[go: up one dir, main page]

JP3712623B2 - 半導体レーザパッケージ、その製造方法および光ピックアップ装置 - Google Patents

半導体レーザパッケージ、その製造方法および光ピックアップ装置 Download PDF

Info

Publication number
JP3712623B2
JP3712623B2 JP2001025259A JP2001025259A JP3712623B2 JP 3712623 B2 JP3712623 B2 JP 3712623B2 JP 2001025259 A JP2001025259 A JP 2001025259A JP 2001025259 A JP2001025259 A JP 2001025259A JP 3712623 B2 JP3712623 B2 JP 3712623B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light receiving
semiconductor laser
resin
lead
laser package
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2001025259A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2002232059A (ja
Inventor
敬英 石黒
治 濱岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2001025259A priority Critical patent/JP3712623B2/ja
Priority to US10/058,664 priority patent/US6812501B2/en
Publication of JP2002232059A publication Critical patent/JP2002232059A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3712623B2 publication Critical patent/JP3712623B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024Arrangements for thermal management
    • H01S5/02469Passive cooling, e.g. where heat is removed by the housing as a whole or by a heat pipe without any active cooling element like a TEC
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/023Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/8506Containers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Head (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザパッケージおよびその製造方法に関するものである。ここでいう「半導体レーザパッケージ」とは、レーザダイオード(以下、「レーザチップ」という。)と、所要の受光手段とを備え、必要な配線を引出した部品である。これは、たとえば、光ディスクシステムの光ピックアップ装置に光源として用いられるものである。
【0002】
【従来の技術】
従来の半導体レーザパッケージとしては、たとえば、特開平11−233808号公報の図12に示されるもの(以下、「先行例1」という。)があるが、ここでは、先行例1の設計思想を反映した図7、図8を参照して、説明する。したがって、図7、図8では細部の構造は先行例1と異なるが、これは、得ようとする半導体レーザパッケージの仕様が異なることに基づくものであり、根本的な設計思想は、先行例1にならっている。なお、以下、「上」、「下」に言及する際には、この半導体レーザパッケージのレーザ光の発射する向きが鉛直上方となるような姿勢を前提として説明する。
【0003】
従来の半導体レーザパッケージでは、図7に示すように、アイランド部51と樹脂部55a,55bとを組み合わせることで構成されている。アイランド部51は、レーザチップ3と受光素子4が搭載されるベースともいうべき金属製の部材であり、冷間鍛造によって形成されている。樹脂部55a,55bには、それぞれ複数本のリード6が埋めこまれている。リード6の上端は、レーザチップ3や受光素子4との接続のために、樹脂部55a,55bの上部にそれぞれ露出している。樹脂部55a,55bによってアイランド部51を挟みこむように組み合わせて、超音波溶着によって接合し、一体化する。
【0004】
組み立てた状態における主要部を図8に示す。図8では、図示省略されているが、実際には、レーザチップ3や受光素子4と、リード6の上端との間でワイヤボンディングがなされる。また、アイランド部51の下側にさらにリード6が延在する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
従来の半導体レーザパッケージでは、図8に示すように、レーザチップ3と受光素子4とは、ともにアイランド部51のブロック部57に対して固定される。具体的には、レーザチップ3はブロック部57の側面に配置され、受光素子4は、ブロック部57の上面に配置される。アイランド部51には、上方を向くように基準面2があり、レーザチップ3と受光素子4とは、この基準面2を基準に一定の位置関係で固定されることが望まれる。具体的には、基準面2から見たレーザチップ3の放射面の高さをZlとし、レーザチップ3の放射面から見た受光素子4の受光面の高さをZdとすると、ZlとZdとをそれぞれ設計値に合わせることが望まれる。
【0006】
レーザチップ3は、ブロック部57の側面に配置されるものであるため、取付位置の微調整が可能であり、Zlは設計値に近づけることができる。しかし、アイランド部51が冷間鍛造で形成されているため、基準面2から見たブロック部57上面の高さは、ばらつきが大きい。したがって、Zlを設計値に近づけたときに、Zdが設計値通りとなる保証はない。むしろ、Zlの正確さを追求するとZdは設計値から外れてしまう場合が少なくない。光ピックアップ装置に組み込んだ場合、レーザ光の発光点とレンズの焦点とが一致することが理想的であるがZdの値が設計値から外れていると、レーザ光の発光点位置とレンズの焦点、もしくは、受光素子4の受光面とレンズの焦点とがずれ、フォーカス信号のバランスが崩れることとなる。
【0007】
また、樹脂部55a,55bの2つがそれぞれリード6を保持する構造であるため、リード6を保持する部分の肉厚が薄くなりがちである。リード6を保持する部分の肉厚が薄い場合、リードの保持力が弱くなる。ワイヤボンディングの際にはワイヤに超音波を加えて揺動し、リード6にこすりつけることとなるため、リードの保持力が弱い場合、十分な力が加わらずリード6が振れ、ワイヤとリード6との接続の精度が劣る。特に薄型の半導体レーザパッケージにおいては、樹脂部55a,55bの肉厚が薄くなるため、影響を受けやすくなる。
【0008】
さらに、アイランド部51は、金属製であり、一体形成されているため、レーザチップ3と受光素子4とを互いに電気的に絶縁する場合には、レーザチップ3または受光素子4と、アイランド部51との間に絶縁体を挟む必要がある。
【0009】
そこで、本発明では、Zl,Zdをともに設計値に近づけることができ、リードの保持力が十分であり、上述のような絶縁体を挟まなくてよい半導体レーザパッケージおよびその製造方法を提供することを目的とする。さらには、光ピックアップ装置を提供することをも目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明に基づく半導体レーザパッケージは、基準面と上記基準面の略垂直方向に突出したブロック部とを含む金属製の部材であるアイランド部と、リードと、上記アイランド部と上記リードとの相対位置関係を固定するように上記アイランド部および上記リードと一体的に成形された樹脂部と、上記ブロック部に、上記基準面に略垂直な方向にレーザ光を発射可能なように固定されたレーザチップと、上記樹脂部に直接固定された受光部とを備え、上記受光部は下側から上記樹脂部のみによって当接されている。この構成を採用することにより、レーザチップはアイランド部のブロック部に固定されている一方、受光部は樹脂部に直接固定されているため、レーザチップと受光部との位置はそれぞれ独立に調整して決めることができる。そのため、レーザチップと受光部との相対位置をより設計値に近づけた半導体レーザパッケージとすることができる。
【0011】
上記発明において好ましくは、上記樹脂部は、上記基準面と略平行な面である受光部取付面を有し、上記受光部は、上記受光部取付面に載置されている。この構成を採用することにより、受光部の受光面と基準面との距離をより正確に設定しつつ、受光部を固定することが容易になる。
【0012】
上記発明において好ましくは、上記ブロック部に放熱部が固定されており、上記レーザチップは、上記放熱部に接するように上記ブロック部に固定されている。この構成を採用することにより、レーザチップと放熱部とが接しているため、レーザチップから発せられる熱を放熱部によって速やかに放出することができ、動作の安定した半導体レーザパッケージとすることができる。
【0013】
上記発明において好ましくは、上記放熱部は、受光手段を含む。この構成を採用することにより、この受光手段によって反射光のモニタリングを行なうことができる。
【0014】
上記発明において好ましくは、上記レーザチップから出射するレーザ光の光路上に位置するようにホログラム素子を配置したものである。この構成を採用することにより、ホログラム素子を通過する出射光や反射光について分光など所望の処理を行なうことができる。
【0015】
上記発明において好ましくは、上記レーザチップおよび上記受光部を覆うようにカバーを備える。この構成を採用することにより、レーザチップおよび受光部付近への異物の侵入を防ぐことができ、安定した半導体レーザパッケージとすることができる。
【0016】
また、上記目的を達成するため、本発明に基づく半導体レーザパッケージの製造方法は、基準面と上記基準面の略法線方向に突出したブロック部とを含む金属製の部材であるアイランド部と、リードとの相対位置関係を固定するように一体的に樹脂で成形する樹脂部成形工程と、上記ブロック部に、上記基準面の法線方向にレーザ光を発射可能なようにレーザチップを固定するレーザチップ取付工程と、上記樹脂部に受光部を下側が上記樹脂部のみに当接するように固定する受光部取付工程とを含む。この方法を採用することにより、樹脂部の成形によってアイランド部とリードとの相対的な固定を行なうことができる。また、レーザチップはブロック部に、受光部は樹脂部に、それぞれ固定されるため、レーザチップと受光部との位置はそれぞれ独立に調整して決めることができる。そのため、レーザチップと受光部との相対位置をより設計値に近づけた半導体レーザパッケージとすることができる。
【0017】
上記発明において好ましくは、上記樹脂部成形工程は、上記アイランド部と上記リードとを同一の樹脂成形型内に配置し、樹脂モールドを行なう。この方法を採用することにより、1回の樹脂モールド作業によってアイランド部とリードとを所望の相対位置関係で保持するように樹脂部を成形することができる。
【0018】
上記発明において好ましくは、冷間鍛造で上記アイランド部を形成するアイランド部形成工程を含む。この方法を採用することにより、アイランド部を容易に製作することができる。
【0019】
上記発明において好ましくは、プレス加工で成形し、曲げ加工を施すことによって上記リードを形成する。この方法を採用することにより、リードを容易に製作することができる。
【0020】
さらに、上記目的を達成するため、本発明に基づく光ピックアップ装置は、上述のいずれかに記載の半導体レーザパッケージと、レンズとを備え、上記レンズは、焦点が上記レーザチップの発光点に略一致するように固定されている。この構成を採用することにより、フォーカス信号のバランスが崩れることなく優れた特性の光ピックアップ装置とすることができる。
【0021】
【発明の実施の形態】
(実施の形態1)
(構成)
図1を参照して、本願発明に基づく実施の形態1における半導体レーザパッケージについて説明する。この半導体レーザパッケージは、主にアイランド部1と樹脂部5とを備える。アイランド部1は、上方を向くように基準面2を有する。樹脂部5の上側には、受光部取付面22が設けられている。受光部取付面22は、基準面2と略平行となっている。受光部取付面22には受光部として受光素子4が載置されている。アイランド部1は、基準面2より上方に突出するようにブロック部7を有し、ブロック部7の側面に、レーザチップ3が固定されている。レーザチップ3は、基準面に略垂直な方向である上方に向かってレーザ光を発射できるように発光面を上側に向けて固定されている。ただし、図1の例では、レーザチップ3は、レーザチップ3から発生した熱を速やかに放熱するための放熱部としての役割を兼ねるサブマウント21を介してブロック部7に固定されている。サブマウント21は、モニタ用受光素子を有している。
【0022】
リード6は、基準面2の上下に延在している。リード6の下端は、他部品と接続可能なように樹脂部5に保持される形で一部の面を露出しており、上端は、樹脂部5に保持される形で一部分を樹脂部5から露出または突出させている。リード6の樹脂部5から突出した上端または露出した側面などと、レーザチップ3や受光素子4との間は、ワイヤボンディングによって必要な電気的接続がなされている。
【0023】
(製造方法)
図2、図3を参照して、本実施の形態における半導体レーザパッケージの製造方法について、説明する。
【0024】
まず、冷間鍛造によってアイランド部1を一体成形する。一方、金属板にプレス加工を施してリードフレーム9を成形し、曲げ加工を施すことでリードフレーム9の一部分をリード6に対応する形状とする。図2に示すようにアイランド部1とリードフレーム9に保持されたリード6とを組み合わせるために、樹脂成形型(図示省略)内にアイランド部1およびリード6を配置する。樹脂モールドによって、一体成形し、図3に示すような構造を得る。リード6は、樹脂モールド前または後にリードフレーム9の他の部分から切断する。結果的にリード6は、図3に示すように、一部分を露出させるように樹脂部5に保持された格好となる。図1に示すように、レーザチップ3をサブマウント21を介してブロック部7にダイボンドする。受光素子4を受光部取付面22にダイボンドする。基準面2より上側におけるリード6の露出部分と、レーザチップ3やサブマウント21との間に必要なワイヤボンディングを施す。
【0025】
こうして、図1に示した半導体レーザパッケージが得られる。
(作用・効果)
図4に本実施の形態における半導体レーザパッケージの主要部を示す。なお、図4では、図の煩雑を避けるため、ワイヤは省略している。
【0026】
