JP3643704B2 - 液晶表示パネルおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板面にほぼ平行な電界を加えることによって液晶を駆動するＩＰＳ方式の液晶表示パネルとその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型液晶ディスプレイは、カムコーダ用のディスプレイやノートパソコン用のディスプレイなど種々の分野へ利用されており、大きな市場を形成してきている。とくに、最近、パソコンやワークステーション用のモニターとしての応用展開が期待されており、対角１３〜１４インチ以上の画面サイズの要求が高まっている。ＴＦＴ液晶ディスプレイの表示モードとしては、現状では捻れネマチック（ＴＮ）モードが主流となっているが、大画面表示用途には、特開平６−１６０８７８号公報等に記載されている基板面にほぼ平行な電界を印加し、基板面に平行に液晶分子を動かすインプレーンスイッチング（ＩＰＳ）モードが、その非常に広い視野角特性により、期待を集めている。
【０００３】
図３はＩＰＳモードにおける液晶分子の動きを模式的に示す説明図であり、図３（ａ）は電界を印加しない場合、図３（ｂ）は電界を印加した場合をそれぞれ示し、１はアレイ基板、２はアレイ基板１に対向して配置された対向基板、３はアレイ基板１に形成された画素電極、４は共通電極、５，６はアレイ基板１および対向基板２の外部にそれぞれ配置された偏光板、７は画素電極３および共通電極４に電圧を印加する電源、８はアレイ基板１と対向基板２間に挟持された液晶素子を示す。
【０００４】
ＩＰＳモードは、上下基板に電極を持ち、基板面にほぼ垂直な電界で動作する従来のＴＮモードと多くの点で異なっている。
【０００５】
ＴＮモードでは、上下基板に存在する電極は、画素部の表示領域全体に形成されており、ほぼ平坦な構造をしている。一方、ＩＰＳモードでは、基板面に平行な電界を加えるために、画素電極３と共通電極４が櫛歯状に同一の基板側に形成されている。これらの電極は、通常数百ｎｍの厚みの金属で構成されており、電極部と電極の間の表示領域には、電極の厚み分の段差が存在する。
【０００６】
ＩＰＳモードのパネルにおいても、液晶の配向処理は、ＴＮモードと同様、ポリイミドなどの配向膜を基板１，２表面に形成し、バフ布で一方向に擦るラビング処理で行われている。このラビング処理によって、液晶は一軸配向性を付与される。ラビング処理によって、液晶を配向させる場合、電極部等の段差が存在すると、段差近傍の領域が擦られ難く、この領域の一軸配向性が不完全となる。この領域を非配向領域とよぶ。ＴＮモードにおいても、走査配線電極、信号配線電極の段差近傍には非配向領域が存在するが、この部分を対向基板に形成した遮光層（通常ブラックマトリクス）で隠しているため、画素部の表示エリアには、非配向領域が存在せず、表示上の影響は少ない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ＩＰＳモードの場合、画素部の表示エリアに櫛歯状に画素電極と共通電極が存在する。これらの電極は一般に、ＴＦＴアレイの製造プロセス上、信号配線電極および走査配線電極と同時に形成されるため、信号配線電極または走査配線電極と同じ段差をもっている。
【０００８】
一般に櫛歯状に配置された画素電極と共通電極の間隔は１０μｍ程度であり、段差近傍の非配向領域を遮光層で隠すことは、パネル開口率の点から非常に困難である。つまり、非配向領域を隠すと、開口率が非常に小さくなってしまい、実用的ではない。ＩＰＳモードは一般に、電界を加えない状態で黒表示を行うノーマリーブラック（ＮＢ）表示であるため、電極段差近傍に非配向領域が存在すると、この部分が光り抜けを起こし、コントラストを低下させる。また、非配向領域の大きさにパネル内でばらつきがあると、筋むらの表示むらを引き起こし、表示品位を著しく低下させてしまうという問題がある。
【０００９】
このような非配向領域を低減する方法として、配向膜層の膜厚を大きくして、レベリング効果により電極段差を緩和する手段が考えられる。しかし、配向膜を厚く印刷すると、基板面内の膜厚むらが大きくなること、厚膜印刷のために配向膜ワニスの濃度を高めると、ワニスの安定性が悪くなることなどが問題である。
【００１０】
本発明の目的は、このような問題を回避しながら、電極段差近傍の非配向領域を低減し、高コントラストが得られ、しかも表示品位に優れたＩＰＳモード液晶表示パネルおよびその製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、ベース基板上に、マトリクス状に配置された複数の画素ごとに設けられた薄膜トランジスタを形成するとともに、所定の厚さを有する画素電極および共通電極を画素領域に形成してなるアレイ基板と、このアレイ基板に対向する対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持される液晶組成物層とを備え、前記薄膜トランジスタをオン／オフさせることにより前記基板面に略平行な電界を印加して、前記液晶組成物層に含まれる液晶分子を動作させる横電界方式の液晶表示パネルにおいて、前記アレイ基板における前記所定の厚さを有する画素電極および共通電極が形成された面に、前記画素電極および共通電極による段差を平坦化する膜が形成され、この膜の上に、前記液晶組成物層に接触する面にラビングによる配向処理が施された配向膜が形成されたことを特徴とする。この構成により、本発明の液晶表示パネルは、配線段差を緩和することができ、段差近傍の非配向領域が低減され、コントラスト、表示品位に優れたものとなる。
【００１２】
また本発明は、前記画素電極および共通電極の上に、前記画素電極および共通電極による段差を平坦化する膜と前記配向膜の２層の膜が形成されたことを特徴とする。このような構成により、配線段差の平坦化および段差形状のテーパー化をより効果的に行うことができ、段差近傍の非配向領域を大幅に低減することができる。
また本発明は、前記画素電極および共通電極による段差を平坦化する膜と前記配向膜とが同一材料からなることを特徴とする。
【００１３】
また本発明は、ベース基板上に、マトリクス状に配置された複数の画素ごとに設けられた薄膜トランジスタを形成するとともに、所定の厚さを有する画素電極および共通電極を画素領域に形成してなるアレイ基板と、このアレイ基板に対向する対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持される液晶組成物層とを備え、前記薄膜トランジスタをオン／オフさせることにより前記基板面に略平行な電界を印加して、前記液晶組成物層に含まれる液晶分子を動作させる横電界方式の液晶表示パネルの製造方法において、前記ベース基板上に、前記薄膜トランジスタ、前記所定の厚さを有する画素電極および共通電極を形成する工程と、前記所定の厚さを有する画素電極および共通電極の上に第１の膜を形成して、前記画素電極および前記共通電極による段差を平坦化する工程と、前記第１の膜上に、前記第１の膜と同一の材料からなる配向膜を形成する工程と、前記配向膜をラビングして配向処理する工程を有することを特徴とする。このような製造方法により、段差近傍の非配向領域が低減され、コントラスト、表示品位に優れたＩＰＳ方式液晶表示パネルを実現することができる。
また本発明は、オフセット印刷を２回行うことにより、前記第１の膜および配向膜を形成することを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１５】
図１は本発明の実施形態のＩＰＳモードＴＦＴ液晶パネルの画素部のアレイ形状の平面構造を示す模式図、図２は図１の断面構造を表す模式図であり、１０はベース基板、１１は走査電極配線、１２は信号電極配線、１３は共通電極配線、１４は画素電極配線、１５はスイッチング素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、１６は蓄積容量、１７，１９は絶縁層、２０はアレイ基板、２１は上層配向膜、２２は下層配向膜を示す。
【００１６】
ベース基板１０の表面上には走査電極配線１１と共通電極配線１３は交互に形成されている。共通電極配線１３は走査電極配線１１に平行な一本の基本線と、この基本線に対して垂直かつ両側に櫛状に延在する複数の垂直線から構成されている。また、ベース基板１０の表面上には走査電極配線１１と共通電極配線１３を覆うように絶縁層１９が形成され、その上に薄膜トランジスタ１５が形成され、さらに信号電極配線１２および画素電極配線１４が形成される。信号電極配線１２は走査電極配線１１に対して垂直方向に延びる線であり、画素電極配線１４は共通電極配線１３の１本の垂直線に咬合するようにコ字状に形成され、画素電極配線１４の一方の端部が薄膜トランジスタ１５に接続され、しかも中央部が走査電極配線１１に位置することにより、蓄積容量１６が形成される。また、信号電極配線１２が薄膜トランジスタ１５に接続されている。そして、画素部全体に絶縁層１７を堆積して、アレイ基板２０が構成される。
【００１７】
このアレイ基板２０にオフセット印刷法を２度行って、下層配向膜２１および上層配向膜２２を形成する。下層配向膜２１は段差平坦化能力の高い膜で形成され、上層配向膜２２は、固定パターンを表示した場合の焼き付き現象が発生しにくい膜で形成されている。
【００１８】
このような構成により、配向膜を２層に構成したため、配線段差を緩和することができ、段差近傍の非配向領域が低減され、コントラスト、表示品位に優れたものとなる。また、下層に段差平坦化能力が高い膜を形成することで、配線段差の平坦化および段差形状のテーパー化をより効果的に行うことができ、段差近傍の非配向領域を大幅に低減することができる。そして、上層に焼き付き現象が発生しにくい膜を形成することで、表示焼き付きが起こりにくい液晶表示パネルを製造することが可能となる。
【００１９】
なお、本実施形態では、蓄積容量１６は対応する１ライン前の走査電極配線１１との間で形成したが、１ライン後の走査電極配線１１または共通電極配線１３との間で形成しても良い。
【００２０】
また、液晶表示パネルおよびその製造方法において、配向膜の材質はとくに規定しない。しかし、２層構成の配向膜の内、上層の膜はラビング処理により液晶を一軸配向させることができる材料であることが必要である。例えば、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリビニルアルコール等であるが、配向の安定性の観点から、現状ではポリイミド系の材料を使用することが望ましい。下層の膜には、上層と同じ材料を用いても、別の材料を用いてもよい。下層の膜は液晶の配向性をとくに考慮する必要はない。配向膜としてポリイミドを用いる場合、下層の膜にはポリアミック酸タイプのものを用いることが望ましい。これは、ポリアミック酸タイプのものは、一般に溶解性が高く、アルコール系などの表面エネルギーの低い溶剤を、ワニス組成として多く加えることができることから、基板面への濡れがよく、段差の平坦化能力が高いためである。また、上層の膜には、可溶性ポリイミドを用いることが好ましい。可溶性ポリイミドは、ポリアミック酸タイプに比べて溶解性が低く、段差平坦化能力には乏しいが、表示焼き付きに対しては、優れた効果を発揮する。
【００２１】
２層構成配向膜はＴＦＴアレイ基板と対向基板（通常はカラーフィルタ基板）の両方に形成しても良いが、少なくとも段差配向が問題となるＴＦＴアレイ基板側に形成されていれば、本発明の目的は達することができる。
【００２２】
また、液晶表示パネルにおける配向膜の形成方法は、とくに限定するものではない。通常、液晶パネルの量産工程において、配向膜の塗布は通常オフセット印刷法で行われているが、これに限定するものではなく、スピンコート法等の別の形成手段であってもよい。ただし、必要部分にのみに選択的に配向膜を塗布でき、回路実装部等の不要部分には配向膜を形成しないことが容易な印刷法が、工程簡略化の点では望ましい。とくに、現状の量産工法との整合性の点では、印刷法の中でも、とくにオフセット印刷法が望ましい。
【００２３】
【実施例】
次に、具体的な実施例について説明する。
【００２４】
まず、第１実施例として、画面の対角１５．２インチ、アスペクト比１６：９、解像度が縦７６８Ｘ横１３６４ＲＧＢのＩＰＳモードＴＦＴ液晶パネルを以下のようにして作製した。
【００２５】
図１，図２において走査電極配線１１、共通電極配線１３はアルミニウムを主成分とする金属薄膜を成膜し、図１に示す形状をフォトリソグラフ法で同一平面上に形成した。使用する金属材料は配線抵抗の低い金属が望ましいが、とくにアルミニウム系金属に限定する必要はなく、また、単層膜であっても多層膜であってもよい。次に絶縁層１９としてアルミニウム膜の陽極酸化層と窒化珪素（ＳｉＮx）、半導体層としてアモルファスシリコンを積層した後、走査電極配線１１上の陽極酸化層と窒化珪素層の一部を取り除き、その後スパッタリング法によりアルミニウム／チタン（Ａｌ／Ｔｉ）の２層を堆積させて薄膜トランジスタ１５を形成し、ドライエッチングにより信号電極配線１２および画素電極配線１４を形成した。ここで、第１実施例では画素電極配線１４の線幅は５μｍ、画素電極配線１４と共通電極配線１３の間隔は１２μｍとした。また、画素電極配線１４と走査電極配線１１の間で蓄積容量１６を形成した。さらに、画素部全体に絶縁層１７として窒化珪素（ＳｉＮx）を堆積した。このようなアレイ構成において、共通電極配線１３および画素電極配線１４と電極間部分の段差は、ともに約４００ｎｍである。
【００２６】
このアレイ基板２０に下層配向膜２１として、シクロブタンテトラカルボン酸と芳香族ジアミンを主成分として構成されるポリアミック酸ワニスをオフセット印刷法で塗布し、２２０℃で焼成してポリイミド膜を形成した。この印刷条件で平坦な基板上にポリイミド膜を形成した場合の膜厚は、約８０ｎｍであった。
【００２７】
さらに、上層配向膜２２として、同様にシクロブタンテトラカルボン酸と芳香族ジアミンを主成分として構成されるポリアミック酸ワニス（下層配向膜と同じ材料）をオフセット印刷法で、下層膜と同一条件で塗布し、２２０℃で焼成してポリイミド膜を形成した。
【００２８】
次に、画素電極配線１４および共通電極配線１３の長手方向と１０゜の角度で、レーヨンのバフ布でラビング処理を行った。このラビング処理によって、液晶分子長軸は画素電極配線１４および共通電極配線１３の長手方向と１０゜の角度を成して配向することになる。そして、光遮光層（ブラックマトリクス）とＲ，Ｇ，Ｂの色材層から成るカラーフィルターに、アレイ基板２０と同様、配向膜として、シクロブタンテトラカルボン酸と芳香族ジアミンを主成分として構成されるポリアミック酸ワニスをオフセット印刷法で塗布し、２２０℃で焼成してポリイミド膜を約８０ｎｍの膜厚で形成した。同様にレーヨンのバフ布によるラビングで配向処理し、周辺にシール樹脂を塗布し、平均粒子径が３μｍのスペーサービーズを散布後、液晶の配向方向が上下基板で一致するように貼り合わせ、液晶を真空注入した。用いた液晶は、屈折率異方性Δｎが０．０９０で誘電率異方性Δεが正の全フッ素系の混合液晶である。
【００２９】
液晶注入後、一対の偏光板を基板の上下に互いの偏光軸を直交させ、かつ一方の偏光軸を液晶の配向方向と一致させて貼り付けた。この液晶パネルを偏光顕微鏡で観察したところ、電極段差部に非配向領域はほとんど見られなかった。このパネルに駆動回路を実装し、表示状態を調べたところ、黒表示、中間調表示、および白表示時において、ラビング筋のような配向むらは全く認められず、非常に均一な表示が得られた。また、コントラスト比もパネル全面で３００：１以上を実現できた。
【００３０】
次に、第２実施例として、画面の対角１５．２インチ、アスペクト比１６：９、解像度が縦７６８Ｘ横１３６４ＲＧＢのＩＰＳモードＴＦＴ液晶パネルを以下のようにして作製した。なお、アレイ基板の構成および製造方法は第１実施例と同一であるため、説明は省略する。
【００３１】
アレイ基板２０に下層配向膜２１として、シクロブタンテトラカルボン酸と芳香族ジアミンを主成分として構成されるポリアミック酸ワニスをオフセット印刷法で塗布し、２２０℃で焼成してポリイミド膜を形成した。この印刷条件で平坦な基板上にポリイミド膜を形成した場合の膜厚は、約８０ｎｍであった。
【００３２】
さらに、上層配向膜２２として、ビシクロ環構造をもつ脂肪族テトラカルボン酸と芳香族ジアミンを主成分として構成される可溶性ポリイミドワニスをオフセット印刷法で塗布し、１８０℃で焼成してポリイミド膜を形成した。この印刷条件で平坦な基板上にポリイミド膜を形成した場合の膜厚は、約６０ｎｍであった。
【００３３】
画素電極配線１４および共通電極配線１３の長手方向と１０゜の角度で、レーヨンのバフ布でラビング処理を行った。この配向処理によって、液晶分子長軸は画素電極配線１４および共通電極配線１３の長手方向と１０゜の角度を成して配向することになる。そして、光遮光層（ブラックマトリクス）とＲ，Ｇ，Ｂの色材層から成るカラーフィルターに、アレイ基板２０と同様、配向膜として、ビシクロ環構造をもつ脂肪族テトラカルボン酸と芳香族ジアミンを主成分として構成される可溶性ポリイミドワニスをオフセット印刷法で塗布し、１８０℃で焼成してポリイミド膜を約８０ｎｍの膜厚で形成した。同様にレーヨンのバフ布によるラビングで配向処理し、周辺にシール樹脂を塗布し、平均粒子径が３μｍのスペーサービーズを散布後、液晶の配向方向が上下基板で一致するように貼り合わせ、液晶を真空注入した。用いた液晶は、屈折率異方性Δｎが０．０９０で誘電率異方性Δεが正の全フッ素系の混合液晶である。
【００３４】
液晶注入後、一対の偏光板を基板の上下に互いの偏光軸を直交させ、かつ一方の偏光軸を液晶の配向方向と一致させて貼り付けた。この液晶パネルを偏光顕微鏡で観察したところ、電極段差部に非配向領域はほとんど見られなかった。このパネルに駆動回路を実装し、表示状態を調べたところ、黒表示、中間調表示、および白表示時において、ラビング筋のような配向むらは全く認められず、非常に均一な表示が得られた。また、コントラスト比もパネル全面で３００：１以上を実現できた。
【００３５】
さらに、この液晶表示パネルは、配向膜の上層に可溶性ポリイミドを用いたことにより、固定パターンを表示した場合の焼き付き現象が起こりにくく、同一パターンを３０分表示した後、全面に同一の輝度となる信号を加えた場合、表示焼き付き現象は観察されなかった。
【００３６】
次に、本実施例に対する比較例を示す。
【００３７】
第１比較例として画面の対角１５．２インチ、アスペクト比１６：９、解像度が縦７６８Ｘ横１３６４ＲＧＢのＩＰＳモードＴＦＴ液晶パネルを以下のようにして作製した。なお、アレイ基板の構成および製造方法は第１実施例と同一であるため、説明は省略する。
