JP3765262B2 - Control apparatus, semiconductor test apparatus, and program - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被測定デバイスにテストパターンを印可して被測定デバイスの電源電流を解析する電源電流解析装置複数と接続され、前記電源電流解析装置それぞれの動作を制御する制御装置等に関する。
【0002】
【従来の技術】
図7は、従来の半導体試験装置800の構成を示すブロック図である。半導体試験装置800は、電源電流解析装置811〜81n(以下、包括的に電源電流解析装置81と言う。)及びコンピュータ87によって構成され、電源電流解析装置81にはそれぞれDUT(被測定デバイス:Device Under Test)861〜86n(以下、包括的にDUT86と言う。)が接続される。
【0003】
電源電流解析装置811は、DUT用電源821(以下、包括的にDUT用電源82と言う。)、電源電流検出ユニット831(以下、包括的に電源電流検出ユニット83と言う。)、周波数解析ユニット841(以下、包括的に周波数解析ユニット84と言う。)、テストパターン発生ユニット851(以下、包括的にテストパターン発生ユニット85と言う。)を備える。電源電流解析装置812〜81nも同様の構成であり、コンピュータ87に並列に接続されている。
【0004】
また、コンピュータ87の出力はDUT用電源82、周波数解析ユニット84及びテストパターン発生ユニット85に接続される。DUT用電源82の出力は電源電流検出ユニット83に接続され、電源電流検出ユニット83の出力は周波数解析ユニット84とDUT86の電源ピンに接続される。また、テストパターン発生ユニット85の出力はDUT86のIOピンへ接続される。
【0005】
DUT用電源82は、コンピュータ87で設定された電圧を出力し、電源電流検出ユニット83を経由して、DUT86の電源ピンへ電圧を印加する。
【0006】
電源電流検出ユニット83は、DUT86の電源ピンの電流値を計測し、その結果を周波数解析ユニット84に出力し、更にコンピュータ87へ出力する。
【0007】
周波数解析ユニット84は、コンピュータ87から指定される測定条件に従って、電源電流検出ユニット83から入力したDUT86の電源ピンの電流値に関して周波数解析を行い、その結果をコンピュータ87へ出力する。
【0008】
テストパターン発生ユニット85は、コンピュータ87が指示する動作タイミングに従い、DUT86のIOピンに対してテストパターン信号を出力する。
【0009】
コンピュータ87は、DUT用電源82に対してDUT86の電源ピンに印加する電圧を設定し、周波数解析ユニット84から計測結果を入力して、データ処理やDUT86の不良判定をする。また、電源電流検出ユニット83からDUT86の電源ピンの電流値を入力し、周波数解析ユニット84の解析条件を設定する。そして、テストパターン発生ユニット85の発生するテストパターンと、電源電流検出ユニット83及び周波数解析ユニット84の動作タイミングを指示する信号を出力する。
【0010】
図8は、図7の半導体試験装置800を用いた従来の半導体試験方法を説明するための図である。コンピュータ87には、n個のDUT86に関する電源電流解析装置81の解析結果が入力される。コンピュータ87は、該解析結果と予め設定された基準値との比較により、各DUT86の不良判定をする。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
ここで、半導体試験装置800において、DUTの不良判定をすることは重要であるが、不良であるDUTが検出された場合、該DUTに入力したテストパターンにおいて、不良動作の発生箇所を検出することも望まれる。
【0012】
しかしながら、従来の半導体試験方法においては、良/不良の判定は可能であるが、不良であるDUTに対する不良箇所の検出はできない。そのため、不良箇所を検出するためには、例えば、特開平9−211088号公報などの故障検出方法等も知られているが、別の解析手段や装置等が必要となり、その為の時間や費用を必要としていた。
【0013】
更に、コンピュータ87に設定されている基準値を決定する際は、複数のDUTに対して試験を複数回行って基準値を決定していた為、この基準値の設定に関しても時間と労力を必要としていた。
【0014】
本発明の課題は、予め基準値を設定せずにDUTの試験を行い、更に不良箇所を検出することである。
【0015】
【課題を解決するための手段】
請求項1記載の発明の制御装置(例えば、図1のコンピュータ17)は、被測定デバイスにテストパターンを印可して被測定デバイスの電源電流を解析する電源電流解析装置(例えば、図1の電源電流解析装置111)複数と接続され、前記電源電流解析装置それぞれの動作を制御する制御装置において、前記電源電流解析装置それぞれの解析結果を受信する受信手段(例えば、図2の通信部26)と、前記受信手段により受信される前記電源電流解析装置それぞれの解析結果同士を比較することにより、前記電源電流解析装置それぞれにより測定される被測定デバイスの良否を判定する判定手段(例えば、図2の試験実行プログラム231)と、を備えることを特徴としている。
【0016】
更に、請求項6記載の発明のプログラムは、被測定デバイスにテストパターンを印可して被測定デバイスの電源電流を解析する電源電流解析装置複数と接続され、前記電源電流解析装置それぞれの動作を制御するためのコンピュータに、前記電源電流解析装置それぞれの解析結果を受信する受信手段と、前記受信手段により受信される前記電源電流解析装置それぞれの解析結果同士を比較することにより、前記電源電流解析装置それぞれにより測定される被測定デバイスの良否を判定する判定手段と、を機能させることを特徴としている。
【0017】
この請求項1及び6記載の発明によれば、複数の電源電流解析装置の出力する解析結果同士を比較することによって被測定デバイスの不良判定をすることにより、基準値を予め設定する必要がなく、基準値を決定するための時間と労力を削減できる。
【0018】
また、請求項2記載の発明のように、請求項1記載の制御装置において、前記複数の電源電流解析装置の内、基準とする電源電流解析装置を設定する設定手段を更に備え、前記判定手段は、前記設定手段により設定される電源電流解析装置の解析結果を基準として、他の電源電流解析装置の解析結果を比較することとしてもよい。
【0019】
この請求項2記載の発明によれば、例えば、設定手段により設定された電源電流解析装置に既に良品と分かっている被測定デバイスを設置し、該電源電流解析装置の解析結果と他の電源電流解析装置の解析結果とを比較する。このことによって、基準値を予め設定する必要がないため、基準値を決定するための時間と労力を削減できる。
【0020】
更に、請求項3記載の発明のように、請求項1又は2記載の制御装置において、前記テストパターンを、1以上のパターン区間に分割する区間分割手段と、前記区間分割手段により分割されるパターン区間に基づいて、前記電源電流解析装置の解析動作を制御する制御手段(例えば、図2の不良箇所特定処理プログラム232)と、を更に備える制御装置を構成してもよい。
【0021】
この請求項3記載の発明によれば、テストパターンを分割して被測定デバイスの不良解析をすることにより、不良である被測定デバイスにおいて、テストパターン内の不良発生箇所を検出できる。その例として、例えば、請求項4記載の発明のように、前記区間分割手段は、分割済みのパターン区間を更に1以上のパターン区間に再帰的に分割する手段を備えることとしてもよい。これにより、不良箇所を検出するための別の測定が不要となり、時間と労力を削減できる。
【0022】
この請求項4記載の発明によれば、テストパターンの分割を繰り返すことによって、不良である被測定デバイスにおいて、テストパターン内の不良発生箇所を検出できる。
【0023】
勿論、これらの制御装置を備える半導体試験装置を構成してもよい。請求項5記載の半導体試験装置のように、被測定デバイスにテストパターンを印可して被測定デバイスの電源電流を解析する電源電流解析装置複数と、前記電源電流解析装置それぞれと接続される請求項1〜4の何れかに記載の制御装置と、を備える半導体試験装置を構成してもよい。
【0024】
【発明の実施の形態】
以下、図1〜図6を参照して本発明を適用した実施の形態を詳細に説明する。図1は、本実施の形態である半導体試験装置100のブロック構成を示す図である。本実施の形態である半導体試験装置100のブロック構成は、図7と同一である。また、相違する機能ブロックはコンピュータ17とテストパターン発生ユニット151(以下、包括的にテストパターン発生ユニット15と言う。)である。このため、同一の機能ブロックについては、同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【0025】
テストパターン発生ユニット15は、試験が実行されるパターン区間に基づいた設定信号がコンピュータ17より入力され、そのパターン区間について、DUT86のIOピンに対してテストパターン信号を出力する。
【0026】
コンピュータ17は、DUT用電源82に対してDUT86の電源ピンに印加する電圧を設定し、周波数解析ユニット84から計測結果を入力して、データ処理やDUT86の不良判定をする。また、電源電流検出ユニット83からDUT86の電源ピンの電流値を入力し、周波数解析ユニット84の解析条件を設定し、テストパターン発生ユニット15の発生するテストパターンにおいてパターン区間を設定し、その設定信号を出力する。そして、テストパターン発生ユニット15の発生するテストパターンと、電源電流検出ユニット831及び周波数解析ユニット84の動作タイミングを指示する信号を出力する。
【0027】
図2は、コンピュータ17のハードウェア構成を示す図であり、CPU(中央演算装置:Central Processing Unit)21、RAM(Random Access Memory)22、記憶部23、入力部24、表示部25及び通信部26によって構成されており、各部はバス27によって接続されている。
【0028】
CPU21は、記憶部23に記憶されている各種アプリケーションプログラム中の指定されたアプリケーションプログラムをRAM22に格納し、この入力指示および入力データに応じて、RAM22に格納したアプリケーションプログラムに従って各種処理を実行し、その処理結果をRAM22に格納するとともに、表示部25へ表示する。
【0029】
RAM22は、各種アプリケーションプログラムの実行によって作成されたデータ等を記憶する。解析結果記憶領域221は、試験実行プログラム231の実行によって電源電流解析装置11からコンピュータ17へ送信された解析結果を記憶する領域である。
【0030】
記憶部23は、各種アプリケーションプログラムおよびデータを記憶するものであり、ハードディスク等で構成される。ここでは、試験実行プログラム231及び不良箇所特定処理プログラム232が記憶されている。
【0031】
試験実行プログラム231は、コンピュータ17が電源電流解析装置11に対してDUT86の試験を実行させるためのプログラムであり、不良箇所特定処理プログラム232は、DUT86の試験の際に不良が検出された場合、テストパターン内の不良箇所を検出するためのプログラムである。
【0032】
入力部24は、コンピュータ17のユーザが数値の入力、あるいはアプリケーションプログラムを実行指示等するものであり、キーボード等で構成される。
【0033】
表示部25は、入力部24において入力された文字や符号、アプリケーションプログラムの処理結果など、コンピュータ87を使用するために必要なデータが表示される部分であり、CRT(ブラウン管:Cathode Ray Tube)やLCD(液晶ディスプレイ:Liquid Crystal Display)などで構成される。
【0034】
通信部26は、電源電流解析装置11等の外部装置との信号の送受信するためのインターフェースであり、CPU21からの信号によって動作する。
【0035】
図3は、本実施の形態における半導体試験方法を説明するための図である。コンピュータ17には、n個の電源電流解析装置11の測定結果が入力される。ここで、電源電流解析装置111には良品であるDUTを予め接続し、コンピュータ17は入力した測定結果のうち、電源電流解析装置111の測定結果を基準値として、該測定結果と電源電流解析装置112〜11nの測定結果とを比較することにより、不良判定をする。これにより、コンピュータ17に不良判定の為の基準値を予め設定しなくてもよいため、該基準値を決定するための作業時間を削減できる。
【0036】
尚、良品であるDUTは、必ずしも電源電流解析装置111に接続されなくてもよく、それ以外でもよい。
【0037】
次に、本実施の形態の半導体試験方法において、不良が検出された場合の不良箇所の検出方法について説明する。まず図4は、DUT86の試験の際に用いるテストパターン40の構造の一例を示す図である。テストパターン40は、コンピュータ17により実行されたプログラムに従って、テストパターン発生ユニット15の回路により生成され、DUT86のIOピンに入力される試験信号の集合によって構成される。L0〜L999の番号は、テストパターン40におけるライン番号である。
【0038】
図3において、例えば、テストパターン40に従ってDUT86の半導体試験を行って、あるDUT86に不良が発見された場合、テストパターン40を二分して、L0〜L500(図4における、領域A・B)とL501〜L999(領域C・D)のテストパターンについて試験する。L0〜L500のテストパターンにおいて不良が検出されなかった時、次にL501〜L999のテストパターンについて試験する。この時に不良が検出された場合、L501〜L999のテストパターンを更に二分して、L501〜L750(領域C)とL751〜L999(領域D)のテストパターンについて試験する。この時、L501〜L750のテストパターンについて不良が検出された場合、L501〜L750のテストパターンを更に二分し、それぞれのテストパターンについて試験する。
【0039】
図5は、CPU21による試験実行プログラム231の実行に係る、コンピュータ17の動作を示すフローチャートである。まずCPU21は、電源電流解析装置11に対して、試験開始を示す各種信号を出力し、試験を実行する(ステップA1)。具体的には、DUT用電源82、周波数解析ユニット84及びテストパターン発生ユニット15において、試験開始を示す信号や、DUT86の電源ピンに印加する電圧を示す設定信号等をDUT用電源82に出力する。また、テストパターン40において、試験に用いるパターン区間の設定信号をテストパターン発生ユニット15に出力する。試験終了後、電源電流検出ユニット83が検出した電源電流を周波数解析ユニット84が周波数解析を行い、その解析結果が通信部26を介して解析結果記憶領域221に記憶される。
【0040】
次に、変数mに2を代入し(ステップA2)、CPU21は解析結果記憶領域221を読み出して、良品であるDUTが接続されている電源電流解析装置111の解析結果と電源電流解析装置11mの解析結果とを比較する(ステップA3)。
【0041】
良品であるDUTが接続されている電源電流解析装置111の解析結果と電源電流解析装置11mの解析結果とが一致した場合(ステップA4:No)、CPU21は電源電流解析装置11mに接続されたDUTは良品と判定し、ステップA6へ処理を移行する。
【0042】
一方、上記2つの解析結果が一致しなかった場合(ステップA4:Yes)、CPU21は電源電流解析装置11mに接続されたDUT16mを不良と判定し、不良箇所特定処理プログラム232へ処理を移行する。該プログラムの詳細は後述する。
【0043】
続いてCPU21は、ステップA3における比較結果、ステップA5における不良箇所特定処理プログラム232の処理結果等を表示部25へ表示し(ステップA6)、変数mに1を加算する(ステップA7)。
【0044】
次にCPU21は変数n(nはDUT86の個数)と変数mを比較し、変数mが変数n以下の場合(ステップA8:Yes)、CPU21は処理をステップA3に移行する。一方、変数mが変数nより大きい場合(ステップA8:No)、電源電流解析装置11の全ての解析結果について比較したとして、CPU21は処理を終了する。
【0045】
図6は、CPU21による不良箇所特定処理プログラム232の実行に係る、コンピュータ17の動作を示すフローチャートである。最初にCPU21は、変数Lminにテストパターン40の最小ライン番号を、変数Lmaxにテストパターン40の最大ライン番号を代入する(ステップB1)。例えば、テストパターン40の場合、Lmin=0となり、Lmax=999となる。
【0046】
続いて、CPU21は変数Xに対して、Lmax/2の計算結果を代入する(ステップB2)。ここで変数Xは正の整数とし、Lmax/2の解の小数点以下は切り上げとする。
【0047】
次にCPU21は、良品であるDUTが接続されている電源電流解析装置111と接続されている不良と判定されたDUTが接続されている電源電流解析装置に対して、ライン番号Lmin〜Xのパターン区間についての試験を実行し、解析結果を比較する(ステップB3)。
【0048】
解析結果が一致しなかった場合(ステップB4:Yes)、ライン番号Lmin〜Xのパターン区間内に不良箇所が存在するとして、該区間について、更に不良検出をする。CPU21は変数Lmaxに変数Xを代入し(ステップB5)、処理をステップB9へ移行する。
【0049】
一方、解析結果が一致した場合(ステップB4:No)、ライン番号Lmin〜Xのパターン区間内に不良箇所が存在しないとして、CPU21は良品であるDUTが接続されている電源電流解析装置111と接続されている不良と判定されたDUTが接続されている電源電流解析装置に対して、ライン番号X+1〜Lmaxのパターン区間についての解析結果を比較する(ステップB6)。
【0050】
解析結果が一致した場合(ステップB7:No)、不良箇所は検出されなかったとして、CPU21は処理を終了する。一方、解析結果が一致しなかった場合(ステップB7:Yes)、ライン番号X+1〜Lmaxのパターン区間内に不良箇所が存在するとして、該区間について、更に不良検出をする。CPU21は変数Lminに変数X+1を代入し(ステップB5)、LmaxとLminを比較する。LmaxとLminが同値でない場合(ステップB9:No)、CPU21は不良が検出されたパターン区間において、更に分割可能と判断し、ステップB2へ処理を移行する。
【0051】
一方、LmaxとLminが同値である場合(ステップB9:Yes)、不良箇所が検出されたとして、CPU21はライン番号Lmin(あるいは、ライン番号Lmax)を不良ライン番号としてRAM22に記憶し(ステップB10)、処理を終了する。
【0052】
このように、半導体試験においてDUT86に不良が発見された場合、テストパターン40のパターン区間を再帰的に分割していくことによって、パターン区間を徐々に小さくしていき、テストパターン40における不良箇所を検出する。
【0053】
ここで、テストパターン40のライン番号を二分していくこととしたが、テストパターン40に複数のテストが含まれ、各テスト共々に一連であるが故に、任意のライン番号で区切れない場合が生じ得る。その場合には、分割可能な箇所でテストパターン40を分割することにより実現できる。より具体的には、テストパターン40の内、分割可能な箇所を予め指定しておき、不良箇所特定処理プログラム232において、この指定した箇所に基づいて再帰的な分割をすることで実現できる。
【0054】
また、不良箇所特定処理プログラム232は、不良箇所が1つの場合について説明したが、不良箇所が複数ある場合は、その不良箇所の個数回ほど不良箇所特定処理プログラム232を繰り返す。その際、既に不良箇所として検出されたライン番号は、RAM221に記憶する等して、検出対象から外す必要がある。
【0055】
以上より、n個の電源電流解析装置81のうち、1つの電源電流解析装置に良品であるDUTを接続して試験を実行することにより、良品であるDUTの接続されている電源電流解析装置の解析結果を基準値として、他の電源電流解析装置81の解析結果と比較する。これにより、試験実行前に基準値を決定しコンピュータ87に記憶する設定がなく、試験時間と労力を削減できる。
【0056】
また、不良であるDUTを発見した場合、不良箇所特定処理プログラム232を実行することによって、テストパターン40内の不良箇所が検出されるまでパターン区分を繰り返し分割して解析結果を比較することにより、不良箇所を検出できる。これにより、不良箇所の検出のために別の測定をする必要がなくなり、試験時間や労力、試験の為の費用を削減できる。
【0057】
【発明の効果】
請求項1及び6記載の発明によれば、複数の電源電流解析装置の出力する解析結果同士を比較することによって被測定デバイスの不良判定をすることにより、解析結果を比較する基準値を予め設定する必要がなく、基準値を決定するための時間と労力を削減できる。
【0058】
請求項2記載の発明によれば、例えば、設定手段により設定された電源電流解析装置に既に良品と分かっている被測定デバイスを設置し、該電源電流解析装置の解析結果と他の電源電流解析装置の解析結果とを比較することによって、解析結果を比較する基準値を予め設定する必要がないため、基準値を決定するための時間と労力を削減できる。
【0059】
請求項3記載の発明によれば、テストパターンを分割して被測定デバイスの不良解析をすることにより、不良である被測定デバイスにおいて、テストパターン内の不良発生箇所を検出できる。これにより、不良箇所を検出するための別の測定が不要となり、時間と労力を削減できる。
【0060】
請求項4記載の発明によれば、テストパターンの分割を繰り返すことによって、不良である被測定デバイスにおいて、テストパターン内の不良発生箇所を検出できる。従って、不良箇所を検出するための別の測定が不要となり、時間と労力を削減できる。
【0061】
請求項5記載の発明によれば、複数の電源電流解析装置の内、1つの電源電流解析装置に既に良品と分かっている被測定デバイスを接続し、該電源電流解析装置の解析結果と他の電源電流解析装置の解析結果とを比較することによって、解析結果を比較する基準値を予め設定する必要がないため、基準値を決定するための時間と労力を削減できる。更に、テストパターンの分割を繰り返すことによって、例えば、被測定デバイスにおいて不良品を発見した場合、テストパターンにおける不良発生箇所を検出できる。これにより、不良箇所を検出するための別の測定が不要となり、時間と労力を削減できる。更に、半導体試験に関する費用も削減できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施の形態における、半導体試験装置の構成を示すブロック図。
【図2】本実施の形態における、コンピュータ87のハードウェア構成を示す図。
【図3】本実施の形態における、半導体試験方法を示した図。
【図4】DUTの試験の際に用いるテストパターンの一例を示す図。
【図5】試験実行プログラムの動作フローチャート。
【図6】不良箇所特定処理プログラムの動作フローチャート。
【図7】従来の半導体試験装置の構成を示すブロック図。
【図8】従来の半導体試験方法を示す図。
【符号の説明】
21 CPU
22 RAM
221 解析結果記憶領域
23 記憶部
231 試験実行プログラム
232 不良箇所特定処理プログラム
24 入力部
25 表示部
26 通信部
111 電源電流解析装置
821 DUT用電源
831 電源電流検出ユニット
841 周波数解析ユニット
151 テストパターン発生ユニット
861 DUT
17 コンピュータ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a control device or the like that is connected to a plurality of power supply current analysis devices that apply a test pattern to a device under measurement and analyze the power supply current of the device under measurement, and controls the operation of each of the power supply current analysis devices.
[0002]
[Prior art]
FIG. 7 is a block diagram showing a configuration of a conventional
[0003]
The power source
[0004]
The output of the
[0005]
The DUT power supply 82 outputs the voltage set by the
[0006]
The power supply current detection unit 83 measures the current value of the power supply pin of the DUT 86, outputs the result to the frequency analysis unit 84, and further outputs it to the
[0007]
The frequency analysis unit 84 performs frequency analysis on the current value of the power supply pin of the DUT 86 input from the power supply current detection unit 83 in accordance with the measurement conditions specified by the
[0008]
The test pattern generation unit 85 outputs a test pattern signal to the IO pin of the DUT 86 according to the operation timing instructed by the
[0009]
The
[0010]
FIG. 8 is a diagram for explaining a conventional semiconductor test method using the
[0011]
[Problems to be solved by the invention]
Here, in the
[0012]
However, in the conventional semiconductor test method, it is possible to determine good / bad, but it is not possible to detect a defective portion for a defective DUT. For this reason, in order to detect a defective portion, for example, a failure detection method such as Japanese Patent Laid-Open No. 9-2111088 is known, but another analysis means or device is required, and the time and cost for that are required. Needed.
[0013]
Furthermore, when the reference value set in the
[0014]
An object of the present invention is to perform a DUT test without previously setting a reference value, and to detect a defective portion.
[0015]
[Means for Solving the Problems]
The control apparatus according to the first aspect of the invention (for example, the
[0016]
Furthermore, the program of the invention described in claim 6 is connected to a plurality of power source current analyzing devices that apply a test pattern to the device under measurement and analyze the power source current of the device under test, and controls the operation of each of the power source current analyzing devices. The power supply current analyzing apparatus by comparing the analysis results of the power supply current analyzing apparatuses received by the receiving means with the receiving means for receiving the analysis results of the power supply current analyzing apparatuses And determining means for determining the quality of the device under measurement measured by each of the devices.
[0017]
According to the first and sixth aspects of the present invention, it is not necessary to set a reference value in advance by determining the failure of the device under measurement by comparing the analysis results output from the plurality of power supply current analysis devices. , Reduce the time and effort to determine the reference value.
[0018]
The control device according to
[0019]
According to the second aspect of the present invention, for example, a device to be measured that is already known to be non-defective is installed in the power source current analyzing apparatus set by the setting means, and the analysis result of the power source current analyzing apparatus and other power source currents are set. Compare the analysis results of the analyzer. This eliminates the need to set a reference value in advance, thereby reducing time and labor for determining the reference value.
[0020]
Furthermore, as in the invention described in claim 3, in the control device according to
[0021]
According to the third aspect of the invention, by dividing the test pattern and analyzing the failure of the device under measurement, it is possible to detect the occurrence of a failure in the test pattern in the device under measurement that is defective. As an example, for example, as in the invention described in claim 4, the section dividing means may further comprise means for recursively dividing the divided pattern section into one or more pattern sections. This eliminates the need for another measurement for detecting a defective portion, thereby reducing time and labor.
[0022]
According to the fourth aspect of the invention, by repeating the division of the test pattern, it is possible to detect a defect occurrence location in the test pattern in the device under test that is defective.
[0023]
Of course, you may comprise the semiconductor testing apparatus provided with these control apparatuses. 6. A plurality of power supply current analyzing apparatuses that analyze a power supply current of a device under test by applying a test pattern to the device under measurement as in the semiconductor test apparatus according to claim 5 and connected to each of the power supply current analysis devices. You may comprise a semiconductor test apparatus provided with the control apparatus in any one of 1-4.
[0024]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, an embodiment to which the present invention is applied will be described in detail with reference to FIGS. FIG. 1 is a diagram showing a block configuration of a
[0025]
The test pattern generation unit 15 receives a setting signal based on the pattern section in which the test is executed from the
[0026]
The
[0027]
FIG. 2 is a diagram illustrating a hardware configuration of the
[0028]
The
[0029]
The
[0030]
The
[0031]
The
[0032]
The
[0033]
The
[0034]
The
[0035]
FIG. 3 is a diagram for explaining a semiconductor test method in the present embodiment. The
[0036]
The DUT that is a non-defective product does not necessarily have to be connected to the power supply
[0037]
Next, a method for detecting a defective part when a defect is detected in the semiconductor test method of the present embodiment will be described. First, FIG. 4 is a diagram showing an example of the structure of the
[0038]
In FIG. 3, for example, when a semiconductor test of the DUT 86 is performed according to the
[0039]
FIG. 5 is a flowchart showing the operation of the
[0040]
Next, 2 is substituted into the variable m (step A2), the
[0041]
When the analysis result of the power supply
[0042]
On the other hand, if the two analysis results do not match (step A4: Yes), the
[0043]
Subsequently, the
[0044]
Next, the
[0045]
FIG. 6 is a flowchart showing the operation of the
[0046]
Subsequently, the
[0047]
Next, the
[0048]
If the analysis results do not match (step B4: Yes), it is determined that a defective portion exists in the pattern section of the line numbers Lmin to X, and the defect is further detected in the section. CPU21 substitutes the variable X for the variable Lmax (step B5), and transfers a process to step B9.
[0049]
On the other hand, if the analysis results match (step B4: No), the
[0050]
If the analysis results match (step B7: No), the
[0051]
On the other hand, if Lmax and Lmin are the same value (step B9: Yes), the
[0052]
As described above, when a defect is found in the DUT 86 in the semiconductor test, the pattern section of the
[0053]
Here, the line number of the
[0054]
Moreover, although the defective part
[0055]
As described above, by connecting the non-defective DUT to one power supply current analyzing device among the n power supply current analyzing devices 81 and executing the test, the power supply current analyzing device to which the non-defective DUT is connected can be obtained. The analysis result is used as a reference value and compared with the analysis result of another power supply current analysis device 81. Thereby, there is no setting for determining the reference value before the test execution and storing it in the
[0056]
In addition, when a defective DUT is found, by executing the defective portion specifying
[0057]
【The invention's effect】
According to the first and sixth aspects of the invention, the reference value for comparing the analysis results is set in advance by determining the failure of the device under measurement by comparing the analysis results output from the plurality of power source current analysis devices. There is no need to do this, and the time and labor for determining the reference value can be reduced.
[0058]
According to the second aspect of the present invention, for example, a device to be measured that is already known as a non-defective product is installed in the power supply current analysis device set by the setting means, and the analysis result of the power supply current analysis device and other power supply current analysis By comparing with the analysis result of the apparatus, it is not necessary to set in advance a reference value for comparing the analysis result, so that time and labor for determining the reference value can be reduced.
[0059]
According to the third aspect of the present invention, by dividing the test pattern and analyzing the failure of the device under measurement, it is possible to detect the occurrence of a failure in the test pattern in the device under measurement that is defective. This eliminates the need for another measurement for detecting a defective portion, thereby reducing time and labor.
[0060]
According to the fourth aspect of the present invention, by repeating the division of the test pattern, it is possible to detect a defect occurrence location in the test pattern in the defective device under measurement. Therefore, another measurement for detecting a defective portion is unnecessary, and time and labor can be reduced.
[0061]
According to the fifth aspect of the present invention, a device under test that is already known to be non-defective is connected to one power source current analyzing device among the plurality of power source current analyzing devices, and the analysis result of the power source current analyzing device and the other By comparing with the analysis result of the power source current analysis device, it is not necessary to set a reference value for comparing the analysis result in advance, so that time and labor for determining the reference value can be reduced. Further, by repeating the division of the test pattern, for example, when a defective product is found in the device under measurement, it is possible to detect a defect occurrence location in the test pattern. This eliminates the need for another measurement for detecting a defective portion, thereby reducing time and labor. In addition, the costs associated with semiconductor testing can be reduced.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor test apparatus in the present embodiment.
FIG. 2 is a diagram showing a hardware configuration of a
FIG. 3 is a diagram showing a semiconductor test method in this embodiment.
FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a test pattern used in a DUT test.
FIG. 5 is an operation flowchart of a test execution program.
FIG. 6 is an operation flowchart of a defect location identification processing program.
FIG. 7 is a block diagram showing a configuration of a conventional semiconductor test apparatus.
FIG. 8 shows a conventional semiconductor test method.
[Explanation of symbols]
21 CPU
22 RAM
221 Analysis
17 Computer
Claims (6)
前記電源電流解析装置それぞれの解析結果を受信する受信手段と、
前記受信手段により受信される前記電源電流解析装置それぞれの解析結果同士を比較することにより、前記電源電流解析装置それぞれにより測定される被測定デバイスの良否を判定する判定手段と、
を備えることを特徴とする制御装置。In a control device for controlling the operation of each of the power supply current analysis devices, connected to a plurality of power supply current analysis devices that apply a test pattern to the device under measurement and analyze the power supply current of the device under measurement,
Receiving means for receiving an analysis result of each of the power supply current analysis devices;
A determination unit that determines pass / fail of a device under measurement measured by each of the power supply current analysis devices by comparing the analysis results of each of the power supply current analysis devices received by the reception unit;
A control device comprising:
前記判定手段は、前記設定手段により設定される電源電流解析装置の解析結果を基準として、他の電源電流解析装置の解析結果を比較することを特徴とする請求項1記載の制御装置。Of the plurality of power supply current analysis devices, further comprising setting means for setting a power supply current analysis device as a reference,
The control device according to claim 1, wherein the determination unit compares analysis results of other power source current analysis devices with reference to an analysis result of the power source current analysis device set by the setting unit.
前記区間分割手段により分割されるパターン区間に基づいて、前記電源電流解析装置の解析動作を制御する制御手段と、
を更に備えることを特徴とする請求項1または2記載の制御装置。Section dividing means for dividing the test pattern into one or more pattern sections;
Control means for controlling the analysis operation of the power supply current analyzing device based on the pattern section divided by the section dividing means;
The control device according to claim 1, further comprising:
前記電源電流解析装置それぞれと接続される請求項1〜4の何れかに記載の制御装置と、
を備えることを特徴とする半導体試験装置。A plurality of power supply current analyzers that apply a test pattern to the device under test and analyze the power source current of the device under test
The control device according to any one of claims 1 to 4, connected to each of the power supply current analysis devices,
A semiconductor test apparatus comprising:
前記電源電流解析装置それぞれの解析結果を受信する受信手段と、
前記受信手段により受信される前記電源電流解析装置それぞれの解析結果同士を比較することにより、前記電源電流解析装置それぞれにより測定される被測定デバイスの良否を判定する判定手段と、
を機能させるためのプログラム。Connected to a plurality of power supply current analysis devices that apply a test pattern to the device under measurement and analyze the power supply current of the device under measurement, and a computer for controlling the operation of each of the power supply current analysis devices,
Receiving means for receiving an analysis result of each of the power supply current analysis devices;
A determination unit that determines pass / fail of a device under measurement measured by each of the power supply current analysis devices by comparing the analysis results of each of the power supply current analysis devices received by the reception unit;
Program to make it work.
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