受光素子4は、樹脂部5の上面である受光部取付面22に直接載置されているため、基準面2から見た受光素子4の受光面の高さは、冷間鍛造によって成形されるアイランド部1の寸法の影響を受けず、樹脂部5そのものの寸法によって定めることができる。したがって、レーザチップ3の取付け位置を調整することでZlを設計値に近づける一方、Zdも設計値になるように、樹脂部5の寸法を調整することができる。樹脂部5の寸法を調整するには樹脂成形型の寸法を調整すればよい。従来の半導体レーザパッケージと異なり、ZdとZlは互いに独立に決まるため、Zl,Zdをそれぞれ設計値に近づけることができる。
【0027】
また、図7で示したように樹脂部55a,55bの2つに分割されてそれぞれがリード6を保持するわけではなく、本実施の形態では、樹脂部5は受光素子4の載置領域に相当する部分も含めた一体のものとして成形されるため、リード6を保持する部分の樹脂部5の肉厚は十分厚く確保することができる。したがって、前述のリード6の保持力不足による問題は解消される。
【0028】
さらに、受光素子4は、導電性のあるアイランド部1ではなく、非導電体である樹脂部5の受光部取付面22に載置されるため、レーザチップ3と受光素子4との間の電気的な絶縁を図りたい場合でも、受光素子4と受光部取付面22との間に絶縁体を挟む必要はない。受光素子4はそのまま直接ダイボンドなどの手段で固定するだけでよい。
【0029】
なお、この半導体レーザパッケージの実際の使用においては、通常は、図1に示す状態のままではなく、キャップ11を設けた状態、もしくは、図5に示すようにキャップ11の上にさらにホログラム素子12を設けた状態で、使用する。この場合、キャップ11は、抵抗溶接によって溶接する。ホログラム素子12は、キャップ11の上面に位置を調整して固定される。キャップ11には、図5でホログラム素子12の下に隠れた位置に開口部があり、レーザチップ3から上方へ発射されたレーザ光は、この開口部を通ってさらにホログラム素子12を通過して上方へ向かう。
【0030】
(実施の形態2)
(構成)
図6を参照して、本発明に基づく実施の形態2における光ピックアップ装置について説明する。実施の形態1で図5を参照して説明したように、キャップ11とホログラム素子12とを備えた半導体レーザパッケージを用いる。キャップ11とホログラム素子12とを備えたものも半導体レーザパッケージの一形態であるが、これを本明細書では特に「ホログラムレーザパッケージ」と呼ぶものとする。ホログラムレーザパッケージ13から発射されたレーザ光14は、コリメートレンズ15と対物レンズ16とをこの順で透過して光ディスク17に集光される。光ディスク17で反射して戻るレーザ光は、いきと逆の順序で対物レンズ16とコリメートレンズ15とを透過してホログラムレーザパッケージ13に戻る。
【0031】
(作用・効果)
本実施の形態における光ピックアップ装置は、実施の形態1で述べたように、Zl,Zdをともに設計値に近づけた正確な寸法の半導体レーザパッケージを備えているため、フォーカス信号のバランスが崩れることなく優れた特性の光ピックアップ装置とすることができる。特にコリメートレンズ15の焦点がレーザチップ3の発光点に一致していることが好ましい。あるいは少なくとも略一致していることが好ましい。
【0032】
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【0033】
【発明の効果】
本発明によれば、レーザチップはアイランド部のブロック部に固定されている一方、受光部は樹脂部に直接固定されているため、レーザチップと受光部との位置はそれぞれ独立に調整して決めることができる。そのため、レーザチップと受光部との相対位置をより設計値に近づけた半導体レーザパッケージとすることができる。また、受光部は非導電性の部材である樹脂部に固定されるため、レーザチップと受光部との間の電気的な絶縁を図りたい場合でも、受光部の下に絶縁体を挟む必要はない。受光部はそのまま直接ダイボンドなどの手段で固定するだけでよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に基づく実施の形態1における半導体レーザパッケージの一つの例の斜視図である。
【図2】 本発明に基づく実施の形態1における半導体レーザパッケージの製造方法の第1の説明図である。
【図3】 本発明に基づく実施の形態1における半導体レーザパッケージの製造方法の第2の説明図である。
【図4】 本発明に基づく実施の形態1における半導体レーザパッケージの主要部の斜視図である。
【図5】 本発明に基づく実施の形態1における半導体レーザパッケージの他の例の斜視図である。
【図6】 本発明に基づく実施の形態2における光ピックアップ装置の概念図である。
【図7】 従来技術に基づく半導体レーザパッケージの製造方法の説明図である。
【図8】 従来技術に基づく半導体レーザパッケージの主要部の斜視図である。
【符号の説明】
1,51 アイランド部、2 基準面、3 レーザチップ、4 受光素子、5,55a,55b 樹脂部、6 リード、7,57 ブロック部、9 リードフレーム、11 キャップ、12 ホログラム素子、13 ホログラムレーザパッケージ、14 レーザ光、15 コリメートレンズ、16 対物レンズ、17 光ディスク、21 サブマウント、22 受光部取付面。

Claims (11)

  1. 基準面と前記基準面の略垂直方向に突出したブロック部とを含む金属製の部材であるアイランド部と、
    リードと、
    前記アイランド部と前記リードとの相対位置関係を固定するように前記アイランド部および前記リードと一体的に成形された樹脂部と、
    前記ブロック部に、前記基準面に略垂直な方向にレーザ光を発射可能なように固定されたレーザチップと、
    前記樹脂部に直接固定された受光部とを備え
    前記受光部は下側が前記樹脂部のみに当接している、
    半導体レーザパッケージ。
  2. 前記樹脂部は、前記基準面と略平行な面である受光部取付面を有し、前記受光部は、前記受光部取付面に載置されている、請求項1に記載の半導体レーザパッケージ。
  3. 前記ブロック部に放熱部が固定されており、前記レーザチップは、前記放熱部に接するように前記ブロック部に固定されている、請求項1または2に記載の半導体レーザパッケージ。
  4. 前記放熱部は、受光手段を含む、請求項3に記載の半導体レーザパッケージ。
  5. 前記レーザチップから出射するレーザ光の光路上に位置するようにホログラム素子を配置した、請求項1から4のいずれかに記載の半導体レーザパッケージ。
  6. 前記レーザチップおよび前記受光部を覆うようにカバーを備える、請求項1から5のいずれかに記載の半導体レーザパッケージ。
  7. 基準面と前記基準面の略法線方向に突出したブロック部とを含む金属製の部材であるアイランド部と、リードとの相対位置関係を固定するように一体的に樹脂で成形する樹脂部成形工程と、
    前記ブロック部に、前記基準面の法線方向にレーザ光を発射可能なようにレーザチップを固定するレーザチップ取付工程と、
    前記樹脂部に受光部を下側が前記樹脂部のみに当接するように固定する受光部取付工程とを含む、
    半導体レーザパッケージの製造方法。
  8. 前記樹脂部成形工程は、前記アイランド部と前記リードとを同一の樹脂成形型内に配置し、樹脂モールドを行なう、請求項7に記載の半導体レーザパッケージの製造方法。
  9. 冷間鍛造で前記アイランド部を形成するアイランド部形成工程を含む、請求項7または8に記載の半導体レーザパッケージの製造方法。
  10. プレス加工で成形し、曲げ加工を施すことによって前記リードを形成する、請求項7から9のいずれかに記載の半導体レーザパッケージの製造方法。
  11. 請求項1から6のいずれかに記載の半導体レーザパッケージと、レンズとを備え、前記レンズは、焦点が前記レーザチップの発光点に略一致するように固定された、光ピックアップ装置。
JP2001025259A 2001-02-01 2001-02-01 半導体レーザパッケージ、その製造方法および光ピックアップ装置 Expired - Fee Related JP3712623B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001025259A JP3712623B2 (ja) 2001-02-01 2001-02-01 半導体レーザパッケージ、その製造方法および光ピックアップ装置
US10/058,664 US6812501B2 (en) 2001-02-01 2002-01-28 Semiconductor laser package and fabrication method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001025259A JP3712623B2 (ja) 2001-02-01 2001-02-01 半導体レーザパッケージ、その製造方法および光ピックアップ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002232059A JP2002232059A (ja) 2002-08-16
JP3712623B2 true JP3712623B2 (ja) 2005-11-02

Family

ID=18890289

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001025259A Expired - Fee Related JP3712623B2 (ja) 2001-02-01 2001-02-01 半導体レーザパッケージ、その製造方法および光ピックアップ装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6812501B2 (ja)
JP (1) JP3712623B2 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7372892B2 (en) * 2002-04-29 2008-05-13 Interdigital Technology Corporation Simple and robust digital code tracking loop for wireless communication systems
JP2006338785A (ja) * 2005-06-02 2006-12-14 Sony Corp 受発光集積装置及び光ディスク装置
JP2006351567A (ja) * 2005-06-13 2006-12-28 Sharp Corp 半導体レーザ装置
JP4786350B2 (ja) 2006-01-19 2011-10-05 シャープ株式会社 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置
JP4970924B2 (ja) * 2006-03-28 2012-07-11 三菱電機株式会社 光素子用パッケージとこれを用いた光半導体装置
US9456201B2 (en) 2014-02-10 2016-09-27 Microsoft Technology Licensing, Llc VCSEL array for a depth camera
US9577406B2 (en) * 2014-06-27 2017-02-21 Microsoft Technology Licensing, Llc Edge-emitting laser diode package comprising heat spreader
CN108174075A (zh) * 2018-02-28 2018-06-15 信利光电股份有限公司 一种tof摄像模组以及电子设备

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4440088A1 (de) * 1994-11-10 1996-05-15 Telefunken Microelectron Halbleiterbaugruppe für die bidirektionale, leitungsungebundene, optische Datenübertragung
JP3128206B2 (ja) * 1997-03-13 2001-01-29 株式会社秩父富士 半導体レーザユニット
JP3128207B2 (ja) * 1997-03-13 2001-01-29 株式会社秩父富士 半導体レーザユニット
JP3327522B2 (ja) 1998-02-10 2002-09-24 株式会社秩父富士 半導体レーザユニット
US6249387B1 (en) * 1998-05-13 2001-06-19 Texas Instruments Incorporated Stable enhanced contrast optical system for high resolution displays
JP2000241642A (ja) * 1999-02-17 2000-09-08 Sumitomo Electric Ind Ltd 光送受信モジュール
JP2000340875A (ja) 1999-05-25 2000-12-08 Sharp Corp 半導体発光装置およびその製造方法
EP1122568A3 (en) * 2000-02-01 2003-12-17 The Furukawa Electric Co., Ltd. Laser diode module with optical fibre output

Also Published As

Publication number Publication date
JP2002232059A (ja) 2002-08-16
US6812501B2 (en) 2004-11-02
US20020100912A1 (en) 2002-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6587491B1 (en) Semiconductor laser
WO2002007275A1 (en) Semiconductor laser device
JP3802896B2 (ja) 半導体レーザ
JP3712623B2 (ja) 半導体レーザパッケージ、その製造方法および光ピックアップ装置
JP4786350B2 (ja) 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置
US7184453B2 (en) Semiconductor laser device containing laser driver and electronic equipment having the same
US7068694B2 (en) Mold type semiconductor laser
US7428255B2 (en) Semiconductor laser
US20060262820A1 (en) Semiconductor laser device and optical pickup apparatus having the device
JP3866993B2 (ja) 半導体レーザ装置及びそれを用いた光ピックアップ
JP3035077B2 (ja) 半導体レーザ用パッケージ
JP2005142294A (ja) 半導体レーザユニットおよびそれを用いた光ピックアップ装置
US7977700B2 (en) Resin and metal semiconductor device package and semiconductor light-emitting device incorporating the package
JP2001345507A (ja) 半導体レーザおよび光ピックアップ
US20060018351A1 (en) Semiconductor laser device
JPH11307871A (ja) 半導体レーザ装置
JP2019153762A (ja) 半導体発光装置
JP2000031582A (ja) 光モジュール
JPH04280487A (ja) 半導体レーザ装置
JP4362411B2 (ja) 半導体レーザ装置およびそれを備えた光ピックアップ装置
JP2000174374A (ja) レーザユニットおよび絶縁ブロック
JPH05160520A (ja) 光半導体素子用パッケージ
JP2003309313A (ja) 半導体レーザユニット
JP4105053B2 (ja) 半導体レーザ装置、その製造方法、及びこの半導体レーザ装置を用いたピックアップ
JPH10256650A (ja) 半導体レーザユニット

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050401

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050524

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050719

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20050809

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050817

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080826

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090826

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090826

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100826

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110826

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110826

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120826

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120826

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130826

Year of fee payment: 8

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees