JP2000034562A - スパッタリングターゲット及び薄膜形成装置部品 - Google Patents
スパッタリングターゲット及び薄膜形成装置部品Info
- Publication number
- JP2000034562A JP2000034562A JP10198565A JP19856598A JP2000034562A JP 2000034562 A JP2000034562 A JP 2000034562A JP 10198565 A JP10198565 A JP 10198565A JP 19856598 A JP19856598 A JP 19856598A JP 2000034562 A JP2000034562 A JP 2000034562A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- content
- less
- ppm
- target
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C9/00—Alloys based on copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/16—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
- C23C14/165—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon by cathodic sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L21/2855—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table by physical means, e.g. sputtering, evaporation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 配線抵抗が小さく、エレクトロマイグレーシ
ョン耐性や耐酸化性に優れ、さらには膜組成均質性と膜
厚均質性に優れた配線膜を形成することが可能であるよ
うな高純度銅合金スパッタリングターゲットと薄膜形成
装置部品を提供する。 【解決手段】 Ｎａ及びＫ含有量がそれぞれ０．５ｐｐ
ｍ以下、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｃａ含有量がそれぞ
れ２ｐｐｍ以下、酸素含有量が５ｐｐｍ以下、Ｕ及びＴ
ｈ含有量がそれぞれ１ｐｐｂ以下、Ｍｇ含有量が０．０
２〜４ｗｔ％でガス成分とＭｇを除いた残余部分の銅の
含有量が９９．９９％以上であることを特徴とする高純
度銅合金を用いてスパッタリングターゲットまたは薄膜
形成装置用部品を作製する。
ョン耐性や耐酸化性に優れ、さらには膜組成均質性と膜
厚均質性に優れた配線膜を形成することが可能であるよ
うな高純度銅合金スパッタリングターゲットと薄膜形成
装置部品を提供する。 【解決手段】 Ｎａ及びＫ含有量がそれぞれ０．５ｐｐ
ｍ以下、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｃａ含有量がそれぞ
れ２ｐｐｍ以下、酸素含有量が５ｐｐｍ以下、Ｕ及びＴ
ｈ含有量がそれぞれ１ｐｐｂ以下、Ｍｇ含有量が０．０
２〜４ｗｔ％でガス成分とＭｇを除いた残余部分の銅の
含有量が９９．９９％以上であることを特徴とする高純
度銅合金を用いてスパッタリングターゲットまたは薄膜
形成装置用部品を作製する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩなどの半導
体薄膜配線材料を製造するための高純度銅合金スパッタ
リングターゲットと薄膜形成装置部品に関するものであ
り、エレクトロマイグレーション耐性、耐酸化性及び膜
厚均一性に優れた配線膜を形成することを可能とするス
パッタリングターゲット及びターゲットと同一組成を有
する薄膜形成装置部品に関するものである。
体薄膜配線材料を製造するための高純度銅合金スパッタ
リングターゲットと薄膜形成装置部品に関するものであ
り、エレクトロマイグレーション耐性、耐酸化性及び膜
厚均一性に優れた配線膜を形成することを可能とするス
パッタリングターゲット及びターゲットと同一組成を有
する薄膜形成装置部品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術および問題点】従来、半導体集積回路等の
配線材料としてはＡｌあるいはＡｌ合金が一般的に用い
られている。しかし、集積度の増大に伴い、素子や配線
の微細化が進むにつれ、配線抵抗値の増大やエレクトロ
マイグレーション等の問題が発生してきており、Ａｌに
代わる材料として低抵抗であり、耐エレクトロマイグレ
ーションに優れた銅による配線が研究されてきており、
最近、純銅による配線が実用化されつつある。また、多
層化に伴いアスペクト比の大きなコンタクトホール等の
成膜にステップカバレッジに優れた特殊なスパッタ方法
としてスパッタ装置の成膜チャンバー内の部品がエロー
ジョンされるようなスパッタ装置も実用化されつつあ
る。
配線材料としてはＡｌあるいはＡｌ合金が一般的に用い
られている。しかし、集積度の増大に伴い、素子や配線
の微細化が進むにつれ、配線抵抗値の増大やエレクトロ
マイグレーション等の問題が発生してきており、Ａｌに
代わる材料として低抵抗であり、耐エレクトロマイグレ
ーションに優れた銅による配線が研究されてきており、
最近、純銅による配線が実用化されつつある。また、多
層化に伴いアスペクト比の大きなコンタクトホール等の
成膜にステップカバレッジに優れた特殊なスパッタ方法
としてスパッタ装置の成膜チャンバー内の部品がエロー
ジョンされるようなスパッタ装置も実用化されつつあ
る。
【０００３】しかしながら、更なる配線の微細化及び多
層化によるプロセスの複雑化に伴い、既に銅配線ですら
不十分な状況が生まれつつあり、よりエレクトロマイグ
レーション耐性や、プロセス中の耐酸化性に優れた銅合
金が配線用材料として注目を集めつつある。また、前項
記載のスパッタ装置に用いられるエロージョンされる部
品は銅合金配線においても従来は５Ｎ以上の純銅製パー
ツが用いられていた。しかしながら必ずしも成膜された
膜組成と膜厚の均一性が満足できる状態ではなかった。
層化によるプロセスの複雑化に伴い、既に銅配線ですら
不十分な状況が生まれつつあり、よりエレクトロマイグ
レーション耐性や、プロセス中の耐酸化性に優れた銅合
金が配線用材料として注目を集めつつある。また、前項
記載のスパッタ装置に用いられるエロージョンされる部
品は銅合金配線においても従来は５Ｎ以上の純銅製パー
ツが用いられていた。しかしながら必ずしも成膜された
膜組成と膜厚の均一性が満足できる状態ではなかった。
【０００４】銅合金は従来より研究がなされているがエ
レクトロマイグレーション耐性や耐酸化性を向上させる
ために元素を添加すると配線抵抗が増大し、配線抵抗を
ある値以下に保とうとすると必要とするエレクトロマイ
グレーション耐性や耐酸化性が得られないという二律背
反の状況に有り、両者を満足させる合金系とその組成に
ついてはまだ得られていないのが現状である。
レクトロマイグレーション耐性や耐酸化性を向上させる
ために元素を添加すると配線抵抗が増大し、配線抵抗を
ある値以下に保とうとすると必要とするエレクトロマイ
グレーション耐性や耐酸化性が得られないという二律背
反の状況に有り、両者を満足させる合金系とその組成に
ついてはまだ得られていないのが現状である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、配線抵抗が
小さく、エレクトロマイグレーション耐性や耐酸化性に
優れ、さらには膜組成均質性と膜厚均質性に優れた配線
膜を形成することが可能であるような高純度銅合金スパ
ッタリングターゲットと薄膜形成装置部品を提供するも
のである。
小さく、エレクトロマイグレーション耐性や耐酸化性に
優れ、さらには膜組成均質性と膜厚均質性に優れた配線
膜を形成することが可能であるような高純度銅合金スパ
ッタリングターゲットと薄膜形成装置部品を提供するも
のである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明者等は、鋭意研究を重ねた結果、添加元素と
してＭｇを選択しその組成範囲をある一定範囲に定め、
残余銅の不純物量を規定することにより配線抵抗が小さ
く、エレクトロマイグレーション耐性や耐酸化性に優れ
た膜が得られることがわかった。また、膜組成均質性と
膜厚均質性に優れた膜を実現する上で、ターゲットの結
晶粒径をある値以下に抑えかつばらつきを抑制すること
が極めて効果的であること、併せて、エロージョンを受
けるパーツの材質を純銅からターゲットと同様の銅−Ｍ
ｇ合金にすることでさらなる膜組成均質性と膜厚均質性
の向上が得られることがわかった。
め、本発明者等は、鋭意研究を重ねた結果、添加元素と
してＭｇを選択しその組成範囲をある一定範囲に定め、
残余銅の不純物量を規定することにより配線抵抗が小さ
く、エレクトロマイグレーション耐性や耐酸化性に優れ
た膜が得られることがわかった。また、膜組成均質性と
膜厚均質性に優れた膜を実現する上で、ターゲットの結
晶粒径をある値以下に抑えかつばらつきを抑制すること
が極めて効果的であること、併せて、エロージョンを受
けるパーツの材質を純銅からターゲットと同様の銅−Ｍ
ｇ合金にすることでさらなる膜組成均質性と膜厚均質性
の向上が得られることがわかった。
【０００７】すなわち本発明は、 １．Ｎａ及びＫ含有量がそれぞれ０．５ｐｐｍ以下、Ｆ
ｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｃａ含有量がそれぞれ２ｐｐｍ
以下、酸素含有量が５ｐｐｍ以下、Ｕ及びＴｈ含有量が
それぞれ１ｐｐｂ以下、Ｍｇ含有量が０．０２〜４ｗｔ
％でガス成分とＭｇを除いた残余部分の銅の含有量が９
９．９９％以上であることを特徴とする高純度銅合金ス
パッタリングターゲット
ｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｃａ含有量がそれぞれ２ｐｐｍ
以下、酸素含有量が５ｐｐｍ以下、Ｕ及びＴｈ含有量が
それぞれ１ｐｐｂ以下、Ｍｇ含有量が０．０２〜４ｗｔ
％でガス成分とＭｇを除いた残余部分の銅の含有量が９
９．９９％以上であることを特徴とする高純度銅合金ス
パッタリングターゲット
【０００８】２．Ｎａ及びＫ含有量がそれぞれ０．１ｐ
ｐｍ以下、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｃａ含有量がそれ
ぞれ１ｐｐｍ以下、酸素含有量が５ｐｐｍ以下、Ｕ及び
Ｔｈ含有量がそれぞれ１ｐｐｂ以下、Ｍｇ含有量が０．
０２〜４ｗｔ％でガス成分とＭｇを除いた残余部分の銅
の含有量が９９．９９５％以上であることを特徴とする
高純度銅合金スパッタリングターゲット
ｐｍ以下、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｃａ含有量がそれ
ぞれ１ｐｐｍ以下、酸素含有量が５ｐｐｍ以下、Ｕ及び
Ｔｈ含有量がそれぞれ１ｐｐｂ以下、Ｍｇ含有量が０．
０２〜４ｗｔ％でガス成分とＭｇを除いた残余部分の銅
の含有量が９９．９９５％以上であることを特徴とする
高純度銅合金スパッタリングターゲット
【０００９】３．ターゲット材の結晶粒径が２００μｍ
以下であり、かつ場所による平均粒径のばらつきが±２
０％以内であることを特徴とする請求項１または２に記
載の高純度銅合金スパッタリングターゲット
以下であり、かつ場所による平均粒径のばらつきが±２
０％以内であることを特徴とする請求項１または２に記
載の高純度銅合金スパッタリングターゲット
【００１０】４．ターゲット材の結晶粒径が５０μｍ以
下であり、かつ場所による平均粒径のばらつきが±２０
％以内であることを特徴とする請求項１または２に記載
の高純度銅合金スパッタリングターゲット
下であり、かつ場所による平均粒径のばらつきが±２０
％以内であることを特徴とする請求項１または２に記載
の高純度銅合金スパッタリングターゲット
【００１１】５．Ｎａ及びＫ含有量がそれぞれ０．５ｐ
ｐｍ以下、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｃａ含有量がそれ
ぞれ２ｐｐｍ以下、酸素含有量が５ｐｐｍ以下、Ｕ及び
Ｔｈ含有量がそれぞれ１ｐｐｂ以下、Ｍｇ含有量が０．
０２〜４ｗｔ％でガス成分とＭｇを除いた残余部分の銅
の含有量が９９．９９％以上で、請求項１〜４に記載の
ターゲットのスパッタ時に使用され、かつ、スパッタ時
にエロージョンされることを特徴とする薄膜形成装置部
品
ｐｍ以下、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｃａ含有量がそれ
ぞれ２ｐｐｍ以下、酸素含有量が５ｐｐｍ以下、Ｕ及び
Ｔｈ含有量がそれぞれ１ｐｐｂ以下、Ｍｇ含有量が０．
０２〜４ｗｔ％でガス成分とＭｇを除いた残余部分の銅
の含有量が９９．９９％以上で、請求項１〜４に記載の
ターゲットのスパッタ時に使用され、かつ、スパッタ時
にエロージョンされることを特徴とする薄膜形成装置部
品
【００１２】６．Ｎａ及びＫ含有量がそれぞれ０．１ｐ
ｐｍ以下、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｃａ含有量がそれ
ぞれ１ｐｐｍ以下、酸素含有量が５ｐｐｍ以下、Ｕ及び
Ｔｈ含有量がそれぞれ１ｐｐｂ以下、Ｍｇ含有量が０．
０２〜４ｗｔ％でガス成分とＭｇを除いた残余部分の銅
の含有量が９９．９９５％以上で、請求項１〜４に記載
のターゲットのスパッタ時に使用され、かつ、スパッタ
時にエロージョンされることを特徴とする薄膜形成装置
部品を提供するものである。
ｐｍ以下、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｃａ含有量がそれ
ぞれ１ｐｐｍ以下、酸素含有量が５ｐｐｍ以下、Ｕ及び
Ｔｈ含有量がそれぞれ１ｐｐｂ以下、Ｍｇ含有量が０．
０２〜４ｗｔ％でガス成分とＭｇを除いた残余部分の銅
の含有量が９９．９９５％以上で、請求項１〜４に記載
のターゲットのスパッタ時に使用され、かつ、スパッタ
時にエロージョンされることを特徴とする薄膜形成装置
部品を提供するものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳しく説明
する。スパッタリングによって形成される半導体素子の
動作性能の信頼性を保証するためには、半導体素子に有
害な不純物を極力排除する必要がある。特に有害な不純
物としては、 （１）Ｎａ、Ｋａなどのアルカリ金属元素 （２）Ｕ、Ｔｈなどの放射性元素 （３）Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒなどの遷移金属元素 を挙げることができる。Ｎａ、Ｋなどのアルカリ金属元
素は特に拡散しやすく絶縁膜中を容易に移動し、ＭＯＳ
−ＬＳＩ界面特性の劣化の原因となるため、それぞれ
０．５ｐｐｍ以下、好ましくは０．１ｐｐｍ以下にすべ
きである。Ｕ、Ｔｈなどの放射性元素は、α線を放出し
半導体素子のソフトエラーの原因となるため、特に厳し
く制限する必要があり、それぞれ１ｐｐｂ以下にするべ
きである。Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒなどの遷移金属元素は界面
接合部トラブルの原因となる。そのため、それぞれ２ｐ
ｐｍ以下、好ましくは１ｐｐｍ以下にするべきである。
する。スパッタリングによって形成される半導体素子の
動作性能の信頼性を保証するためには、半導体素子に有
害な不純物を極力排除する必要がある。特に有害な不純
物としては、 （１）Ｎａ、Ｋａなどのアルカリ金属元素 （２）Ｕ、Ｔｈなどの放射性元素 （３）Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒなどの遷移金属元素 を挙げることができる。Ｎａ、Ｋなどのアルカリ金属元
素は特に拡散しやすく絶縁膜中を容易に移動し、ＭＯＳ
−ＬＳＩ界面特性の劣化の原因となるため、それぞれ
０．５ｐｐｍ以下、好ましくは０．１ｐｐｍ以下にすべ
きである。Ｕ、Ｔｈなどの放射性元素は、α線を放出し
半導体素子のソフトエラーの原因となるため、特に厳し
く制限する必要があり、それぞれ１ｐｐｂ以下にするべ
きである。Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒなどの遷移金属元素は界面
接合部トラブルの原因となる。そのため、それぞれ２ｐ
ｐｍ以下、好ましくは１ｐｐｍ以下にするべきである。
【００１４】これらの、特に半導体素子に有害な元素に
加えてその他の不純物も低減する必要がある。従って重
金属元素のみならず、Ａｌ、Ｃａなどの軽金属元素も低
減する必要があり、それぞれ２ｐｐｍ以下、好ましくは
１ｐｐｍ以下にするべきである。
加えてその他の不純物も低減する必要がある。従って重
金属元素のみならず、Ａｌ、Ｃａなどの軽金属元素も低
減する必要があり、それぞれ２ｐｐｍ以下、好ましくは
１ｐｐｍ以下にするべきである。
【００１５】また、酸素も成膜後の膜の電気抵抗をあ
げ、また、膜の表面形態にも影響を与えるなどの理由で
好ましくないため、５ｐｐｍ以下にするべきである。
げ、また、膜の表面形態にも影響を与えるなどの理由で
好ましくないため、５ｐｐｍ以下にするべきである。
【００１６】さらに、その他の不純物成分は電気抵抗を
低減するという見地からは極力低減した方が望ましく、
それぞれ２ｐｐｍ以下、好ましくは０．５ｐｐｍ以下と
するべきである。そして、全体の銅純度は、ガス成分及
びＭｇ除きで９９．９９％以上、好ましくは９９．９９
５％以上とするべきである。
低減するという見地からは極力低減した方が望ましく、
それぞれ２ｐｐｍ以下、好ましくは０．５ｐｐｍ以下と
するべきである。そして、全体の銅純度は、ガス成分及
びＭｇ除きで９９．９９％以上、好ましくは９９．９９
５％以上とするべきである。
【００１７】添加成分であるＭｇ含有量は０．０２ｗｔ
％以上でないとエレクトロマイグレーション耐性と耐酸
化性の向上に効果が無く、４ｗｔ％を越えると配線抵抗
の増大が著しくなるため好ましくない。また、４ｗｔ％
を越えると材料中のマグネシウムの偏析が無視できなく
なりシート抵抗のばらつきが大きくなるため好ましくな
い。
％以上でないとエレクトロマイグレーション耐性と耐酸
化性の向上に効果が無く、４ｗｔ％を越えると配線抵抗
の増大が著しくなるため好ましくない。また、４ｗｔ％
を越えると材料中のマグネシウムの偏析が無視できなく
なりシート抵抗のばらつきが大きくなるため好ましくな
い。
【００１８】さらに、スパッタリングによって作製され
る膜の膜組成と膜厚の均一性を実現するためには、ター
ゲットの結晶粒径を小さくし、また結晶粒径のばらつき
を抑えることが効果的である。結晶粒径は、スパッタ面
内における平均粒径の大きさ及び場所による平均粒径の
ばらつきが膜組成と膜厚の均一性に影響を与える。平均
粒径が２００μｍを越えると、８インチウエハにおける
シート抵抗の平均分散を２．０以下にすることが難し
い。また、場所によるばらつきが２０％を越えると、平
均粒径が２５０μｍ以下であっても、シート抵抗の平均
分散が２．０以上となるため好ましくない。さらに好ま
しくは、平均粒径が５０μｍ以下で、場所によるばらつ
きを２０％以下に抑えると８インチウエハにおけるシー
ト抵抗の平均分散はさらに小さく１．０程度にすること
が可能となる。ここで述べられる平均粒径の定義はＪＩ
Ｓ Ｈ ０５０１に規定される切断法により求めたもの
とされる。また、場所によるばらつきの意味は例えば直
径３００ｍｍ程度の円形ターゲットのスパッタ面におい
て中心部、１／２Ｒ部、外周部という大きな範囲の間の
ばらつきという意味であり、同様にターゲットの板厚方
向で上面、１／２ｔ面、下面という範囲のばらつきとい
う意味である。シート抵抗のばらつきは膜組成と膜厚の
両者の均質性に依存するものである。
る膜の膜組成と膜厚の均一性を実現するためには、ター
ゲットの結晶粒径を小さくし、また結晶粒径のばらつき
を抑えることが効果的である。結晶粒径は、スパッタ面
内における平均粒径の大きさ及び場所による平均粒径の
ばらつきが膜組成と膜厚の均一性に影響を与える。平均
粒径が２００μｍを越えると、８インチウエハにおける
シート抵抗の平均分散を２．０以下にすることが難し
い。また、場所によるばらつきが２０％を越えると、平
均粒径が２５０μｍ以下であっても、シート抵抗の平均
分散が２．０以上となるため好ましくない。さらに好ま
しくは、平均粒径が５０μｍ以下で、場所によるばらつ
きを２０％以下に抑えると８インチウエハにおけるシー
ト抵抗の平均分散はさらに小さく１．０程度にすること
が可能となる。ここで述べられる平均粒径の定義はＪＩ
Ｓ Ｈ ０５０１に規定される切断法により求めたもの
とされる。また、場所によるばらつきの意味は例えば直
径３００ｍｍ程度の円形ターゲットのスパッタ面におい
て中心部、１／２Ｒ部、外周部という大きな範囲の間の
ばらつきという意味であり、同様にターゲットの板厚方
向で上面、１／２ｔ面、下面という範囲のばらつきとい
う意味である。シート抵抗のばらつきは膜組成と膜厚の
両者の均質性に依存するものである。
【００１９】併せて、エロージョンを受けるパーツの材
質を純銅からターゲットと同様の銅−Ｍｇ合金にするこ
とで、８インチウエハにおけるシート抵抗の平均分散は
さらに小さく０．７程度にすることが可能となる。
質を純銅からターゲットと同様の銅−Ｍｇ合金にするこ
とで、８インチウエハにおけるシート抵抗の平均分散は
さらに小さく０．７程度にすることが可能となる。
【００２０】
【実施例】以下、実施例にもとづいて本発明を説明する
が、本発明は実施例に限定されるものではない。 （実施例１）ターゲット１ 電気銅を硝酸酸性浴中で陽極と陰極を隔膜で区別し電解
精製を行った後、Ｍｇを添加して真空溶解した０．０３
ｗｔ％のＭｇ含有量を有する高純度銅合金インゴット
（φ１５７ｘ６０ｔ）を４００℃に加熱し、熱間鍛造に
よりφ１９０ｘ４０ｔとした。さらに、４００℃に加熱
しφ２６５ｘ２０ｔまで圧延した。この後、冷間圧延に
より、φ３６０ｘ１０ｔまで圧延し、熱処理を５００℃
で１ｈｒ行い旋盤加工により直径１３インチ、厚さ７ｍ
ｍの円盤状に仕上げた。バッキングプレートは直径１３
インチ、厚さ１５ｍｍのＡｌ合金製である。ターゲット
とバッキングプレートをアセトンで超音波脱脂洗浄後、
積層し、この積層材を５×１０−３ｔｏｒｒの真空下で
接合温度を３００℃とし、１０ｋｇ／ｍｍ２の圧力下で
固相拡散接合させた。接合後、組立対を機械加工し、タ
ーゲット寸法が直径１２．９８インチ、厚さ６．３５ｍ
ｍでバッキングプレート部を有する拡散接合ターゲット
を作製した。
が、本発明は実施例に限定されるものではない。 （実施例１）ターゲット１ 電気銅を硝酸酸性浴中で陽極と陰極を隔膜で区別し電解
精製を行った後、Ｍｇを添加して真空溶解した０．０３
ｗｔ％のＭｇ含有量を有する高純度銅合金インゴット
（φ１５７ｘ６０ｔ）を４００℃に加熱し、熱間鍛造に
よりφ１９０ｘ４０ｔとした。さらに、４００℃に加熱
しφ２６５ｘ２０ｔまで圧延した。この後、冷間圧延に
より、φ３６０ｘ１０ｔまで圧延し、熱処理を５００℃
で１ｈｒ行い旋盤加工により直径１３インチ、厚さ７ｍ
ｍの円盤状に仕上げた。バッキングプレートは直径１３
インチ、厚さ１５ｍｍのＡｌ合金製である。ターゲット
とバッキングプレートをアセトンで超音波脱脂洗浄後、
積層し、この積層材を５×１０−３ｔｏｒｒの真空下で
接合温度を３００℃とし、１０ｋｇ／ｍｍ２の圧力下で
固相拡散接合させた。接合後、組立対を機械加工し、タ
ーゲット寸法が直径１２．９８インチ、厚さ６．３５ｍ
ｍでバッキングプレート部を有する拡散接合ターゲット
を作製した。
【００２１】（実施例２）ターゲット２ Ｍｇ含有量を除いて、実施例１と同じ条件でターゲット
を作製した。Ｍｇ含有量は０．８ｗｔ％である。
を作製した。Ｍｇ含有量は０．８ｗｔ％である。
【００２２】（実施例３）ターゲット３ Ｍｇ含有量を除いて、実施例１と同じ条件でターゲット
を作製した。Ｍｇ含有量は１．５ｗｔ％である。
を作製した。Ｍｇ含有量は１．５ｗｔ％である。
【００２３】（実施例４）ターゲット４ Ｍｇ含有量を除いて、実施例１と同じ条件でターゲット
を作製した。Ｍｇ含有量は３．７ｗｔ％である。
を作製した。Ｍｇ含有量は３．７ｗｔ％である。
【００２４】（実施例５）ターゲット５Ｍｇ含有量と熱
処理温度を除いて、実施例１と同じ条件でターゲットを
作 製した。Ｍｇ含有量は０．８ｗｔ％で熱処理温度は６０
０℃ある。
処理温度を除いて、実施例１と同じ条件でターゲットを
作 製した。Ｍｇ含有量は０．８ｗｔ％で熱処理温度は６０
０℃ある。
【００２５】（実施例６）ターゲット６ Ｍｇ含有量を除いて、実施例１と同じ条件でターゲット
を作製した。Ｍｇ含有量は０．８ｗｔ％である。また、
同じ組成の高純度銅合金インゴット（φ１５７ｘ６０
ｔ）を４００℃に加熱し、熱間鍛造により４８０ｘ６０
ｘ４０ｔとした。ここから、一部の部品用材料を切り出
し機械加工により部品を作製した。部品はピン及びピン
にかぶせるキャップである。この後、残材を冷間圧延に
より、１４００ｘ６０ｘ１０ｔまで圧延し、熱処理を５
００℃で１ｈｒ行い機械加工後、リングに成形した。
を作製した。Ｍｇ含有量は０．８ｗｔ％である。また、
同じ組成の高純度銅合金インゴット（φ１５７ｘ６０
ｔ）を４００℃に加熱し、熱間鍛造により４８０ｘ６０
ｘ４０ｔとした。ここから、一部の部品用材料を切り出
し機械加工により部品を作製した。部品はピン及びピン
にかぶせるキャップである。この後、残材を冷間圧延に
より、１４００ｘ６０ｘ１０ｔまで圧延し、熱処理を５
００℃で１ｈｒ行い機械加工後、リングに成形した。
【００２６】（比較例１）ターゲット７ Ｍｇを添加しないことを除いては実施例１と同じ条件で
ターゲットを作製した。
ターゲットを作製した。
【００２７】（比較例２）ターゲット８ Ｍｇ含有量を除いて、実施例１と同じ条件でターゲット
を作製した。 Ｍｇ含有量は４．５ｗｔ％である。
を作製した。 Ｍｇ含有量は４．５ｗｔ％である。
【００２８】（比較例３）ターゲット９ 純度３Ｎ５の電気銅にＭｇを添加して真空誘導溶解した
Ｍｇ含有量０．８ｗｔ％の銅合金インゴットを用いて実
施例１と全く同じ工程で拡散接合ターゲットを作製し
た。
Ｍｇ含有量０．８ｗｔ％の銅合金インゴットを用いて実
施例１と全く同じ工程で拡散接合ターゲットを作製し
た。
【００２９】（比較例４）ターゲット１０ 熱処理温度を除いて、比較例３と同じ条件でターゲット
を作製した。熱処理温度は７００℃である。
を作製した。熱処理温度は７００℃である。
【００３０】（比較例５）ターゲット１１ 熱処理温度を除いて、比較例１と同じ条件でターゲット
を作製した。熱処理温度は３００℃である。
を作製した。熱処理温度は３００℃である。
【００３１】作製したターゲットのＭｇ含有量及び不純
物量を表１に示す。
物量を表１に示す。
【００３２】
【表１】
【００３３】ターゲットの結晶粒径および平均粒径のば
らつきを表２に示す。
らつきを表２に示す。
【表２】
【００３４】前記実施例及び比較例のターゲットを用い
て直径８“のＳｉ基盤上にＡｒガス圧：５ｍｔｏｒｒ、
スパッタパワー１５ｋｗ、基盤−ターゲット間距離：５
０ｍｍで成膜し、膜の比抵抗とエレクトロマイグレーシ
ョン耐性及び膜厚分布分散を評価した。なお、スパッタ
初期においてはこれらの数値が変動するため十分なダミ
ーランを行って数値が安定してから評価を行った。スパ
ッタチャンバー内でエロージョンされるパーツは実施例
６を除き純度９９．９９９９％の高純度銅製パーツであ
る。なお、耐酸化性評価のため１ミクロンの厚膜を８”
Ｓｉ基板上に上記と同一条件で成膜し、これを２００℃
の大気中に１５分間保持し、オージェ分析装置を用いて
膜中の酸素の厚さ方向での分布を調べた。表３に比抵抗
と膜厚分布分散及びオージェ分析で膜中から酸素が検出
される表面からの深さをオージェ分析時のスパッタ時間
で示す。スパッタ時間が短いほど膜中への酸素の進入深
さが浅く耐酸化性に優れることを示す。なおこれらは十
分なダミーランを行って数値が安定してからのものであ
る。
て直径８“のＳｉ基盤上にＡｒガス圧：５ｍｔｏｒｒ、
スパッタパワー１５ｋｗ、基盤−ターゲット間距離：５
０ｍｍで成膜し、膜の比抵抗とエレクトロマイグレーシ
ョン耐性及び膜厚分布分散を評価した。なお、スパッタ
初期においてはこれらの数値が変動するため十分なダミ
ーランを行って数値が安定してから評価を行った。スパ
ッタチャンバー内でエロージョンされるパーツは実施例
６を除き純度９９．９９９９％の高純度銅製パーツであ
る。なお、耐酸化性評価のため１ミクロンの厚膜を８”
Ｓｉ基板上に上記と同一条件で成膜し、これを２００℃
の大気中に１５分間保持し、オージェ分析装置を用いて
膜中の酸素の厚さ方向での分布を調べた。表３に比抵抗
と膜厚分布分散及びオージェ分析で膜中から酸素が検出
される表面からの深さをオージェ分析時のスパッタ時間
で示す。スパッタ時間が短いほど膜中への酸素の進入深
さが浅く耐酸化性に優れることを示す。なおこれらは十
分なダミーランを行って数値が安定してからのものであ
る。
【００３５】
【表３】
【００３６】エレクトロマイグレーション耐性を比較す
るため、１０μｍ幅、１μｍ厚さ、１０ｍｍ長さの膜を
ウエハー上に成膜し、アルゴン中で４００℃に加熱後、
１０Ａの電流を１ｈｒ通電した後のボイドやヒロックの
有無について調べた。結果を表４に示す。
るため、１０μｍ幅、１μｍ厚さ、１０ｍｍ長さの膜を
ウエハー上に成膜し、アルゴン中で４００℃に加熱後、
１０Ａの電流を１ｈｒ通電した後のボイドやヒロックの
有無について調べた。結果を表４に示す。
【００３７】
【表４】
【００３８】
【発明の効果】本発明のＭｇの組成範囲をある一定範囲
に定め、残余銅の不純物量を規定し結晶粒経とそのばら
つきをある値以下に規定したターゲットにより、配線抵
抗が小さく、エレクトロマイグレーション耐性や耐酸化
性に優れた膜を均質にウエハー上に成膜する事が可能と
なり、より微細化及び多層化された配線においても信頼
性の高い十分使用に耐える配線膜を形成する事が可能と
なった。併せて、エロージョンを受けるパーツの材質を
ターゲットと同様に規定することでより一層の均質な配
線膜を得ることが可能となった。
に定め、残余銅の不純物量を規定し結晶粒経とそのばら
つきをある値以下に規定したターゲットにより、配線抵
抗が小さく、エレクトロマイグレーション耐性や耐酸化
性に優れた膜を均質にウエハー上に成膜する事が可能と
なり、より微細化及び多層化された配線においても信頼
性の高い十分使用に耐える配線膜を形成する事が可能と
なった。併せて、エロージョンを受けるパーツの材質を
ターゲットと同様に規定することでより一層の均質な配
線膜を得ることが可能となった。
Claims (6)
- 【請求項１】 Ｎａ及びＫ含有量がそれぞれ０．５ｐｐ
ｍ以下、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｃａ含有量がそれぞ
れ２ｐｐｍ以下、酸素含有量が５ｐｐｍ以下、Ｕ及びＴ
ｈ含有量がそれぞれ１ｐｐｂ以下、Ｍｇ含有量が０．０
２〜４ｗｔ％でガス成分とＭｇを除いた残余部分の銅の
含有量が９９．９９％以上であることを特徴とする高純
度銅合金スパッタリングターゲット。 - 【請求項２】 Ｎａ及びＫ含有量がそれぞれ０．１ｐｐ
ｍ以下、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｃａ含有量がそれぞ
れ１ｐｐｍ以下、酸素含有量が５ｐｐｍ以下、Ｕ及びＴ
ｈ含有量がそれぞれ１ｐｐｂ以下、Ｍｇ含有量が０．０
２〜４ｗｔ％でガス成分とＭｇを除いた残余部分の銅の
含有量が９９．９９５％以上であることを特徴とする高
純度銅合金スパッタリングターゲット。 - 【請求項３】 ターゲット材の結晶粒径が２００μｍ以
下であり、かつ場所による平均粒径のばらつきが±２０
％以内であることを特徴とする請求項１または２に記載
の高純度銅合金スパッタリングターゲット - 【請求項４】 ターゲット材の結晶粒径が５０μｍ以下
であり、かつ場所による平均粒径のばらつきが±２０％
以内であることを特徴とする請求項１または２に記載の
高純度銅合金スパッタリングターゲット。 - 【請求項５】 Ｎａ及びＫ含有量がそれぞれ０．５ｐｐ
ｍ以下、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｃａ含有量がそれぞ
れ２ｐｐｍ以下、酸素含有量が５ｐｐｍ以下、Ｕ及びＴ
ｈ含有量がそれぞれ１ｐｐｂ以下、Ｍｇ含有量が０．０
２〜４ｗｔ％でガス成分とＭｇを除いた残余部分の銅の
含有量が９９．９９％以上で、請求項１〜４に記載のタ
ーゲットのスパッタ時に使用され、かつ、スパッタ時に
エロージョンされることを特徴とする薄膜形成装置部
品。 - 【請求項６】 Ｎａ及びＫ含有量がそれぞれ０．１ｐｐ
ｍ以下、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｃａ含有量がそれぞ
れ１ｐｐｍ以下、酸素含有量が５ｐｐｍ以下、Ｕ及びＴ
ｈ含有量がそれぞれ１ｐｐｂ以下、Ｍｇ含有量が０．０
２〜４ｗｔ％でガス成分とＭｇを除いた残余部分の銅の
含有量が９９．９９５％以上で、請求項１〜４に記載の
ターゲットのスパッタ時に使用され、かつ、スパッタ時
にエロージョンされることを特徴とする薄膜形成装置部
品。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10198565A JP2000034562A (ja) | 1998-07-14 | 1998-07-14 | スパッタリングターゲット及び薄膜形成装置部品 |
| PCT/JP1999/003796 WO2000004203A1 (fr) | 1998-07-14 | 1999-07-14 | Cible de pulverisation cathodique et piece pour appareil de formation de couches minces |
| KR1020007002630A KR20010023931A (ko) | 1998-07-14 | 1999-07-14 | 스팟터링 타겟트 및 박막 형성장치 부품 |
| EP99929829A EP1026284A4 (en) | 1998-07-14 | 1999-07-14 | CATHODE SPRAYING TARGET AND PART FOR THIN FILM FORMING APPARATUS |
| TW088112036A TW455632B (en) | 1998-07-14 | 1999-08-05 | Sputtering target and part used in apparatus for forming thin film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10198565A JP2000034562A (ja) | 1998-07-14 | 1998-07-14 | スパッタリングターゲット及び薄膜形成装置部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000034562A true JP2000034562A (ja) | 2000-02-02 |
Family
ID=16393304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10198565A Pending JP2000034562A (ja) | 1998-07-14 | 1998-07-14 | スパッタリングターゲット及び薄膜形成装置部品 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1026284A4 (ja) |
| JP (1) | JP2000034562A (ja) |
| KR (1) | KR20010023931A (ja) |
| TW (1) | TW455632B (ja) |
| WO (1) | WO2000004203A1 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003017491A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Toshiba Corp | スパッタターゲット、ゲート絶縁膜および電子部品 |
| JP2004052111A (ja) * | 2002-07-18 | 2004-02-19 | Praxair St Technol Inc | 超微細結晶粒銅スパッターターゲット |
| JP2004169136A (ja) * | 2002-11-21 | 2004-06-17 | Nikko Materials Co Ltd | 銅合金スパッタリングターゲット及び半導体素子配線 |
| JP2008506040A (ja) * | 2004-07-15 | 2008-02-28 | プランゼー エスエー | 銅合金から製造した導電線のための材料 |
| WO2008041535A1 (en) | 2006-10-03 | 2008-04-10 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Cu-Mn ALLOY SPUTTERING TARGET AND SEMICONDUCTOR WIRING |
| JP2010037579A (ja) * | 2008-08-01 | 2010-02-18 | Hitachi Cable Ltd | 無酸素銅スパッタリングターゲット材及び無酸素銅スパッタリングターゲット材の製造方法 |
| WO2010018864A1 (ja) * | 2008-08-14 | 2010-02-18 | 株式会社神戸製鋼所 | 表示装置、これに用いるＣｕ合金膜およびＣｕ合金スパッタリングターゲット |
| JP2010037578A (ja) * | 2008-08-01 | 2010-02-18 | Hitachi Cable Ltd | 無酸素銅スパッタリングターゲット材及び無酸素銅スパッタリングターゲット材の製造方法 |
| US9212419B2 (en) | 2008-08-01 | 2015-12-15 | Mitsubishi Materials Corporation | Sputtering target for forming wiring film of flat panel display |
| JP2021512221A (ja) * | 2018-02-01 | 2021-05-13 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッドＨｏｎｅｙｗｅｌｌ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｉｎｃ． | 微細化形状及び微細構造を有する銅合金スパッタリングターゲットの形成方法 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6858102B1 (en) * | 2000-11-15 | 2005-02-22 | Honeywell International Inc. | Copper-containing sputtering targets, and methods of forming copper-containing sputtering targets |
| KR20020070443A (ko) | 1999-11-24 | 2002-09-09 | 허니웰 인터내셔널 인코포레이티드 | 전도성 상호연결장치 |
| US6451222B1 (en) | 1999-12-16 | 2002-09-17 | Honeywell International Inc. | Ferroelectric composition, ferroelectric vapor deposition target and method of making a ferroelectric vapor deposition target |
| CN100370059C (zh) * | 2001-07-19 | 2008-02-20 | 霍尼韦尔国际公司 | 形成铸锭的方法 |
| JP4118814B2 (ja) * | 2002-01-30 | 2008-07-16 | 日鉱金属株式会社 | 銅合金スパッタリングターゲット及び同ターゲットを製造する方法 |
| JP5491845B2 (ja) * | 2009-12-16 | 2014-05-14 | 株式会社Ｓｈカッパープロダクツ | スパッタリングターゲット材 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS588768Y2 (ja) * | 1979-09-26 | 1983-02-17 | 日本真空技術株式会社 | マグネトロン型カソ−ド装置 |
| JP2722401B2 (ja) * | 1988-10-20 | 1998-03-04 | 株式会社神戸製鋼所 | 耐マイグレーション性に優れた高導電性電気・電子部品配線用銅合金 |
| JPH07300668A (ja) * | 1994-05-02 | 1995-11-14 | Vacuum Metallurgical Co Ltd | 鉛の含有量を低減したスパッタリングターゲット |
| JPH09199976A (ja) * | 1996-01-18 | 1997-07-31 | Hitachi Ltd | 弾性表面波素子電極 |
| JP3819487B2 (ja) * | 1996-08-16 | 2006-09-06 | 同和鉱業株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
| JP3403918B2 (ja) * | 1997-06-02 | 2003-05-06 | 株式会社ジャパンエナジー | 高純度銅スパッタリングタ−ゲットおよび薄膜 |
-
1998
- 1998-07-14 JP JP10198565A patent/JP2000034562A/ja active Pending
-
1999
- 1999-07-14 WO PCT/JP1999/003796 patent/WO2000004203A1/ja not_active Application Discontinuation
- 1999-07-14 EP EP99929829A patent/EP1026284A4/en not_active Withdrawn
- 1999-07-14 KR KR1020007002630A patent/KR20010023931A/ko not_active Ceased
- 1999-08-05 TW TW088112036A patent/TW455632B/zh active
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003017491A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Toshiba Corp | スパッタターゲット、ゲート絶縁膜および電子部品 |
| JP2004052111A (ja) * | 2002-07-18 | 2004-02-19 | Praxair St Technol Inc | 超微細結晶粒銅スパッターターゲット |
| JP2004169136A (ja) * | 2002-11-21 | 2004-06-17 | Nikko Materials Co Ltd | 銅合金スパッタリングターゲット及び半導体素子配線 |
| JP2008506040A (ja) * | 2004-07-15 | 2008-02-28 | プランゼー エスエー | 銅合金から製造した導電線のための材料 |
| WO2008041535A1 (en) | 2006-10-03 | 2008-04-10 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Cu-Mn ALLOY SPUTTERING TARGET AND SEMICONDUCTOR WIRING |
| JP2010037579A (ja) * | 2008-08-01 | 2010-02-18 | Hitachi Cable Ltd | 無酸素銅スパッタリングターゲット材及び無酸素銅スパッタリングターゲット材の製造方法 |
| JP2010037578A (ja) * | 2008-08-01 | 2010-02-18 | Hitachi Cable Ltd | 無酸素銅スパッタリングターゲット材及び無酸素銅スパッタリングターゲット材の製造方法 |
| US9212419B2 (en) | 2008-08-01 | 2015-12-15 | Mitsubishi Materials Corporation | Sputtering target for forming wiring film of flat panel display |
| WO2010018864A1 (ja) * | 2008-08-14 | 2010-02-18 | 株式会社神戸製鋼所 | 表示装置、これに用いるＣｕ合金膜およびＣｕ合金スパッタリングターゲット |
| JP2010065317A (ja) * | 2008-08-14 | 2010-03-25 | Kobe Steel Ltd | 表示装置およびこれに用いるＣｕ合金膜 |
| JP2021512221A (ja) * | 2018-02-01 | 2021-05-13 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッドＨｏｎｅｙｗｅｌｌ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｉｎｃ． | 微細化形状及び微細構造を有する銅合金スパッタリングターゲットの形成方法 |
| JP7426936B2 (ja) | 2018-02-01 | 2024-02-02 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド | 微細化形状及び微細構造を有する銅合金スパッタリングターゲットの形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW455632B (en) | 2001-09-21 |
| EP1026284A1 (en) | 2000-08-09 |
| EP1026284A4 (en) | 2000-08-09 |
| KR20010023931A (ko) | 2001-03-26 |
| WO2000004203A1 (fr) | 2000-01-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4118814B2 (ja) | 銅合金スパッタリングターゲット及び同ターゲットを製造する方法 | |
| JP3403918B2 (ja) | 高純度銅スパッタリングタ−ゲットおよび薄膜 | |
| JP4996639B2 (ja) | スパッタターゲット | |
| JP4955008B2 (ja) | Ｃｕ−Ｍｎ合金スパッタリングターゲット及び半導体配線 | |
| US6645427B1 (en) | Copper sputtering target assembly and method of making same | |
| CN100439558C (zh) | 铜合金溅射靶、其制造方法以及半导体元件布线 | |
| JP2000034562A (ja) | スパッタリングターゲット及び薄膜形成装置部品 | |
| US6849139B2 (en) | Methods of forming copper-containing sputtering targets | |
| JP5068925B2 (ja) | スパッタリングターゲット | |
| KR20090051267A (ko) | 미세 그레인 사이즈 및 높은 전자 이동 저항성을 구비한 구리 스퍼터링 타겟 및 이를 제조하는 방법 | |
| JPWO2013038962A1 (ja) | 高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲット | |
| JP2004506814A (ja) | スパッタリングターゲット | |
| WO2014021173A1 (ja) | Ｃｕ合金薄膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
| JP6586540B1 (ja) | ターゲット材とバッキングプレートとの接合体、および、ターゲット材とバッキングプレートとの接合体の製造方法 | |
| JPH11350120A (ja) | 拡散接合されたスパッタリングターゲット組立体及びその製造方法 | |
| JP5554364B2 (ja) | 半導体用銅合金配線及びスパッタリングターゲット並びに半導体用銅合金配線の形成方法 | |
| JP2002129313A (ja) | パーティクル発生の少ない高純度銅スパッタリングターゲット | |
| US9909196B2 (en) | High-purity copper-cobalt alloy sputtering target | |
| JP2004193546A (ja) | 半導体装置配線シード層形成用銅合金スパッタリングターゲット | |
| JP2001125123A (ja) | 液晶ディスプレイ用電極・配線材及びスパッタリングターゲット | |
| JP2007242951A (ja) | 半導体配線用バリア膜、半導体用銅配線、同配線の製造方法及び半導体バリア膜形成用スパッタリングターゲット | |
| JP5694503B2 (ja) | 自己拡散抑制機能を有するシード層及び自己拡散抑制機能を備えたシード層の形成方法 | |
| JP2000063971A (ja) | スパッタリングターゲット |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030128 |