[go: up one dir, main page]

JP3873986B2 - 電子部品、実装構造体、電気光学装置および電子機器 - Google Patents

電子部品、実装構造体、電気光学装置および電子機器 Download PDF

Info

Publication number
JP3873986B2
JP3873986B2 JP2004121645A JP2004121645A JP3873986B2 JP 3873986 B2 JP3873986 B2 JP 3873986B2 JP 2004121645 A JP2004121645 A JP 2004121645A JP 2004121645 A JP2004121645 A JP 2004121645A JP 3873986 B2 JP3873986 B2 JP 3873986B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electronic component
pad
resin
conductive film
insulating film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2004121645A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005310815A (ja
Inventor
淳 斎藤
秀一 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2004121645A priority Critical patent/JP3873986B2/ja
Priority to TW094111058A priority patent/TWI263251B/zh
Priority to EP05252223A priority patent/EP1587142A1/en
Priority to US11/103,412 priority patent/US7166920B2/en
Priority to KR1020050030905A priority patent/KR100699666B1/ko
Priority to CNA2005100646058A priority patent/CN1683961A/zh
Publication of JP2005310815A publication Critical patent/JP2005310815A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3873986B2 publication Critical patent/JP3873986B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
    • F24F—AIR-CONDITIONING; AIR-HUMIDIFICATION; VENTILATION; USE OF AIR CURRENTS FOR SCREENING
    • F24F6/00—Air-humidification, e.g. cooling by humidification
    • F24F6/12—Air-humidification, e.g. cooling by humidification by forming water dispersions in the air
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
    • F24F—AIR-CONDITIONING; AIR-HUMIDIFICATION; VENTILATION; USE OF AIR CURRENTS FOR SCREENING
    • F24F11/00—Control or safety arrangements
    • F24F11/0008—Control or safety arrangements for air-humidification
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
    • F24F—AIR-CONDITIONING; AIR-HUMIDIFICATION; VENTILATION; USE OF AIR CURRENTS FOR SCREENING
    • F24F11/00—Control or safety arrangements
    • F24F11/30—Control or safety arrangements for purposes related to the operation of the system, e.g. for safety or monitoring
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
    • F24F—AIR-CONDITIONING; AIR-HUMIDIFICATION; VENTILATION; USE OF AIR CURRENTS FOR SCREENING
    • F24F3/00—Air-conditioning systems in which conditioned primary air is supplied from one or more central stations to distributing units in the rooms or spaces where it may receive secondary treatment; Apparatus specially designed for such systems
    • F24F3/12—Air-conditioning systems in which conditioned primary air is supplied from one or more central stations to distributing units in the rooms or spaces where it may receive secondary treatment; Apparatus specially designed for such systems characterised by the treatment of the air otherwise than by heating and cooling
    • F24F3/16—Air-conditioning systems in which conditioned primary air is supplied from one or more central stations to distributing units in the rooms or spaces where it may receive secondary treatment; Apparatus specially designed for such systems characterised by the treatment of the air otherwise than by heating and cooling by purification, e.g. by filtering; by sterilisation; by ozonisation
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
    • F24F—AIR-CONDITIONING; AIR-HUMIDIFICATION; VENTILATION; USE OF AIR CURRENTS FOR SCREENING
    • F24F8/00—Treatment, e.g. purification, of air supplied to human living or working spaces otherwise than by heating, cooling, humidifying or drying
    • F24F8/20—Treatment, e.g. purification, of air supplied to human living or working spaces otherwise than by heating, cooling, humidifying or drying by sterilisation
    • F24F8/22—Treatment, e.g. purification, of air supplied to human living or working spaces otherwise than by heating, cooling, humidifying or drying by sterilisation using UV light
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
    • F24F—AIR-CONDITIONING; AIR-HUMIDIFICATION; VENTILATION; USE OF AIR CURRENTS FOR SCREENING
    • F24F2110/00—Control inputs relating to air properties
    • F24F2110/20—Humidity
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/023—Redistribution layers [RDL] for bonding areas
    • H01L2224/0237—Disposition of the redistribution layers
    • H01L2224/02379—Fan-out arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0556—Disposition
    • H01L2224/05571—Disposition the external layer being disposed in a recess of the surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05573—Single external layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05617—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/05624—Aluminium [Al] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13005—Structure
    • H01L2224/13008—Bump connector integrally formed with a redistribution layer on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/1301—Shape
    • H01L2224/13012—Shape in top view
    • H01L2224/13013—Shape in top view being rectangular or square
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/1319—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/1354—Coating
    • H01L2224/1356—Disposition
    • H01L2224/13562—On the entire exposed surface of the core
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/1354—Coating
    • H01L2224/1357—Single coating layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/1354—Coating
    • H01L2224/13599—Material
    • H01L2224/136—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13644—Gold [Au] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/1354—Coating
    • H01L2224/13599—Material
    • H01L2224/136—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13647—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/1354—Coating
    • H01L2224/13599—Material
    • H01L2224/136—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13655—Nickel [Ni] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01049—Indium [In]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)

