JP3590822B2 - 露光方法及び装置 - Google Patents
露光方法及び装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3590822B2 JP3590822B2 JP32292095A JP32292095A JP3590822B2 JP 3590822 B2 JP3590822 B2 JP 3590822B2 JP 32292095 A JP32292095 A JP 32292095A JP 32292095 A JP32292095 A JP 32292095A JP 3590822 B2 JP3590822 B2 JP 3590822B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pulse
- exposure
- exposure apparatus
- light
- pulse light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70041—Production of exposure light, i.e. light sources by pulsed sources, e.g. multiplexing, pulse duration, interval control or intensity control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/7005—Production of exposure light, i.e. light sources by multiple sources, e.g. light-emitting diodes [LED] or light source arrays
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70241—Optical aspects of refractive lens systems, i.e. comprising only refractive elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体素子、液晶表示素子、撮像素子(CCD等)、又は薄膜磁気ヘッド等を製造するためのフォトリソグラフィ工程で使用される露光装置に関し、特に露光用の照明光としてKrFエキシマレーザー光又はArFエキシマレーザー光等のパルス光を用いる場合に好適なものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、例えば半導体素子等を製造するためのフォトリソグラフィ工程では、レチクル(又はフォトマスク等)のパターンをウエハ(又はガラスプレート等)上に転写するための例えばステッパー等の投影露光装置が使用されている。これらの投影露光装置では、ウエハ上にできるだけ高集積度のパターンを焼き付けるため、露光の解像力を上げる必要があり、露光用の照明光として次々と短波長の光の使用が試みられてきている。現在、露光用の照明光としては超高圧水銀ランプを光源とする波長365nmのi線が主に使用されているが、最近ではそのi線より短い遠紫外域の波長248nmのKrFエキシマレーザー光が使用されつつあり、更に波長193nmのArFエキシマレーザー光等の使用も検討されている。
【0003】
また、紫外域等の短波長の照明光としては、金属蒸気レーザー(銅蒸気レーザー光)やYAGレーザー光の高調波等も使用できる可能性があるが、これらのレーザー光及びエキシマレーザー光はパルス光である。
このような短波長の照明光を使用する投影露光装置用の投影光学系等のレンズとしては短波長域の光を使用した場合でも高い透過率であることが要求され、このような条件で使用されるレンズの硝材は、現在の処石英及び蛍石に限られている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、露光用の照明光としてエキシマレーザー光、特にArFエキシマレーザー光を使用する際には、エキシマレーザー光がパルス光であるために従来の投影露光方式と同様のシステムでは、極めて不都合な問題が発生する。即ち、エキシマレーザー光源はその構造上、600〜1000Hzの周波数で数nsec の超短時間に急激に立上るパルスレーザー光を断続的に発生する。従って、連続光と同程度の単位時間当たりの露光エネルギーを得るためには、パルスレーザー光の1パルス当たりのエネルギー量は極めて大きなものとなる。このようなエネルギー量が大きく急激に変化するパルスレーザー光を、投影露光装置の特に投影光学系のレンズに断続的に照射し続けると、硝材として石英を用いたレンズでも、照射されている部分のみ透過率が低下するソラリゼーション(Solarization)という現象が起こる。この透過率の低下の程度は、フルエンス(Fluence )、即ち1パルス光当たりの照射エネルギー密度〔mJ/(cm2 ・pulse)〕の2乗に比例する。
【0005】
また、石英は照射されている部分のみ、フルエンスの2乗に比例して屈折率が上昇するラジエーション・コンパクション(Radiation Compaction)という現象が起こる。石英に関するラジエーション・コンパクションを計算した例によれば、KrFエキシマレーザー光を使用し、フルエンスが1mJ/(cm2 ・pulse)の場合、1010ショット後の屈折率の上昇幅は5×10−7程度である。一方、ArFエキシマレーザー光を使用した場合は、KrFエキシマレーザー光を使用した場合に比較してラジエーション・コンパクションにより石英の屈折率は2桁程度大きくなると考えられている。
【0006】
このようなラジエーション・コンパクションによる石英の屈折率の部分的な上昇は、特に投影光学系のレンズの収差に極めて悪い影響を及ぼす。また、ソラリゼーションによりレンズの透過率が部分的に低下すると、レーザー照射により吸収されたエネルギーは熱となり、レンズの温度分布が局所的に上昇することによりレンズが熱変形し、収差に悪影響を及ぼすことになる。また、温度上昇はレンズの屈折率の上昇をもたらし、それもレンズの収差に悪影響を及ぼすことになる。
【0007】
そこで、ソラリゼーションやラジエーション・コンパクションの影響を抑えるための対策としてパルスレーザー光のパルス周波数を多くして、1パルス当たりのエネルギー量を抑える方法が考えられる。例えば、現在エキシマレーザーのパルス周波数は1kHz程度が限度であるといわれているが、仮にパルス周波数が2倍になれば、同じスループット(単位時間当たりのウエハの処理枚数)にするための1パルス当たりのレーザーエネルギー量を1/2にすることができる。これにより、フルエンスの値も1/2になる。ここで、フルエンスの値をFとし、単位時間当たりのパルス数(パルス周波数)をPとすると、ソラリゼーション及びラジエーション・コンパクションは共にフルエンスFの2乗とパルス数Pとの積に比例する。そこで、フルエンスFの初期値をF0 、パルス数Pの初期値をP0 とすると、次式のように、ソラリゼーション及びラジエーション・コンパクションによるレンズの透過率及び屈折率の変化は共に1/2となる。
【0008】
F2 ・P=(F0 /2)2・(2P0 )=F0 2・P0 /2
即ち、同じスループットで考えると、パルス周波数に反比例して、ソラリゼーション及びラジエーション・コンパクションの影響が少なくなる。
ところで、パルス発光型のエキシマレーザーのレーザーガスとして使用されるフッ素ガス(F2 )中には、空気中の酸素ガス(O2 )や窒素ガス(N2 )、四フッ化炭素(CF4 )、フッ化水素(HF)、及び四フッ化珪素(SiF4 )等の不純物が含まれており、放電によって更に、カーボン(C)、二酸化窒素(NO2 )、及び各種のフッ素化合物が生成する。これらの不純化合物はレーザーガスを劣化させてレーザー出力を低下させると共に、レーザー光を吸収し、更には透過窓の汚れの原因となる。そのため、汚れたレーザーガスを高速で排気する機構が設けられている。
