JP3603238B2 - 時分割光多重化装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光変調信号を時分割多重化する時分割光多重化装置に関する。
各種の情報量の増加に伴って大容量通信システムが要望されている。その為の光通信システムに於いては、光強度変調を行うビットレートを大きくする方向に向かっているが、周辺の電子回路部品の高速動作化を図ることが困難となってきている。そこで、光領域で多重化する方式等が提案されている。このような光領域で時分割多重化する場合の安定化が要望されている。
【０００２】
【従来の技術】
光領域で時分割多重化する方式としては既に各種の方式が提案されている。例えば、図８は従来例の概要説明図であり、半導体レーザ等の光源８４から一定レベルの光信号ａを第１の光変調器８１に入力し、クロック信号ｂによって変調して、クロック信号ｂに同期し、且つ互いに信号として位相差が１８０度の光信号ｃ，ｄを出力し、第２，第３の光変調器８２，８３に於いてベースバンド信号ｅ，ｆによって光信号ｃ，ｄをオン，オフ変調し、それぞれの光変調信号ｇ，ｈを光合波器８５により合波して、時分割多重光信号ｉを出力する。
【０００３】
図９は従来例の動作説明図であり、（ａ）〜（ｉ）は、図８の各部のａ〜ｉの信号波形の一例を示す。即ち、光源８４からの光信号は、（ａ）に示すように、光レベルが一定のものである。又クロック信号ｂは、（ｂ）に示すように、デュティ５０％であり、第１の光変調器８１により、（ｃ），（ｄ）に示すように、クロック信号ｂに同期し、且つ信号としての位相差が１８０度の光信号ｃ，ｄが第２，第３の光変調器８２，８３に入力される。
【０００４】
又（ｅ），（ｆ）に示すようなベースバンド信号ｅ，ｆが第２，第３の光変調器８２，８３に加えられて、光信号ｃ，ｄがオン，オフ変調され、（ｇ），（ｈ）に示すような二つのＲＺ信号が生成される。それらが光合波器８５により合波されて、異なるタイムスロットによる光変調信号ｇ，ｈが時分割多重化され、（ｉ）に示す時分割多重時分割多重光信号ｉが出力される。
【０００５】
又第２，第３の光変調器８２，８３は、例えば、マッハツェンダ型変調器を用いることができるものであり、又第１の光変調器８１は、同様に、マッハツェンダ型変調器の構成を基本とするが、その出力側に光方向性結合器や分岐導波路を設け、クロック信号ｂに同期して、互いに１８０度の信号位相差の光信号ｃ，ｄを出力する構成とする。
【０００６】
又は、図１０に示すように、第１の光変調器８１として、第２，第３の光変調器８２，８３と同様な１出力のマッハツェンダ型変調器８１Ａを用い、その出力光を光分岐器８６により分岐し、その分岐した一方の光路長に信号半周期分の差を与える遅延線路８７を接続する構成とすることもできる。
【０００７】
前述の第２，第３の光変調器８２，８３からの光変調信号ｇ，ｈが、例えば、図１１の（ａ），（ｂ）に示すように、１８０度の信号位相差の波形の場合、これらを合波すると、図１１の（ｃ）に示す時分割多重光信号となる。この時の（ａ），（ｂ）の光変調信号の光位相が１８０度の位相差を有する場合、相互に重なる部分は打ち消し合うから、合波した時分割多重光信号は、図１１の（ｄ）の９１で示す波形となる。又反対に、図１１の（ａ），（ｂ）の光変調信号の光位相が、同相の場合、相互に重なる部分は加算されることになり、従って、図１１の（ｅ）の９２で示す波形となる。
【０００８】
図１２は光変調信号の測定波形図を示し、（ａ）は１０Ｇｂ／ｓのＲＺ光信号の測定波形を示し、（ｂ）は、（ａ）の波形の光信号を、相互に光信号としての位相が１８０度相違するようにして合波することにより、１０Ｇｂ／ｓのＲＺ光信号を２０Ｇｂ／ｓの光多重信号とした場合の測定波形を示し、その時に、各光信号の相互に重なる部分の光位相が１８０度の位相差を有する場合、互いに弱め合う状態となることを示しており、図１１の（ｄ）はこの状態を線図として示している。
【０００９】
又図１２の（ｃ）は、（ｂ）の場合と反対に、各光信号の相互に重なる部分の光位相が同位相の場合の測定波形を示し、その重なる部分が互いに相和される状態を示している。なお、図８の（ｅ）はこの状態を線図として示している。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
光領域で時分割多重化を行う場合に、各系統の光信号の光位相が１８０度の位相差を有する場合は、図１１の（ｄ）又は図１２の（ｂ）に示すように、各光パルスの裾の部分が弱め合うことにより、パルス状の波形となり、又アイパターンは図１２の（ｂ）に示すように、比較的大きく開くことになる。又反対に各系統の光信号の光位相が同相の場合、図１１の（ｃ）又は図１２の（ｃ）に示すように、各光パルスの裾の部分が強め合うことにより、相互干渉が大きい信号波形となる。その際、図１２の（ｃ）に示すように、アイパターンは平均レベルに対して小さくなる。又各系統の光信号の光位相が１８０度〜０度の間の場合、図１１の（ｄ），（ｅ）の間、又は図１２の（ｂ），（ｃ）の間の干渉の状態の信号波形となる。
【００１１】
又図８又は図１０に於いて、第２，第３の光変調器８２，８３からの光変調信号ｇ，ｈの光位相を、前述のように、１８０度又は０度に初期設定しても、温度変化等により光変調器８２，８３の特性が変動し、光合波器８５に入力される光変調信号ｇ，ｈの光位相が変化し、初期設定状態からずれることになる。又第２，第３の光変調器８２，８３に入力される光信号ｃ，ｄについても、第１の光変調器８１の特性変化により、初期設定の光位相状態からずれることがあり、それによって、光変調信号ｇ，ｈの光位相が初期設定状態からずれることになる。
本発明は、光領域で時分割多重化する光信号の光位相を初期設定状態に自動的に維持させることを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の時分割光多重化装置は、図１を参照して説明すると、（１）複数のタイムスロットの異なる光変調信号を時分割多重化する光多重化部１と、この光多重化部１に加える光変調信号の少なくとも一つの光波の位相を制御する光位相制御部２と、この光位相制御部２に入力される光位相制御信号を低周波信号により変調する為の低周波発振器３と、この低周波発振器３からの低周波信号と、光多重化部１により多重化された光信号に含まれる低周波信号成分との位相比較を行って、光位相制御部の光位相制御量を制御する光位相検出制御部４とを備えている。又５，６は光変調器、７は光分岐部を示す。光位相検出制御部４は、例えば、光多重信号中の周波数ｆ_０ の低周波信号成分が零となるように、光位相制御部２を制御する。
【００１３】
又（２）光位相制御部２は、誘電体導波路上に電極を形成し、この電極に光位相検出制御部４からの制御電圧を印加して、電界強度によって屈折率を変化させ、誘電体導波波路を伝搬する光変調信号の光位相を制御する構成を備えている。
【００１４】
又（３）光位相制御部２は、温度により屈折率が変化する材料からなる導波路上に発熱電極を形成し、この発熱電極に光位相検出制御部４からの制御電圧を印加して、導波路を伝搬する光変調信号の光位相を制御する構成を備えている。
【００１５】
又（４）光位相制御部２は、光変調信号の空間伝搬経路長を変化させる電気機械変換素子を設け、この電気機械変換素子を光位相検出制御部４からの制御電圧により制御して、光変調信号の光位相を制御する構成を備えている。
【００１６】
又（５）光位相制御部２は、光位相検出制御部４からの光位相を制御する制御電圧と、低周波発振器３からの低周波信号とを重畳して印加する構成を備え、光位相制御部２を伝搬する光変調信号の光位相を低周波信号により変調し、その平均値位相を初期設定状態に維持させることができる。
【００１７】
又（６）光多重化部１により時分割多重化された隣接ビットに対応する隣接光変調信号の光位相をほぼ１８０度ずれるように、光位相制御部２を制御する構成とすることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
図２は本発明の第１の実施の形態の説明図であり、１１は光源、１２は第１の光変調器、１３は低周波発振器、１４，１５は第２，第３の光変調器、１６は光位相制御部、１７は光合波器、１８は光分岐器、１９は光検出器、２０は光位相検出制御回路、２１はバンドパスフィルタ、２２は光強度検出部、２３は低周波信号重畳部である。
【００１９】
第１，第２，第３の光変調器１２，１４，１５は、図６に示す第１，第２，第３の光変調器８１，８２，８３と同様な構成を有するものであり、又第２，第３の光変調器１４，１５は、図１の光変調器５，６に対応する。又光合波器１７は、図１の光多重化部１に対応し、光位相制御部１６は、図１の光位相制御部２に対応し、光位相検出制御回路２０とバンドパスフィルタ２１と光強度検出部２２と光検出器１９とは、図１の光位相検出制御部４に対応する。又光分岐器は、図１の光分岐部７に対応し、低周波発振器１３は、図１の低周波発振器３に対応する。この低周波発振器１３は、クロック信号に比較して充分に低速の低周波信号を発生するものである。
【００２０】
又半導体レーザ等による光源１１と、クロック信号により信号位相差が１８０度となるように光信号を出力する光変調器１２と、ベースバンド信号により光信号を変調する光変調器１４，１５と、光変調信号を合波することにより時分割多重化を行う光合波器１７とは、図６に示す従来例の構成及び作用と同様であるから、重複する説明は省略する。
【００２１】
又光位相制御部１６は、光位相を電界強度，熱，空間伝搬経路長等によって制御する構成を有し、この実施の形態では、光変調器１５と光合波器１７との間に接続した場合を示すが、光変調器１４と光合波器１７との間に接続することも可能であり、又両方の光変調器１４，１５と光合波器１７との間にそれぞれ光位相制御部１６を接続することも可能である。又光位相検出制御回路２０からの光位相制御信号を低周波信号重畳部２３により低周波発振器１３からの低周波信号を重畳して、光位相制御部１６を制御する場合を示している。
【００２２】
又図１１の（ｄ）又は図１２の（ｂ）に示すように、各系統の光変調信号の光位相が１８０度の位相差を有して、光パルスの裾の重なり合う部分が弱め合う場合、時分割多重化された光信号の光強度は最小の状態となる。このような状態となるように、光位相制御部１６に光位相検出制御回路２０からバイアス電圧を印加して、光変調器１５からの光変調信号の光位相を制御する場合、そのバイアス電圧と光強度との関係は、図３の（Ａ）に示すものとなる。
【００２３】
即ち、光分岐器１８により光合波器１７からの時分割多重光信号の一部を分岐し、光検出器１９により電気信号に変換し、光強度検出部２２により光強度を検出し、バイアス電圧をＢＶ_０ に設定した時に光強度が最小となるとすると、その状態に於けるバイアス電圧ＢＶ_０ に、低周波発振器１３から周波数ｆ_０ の低周波信号２４を重畳すると、バイアス電圧はＢＶ_１ 〜ＢＶ_２ の間を変化するから、出力光信号（時分割多重光信号）の光強度は右側に示すように変化し、その周波数成分は２ｆ_０ となり、ｆ_０ の成分は含まないことになる。
【００２４】
又図３の（Ｂ）は、（Ａ）の初期状態からバイアス電圧がずれた場合を示し、このバイアス電圧に重畳された低周波信号が２５に示す場合、出力光信号は右側の２７に示す光強度となり、又バイアス電圧に重畳された低周波信号が２６に示す場合、出力光信号は右側の２８に示す光強度となる。又バイアス電圧が変化しない時でも、光変調器等の特性変化等によって、各系統の光変調信号の光位相が初期状態から変化すれば、バイアス電圧と光強度との関係が変化することになり、バイアス電圧が変化した場合と同様になる。このように、初期状態からずれた場合の２７，２８に示す出力光信号は、周波数ｆ_０ の成分を含むものとなる。
【００２５】
そこで、光強度検出部２２により時分割多重光信号の光強度を検出し、中心周波数ｆ_０ のバンドパスフィルタ２１により周波数ｆ_０ の成分を抽出し、光位相検出制御回路２０は、この周波数ｆ_０ の成分が零となるように、即ち、光位相制御部１６に加えるバイアス電圧を、図３の（Ｂ）の２７に示す場合は上昇し、又２８に示す場合は低下するように制御して、光合波器１７に入力する各系統の光変調信号の光位相を１８０度の位相差とし、光パルスの裾の重なる部分を弱め合う初期設定状態を自動的に維持することができる。
【００２６】
又バイアス電圧のずれ方向に対応して、出力光信号は、２７又は２８に示すように、周波数ｆ_０ の成分の位相が相違するから、この位相によってバイアス電圧の制御方向を識別することができる。例えば、出力光信号が２７に示す場合、バイアス電圧を上昇するように制御し、出力光信号が２８に示す場合、バイアス電圧を下降するように制御し、周波数ｆ_０ の成分が含まれなくなるように、バイアス電圧を制御することにより、隣接する光変調信号の裾を弱め合う初期設定状態を維持することができる。
【００２７】
図４は位相制御部の説明図であり、（Ａ）は、光変調器１５（図２参照）に接続した光ファイバ３１と、光合波器１７に接続した光ファイバ３２との間に、レンズ３３，３４と、反射鏡３５とを配置し、この反射鏡３５を矢印方向に、電気機械変換素子３６により移動して、光路長を制御することにより、光位相を制御する場合を示す。
【００２８】
従って、光位相検出制御回路２０からのバイアス電圧に、低周波発振器１３からの周波数ｆ_０ の低周波信号を重畳して電気機械変換素子３６に印加すると、矢印で示すように振動する。その場合、バイアス電圧に対応した変位位置を中心に、低周波信号の周波数ｆ_０ の周期で振動して、光変調信号の光位相が制御されることになる。
【００２９】
又図４の（Ｂ）は、（Ａ）の反射鏡３５の代わりにプリズム又はコーナーキューブ３７を設け、電気機械変換素子３８により矢印方向に、バイアス電圧に重畳された低周波信号に従って振動させる場合を示す。又光ファイバ３１，３２を直線状に配置し、何れか一方の光ファイバを他方の光ファイバに対して移動させることにより、光路長を制御して、光変調信号の光位相を制御する構成とするも可能である。なお、電気機械変換素子３６，３８としては、電歪素子，磁歪素子，ボイスコイルモータ等の各種の構成を適用することができる。
【００３０】
又図４の（Ｃ）は、熱によって光位相を制御する構成の場合の要部断面を示し、４１は基板、４２，４４は絶縁層、４３は導波路、４５は発熱電極を示し、基板４１は、金属や半導体等の熱伝導性に優れた材料により構成する。又絶縁層４２，４４は、例えば、ＳｉＯ_２ 等により構成し、蒸着やスパッタ等により形成することができる。
【００３１】
又導波路４３は、温度によって屈折率が変化する材料を用いるもので、例えば、ＳｉＯ_２ にＴｉをドープして構成することができる。この導波路４３上に絶縁層４４を介して発熱電極４５を形成する。この発熱電極４５は、例えば、Ｔｉ，Ｔａ，Ｎｉ−Ｃｒ等の電気抵抗が大きい材料により構成する。
【００３２】
光変調器１５と光合波器１７との間に、前述の導波路４３を光学的に接続し、位相検出制御回路２０からのバイアス電圧と、低周波発振器１３からの低周波信号とを重畳して発熱電極４５に印加する。それによって、発熱電極４５の温度は、バイアス電圧に対応した中心温度から低周波信号に従って変化し、その発熱電極４５の熱が絶縁層４４を介して導波路４３に伝搬して導波路４３の温度を変化させ、その導波路４３の屈折率変化に従って光変調信号の光位相を制御することができる。
【００３３】
又光位相制御部１６は、光変調器１２，１４，１５等と同様に、電界によって屈折率等が変化する誘電体導波路により構成することができる。例えば、基板としてＬｉＮｂＯ_３ を用い、Ｔｉを拡散して導波路を形成し、その上に電極を成形し、その電極にバイアス電圧と低周波信号とを重畳して印加して、導波路を伝搬する光変調信号の光位相を制御する構成とすることができる。又前述のように、バイアス電圧に低周波信号を重畳する場合とは別に、低周波信号により光変調信号の光位相を変調する光位相制御部分と、バイアス電圧により光変調信号の光位相を調整する光位相制御部分とに分離することも可能である。
【００３４】
図５は本発明の第２の実施の形態の説明図であり、図２と同一符号は同一部分を示し、１６ａ，１６ｂは第１，第２の光位相制御部であり、前述のように、光位相制御部１６を第１，第２の光位相制御部１６ａ，１６ｂにより構成した場合を示す。そして、低周波発振器１３からの低周波信号により第１の光位相制御部１６ａを制御し、光位相検出制御回路２０からの光位相制御信号により第２の光位相制御部１６ｂを制御して、光変調器１５による光変調信号に対して、第１の光位相制御部１６ａにより低周波信号を重畳し、第２の光位相制御部１６ｂにより光位相を制御する。又他の構成及び動作は図２に示す実施の形態と同様であり、重複した説明は省略する。
【００３５】
図６は本発明の第３の実施の形態の説明図であり、５１は光源、５２は光分岐器、５３は低周波発振器、５４，５５は光変調器、５６は光位相制御部、５７は光スイッチ、５８は光分岐器、５９は光検出器、６０は光位相検出制御回路、６１はバンドパスフィルタ、６２は光強度検出部、６３は低周波信号重畳部である。
【００３６】
この実施の形態は、半導体レーザ等の光源５１からの光レベル一定の光信号を光分岐器５２により分岐して光変調器５４，５５に入力し、それぞれベースバンド信号により強度変調し、光スイッチ５７に於いてクロック信号に従って光変調器５４側の光変調信号と、光変調器５５側の光変調信号とを切替えて出力し、時分割多重光信号とするものである。
【００３７】
その場合に、光位相制御部５６により光変調器５５からの光変調信号の光位相を、光変調器５４からの光変調信号の光位相に対して１８０度の位相差が生じるように制御する。この制御状態を自動的に維持する為に、低周波発振器５３からの周波数ｆ_０ の低周波信号を、低周波信号重畳部６３に於いて、光位相検出制御回路６０からの光位相制御信号としてのバイアス電圧に対して重畳して光位相制御部５６に加え、光分岐器５８により一部分岐した時分割多重光信号を光検出器５９により電気信号に変換し、光強度検出部６２により光強度を検出し、中心周波数ｆ_０ のバンドバスフィルタ６１を介して光位相検出制御回路６０に加え、光位相検出制御回路６０は、周波数ｆ_０ 成分が零となるように、光位相制御部５６に印加するバイアス電圧を制御する。
【００３８】
この場合の光位相制御部５６は、前述の実施の形態に於ける光位相制御部１６と同様に各種の構成を適用することができる。又光スイッチ５７は、電気光学効果素子等を用いた高速動作の構成とし、例えば、ベースバンド信号を１０Ｇｂ／ｓとした時に、クロック信号を１０Ｇｂ／ｓとして、２系統の光変調信号を時分割多重化することができる。又光源５１からの光信号を光分岐器５２により分岐する代わりに、光変調器５４，５５対応にそれぞれ半導体レーザ等の光源を設けることもできる。その場合、各光源の光位相が相違することになるが、光位相制御部５６を含むフィードバックループにより、前述の場合と同様に制御することができる。
【００３９】
前述の第１，第２の実施の形態に於いては、２系統の光変調信号を１８０度の光位相差となるように、即ち、低周波信号の周波数ｆ_０ 成分が零となるように制御して、光変調信号の裾の重なる部分を弱め合うにし、時分割多重化された各光変調信号間の干渉を抑圧した波形とする場合を示すが、図１１の（ｅ）又は図１２の（ｃ）に示すように、各光変調信号の裾の重なる部分を強め合うように制御することもできる。
【００４０】
この場合は、時分割多重光信号の光強度が最大となるように、各光変調信号の光位相を制御することになり、光位相検出制御回路２０，６０に於いて、光強度の変化の周波数ｆ_０ 成分が零となるように、光位相制御部１６，５６にバイアス電圧を印加する制御構成とする。その際、前述の実施の形態の制御論理を反転することにより、即ち、図３の（Ｂ）に於ける出力光信号の周波数ｆ_０ 成分が２７に示す時のバイアス電圧を低下し、２８に示す時はバイアス電圧を上昇するように制御すると、光強度最大の時に、安定で周波数ｆ_０ 成分が零になり、各光変調信号の裾の重なり部分を強め合うように制御することができる。
【００４１】
図７は本発明の第４の実施の形態の説明図であり、図６と同一符号は同一部分を示し、５６ａ，５６ｂは光位相制御部５６を構成する第１，第２の光位相制御部である。そして、第１の光位相制御部５６ａを低周波発振器５３の出力信号により制御し、第２の光位相制御部５６ｂを光位相検出制御回路６０からの光位相制御信号により制御する場合を示す。
【００４２】
この第１の光位相制御部５６ａにより光変調器５５からの光変調信号に低周波信号を重畳し、第２の光位相制御部５６ｂにより光変調信号の光位相を制御することになる。又他の構成及び動作は図６に示す実施の形態と同様であり、重複した説明は省略する。
【００４３】
本発明は、前述の各実施の形態にのみ限定されるものではなく、種々付加変更することができるものであり、例えば、２系統以上の偶数系統の光変調信号を時分割多重化する場合も、隣接するタイムスロットの光変調信号の光位相を１８０度とすることにより、各光変調信号の裾の重なる部分を弱め合うように制御することができ、一つの系統に対して他の全系統の光変調信号を光位相制御部によって光位相を制御し、初期設定状態を自動的に維持することができる。又各光変調信号の裾の重なり部分を強め合うように制御する場合は、任意数の系統の光変調信号の時分割多重化に適用することができる。
【００４４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明は、光領域で時分割多重処理を行う時分割光多重化装置に於いて、光位相制御部２，１６，５６を設け、周波数ｆ_０ の低周波信号により位相変調し、時分割多重光信号の光強度の変化を検出して、周波数ｆ_０ 成分を抽出し、その周波数ｆ_０ 成分に対応して、光位相制御部２，１６，５６に印加するバイアス電圧を制御することにより、初期設定状態を自動的に維持することができる。
【００４５】
従って、複数系統の光変調信号を時分割多重化する場合の各光変調信号の光位相を自動的に制御して、光伝送路の特性等に対応した時分割多重光信号とすることができるから、安定な時分割多重光伝送システムを構築できる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の説明図である。
【図３】低周波重畳による動作説明図である。
【図４】位相制御部の説明図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態の説明図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態の説明図である。
【図７】本発明の第４の実施の形態の説明図である。
【図８】従来例の概要説明図である。
【図９】従来例の動作説明図である。
【図１０】他の従来例の概要説明図である。
【図１１】光変調信号の干渉の説明図である。
【図１２】光変調信号の測定波形図である。
【符号の説明】
１ 光多重化部
２ 光位相制御部
３ 低周波発振器
４ 光位相検出制御部
５，６ 光変調器
７ 光分岐部

Claims (6)

1. 複数の光変調信号を時分割多重化する時分割光多重化装置に於いて、
   複数のタイムスロットの異なる光変調信号を時分割多重化する光多重化部と、
   該光多重化部に加える光変調信号の少なくとも一つの光波の位相を調節する光位相制御部と、
   該光位相制御部に入力される光位相制御信号を低周波信号により変調する為の低周波発振器と、
   該低周波発振器からの低周波信号と、前記光多重化部により多重化された光信号に含まれる低周波信号成分との位相比較を行って前記光位相制御部の光位相制御量を制御する光位相検出制御部と
   を備えたことを特徴とする時分割光多重化装置。
2. 前記光位相制御部は、誘電体導波路上に電極を形成し、該電極に前記光位相検出制御部からの制御電圧を印加して、電界強度によって前記誘電体導波路を伝搬する前記光変調信号の光位相を制御する構成を備えていることを特徴とする請求項１記載の時分割光多重化装置。
3. 前記光位相制御部は、温度により屈折率が変化する材料からなる導波路上に発熱電極を形成し、該発熱電極に前記光位相検出制御部からの制御電圧を印加して、前記導波路を伝搬する前記光変調信号の光位相を制御する構成を備えていることを特徴とする請求項１記載の時分割光多重化装置。
4. 前記光位相制御部は、前記光変調信号の空間伝搬経路長を変化させる電気機械変換素子を設け、該電気機械変換素子を前記光位相検出制御部からの制御電圧により制御して、前記光変調信号の光位相を制御する構成を備えたことを特徴とする請求項１記載の時分割光多重化装置。
5. 前記光位相制御部は、前記光位相検出制御部からの光位相を制御する制御電圧と、前記低周波発振器からの低周波信号とを重畳して印加する構成を備えたことを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項記載の時分割光多重化装置。
6. 前記多重化部により時分割多重化された隣接ビットに対応する隣接光変調信号の光位相をほぼ１８０度ずれるように、前記光位相制御部を制御する構成としたことを特徴とする請求項１記載の時分割光多重化装置。

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