JP3562873B2 - Active matrix type liquid crystal display - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アクティブマトリクス型液晶表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
アクティブマトリクス型液晶表示装置は、一般に、アレイ基板と対向基板との間に配向膜を介して液晶を保持することにより構成され、このアレイ基板上には複数の画素電極がスイッチング素子に電気的に接続されて配されている。
【0003】
例えば、従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、アレイ基板100は、図5に示すように、ガラス基板上に複数本の信号線101と複数本の走査線102とがマトリクス状に配置され、これら信号線101と走査線102とが交差する交差部近傍のそれぞれにスイッチング素子として配置される薄膜トランジスタ(以下、TFTという。)103を介してITO(Indium Tin Oxide)からなる画素電極104が配されている。この画素電極104の下方には絶縁膜を介して補助容量線105が走査線102とほぼ平行に配されており、この補助容量線105と画素電極104との間に補助容量が形成されている。
【0004】
このアレイ基板100では、各画素電極104において、画素電極104に隣接する信号線101、101と当該画素電極104との間隔d0 、d0 が、画素電極104の両側で等しくなるように、すなわち、画素電極104と信号線101とが等間隔に配されている。これは、開口率をできるだけ大きくするために画素電極104と信号線101との間隔d0 をアレイ設計の限界まで小さくしているためであり、すなわち、従来は画素電極104の両側で信号線101、101との間隔d0 、d0 をともに設計限界値(例えば5μm)として開口率を稼いでいる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、画素電極104とこれに隣接する信号線101との間にはカップリング容量C0 が発生する。このカップリング容量C0 は、画素電極104の側辺と信号線101とが隣接する隣接部分において発生し、この隣接部分の長さによって大きさが異なる。
【0006】
ここで、従来の液晶表示装置においては、図5に示すように、画素電極104の左側では、信号線101からドレイン電極106が引出されている。この引出されたドレイン電極106は、信号線101と同様に、隣接する画素電極104との間にカップリング容量を発生させる。そのため、画素電極104の左側では、このドレイン電極106の長さだけ、カップリング容量C0 を発生させる隣接部分の長さが右側よりも長くなる。これにより、画素電極104の左側で発生するカップリング容量C0 は、右側で発生するカップリング容量C0 よりも大きくなっている。
【0007】
このように、画素電極104の両側でカップリング容量C0 、C0 が異なると、特に、隣合う1信号線ごとに液晶に印加する表示信号を正負反転させるいわゆるVライン反転駆動の場合に問題である。それは、Vライン反転駆動の場合、画素電極104の両側でこれに隣接する信号線101、101の電圧の正負が異なるために、保持動作中における画素電極104の両側で信号線101、101の電位変化を良好に打消すことができず、画素電極104の電位変動が大きくなるためである。これにより、クロストークが発生して良好な表示が得られないという問題がある。
【0008】
そこで、本発明は上記問題点に鑑み、Vライン反転駆動させた場合でも、クロストークが発生せず、良好な表示が得られるアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置は、絶縁基板上に交差するように配された複数の走査線及び信号線と、これら走査線と信号線の交差部ごとに配されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続された画素電極と、該画素電極の下方において前記走査線に平行に設けられ該画素電極との間で補助容量を形成する補助容量線とを備えたアレイ基板と、前記アレイ基板に対向して配置される対向電極を備えた対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に保持された液晶とよりなるアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記画素電極の第1側辺に位置する前記信号線より該画素電極に向かって前記スイッチング素子のドレイン電極が形成され、前記画素電極との間で補助容量を形成するシールド部材が、前記補助容量線から前記画素電極の両側辺に沿って一体に延設され、前記画素電極の第1側辺と前記第1側辺に隣接する前記信号線との間隔と、前記画素電極の第2側辺と前記第2側辺に隣接する他の前記信号線との間隔を等しくするとともに、前記画素電極と前記ドレイン電極との間で発生するカップリング容量と前記画素電極の第1側辺と前記第1側辺に隣接する前記信号線との間で発生するカップリング容量との和である第1のカップリング容量と、前記画素電極の第2側辺と前記第2側辺に隣接する他の前記信号線との間で発生する第2のカップリング容量とが等しくなるように、前記画素電極の第1側辺の前記シールド部材の長さと前記画素電極の第2側辺の前記シールド部材の長さとを相違させたものである。