【００３８】
アレイ基板２０に配向膜として、シクロブタンテトラカルボン酸と芳香族ジアミンを主成分として構成されるポリアミック酸ワニスをオフセット印刷法で塗布し、２２０℃で焼成してポリイミド膜を約８０ｎｍの膜厚で１層のみ形成した。
【００３９】
画素電極配線１４および共通電極配線１３の長手方向と１０゜の角度で、レーヨンのバフ布でラビング処理を行った。この配向処理によって、液晶分子長軸は画素電極配線１４および共通電極配線１３の長手方向と１０゜の角度を成して配向することになる。そして、光遮光層（ブラックマトリクス）とＲ，Ｇ，Ｂの色材層から成るカラーフィルターに、アレイ基板２０と同様、配向膜として、シクロブタンテトラカルボン酸と芳香族ジアミンを主成分として構成されるポリアミック酸ワニスをオフセット印刷法で塗布し、２２０℃で焼成してポリイミド膜を形成した。この印刷条件で平坦な基板上にポリイミド膜を形成した場合の膜厚は、約８０ｎｍであった。
【００４０】
同様にレーヨンのバフ布によるラビングで配向処理し、周辺にシール樹脂を塗布し、平均粒子径が３μｍのスペーサービーズを散布後、液晶の配向方向が上下基板で一致するように貼り合わせ、液晶を真空注入した。用いた液晶は、屈折率異方性Δｎが０．０９０で誘電率異方性Δεが正の全フッ素系の混合液晶であった。
【００４１】
液晶注入後、一対の偏光板を基板の上下に互いの偏光軸を直交させ、かつ一方の偏光軸を液晶の配向方向と一致させて貼り付けた。この液晶パネルを偏光顕微鏡で観察したところ、電極段差部に非配向領域が観察された。このパネルに駆動回路を実装し、表示状態を調べたところ、黒表示、中間調表示時において、ラビング方向に沿った筋むらが観察された。また、コントラスト比も非配向領域の光漏れが原因して、パネル全面で２００：１以下であった。
【００４２】
第２比較例として画面の対角１５．２インチ、アスペクト比１６：９、解像度が縦７６８Ｘ横１３６４ＲＧＢのＩＰＳモードＴＦＴ液晶パネルを以下のようにして作製した。なお、アレイ基板の構成および製造方法は第１実施例と同一であるため、説明は省略する。
【００４３】
アレイ基板２０に配向膜として、シクロブタンテトラカルボン酸と芳香族ジアミンを主成分として構成されるポリアミック酸ワニスをオフセット印刷法で塗布し、２２０℃で焼成してポリイミド膜を約１５０ｎｍの膜厚で１層のみ形成した。
【００４４】
画素電極配線１４および共通電極配線１３の長手方向と１０゜の角度で、レーヨンのバフ布でラビング処理を行った。この配向処理によって、液晶分子長軸は画素電極配線１４および共通電極配線１３の長手方向と１０゜の角度を成して配向することになる。そして、光遮光層（ブラックマトリクス）とＲ，Ｇ，Ｂの色材層から成るカラーフィルターに、アレイ基板２０と同様、配向膜として、シクロブタンテトラカルボン酸と芳香族ジアミンを主成分として構成されるポリアミック酸ワニスをオフセット印刷法で塗布し、２２０℃で焼成してポリイミド膜を形成した。この印刷条件で平坦な基板上にポリイミド膜を形成した場合の膜厚は、約１５０ｎｍであった。
【００４５】
同様にレーヨンのバフ布によるラビングで配向処理し、周辺にシール樹脂を塗布し、平均粒子径が３μｍのスペーサービーズを散布後、液晶の配向方向が上下基板で一致するように貼り合わせ、液晶を真空注入した。用いた液晶は、屈折率異方性Δｎが０．０９０で誘電率異方性Δεが正の全フッ素系の混合液晶である。
【００４６】
液晶注入後、一対の偏光板を基板の上下に互いの偏光軸を直交させ、かつ一方の偏光軸を液晶の配向方向と一致させて貼り付けた。この液晶パネルを偏光顕微鏡で観察したところ、電極段差部に非配向領域はほとんど観察されなかった。しかし、このパネルに駆動回路を実装し、表示状態を調べたところ、中間調表示時において、配向膜の膜厚分布に起因する表示むらが観察され、著しく表示品位を低下させた。
【００４７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の液晶表示パネルおよびその製造方法によれば、電極段差近傍の非配向領域を低減でき、高コントラスト表示が可能で、表示むらの少ない高品位のＩＰＳ方式液晶表示パネルを容易に実現することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態の液晶表示パネルのＴＦＴアレイの画素部の形状を示す平面模式図
【図２】本発明の実施形態の液晶表示パネルのＴＦＴアレイの画素部の形状を示す断面模式図
【図３】ＩＰＳ方式における液晶分子の動きを表す模式図
【符号の説明】
１１ 走査電極配線
１２ 信号電極配線
１３ 共通電極配線
１４ 画素電極配線
１５ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
１６ 蓄積容量
１７，１９ 絶縁層（ＳｉＮx）
２０ アレイ基板
２１ 下層配向膜
２２ 上層配向膜
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板面にほぼ平行な電界を加えることによって液晶を駆動するＩＰＳ方式の液晶表示パネルとその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型液晶ディスプレイは、カムコーダ用のディスプレイやノートパソコン用のディスプレイなど種々の分野へ利用されており、大きな市場を形成してきている。とくに、最近、パソコンやワークステーション用のモニターとしての応用展開が期待されており、対角１３〜１４インチ以上の画面サイズの要求が高まっている。ＴＦＴ液晶ディスプレイの表示モードとしては、現状では捻れネマチック（ＴＮ）モードが主流となっているが、大画面表示用途には、特開平６−１６０８７８号公報等に記載されている基板面にほぼ平行な電界を印加し、基板面に平行に液晶分子を動かすインプレーンスイッチング（ＩＰＳ）モードが、その非常に広い視野角特性により、期待を集めている。
【０００３】
図３はＩＰＳモードにおける液晶分子の動きを模式的に示す説明図であり、図３（ａ）は電界を印加しない場合、図３（ｂ）は電界を印加した場合をそれぞれ示し、１はアレイ基板、２はアレイ基板１に対向して配置された対向基板、３はアレイ基板１に形成された画素電極、４は共通電極、５，６はアレイ基板１および対向基板２の外部にそれぞれ配置された偏光板、７は画素電極３および共通電極４に電圧を印加する電源、８はアレイ基板１と対向基板２間に挟持された液晶素子を示す。
【０００４】
ＩＰＳモードは、上下基板に電極を持ち、基板面にほぼ垂直な電界で動作する従来のＴＮモードと多くの点で異なっている。
【０００５】
ＴＮモードでは、上下基板に存在する電極は、画素部の表示領域全体に形成されており、ほぼ平坦な構造をしている。一方、ＩＰＳモードでは、基板面に平行な電界を加えるために、画素電極３と共通電極４が櫛歯状に同一の基板側に形成されている。これらの電極は、通常数百ｎｍの厚みの金属で構成されており、電極部と電極の間の表示領域には、電極の厚み分の段差が存在する。
【０００６】
ＩＰＳモードのパネルにおいても、液晶の配向処理は、ＴＮモードと同様、ポリイミドなどの配向膜を基板１，２表面に形成し、バフ布で一方向に擦るラビング処理で行われている。このラビング処理によって、液晶は一軸配向性を付与される。ラビング処理によって、液晶を配向させる場合、電極部等の段差が存在すると、段差近傍の領域が擦られ難く、この領域の一軸配向性が不完全となる。この領域を非配向領域とよぶ。ＴＮモードにおいても、走査配線電極、信号配線電極の段差近傍には非配向領域が存在するが、この部分を対向基板に形成した遮光層（通常ブラックマトリクス）で隠しているため、画素部の表示エリアには、非配向領域が存在せず、表示上の影響は少ない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ＩＰＳモードの場合、画素部の表示エリアに櫛歯状に画素電極と共通電極が存在する。これらの電極は一般に、ＴＦＴアレイの製造プロセス上、信号配線電極および走査配線電極と同時に形成されるため、信号配線電極または走査配線電極と同じ段差をもっている。
【０００８】
一般に櫛歯状に配置された画素電極と共通電極の間隔は１０μｍ程度であり、段差近傍の非配向領域を遮光層で隠すことは、パネル開口率の点から非常に困難である。つまり、非配向領域を隠すと、開口率が非常に小さくなってしまい、実用的ではない。ＩＰＳモードは一般に、電界を加えない状態で黒表示を行うノーマリーブラック（ＮＢ）表示であるため、電極段差近傍に非配向領域が存在すると、この部分が光り抜けを起こし、コントラストを低下させる。また、非配向領域の大きさにパネル内でばらつきがあると、筋むらの表示むらを引き起こし、表示品位を著しく低下させてしまうという問題がある。
【０００９】
このような非配向領域を低減する方法として、配向膜層の膜厚を大きくして、レベリング効果により電極段差を緩和する手段が考えられる。しかし、配向膜を厚く印刷すると、基板面内の膜厚むらが大きくなること、厚膜印刷のために配向膜ワニスの濃度を高めると、ワニスの安定性が悪くなることなどが問題である。
【００１０】
本発明の目的は、このような問題を回避しながら、電極段差近傍の非配向領域を低減し、高コントラストが得られ、しかも表示品位に優れたＩＰＳモード液晶表示パネルおよびその製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、ベース基板上に、マトリクス状に配置された複数の画素ごとに設けられた薄膜トランジスタを形成するとともに、所定の厚さを有する画素電極および共通電極を画素領域に形成してなるアレイ基板と、このアレイ基板に対向する対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持される液晶組成物層とを備え、前記薄膜トランジスタをオン／オフさせることにより前記基板面に略平行な電界を印加して、前記液晶組成物層に含まれる液晶分子を動作させる横電界方式の液晶表示パネルにおいて、前記アレイ基板における前記所定の厚さを有する画素電極および共通電極が形成された面に、前記画素電極および共通電極による段差を平坦化する膜が形成され、この膜の上に、前記液晶組成物層に接触する面にラビングによる配向処理が施された配向膜が形成されたことを特徴とする。この構成により、本発明の液晶表示パネルは、配線段差を緩和することができ、段差近傍の非配向領域が低減され、コントラスト、表示品位に優れたものとなる。
【００１２】
また本発明は、前記画素電極および共通電極の上に、前記画素電極および共通電極による段差を平坦化する膜と前記配向膜の２層の膜が形成されたことを特徴とする。このような構成により、配線段差の平坦化および段差形状のテーパー化をより効果的に行うことができ、段差近傍の非配向領域を大幅に低減することができる。
また本発明は、前記画素電極および共通電極による段差を平坦化する膜と前記配向膜とが同一材料からなることを特徴とする。
【００１３】
また本発明は、ベース基板上に、マトリクス状に配置された複数の画素ごとに設けられた薄膜トランジスタを形成するとともに、所定の厚さを有する画素電極および共通電極を画素領域に形成してなるアレイ基板と、このアレイ基板に対向する対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持される液晶組成物層とを備え、前記薄膜トランジスタをオン／オフさせることにより前記基板面に略平行な電界を印加して、前記液晶組成物層に含まれる液晶分子を動作させる横電界方式の液晶表示パネルの製造方法において、前記ベース基板上に、前記薄膜トランジスタ、前記所定の厚さを有する画素電極および共通電極を形成する工程と、前記所定の厚さを有する画素電極および共通電極の上に第１の膜を形成して、前記画素電極および前記共通電極による段差を平坦化する工程と、前記第１の膜上に、前記第１の膜と同一の材料からなる配向膜を形成する工程と、前記配向膜をラビングして配向処理する工程を有することを特徴とする。このような製造方法により、段差近傍の非配向領域が低減され、コントラスト、表示品位に優れたＩＰＳ方式液晶表示パネルを実現することができる。
また本発明は、オフセット印刷を２回行うことにより、前記第１の膜および配向膜を形成することを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１５】
