JP3824696B2 - Photocoupler and manufacturing method thereof - Google Patents
Photocoupler and manufacturing method thereof Download PDFInfo
- Publication number
- JP3824696B2 JP3824696B2 JP3692796A JP3692796A JP3824696B2 JP 3824696 B2 JP3824696 B2 JP 3824696B2 JP 3692796 A JP3692796 A JP 3692796A JP 3692796 A JP3692796 A JP 3692796A JP 3824696 B2 JP3824696 B2 JP 3824696B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- emitting element
- island
- light emitting
- receiving element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 37
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 37
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光素子と受光素子とを樹脂で一体封止したフォトカプラの構造及び製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
発光素子及び受光素子を使用することにより光信号を介して電気信号の伝達を行う電子部品としてフォトカプラは医療機器の分野を始めとして広く利用されている。
従来のフォトカプラは、一般的な構造として、図5に示すように、発光素子21とこの発光素子21から発生された光を受光するための受光素子22がそれぞれのリード電極23、24に電気的に接続された状態で対向配置されると共に、これらの両素子21、22をリード電極23、24と共にシリコーン等の透明樹脂及びこの透明樹脂を更に包囲状に被覆する不透明樹脂25を使用して一体的に封止することにより形成されている。
【0003】
このような構造のフォトカプラは、発光素子21として、例えば、発光ダイオード(LED)が使用される一方、受光素子22としては、例えば、Siから成るフォトトランジスタが一般に用いられている。
この種のフォトカプラに用いられるLED21は、その表裏面に電極が対向状に設けられた分割型のベアチップ形状に形成されているために、不純物の導入により形成されたPN接合面は表面または裏面に平行に、即ち外周面上に終端するように、形成されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述したタイプのフォトカプラでは、LEDチップ21のPN接合面に対して直角方向にフォトトランジスタ22が設けられている。
しかし、PN接合面から成る半導体発光素子では、発光に際して、PN接合面及びその近傍にてより高い輝度の発光が生じることが知られており、チップ21の上下方向よりも外周方向(表裏面に平行な方向)により強い発光がなされることが理解される。加えて、LEDチップの表面は前述したように、一般に、上面電極としての金属層が設けられるため、やはり、上方への発光が構造的にも妨げられることになる。
【0005】
また、上記従来のフォトカプラは、LEDチップ21とフォトトランジスタ22とが上下に対向配置された構造のため、一定以上のパッケージの薄型化は困難になる。
従って、本発明の目的は、パッケージを薄型化しながらも光の伝達効率の向上を図ったフォトカプラ及びその製造方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、本発明のフォトカプラは側面に接合面が終端する発光素子と、上面に受光面が設けられた受光素子と、前記発光素子に電気的に接続された第1アイランドを有する第1リード電極と、前記受光素子に電気的に接続された前記第1アイランドと対向する第2アイランドを有する第2リード電極と、前記発光素子及び受光素子を共通に封止する透光性樹脂と、前記透光性樹脂を被覆するように封止する不透光性樹脂と、から成り、前記発光素子はその接合面が前記受光素子の上面より高く配置され、前記第2アイランドに向かって延びる前記発光素子における一つの対角線の延長線が、前記第1リード電極と平行になるように第1アイランドに固定して配置されていることを特徴とする。
【0007】
このため、本発明のフォトカプラは、従来の構造に較べて、高さ方向で約3分の2程度に薄型化することが可能になる。使用に際しては、発光素子の接合面及びその近傍から放射される高輝度の光の一部は、透光性樹脂と不透光性樹脂の界面で受光素子の上面に向けて反射され、良好な効率で赤外光を介した信号伝達を行うことができる。
【0008】
また、本発明のフォトカプラの製造方法は、側面に接合面が終端する発光素子及び上面に受光面が設けられた受光素子と並びに前記発光素子を搭載するための第1アイランドと該第1アイランドより低く、第1アイランドに対向して設けられ前記受光素子を搭載するための第2アイランドが設けられたリードフレームとを準備する工程と、前記第2アイランドに向かって延びる前記発光素子における一つの対角線の延長線が、前記第1アイランドの一辺と直交するように、前記発光素子及び前記受光素子を前記第1及び第2アイランド上にそれぞれ載置する工程と、前記発光素子と前記受光素子とを透光性樹脂で一体に封止する工程と、前記透光性樹脂を被覆するように不透光性樹脂による封止を施す工程を含むことを特徴とする。
【0009】
このため、共通のリードフレーム上に発光素子及び受光素子を搭載し及び一体的に封止することにより簡易にフォトカプラを製造でき、従来の方法のように発光素子及び受光素子を搭載するリードフレームをそれぞれ別個に形成し金型を介して相互に位置合せし樹脂封止するような煩雑な工程を回避することができる。
【0010】
【発明の実施の形態】
本発明によるフォトカプラ及びその製造方法の実施の形態について図面を参照しながら以下に詳細に説明する。本発明のフォトカプラは、図1に示すように、側面に接合面2aが終端する発光素子2と、上面に受光面3aが設けられた受光素子3と、前記発光素子2に電気的に接続された第1リード電極4と、前記受光素子3に電気的に接続された第2リード電極5と、前記発光素子2及び受光素子3を共通に封止する透光性樹脂6と、前記透光性樹脂6を被覆するように封止する不透光性樹脂7と、から成る。
【0011】
発光素子2は、例えば、GaAsの半導体基板から成り、表面電極が設けられた表面及び裏面電極が設けられた裏面に平行に拡がる接合面2aが設けられている。この接合面2aは基板の表面または裏面に対して直角に設けられた外周面上に終端している。
受光素子3は、例えば、Siの半導体基板から成り、チップ表裏面に平行に拡がるPN接合面が表面上に終端するように設けられている。
【0012】
他方、第1リード電極4及び第2リード電極5は、例えば、Fe合金から形成され、図2に平面を示すように、発光素子搭載用のアイランド4a及びこれに隣接するパッド4bを含む第1リード電極4と、受光素子搭載用のアイランド5a及びこれに隣接するパッド5bを含む第2リード電極5とから成っている。ここで、第1リード電極4及び第2リード電極5は透光性樹脂6または不透光性樹脂7により封止されるインナーリード部を有している。これらのインナーリード部はそれぞれのアイランド4a上に搭載された発光素子2の接合面2aの方が受光素子3の上面3aよりも高く位置するように折曲げ加工が施されている。
【0013】
発光素子2及び受光素子3は裏面電極にて導電性接合剤を介して第1リードアイランド4a及び第2リードアイランド5aにそれぞれ電気的に接続されている一方、表面電極にてAuワイヤを介して隣接するパッド4b、5bにそれぞれ電気的に接続されている。
これらの発光素子2及び受光素子3は、上述のように第1及び第2リード電極4、5に電気的に接続された状態で、透光性樹脂6により一体に封止され、さらに透光性樹脂6およびこれから突出したリード電極4、5を被覆するように不透光性樹脂7により封止されている。
【0014】
本発明のフォトカプラは、上述のように構成されているので、従来の構造で同様の発光及び受光素子等を用いた場合と比べて、高さ方向で約3分の2程度薄型化することができる。発光素子の接合面及びその近傍から放射される高輝度の光の一部は、図1に示す、透光性樹脂6と不透光性樹脂7の傾斜面7aを含む界面で受光素子の上面3aに向けて反射される。この場合、複数回反射して受光素子3に間接的に入射する光部分もあることも理解される。
【0015】
次に、本発明のフォトカプラの製造方法について説明する。
本発明のフォトカプラは、図2に示すように、第1及び第2リード電極4、5を含む長尺のリードフレームを使用して製造される。このリードフレームは前述のように発光素子の接合面を受光素子の上面よりも高い位置に設けるように、発光素子側のアイランド4a近傍にてリード電極部に予め
、図3(a)に示すように、屈曲による段差4cが設けられている。尚、リードフレームには、リード電極部に平行して延びる連結バー8が設けられている。
【0016】
このようなリードフレームのアイランド4a、5aに、図3(b)に示すように、受光素子2及び発光素子3をそれぞれの裏面電極にて図示しない接着剤、例えば銀ペースト、を用いて電気的接続状態で固定すると共に、Au線を介して隣接するパッド4b、5bに電気的に接続する。このような発光素子2及び受光素子3の搭載により、発光素子2はその接合面が受光素子3の上面よりも高い位置になるように位置合せされる。
【0017】
次いで、図3(c)に示すように、上型及び下型からなる金型に素子2、3を搭載したリードフレームを配置した状態で、両型間のキャビティーに透光性樹脂を注入し及びこれを冷却することにより、素子2、3が透光性樹脂6により封止された1次モールド体を形成する。
次いで、形成した1次モールド体を更に別のやはり上下型から成る金型を使用して、図3(d)に示すように、透光性樹脂体を覆うように不透光性樹脂7から成る封止を施すことにより、2次モールド体が得られる。このように形成された2次モールド体は、上述した、長尺のリードフレームを利用して形成することにより量産がより容易になる。
【0018】
このように2次モールド体を形成したら、リード電極部分にプレスによる曲げ及び切断加工並びに連結バー8の切除を施すことにより図1に示した本発明のフォトカプラが製造される。
図4に本発明の他の実施形態をの部分拡大平面を示す。
この実施形態では、上述の実施形態に対してLED素子2’を一定の角度、例えば45度、回転させてアイランド4a’上の固定したことを除けば、上述した実施形態と同様に構成される。
【0019】
このようにLED素子2’を設けることにより、図示しないフォトトランジスタに向けて効果的に発光させることができる。尚、このように構成した場合には、発生された光はフォトカプラの側方、即ち図1中紙面に直角な方向、にも比較的強く放射されることになるが、これらの側方側にも反射面7aと同様な反射面を設けフォトトランジスタ上面方向に反射させるように構成するのが望ましい。
【0020】
【発明の効果】
以上に詳細に説明したように、本発明の電子素子のパッケージ実装方法によれば、表面に内部電極が形成された凹部により画成された内部空間を有するパッケージ本体と、パッケージ本体に装着可能に形成された蓋体と、第1の接続体が表面に形成された電子素子と、を準備し、電子素子をその裏面にて蓋体に貼着し、蓋体を第2の接続体を介してパッケージ本体に載置し、次いで、第1接続体を介して電子素子を内部電極に接続すると共に蓋体を第2接続体を介してパッケージ本体に固定することから成るので、より簡易な工程でより確実な電気的接続が施されたパッケージ体を得ることができる。
【0021】
このため、本発明方法では、より簡易な工程でより確実な電気的接続が施されたパッケージ体を得ることができる。
本発明のパッケージ実装方法は、第2接続体を第1接続体と同一材料を主成分とし第1接続体を介した接続及び第2接続体を介した固定を同一の工程で行うように構成できる。
【0022】
このように構成することにより、第1接続体による接続及び第2接続体による固定のを同時に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のフォトカプラの断面図である。
【図2】本発明のフォトカプラの製造に使用するリードフレームの平面図である。
【図3】本発明のフォトカプラの主要な製造工程を示す図である。
【図4】本発明の他の実施形態を示す平面図である。
【図5】従来のフォトカプラの断面図である。
【符号の説明】
2 発光素子
2a 接合面
3 受光素子
3a 受光面
4 第1リード電極
4a 段差部
5 第2リード電極
6 透光性樹脂体
7 不透光性樹脂体[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a structure and manufacturing method of a photocoupler in which a light emitting element and a light receiving element are integrally sealed with a resin.
[0002]
[Prior art]
Photocouplers are widely used in the field of medical equipment as electronic components that transmit electrical signals via optical signals by using light emitting elements and light receiving elements.
As shown in FIG. 5, the conventional photocoupler has a general structure in which a
[0003]
In the photocoupler having such a structure, for example, a light emitting diode (LED) is used as the
The
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, in the photocoupler of the type described above, the
However, it is known that in the semiconductor light emitting device composed of the PN junction surface, light emission with higher luminance occurs at the PN junction surface and the vicinity thereof at the time of light emission. It is understood that stronger light emission is produced in the (parallel direction). In addition, since the surface of the LED chip is generally provided with a metal layer as an upper surface electrode as described above, the upward light emission is also structurally hindered.
[0005]
In addition, since the conventional photocoupler has a structure in which the
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a photocoupler and a method for manufacturing the photocoupler that improve the light transmission efficiency while reducing the thickness of the package.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-described problems, a photocoupler according to the present invention includes a light emitting element having a junction surface terminated on a side surface, a light receiving element provided with a light receiving surface on an upper surface, and a first electrically connected to the light emitting element . A first lead electrode having an island; a second lead electrode having a second island opposite to the first island electrically connected to the light receiving element; and a transparent member for sealing the light emitting element and the light receiving element in common. an optical resin, wherein the opaque resin for sealing such a light-transmitting resin covering made, said light emitting element is disposed higher than the upper surface of the bonding surface thereof is the light receiving element, the second island One diagonal extension line of the light emitting element extending toward is fixed to the first island so as to be parallel to the first lead electrode .
[0007]
For this reason, the photocoupler of the present invention can be thinned to about two-thirds in the height direction as compared with the conventional structure. In use, a part of the high-intensity light emitted from the bonding surface of the light-emitting element and its vicinity is reflected toward the upper surface of the light-receiving element at the interface between the light-transmitting resin and the light-impermeable resin, which is favorable. Signal transmission via infrared light can be performed efficiently.
[0008]
The method of manufacturing a photocoupler according to the present invention includes a light emitting element having a junction surface terminating on a side surface, a light receiving element provided with a light receiving surface on an upper surface, a first island for mounting the light emitting element, and the first island. lower, a step of second island for mounting the light receiving element disposed to face the first island to prepare a lead frame provided, one in the light-emitting element which extends toward the second island One of the extension line of the diagonal, the so as to be perpendicular to the first island side, a step of placing each said light emitting element and the light receiving element in the first and second on island, the light emitting element and the light receiving element characterized in that it comprises a step of sealing together a translucent resin bets, the step of applying sealing with opaque resin so as to cover the light-transmitting resin.
[0009]
For this reason, a photocoupler can be easily manufactured by mounting and integrally sealing a light emitting element and a light receiving element on a common lead frame, and a lead frame on which a light emitting element and a light receiving element are mounted as in the conventional method. Can be avoided separately by forming them separately, aligning them with each other through a mold, and sealing with resin.
[0010]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
With reference to the accompanying drawings, embodiments of the Photo-coupler and a manufacturing method thereof according to the present invention will be described in detail below. As shown in FIG. 1, the photocoupler according to the present invention is electrically connected to the
[0011]
The
The light receiving
[0012]
On the other hand, the first lead electrode 4 and the second lead electrode 5 are formed of, for example, an Fe alloy and, as shown in a plan view in FIG. 2, include a first light emitting
[0013]
The light-emitting
The light-emitting
[0014]
Since the photocoupler of the present invention is configured as described above, the photocoupler according to the present invention is approximately two-thirds thinner in the height direction than when a similar light emitting and receiving element is used in the conventional structure. Can do. A part of the high-intensity light emitted from the bonding surface of the light-emitting element and its vicinity is the upper surface of the light-receiving element at the interface including the
[0015]
Next, the manufacturing method of the photocoupler of this invention is demonstrated.
The photocoupler of the present invention is manufactured using a long lead frame including first and second lead electrodes 4 and 5 as shown in FIG. As shown in FIG. 3A, the lead frame is provided in advance in the lead electrode portion in the vicinity of the
[0016]
As shown in FIG. 3 (b), the
[0017]
Next, as shown in FIG. 3 (c), a translucent resin is injected into the cavity between the two molds with the lead frame having the
Next, the formed primary mold body is further separated from the
[0018]
When the secondary mold body is formed in this way, the photocoupler of the present invention shown in FIG. 1 is manufactured by bending and cutting the lead electrode portion by cutting and cutting the connecting
FIG. 4 shows a partially enlarged plane of another embodiment of the present invention.
This embodiment is configured in the same manner as the above-described embodiment except that the LED element 2 'is rotated by a certain angle, for example, 45 degrees, and fixed on the
[0019]
By providing such a LED element 2 ', it is possible to effectively emit light toward the phototransistor (not shown). Incidentally, when the above-described configuration, the side of the generated light is the Photo-coupler, i.e. 1 in the direction perpendicular to the paper surface, but would also be relatively strong radiation, these side It is desirable to provide a reflective surface similar to the
[0020]
【The invention's effect】
As described in detail above, according to the electronic device package mounting method of the present invention, the package main body having an internal space defined by the concave portion having the internal electrode formed on the surface thereof, and attachable to the package main body. A formed lid body and an electronic element having a first connection body formed on the surface thereof are prepared, the electronic element is attached to the lid body on the back surface, and the lid body is interposed via the second connection body. And then mounting the electronic element to the internal electrode via the first connection body and fixing the lid body to the package body via the second connection body. Thus, a package body with more reliable electrical connection can be obtained.
[0021]
For this reason, in the method of the present invention, it is possible to obtain a package body to which more reliable electrical connection is performed by a simpler process.
The package mounting method of the present invention is configured such that the second connection body is composed mainly of the same material as the first connection body, and the connection via the first connection body and the fixing via the second connection body are performed in the same process. it can.
[0022]
By comprising in this way, the connection by a 1st connection body and the fixation by a 2nd connection body can be performed simultaneously.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view of a photocoupler of the present invention.
FIG. 2 is a plan view of a lead frame used for manufacturing the photocoupler of the present invention.
FIG. 3 is a diagram showing main manufacturing steps of the photocoupler of the present invention.
FIG. 4 is a plan view showing another embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a cross-sectional view of a conventional photocoupler.
[Explanation of symbols]
2 Light-Emitting
Claims (3)
前記発光素子はその接合面が前記受光素子の上面より高く、前記第2アイランドに向かって延びる前記発光素子における一つの対角線の延長線が、前記第1リード電極と平行になるように第1アイランドに固定して配置されていることを特徴とするフォトカプラ。A light emitting element having a junction surface terminating on a side surface; a light receiving element having a light receiving surface on an upper surface ; a first lead electrode having a first island electrically connected to the light emitting element; A second lead electrode having a second island opposed to the first island, a translucent resin that seals the light emitting element and the light receiving element in common, and covering the translucent resin An opaque resin for sealing,
The light emitting element has a bonding surface higher than the upper surface of the light receiving element, and one diagonal extension line of the light emitting element extending toward the second island is parallel to the first lead electrode. A photocoupler characterized in that the photocoupler is fixedly disposed on the photocoupler.
前記第2アイランドに向かって延びる前記発光素子における一つの対角線の延長線が、前記第1アイランドの一辺と直交するように、前記発光素子及び前記受光素子を前記第1及び第2アイランド上にそれぞれ載置する工程と、
前記発光素子と前記受光素子とを透光性樹脂で一体に封止する工程と、
前記透光性樹脂を被覆するように不透光性樹脂による封止を施す工程を含むことを特徴とするフォトカプラの製造方法。
A light-emitting element having a junction surface terminating on a side surface, a light-receiving element having a light-receiving surface on an upper surface, a first island for mounting the light-emitting element, and lower than the first island, provided opposite to the first island. Preparing a lead frame provided with a second island for mounting the light receiving element ;
The light emitting element and the light receiving element are respectively disposed on the first and second islands such that one diagonal extension line of the light emitting element extending toward the second island is orthogonal to one side of the first island. A process of placing ;
A step of integrally sealing the light emitting element and the light receiving element with a translucent resin ;
A method for producing a photocoupler, comprising a step of sealing with a non-translucent resin so as to cover the translucent resin.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3692796A JP3824696B2 (en) | 1996-02-23 | 1996-02-23 | Photocoupler and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3692796A JP3824696B2 (en) | 1996-02-23 | 1996-02-23 | Photocoupler and manufacturing method thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09232623A JPH09232623A (en) | 1997-09-05 |
JP3824696B2 true JP3824696B2 (en) | 2006-09-20 |
Family
ID=12483400
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3692796A Expired - Fee Related JP3824696B2 (en) | 1996-02-23 | 1996-02-23 | Photocoupler and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3824696B2 (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW418422B (en) * | 1998-05-20 | 2001-01-11 | Rohm Co Ltd | Reflection-type sensor |
KR100844630B1 (en) * | 2006-03-29 | 2008-07-07 | 산요덴키가부시키가이샤 | Semiconductor devices |
CN107845612A (en) * | 2017-11-28 | 2018-03-27 | 无锡豪帮高科股份有限公司 | A kind of secondary encapsulation integrates the structure and its method of photoelectric coupled circuit |
-
1996
- 1996-02-23 JP JP3692796A patent/JP3824696B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH09232623A (en) | 1997-09-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4794431A (en) | Package for photoactivated semiconductor device | |
JP4174823B2 (en) | Semiconductor light emitting device | |
CN100423276C (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP2007287713A (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
US7126163B2 (en) | Light-emitting diode and its manufacturing method | |
JPH0918058A (en) | Semiconductor light-emitting device | |
JPS62229883A (en) | Photo interrupter | |
JP2003017756A (en) | Light emitting diode | |
JPS61228681A (en) | Light coupling semiconductor device | |
JP4117868B2 (en) | Optical coupling element | |
JP3824696B2 (en) | Photocoupler and manufacturing method thereof | |
US20240113093A1 (en) | Insulation module | |
JP3256951B2 (en) | Light emitting diode | |
JP2921451B2 (en) | Semiconductor light emitting module | |
JPH098360A (en) | Light emitting diode | |
JPH11177146A (en) | Semiconductor light emitting element | |
JP2512626Y2 (en) | Resin-sealed optical semiconductor device | |
JP4301588B2 (en) | Photocoupler device | |
JP4475726B2 (en) | Photo coupler | |
JPH0651001Y2 (en) | Optical coupling element | |
KR100692779B1 (en) | Integrated Circuit Board Image Sensor Package | |
US20020063257A1 (en) | Flat package for semiconductor diodes | |
JPS6028140Y2 (en) | optical coupler | |
JPH0521833A (en) | Photocoupler | |
JPH0927635A (en) | Surface mount type photo reflector and photo interrupter |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040726 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051004 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060314 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060508 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060627 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060628 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090707 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120707 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |