JP3683132B2 - 放電灯装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、自動車の前照灯に用いられる高圧放電灯を点灯させる放電灯装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、高圧放電灯（以下、ランプという）の点灯装置（以下、バラストという）においては、ランプの点灯始動時に、スタータトランスを用いて高電圧パルスを得、この高電圧パルスによりランプの電極間に絶縁破壊による放電を生じさせてアーク放電を形成し、その後、安定点灯に移行させるようにしている。
【０００３】
本発明者らは、このようなバラストとして、以下に示すものを試作し、検討を行った。図４は、そのバラスト２００の電気的な回路構成を示しており、図５は、バラスト２００の組付け構造を示している。以下、図４、図５を用いてバラスト２００についての説明を行う。
【０００４】
まず、図４に基づいてバラスト２００の回路構成を説明する。
【０００５】
バラスト２００は、直流電源である車載バッテリ１に接続されており、点灯スイッチＳＷがオンされると、自動車用前照灯として用いられるランプ２に電力供給を行うように構成されている。このバラスト２００は、フィルタ回路３、直流電源回路としてのＤＣ−ＤＣコンバータ４、点灯補助回路５、インバータ回路６、始動回路７などの回路機能部を有している。
【０００６】
フィルタ回路３は、コンダクタ３１とコンデンサ３２によって構成されており、ＤＣ−ＤＣコンバータ４が発生する電磁波ノイズを除去する役割を果たす。
【０００７】
ＤＣ−ＤＣコンバータ４は、バッテリ１側に配された１次巻線４１ａとランプ２側に配された２次巻線４１ｂを有するフライバックトランス４１と、１次巻線４１ａに接続されたスイッチング素子としてのＭＯＳトランジスタ４２と、２次巻線４１ｂに接続された整流用のダイオード４３と、出力平滑用のコンデンサ４４、及びコンデンサ４５から構成され、バッテリ電圧ＶＢを昇圧した昇圧電圧を出力する。すなわち、ＭＯＳトランジスタ４２がオンすると、１次巻線４１ａに１次電流が流れて１次巻線４１ａにエネルギーが蓄えられ、ＭＯＳトランジスタ４２がオフすると、１次巻線４１ａのエネルギーが２次巻線４１ｂを介して放出される。そして、このような動作を繰り返すことにより、ダイオード４３と平滑用コンデンサ４４の接続点から高電圧を出力する。
【０００８】
点灯補助回路５は、コンデンサ５１と抵抗５２から構成され、点灯スイッチＳＷがオンした後にランプ２への印加電圧と同じ電圧にコンデンサ５１が充電されると共に、ランプ２の電極間での絶縁破壊によりランプ両端間の電圧が低下すると、コンデンサ５１に充電された電荷をランプ２を介して放電させることにより速やかにアーク放電に移行させる。
【０００９】
インバータ回路６は、ランプ２を交流（矩形波）点灯させるもので、Ｈブリッジ回路６１とブリッジ駆動回路６２、６３から構成されている。Ｈブリッジ回路６１は、Ｈブリッジ状に配置された半導体スイッチング素子を成すＭＯＳトランジスタ６１ａ〜６１ｄからなる。ブリッジ駆動回路６２、６３は、制御回路１０からの制御信号によって、ＭＯＳトランジスタ６１ａ、６１ｄとＭＯＳトランジスタ６１ｂ、６１ｃを交互にオンオフ駆動する。この結果、ランプ２の放電電流の向きが交互に切り替わり、ランプ２の印加電圧（放電電圧）の極性が反転してランプ２が交流点灯する。
【００１０】
始動回路７は、Ｈブリッジ回路６１の中点電位とバッテリ１の負極端子との間に配置され、１次巻線７１ａと２次巻線７１ｂを有する高電圧発生用トランス７１、ダイオード７２、抵抗７４、コンデンサ７５、及び一方向性半導体素子であるサイリスタ７６から構成されている。なお、高電圧発生用トランス７１の１次巻線７１ａはコンデンサ７５に接続され、２次巻線７１ｂはＨブリッジ回路６１とランプ２との間に設けられている。
【００１１】
そして、この始動回路７は、ランプ２の点灯始動時にランプ２に高電圧パルスを印加してランプ２を点灯させる。すなわち、点灯スイッチＳＷがオンすると、ＭＯＳトランジスタ６１ａ、６１ｄとＭＯＳトランジスタ６１ｂ、６１ｃが交互にオンオフ駆動され、ＭＯＳトランジスタ６１ｂ、６１ｃがオンの時にコンデンサ７５が充電され、ＭＯＳトランジスタ６１ｂ、６１ｃがオフの時にサイリスタ７６がオンするよう制御回路１０にてサイリスタ７６のゲート信号が制御される。
【００１２】
サイリスタ７６にゲート信号が印加されると、コンデンサ７５が高電圧発生用トランス７１の１次巻線７１ａを介して放電し、高電圧発生用トランス７１の２次巻線７１ｂに高電圧パルスが発生する。この高電圧パルスがランプ２に印加され、ランプ２の電極間で絶縁破壊し、ランプ２を点灯始動させる。
【００１３】
上記したＭＯＳトランジスタ４２、ブリッジ回路６２、６３、サイリスタ７６は、制御回路１０によって制御される。この制御回路１０には、ＤＣ−ＤＣコンバータ４の間のランプ電圧（すなわちインバータ回路６に印加される電圧）ＶＬ及びインバータ回路６からバッテリ１の負極側に流れるＩＬなどが入力されている。なお、電流ＩＬは電流検出抵抗８により電圧として検出される。
【００１４】
また、ＭＯＳトランジスタ９は逆接保護用の素子であり、取り替え時にバッテリ１が逆接続された場合に、回路機能部内に逆電圧が印加されないようにする。
【００１５】
制御回路１０は、ＭＯＳトランジスタ４２をＰＷＭ信号によってオンオフさせるＰＷＭ制御回路、ランプ電圧ＶＬをサンプルホールドするサンプルホールド回路、サンプルホールドされたランプ電圧ＶＬとランプ電流ＩＬに基づいてランプ電力を所望値に制御するランプパワー制御回路と、Ｈブリッジを制御するＨブリッジ制御回路を備えている。
【００１６】
また、サイリスタ７６のゲートはゲート回路１１の端子４０１に接続されている。このゲート回路１１は、端子４０２において制御回路１０と接続されており、この端子４０２を通じて送られてくる制御回路１０からの信号に基づいてサイリスタ７６のゲート信号を出力するようになっている。なお、ゲート回路１１は、端子４０３においてアース接続されている。
【００１７】
上記構成のバラスト２００の点灯動作について説明する。
【００１８】
点灯スイッチＳＷがオンすると、図４に示す各部に電源が供給される。そして、ＰＷＭ制御回路によってＭＯＳトランジスタ４２がＰＷＭ制御される。その結果、フライバックトランス４１の作動によってバッテリ電圧ＶＢを昇圧した電圧がＤＣ−ＤＣコンバータ４から出力される。また、Ｈブリッジ制御回路によって、Ｈブリッジ回路６１におけるＭＯＳトランジスタ６１ａ〜６１ｄが対角線の関係で交互にオンオフされる。これにより、ＤＣ−ＤＣコンバータ４から出力された電圧が，Ｈブリッジ回路６１を介して始動回路７のコンデンサ７５に供給され、コンデンサ７５が充電される。
【００１９】
この後、ゲート回路１１は、Ｈブリッジ制御回路から出力されるＭＯＳトランジスタ６１ａ〜６１ｄの切替タイミングを知らせる信号に基づいて、サイリスタ７６にゲート信号を出力し、サイリスタ７６をオンさせる。そして、サイリスタ７６がオンすると、コンデンサ７５が放電し、トランス７１を通じて、ランプ２に高電圧パルスが印加される。その結果、ランプ２が電極間で絶縁破壊し、点灯始動する。
【００２０】
この後、Ｈブリッジ回路６１によりランプ２への放電電圧の極性（放電電流の向き）を交互に切り替えることで、ランプ２が交流点灯される。そして、ランプパワー制御回路により、ランプ電流ＩＬとランプ電圧ＶＬ（サンプルホールド回路によってサンプルホールドされたもの）とに基づいて、ランプ電力が所定値なるように制御される。これにより、ランプ２が安定点灯する。
【００２１】
なお、サンプルホールド回路は、Ｈブリッジ回路６１の切替タイミングに同期してその切替時に発生する過渡電圧をマスクし、過渡電圧発生時以外のランプ電圧ＶＬをサンプリングしてホールドする。
【００２２】
図７にゲート回路１１の構成の詳細を示す。ゲート制御ＩＣ４１６は、トランジスタ４１０、４１１に対して互いに異なるレベルのゲート信号を出力し、例えばトランジスタ４１０をオンさせる時には、トランジスタ４１１をオフさせるようになっている。このゲート制御ＩＣ４１６は、サイリスタ７６を導通させる場合にはトランジスタ４１０がオン、トランジスタ４１１がオフとなるよう作動する。このため、端子４０１の電位は、図示しない定電圧源に接続された端子４１７を電流供給源として抵抗４１３及び抵抗４１４によって分圧された電位となる。これにより、サイリスタ７６のゲートにハイレベル信号（ゲート電流）が出力され、サイリスタ７６をオンさせるようになっている。なお、コンデンサ４１５は、トランジスタ４１１の寄生容量が発生する高周波ノイズを除去し、この高周波ノイズによってサイリスタ７６がオンしてしまうのを防止するためのものである。
【００２３】
次に、上記構成のバラストの２００の組付け構造について説明する。
【００２４】
バラスト２００は、図５に示すように、上記回路構成が配置されたバスバーケース２０を、カバー部材２１及びベース２２によって覆い、カバー部材２１及びベース２２をネジ２３によって固定することによって構成される。
【００２５】
バスバーケース２０の表面には、上記回路構成の各部を電気的に接続するターミナル２４がインサート形成されている。このターミナル２４のパターン構成を図６に示す。
【００２６】
上記回路構成において、Ｈブリッジ回路６１、制御回路１０、ゲート回路１１、ＭＯＳトランジスタ９、４２、ダイオード４３、７２、抵抗８、５２、７４という半導体装置として形成可能な部分は、ハイブリッドＩＣ（以下、ＨＩＣという）１００としてＩＣ化されて一体形成される（図４参照）。そして、その他の部分（本回路構成では、トランス４１、７１やコンデンサ３２、４４、４５、５１、７５、及びサイリスタ７６）がＨＩＣ１００とは別体で構成される。
【００２７】
このため、ＨＩＣ１００とその他の部分とをターミナル２４にて電気的に接続させることによって上記回路構成が構成される。これにより、上記図４に示す回路機能部が形成される。
【００２８】
具体的には、ＨＩＣ１００とターミナル２４との電気的接続は、ＨＩＣ１００をバスバーケース２０内に収容したのち、ＨＩＣ１００の各端子１２ａ〜１２ｋとターミナル２４とをＡｌワイヤ等でワイヤボンディングすることによって行われ、ＨＩＣ１００以外のその他の部分については、その他の部分をバスバーケース２０内に収容したのち、その他の部分の端子をターミナル２４に溶接、はんだ付け等することによって行っている。
【００２９】
そして、図６に示すターミナル２４の部分２４ａ及び部分２４ｂはそれぞれ、図５に示すバスバーケース２０に固定されたグロメット内に配設された出力線２５、２６に接続されており、この出力線２５、２６を介してランプ２に接続される。
【００３０】
また、ターミナル２４はバッテリ１の正極側と接続される端子２７ａと、負極側（すなわちアース側）に接続される端子２７ｂとを有しており、端子２７ｂはバラスト２００のアースを取るアース接続部２７ｃに接続されている。そして、ターミナル２４の端子２７ａ、２７ｂは、バスバーケース２０に形成されたコネクタ部２８よりバスバーケース２０の外部に引き出されており、このコネクタ部２８においてバッテリ１に接続された配線と接続される。
【００３１】
上記したネジ２３は、このアース接続部２７ｃにおいてバスバーケース２０とベース２２とをネジ締め固定し、アース接続部２７ｃとベース２２とをアース接続している。なお、カバー２１及びベース２２は、これらに収納される回路機能部を放射ノイズから保護すべく、金属で構成されている。
【００３２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者らは上記試作したバラスト２００について鋭意検討を行った。
【００３３】
上記構成においては、始動回路７を構成するサイリスタ７６のカソード端子をアース接続する必要がある。この場合、アース接続される端子の共通化を図るという観点から、回路構成中の他の部位にアース接続される配線が存在するのであれば、このアース接続される配線にサイリスタ７６のカソード端子から引き出される配線を連結することが好ましい。
【００３４】
上記構成においては、ＤＣ−ＤＣコンバータ４を構成するコンデンサ４５の負極側がアースに接続されるため、配線Ｐを構成するターミナル２４を介して、サイリスタ７６のカソード端子をコンデンサ４５の負極側端子に電気的に接続したのち、ターミナル２４の端子１２ｃにおいて、ＨＩＣ１００のアース接続される配線パターン１００ａ（図４参照）に接続している。
【００３５】
図６中に、ターミナル２４に接続されるコンデンサ４５、サイリスタ７６の電気的配線状態を示す。
【００３６】
上述したように、端子１２ｃにおいて、ＨＩＣ１００はターミナル２４とワイヤボンディングで接続される。このように構成されたものでは、点灯時にサイリスタ７６のゲート回路１１がゲート信号を出力していないにも関わらずサイリスタ７６が導通してしまう誤動作が起こり、点灯できないことがあるという問題が生じた。
【００３７】
これは、スイッチＳＷのオンによりＤＣ−ＤＣコンバータ４が作動開始し、ＭＯＳトランジスタ４２がスイッチング作動を行うと、コンデンサ４５がスイッチングに応じて充放電を行い、その充放電電流によって図４のＡ、Ｂ間で電位差が生じるからであり、充放電電流が負極性になるとＢ点電位に対してＡ点電位が負電圧になって、サイリスタ７６を導通させてしまうのである。
【００３８】
つまり、Ｂ点電位に対してＡ点電位が負電圧になった時、サイリスタ７６のカソード電位はＡ点の電位、ゲート回路１１の基準電位はＢ点の電位となっているため、ゲート端子電圧に対しカソード端子電圧が低くなってゲート電流が流れ、サイリスタ７６が導通するのである。
【００３９】
なお、このときには、図７に示すゲート駆動ＩＣ４１６によってトランジスタ４１０がオフ、トランジスタ４１１がオン状態とされているが、Ｂ点電位に対しＡ点電位が負電圧になると、端子４０３からコンデンサ４１５、抵抗４１４、トランジスタ４１１の寄生ダイオード４１２及び抵抗４１３を介し、端子４０１、端子１２ｊを経て、サイリスタ７６のゲート電流がカソードに向かって流れ込む。
【００４０】
本発明は上記点に鑑みて、ランプを始動するための始動回路にスイッチング素子として用いられるサイリスタの誤作動を防止することを目的とする。
【００４１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、スイッチング素子（４２）及びゲート回路（１１）が共にハイブリッドＩＣ基板（１００）上に形成され、コンデンサ（４５）の負極側端子は第１の配線部材（２４）に接続されたのち、第１の端子（１２ｃ）を介してハイブリッドＩＣ基板に接続されており、サイリスタ（７６）のカソード端子は第２の配線部材（２４）に接続されたのち、第１の端子とは異なる第２の端子（１２ｍ）を介してハイブリッドＩＣ基板に接続されており、第１、第２の端子は、ハイブリッドＩＣ基板上にて電気的に接続されていることを特徴としている。
【００４２】
このように、コンデンサの負極側端子が接続される第１の端子と、サイリスタのカソード端子が接続される第２の端子を別々に設けることによって、第１の端子とコンデンサの負極側端子との接続部において生じる電位差によって、サイリスタのカソード端子がゲート端子よりも低電位になることを防止することができる。これにより、サイリスタのカソード端子がゲート端子よりも低電位となることによるサイリスタの誤作動を防止することができる。
【００４３】
請求項２に記載の発明においては、コンデンサ（４５）の負極側端子は第１の端子（１２ｃ）を介してハイブリッドＩＣ基板（１００）に接続され、スイッチング素子（４２）との電気的接続が成されており、サイリスタのカソード端子は第１の端子とは異なる第２の端子（１２ｍ）を介してハイブリッドＩＣ基板に接続され、ハイブリッドＩＣ基板上に形成されたアースに接続される部位に電気的接続が成されていることを特徴としている。
【００４４】
このように、コンデンサの負極側端子が接続される第１の端子と、サイリスタのカソード端子が接続される第２の端子を別々に設け、さらに第２の端子を介してハイブリッドＩＣ基板上のアースに接続される部位に電気的に接続されるようにすれば、サイリスタのカソード端子をアース接続されるゲート端子と同等の電位にすることができる。これにより、サイリスタの誤作動を防止することができる。
【００４５】
また、請求項１、２に記載の発明では、ゲート回路のうちアース接続される第３の端子（４０３）からアースに向けて延設された第１の配線パターン（１００ｂ）に、第２の端子から延設された第２の配線パターン（１００ｃ）が接続され、第２の配線パターンを含むカソード端子からアースに至るまでの電気配線は、スイッチング素子をオンにしたときにおけるＤＣ−ＤＣコンバータの電流経路となる第３の配線パターンを通過しないようになっていることを特徴としている。
【００４７】
このように、カソード端子からアースに至るまでの電気配線を、高周波ノイズを含む大電流が流れるＤＣ−ＤＣコンバータの電流経路を通過しないように構成することで、カソード端子が高周波ノイズの影響を受けないようにすることができる。
【００４８】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【００４９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図に示す実施形態について説明する。図１に本発明の一実施形態を適用したバラストの回路構成を示し、図２に図１に示すバラストの組付け構造を示す。また、図３に図２に示すバラストのターミナルのパターン構成を示す。なお、図１〜図３において、上述した図４〜図６に示すものと同じ符号を付したものは、同一もしくは均等のものであることを示している。
【００５０】
以下、これらの図に基づいて本実施形態におけるバラストの構成について説明する。ただし、本実施形態におけるバラストは上述した図４〜図６に示したものと概ね同様の構成を有しているため、異なる部分についてのみ説明する。なお、本実施形態に示すバラストのゲート回路は図７に示すものと同じ構成となっている。
【００５１】
この実施形態においては、図１に示ように、サイリスタ７６のカソード端子は、ＨＩＣ１００の端子（第２の端子）１２ｍに接続されている。一方、コンデンサ４５の負極側端子は端子（第１の端子）１２ｃを介してＨＩＣ１００に接続されている。このように、サイリスタ７６のカソード端子が接続される端子１２ｍとコンデンサ４５の負極側端子が接続される端子１２ｃを２つに分けて構成し、それぞれ別々にＨＩＣ１００と接続されるようにしている。
【００５２】
また、端子１２ｍは、ＨＩＣ１００内に配設された配線パターンを介して、Ｃ点においてゲート回路１１をアース接続する配線パターン１００ｂに電気的に接続されている。
【００５３】
すなわち、ゲート回路１１のアース端子４０３から引き出された配線パターン１００ｂは、ＭＯＳトランジスタ９を介してアースに接続されているが、このアース端子４０３からＭＯＳトランジスタ９に至るまでの間に位置するＣ点において、端子１２ｍまで延設される配線パターンが接続されている。
【００５４】
このように、ほとんど電流が流れないゲート回路１１のアース端子４０３から引き出される配線パターン１００ｂにサイリスタ７６のカソード端子を接続しているため、サイリスタ７６のカソード端子の電位がゲート回路１１のアース端子４０３の電位と同等となるようにできる。
【００５５】
図３に示すターミナル２４のパターンで見てみると、サイリスタ７６のカソード端子が接続される端子１２ｍと、コンデンサ４５の負極側が接続される端子１２ｃとが分断されている。そして、端子１２ｃと端子１２ｍは、ターミナル２４の下方に配置されるＨＩＣ１００（図３では図示していない）内の配線パターン１００ａ〜１００ｃを介して電気的に接続された状態となっている（図１、図２参照）。
【００５６】
このような構成においては、ゲート回路の端子４０３とサイリスタ７６のカソード端子とが同電位となるため、ランプ２の点灯時にサイリスタ７６のゲート回路１１がゲート信号を出力していないにも関わらずサイリスタ７６が導通してしまう誤動作を防止することができる。従って、確実にランプ２の点灯を行うことができる。
【００５７】
また、スイッチＳＷのオンによりＤＣ−ＤＣコンバータ４が作動開始し、ＭＯＳトランジスタ９がスイッチング作動すると、コンデンサ４５はスイッチングに応じて充放電を行い、その充放電電流によって図２の点Ａ、Ｂ間に電位差を発生させるが、サイリスタ７６のカソード端子がＣ点に接続されゲート回路１１の基準電位となる端子４０３もＣ点に接続されているため、点Ａ、Ｂ間の電位差の影響を何ら受けることはない。
【００５８】
なお、ＨＩＣ１００内においてアース接続される部位は他にもあり、例えば端子１２ｃと点Ｂの間において、サイリスタ７６のカソード端子に接続される配線パターン１００ｃを接続することも可能であると考えられる。しかしながら、この端子１２ｃと点Ｂの間は、図１の矢印で示したように、トランス４１の１次巻線４１ａ、ＭＯＳトランジスタ４２、コンデンサ４５を通じて流れる多大な電流の経路となっており、この多大な電流に含まれる高周波ノイズの影響を受け易い箇所であるため、上記構成を採用するのが適しているといえる。
【００５９】
（他の実施形態）
上記実施形態では、ＨＩＣ１００として全てが１枚の基板で構成されたものを示したが、図８に示すようにしてもよい。
【００６０】
図８（ａ）は、スイッチング素子としてのＭＯＳトランジスタ４２をパワーブロック状態にして、回路基板とは別置きした形態を示す。なお、４２ａはシリコンチップ、４２ｂは窒化アルミ（ＡｌＮ）基板、４２ｃはアルミワイヤである。１００ａはハイブリッドＩＣのアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）基板、２２は金属アースである。
【００６１】
シリコンチップ４２ａは窒化アルミ基板４２ｂにはんだ付けされ、窒化アルミ基板４２ｂは接着剤により金属ケース２２に接着される。アルミナ基板１００ａは、金属ケース２２に接着剤にて接着される。
【００６２】
ＭＯＳトランジスタ４２が形成されたシリコンチップ４２ａの表面にあるソース電極とゲート電極部には、それぞれアルミワイヤの超音波ボンディングにより接続し、他方をアルミナ基板１００ａ上のボンディングパッド部に超音波ボンディングにより接続している。ドレイン電極はチップ横に配置したボンディングパッド部とアルミナ基板１００ａ上のボンディングパッド部とをアルミワイヤの超音波ボンディングにより接続している。
【００６３】
図８（ｂ）は、ＭＯＳトランジスタ４２をパワーブロック状態にして回路基板上に搭載した形態を示す。４２ｂは過渡熱を吸収するためのヒートシンクで、銅またはモリブデンなどの金属材料である。その他の符号は図６（ａ）と同じである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態におけるバラスト２００の回路構成を示す図である。
【図２】図１に示すバラスト２００の組付け構造を示す図である。
【図３】図２に示すバラスト２００のターミナル２４のパターン構成を示す図である。
【図４】本発明者らが試作したバラスト２００の回路構成を示す図である。
【図５】図４に示すバラスト２００の組付け構造を示す図である。
【図６】図５に示すバラスト２００のターミナル２４のパターン構成を示す図である。
【図７】図４に示すゲート回路１１の回路構成の詳細を示す図である。
【図８】他の実施形態におけるＨＩＣ１００の構造を示した図である。
【符号の説明】
１…バッテリ、２…ランプ、４…ＤＣ−ＤＣコンバータ、６…インバータ回路、
６１…Ｈブリッジ回路、７…始動回路、９…ＭＯＳトランジスタ、
１０…制御回路、１１…ゲート回路、１２ａ〜１２ｂ及び４０１〜４０３…端子。

Claims (2)

1. 直流電源からの電圧を昇圧するトランス（４１）と、前記トランスの１次巻線（４１ａ）に直列接続されたスイッチング素子（４２）と、直列接続された前記トランス及び前記スイッチング素子に並列接続されたコンデンサ（４５）とを有してなり、前記昇圧した昇圧電圧を出力するＤＣ−ＤＣコンバータ（４）と、
   サイリスタ（７６）を有し、高圧放電灯（２）の点灯始動時に前記サイリスタをオンさせ、前記ＤＣ−ＤＣコンバータが出力した昇圧電圧に基づいて、高電圧パルスを前記高圧放電灯に印加する始動回路（７）と、
   前記サイリスタをオンさせるゲート信号を発生させるゲート回路（１１）と、を備え、
   前記スイッチング素子及び前記ゲート回路が共にハイブリッドＩＣ基板（１００）上に形成され、
   前記コンデンサの負極側端子は第１の配線部材（２４）に接続されたのち、第１の端子（１２ｃ）を介して前記ハイブリッドＩＣ基板に接続されており、
   前記サイリスタのカソード端子は第２の配線部材（２４）に接続されたのち、前記第１の端子とは異なる第２の端子（１２ｍ）を介して前記ハイブリッドＩＣ基板に接続されており、
   前記第１、第２の端子が、前記ハイブリッドＩＣ基板上にて電気的に接続されている放電灯装置であって、
   前記ゲート回路はアース接続される第３の端子（４０３）を有し、
   前記ハイブリッドＩＣ基板には、前記第３の端子からアースに向けて延設された第１の配線パターン（１００ｂ）が備えられていると共に、前記第２の端子から延設され前記第１の配線パターンに接続された第２の配線パターン（１００ｃ）が備えられており、
   前記コンデンサの負極側に接続された前記第１の端子と前記スイッチング素子とがハイブリッドＩＣ基板上に形成された第３の配線パターン（１００ａ）を介して電気的接続が成されており、
   前記ＤＣ−ＤＣコンバータは、前記スイッチング素子をオンさせたときに、前記トランス、前記スイッチング素子、前記第３の配線パターン、及び前記コンデンサの順に流れる電流経路を形成するようになっており、
   前記第２の配線パターンを含む前記カソード端子から前記アースに至るまでの電気配線は、前記第３の配線パターンを通過しないようになっていることを特徴とする放電灯装置。
2. 直流電源からの電圧を昇圧するトランス（４１）と、前記トランスの１次巻線（４１ａ）に直列接続されたスイッチング素子（４２）と、直列接続された前記トランス及び前記スイッチング素子に並列接続されたコンデンサ（４５）とを有してなり、前記昇圧した昇圧電圧を出力するＤＣ−ＤＣコンバータ（４）と、
   サイリスタ（７６）を有し、高圧放電灯（２）の点灯始動時に前記サイリスタをオンさせ、前記ＤＣ−ＤＣコンバータが出力した昇圧電圧に基づいて、高電圧パルスを前記高圧放電灯に印加する始動回路（７）と、
   前記サイリスタをオンさせるゲート信号を発生させるゲート回路（１１）と、を備え、
   前記スイッチング素子及び前記ゲート回路が共にハイブリッドＩＣ基板（１００）上に形成され、
   前記コンデンサの負極側端子は第１の端子（１２ｃ）を介して前記ハイブリッドＩＣ基板に接続され、前記スイッチング素子との電気的接続が成されており、 前記サイリスタのカソード端子は前記第１の端子とは異なる第２の端子（１２ｍ）を介して前記ハイブリッドＩＣ基板に接続され、ハイブリッドＩＣ基板上に形成されたアースに接続される部位に電気的接続が成されている放電灯装置であって、
   前記ゲート回路はアース接続される第３の端子（４０３）を有し、
   前記ハイブリッドＩＣ基板には、前記第３の端子から前記アースに向けて延設された第１の配線パターン（１００ｂ）が備えられていると共に、前記第２の端子から延設され前記第１の配線パターンに接続された第２の配線パターン（１００ｃ）が備えられており、
   前記コンデンサの負極側に接続された前記第１の端子と前記スイッチング素子とがハイブリッドＩＣ基板上に形成された第３の配線パターン（１００ａ）を介して電気的接続が成されており、
   前記ＤＣ−ＤＣコンバータは、前記スイッチング素子をオンさせたときに、前記トランス、前記スイッチング素子、前記第３の配線パターン、及び前記コンデンサの順に流れる電流経路を形成するようになっており、
   前記第２の配線パターンを含む前記カソード端子から前記アースに至るまでの電気配線は、前記第３の配線パターンを通過しないようになっていることを特徴とする放電灯装置。

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