JP3745214B2 - ベベルエッチング装置およびベベルエッチング方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、PDP(プラズマ・ディスプレイ・パネル)用ガラス基板などの各種の被処理基板に対して、いわゆるベベルエッチング処理を施すためのベベルエッチング装置およびベベルエッチング処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板の裏面や周縁部の不要な薄膜を除去するために、いわゆるベベルエッチング処理が行われる。このベベルエッチング処理を実施するための従来の装置は、図3に示されている。
すなわち、従来のベベルエッチング装置は、半導体ウエハWなどの被処理基板を保持した状態で回転可能なスピンチャック91を備えている。このスピンチャック91の回転軸92には、エッチング液が流通するエッチング液流通管93が挿通されており、そのエッチング液流通管93の先端は、回転軸92の上面に配置されたノズル94に接続されている。また、従来のベベルエッチング装置は、平面視においてウエハWとほぼ同サイズの遮断板95を昇降および回転させるための遮断板昇降回転機構96を備えている。遮断板昇降回転機構96の内部には、遮断板95に形成されたN2供給口97にN2を供給するためのN2供給管98が挿通されている。
【0003】
このベベルエッチング装置における処理時には、処理対象のウエハWがスピンチャック91に保持され、その後、このスピンチャック91に保持されたウエハWの表面(上面)から所定間隔だけ離れた位置に遮断板95が配置される。そして、スピンチャック91に保持されたウエハWが回転されるとともに、遮断板昇降回転機構96により遮断板95が回転される。さらに、その回転中のウエハWの裏面に向けてノズル94からエッチング液が供給されるとともに、遮断板95に形成されたN2供給口97からウエハWと遮断板95との間にN2が供給される。これにより、ウエハWの表面の周縁部を除く領域がN2で覆われて、この領域にウエハWの裏面に供給されたエッチング液が回り込むことが防止され、ウエハWの裏面および周縁部に形成されている不要な薄膜のみがエッチング液によってエッチング除去される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ウエハWと遮断板95との間へのN2の供給量は、ウエハWの表面と遮断板95の下面との間の距離を変更することにより調整可能である。たとえば、ウエハWの表面と遮断板95の下面との間の距離を小さくすれば、遮断板95とウエハWの表面との間へのN2の供給量を減らすことができ、装置のランニングコストを低減することができる。
【0005】
ところが、スピンチャック91によって回転されるウエハWの上下方向の回転振れ、遮断板昇降回転機構96によって回転される遮断板95の上下方向の振れ、遮断板95の撓み、遮断板昇降回転機構96の経年劣化に伴う撓みなどを考えると、上述の従来のベベルエッチング装置では、ウエハWの表面と遮断板95の下面との間の距離を0.5mm以下にすることが困難であった。
そこで、この発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、基板の表面と遮断板の下面との距離を0.5mm以下にして処理を実施できるベベルエッチング装置およびベベルエッチング処理方法を提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記の目的を達成するための請求項1記載の発明は、基板上面に気体を供給すると同時に基板下面にエッチング液を供給することにより、基板上面の周縁部および下面に対して選択的にエッチング処理を施すためのベベルエッチング装置であって、基板(W)をほぼ水平に保持しつつ回転させる基板保持回転手段(1)と、この基板保持回転手段により回転される基板の下面に向けてエッチング液を供給するエッチング液供給手段(15,16)と、基板の上面に対して所定間隔の隙間を空けて対向し、かつ、基板の側方が開放されるように上記基板保持回転手段上に載置されて、上記基板保持回転手段により基板とともに回転され、基板の上面に対向する下面が平面である円板状であって、基板の下面から上面への上記エッチング液の回り込みを制御するための気体を当該基板の上面に供給するための開口部(21)がほぼ中央に形成された遮断板(2)とを含むことを特徴とするベベルエッチング装置である。