Description

本発明は、電子部品、実装構造体、電気光学装置および電子機器に関するものである。
従来から、各種の電子機器に搭載される回路基板や液晶表示装置などにおいて、半導体ＩＣなどの電子部品を実装する技術が用いられている。例えば、液晶表示装置には、液晶パネルを駆動するための液晶駆動用ＩＣチップが実装される。このＩＣチップは、液晶パネルを構成するガラス基板に直接実装される場合もあり、また、液晶パネルに実装されるフレキシブル基板（ＦＰＣ）上に実装される場合もある。前者による実装構造はＣＯＧ（Chip On Glass）構造と呼ばれ、後者はＣＯＦ(Chip On FPC)構造と呼ばれる。
ＣＯＧ構造の液晶表示装置における液晶駆動用ＩＣチップの実装工程では、図９（ａ）に示すように、導電性粒子２２２ａを熱硬化性樹脂２２２ｂ中に分散させた異方性導電膜（ＡＣＦ；Anisotropic Conductive Film）２２２を介して、ガラス基板１１上にＩＣチップ２１を配置する。そして、両者を加熱・加圧することにより、ＩＣチップ２１のバンプ電極２１Ｂ，２１Ｂが、ガラス基板１１上の電極端子１１ｂｘ，１１ｄｘの配列部分上に、上記導電性粒子２２２ａを介して導電接触した状態とする。そして、硬化された熱硬化性樹脂２２２ｂにより、この導電接触状態が保持されるようにする。
通常、金属バンプ電極２１Ｂと電極端子１１ｂｘ，１１ｄｘとの間における導電接続の信頼性を高めるためには、両者間に介在する導電性粒子２２２ａを弾性変形させた状態で、ＩＣチップ２１とガラス基板１１との相対位置を固定する必要がある。この場合、温度変化により熱硬化性樹脂２２２ｂが熱膨張しても、導電性粒子２２２ａを介した導電接触状態が維持されるからである。
ところが、微細な導電性粒子２２２ａにつき所定の弾性変形量を確保することは極めて困難である。
そこで、図９（ｂ）に示すように、ＩＣチップ２１の能動面に樹脂突起１２を形成し、その樹脂突起１２の表面に導電膜２０を形成して、バンプ電極１０を構成する発明が提案されている（例えば、特許文献１参照）。なお、あらかじめＩＣチップ２１のパッド２４の表面に絶縁膜２６を形成し、その絶縁膜２６の一部を開口することにより、パッド２４の接続部２２を形成しておく。そして、その接続部２２に対してバンプ電極１０の導電膜２０を延設することにより、当該バンプ電極１０をＩＣチップ２１の電極端子として機能させることができる。
このバンプ電極１０をガラス基板の端子に押圧すれば、バンプ電極１０を構成する樹脂突起１２が弾性変形する。なお、バンプ電極１０を構成する樹脂突起１２は、ＡＣＦに含まれる導電性粒子に比べて十分に大きいので、所定の弾性変形量を確保することができる。この状態で、熱硬化性樹脂によりＩＣチップ２１をガラス基板に固定すれば、温度変化により熱硬化性樹脂が熱膨張しても、バンプ電極１０を介した導電接触状態を維持することができる。
特開平２−２７２７３７号公報
ところで、樹脂突起１２の表面に金属導電膜２０を形成した場合には、金属部材の表面に金属導電膜を形成した場合に比べて、金属導電膜２０の密着性が弱くなる。仮に、樹脂突起１２の表面から金属導電膜２０が剥離した場合には、バンプ電極１０とガラス基板の電極端子との導電接続が不可能になるおそれがある。
また、上述した接続部２２は、パッド２４表面の絶縁膜２６を開口して形成されるので、当該接続部２２に絶縁膜が残存している場合などには、バンプ電極１０とパッド２４との導電接続が不可能になるおそれがある。
そして、これらの場合には、ＩＣチップ２１とガラス基板とを導電接続することが不可能になるという問題がある。したがって、冗長性の向上による導電接続の信頼性向上が技術的課題となっている。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、冗長性に優れた電子部品および実装構造体の提供を目的とする。
また、電気的接続の信頼性に優れた電気光学装置および電子機器の提供を目的とする。
上記目的を達成するため、本発明の電子部品は、能動面に形成されたパッドと、前記パッドの表面に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された樹脂突起と、前記樹脂突起の表面に形成されるとともに前記パッドと電気的に接続される導電膜とを備え、前記パッドが前記導電膜を介して相手側基板に導電接続される電子部品であって、前記パッドに対して、複数の前記樹脂突起が形成されるとともに、前記絶縁膜は少なくとも前記樹脂突起が形成される領域よりも広い領域に形成され、前記樹脂突起間において、前記パッドと前記導電膜との間に前記絶縁膜が形成されてなることを特徴とする。
この構成によれば、複数の樹脂突起のうち一の樹脂突起の導電膜が剥離した場合でも、同じパッドに導電接続された他の導電膜により、相手側基板の電極端子との導電接続を確保することができる。したがって、冗長性に優れた電子部品を提供することができる。
また、本発明の電子部品は、前記樹脂突起間において、前記絶縁膜の開口が形成され、前記パッドと前記導電膜とが電気的に接続されることを特徴とする。
更に、本発明の電子部品は、前記樹脂突起間以外の領域において、前記絶縁膜の開口が形成され、前記パッドと前記導電膜とが電気的に接続されることを特徴とする。
また、本発明の電子部品は、前記樹脂突起間において、前記絶縁膜の開口が複数形成され、前記パッドと前記導電膜とが電気的に接続されることを特徴とする。
また、前記樹脂突起は、線状に連続する突条に形成されていることが望ましい。
なお、前記樹脂突起は、線状に連続する突条に形成された後、前記複数の導電膜の形成領域のみに分離して形成されていることが望ましい。
この構成によれば、樹脂突起の高さ寸法を精度よく形成することができるので、導電接続の信頼性に優れた電子機器を提供することができる。また、電気部品を相手側基板に実装する際に、封止樹脂の流れを確保することができる。
また、前記樹脂突起は、半球状に形成されていることが望ましい。
この構成によれば、小さな力で樹脂突起を弾性変形させることができるので、電子機器の破損を防止することができる。