図１は本発明の実施形態のＩＰＳモードＴＦＴ液晶パネルの画素部のアレイ形状の平面構造を示す模式図、図２は図１の断面構造を表す模式図であり、１０はベース基板、１１は走査電極配線、１２は信号電極配線、１３は共通電極配線、１４は画素電極配線、１５はスイッチング素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、１６は蓄積容量、１７，１９は絶縁層、２０はアレイ基板、２１は上層配向膜、２２は下層配向膜を示す。
【００１６】
ベース基板１０の表面上には走査電極配線１１と共通電極配線１３は交互に形成されている。共通電極配線１３は走査電極配線１１に平行な一本の基本線と、この基本線に対して垂直かつ両側に櫛状に延在する複数の垂直線から構成されている。また、ベース基板１０の表面上には走査電極配線１１と共通電極配線１３を覆うように絶縁層１９が形成され、その上に薄膜トランジスタ１５が形成され、さらに信号電極配線１２および画素電極配線１４が形成される。信号電極配線１２は走査電極配線１１に対して垂直方向に延びる線であり、画素電極配線１４は共通電極配線１３の１本の垂直線に咬合するようにコ字状に形成され、画素電極配線１４の一方の端部が薄膜トランジスタ１５に接続され、しかも中央部が走査電極配線１１に位置することにより、蓄積容量１６が形成される。また、信号電極配線１２が薄膜トランジスタ１５に接続されている。そして、画素部全体に絶縁層１７を堆積して、アレイ基板２０が構成される。
【００１７】
このアレイ基板２０にオフセット印刷法を２度行って、下層配向膜２１および上層配向膜２２を形成する。下層配向膜２１は段差平坦化能力の高い膜で形成され、上層配向膜２２は、固定パターンを表示した場合の焼き付き現象が発生しにくい膜で形成されている。
【００１８】
このような構成により、配向膜を２層に構成したため、配線段差を緩和することができ、段差近傍の非配向領域が低減され、コントラスト、表示品位に優れたものとなる。また、下層に段差平坦化能力が高い膜を形成することで、配線段差の平坦化および段差形状のテーパー化をより効果的に行うことができ、段差近傍の非配向領域を大幅に低減することができる。そして、上層に焼き付き現象が発生しにくい膜を形成することで、表示焼き付きが起こりにくい液晶表示パネルを製造することが可能となる。
【００１９】
なお、本実施形態では、蓄積容量１６は対応する１ライン前の走査電極配線１１との間で形成したが、１ライン後の走査電極配線１１または共通電極配線１３との間で形成しても良い。
【００２０】
また、液晶表示パネルおよびその製造方法において、配向膜の材質はとくに規定しない。しかし、２層構成の配向膜の内、上層の膜はラビング処理により液晶を一軸配向させることができる材料であることが必要である。例えば、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリビニルアルコール等であるが、配向の安定性の観点から、現状ではポリイミド系の材料を使用することが望ましい。下層の膜には、上層と同じ材料を用いても、別の材料を用いてもよい。下層の膜は液晶の配向性をとくに考慮する必要はない。配向膜としてポリイミドを用いる場合、下層の膜にはポリアミック酸タイプのものを用いることが望ましい。これは、ポリアミック酸タイプのものは、一般に溶解性が高く、アルコール系などの表面エネルギーの低い溶剤を、ワニス組成として多く加えることができることから、基板面への濡れがよく、段差の平坦化能力が高いためである。また、上層の膜には、可溶性ポリイミドを用いることが好ましい。可溶性ポリイミドは、ポリアミック酸タイプに比べて溶解性が低く、段差平坦化能力には乏しいが、表示焼き付きに対しては、優れた効果を発揮する。
【００２１】
２層構成配向膜はＴＦＴアレイ基板と対向基板（通常はカラーフィルタ基板）の両方に形成しても良いが、少なくとも段差配向が問題となるＴＦＴアレイ基板側に形成されていれば、本発明の目的は達することができる。
【００２２】
また、液晶表示パネルにおける配向膜の形成方法は、とくに限定するものではない。通常、液晶パネルの量産工程において、配向膜の塗布は通常オフセット印刷法で行われているが、これに限定するものではなく、スピンコート法等の別の形成手段であってもよい。ただし、必要部分にのみに選択的に配向膜を塗布でき、回路実装部等の不要部分には配向膜を形成しないことが容易な印刷法が、工程簡略化の点では望ましい。とくに、現状の量産工法との整合性の点では、印刷法の中でも、とくにオフセット印刷法が望ましい。
【００２３】
【実施例】
次に、具体的な実施例について説明する。
【００２４】
まず、第１実施例として、画面の対角１５．２インチ、アスペクト比１６：９、解像度が縦７６８Ｘ横１３６４ＲＧＢのＩＰＳモードＴＦＴ液晶パネルを以下のようにして作製した。
【００２５】
図１，図２において走査電極配線１１、共通電極配線１３はアルミニウムを主成分とする金属薄膜を成膜し、図１に示す形状をフォトリソグラフ法で同一平面上に形成した。使用する金属材料は配線抵抗の低い金属が望ましいが、とくにアルミニウム系金属に限定する必要はなく、また、単層膜であっても多層膜であってもよい。次に絶縁層１９としてアルミニウム膜の陽極酸化層と窒化珪素（ＳｉＮx）、半導体層としてアモルファスシリコンを積層した後、走査電極配線１１上の陽極酸化層と窒化珪素層の一部を取り除き、その後スパッタリング法によりアルミニウム／チタン（Ａｌ／Ｔｉ）の２層を堆積させて薄膜トランジスタ１５を形成し、ドライエッチングにより信号電極配線１２および画素電極配線１４を形成した。ここで、第１実施例では画素電極配線１４の線幅は５μｍ、画素電極配線１４と共通電極配線１３の間隔は１２μｍとした。また、画素電極配線１４と走査電極配線１１の間で蓄積容量１６を形成した。さらに、画素部全体に絶縁層１７として窒化珪素（ＳｉＮx）を堆積した。このようなアレイ構成において、共通電極配線１３および画素電極配線１４と電極間部分の段差は、ともに約４００ｎｍである。
【００２６】
このアレイ基板２０に下層配向膜２１として、シクロブタンテトラカルボン酸と芳香族ジアミンを主成分として構成されるポリアミック酸ワニスをオフセット印刷法で塗布し、２２０℃で焼成してポリイミド膜を形成した。この印刷条件で平坦な基板上にポリイミド膜を形成した場合の膜厚は、約８０ｎｍであった。
【００２７】
さらに、上層配向膜２２として、同様にシクロブタンテトラカルボン酸と芳香族ジアミンを主成分として構成されるポリアミック酸ワニス（下層配向膜と同じ材料）をオフセット印刷法で、下層膜と同一条件で塗布し、２２０℃で焼成してポリイミド膜を形成した。
【００２８】
次に、画素電極配線１４および共通電極配線１３の長手方向と１０゜の角度で、レーヨンのバフ布でラビング処理を行った。このラビング処理によって、液晶分子長軸は画素電極配線１４および共通電極配線１３の長手方向と１０゜の角度を成して配向することになる。そして、光遮光層（ブラックマトリクス）とＲ，Ｇ，Ｂの色材層から成るカラーフィルターに、アレイ基板２０と同様、配向膜として、シクロブタンテトラカルボン酸と芳香族ジアミンを主成分として構成されるポリアミック酸ワニスをオフセット印刷法で塗布し、２２０℃で焼成してポリイミド膜を約８０ｎｍの膜厚で形成した。同様にレーヨンのバフ布によるラビングで配向処理し、周辺にシール樹脂を塗布し、平均粒子径が３μｍのスペーサービーズを散布後、液晶の配向方向が上下基板で一致するように貼り合わせ、液晶を真空注入した。用いた液晶は、屈折率異方性Δｎが０．０９０で誘電率異方性Δεが正の全フッ素系の混合液晶である。
【００２９】
液晶注入後、一対の偏光板を基板の上下に互いの偏光軸を直交させ、かつ一方の偏光軸を液晶の配向方向と一致させて貼り付けた。この液晶パネルを偏光顕微鏡で観察したところ、電極段差部に非配向領域はほとんど見られなかった。このパネルに駆動回路を実装し、表示状態を調べたところ、黒表示、中間調表示、および白表示時において、ラビング筋のような配向むらは全く認められず、非常に均一な表示が得られた。また、コントラスト比もパネル全面で３００：１以上を実現できた。
【００３０】
次に、第２実施例として、画面の対角１５．２インチ、アスペクト比１６：９、解像度が縦７６８Ｘ横１３６４ＲＧＢのＩＰＳモードＴＦＴ液晶パネルを以下のようにして作製した。なお、アレイ基板の構成および製造方法は第１実施例と同一であるため、説明は省略する。
【００３１】
アレイ基板２０に下層配向膜２１として、シクロブタンテトラカルボン酸と芳香族ジアミンを主成分として構成されるポリアミック酸ワニスをオフセット印刷法で塗布し、２２０℃で焼成してポリイミド膜を形成した。この印刷条件で平坦な基板上にポリイミド膜を形成した場合の膜厚は、約８０ｎｍであった。
【００３２】
さらに、上層配向膜２２として、ビシクロ環構造をもつ脂肪族テトラカルボン酸と芳香族ジアミンを主成分として構成される可溶性ポリイミドワニスをオフセット印刷法で塗布し、１８０℃で焼成してポリイミド膜を形成した。この印刷条件で平坦な基板上にポリイミド膜を形成した場合の膜厚は、約６０ｎｍであった。
【００３３】
画素電極配線１４および共通電極配線１３の長手方向と１０゜の角度で、レーヨンのバフ布でラビング処理を行った。この配向処理によって、液晶分子長軸は画素電極配線１４および共通電極配線１３の長手方向と１０゜の角度を成して配向することになる。そして、光遮光層（ブラックマトリクス）とＲ，Ｇ，Ｂの色材層から成るカラーフィルターに、アレイ基板２０と同様、配向膜として、ビシクロ環構造をもつ脂肪族テトラカルボン酸と芳香族ジアミンを主成分として構成される可溶性ポリイミドワニスをオフセット印刷法で塗布し、１８０℃で焼成してポリイミド膜を約８０ｎｍの膜厚で形成した。同様にレーヨンのバフ布によるラビングで配向処理し、周辺にシール樹脂を塗布し、平均粒子径が３μｍのスペーサービーズを散布後、液晶の配向方向が上下基板で一致するように貼り合わせ、液晶を真空注入した。用いた液晶は、屈折率異方性Δｎが０．０９０で誘電率異方性Δεが正の全フッ素系の混合液晶である。
【００３４】
液晶注入後、一対の偏光板を基板の上下に互いの偏光軸を直交させ、かつ一方の偏光軸を液晶の配向方向と一致させて貼り付けた。この液晶パネルを偏光顕微鏡で観察したところ、電極段差部に非配向領域はほとんど見られなかった。このパネルに駆動回路を実装し、表示状態を調べたところ、黒表示、中間調表示、および白表示時において、ラビング筋のような配向むらは全く認められず、非常に均一な表示が得られた。また、コントラスト比もパネル全面で３００：１以上を実現できた。
【００３５】
さらに、この液晶表示パネルは、配向膜の上層に可溶性ポリイミドを用いたことにより、固定パターンを表示した場合の焼き付き現象が起こりにくく、同一パターンを３０分表示した後、全面に同一の輝度となる信号を加えた場合、表示焼き付き現象は観察されなかった。
【００３６】
次に、本実施例に対する比較例を示す。
【００３７】
第１比較例として画面の対角１５．２インチ、アスペクト比１６：９、解像度が縦７６８Ｘ横１３６４ＲＧＢのＩＰＳモードＴＦＴ液晶パネルを以下のようにして作製した。なお、アレイ基板の構成および製造方法は第１実施例と同一であるため、説明は省略する。
【００３８】
アレイ基板２０に配向膜として、シクロブタンテトラカルボン酸と芳香族ジアミンを主成分として構成されるポリアミック酸ワニスをオフセット印刷法で塗布し、２２０℃で焼成してポリイミド膜を約８０ｎｍの膜厚で１層のみ形成した。
【００３９】
画素電極配線１４および共通電極配線１３の長手方向と１０゜の角度で、レーヨンのバフ布でラビング処理を行った。この配向処理によって、液晶分子長軸は画素電極配線１４および共通電極配線１３の長手方向と１０゜の角度を成して配向することになる。そして、光遮光層（ブラックマトリクス）とＲ，Ｇ，Ｂの色材層から成るカラーフィルターに、アレイ基板２０と同様、配向膜として、シクロブタンテトラカルボン酸と芳香族ジアミンを主成分として構成されるポリアミック酸ワニスをオフセット印刷法で塗布し、２２０℃で焼成してポリイミド膜を形成した。この印刷条件で平坦な基板上にポリイミド膜を形成した場合の膜厚は、約８０ｎｍであった。
【００４０】
同様にレーヨンのバフ布によるラビングで配向処理し、周辺にシール樹脂を塗布し、平均粒子径が３μｍのスペーサービーズを散布後、液晶の配向方向が上下基板で一致するように貼り合わせ、液晶を真空注入した。用いた液晶は、屈折率異方性Δｎが０．０９０で誘電率異方性Δεが正の全フッ素系の混合液晶であった。
【００４１】
液晶注入後、一対の偏光板を基板の上下に互いの偏光軸を直交させ、かつ一方の偏光軸を液晶の配向方向と一致させて貼り付けた。この液晶パネルを偏光顕微鏡で観察したところ、電極段差部に非配向領域が観察された。このパネルに駆動回路を実装し、表示状態を調べたところ、黒表示、中間調表示時において、ラビング方向に沿った筋むらが観察された。また、コントラスト比も非配向領域の光漏れが原因して、パネル全面で２００：１以下であった。
【００４２】
第２比較例として画面の対角１５．２インチ、アスペクト比１６：９、解像度が縦７６８Ｘ横１３６４ＲＧＢのＩＰＳモードＴＦＴ液晶パネルを以下のようにして作製した。なお、アレイ基板の構成および製造方法は第１実施例と同一であるため、説明は省略する。
【００４３】
アレイ基板２０に配向膜として、シクロブタンテトラカルボン酸と芳香族ジアミンを主成分として構成されるポリアミック酸ワニスをオフセット印刷法で塗布し、２２０℃で焼成してポリイミド膜を約１５０ｎｍの膜厚で１層のみ形成した。
【００４４】
画素電極配線１４および共通電極配線１３の長手方向と１０゜の角度で、レーヨンのバフ布でラビング処理を行った。この配向処理によって、液晶分子長軸は画素電極配線１４および共通電極配線１３の長手方向と１０゜の角度を成して配向することになる。そして、光遮光層（ブラックマトリクス）とＲ，Ｇ，Ｂの色材層から成るカラーフィルターに、アレイ基板２０と同様、配向膜として、シクロブタンテトラカルボン酸と芳香族ジアミンを主成分として構成されるポリアミック酸ワニスをオフセット印刷法で塗布し、２２０℃で焼成してポリイミド膜を形成した。この印刷条件で平坦な基板上にポリイミド膜を形成した場合の膜厚は、約１５０ｎｍであった。
【００４５】
同様にレーヨンのバフ布によるラビングで配向処理し、周辺にシール樹脂を塗布し、平均粒子径が３μｍのスペーサービーズを散布後、液晶の配向方向が上下基板で一致するように貼り合わせ、液晶を真空注入した。用いた液晶は、屈折率異方性Δｎが０．０９０で誘電率異方性Δεが正の全フッ素系の混合液晶である。
【００４６】
液晶注入後、一対の偏光板を基板の上下に互いの偏光軸を直交させ、かつ一方の偏光軸を液晶の配向方向と一致させて貼り付けた。この液晶パネルを偏光顕微鏡で観察したところ、電極段差部に非配向領域はほとんど観察されなかった。しかし、このパネルに駆動回路を実装し、表示状態を調べたところ、中間調表示時において、配向膜の膜厚分布に起因する表示むらが観察され、著しく表示品位を低下させた。
【００４７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の液晶表示パネルおよびその製造方法によれば、電極段差近傍の非配向領域を低減でき、高コントラスト表示が可能で、表示むらの少ない高品位のＩＰＳ方式液晶表示パネルを容易に実現することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態の液晶表示パネルのＴＦＴアレイの画素部の形状を示す平面模式図
【図２】本発明の実施形態の液晶表示パネルのＴＦＴアレイの画素部の形状を示す断面模式図
【図３】ＩＰＳ方式における液晶分子の動きを表す模式図
【符号の説明】
１１ 走査電極配線
１２ 信号電極配線
１３ 共通電極配線
１４ 画素電極配線
１５ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
１６ 蓄積容量
１７，１９ 絶縁層（ＳｉＮx）
２０ アレイ基板
２１ 下層配向膜
２２ 上層配向膜
Claims (5)
- ベース基板上に、マトリクス状に配置された複数の画素ごとに設けられた薄膜トランジスタを形成するとともに、所定の厚さを有する画素電極および共通電極を画素領域に形成してなるアレイ基板と、このアレイ基板に対向する対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持される液晶組成物層とを備え、前記薄膜トランジスタをオン／オフさせることにより前記基板面に略平行な電界を印加して、前記液晶組成物層に含まれる液晶分子を動作させる横電界方式の液晶表示パネルにおいて、前記アレイ基板における前記所定の厚さを有する画素電極および共通電極が形成された面に、前記画素電極および共通電極による段差を平坦化する膜が形成され、この膜の上に、前記液晶組成物層に接触する面にラビングによる配向処理が施された配向膜が形成されたことを特徴とする液晶表示パネル。
- 前記画素電極および共通電極の上に、前記画素電極および共通電極による段差を平坦化する膜と前記配向膜の２層の膜が形成されたことを特徴とする請求項１記載の液晶表示パネル。
- 前記画素電極および共通電極による段差を平坦化する膜と前記配向膜とが同一材料からなることを特徴とする請求項２記載の液晶表示パネル。
- ベース基板上に、マトリクス状に配置された複数の画素ごとに設けられた薄膜トランジスタを形成するとともに、所定の厚さを有する画素電極および共通電極を画素領域に形成してなるアレイ基板と、このアレイ基板に対向する対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持される液晶組成物層とを備え、前記薄膜トランジスタをオン／オフさせることにより前記基板面に略平行な電界を印加して、前記液晶組成物層に含まれる液晶分子を動作させる横電界方式の液晶表示パネルの製造方法において、前記ベース基板上に、前記薄膜トランジスタ、前記所定の厚さを有する画素電極および共通電極を形成する工程と、前記所定の厚さを有する画素電極および共通電極の上に第１の膜を形成して、前記画素電極および前記共通電極による段差を平坦化する工程と、前記第１の膜上に、前記第１の膜と同一の材料からなる配向膜を形成する工程と、前記配向膜をラビングして配向処理する工程とを有することを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
- オフセット印刷を２回行うことにより、前記第１の膜および配向膜を形成することを特徴とする請求項４記載の液晶表示パネルの製造方法。
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