５．５、２．５≦ｙ≦２５、２≦ｚ≦１５、ｃ≦５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００（ただし、ｘ、ｙ、ｚ、ｃは原子％による組成比を示す）なる関係を満足するものを用いることができる。
また、前記強磁性金属磁性膜の組成比を、７３≦ｘ≦８７、２．５≦ｙ≦１４．５、３．５≦ｚ≦１５、１≦ｃ≦１２の範囲とすることが好ましく、８２≦ｘ≦９５．５、２．５≦ｙ≦１３、２．５≦ｚ≦１４、ｃ≦５の範囲とすることがより好ましい。
具体的組成として、ＣｏＣｒＧｅＴａ系、ＣｏＣｒＧｅＰｔ系、ＣｏＣｒＧｅＢ系、ＣｏＣｒＧｅＴａＰｔ系、ＣｏＣｒＧｅＴａＢ系、ＣｏＣｒＧｅＴａＰｔＢ系などの組成を例示することができる。
これら組成系の中でも、組成が、一般式（Ｃｏ_ｘＣｒ_ｙＧｅ_ｚＰｔ_ｖ）_{１００−ｃ}Ｔ’_ｃ’で示され、組成比を示すｘ、ｙ、ｚ、ｖ、ｃ’が、４５≦ｘ≦９５．５、２．５≦ｙ≦２５、２≦ｚ≦１５、２≦ｖ≦２５、１≦ｃ’≦１２、（ただし、ｘ、ｙ、ｚ、ｖ、ｃ’は原子％による組成比を示す）なる関係を満足することを特徴とする強磁性金属磁性膜がより好ましい。この組成において７８≦ｘ≦９５．５、２．５≦ｙ≦２５、２≦ｚ≦１５、２≦ｖ≦２５、１≦ｃ’≦１２の範囲としても良い。
また、前記組成系において、前記元素Ｔ’がＢの場合にＢの組成比を示すｃ’が１原子％以上、８原子％以下であることが好ましく、前記元素Ｔ’がＴａの場合にＴａの組成比を示すｃ’が１原子％以上、８原子％以下であることが好ましい。更に、前記の範囲において、元素Ｔ’がＢの場合にＢの組成比を示すｃ’が２原子％以上、８原子％以下であることが好ましく、前記元素Ｔ’がＴａの場合にＴａの組成比を示すｃ’が２原子％以上、８原子％以下であることがより好ましい。
これらの組成系においてより具体的組成を記述すると、ＣｏＣｒＧｅＰｔＴａ系、ＣｏＣｒＧｅＰｔＢ系、ＣｏＣｒＧｅＰｔＴａＢ系などを例示することができる。
（磁気記録媒体における高記録密度化）
本発明における磁気記録媒体６０は、上述した強磁性金属磁性膜６５の膜面に対し、平行に記録磁化を形成する磁気記録媒体（面内磁気記録媒体）とすることが好ましい。このような磁気記録媒体では、記録密度を向上するために、記録磁化の更なる小型化を図る必要がある。
この記録磁化の小型化は、各記録磁化の漏れ磁束を減少させるため、磁気ヘッドにおける再生信号出力を小さくする。従って、隣接する記録磁化の影響と考えられている媒体ノイズを更に低減することが望まれる。
（強磁性金属層の保磁力：Ｈｃ、異方性磁界：Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}、規格化保磁力：Ｈｃ／Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}、結晶磁気異方性Ｋ_ｕ ^{ｇｒａｉｎ}）
本発明における「強磁性金属磁性膜の保磁力：Ｈｃ」とは、振動試料型の磁力計（Ｖｉｂｒａｔｉｎｇ Ｓａｍｐｌｅ Ｍａｇｎｅｔｏｍｅｔｅｒ：ＶＳＭと略称する。）を用いて測定した磁化曲線から求めた磁気記録媒体の抗磁力である。
本発明における「結晶粒の異方性磁界：Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}」とは、高感度トルク磁力計を用いて測定した回転ヒステリシス損失が完全に消失する印加磁界である。ここで、保磁力および異方性磁界は、基体の表面上に金属下地層６４を介して強磁性金属磁性膜６５を形成した本実施形態の磁気記録媒体６０の場合、薄膜面内で測定した値である。
また、異方性磁界Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}は、Ｓｔｏｎｅｒ−Ｗｏｈｌｆａｒｔｈ理論によれば、結晶粒が完全に磁気的に孤立した場合に０．５をとることが示されており、この値が規格化保磁力の上限値である。
なお、Ｊ．−Ｇ．Ｚｈｕ ａｎｄ Ｈ．Ｎ．Ｂｅｒｔｒａｍ．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，ＶＯＬ．６３，１９８８，ｐｐ．３２４８には、強磁性金属磁性膜の規格化保磁力が高いということは、強磁性金属磁性膜を構成する個々の結晶粒の磁気的な相互作用が低下し、高い保磁力が実現できると記載されている。
本発明における「強磁性金属磁性膜の規格化保磁力：Ｈｃ／Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}」とは、保磁力Ｈｃを、結晶粒の異方性磁界Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}で割った値であり、この値が結晶粒の磁気的孤立性が高まる度合いを表すことについて、本発明者らが先に、
”Ｍａｇｎｅｔｉｚａｔｉｏｎ Ｒｅｖｅｒｓａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｓｍ Ｅｖａｌｕａｔｅｄ ｂｙ Ｒｏｔａｔｉｏｎａｌ Ｈｙｓｔｅｒｅｓｉｓ Ｌｏｓｓ Ａｎａｌｙｓｉｓ ｆｏｒ ｔｈｅ Ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ Ｍｅｄｉａ”Ｍｉｇａｋｕ Ｔａｋａｈａｓｈｉ，Ｔ．Ｓｈｉｍａｔｓｕ，Ｍ．Ｓｕｅｋａｎｅ，Ｍ．Ｍｉｙａｍｕｒａ，Ｋ．Ｙａｍａｇｕｃｈｉ ａｎｄ Ｈ．Ｔａｋａｈａｓｈｉ，Ｔ．Ｓｈｉｍａｔｓｕ，Ｍ．Ｓｕｅｋａｎａｅ，Ｍ．Ｍｉｙａｍｕｒａ，Ｋ．Ｙａｍａｇｕｃｈｉ ａｎｄ Ｈ．Ｙａｍａｓａｋｉ：ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＭＡＧＮＥＴＩＣＳ，ＶＯＬ，２８，１９９２，ＰＰ．３２８５において公表した。
本発明における「結晶磁気異方性Ｋ_ｕ ^{ｇｒａｉｎ}」とは、飽和磁化（Ｍｓ）と異方性磁界Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}の積を１／２にした数値であり、この結晶磁気異方性Ｋ_ｕ ^{ｇｒａｉｎ}の値が大きいほど、熱擾乱が抑制され、熱的に安定な磁気記録媒体であると判断することができる指標である。
ところで、従来技術で述べたように、超清浄プロセスを用いてＣｏＣｒＴａ系の磁性膜を形成したならば、０．３５以上の規格化保磁力が得られ、かつ、そのためには（４πＭｓ／Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}）≦１．０という条件を満たす必要があるとの報告（国際出願ＰＣＴ／ＪＰ９７／０１０９２号公報）を本発明者らが行なっている。
これに対して、特別な清浄空間を用いない従来の一般的な条件でのスパッタ法で作製したＣｏＣｒＴａ系の強磁性金属磁性膜の規格化保磁力は、強磁性金属膜がＣｏ基合金からなるものである限り０．３５より小さな値であり、（４πＭｓ／Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}）の値も１を越える数値しか得られていなかった。
しかしながら、上述した組成の３元系のＣｏＣｒＧｅ合金から、あるいは、ＣｏＣｒＧｅＴ系、ＣｏＣｒＧｅＴ’系からなる強磁性金属磁性膜６５とすることにより、特別な清浄空間を用いない従来のスパッタ法においても、高い規格化保磁力と熱的に安定な磁気特性を同時に満足する磁気記録媒体６０を製造することができる。勿論、本発明者が提供しているウルトラクリーンプロセスによって先の組成系の強磁性金属磁性膜６５を形成することにより、優れた特性の磁気記録媒体６０を製造することができる。
以下にこのような強磁性金属磁性膜６５をスパッタ法により製造する場合の一例について説明する。
（スパッタ法）
本発明に係る強磁性金属磁性膜６５を製造する方法の一例であるスパッタ法として、例えば、基体５１がターゲットの前を移動しながら薄膜が形成される搬送型スパッタ法と、基体５１をターゲットの前に固定して薄膜が形成される静止型スパッタ法を例示することができる。
前者の搬送型スパッタ法は、量産性が高いため、低コストな磁気記録媒体の製造に有利であり、後者の静止型スパッタ法は、基体５１に対するスパッタ粒子の入射角度が安定なために、記録再生特性に優れる磁気記録媒体の製造が可能とされる。本発明に係る磁気記録媒体６０を製造する際には、搬送型あるいは静止型のいづれかに限定されるものではない。
なお、スパッタ法により強磁性金属磁性膜６５を製造する場合に用いて好適な成膜装置として図５に示す構造のスパッタ装置を例示することができるが、この装置については後述の実施例において説明する。
（基体に負のバイアス印加）
本発明における「基体に負のバイアス印加」とは、磁気記録媒体としてＣｒの下地膜６４や強磁性金属磁性膜６５を形成する際、基体５１に対して直流のバイアス電圧を印加することを指す。
基体５１に適切なバイアス電圧を印加しながら強磁性金属磁性膜６５を成膜すると、磁気記録媒体の保磁力を増大することができる。上述したバイアス印加の効果は、どちらか一方の膜を作製するときのみバイアスを印加した場合よりも、２層とも印加した場合のほうがより大きい傾向がある。しかし、上記のバイアス印加は、基体近傍の物体、即ち、基体支持部材や基体ホルダーにも作用する場合が多い。この結果、基体近傍の空間中にガスやダストが発生し、成膜中の薄膜に取り込まれ、各種の膜特性が不安定になるという不都合な状態が生じ易くなる。
また、基体へのバイアス印加は、以下の問題点も有している。
▲１▼ガラスなどの非導電性基体には、適用することが難しい。
▲２▼成膜された強磁性金属磁性膜の飽和磁束密度（Ｍｓ）が低下するおそれがある。
▲３▼成膜室内に、複雑な機構部分を設ける必要がある。
▲４▼基体へのバイアス印加度合いに変化が生じやすく、その結果、得られた磁性膜の磁気特性に部分的にバラツキが発生しやすい。
従って、上記バイアス印加を特に行わなくても、目標とする各種の膜特性を得られる作製方法が望まれているが、バイアス印加を行って成膜してもよいのは勿論である。
これに対して、上述した組成の３元系のＣｏＣｒＧｅ合金磁性膜から、あるいはＣｏＣｒＧｅＴ系の合金磁性膜から強磁性金属磁性膜６５を形成した場合は、基体５１に負のバイアス印加を特別に行わなくても、高い規格化保磁力と熱的に安定な磁気特性を同時に有する磁気記録媒体が得られ易いという利点を有している。従って、基体５１への負のバイアス印加を行なうことなく無バイアス状態で基体５１上に下地層６４と強磁性金属磁性膜６５を成膜することもできる。
（金属下地層および／または強磁性金属層を形成する成膜室の到達真空度）
従来、「金属下地層および／または強磁性金属磁性膜を形成する成膜室の到達真空度」は、強磁性金属磁性膜の材料によっては、保磁力の値を左右する成膜因子の１つとして位置づけられている。
特に、強磁性金属磁性膜の中にＴａを含む、Ｃｏ基の磁性材料では、上記の到達真空度が低い場合（例えば、１０^−６〜１０^−７Ｔｏｒｒ（１０^−４〜１０^−５Ｐａ）台の場合）には影響が大きいと考えられてきた。しかし、上述した組成の３元系のＣｏＣｒＧｅ合金から強磁性金属磁性膜を形成した場合は、到達真空度が１０^−６〜１０^−７Ｔｏｒｒ台の成膜室にて磁性膜を形成しても、高い規格化保磁力と熱的に安定な磁気特性を同時に有する強磁性金属磁性膜を備えた磁気記録媒体を製造することができる。なお、当然のことながら、本発明者らが提供している超清浄プロセスにより本実施形態の強磁性金属磁性膜６５を形成しても良いのは勿論である。
（金属下地層および／または強磁性金属層を形成する際の基体の表面温度）
本発明における「金属下地層および／または強磁性金属磁性膜を形成する際の基体の表面温度」は、強磁性金属磁性膜の材料に依存せず、保磁力の値を左右する成膜因子の１つである。
基体が損傷しない範囲であれば、高い表面温度で成膜をした方がより高い保磁力を実現できる。基体の損傷とは、そり、膨れ、割れ等の外的変化や、磁化の発生、発ガス量の増加等の内的変化を意味する。しかし、高い基体の表面温度を実現するためには、一般的に何らかの加熱処理を、成膜室又はその前室で行う必要がある。この加熱処理では、基体近傍の空間中にガスやダストが発生し、成膜中の薄膜に取り込まれ、各種の膜特性が不安定になるという不都合な面をもっている。
また、高い基体の表面温度は、以下の問題点も有している。
▲１▼ＮｉＰ／Ａｌ基体における非磁性ＮｉＰ層が磁化発生する。
▲２▼基体において歪が発生する。
▲３▼ガラスなどの熱伝導率が低い基体では、基体温度を上げたり、保持することが難しい。したがって、上記加熱処理を行わないか、若しくは、より低温加熱処理でも、目標とする各種の膜特性を得られる作製方法が望まれている。
（基体の表面粗さ、Ｒａ）
本発明における基体の表面粗さとしては、例えば、ディスク形状からなる基体表面を、半径方向に測定した場合の、平均中心線粗さＲａがあげられる。
表面粗さＲａの測定器としては、ＲＡＮＫＴＡＹＬＯＲＨＯＢＳＯＮ 社製 ＴＡＬＹＳＴＥＰ（タリステップ）を用いることができる。
基体が停止状態から回転を開始した場合、あるいはその逆に回転状態から停止状態になった場合は、磁気記録媒体と磁気ヘッドの表面同士が接触および摺動する（ＣＳＳ動作）。この時、磁気ヘッドの吸着や摩擦係数の上昇を抑えるため、表面粗さＲａは大きい方が好ましい。一方、基体が最大回転数に達した場合には、磁気記録媒体と磁気ヘッドとの間隔、即ち、磁気ヘッドの浮上量をできるだけ小さい値に確保する必要があるので、Ｒａは小さい方が望ましい。従って、基体の表面粗さＲａの最大値と最小値は、上述した理由と、磁気記録媒体に対する要求スペックから適宜決定される。
例えば、磁気ヘッドの浮上量が、２４μｉｎｃｈの場合は、Ｒａ＝６ｎｍ〜８ｎｍである。しかし、更に高記録密度化を図るためには、磁気ヘッドの浮上量（記録再生動作をする際、磁気ヘッドが磁気記録媒体の表面上から離れている距離）をより小さくする必要がある。この要望に答えるためには、磁気記録媒体の表面をより平坦化することが大切となる。このような理由から基体の表面粗さＲａは、より小さなものが望ましい。従って、基体の表面粗さＲａがより小さな場合であっても、目標とする各種の膜特性を得られる作製方法を適宜採用すれば良い。一例としてＡｌ基板上にＮｉ−Ｐ層を設けた構造の場合にテクスチャーを設けた上でＲａを１．５ｎｍ以下にまで低減することがなされており、特別な研磨処理を施したＮｉＰ／Ａｌ基板でのＲａを０．５〜０．７ｎｍとすることもできる。
（テクスチャ処理）
本発明における基体に施すテクスチャ処理としては、例えば、機械的な研磨による方法、化学的なエッチングによる方法、物理的な凹凸膜の付与による方法などがあげられる。特に、磁気記録媒体の基体として、最も広く使われているアルミニウム合金基体の場合は、機械的な研磨による方法が採用されている。
例えば、アルミニウム合金基体の表面に設けた（Ｎｉ−Ｐ）膜に対して、研削用の塗粒が表面に接着してあるテープを、回転する基体表面に押しつけることにより、同心円状に軽微なキズを付与する方法がある。この方法では、研削用の塗粒を、テープから遊離させて用いる場合もある。
しかし、上記「基体の表面粗さ」の項で述べた理由から、上記テクスチャ処理を行わないか、若しくは、より軽微なテクスチャ形状でも、目標とする各種の膜特性を得られる作製方法を適宜採用すれば良い。
（ターゲット）
前述の組成の強磁性金属磁性膜６５をスパッタ法で製造する場合に用いるターゲットは、Ｃｏターゲットの上に所望の大きさのＣｒチップとＧｅチップを前述の組成比になるように配置した複合ターゲットを用いることができる。また、これらのＣｏとＣｒとＧｅを粒子状としてから前述の組成比になるように混合して焼成した焼結ターゲットとしても良い。
また、ＣｏとＣｒとＧｅを合金化してなる以下に説明する組成の合金ターゲットとしても良い。
これらの合金が、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、および、ゲルマニウム（Ｇｅ）を主体としてなる合金であり、合金組成が、一般式Ｃｏ_ｘＣｒ_ｙＧｅ_ｚで示され、組成比を示すｘ、ｙ、ｚが、７８≦ｘ≦９５．５、２．５≦ｙ≦２５、２≦ｚ≦１５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００（ただし、ｘ、ｙ、ｚは原子％による組成比を示す）なる関係を満足するものを用いることができる。
また、前記合金ターゲットにおいて、前記組成比が、８２≦ｘ≦８７、２．５≦ｙ≦１３、２．５≦ｚ≦１４であることがより好ましい。
更に、他の組成系の合金として、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、および、元素Ｔ（Ｔａ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｂのうち、１種または２種以上）を主体としてなる合金であって、合金組成が、一般式Ｃｏ_ｘＣｒ_ｙＧｅ_ｚＴ_ｃで示され、組成比を示すｘ、ｙ、ｚ、ｃが、６０≦ｘ≦９５．５、２．５≦ｙ≦２５、２≦ｚ≦１５、ｃ≦５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００（ただし、ｘ、ｙ、ｚ、ｃは原子％による組成比を示す）なる関係を満足するものを用いることができる。更に、前記の範囲において、７８≦ｘ≦９５．５、２．５≦ｙ≦２５、２≦ｚ≦１５、ｃ≦５なる関係を満足させても良い。
より具体的には、ＣｏＣｒＧｅＴａ系、ＣｏＣｒＧｅＰｔ系、ＣｏＣｒＧｅＢ系、ＣｏＣｒＧｅＴａＰｔ系、ＣｏＣｒＧｅＴａＢ系、ＣｏＣｒＧｅＴａＰｔＢ系などの組成を例示することができる。
また、これら組成系の中でも、組成が、一般式（Ｃｏ_ｘＣｒ_ｙＧｅ_ｚＰｔ_ｖ）_{１００−ｃ}Ｔ’_ｃ’で示され、組成比を示すｘ、ｙ、ｚ、ｖ、ｃ’が、４５≦ｘ≦９５．５、２．５≦ｙ≦２５、２≦ｚ≦１５、２≦ｖ≦２５、１≦ｃ’≦１２、（ただし、ｘ、ｙ、ｚ、ｖ、ｃ’は原子％による組成比を示す）なる関係を満足することを特徴とする強磁性金属合金の磁性膜が好ましい。更に前記範囲において、７８≦ｘ≦９５．５、２．５≦ｙ≦２５、２≦ｚ≦１５、２≦ｖ≦２５、２≦ｃ’≦１２の範囲とすることもできる。
また、前記組成系において、前記元素Ｔ’がＢの場合にＢの組成比を示すｃ’が１原子％以上、８原子％以下であることが好ましく、前記元素Ｔ’がＴａの場合にＴａの組成比を示すｃ’が１原子％以上、８原子％以下であることが好ましい。更にこれらの範囲において、元素Ｔ’がＢの場合にＢの組成比を示すｃ’が２原子％以上、８原子％以下であることが好ましく、前記元素Ｔ’がＴａの場合にＴａの組成比を示すｃ’が２原子％以上、８原子％以下であることがより好ましい。
また、更にこれらの範囲の中でも、元素Ｔ’がＢの場合に１原子％≦Ｂ≦５原子％の範囲がより好ましい。これらの組成系においてより具体的に記述すると、ＣｏＣｒＧｅＰｔＴａ系、ＣｏＣｒＧｅＰｔＢ系、ＣｏＣｒＧｅＰｔＴａＢ系などを例示することができる。
これら組成系の合金あるいはその磁性膜であるならば、先に記載の強磁性金属磁性膜６５と同等の特性を発揮する。即ち、粒間相互作用の低減として０．３５以上の高い規格化保磁力が得られ易いこと、（４πＭｓ／Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}）≦１．０となることの両方を同時に実現できる可能性が高いこと。また、これらの特性の両立に加えて高い異方性磁界（Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}）をも得ることが可能となり、同時に磁性粒子の結晶粒径を１０ｎｍ以下とすることができる。
これらの合金は先に説明した複合ターゲットの代わりとして磁性膜形成用ターゲットとして用いることができる。原料粉末あるいは鋳塊をこれらの組成比として混合し、アーク溶解等の手法で溶製することでこれらの合金を得ることができる。また、これらと同じ方法でアーク溶解等の手法でこれらの合金ターゲットも得ることができる。
これらの合金ターゲットを後述するスパッタ装置にセットして基板に対してスパッタすることで所望の基板上（基材）に目的の組成の先に説明した特性の磁性膜を成膜することができる。
なお、これらの合金ターゲットを材料源に用いて、スパッタリング法の外に、レーザ蒸着、イオンビーム成膜等の他の成膜手段に適用して前述の組成の強磁性金属磁性膜を成膜しても良いのは勿論である。
実施例
以下に実施例をあげて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
本実施例では、組成の異なるＣｏＣｒＧｅからなる強磁性金属磁性膜を、基体上にＣｒ膜からなる金属下地層を介して、スパッタ法により形成した。その際、形成される膜の組成は、Ｃｏターゲット上に所定の大きさのＣｒチップとＧｅチップを所定量載せてスパッタすることにより変化させた。また、強磁性金属磁性膜を形成する成膜室の到達真空度は１０^−７Ｔｏｒｒ（１０^−５Ｐａ）台に固定し、Ｃｒの金属下地層およびＣｏＣｒＧｅの強磁性金属磁性膜を成膜する際に基体へのバイアス印加は行わなかった。
なお、本実施例ではＣｏターゲット上にＣｒチップとＧｅチップを設置した複合ターゲットを用いて成膜したが、ＣｏとＣｒとＧｅを混合してなる混合ターゲットあるいはＣｏターゲットとＣｒターゲットとＧｅターゲットを別個に用いて行なうスパッタ、あるいは、レーザ蒸着法、イオンビーム成膜などの他の成膜法を実施しても良いのは勿論である。
図５は、本実施例で媒体作製に用いた直流マグネトロンスパッタ装置を示す模式的な断面図である。
図５に示す装置において、１は成膜室、２は成膜室１の底部一側に設けられた金属下地層形成用のカソード、３は成膜室１の底部他側に設けられた強磁性金属層形成用のカソード、４はカソード２上に設置された金属下地層形成用のＣｒの第１ターゲット、５はカソード３上に設置された強磁性金属層形成用のＣｒチップおよびＧｅチップを載せたＣｏの第２ターゲット、６、７は各カソード用の絶縁部材、８、９は各カソードに接続された直流電源、１０、１１は各カソード用のアースシールド、１２はシャッタ、１３はシャッタの回転手段、１４はシャッタの開口部、１５は基板ホルダー支持部材、１６は基板ホルダー支持部材の回転手段、１７は加熱手段、１８は基体ホルダー、１９は基体、２０は排気口、２１はガス導入口である。
図５に示す装置において、成膜室１は排気口２０を介して真空排気装置などの排気手段２５に接続されていて成膜室１の内部を目的の真空度に減圧できるように構成されている。更に、成膜室１にはガス導入口２１を介してガス供給源２６が接続されていて減圧雰囲気とされた成膜室１にＡｒガスあるいは窒素ガス等のガスを供給できるように構成されている。
また、図５に示す装置において、シャッタの回転手段１３は成膜室１の底部中央を上下に貫通して設けられてシャッタ１２の中央部を支持した回転軸により構成され、基板ホルダー支持部材の回転手段１６は成膜室１の天井部中央を上下に貫通して設けられて基板ホルダーの支持部材１５の端部を支持した回転軸により構成されている。そして、前記シャッタ１２はシャッタの回転手段１３の作動により、その開口部１４をカソード１上の第１ターゲット４に対向させるか、カソード３上の第２ターゲット５に対向させることができるように構成されるとともに、前記基板ホルダー支持部材の回転手段１６により、基体１９をカソード１上の第１ターゲット４に対向させるか、カソード３上の第２ターゲット５に対向させることができるように構成されている。
以下の表１に、本実施例に係る磁気記録媒体の作製条件を示す。

以下に、本実施例の磁気記録媒体の製造方法について手順を追って説明する。
以下の括弧付き番号は、その手順を表す。
（１） 所定の洗浄処理を終えた基体１９を成膜室の基体ホルダー１８に取り付けた後、排気手段２５を用いて、排気口２０から成膜室１の内部空間が５×１０^−６Ｔｏｒｒになるまで減圧した。その際、基体ホルダー１８がターゲット４の上空となるように配置した。なお、成膜室１はアース電位とした。
（２） 加熱手段１７により基体ホルダー１８を介して基体１９を加熱処理することによって、基体１９の表面温度を２５０℃に保持した。
（３） 成膜室１の内部空間にガス導入口２１よりＡｒガスを導入し、マスフローコントローラ（図示略）を用いてガス圧力を１０ｍＴｏｒｒに制御した。
（４） 直流電源８からカソード２に、直流電源９からカソード３に、それぞれ所定の直流電力を印加し、ターゲット４を数分間プリスパッタした。その際、基体１９の側からターゲット４、５が見えない状態にシャツタ１２を配置した。
（５） その後、ターゲット４の真上にシヤッタ１２の開口部１４が位置するように、回転手段１３を用いてシャッタ１２を移動させた（図５に示す状態）。
更にシヤッタ１２の開閉により、厚さ１００ｎｍのＣｒ膜からなる金属下地層を基体１９上に形成した。
（６） 金属下地層を形成した後、回転手段１６により基体ホルダー１８がターゲット５の上空となるように、回転手段１４を用いて移動させた。その際、基体１９の側からターゲット５が見えない状態にシャッタ１２を配置した（図５に示すシャッタ配置）。
（７） その後、ターゲット５の真上にシヤッタ１２の開口部１４がくるように、回転手段１３を用いてシヤッタ１２を移動させた。そして、シャッタ１２の開閉により、厚さ３０ｎｍのＣｏＣｒＧｅ合金からなる強磁性金属磁性膜をＣｒ膜上に形成した。また、ＣｏＣｒＧｅ磁性膜の組成はＣｏターゲット上に載せるＣｒチップおよびＧｅチップの個数によって制御した。
（８） 強磁性金属磁性膜を形成した後、各カソード２、３に印加していた直流電力をゼロに戻し、放電を停止させた。
（９） 成膜室１へのガス導入を停止し、基板温度を下げた。
（１０） 成膜室に窒素ガスを導入し成膜室１が大気圧に達した後、成膜室１から作製した試料を取り出した。上記工程により作製したＣｏＣｒＧｅ膜の組成が異なる各試料の磁気特性を、振動試料型の磁力計（ＶＳＭ）と高感度トルク磁力計を用いて測定した。
図２は得られた各試料の組成比を示す三角組成図、図３は得られた各試料の結晶磁気異方性（Ｋ_ｕ ^{ｇｒａｉｎ}）の値を示す三角組成図、図４は（４πＭｓ／Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}）の値を示す三角組成図である。また、図２は図３および図４の測定結果に基づき作製した三角組成図であり、
４πＭｓ／Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}≦１．０、かつ、Ｋ_ｕ ^{ｇｒａｉｎ}≧１．５×１０^６ｅｒｇ／ｃｍ^３の試科を○印で示し、４πＭｓ／Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}≦１．０、かつ、Ｋ_ｕ ^{ｇｒａｉｎ}≧２×１０^６ｅｒｇ／ｃｍ^３の試料を◎印で示し、その他の試料を●印で示した。
以下に○印の試料の組成比を列挙すると、Ｃｏ_７８Ｃｒ_８Ｇｅ_１４、Ｃｏ_８０Ｃｒ_５Ｇｅ_１５、Ｃｏ_８０Ｃｒ_１０Ｇｅ_１０、Ｃｏ_８２Ｃｒ_１４．５Ｇｅ_３．５である。
◎印の試料の組成比を列挙すると、Ｃｏ_８２Ｃｒ_１３Ｇｅ_５、Ｃｏ_８２Ｃｒ_４Ｇｅ_１４、Ｃｏ_８３Ｃｒ_１０Ｇｅ_７、Ｃｏ_８３Ｃｒ_７Ｇｅ_１０、Ｃｏ_８５Ｃｒ_１１．５Ｇｅ_３．５、Ｃｏ_８５Ｃｒ_１０Ｇｅ_５、Ｃｏ_８５Ｃｒ_７Ｇｅ_８、Ｃｏ_８５Ｃｒ_５Ｇｅ_１０、Ｃｏ_８７Ｃｒ_８Ｇｅ_５、Ｃｏ_８７Ｃｒ_７Ｇｅ_６、Ｃｏ_８７Ｃｒ_５Ｇｅ_８、Ｃｏ_８６Ｃｒ_２．５Ｇｅ_１１．５である。
図２〜図４に示す測定結果から、以下の点が明らかとなった。
「１」 強磁性金属磁性膜を構成するＣｏＣｒＧｅ系合金磁性膜の組成範囲を一般式Ｃｏ_ｘＣｒ_ｙＧｅ_ｚで示した場合に、７８≦ｘ≦８７、２．５≦ｙ≦１４．５、３．５≦ｚ≦１５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００（ただしｘ、ｙ、ｚは原子％による組成比を示す）とした場合（図２の斜線で示す領域Ａ）は、強磁性金属磁性膜の結晶粒径に依存せず０．３５以上の高い規格化保磁力（Ｈｃ／Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}）を得るために必要な条件である４πＭｓ／Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}≦１．０が確保されると共に、１．５×１０^６ｅｒｇ／ｃｍ^３以上の結晶磁気異方性（Ｋ_ｕ ^{ｇｒａｉｎ}）が得られるので、熱的に安定な磁気特性をも兼ね備えた磁気記録媒体を、１０^−６Ｔｏｒｒ台という到達真空度の成膜空間において形成可能である。
「２」 また、前記磁性膜の合金組成を前記一般式Ｃｏ_ｘＣｒ_ｙＧｅ_ｚにおいて、８２≦ｘ≦８７、２．５≦ｙ≦１３、３．５≦ｚ≦１４、ｘ＋ｙ＋ｚ，１００（ただしｘ、ｙ、ｚは原子％による組成比）とした場合（図２のクロスハッチングで示す領域Ｂ）は、従来のＣｏ系材料では報告例がない、２．０×１０^６ｅｒｇ／ｃｍ^３以上の結晶磁気異方性（Ｋ_ｕ ^{ｇｒａｉｎ}）を備えた強磁性金属磁性膜を形成できるので、熱的安定性が著しく優れた磁気記録媒体を作製できる。
更に、前記磁性膜の合金組成を前記一般式Ｃｏ_ｘＣｒ_ｙＧｅ_ｚにおいて、８４≦ｘ≦８７、２．５≦ｙ≦８、５≦ｚ≦１２、ｘ＋ｙ＋ｚ，１００（ただしｘ、ｙ、ｚは原子％による組成比）とした場合は、３．０×１０^６ｅｒｇ／ｃｍ^３以上の更に優れた結晶磁気異方性（Ｋ_ｕ ^{ｇｒａｉｎ}）を備えた強磁性金属磁性膜を形成できるので、熱的安定性が著しく優れた磁気記録媒体を作製できる。
従って、上記（１）と（２）の結果より、上記組成からなる３元系のＣｏＣｒＧｅ膜を強磁性金属磁性膜とする磁気記録媒体は、超清浄プロセスという特殊なスパッタ成膜条件を用いなくとも、一般的なスパッタ成膜条件により、従来のＣｏ基の磁性材料では得られない優れた磁気特性を実現できる磁性膜を製造できることが明らかになった。
なお、一般的なスパッタ成膜条件で上述の如く優れた磁気特性が得られるＣｏＣｒＧｅ系の強磁性金属磁性膜であるならば、本発明者らが先に提案している超清浄プロセスを用いて製造することで更に優れた磁気特性を得られることを期待することができる。
次に前記のＣｏＣｒＧｅ系の組成の合金試料を溶製し、異方性磁界：Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}の値（ｋＯｅ）を測定した結果を後に列挙する。
（合金試料の製造方法）
試料は８×１０^−６Ｔｏｒｒ（１０６４×１０^−６Ｐａ）になるまで排気した後にＡｒ雰囲気中においてアーク溶解を行なって形成した溶製物を厚さ約０．６ｍｍφの円平板に切り出し、１００００℃、１時間の容体化処理を施し、容体化処理後に変態処理（Ｔα→ε℃，１０時間）をε（ｈｃＰ）相に変態するまで繰り返した。構造解析にはＸＲＤを用い、Ｍｓの測定にはＶＳＭ、Ｈ_ｋの測定にはＶＳＭ−ＳＰＤ法を用いた。
ここで、ＳＰＤ（Ｓｉｎｇｕｌａｒ Ｐｏｉｎｔ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）法とは、正の一軸結晶異方性をもつ磁性体において、磁化困難軸方向での磁化Ｍの印加磁界Ｈに対する２階微分ｄ^２Ｍ／ｄＨ^２が異方性磁界Ｈ_ｋにおいて特異点をもつことを利用して異方性磁界を求める方法として知られている方法である。本発明では、ＶＳＭを用いて測定された磁化曲線にＳＰＤ法を適用するという測定方法（ＶＳＭ−ＳＰＤ法）を用いるものとした。なお、先の強磁性金属磁性膜の磁気特性の測定の際にも、異方性磁界Ｈ_ｋについては同等の手法で測定したものである。
得られた各合金試料の組成と異方性磁界：Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}の値（ｋＯｅ）を以下に列挙する。
Ｃｏ_８０Ｃｒ_５Ｇｅ_１５（６．７ｋＯｅ）、Ｃｏ_８０Ｃｒ_１０Ｇｅ_１０（７．３ｋＯｅ）、Ｃｏ_８７Ｃｒ_１１．５Ｇｅ_３．５（８．０ｋＯｅ）、Ｃｏ_８３Ｃｒ_７Ｇｅ_１０（１０．３ｋＯｅ）、Ｃｏ_８５Ｃｒ_１０Ｇｅ_５（８．５ｋＯｅ）、Ｃｏ_８５Ｃｒ_７Ｇｅ_８（９．８ｋＯｅ）、Ｃｏ_８５Ｃｒ_５Ｇｅ_１０（９．５ｋＯｅ）、Ｃｏ_８７Ｃｒ_８Ｇｅ_５（９．１ｋＯｅ）、Ｃｏ_８７Ｃｒ_７Ｇｅ_６（９．８ｋＯｅ）、Ｃｏ_８７Ｃｒ_５Ｇｅ_８（１０．４ｋＯｅ）、Ｃｏ_８６Ｃｒ_２．５Ｇｅ_１１．５（９．５ｋＯｅ）の結果が得られた。
これらのＣｏＣｒＧｅ系合金試料において、Ｃｒの添加量を０〜１１．５原子％の範囲まで、Ｇｅの添加量を３．５〜１４原子％の範囲まで、異方性磁界：Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}の値として８．０ｋＯｅ以上の非常に高い値を示した。
図６は先に説明した磁気記録媒体６０を組み込んで構成されたコンピュータのＨＤＤ（ハードディスクドライブ）装置（磁気記録装置）の一例を示すものである。
この例の磁気記録装置７０において、容器型のケーシング７１の内部に複数枚（図７に示す例では５枚）の磁気記録媒体６０がスペーサ７２と交互にスピンドル７３に挿通されて設けられている。また、ケーシング７１には前記スピンドル７３の軸受けが設けられるとともに、ケーシング７１の外部には前記スピンドル回転用のモータ７４が設けられ、各磁気記録媒体６０がスピンドル７３の周回りに回転自在とされている。
前記ケーシング７１の内部であって前記磁気記録媒体６０の側方側には、軸受け７５によって前記スピンドル７３と平行に支持された回転軸７６が設けられ、この回転軸７６に複数のスイングアーム７７が磁気記録媒体６０側に延出するように取り付けられ、各スイングアーム７７の先端側に細長い三角板状のロードアーム７８を介して磁気ヘッド７９が取り付けられている。
磁気ヘッド７９は、薄膜型磁気ヘッド、あるいはＭＩＧ型の磁気ヘッド、またはＭＩＧ型の磁気ヘッド素子と読み取り専用の磁気抵抗効果型磁気素子とを一体化したデュアル型の磁気ヘッド素子と、スライダとから構成されており、このスライダがロードアーム７８の先端部側に設けられたジンバル部材によって弾性支持されている。磁気ヘッド７９はスイングアーム７７の移動とともに磁気記録媒体６０上の任意の位置に移動されるように構成されている。
上記構成の磁気記録装置７０において、磁気記録媒体６０を回転させるとともに、スイングアーム７７を移動させて磁気ヘッド７９を磁気記録媒体６０上の任意の位置に移動させて磁気記録媒体６０に設けられている強磁性金属磁性膜（磁気記録層）６５に磁気ヘッド７９の発生させた磁界を作用させることで磁気記録媒体６０に所望の磁気情報を書き込むことができる。また、スイングアーム７７を移動させて磁気ヘッド７９を磁気記録媒体６０上の任意の位置に移動させて磁気記録媒体６０の強磁性金属磁性膜（磁気記録層）６５からの漏れ磁界を磁気ヘッド７９で検出することで磁気情報の読出を行なうことができる。
このように磁気情報の読出と書込を行なう場合において、強磁性金属磁性膜（磁気記録層）６５が先に説明した如く優れた結晶磁気異方性を有しているならば、強磁性金属磁性膜６５の熱擾乱を抑制できるので、磁気記録装置７０の内部がモータ７４の熱を受けて、例えば、１００℃を超える高い温度に加熱されつつ使用された場合であっても、強磁性金属磁性膜６５の磁気特性が劣化することがない。また、長期間使用し、長時間加熱されることがあっても、強磁性金属磁性膜６５の磁気記録再生特性に劣化の生じない記録再生特性の優れた磁気記録装置７０を提供できる。
また、強磁性金属磁性膜６５として高保磁力のものを用いていると、磁気ヘッドの浮上走行時に磁気ヘッドの読出素子が受ける漏れ磁界を強くすることができるので、強い信号を受けることができることとなり、ＳＮ比の良好な記録再生特性を得ることができる。
なお、図６と図７を基に先に説明した磁気記録装置７０は磁気記録装置の一例を示すものであるので、磁気記録装置に設ける磁気記録媒体の枚数は１枚以上の任意の数で良く、設ける磁気ヘッド７９の数も１個以上であれば任意の数、設けても良い。また、スイングアーム７７の形状や駆動方式も図面に示すものに限らず、リニア駆動方式等、その他の方式のものでも良いのは勿論である。
次に、本発明に係る他の組成系の強磁性金属磁性膜の磁気特性を測定した結果を以下に説明する。
本実施例において、磁気特性測定用の強磁性金属磁性膜を製造するために用いた装置の概略構成を図８に示す。
図８に示す製造装置は、複数の真空容器を一列に整列形成した構成とされていて、符号３０は縦型の真空容器３１に加熱ヒータとエッチング装置を内蔵した第１チャンバを示し、符号３２はスパッタ成膜装置と加熱装置と真空排気装置を備えた真空容器３３を備えた第２チャンバを示し、符号３４はスパッタ成膜装置と加熱装置と真空排気装置を備えた真空容器３５を備えた第３チャンバを示し、符号３６はスパッタ成膜装置と加熱装置と真空排気装置を備えた真空容器３７を備えた第４チャンバを示し、符号３８はスパッタ成膜装置と加熱装置と真空排気装置を備えた真空容器３９を備えた第５チャンバを示し、符号４０はＲＨＥＥＤ（反射高速電子線回折：ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ ｈｉｇｈ ｅｎｅｒｇｙ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）分析装置と真空排気装置を備えた真空容器４１を備えた第６チャンバを示し、符号４２はスパッタ成膜装置と真空排気装置とを備えた真空容器４３を備えた第７チャンバを示し、符号４４はロボットアームと真空排気装置を備えた真空容器４５を備えた第８チャンバを示している。
これらの各チャンバ３０、３２、３４、３６、３８、４０、４２、４４は、相互に隣り合うチャンバが個々にゲートバルブを備えたダクトＤにより接続されていて、各チャンバを各ダクトで別個に仕切った状態で各チャンバを例えば３×１０^−９Ｔｏｒｒ（４００×１０^−９Ｐａ）あるいはそれ以下の超高真空（例えば１×１０^{−９〜−１１}Ｔｏｒｒ：１３３×１０^{−９〜−１１}Ｐａ）に減圧した状態でエッチング処理あるいは成膜処理を行うことができるように構成されている。また、これらの各チャンバ３０、３２、３４、３６、３８、４０、４２には個々に雰囲気ガス供給機構が接続されていて、これら各チャンバの内部を必要に応じてＡｒガス雰囲気等のスパッタ雰囲気に調整できるように構成されている。
なお、チャンバ３０、３２、３４、３６、３８、４０、４２、４４の内部とそれらの間のダクトＤを通過して基板を搬送できるように、マグネットチャック式の基板搬送機構が内蔵されていて、基板をチャンバ３０、３２、３４、３６、３８、４０、４２、４４の順に搬送できるように構成されているとともに、チャンバ４２で処理された後の基板をチャンバ４４に付設されたロボットアームで取り出すことができるように構成されている。また、チャンバ３０にて予備加熱とエッチング処理を行うことができ、チャンバ３２、３４、３６、３８にて必要な膜の成膜を行うことができ、チャンバ４０において得られた膜の分析を行うことができるように構成され、チャンバ４２において炭素系などの保護膜が形成されるようになっている。
なお、図８に示す装置は本発明者らが先に提案しているウルトラクリーンプロセスを実施することができる装置である。即ち、到達真空度を３×１０^{−９〜−１０}Ｔｏｒｒ（４００×１０^{−９〜−１０}Ｐａ）に調整することが可能であり、真空容器の内部を満たす雰囲気ガスとして、超清浄ガス（Ｈ_２Ｏなどの不純物を１ｐｐｂ程度としたＡｒガス）を個々のチャンバに供給できるように構成された装置である。
図８に示す装置を用い、Ａｌ基板にＮｉ−Ｐ（非磁性層６３）を被覆してなる基体を用い、この基体をチャンバ３０〜４４に沿って順次基板を移動させながら各チャンバで処理を行う。
まず、第１チャンバ３０にて、第１チャンバ３０に設けた赤外線ランプヒータにより基体を２５０℃に加熱し、基体表面をドライエッチング（１４．４ｍＴｏｒｒ／１００Ｗ／５秒）して表面清浄化した。
次に、基体表面に、基体に応じてＣｒ膜（厚さ５ｎｍ）／ＣｒＭ_１０膜（厚さ１０ｎｍ）、Ｃｒ膜（厚さ５ｎｍ）／ＣｒＭ_２０膜（厚さ１０ｎｍ）のいずれかの金属下地膜６４をチャンバ３２、３４、３６を使い分けて成膜し（使用しないチャンバがある場合は通過のみ）、続いて、第５チャンバ３８において図１に示す強磁性金属磁性膜６５を形成し、最後に第７チャンバ４２において炭素の保護膜６６を形成して磁気記録媒体試料を得た。各成膜用のチャンバ３２、３４、３６、３８においては、ウルトラクリーンプロセスを実施するために、３×１０^−９Ｔｏｒｒ（４００×１０^−９Ｐａ）の超高真空雰囲気中においてＡｒの超清浄ガスを１×１０^−３Ｔｏｒｒ（１３３×１０^−３Ｐａ）の圧力になるまで満たした後、スパッタを行って成膜する成膜条件とした。
ガラス基板表面は第１チャンバ３０にてドライエッチングして清浄化し、第４チャンバ３６においてＣｒからなる金属下地層を成膜し、次に、第５チャンバ３８においてＣｏＣｒＧｅ合金磁性膜を成膜した。また、図８に示す装置を用いて同等の条件において、複数のガラス基板上に、ＣｏＣｒＧｅＴａＰｔ合金磁性膜、ＣｏＣｒＧｅＴａＰｔＢ合金磁性膜、ＣｏＣｒＧｅＰｔ合金磁性膜、ＣｏＣｒＧｅＴａ合金磁性膜を成膜してそれぞれの試料を得た。
成膜後、第６チャンバ４０において必要があればＲＨＥＥＤ（反射高速電子線回折）分析装置により各合金磁性膜の分析を行い、各合金磁性膜が確実に形成されたか否かを分析し、その後に第７チャンバ４２において炭素の保護膜を形成した後、チャンバ４２からロボットアーム４５で磁気記録媒体試料を取り出し、振動試料型の磁力計と高感度トルク磁力計を用いる磁気特性測定試験に供した。
図８に示す装置を用いてウルトラクリーンプロセスにより製造されたＣｏＣｒＧｅ３元系組成の強磁性金属磁性膜の異方性磁界（Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}）における組成依存性を図９に示し、同試料の飽和磁化（Ｍｓ）の組成依存性を図１０に示し、同試料の結晶磁気異方性（Ｋ_ｕ ^{ｇｒａｉｎ}）の組成依存性を図１１に示し、同試料の飽和磁化（Ｍｓ）と異方性磁界（Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}）との関係（４πＭｓ／Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}）を図１２に示す。
図９〜図１２において得られた特性は、先の図２〜４に示された測定結果と同等の優れたものであった。
特に、図９から明らかなように、ウルトラクリーンプロセスにより製造されたＣｏＣｒＧｅ３元系合金の磁性膜において、Ｃｒの含有量の下限を２．５原子％としても高い異方性磁界Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}を得られ易いことが分かり、Ｇｅ含有量の下限を２原子％としても高い異方性磁界Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}を得られ易いことが分かる。
次に、図１１に示す結晶磁気異方性（Ｋ_ｕ ^{ｇｒａｉｎ}）の値において３．０を越える組成領域と、図１２に示す（４πＭｓ／Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}）の値において１．０を下回る領域を図１３に併せて示す。
図１３に示す斜線で囲む組成領域であれば、（Ｋ_ｕ ^{ｇｒａｉｎ}）＞３．０、かつ、（４πＭｓ／Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}）＜１．０を両立できることがわかる。
本実施例試料においてこの範囲は、原子％で８２≦Ｃｏ≦８７、２≦Ｃｒ≦１１、４≦Ｇｅ≦１３の範囲である。
次に、図８に示す装置を用いて先の例と同様のウルトラクリーンプロセスを用い、ＣｏＣｒＰｔＴａ系強磁性金属磁性膜と、ＣｏＣｒＰｔＢ系強磁性金属磁性膜と、ＣｏＣｒＴａ系強磁性金属磁性膜と、ＣｏＣｒＴａＰｔ系強磁性金属磁性膜と、ＣｏＣｒＴａＰｔ系強磁性金属磁性膜と、それらの系にＧｅを規定量添加してなる組成系の強磁性金属磁性膜の保磁力（Ｈｃ）の値と結晶磁気異方性（Ｋ_ｕ ^{ｇｒａｉｎ}）の値と飽和磁化（Ｍｓ）の値の組成依存性（ＰｔかＣｒかＴａかＢのいずれか１つの組成に対応）を測定した結果を図１４に示す。
図１４に示す測定結果から、ＣｏＣｒＰｔＴａ系にＧｅを２原子％添加した試料においてＣｏＣｒＰｔＴａ系と同等あるいはそれ以上の優れた保磁力（Ｈｃ）、異方性磁界（Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}）、飽和磁化（Ｍｓ）を示した。また、ＣｏＣｒＰｔＢ系にＧｅを２原子％添加した試料においてＣｏＣｒＰｔＢ系と同等あるいはそれ以上の優れた保磁力（Ｈｃ）、異方性磁界（Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}）、飽和磁化（Ｍｓ）を示した。
次に、先の各組成の試料について、媒体ノイズと信号出力とＳ／Ｎ比を測定した結果を図１５に示す。
図１５に示す結果から、ＣｏＣｒＴａＰｔＧｅ系の試料において、ＣｏＣｒＰｔＢ系よりも優れた媒体ノイズ、信号出力を得ることができ、ＣｏＣｒＰｔＴａ系と同等の媒体ノイズ、若干高い信号出力を得ることができ、結果的にＳ／Ｎ比においてはＣｏＣｒＴａＰｔ系とＣｏＣｒＴａＢ系のいずれよりも優れた値を得ることができた。また、図１５に示す結果から、媒体ノイズと信号出力とＳ／Ｎ比の関係から、Ｃｒを１６〜２０原子％含有するＣｒ高濃度組成のＣｏＣｒＴａＰｔＧｅ系において、従来のＣｏＣｒＴａＰｔ系よりも優れた特性が得られたので、Ｃｒ高濃度組成系においても従来の組成系よりも優れた特性が得られることがわかる。また、Ｃｒ高濃度組成系のＣｏＣｒＴａＰｔＧｅ系の媒体ノイズと信号出力とＳ／Ｎ比の関係が、Ｃｒ低濃度組成系（図１５に示すＣｒが１〜８原子％の範囲をＣｒ低濃度組成系とする。）のＣｏＣｒＰｔＢ系あるいはＣｏＣｒＴａＰｔ系の各特性よりも優れているので、図１５に示す測定結果の知見から得られる１６〜２０原子％の範囲でＣｒを含有させることに問題はない。また、ＣｏＣｒＴａＰｔＧｅ系のＣｒ含有量に関し、ＣｏＣｒＴａＰｔ系においてＣｒ添加量の上限とされている２４原子％までＣｒを含有させることも可能であると考えられる。
次に、先の各組成の試料について、強磁性金属磁性膜の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）写真による結晶粒径の測定結果（ＧＤ_ＴＥＭ）と、磁化が反転する際の粒径の大きさ（ＧＤ_ａｃｔ）の比を求めた結果を図１６に示す。
ここで、磁化が反転する際の粒径の大きさ（ＧＤ_ａｃｔ）とは、磁気記録媒体の熱的安定性の指標となるべきものであり、ＧＤ_ａｃｔ＝２（Ｖ_ａｃｔ／πｔ_ｍａｇ）^１／２で表記されるものであり、ここでＶ_ａｃｔ＝（Ｋ_Ｂ・Ｔ）／（Ｍｓ・Ｈ_ｆ）の関係を有し、（Ｋ_Ｂ・Ｔ）は熱エネルギーを示し、（Ｍｓ・Ｈ_ｆ・Ｖ_ａｃｔ）は磁気エネルギーを示し、Ｈ_ｆ＝Ｓ／Ｘｉｒｒの関係を有し、Ｘｉｒｒ＝ΔＭ／ΔＨの関係、即ち、磁性膜の磁気ヒステリシス曲線を描いた際、Ｍ＝０の場合の磁界Ｈを示す点、即ち、横軸に磁性膜の磁化曲線が交差する部分前後におけるΔＨとΔＭとの比を示すものとして知られているものである。
図１６に示す関係から、ＣｏＣｒＴａ系の強磁性金属磁性膜、ＣｏＣｒＴａＰｔ系の強磁性金属磁性膜、ＣｏＣｒＰｔＴａ系の強磁性金属磁性膜の各特性に対し、これらにＧｅを２原子％添加したＣｏＣｒＰｔＢＧｅ系の強磁性金属磁性膜、ＣｏＣｒＰｔＴａＧｅ系の強磁性金属磁性膜のいずれにおいても優れた特性を示すことが明らかである。
次に図１７にＣｒＭ_２０下地層（厚さ１０ｎｍ）上にＣｏＣｒ_１６Ｐｔ_８Ｂ_６Ｇｅ_ｘなる組成（ｘを０、２、３とした各試料）の強磁性金属磁性膜を成膜する場合、基板にバイアスを印加しながら成膜した場合と、基板にバイアスを印加しないで成膜した場合の各試料の保磁力の変化を示した。
図１７に示す結果から明らかなように、ＣｏＣｒＰｔＢ系の強磁性金属磁性膜にＧｅを２原子％添加した試料を作製しても、保磁力の低下はほとんど見られない上に、Ｇｅを３原子添加した試料を作製した場合、バイアスを印加しないで成膜した場合に保磁力の低下を生じるが、この試料においても適正なバイアス電圧を印加することで保磁力の低下をほとんど生じさせる事なく強磁性金属磁性膜を製造できることが判明した。
図１８は同様に基板にバイアスを印加して成膜した場合に得られた各強磁性金属磁性膜の保磁力角形比（Ｓ^＊）のバイアス電圧依存性を示す。
図１８に示す結果から明らかなように、Ｇｅを添加していないＣｏＣｒＰｔＢ系の強磁性金属磁性膜の保磁力角形比（Ｓ^＊）に対し、Ｇｅを２原子％あるいは３原子％添加してなるＣｏＣｒＰｔＢＧｅ系の強磁性金属磁性膜の保磁力角形比Ｓ^＊の値が高くなっており、Ｇｅ添加の効果が明らかである。
次に、先のＣｏＣｒＧｅ３元系の合金試料を作製した場合と同等の条件で合金試料を作製して磁気特性の試験に供してみたが、前述の強磁性金属磁性膜で得られた測定結果とほぼ同等の試験結果を得ることができた。
以上のことから本発明に係る組成系の合金あるいは強磁性金属層は、優れた磁気特性を有することが判明した。
次に、前記添加元素のうち、Ｐｔについては、異方性磁界（Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}）の値を向上させながら、他の特性を低下させることがなく、保磁力も高い値を得ることができるので、添加量として２〜２５原子％の広い範囲内で適宜選択することができる。Ｃｒは、多く含有させた方が媒体ノイズ（Ｎｍ）が少なくなる傾向にある。次にＢは結晶粒径の微細化に寄与し、Ｂを多く添加すると結晶粒径を小さくすることができるとともに、多く添加し過ぎると結晶配向が乱れて保磁力が低下する傾向がある。以上の関係から、本願発明の組成比を満足させることが好ましい。
産業上の利用の可能性
以上説明したように本発明によれば、前述の特定組成範囲の３元系ＣｏＣｒＧｅ合金、ＣｏＣｒＧｅＴ系、あるいは、ＣｏＣｒＧｅＴ’系の組成系の合金を用いたことにより、高記録密度化に対応可能な磁気特性、即ち、高い規格化保磁力と結晶磁気異方性を兼ね備え、更に優れた異方性磁界を有する磁性合金を得ることができる。
以上説明したように本発明によれば、前述の特定組成範囲の３元系ＣｏＣｒＧｅ合金、ＣｏＣｒＧｅＴ系、あるいは、ＣｏＣｒＧｅＴ’系の合金を用いたことにより到達真空度が１０^−６Ｔｏｒｒ台という成膜空間を利用する通常の成膜プロセスであっても、高記録密度化に対応可能な磁気特性、即ち、高い規格化保磁力と結晶磁気異方性を兼ね備えた磁気記録媒体が得られる。
また、前記特定組成比のＣｏＣｒＧｅ３元系合金磁性膜または前記特定組成のＣｏＣｒＧｅＴ系、ＣｏＣｒＧｅＴ’系の合金磁性膜を備えた磁気記録媒体であるならば、基体にバイアスを印加することなく無バイアス状態で成膜形成できるため、平坦性に優れる絶縁性のガラスを基体として利用することができる。また、基体へのバイアス印加による製造上の不具合を回避し、安定した製造が可能となる特徴を有する。
前記特定組成比のＣｏとＣｒとＧｅを含有するターゲット、あるいは、ＣｏとＣｒとＧｅと元素ＴあるいはＴ’を有するターゲットであるならば、到達真空度が１０^−６Ｔｏｒｒ台という成膜空間を利用するプロセスであっても、高記録密度化に対応可能な磁気特性、即ち、高い規格化保磁力と結晶磁気異方性を兼ね備えた強磁性金属磁性膜を備えた磁気記録媒体を製造することができる。
また、前記優れた磁気特性を有する強磁性金属磁性膜を備えた磁気記録媒体を有する磁気記録装置であるならば、強磁性金属磁性膜が熱擾乱に強いので、加熱状態で長時間使用しても磁気特性の劣化を生じることのない磁気記録装置を提供できる。また、先の優れた磁気特性を有する強磁性金属磁性膜を備えた磁気記録媒体を有する磁気記録装置であるならば、高ＳＮ比の磁気記録再生特性に優れた磁気記録装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
図１は、本発明の第１実施形態の磁気記録媒体の断面図である。
図２は、実施例で得られた各試料において、４πＭｓ／Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}≦１．０の特性と、Ｋ_ｕ ^{ｇｒａｉｎ}≧１．５×１０^６ｅｒｇ／ｃｍ^３の特性の両方が得られる組成領域Ａと、４πＭｓ／Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}≦１．０の特性とＫ_ｕ ^{ｇｒａｉｎ}≧２．０×１０^６ｅｒｇ／ｃｍ^３のの特性の両方が得られる組成領域Ｂとを示した三角組成図である。
図３は、実施例で得られた各試料において、結晶磁気異方性Ｋ_ｕ ^{ｇｒａｉｎ}の組成依存性を示すグラフである。
図４は、実施例で得られた各試料において、４πＭｓ／Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}の組成依存性を示すグラフである。
図５は、実施例の磁気記録媒体試料作製に用いた直流マグネトロンスパッタ装置を示す模式的な断面図である。
図６は、本発明に係る磁気記録装置の一例を示す側断面図である。
図７は、図６に示す磁気記録装置の一例の平断面図である。
図８は、他の実施例の磁気記録媒体試料を製造するために用いたスパッタ装置の概略構成を示す正面図である。
図９は、実施例で得られた試料の異方性磁界（Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}）に対するＣｒとＣｏとＧｅの濃度依存性を示す三角組成図である。
図１０は、実施例で得られた試料の飽和磁化（Ｍｓ）に対するＣｒとＣｏとＧｅの濃度依存性を示す三角組成図である。
図１１は、実施例で得られた試料の結晶磁気異方性（Ｋ_ｕ ^{ｇｒａｉｎ}）に対するＣｒとＣｏとＧｅの濃度依存性を示す三角組成図である。
図１２は、実施例で得られた試料の飽和磁化（Ｍｓ）と異方性磁界（Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}）との関係である（４πＭｓ／Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}）に対するＣｒとＣｏとＧｅの濃度依存性を示す三角組成図である。
図１３は、実施例で得られた試料の結晶磁気異方性（Ｋ_ｕ ^{ｇｒａｉｎ}）において３．０を越える組成領域と、同試料の（４πＭｓ／Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}）において１．０を越える組成領域の範囲を示す三角組成図である。
図１４は、実施例で得られた試料の保磁力（Ｈｃ）と異方性磁界（Ｈ_ｋ ^{ｇｒａｉｎ}）と飽和磁化（Ｍｓ）の組成依存性を示す図である。
図１５は、実施例で得られた試料のノイズと信号出力とＳ／Ｎ比の組成依存性を示す図である。
図１６は、実施例で得られた試料の強磁性金属磁性膜の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）写真による結晶粒径の測定結果（ＧＤ_ＴＥＭ）と、磁化が反転する際の粒径の大きさ（ＧＤ_ａｃｔ）の比を求めた結果を示す図である。
図１７は、実施例で得られた試料における保磁力（Ｈｃ）のバイアス電圧依存性を示す図である。
図１８は、実施例で得られた試料の保磁力角形比（Ｓ^＊）のバイアス電圧依存性を示す図である。
図１９は、磁気記録媒体の一例である従来のハードディスクを示す概略斜視図である。
図２０は、磁気記録媒体の一例である従来のハードディスクの部分断面構造を示す図である。

Claims (12)

1. コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、および、ゲルマニウム（Ｇｅ）を主体としてなる磁性合金であり、組成が、一般式Ｃｏ_xＣｒ_yＧｅ_zで示され、組成比を示すｘ、ｙ、ｚが７８≦ｘ≦８７、２．５≦ｙ≦１４．５、３．５≦ｚ≦１５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００（ただし、ｘ、ｙ、ｚは原子％による組成比を示す）なる関係を満足する（ただし、Ｃｒが９重量％以上で、かつＧｅが５重量％以下の組成比を有する合金を除く）ことを特徴とする磁性合金。
2. 前記組成比が、８２≦ｘ≦８７、２．５≦ｙ≦１３、３．５≦ｚ≦１４であることを特徴とする請求項１に記載の磁性合金。
3. 基体上に金属下地層を介して強磁性金属磁性膜が形成されてなる磁気記録媒体において、前記強磁性金属磁性膜が、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、および、ゲルマニウム（Ｇｅ）を主体としてなる３元系合金の磁性膜であり、前記強磁性金属磁性謨の合金組成が、一般式Ｃｏ_xＣｒ_yＧｅ_zで示され、組成比を示すｘ、ｙ、ｚが、７８≦ｘ≦８７、２．５≦ｙ≦１４．５、３．５≦ｚ≦１５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００（ただし、ｘ、ｙ、ｚは原子％による組成比を示す）なる関係を満足する（ただし、Ｃｒが９重量％以上で、かつＧｅが５重量％以下の組成比を有する合金を除く）ことを特徴とする磁気記録媒体。
4. 前記強磁性金属磁性膜の組成比が、８２≦ｘ≦８７、２．５≦ｙ≦１３、３．５≦ｚ≦１４であることを特徴とする請求項３に記載の磁気記録媒体。
5. 請求項３または４に記載の磁気記録媒体を製造する際、少なくとも前記強磁性金属磁性膜を金属下地上に、スパッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法、イオンビーム成膜法、レーザ蒸着法のいずれかの成膜法で作製することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
6. 請求項３または４に記載の磁気記録媒体を製造する際、少なくとも前記強磁性金属磁性膜を金属下地上に成膜法で作製する際に、基体に電気的なバイアスを印加しない無バイアス状態で成膜することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
7. 請求項５または６に記載の製造方法を実施する際、Ｃｏターゲット上にＣｒチップとＧｅチップを載置した複合ターゲットを少なくとも用いてスパッタリングにより基材上に請求項３または４に記載の強磁性金属磁性膜を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
8. 請求項５ないし７のいずれか１項に記載の製造方法を実施する際、基体を成膜室に設置し、前記成膜室に設けた下地層形成用のターゲットを用いて前記基体上に金属下地層を形成し、金属下地層形成後に成膜室に設けた強磁性金属磁性膜形成用のターゲットを用いて同成膜室内で前記金属下地層上に強磁性金属磁性膜を形成することを特徴とする請求項５ないし７のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
9. コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、および、ゲルマニウム（Ｇｅ）を主体としてなる磁性膜形成用ターゲットであり、組成が一般式Ｃｏ_xＣｒ_yＧｅ_zで示され、組成比を示すｘ、ｙ、ｚが、７８≦ｘ≦８７、２．５≦ｙ≦１４．５、３．５≦ｚ≦１５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００（ただし、ｘ、ｙ、ｚは原子％による組成比を示す）なる関係を満足する（ただし、Ｃｒが９重量％以上で、かつＧｅが５重量％以下の組成比を有する合金を除く）ことを特徴とする磁性膜形成用ターゲット。
10. 前記組成比が、８２≦ｘ≦８７、２．５≦ｙ≦１３、３．５≦ｚ≦１４、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００であることを特徴とする請求項９に記載の磁性膜形成用ターゲット。
11. 請求項３または４に記載の磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を駆動する駆動部と、磁気ヘツドと、前記磁気ヘツドを前記磁気記録媒体に対して相対移動させる移動手段とを具備してなることを特徴とする磁気記録装置。
12. 前記磁気ヘツドの再生部が磁気抵抗効果型磁気素子からなることを特徴とする請求項１１に記載の磁気記録装置。

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