一方、本発明の実装構造体は、電子部品が相手側基板に実装されてなる実装構造体であって、前記電子部品は、能動面に形成されたパッドと、前記パッドの表面に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された樹脂突起と、前記樹脂突起の表面に形成されるとともに前記パッドと電気的に接続される導電膜とを備え、前記パッドに対して、複数の前記樹脂突起が形成されるとともに、前記絶縁膜は少なくとも前記樹脂突起が形成される領域よりも広い領域に形成され、前記樹脂突起間において、前記パッドと前記導電膜との間に前記絶縁膜が形成され、前記パッドが前記導電膜を介して前記相手側基板における電気端子に導電接続されていることを特徴とする。
この構成によれば、複数の樹脂突起のうち一の樹脂突起による相手側端子との導電接続が不可能であっても、他の樹脂突起により相手側端子との導電接続を確保することができる。したがって、電気的接続の信頼性に優れた実装構造体を提供することができる。
一方、本発明の電気光学装置は、上述した電子部品が、電気光学パネルを構成する基板上に実装されてなることを特徴とする。
上述した電子部品は冗長性に優れているので、電気的接続の信頼性に優れた電気光学装置を提供することができる。
一方、本発明の電子機器は、上述した電気光学装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、電気的接続の信頼性に優れた電子機器を提供することができる。
以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
［第１実施形態］
最初に、本発明の第１実施形態について説明する。
図１は、電気光学装置の一実施形態である液晶表示装置を示す模式図である。図示の液晶表示装置１００は、液晶パネル１１０と、電子部品（液晶駆動用ＩＣチップ）１２１とを有する。また、必要に応じて、図示しない偏光板、反射シート、バックライト等の付帯部材が適宜に設けられる。
［電気光学装置］
液晶パネル１１０は、ガラスやプラスチックなどで構成される基板１１１及び１１２を備えている。基板１１１と基板１１２は相互に対向配置され、図示しないシール材などによって相互に貼り合わされている。基板１１１と基板１１２の間には図示しない電気光学物質である液晶が封入されている。基板１１１の内面上にはＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電体で構成された電極１１１ａが形成され、基板１１２の内面上には上記電極１１１ａに対向配置される電極１１２ａが形成されている。なお、電極１１１ａおよび電極１１２ａは直交するように配置されている。そして、電極１１１ａおよび電極１１２ａは基板張出部１１１Ｔに引き出され、その端部にはそれぞれ電極端子１１１ｂｘおよび電極端子１１１ｃｘが形成されている。また、基板張出部１１１Ｔの端縁近傍には入力配線１１１ｄが形成され、その内端部にも端子１１１ｄｘが形成されている。
基板張出部１１１Ｔ上には、未硬化状態（Ａステージ状態）若しくは半硬化状態（Ｂステージ状態）の熱硬化性樹脂で構成される封止樹脂１２２を介して、電子部品１２１が実装される。この電子部品１２１は、例えば液晶パネル１１０を駆動する液晶駆動用ＩＣチップである。電子部品１２１の下面には図示しない多数のバンプが形成されており、これらのバンプは基板張出部１１１Ｔ上の端子１１１ｂｘ，１１１ｃｘ，１１１ｄｘにそれぞれ導電接続される。
また、入力配線１１１ｄの外端部に形成された入力端子１１１ｄｙには、異方性導電膜１２４を介してフレキシブル配線基板１２３が実装される。入力端子１１１ｄｙは、フレキシブル配線基板１２３に設けられた、それぞれ対応する図示しない配線に導電接続される。そして、外部からフレキシブル配線基板１２３を介して制御信号、映像信号、電源電位などが入力端子１１１ｄｙに供給され、電子部品１２１において液晶駆動用の駆動信号が生成されて、液晶パネル１１０に供給されるようになっている。
以上のように構成された本実施形態の液晶表示装置１００によれば、電子部品１２１を介して電極１１１ａと電極１１２ａとの間に適宜の電圧が印加されることにより、両電極１１１ａ，１１２ａが対向配置される画素部分の液晶を再配向させて光を変調することができ、これによって液晶パネル１１０内の画素が配列された表示領域に所望の画像を形成することができる。
図２は図１のＡ−Ａ線における側面断面図であり、上記液晶表示装置１００における電子部品１２１の実装構造の説明図である。電子部品１２１の能動面（図示下面）には、ＩＣ側端子として複数のバンプ電極１０が設けられ、その先端は上記基板１１１の端子１１１ｂｘ，１１１ｄｘに直接導電接触している。バンプ電極１０と端子１１１ｂｘ，１１１ｄｘとの間の導電接触部分の周囲には熱硬化性樹脂などで構成される硬化された封止樹脂１２２が充填されている。
［電子部品］
図３は本実施形態に係る電子部品の電極構造の説明図であり、図３（ａ）は図２のＢ部に相当する部分の拡大図であり、図３（ｂ）は電子部品の底面図である。電子部品１２１は、例えばシリコン基板上に適宜の回路構成を形成してなる集積回路チップである。電子部品１２１の表面（図示下面）上には、アルミニウムなどで構成されたパッド２４が形成されている。このパッド２４は、電子部品１２１の周縁部に沿って配列形成されている。パッド２４の表面には、ＳｉＮなどの絶縁材料からなるパッシペーション膜などの保護膜２６が形成されている。そして、その保護膜２６に形成された開口２７により、パッド２４との電気的接続部２２が構成されている。
また、保護膜２６の表面には、樹脂突起１２が形成されている。この樹脂突起１２は、ポリイミド等の弾性樹脂材料を保護膜２６の表面にコーティングし、フォトリソグラフィなどのパターニング処理を行うことによって形成する。なお、グレーマスクを用いたフォトリソグラフィを行うことにより、樹脂突起１２は半球状に形成されている。本実施形態では、接続部２２に近接して複数の樹脂突起１２を形成する。図３では、接続部２２を挟んで両側に樹脂突起１２ａ，１２ｂが形成されている。
さらに、樹脂突起１２ａ，１２ｂの表面に、導電膜２０が形成されている。この導電膜２０は、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ等の導電性金属を蒸着やスパッタリングなどによって成膜し、適宜のパターニング処理を適用することによって構成できる。また、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｌなどで構成された下地の導電膜の表面をさらにＡｕメッキ等で被覆し、導電接触性を高めることも可能である。
