JP3718578B2 - メモリ管理方法及びメモリ管理装置 - Google Patents
メモリ管理方法及びメモリ管理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3718578B2 JP3718578B2 JP16919997A JP16919997A JP3718578B2 JP 3718578 B2 JP3718578 B2 JP 3718578B2 JP 16919997 A JP16919997 A JP 16919997A JP 16919997 A JP16919997 A JP 16919997A JP 3718578 B2 JP3718578 B2 JP 3718578B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- block
- data
- flag
- erase
- state
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
- G11C16/14—Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits
- G11C16/16—Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits for erasing blocks, e.g. arrays, words, groups
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
- G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
- G06F12/0223—User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
- G06F12/023—Free address space management
- G06F12/0238—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory
- G06F12/0246—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory in block erasable memory, e.g. flash memory
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- Information Retrieval, Db Structures And Fs Structures Therefor (AREA)
- Memory System (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、メモリ管理方法及びメモリ管理装置に関し、特に、記録媒体を構成するフラッシュメモリの各ブロックに使用状況を示すフラグを設けることにより、高速処理が可能とされるメモリ管理方法及びメモリ管理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、例えばコンピュータ等の電子機器を主記憶装置とした場合に、この主記憶装置の容量の不足を補う記録媒体が使用されている。この記録媒体としては、磁気テープ、磁気ディスク、光磁気ディスク、紙テープ、メモリカード等が挙げられる。この中でもメモリカードは転送レートが比較的高速であることから広く使用されている。特に、メモリカードは、静止画像撮像装置(いわゆるスチルカメラ)やビデオテープレコーダー一体型のカメラ等に内蔵され、撮像情報を記録する記録媒体としても使用されている。このメモリカードは、半導体集積回路等の記憶素子を例えば合成樹脂よりなる筺体に埋設した構造となされ、半導体集積回路としては、フラッシュメモリ(電気的消去可能型プログラマブルROM(Read-Only Memory))等が使用されている。
【0003】
なお、上述のメモリカードのような記録媒体においては、これに記憶されているデータの管理を例えばいわゆる分散管理方法により行うようにしている。
【0004】
この分散管理方法とは、記録媒体のデータが記憶される記憶手段(以下、メモリと称する。)中の記憶領域のブロックといったデータ消去単位毎にこのブロックを管理するブロックフラグ、論理アドレス、連結情報といった管理情報を有し、これら管理情報を各ブロックに分散させて作成しておく方法である。以下、このような管理情報を分散管理情報と称する。そして、この分散管理方法は、上記記録媒体に対してデータの読み出し及び/又は書き込みを行うべく、電子機器を起動させる際に、先ず、電子機器がメモリ中の記憶領域の各ブロックに分散している分散管理情報を集めて電子機器側の記憶手段内に読み出し、各ブロックのデータを一括して管理することを可能とする集中管理テーブルを作成して、データを管理する方法である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述のようにメモリカードのメモリとしてフラッシュメモリが使用されている場合においては、通常、所定のブロックのデータが不要となった時点でブロック単位での初期化が行われ、当該ブロックに書き込まれているデータが一括して消去され、このブロックは再度のデータの書き込みが可能な状態とされる。従って、例えば、所定のブロックのデータが不要となった後に、他のブロックへのデータの書き込みが行われる場合やデータ書き込み以外の処理が行われる場合には、所定のブロックの初期化処理の後に、上記のような処理が行われることとなる。このようなブロック単位での初期化には、1ブロック当たり5〜60(msec)の時間がかかり、この初期化処理の後に各処理が行われる場合には、全体の処理に要する時間が多大なものとなってしまい、処理の高速化を妨げる要因となっている。
【0006】
そこで、本発明は、上述の実情に鑑みて提案されるものであって、処理の高速化が可能となされるメモリ管理方法及びメモリ管理装置を提供しようとするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上述の課題を解決するため、本発明は、少なくともフラッシュメモリを内蔵する記録媒体に対しデータの書き込みを行うメモリの管理方法であって、上記フラッシュメモリは、記憶領域が複数のブロックに分割され、ブロックが初期化されることにより、当該ブロックに書き込まれたデータが一括して消去され、上記各ブロックは「1」から「0」への変更を可能とするオーバーライトエリアを有し、該オーバーライトエリア内にブロックの使用状況を示す消去フラグを収容するエリアを有し、該消去フラグは複数のビットから構成され、所定のブロックのデータが不要となる際に、当該ブロックの初期化処理以外の処理が行われない場合は、データが不要となった時点で当該ブロックの初期化処理を行ない、所定のブロックのデータが不要となる際に、当該ブロックの初期化処理以外の処理が行われる場合は、当該ブロックの初期化を行わずに、当該ブロックに設けられた消去フラグの複数のビットを「1」から「0」に変更し、消去フラグとして設けられたすべてのビットを「0」とすることによって、当該ブロックのデータを消去する予定であることを示す消去状態とし、消去フラグが消去状態となっているブロックに対して改めてデータを書き込むよりも前に、当該ブロックに対して初期化処理を施すとともに、当該ブロックの消去フラグを初期状態とし、更に、上記消去フラグを用いて、1ファイルのデータの先頭が記録されている先頭ブロックであることを示す先頭使用中状態を表す。
【0008】
また、本発明は、少なくともフラッシュメモリを内蔵する記録媒体に対しデータの書き込みを行うメモリの管理方法であって、上記フラッシュメモリは、記憶領域が複数のブロックに分割され、ブロックが初期化されることにより、当該ブロックに書き込まれたデータが一括して消去され、上記各ブロックは「1」から「0」への変更を可能とするオーバーライトエリアを有し、該オーバーライトエリア内にブロックの使用状況を示す消去フラグを収容するエリアを有し、該消去フラグは複数のビットから構成され、所定のブロックのデータが不要となる際に、他のブロックへのデータの書き込み処理が行なわれない場合は、データが不要となった時点で当該ブロックの初期化処理を行ない、所定のブロックのデータが不要となる際に、他のブロックへのデータの書き込み処理が行なわれる場合は、当該ブロックの初期化を行わずに、当該ブロックに設けられた消去フラグの複数のビットを「1」から「0」に変更し、消去フラグとして設けられたすべてのビットを「0」とすることによって、当該ブロックのデータを消去する予定であることを示す消去状態とし、他のブロックへの書き込みを行った後、消去フラグが消去状態となっているブロックに対して改めてデータを書き込むよりも前に、当該ブロックに対して初期化処理を施すとともに、当該ブロックの消去フラグを初期状態とし、更に、上記消去フラグを用いて、1ファイルのデータの先頭が記録されている先頭ブロックであることを示す先頭使用中状態を表す。
【0009】
また、本発明は、少なくともフラッシュメモリを内蔵する記録媒体に対してデータの書き込みを行うメモリ管理装置であって、上記各ブロックは「1」から「0」への変更を可能とするオーバーライトエリアを有し、該オーバーライトエリア内にブロックの使用状況を示す消去フラグを収容するエリアを有し、該消去フラグは複数のビットから構成され、所定のブロックのデータが不要となる際に、当該ブロックの初期化処理以外の処理が行なわれない場合は、データが不要となった時点で当該ブロックの初期化処理を行ない、所定のブロックのデータが不要となる際に、当該ブロックの初期化処理以外の処理が行なわれる場合は、当該ブロックの初期化を行わずに、当該ブロックに設けられた消去フラグの複数のビットを「1」から「0」に変更し、消去フラグとして設けられたすべてのビットを「0」とすることによって、当該ブロックのデータを消去する予定であることを示す消去状態とし、消去フラグが消去状態となっているブロックに対して改めてデータを書き込むよりも前に、当該ブロックに対して初期化処理を施すとともに、当該ブロックの消去フラグを初期状態とし、更に、上記消去フラグを用いて、1ファイルのデータの先頭が記録されている先頭ブロックであることを示す先頭使用中状態を表す。
【0010】
本発明においては、フラッシュメモリの記憶領域中の各ブロックに、ブロックの使用状況を示す消去フラグを設けていることから、例えば所定のブロックのデータが不要となった後に、当該ブロックの初期化処理以外の処理が行われる場合において、上記ブロックの初期化を行わずに、先ず、このブロックに設けられた消去フラグを、当該ブロックのデータを消去する予定であることを示す消去状態とし、この状態で上記ブロックの初期化処理以外の処理を行い、消去フラグが消去状態となっているブロックに対して改めてデータを書き込むよりも前に、当該ブロックに対して初期化処理を施すとともに、当該ブロックのフラグを初期状態とするようにすれば良く、時間を要する初期化処理を待つことなく種々の処理が実施される。消去フラグは、複数ビットで形成され、1ファイルのデータの先頭が記録されている先頭ブロックであることを示す先頭使用中状態を表す機能も有しているが、先頭使用中状態の消去フラグも、所定のブロックのデータが不要となる際に、当該ブロックの初期化処理以外の処理が行われる場合に、すべてのビットを「0」とすることによって、当該ブロックのデータを消去する予定であることを示す消去状態にされる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。なお、ここでは、本発明をメモリ管理方法、記録媒体及びメモリ管理装置に適用した例について述べる。
【0012】
ここでは、本例の記録媒体であるメモリカードが、図1に示すようなホストコンピュータ1からのデータを記憶するものとして説明する。また、ここではホストコンピュータから送信される画像データをメモリカードに書き込む場合について説明するが、オーディオデータや他のデータについても同様である。
【0013】
上記ホストコンピュータ1は、図1に示すように、静止画の画像データやオーディオデータを記憶するハードディスク11と、ハードディスク11からの画像データ等を一旦記憶して読み出すRAM(Random Access Memory)12と、ディスプレイ・インターフェース(以下、ディスプレイI/Fという。)13を介して供給される画像データに基づいて画像を表示するディスプレイ14と、3本のデータ線を介してメモリカード2とのデータの送受信を行うシリアルインターフェース(以下、シリアルI/Fという。)15と、バス16と、全体を制御するCPU(Central Processing Unit)17とを備える。
【0014】
RAM12は、例えば、バス16を介してハードディスク11に記憶されているオーディオデータや画像データを一旦記憶し、必要に応じて画像データをバス16を介してシリアルI/F15に供給する。
【0015】
ディスプレイ14には、ハードディスク11から読み出された画像データがバス16、ディスプレイI/F13を介して供給されたり、メモリカード2からの画像データが供給されて、これらの画像データに基づく静止画が表示される。
【0016】
シリアルI/F15は、3本のデータ線を介して、メモリカード2に画像データを送信したり、メモリカードに記憶されている画像データを受信する。具体的には、シリアルI/F15は、第1のデータ線を介して、メモリカード2に書き込むための画像データや制御データを送信したり、メモリカード2から読み出された画像データを受信する。シリアルI/F15は、第2のデータ線を介して、第1のデータ線での画像データ又は制御データの切り換えに応じて、その切り換え状態を示すステータス信号を出力する。さらに、シリアルI/F15は、第3のデータ線を介して、上記制御データや画像データの送信の際のシリアルクロックSCLKを送信する。
【0017】
CPU17は、RAM12やハードディスク11の画像データを読み出したり、RAM12等に画像データを書き込むことを制御したり、メモリカード2との画像データ等の送受信の制御も行う。例えば、CPU17は、カードメモリ2に対してアドレスを指定して所定のデータの書込み命令を発行する。
【0018】
そして、本例の記録媒体であるメモリカード2は、図2に示すように、上記ホストコンピュータ1からの画像データや制御データを受信するコントロールIC21と、受信した画像データを記憶する記憶手段(以下、メモリと称する。)であるフラッシュメモリ(電気的消去可能型プログラマブルROM(Read-Only Memory))22とを備えてなる。
【0019】
コントロールIC21は、具体的には、シリアル/パラレル・パラレル/シリアル・インターフェース・シーケンサ(以下、S/P&P/Sシーケンサという。)31と、S/P&P/Sシーケンサ31からの画像データを一時記憶するページバッファ32と、ページバッファ32からの画像データをフラッシュメモリ22に供給するフラッシュ・インターフェース・シーケンサ(以下、フラッシュI/Fシーケンサという。)33と、誤り訂正の処理を行うECCエンコーダ/デコーダ34と、所定の制御コマンドを発生するコマンド・ジェネレータ35と、バージョン情報等が記憶されているコンフィグレーションROM(Read-OnlyMemory)36と、各回路にクロックを供給する発振器37とを備える。
【0020】
S/P&P/Sシーケンサ31は、上述の第1〜第3のデータ線を介してホストコンピュータ1のシリアルI/F15に接続している。従って、S/P&P/Sシーケンサ31には、ホストコンピュータ1からステータス信号やシリアルクロックSCLKや画像データ及び制御データからなるシリアルデータDIOが供給される。
【0021】
そして、S/P&P/Sシーケンサ31は、ホストコンピュータ1から供給されるシリアルデータDIOを上記シリアルクロックSCLKに同期してパラレルデータに変換する。S/P&P/Sシーケンサ31は、このパラレルデータの内、例えば制御データをコマンド・ジェネレータ35に供給し、画像データをページバッファ32に供給する。
【0022】
ページバッファ32は、S/P&P/Sシーケンサ31から供給される画像データを1ページ(=512バイト)毎に記憶するバッファメモリである。ページバッファ32に記憶された画像データは、ECCエンコーダ/デコーダ34によって誤り訂正符号が付けられる。ページバッファ32は、誤り訂正符号の付けられた1ページの画像データを、フラッシュI/Fシーケンサ33を介して、フラッシュメモリ22a〜22dに供給する。こうして、フラッシュメモリ22a〜22dには、ホストコンピュータ1からの画像データが書き込まれるようになっている。
【0023】
また、フラッシュメモリ22a〜22dから読み出された画像データは、フラッシュI/Fシーケンサ33を介してページバッファ32に供給される。
ページバッファ32は、フラッシュI/Fシーケンサ33からの画像データを記憶する。このとき、ECCエンコーダ/デコーダ34は、ページバッファ32に記憶されているデータに付加されている誤り訂正符号に基づいて誤り訂正処理を施す。そして、ページバッファ32は、誤り訂正処理済みのデータを1ページ毎に読み出して、このデータをS/P&P/Sシーケンサ31に供給する。そして、S/P&P/Sシーケンサ31は、ページバッファ32から供給されるパラレルの画像データをシリアルデータDIOに変換して上述のホストコンピュータ1に送信する。
【0024】
コマンド・ジェネレータ35は、S/P&P/Sシーケンサ31からの制御データに基づいて制御コマンドを発生する。また、コマンド・ジェネレータ35は、フラッシュメモリ22に画像データを書き込んでいたり又はフラッシュメモリ22から画像データを読み出している状態を示すビジー(busy)・コマンド(以下、ビジー信号という。)を発生し、これをS/P&P/Sシーケンサ31を介してホストコンピュータ1に送信する。そして、コマンド・ジェネレータ35は、画像データの書込み又はデータの読出しが終了すると、その終了を示すレディ(ready)・コマンド(以下、レディ信号という。)を発生して、これをS/P&P/Sシーケンサ31を介してホストコンピュータ1に送信する。ホストコンピュータは、これらのビジー信号やレディ信号を受信することによってメモリカード2の動作状態を認識している。
【0025】
コンフィグレーションROM36には、メモリカード2のバージョン情報や初期設定値の情報が記憶されている。従って、ホストコンピュータ1とメモリカード2が接続されると、コマンド・ジェネレータ35は、最初にS/P&P/Sシーケンサ31を介してコンフィグレーションROM36から上記バージョン情報等を読み出して、この情報に基づいて所定のコマンドを発生することによってメモリカード2の所定の初期設定を行うようになっている。
【0026】
本例のメモリカード2においては、メモリであるフラッシュメモリ22としてNAND型のフラッシュメモリを使用している。このNAND型のフラッシュメモリは、ページ毎にデータエリアとは別の冗長エリアを有している。
【0027】
そこで、本例のメモリカード2においては、各フラッシュメモリ22を以下に示すような構成としている。すなわち、フラッシュメモリ22の記憶領域は複数のブロックに分割されており、データが各ブロックに分割して格納され、各ブロックのデータエリアに各種データが格納されるとともに、各ブロックの冗長エリアに分散管理情報が格納される分散管理情報格納領域が形成されている。なお、このフラッシュメモリ22においては、初期状態では全て「1」のデータが書き込まれており、「0」への変更のみが可能とされている。すなわち、データ書き込み時にはデータの一部に「0」を書き込むこととなる。そして、一度書き込んだデータを消去するには、ブロック単位での初期化処理を行い、当該ブロックに書き込まれたデータを一括して消去するようになされており、このブロックは再度のデータ書き込みが可能な状態となる。
【0028】
そして、この分散管理情報格納領域中に分散管理情報としてブロック指定に使用される論理アドレス等が格納されるとともに、当該分散管理情報格納領域内に上書き可能なオーバーライトエリアが設けられ、この中に、分散管理情報としてブロックの使用状況を示すフラグとして消去フラグと所定単位のデータの終了部が記憶されている最終ブロックか否かを示す終了フラグが設けられている。なお、上記ブロックはページよりも大きな情報単位を示す。
【0029】
具体的には、本例のメモリカード2の各ブロックのオーバーライトエリア内の消去フラグは1バイトとされており、当該オーバーライトエリアにおいても「1」から「0」への変更のみが可能とされている。
【0030】
そして、例えばブロック内にデータが書き込まれていない初期状態が「1111 1111」として表され、ブロック内にデータが書き込まれ、1ファイルといった所定単位のデータの先頭が記憶されている先頭ブロックとして使用されていることを示す先頭使用中状態は8桁のうちの後半4桁が零に変更された「1111 0000」として表され、1ファイルといった所定単位のデータの途中が記憶されていることを示す使用中状態は8桁のうちの前半4桁が零に変更された「0000 1111」として表されるものとなされている。
【0031】
当然のことながら、各ブロックとも最初はデータが書き込まれておらず、初期状態を示す「1111 1111」の消去フラグを有しているが、上記ホストコンピュータ1により所定のブロックに例えば画像データが書き込まれると、当該ブロックの消去フラグの前半或いは後半が上書きされて、上記消去フラグは先頭ブロックとしての使用中の先頭使用中状態を示す「1111 0000」或いは先頭以外のブロックとしての使用中の使用中状態を示す「0000 1111」に書き換えられる。
【0032】
さらに、本例のメモリカード2の各ブロックのオーバーライトエリア内の1ファイルといった所定単位のデータの終了部が記憶されている最終ブロックか否かを示す終了フラグも1バイトとされており、やはり「1」から「0」への変更のみが可能とされている。
【0033】
そして、1ファイルといった所定単位のデータの終了部が記憶されておらず、次に接続するブロックがあり、最終ブロックではない場合が「1111 xxxx」(xxxxは他の目的のフラグとして使用。)として表され、所定単位のデータの終了部が記憶されており、接続するブロックが無く、最終ブロックである場合が「0000 xxxx」(xxxxは他の目的のフラグとして使用。)として表されるものとなされている。
【0034】
そして、本例のメモリカードを使用する際には、本発明のメモリ管理方法に基づいて本発明を適用したメモリ管理装置として機能するホストコンピュータ1により以下に示すような処理が行われる。例えば、ホストコンピュータ1により画像データの書き込みが設定された状態で、所定のブロックのデータが不要となったとする。
【0035】
前述のように、本例のメモリカードにおいては、ブロック単位での初期化処理により当該ブロックに書き込まれたデータを一括して消去することにより、このブロックを再度のデータの書き込みが可能な状態とする。そこで、上記ホストコンピュータ1は図3に示すように、消去、すなわちデータが不要となったブロックの初期化処理を行おうとする。
【0036】
ここでは、前述のように画像データの書き込みを行うこととしていることから、上記ブロックの初期化処理を先に行うと処理全体に要する時間が長くなってしまう。そこで、ホストコンピュータ1は、図3に示すように、消去を行う際に、ステップST1において、処理を急ぐかどうかを確認する。ここでは、前述のように急ぐ(YES)ので、ステップST2において、データが不要となったブロックの使用中を示す「1111 0000」或いは「0000 1111」とされる消去フラグの「1111」の部分をオーバーライトにより零に書き換え、「0000 0000」とし、データを消去する予定である消去状態を書き込み、消去を一旦終了する。
【0037】
次に、図4に示すように、画像データの書き込みを行うが、ホストコンピュータ1は、ステップST11において、先ずメモリカード2のフラッシュメモリ22中の各ブロックの消去フラグを順に調べる。そして、ステップST12において、選択したブロックの消去フラグが初期状態或いは消去状態であるかどうかを判定し、初期状態の場合には、ホストコンピュータ1はステップST13において、当該ブロックに画像データを書き込み、消去フラグには先頭使用中状態或いは使用中状態を書き込む。具体的には、ホストコンピュータ1により初期状態を示す「1111 1111」の消去フラグをオーバーライトにより先頭使用中状態或いは使用中状態を示す「1111 0000」或いは「0000 1111」に書き換える。このようにして画像データの書き込み処理を終了する。
【0038】
一方、ステップST12において、消去状態の場合には、ステップST14に進み、ホストコンピュータ1はデータの書き込み処理を急ぐかどうかを確認する。データの書き込み処理を急ぐ(YES)場合にはホストコンピュータ1は、再度、消去フラグを順に調べるステップST11に戻り、初期状態の消去フラグのブロックが見つかるまでこの処理を繰り返し、初期状態の消去フラグのブロックが見つかった場合には上述したような画像データの書き込み処理を行う。
【0039】
そして、上記のような画像データの書き込み処理が終了した後に、ホストコンピュータ1は消去処理時に消去状態とした消去フラグのブロックの初期化処理を行い、当該ブロックのデータを一括して消去し、このブロックを再度のデータ書き込みが可能な状態とする。このとき、上記ブロックの消去フラグが初期状態に戻ることは言うまでもない。
【0040】
すなわち、上述のようにして本発明によれば、所定のブロックのデータが不要となった後に、当該ブロックの初期化処理以外の処理が行われる場合において、上記ブロックの初期化を行わずに、先ず、このブロックに設けられた消去フラグを、当該ブロックのデータを消去する予定であることを示す消去状態とし、この状態でデータが不要となったブロックの初期化処理以外の処理を行い、消去フラグが消去状態となっているブロックに対して改めてデータを書き込むよりも前に、当該ブロックに対して初期化処理を施すとともに、当該ブロックのフラグを初期状態とするようにすれば良く、時間を要する初期化処理を待つことなく種々の処理が実施され、高速処理が可能となる。
【0041】
また、本発明によれば、ホストコンピュータ1は消去状態の消去フラグのブロックの初期化処理を特に急いで行う必要がなくなり、ホストコンピュータ1が行うべき処理が比較的少ない時等に行えば良く、時間を要する初期化処理を空いた時間に行うことが可能となることから、効率良い処理が可能となる。
【0042】
また、本例においては、消去処理の時点において先頭使用中状態或いは使用中状態であったブロックの消去フラグを消去状態に書き換え、新たにデータが書き込まれるブロックと区別しており、図4中に示すように、ステップ12において消去状態(YES)であり、ステップST14において急いでいない(NO)の場合に、ステップST15に進んで、ホストコンピュータ1が消去状態を示す消去フラグを有するブロックに対してのみ初期化処理を行うようにしてもよい。
【0043】
さらに、ホストコンピュータ1がデータが不要となったブロックの初期化処理以外の処理を行う必要がない場合には、従来と同様に、ステップST1において消去処理を急ぐかどうかを確認されても、ステップST3に進み、当該ブロックに対して初期化処理を施し、ブロックを初期化し、消去フラグを初期状態とすればよい。
【0044】
また、本例においては、上記のようにしてホストコンピュータ1により画像データを書き込む際に、1ファイルといった所定単位のデータの終了部が記憶される最終ブロックとなるブロックを確認して、ホストコンピュータ1により当該最終ブロックとなるブロックにデータを書き込む際に、最終ブロックか否かを示す終了フラグを最終ブロックであることを示す「0000 xxxx」と書き換えればよい。しかしながら、例えば音楽のように最終ブロックがどのブロックにあたるかをデータ書き込み時に判断できない場合においては、データ書き込み時に終了フラグを書き込むことが不可能である。
【0045】
そこで、上述のような場合には、本発明に基づいて、データの書き込み時においては、終了フラグを、所定単位のデータの終了部が記憶されておらず、次に接続するブロックがあり、最終ブロックではない場合を示す「1111 xxxx」としておき、そのブロックに所定単位のデータの終了部が書き込まれて最終ブロックとなった時点で、消去フラグをオーバーライトにより、所定単位のデータの終了部が記憶されており、接続するブロックが無く、最終ブロックである最終ブロックを示す「0000 xxxx」に書き換えるようにすればよい。
【0046】
このとき、本例のメモリカードのように、所定単位のデータの終了部が記憶されている最終ブロックか否かを示すフラグをオーバーライトエリアに設けるようにすれば、従来のように、最終ブロックであることが確認された時点で、バッファー等にデータを転送し、当該ブロックにデータを最終ブロックを示すフラグとともに再度書き込み直すといった作業が不要であり、高速処理が可能となる。
【0047】
なお、本例のメモリカード2の外形形状としては、例えば合成樹脂よりなり、図5に示されるような平面形状が長方形とされる薄肉のカード状が挙げられる。
【0048】
そして、上記メモリカード2においては、例えばその長辺方向の一端部2a側に図示しない外部端子が形成されており、図示しない電子機器に対してこの一端2a側から図中矢印Mで示す方向に装着されるようにすればよい。
【0049】
また、上記メモリカード2においては、例えば装着方向と平行な一方の側縁2b側に、メモリカード2が電子機器に装着された際に、図示しない電子機器のロック用凸部に係合されてメモリカード2の脱落を防止するロック用切欠部42等が形成されていてもよい。
【0050】
なお、上述の例においては、シリアルインターフェースに対応したメモリカードを例示したが、本発明がパラレルインターフェースに対応したメモリの管理方法にも対応可能であることは言うまでもない。
【0051】
【発明の効果】
上述のように、本発明においては、フラッシュメモリの記憶領域中の各ブロックに、ブロックの使用状況を示す消去フラグを設けていることから、例えば所定のブロックのデータが不要となった後に、当該ブロックの初期化処理以外の処理が行われる場合において、上記ブロックの初期化を行わずに、先ず、このブロックに設けられた消去フラグを、当該ブロックのデータを消去する予定であることを示す消去状態とし、この状態で上記ブロックの初期化処理以外の処理を行い、消去フラグが消去状態となっているブロックに対して改めてデータを書き込むよりも前に、当該ブロックに対して初期化処理を施すとともに、当該ブロックのフラグを初期状態とするようにすれば良く、時間を要する初期化処理を待つことなく種々の処理が実施され、高速処理が可能となる。ここで、消去フラグは、複数ビットで形成され、1ファイルのデータの先頭が記録されている先頭ブロックであることを示す先頭使用中状態を表す機能も有しているが、先頭使用中状態の消去フラグも、所定のブロックのデータが不要となる際に、当該ブロックの初期化処理以外の処理が行われる場合に、すべてのビットを「0」とすることによって、当該ブロックのデータを消去する予定であることを示す消去状態にされる。この消去フラグは、消去状態、初期状態に加え、先頭使用状態をも定義し、多くの状態を定義することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】メモリカードにデータを送信するホストコンピュータの構成を示すブロック図である。
【図2】メモリカードの構成を示すブロック図である。
【図3】消去時の処理を示すフローチャートである。
【図4】データ書き込み時の処理を示すフローチャートである。
【図5】メモリカードを示す斜視図である。
【符号の説明】
2 メモリカード、 21 コントロールIC、 22 フラッシュメモリ。
Claims (3)
- 少なくともフラッシュメモリを内蔵する記録媒体に対しデータの書き込みを行うメモリの管理方法であって、
上記フラッシュメモリは、記憶領域が複数のブロックに分割され、ブロックが初期化されることにより、当該ブロックに書き込まれたデータが一括して消去され、
上記各ブロックは「1」から「0」への変更を可能とするオーバーライトエリアを有し、該オーバーライトエリア内にブロックの使用状況を示す消去フラグを収容するエリアを有し、該消去フラグは複数のビットから構成され、
所定のブロックのデータが不要となる際に、当該ブロックの初期化処理以外の処理が行われない場合は、データが不要となった時点で当該ブロックの初期化処理を行ない、
所定のブロックのデータが不要となる際に、当該ブロックの初期化処理以外の処理が行われる場合は、当該ブロックの初期化を行わずに、当該ブロックに設けられた消去フラグの複数のビットを「1」から「0」に変更し、消去フラグとして設けられたすべてのビットを「0」とすることによって、当該ブロックのデータを消去する予定であることを示す消去状態とし、消去フラグが消去状態となっているブロックに対して改めてデータを書き込むよりも前に、当該ブロックに対して初期化処理を施すとともに、当該ブロックの消去フラグを初期状態とし、
更に、上記消去フラグを用いて、1ファイルのデータの先頭が記録されている先頭ブロックであることを示す先頭使用中状態を表すことを特徴とするメモリ管理方法。 - 少なくともフラッシュメモリを内蔵する記録媒体に対しデータの書き込みを行うメモリの管理方法であって、
上記フラッシュメモリは、記憶領域が複数のブロックに分割され、ブロックが初期化されることにより、当該ブロックに書き込まれたデータが一括して消去され、
上記各ブロックは「1」から「0」への変更を可能とするオーバーライトエリアを有し、該オーバーライトエリア内にブロックの使用状況を示す消去フラグを収容するエリアを有し、該消去フラグは複数のビットから構成され、
所定のブロックのデータが不要となる際に、他のブロックへのデータの書き込み処理が行なわれない場合は、データが不要となった時点で当該ブロックの初期化処理を行ない、
所定のブロックのデータが不要となる際に、他のブロックへのデータの書き込み処理が行なわれる場合は、当該ブロックの初期化を行わずに、当該ブロックに設けられた消去フラグの複数のビットを「1」から「0」に変更し、消去フラグとして設けられたすべてのビットを「0」とすることによって、当該ブロックのデータを消去する予定であることを示す消去状態とし、他のブロックへの書き込みを行った後、消去フラグが消去状態となっているブロックに対して改めてデータを書き込むよりも前に、当該ブロックに対して初期化処理を施すとともに、当該ブロックの消去フラグを初期状態とし、
更に、上記消去フラグを用いて、1ファイルのデータの先頭が記録されている先頭ブロックであることを示す先頭使用中状態を表すことを特徴とするメモリ管理方法。 - 少なくともフラッシュメモリを内蔵する記録媒体に対してデータの書き込みを行うメモリ管理装置であって、
上記各ブロックは「1」から「0」への変更を可能とするオーバーライトエリアを有し、該オーバーライトエリア内にブロックの使用状況を示す消去フラグを収容するエリアを有し、該消去フラグは複数のビットから構成され、
所定のブロックのデータが不要となる際に、当該ブロックの初期化処理以外の処理が行なわれない場合は、データが不要となった時点で当該ブロックの初期化処理を行ない、
所定のブロックのデータが不要となる際に、当該ブロックの初期化処理以外の処理が行なわれる場合は、当該ブロックの初期化を行わずに、当該ブロックに設けられた消去フラグの複数のビットを「1」から「0」に変更し、消去フラグとして設けられたすべてのビットを「0」とすることによって、当該ブロックのデータを消去する予定であることを示す消去状態とし、消去フラグが消去状態となっているブロックに対して改めてデータを書き込むよりも前に、当該ブロックに対して初期化処理を施すとともに、当該ブロックの消去フラグを初期状態とし、
更に、上記消去フラグを用いて、1ファイルのデータの先頭が記録されている先頭ブロックであることを示す先頭使用中状態を表すことを特徴とするメモリ管理装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16919997A JP3718578B2 (ja) | 1997-06-25 | 1997-06-25 | メモリ管理方法及びメモリ管理装置 |
US09/095,620 US6144607A (en) | 1997-06-25 | 1998-06-10 | Memory management apparatus and memory management method |
MYPI98002843A MY119727A (en) | 1997-06-25 | 1998-06-23 | Memory management apparatus and memory management method |
EP98111553A EP0887735A3 (en) | 1997-06-25 | 1998-06-23 | Memory management method for a flash memory |
CNB981150497A CN1146795C (zh) | 1997-06-25 | 1998-06-23 | 存储器管理方法 |
KR1019980023823A KR100578427B1 (ko) | 1997-06-25 | 1998-06-24 | 메모리관리방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16919997A JP3718578B2 (ja) | 1997-06-25 | 1997-06-25 | メモリ管理方法及びメモリ管理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1115705A JPH1115705A (ja) | 1999-01-22 |
JP3718578B2 true JP3718578B2 (ja) | 2005-11-24 |
Family
ID=15882055
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16919997A Expired - Lifetime JP3718578B2 (ja) | 1997-06-25 | 1997-06-25 | メモリ管理方法及びメモリ管理装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6144607A (ja) |
EP (1) | EP0887735A3 (ja) |
JP (1) | JP3718578B2 (ja) |
KR (1) | KR100578427B1 (ja) |
CN (1) | CN1146795C (ja) |
MY (1) | MY119727A (ja) |
Families Citing this family (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10326493A (ja) * | 1997-05-23 | 1998-12-08 | Ricoh Co Ltd | 複合化フラッシュメモリ装置 |
DE19980546B4 (de) | 1998-03-02 | 2011-01-27 | Lexar Media, Inc., Fremont | Flash-Speicherkarte mit erweiterter Betriebsmodus-Erkennung und benutzerfreundlichem Schnittstellensystem |
JP4315488B2 (ja) * | 1998-06-30 | 2009-08-19 | ソニー株式会社 | データ記憶装置、データ処理装置、データ処理システム並びにデータ処理方法 |
US6901457B1 (en) | 1998-11-04 | 2005-05-31 | Sandisk Corporation | Multiple mode communications system |
KR100309879B1 (ko) * | 1999-03-30 | 2001-11-01 | 윤종용 | 플래시 메모리 관리 시스템 및 그 구현 방법 |
JP2001075848A (ja) * | 1999-09-09 | 2001-03-23 | Nec Corp | ファイルシステムのファイル管理方法 |
JP2001297038A (ja) * | 2000-04-11 | 2001-10-26 | Toshiba Corp | データ記憶装置および記録媒体並びに記録媒体制御方法 |
DE10030990B4 (de) * | 2000-06-30 | 2010-11-25 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Beschreiben und Löschen eines nichtflüchtigen Speicherbereichs |
US6721843B1 (en) | 2000-07-07 | 2004-04-13 | Lexar Media, Inc. | Flash memory architecture implementing simultaneously programmable multiple flash memory banks that are host compatible |
US7155559B1 (en) | 2000-08-25 | 2006-12-26 | Lexar Media, Inc. | Flash memory architecture with separate storage of overhead and user data |
US6772274B1 (en) | 2000-09-13 | 2004-08-03 | Lexar Media, Inc. | Flash memory system and method implementing LBA to PBA correlation within flash memory array |
JP2002342256A (ja) * | 2001-05-14 | 2002-11-29 | Hitachi Ltd | データプロセッサ及びデータテーブルの更新方法 |
JP2002342164A (ja) * | 2001-05-22 | 2002-11-29 | Hitachi Ltd | 記憶装置及びデータ処理装置並びに記憶部制御方法 |
KR100743221B1 (ko) * | 2001-05-29 | 2007-07-26 | 주식회사 포스코 | 용강 레벨 측정장치 |
US6948026B2 (en) | 2001-08-24 | 2005-09-20 | Micron Technology, Inc. | Erase block management |
EP1476873A4 (en) * | 2002-02-22 | 2006-07-05 | Lexar Media Inc | MEMORY HOLDER WITH INTEGRATED LAMP LAMP |
JP4238514B2 (ja) * | 2002-04-15 | 2009-03-18 | ソニー株式会社 | データ記憶装置 |
WO2004017173A2 (en) * | 2002-08-14 | 2004-02-26 | Broadcom Corporation | One shot rdma having a 2-bit state |
KR100717690B1 (ko) * | 2003-04-15 | 2007-05-11 | 현대중공업 주식회사 | 가변맵을 사용한 데이터 전송 제어방법 |
GB2400927A (en) * | 2003-04-22 | 2004-10-27 | Hewlett Packard Development Co | Method of managing memory by checking that none of the sectors in a block is needed before erasing the block. |
DE10341618A1 (de) * | 2003-09-10 | 2005-05-04 | Hyperstone Ag | Verwaltung gelöschter Blöcke in Flash-Speichern |
JP3912355B2 (ja) | 2003-10-14 | 2007-05-09 | ソニー株式会社 | データ管理装置、データ管理方法、不揮発性メモリ、不揮発性メモリを有する記憶装置及びデータ処理システム |
US8185705B2 (en) * | 2003-10-31 | 2012-05-22 | Panasonic Corporation | Information recording medium, information recording medium accessing apparatus and accessing method |
US7299314B2 (en) * | 2003-12-31 | 2007-11-20 | Sandisk Corporation | Flash storage system with write/erase abort detection mechanism |
JP4689247B2 (ja) * | 2004-11-19 | 2011-05-25 | キヤノン株式会社 | カメラ及びその制御方法 |
CN100345123C (zh) * | 2004-11-27 | 2007-10-24 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 延长非易失性存储器使用寿命的装置及方法 |
WO2006129641A1 (ja) | 2005-06-01 | 2006-12-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | コンピュータシステム及びプログラム生成装置 |
JP2007011872A (ja) * | 2005-07-01 | 2007-01-18 | Toshiba Corp | メモリカードとその制御方法 |
KR100746198B1 (ko) * | 2005-07-08 | 2007-08-06 | 삼성전자주식회사 | 데이터 저장장치, 데이터 저장방법, 및 그 기록매체 |
CN100464375C (zh) * | 2005-10-08 | 2009-02-25 | 晶豪科技股份有限公司 | 降低擦除时间及防止过擦除之擦除方法 |
US7515500B2 (en) * | 2006-12-20 | 2009-04-07 | Nokia Corporation | Memory device performance enhancement through pre-erase mechanism |
KR100877609B1 (ko) * | 2007-01-29 | 2009-01-09 | 삼성전자주식회사 | 버퍼 메모리의 플래그 셀 어레이를 이용하여 데이터 오류 정정을 수행하는 반도체 메모리 시스템 및 그 구동 방법 |
KR20080097766A (ko) * | 2007-05-03 | 2008-11-06 | 삼성전자주식회사 | 기록매체의 저장영역을 분리하는 방법과 이를 이용한기록매체 및 기록매체에 접근하는 방법 및 이를 이용한기록장치 |
US8351290B1 (en) | 2008-09-12 | 2013-01-08 | Marvell International Ltd. | Erased page detection |
US20100131726A1 (en) * | 2008-11-26 | 2010-05-27 | Nokia Corporation | Methods, apparatuses, and computer program products for enhancing memory erase functionality |
US8407401B2 (en) | 2008-11-26 | 2013-03-26 | Core Wireless Licensing S.A.R.L. | Methods, apparatuses, and computer program products for enhancing memory erase functionality |
CN104598167B (zh) * | 2011-06-27 | 2018-01-05 | 群联电子股份有限公司 | 存储器抹除方法、存储器控制器与存储器储存装置 |
WO2013140492A1 (ja) | 2012-03-19 | 2013-09-26 | 富士通株式会社 | データアクセス方法およびプログラム |
TWI515737B (zh) * | 2013-12-09 | 2016-01-01 | 慧榮科技股份有限公司 | 資料儲存裝置以及其資料抹除方法 |
US9286160B2 (en) | 2014-02-07 | 2016-03-15 | Stmicroelectronics S.R.L. | System and method for phase change memory with erase flag cells |
US10635307B2 (en) * | 2015-06-30 | 2020-04-28 | International Business Machines Corporation | Memory state indicator |
US10884945B2 (en) * | 2015-06-30 | 2021-01-05 | International Business Machines Corporation | Memory state indicator check operations |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3485938B2 (ja) * | 1992-03-31 | 2004-01-13 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体メモリ装置 |
JP2856621B2 (ja) * | 1993-02-24 | 1999-02-10 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 一括消去型不揮発性メモリおよびそれを用いる半導体ディスク装置 |
JPH06266596A (ja) * | 1993-03-11 | 1994-09-22 | Hitachi Ltd | フラッシュメモリファイル記憶装置および情報処理装置 |
US5485595A (en) * | 1993-03-26 | 1996-01-16 | Cirrus Logic, Inc. | Flash memory mass storage architecture incorporating wear leveling technique without using cam cells |
US5479638A (en) * | 1993-03-26 | 1995-12-26 | Cirrus Logic, Inc. | Flash memory mass storage architecture incorporation wear leveling technique |
JPH07153284A (ja) * | 1993-11-29 | 1995-06-16 | Nec Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びその制御方法 |
US5603001A (en) * | 1994-05-09 | 1997-02-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor disk system having a plurality of flash memories |
JP3507132B2 (ja) * | 1994-06-29 | 2004-03-15 | 株式会社日立製作所 | フラッシュメモリを用いた記憶装置およびその記憶制御方法 |
US5809558A (en) * | 1994-09-29 | 1998-09-15 | Intel Corporation | Method and data storage system for storing data in blocks without file reallocation before erasure |
KR960029981A (ko) * | 1995-01-27 | 1996-08-17 | 비. 제이. 올슨 | 소량 데이타 저장을 사용한 플래시 메모리 대용량 기억 구조 |
JPH08212019A (ja) * | 1995-01-31 | 1996-08-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ディスク装置 |
JPH09152983A (ja) * | 1995-05-31 | 1997-06-10 | Lucent Technol Inc | フラッシュメモリに内在するファイルシステムにおけるリエントラントガーベジコレクション処理 |
US5845313A (en) * | 1995-07-31 | 1998-12-01 | Lexar | Direct logical block addressing flash memory mass storage architecture |
US5835935A (en) * | 1995-09-13 | 1998-11-10 | Lexar Media, Inc. | Method of and architecture for controlling system data with automatic wear leveling in a semiconductor non-volatile mass storage memory |
JP3604466B2 (ja) * | 1995-09-13 | 2004-12-22 | 株式会社ルネサステクノロジ | フラッシュディスクカード |
US5701492A (en) * | 1996-03-29 | 1997-12-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Fail-safe flashing of EPROM |
US5805882A (en) * | 1996-07-19 | 1998-09-08 | Compaq Computer Corporation | Computer system and method for replacing obsolete or corrupt boot code contained within reprogrammable memory with new boot code supplied from an external source through a data port |
GB2317722B (en) * | 1996-09-30 | 2001-07-18 | Nokia Mobile Phones Ltd | Memory device |
US5956473A (en) * | 1996-11-25 | 1999-09-21 | Macronix International Co., Ltd. | Method and system for managing a flash memory mass storage system |
US6778443B2 (en) * | 2001-12-25 | 2004-08-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Non-volatile semiconductor memory device having memory blocks pre-programmed before erased |
-
1997
- 1997-06-25 JP JP16919997A patent/JP3718578B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-06-10 US US09/095,620 patent/US6144607A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-23 MY MYPI98002843A patent/MY119727A/en unknown
- 1998-06-23 CN CNB981150497A patent/CN1146795C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-23 EP EP98111553A patent/EP0887735A3/en not_active Ceased
- 1998-06-24 KR KR1019980023823A patent/KR100578427B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1206149A (zh) | 1999-01-27 |
KR19990007270A (ko) | 1999-01-25 |
MY119727A (en) | 2005-07-29 |
KR100578427B1 (ko) | 2006-09-20 |
US6144607A (en) | 2000-11-07 |
EP0887735A2 (en) | 1998-12-30 |
EP0887735A3 (en) | 2001-12-05 |
CN1146795C (zh) | 2004-04-21 |
JPH1115705A (ja) | 1999-01-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3718578B2 (ja) | メモリ管理方法及びメモリ管理装置 | |
US6098077A (en) | Data management apparatus, data management method, and recording medium | |
US7472251B2 (en) | Data storage apparatus detachably mounted to a host apparatus | |
KR100618298B1 (ko) | 기록 시스템, 데이터 기록 장치, 메모리 장치 및 데이터기록 방법 | |
US7039754B2 (en) | Detachably mounted removable data storage device | |
US6154808A (en) | Method and apparatus for controlling data erase operations of a non-volatile memory device | |
RU2242805C2 (ru) | Способ записи, способ управления и устройство для записи | |
US8310896B2 (en) | Memory system and method of writing into nonvolatile semiconductor memory | |
KR100684061B1 (ko) | 기록 시스템, 데이터 기록 장치, 메모리 장치 및 데이터기록 방법 | |
US6345333B1 (en) | Method and apparatus for reverse rewriting | |
EP0887742A2 (en) | External storage apparatus, control apparatus therefor, and data transmission/reception apparatus | |
EP0498392A2 (en) | IC memory card system | |
US20080082773A1 (en) | Systems for Managing File Allocation Table Information | |
US5930818A (en) | Information communication system which transmits main data and data for restoring the main data | |
US8185705B2 (en) | Information recording medium, information recording medium accessing apparatus and accessing method | |
KR100527610B1 (ko) | 저장장치,데이터처리시스템및데이터기록및판독방법 | |
US5604917A (en) | IC memory card having masking function for preventing writing of data into a fixed memory area | |
KR100742849B1 (ko) | 데이타 기억 장치, 데이타 처리 시스템, 데이타 처리 방법 및 데이타 처리 장치 | |
US5724544A (en) | IC memory card utilizing dual eeproms for image and management data | |
US6802453B1 (en) | External storage apparatus and control apparatus thereof, and data transmission reception apparatus | |
JP4308780B2 (ja) | 半導体メモリ装置、メモリコントローラ及びデータ記録方法 | |
JPH0546461A (ja) | メモリカード装置 | |
US20050204115A1 (en) | Semiconductor memory device, memory controller and data recording method | |
KR100513814B1 (ko) | 데이터관리장치,데이터관리방법및기억매체 | |
JP2002116942A (ja) | メモリ装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020212 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050627 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050905 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080909 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090909 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090909 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100909 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110909 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110909 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120909 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130909 Year of fee payment: 8 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |