JP3780100B2 - 加工性に優れた透明導電膜 - Google Patents
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- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 9
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 204
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 35
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 28
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 27
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 24
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 22
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 21
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 21
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 19
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 11
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 11
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 5
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005280 amorphization Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、加工性に優れた透明導電膜に関し、特には、薄膜トランジスター型液晶ディスプレイの表示電極用透明電極として好適な加工性に優れた透明導電膜に関する技術分野に属する。
【０００２】
【従来の技術】
低電気抵抗で、高い可視光透過率を有する透明導電膜は、フラットディスプレイの透明電極、太陽電池の透明電極、タッチパネル等の多くの分野で利用されている。
【０００３】
中でも、液晶ディスプレイ；Liquid Crystal Display（以降、ＬＣＤという）は軽量、薄型、高解像度の表示装置としてパーソナルコンピュータやディスプレイ機器に盛んに利用されており、ＬＣＤ用の透明電極として透明導電膜は不可欠である。
【０００４】
かかるＬＣＤの画面表示は、液晶分子の配置を印加電圧によって制御し、バックライトから画面への透過光の光量を調節することにより、行われている。従って、液晶を駆動するために、低電気抵抗であり、また、可視光領域で高い透過率を有する透明導電膜が利用される。現在、ＬＣＤの透明電極として用いられる透明導電膜は、Snを添加したIn2O3(;Indium Tin Oxide)（以降ＩＴＯという）である。
【０００５】
ところで、液晶表示のためには画素を形成する必要があり、画素に応じて透明電極もエッチングによるパターン形成が必要である。例えば、単純マトリックス型ＬＣＤでは、透明電極が配線と画素電極を兼ねており、画素幅に応じたパターン形成が必要であり、アクティブマトリックス型ＬＣＤでは、画素ごとに独立した画素電極が必要であり、画素の大きさに対応した微細なパターニングが必要である。ここで、画素電極としての透明導電膜には、10μm 以下の加工精度、将来的には１μm 程度の加工ができることが要求される。透明導電膜の加工方法は、硝酸、塩酸、塩酸と硝酸の混酸、フッ酸、塩化第二鉄水溶液、或いは、これらの混合液に酸化剤を加えたもの等のエッチング液によりウェットエッチングする方法が主流である。
【０００６】
しかしながら、通常のマグネトロンスパッタリング法で成膜されたＩＴＯはエッチングが容易でない。即ち、ＩＴＯは通常マグネトロンスパッタリング法で成膜されるが、成膜されるＩＴＯの低抵抗化を実現するために、成膜の際に基板が200 ℃程度に加熱され、この際にＩＴＯは結晶化する。この結晶化したＩＴＯ膜はエッチングされ難く、エッチングが容易でない。
【０００７】
従って、エッチングパターン形成の効率を上げるためには、エッチングの容易な透明導電膜、即ち、加工性に優れた透明導電膜を開発することが重要である。
【０００８】
かかるエッチングの容易な透明導電膜としては、ＩＴＯの非晶質膜（ここで非晶質膜とはＸ線回折パターンで最大ピークの半値幅が５度以上の幅をもつものをいう）があげられる。そのため、より容易にエッチングが可能な非晶質ＩＴＯ膜から透明電極を形成する試みがなされており、かかる非晶質ＩＴＯ膜の成膜方法が検討されている。例えば、特開平4-48516 号公報には、ＩＴＯを低温で成膜することにより非晶質なＩＴＯ膜を形成する方法が開示され、又、特開平3-64450 号公報には、スパッタリングガス中に水素等のガスを導入して成膜する方法が開示されている。
【０００９】
しかしながら、上記の如き低温で成膜したＩＴＯは、電気抵抗率が上昇して高くなると共に、可視光透過率も減少して低いなどの欠点がある。又、スパッタリングガス中に水素等のガスを導入して成膜する方法においては、充分なスパッタリングレートが得られないなどの問題点がある。
【００１０】
今後、高精細化が進むＬＣＤにおいてエッチングの容易な透明導電膜の開発が不可欠であり、そのため、低電気抵抗率及び高可視光透過率を有すると共に、エッチングが容易で加工性に優れた透明導電膜の開発が望まれている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はこの様な事情に着目してなされたものであって、その目的は、低電気抵抗率及び高可視光透過率を有すると共に、エッチングが容易で加工性に優れ、ＬＣＤの高精細化に対応可能な非晶質の透明導電膜を提供しようとするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明に係る透明導電膜は、請求項１記載の透明導電膜としており、それは次のような構成としたものである。即ち、請求項１記載の透明導電膜は、Inの酸化物を主成分とする透明導電膜であって、GeをGe量とIn量の合計に対して4.4 〜6.1 原子％含有し、且つ膜の構造が非晶質であって、当該透明導電膜に含まれる成分はGe、In、Ｏと不可避的不純物よりなることを特徴とする加工性に優れた透明導電膜である（第１発明）。
【００１３】
請求項２記載のものは、請求項１記載の透明導電膜を透明電極として用いていることを特徴とする液晶ディスプレイである（第２発明）。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明に係る透明導電膜は、例えばスパッタリング法により次のようにして成膜することができる。即ち、スパッタリング装置内に基板を配置し、一方、スパッタリングターゲットとして例えば In2O3ターゲット上にGeのチップを設置した複合ターゲットを配置し、酸素ガスを含む不活性ガス雰囲気中で、前記基板を加熱した状態にしてから、この基板と前記複合ターゲットとの間に電界を印加することにより、基板上にGeを含有するIn2O3 よりなる透明導電膜を形成（成膜）することができる。このとき、膜中のGe含有量、成膜温度（基板の加熱温度）、不活性ガス雰囲気中の酸素分圧、成膜速度等の成膜条件によって成膜される透明導電膜の構造が非晶質となる。そうすると、Inの酸化物を主成分とする透明導電膜であって、Geを含有して膜の構造が非晶質である透明導電膜、即ち、本発明に係る透明導電膜を得ることができる。尚、上記複合ターゲットでの In2O3ターゲットとGeチップの表面積比率を変えることにより、Ge含有量を変化させることができる。
【００１５】
本発明者等はスパッタリング法により種々の組成の透明導電膜を形成し、その組成、構造、及び、透明導電膜としての特性を調べた。その結果、Inの酸化物を主成分とする透明導電膜であって、Geを含有するもの、或いは、Ge及びSnを含有するものは、非晶質膜となり、そのためにエッチングが容易で加工性に優れていることを見出し、又、0.01Ωcm以下の低電気抵抗率を有すると共に80％以上の高可視光透過率を有し、ＬＣＤの透明電極として好適であることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１６】
この詳細を以下説明する。
【００１７】
従来、透明導電膜として用いられたＩＴＯ、即ち、SnをドープしたIn2O3 の導電機構は次の通りである。即ち、In2O3 中の酸素欠陥とSnが複合欠陥を形成し、キャリア電子を放出する。そのため、ＩＴＯのキャリア密度を上げるためには適当な量の酸素欠陥が必要である。しかし、酸素欠陥が増加するとキャリア移動度が低下する。従って、電気抵抗率を最小にするためには適量の酸素欠陥を膜中に残してやる必要がある。
【００１８】
又、InとSnは原子番号が隣同士の原子であり、原子半径はそれぞれ1.44Å、1.41Åと極めて近い値である。そのため、InとSnが置換されても、結晶のひずみは小さい。従って、スパッタリング法で成膜した膜は結晶質になりやすい性質を有している。
【００１９】
上記の如き性質を有するＩＴＯに対して、非晶質膜、低電気抵抗膜、あるいは高透過率膜を成膜するには、次のような成膜方法が適当であり、かかる成膜方法を採用する必要があった。即ち、非晶質膜を得るためには低温で成膜する必要がある。低電気抵抗の膜を得るためには高温で、かつ、適当な酸素分圧下、例えば0.0005〜0.002mTorr程度で成膜する必要がある。又、高透過率膜を得るためには高温で、かつ、高酸素分圧下で成膜する必要がある。
【００２０】
ＩＴＯ膜の膜質と成膜方法には以上のような関係が存在するため、低電気抵抗で、且つ高透過率を有する非晶質膜を成膜するのは、困難であり、不可能であった。例えば、非晶質にするためには低温成膜する必要があるが、低温成膜すると電気抵抗が高くなると共に、透過率が減少する。又、透過率も高くするために高酸素分圧下での成膜を行うと、さらに電気抵抗率が上昇する。このように、ＩＴＯによって低電気抵抗で、且つ高透過率の非晶質透明導電膜を得ることは困難であり、不可能であった。
【００２１】
そこで、本発明者等はSnとは異なる元素の添加によるIn2O3 膜の非晶質化について研究した。その結果、ある一定の成膜条件下では、Geの添加がIn2O3 膜の非晶質化に有効であり、しかも膜の電気抵抗率及び透過率を損なわないことを見出した。
【００２２】
即ち、Geを添加したIn2O3 膜（Ge添加In2O3 膜）のキャリア電子は、In2O3 膜の酸素欠陥とは関係なく、Geが直接放出した電子が主体となっいること、そのため酸素欠陥の量を自由に変化させても膜の電気抵抗率が大きく変化せず、酸素欠陥の量を減少させても電気抵抗率は上昇しないこと、そのため電気抵抗率を損うことなく酸素欠陥の量を減少させることができ、それにより高透過率を得ることができることを見出した。
【００２３】
又、Geの原子半径は1.22Åと小さく、酸化インジウム（:In2O3）との格子を組む場合に結晶構造にひずみを生じさせる。そのため、一定量のGeを添加し、成膜条件を制御すれば容易に結晶構造が崩れて、非晶質の膜となる。その結果、従来のSn添加In2O3 では容易に成膜できなかった非晶質膜が、Ge添加In2O3 膜では成膜可能となり、加熱基板上でも（即ち、低温成膜しなくても）非晶質膜が得られることがわかった。そして、かかる非晶質膜はエッチングが容易で加工性に優れていることが確認された。
【００２４】
本発明は以上のような知見に基づき完成されたものであり、本発明に係る透明導電膜は、Inの酸化物を主成分とする透明導電膜であって、Geを含有して膜の構造が非晶質であるようにしている。従って、本発明に係る透明導電膜は、低電気抵抗率及び高可視光透過率を有すると共に、エッチングが容易で加工性に優れている。
【００２５】
ところで、Ge添加In2O3 膜自体やGe添加ＩＴＯ膜自体は、従来より知られている。例えば、特開昭62-202415 号公報には400 ℃の成膜条件でGe添加ＩＴＯ膜を成膜する技術が開示されている。しかしながら、この公報に記載のGe添加ＩＴＯ膜は膜欠陥の解消等をはかるものであり、本発明の場合の如きエッチング性（即ち加工性）の向上を意図するものではなく、この公報には膜を非晶質にすることやエッチング性の向上をはかることは何も記載がなく、又、Ge添加により膜を非晶質にし得ることは全く記載されていない。
【００２６】
上記公報に記載のGe添加ＩＴＯ膜の如く単にGeを添加するだけでは非晶質の膜とはし得ず、又、上記の如き400 ℃の成膜条件では非晶質のGe添加ＩＴＯ膜は得られない。本発明の場合のように非晶質の膜にすることによってエッチングが容易になる。故に、上記公報に記載のGe添加ＩＴＯ膜はエッチングが容易であるとはいえない。
【００２７】
このように単にGeを添加するだけでは非晶質の膜とはし得ず、エッチングが容易な膜を得ることはできない。非晶質膜を得るには、Geを添加するだけでなく、適当な成膜条件で成膜する必要がある。
【００２８】
しかも、低電気抵抗率及び高可視光透過率を有すると共に、エッチングが容易で加工性に優れた非晶質膜を得るには、Geを添加するだけでなく、さらに適当な成膜条件で成膜する必要があり、又、Geの添加量を選定することが望ましい。この成膜条件及びGeの添加量等の詳細を以下説明する。
【００２９】
成膜温度を100 〜300 ℃にし、Geの添加量をGe量とIn量の合計に対して２〜12原子％にし、酸素分圧を0.02mTorr 以上にして成膜すると、電気抵抗率が0.01Ωcm以下であり、可視光透過率が膜厚1000Å以上の膜に対しても80％以上である非晶質の透明導電膜を成膜し得る。このとき、成膜速度を45Å／ｓ以下にすることにより非晶質の透明導電膜を成膜し得る。即ち、成膜温度を100 〜300 ℃、雰囲気ガス中の酸素分圧を0.02mTorr 以上にすると共に成膜速度を45Å／ｓ以下にして、Ge量とIn量の合計に対してのGeの添加量（以下、Ge添加量という）：２〜12原子％の膜を成膜すると、電気抵抗率が0.01Ωcm以下であり、可視光透過率が膜厚1000Å以上の膜に対しても80％以上である非晶質の透明導電膜を得ることができる。
【００３０】
この際、成膜温度を100 ℃未満、Ge添加量を２原子％未満にすると、Geによるキャリア電子放出による電気抵抗率の低下が充分でなく、電気抵抗率が0.01Ωcm超となる。成膜温度を100 ℃未満、Ge添加量を12原子％超にすると、容易に非晶質Ge添加In2O3 膜が得られるものの、可視光透過率が80％未満になる。
【００３１】
成膜温度を300 ℃超にすると、電気抵抗率：0.01Ωcm以下の膜を得るのは容易となるものの、非晶質化が難しく、可視光透過率：80％以上を満たすGe添加量：12原子％以下の条件では非晶質化しない。又、Ge添加量：12原子％超では可視光透過率が80％未満になる。
【００３２】
酸素分圧を0.02mTorr 未満にすると、可視光透過率が80％未満に減少する。即ち、可視光透過率：80％以上の非晶質膜を成膜するには、酸素分圧を0.02mTorr 以上にする必要がある。
【００３３】
このように、Ge添加In2O3 膜においては、従来のＩＴＯ膜の成膜の際の酸素分圧（：0.002mTorr）に比べて10倍以上高い高酸素分圧下（：0.02mTorr 以上）で成膜しても電気抵抗率が減少しない性質を有するため、電気抵抗率の増大を懸念することなく、高酸素分圧下で成膜することができ、そのため、かかる高酸素分圧下で成膜することにより、電気抵抗率の増加を来すことなく低電気抵抗率を維持した状態で、高可視光透過率の非晶質膜を成膜することが可能となる。即ち、成膜温度：100 〜300 ℃、Ge添加量：２〜12原子％、酸素分圧：0.02mTorr 以上の条件で、電気抵抗率を維持したまま、可視光透過率：80％以上の非晶質膜を成膜することが可能となる。
【００３４】
Ge添加量：２〜12原子％のGe添加In2O3 膜へSnを添加した場合、Snは電気抵抗率を上昇させる方向に働き、Snの含有量がSn量とIn量の合計に対して４原子％以上の場合に電気抵抗率が0.01Ωcm以上になる。Snの含有量が５原子％以下では非晶質化には影響がない。
【００３５】
本発明に係る非晶質の透明導電膜及び従来の透明導電膜であるＩＴＯ膜についてのエッチング特性の調査結果の例を以下説明する。尚、透明導電膜のエッチング特性はエッチング液の種類によって著しく異なっている。この調査では、最も単純なエッチング液の一つである60％硝酸をエッチング液として用い、エッチング速度を測定した。
【００３６】
本発明に係る非晶質の透明導電膜において、成膜温度：200 ℃の条件で成膜されたものはエッチング速度：200 〜750 Å／min であった。これに対し、従来の透明導電膜であるＩＴＯ膜では、成膜温度：200 ℃の条件で成膜されたものは60％硝酸ではエッチングが不可能であり、成膜温度：20℃の条件で成膜されたものはエッチング速度：80Å／min であった。このように、本発明に係る非晶質の透明導電膜は従来の透明導電膜であるＩＴＯ膜よりも、エッチング特性（加工性）が格段に優れている。
【００３７】
このように本発明に係る非晶質の透明導電膜は優れた特性を有するので、ＬＣＤや太陽電池の透明電極として好適に用いることができる。
【００３８】
【実施例】
〔参考例１（実験例１）〕
スパッタリングターゲットとして、 In2O3ターゲット（純度 99.95％）上にGeのチップ（純度 99.99％）或いはGeO2チップ（純度99.9％）と、Snのチップ（純度99.99 ％）或いはSnO2チップ（純度99.9％）とを所定量設置した複合ターゲット、又は、GeとSnとを所定量含有するIn2O3 ターゲットを用い、ガラス基板（コーニング社製＃7059）上に透明導電膜を形成（成膜）した。このときの成膜条件は下記の通りである。
【００３９】
基板温度（成膜温度）----200 ℃
雰囲気ガス--------------2.0 ％O2含有Ar
雰囲気ガス圧------------２mTorr
電力--------------------3.0 Ｗ／cm2
成膜速度----------------40Å／sec
【００４０】
上記成膜により得られた透明導電膜についてＸ線回折装置でＸ線回折パターンを測定した。その結果であるＸ線回折図を図１に示す。膜の構造は非晶質であることがわかる。
【００４１】
また、４端子（探針）法により比抵抗（電気抵抗率）を測定し、自記分光光度計で可視光透過率を測定した。又、60％硝酸を用いてエッチングし、エッチング速度を測定した。これらの結果を表１に示す。
【００４２】
〔実施例２（実験例２）〕
スパッタリングターゲットとして、 In2O3ターゲット（純度 99.95％）上にGeのチップ（純度 99.99％）或いはGeO2チップ（純度99.9％）を所定量設置した複合ターゲット、又は、Geを所定量含有するIn2O3 ターゲットを用い、ガラス基板上に透明導電膜を形成した。このときの成膜条件は下記の通りである。
【００４３】
基板温度（成膜温度）----200 ℃
雰囲気ガス--------------2.0 ％O2含有Ar
雰囲気ガス圧------------２mTorr
電力--------------------4.5 Ｗ／cm2
成膜速度----------------25Å／sec
【００４４】
上記成膜により得られた透明導電膜について実験例１の場合と同様の方法によりＸ線回折パターンを測定した。その結果であるＸ線回折図を図１に示す。膜の構造は非晶質であることがわかる。
【００４５】
また、実験例１の場合と同様の方法により、比抵抗（電気抵抗率）、可視光透過率、及び、エッチング速度を測定した。これらの結果を表１に示す。
【００４６】
〔実施例３（実験例３）〕
実施例２の場合と同様のスパッタリングターゲットを用い、同様のガラス基板上に透明導電膜を形成した。このときの成膜条件は下記の通りである。
【００４７】
基板温度（成膜温度）----200 ℃
雰囲気ガス--------------2.0 ％O2含有Ar
雰囲気ガス圧------------４mTorr
電力--------------------4.5 Ｗ／cm2
成膜速度----------------25Å／sec
【００４８】
上記成膜により得られた透明導電膜について実験例１の場合と同様の方法によりＸ線回折パターンを測定した。その結果であるＸ線回折図を図１に示す。膜の構造は非晶質であることがわかる。
【００４９】
また、実験例１の場合と同様の方法により、比抵抗（電気抵抗率）、可視光透過率、及び、エッチング速度を測定した。これらの結果を表１に示す。
【００５０】
〔参考例４（実験例４）〕
実施例２の場合と同様のスパッタリングターゲットを用い、同様のガラス基板上に透明導電膜を形成した。このときの成膜条件は下記の通りである。
【００５１】
基板温度（成膜温度）----200 ℃
雰囲気ガス--------------2.0 ％O2含有Ar
雰囲気ガス圧------------２mTorr
電力--------------------4.5 Ｗ／cm2
成膜速度----------------40Å／sec
【００５２】
上記成膜により得られた透明導電膜について実験例１の場合と同様の方法によりＸ線回折パターンを測定した。その結果であるＸ線回折図を図１に示す。膜の構造は非晶質であることがわかる。
【００５３】
また、実験例１の場合と同様の方法により、比抵抗（電気抵抗率）、可視光透過率、及び、エッチング速度を測定した。これらの結果を表１に示す。
【００５４】
〔参考例５（実験例５）〕
実施例２の場合と同様のスパッタリングターゲットを用い、同様のガラス基板上に透明導電膜を形成した。このときの成膜条件は下記の通りである。
【００５５】
基板温度（成膜温度）----300 ℃
雰囲気ガス--------------4.0 ％O2含有Ar
雰囲気ガス圧------------0.5mTorr
電力--------------------4.5 Ｗ／cm2
成膜速度----------------25Å／sec
【００５６】
上記成膜により得られた透明導電膜について実験例１の場合と同様の方法によりＸ線回折パターンを測定した。その結果であるＸ線回折図を図１に示す。膜の構造は非晶質であることがわかる。
【００５７】
また、実験例１の場合と同様の方法により、比抵抗（電気抵抗率）、可視光透過率、及び、エッチング速度を測定した。これらの結果を表１に示す。
【００５８】
〔実施例６（実験例６）〕
実施例２の場合と同様のスパッタリングターゲットを用い、同様のガラス基板上に透明導電膜を形成した。このときの成膜条件は下記の通りである。
【００５９】
基板温度（成膜温度）----100 ℃
雰囲気ガス--------------2.0 ％O2含有Ar
雰囲気ガス圧------------３mTorr
電力--------------------4.5 Ｗ／cm2
成膜速度----------------40Å／sec
【００６０】
上記成膜により得られた透明導電膜について実験例１の場合と同様の方法によりＸ線回折パターンを測定した。その結果であるＸ線回折図を図１に示す。膜の構造は非晶質であることがわかる。
【００６１】
また、実験例１の場合と同様の方法により、比抵抗（電気抵抗率）、可視光透過率、及び、エッチング速度を測定した。これらの結果を表１に示す。
【００６２】
【００６３】
【００６４】
【００６５】
【００６６】
〔比較例１（実験例８）〕
スパッタリングターゲットとして、 In2O3ターゲット（純度 99.95％）上にSnのチップ（純度 99.99％）或いはSnO2チップ（純度99.9％）を所定量設置した複合ターゲット、又は、Snを所定量含有するIn2O3 ターゲットを用い、ガラス基板上に透明導電膜を形成した。このときの成膜条件は下記の通りである。
【００６７】
基板温度（成膜温度）----200 ℃
雰囲気ガス--------------0.1 ％O2含有Ar
雰囲気ガス圧------------１mTorr
電力--------------------2.0 Ｗ／cm2
成膜速度----------------12Å／sec
【００６８】
上記成膜により得られた透明導電膜について実験例１の場合と同様の方法によりＸ線回折パターンを測定した。その結果であるＸ線回折図を図１に示す。膜の構造は非晶質ではなく、結晶質であることがわかる。
【００６９】
また、実験例１の場合と同様の方法により、比抵抗（電気抵抗率）、可視光透過率、及び、エッチング速度を測定した。これらの結果を表１に示す。
【００７０】
〔比較例２（実験例９）〕
比較例１の場合と同様のスパッタリングターゲットを用い、同様のガラス基板上に透明導電膜を形成した。このときの成膜条件は下記の通りである。
【００７１】
基板温度（成膜温度）----20℃
雰囲気ガス--------------0.1 ％O2含有Ar
雰囲気ガス圧------------１mTorr
電力--------------------2.0 Ｗ／cm2
成膜速度----------------12Å／sec
【００７２】
上記成膜により得られた透明導電膜について実験例１の場合と同様の方法によりＸ線回折パターンを測定した。その結果、膜の構造は非晶質ではなく、結晶質であることが確認された。
【００７３】
また、実験例１の場合と同様の方法により、比抵抗（電気抵抗率）、可視光透過率、及び、エッチング速度を測定した。これらの結果を表１に示す。
【００７４】
〔比較例３（実験例10）〕
実施例２の場合と同様のスパッタリングターゲットを用い、同様のガラス基板上に透明導電膜を形成した。このときの成膜条件は下記の通りである。
【００７５】
基板温度（成膜温度）----20℃
雰囲気ガス--------------2.0 ％O2含有Ar
雰囲気ガス圧------------１mTorr
電力--------------------2.0 Ｗ／cm2
成膜速度----------------25Å／sec
【００７６】
上記成膜により得られた透明導電膜について実験例１の場合と同様の方法によりＸ線回折パターンを測定した。その結果、膜の構造は非晶質ではなく、結晶質であることが確認された。
【００７７】
また、実験例１の場合と同様の方法により、比抵抗（電気抵抗率）、可視光透過率、及び、エッチング速度を測定した。これらの結果を表１に示す。
【００７８】
〔比較例４（実験例11）〕
実施例２の場合と同様のスパッタリングターゲットを用い、同様のガラス基板上に透明導電膜を形成した。このときの成膜条件は下記の通りである。
【００７９】
基板温度（成膜温度）----20℃
雰囲気ガス--------------2.0 ％O2含有Ar
雰囲気ガス圧------------１mTorr
電力--------------------2.0 Ｗ／cm2
成膜速度----------------25Å／sec
【００８０】
上記成膜により得られた透明導電膜について実験例１の場合と同様の方法によりＸ線回折パターンを測定した。その結果、膜の構造は非晶質であることが確認された。
【００８１】
また、実験例１の場合と同様の方法により、比抵抗（電気抵抗率）、可視光透過率、及び、エッチング速度を測定した。これらの結果を表１に示す。
【００８２】
【表１】
【００８３】
【発明の効果】
本発明に係る透明導電膜は、以上の如き構成を有し作用をなすものであり、低電気抵抗率及び高可視光透過率を有すると共に、エッチングが容易で加工性に優れた非晶質の透明導電膜であり、そのため、薄膜トランジスター型液晶ディスプレイの表示電極用等の透明電極として好適に用いることができ、特には今後の液晶ディスプレイの高精細化、大型化、カラー化等の高機能化及び品質向上を図ることができるという顕著な効果を奏し得る。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施例及び比較例に係る透明導電膜並びに基板のガラスについてのＸ線回折図である。
【発明の属する技術分野】
本発明は、加工性に優れた透明導電膜に関し、特には、薄膜トランジスター型液晶ディスプレイの表示電極用透明電極として好適な加工性に優れた透明導電膜に関する技術分野に属する。
【０００２】
【従来の技術】
低電気抵抗で、高い可視光透過率を有する透明導電膜は、フラットディスプレイの透明電極、太陽電池の透明電極、タッチパネル等の多くの分野で利用されている。
【０００３】
中でも、液晶ディスプレイ；Liquid Crystal Display（以降、ＬＣＤという）は軽量、薄型、高解像度の表示装置としてパーソナルコンピュータやディスプレイ機器に盛んに利用されており、ＬＣＤ用の透明電極として透明導電膜は不可欠である。
【０００４】
かかるＬＣＤの画面表示は、液晶分子の配置を印加電圧によって制御し、バックライトから画面への透過光の光量を調節することにより、行われている。従って、液晶を駆動するために、低電気抵抗であり、また、可視光領域で高い透過率を有する透明導電膜が利用される。現在、ＬＣＤの透明電極として用いられる透明導電膜は、Snを添加したIn2O3(;Indium Tin Oxide)（以降ＩＴＯという）である。
【０００５】
ところで、液晶表示のためには画素を形成する必要があり、画素に応じて透明電極もエッチングによるパターン形成が必要である。例えば、単純マトリックス型ＬＣＤでは、透明電極が配線と画素電極を兼ねており、画素幅に応じたパターン形成が必要であり、アクティブマトリックス型ＬＣＤでは、画素ごとに独立した画素電極が必要であり、画素の大きさに対応した微細なパターニングが必要である。ここで、画素電極としての透明導電膜には、10μm 以下の加工精度、将来的には１μm 程度の加工ができることが要求される。透明導電膜の加工方法は、硝酸、塩酸、塩酸と硝酸の混酸、フッ酸、塩化第二鉄水溶液、或いは、これらの混合液に酸化剤を加えたもの等のエッチング液によりウェットエッチングする方法が主流である。
【０００６】
しかしながら、通常のマグネトロンスパッタリング法で成膜されたＩＴＯはエッチングが容易でない。即ち、ＩＴＯは通常マグネトロンスパッタリング法で成膜されるが、成膜されるＩＴＯの低抵抗化を実現するために、成膜の際に基板が200 ℃程度に加熱され、この際にＩＴＯは結晶化する。この結晶化したＩＴＯ膜はエッチングされ難く、エッチングが容易でない。
【０００７】
従って、エッチングパターン形成の効率を上げるためには、エッチングの容易な透明導電膜、即ち、加工性に優れた透明導電膜を開発することが重要である。
【０００８】
かかるエッチングの容易な透明導電膜としては、ＩＴＯの非晶質膜（ここで非晶質膜とはＸ線回折パターンで最大ピークの半値幅が５度以上の幅をもつものをいう）があげられる。そのため、より容易にエッチングが可能な非晶質ＩＴＯ膜から透明電極を形成する試みがなされており、かかる非晶質ＩＴＯ膜の成膜方法が検討されている。例えば、特開平4-48516 号公報には、ＩＴＯを低温で成膜することにより非晶質なＩＴＯ膜を形成する方法が開示され、又、特開平3-64450 号公報には、スパッタリングガス中に水素等のガスを導入して成膜する方法が開示されている。
【０００９】
しかしながら、上記の如き低温で成膜したＩＴＯは、電気抵抗率が上昇して高くなると共に、可視光透過率も減少して低いなどの欠点がある。又、スパッタリングガス中に水素等のガスを導入して成膜する方法においては、充分なスパッタリングレートが得られないなどの問題点がある。
【００１０】
今後、高精細化が進むＬＣＤにおいてエッチングの容易な透明導電膜の開発が不可欠であり、そのため、低電気抵抗率及び高可視光透過率を有すると共に、エッチングが容易で加工性に優れた透明導電膜の開発が望まれている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はこの様な事情に着目してなされたものであって、その目的は、低電気抵抗率及び高可視光透過率を有すると共に、エッチングが容易で加工性に優れ、ＬＣＤの高精細化に対応可能な非晶質の透明導電膜を提供しようとするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明に係る透明導電膜は、請求項１記載の透明導電膜としており、それは次のような構成としたものである。即ち、請求項１記載の透明導電膜は、Inの酸化物を主成分とする透明導電膜であって、GeをGe量とIn量の合計に対して4.4 〜6.1 原子％含有し、且つ膜の構造が非晶質であって、当該透明導電膜に含まれる成分はGe、In、Ｏと不可避的不純物よりなることを特徴とする加工性に優れた透明導電膜である（第１発明）。
【００１３】
請求項２記載のものは、請求項１記載の透明導電膜を透明電極として用いていることを特徴とする液晶ディスプレイである（第２発明）。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明に係る透明導電膜は、例えばスパッタリング法により次のようにして成膜することができる。即ち、スパッタリング装置内に基板を配置し、一方、スパッタリングターゲットとして例えば In2O3ターゲット上にGeのチップを設置した複合ターゲットを配置し、酸素ガスを含む不活性ガス雰囲気中で、前記基板を加熱した状態にしてから、この基板と前記複合ターゲットとの間に電界を印加することにより、基板上にGeを含有するIn2O3 よりなる透明導電膜を形成（成膜）することができる。このとき、膜中のGe含有量、成膜温度（基板の加熱温度）、不活性ガス雰囲気中の酸素分圧、成膜速度等の成膜条件によって成膜される透明導電膜の構造が非晶質となる。そうすると、Inの酸化物を主成分とする透明導電膜であって、Geを含有して膜の構造が非晶質である透明導電膜、即ち、本発明に係る透明導電膜を得ることができる。尚、上記複合ターゲットでの In2O3ターゲットとGeチップの表面積比率を変えることにより、Ge含有量を変化させることができる。
【００１５】
本発明者等はスパッタリング法により種々の組成の透明導電膜を形成し、その組成、構造、及び、透明導電膜としての特性を調べた。その結果、Inの酸化物を主成分とする透明導電膜であって、Geを含有するもの、或いは、Ge及びSnを含有するものは、非晶質膜となり、そのためにエッチングが容易で加工性に優れていることを見出し、又、0.01Ωcm以下の低電気抵抗率を有すると共に80％以上の高可視光透過率を有し、ＬＣＤの透明電極として好適であることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１６】
この詳細を以下説明する。
【００１７】
従来、透明導電膜として用いられたＩＴＯ、即ち、SnをドープしたIn2O3 の導電機構は次の通りである。即ち、In2O3 中の酸素欠陥とSnが複合欠陥を形成し、キャリア電子を放出する。そのため、ＩＴＯのキャリア密度を上げるためには適当な量の酸素欠陥が必要である。しかし、酸素欠陥が増加するとキャリア移動度が低下する。従って、電気抵抗率を最小にするためには適量の酸素欠陥を膜中に残してやる必要がある。
【００１８】
又、InとSnは原子番号が隣同士の原子であり、原子半径はそれぞれ1.44Å、1.41Åと極めて近い値である。そのため、InとSnが置換されても、結晶のひずみは小さい。従って、スパッタリング法で成膜した膜は結晶質になりやすい性質を有している。
【００１９】
上記の如き性質を有するＩＴＯに対して、非晶質膜、低電気抵抗膜、あるいは高透過率膜を成膜するには、次のような成膜方法が適当であり、かかる成膜方法を採用する必要があった。即ち、非晶質膜を得るためには低温で成膜する必要がある。低電気抵抗の膜を得るためには高温で、かつ、適当な酸素分圧下、例えば0.0005〜0.002mTorr程度で成膜する必要がある。又、高透過率膜を得るためには高温で、かつ、高酸素分圧下で成膜する必要がある。
【００２０】
ＩＴＯ膜の膜質と成膜方法には以上のような関係が存在するため、低電気抵抗で、且つ高透過率を有する非晶質膜を成膜するのは、困難であり、不可能であった。例えば、非晶質にするためには低温成膜する必要があるが、低温成膜すると電気抵抗が高くなると共に、透過率が減少する。又、透過率も高くするために高酸素分圧下での成膜を行うと、さらに電気抵抗率が上昇する。このように、ＩＴＯによって低電気抵抗で、且つ高透過率の非晶質透明導電膜を得ることは困難であり、不可能であった。
【００２１】
そこで、本発明者等はSnとは異なる元素の添加によるIn2O3 膜の非晶質化について研究した。その結果、ある一定の成膜条件下では、Geの添加がIn2O3 膜の非晶質化に有効であり、しかも膜の電気抵抗率及び透過率を損なわないことを見出した。
【００２２】
即ち、Geを添加したIn2O3 膜（Ge添加In2O3 膜）のキャリア電子は、In2O3 膜の酸素欠陥とは関係なく、Geが直接放出した電子が主体となっいること、そのため酸素欠陥の量を自由に変化させても膜の電気抵抗率が大きく変化せず、酸素欠陥の量を減少させても電気抵抗率は上昇しないこと、そのため電気抵抗率を損うことなく酸素欠陥の量を減少させることができ、それにより高透過率を得ることができることを見出した。
【００２３】
又、Geの原子半径は1.22Åと小さく、酸化インジウム（:In2O3）との格子を組む場合に結晶構造にひずみを生じさせる。そのため、一定量のGeを添加し、成膜条件を制御すれば容易に結晶構造が崩れて、非晶質の膜となる。その結果、従来のSn添加In2O3 では容易に成膜できなかった非晶質膜が、Ge添加In2O3 膜では成膜可能となり、加熱基板上でも（即ち、低温成膜しなくても）非晶質膜が得られることがわかった。そして、かかる非晶質膜はエッチングが容易で加工性に優れていることが確認された。
【００２４】
本発明は以上のような知見に基づき完成されたものであり、本発明に係る透明導電膜は、Inの酸化物を主成分とする透明導電膜であって、Geを含有して膜の構造が非晶質であるようにしている。従って、本発明に係る透明導電膜は、低電気抵抗率及び高可視光透過率を有すると共に、エッチングが容易で加工性に優れている。
【００２５】
ところで、Ge添加In2O3 膜自体やGe添加ＩＴＯ膜自体は、従来より知られている。例えば、特開昭62-202415 号公報には400 ℃の成膜条件でGe添加ＩＴＯ膜を成膜する技術が開示されている。しかしながら、この公報に記載のGe添加ＩＴＯ膜は膜欠陥の解消等をはかるものであり、本発明の場合の如きエッチング性（即ち加工性）の向上を意図するものではなく、この公報には膜を非晶質にすることやエッチング性の向上をはかることは何も記載がなく、又、Ge添加により膜を非晶質にし得ることは全く記載されていない。
【００２６】
上記公報に記載のGe添加ＩＴＯ膜の如く単にGeを添加するだけでは非晶質の膜とはし得ず、又、上記の如き400 ℃の成膜条件では非晶質のGe添加ＩＴＯ膜は得られない。本発明の場合のように非晶質の膜にすることによってエッチングが容易になる。故に、上記公報に記載のGe添加ＩＴＯ膜はエッチングが容易であるとはいえない。
【００２７】
このように単にGeを添加するだけでは非晶質の膜とはし得ず、エッチングが容易な膜を得ることはできない。非晶質膜を得るには、Geを添加するだけでなく、適当な成膜条件で成膜する必要がある。
【００２８】
しかも、低電気抵抗率及び高可視光透過率を有すると共に、エッチングが容易で加工性に優れた非晶質膜を得るには、Geを添加するだけでなく、さらに適当な成膜条件で成膜する必要があり、又、Geの添加量を選定することが望ましい。この成膜条件及びGeの添加量等の詳細を以下説明する。
【００２９】
成膜温度を100 〜300 ℃にし、Geの添加量をGe量とIn量の合計に対して２〜12原子％にし、酸素分圧を0.02mTorr 以上にして成膜すると、電気抵抗率が0.01Ωcm以下であり、可視光透過率が膜厚1000Å以上の膜に対しても80％以上である非晶質の透明導電膜を成膜し得る。このとき、成膜速度を45Å／ｓ以下にすることにより非晶質の透明導電膜を成膜し得る。即ち、成膜温度を100 〜300 ℃、雰囲気ガス中の酸素分圧を0.02mTorr 以上にすると共に成膜速度を45Å／ｓ以下にして、Ge量とIn量の合計に対してのGeの添加量（以下、Ge添加量という）：２〜12原子％の膜を成膜すると、電気抵抗率が0.01Ωcm以下であり、可視光透過率が膜厚1000Å以上の膜に対しても80％以上である非晶質の透明導電膜を得ることができる。
【００３０】
この際、成膜温度を100 ℃未満、Ge添加量を２原子％未満にすると、Geによるキャリア電子放出による電気抵抗率の低下が充分でなく、電気抵抗率が0.01Ωcm超となる。成膜温度を100 ℃未満、Ge添加量を12原子％超にすると、容易に非晶質Ge添加In2O3 膜が得られるものの、可視光透過率が80％未満になる。
【００３１】
成膜温度を300 ℃超にすると、電気抵抗率：0.01Ωcm以下の膜を得るのは容易となるものの、非晶質化が難しく、可視光透過率：80％以上を満たすGe添加量：12原子％以下の条件では非晶質化しない。又、Ge添加量：12原子％超では可視光透過率が80％未満になる。
【００３２】
酸素分圧を0.02mTorr 未満にすると、可視光透過率が80％未満に減少する。即ち、可視光透過率：80％以上の非晶質膜を成膜するには、酸素分圧を0.02mTorr 以上にする必要がある。
【００３３】
このように、Ge添加In2O3 膜においては、従来のＩＴＯ膜の成膜の際の酸素分圧（：0.002mTorr）に比べて10倍以上高い高酸素分圧下（：0.02mTorr 以上）で成膜しても電気抵抗率が減少しない性質を有するため、電気抵抗率の増大を懸念することなく、高酸素分圧下で成膜することができ、そのため、かかる高酸素分圧下で成膜することにより、電気抵抗率の増加を来すことなく低電気抵抗率を維持した状態で、高可視光透過率の非晶質膜を成膜することが可能となる。即ち、成膜温度：100 〜300 ℃、Ge添加量：２〜12原子％、酸素分圧：0.02mTorr 以上の条件で、電気抵抗率を維持したまま、可視光透過率：80％以上の非晶質膜を成膜することが可能となる。
【００３４】
Ge添加量：２〜12原子％のGe添加In2O3 膜へSnを添加した場合、Snは電気抵抗率を上昇させる方向に働き、Snの含有量がSn量とIn量の合計に対して４原子％以上の場合に電気抵抗率が0.01Ωcm以上になる。Snの含有量が５原子％以下では非晶質化には影響がない。
【００３５】
本発明に係る非晶質の透明導電膜及び従来の透明導電膜であるＩＴＯ膜についてのエッチング特性の調査結果の例を以下説明する。尚、透明導電膜のエッチング特性はエッチング液の種類によって著しく異なっている。この調査では、最も単純なエッチング液の一つである60％硝酸をエッチング液として用い、エッチング速度を測定した。
【００３６】
本発明に係る非晶質の透明導電膜において、成膜温度：200 ℃の条件で成膜されたものはエッチング速度：200 〜750 Å／min であった。これに対し、従来の透明導電膜であるＩＴＯ膜では、成膜温度：200 ℃の条件で成膜されたものは60％硝酸ではエッチングが不可能であり、成膜温度：20℃の条件で成膜されたものはエッチング速度：80Å／min であった。このように、本発明に係る非晶質の透明導電膜は従来の透明導電膜であるＩＴＯ膜よりも、エッチング特性（加工性）が格段に優れている。
【００３７】
このように本発明に係る非晶質の透明導電膜は優れた特性を有するので、ＬＣＤや太陽電池の透明電極として好適に用いることができる。
【００３８】
【実施例】
〔参考例１（実験例１）〕
スパッタリングターゲットとして、 In2O3ターゲット（純度 99.95％）上にGeのチップ（純度 99.99％）或いはGeO2チップ（純度99.9％）と、Snのチップ（純度99.99 ％）或いはSnO2チップ（純度99.9％）とを所定量設置した複合ターゲット、又は、GeとSnとを所定量含有するIn2O3 ターゲットを用い、ガラス基板（コーニング社製＃7059）上に透明導電膜を形成（成膜）した。このときの成膜条件は下記の通りである。
【００３９】
基板温度（成膜温度）----200 ℃
雰囲気ガス--------------2.0 ％O2含有Ar
雰囲気ガス圧------------２mTorr
電力--------------------3.0 Ｗ／cm2
成膜速度----------------40Å／sec
【００４０】
上記成膜により得られた透明導電膜についてＸ線回折装置でＸ線回折パターンを測定した。その結果であるＸ線回折図を図１に示す。膜の構造は非晶質であることがわかる。
【００４１】
また、４端子（探針）法により比抵抗（電気抵抗率）を測定し、自記分光光度計で可視光透過率を測定した。又、60％硝酸を用いてエッチングし、エッチング速度を測定した。これらの結果を表１に示す。
【００４２】
〔実施例２（実験例２）〕
スパッタリングターゲットとして、 In2O3ターゲット（純度 99.95％）上にGeのチップ（純度 99.99％）或いはGeO2チップ（純度99.9％）を所定量設置した複合ターゲット、又は、Geを所定量含有するIn2O3 ターゲットを用い、ガラス基板上に透明導電膜を形成した。このときの成膜条件は下記の通りである。
【００４３】
基板温度（成膜温度）----200 ℃
雰囲気ガス--------------2.0 ％O2含有Ar
雰囲気ガス圧------------２mTorr
電力--------------------4.5 Ｗ／cm2
成膜速度----------------25Å／sec
【００４４】
上記成膜により得られた透明導電膜について実験例１の場合と同様の方法によりＸ線回折パターンを測定した。その結果であるＸ線回折図を図１に示す。膜の構造は非晶質であることがわかる。
【００４５】
また、実験例１の場合と同様の方法により、比抵抗（電気抵抗率）、可視光透過率、及び、エッチング速度を測定した。これらの結果を表１に示す。
【００４６】
〔実施例３（実験例３）〕
実施例２の場合と同様のスパッタリングターゲットを用い、同様のガラス基板上に透明導電膜を形成した。このときの成膜条件は下記の通りである。
【００４７】
基板温度（成膜温度）----200 ℃
雰囲気ガス--------------2.0 ％O2含有Ar
雰囲気ガス圧------------４mTorr
電力--------------------4.5 Ｗ／cm2
成膜速度----------------25Å／sec
【００４８】
上記成膜により得られた透明導電膜について実験例１の場合と同様の方法によりＸ線回折パターンを測定した。その結果であるＸ線回折図を図１に示す。膜の構造は非晶質であることがわかる。
【００４９】
また、実験例１の場合と同様の方法により、比抵抗（電気抵抗率）、可視光透過率、及び、エッチング速度を測定した。これらの結果を表１に示す。
【００５０】
〔参考例４（実験例４）〕
実施例２の場合と同様のスパッタリングターゲットを用い、同様のガラス基板上に透明導電膜を形成した。このときの成膜条件は下記の通りである。
【００５１】
基板温度（成膜温度）----200 ℃
雰囲気ガス--------------2.0 ％O2含有Ar
雰囲気ガス圧------------２mTorr
電力--------------------4.5 Ｗ／cm2
成膜速度----------------40Å／sec
【００５２】
上記成膜により得られた透明導電膜について実験例１の場合と同様の方法によりＸ線回折パターンを測定した。その結果であるＸ線回折図を図１に示す。膜の構造は非晶質であることがわかる。
【００５３】
また、実験例１の場合と同様の方法により、比抵抗（電気抵抗率）、可視光透過率、及び、エッチング速度を測定した。これらの結果を表１に示す。
【００５４】
〔参考例５（実験例５）〕
実施例２の場合と同様のスパッタリングターゲットを用い、同様のガラス基板上に透明導電膜を形成した。このときの成膜条件は下記の通りである。
【００５５】
基板温度（成膜温度）----300 ℃
雰囲気ガス--------------4.0 ％O2含有Ar
雰囲気ガス圧------------0.5mTorr
電力--------------------4.5 Ｗ／cm2
成膜速度----------------25Å／sec
【００５６】
上記成膜により得られた透明導電膜について実験例１の場合と同様の方法によりＸ線回折パターンを測定した。その結果であるＸ線回折図を図１に示す。膜の構造は非晶質であることがわかる。
【００５７】
また、実験例１の場合と同様の方法により、比抵抗（電気抵抗率）、可視光透過率、及び、エッチング速度を測定した。これらの結果を表１に示す。
【００５８】
〔実施例６（実験例６）〕
実施例２の場合と同様のスパッタリングターゲットを用い、同様のガラス基板上に透明導電膜を形成した。このときの成膜条件は下記の通りである。
【００５９】
基板温度（成膜温度）----100 ℃
雰囲気ガス--------------2.0 ％O2含有Ar
雰囲気ガス圧------------３mTorr
電力--------------------4.5 Ｗ／cm2
成膜速度----------------40Å／sec
【００６０】
上記成膜により得られた透明導電膜について実験例１の場合と同様の方法によりＸ線回折パターンを測定した。その結果であるＸ線回折図を図１に示す。膜の構造は非晶質であることがわかる。
【００６１】
また、実験例１の場合と同様の方法により、比抵抗（電気抵抗率）、可視光透過率、及び、エッチング速度を測定した。これらの結果を表１に示す。
【００６２】
【００６３】
【００６４】
【００６５】
【００６６】
〔比較例１（実験例８）〕
スパッタリングターゲットとして、 In2O3ターゲット（純度 99.95％）上にSnのチップ（純度 99.99％）或いはSnO2チップ（純度99.9％）を所定量設置した複合ターゲット、又は、Snを所定量含有するIn2O3 ターゲットを用い、ガラス基板上に透明導電膜を形成した。このときの成膜条件は下記の通りである。
【００６７】
基板温度（成膜温度）----200 ℃
雰囲気ガス--------------0.1 ％O2含有Ar
雰囲気ガス圧------------１mTorr
電力--------------------2.0 Ｗ／cm2
成膜速度----------------12Å／sec
【００６８】
上記成膜により得られた透明導電膜について実験例１の場合と同様の方法によりＸ線回折パターンを測定した。その結果であるＸ線回折図を図１に示す。膜の構造は非晶質ではなく、結晶質であることがわかる。
【００６９】
また、実験例１の場合と同様の方法により、比抵抗（電気抵抗率）、可視光透過率、及び、エッチング速度を測定した。これらの結果を表１に示す。
【００７０】
〔比較例２（実験例９）〕
比較例１の場合と同様のスパッタリングターゲットを用い、同様のガラス基板上に透明導電膜を形成した。このときの成膜条件は下記の通りである。
【００７１】
基板温度（成膜温度）----20℃
雰囲気ガス--------------0.1 ％O2含有Ar
雰囲気ガス圧------------１mTorr
電力--------------------2.0 Ｗ／cm2
成膜速度----------------12Å／sec
【００７２】
上記成膜により得られた透明導電膜について実験例１の場合と同様の方法によりＸ線回折パターンを測定した。その結果、膜の構造は非晶質ではなく、結晶質であることが確認された。
【００７３】
また、実験例１の場合と同様の方法により、比抵抗（電気抵抗率）、可視光透過率、及び、エッチング速度を測定した。これらの結果を表１に示す。
【００７４】
〔比較例３（実験例10）〕
実施例２の場合と同様のスパッタリングターゲットを用い、同様のガラス基板上に透明導電膜を形成した。このときの成膜条件は下記の通りである。
【００７５】
基板温度（成膜温度）----20℃
雰囲気ガス--------------2.0 ％O2含有Ar
雰囲気ガス圧------------１mTorr
電力--------------------2.0 Ｗ／cm2
成膜速度----------------25Å／sec
【００７６】
上記成膜により得られた透明導電膜について実験例１の場合と同様の方法によりＸ線回折パターンを測定した。その結果、膜の構造は非晶質ではなく、結晶質であることが確認された。
【００７７】
また、実験例１の場合と同様の方法により、比抵抗（電気抵抗率）、可視光透過率、及び、エッチング速度を測定した。これらの結果を表１に示す。
【００７８】
〔比較例４（実験例11）〕
実施例２の場合と同様のスパッタリングターゲットを用い、同様のガラス基板上に透明導電膜を形成した。このときの成膜条件は下記の通りである。
【００７９】
基板温度（成膜温度）----20℃
雰囲気ガス--------------2.0 ％O2含有Ar
雰囲気ガス圧------------１mTorr
電力--------------------2.0 Ｗ／cm2
成膜速度----------------25Å／sec
【００８０】
上記成膜により得られた透明導電膜について実験例１の場合と同様の方法によりＸ線回折パターンを測定した。その結果、膜の構造は非晶質であることが確認された。
【００８１】
また、実験例１の場合と同様の方法により、比抵抗（電気抵抗率）、可視光透過率、及び、エッチング速度を測定した。これらの結果を表１に示す。
【００８２】
【表１】
【発明の効果】
本発明に係る透明導電膜は、以上の如き構成を有し作用をなすものであり、低電気抵抗率及び高可視光透過率を有すると共に、エッチングが容易で加工性に優れた非晶質の透明導電膜であり、そのため、薄膜トランジスター型液晶ディスプレイの表示電極用等の透明電極として好適に用いることができ、特には今後の液晶ディスプレイの高精細化、大型化、カラー化等の高機能化及び品質向上を図ることができるという顕著な効果を奏し得る。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施例及び比較例に係る透明導電膜並びに基板のガラスについてのＸ線回折図である。
Claims (2)
- Inの酸化物を主成分とする透明導電膜であって、GeをGe量とIn量の合計に対して4.4 〜6.1 原子％含有し、且つ膜の構造が非晶質であって、当該透明導電膜に含まれる成分はGe、In、Ｏと不可避的不純物よりなることを特徴とする加工性に優れた透明導電膜。
- 請求項１記載の透明導電膜を透明電極として用いていることを特徴とする液晶ディスプレイ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13335098A JP3780100B2 (ja) | 1998-05-15 | 1998-05-15 | 加工性に優れた透明導電膜 |
| KR1019990016919A KR100323297B1 (ko) | 1998-05-15 | 1999-05-12 | 투명도전막 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13335098A JP3780100B2 (ja) | 1998-05-15 | 1998-05-15 | 加工性に優れた透明導電膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11323531A JPH11323531A (ja) | 1999-11-26 |
| JP3780100B2 true JP3780100B2 (ja) | 2006-05-31 |
Family
ID=15102677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13335098A Expired - Fee Related JP3780100B2 (ja) | 1998-05-15 | 1998-05-15 | 加工性に優れた透明導電膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3780100B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010035716A1 (ja) | 2008-09-25 | 2010-04-01 | 日鉱金属株式会社 | 透明導電膜製造用の酸化物焼結体 |
| US9028726B2 (en) | 2008-09-25 | 2015-05-12 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Oxide sintered compact for producing transparent conductive film |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001307553A (ja) * | 2000-04-24 | 2001-11-02 | Geomatec Co Ltd | 透明導電膜およびその製造方法並びにその用途 |
| CN1320155C (zh) * | 2001-06-26 | 2007-06-06 | 三井金属矿业株式会社 | 高电阻透明导电膜用溅射靶及高电阻透明导电膜的制造方法 |
| KR100505536B1 (ko) | 2002-03-27 | 2005-08-04 | 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 | 투명한 도전성 박막, 그것의 제조방법, 그것의 제조를위한 소결 타겟, 디스플레이 패널용의 투명한 전기전도성기재, 및 유기 전기루미네선스 디바이스 |
| US7825021B2 (en) * | 2004-01-16 | 2010-11-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device |
| JP5416991B2 (ja) * | 2009-03-03 | 2014-02-12 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 酸化物焼結体ターゲット、該ターゲットの製造方法、透明導電膜および該透明導電膜の製造方法 |
-
1998
- 1998-05-15 JP JP13335098A patent/JP3780100B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010035716A1 (ja) | 2008-09-25 | 2010-04-01 | 日鉱金属株式会社 | 透明導電膜製造用の酸化物焼結体 |
| US9028726B2 (en) | 2008-09-25 | 2015-05-12 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Oxide sintered compact for producing transparent conductive film |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11323531A (ja) | 1999-11-26 |
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|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060125 |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
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