JP3828918B1 - 配線回路基板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 ベース絶縁層およびカバー絶縁層のみならず、端子部の静電気をも除去することにより、実装される部品の静電気破壊を効果的に防止することができ、しかも、半導電性層の脱離を防止することのできる、配線回路基板を提供すること。
【解決手段】 金属支持基板２の上にベース絶縁層３を形成し、ベース絶縁層３の上に導体パターン４を形成し、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４を被覆しかつ開口部８が形成されるように、カバー絶縁層５を形成することによって得られる回路付サスペンション基板１において、カバー絶縁層５によって被覆されているベース絶縁層３の上面と導体パターン４の側面および上面と、金属支持基板２に隣接するベース絶縁層３の側面とに、半導電性層７を連続して形成する。
【選択図】図２

Description

本発明は、配線回路基板およびその製造方法、詳しくは、電子部品が実装される配線回路基板、および、その配線回路基板の製造方法に関する。

フレキシブル配線回路基板や回路付サスペンション基板などの配線回路基板では、例えば、ポリイミド樹脂などからなるベース絶縁層の上に、銅箔などからなる導体パターンが形成されており、その導体パターンを被覆するように、ベース絶縁層の上に、ポリイミド樹脂などからなるカバー絶縁層が形成されている。そして、このような配線回路基板は、各種の電気機器や電子機器の分野において、広く用いられている。

また、このような配線回路基板に、電子部品を実装する場合には、その実装工程において、静電気により電子部品が破壊されることがある。
そのため、例えば、フレキシブル回路基板において、ベースフィルムあるいはカバーレイフィルムの表面に、蒸着法、スパッタリング法、無電解めっき法などにより金属層を形成して、静電気のアースまたは低減を図ることが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
特開平８−１５３９４０号公報

ところで、配線回路基板には、電子部品を実装するための端子部が、カバー絶縁層を開口して、その開口部から露出する導体パターンの露出部分として、設けられている。
そして、電子部品の実装工程においては、その端子部（つまり、導体パターンの露出部分）にも、若干の静電気が帯電する場合がある。端子部に静電気が帯電すると、やはり、実装される電子部品が静電気によって破壊されるおそれがある。

しかるに、特許文献１に記載のフレキシブル回路基板では、金属層が形成されているベースフィルムあるいはカバーレイフィルムの静電気を除去できても、端子部の静電気を除去することはできず、そのため、静電気破壊に対して敏感である電子部品の静電気破壊の防止対策としては、不十分である。
また、特許文献１に記載のフレキシブル回路基板では、金属層がベースフィルムあるいはカバーレイフィルムの表面に形成されているので、その金属層が一部脱離すると、フレキシブル回路基板から異物となって飛散するおそれがある。

本発明の目的は、ベース絶縁層およびカバー絶縁層のみならず、端子部の静電気をも除去することにより、実装される部品の静電気破壊を効果的に防止することができ、しかも、半導電性層の脱離を防止することのできる、配線回路基板を提供することにある。

上記の目的を達成するため、本発明の配線回路基板は、金属支持基板と、前記金属支持基板の上に形成されるベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成される導体パターンと、前記導体パターンから露出する前記ベース絶縁層の上に形成され、少なくとも一部が前記金属支持基板および前記導体パターンに接触している半導電性層と、前記導体パターンを被覆するように、前記ベース絶縁層の上に形成されている半導電性層の上に形成されるカバー絶縁層と、前記カバー絶縁層が開口されることにより露出される導体パターンからなる端子部とを備えていることを特徴としている。

また、本発明の配線回路基板では、前記半導電性層は、前記導体パターンの上面および側面を被覆するように、形成されていることが好適である。
また、本発明の配線回路基板では、前記半導電性層が、酸化金属層であることが好適である。
また、本発明は、金属支持基板を用意する工程と、前記金属支持基板の上面に、ベース絶縁層をパターンで形成する工程と、前記ベース絶縁層の上面に、導体パターンを形成する工程と、前記導体パターンの上面および側面と、前記導体パターンから露出する前記ベース絶縁層の上面および側面と、前記ベース絶縁層から露出する前記金属支持基板の上面とに、半導電性層を連続して形成する工程と、前記ベース絶縁層の上面に形成されている半導電性層と前記ベース絶縁層の側面に形成されている半導電性層との連続部分を含んで、前記ベース絶縁層の上面に形成されている半導電性層の表面に、前記導体パターンの上面および側面に形成されている前記半導電性層を被覆するカバー絶縁層を、前記導体パターンの上面に形成されている前記半導電性層が露出する開口部が形成されるように、形成する工程と、前記連続部分において前記ベース絶縁層の側面に形成されており、前記金属支持基板の上面に接触する前記半導電性層が残存するように、前記開口部から露出する前記半導電性層と、前記ベース絶縁層の上面に形成され、前記カバー絶縁層から露出する前記半導電性層と、前記金属支持基板の上面に形成されている前記半導電性層とを、除去する工程とを備えている、配線回路基板の製造方法を含んでいる。

また、本発明は、金属支持基板を用意する工程と、前記金属支持基板の上面に、ベース絶縁層をパターンで形成する工程と、前記ベース絶縁層の上面および側面と、前記ベース絶縁層から露出する前記金属支持基板の上面とに、半導電性層を連続して形成する工程と、前記ベース絶縁層の上面に形成されている前記半導電性層の表面に、導体パターンを形成する工程と、前記ベース絶縁層の上面に形成されている半導電性層と前記ベース絶縁層の側面に形成されている半導電性層との連続部分を含んで、前記ベース絶縁層の上面に形成されている半導電性層の表面に、前記導体パターンの上面および側面を被覆するカバー絶縁層を、前記導体パターンの上面が露出する開口部が形成されるように、形成する工程と、前記連続部分において前記ベース絶縁層の側面に形成されており、前記金属支持基板の上面に接触する前記半導電性層が残存するように、前記ベース絶縁層の上面に形成され、前記カバー絶縁層から露出する前記半導電性層と、前記金属支持基板の上面に形成されている前記半導電性層とを、除去する工程とを備えている、配線回路基板の製造方法を含んでいる。

また、本発明は、金属支持基板を用意する工程と、前記金属支持基板の上面に、ベース絶縁層をパターンで形成する工程と、前記ベース絶縁層の上面および側面と、前記ベース絶縁層から露出する前記金属支持基板の上面とに、導体薄膜を連続して形成する工程と、前記ベース絶縁層の上面に形成されている前記導体薄膜の表面に導体パターンを形成する工程と、前記導体パターンから露出する前記導体薄膜を、半導電性化処理して、半導電性層を形成する工程と、前記ベース絶縁層の上面に形成されている半導電性層と前記ベース絶縁層の側面に形成されている半導電性層との連続部分を含んで、前記ベース絶縁層の上面に形成されている半導電性層の表面に、前記導体パターンの上面および側面を被覆するカバー絶縁層を、前記導体パターンの上面が露出する開口部が形成されるように、形成する工程と、前記連続部分において前記ベース絶縁層の側面に形成されており、前記金属支持基板の上面に接触する前記半導電性層が残存するように、前記ベース絶縁層の上面に形成され、前記カバー絶縁層から露出する前記半導電性層と、前記金属支持基板の上面に形成されている前記半導電性層とを、除去する工程とを備えている、配線回路基板の製造方法を含んでいる。

本発明の配線回路基板によれば、金属支持基板、ベース絶縁層、カバー絶縁層および端子部が、静電気により帯電しても、その静電気を半導電性層によって除去することができる。そのため、実装される電子部品の静電気破壊を効果的に防止することができる。
しかも、ベース絶縁層の上に形成されている半導電性層が、カバー絶縁層によって被覆されているので、半導電性層の脱離を防止することができる。そのため、脱離した半導電性層が異物となって飛散することを防止することができる。

また、本発明の配線回路基板の製造方法によれば、上記した配線回路基板を、簡易かつ効率的に製造することができる。

図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板を示す概略平面図、図２は、図１に示す回路付サスペンション基板の長手方向に沿う部分断面図である。
図１において、この回路付サスペンション基板１は、ハードディスクドライブに搭載され、磁気ヘッドを実装して、その磁気ヘッドを、磁気ディスクとの間で相対的に走行させるときの空気流に抗して、磁気ディスクとの間に微小間隔を保持しながら支持する金属支持基板２に、磁気ヘッドとリード・ライト基板とを接続するための導体パターン４が一体的に形成されている。

なお、図１では、金属支持基板２に対する導体パターン４の相対配置を明確に示すために、後述するベース絶縁層３、カバー絶縁層５および半導電性層７を省略して示している。
導体パターン４は、磁気ヘッド側接続端子部６Ａと、外部側接続端子部６Ｂと、これら磁気ヘッド側接続端子部６Ａおよび外部側接続端子部６Ｂを接続するための配線１７とを、一体的に連続して備えている。

配線１７は、金属支持基板２の長手方向に沿って複数設けられ、幅方向（長手方向に直交する方向）において互いに間隔を隔てて並列配置されている。
磁気ヘッド側接続端子部６Ａは、金属支持基板２の先端部に配置され、各配線１７の先端部がそれぞれ接続されるように、複数設けられている。この磁気ヘッド側接続端子部６Ａには、磁気ヘッドの端子部（図示せず）が接続される。

外部側接続端子部６Ｂは、金属支持基板２の後端部に配置され、各配線１７の後端部がそれぞれ接続されるように、複数設けられている。この外部側接続端子部６Ｂには、リード・ライト基板の端子部（図示せず）が接続される。
また、金属支持基板２の先端部には、磁気ヘッドを実装するためのジンバル１８が設けられている。ジンバル１８は、磁気ヘッド側接続端子部６Ａを長手方向において挟むように、金属支持基板２を切り抜くことによって形成されている。

この回路付サスペンション基板１Ａは、図２に示すように、金属支持基板２と、金属支持基板２の上面にパターンとして形成されたベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上面に形成された導体パターン４と、導体パターン４の上面および側面を被覆するように、ベース絶縁層３の上面にパターンとして形成されたカバー絶縁層５とを備えている。また、カバー絶縁層５には、磁気ヘッド側接続端子部６Ａまたは外部側接続端子部６Ｂが配置される部分に対応して、厚さ方向を貫通する開口部８が形成されており、この開口部８から露出する導体パターン４の露出部分が、磁気ヘッド側接続端子部６Ａまたは外部側接続端子部６Ｂ（以下、総称して端子部６とする。）として設けられている。なお、図２では、磁気ヘッド側接続端子部６Ａおよび外部側接続端子部６Ｂのいずれか一方のみが示されている。

そして、この回路付サスペンション基板１Ａでは、カバー絶縁層５によって被覆されているベース絶縁層３の上面と導体パターン４の側面および上面とには、カバー絶縁層５と、ベース絶縁層３または導体パターン４との間に挟まれるように、半導電性層７が連続して形成されている。
また、この半導電性層７は、ベース絶縁層３の側面にも連続して形成されており、より具体的には、ベース絶縁層３の側面を被覆するように、ベース絶縁層３の上面から、ベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の上面に向かって連続して延び、その金属支持基板２の上面に接触している。

ベース絶縁層３の側面に形成される半導電性層７は、その表面（ベース絶縁層３に接触している内側面と反対側の外側面）が露出されるとともに、その上端面にはカバー絶縁層５が積層されており、その下端面が金属支持基板２の上面に接触している。
また、端子部６の表面には、必要に応じて、金属めっき層１１が形成されている。
次に、この回路付サスペンション基板１Ａの製造方法について、図３を参照して説明する。

この方法では、図３（ａ）に示すように、まず、金属支持基板２を用意する。金属支持基板２としては、例えば、ステンレス箔、４２アロイ箔、アルミニウム箔、銅−ベリリウム箔、りん青銅箔などが用いられる。好ましくは、ステンレス箔が用いられる。また、その厚みは、例えば、５〜１００μｍである。
次に、この方法では、図３（ｂ）に示すように、金属支持基板２の上面に、ベース絶縁層３を、例えば、金属支持基板２の上面の外周縁部が一部露出するようなパターンとして形成する。

ベース絶縁層３は、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの樹脂フィルムからなる。耐熱性の観点からは、好ましくは、ポリイミド樹脂からなる。ベース絶縁層３の厚みは、例えば、５〜５０μｍ、好ましくは、１０〜３０μｍである。

ベース絶縁層３をパターンとして形成するには、特に制限されず、公知の方法が用いられる。例えば、感光性樹脂（感光性ポリアミック酸樹脂）のワニスを、金属支持基板２の表面に塗布し、塗布されたワニスを乾燥して、ベース皮膜を形成する。次いで、ベース皮膜を、フォトマスクを介して露光した後、必要により加熱後、現像によりパターンを形成させ、その後、例えば、減圧下、２５０℃以上で加熱することにより、硬化（イミド化）させる。

次いで、この方法では、図３（ｃ）に示すように、ベース絶縁層３の上面に、導体パターン４を形成する。導体パターン４は、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などの導体からなり、好ましくは、銅からなる。また、導体パターン４を形成するには、ベース絶縁層３の上面に、例えば、サブトラクティブ法、アディティブ法などの公知のパターンニング法、好ましくは、アディティブ法によって、導体パターン４を、上記した端子部６および配線１７が一体的に形成される配線回路パターンとして形成する。

サブトラクティブ法では、まず、ベース絶縁層３の上面に、必要により接着剤層を介して導体層を積層し、次いで、この導体層の上に、配線回路パターンと同一パターンのエッチングレジストを形成し、このエッチングレジストをレジストとして、導体層をエッチングして、その後に、エッチングレジストを除去する。
また、アディティブ法では、まず、ベース絶縁層３の全面（上面および側面）に、導体薄膜１２を形成する。導体薄膜１２は、スパッタリング、好ましくは、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングにより、クロム薄膜と銅薄膜とを積層する。

次いで、この導体薄膜１２の上面に、配線回路パターンと逆パターンでめっきレジストを形成した後、めっきレジストから露出する導体薄膜１２の上面に、電解めっきにより、配線回路パターンとして導体パターン４を形成し、その後に、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の導体薄膜１２を除去する。
このようにして形成される導体パターン４では、その厚みが、例えば、３〜５０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍであり、各配線１７の幅は、例えば、１０〜２００μｍ、各配線１７間の間隔は、例えば、１０〜２００μｍである。

次いで、この方法では、図３（ｄ）に示すように、導体パターン４の上面および側面と、導体パターン４から露出するベース絶縁層３の上面および側面と、ベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の上面とに、半導電性層７を、これら各面にわたって連続して形成する。
半導電性層７は、特に制限されないが、好ましくは、１０⁵〜１０¹¹Ω／□の表面抵抗値を有する樹脂層または金属層からなり、例えば、カーボン粒子、金属粒子、酸化金属粒子などの導電性粒子が分散されている樹脂層や、酸化金属層などからなる。好ましくは、酸化金属層からなる。

酸化金属層は、例えば、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化銅、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化インジウム、酸化アルミニウム、酸化亜鉛などの金属酸化物からなる。好ましくは、酸化クロムからなる。酸化クロムは、高温高湿下においても変化の少ない、安定した表面抵抗値を有する酸化金属層を形成することができる。
なお、酸化金属層における金属の酸化度合いは、次に述べる酸化金属層の形成方法によっても異なるが、厚み方向において均一に酸化されていてもよく、また、最表面の酸化度合いが最も高く、その最表面から厚み方向内方へいくに従って、酸化度合いが低下していてもよい。

酸化金属層の形成は、特に制限されないが、例えば、金属をターゲットとしてスパッタリングした後、必要に応じて、加熱により酸化する方法、反応性スパッタリングする方法、酸化金属をターゲットとしてスパッタリングする方法などが用いられる。
金属をターゲットとしてスパッタリングした後、必要に応じて、加熱により酸化する方法では、まず、導体パターン４の上面および側面と、導体パターン４から露出するベース絶縁層３の上面および側面と、ベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の上面とに、金属をターゲットとしてスパッタリングする。

スパッタリングは、例えば、図８に示すスパッタリング装置が用いられる。すなわち、図８において、このスパッタリング装置では、真空チャンバー２１内に、ターゲット２２およびアース電極２３が互いに間隔を隔てて対向配置されている。ターゲット２２には、電源２４が接続されるとともに、プラズマエミッションモニター２５が、ターゲット２２に対してプラズマ発光可能に配置されている。なお、電源２４には、特に制限されず、パルス電源、直流電源（ＤＣ）、交流電源（ＲＦ）などが用いられる。

また、アース電極２３は、接地されるとともに、その表面に基板２６が設置されている。（ここで、基板２６は、図３（ｃ）に示す製造途中の回路付サスペンション基板１Ａであって、導体パターン４側が、ターゲット２２と対向する状態で設置されている。）
ターゲット２２には、例えば、クロム、ニッケル、銅、チタン、アルミニウム、タンタル、鉛、亜鉛、ジルコニウム、ガリウム、インジウムおよびこれらの合金などが用いられる。好ましくは、クロムが用いられる。

そして、真空チャンバー２１内に、アルゴンなどの不活性ガスを導入ガスとして導入し、電源２４から電力を印加して、プラズマエミッションモニター２５にて、プラズマの発光強度を一定に保持しながら、ターゲット２２を所定時間スパッタリングする。これによって、導体パターン４の上面および側面と、導体パターン４から露出するベース絶縁層３の上面および側面と、ベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の上面とに、スパッタリング皮膜が形成される。

なお、このような金属をターゲットとするスパッタリングのスパッタリング条件の一例を下記に示す。
到達真空度：１．３３×１０^-5〜１．３３×１０^-2Ｐａ
導入ガス流量（アルゴン）：１．２×１０^-3〜４×１０^-3ｍ³／ｈ
動作圧（導入ガス導入後の真空度）：１．３３×１０^-2〜１．３３Ｐａ
アース電極温度：１０〜１００℃
電力：１００〜２０００Ｗ
スパッタリング時間：１秒〜１５分
なお、このようなスパッタリングは、より具体的には、直流スパッタリング法、高周波スパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法あるいはこれらの複合化法などの公知のスパッタリング法が適宜選択される。

次いで、スパッタリング皮膜を、必要に応じて、加熱により酸化するには、特に制限されず、例えば、加熱炉などを用いて、大気中で加熱する。加熱温度は、例えば、５０〜４００℃、好ましくは、１００〜２５０℃であり、加熱時間は、例えば、１分〜１２時間である。これによって、図３（ｄ）に示すように、導体パターン４の上面および側面と、導体パターン４から露出するベース絶縁層３の上面および側面と、ベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の上面とに、酸化金属層からなる半導電性層７が形成される。

また、スパッタリング皮膜が、大気暴露下で自然酸化する場合には、特に加熱しなくてもよく、また、そのような場合でも、安定な酸化金属層を形成するために、加熱してもよい。
なお、この酸化金属層は、最表面の酸化度合いが最も高く、その最表面から厚み方向内方へいくに従って、酸化度合いが低下するように酸化されている。

反応性スパッタリングする方法では、上記した図８に示すスパッタリング装置において、真空チャンバー２１内に酸素を含む導入ガスを導入する以外は、上記のスパッタリング法と同様の方法が用いられる。
より具体的には、ターゲット２２として、上記したスパッタリング皮膜を形成するための金属と同様の金属を用いて、基板２６として、導体パターン４側がターゲット２２と対向するように、図３（ｃ）に示す製造途中の回路付サスペンション基板１Ａを配置する。

そして、真空チャンバー２１内に、酸素を必須としてアルゴンや窒素が任意の割合で混合された反応性ガス（例えば、Ａｒ／Ｏ₂混合ガス、Ｎ₂／Ｏ₂混合ガス）を導入ガスとして導入し、電源２４から電力を印加して、プラズマエミッションモニター２５にて、プラズマの発光強度を一定に保持しながら、ターゲット２２を所定時間スパッタリングする。
これによって、図３（ｄ）に示すように、導体パターン４の上面および側面と、導体パターン４から露出するベース絶縁層３の上面および側面と、ベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の上面とに、酸化金属層からなる半導電性層７が形成される。なお、この酸化金属層は、厚み方向において均一に酸化されている。

なお、このような反応性スパッタリングのスパッタリング条件の一例を下記に示す。
到達真空度：１．３３×１０^-5〜１．３３×１０^-2Ｐａ
導入ガス流量：Ａｒ／Ｏ₂混合ガスの場合
Ａｒ：１．２×１０^-3〜２．４×１０^-3ｍ³／ｈ
Ｏ₂ ：６×１０^-5〜３０×１０^-5ｍ³／ｈ
Ｎ₂ ／Ｏ₂混合ガスの場合
Ｎ₂ ：１．２×１０^-3〜２．４×１０^-3ｍ³／ｈ
Ｏ₂ ：６×１０^-5〜３０×１０^-5ｍ³／ｈ
動作圧（導入ガス導入後の真空度）：１．３３×１０^-2〜１．３３Ｐａ
アース電極温度：１０〜１００℃
電力：１００〜２０００Ｗ
スパッタリング時間：３秒〜１５分
酸化金属をターゲットとしてスパッタリングする方法では、上記した図８に示すスパッタリング装置において、酸化金属をターゲット２２とし、かつ、電源２４として交流電源が用いられる以外は、上記のスパッタリング法と同様の方法を用いることができる。ターゲット２２となる酸化金属としては、例えば、酸化クロム、酸化ジルコニウム、酸化ケイ素、酸化錫、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化アルミニウムなどの金属酸化物が用いられる。好ましくは、酸化クロムが用いられる。

より具体的には、ターゲット２２として、上記した酸化金属を用いて、基板２６として、導体パターン４側がターゲット２２と対向するように、図３（ｃ）に示す製造途中の回路付サスペンション基板１Ａを配置する。
そして、真空チャンバー２１内に、アルゴンなどの不活性ガスを導入ガスとして導入し、電源２４から電力を印加して、プラズマエミッションモニター２５にて、プラズマの発光強度を一定に保持しながら、ターゲット２２を所定時間スパッタリングする。これによって、図３（ｄ）に示すように、導体パターン４の上面および側面と、導体パターン４から露出するベース絶縁層３の上面および側面と、ベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の上面とに、酸化金属層からなる半導電性層７が形成される。なお、この酸化金属層は、厚み方向において均一に酸化されている。

なお、このような酸化金属をターゲットとするスパッタリングのスパッタリング条件の一例を下記に示す。
到達真空度：１．３３×１０^-5〜１．３３×１０^-2Ｐａ
導入ガス流量（アルゴン）：１．２×１０^-3〜４×１０^-3ｍ³／ｈ
動作圧（導入ガス導入後の真空度）：１．３３×１０^-2〜１．３３Ｐａ
アース電極温度：１０〜１００℃
電力：ＲＦ１００〜２０００Ｗ
スパッタリング時間：１秒〜１５分
このようにして形成された半導電性層７は、その厚みが、例えば、０．００５〜０．０５μｍ、好ましくは、０．０１〜０．０２μｍの範囲に設定される。半導電性層７の厚みがこの範囲にあると、有効な表面抵抗値を得ることができる。

また、半導電性層７の表面抵抗値は、好ましくは、１０⁵〜１０¹¹Ω／□の範囲に設定される。半導電性層７の表面抵抗値が１０⁵未満であると、実装される電子部品の誤作動を生じる場合がある。また、半導電性層７の表面抵抗値が１０¹¹を超えると、静電気破壊を防止することができない場合がある。
次いで、この方法では、図３（ｅ）に示すように、ベース絶縁層３の上面に形成されている半導電性層７の表面に、導体パターン４の上面および側面に形成されている半導電性層７を被覆するカバー絶縁層５を、次のようなパターンとして形成する。

すなわち、このカバー絶縁層５は、導体パターン４の上面に形成されている半導電性層７の表面においては、端子部６に対応して、半導電性層７が露出する開口部８が形成されるように形成する。
また、カバー絶縁層５は、ベース絶縁層３の上面に形成されている半導電性層７の表面においては、ベース絶縁層３の側面に形成されている半導電性層７との連続部分９（すなわち、ベース絶縁層３の側面に形成されている半導電性層７の上端面）にも積層されるように形成する。なお、カバー絶縁層５は、ベース絶縁層３の上面に形成されている半導電性層７の表面において、ベース絶縁層３の側面に形成されている半導電性層７と連続しない部分１０では、ベース絶縁層３の上面の端縁まで形成する必要はなく、導体パターン４の側面を被覆できるように形成すればよい。

このようなカバー絶縁層５は、ベース絶縁層３と同様の樹脂フィルムからなり、耐熱性の観点からは、好ましくは、ポリイミド樹脂からなる。カバー絶縁層５の厚みは、例えば、５〜５０μｍ、好ましくは、１０〜３０μｍである。
カバー絶縁層５をパターンとして形成するには、特に制限されず、公知の方法が用いられる。例えば、感光性樹脂（感光性ポリアミック酸樹脂）のワニスを、半導電性層７の全面に塗布し、塗布されたワニスを乾燥して、カバー皮膜を形成する。次いで、カバー皮膜を、フォトマスクを介して露光した後、必要により加熱後、現像によりパターンを形成させ、その後、例えば、減圧下、２５０℃以上で加熱することにより、硬化（イミド化）させる。

次いで、この方法では、図３（ｆ）に示すように、カバー絶縁層５の開口部８から露出する半導電性層７と、カバー絶縁層５から露出するベース絶縁層３の上面に形成されている半導電性層７と、金属支持基板２の上面に形成されている半導電性層７とを、エッチングにより除去する。
このエッチングでは、エッチングすべき半導電性層７が露出し、それ以外の部分が被覆されるように、エッチングレジストを設けて、エッチングすべき半導電性層７を、エッチング液を用いて除去した後、そのエッチングレジストを剥離により除去する。

エッチング液は、半導電性層７によって適宜選択されるが、例えば、酸化クロム層からなる場合には、フェリシアン化カリウム系、過マンガン酸カリウム系、メタケイ酸ナトリウム系、硝酸第二セリウムアンモン系、塩酸系、硫酸系、硝酸系などのエッチング液が用いられる。
また、このエッチングでは、ベース絶縁層３の側面に形成される半導電性層７が残存するようにエッチングする。ベース絶縁層３の側面に形成される半導電性層７は、その上端が連続部分９を介して、ベース絶縁層３の上面に形成されている半導電性層７に連続し、その下端が、金属支持基板２の上面におけるベース絶縁層３の周縁部と接触している。

そして、このエッチングによって、開口部８から露出する半導電性層７が除去されることにより、開口部８から導体パターン４が露出し、その導体パターン４の露出部分が、端子部６として形成される。
その後、この方法では、図３（ｇ）に示すように、端子部６の表面に、必要に応じて、金属めっき層１１を形成した後、金属支持基板２を、化学エッチングによって切り抜いて、ジンバル１８を形成するとともに、外形加工することにより、回路付サスペンション基板１Ａを得る。

金属めっき層１１は、金やニッケルなどの金属からなり、電解めっきや無電解めっきなどのめっきにより形成する。好ましくは、ニッケルおよび金を順次めっきして、ニッケル／金の多層めっき層として形成する。金属めっき層１１の厚みは、例えば、０．５〜２μｍである。
そして、このようにして得られる回路付サスペンション基板１Ａでは、導体パターン４の側面および上面と、ベース絶縁層３の上面および側面とには、半導電性層７が連続して形成されており、また、ベース絶縁層３の側面に形成されている半導電性層７の下端面が、金属支持基板２の上面に接触している。

そのため、金属支持基板２、ベース絶縁層３、カバー絶縁層５および端子部６が、静電気により帯電しても、その静電気を半導電性層７によって除去することができ、実装される電子部品の静電気破壊を効果的に防止することができる。
また、導体パターン４の側面および上面とベース絶縁層３の上面（連続部分９を含む）とに形成されている半導電性層７が、カバー絶縁層５によって被覆されているので、半導電性層７の脱離を防止することができる。そのため、脱離した半導電性層７が異物となって飛散することを防止することができる。

また、図３に示す回路付サスペンション基板１Ａの製造方法によれば、上記した回路付サスペンション基板１Ａを、簡易かつ効率的に製造することができる。
また、上記した回路付サスペンション基板１Ａでは、半導電性層７を、導体パターン４の側面および上面、ベース絶縁層３の上面、および、金属支持基板２に隣接するベース絶縁層３の側面に、連続して形成したが、例えば、図４に示す回路付サスペンション基板１Ｂのように、半導電性層７を、ベース絶縁層３の上面と、導体パターン４またはカバー絶縁層５との間と、金属支持基板２に隣接するベース絶縁層３の側面とに、連続して形成することもできる。なお、図４において、上記と同様の部材には、同様の符号を付し、その説明を省略する。

すなわち、図４において、この回路付サスペンション基板１Ｂでは、カバー絶縁層５によって被覆されているベース絶縁層３の上面と、導体パターン４が形成されているベース絶縁層３の上面とには、半導電性層７が、ベース絶縁層３と、導体パターン４またはカバー絶縁層５との間に挟まれるように、連続して形成されている。
また、この半導電性層７は、ベース絶縁層３の側面にも連続して形成されており、より具体的には、ベース絶縁層３の側面を被覆するように、ベース絶縁層３の上面から、ベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の上面に向かって連続して延び、その金属支持基板２の上面に接触している。

ベース絶縁層３の側面に形成される半導電性層７は、その表面（ベース絶縁層３に接触している内側面と反対側の外側面）が露出されるとともに、その上端面にはカバー絶縁層５が積層されており、その下端面が金属支持基板２の上面に接触している。
次に、この回路付サスペンション基板１Ｂの製造方法について、図５を参照して説明する。

この方法では、図５（ａ）に示すように、まず、上記と同様に、金属支持基板２を用意した後、図５（ｂ）に示すように、金属支持基板２の上面に、ベース絶縁層３を、例えば、金属支持基板２の上面の外周縁部が一部露出するようなパターンとして形成する。
次いで、この方法では、図５（ｃ）に示すように、ベース絶縁層３の上面および側面と、ベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の上面とに、半導電性層７を、これら各面にわたって連続して形成する。半導電性層７の形成は、上記と同様の方法が用いられる。

その後、この方法では、図５（ｄ）に示すように、ベース絶縁層３の上面に形成されている半導電性層７の表面に、導体パターン４を形成する。導体パターン４は、上記と同様に、サブトラクティブ法、アディティブ法などの公知のパターンニング法、好ましくは、アディティブ法によって、導体パターン４を、上記した端子部６および配線１７が一体的に形成される配線回路パターンとして形成する。

なお、導体パターン４を、アディティブ法によって形成する場合に、半導電性層７を酸化クロム層から形成している場合には、導体薄膜１２の形成においては、クロム薄膜を形成せずに、銅薄膜のみを形成する。
次いで、この方法では、図５（ｅ）に示すように、ベース絶縁層３の上面に形成されている半導電性層７の表面に、導体パターン４の上面および側面を被覆するカバー絶縁層５を、次のようなパターンとして形成する。

すなわち、このカバー絶縁層５は、導体パターン４の上面においては、端子部６に対応して、導体パターン４の上面が露出する開口部８が形成されるように形成する。
また、カバー絶縁層５は、ベース絶縁層３の上面に形成されている半導電性層７の表面においては、ベース絶縁層３の側面に形成されている半導電性層７との連続部分９にも積層されるように形成する。なお、カバー絶縁層５は、ベース絶縁層３の上面に形成されている半導電性層７の表面において、ベース絶縁層３の側面に形成されている半導電性層７と連続しない部分１０では、ベース絶縁層３の上面の端縁まで形成する必要はなく、導体パターン４の側面を被覆できるように形成すればよい。

なお、カバー絶縁層５の形成は、上記と同様の方法が用いられる。
また、カバー絶縁層５の開口部８から露出する導体パターン４の露出部分が、端子部６として形成される。
次いで、この方法では、図５（ｆ）に示すように、カバー絶縁層５から露出するベース絶縁層３の上面に形成されている半導電性層７と、金属支持基板２の上面に形成されている半導電性層７とを、上記と同様の方法により、エッチングにより除去する。

なお、このエッチングでは、上記と同様に、ベース絶縁層３の側面に形成される半導電性層７が残存するようにエッチングする。ベース絶縁層３の側面に形成される半導電性層７は、その上端が連続部分９を介して、ベース絶縁層３の上面に形成されている半導電性層７に連続し、その下端が、金属支持基板２の上面におけるベース絶縁層３の周縁部と接触している。

その後、この方法では、図５（ｇ）に示すように、上記と同様に、端子部６の表面に、必要に応じて、金属めっき層１１を形成した後、金属支持基板２を、化学エッチングによって切り抜いて、ジンバル１８を形成するとともに、外形加工することにより、回路付サスペンション基板１Ｂを得る。
そして、このようにして得られる回路付サスペンション基板１Ｂでは、カバー絶縁層５によって被覆されているベース絶縁層３の上面と、導体パターン４が形成されているベース絶縁層３の上面とには、半導電性層７が連続して形成されており、また、ベース絶縁層３の側面に形成されている半導電性層７の下端面が、金属支持基板２の上面に接触している。

そのため、金属支持基板２、ベース絶縁層３、カバー絶縁層５および端子部６が、静電気により帯電しても、その静電気を半導電性層７によって除去することができ、実装される電子部品の静電気破壊を効果的に防止することができる。
また、ベース絶縁層３の上面（連続部分９を含む）に形成されている半導電性層７が、導体パターン４およびカバー絶縁層５によって被覆されているので、半導電性層７の脱離を防止することができる。そのため、脱離した半導電性層７が異物となって飛散することを防止することができる。

また、図５に示す回路付サスペンション基板１Ｂの製造方法によれば、上記した回路付サスペンション基板１Ｂを、簡易かつ効率的に製造することができる。
また、図６に示す回路付サスペンション基板１Ｃのように、半導電性層７を、ベース絶縁層３の上面とカバー絶縁層５との間と、金属支持基板２に隣接するベース絶縁層３の側面とに、連続して形成することもできる。なお、図６において、上記と同様の部材には、同様の符号を付し、その説明を省略する。

すなわち、図６において、この回路付サスペンション基板１Ｃでは、カバー絶縁層５によって被覆されているベース絶縁層３の上面（導体パターン４から露出するベース絶縁層３の上面）には、半導電性層７が、導体パターン４の側面と接触し、ベース絶縁層３とカバー絶縁層５との間に挟まれるように、連続して形成されている。
また、この半導電性層７は、ベース絶縁層３の側面にも連続して形成されており、より具体的には、ベース絶縁層３の側面を被覆するように、ベース絶縁層３の上面から、ベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の上面に向かって連続して延び、その金属支持基板２の上面に接触している。

ベース絶縁層３の側面に形成される半導電性層７は、その表面（ベース絶縁層３に接触している内側面と反対側の外側面）が露出されるとともに、その上端面にはカバー絶縁層５が積層されており、その下端面が金属支持基板２の上面に接触している。
次に、この回路付サスペンション基板１Ｃの製造方法について、図７を参照して説明する。

この方法では、図７（ａ）に示すように、まず、上記と同様に、金属支持基板２を用意した後、図７（ｂ）に示すように、金属支持基板２の上面に、ベース絶縁層３を、例えば、金属支持基板２の上面の外周縁部が一部露出するようなパターンとして形成する。
次いで、この方法では、図７（ｃ）〜図７（ｆ）に示すように、ベース絶縁層３の上面に、導体パターン４を、アディティブ法により形成する。

すなわち、アディティブ法により導体パターン４を形成するには、図７（ｃ）に示すように、まず、ベース絶縁層３の上面および側面と、ベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の上面とに連続して、クロム薄膜１２ａと銅薄膜１２ｂとが順次積層されてなる導体薄膜１２を形成する。
導体薄膜１２の形成は、ベース絶縁層３の上面および側面と金属支持基板２の上面とに、連続スパッタリングにより、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングして、クロム薄膜１２ａと銅薄膜１２ｂとを順次積層する。

なお、クロム薄膜１２ａの厚みは、例えば、１００〜７００Å、好ましくは、１５０〜４００Åであり、銅薄膜１２ｂの厚みは、例えば、３００〜２０００Å、好ましくは、４００〜１０００Åである。
次いで、図７（ｄ）に示すように、上記した配線回路パターンと逆パターンでめっきレジスト１３を形成する。めっきレジスト１３は、特に制限されないが、例えば、ドライフィルムレジストを、導体薄膜１２の表面に積層した後、露光および現像することにより、配線回路パターンの反転パターンとして形成する。

次いで、図７（ｅ）に示すように、めっきレジスト１３から露出する導体薄膜１２の表面に、電解めっき、好ましくは、電解銅めっきにより、導体パターン４を、上記した端子部６および配線１７が一体的に形成される配線回路パターンとして形成する。 その後、図７（ｆ）に示すように、めっきレジスト１３を、例えば、エッチングや剥離により除去する。

次いで、この方法では、図７（ｇ）に示すように、導体パターン４から露出する（導体パターン４が形成されている部分以外の）銅薄膜１２ｂを、クロム薄膜１２ａが残存するように、エッチングにより除去する。銅薄膜１２ｂのエッチングは、例えば、硝酸水溶液や過酸化水素水などをエッチング液とするウエットエッチングが用いられる。
その後、この方法では、図７（ｈ）に示すように、銅薄膜１２ｂの除去により露出したクロム薄膜１２ａを、半導電性化処理して、酸化クロム層からなる半導電性層７を形成する。

半導電性化処理は、クロム薄膜１２ａを、加熱により酸化すればよく、より具体的には、特に制限されず、例えば、上記と同様に、加熱炉などを用いて、大気中で加熱する。加熱温度は、例えば、５０〜４００℃、好ましくは、１００〜２５０℃であり、加熱時間は、例えば、１分〜１２時間である。
これによって、図７（ｈ）に示すように、半導電性層７が、導体パターン４から露出する（導体パターン４が形成されている部分以外の）ベース絶縁層３の上面と、ベース絶縁層３の側面と、ベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の上面とに、各面にわたって連続して形成される。

次いで、この方法では、図７（ｉ）に示すように、ベース絶縁層３の上面に形成されている半導電性層７の表面に、導体パターン４の上面および側面を被覆するカバー絶縁層５を、次のようなパターンとして形成する。
すなわち、このカバー絶縁層５は、導体パターン４の上面においては、端子部６に対応して、導体パターン４の上面が露出する開口部８が形成されるように形成する。

また、カバー絶縁層５は、ベース絶縁層３の上面に形成されている半導電性層７の表面においては、ベース絶縁層３の側面に形成されている半導電性層７との連続部分９にも積層されるように形成する。なお、カバー絶縁層５は、ベース絶縁層３の上面に形成されている半導電性層７の表面において、ベース絶縁層３の側面に形成されている半導電性層７と連続しない部分１０では、ベース絶縁層３の上面の端縁まで形成する必要はなく、導体パターン４の側面を被覆できるように形成すればよい。

なお、カバー絶縁層５の形成は、上記と同様の方法が用いられる。
また、カバー絶縁層５の開口部８から露出する導体パターン４の露出部分が、端子部６として形成される。
次いで、この方法では、図７（ｊ）に示すように、カバー絶縁層５から露出するベース絶縁層３の上面に形成されている半導電性層７と、金属支持基板２の上面に形成されている半導電性層７とを、上記と同様の方法により、エッチングにより除去する。

なお、このエッチングでは、上記と同様に、ベース絶縁層３の側面に形成される半導電性層７が残存するようにエッチングする。ベース絶縁層３の側面に形成される半導電性層７は、その上端が連続部分９を介して、ベース絶縁層３の上面に形成されている半導電性層７に連続し、その下端が、金属支持基板２の上面におけるベース絶縁層３の周縁部と接触している。

その後、この方法では、図７（ｋ）に示すように、上記と同様に、端子部６の表面に、必要に応じて、金属めっき層１１を形成した後、金属支持基板２を、化学エッチングによって切り抜いて、ジンバル１８を形成するとともに、外形加工することにより、回路付サスペンション基板１Ｃを得る。
そして、このようにして得られる回路付サスペンション基板１Ｃでは、導体パターン４から露出するベース絶縁層３の上面には、半導電性層７が、導体パターン４の側面と接触するように形成されており、また、ベース絶縁層３の側面に形成されている半導電性層７の下端面が、金属支持基板２の上面に接触している。

そのため、金属支持基板２、ベース絶縁層３、カバー絶縁層５および端子部６が、静電気により帯電しても、その静電気を半導電性層７によって除去することができ、実装される電子部品の静電気破壊を効果的に防止することができる。
また、ベース絶縁層３の上面（連続部分９を含む）に形成されている半導電性層７が、カバー絶縁層５によって被覆されているので、半導電性層７の脱離を防止することができる。そのため、脱離した半導電性層７が異物となって飛散することを防止することができる。

また、図７に示す回路付サスペンション基板１Ｃの製造方法によれば、上記した回路付サスペンション基板１Ｃを、簡易かつ効率的に製造することができる。
なお、以上の説明では、本発明の配線回路基板を、回路付サスペンション基板１Ａを例示して説明したが、本発明の配線回路基板には、金属支持基板が補強層として設けられている、片面フレキシブル配線回路基板、両面フレキシブル配線回路基板、さらには、多層フレキシブル配線回路基板などが含まれる。

以下に実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例に限定されない。
実施例１
厚み２５μｍのステンレス箔からなる金属支持基板を用意して（図３（ａ）参照）、金属支持基板の上面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光した後、加熱し、その後、現像することにより、金属支持基板の上面の外周縁部が一部露出するようなパターンを形成した後、これを加熱硬化させて、厚み１０μｍのポリイミド樹脂からなるベース絶縁層を形成した（図３（ｂ）参照）。

次いで、このベース絶縁層の上面に、セミアディティブ法によって、厚み１０μｍの銅からなる導体パターンを、端子部および配線が一体的に形成される配線回路パターンとして形成した（図３（ｃ）参照）。
その後、導体パターンの上面および側面と、導体パターンから露出するベース絶縁層の上面および側面と、ベース絶縁層から露出する金属支持基板の上面とに連続して、クロムをターゲットとするスパッタリングによって、クロム薄膜からなるスパッタリング皮膜を形成した。

なお、スパッタリングは、上記と同様の方法において、下記の条件で実施した。
ターゲット：Ｃｒ
到達真空度：１．３３×１０^-3Ｐａ
導入ガス流量（アルゴン）：２．０×１０^-3ｍ³／ｈ
動作圧：０．１６Ｐａ
アース電極温度：２０℃
電力：ＤＣ１８０Ｗ
スパッタリング時間：４秒
スパッタリング皮膜の厚み：０．０１μｍ
次いで、１２５℃、１２時間、大気中で加熱することにより、クロム薄膜からなるスパッタリング皮膜の表面を酸化して、酸化クロム層からなる酸化金属層を形成した（図３（ｄ）参照）。

なお、酸化金属層が形成されていることはＥＳＣＡにて確認した。また、この酸化金属層の表面抵抗値を、表面抵抗測定装置（三菱化学（株）製、Ｈｉｒｅｓｔａ−ｕｐ ＭＣＰ−ＨＴ４５０）を用いて、温度２５℃、湿度１５％で測定したところ、１×１０⁹Ω／□であった。
その後、導体パターンの上面および側面、導体パターンから露出するベース絶縁層の上面および側面、および、金属支持基板の上面に、それぞれ形成されている半導電性層の表面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光した後、加熱し、その後、現像し加熱硬化することにより、ベース絶縁層の上面に形成されている半導電性層の表面に、導体パターンの上面および側面に形成されている半導電性層を被覆する厚み５μｍのポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層を形成した（図３（ｅ）参照）。

このカバー絶縁層は、導体パターンの上面に形成されている半導電性層の表面においては、端子部に対応して、半導電性層が露出する開口部が形成されるように形成した。
また、カバー絶縁層は、ベース絶縁層の上面に形成されている半導電性層の表面においては、ベース絶縁層の側面に形成されている半導電性層との連続部分にも積層されるように形成した。

その後、カバー絶縁層の開口部から露出する半導電性層と、カバー絶縁層から露出するベース絶縁層の上面に形成されている半導電性層と、金属支持基板の上面に形成されている半導電性層とを、エッチングした（図３（ｆ）参照）。
エッチングは、上記以外の部分をエッチングレジストで被覆した後、エッチング液として、フェリシアン化カリウムと水酸化ナトリウムとの混合水溶液を用いて、３０℃で３分間ウエットエッチングした。なお、このエッチングでは、ベース絶縁層の側面に形成される半導電性層が残存するようにエッチングした。

その後、端子部の表面に、無電解ニッケルと無電解金めっきとにより、ニッケルおよび金からなる厚み２．０μｍの金属めっき層を形成した後、金属支持基板を、化学エッチングによって切り抜いて、ジンバルを形成するとともに、外形加工することにより、回路付サスペンション基板を得た（図３（ｇ）参照）。
得られた回路付サスペンション基板は、導体パターンの側面および上面と、ベース絶縁層の上面および側面とに、半導電性層が連続して形成されており、また、ベース絶縁層の側面に形成されている半導電性層の下端面が、金属支持基板の上面に接触しており、上記した図２に示す回路付サスペンション基板１Ａに相当する。

また、得られた回路付サスペンション基板について、端子部の電荷量を、クーロンメーター（春日電器製 ＮＫ−１００１型）を用いて測定したところ、０ｎＱであった。
実施例２
厚み２５μｍのステンレス箔からなる金属支持基板を用意して（図７（ａ）参照）、金属支持基板の上面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光した後、加熱し、その後、現像することにより、金属支持基板の上面の外周縁部が一部露出するようなパターンを形成した後、これを加熱硬化させて、厚み１０μｍのポリイミド樹脂からなるベース絶縁層を形成した（図７（ｂ）参照）。

その後、ベース絶縁層の上面および側面と、ベース絶縁層から露出する金属支持基板の上面とに連続して、連続スパッタリングにより、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングして、厚み１５０Åのクロム薄膜と厚み７００Åの銅薄膜とを順次積層し、導体薄膜を形成した（図７（ｃ）参照）。
なお、連続スパッタリングは、下記の条件で実施した。
ターゲット：Ｃｒ／Ｃｕ
到達真空度：１．３３×１０^-3Ｐａ
導入ガス流量（アルゴン）：２．０×１０^-3ｍ³／ｈ
動作圧：０．１６Ｐａ
アース電極温度：２０℃
電力：ＤＣ１８０Ｗ
スパッタリング時間：４秒
次いで、ドライフィルムレジストから、配線回路パターンと逆パターンでめっきレジストを形成した後（図７（ｄ）参照）、めっきレジストから露出する導体薄膜の表面に、電解銅めっきにより、厚み１０μｍの導体パターンを、端子部および配線が一体的に形成される配線回路パターンとして形成した（図７（ｅ）参照）。

その後、めっきレジストを剥離により除去した後（図７（ｆ）参照）、導体パターンから露出する銅薄膜を、クロム薄膜が残存するように、エッチングにより除去した（図７（ｇ）参照）。エッチングは、エッチング液として、硝酸水溶液と過酸化水素水との混合水溶液を用いて、３０℃で２０秒間ウエットエッチングした。
その後、銅薄膜の除去により露出したクロム薄膜を、１２０℃、１２時間、大気中で加熱することにより、クロム薄膜の表面を酸化して、酸化クロム層からなる酸化金属層を形成した（図７（ｈ）参照）。

なお、酸化金属層が形成されていることはＥＳＣＡにて確認した。また、この酸化金属層の表面抵抗値を、表面抵抗測定装置（三菱化学（株）製、Ｈｉｒｅｓｔａ−ｕｐ ＭＣＰ−ＨＴ４５０）を用いて、温度２５℃、湿度１５％で測定したところ、１．０×１０⁸Ω／□であった。
その後、導体パターンの上面および側面と、導体パターンから露出するベース絶縁層の上面および側面に形成されている半導電性層の表面と、金属支持基板の上面に形成されている半導電性層の表面とに、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光した後、加熱し、その後、現像し加熱硬化することにより、ベース絶縁層の上面に形成されている半導電性層の表面に、導体パターンの上面および側面を被覆する厚み５μｍのポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層を形成した（図７（ｉ）参照）。

このカバー絶縁層は、導体パターンの上面においては、端子部に対応して、導体パターンが露出する開口部が形成されるように形成した。
また、カバー絶縁層は、ベース絶縁層の上面に形成されている半導電性層の表面においては、ベース絶縁層の側面に形成されている半導電性層との連続部分にも積層されるように形成した。

その後、カバー絶縁層から露出するベース絶縁層の上面に形成されている半導電性層と、金属支持基板の上面に形成されている半導電性層とを、エッチングした（図７（ｊ）参照）。
エッチングは、上記以外の部分をエッチングレジストで被覆した後、エッチング液として、フェリシアン化カリウムと水酸化ナトリウムとの混合水溶液を用いて、３０℃で３分間ウエットエッチングした。なお、このエッチングでは、ベース絶縁層の側面に形成される半導電性層が残存するようにエッチングした。

その後、端子部の表面に、無電解ニッケルと無電解金めっきとにより、ニッケルおよび金からなる厚み２．０μｍの金属めっき層を形成した後、金属支持基板を、化学エッチングによって切り抜いて、ジンバルを形成するとともに、外形加工することにより、回路付サスペンション基板を得た（図７（ｋ）参照）。
得られた回路付サスペンション基板は、導体パターンから露出するベース絶縁層の上面には、半導電性層が、導体パターンの側面と接触するように形成されており、また、ベース絶縁層の側面に形成されている半導電性層の下端面が、金属支持基板の上面に接触しており、上記した図６に示す回路付サスペンション基板１Ｃに相当する。

また、得られた回路付サスペンション基板について、端子部の電荷量を、クーロンメーター（春日電器製 ＮＫ−１００１型）を用いて測定したところ、０ｎＱであった。

本発明の配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板を示す概略平面図である。 図１に示す回路付サスペンション基板の長手方向に沿う部分断面図（回路付サスペンション基板１Ａの部分断面図）である。 図２に示す回路付サスペンション基板の製造方法を示す製造工程図であって、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、金属支持基板の上面に、ベース絶縁層をパターンとして形成する工程、（ｃ）は、ベース絶縁層の上面に、導体パターンを形成する工程、（ｄ）は、導体パターンの上面および側面と、導体パターンから露出するベース絶縁層の上面および側面と、ベース絶縁層から露出する金属支持基板の上面とに、半導電性層を形成する工程、（ｅ）は、ベース絶縁層の上面に形成されている半導電性層の表面に、導体パターンの上面および側面に形成されている半導電性層を被覆するカバー絶縁層を、パターンとして形成する工程、（ｆ）は、カバー絶縁層の開口部から露出する半導電性層と、カバー絶縁層から露出するベース絶縁層の上面に形成されている半導電性層と、金属支持基板の上面に形成されている半導電性層とを、エッチングにより除去する工程、（ｇ）は、端子部の表面に、金属めっき層を形成する工程を示す。 図１に示す回路付サスペンション基板の長手方向に沿う部分断面図（回路付サスペンション基板１Ｂの部分断面図）である。 図４に示す回路付サスペンション基板の製造方法を示す製造工程図であって、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、金属支持基板の上面に、ベース絶縁層をパターンとして形成する工程、（ｃ）は、ベース絶縁層の上面および側面と、ベース絶縁層から露出する金属支持基板の上面とに、半導電性層を形成する工程、（ｄ）は、ベース絶縁層の上面に形成されている半導電性層の表面に、導体パターンを形成する工程、（ｅ）は、ベース絶縁層の上面に形成されている半導電性層の表面に、導体パターンの上面および側面を被覆するカバー絶縁層を、パターンとして形成する工程、（ｆ）は、カバー絶縁層から露出するベース絶縁層の上面に形成されている半導電性層と、金属支持基板の上面に形成されている半導電性層とを、エッチングにより除去する工程、（ｇ）は、端子部の表面に、金属めっき層を形成する工程を示す。 図１に示す回路付サスペンション基板の長手方向に沿う部分断面図（回路付サスペンション基板１Ｃの部分断面図）である。 図６に示す回路付サスペンション基板の製造方法を示す製造工程図であって、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、金属支持基板の上面に、ベース絶縁層をパターンとして形成する工程、（ｃ）は、ベース絶縁層の上面および側面と、ベース絶縁層から露出する金属支持基板の上面とに、クロム薄膜と銅薄膜とが順次積層されてなる導体薄膜を形成する工程、（ｄ）は、配線回路パターンと逆パターンでめっきレジストを形成する工程、（ｅ）は、めっきレジストから露出する導体薄膜の表面に、導体パターンを形成する工程、（ｆ）は、めっきレジストを除去する工程、（ｇ）は、導体パターンから露出する銅薄膜を、エッチングにより除去する工程、（ｈ）は、クロム薄膜を、半導電性化処理して、酸化クロム層からなる半導電性層を形成する工程、（ｉ）は、ベース絶縁層の上面に形成されている半導電性層の表面に、導体パターンの上面および側面を被覆するカバー絶縁層を、パターンとして形成する工程、（ｊ）は、カバー絶縁層から露出するベース絶縁層の上面に形成されている半導電性層と、金属支持基板の上面に形成されている半導電性層とを、エッチングにより除去する工程、（ｋ）は、端子部の表面に、金属めっき層を形成する工程を示す。 スパッタリング装置の一実施形態を示す概略構成図である。

符号の説明

１Ａ、１Ｂ、１Ｃ 回路付サスペンション基板
２ 金属支持基板
３ ベース絶縁層
４ 導体パターン
５ カバー絶縁層
６ 端子部
７ 半導電性層
１２ 導体薄膜

Claims (6)

1. 金属支持基板と、
   前記金属支持基板の上に形成されるベース絶縁層と、
   前記ベース絶縁層の上に形成される導体パターンと、
   前記導体パターンから露出する前記ベース絶縁層の上に形成され、少なくとも一部が前記金属支持基板および前記導体パターンに接触している半導電性層と、
   前記導体パターンを被覆するように、前記ベース絶縁層の上に形成されている半導電性層の上に形成されるカバー絶縁層と、
   前記カバー絶縁層が開口されることにより露出される導体パターンからなる端子部と
   を備えていることを特徴とする、配線回路基板。
2. 前記半導電性層は、前記導体パターンの上面および側面を被覆するように、形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
3. 前記半導電性層が、酸化金属層であることを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板。
4. 金属支持基板を用意する工程と、
   前記金属支持基板の上面に、ベース絶縁層をパターンで形成する工程と、
   前記ベース絶縁層の上面に、導体パターンを形成する工程と、
   前記導体パターンの上面および側面と、前記導体パターンから露出する前記ベース絶縁層の上面および側面と、前記ベース絶縁層から露出する前記金属支持基板の上面とに、半導電性層を連続して形成する工程と、
   前記ベース絶縁層の上面に形成されている半導電性層と前記ベース絶縁層の側面に形成されている半導電性層との連続部分を含んで、前記ベース絶縁層の上面に形成されている半導電性層の表面に、前記導体パターンの上面および側面に形成されている前記半導電性層を被覆するカバー絶縁層を、前記導体パターンの上面に形成されている前記半導電性層が露出する開口部が形成されるように、形成する工程と、
   前記連続部分において前記ベース絶縁層の側面に形成されており、前記金属支持基板の上面に接触する前記半導電性層が残存するように、前記開口部から露出する前記半導電性層と、前記ベース絶縁層の上面に形成され、前記カバー絶縁層から露出する前記半導電性層と、前記金属支持基板の上面に形成されている前記半導電性層とを、除去する工程と
   を備えていることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
5. 金属支持基板を用意する工程と、
   前記金属支持基板の上面に、ベース絶縁層をパターンで形成する工程と、
   前記ベース絶縁層の上面および側面と、前記ベース絶縁層から露出する前記金属支持基板の上面とに、半導電性層を連続して形成する工程と、
   前記ベース絶縁層の上面に形成されている前記半導電性層の表面に、導体パターンを形成する工程と、
   前記ベース絶縁層の上面に形成されている半導電性層と前記ベース絶縁層の側面に形成されている半導電性層との連続部分を含んで、前記ベース絶縁層の上面に形成されている半導電性層の表面に、前記導体パターンの上面および側面を被覆するカバー絶縁層を、前記導体パターンの上面が露出する開口部が形成されるように、形成する工程と、
   前記連続部分において前記ベース絶縁層の側面に形成されており、前記金属支持基板の上面に接触する前記半導電性層が残存するように、前記ベース絶縁層の上面に形成され、前記カバー絶縁層から露出する前記半導電性層と、前記金属支持基板の上面に形成されている前記半導電性層とを、除去する工程と
   を備えていることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
6. 金属支持基板を用意する工程と、
   前記金属支持基板の上面に、ベース絶縁層をパターンで形成する工程と、
   前記ベース絶縁層の上面および側面と、前記ベース絶縁層から露出する前記金属支持基板の上面とに、導体薄膜を連続して形成する工程と、
   前記ベース絶縁層の上面に形成されている前記導体薄膜の表面に導体パターンを形成する工程と、
   前記導体パターンから露出する前記導体薄膜を、半導電性化処理して、半導電性層を形成する工程と、
   前記ベース絶縁層の上面に形成されている半導電性層と前記ベース絶縁層の側面に形成されている半導電性層との連続部分を含んで、前記ベース絶縁層の上面に形成されている半導電性層の表面に、前記導体パターンの上面および側面を被覆するカバー絶縁層を、前記導体パターンの上面が露出する開口部が形成されるように、形成する工程と、
   前記連続部分において前記ベース絶縁層の側面に形成されており、前記金属支持基板の上面に接触する前記半導電性層が残存するように、前記ベース絶縁層の上面に形成され、前記カバー絶縁層から露出する前記半導電性層と、前記金属支持基板の上面に形成されている前記半導電性層とを、除去する工程と
   を備えていることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。

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