JP3769970B2 - 電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板上に遮光膜が形成された液晶装置等の電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器の技術分野に属し、特に、該遮光膜のうちトランジスタのチャネル領域に対応する部分の膜厚が厚くされた電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電気機器の技術分野に属する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、この種の液晶装置等の電気光学装置が液晶プロジェクタ等にライトバルブとして用いられる場合には、例えば液晶層を挟んでＴＦＴアレイ基板に対向配置される対向基板の側から投射光が入射される。ここで、投射光がＴＦＴのａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）膜やｐ−Ｓｉ（ポリシリコン）膜から構成されたチャネル形成用の領域に入射すると、この領域において光電変換効果により光電流が発生してしまい、ＴＦＴのトランジスタ特性が劣化する。このため、対向基板には、各ＴＦＴに夫々対向する位置に、Ｃｒ（クロム）などの金属材料や樹脂ブラックなどからブラックマトリクス或いはブラックマスクと呼ばれる遮光膜が形成されるのが一般的である。この遮光膜は、各画素の開口領域（即ち、投射光が透過する領域）を規定することにより、ＴＦＴのｐ−Ｓｉ層に対する遮光の他に、コントラストの向上、色材の混色防止などの機能を果たしている。
【０００３】
この種の液晶装置等においては、特にトップゲート構造（即ち、ＴＦＴアレイ基板上においてゲート電極がチャネルの上側に設けられた構造）を採る正スタガ型又はコプラナー型のａ−Ｓｉ又はｐ−ＳｉＴＦＴを用いる場合には、投射光の一部が液晶プロジェクタ内の投射光学系により戻り光として、ＴＦＴアレイ基板の側からＴＦＴのチャネルに入射するのを防ぐ必要がある。同様に、投射光が通過する際のＴＦＴアレイ基板の表面からの反射光や、更にカラー用に複数の液晶装置を組み合わせて使用する場合の他の液晶装置から出射した後に投射光学系を突き抜けてくる投射光の一部が、戻り光としてＴＦＴアレイ基板の側からＴＦＴのチャネルに入射するのを防ぐ必要もある。このために、特開平９−１２７４９７号公報、特公平３−５２６１１号公報、特開平３−１２５１２３号公報、特開平８−１７１１０１号公報等では、石英基板等からなるＴＦＴアレイ基板上においてＴＦＴに対向する位置（即ち、ＴＦＴの下側）にも、遮光膜を形成した液晶装置を提案している。
【０００４】
ところで、このような遮光膜においては、ＴＦＴのチャネルに入射するのを防ぎ、更に製造時の高温プロセスにおいて支障が生じないようにするため、例えばその材料として不透明な高融点金属の材料が用いられ、またその厚さは２００ｎｍ程度とされる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のように比較的厚い高融点材料が用いられる遮光膜はその内部に応力を保有し、その上部に配置されているＴＦＴに対して悪影響を与える、という課題がある。具体的には、ＴＦＴにも応力がかかり、所望のトランジスタ特性、例えば所望のしきい値電圧（Ｖｔｈ）が得られない、といった課題がある。
【０００６】
そこで、例えば遮光膜の厚さをＴＦＴに対して悪影響を与えない程度に薄くすることが考えられるが、それでは十分な遮光性が得られず、光電流の発生によりＴＦＴのトランジスタ特性が劣化することになる。
【０００７】
しかも、このような遮光膜は、通常、ＴＦＴに対して電気的な悪影響を与えないようにするために定電位源に接続されるが、かかる接続は遮光膜を定電位にとるための位置、例えば容量線の近くまで延在させてコンタクトホールを介して行われているため、遮光膜の面積も大きくなり、これによりＴＦＴにかかる応力も大きくなる、という課題がある。
【０００８】
本発明はかかる課題を解決するためになされたもので、遮光膜の所望の遮光性を維持したままトランジスタにかかる応力を低減し、所望のトランジスタ特性を得ることができる電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
かかる課題を解決するため、本発明の電気光学装置は、基板上に複数のデータ線と、前記各データ線に電気的接続されたトランジスタと、前記トランジスタに電気的接続された画素電極と、前記各データ線と交差する方向に延設されると共に前記トランジスタの少なくともチャネル領域に対向する位置に設けられた不透明な高融点金属からなる遮光膜とを有する電気光学装置であって、前記遮光膜のうち少なくとも前記トランジスタのチャネル領域に対向する部分の厚さは、前記各データ線の間に形成された前記遮光膜の厚さと比べて厚いことを特徴とする。
【００１０】
本発明のかかる構成によれば、遮光膜のうち少なくともトランジスタのチャネル領域に対向する部分の厚さは厚いので、十分な遮光性が得られ、光電流が発生することはなくなる。一方、遮光膜のうちトランジスタのチャネル領域を覆う位置の部分以外の他の部分の厚さは薄いので、遮光膜全体として厚さが厚い部分の面積が小さくなり、遮光膜内に保有する応力を小さくすることできる。従って、トランジスタにかかる応力が小さくなり、所望のトランジスタ特性が得られる。よって、本発明によれば、遮光膜の所望の遮光性を維持したままトランジスタにかかる応力を低減し、所望のトランジスタ特性を得ることができるようになる。
【００１１】
本発明の電気光学装置の一の態様では、前記遮光膜のうち厚い部分の厚さは２００ｎｍ〜４００ｎｍであり、遮光膜のうち他の部分の厚さは５０ｎｍ〜２００ｎｍであることを特徴とする。ここで、遮光膜のうち厚い部分の厚さが２００ｎｍよりも小さいと所望の遮光性が得られず、一方遮光膜のうち厚い部分の厚さが４００ｎｍよりも大きいと上層において凹凸の悪影響が生じる。また、遮光膜のうち他の部分の厚さが５０ｎｍよりも小さいと遮光膜を定電位とするための導電性が得られず、他の部分の厚さが２００ｎｍよりも大きいとトランジスタにかかる応力が大きくなり、トランジスタ特性に影響を与える。
【００１２】
本発明の電気光学装置の一の態様では、前記遮光膜はＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｂのうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする。この態様によれば、遮光膜は、不透明な高融点金属であるＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｂのうちの少なくとも一つを含む、例えば、金属単体、合金、金属シリサイド等から構成されるため、例えばＴＦＴアレイ基板上の遮光膜形成工程の後に行われるＴＦＴ形成工程における高温処理により、遮光膜が破壊されたり溶融しないようにできる。
【００１３】
また前記基板上に、前記各データ線と交差する複数の容量線が更に設けられており、前記遮光膜は、前段あるいは後段の容量線に電気的接続されていることを特徴とする。
【００１４】
前記基板上に、前記各データ線と交差する複数の走査線が更に設けられており、前記遮光膜は、前記各データ線の間であって前記各走査線に対向する位置には設けられていないことを特徴とする。
【００１７】
本発明の電気光学装置の製造方法は、基板上に複数のデータ線と、前記各データ線に電気的接続されたトランジスタと、前記トランジスタに電気的接続された画素電極と、前記各データ線と交差する方向に延設されると共に前記トランジスタの少なくともチャネル領域に対向する位置に設けられた不透明な高融点金属からなる遮光膜とを有する電気光学装置を製造する方法であって、少なくとも前記トランジスタのチャネル領域に対向するように前記遮光膜としての不透明な高融点金属からなる第１層を島状に形成する工程と、前記第１層の上に形成されるとともに前記各データ線と交差する方向に延設された前記遮光膜としての不透明な高融点金属からなる第２層を形成する工程とを備え、前記遮光膜のうち少なくとも前記トランジスタのチャネル領域に対向する部分の厚さは、前記各データ線の間に形成された前記遮光膜の厚さと比べて厚いことを特徴とする。
本発明のかかる製造方法によれば、遮光膜を構成する第１層及び第２層を選択性のいらないエッチングにより形成できるので、厚さの異なる遮光膜を容易に形成することができる。
【００２０】
本発明の電気光学装置の製造方法は、基板上に複数のデータ線と、前記各データ線に電気的接続されたトランジスタと、前記トランジスタに電気的接続された画素電極と、前記各データ線と交差する方向に形成されると共に前記トランジスタの少なくともチャネル領域に対向する位置に設けられた遮光膜とを有する電気光学装置を製造する方法であって、少なくとも前記トランジスタのチャネル領域に対向するように、第１の厚さの前記遮光膜を形成する工程と、少なくとも前記トランジスタのチャネル領域を覆う部分以外の部分において、前記第１の厚さよりも薄い第２の厚さとなるように前記遮光膜を選択的に除去する工程とを具備することを特徴とする。
【００２１】
本発明のかかる製造方法によれば、例えば第１の層及び第２の層を形成するための材料の蒸着を１回の工程で行うことができるので、工程数をそれ程増やさずに厚さの異なる遮光膜を形成することができる。従って、本発明では、前記第１の層と前記第２の層とは、同一の材料からなることが好ましい態様であり、前遮光膜はＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｂのうちの少なくとも一つを含むことがより好ましい態様である。また、前記第１の厚さは２００ｎｍ〜４００ｎｍであり、前記第２の層の厚さは５０ｎｍ〜２００ｎｍであることがより好ましい態様である。
【００２２】
本発明の電子機器は、光源と、該光源から出射される光が入射されて画像情報に対応した変調を施す、上記の電気光学装置または上記の製造方法により製造された電気光学装置を有するライトバルブと、前記ライトバルブにより変調された光を投射する投射手段とを具備することを特徴とする。
【００２３】
本発明のかかる構成によれば、ライトバルブが所望のトランジスタ特性を持つ電気光学装置により構成されているので、正確に変調された光を投射することが可能となる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００２５】
（電気光学装置の第１実施形態の構成）
本発明による電気光学装置の一形態である液晶装置の構成について、図１から図５を参照して説明する。図１は、液晶装置の画像形成領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。図２は、データ線、走査線、画素電極、遮光膜等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図３は、図２のＡ−Ａ’断面図である。図４は、該液晶装置における遮光膜の近傍の構造を概念的に示した斜視図である。尚、図３及び図４においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、図２及び図４おいて、Ｘ方向とは走査線と平行する方向を示し、Ｙ方向とはデータ線と平行する方向を示す。
【００２６】
図１において、本実施の形態による液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素は、マトリクス状に複数形成された画素電極９ａと画素電極９aを制御するためのＴＦＴ３０からなり、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板（後述する）に形成された対向電極（後述する）との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶部分を通過不可能とされ、ノーマリーブラックモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶部分を通過可能とされ、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射する。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。例えば、画素電極９ａの電圧は、データ線に電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量７０により保持される。これにより、保持特性は更に改善され、コントラスト比の高い液晶装置が実現できる。本実施の形態では特に、このような蓄積容量７０を形成するために、後述の如く導電性の遮光膜を利用して低抵抗化された容量線３ｂを設けている。
【００２７】
図２において、液晶装置のＴＦＴアレイ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ（点線部９ａ’により輪郭が示されている）が設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３ｂが設けられている。データ線６ａは、コンタクトホール５を介してポリシリコン膜等の半導体層１ａのうち後述のソース領域に電気的接続されており、画素電極９ａは、コンタクトホール８を介して半導体層１ａのうち後述のドレイン領域に電気的接続されている。また、半導体層１ａのうちチャネル領域（図中右下りの斜線の領域）に対向するように走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲート電極として機能する。
【００２８】
容量線３ｂは、走査線３ａに沿ってほぼ直線状に伸びる本線部（即ち、平面的に見て、走査線３ａに沿って形成された第1領域）と、データ線６ａと交差する箇所からデータ線６ａに沿って前段側（図中、上向き）に突出した突出部（即ち、平面的に見て、データ線６ａに沿って延設された第２領域）とを有する。
【００２９】
次に図３の断面図に示すように、液晶装置は、透明な一方の基板の一例を構成するＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される透明な他方の基板の一例を構成する対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板からなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板からなる。ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは例えば、ＩＴＯ膜（インジウム・ティン・オキサイド膜）などの透明導電性薄膜からなる。また配向膜１６は例えば、ポリイミド薄膜などの有機薄膜からなる。
【００３０】
他方、対向基板２０には、その全面に渡って対向電極（共通電極）２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの透明導電性薄膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミド薄膜などの有機薄膜からなる。
【００３１】
ＴＦＴアレイ基板１０には、図３に示すように、各画素電極９ａに隣接する位置に、各画素電極９ａをスイッチング制御する画素スイッチング用ＴＦＴ３０が設けられている。
【００３２】
対向基板２０には、更に図３に示すように、各画素部の開口領域以外の領域に第２遮光膜２３が設けられている。このため、対向基板２０の側から入射光が画素スイッチング用ＴＦＴ３０の半導体層１ａのチャネル領域１ａ’やＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域１ｂ及び１ｃに侵入することはない。更に、第２遮光膜２３は、コントラストの向上、色材の混色防止などの機能を有する。
【００３３】
このように構成され、画素電極９ａと対向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、後述のシール材により囲まれた空間に液晶が封入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態を採る。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなる。シール材は、二つの基板１０及び２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサが混入されている。
【００３４】
図２に示すように、図中右上がりの斜線で示した領域には、複数の第１遮光膜１１ａが設けられている。より具体的には、図４にも示すように、第１遮光膜１１ａは夫々、画素部において半導体層１ａのチャネル領域を含むＴＦＴ３０をＴＦＴアレイ基板の側から見て覆う位置に設けられており、更に、容量線３ｂの本線部に対向して走査線３ａに沿って直線状に伸びる本線部２０１と、データ線６ａと交差する箇所からデータ線６ａに沿って隣接する段側（即ち、図中下向き）に突出した突出部２０２とを有する。第１遮光膜１１ａの各段（画素行）における下向きの突出部２０２の先端は、データ線６ａ下において次段における容量線３ｂの上向きの突出部の先端と重ねられている。この重なった箇所には、第1遮光膜１１ａと容量線３ｂとを相互に電気的接続するコンタクトホール１３が設けられている。即ち、本実施の形態では、第1遮光膜１１ａは、コンタクトホール１３により前段あるいは後段の定電位源としての容量線３ｂに電気的接続され、これにより定電位が確保されるようになっている。
【００３５】
また、第１遮光膜１１ａは、好ましくは不透明な高融点金属であるＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｂのうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド等から構成される。このような材料から構成すれば、ＴＦＴアレイ基板１０上の第１遮光膜１１ａの形成工程の後に行われる画素スイッチング用ＴＦＴ３０の形成工程における高温処理により、第１遮光膜１１ａが破壊されたり溶融しないようにできる。
【００３６】
更に、図３及び図４に示すように、第１遮光膜１１ａは、少なくともＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’に対向する位置の部分２０３の厚さは、他の部分の厚さと比べて厚くされいている。例えば、厚い部分２０３の厚さは２００ｎｍ〜４００ｎｍが好ましく、他の部分の厚さは５０ｎｍ〜２００ｎｍが好ましい。
【００３７】
このように本実施形態の液晶装置によれば、第１遮光膜１１ａが形成されているので、ＴＦＴアレイ基板１０の側からの戻り光等が画素スイッチング用ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’やＬＤＤ領域１ｂ、１ｃに入射する事態を未然に防ぐことができ、光電流の発生により画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性が劣化することはない。また、第１遮光膜１１ａのうち少なくともＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’に対向する位置の部分２０３の厚さは厚いので、十分な遮光性が得られ、光電流が発生することは皆無となり、その一方で、第１遮光膜１１ａ’のうちＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’に対向する位置の部分２０３以外の他の部分の厚さは薄いので、第１遮光膜１１ａ’全体として厚さが厚い部分の面積が小さくなり、第１遮光膜１１ａ’内に保有する応力を小さくすることできる。従って、ＴＦＴ３０にかかる応力が小さくなり、しきい値電圧等のトランジスタ特性を所望のものとすることができる。
【００３８】
また、第１遮光膜１１ａと複数の画素スイッチング用ＴＦＴ３０との間には、第１層間絶縁膜１２が設けられている。第１層間絶縁膜１２は、画素スイッチング用ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａを第１遮光膜１１ａから電気的絶縁するために設けられるものである。更に、第１層間絶縁膜１２は、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のための下地膜としての機能をも有する。即ち、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。第１層間絶縁膜１２は、例えば、ＮＳＧ（ノンドープトシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）などの高絶縁性ガラス又は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等からなる。第１層間絶縁膜１２により、第１遮光膜１１ａが画素スイッチング用ＴＦＴ３０等を汚染する事態を未然に防ぐこともできる。
【００３９】
本実施の形態では、ゲート絶縁膜２を走査線３ａに対向する位置から延設して誘電体膜として用い、半導体膜１ａを延設して第１蓄積容量電極１ｆとし、更にこれらに対向する容量線３ｂの一部を第２蓄積容量電極とすることにより、蓄積容量７０が構成されている。より詳細には、半導体層１ａの高濃度ドレイン領域１ｅが、データ線６ａ及び走査線３ａの下に延設されて、同じくデータ線６ａ及び走査線３ａに沿って伸びる容量線３ｂ部分に絶縁膜２を介して対向配置されて、第１蓄積容量電極（半導体層）１ｆとされている。特に蓄積容量７０の誘電体としての絶縁膜２は、高温酸化によりポリシリコン膜上に形成されるＴＦＴ３０のゲート絶縁膜２に他ならないので、薄く且つ高耐圧の絶縁膜とすることができ、蓄積容量７０は比較的小面積で大容量の蓄積容量として構成できる。
【００４０】
更に、蓄積容量７０においては、図２及び図３から分かるように、第１遮光膜１１ａは、第２蓄積容量電極としての容量線３ｂの反対側において第１蓄積容量電極１ｆに第１層間絶縁膜１２を介して第３蓄積容量電極として対向配置されることにより（図３の右側の蓄積容量７０参照）、蓄積容量が更に付与されるように構成されている。即ち、本実施の形態では、第１蓄積容量電極１ｆを挟んで両側に蓄積容量が付与されるダブル蓄積容量構造が構築されており、蓄積容量がより増加する。よって、当該液晶装置が持つ、表示画像におけるフリッカや焼き付きを防止する機能が向上する。
【００４１】
これらの結果、データ線６ａ下の領域及び走査線３ａに沿って液晶のディスクリネーションが発生する領域（即ち、容量線３ｂが形成された領域）という開口領域を外れたスペースを有効に利用して、画素電極９ａの蓄積容量を増やすことが出来る。
【００４２】
本実施の形態では、各容量線３ｂと、第１遮光膜１１ａとが夫々、コンタクトホール１３を介して電気的接続されている。このため、容量線３ｂの抵抗を、第１遮光膜１１ａの抵抗により顕著に低められる。本実施の形態では、容量線３ｂは、高抵抗なポリシリコン膜から形成されているので、対角１．３インチや０．９インチ程度の小型の液晶装置の場合でも、数１００ＫΩ程度の抵抗を有するが、第１遮光膜１１ａは、導電性の高融点金属膜から形成されているので、容量線３ｂにおける走査線３ａに沿った方向の抵抗は、大幅に低抵抗化される。例えば、遮光膜１１ａをＷＳｉで形成した場合、シート抵抗がポリシリコン膜の１／３以下に低減できる。
【００４３】
この結果、容量線３ｂの時定数についても、第１遮光膜１１ａの存在により、例えば、十数μ秒程度から数μ秒程度にまで小さくすることが出来るので、容量線３ｂの電位が揺れることに起因した横クロストークやゴースト等の発生を低減できる。即ち、灰色を背景として黒部分がハイコントラストで描かれた画像を表示しようとする場合、黒表示すべき部分的に異なる電圧の画像信号が与えられる時点が各走査線毎の書き込みの終了時点に近い時点であっても、画像のような表示劣化の問題は起こらない。そして、特に当該液晶装置をＸＧＡ、ＳＸＧＡ等の駆動周波数の高い機種として構成しても、容量線３ｂの時定数が十分に小さくされているため、やはり横クロストークやゴースト等の発生を低減できる。
【００４４】
従って、このような横クロストークやゴースト等の防止のために、前述の如きデータ線６ａ毎や画素毎に液晶駆動電圧の極性を反転させる方式を採用する必要性は無く、逆に、液晶層５０のディスクリネーションを低減することができ且つ画素開口率を高めるのに適した、走査線３ａ毎に液晶に印加される駆動電圧を反転させる走査線反転駆動方式（所謂１Ｈ反転駆動方式）を採用できる。
【００４５】
本実施の形態では特に、第１遮光膜１１ａ（及びこれに電気的接続された容量線３ｂ）は定電位源に電気的接続されており、第１遮光膜１１ａ及び容量線３ｂは、定電位とされる。従って、第１遮光膜１１ａに対向配置される画素スイッチング用ＴＦＴ３０に対し第１遮光膜１１ａの電位変動が悪影響を及ぼすことはない。また、容量線３ｂは、蓄積容量７０の第２蓄積容量電極として良好に機能し得る。この場合、定電位源としては、当該液晶装置を駆動するための周辺回路（例えば、走査線駆動回路、データ線駆動回路等）に供給される負電源、正電源等の定電位源、接地電源、対向電極２１に供給される定電位源等が挙げられる。このように周辺回路等の電源を利用すれば、専用の電位配線や外部入力端子を設ける必要なく、遮光膜１１ａ及び容量線３ｂを定電位にできる。
【００４６】
また、図２及び図３に示したように、本実施の形態では、コンタクトホール１３を介して第１遮光膜１１ａは、前段あるいは後段の容量線３ｂに電気的接続されている。従って、各第１遮光膜１１ａが、自段の容量線に電気的接続される場合と比較して（後述の第３実施形態参照）、画素部の開口領域の縁に沿って、データ線６ａに重ねて容量線３ｂ及び第１遮光膜１１ａが形成される領域の他の領域に対する段差が少なくて済む。このように画素部の開口領域の縁に沿った段差が少ないと、当該段差に応じて引き起こされる液晶のディスクリネーション（配向不良）を低減できるので、画素部の開口領域を広げることが可能となる。
【００４７】
また、第１遮光膜１１ａは、前述のように直線状に伸びる本線部２０１から突出した突出部２０２にコンタクトホール１３が開孔されている。ここで、コンタクトホール１３の開孔箇所としては、縁に近い程、ストレスが縁から発散される等の理由により、クラックが生じ難いことが判明している。従ってこの場合、どれだけ突出部２０２の先端に近づけてコンタクトホール１３を開孔するかに応じて（好ましくは、マージンぎりぎりまで先端に近づけるかに応じて）、製造プロセス中に第１遮光膜１１ａにかかる応力が緩和されて、より効果的にクラックを防止し得、歩留まりを向上させることが可能となる。
【００４８】
更に、第１遮光膜１１ａは、チャネル領域１ａ’を覆う位置を除き、走査線３ａに対向する位置には形成されていない。従って、第１遮光膜１１ａと各走査線３ａとの間の容量カップリングが実践上殆ど又は全く生じないので、走査線３ａにおける電位変動により、第１遮光膜１１ａにおける電位揺れが発生することはなく、その結果、容量線３ｂにおける電位揺れも発生しない。
【００４９】
尚、この実施形態では、相隣接する前段あるいは後段の画素に設けられた容量線３ｂと第１遮光膜１１ａとを接続しているため、最上段あるいは最下段の画素に対して第１遮光膜１１ａに定電位を供給するための容量線３ｂが必要となる。そこで、容量線３ｂの数を垂直画素数に対して１本余分に設けておくようにすると良い。
【００５０】
ここで、容量線３ｂと走査線３ａとは、同一のポリシリコン膜からなり、蓄積容量７０の誘電体膜とＴＦＴ３０のゲート絶縁膜２とは、同一の高温酸化膜からなり、第１蓄積容量電極１ｆと、ＴＦＴ３０のチャネル形成領域１ａ’、ソース領域１ｄ、ドレイン領域１ｅ等とは、同一の半導体層１ａからなる。このため、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成される積層構造を単純化でき、更に、後述の液晶装置の製造方法において、同一の薄膜形成工程で容量線３ｂ及び走査線３ａを同時に形成でき、蓄積容量７０の誘電体膜及びゲート絶縁膜２を同時に形成できる。
【００５１】
更に、本実施の形態では特に、第１遮光膜１１ａは、走査線３ａに沿って夫々伸延しており、しかも、データ線６ａに沿った方向に対し複数の縞状に分断されている。このため、例えば各画素部の開口領域の周りに一体的に形成された格子状の遮光膜を配設した場合と比較して、第１遮光膜１１ａ、走査線３ａ及び容量線３ｂを形成するポリシリコン膜、データ線６ａを形成する金属膜、層間絶縁膜等からなる当該液晶装置の積層構造において、各膜の物性の違いに起因した製造プロセス中の加熱冷却に伴い発生するストレスが格段に緩和される。このため、第１遮光膜１１ａ等におけるクラックの発生防止や歩留まりの向上が図られる。
【００５２】
尚、図２では、第１遮光膜１１ａにおける直線状の本線部分２０１は、容量線３ｂの直線状の本線部分にほぼ重ねられるように形成されているが、第１遮光膜１１ａが、ＴＦＴ３０のチャネル領域に対向する位置に設けられており且つコンタクトホール１３を形成可能なように容量線３ｂと何れかの箇所で重ねられていれば、ＴＦＴに対する遮光機能及び容量線に対する低抵抗化機能を発揮可能である。従って、例えば相隣接した走査線３ａと容量線３ｂとの間にある走査線に沿った長手状の間隙領域や、走査線３ａと若干重なる位置にまでも、当該第１遮光膜１１ａを設けてもよい。
【００５３】
本実施の形態では特に、容量線３ｂと第１遮光膜１１ａとは、第１層間絶縁膜１２に開孔されたコンタクトホール１３を介して確実に且つ高い信頼性を持って、両者は電気的接続されているが、このようなコンタクトホール１３は、画素毎に開孔されても良く、複数の画素からなる画素グループ毎に開孔されても良い。
【００５４】
コンタクトホール１３を画素毎に開孔した場合には、第１遮光膜１１ａによる容量線３ｂの低抵抗化を促進でき、更に、両者間における冗長構造の度合いを高められる。他方、コンタクトホール１３を複数の画素からなる画素グループ毎に（例えば２画素毎に或いは３画素毎に）開孔した場合には、容量線３ｂや第１遮光膜１１ａのシート抵抗、駆動周波数、要求される仕様等を勘案しつつ、第１遮光膜１１ａによる容量線３ｂの低抵抗化及び冗長構造による利益と、多数のコンタクトホール１３を開孔することによる製造工程の複雑化或いは当該液晶装置の不良化等の弊害とを適度にバランスできるので、実践上大変有利である。
【００５５】
また、本実施の形態では特に、このような画素毎或いは画素グループ毎に設けられるコンタクトホール１３は、対向基板２０の側から見てデータ線６ａの下に開孔されている。このため、コンタクトホール１３は、画素部の開口領域から外れており、しかもＴＦＴ３０や第１蓄積容量電極１ｆが形成されていない第１層間絶縁膜１２の部分に設けられているので、画素領域の有効利用を図りつつ、コンタクトホール１３の形成によるＴＦＴ３０や他の配線等の不良化を防ぐことができる。
【００５６】
再び、図３において、画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、走査線３ａ、該走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜２、データ線６ａ、半導体層１ａの低濃度ソース領域（ソース側ＬＤＤ領域）１ｂ及び低濃度ドレイン領域（ドレイン側ＬＤＤ領域）１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ並びに高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。高濃度ドレイン領域１ｅには、複数の画素電極９ａのうちの対応する一つが接続されている。ソース領域１ｂ及び１ｄ並びにドレイン領域１ｃ及び１ｅは後述のように、半導体層１ａに対し、ｎ型又はｐ型のチャネルを形成するかに応じて所定濃度のｎ型用又はｐ型用の不純物イオンをドープすることにより形成されている。ｎ型チャネルのＴＦＴは、動作速度が速いという利点があり、画素のスイッチング素子である画素スイッチング用ＴＦＴ３０として用いられることが多い。本実施の形態では特にデータ線６ａは、Ａｌ等の金属膜や金属シリサイド等の合金膜などの遮光性の薄膜から構成されている。また、走査線３ａ、ゲート絶縁膜２及び第１層間絶縁膜１２の上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール５及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８が各々形成された第２層間絶縁膜４が形成されている。このソース領域１ｂへのコンタクトホール５を介して、データ線６ａは高濃度ソース領域１ｄに電気的接続されている。更に、データ線６ａ及び第２層間絶縁膜４の上には、高濃度ドレイン領域１ｅへのコンタクトホール８が形成された第３層間絶縁膜７が形成されている。この高濃度ドレイン領域１ｅへのコンタクトホール８を介して、画素電極９ａは高濃度ドレイン領域１ｅに電気的接続されている。前述の画素電極９ａは、このように構成された第３層間絶縁膜７の上面に設けられている。尚、画素電極９ａと高濃度ドレイン領域１ｅとは、データ線６ａと同一のＡｌ膜や走査線３ｂと同一のポリシリコン膜を中継しての電気的接続するようにしてもよい。
【００５７】
画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、好ましくは上述のようにＬＤＤ構造を持つが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物イオンの打ち込みを行わないオフセット構造を持ってよいし、ゲート電極３ａをマスクとして高濃度で不純物イオンを打ち込み、自己整合的に高濃度ソース及びドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。
【００５８】
また本実施の形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート電極（走査線３ａ）をソース−ドレイン領域１ｂ及び１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。この際、各々のゲート電極には同一の信号が印加されるようにする。このようにデュアルゲート（ダブルゲート）或いはトリプルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネルとソース−ドレイン領域接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。これらのゲート電極の少なくとも１個をＬＤＤ構造或いはオフセット構造にすれば、更にオフ電流を低減でき、安定したスイッチング素子を得ることができる。
【００５９】
ここで、一般には、半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ等のポリシリコン層は、光が入射するとポリシリコンが有する光電変換効果により光電流が発生してしまい画素スイッチング用ＴＦＴ３０のトランジスタ特性が劣化するが、本実施の形態では、走査線３ａを上側から覆うようにデータ線６ａがＡｌ等の遮光性の金属薄膜から形成されているので、少なくとも半導体層１ａのチャネル領域１ａ’及びＬＤＤ領域１ｂ、１ｃへの入射光の入射を効果的に防ぐことが出来る。また、前述のように、画素スイッチング用ＴＦＴ３０の下側には、第１遮光膜１１ａが設けられているので、少なくとも半導体層１ａのチャネル領域１ａ’及びＬＤＤ領域１ｂ、１ｃへの戻り光の入射を効果的に防ぐことが出来る。
【００６０】
尚、上記実施形態における液晶装置では、第１遮光膜１１ａを１層の不透明な高融点金属から構成したが、図５に示すように、第１遮光膜１１のうちＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’に対応する厚い部分２０３を不透明な高融点金属からなる第１の層２０４及び導電体、例えばポリシリコンからなる第２の層２０５により構成し、第１遮光膜１１のうち厚い部分２０３以外の他の部分をポリシリコンからなる第２の層２０５により構成してもよい。ここで、不透明な高融点金属からなる第１の層２０４としては、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｂのうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド等から構成される。このような材料から構成すれば、ＴＦＴアレイ基板１０上の第１遮光膜１１ａの形成工程の後に行われる画素スイッチング用ＴＦＴ３０の形成工程における高温処理により、第１遮光膜１１ａが破壊されたり溶融しないようにできる。
【００６１】
そして、上記実施形態では、第１遮光層１１ａのうちＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’に対応する厚い部分２０３以外の薄い部分を厚い部分２０３と同一の不透明な高融点金属から構成したため、この部分における導電性を低下させ、第１遮光層１１ａを定電位に維持することが困難にことも考えられる。これに対して、第１遮光層１１ａを図５に示したような２層構造とすることにより、第１遮光膜１１ａのうち厚い部分２０３以外の部分が薄くなった場合でも例えば第２の層２０５を第１層２０４よりも導電性の高い材料を用いることで第１遮光膜１１ａの遮光性を維持しつつ第１遮光膜１１ａを定電位とすることを確保することができる。
【００６２】
次に、別の実施形態を説明する。
【００６３】
図６はこの実施形態に係る第１遮光層１１ａの構成を示す概略断面図である。
【００６４】
図６に示すように、第１遮光膜１１ａは、分断溝２０６により複数に分断された遮光層２０７を有する。遮光層２０７は、第１遮光層１１ａのうちＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’に対応する部分２０３の他、他の部分に形成されている。そして、これら島状に分断された遮光層２０７間の分断溝２０６を埋め、更にこれら遮光層２０７を覆うように導電体、例えばポリシリコンからなる導電層２０８が形成されている。
【００６５】
ここで、遮光層２０７は、不透明な高融点金属であるＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｂのうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド等から構成される。このような材料から構成すれば、ＴＦＴアレイ基板１０上の第１遮光膜１１ａの形成工程の後に行われる画素スイッチング用ＴＦＴ３０の形成工程における高温処理により、第１遮光膜１１ａが破壊されたり溶融しないようにできる。
【００６６】
本実施形態によれば、遮光性を有するが高融点金属であるために応力をより強く保有する遮光層２０７が分断溝２０６により複数に島状に分断されているので、第１遮光膜１１ａからＴＦＴ３０にかかる応力を分散させることができる。これにより、第１遮光膜１１ａの遮光性を維持したままＴＦＴ３０にかかる応力を低減し、所望のトランジスタ特性を得ることができる。また、分断された遮光層２０７間は導電層２０８により導通されているので、第１遮光膜１１ａを定電位とすることを確保することができる。
【００６７】
（液晶装置の第１実施形態の製造プロセス）
次に、以上のような構成を持つ液晶装置の第１実施形態の製造プロセスについて、図７から図１１を参照して説明する。尚、図７から図１１は各工程におけるＴＦＴアレイ基板側の各層を、図３と同様に図２のＡ−Ａ’断面に対応させて示す工程図である。
【００６８】
図７の工程（１）に示すように、石英基板、ハードガラス等のＴＦＴアレイ基板１０を用意する。ここで、好ましくはＮ２（窒素）等の不活性ガス雰囲気且つ約９００〜１３００℃の高温でアニール処理し、後に実施される高温プロセスにおけるＴＦＴアレイ基板１０に生じる歪みが少なくなるように前処理しておく。即ち、製造プロセスにおける最高温で高温処理される温度に合わせて、事前にＴＦＴアレイ基板１０を同じ温度かそれ以上の温度で熱処理しておく。
【００６９】
このように処理されたＴＦＴアレイ基板１０の全面に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｂ等の金属や金属シリサイド等の金属合金膜を、スパッタにより、５０〜２００ｎｍ程度の層厚、好ましくは約 １８０〜２００ ｎｍの層厚の遮光膜１１を形成する。
【００７０】
続いて工程（２）に示すように、該形成された遮光膜１１上にフォトリソグラフィにより第１遮光膜１１ａのうち厚い部分２０３のパターン（図３及び図４参照）に対応するレジストマスクを形成し、該レジストマスクを介して遮光膜１１に対しエッチングを行うことにより、第１遮光膜１１ａのうち厚い部分２０３の第１層を形成する。
【００７１】
次に、工程（３）に示すように、再びＴＦＴアレイ基板１０の全面に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｂ等の金属や金属シリサイド等の金属合金膜を、スパッタにより、１５０〜２００ｎｍ程度の層厚、好ましくは約４０〜６０ｎｍの層厚の遮光膜１１を形成する。
【００７２】
続いて、工程（４）に示すように、該形成された遮光膜１１上にフォトリソグラフィにより第１遮光膜１１ａのパターン（図２及び図４参照）に対応するレジストマスクを形成し、該レジストマスクを介して遮光膜１１に対しエッチングを行うことにより、第１遮光膜１１ａのうち厚い部分２０３の第２層及び残りの薄い部分を形成する。
【００７３】
このように本実施形態の製造方法によれば、厚さの異なる部分を有する第１遮光膜１１ａを形成する際に、まず厚い部分２０３に薄い部分との厚さの差分だけ遮光膜１１を形成し、その後第１遮光膜１１ａに対応するパターンの遮光膜１１を形成するようにしているので、厚さの異なる部分を有する第１遮光膜１１ａを選択性のいらないエッチングにより形成できる。
【００７４】
次に図８の工程（５）に示すように、第１遮光膜１１ａの上に、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法等によりＴＥＯＳ（テトラ・エチル・オルソ・シリケート）ガス、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）ガス、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）ガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第１層間絶縁膜１２を形成する。この第１層間絶縁膜１２の層厚は、例えば、約５００〜２０００ｎｍとする。
【００７５】
次に工程（６）に示すように、第１層間絶縁膜１２の上に、約４５０〜５５０℃、好ましくは約５００℃の比較的低温環境中で、流量約４００〜６００ｃｃ／ｍｉｎのモノシランガス、ジシランガス等を用いた減圧ＣＶＤ（例えば、圧力約２０〜４０ＰａのＣＶＤ）により、アモルファスシリコン膜を形成する。その後、窒素雰囲気中で、約６００〜７００℃にて約１〜１０時間、好ましくは、４〜６時間のアニール処理を施することにより、ポリシリコン膜１を約５００〜２００ｎｍの厚さ、好ましくは約１００ｎｍの厚さとなるまで固相成長させる。
【００７６】
この際、図３に示した画素スイッチング用ＴＦＴ３０として、ｎチャネル型の画素スイッチング用ＴＦＴ３０を作成する場合には、当該チャネル領域にＳｂ（アンチモン）、Ａｓ（砒素）、Ｐ（リン）などのＶ族元素の不純物イオンを僅かにイオン注入等によりドープしても良い。また、画素スイッチング用ＴＦＴ３０をｐチャネル型とする場合には、Ｂ（ボロン）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）などのIII族元素の不純物イオンを僅かにイオン注入等によりドープしても良い。尚、アモルファスシリコン膜を経ないで、減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン膜１を直接形成しても良い。或いは、減圧ＣＶＤ法等により堆積したポリシリコン膜にシリコンイオンを打ち込んで一旦非晶質化（アモルファス化）し、その後アニール処理等により再結晶化させてポリシリコン膜１を形成しても良い。
【００７７】
次に工程（７）に示すように、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により、図２に示した如き所定パターンの半導体層１ａを形成する。即ち、特にデータ線６ａ下で容量線３ｂが形成される領域及び走査線３ａに沿って容量線３ｂが形成される領域には、画素スイッチング用ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａから延設された第１蓄積容量電極１ｆを形成する。
【００７８】
次に工程（８）に示すように、画素スイッチング用ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａと共に第１蓄積容量電極１ｆを約９００〜１３００℃の温度、好ましくは約１０００℃の温度により熱酸化することにより、約３０ｎｍの比較的薄い厚さの熱酸化シリコン膜を形成し、更に減圧ＣＶＤ法等により高温酸化シリコン膜（ＨＴＯ膜）や窒化シリコン膜を約５０ｎｍの比較的薄い厚さに堆積し、多層構造を持つ画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート絶縁膜２と共に容量形成用のゲート絶縁膜２を形成する（図３参照）。この結果、半導体層１ａ及び第１蓄積容量電極１ｆの厚さは、約３００〜１５０ｎｍの厚さ、好ましくは約３５０〜５０ｎｍの厚さとなり、ゲート絶縁膜２の厚さは、約２００〜１５０ｎｍの厚さ、好ましくは約３００〜１００ｎｍの厚さとなる。このように高温熱酸化時間を短くすることにより、特に８インチ程度の大型ウエーハを使用する場合に熱によるそりを防止することができる。但し、ポリシリコン層１を熱酸化することのみにより、単一層構造を持つゲート絶縁膜２を形成してもよい。
【００７９】
尚、工程（８）において特に限定されないが、第１蓄積容量電極１ｆとなる半導体層部分に、例えば、Ｐイオンをドーズ量約３×１０１２／ｃｍ２でドープして、低抵抗化させてもよい。
【００８０】
次に、工程（９）において、第１層間絶縁膜１２に第１遮光膜１１ａに至るコンタクトホール１３を反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより或いはウエットエッチングにより形成する。この際、反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチングのような異方性エッチングにより、コンタクトホール１３等を開孔した方が、開孔形状をマスク形状とほぼ同じにできるという利点がある。但し、ドライエッチングとウエットエッチングとを組み合わせて開孔すれば、これらのコンタクトホール１３等をテーパ状にできるので、配線接続時の断線を防止できるという利点が得られる。
【００８１】
次に工程（１０）に示すように、減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン層３を堆積した後、リン（Ｐ）を熱拡散し、ポリシリコン膜３を導電化する。又は、Ｐイオンをポリシリコン膜３の成膜と同時に導入したドープトシリコン膜を用いてもよい。
【００８２】
次に、図９の工程（１１）に示すように、レジストマスクを用いたフォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により、図２に示した如き所定パターンの走査線３ａと共に容量線３ｂを形成する。これらの容量線３ｂ及び走査線３ａの層厚は、例えば、約３５０ｎｍとされる。
【００８３】
次に工程（１２）に示すように、図３に示した画素スイッチング用ＴＦＴ３０をＬＤＤ構造を持つｎチャネル型のＴＦＴとする場合、半導体層１ａに、先ず低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃを形成するために、走査線３ａ（ゲート電極）を拡散マスクとして、ＰなどのＶ族元素の不純物イオン６０を低濃度で（例えば、Ｐイオンを１〜３×１０１３／ｃｍ２のドーズ量にて）ドープする。これにより走査線３ａ下の半導体層１ａはチャネル領域１ａ’となる。この不純物のドープにより容量線３ｂ及び走査線３ａも低抵抗化される。
【００８４】
続いて、工程（１３）に示すように、画素スイッチング用ＴＦＴ３０を構成する高濃度ソース領域１ｂ及び高濃度ドレイン領域１ｃを形成するために、走査線３ａよりも幅の広いマスクでレジスト層６２を走査線３ａ上に形成した後、同じくＰなどのＶ族元素の不純物イオン６１を高濃度で（例えば、Ｐイオンを１〜３×１０１５／ｃｍ２のドーズ量にて）ドープする。また、画素スイッチング用ＴＦＴ３０をｐチャネル型とする場合、半導体層１ａに、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを形成するために、ＢなどのIII族元素の不純物イオンを用いてドープする。尚、例えば、低濃度のドープを行わずに、オフセット構造のＴＦＴとしてもよく、走査線３ａをマスクとして、Ｐイオン、Ｂイオン等を用いたイオン注入技術によりセルフアライン型のＴＦＴとしてもよい。
【００８５】
この不純物のドープにより容量線３ｂ及び走査線３ａも更に低抵抗化される。
【００８６】
また、工程（１２）及び工程（１３）を再度繰り返し、Ｂ（ボロン）イオンなどのIII族元素の不純物イオンを行うことにより、ｐチャネル型ＴＦＴを形成することができる。これにより、ｎチャネル型ＴＦＴ及びｐチャネル型ＴＦＴから構成される相補型構造を持つデータ線駆動回路及び走査線駆動回路を液晶装置用基板１０上の周辺部に形成することが可能となる。このように、本実施の形態において画素スイッチング用ＴＦＴ３０は半導体層をポリシリコンで形成するので、画素スイッチング用ＴＦＴ３０の形成時にほぼ同一工程で、データ線駆動回路及び走査線駆動回路を形成することができ、製造上有利である。
【００８７】
次に工程（１４）に示すように、画素スイッチング用ＴＦＴ３０における走査線３ａと共に容量線３ｂ及び走査線３ａを覆うように、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法やＴＥＯＳガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第２層間絶縁膜４を形成する。第２層間絶縁膜４の層厚は、約５００〜１５００ｎｍが好ましい。
【００８８】
次に工程（１５）の段階で、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを活性化するために約１０００℃のアニール処理を２０分程度行った後、データ線３１に対するコンタクトホール５を、反応性エッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより或いはウエットエッチングにより形成する。また、走査線３ａや容量線３ｂを図示しない配線と接続するためのコンタクトホールも、コンタクトホール５と同一の工程により第２層間絶縁膜４に開孔する。
【００８９】
次に図１０の工程（１６）に示すように、第２層間絶縁膜４の上に、スパッタ処理等により、遮光性のＡｌ等の低抵抗金属や金属シリサイド等を金属膜６として、約１００〜５００ｎｍの厚さ、好ましくは約３００ｎｍに堆積し、更に工程（１７）に示すように、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により、データ線６ａを形成する。
【００９０】
次に工程（１８）に示すように、データ線６ａ上を覆うように、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法やＴＥＯＳガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第３層間絶縁膜７を形成する。第３層間絶縁膜７の層厚は、約５００〜１５００ｎｍが好ましい。
【００９１】
次に図１１の工程（１９）の段階において、画素スイッチング用ＴＦＴ３０において、画素電極９ａと高濃度ドレイン領域１ｅとを電気的接続するためのコンタクトホール８を、反応性エッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより形成する。
【００９２】
次に工程（２０）に示すように、第３層間絶縁膜７の上に、スパッタ処理等により、ＩＴＯ膜等の透明導電性薄膜９を、約５０〜２００ｎｍの厚さに堆積し、更に工程（２１）に示すように、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により、画素電極９ａを形成する。尚、当該液晶装置を反射型の液晶装置に用いる場合には、Ａｌ等の反射率の高い不透明な材料から画素電極９ａを形成してもよい。
【００９３】
続いて、画素電極９ａの上にポリイミド系の配向膜の塗布液を塗布した後、所定のプレティルト角を持つように且つ所定方向でラビング処理を施すこと等により、配向膜１６（図３参照）が形成される。
【００９４】
他方、図３に示した対向基板２０については、ガラス基板等が先ず用意され、第２遮光膜２３及び後述の周辺見切りとしての第２遮光膜が、例えば金属クロムをスパッタした後、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程を経て形成される。尚、これらの第２遮光膜は、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌなどの金属材料の他、カーボンやＴｉをフォトレジストに分散した樹脂ブラックなどの材料から形成してもよい。
【００９５】
その後、対向基板２０の全面にスパッタ処理等により、ＩＴＯ等の透明導電性薄膜を、約５００〜２００ｎｍの厚さに堆積することにより、対向電極２１を形成する。更に、対向電極２１の全面にポリイミド系の配向膜の塗布液を塗布した後、所定のプレティルト角を持つように且つ所定方向でラビング処理を施すこと等により、配向膜２２（図３参照）が形成される。
【００９６】
最後に、上述のように各層が形成されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、配向膜１６及び２２が対面するようにシール材５２により貼り合わされ、真空吸引等により、両基板間の空間に、例えば複数種類のネマティック液晶を混合してなる液晶が吸引されて、所定層厚の液晶層５０が形成される。
【００９７】
尚、図７の工程（１）〜（４）に代えて例えば図１２に示すように第１遮光膜１１ａを形成してもよい。ここで、図１２は各工程におけるＴＦＴアレイ基板側の各層を、図３と同様に図２のＡ−Ａ’断面に対応させて示す工程図である。
【００９８】
即ち、図１２の工程（１）に示すように、遮光膜１１のち第１層をポリシリコンにより形成する。
【００９９】
続いて工程（２）に示すように、該形成された遮光膜１１上にフォトリソグラフィにより第１遮光膜１１ａのパターン（図２及び図４参照）に対応するレジストマスクを形成し、該レジストマスクを介して遮光膜１１に対しエッチングを行うことにより、第１遮光膜１１ａの第１層を形成する。
【０１００】
次に、工程（３）に示すように、第１遮光膜１１ａの第１層上であって、第１遮光膜１１ａのうち厚い部分２０３（図３及び図４参照）に対応する位置にＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｂ等の金属や金属シリサイド等の金属合金膜からなる第１遮光膜１１ａの第２層を選択的なエッチングにより形成する。従って、異なる材料からなる２層構造の第１遮光膜１１ａを容易に形成することができる。
【０１０１】
また、図７の工程（１）〜（４）に代えて例えば図１３に示すように第１遮光膜１１ａを形成してもよい。ここで、図１３は各工程におけるＴＦＴアレイ基板側の各層を、図３と同様に図２のＡ−Ａ’断面に対応させて示す工程図である。
【０１０２】
即ち、図１３の工程（１）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｂ等の金属や金属シリサイド等の金属合金膜を、スパッタにより、遮光膜１１のち第１層を形成する。
【０１０３】
続いて工程（２）に示すように、該形成された遮光膜１１上にフォトリソグラフィにより第１遮光膜１１ａのパターン（図２及び図４参照）に対応するレジストマスクを形成し、該レジストマスクを介して遮光膜１１に対しエッチングを行うことにより、第１遮光膜１１ａを形成する。
【０１０４】
次に、工程（３）に示すように、第１遮光膜１１ａのうち厚い部分２０３（図３及び図４参照）に対応する位置以外の部分を選択的なエッチングにより薄くする。従って、厚さの異なる２層構造の第１遮光膜１１ａを１回の蒸着で形成することができる。
【０１０５】
（液晶装置の全体構成）
以上のように構成された液晶装置の各実施の形態の全体構成を図１４及び図１５を参照して説明する。尚、図１４は、ＴＦＴアレイ基板１０をその上に形成された各構成要素と共に対向基板２０の側から見た平面図であり、図１５は、対向基板２０を含めて示す図１４のＨ−Ｈ’断面図である。
【０１０６】
図１４において、ＴＦＴアレイ基板１０の上には、シール材５２がその縁に沿って設けられており、その内側に並行して、例えば第２遮光膜２３と同じ或いは異なる材料から成る周辺見切りとしての第２遮光膜５３が設けられている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路１０１及び実装端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。走査線３ａに供給される走査信号遅延が問題にならないのならば、走査線駆動回路１０４は片側だけでも良いことは言うまでもない。また、データ線駆動回路１０１を画面表示領域の辺に沿って両側に配列してもよい。例えば奇数列のデータ線６ａは画面表示領域の一方の辺に沿って配設されたデータ線駆動回路から画像信号を供給し、偶数列のデータ線は前記画面表示領域の反対側の辺に沿って配設されたデータ線駆動回路から画像信号を供給するようにしてもよい。この様にデータ線６ａを櫛歯状に駆動するようにすれば、データ線駆動回路の占有面積を拡張することができるため、複雑な回路を構成することが可能となる。更にＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画面表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられており、更に、周辺見切りとしての第２遮光膜５３の下に隠れてプリチャージ回路を設けてもよい。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための導通材１０６が設けられている。そして、図１５に示すように、図１４に示したシール材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が当該シール材５２によりＴＦＴアレイ基板１０に固着されている。
【０１０７】
以上図１から図１５を参照して説明した各実施の形態における液晶装置のＴＦＴアレイ基板１０上には更に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。また、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（テープオートメイテッドボンディング基板）上に実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード、Ｄ−ＳＴＮ（ダブル−ＳＴＮ）モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光手段などが所定の方向で配置される。
【０１０８】
以上説明した各実施の形態における液晶装置は、カラー液晶プロジェクタ（投射型表示装置）に適用されるため、３枚の液晶装置がＲＧＢ用のライトバルブとして各々用いられ、各パネルには各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになる。従って、各実施の形態では、対向基板２０に、カラーフィルタは設けられていない。しかしながら、第２遮光膜２３の形成されていない画素電極９ａに対向する所定領域にＲＧＢのカラーフィルタをその保護膜と共に、対向基板２０上に形成してもよい。このようにすれば、液晶プロジェクタ以外の直視型や反射型のカラー液晶テレビなどのカラー液晶装置に各実施の形態における液晶装置を適用できる。更に、対向基板２０上に１画素1個対応するようにマイクロレンズを形成してもよい。このようにすれば、入射光の集光効率を向上することで、明るい液晶装置が実現できる。更にまた、対向基板２０上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ付き対向基板によれば、より明るいカラー液晶装置が実現できる。
【０１０９】
以上説明した各実施の形態における液晶装置では、従来と同様に入射光を対向基板２０の側から入射することとしたが、第１遮光膜１１ａを設けているので、ＴＦＴアレイ基板１０の側から入射光を入射し、対向基板２０の側から出射するようにしても良い。即ち、このように液晶装置を液晶プロジェクタに取り付けても、半導体層１ａのチャネル領域１ａ’及びＬＤＤ領域１ｂ、１ｃに光が入射することを防ぐことが出来、高画質の画像を表示することが可能である。ここで、従来は、ＴＦＴアレイ基板１０の裏面側での反射を防止するために、反射防止用のＡＲ（Ａｎｔｉ−ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）被膜された偏光手段を別途配置したり、ＡＲフィルムを貼り付ける必要があった。しかし、各実施の形態では、ＴＦＴアレイ基板１０の表面と半導体層１ａの少なくともチャネル領域１ａ’及びＬＤＤ領域１ｂ、１ｃとの間に第１遮光膜１１ａが形成されているため、このようなＡＲ被膜された偏光手段やＡＲフィルムを用いたり、ＴＦＴアレイ基板１０そのものをＡＲ処理した基板を使用する必要が無くなる。従って、各実施の形態によれば、材料コストを削減でき、また偏光手段の貼り付け時に、ごみ、傷等により、歩留まりを落とすことがなく大変有利である。また、耐光性が優れているため、明るい光源を使用したり、偏光ビームスプリッタにより偏光変換して、光利用効率を向上させても、光によるクロストーク等の画質劣化を生じない。
【０１１０】
また、各画素に設けられるスイッチング素子としては、正スタガ型又はコプラナー型のポリシリコンＴＦＴであるとして説明したが、逆スタガ型のＴＦＴやアモルファスシリコンＴＦＴ等の他の形式のＴＦＴに対しても、各実施の形態は有効である。
【０１１１】
（電子機器）
上記の液晶装置を用いた電子機器の一例として、投射型表示装置の構成について、図１７を参照して説明する。図１７において、投射型表示装置１１００は、上述した液晶装置を３個用意し、夫々ＲＧＢ用の液晶装置９６２Ｒ、９６２Ｇ及び９６２Ｂとして用いた投射型液晶装置の光学系の概略構成図を示す。本例の投射型表示装置の光学系には、前述した光源装置９２０と、均一照明光学系９２３が採用されている。そして、投射型表示装置は、この均一照明光学系９２３から出射される光束Ｗを赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に分離する色分離手段としての色分離光学系９２４と、各色光束Ｒ、Ｇ、Ｂを変調する変調手段としての３つのライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇ、９２５Ｂと、変調された後の色光束を再合成する色合成手段としての色合成プリズム９１０と、合成された光束を投射面１００の表面に拡大投射する投射手段としての投射レンズユニット９０６を備えている。また、青色光束Ｂを対応するライトバルブ９２５Ｂに導く導光系９２７をも備えている。
【０１１２】
均一照明光学系９２３は、２つのレンズ板９２１、９２２と反射ミラー９３１を備えており、反射ミラー９３１を挟んで２つのレンズ板９２１、９２２が直交する状態に配置されている。均一照明光学系９２３の２つのレンズ板９２１、９２２は、それぞれマトリクス状に配置された複数の矩形レンズを備えている。光源装置９２０から出射された光束は、第１のレンズ板９２１の矩形レンズによって複数の部分光束に分割される。そして、これらの部分光束は、第２のレンズ板９２２の矩形レンズによって３つのライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇ、９２５Ｂ付近で重畳される。従って、均一照明光学系９２３を用いることにより、光源装置９２０が出射光束の断面内で不均一な照度分布を有している場合でも、３つのライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇ、９２５Ｂを均一な照明光で照明することが可能となる。
【０１１３】
各色分離光学系９２４は、青緑反射ダイクロイックミラー９４１と、緑反射ダイクロイックミラー９４２と、反射ミラー９４３から構成される。まず、青緑反射ダイクロイックミラー９４１において、光束Ｗに含まれている青色光束Ｂおよび緑色光束Ｇが直角に反射され、緑反射ダイクロイックミラー９４２の側に向かう。赤色光束Ｒはこのミラー９４１を通過して、後方の反射ミラー９４３で直角に反射されて、赤色光束Ｒの出射部９４４からプリズムユニット９１０の側に出射される。
【０１１４】
次に、緑反射ダイクロイックミラー９４２において、青緑反射ダイクロイックミラー９４１において反射された青色、緑色光束Ｂ、Ｇのうち、緑色光束Ｇのみが直角に反射されて、緑色光束Ｇの出射部９４５から色合成光学系の側に出射される。緑反射ダイクロイックミラー９４２を通過した青色光束Ｂは、青色光束Ｂの出射部９４６から導光系９２７の側に出射される。本例では、均一照明光学素子の光束Ｗの出射部から、色分離光学系９２４における各色光束の出射部９４４、９４５、９４６までの距離がほぼ等しくなるように設定されている。
【０１１５】
色分離光学系９２４の赤色、緑色光束Ｒ、Ｇの出射部９４４、９４５の出射側には、それぞれ集光レンズ９５１、９５２が配置されている。したがって、各出射部から出射した赤色、緑色光束Ｒ、Ｇは、これらの集光レンズ９５１、９５２に入射して平行化される。
【０１１６】
このように平行化された赤色、緑色光束Ｒ、Ｇは、ライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇに入射して変調され、各色光に対応した画像情報が付加される。すなわち、これらの液晶装置は、不図示の駆動手段によって画像情報に応じてスイッチング制御されて、これにより、ここを通過する各色光の変調が行われる。一方、青色光束Ｂは、導光系９２７を介して対応するライトバルブ９２５Ｂに導かれ、ここにおいて、同様に画像情報に応じて変調が施される。尚、本例のライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇ、９２５Ｂは、それぞれさらに入射側偏光手段９６０Ｒ、９６０Ｇ、９６０Ｂと、出射側偏光手段９６１Ｒ、９６１Ｇ、９６１Ｂと、これらの間に配置された液晶装置９６２Ｒ、９６２Ｇ、９６２Ｂとからなる液晶ライトバルブである。
【０１１７】
導光系９２７は、青色光束Ｂの出射部９４６の出射側に配置した集光レンズ９５４と、入射側反射ミラー９７１と、出射側反射ミラー９７２と、これらの反射ミラーの間に配置した中間レンズ９７３と、ライトバルブ９２５Ｂの手前側に配置した集光レンズ９５３とから構成されている。集光レンズ９４６から出射された青色光束Ｂは、導光系９２７を介して液晶装置９６２Ｂに導かれて変調される。各色光束の光路長、すなわち、光束Ｗの出射部から各液晶装置９６２Ｒ、９６２Ｇ、９６２Ｂまでの距離は青色光束Ｂが最も長くなり、したがって、青色光束の光量損失が最も多くなる。しかし、導光系９２７を介在させることにより、光量損失を抑制することができる。
【０１１８】
各ライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇ、９２５Ｂを通って変調された各色光束Ｒ、Ｇ、Ｂは、色合成プリズム９１０に入射され、ここで合成される。そして、この色合成プリズム９１０によって合成された光が投射レンズユニット９０６を介して所定の位置にある投射面１００の表面に拡大投射されるようになっている。
【０１１９】
本例では、液晶装置９６２Ｒ、９６２Ｇ、９６２Ｂには、ＴＦＴの下側に遮光層が設けられているため、当該液晶装置９６２Ｒ、９６２Ｇ、９６２Ｂからの投射光に基づく液晶プロジェクタ内の投射光学系による反射光、投射光が通過する際のＴＦＴアレイ基板の表面からの反射光、他の液晶装置から出射した後に投射光学系を突き抜けてくる投射光の一部等が、戻り光としてＴＦＴアレイ基板の側から入射しても、画素電極のスイッチング用のＴＦＴのチャネルに対する遮光を十分に行うことができる。
【０１２０】
このため、小型化に適したプリズムユニットを投射光学系に用いても、各液晶装置９６２Ｒ、９６２Ｇ、９６２Ｂとプリズムユニットとの間において、戻り光防止用のフィルムを別途配置したり、偏光手段に戻り光防止処理を施したりすることが不要となるので、構成を小型且つ簡易化する上で大変有利である。
【０１２１】
また、本実施の形態では、戻り光によるＴＦＴのチャネル領域への影響を抑えることができるため、液晶装置に直接戻り光防止処理を施した偏光手段９６１Ｒ、９６１Ｇ、９６１Ｂを貼り付けなくてもよい。そこで、図１７に示されるように、偏光手段を液晶装置から離して形成、より具体的には、一方の偏光手段９６１Ｒ、９６１Ｇ、９６１Ｂはプリズムユニット９１０に貼り付け、他方の偏光手段９６０Ｒ、９６０Ｇ、９６０Ｂは集光レンズ９５３、９４５、９４４に貼り付けることが可能である。このように、偏光手段をプリズムユニットあるいは集光レンズに貼り付けることにより、偏光手段の熱は、プリズムユニットあるいは集光レンズで吸収されるため、液晶装置の温度上昇を防止することができる。
【０１２２】
また、図示を省略するが、液晶装置と偏光手段とを離間形成することにより、液晶装置と偏光手段との間には空気層ができるため、冷却手段を設け、液晶装置と偏光手段との間に冷風等の送風を送り込むことにより、液晶装置の温度上昇をさらに防ぐことができ、液晶装置の温度上昇による誤動作を防ぐことができる。
【０１２３】
上述の本実施形態では液晶装置を用いて説明したが、これに限るものではなく、エレクトロルミネッセンス、あるいはプラズマディスプレイ等の電気光学装置にも本実施形態は適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態における液晶装置の画像形成領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種素子、配線等の等価回路である。
【図２】図１に示した液晶装置のデータ線、走査線、画素電極、遮光膜等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ’断面図である。
【図４】本実施形態の液晶装置における遮光層の近傍の構造を概念的に示した斜視図である。
【図５】本発明の他の実施形態における液晶装置の遮光膜の概略断面図である。
【図６】本発明の更に別の実施形態における液晶装置の遮光膜の概略断面図である。
【図７】本発明の一実施形態における液晶装置の製造プロセスを順を追って示す工程図（その１）である。
【図８】本発明の一実施形態における液晶装置の製造プロセスを順を追って示す工程図（その２）である。
【図９】本発明の一実施形態における液晶装置の製造プロセスを順を追って示す工程図（その３）である。
【図１０】本発明の一実施形態における液晶装置の製造プロセスを順を追って示す工程図（その４）である。
【図１１】本発明の一実施形態における液晶装置の製造プロセスを順を追って示す工程図（その５）である。
【図１２】本発明の他の実施形態における液晶装置の製造プロセスを順を追って示す工程図である。
【図１３】本発明の更に別の実施形態における液晶装置の製造プロセスを順を追って示す工程図である。
【図１４】液晶装置の各実施の形態におけるＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
【図１５】図１４のＨ−Ｈ’断面図である。
【図１６】液晶装置を用いた電子機器の一例である投射型表示装置の構成図である。
【符号の説明】
１ａ…半導体層
１ａ’…チャネル領域
１ｄ…高濃度ソース領域
１ｅ…高濃度ドレイン領域
１ｆ…第１蓄積容量電極
３ａ…走査線
３ｂ…容量線
６ａ…データ線
９ａ…画素電極
１０…ＴＦＴアレイ基板
１１ａ…第１遮光膜
１３…コンタクトホール
３０…ＴＦＴ
２０１…本線部
２０２…突出部
２０３…第１遮光膜１１ａのうち厚い部分
２０４…第１の層
２０５…第２の層
２０６…分断溝
２０７…遮光層
２０８…導電層

Claims (10)

1. 基板上に複数のデータ線と、前記各データ線に電気的接続されたトランジスタと、前記トランジスタに電気的接続された画素電極と、前記各データ線と交差する方向に延設されると共に前記トランジスタの少なくともチャネル領域に対向する位置に設けられた不透明な高融点金属からなる遮光膜とを有する電気光学装置であって、
   前記遮光膜のうち少なくとも前記トランジスタのチャネル領域に対向する部分の厚さは、前記各データ線の間に形成された前記遮光膜の厚さと比べて厚いことを特徴とする電気光学装置。
2. 前記遮光膜のうち厚い部分の厚さは２００ｎｍ〜４００ｎｍであり、前記遮光膜のうち他の部分の厚さは５０ｎｍ〜２００ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記遮光膜はＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｂのうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電気光学装置。
4. 前記基板上に、前記各データ線と交差する複数の容量線が更に設けられており、前記遮光膜は、前段あるいは後段の容量線に電気的接続されていることを特徴とする請求項１から請求項３のうちいずれか１項に記載の電気光学装置。
5. 前記基板上に、前記各データ線と交差する複数の走査線が更に設けられており、前記遮光膜は、前記各データ線の間であって前記各走査線に対向する位置には設けられていないことを特徴とする請求項１から請求項４のうちいずれか１項に記載の電気光学装置。
6. 基板上に複数のデータ線と、前記各データ線に電気的接続されたトランジスタと、前記トランジスタに電気的接続された画素電極と、前記各データ線と交差する方向に延設されると共に前記トランジスタの少なくともチャネル領域に対向する位置に設けられた不透明な高融点金属からなる遮光膜とを有する電気光学装置を製造する方法であって、
   少なくとも前記トランジスタのチャネル領域に対向するように前記遮光膜としての不透明な高融点金属からなる第１層を島状に形成する工程と、
   前記第１層の上に形成されるとともに前記各データ線と交差する方向に延設された前記遮光膜としての不透明な高融点金属からなる第２層を形成する工程とを備え、
   前記遮光膜のうち少なくとも前記トランジスタのチャネル領域に対向する部分の厚さは、前記各データ線の間に形成された前記遮光膜の厚さと比べて厚いことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
7. 基板上に複数のデータ線と、前記各データ線に電気的接続されたトランジスタと、前記トランジスタに電気的接続された画素電極と、前記各データ線と交差する方向に形成されると共に前記トランジスタの少なくともチャネル領域に対向する位置に設けられた遮光膜とを有する電気光学装置を製造する方法であって、
   少なくとも前記トランジスタのチャネル領域に対向するように、第１の厚さの前記遮光膜を形成する工程と、
   少なくとも前記トランジスタのチャネル領域を覆う部分以外の部分において、前記第１の厚さよりも薄い第２の厚さとなるように前記遮光膜を選択的に除去する工程と
   を具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
8. 前遮光膜はＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｂのうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項６または請求項７に記載の電気光学装置の製造方法。
9. 前記第１の厚さは２００ｎｍ〜４００ｎｍであり、前記第２の層の厚さは５０ｎｍ〜２００ｎｍであることを特徴とする請求項６から請求項８のうちいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
10. 光源と、
    該光源から出射される光が入射されて画像情報に対応した変調を施す、請求項１から請求項５のうちいずれか１項に記載の電気光学装置または請求項６から請求項９のうちいずれか１項に記載の製造方法により製造された電気光学装置を有するライトバルブと、
    前記ライトバルブにより変調された光を投射する投射手段と
    を具備することを特徴とする電子機器。

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