JP3898043B2 - スパッタリングターゲットとそれを用いた半導体デバイスおよびスパッタリング装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子などに用いられるCu配線のバリア層の形成に好適なスパッタリングターゲットとそれを用いた半導体デバイスおよびスパッタリング装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、LSIに代表される半導体工業は急速に進捗しつつある。256Mビット以上のDRAM、高速ロジック、システムLSIなどの半導体デバイスにおいては、高集積化、高信頼性化、高機能化が進むにつれて、微細加工技術に要求される精度も益々高まってきている。このような集積回路の高密度化や高速化などに伴って、AlやCuを主成分として形成される金属配線の幅は0.13μm以下になりつつある。
【0003】
集積回路を高速で動作させるためには、Al配線やCu配線の抵抗を低減することが必須となる。従来の配線構造では、配線の厚さを厚くすることで配線抵抗を低減することが一般的であった。しかし、さらなる高集積化・高密度化された半導体デバイスでは、これまでの積層構造を用いた際に、配線上に形成される絶縁膜のカバレッジ性が悪くなり、当然デバイスの歩留りも低下するため、配線技術そのものを改良することが求められている。
【0004】
そこで、従来の配線技術とは異なる、デュアルダマシン(DD)配線技術が適用されるようになってきている。DD技術とは、予め下地膜に形成した配線溝上に、配線材となるAlやCuを主成分とする金属をスパッタリング法やCVD法などを用いて成膜し、熱処理(リフロー)によって溝へ流し込み、CMP(Chemical Mechanical Polishing)法などにより余剰の配線金属を除去する技術である。
【0005】
上述したような半導体デバイスに用いられる配線材料としては、抵抗率がAlより低いCuが主流になりつつある。Cu配線はAl配線に比べて耐エレクトロマイグレーション性に優れていることから、これからの高速デバイスではCu配線が必須となる。このようなCu配線を適用する場合には、CuのSi中への拡散防止を目的としたバリアメタル層を設ける必要がある。半導体デバイス用のバリアメタルとしては一般的にTiNが使用されてきたが、Cu配線用のバリア材料として、Taターゲットを用いてArとN2の混合ガス中で反応性スパッタすることにより得られるTaN膜が注目されている。TaN膜は熱的に安定であり、CuのSi中への拡散防止に対して有効なバリア材である。
【0006】
一方、配線溝やホールなどの形状は、配線密度の向上や設計ルールの微細化に伴って、例えばアスペクト比が4を超えるようになってきている。このような配線溝などを有する半導体デバイスに対応するためには、バリアメタル層としてのTaN膜を反応性スパッタで形成する際の精度を高める必要がある。このようなことから、コリメーションスパッタ法、長距離スパッタ法、低圧スパッタ法、さらに最近ではバイアススパッタ法なども取り入れて、TaN膜の形成精度の向上が図られている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のTaターゲットを用いた反応性スパッタでは、8インチサイズのSiウェーハで既にTaN膜の膜厚の面内均一性を5%以下に制御することが難しいという問題が生じている。Siウェーハは大型化する方向に進んでおり、今後12インチサイズのSiウェーハが一般化してくると、TaN膜の膜厚の面内均一性はさらに低下するおそれが強い。このようなことから、Taターゲットにはより一層膜厚の面内均一性を向上させることが求められている。
【0008】
従来、TaN膜の膜厚の面内均一性に関しては、例えば窒素を含有する高純度Taからなるスパッタリングターゲット(特開2000-323432公報参照)、高純度TaNからなるターゲットの結晶方位やそのばらつきを制御したスパッタリングターゲット(特開2000-323433公報や特開2000-323434公報参照)などが提案されているが、これらのターゲットでは必ずしも十分な結果は得られておらず、上述したように8インチサイズのSiウェーハでもTaN膜の膜厚の面内均一性を十分に高めることができない場合が生じている。
【0009】