【0012】
【作用】
本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置では、画素電極の両側辺に沿って延びるように設けられたシールド部材が画素電極との間で補助容量を形成するので、該側辺のシールド部材が配された部分においては、信号線の電位変化に伴なう画素電極の電位変動がなく、よって信号線との間のカップリング容量を無視できる。すなわち、このシールド部材の長さによって信号線との間に発生するカップリング容量の大きさを調整することができるので、例えば、シールド部材の長さを画素電極の左右側辺で相違させて、左右のカップリング容量が等しくなるように設定している。このシールド部材の長さが画素電極の両側辺で等しいと、スイッチング素子などの影響によって、上記左右のカップリング容量が等しくならない。そのため、上記左右側辺のうち一方側辺のシールド部材の長さを他方側辺の長さよりも長くして、上記影響分だけ該一方のカップリング容量を低減させ、上記左右のカップリング容量を等しくしている。
【0013】
より詳細には、例えば、画素電極の左側辺に位置する信号線よりスイッチング素子が形成されており、このスイッチング素子と画素電極との間で発生するカップリング容量を考慮して、左右のカップリング容量が等しくなるように、画素電極の左右側辺におけるシールド部材の長さを相違させている。あるいは、例えば、画素電極の右側辺に位置する信号線よりスイッチング素子が形成されており、このスイッチング素子と画素電極との間で発生するカップリング容量を考慮して、左右のカップリング容量が等しくなるように、画素電極の左右側辺におけるシールド部材の長さを相違させている。
【0014】
このように本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置では、画素電極の両側辺とその両側辺にそれぞれ隣接する信号線との間でそれぞれ発生するカップリング容量が等しくなっているので、Vライン反転駆動のように1の画素電極の両側に隣接する2本の信号線にかけられる電圧の極性が基準電圧に対して異なる場合であっても、画素電極の保持動作中における信号線電位変化を画素電極の両側で良好に打消して、該電位変化に伴なう画素電位変動を抑制することができる。
【0015】
【発明の実施の形態】
まず、参考例に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置10を図1、2を参照して説明する。
【0016】
このアクティブマトリクス型液晶表示装置10は、ノーマリーホワイト・モードの光透過型の液晶表示装置であり、アレイ基板12と対向基板14との間に配向膜13、15を介してツイスト・ネマチック型の液晶16を保持してなる液晶パネル18により構成されている。
【0017】
アレイ基板12は、ガラス基板20上に、640×3本の信号線22と480本の走査線24とがほぼ直交するように配されている。走査線24は、ガラス基板20上に直接配され、一方、信号線22は、ガラス基板20上に形成された酸化シリコンと窒化シリコンの多層膜よりなる絶縁膜30上に配されている。これら信号線22と走査線24とが交差する交差部の近傍には、各交差部ごとにTFT26を介して画素電極28が配されている。
【0018】
TFT26は、走査線24自体をゲート電極とし、この上に絶縁膜30が配され、この絶縁膜30上にa−Si:H膜が半導体膜32として配され、さらに、この半導体膜32上に窒化シリコンよりなるチャンネル保護膜34が配されている。そして、半導体膜32は、n+ 型a−Si:H膜よりなる低抵抗半導体膜36およびソース電極38を介して絶縁膜30上に配された画素電極28に電気的に接続されている。また、半導体膜32は、低抵抗半導体膜36および信号線22から延在されたドレイン電極40を介して信号線22に電気的に接続されている。
【0019】
さて、画素電極28の構成を図1上で説明する。この画素電極28は、略長方形状を有し、図中、左右に配された長辺側にて信号線22、22と隣接し、上下に配された短辺側にて走査線24、24と隣接して、これら2本の信号線22、22と2本の走査線24、24とにより四方を取囲まれている。そして、その上辺部において左側の信号線22とTFT26を介して接続されており、また、下辺部には、次段の画素電極28のTFT26をドレイン電極40として延在させるための切欠部42が形成されている。
