JP3517374B2 - 非接触型ｉｃカードの製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子と平面
コイルが取り付けられたコアシートの両方の面にそれぞ
れオーバーシートが一体に装着されて成る非接触型ＩＣ
カードの製造方法に関する。
コイルが取り付けられたコアシートの両方の面にそれぞ
れオーバーシートが一体に装着されて成る非接触型ＩＣ
カードの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の非接触型ＩＣカード５０の概要構
成を図９を用いて説明する。コアシート５２は、ポリイ
ミド系樹脂で形成されている。そして、コアシート５２
の一方の面には平面コイル５４が形成されている。半導
体素子５６は、電極端子５８が形成された面（電極端子
形成面）がコアシート５２の一方の面に対向するように
コアシート５２の一方の面に搭載され、その電極端子５
８は平面コイル５４の各端子部５４ａ，５４ｂと電気的
に接続される。そして、コアシート５２の両方の面に
は、接着層６０が形成されたオーバーシート６２を装着
し、これらオーバーシート６２およびコアシート５２を
熱プレスにより加熱・加圧して一体的に形成される。
成を図９を用いて説明する。コアシート５２は、ポリイ
ミド系樹脂で形成されている。そして、コアシート５２
の一方の面には平面コイル５４が形成されている。半導
体素子５６は、電極端子５８が形成された面（電極端子
形成面）がコアシート５２の一方の面に対向するように
コアシート５２の一方の面に搭載され、その電極端子５
８は平面コイル５４の各端子部５４ａ，５４ｂと電気的
に接続される。そして、コアシート５２の両方の面に
は、接着層６０が形成されたオーバーシート６２を装着
し、これらオーバーシート６２およびコアシート５２を
熱プレスにより加熱・加圧して一体的に形成される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た構成では、コアシート５２の表面に半導体素子５６が
搭載され、かつその上下にさらにオーバーシート６２が
積層される構造となるため、非接触型ＩＣカードが厚く
なるという課題がある。また、コアシート５２の表面に
搭載された半導体素子５６によって、非接触型ＩＣカー
ド５０の表面に凸凹が生じてしまうという課題もある。
さらにコアシート５２には、高価なポリイミド系樹脂が
使用されているため、非接触型ＩＣカード５０の製品単
価が高価となるという課題もある。
た構成では、コアシート５２の表面に半導体素子５６が
搭載され、かつその上下にさらにオーバーシート６２が
積層される構造となるため、非接触型ＩＣカードが厚く
なるという課題がある。また、コアシート５２の表面に
搭載された半導体素子５６によって、非接触型ＩＣカー
ド５０の表面に凸凹が生じてしまうという課題もある。
さらにコアシート５２には、高価なポリイミド系樹脂が
使用されているため、非接触型ＩＣカード５０の製品単
価が高価となるという課題もある。
【０００４】従って、本発明は上記課題を解決すべくな
され、その目的とするところは、薄く、かつ表面に凹凸
が生じにくい非接触型ＩＣカードを製造する製造方法を
提供することにある。
され、その目的とするところは、薄く、かつ表面に凹凸
が生じにくい非接触型ＩＣカードを製造する製造方法を
提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、本発明は、樹脂材からなるコアシートに半
導体素子を収容可能な大きさの貫通穴を形成する工程
と、コアシートの一方の面に金属箔を接着 する工程と、
前記金属箔を、両端子部が前記貫通穴を跨いで掛け渡さ
れ、または前記貫通穴内に延出されるようなパターンで
エッチングし、コアシートの一方の面上に平面コイルを
形成する工程と、前記貫通穴内に、電極端子形成面を平
面コイル側に向けた状態で半導体素子を収容し、半導体
素子の各電極端子と平面コイルの各端子部とを電気的に
接続する工程と、樹脂材からなるオーバーシートを、前
記コアシートの両方の面に接着する工程とを含むことを
特徴とする。
するために、本発明は、樹脂材からなるコアシートに半
導体素子を収容可能な大きさの貫通穴を形成する工程
と、コアシートの一方の面に金属箔を接着 する工程と、
前記金属箔を、両端子部が前記貫通穴を跨いで掛け渡さ
れ、または前記貫通穴内に延出されるようなパターンで
エッチングし、コアシートの一方の面上に平面コイルを
形成する工程と、前記貫通穴内に、電極端子形成面を平
面コイル側に向けた状態で半導体素子を収容し、半導体
素子の各電極端子と平面コイルの各端子部とを電気的に
接続する工程と、樹脂材からなるオーバーシートを、前