本発明はこのような課題に対処するためになされたもので、バリア層としてのTaN膜などを反応性スパッタ法で形成する際に、その膜厚の面内均一性をより一層高めることを可能にしたスパッタリングターゲットを提供することを目的としている。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上記課題を解決するために、高純度Taターゲットを用いてTaN膜をスパッタ成膜する際の膜厚の面内均一性と各種ターゲット特性との相関性について種々検討した結果、Taターゲットの硬度のばらつきが膜厚の面内均一性に大きく影響していることが判明した。その結果として、Taターゲットの硬度のばらつきを低減することによって、Taターゲットを用いて反応性スパッタによりTaN膜を成膜する際に、その膜厚の面内均一性を大幅に高めることが可能であることを見出した。
【0011】
本発明のスパッタリングターゲットは、高純度Taからなるスパッタリングターゲットであって、前記ターゲットのビッカース硬さが Hv70 〜 150 の範囲であると共に、前記ターゲットのスパッタ面全体におけるビッカース硬さのばらつきが20%以下であることを特徴としている。
【0012】
本発明のスパッタリングターゲットは、特にTaN膜からなるバリア層を形成する際に好適に用いられものである。さらに、CuまたはCu合金からなる配線膜に対するバリア層の形成用として好適である。本発明の半導体デバイスは、本発明のスパッタリングターゲットを反応性スパッタして成膜してなるTaN膜を具備することを特徴としている。また、本発明のスパッタリング装置は、本発明のスパッタリングターゲットを具備することを特徴としている。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を実施するための形態について説明する。
本発明のスパッタリングターゲットは、高純度Ta材からなるターゲットであって、例えば半導体デバイスのバリア層、特にCuまたはCu合金からなる配線膜に対するバリア層として有用なTaN膜の形成用として好適に使用されるものである。ここで、スパッタリングターゲットを構成するTa材には、半導体デバイスのバリア層などの使用用途を考慮して、例えば純度が99.99%以上の高純度Ta材を使用することが好ましい。
【0014】
ここで言うTaの純度とは、不純物元素としてのFe、Ni、Cr、W、Mo、Nb、Si、Al、NaおよびKの合計含有量を100%から引いた値、すなわち[100%−(Fe%+Ni%+Cr%+W%+Mo%+Nb%+Si%+Al%+Na%+K%)]の値を示すものである。上記した不純物元素の合計含有量が100ppmを超えると、得られる膜の比抵抗が高くなりすぎて、例えば配線膜としての特性が低下してしまう。スパッタリングターゲットを構成する高純度Ta材の純度は99.995%以上であることがより好ましい。
【0015】
上述したような高純度Ta材からなるスパッタリングターゲット(Taターゲット)において、本発明ではターゲットのスパッタ面全体におけるビッカース硬さのばらつきを20%以下に制御している。このようなTaターゲットの硬度のばらつき制御に基づいて、本発明ではTaターゲットを用いて反応性スパッタすることにより得られるTaN膜の膜厚の面内均一性を高めることを可能にしている。
【0016】
すなわち、Taターゲットを用いた反応性スパッタは、例えばArとN2の混合ガス雰囲気中で行われ、Arなどの希ガスイオンをTaターゲットに衝突させ、ターゲットの構成原子であるTaやそのクラスタを弾き出すと共に、プラズマ中で窒化させることによりTaN膜を成膜するものである。この際、Taターゲット表面のビッカース硬さにばらつきが生じていると、硬い部位と軟らかい部位との間でArイオンなどの打ち込み量に差が生じ、その結果としてTaターゲットの部位によりスパッタされるTa原子やそのクラスタの量にばらつきが発生する。このようなスパッタ量の違いに基づいて、成膜されるTaN膜の膜厚の面内均一性が低下することになる。
【0017】
このような現象を見出したことに基づいて、本発明の高純度Taターゲットではターゲットのスパッタ面全体としてのビッカース硬さのばらつきを20%以下に制御している。Taターゲット全体の硬度を均一化することによって、スパッタされるTa原子量のばらつきを抑制することができるため、成膜されるTaN膜の膜厚の面内均一性を大幅に高めることが可能となる。Taターゲットの表面全体におけるビッカース硬さのばらつきは、Taターゲットの各部位でのスパッタ現象をさらに均一化するために15%以下とすることがより好ましく、さらに好ましくは10%以下である。
【0018】
高純度Taターゲットの具体的な硬度は、結晶粒径などにより異なるものの、ビッカース硬さのばらつき発生を抑制した上で、例えば良好なスパッタレートや健全なスパッタ放電などが得られる範囲、すなわちビッカース硬さでHv70〜150の範囲とすることが好ましい。Taターゲットの硬度がビッカース硬さでHv150を超えると、Arイオンの衝撃に対してTaターゲット自体の硬度が高すぎるために、Arイオンが衝突してもTaターゲットの構成原子やクラスタなどを弾き出す効率が低下してしまう。その結果、スパッタレートが低下するだけでなく、Taターゲットの表面に運動エネルギーを交換することができなかったAr+イオンが帯電し、この帯電が異常放電を引き起こすおそれがある。異常放電は放電停止などの装置トラブルの原因となる。
【0019】
一方、Taターゲットの硬度がビッカース硬さでHv70未満であると、ArイオンがTaターゲットに衝突した際に表面に打ち込まれてしまい、その部分がAr+イオンによりプラスに帯電してしまう。その結果として、スパッタ成膜過程で異常放電を引き起こすことになる。ここで、Arイオンによる衝撃の度合いやスパッタレートなどは各種物質により異なる。上記した硬度はTaターゲットの場合のスパッタレートや異常放電との関係に基づいて規定したものである。
【0020】
上述したように、Taターゲットの硬度が高すぎても、また低すぎても帯電現象が起こり、これらによって異常放電並びにそれに伴う放電停止などを引き起こすおそれがある。このようなことから、本発明のTaターゲットのビッカース硬さはHv70〜150の範囲に制御することが好ましい。このような硬度を有するTaターゲットはスパッタレートに優れると共に、異常放電を再現性よく防ぐことができる。Taターゲットの硬度はビッカース硬さでHv80〜130の範囲とすることがさらに好ましい。
【0021】
なお、本発明で規定するTaターゲットのビッカース硬さは、以下のようにして測定した値を示すものとする。すなわち、例えばターゲットが円盤状の場合、ターゲットの中心部と、中心部を通り円周を均等に分割した4本の直線上の中心部から50%の距離の各位置(計8個所)、および中心部から90%の距離の各位置(計8個所)の合計17個所からそれぞれ試験片を採取し、これら17個の試験片のビッカース硬さをそれぞれ測定し、これらの測定値の平均値をTaターゲットのビッカース硬さとする。さらに、Taターゲット全体としてのビッカース硬さのばらつきは、上記した各試験片のビッカース硬さ(各測定値)の最大値と最小値から、{(最大値−最小値)/(最大値+最小値)}×100(%)に基づいて求めるものとする。
【0022】
各試験片のビッカース硬さの測定は、まずTaターゲットから切り出した各試験片の表面を#1000まで研磨し、さらにバフ研磨を行って表面を鏡面状態とし、これをビッカース硬さの測定サンプルとして使用する。この測定サンプルのビッカース硬さを、ビッカース硬さ試験機を用いて、荷重200g、荷重付加時間10秒の条件で測定する。各測定サンプルのビッカース硬さ測定はそれぞれ10回以上行い、その平均値を各試験片のビッカース硬さとする。
【0023】
本発明のスパッタリングターゲットの製造方法は、特定の加工条件や熱処理条件などを満足させる以外は特に限定されるものではなく、公知の製造方法を適用して作製することができる。ただし、スパッタリングターゲットの硬さは、基本的には構成材料の特有の硬度に基づくものであるが、例えばインゴットからターゲットまで加工する際の加工条件(例えば加工率)、さらに加工途中や最終的に施す熱処理条件も大きく影響する。ターゲット全体としての硬さのばらつきも同様である。従って、Taターゲットのビッカース硬さを所定の範囲に制御すると共に、ターゲット全体のばらつきを低減するためには、以下に示す加工条件や熱処理条件を適用することが重要となる。
【0024】
まず、Taターゲットの形成原料となる高純度Ta材を作製する。例えば、Ta2O5鉱石に対してアルカリ融解法、分別結晶法、電子ビーム溶解法などを適用してTaインゴットを作製する。この際、Taインゴットの純度が上記した範囲となるように、Ta原料の精製条件を設定することが好ましい。このようにして得たTaインゴットに対して鍛造、圧延による塑性加工を施す。
【0025】
この際、鍛造工程は2軸以上の方向から行うものとする。具体的には、まずTaインゴットを径方向に塑性加工させる締め鍛造を実施し、この後厚さ方向に塑性加工させるすえ込み鍛造を施す。このように、Taインゴットを2軸以上の方向から鍛造することによって、Taターゲットを作製した際の硬さのばらつきを低減することができる。
【0026】
すなわち、原料となるTaインゴットには粗大粒が存在しているが、1軸方向のみの塑性加工ではこの粗大粒を十分に破壊することができず、ターゲットを作製した際に粗大粒が部分的にターゲット表面に存在することになる。粗大粒が存在している部位と存在していない部位とでは硬さが異なることから、ターゲット表面の硬さにばらつきが生じてしまう。これに対して、Taインゴットを2軸以上の方向から鍛造することで粗大粒をより確実に破壊することができるため、Taターゲットの硬さの均一性を高めることが可能となる。
【0027】
上記した鍛造工程における加工率は、トータルで10〜98%の範囲とすることが好ましい。加工率が10%未満であると、硬さのばらつきの一因となる粗大粒を十分に破壊することができないおそれがある。なお、加工率が98%を超える鍛造加工を施しても、それ以上の効果を得ることができない。
【0028】
また、上述した鍛造工程の途中で1回以上の真空熱処理を施す。この真空熱処理は、0.1Pa以下の真空雰囲気中にて1000〜1600℃の温度で5時間以上行うことが好ましい。また、熱処理時の昇温速度は10℃/min以上とすることが好ましい。このような熱処理によって、Taインゴットの母結晶は完全に除去され、さらに鍛造により与えられた歪を回復させることができる。加工歪は硬さの増加やばらつきの原因となる。塑性加工中の熱処理温度が1000℃未満であったり、また熱処理時間が5時間未満であると、歪を十分に回復できないために硬さのばらつきが大きくなる。
【0029】
次に、上記工程を経たTa材に冷間圧延を施す。冷間圧延時の加工率によっては、ターゲット素材(Ta素材)に与えられる歪が部位毎に不均一となり、これによっても硬さにばらつきが生じるおそれがある。従って、冷間圧延時の加工率(圧延率)を制御することで、ターゲット素材(Ta素材)の各部位に所定の歪を均一に与えることが重要であり、これによりTaターゲットの硬度のばらつきを抑制することが可能となる。具体的には、冷間圧延時の加工率は10〜98%の範囲とすることが好ましい。
【0030】
この後、上記した冷間圧延材に対して0.1Pa以下の真空雰囲気中にて1000〜1500℃の温度で5〜10時間の再結晶化熱処理を施す。このような再結晶化熱処理を施して、冷間圧延により生じた歪を回復させることによって、所望のビッカース硬さを有すると共に、そのばらつきを低減したTaターゲット素材を得ることができる。この際の熱処理温度が1000℃未満であると歪の回復が不十分となり、Ta素材のビッカース硬さが高くなりすぎるおそれがある。一方、熱処理温度が1500℃を超えると、逆にTa素材のビッカース硬さが軟らかくなりすぎるおそれがある。このような場合には硬さのばらつきも大きくなりやすい。
【0031】
上述したような加工条件および熱処理条件でTaターゲットの基となるターゲット素材を加工することによって、ターゲットとした場合のビッカース硬さのばらつきを20%以下に再現性よく制御することができる。また、Taターゲットの具体的なビッカース硬さをHv70〜150の範囲に制御することができる。このようにして得たTaターゲット素材を所定の形状に機械加工し、さらに例えばAlやCuからなるバッキングプレートと接合することで、目的とするスパッタリングターゲット(Taターゲット)が得られる。バッキングプレートとの接合には一般的な拡散接合やソルダー接合を適用することができる。ソルダー接合を適用する場合には、公知のIn系やSn系の接合材を介してバッキングプレートと接合する。また、拡散接合の温度は600℃以下とすることが好ましい。
【0032】
本発明のスパッタリングターゲット(Taターゲット)は、各種電子デバイスの配線膜形成用として用いることができ、Cu膜やCu合金膜からなる配線膜に対するバリア層としてのTaN膜の形成に好ましく用いられる。特に、反応性スパッタ法によるTaN膜の成膜時に、Taターゲットの各部位によるスパッタ粒子量(スパッタされるTa原子やそのクラスタの量)のばらつきが抑制されるため、TaN膜の膜厚の面内均一性を大幅に高めることができる。具体的には、従来のTaターゲットでは実現することが困難であった4%以下の膜厚均一性を達成することが可能となる。このような膜厚の面内均一性に優れるTaN膜は高集積化された半導体デバイスのバリア材料として有用である。
【0033】
本発明のスパッタリングターゲットが使用される具体的な配線構造としては、例えばSiO2系の絶縁膜上にTaN膜を成膜し、さらにその上にCu配線膜(Cu膜またはCu合金膜)を形成したCu配線構造が挙げられる。このようなCu配線構造によれば、例えばDD配線技術を適用する際に好適な配線膜構造を提供することができ、高密度配線を高信頼性の下で再現性よく得ることが可能となる。これは超高集積タイプの半導体デバイスの製造歩留りの向上などに大きく貢献する。さらに、このようなCu配線構造は、VLSIなどの半導体デバイスに限らず、SAWデバイス、TPH、LCDデバイスなどの各種の電子部品に適用することができる。
【0034】
【実施例】
次に、本発明の具体的な実施例およびその評価結果について述べる。
【0035】
実施例1
まず、純度99.99%のEB溶解製Taインゴット(直径250mm×30mm)を用意し、このTaインゴットに冷間で絞め鍛造(径方向への加工率:54%)を施して、直径115mm×140mmのTa材を作製した。このTa材に1×10-3Paの真空雰囲気中にて1300℃×5hrの条件で熱処理を施した。この際の昇温速度は15℃/minとした。次いで、熱処理後のTa材を直径250mm×30mmまで冷間ですえ込み鍛造(厚さ方向への加工率:79%)し、さらに1×10-3Paの真空雰囲気中で1300℃×5hrの条件で熱処理(昇温速度:10℃/min)した。
【0036】
次に、上記した鍛造処理および熱処理により得たTa材を直径350mm×15mmまで冷間圧延(圧延率:50%)した後、1×10-3Paの真空雰囲気中にて1300℃×3hrの条件で再結晶化熱処理を行うことによって、ターゲット用のTa素材を作製した。このターゲット用Ta素材を直径330mm×12mmの形状に機械加工した後、拡散接合法を用いてAl製バッキングプレートと接合して、目的とするTaスパッタリングターゲットを作製した。
【0037】
このようにして得たTaスパッタリングターゲットのビッカース硬さを前述した方法(測定装置:島津製作所製HMV-2000)にしたがって測定した。その結果、ビッカース硬さ(平均値)はHv82、ビッカース硬さのばらつきは11%であった。このTaスパッタリングターゲットを後述する特性評価に供した。なお、表1にターゲットの製造条件(塑性加工中の熱処理条件)を、また表2にTaターゲットのビッカース硬さとそのばらつきを示す。
【0038】
実施例2〜4
上記した実施例1において、絞め鍛造後およびすえ込み鍛造後の熱処理条件(塑性加工中の熱処理条件)を、それぞれ1300℃×6hr(実施例2)、1300℃×8hr(実施例3)、1300℃×10hr(実施例4)に変更する以外は、実施例1と同一条件でターゲット用Ta素材を作製した。これら各ターゲット用Ta素材を用いて、実施例1と同様にTaスパッタリングターゲットを作製した。これら各Taスパッタリングターゲットのビッカース硬さとそのばらつきを前述した方法にしたがって測定した。その結果を表2に示す。このようなTaスパッタリングターゲットを後述する特性評価に供した。
【0039】
比較例1
実施例1と同様なEB溶解製Taインゴットを直径350mm×15mmまで冷間圧延した後、1×10-3Paの真空雰囲気中にて1300℃×3hrの条件で再結晶化熱処理を行うことによって、ターゲット用のTa素材を作製した。このターゲット用Ta素材を用いて、実施例1と同様にTaスパッタリングターゲットを作製した。このTaスパッタリングターゲットのビッカース硬さとそのばらつきを前述した方法にしたがって測定した。その結果を表2に示す。このTaスパッタリングターゲットを後述する特性評価に供した。
【0040】
比較例2〜7
上記した実施例1において、絞め鍛造後およびすえ込み鍛造後の熱処理条件(塑性加工中の熱処理条件)を、それぞれ1300℃×1hr(比較例2)、1300℃×2hr(比較例3)、1300℃×4hr(比較例4)、900℃×10hr(比較例5)、800℃×10hr(比較例6)、700℃×10hr(比較例7)に変更する以外は、実施例1と同一条件でターゲット用Ta素材を作製した。これら各ターゲット用Ta素材を用いて、実施例1と同様にTaスパッタリングターゲットを作製した。これら各Taスパッタリングターゲットのビッカース硬さとそのばらつきを前述した方法にしたがって測定した。その結果を表2に示す。このようなTaスパッタリングターゲットを後述する特性評価に供した。
【0041】
上述した実施例1〜4および比較例1〜7の各Taスパッタリングターゲットをそれぞれ用いて、スパッタ方式:DCスパッタ、出力DC:18kW、基板バイアス:-100V、背圧:1×10-5Pa、基板−ターゲット間距離:300mm、Ar:5sccm、N:20sccm、スパッタ時間:5minの条件下で反応性スパッタを行い、それぞれ8インチのSiウェーハ上にTaN膜(目標膜厚:0.2μm)を成膜した。このようにして得た各TaN膜の膜厚を、Siウェーハ上の9点(中心1点、中心から50mmの各位置の4点、中心から90mmの各位置の4点)について測定し、これら膜厚の最大値と最小値から{(最大値−最小値)/(最大値+最小値)}×100(%)に基づいて膜厚均一性(%)をそれぞれ求めた。この値を表2に示す。
【0042】
【表1】
【0043】
【表2】
【0044】
表2から明らかなように、実施例1〜4の各Taスパッタリングターゲットによれば、膜厚の面内均一性に優れるTaN膜が得られることが分かる。特に、従来のTaターゲットでは実現することが困難であった4%以下の膜厚均一性を再現性よく達成することが可能であることが分かる。一方、ビッカース硬さのばらつきが大きい比較例1〜7の各Taスパッタリングターゲットは、得られるTaN膜の膜厚の面内均一性が劣っていることが分かる。
【0045】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のスパッタリングターゲットによれば、ターゲット各部のスパッタ条件が均等化されるため、膜厚の面内均一性に優れるスパッタ膜(TaN膜など)を再現性よく得ることができる。従って、このようなTaスパッタリングターゲットを用いることによって、例えばCu配線膜のバリア層として有効なTaN膜などを安定して歩留りよく形成することが可能となる。
Claims (11)
- 高純度Taからなるスパッタリングターゲットであって、前記ターゲットのビッカース硬さが Hv70 〜 150 の範囲であると共に、前記ターゲットのスパッタ面全体におけるビッカース硬さのばらつきが20%以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
- 請求項1記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲットはバッキングプレートと接合されていることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 請求項1または請求項2記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲットはTaN膜からなるバリア層を形成する際に用いられることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 請求項1または請求項2記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲットはCuまたはCu合金からなる配線膜に対するバリア層を形成する際に用いられることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 請求項3記載のスパッタリングターゲットにおいて、
膜厚の面内均一性が 5 %以下の前記TaN膜を形成することを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 請求項3記載のスパッタリングターゲットにおいて、
膜厚の面内均一性が 4 %以下の前記TaN膜を形成することを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 請求項1記載のスパッタリングターゲットを反応性スパッタして成膜してなるTaN膜を具備することを特徴とする半導体デバイス。
- 請求項7記載の半導体デバイスにおいて、
前記TaN膜はCuまたはCu合金からなる配線膜に対するバリア層であることを特徴とする半導体デバイス。 - 請求項7または請求項8記載の半導体デバイスにおいて、
前記TaN膜は膜厚の面内均一性が 5 %以下であることを特徴とする半導体デバイス。 - 請求項7または請求項8記載の半導体デバイスにおいて、
前記TaN膜は膜厚の面内均一性が 4 %以下であることを特徴とする半導体デバイス。 - 請求項1ないし請求項6のいずれか1項記載のスパッタリングターゲットを具備することを特徴とするスパッタリング装置。
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