【0007】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じである。
この発明によれば、遮断板は、基板の表面に対して所定間隔の隙間を空けて対向するように基板保持回転手段上に載置されて、基板保持回転手段に保持されている基板とともに回転される。これにより、基板と遮断板とを別々の回転駆動機構により回転させる従来の装置とは異なり、基板と遮断板との間隔を大きくとる必要がなく、基板の表面と遮断板の下面との距離を0.5mm以下にすることができる。これにより、基板の表面へのエッチング液の回り込み量を制御するために、基板の表面と遮断板の下面との間の空隙に供給する気体の流量が少なくてすむ。ゆえに、基板の表面と遮断板の下面との間の空隙に気体を強制的に供給する機構を有する場合には、装置のランニングコストを低減することができる。
【0008】
また、遮断板を個別に回転させるための駆動機構が不要であるから、遮断板を回転させるための回転駆動機構を基板保持回転手段の上方に配置した場合の欠点、すなわち、装置コストの上昇や回転駆動機構から発生するパーティクルによる基板の汚染などの不都合の発生を回避することができる。
なお、請求項2に記載のように、上記開口部から基板の上面に供給される気体は不活性ガスであることが好ましい。
【0009】
請求項3記載の発明は、上記遮断板の周囲の雰囲気はクリーンエアであり、上記開口部から基板の上面に供給される気体は、上記基板保持回転手段による基板の回転に伴って基板の上面上に生じる負圧により、上記開口部を介して基板の上面に吸引されるクリーンエアであることを特徴とする請求項1または2記載のベベルエッチング装置である。
この発明によれば、基板の表面と遮断板の下面との間の空隙に気体を強制的に供給する機構が不要であるから、装置のイニシャルコストおよびランニングコストを低減できる。
【0010】
請求項4記載の発明は、上記遮断板は、シリコンを含む材料を用いて形成されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載のベベルエッチング装置である。
特に、請求項4の発明は、処理対象の基板がシリコンを含むウエハである場合に採用されるとよく、さらには、上記遮断板がウエハとほぼ同じ厚みを有する円板状に形成されていることが好ましい。この場合、基板保持回転手段に保持されたウエハと基板保持回転手段上に載置された遮断板とは同様に撓み、ウエハの表面上のどの位置であっても、ウエハの表面と遮断板の下面との間隔がほぼ一定となるから、ウエハの表面へのエッチング液の回り込み量をより精密に制御することができる。ゆえに、ウエハの裏面および周縁部の不要な薄膜のみが良好に除去された高品質なウエハを得ることができる。
【0011】
また、請求項5に記載のように、上記所定間隔は、0.1〜0.5mmであることが好ましい。
さらに、請求項6に記載のように、上記基板保持回転手段は、基板を保持するための基板保持ピン(13a,13b,13c)と、上記遮断板の挟持および挟持解除のための遮断板用可動ピン(13e)とを含むものであることが好ましい。また、上記遮断板用可動ピンは、上記基板保持ピンに上記遮断板の周端面を押しつけるものであることが好ましい。
【0012】
請求項7記載の発明は、基板上面に気体を供給すると同時に基板下面にエッチング液を供給することにより、基板上面の周縁部および下面に対して選択的にエッチング処理を施すための方法であって、基板保持回転手段(1)によって基板(W)をほぼ水平に保持しつつ回転させる基板保持回転工程と、基板の上面に対して所定間隔の隙間を空けて対向し、かつ、基板の側方が開放されるように上記基板保持回転手段上に、基板の上面に対向する下面が平面である円板状の遮断板(2)を載置して、この遮断板を上記基板保持回転手段によって基板とともに回転させる遮断板回転工程と、上記遮断板のほぼ中央に形成された開口部(21)を介して、基板の下面から上面への上記エッチング液の回り込みを制御するための気体を当該基板の上面に供給するとともに、上記基板保持回転手段により回転される基板の裏面に向けてエッチング液を供給するエッチング液供給工程とを含むことを特徴とするベベルエッチング方法である。
【0013】
この方法によれば、請求項1に関連して述べた効果と同様な効果を得ることができる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、この発明の一実施形態に係るベベルエッチング装置の構成を示す簡略化された断面図である。このベベルエッチング装置は、処理対象の基板であるウエハWの裏面(下面)や周縁部の不要な薄膜などを除去するためのベベルエッチング処理を実施するものであり、ウエハWをほぼ水平に保持して回転させるためのスピンチャック1と、処理時にスピンチャック1に保持されてウエハWとともに回転される円板状の遮断板2と、遮断板2をスピンチャック1に対して装着または離脱させるための遮断板着脱機構3とを備えている。
【0015】
スピンチャック1は、鉛直方向に沿わせて配置されたチャック軸11と、このチャック軸11の上端からほぼ水平方向に延びたチャックベース12と、チャックベース12上に立設された5本のチャックピン13とを有している。5本のチャックピン13の配置例は、図2に示されている。すなわち、5本のチャックピン13は、そのうちの3本のチャックピン13a,13b,13cがウエハWの回転中心を重心とする正三角形の各頂点に配置され、残りの2本のチャックピン13d,13eがそれぞれチャックピン13a,13b間およびチャックピン13b,13c間に配置されている。
【0016】
3本のチャックピン13a,13b,13cは、チャックベース12に対して固定された固定ピンであり、ウエハWを下方から保持するためのウエハ載置面131と、ウエハWの周端面を規制するためのウエハ規制面132と、遮断板2を下方から保持するための遮断板載置面133と、遮断板2の周端面を規制するための遮断板規制面134とを有している。ウエハ載置面131および遮断板載置面133は、どちらもほぼ水平な面であり、ウエハ載置面131とその上方に形成されている遮断板載置面133との鉛直方向距離は、たとえばウエハWの厚みに約0.4mmを加えた距離に設定されている。これにより、3本のチャックピン13a,13b,13cのウエハ載置面131上にウエハWを載置し、遮断板載置面133上に遮断板2を載置すると、ウエハWおよび遮断板2は、ウエハWの表面と遮断板2の下面との間に約0.4mmの隙間を空けた状態でほぼ平行になる。
【0017】
2本のチャックピン13d,13eは、鉛直軸線まわりに所定角度範囲で回動可能な可動ピンであり、それぞれウエハWおよび遮断板2を3本のチャックピン13a,13b,13cに押しつけるためのものである。
チャックピン13dには、チャックピン13dの回動軸線(鉛直軸線)から遠い第1鉛直面135と、チャックピン13dの回動軸線に近い第2鉛直面136とが形成されていて、第1鉛直面135をウエハWの周端面に対向させて接触させることにより、ウエハWを3本のチャックピン13a,13b,13cに押しつけてチャックできるようになっている。
【0018】
また、チャックピン13dの下端部には、レバー41が固定されている。レバー41の一端は、取付部材42を介して、エアシリンダ43のロッド44に結合されている。エアシリンダ43は、いわゆる単動型のシリンダであり、圧縮エアの供給によって、ロッド44が本体部45から進出し、圧縮エアの開放に伴って、内蔵のばねの働きによりロッド44が本体部45内に没入するものである。ロッド44が本体部45内に没入した状態で、チャックピン13dの第1鉛直面135がウエハWの周端面に対向し、3本のチャックピン13a,13b,13cおよびチャックピン13dによってウエハWがチャックされる。この状態から、ロッド44が本体部45から進出すると、チャックピン13dが図2における反時計回りに回動して、チャックピン13dの第2鉛直面136がウエハWの周端面に対向し、3本のチャックピン13a,13b,13cおよびチャックピン13dによるウエハWのチャックが開放される。
【0019】
チャックピン13eには、チャックピン13の回動軸線(鉛直軸線)から遠い第1鉛直面137と、チャックピン13の回動軸線に近い第2鉛直面138とが形成されていて、第1鉛直面137を遮断板2の周端面に対向させて接触させることにより、遮断板2を3本のチャックピン13a,13b,13cに押しつけてチャックできるようになっている。
また、チャックピン13eの下端部には、レバー51が固定されている。レバー51の一端は、取付部材52を介して、エアシリンダ53のロッド54に結合されている。エアシリンダ53は、いわゆる単動型のシリンダであり、圧縮エアの供給によって、ロッド54が本体部55から進出し、圧縮エアの開放に伴って、内蔵のばねの働きによりロッド54が本体部55内に没入するものである。ロッド54が本体部55内に没入した状態で、チャックピン13eの第1鉛直面137がウエハWの周端面に対向し、3本のチャックピン13a,13b,13cおよびチャックピン13eによってウエハWがチャックされる。この状態から、ロッド54が本体部55から進出すると、チャックピン13eが図2における反時計回りに回動して、チャックピン13eの第2鉛直面138がウエハWの周端面に対向し、3本のチャックピン13a,13b,13cおよびチャックピン13eによるウエハWのチャックが開放される。
【0020】
さらに、チャックピン13eには、第1鉛直面137の上端部に突起139が形成されている。これにより、チャックピン13eの第1鉛直面137を遮断板2の周端面に対向させた状態で、遮断板2の上方に突起139を位置させれば、遮断板2がチャックピン13a,13b,13c,13eから浮き上がって離脱することを防止できる。なお、遮断板2の離脱が防止されている限り、ウエハWが13a,13b,13c,13dから浮き上がって離脱することもない。
【0021】
チャック軸11には、たとえばモータなどの駆動源(図示せず)を含む回転駆動部14が結合されている。したがって、チャックピン13でウエハWをチャックした状態で、回転駆動部14によってチャック軸11を回転させることにより、ウエハWを水平面内で回転させることができる。
また、チャック軸11の内部には、図外のエッチング液供給源から延びたエッチング液供給管15が挿通されている。エッチング液供給管15の上端は、チャック軸11の上端から突出しており、その突出部分には、チャックピン13に保持されたウエハWの下面中央に向けてエッチング液を吐出するためのノズル16が設けられている。
【0022】
遮断板2は、たとえば、SiO2またはSiCなどのSi(シリコン)を含む材料を用いて、ウエハWとほぼ同じ厚みを有する円板状に形成されている。そして、遮断板2の中心部には、たとえば、直径5mm程度の円形状の開口21が貫通して形成されている。
遮断板着脱機構3は、スピンチャック1の外側に鉛直方向に沿って設けられた支持軸31と、支持軸31を上下動させるための駆動力を発生する昇降駆動部32と、支持軸31の上端から水平方向に延びたアーム33と、アーム33の先端下面に取り付けられた吸着部材34とを有している。遮断板着脱機構3は、吸着部材34の中心が、スピンチャック1に保持された遮断板2の中心を通る鉛直線上に位置するように配置されている。
【0023】
吸着部材34は、遮断板2に形成されている開口21よりも大きな内径を有する円筒状の部材である。吸着部材34の内側の空間には、アーム33内に挿通されたN2供給管35の先端が接続されている。N2供給管35の他端は図外のN2供給源に接続されている。この構成により、N2供給源からN2供給管35を介して吸着部材34の内側の空間にN2を供給して、下方に向けてN2(不活性ガス)をブローすることができる。
【0024】
また、吸着部材34のリング状の下面には、複数個の吸着孔37が形成されている。これらの吸着孔37は、アーム33内に挿通された吸気管38に連通されている。吸気管38は、図外の真空源に接続されており、この真空源を作動させることによって吸着孔37から空気を吸い込むことができる。
この構成により、昇降駆動部32の駆動力で支持軸31を上下動させることにより、吸着部材34を遮断板2の上方に離間した離間位置と遮断板2の上面の開口21の周辺部に接触した接触位置との間で変位させることができる。また、吸着部材34を遮断板2の上面に接触させた状態で、上記真空源を作動/停止させることにより、遮断板2を吸着部材34に吸着/解除することができる。
【0025】
このベベルエッチング装置における処理に際しては、処理対象のウエハWが、図示しない搬送ロボットによって搬入されてきて、スピンチャック1の上方から3本のチャックピン13a,13b,13cのウエハ載置面131上に載置される。また、昇降駆動部32が駆動されて、離間位置で遮断板2を吸着保持している吸着部材34が接触位置まで下降されることにより、遮断板2が3本のチャックピン13a,13b,13cの遮断板載置面133上に載置される。なお、このウエハWおよび遮断板2の載置時には、エアシリンダ43,53に圧縮エアが供給されて、チャックピン13d,13eが図2における反時計回りに回動した状態となっており、チャックピン13dおよびチャックピン13eによるウエハWおよび遮断板2のチャックはともに開放された状態となっている。
【0026】
そして、図外の真空源の駆動が停止されて、吸着部材34への遮断板2の吸着が解除される。その後、エアシリンダ43,53の圧縮エアが開放され、チャックピン13d,13eが図2における時計回りに回動して、ウエハ載置面131上に載置されたウエハWが、チャックピン13dによってチャックされるとともに、遮断板載置面133上に載置された遮断板2が、チャックピン13eによってチャックされる。
【0027】
また、吸着部材34への遮断板2の吸着が解除された後、吸着部材34が少し上昇される。つづいて、回転駆動部14によってチャック軸11が回転され、スピンチャック1に保持されたウエハWおよび遮断板2がその中心を通る鉛直軸まわりに高速回転される。そして、この回転しているウエハWの裏面(下面)に向けて、チャック軸11の上端に配置されたノズル16からエッチング液が吐出されるとともに、N2供給管35を介して供給されてくるN2が吸着部材34の内側の空間からブローされる。
【0028】
ウエハWの裏面に向けて供給されたエッチング液は、ウエハWが高速回転されていることにより、ウエハWの裏面を伝って中心から周縁部に向かう方向に流れ、さらにウエハWの周端面からウエハWの表面へ回り込もうとする。一方、N2供給管35からブローされるN2は、遮断板2の開口21を通って、ウエハWの表面と遮断板2の下面との間の空隙に供給される。これにより、ウエハWの表面がN2で覆われて、ウエハWの表面の周縁部を除く領域にウエハWの裏面に供給されたエッチング液が回り込むことが防止され、ウエハWの裏面および周縁部(表面側)に形成されている不要な薄膜のみがエッチング液によってエッチング除去される。(なお、ウエハW表面側の周縁部に形成されている不要な薄膜をエッチング液によってエッチング除去することを、ベベルエッチングという。)
なお、ウエハWの表面へのエッチング液の回り込み量(ウエハWの表面上における周縁部のエッチング領域の広さ)は、ウエハWの表面と遮断板2の下面との間の間隔、および遮断板2の開口21を介してウエハWの表面と遮断板2の下面との間の空隙に供給されるN2の流量によって調整することができる。この実施形態に係る装置では、ウエハWの表面と遮断板2の下面との間の間隔が約0.4mmと小さく設定されているから、ウエハWの表面と遮断板2の下面との間の空隙に供給されるN2の流量が少なくてすみ、装置のランニングコストが小さいという利点がある。
【0029】
ここで、ウエハWが高速回転されつつ、ウエハWの裏面および周縁部(表面側)がエッチングされている途中において、エアシリンダ43に対する圧縮エアの供給および開放が何度か行われて、チャックピン13dの往復回動が繰り返されるようになっており、所定の時間間隔でウエハWの挟持およびその解除が行われるようになっている。これによると、回転しているウエハWが、その挟持を解除されるたびに、チャックピン13a,13b,13c上で回転方向にずれて、ウエハWとチャックピン13との当接位置が変化する。これにより、ウエハW全周における周縁部や周端面を良好にエッチングすることができる。なおここで、ウエハWの回転中においては、常にチャックピン13eが遮断板2を挟持しているので、チャックピン13dによるウエハWの挟持が解除されたとしても、遮断板2の下方にあるウエハWがスピンチャック1から離脱することはない。
【0030】
以上のようにして、ウエハWの裏面へのエッチング液の供給が所定時間だけ続けられると、ノズル16からのエッチング液の吐出が停止されるとともに、吸着部材34からのN2のブローが停止される。次いで、スピンチャック1の回転が停止され、さらに、スピンチャック1によるウエハWおよび遮断板2のチャックが解除される。そして、吸着部材34が接触位置まで下降された後、図外の真空源が駆動されることにより、遮断板2が吸着部材34に吸着される。遮断板2が吸着部材34に吸着した状態で、吸着部材34が接触位置から離間位置に上昇される。その後、スピンチャック1に保持されているウエハWが、図示しない搬送ロボットによって搬出される。
【0031】
以上のようにこの実施形態によれば、遮断板2がウエハWとともにスピンチャック1に保持されることにより、ウエハWの表面と遮断板2の下面との間の間隔が約0.4mmにされる。これにより、ウエハWの表面へのエッチング液の回り込み量を制御するために、ウエハWの表面と遮断板2の下面との間の空隙に供給されるN2の流量が少なくてすむから、装置のランニングコストを低減することができる。
【0032】
また、この実施形態では、遮断板2がSiを含むウエハWに近い材質(剛性のほぼ等しい材質)の材料を用いて、ウエハWとほぼ同じ厚みを有する円板状に形成されているから、スピンチャック1に保持されたウエハWおよび遮断板2はほぼ同様に撓む。これにより、ウエハWの表面上のどの位置であっても、ウエハWの表面と遮断板2の下面との間隔がほぼ一定となるから、ウエハWの表面へのエッチング液の回り込み量をより精密に制御することができる。ゆえに、ウエハWの裏面および周縁部の不要な薄膜のみが良好に除去された高品質なウエハWを得ることができる。
【0033】
さらに、遮断板2を個別に回転させるための駆動機構が不要であるから、遮断板2を回転させるための駆動機構をスピンチャック1の上方に配置した場合の欠点、すなわち、装置コストの上昇や駆動機構から発生するパーティクルによるウエハWの汚染などの不都合の発生を回避することができる。
以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明は、他の形態で実施することも可能である。たとえば、上述の実施形態では、ウエハ載置面131と遮断板載置面133との距離をウエハWの厚み+約0.4mmに設定することにより、ウエハWの表面と遮断板2の下面との間に約0.4mmの隙間を設けるとしたが、ウエハWの表面と遮断板2の下面との間の間隔は0.5mm以下であればよく、0.1〜0.5mmであることが好ましい。
【0034】
また、上述の実施形態では、チャックピン13eで遮断板2を3本のチャックピン13a,13b,13cに押しつけることにより、3本のチャックピン13a,13b,13cおよびチャックピン13eで遮断板2をチャックするとしたが、たとえば、チャックピン13eが省略されて、遮断板2は3本のチャックピン13a,13b,13cの遮断板載置面133に載置されるだけでもよい。
さらには、遮断板2をチャックピン13a,13b,13c,13eでチャックする構成に限らず、たとえば、チャックピン13eの上端部付近に内向きの係合凸部が設けられるとともに、遮断板2の周端面に係合凹部が形成されて、チャックピン13eが回動すると、チャックピン13eに設けられている係合凸部が遮断板2の周端面に形成されている係合凹部に係合して、遮断板2がスピンチャック1に保持される構成が採用されてもよい。
【0035】
さらにまた、上述の実施形態では、N2供給管35からN2をブローして、ウエハWの表面と遮断板2の下面との間の空隙にN2を供給するとしたが、N2供給管35からブローされる不活性ガスはN2に限らず、たとえば、ヘリウムガスやアルゴンガスなどの他の不活性ガスであってもよい。
さらに、吸着部材34からN2をブローさせる構成を省略して、ウエハWの高速回転に伴ってウエハWの表面上に生じる負圧により、遮断板2の上方の空気(クリーンエア)を遮断板2の開口21を介してウエハWの表面と遮断板2の下面との間の空隙に取り込むようにしてもよい。この場合、ウエハWの表面へのエッチング液の回り込みを良好に阻止するため、遮断板2の開口21の直径は、30〜50mm程度に設定されることが好ましい。
【0036】
また、上述の実施形態では、ウエハWにベベルエッチング処理を施す場合を例にとったが、処理対象の基板はウエハWに限らず、たとえば、液晶表示装置用ガラス基板やPDP用ガラス基板などの他の種類の基板であってもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施形態に係るベベルエッチング装置の構成を示す簡略化された断面図である。
【図2】スピンチャックの構成を説明するための簡略化された平面図である。
【図3】従来のベベルエッチング装置の構成を示す簡略化された断面図である。
【符号の説明】
1 スピンチャック
2 遮断板
3 遮断板着脱機構
11 チャック軸
12 チャックベース
13a チャックピン
13b チャックピン
13c チャックピン
13d チャックピン
13e チャックピン
14 回転駆動部
15 エッチング液供給管
16 ノズル
21 開口
W ウエハ
Claims (7)
- 基板上面に気体を供給すると同時に基板下面にエッチング液を供給することにより、基板上面の周縁部および下面に対して選択的にエッチング処理を施すためのベベルエッチング装置であって、
基板をほぼ水平に保持しつつ回転させる基板保持回転手段と、
この基板保持回転手段により回転される基板の下面に向けてエッチング液を供給するエッチング液供給手段と、
基板の上面に対して所定間隔の隙間を空けて対向し、かつ、基板の側方が開放されるように上記基板保持回転手段上に載置されて、上記基板保持回転手段により基板とともに回転され、基板の上面に対向する下面が平面である円板状であって、基板の下面から上面への上記エッチング液の回り込みを制御するための気体を当該基板の上面に供給するための開口部がほぼ中央に形成された遮断板とを含むことを特徴とするベベルエッチング装置。 - 上記開口部から基板の上面に供給される気体は、不活性ガスであることを特徴とする請求項1記載のベベルエッチング装置。
- 上記遮断板の周囲の雰囲気はクリーンエアであり、
上記開口部から基板の上面に供給される気体は、上記基板保持回転手段による基板の回転に伴って基板の上面上に生じる負圧により、上記開口部を介して基板の上面に吸引されるクリーンエアであることを特徴とする請求項1または2記載のベベルエッチング装置。 - 上記遮断板は、シリコンを含む材料を用いて形成されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載のベベルエッチング装置。
- 上記所定間隔は、0.1〜0.5mmであることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載のベベルエッチング装置。
- 上記基板保持回転手段は、基板を保持するための基板保持ピンと、上記遮断板の挟持および挟持解除のための遮断板用可動ピンとを含むものであることを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載のベベルエッチング装置。
- 基板上面に気体を供給すると同時に基板下面にエッチング液を供給することにより、基板上面の周縁部および下面に対して選択的にエッチング処理を施すための方法であって、
基板保持回転手段によって基板をほぼ水平に保持しつつ回転させる基板保持回転工程と、
基板の上面に対して所定間隔の隙間を空けて対向し、かつ、基板の側方が開放されるように上記基板保持回転手段上に、基板の上面に対向する下面が平面である円板状の遮断板を載置して、この遮断板を上記基板保持回転手段によって基板とともに回転させる遮断板回転工程と、
上記遮断板のほぼ中央に形成された開口部を介して、基板の下面から上面への上記エッチング液の回り込みを制御するための気体を当該基板の上面に供給するとともに、上記基板保持回転手段により回転される基板の裏面に向けてエッチング液を供給するエッチング液供給工程とを含むことを特徴とするベベルエッチング方法。
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