記コアシートの両方の面に接着する工程とを含むことを
特徴とする。
【０００６】また、前記貫通穴内に、電極端子形成面を
平面コイル側に向けた状態で半導体素子を収容し、半導
体素子の各電極端子と平面コイルの各端子部とを電気的
に接続する工程の後に、前記貫通穴内に封止材を充填す
る工程を設けたことを特徴とすることで、半導体素子周
辺が封止材で補強された非接触型ＩＣカードとすること
ができる。
平面コイル側に向けた状態で半導体素子を収容し、半導
体素子の各電極端子と平面コイルの各端子部とを電気的
に接続する工程の後に、前記貫通穴内に封止材を充填す
る工程を設けたことを特徴とすることで、半導体素子周
辺が封止材で補強された非接触型ＩＣカードとすること
ができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る非接触型ＩＣ
カードの製造方法の好適な実施の形態を添付図面に基づ
いて詳細に説明する。まず、非接触型ＩＣカード１０の
構造について図４と図５を用いて説明する。なお、従来
例と同じ構成については同じ符号を付し、詳細な説明は
省略する。コアシート１２は樹脂材からなり、貫通穴１
４が形成されている。ここで樹脂材としては、ポリイミ
ド系樹脂よりも安価なＰＥＴ等のポリエチレン系樹脂を
用いると、非接触型ＩＣカード１０のコストの低減が図
れ、好ましい。また、コアシート１２の一方の面（図４
中の下面）には、平面コイル５４が形成されている。平
面コイル５４は、アルミニウムや銅等の金属材料で形成
され、その両端子部５４ａ，５４ｂは貫通穴１４内に配
置されている。詳細には、本実施の形態では、平面コイ
ル５４の各端子部５４ａ，５４ｂは貫通穴１４に掛け渡
されるように配置され、少なくとも半導体素子５６の電
極端子５８が接続される部位には金めっき等が施されて
いる。
カードの製造方法の好適な実施の形態を添付図面に基づ
いて詳細に説明する。まず、非接触型ＩＣカード１０の
構造について図４と図５を用いて説明する。なお、従来
例と同じ構成については同じ符号を付し、詳細な説明は
省略する。コアシート１２は樹脂材からなり、貫通穴１
４が形成されている。ここで樹脂材としては、ポリイミ
ド系樹脂よりも安価なＰＥＴ等のポリエチレン系樹脂を
用いると、非接触型ＩＣカード１０のコストの低減が図
れ、好ましい。また、コアシート１２の一方の面（図４
中の下面）には、平面コイル５４が形成されている。平
面コイル５４は、アルミニウムや銅等の金属材料で形成
され、その両端子部５４ａ，５４ｂは貫通穴１４内に配
置されている。詳細には、本実施の形態では、平面コイ
ル５４の各端子部５４ａ，５４ｂは貫通穴１４に掛け渡
されるように配置され、少なくとも半導体素子５６の電
極端子５８が接続される部位には金めっき等が施されて
いる。
【０００８】半導体素子５６は、コアシート１２の他方
の面（図４中の上面）側から貫通穴１４内に、電極端子
５８が形成された面（電極端子形成面）が平面コイル５
４側に向くように収容され、その一対の電極端子５８は
平面コイル５４の各端子部５４ａ，５４ｂと超音波ボン
ディングにより電気的に接続される。ここで５０ミクロ
ン程度の薄い半導体素子５６を使用すれば、一般的に厚
さが７５ミクロン程度のＰＥＴ材からなるコアシート１
２の表面から突出しない構造にすることができ、製造さ
れた非接触型ＩＣカード１０の表面に凸状部分が生じな
い。また、非接触型ＩＣカード１０の厚さも薄くでき
る。なお、凹凸が生じないようにするには、コアシート
１２の厚さと半導体素子５６の厚さ（電極端子５８を含
めた厚さ）を揃えることが望ましい。
の面（図４中の上面）側から貫通穴１４内に、電極端子
５８が形成された面（電極端子形成面）が平面コイル５
４側に向くように収容され、その一対の電極端子５８は
平面コイル５４の各端子部５４ａ，５４ｂと超音波ボン
ディングにより電気的に接続される。ここで５０ミクロ
ン程度の薄い半導体素子５６を使用すれば、一般的に厚
さが７５ミクロン程度のＰＥＴ材からなるコアシート１
２の表面から突出しない構造にすることができ、製造さ
れた非接触型ＩＣカード１０の表面に凸状部分が生じな
い。また、非接触型ＩＣカード１０の厚さも薄くでき
る。なお、凹凸が生じないようにするには、コアシート
１２の厚さと半導体素子５６の厚さ（電極端子５８を含
めた厚さ）を揃えることが望ましい。
【０００９】そして、半導体素子５６が貫通穴１４内に
収容されたコアシート１２の両方の面には、一方の面に
接着層６０を有する樹脂材で形成されたオーバーシート
６２が、接着層６０がコアシート１２側に位置するよう
にそれぞれ配置され、熱プレスにより加熱・加圧してコ
アシート１２と一体化されている。ここで樹脂材にはコ
アシート１２と同様に、ポリイミド系樹脂よりも安価な
ポリエチレン系樹脂を用いることが好ましい。
収容されたコアシート１２の両方の面には、一方の面に
接着層６０を有する樹脂材で形成されたオーバーシート
６２が、接着層６０がコアシート１２側に位置するよう
にそれぞれ配置され、熱プレスにより加熱・加圧してコ
アシート１２と一体化されている。ここで樹脂材にはコ
アシート１２と同様に、ポリイミド系樹脂よりも安価な
ポリエチレン系樹脂を用いることが好ましい。
【００１０】次に、非接触型ＩＣカード１０の製造工程
について図１〜図４を用いて説明する。第１工程とし
て、コアシート１２に貫通穴１４を形成する（図１参
照）。なお、貫通穴１４の形状や大きさは半導体素子５
６の外形形状を考慮して、半導体素子５６が収容可能な
大きさに決定する。また、非接触型ＩＣカード１０の表
面に凹凸ができるだけ生じないようにするためには、コ
アシート１２の厚さは半導体素子５６の厚さを考慮して
決定し、半導体素子５６の厚さと略同じ厚さとすること
が望ましい。第２工程として、コアシート１２の一方の
面（図１中の下面）に銅若しくはアルミニウム等の金属
箔１６を接着する（図２参照）。
について図１〜図４を用いて説明する。第１工程とし
て、コアシート１２に貫通穴１４を形成する（図１参
照）。なお、貫通穴１４の形状や大きさは半導体素子５
６の外形形状を考慮して、半導体素子５６が収容可能な
大きさに決定する。また、非接触型ＩＣカード１０の表
面に凹凸ができるだけ生じないようにするためには、コ
アシート１２の厚さは半導体素子５６の厚さを考慮して
決定し、半導体素子５６の厚さと略同じ厚さとすること
が望ましい。第２工程として、コアシート１２の一方の
面（図１中の下面）に銅若しくはアルミニウム等の金属
箔１６を接着する（図２参照）。
【００１１】第３工程として、金属箔１６を所定のパタ
ーンでエッチングし、コアシート１２の一方の面上に平
面コイル５４を形成する。平面コイル５４の平面形状は
一例として図５に示す形状が考えられ、その一部分が貫
通穴１４に掛け渡されるように配置される。特に、本実
施の形態の平面コイル５４では、詳細には図６に示すよ
うにその各端子部５４ａ，５４ｂも貫通穴１４に掛け渡
される構造となっているが、例えば図７に示すように貫
通穴１４に掛け渡さず、各端子部５４ａ，５４ｂが貫通
穴１４内に延出される構造とすることも可能である。ま
た、各端子部５４ａ，５４ｂには、必要に応じて金めっ
き等のめっきを施すようにしても良い。第４工程とし
て、貫通穴１４内に、電極端子形成面を平面コイル５４
側に向けた状態で半導体素子５６を収容する（図３参
照）。収容は、電極端子形成面に形成された一対の電極
端子５８が、平面コイル５４の各端子部５４ａ，５４ｂ
と接触するように位置決めしながら行う。そして、超音
波ボンディングにより、半導体素子５６の各電極端子５
８と平面コイル５４の各端子部５４ａ，５４ｂとを電気
的に接続する。第５工程として、ポリエチレン系樹脂で
形成され、一方の面のみに接着層６０を備えたオーバー
シート６２を、半導体素子５６が貫通穴１４内に収容さ
れたコアシート１２の両方の面に、熱プレス等の手法に
より接着する（図４参照）。これにより、図４に示す非
接触型ＩＣカード１０が製造される。
ーンでエッチングし、コアシート１２の一方の面上に平
面コイル５４を形成する。平面コイル５４の平面形状は
一例として図５に示す形状が考えられ、その一部分が貫
通穴１４に掛け渡されるように配置される。特に、本実
施の形態の平面コイル５４では、詳細には図６に示すよ
うにその各端子部５４ａ，５４ｂも貫通穴１４に掛け渡
される構造となっているが、例えば図７に示すように貫
通穴１４に掛け渡さず、各端子部５４ａ，５４ｂが貫通
穴１４内に延出される構造とすることも可能である。ま
た、各端子部５４ａ，５４ｂには、必要に応じて金めっ
き等のめっきを施すようにしても良い。第４工程とし
て、貫通穴１４内に、電極端子形成面を平面コイル５４
側に向けた状態で半導体素子５６を収容する（図３参
照）。収容は、電極端子形成面に形成された一対の電極
端子５８が、平面コイル５４の各端子部５４ａ，５４ｂ
と接触するように位置決めしながら行う。そして、超音
波ボンディングにより、半導体素子５６の各電極端子５
８と平面コイル５４の各端子部５４ａ，５４ｂとを電気
的に接続する。第５工程として、ポリエチレン系樹脂で
形成され、一方の面のみに接着層６０を備えたオーバー
シート６２を、半導体素子５６が貫通穴１４内に収容さ
れたコアシート１２の両方の面に、熱プレス等の手法に
より接着する（図４参照）。これにより、図４に示す非
接触型ＩＣカード１０が製造される。
【００１２】また、上記第４工程と第５工程との間に、
貫通穴１４内に封止材１８を充填する工程を設けると、
図８に示すように半導体素子５６周辺が封止材１８で補
強された非接触型ＩＣカード２０とすることができる。
貫通穴１４内に封止材１８を充填する工程を設けると、
図８に示すように半導体素子５６周辺が封止材１８で補
強された非接触型ＩＣカード２０とすることができる。
【００１３】
【発明の効果】本発明に係る非接触型ＩＣカードの製造
方法によると、コアシートに設けた貫通穴内に半導体素
子が収容されるため、非接触型ＩＣカードが薄くできる
と共に、コアシートの厚さと半導体素子の厚さとを揃え
ることによって非接触型ＩＣカードの表面に凹凸が生じ
にくくなる。また、コアシートにポリイミド系樹脂より
も安価なポリエチレン系樹脂を使用することによって製
品単価を下げることができる。また、貫通穴内を封止材
で充填する構成とすると、半導体素子の補強が行え、曲
げや衝撃に対して強くなるという効果がある。
方法によると、コアシートに設けた貫通穴内に半導体素
子が収容されるため、非接触型ＩＣカードが薄くできる
と共に、コアシートの厚さと半導体素子の厚さとを揃え
ることによって非接触型ＩＣカードの表面に凹凸が生じ
にくくなる。また、コアシートにポリイミド系樹脂より
も安価なポリエチレン系樹脂を使用することによって製
品単価を下げることができる。また、貫通穴内を封止材
で充填する構成とすると、半導体素子の補強が行え、曲
げや衝撃に対して強くなるという効果がある。
【図１】本発明に係る非接触型ＩＣカードの一実施の形
態の製造工程を説明するための説明図である（第１工
程）。
態の製造工程を説明するための説明図である（第１工
程）。
【図２】第２工程を説明するための説明図である。
【図３】第３、第４工程を説明するための説明図であ
る。
る。
【図４】第５工程を説明するための説明図である。
【図５】図１の非接触型ＩＣカードの平面コイルと貫通
穴との位置関係を説明するための平面図である。
穴との位置関係を説明するための平面図である。
【図６】図５の貫通穴付近の拡大図である。
【図７】平面コイルの両端子部が貫通穴内に突出する構
成の非接触型ＩＣカードの貫通穴付近の拡大図である。
成の非接触型ＩＣカードの貫通穴付近の拡大図である。
【図８】本発明に係る非接触型ＩＣカードの他の実施の
形態の構成を説明するための説明図である。
形態の構成を説明するための説明図である。
【図９】従来の非接触型ＩＣカードの一例の構成を説明
するための説明図である。
するための説明図である。
１０ 非接触型ＩＣカード
１２ コアシート
１４ 貫通穴
５４ 平面コイル
５４ａ，５４ｂ 端子部
５６ 半導体素子
５８ 電極端子
６２ オーバーシート
Claims (2)
- 【請求項１】 樹脂材からなるコアシートに半導体素子
を収容可能な大きさの貫通穴を形成する工程と、 コアシートの一方の面に金属箔を接着する工程と、 前記金属箔を、両端子部が前記貫通穴を跨いで掛け渡さ
れ、または前記貫通穴内に延出されるようなパターンで
エッチングし、コアシートの一方の面上に平面コイルを
形成する工程と、 前記貫通穴内に、電極端子形成面を平面コイル側に向け
た状態で半導体素子を収容し、半導体素子の各電極端子
と平面コイルの各端子部とを電気的に接続する工程と、 樹脂材からなるオーバーシートを、前記コアシートの両
方の面に接着する工程とを含むことを特徴とする非接触
型ＩＣカードの製造方法。 - 【請求項２】 前記貫通穴内に、電極端子形成面を平面
コイル側に向けた状態で半導体素子を収容し、半導体素
子の各電極端子と平面コイルの各端子部とを電気的に接
続する工程の後に、 前記貫通穴内に封止材を充填する工程を設けたことを特
徴とする請求項１記載の非接触型ＩＣカードの製造方
法。
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|---|---|---|---|
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| US10/285,624 US20030057536A1 (en) | 1999-05-21 | 2002-11-01 | Non-contact type IC card |
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-
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- 2002-11-01 US US10/285,624 patent/US20030057536A1/en not_active Abandoned
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