【0020】
この画素電極28の左側辺と該左側辺に隣接する信号線22との間隔d1Lは、画素電極28と信号線22、22との間で発生するカップリング容量C1L、C1Rが画素電極28の左右で等しくなるように(C1L=C1R)、画素電極28の右側辺と該右側辺に隣接する信号線22との間隔d1Rよりも大きく設定されている(d1L>d1R)。これは、画素電極28の左側辺では、次段のドレイン電極40の影響によって、カップリング容量を発生させる部分の長さが右側辺よりも長く、そのため、d1L=d1Rでは右側辺よりもカップリング容量が大きくなってしまうためである。このように、画素電極28の左右両側における信号線22との間隔d1L、d1Rは、C1L=C1Rとなるように設定されており、これにより、1本の信号線22とその左右両側に隣接する2つの画素電極28、28との間のカップリング容量も等しくなっている。
【0021】
この画素電極28の下方には、走査線24に対し略平行に、かつ、画素電極28の略中央を通るように補助容量線44が配されている。この補助容量線44はガラス基板20上に直接形成されている。そして、この補助容量線44と画素電極28との間には、絶縁膜30が介在し、補助容量Csが形成されている。補助容量線44は、補助容量Csを確保しつつ信号線22とのショートを避けるため、図1に示すように、画素電極28と重複する領域では太く、信号線22と交差する領域では細く形成されている。
【0022】
一方、対向基板14は、透明なガラス基板48上に、アレイ基板12のTFT26や画素電極28間の隙間を遮光するためのクロム酸化膜よりなる遮光膜50と、この遮光膜50の間に配されたカラー表示を実現するための赤(R)、緑(G)、青(B)の3原色で構成される色部52とを備えている。そして、その上に、平滑化層として有機保護膜54を介してITOからなる対向電極56が配されて構成されている。
【0023】
なお、以上よりなる液晶パネル18の表裏面には、それぞれガラス基板20、48の外面に偏光板58、60が配されている。また、信号線22及び走査線24は、それぞれ配線の片側に引出されて、液晶パネル18を駆動するための駆動回路基板(不図示)にTAB(不図示)を介して接続され、駆動電圧が供給されるようになっている。
【0024】
以上の液晶表示装置10であれば、画素電極28と信号線22との間のカップリング容量C1L、C1Rが、画素電極28の左右両側で等しいため、Vライン反転駆動させた場合であっても、電荷が保持された画素電極28の両側で信号線22、22の電位変化が良好に打消されて、この電位変化に伴なう画素電極28の電位変動を抑制することができる。よって、クロストークや焼き付きなどのない良好な表示即ち画像を得ることができる。
【0025】
また、画素電極28の両側でカップリング容量C1L、C1Rが等しいため、液晶16に不所望な直流成分の印加がなく、よって耐久性が向上して、長時間の使用に対しても画像劣化が起りにくい。これは、上記のVライン反転駆動の場合に限らず、例えば、隣合う1走査線もしくは数走査線ごとに液晶16に印加する表示信号を基準電位に対して正負反転させるいわゆるHライン反転駆動の場合更にはVライン反転駆動とHライン反転駆動とを組合せたHV反転駆動においても得られる効果である。
【0026】
つぎに、本発明の一実施例に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置70について、図3、4を参照して説明する。
【0027】
この液晶表示装置70は、上述した液晶表示装置10とは、画素電極28の信号線22に対する配置及び補助容量線44の形状が相違する。以下、この相違点についてのみ説明する。
【0028】
この装置70のアレイ基板12では、各画素電極28において、画素電極28の左右両側辺28a、28bと、該両側辺28a、28bにそれぞれ隣接する信号線22、22との間隔d2L、d2Rが、画素電極28の両側で等しくなるように(d2L=d2R)、すなわち、画素電極28と信号線22とが等間隔に配されている。
【0029】
補助容量線44は、隣合う2本の走査線24、24の間に略等間隔に、かつ、それらに平行に配された細長い帯状の配線部72と、この配線部72の上下両側辺から該配線部72と直交するように延設された帯状の延設部74とよりなり、これらと画素電極28との間には補助容量Csが形成されている。この延設部74は、画素電極28の左右の側辺28a、28bに沿って形成されており、この側辺28a、28bより内方の画素電極28の縁部の領域を遮蔽するとともに、該側辺28a、28bより外方の信号線22と画素電極28の間の領域を部分的に遮蔽するような適度な幅を有している。また、この延設部74は、画素電極28の左側辺28aの延設部74aが右側辺28bの延設部74bよりも配線部72の上下両側でそれぞれkだけ長くなるように設定されている。この長さの差2kは、画素電極28の左右で画素電極28と信号線22とのカップリング容量C2L、C2Rが等しくなるように(C2L=C2R)設定されている。
【0030】
この液晶表示装置70であれば、信号線22に隣接する画素電極28の両側辺28a、28bに沿って定電位の補助容量線44の延設部74が延在しているので、この延在した部分においては、信号線22の電位変化に伴なう画素電極28の電位変動をなくすことができ、よって信号線22との間のカップリング容量を無視できる。そのため、この延設部74の長さによって信号線22との間に発生するカップリング容量の大きさを調整することができる。本装置70においては、次段のドレイン電極40の影響による画素電極28の左側におけるカップリング容量の増加分を、左側の延設部74aを右側の延設部74bよりも2k長くすることによって、C2L=C2Rなる関係を維持している。
【0031】
また、本装置70においては、上記のように、補助容量線44の延設部74が信号線22の電位変化の影響を遮蔽するので、この延設部74のシールド効果によって画素電極28の両側におけるカップリング容量C2L、C2Rの絶対値を小さくすることができる。
【0032】
以上より、本装置70であれば、Vライン反転駆動させた場合における画素電極28の電位変動の抑制効果に優れ、よって、クロストークや焼き付きなどのない良好な表示を得ることができる。また、Hライン反転駆動などの様々な駆動方法において、液晶の耐久性が向上し、長時間の使用に対する画像劣化を防ぐことができる。
【0033】
さらに、補助容量線44の延設部74によって上記C2L=C2Rなる関係を持たせているので、画素電極28と信号線22との間隔d2L、d2Rを設計限界まで小さくすることができ、また、この延設部74が配された領域は、対向基板14の遮光膜50によって遮光される領域であるため、補助容量線44による開口率の低下を低減することができる。よって、本装置70であれば開口率が高い。
【0034】
なお、本実施例において、補助容量線44の延設部74の長さは、できるだけ長く延設した方が上記カップリング容量C2L、C2Rの絶対値をより低減することができるので好ましいが、あまり長くしすぎると走査線24とショートしやすく歩留が悪化してしまうため、その点を考慮して長さを設定する必要がある。
【0035】
また、この実施例においては、画素電極28と信号線22との間隔d2L、d2Rを等間隔に設定したが、先の実施例のように画素電極28の両側の間隔を相違させることもできる。ただし、その場合においても画素電極28の左右のカップリング容量C2L、C2Rが略等しくなるように設定しておく必要がある。
【0036】
上述した実施例では、いずれも画素電極28と信号線22とが正の間隔を持って配置される場合を示したが、これは負の間隔、換言すれば画素電極28と信号線22とが一部重複するような位置関係にある場合でもかまわない。
【0037】
【発明の効果】
本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置であると、画素電極と隣接するそれぞれの信号線との間で生じるカップリング容量が等しいため、例えばVライン反転駆動させる場合においても、画素電極の保持動作中における信号線電位変化に伴なう画素電位変動を抑制することができ、よって、クロストークや焼き付きなどのない良好な表示を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】参考例に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置10のアレイ基板12の一部概略平面図である。
【図2】図1のA−A線に沿って切断したアクティブマトリクス型液晶表示装置10の断面図である。
【図3】本発明の一実施例に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置70のアレイ基板12の一部概略平面図である。
【図4】図3のB−B線に沿って切断したアクティブマトリクス型液晶表示装置70の要部断面図である。
【図5】
従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置のアレイ基板100の一部概略平面図である。
【符号の説明】
70……液晶表示装置
12……アレイ基板
14……対向基板
22……信号線
24……走査線
26……TFT
28……画素電極
28a、28b……信号線22と隣接する画素電極28の側辺
44……補助容量線
74……補助容量線44の延設部
d1L,R、d2L,R……画素電極28と信号線22との間隔
C1L,R、C2L,R……画素電極28と信号線22とのカップリング容量[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an active matrix type liquid crystal display device.
[0002]
[Prior art]
An active matrix type liquid crystal display device is generally configured by holding liquid crystal between an array substrate and a counter substrate via an alignment film, and a plurality of pixel electrodes are electrically connected to switching elements on the array substrate. Connected and arranged.
[0003]
For example, in a conventional active matrix type liquid crystal display device, as shown in FIG. 5, in an
[0004]
In the
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, a coupling capacitance C0 is generated between the
[0006]
Here, in the conventional liquid crystal display device, as shown in FIG. 5, on the left side of the
[0007]
If the coupling capacitances C0 and C0 are different on both sides of the
[0008]
In view of the above problems, it is an object of the present invention to provide an active matrix type liquid crystal display device which does not generate crosstalk even when the V-line inversion driving is performed and which can provide a good display.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
Active matrix liquid crystal display device of the present invention, a plurality of scanning lines and signal lines disposed to cross over an insulating substrate, a switching element disposed for each intersection of the scanning lines and the signal lines, An array substrate including: a pixel electrode connected to the switching element; and an auxiliary capacitance line provided below the pixel electrode and parallel to the scanning line and forming an auxiliary capacitance between the pixel electrode and the array substrate. In an active matrix type liquid crystal display device including a counter substrate having a counter electrode disposed to face a substrate and liquid crystal held between the array substrate and the counter substrate, a first side of the pixel electrode A drain electrode of the switching element is formed from the signal line located on the side toward the pixel electrode, and a shield member that forms an auxiliary capacitance between the switching element and the pixel electrode is provided at the front. Extends integrally along both sides of the pixel electrode from the auxiliary capacitance line, and a distance between the signal line adjacent to the first side edge and the first side edge of the pixel electrode, the second of said pixel electrodes The distance between the side line and the other signal line adjacent to the second side line is equalized, and the coupling capacitance generated between the pixel electrode and the drain electrode and the first side line of the pixel electrode are A first coupling capacitance which is a sum of a coupling capacitance generated between the signal line adjacent to the first side and the second side adjacent to the pixel electrode; The length of the shield member on the first side of the pixel electrode and the length of the shield on the second side of the pixel electrode are set such that a second coupling capacitance generated between the signal line and the other signal line is equal. It is different from the length of the member.
[0012]
[Action]
In the active matrix type liquid crystal display device of the present invention, since the shield member provided so as to extend along both sides of the pixel electrode forms an auxiliary capacitance with the pixel electrode, the shield member on the side is disposed. In such a portion, the potential of the pixel electrode does not fluctuate due to the change in the potential of the signal line, so that the coupling capacitance between the pixel electrode and the signal line can be ignored. That is, since the size of the coupling capacitance generated between the signal line and the signal line can be adjusted by the length of the shield member, for example, the length of the shield member is made different between the left and right sides of the pixel electrode, The left and right coupling capacities are set to be equal . If the length of the shield member is equal on both sides of the pixel electrode, the left and right coupling capacitances will not be equal due to the influence of the switching element and the like. Therefore, the length of the shield member on one side of the left and right sides is made longer than the length of the other side to reduce the coupling capacity of the one side by the influence of the above. Equal .
[0013]
More specifically, for example, a switching element is formed from a signal line located on the left side of the pixel electrode, and the left and right couplings are considered in consideration of the coupling capacitance generated between the switching element and the pixel electrode. The lengths of the shield members on the left and right sides of the pixel electrode are different so that the capacitances are equal . Alternatively, for example, a switching element is formed from a signal line located on the right side of the pixel electrode, and the left and right coupling capacitances are equal in consideration of the coupling capacitance generated between the switching element and the pixel electrode. Thus, the lengths of the shield members on the left and right sides of the pixel electrode are different.
[0014]
As described above, in the active matrix type liquid crystal display device of the present invention, since the coupling capacitance generated between both sides of the pixel electrode and the signal lines respectively adjacent to the both sides is equal, the V line inversion driving is performed. Even when the polarity of the voltage applied to the two signal lines adjacent to both sides of one pixel electrode is different from the reference voltage, the change in the signal line potential during the holding operation of the pixel electrode is It is possible to favorably cancel each other on both sides, and to suppress pixel potential fluctuation due to the potential change .
[0015]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
First , an active matrix liquid
[0016]
The active matrix type liquid
[0017]
The
[0018]
In the
[0019]
Now, the configuration of the
[0020]
The distance d1L between the left side of the
[0021]
Below the
[0022]
On the other hand, the opposing
[0023]
Note that, on the front and back surfaces of the
[0024]
In the liquid
[0025]
In addition, since the coupling capacitances C1L and C1R are equal on both sides of the
[0026]
Next, an active matrix type liquid
[0027]
This liquid
[0028]
In the
[0029]
The
[0030]
In the case of the liquid
[0031]
Further, in the
[0032]
As described above, the
[0033]
Further, since the relationship C2L = C2R is provided by the extension 74 of the
[0034]
In this embodiment, it is preferable that the extension 74 of the
[0035]
Further, in this embodiment, the distances d2L and d2R between the
[0036]
In each of the above-described embodiments, the case where the
[0037]
【The invention's effect】
In the active matrix type liquid crystal display device of the present invention, the coupling capacitance generated between the pixel electrode and each of the adjacent signal lines is equal. In this case, it is possible to suppress the pixel potential fluctuation due to the change in the signal line potential, and to obtain a favorable display without crosstalk or burn-in.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a partial schematic plan view of an
FIG. 2 is a cross-sectional view of the active matrix liquid crystal display device taken along the line AA in FIG.
FIG. 3 is a partial schematic plan view of an
FIG. 4 is a cross-sectional view of a main part of the active matrix liquid
FIG. 5
It is a partial schematic plan view of an
[Explanation of symbols]
70 liquid
28
Claims (1)
前記アレイ基板に対向して配置される対向電極を備えた対向基板と、
前記アレイ基板と前記対向基板との間に保持された液晶と
よりなるアクティブマトリクス型液晶表示装置において、
前記画素電極の第1側辺に位置する前記信号線より該画素電極に向かって前記スイッチング素子のドレイン電極が形成され、
前記画素電極との間で補助容量を形成するシールド部材が、前記補助容量線から前記画素電極の両側辺に沿って一体に延設され、
前記画素電極の第1側辺と前記第1側辺に隣接する前記信号線との間隔と、前記画素電極の第2側辺と前記第2側辺に隣接する他の前記信号線との間隔を等しくするとともに、
前記画素電極と前記ドレイン電極との間で発生するカップリング容量と前記画素電極の第1側辺と前記第1側辺に隣接する前記信号線との間で発生するカップリング容量との和である第1のカップリング容量と、前記画素電極の第2側辺と前記第2側辺に隣接する他の前記信号線との間で発生する第2のカップリング容量とが等しくなるように、前記画素電極の第1側辺の前記シールド部材の長さと前記画素電極の第2側辺の前記シールド部材の長さとを相違させた
ことを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。A plurality of scanning lines and signal lines arranged so as to intersect on an insulating substrate, switching elements arranged at intersections of these scanning lines and signal lines, pixel electrodes connected to the switching elements, An array substrate including an auxiliary capacitance line provided below the pixel electrode in parallel with the scanning line and forming an auxiliary capacitance with the pixel electrode;
A counter substrate including a counter electrode arranged to face the array substrate,
In an active matrix liquid crystal display device including a liquid crystal held between the array substrate and the counter substrate,
A drain electrode of the switching element is formed from the signal line located on the first side of the pixel electrode toward the pixel electrode;
A shield member that forms an auxiliary capacitance with the pixel electrode is integrally extended from the auxiliary capacitance line along both sides of the pixel electrode,
The distance between the first side of the pixel electrode and the signal line adjacent to the first side, and the distance between the second side of the pixel electrode and another signal line adjacent to the second side. And
It is the sum of a coupling capacitance generated between the pixel electrode and the drain electrode and a coupling capacitance generated between a first side of the pixel electrode and the signal line adjacent to the first side. In order that a certain first coupling capacitance and a second coupling capacitance generated between a second side of the pixel electrode and another signal line adjacent to the second side are equal. An active matrix liquid crystal display device, wherein a length of the shield member on a first side of the pixel electrode is different from a length of the shield member on a second side of the pixel electrode.
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