上記のように構成された樹脂突起１２ａ，１２ｂと導電膜２０によって、電子部品１２１の表面上に半球状のバンプ電極１０ａ，１０ｂが形成されている。なお、バンプ電極は半球状に限られず、円錐台形状、角錐台形状、円柱状、角柱状などとしてもよい。この場合、樹脂突起を前記各形状に形成して、その表面に導電膜を形成すればよい。
さらに導電膜２０は、樹脂突起１２ａ，１２ｂの表面から接続部２２に対して延設されている。これにより、一のパッド２４に対して、複数のバンプ電極１０ａ，１０ｂが導電接続された状態となっている。
［実装構造体］
図４は、本実施形態に係る電子部品の実装構造の説明図であり、図２のＢ部における拡大図である。電子部品１２１は、熱硬化性樹脂からなる封止樹脂１２２を介して、基板１１１に実装されている。電子部品１２１の実装は、フィルム状またはシート状の封止樹脂１２２を基板１１１上に配置し、その基板１１１上に電子部品１２１を加熱しながら加圧することによって行う。その場合、電子部品１２１のバンプ電極１０が、封止樹脂１２２を押し分けて進行し、基板１１１上の端子１１１ｂｘに接触する。さらに電子部品を加圧することにより、樹脂突起１２が押しつぶされて弾性変形する。そして、この状態で加熱を続け封止樹脂１２２を熱硬化させると、電子部品１２１と基板１１１との相対位置が固定され、樹脂突起１２が弾性変形した状態で保持される。これにより、温度変化に伴って熱硬化性樹脂２２ｂが熱膨張しても、バンプ電極１０と端子１１１ｂｘとの導電接触状態が保持されるので、電子部品１２１を基板１１１に対して確実に導電接続することができる。
なお、ガラスなどで構成される基板１１１及びＩＴＯなどで構成される端子１１１ｂｘは共に透明であるので、基板１１１の裏面からバンプ電極１０の頂部と端子１１１ｂｘとの接触面を視認することができる。なお、バンプ電極１０を半球状に形成したので、端子１１１ｂｘとの接触により接触面が出現する。この接触面の直径は、バンプ電極１０の弾性変形量に比例して増減する。したがって、基板１１１の裏面から接触面の有無や形状、幅等を観察することにより、バンプ電極１０と端子１１１ｂｘとの接触状態を容易に知ることができる。
ところで、樹脂突起１２の表面に金属導電膜２０を形成した場合には、金属部材の表面に金属導電膜を形成した場合に比べて、金属導電膜２０の密着性が低くなる。仮に、樹脂突起１２の表面から金属導電膜２０が剥離した場合には、バンプ電極１０と端子１１１ｂｘとの導電接続が不可能になるおそれがある。
そこで、図３に示す本実施形態の電子部品では、一のパッド２４に対して、複数のバンプ電極１０ａ，１０ｂを導電接続する構成とした。加えて、図４に示す本実施形態の実装構造体では、電子部品１２１における複数のバンプ電極１０ａ，１０ｂを、相手側基板１１１における一の端子１１１ｂｘに導電接続する構成とした。この構成によれば、図３に示す複数のバンプ電極１０ａ，１０ｂのうち一のバンプ電極（例えば１０ａ）において導電膜２０が剥離した場合でも、同じパッド２４に導電接続された他のバンプ電極（例えば１０ｂ）により、図４に示す相手側基板１１１の端子１１１ｂｘとの導電接続を確保することができる。したがって、電子部品１２１と相手側基板１１１との導電接続を確保することが可能になり、冗長性に優れた電子部品および実装構造体を提供することができる。
また、複数のバンプ電極１０ａ，１０ｂを相手側基板１１１における一の端子１１１ｂｘに導電接続する構成としたので、導電接続部の電気抵抗を低減することも可能になる。
［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態につき、図５を用いて説明する。
図５は、第２実施形態に係る電子部品の電極構造の説明図であり、図２のＢ部に相当する部分の拡大図である。第２実施形態に係る電子部品は、一のバンプ電極（例えば１０ａ）が、複数の電気的接続部２２ｘ，２２ｙ，２２ｚによりパッド２４に導電接続されている点で、第１実施形態と異なっている。なお、第１実施形態と同様の構成となる部分については、同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。
第２実施形態に係る電子部品では、パッド２４の表面に形成された保護膜２６に、複数の開口２７が形成されている。これにより、パッド２４に対する複数の接続部２２ｘ，２２ｙ，２２ｚが構成されている。
また、保護膜２６の表面には、半球状の樹脂突起１２が形成されている。図５では、各接続部２２ｘ，２２ｙ，２２ｚの間にそれぞれ樹脂突起１２ａ，１２ｂが配置されている。
さらに、すべての樹脂突起１２ａ，１２ｂの表面を覆うように、一の導電膜２０が形成されている。そして、樹脂突起１２ａ，１２ｂと導電膜２０によりバンプ電極１０ａ，１０ｂが構成されている。
加えて、導電膜２０は、樹脂突起１２ａ，１２ｂの表面からすべての接続部２２ｘ，２２ｙ，２２ｚに対して延設されている。これにより、バンプ電極１０ａが複数の接続部２２ｘ，２２ｙ，２２ｚにおいてパッド２４に導電接続された状態となっている。また、バンプ電極１０ｂも複数の接続部２２ｘ，２２ｙ，２２ｚにおいてパッド２４に導電接続された状態となっている。
ところで、上述した接続部２２ｘ，２２ｙ，２２ｚは、パッド２４の表面に形成された絶縁材料からなる保護膜を開口して構成されている。そのため、接続部に保護膜が残っている場合など、パッド２４の表面に絶縁材料が付着している場合には、接続部におけるパッド２４と導電膜２０との導電接続が不可能になるおそれがある。
しかしながら、本実施形態の電子部品では、各バンプ電極１０ａ，１０ｂが複数の接続部２２ｘ，２２ｙ，２２ｚにおいてパッド２４に導電接続されている構成とした。この構成によれば、複数の接続部のうち一の接続部（例えば２２ｘ）が導通不能となった場合でも、他の接続部（例えば２２ｙ，２２ｚ）により、パッド２４とバンプ電極１０ａ，１０ｂとの導電接続を確保することが可能になる。そして、このバンプ電極１０ａ，１０ｂを相手側基板の端子に導電接続することにより、電子部品１２１と相手側基板との導電接続を確保することができる。したがって、冗長性に優れた電子部品および実装構造体を提供することができる。
［第３実施形態］
次に、本発明の第３実施形態につき、図６を用いて説明する。
図６は、第３実施形態に係る電子部品の電極構造の説明図であり、図６（ａ）は図２のＢ部に相当する部分の拡大図であり、図６（ｂ）は電子部品の底面図である。第３実施形態に係る電子部品は、樹脂突起１２（１２ｒ、１２ｓ）が線状に連続する突条に形成されている点、および導電膜２０が複数に分離形成（２０ａ，２０ｂ）され、それぞれパッド２４に導電接続されている点で、第１実施形態および第２実施形態と異なっている。なお、第１実施形態および第２実施形態と同様の構成となる部分については、同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。
第３実施形態に係る電子部品では、樹脂突起１２ｒ，１２ｓが、パッド２４の配列方向に沿って線状に連続する突条に形成されている。この樹脂突起１２ｒ、１２ｓの連続方向と垂直な方向における断面は、半円形状とされている。このような突条の樹脂突起は、半球状の樹脂突起と比べて、高さ寸法を精度よく形成することができる。そのため、突条の樹脂突起１２ｒ，１２ｓを用いてバンプ電極を形成することにより、電気的接続の信頼性に優れた電子部品とすることができる。
そして、樹脂突起１２ｒ、１２ｓの両側には保護膜２６の開口が形成され、パッド２４との接続部２２ｗ，２２ｘ，２２ｙ，２２ｚが構成されている。
また、第３実施形態に係る電子部品では、導電膜が複数に分離されて、導電膜２０ａ，２０ｂが形成されている。各導電膜は、樹脂突起１２ｒ、１２ｓの表面に形成されている。この樹脂突起１２ｒ、１２ｓと導電膜２０ａ，２０ｂとによって、バンプ電極１０ａ，１０ｂが構成されている。
さらに、各導電膜２０ａ，２０ｂは、樹脂突起１２ｒ，１２ｓの表面から、当該樹脂突起の両側に配置された接続部２２ｗ，２２ｘ，２２ｙ，２２ｚに延設されている。これにより、第２実施形態と同様に、一のバンプ電極１０ａが複数の接続部２２ｗ，２２ｘにおいてパッド２４に導電接続された状態となっている。また、一のバンプ電極１０ｂも複数の接続部２２ｙ，２２ｚにおいてパッド２４に導電接続された状態となっている。
そして、電子部品１２１に形成された複数のバンプ電極１０ａ，１０ｂを、相手側基板１１１における一の端子１１１ｂｘに導電接続する（図４参照）。
ところで、第１実施形態で述べたように、樹脂突起１２の表面に金属導電膜２０を形成した場合には、金属導電膜２０の密着性が低くなり、樹脂突起１２の表面から金属導電膜２０が剥離するおそれがある。しかしながら、第３実施形態の電子部品では、相互に分離された複数の導電膜２０ａ，２０ｂを、樹脂突起１２ｒ，１２ｓの表面に設ける構成とした。加えて、電子部品における複数のバンプ電極１０ａ，１０ｂを、相手側基板１１１における一の端子１１１ｂｘに導電接続する構成とした（図４参照）。これにより、一の導電膜（例えば２０ａ）が樹脂突起から剥離しても、同じパッド２４に導電接続された他の導電膜（例えば２０ｂ）により、相手側基板の端子との導電接続を確保することができる。したがって、電子部品と相手側基板との導電接続を確保することが可能になり、冗長性に優れた電子部品および実装構造体を提供することができる。
また、第２実施形態で述べたように、接続部におけるパッド２４の表面に絶縁材料が付着している場合には、パッド２４と導電膜２０との導電接続が不可能になるおそれがある。しかしながら、第３実施形態の電子部品では、各バンプ電極（例えば１０ａ）が複数の接続部（例えば２２ｗ，２２ｘ）においてパッド２４に導電接続されている構成とした。この構成によれば、複数の接続部のうち一の接続部（例えば２２ｗ）が導通不能となった場合でも、他の接続部（例えば２２ｘ）により、パッド２４とバンプ電極（１０ａ）との導電接続を確保することが可能になる。そして、このバンプ電極（１０ａ）を相手側基板の端子に導電接続することにより、電子部品と相手側基板との導電接続を確保することができる。したがって、冗長性に優れた電子部品および実装構造体を提供することができる。
なお、図６に示す第３実施形態では、樹脂突起１２ｒ，１２ｓが、パッド２４の配列方向に沿って線状に連続する突条に形成されているが、図７に示すように、導電膜２０ａ，２０ｂが存在しない部分の樹脂突起１２ｒ，１２ｓを除去して、それぞれの突起を分離してもよい。具体的には、まず第３実施形態と同様に、樹脂突起１２ｒ，１２ｓを突条に形成し、その表面に複数の導電膜２０ａ，２０ｂを形成する。次に、Ｏ２ガスを処理ガスとするプラズマエッチングを行う。金属材料からなる導電膜２０ａ，２０ｂは樹脂材料に比べてドライエッチングされにくいため、導電膜２０ａ，２０ｂの非形成領域における樹脂突起１２ｒ，１２ｓのみを選択的に除去することが可能になる。
ところで、図４に示すように、電子部品１２１は熱硬化性樹脂からなる封止樹脂１２２を介して基板１１１に実装する。その際、あらかじめ突条の樹脂突起の一部を除去しておけば、封止樹脂１２２の流れを確保することができる。これにより、電子部品１２１を相手側基板１１１に対して確実に実装することができる。
［電子機器］
図８は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。この図に示す携帯電話１３００は、上述した電気光学装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されている。
上述した電気光学装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの場合にも電気的接続の信頼性に優れた電子機器を提供することができる。
なお、本発明の技術範囲は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、各実施形態で挙げた具体的な材料や構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
液晶表示装置を示す模式図である。 液晶表示装置における電子部品の実装構造の説明図である。 第１実施形態に係る電子部品の電極構造の説明図である。 第１実施形態に係る電子部品の実装構造の説明図である。 第２実施形態に係る電子部品の電極構造の説明図である。 第３実施形態に係る電子部品の電極構造の説明図である。 第３実施形態に係る電子部品の変形例の説明図である。 携帯電話の斜視図である。 従来の電子部品の実装構造の説明図である。
符号の説明
１０，１０ａ，１０ｂ‥バンプ電極 １２‥樹脂突起 ２４‥パッド ２６‥保護膜（絶縁膜） １２１‥電子部品

Claims (10)

  1. 能動面に形成されたパッドと、前記パッドの表面に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された樹脂突起と、前記樹脂突起の表面に形成されるとともに前記パッドと電気的に接続される導電膜とを備え、前記パッドが前記導電膜を介して相手側基板に導電接続される電子部品であって、
    前記パッドに対して、複数の前記樹脂突起が形成されるとともに、前記絶縁膜は少なくとも前記樹脂突起が形成される領域よりも広い領域に形成され、前記樹脂突起間において、前記パッドと前記導電膜との間に前記絶縁膜が形成されてなることを特徴とする電子部品。
  2. 前記樹脂突起間において、前記絶縁膜の開口が形成され、前記パッドと前記導電膜とが電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
  3. 前記樹脂突起間以外の領域において、前記絶縁膜の開口が形成され、前記パッドと前記導電膜とが電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
  4. 前記樹脂突起間において、前記絶縁膜の開口が複数形成され、前記パッドと前記導電膜とが電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
  5. 前記樹脂突起は、線状に連続する突条に形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の電子部品。
  6. 前記樹脂突起は、線状に連続する突条に形成された後、前記複数の導電膜の形成領域のみに分離して形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の電子部品。
  7. 前記樹脂突起は、半球状に形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の電子部品。
  8. 電子部品が相手側基板に実装されてなる実装構造体であって、
    前記電子部品は、能動面に形成されたパッドと、前記パッドの表面に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された樹脂突起と、前記樹脂突起の表面に形成されるとともに前記パッドと電気的に接続される導電膜とを備え、
    前記パッドに対して、複数の前記樹脂突起が形成されるとともに、前記絶縁膜は少なくとも前記樹脂突起が形成される領域よりも広い領域に形成され、前記樹脂突起間において、前記パッドと前記導電膜との間に前記絶縁膜が形成され、
    前記パッドが前記導電膜を介して前記相手側基板における電気端子に導電接続されていることを特徴とする実装構造体。
  9. 請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の電子部品が、電気光学パネルを構成する基板上に実装されてなることを特徴とする電気光学装置。
  10. 請求項９に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
JP2004121645A 2004-04-16 2004-04-16 電子部品、実装構造体、電気光学装置および電子機器 Expired - Lifetime JP3873986B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004121645A JP3873986B2 (ja) 2004-04-16 2004-04-16 電子部品、実装構造体、電気光学装置および電子機器
TW094111058A TWI263251B (en) 2004-04-16 2005-04-07 Electronic component, mounted structure, electro-optical device, and electronic device
EP05252223A EP1587142A1 (en) 2004-04-16 2005-04-08 Electronic component, mounted structure, electro-optical device, and electronic device
US11/103,412 US7166920B2 (en) 2004-04-16 2005-04-11 Electronic component, mounted structure, electro-optical device, and electronic device
KR1020050030905A KR100699666B1 (ko) 2004-04-16 2005-04-14 전자 부품, 실장 구조체, 전기 광학 장치 및 전자기기
CNA2005100646058A CN1683961A (zh) 2004-04-16 2005-04-15 电子部件、安装结构体、电光装置和电子设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004121645A JP3873986B2 (ja) 2004-04-16 2004-04-16 電子部品、実装構造体、電気光学装置および電子機器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005310815A JP2005310815A (ja) 2005-11-04
JP3873986B2 true JP3873986B2 (ja) 2007-01-31

Family

ID=34940754

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004121645A Expired - Lifetime JP3873986B2 (ja) 2004-04-16 2004-04-16 電子部品、実装構造体、電気光学装置および電子機器

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7166920B2 (ja)
EP (1) EP1587142A1 (ja)
JP (1) JP3873986B2 (ja)
KR (1) KR100699666B1 (ja)
CN (1) CN1683961A (ja)
TW (1) TWI263251B (ja)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006112383A1 (ja) * 2005-04-14 2006-10-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 電子回路装置およびその製造方法
JP4221606B2 (ja) 2005-06-28 2009-02-12 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法
JP4284544B2 (ja) 2005-06-29 2009-06-24 セイコーエプソン株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP4269173B2 (ja) 2005-07-06 2009-05-27 セイコーエプソン株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP4224717B2 (ja) 2005-07-11 2009-02-18 セイコーエプソン株式会社 半導体装置
JP4645832B2 (ja) * 2005-08-02 2011-03-09 セイコーエプソン株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP4708148B2 (ja) 2005-10-07 2011-06-22 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP4305667B2 (ja) 2005-11-07 2009-07-29 セイコーエプソン株式会社 半導体装置
JP4862390B2 (ja) * 2005-12-20 2012-01-25 セイコーエプソン株式会社 電子基板の製造方法
JP4887948B2 (ja) * 2006-07-10 2012-02-29 セイコーエプソン株式会社 半導体装置及び半導体モジュール
US7514799B2 (en) * 2006-07-26 2009-04-07 Lotes Co., Ltd. Connecting structure used in a chip module
JP4273356B2 (ja) * 2007-02-21 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法
JP4572376B2 (ja) * 2007-07-30 2010-11-04 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法および電子デバイスの製造方法
JP4353289B2 (ja) 2007-08-20 2009-10-28 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス及び電子機器
TWI329221B (en) * 2007-09-04 2010-08-21 Au Optronics Corp Touch panel
JP4645635B2 (ja) * 2007-11-02 2011-03-09 セイコーエプソン株式会社 電子部品
JP4462332B2 (ja) * 2007-11-05 2010-05-12 セイコーエプソン株式会社 電子部品
TWI364146B (en) * 2008-03-27 2012-05-11 Taiwan Tft Lcd Ass Contact structure and connecting structure
TWI377632B (en) * 2008-03-27 2012-11-21 Taiwan Tft Lcd Ass Contact structure and forming method thereof and connecting structure thereof
US8421979B2 (en) * 2008-07-28 2013-04-16 Sharp Kabushiki Kaisha Display panel and display device including the same
JP2010093674A (ja) * 2008-10-10 2010-04-22 Epson Toyocom Corp 圧電デバイス及び圧電基板の製造方法
KR101185859B1 (ko) 2010-10-19 2012-09-25 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 패키지용 범프, 상기 범프를 갖는 반도체 패키지 및 적층 반도체 패키지
KR101594484B1 (ko) * 2012-11-20 2016-02-16 제일모직주식회사 이방성 도전 필름 및 반도체 장치
CN105259720B (zh) * 2015-10-23 2018-11-27 深超光电（深圳）有限公司 阵列基板以及使用该阵列基板的显示面板
KR102581793B1 (ko) 2016-09-01 2023-09-26 삼성디스플레이 주식회사 회로 기판, 이를 포함하는 표시 장치 및 회로 기판의 제조 방법

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH027435A (ja) 1988-06-25 1990-01-11 Nec Corp 金属パンプ電極を有する半導体装置
JPH02272737A (ja) * 1989-04-14 1990-11-07 Citizen Watch Co Ltd 半導体の突起電極構造及び突起電極形成方法
JPH05251455A (ja) * 1992-03-04 1993-09-28 Toshiba Corp 半導体装置
JP2809088B2 (ja) * 1994-01-31 1998-10-08 カシオ計算機株式会社 半導体装置の突起電極構造およびその突起電極形成方法
US5427382A (en) * 1994-05-09 1995-06-27 Pate; Elvis O. Repair kit for three-dimensional animal targets
US5707902A (en) * 1995-02-13 1998-01-13 Industrial Technology Research Institute Composite bump structure and methods of fabrication
TW324847B (en) * 1996-12-13 1998-01-11 Ind Tech Res Inst The structure of composite bump
JPH11233545A (ja) * 1997-11-10 1999-08-27 Citizen Watch Co Ltd 半導体装置とその製造方法
JP2003502866A (ja) * 1999-06-17 2003-01-21 インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト 軟質ボンディング部を有する電子部品およびこのような部品を製造するための方法
JP2001110831A (ja) 1999-10-07 2001-04-20 Seiko Epson Corp 外部接続突起およびその形成方法、半導体チップ、回路基板ならびに電子機器
JP4362996B2 (ja) * 2001-08-22 2009-11-11 富士ゼロックス株式会社 格子状配列構造の圧電／電歪アクチュエータ及びその製造方法
JP2003068777A (ja) 2001-08-28 2003-03-07 Sharp Corp 粘性物質転写装置および粘性物質転写方法
JP3969295B2 (ja) 2002-12-02 2007-09-05 セイコーエプソン株式会社 半導体装置及びその製造方法と回路基板及び電気光学装置、並びに電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
KR100699666B1 (ko) 2007-03-23
KR20060045689A (ko) 2006-05-17
TW200535921A (en) 2005-11-01
JP2005310815A (ja) 2005-11-04
US7166920B2 (en) 2007-01-23
US20050230773A1 (en) 2005-10-20
CN1683961A (zh) 2005-10-19
TWI263251B (en) 2006-10-01
EP1587142A1 (en) 2005-10-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3873986B2 (ja) 電子部品、実装構造体、電気光学装置および電子機器
JP3994989B2 (ja) 半導体装置、回路基板、電気光学装置および電子機器
JP4784304B2 (ja) 電子部品、電子部品の製造方法、回路基板及び電子機器
JP4165495B2 (ja) 半導体装置、半導体装置の製造方法、回路基板、電気光学装置、電子機器
JP4548459B2 (ja) 電子部品の実装構造体
KR100747960B1 (ko) 전자 부품, 전기 광학 장치 및 전자기기
US8174110B2 (en) Semiconductor device having at least two terminals among the plurality of terminals electrically connected to each other while not being adjacent to one other and not being connected to internal circuit
JP2008277646A (ja) 電気光学装置用基板、実装構造体及び電子機器
JP5169071B2 (ja) 電子部品、電子装置、電子部品の実装構造体及び電子部品の実装構造体の製造方法
JP4655052B2 (ja) 半導体装置、回路基板、電気光学装置および電子機器
JP4656191B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2007165745A (ja) 実装構造体、電気光学装置及び電子機器
JP2009049224A (ja) 半導体装置、電子モジュール及び電子機器
JP4635676B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2008219049A (ja) 半導体装置、半導体装置の製造方法、回路基板、電気光学装置、電子機器
JP2009049154A (ja) 半導体装置、実装構造体、電気光学装置、電子機器
JP5333367B2 (ja) 電気光学装置及び電子モジュール
JP2010157770A (ja) 半導体装置、回路基板、電気光学装置および電子機器
JP2008108868A (ja) 半導体装置、実装構造体、電気光学装置、電子機器、及び、電子部品の製造方法
JP2006173332A (ja) 半導体装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置を用いた電子装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060501

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060516

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060718

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060808

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060901

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20061003

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20061016

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 3873986

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091102

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101102

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101102

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111102

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111102

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121102

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121102

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131102

Year of fee payment: 7

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term