【0009】
従って、エキシマレーザー光源からのパルス光の周波数を2倍に上げるためには、2倍の高速性を有するレーザーガスの排気機構が必要となり、パルス光の周波数を更に上げたい場合には、それに対応して排気機構を更に高速のものに切り換える必要がある。しかし、現行の技術では排気機構の速度には一定の限界があり、パルス光の発振周波数を一定の限度までしか上げられないという不都合がある。
【0010】
本発明は斯かる点に鑑み、露光用の照明光としてKrFエキシマレーザー光やArFエキシマレーザー光等のように、単独の光源ではパルス周波数を所定の限度以上に上げるのが困難なパルス光を使用した場合でも、装置内で使用されるレンズの透過率及び屈折率の変化を抑えることができるようにすることを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明による露光装置は、露光用の照明光のもとでマスクパターン(3)を感光性の基板(6)上に転写する露光装置において、露光用の照明光(B1,B2)を互いに異なるタイミングでそれぞれパルス発光させる複数個のパルス光源(E1 ,E2 )と、この複数個のパルス光源からの照明光(B1,B2)を合成する合成光学系(1A)と、この合成光学系により合成される照明光(LB1)を受けて、そのマスクパターンをその感光性の基板(6)上に転写する露光部(L1 )と、を有するものである。
【0012】
斯かる本発明の露光装置によれば、基板(6)上には、異なるタイミングでパルス発光させた照明光(B1,B2)が合成された照明光(LB1)が照射される。従って、合成された照明光(LB1)のパルス周波数はパルス光源の数に比例して増加し、露光部(L1 )における必要な照射エネルギー量を一定とすれば、1パルス光当たりの照射エネルギー量はパルス光源の数に反比例して減少する。例えば、パルス光源として、KrFエキシマレーザー光やArFエキシマレーザー光等の短波長のパルス光を発生する光源が使用される。そして、パルス光のエネルギーが大きくなると、ソラリゼーションやラジエーション・コンパクションにより露光部(L1 )で使用されるレンズの透過率及び屈折率が変化する。これらのソラリゼーション及びラジエーション・コンパクションによるレンズの透過率及び屈折率の変化は、レンズを透過する照明光の照射エネルギー密度、即ちフルエンスFの2乗に比例し、パルス数(パルス周波数)Pに比例する。従って、本発明によれば、パルス数Pはパルス光源の数に比例して増加するが、フルエンスFはパルス光源の数に反比例して減少するため、パルス光源の数を例えばnとした場合、フルエンスFの初期値をF0 、パルス数Pの初期値をP0 とすると、レンズの透過率及び屈折率の変化は次式に示すように1/nに減少する。
【0013】
F2 ・P=(F0 /n)2・(nP0 )=(1/n)F0 2・P0
従って、本発明によれば、KrFエキシマレーザー光やArFエキシマレーザー光等のパルス光を使用した場合でも、露光部(L1 )内で使用されるレンズの透過率及び屈折率の変化を抑えることができる。
この場合、その複数個のパルス光源(E1 ,E2 )から発光される各々のパルス光(B1,B2)の発光タイミングを制御するパルス発光制御系(10)をさらに備えることが好ましい。これにより、各々のパルス光(B1,B2)の発光のタイミングを制御して、最終的に得られる照明光(LB1)の各パルス光間の周期を均一化することができる。
【0014】
また、その露光部を第1の露光部(L1 )として、第2のマスクパターンを第2の感光性の基板上に転写する第2の露光部(L2 )をさらに配置し、その合成光学系は、その複数個のパルス光源中の第1のパルス光源(E1 )からの第1照明光(B1)と第2のパルス光源(E2 )からの第2照明光(B2)とを受けて、第1及び第2の合成光(LB1,LB2)をそれぞれ生成するビームスプリッター(1A)を有し、その第1の合成光(LB1)をその第1の露光部(L1 )へ導き、その第2の合成光(LB2)をその第2の露光部(L2 )へ導くことが好ましい。これにより、ビームスプリッター(1A)で分割される2倍の周波数を有する2つの合成光(LB1,LB2)を2つの露光部(L1 ,L2 )に無駄なく供給することができる。
次に、本発明による露光方法は、露光用の照明光のもとでパターン(3)を感光性の基板(6)上に転写する露光方法において、複数個のパルス光源(E 1 ,E 2 )から互いに異なるタイミングで複数の露光用の照明光をパルス発光させる工程と、その複数の露光用の照明光を合成する工程と、その合成された照明光に基づいて、そのパターンをその感光性の基板上に転写する工程と、を備えるものである。この露光方法によれば、パルス数Pはパルス光源の数に比例して増加するが、フルエンスFはパルス光源の数に反比例して減少するため、レンズの透過率及び屈折率の変化量は減少する。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による露光装置の実施の形態の一例につき図1及び図5を参照して説明する。本例は、レチクルのパターンを投影光学系を介してウエハ上の各ショット領域に一括露光するステッパー型の投影露光装置に本発明を適用したものである。
【0016】
図1は、本例の投影露光装置の概略構成を示し、この図1に示すように、本例では露光用の光源としてそれぞれパルス発振型の第1のパルス光源E1 及び第2のパルス光源E2 よりなる2個の異なる光源を用いている。パルス光源E1 ,E2 は同じ種類の光源であり、パルス光源E1 ,E2 からは同じ波長でパルスの発振周期が等しいレーザービームが射出される。パルス光源E1 ,E2 としては、本例ではArFエキシマレーザー光源を使用する。それ以外にパルス光源としては、KrFエキシマレーザー光源等のエキシマレーザー光源、銅蒸気レーザー光源、又はYAGレーザーの高調波発生装置等が使用できる。パルス光源E1 ,E2 は共にパルス発振制御回路10により発光のタイミングが制御されている。また、パルス発振制御回路10は装置全体を統括制御する中央制御系11により制御されており、中央制御系11の指令に基づき2個のパルス光源E1 ,E2 のパルス発光のタイミングが重ならないように発光され、2個のパルス光の強度もほぼ同じになるようにウエハ側での照度測定結果に基づいて制御される。
【0017】
第1のパルス光源E1 及び第2のパルス光源E2 からそれぞれパルス発光されたレーザービームB1及びB2は、互いに直交する方向からビームスプリッター1Aに入射する。ビームスプリッター1Aは、入射するレーザービームのほぼ1/2を透過し、残りの1/2を反射するハーフミラー面によりレーザービームB1及びB2をそれぞれ2分割する。この結果、ビームスプリッター1Aからは、それぞれ1/2のレーザービームB1及び1/2のレーザービームB2から合成された2つのレーザービームLB1,LB2が互いに直交する方向に射出される。
【0018】
合成されて射出された一方のレーザービームLB1は、次にビームの断面形状を整形するためのビーム整形光学系、レーザービームの透過率を複数段階で切り換える減光部、レチクル上での照度分布を均一化するフライアイレンズ、視野絞り、リレーレンズ、及びコンデンサーレンズ等を含む照明光学系2を介してレチクル3を照明する。露光用の照明光としてのパルス発光されるレーザービームLB1のもとで、レチクル3上のパターンの投影光学系5を介した像がウエハ6上に投影露光される。以下、投影光学系5の光軸AXに平行にZ軸を取り、Z軸に垂直な平面上で図1の紙面に平行にX軸、図1の紙面に垂直にY軸を取り説明する。
【0019】
レチクル3はレチクルステージ4上に保持され、レチクルステージ4は投影光学系5の光軸AXに垂直な平面内でX方向、Y方向、及び回転方向(θ方向)にレチクル3の位置決めを行う。
一方、ウエハ6は不図示のウエハホルダを介してウエハステージ7上に載置されている。ウエハステージ7は投影光学系5の光軸AXに垂直な平面内でX方向、Y方向、及び回転方向(θ方向)にウエハ6の位置決めを行うと共にウエハ6の焦点方向(Z方向)の位置決めも行う。その他、本例の投影露光装置には不図示であるがウエハ6の焦点位置を検出する焦点位置検出系、レチクル3とウエハ6との位置合わせを行うための各種のアライメント系等が設置されている。以下、それらの焦点位置検出系、アライメント系等を含み、照明光学系2からウエハステージ7までの露光部をまとめて第1の露光装置本体部L1 として説明する。
【0020】
本例には第1の露光装置本体部L1 と同様の第2の露光装置本体部L2 が設置されており、ビームスプリッター1Aで合成された他方のレーザービームLB2が第2の露光装置本体部L2 に入射し、露光用の照明光として使用される。
次に、本例の投影露光装置の動作について説明する。なお、以下の説明においてビームスプリッター及びミラーは、特に説明する場合を除き、すべて入射するレーザービームの光路に対してほぼ傾斜角度45°の反射面を有するように配置されているものとする。
【0021】
本例は、2個のパルス光源E1 ,E2 を用いて、パルス発振制御回路10により、パルス光源E1 とパルス光源E2 とのパルス光の発振時期をずらし、ビームスプリッター1Aによりパルス光源E1 ,E2 からそれぞれ射出されるレーザービームB1,B2をそれぞれ2分割した後、分割された1/2ずつのレーザービームB1,B2を合成して2つのレーザービームLB1及びLB2を生成して、それぞれ第1の露光装置本体部L1 及び第2の露光装置本体部L2 に供給するものである。即ち、2個のパルス光源からのレーザービームを合成し、単位時間当たりのパルス数Pを2倍にすることによりフルエンスFの値を1/2にして、2台の露光装置本体部L1 ,L2 に使用されているレンズ群、特に投影光学系に使用されているレンズ群に対するソラリゼーション及びラジエーション・コンパクションの影響を軽減するものである。以下、図5を参照して詳しく説明する。
【0022】
図5は、本例のパルス発振のタイミングを説明するためのタイミングチャートを示し、図5(a)は第1のパルス光源E1 だけの場合のパルス発振のタイミングを示し、図5(b)は2個のパルス光源E1 ,E2 のパルス発振のタイミングを合成したものである。図5(c)については後述するが、図5(a)〜図5(c)の横軸は時間tを表し、時間軸から垂直方向に伸びる直線がパルスレーザービームの発振のタイミングを示す。また、各パルス発振がどの光源で生ずるのかを示すため、その垂直方向に伸びる直線の下部に発光するパルス光源の符号(E1 又はE2 等)を表示している。
【0023】
図5(b)に示すように、第1のパルス光源E1 からは一定の周期Tでパルス光が発振されている。同時に、第2のパルス光源E2 からも一定の周期Tでパルス光が発振されている。この場合、パルス光源E1 のパルス発振のタイミングと、パルス光源E2 のパルス発振のタイミングとはT/2だけずれている。そのため、2個のパルス光源E1 ,E2 からのパルス光を合成した合成パルス光の発振周期はT/2となる。即ち、パルス光源E1 及びパルス光源E2 のパルス光の発振周波数が例えば共に、1kHzの場合、合成パルス光、即ち露光装置本体部L1 及びL2 にそれぞれ供給されるレーザービームLB1及びLB2のパルス周波数は共に2kHzとなる。
【0024】
なお、本例ではタイミングの説明を簡明にするため、第1のパルス光源E1 からのパルス光の丁度中間に第2のパルス光源E2 からのパルス光を配置して2kHzとしたが、第2のパルス光の時間的な広がりが、第1のパルス光の時間的な広がりと重ならないように充分間隔をとるならば、丁度中間でなくとも、第2のパルス光は第1のパルス光の間のどこに置いてもよい。なお、以下の全ての実施の形態においても、同様に必ずしもパルス光の間隔を等間隔とする必要はない。
【0025】
本例によれば、以上のように1個のパルス光源のパルス光の発振周波数が1kHzであっても、2台の露光装置本体部L1 ,L2 にはパルス光の周波数が2kHzのパルスレーザービームを供給することが可能である。露光装置本体部L1 ,L2 に単位時間当たりでそれぞれ1個のパルス光源を使用する場合と同じ照射エネルギー量を供給するものとすると、単位時間当たりに露光装置本体部L1 ,L2 に供給されるレーザービームのパルス数は2倍になるので、1つのパルスレーザービームにおける照射エネルギー量は1/2でよいことになる。本例では、ビームスプリッター1によりパルス光源E1 及びE2 からのレーザービームB1及びB2はそれぞれ1/2に分割されており、露光装置本体部L1 及びL2 にはパルス光源E1 の照射エネルギー量の1/2及びパルス光源E2 からの照射エネルギー量の1/2のエネルギー量がそれぞれ供給される。従って、パルス光源E1 及びE2 の出力は、1個のパルス光源から1台の露光装置本体部にレーザービームを照射する場合と同じ出力でよい。
【0026】
前述のように、ソラリゼーション及びラジエーション・コンパクションは共にフルエンスFの2乗と単位時間当たりのパルス数Pとの積に比例する。本例によれば、単位時間当たりのパルス数Pは2倍となるが、1パルス光当たりの照射エネルギー密度が1/2、即ちフルエンスFが1/2となるため、フルエンスの初期値をF0 、パルス数の初期値をP0 とすると、次式のように、ソラリゼーション及びラジエーション・コンパクションによるレンズの透過率及び屈折率の変化は共に1/2となる。
【0027】
F2 ・P=(F0 /2)2・(2P0 )=F0 2・P0 /2
しかも本例では、第1の露光装置本体部L1 に供給されたレーザービームLB1と同様のもう1つのレーザービームLB2を別の第2の露光装置本体部L2 に供給するため、1台の露光装置本体部当たりのパルス光源の設備費は、従来のように1台の露光装置本体部につき1個のパルス光源を使用する場合と同額で済む利点がある。
【0028】
同様な考え方で、n個(nは2以上の整数)の同一周波数のパルス光源を用意して、それらのパルス光源からのレーザービームのパルス発振のタイミングをそれぞれずらした合成レーザービームを用いれば、1パルス光当たりの照射エネルギー密度、即ちフルエンスFが1/nになり、単位時間当たりのパルス数Pはn倍になる。この場合、各パルス光源のパルス発振の周期をTとすれば、各パルス光源のパルス発振のタイミングのずれがほぼT/nになるように、各パルス光源のパルス発振のタイミングが調整される。このようにn個のパルス光源を組み合わせることにより、ソラリゼーション及びラジエーション・コンパクションによるレンズの透過率及び屈折率の変化は共に、フルエンスFの初期値をF0 、パルス数Pの初期値をP0 とすると、次式のように1/nに軽減することができる。
【0029】
F2 ・P=(F0 /n)2・(nP0 )=F0 2・P0 /n (1)
即ち、投影露光装置で使用されるレンズの寿命はn倍になると考えることもできる。以下、nの値を限定して具体的に説明する。
先ず、パルス光源の数nが4の場合の例を図2を参照して説明する。これは、図1の機構を2つ組み合わせることにより、即ち図1の露光装置本体部L1 及びL2 の位置に新たなビームスプリッターを配置することにより達成される。即ち、ビームスプリッターは4個配置される。
【0030】
図2は、本例の投影露光装置システムの概略構成を示し、この図2において、4個のビームスプリッター1A〜1Dが点対称に放射状に設置されている。これらのビームスプリッター1A〜1Dはすべて、入射するレーザービームのほぼ1/2を透過し、残りのレーザービームを反射する、所謂50%透過、50%反射型のビームスプリッターである。第1及び第2のパルス光源E1 ,E2 から射出されたレーザービームB1,B2は、互いに直交する方向からビームスプリッター1Aに入射してそれぞれ1/2に分割され、1/2ずつのレーザービームB1,B2より合成された2つのレーザービームLB1及びLB2がそれぞれビームスプリッター1C及び1Dに入射する。一方、第3及び第4のパルス光源E3,E4 から射出されたレーザービームB3,B4は、互いに直交する方向からビームスプリッター1Bに入射してそれぞれ1/2に分割され、1/2ずつのレーザービームB3,B4より合成された2つのレーザービームLB3及びLB4がそれぞれビームスプリッター1D及び1Cに入射する。
【0031】
ビームスプリッター1Cには、レーザービームLB1及びLB4が互いに直交する方向から入射し、ビームスプリッター1Dには、レーザービームLB2及びLB3が互いに直交する方向から入射する。ビームスプリッター1Cに入射したレーザービームLB1,LB4は再び2分割され、1/2ずつのレーザービームLB1,LB4より合成されたレーザービームLB5及びLB6がそれぞれ第1及び第2の露光装置本体部L1 及びL2 に供給される。レーザービームLB1はレーザービームB1及びB2を1/2ずつ含み、レーザービームLB4はレーザービームB3及びB4を1/2ずつ含んでいる。従って、露光装置本体部L1 及びL2 には4個のパルス光源E1 〜E4 から射出されるレーザービームB1〜B4を各1/4ずつ含んだレーザービームLB5及びLB6がそれぞれ供給される。
【0032】
同様に、ビームスプリッター1Dに入射したレーザービームLB2,LB3は再び2分割され、1/2ずつのレーザービームLB2,LB3より合成されたレーザービームLB7及びLB8がそれぞれ第3及び第4の露光装置本体部L3 及びL4 に供給される。レーザービームLB2はレーザービームB1及びB2を1/2ずつ含み、レーザービームLB3はレーザービームB3及びB4を1/2ずつ含んでいる。従って、露光装置本体部L3 及びL4 には4個のパルス光源E1 〜E4 から射出されるレーザービームB1〜B4を各1/4ずつ含んだレーザービームLB7及びLB8がそれぞれ供給される。即ち、4台の露光装置本体部L1 〜L4 には、4個のパルス光源E1 〜E4 からのレーザービームをそれぞれ1/4ずつ含んだ合成パルスレーザービームが供給される。
【0033】
4個のパルス光源E1 〜E4 からのパルス光は、図5(c)に示すように、パルス発振の周期をTとすれば、パルス発振制御回路10により発振のタイミングがT/4ずつずれるように制御されるので、1個のパルス光源からのパルス光の4倍の周波数のパルスレーザービームがそれぞれ4台の露光装置本体部L1 〜L4 に供給される。従って、(1)式よりフルエンスFの2乗とパルス数Pとの積F2 ・Pは初期値の1/4となって、ソラリゼーション及びラジエーション・コンパクションの影響は1個のパルス光源を使用する場合と比べて1/4となる。
【0034】
次に、パルス光源の数nが8の場合の例について図3を参照して説明する。
図3は、本例の投影露光装置システムの概略構成の斜視図を示し、この図3に示すように、本例の場合は、図2の4台の露光装置本体部L1 〜L4 の代わりに全反射型のミラー8A〜8Dを置き換えたものを下層に配置し、図2の露光装置本体部L1 〜L4 の代わりに50%透過、50%反射型のビームスプリッター1K〜1Nを置き換えたものを上層に立体的に配置したような構成となっている。下層でのパルス光源E1 〜E4 からのレーザービームの光路及びビームスプリッター1A〜1Dにおけるレーザービームの分割及び合成の過程は図2の例と同様につきその説明を省略し、下層に新たに配置されたミラー8A〜8D以降のレーザービームの流れについて説明する。
【0035】
図3に示すように、上層には、新たに第5のパルス光源E5 〜第8のパルス光源E8 が設置されている。第5及び第6のパルス光源E5 ,E6 から射出されたレーザービームB5,B6は、互いに直交する方向からビームスプリッター1Eに入射する。レーザービームB5及びB6は、ビームスプリッター1Eによりそれぞれ2分割され、1/2のレーザービームB5,B6から合成された2つのレーザービームLB9及びLB10はそれぞれビームスプリッター1G及び1Jに入射する。同様に、第7及び第8のパルス光源E7 ,E8 から射出されたレーザービームB7,B8は、互いに直交する方向からビームスプリッター1Fに入射する。レーザービームB7,B8は、ビームスプリッター1Fによりそれぞれ2分割され、1/2のレーザービームB7,B8から合成された2つのレーザービームLB11及びLB12はそれぞれビームスプリッター1J及び1Gに入射する。
【0036】
ビームスプリッター1Gには、レーザービームLB9及びLB12が互いに直交する方向から入射し、ビームスプリッター1Jには、レーザービームLB10及びLB11が互いに直交する方向から入射する。ビームスプリッター1Gに入射したレーザービームLB9,LB12は再び2分割され、1/2ずつのレーザービームLB9,LB12から合成されたレーザービームLB13及びLB14はそれぞれビームスプリッター1M及び1Nに入射する。一方、ビームスプリッター1Jに互いに直交する方向から入射したレーザービームLB10,LB11は再び2分割され、1/2ずつのレーザービームLB10,LB11から合成されたレーザービームLB15及びLB16はそれぞれビームスプリッター1K及び1Lに入射する。
【0037】
下層に移り、ビームスプリッター1Cにより合成されたレーザービームLB5はミラー8Cで真上に反射され、ビームスプリッター1Mに入射する。ビームスプリッター1Mには上層に配置されたビームスプリッター1Gにより合成されたレーザービームLB13がXY平面に平行に入射しており、ビームスプリッター1Mに互いに直交する方向から入射したレーザービームLB5及びLB13は再び2分割され、それぞれ1/2のレーザービームLB5,LB13から合成されたレーザービームLB17及びLB18はそれぞれ露光装置本体部L1 及びL2 に供給されている。
【0038】
他のミラー8A,8B,8Dについてもミラー8Cの場合と同様である。ミラー8A,8B,8DにはそれぞれレーザービームLB7,LB8,LB6が入射し、それぞれ真上に反射されて、ビームスプリッター1K,1L,1Nに入射する。ビームスプリッター1Kには、レーザービームLB7及びLB15が入射し、ビームスプリッター1Lには、レーザービームLB8及びLB16が入射する。また、ビームスプリッター1Nには、レーザービームLB6及びLB14が入射する。ビームスプリッター1K,1L,1Nに入射したそれぞれのレーザービームは、同様にそれぞれ2分割された後、1/2ずつの入射レーザービームから合成された1対ずつの新たなレーザービームLB23,LB24,LB19,LB20,LB21,LB22がそれぞれ対応する露光装置本体部L7 ,L8 ,L3 ,L4 ,L5 ,L6 に供給される。
【0039】
図3に示すように、ビームスプリッター1Mに入射するレーザービームLB5は図2の例で説明したように、第1のパルス光源E1 〜第4のパルス光源E4 から射出されるレーザービームB1〜B4をそれぞれ1/4ずつ含み、同様にビームスプリッター1Mに入射するレーザービームLB13は第5のパルス光源E5 〜第8のパルス光源E8 から射出されるレーザービームB5〜B8をそれぞれ1/4ずつ含んでいる。従って、露光装置本体部L1 及びL2 には、それぞれ第1のパルス光源E1 〜第8のパルス光源E8 から射出されるレーザービームB1〜B8をそれぞれ1/8ずつ含んだレーザービームLB17及び18が供給される。他の6台の露光装置本体部L3 〜L8 についても同様である。
【0040】
8個のパルス光源E1 〜E8 からのパルス光は、パルス発振の周期をTとすれば、パルス発振制御回路により発振のタイミングがT/8ずつずれるように制御される。これによって、1個のパルス光源からのパルス光の8倍の周波数のパルスレーザービームをそれぞれ8台の露光装置本体部L1 〜L8 に供給することができる。従って、(1)式よりフルエンスFの2乗とパルス数Pとの積F2 ・Pは初期値の1/8となって、ソラリゼーション及びラジエーション・コンパクションの影響は1/8となる。
【0041】
更に、16個のパルス光源を用いて、16台の露光装置本体部に1個のパルス光源から射出されるパルス光の16倍の周波数のパルスレーザービームを供給する例について図4を参照して簡単に説明する。
図4は、本例の概略構成を表す平面図を示し、16個のパルス光源を用いる場合は、例えば図3に示すような光学系(上層部分の光学系)を、鉛直方向(Z方向)に4層重ねたような構成となる。図4では、それぞれの層の光学系を光学系S1 〜光学系S4 で示す。本例のレーザービームの光路は少し複雑になるが、全反射型の6個のミラー8E〜8J、及び50%透過、50%反射型の4個のビームスプリッター1P〜1Sを配置することによって、先ず4台の露光装置本体部L1 〜L4 に16倍の周波数のレーザービームを供給することができる。図4では1層の構成のみ示しているが、同様の構成が4ヶ所あるので、合計16台の露光装置本体部に16個のパルス光源からのレーザービームを均等に含む合成レーザービームを供給することができる。以下、レーザービームの光路について説明する。
【0042】
図4において、レーザービームLB41〜44を供給する光学系S1 〜S4 にはそれぞれ4個ずつのパルス光源が設置されており、レーザービームLB41〜LB44は、それぞれ4つの光源からのレーザービームをそれぞれ1/4ずつ含有するレーザービームである。光学系S1 からのレーザービームLB41はビームスプリッター1Pにより2分割される。ビームスプリッター1Pには光学系S2 から射出され、ミラー8Fで反射されたレーザービームLB42が、レーザービームLB41と直交する方向から入射しており、同様にビームスプリッター1Pにより2分割される。それぞれ2分割されたレーザービームLB41,42から合成された2つのレーザービームLB25及びLB26はビームスプリッター1Pから互いに直交する方向に射出される。一方のレーザービームLB25は、次にビームスプリッター1Rに入射する。もう一方のレーザービームLB26は、ミラー8Eで反射された後、ビームスプリッター1Sに入射する。
【0043】
同様に、光学系S3 からのレーザービームLB43は、ミラー8Gで反射され、ビームスプリッター1Qに入射し、2分割される。ビームスプリッター1Qには光学系S4 から射出されたレーザービームLB44が、レーザービームLB43と直交する方向から入射しており、同様にビームスプリッター1Qにより2分割される。それぞれ2分割されたレーザービームLB43,44から合成された2つのレーザービームLB27及びLB28はビームスプリッター1Qから互いに直交する方向に射出される。一方のレーザービームLB27は、次にミラー8Iで反射され、ビームスプリッター1Rに入射する。もう一方のレーザービームLB28は、ミラー8H及びミラー8Jで反射された後、ビームスプリッター1Sに入射する。
【0044】
ビームスプリッター1Rに互いに直交する方向から入射したレーザービームLB25,LB27は、それぞれ2分割された後、ビームスプリッター1Rを出たところでレーザービームLB25,LB27をそれぞれ1/2ずつ含有する2つのレーザービームLB29及びLB32として合成され、互いに直交する方向に向かって射出されて、それぞれ第4及び第2の露光装置本体部L4 ,L2 に供給される。一方、ビームスプリッター1Sに互いに直交する方向から入射したレーザービームLB26,LB28は、それぞれ2分割された後、ビームスプリッター1Sを出たところでレーザービームLB26,LB28をそれぞれ1/2ずつ含有する2つのレーザービームLB30及びLB31として合成され、互いに直交する方向に向かって射出されてそれぞれ第1及び第3の露光装置本体部L1 ,L3 に供給される。4台の露光装置本体部L1 〜L4 には、光学系S1 〜S4 からのレーザービームLB41〜LB44をそれぞれ1/4ずつ含むレーザービームが供給される。レーザービームLB41〜LB44は、それぞれ4個ずつのパルス光源から射出されるレーザービームをそれぞれ1/4ずつ含有しており、4台の露光装置本体部L1 〜L4 には16個のパルス光源から射出されるレーザービームをそれぞれ1/16ずつ含んだレーザービームが供給される。これら16個のパルス光源のパルスの発振時期は、パルス光の発振周期をTとした場合、T/16ずつずれるように設定されるため、各露光装置本体部L1 〜L4 には各パルス光源のパルス光の16倍の周波数のレーザービームが供給されることになる。不図示の残りの12台の露光装置本体部についても同様である。
【0045】
この図4の例によれば、(1)式よりソラリゼーション及びラジエーション・コンパクションの影響は1/16となる。
なお、図4において、XZ座標系の代わりにXY座標系を取り、4つの光学系S1 〜S4 の代わりに4個のパルス光源E1 〜E4 を配置したものを、本例の光学系S1 とみなしてもよく、このような配置で光学系を構成した場合にはパルス光源をまとめて配置することができ、装置全体のコンパクト化を計ることができる。
【0046】
次に、本発明による露光装置の実施の形態の他の例について図6を参照して説明する。本例は、2個のパルス光源からのレーザービームを合成して、1台の露光装置本体部に供給する例を示し、パルス光源及び露光装置本体部等の構成は、図1の例と同様であり、図6において図1と対応する部分には同一符号を付してその詳細説明を省略する。
【0047】
図6は、本例の概略構成を示し、第1及び第2のパルス光源E1 ,E2 から射出されたそれぞれのレーザービームB1,B2は、レーザービームB1,B2の光路に対してほぼ45°傾斜して配置され、s偏光の光を反射してp偏光の光を透過する偏向ビームスプリッター21に互いに直交する方向から入射する。レーザービームB1,B2は共にp偏光に設定されており、共に偏向ビームスプリッター21を透過する。レーザービームB2は、偏向ビームスプリッター21を透過した後、1/4波長板22で円偏光に変換されてミラー23に垂直に入射する。そして、ミラー23で垂直に反射されて逆の円偏光となり、同じ光路を戻って再び1/4波長板22を通過してs偏光に変換されたレーザービームB2は偏向ビームスプリッター21に再び入射し、そこで反射されて、偏向ビームスプリッター21を透過したレーザービームB1と合成され、レーザービームB3として露光装置本体部L1 に供給される。
【0048】
この場合、2個のパルス光源E1 ,E2 のパルス光は、図1の例と同様に、不図示のパルス発振制御回路により制御されており、露光装置本体部L1 には、パルス光源E1 ,E2 の発振パルス光の2倍の周波数のパルスレーザービームB3が供給される。従って、露光装置本体部L1 に供給されるレーザービームB3の1パルス光当たりの照射エネルギー量を1/2にすることができ、図1の例と同様に露光装置本体部L1 のレンズに対するソラリゼーション及びラジエーション・コンパクションの影響も1/2にすることができる。従って、レンズの寿命がその分延びることになる。また、本例の場合は、2個のパルス光源E1 ,E2 から射出されるレーザーエネルギーがすべて1台の露光装置本体部L1 だけに供給されるので、1個のパルス光源を使用する場合と同じスループットでよければ、2個のパルス光源E1 ,E2 の出力を1/2にすることができる。
【0049】
なお、パルス光源の数は2個に限定されるものではなく、3個以上のパルス光源を同様に組み合わせて1台の露光装置本体に供給するようにしてもよい。例えば、図6において、偏光ビームスプリッター21から露光装置本体部L1 迄のレーザービームB3の光路中に別の偏光ビームスプリッターを設け、レーザービームB3の光路に垂直方向に図6のパルス光源E2 、1/4波長板22、及びミラー23と同様な構成を有する光学系を配置すれば、3個のパルス光源から1台の露光装置本体に3倍の周波数のパルスのレーザービームを供給することができる。パルス光源が4個以上の場合も同様に構成することができる。
【0050】
次に、本発明による露光装置の実施の形態の更に別の例について、図7を参照して説明する。本例は、照明光学系の瞳面内における照明光束の光量分布を、照明光学系の光軸から所定量だけ偏心した複数の位置で極大としてレチクルパターンに対して照明光束を所定角度だけ傾斜させて照射する変形光源法を使用する場合に本発明を適用したものである。この変形光源法は、例えば周期性パターンに対して焦点深度を高めるために有効な方法である。光源及び照明光学系を除く他の構成は図1の例と同様であり、図7において図1と対応する部分には同一符号を付し、その詳細説明を省略する。
【0051】
図7(a)は、本例の露光装置の概略構成を示し、図7(b)は、図7(a)の照明光学系2Aの瞳面Pにおける照明光の分布状態を示す。なお、図7(a)及び図7(b)において、光源E2 ,E4 及び照明光B2,B4は共にY方向に重なった状態で示されている。図7(a)に示すように、パルス光源E1 〜E4 から射出されたレーザービームB1〜B4は照明光学系2Aによりレチクル3上に傾斜して照射される。そして、レーザービームB1〜B4による傾斜照明のもとでレチクルパターンの像が投影光学系5を介してウエハ6上に転写される。
【0052】
図7(b)に示すように、レーザービームB1〜B4は照明光学系2Aの瞳面P上の周辺部で照明光学系2Aの光軸AXから等距離の位置に等角度間隔で偏心した4個の光源像を形成し、所謂変形光源が形成されている。この場合、レーザービームB1〜B4のパルス発振のタイミングはパルス発振制御回路10により互いに異なるように制御され、照明光学系2Aが実質的に合成光学系として作用する。従って、パルス数は各パルス光源E1 〜E4 の周波数の4倍となり、同じスループットでよければ各レーザービームB1〜B4のレーザーエネルギー量は1/4にできる。即ち、ソラリゼーション及びラジエーション・コンパクションの影響は1/4に減少すると共に、変形照明により焦点深度を高めることができる。なお、図7(a)において、光源E1 〜E4 からのレーザービームB1〜B4の代わりに、それぞれ図2の例と同様に合成されたパルス光を用いてもよい。
【0053】
なお、本発明はステッパー型の投影露光装置に限らず、レチクル上のパターンの一部をウエハ上に投射した状態でレチクルとウエハとを同期して走査することによりレチクルのパターンをウエハ上の各ショット領域に逐次転写露光するステップ・アンド・スキャン方式等の走査露光型の露光装置にも同様に適用できる。このように、本発明は上述の実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。
【0054】
【発明の効果】
本発明によれば、複数個のパルス光源からの合成光が露光部に供給される。その合成光の周波数は、それら複数個のパルス光源の数に比例して増加するため、1個のパルス光源を使用する場合と同じスループットを達成する場合には露光部に供給される合成光の1パルス光当たりの照射エネルギーの密度はそれら複数個のパルス光源の数に反比例して減少する。露光部で使用されるレンズに対するソラリゼーション及びラジエーション・コンパクションの影響は1パルス光当たりの照射エネルギーの密度に比例するため、照明光としてKrFエキシマレーザー光やArFエキシマレーザー光等のパルス光を使用した場合でも、露光部内で使用されるレンズの透過率及び屈折率の変化を抑えることができ、レンズの寿命を長くできる利点がある。
【0055】
また、複数個のパルス光源から発光される各々のパルス光の発光タイミングを制御するパルス発光制御系をさらに備える場合には、各々のパルス光の発光のタイミングを制御することができる。従って、露光部に供給される照明光の照射エネルギー量を時間に対して均一化できる利点がある。
また、その露光部を第1の露光部として、第2のマスクパターンを第2の感光性の基板上に転写する第2の露光部をさらに配置し、合成光学系が、複数個のパルス光源中の第1のパルス光源からの第1照明光と第2のパルス光源からの第2照明光とを受けて、第1及び第2の合成光をそれぞれ生成するビームスプリッターを有し、第1の合成光を第1の露光部へ導き、第2の合成光を第2の露光部へ導く場合には、第2の露光部にも第1の露光部に供給される第1の合成光と同様に周波数が増加した第2の合成光が供給される。また、第1のパルス光源からの第1照明光及び第2のパルス光源からの第2照明光を2つの露光部に無駄なく供給することができ、1つの露光部当たりのパルス光源の設備費を、1つの露光部(露光装置)に1個のパルス光源を用いる従来の方法と同額にできる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による露光装置の実施の形態の一例を示す概略構成図である。
【図2】図1の変形例で、4個のパルス光源からの合成光を4台の露光装置本体部に供給する例の説明に供する構成図である。
【図3】図1の変形例で、8個のパルス光源からの合成光を8台の露光装置本体部に供給する例の説明に供する斜視図である。
【図4】図1の変形例で、16個のパルス光源からの合成光を16台の露光装置本体部に供給する例の要部の説明に供する構成図である。
【図5】本発明の実施の形態における各光源のパルス発振のタイミングを示すタイミングチャートである。
【図6】本発明による露光装置の実施の形態の他の例を示す概略構成図である。
【図7】本発明による露光装置の実施の形態の更に別の例を示す概略構成図である。
【符号の説明】
E1 〜E8 パルス光源
1A〜1G,1J〜1S ビームスプリッター
B1〜B8,LB1〜LB32 レーザービーム
2 照明光学系
3 レチクル
5 投影光学系
6 ウエハ
7 ウエハステージ
8A〜8J ミラー
L1 〜L4 露光装置本体部
S1 〜S4 光学系
LB41〜LB44 レーザービーム
Claims (7)
- 露光用の照明光のもとでマスクパターンを感光性の基板上に転写する露光装置において、
複数の露光用の照明光を互いに異なるタイミングでそれぞれパルス発光させる複数個のパルス光源と、
該複数個のパルス光源からの照明光を合成する合成光学系と、
該合成光学系により合成される照明光を受けて、前記マスクパターンを前記感光性の基板上に転写する露光部と、
を有することを特徴とする露光装置。 - 請求項1記載の露光装置であって、
前記複数個のパルス光源から発光される各々のパルス光の発光タイミングを制御するパルス発光制御系をさらに備えたことを特徴とする露光装置。 - 請求項2記載の露光装置であって、
前記パルス発光制御系は、前記複数個のパルス光源から発光される各々のパルス光のパルス発光のタイミングが重ならないように前記発光タイミングを制御することを特徴とする露光装置。 - 請求項2又は3記載の露光装置であって、
前記パルス発光制御系は、前記複数個のパルス光源から発光される各々のパルス光の強度がほぼ同じになるように制御することを特徴とする露光装置。 - 請求項2〜4の何れか一項に記載の露光装置であって、
前記パルス発光制御系は、前記複数個のパルス光源から発光される各々のパルス光の間隔を等間隔とするように前記発光タイミングを制御することを特徴とする露光装置。 - 請求項1〜5の何れか一項に記載の露光装置であって、
前記露光部を第1の露光部として、第2のマスクパターンを第2の感光性の基板上に転写する第2の露光部をさらに配置し、
前記合成光学系は、前記複数個のパルス光源中の第1のパルス光源からの第1照明光と第2のパルス光源からの第2照明光とを受けて、第1及び第2の合成光をそれぞれ生成するビームスプリッターを有し、
前記第1の合成光を前記第1の露光部へ導き、前記第2の合成光を前記第2の露光部へ導くことを特徴とする露光装置。 - 露光用の照明光のもとでパターンを感光性の基板上に転写する露光方法において、
複数個のパルス光源から互いに異なるタイミングで複数の露光用の照明光をパルス発光させる工程と;
前記複数の露光用の照明光を合成する工程と;
前記合成された照明光に基づいて、前記パターンを前記感光性の基板上に転写する工程と;
を備えることを特徴とする露光方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32292095A JP3590822B2 (ja) | 1995-12-12 | 1995-12-12 | 露光方法及び装置 |
US08/760,871 US5880817A (en) | 1995-12-12 | 1996-12-09 | Projection-exposure apparatus and method exhibiting reduced solarization and radiation compaction |
EP96309014A EP0779558A2 (en) | 1995-12-12 | 1996-12-11 | Projection-exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32292095A JP3590822B2 (ja) | 1995-12-12 | 1995-12-12 | 露光方法及び装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09162110A JPH09162110A (ja) | 1997-06-20 |
JP3590822B2 true JP3590822B2 (ja) | 2004-11-17 |
Family
ID=18149112
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32292095A Expired - Fee Related JP3590822B2 (ja) | 1995-12-12 | 1995-12-12 | 露光方法及び装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5880817A (ja) |
EP (1) | EP0779558A2 (ja) |
JP (1) | JP3590822B2 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IL123416A0 (en) * | 1998-02-23 | 1998-09-24 | Oramir Semiconductor Ltd | Multi laser surface treatment in ambient fast flowing photoreactive gases |
US7109497B2 (en) | 1998-05-05 | 2006-09-19 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
USRE42065E1 (en) | 1998-05-05 | 2011-01-25 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
DE19903807A1 (de) * | 1998-05-05 | 1999-11-11 | Zeiss Carl Fa | Beleuchtungssystem insbesondere für die EUV-Lithographie |
US7142285B2 (en) | 1998-05-05 | 2006-11-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
US6947124B2 (en) | 1998-05-05 | 2005-09-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
US6947120B2 (en) | 1998-05-05 | 2005-09-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
US6229639B1 (en) | 1998-07-09 | 2001-05-08 | Cymer, Inc. | Multiplexer for laser lithography |
EP1330679A4 (en) * | 2000-10-03 | 2006-09-06 | Corning Inc | PHOTOLITHOGRAPHIC PROCESSES AND SYSTEMS |
US6753947B2 (en) * | 2001-05-10 | 2004-06-22 | Ultratech Stepper, Inc. | Lithography system and method for device manufacture |
DE10221386A1 (de) * | 2002-05-14 | 2003-11-27 | Zeiss Carl Smt Ag | Projektionsbelichtungssystem |
US7432517B2 (en) * | 2004-11-19 | 2008-10-07 | Asml Netherlands B.V. | Pulse modifier, lithographic apparatus, and device manufacturing method |
DE102006027787A1 (de) * | 2005-07-05 | 2007-01-18 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsbelichtungsanlage und Betriebsmethode dieser |
TW200801833A (en) * | 2006-02-16 | 2008-01-01 | Nikon Corp | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
JP5211487B2 (ja) * | 2007-01-25 | 2013-06-12 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置並びにマイクロデバイスの製造方法 |
JP5283928B2 (ja) * | 2008-02-28 | 2013-09-04 | キヤノン株式会社 | 照明光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
DE102014203041A1 (de) | 2014-02-19 | 2015-08-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungssystem einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zum Betreiben eines solchen |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5091744A (en) * | 1984-02-13 | 1992-02-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Illumination optical system |
JPS6197831A (ja) * | 1984-10-18 | 1986-05-16 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2569711B2 (ja) * | 1988-04-07 | 1997-01-08 | 株式会社ニコン | 露光制御装置及び該装置による露光方法 |
JP3075381B2 (ja) * | 1992-02-17 | 2000-08-14 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び転写方法 |
JP3451604B2 (ja) * | 1994-06-17 | 2003-09-29 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置 |
-
1995
- 1995-12-12 JP JP32292095A patent/JP3590822B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-12-09 US US08/760,871 patent/US5880817A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-11 EP EP96309014A patent/EP0779558A2/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5880817A (en) | 1999-03-09 |
EP0779558A2 (en) | 1997-06-18 |
EP0779558A3 (ja) | 1997-10-08 |
JPH09162110A (ja) | 1997-06-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3590822B2 (ja) | 露光方法及び装置 | |
JP5673785B2 (ja) | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 | |
KR0139309B1 (ko) | 노광장치 및 이를 이용한 디바이스의 제조방법 | |
TWI454850B (zh) | 照明光學裝置以及曝光裝置 | |
US8654310B2 (en) | Exposure method, exposure apparatus, photomask and method for manufacturing photomask | |
JP3275575B2 (ja) | 投影露光装置及び該投影露光装置を用いたデバイスの製造方法 | |
US20020186359A1 (en) | Lithography system and method for device manufacture | |
WO2000070660A1 (fr) | Procede et dispositif d'exposition, et dispositif d'eclairage | |
WO1999005708A1 (fr) | Procede d'exposition pour projection, dispositif de cadrage pour projection, et procedes de fabrication et de nettoyage optique du dispositif de cadrage | |
WO2007100081A1 (ja) | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 | |
JP5015187B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JPH09162106A (ja) | 走査型露光装置 | |
US7684014B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
WO2000067303A1 (fr) | Procede et appareil d'exposition | |
JPH0922863A (ja) | 走査露光装置及び方法並びにそれを用いたデバイス製造方法 | |
JP4280509B2 (ja) | 投影露光用マスク、投影露光用マスクの製造方法、投影露光装置および投影露光方法 | |
US7455880B2 (en) | Optical element fabrication method, optical element, exposure apparatus, device fabrication method | |
US20040179270A1 (en) | Illumination system and method for efficiently illuminating a pattern generator | |
US7394080B2 (en) | Mask superposition for multiple exposures | |
WO2009150871A1 (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP2010067866A (ja) | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 | |
JP2005005407A (ja) | 光源装置、露光装置、及び光源装置の制御方法 | |
JP5459482B2 (ja) | 送光光学系、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
JP2006318954A (ja) | 露光装置及び露光方法 | |
JP2000223405A (ja) | 照明光学装置および該照明光学装置を備えた投影露光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040609 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040708 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040721 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100903 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130903 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130903 Year of fee payment: 9 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130903 Year of fee payment: 9 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130903 Year of fee payment: 9 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |