JP3501698B2 - 反射型カラー液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
反射型カラー液晶表示装置及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、反射型カラー液
晶表示装置及びその製造方法に係り、詳しくは、液晶駆
動素子形成基板にカラーフィルタが設けられてなる反射
型カラー液晶表示装置及びその製造方法に関する。
晶表示装置及びその製造方法に係り、詳しくは、液晶駆
動素子形成基板にカラーフィルタが設けられてなる反射
型カラー液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】各種の情報機器等のディスプレイ装置と
して反射型カラー液晶表示装置が広く用いられている。
図１４は、従来の反射型カラー液晶表示装置の一例の構
成を示す断面図である。同反射型カラー液晶表示装置
は、同図に示すように、液晶を駆動するスイッチング素
子（駆動素子）として動作する薄膜トランジスタ（Thin
Film Transistor:ＴＦＴ）が形成された液晶駆動素子
形成基板１０１と、対向基板１０２と、両基板１０１、
１０２間に挟持された液晶１０３とから構成されてい
る。
して反射型カラー液晶表示装置が広く用いられている。
図１４は、従来の反射型カラー液晶表示装置の一例の構
成を示す断面図である。同反射型カラー液晶表示装置
は、同図に示すように、液晶を駆動するスイッチング素
子（駆動素子）として動作する薄膜トランジスタ（Thin
Film Transistor:ＴＦＴ）が形成された液晶駆動素子
形成基板１０１と、対向基板１０２と、両基板１０１、
１０２間に挟持された液晶１０３とから構成されてい
る。
【０００３】液晶駆動素子形成基板１０１は、図１４に
示すように、ガラス等から成る透明絶縁基板１０４と、
透明絶縁基板１０４上に形成されたアルミニウム又はア
ルミニウム合金等から成るゲート電極１０５及び反射板
１０６と、ゲート電極１０５及び反射板１０６上に形成
された窒化シリコン等から成るゲート絶縁膜１０７と、
ゲート電極１０５の上方のゲート絶縁膜１０７上に形成
された非晶質シリコン等から成る半導体層１０８と、半
導体層１０８の両端からそれぞれ引き出されたクロム等
から成るドレイン電極１０９及びソース電極１１０と、
ドレイン電極１０９、半導体層１０８及びソース電極１
１０を覆う窒化シリコン等から成る絶縁保護膜１１１と
を備えている。ここで、ゲート電極１０５、ゲート絶縁
膜１０７、半導体層１０８、ドレイン電極１０９及びソ
ース電極１１０により、ＴＦＴが構成されている。
示すように、ガラス等から成る透明絶縁基板１０４と、
透明絶縁基板１０４上に形成されたアルミニウム又はア
ルミニウム合金等から成るゲート電極１０５及び反射板
１０６と、ゲート電極１０５及び反射板１０６上に形成
された窒化シリコン等から成るゲート絶縁膜１０７と、
ゲート電極１０５の上方のゲート絶縁膜１０７上に形成
された非晶質シリコン等から成る半導体層１０８と、半
導体層１０８の両端からそれぞれ引き出されたクロム等
から成るドレイン電極１０９及びソース電極１１０と、
ドレイン電極１０９、半導体層１０８及びソース電極１
１０を覆う窒化シリコン等から成る絶縁保護膜１１１と
を備えている。ここで、ゲート電極１０５、ゲート絶縁
膜１０７、半導体層１０８、ドレイン電極１０９及びソ
ース電極１１０により、ＴＦＴが構成されている。
【０００４】さらに、液晶駆動素子形成基板１０１
は、、絶縁保護膜１１１上に形成されＴＦＴの光入射防
止及び表示に関係のない部分の遮光をするためのブラッ
クマトリクス１１２と、絶縁保護膜１１１上に形成され
たカラーフィルタ１１３と、ブラックマトリクス１１２
及びカラーフィルタ１１３を覆うアクリル系ポリマー等
から成る絶縁保護膜１１４と、絶縁保護膜１１４上にソ
ース電極１１０と接続されるように形成されたＩＴＯ
（Indium-Tin-Oxide)から成る画素電極１１５と、画素
電極１１５上に形成されたポリイミド等から成る液晶配
向層１１６とを備えている。
は、、絶縁保護膜１１１上に形成されＴＦＴの光入射防
止及び表示に関係のない部分の遮光をするためのブラッ
クマトリクス１１２と、絶縁保護膜１１１上に形成され
たカラーフィルタ１１３と、ブラックマトリクス１１２
及びカラーフィルタ１１３を覆うアクリル系ポリマー等
から成る絶縁保護膜１１４と、絶縁保護膜１１４上にソ
ース電極１１０と接続されるように形成されたＩＴＯ
（Indium-Tin-Oxide)から成る画素電極１１５と、画素
電極１１５上に形成されたポリイミド等から成る液晶配
向層１１６とを備えている。
【０００５】また、対向基板１０２は、ガラス等から成
る透明絶縁基板１２１と、透明絶縁基板１２１上に形成
されたＩＴＯ等から成る共通の対向電極１２２と、対向
電極１２２上に形成されたポリイミド等から成る液晶配
向層１２３とを備えている。
る透明絶縁基板１２１と、透明絶縁基板１２１上に形成
されたＩＴＯ等から成る共通の対向電極１２２と、対向
電極１２２上に形成されたポリイミド等から成る液晶配
向層１２３とを備えている。
【０００６】上述したような構成の従来の反射型カラー
液晶表示装置によれば、ブラックマトリクス１１２及び
カラーフィルタ１１３が液晶駆動素子形成基板１０１に
形成されているので、ブラックマトリクス１１２及びカ
ラーフィルタ１１３が対向基板１０２に形成されている
他の構成に比較して、液晶駆動素子形成基板１０１と対
向基板１０２との間に液晶１０３を挟持して反射型カラ
ー液晶表示装置を組み立てる場合に、両基板１０１、１
０２のずれを考慮した重ね合わせマージンをとる必要が
ないため、開口率を大きくすることができ、より明るい
表示を行うことが可能となっている。
液晶表示装置によれば、ブラックマトリクス１１２及び
カラーフィルタ１１３が液晶駆動素子形成基板１０１に
形成されているので、ブラックマトリクス１１２及びカ
ラーフィルタ１１３が対向基板１０２に形成されている
他の構成に比較して、液晶駆動素子形成基板１０１と対
向基板１０２との間に液晶１０３を挟持して反射型カラ
ー液晶表示装置を組み立てる場合に、両基板１０１、１
０２のずれを考慮した重ね合わせマージンをとる必要が
ないため、開口率を大きくすることができ、より明るい
表示を行うことが可能となっている。
【０００７】ここで、上述したような構成の反射型カラ
ー液晶表示装置において、特に白色を表示させる場合に
は、対向基板１０２側から入射した光を散乱させる光散
乱手段が必要になる。例えば特開平１１−８４４１５号
公報には、上述のような白色表示を行わせるようにした
反射型カラー液晶表示装置の一例が開示されている。同
反射型カラー液晶表示装置は、図１５に示すように、対
向基板１０２の透明絶縁基板１２１の外部に散乱板１２
５を設けるように構成されている。すなわち、同反射型
カラー液晶表示装置では、対向基板１０２のパネル外部
に設けた散乱板１２５を光散乱手段として機能させるこ
とにより、白色表示を行わせている。これ以外は、図１
４の構成と略同様であるので、図１５の対応する各部に
は同一の番号を付してその説明を省略する。
ー液晶表示装置において、特に白色を表示させる場合に
は、対向基板１０２側から入射した光を散乱させる光散
乱手段が必要になる。例えば特開平１１−８４４１５号
公報には、上述のような白色表示を行わせるようにした
反射型カラー液晶表示装置の一例が開示されている。同
反射型カラー液晶表示装置は、図１５に示すように、対
向基板１０２の透明絶縁基板１２１の外部に散乱板１２
５を設けるように構成されている。すなわち、同反射型
カラー液晶表示装置では、対向基板１０２のパネル外部
に設けた散乱板１２５を光散乱手段として機能させるこ
とにより、白色表示を行わせている。これ以外は、図１
４の構成と略同様であるので、図１５の対応する各部に
は同一の番号を付してその説明を省略する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
反射型カラー液晶表示装置では、光散乱手段を対向基板
の外部に設けているので、散乱の起点が液晶から遠い点
に設定されているため、コントラストが低下する、とい
う問題がある。図１７及び図１８は、コントラストが低
下する理由を概略的に説明する図である。光散乱手段と
して機能する散乱板１２５を対向基板１０２の外部に設
けた場合、外部から特定の入射光領域１３０に入射する
光１３１Ａ、１３１Ｂ、１３１Ｃ、…１３１Ｎは、図１
７に示すように、散乱板１２５と対向基板１０２との境
界部で乱反射して放射状に広がる。そして、乱反射した
一部の光は、液晶１０３Ｒ（Red）を通じてカラーフィ
ルタ１１３の例えばＲ画素１１３Ｒの端部に入射した
後、反射板１０６で反射されて隣接画素のカラーフィル
タであるＢ（Blue）画素１１３Ｂや隣接画素の液晶１０
３Ｂを通過して正常でない光１３１Ｘとなって出射す
る。本来ならば、Ｒ画素１１３Ｒに入射された光は反射
板１０６で反射された後も、Ｒ画素のカラーフィルタ１
１３Ｒ及び液晶１０３Ｒのみを通過して正常な光１３１
Ｚとなって出射されるのが望ましい。上述して明らかな
ように、特定の入射光領域１３０は、混色や制御不能な
光を発生するのに寄与していることになる。
反射型カラー液晶表示装置では、光散乱手段を対向基板
の外部に設けているので、散乱の起点が液晶から遠い点
に設定されているため、コントラストが低下する、とい
う問題がある。図１７及び図１８は、コントラストが低
下する理由を概略的に説明する図である。光散乱手段と
して機能する散乱板１２５を対向基板１０２の外部に設
けた場合、外部から特定の入射光領域１３０に入射する
光１３１Ａ、１３１Ｂ、１３１Ｃ、…１３１Ｎは、図１
７に示すように、散乱板１２５と対向基板１０２との境
界部で乱反射して放射状に広がる。そして、乱反射した
一部の光は、液晶１０３Ｒ（Red）を通じてカラーフィ
ルタ１１３の例えばＲ画素１１３Ｒの端部に入射した
後、反射板１０６で反射されて隣接画素のカラーフィル
タであるＢ（Blue）画素１１３Ｂや隣接画素の液晶１０
３Ｂを通過して正常でない光１３１Ｘとなって出射す
る。本来ならば、Ｒ画素１１３Ｒに入射された光は反射
板１０６で反射された後も、Ｒ画素のカラーフィルタ１
１３Ｒ及び液晶１０３Ｒのみを通過して正常な光１３１
Ｚとなって出射されるのが望ましい。上述して明らかな
ように、特定の入射光領域１３０は、混色や制御不能な
光を発生するのに寄与していることになる。
【０００９】図１８に示した光１３４のように、２色の
カラーフィルタにまたがって光が通過することは混色が
生じることを意味しており、本来Ｒ色が表示されるべき
ところを、Ｒ色とＧ色とが混合した色が表示されるよう
になる。また、２つの画素領域の液晶を通過すること
は、異なった制御をされた液晶層１０３Ｒ及び１０３Ｂ
を通過して、位相差の予測できない制御不能な光１３５
が発生するようになるので、例えばＲ画素１１３Ｒが黒
表示しようとしても、黒表示時の輝度が上昇してしまう
ようになる。もちろん、光１３６のように隣接画素のカ
ラーフィルタと液晶のどちらをも通過する場合は、混色
と制御不能な光の発生が同時に生じている。このような
混色の度合い、あるいは制御不能な光の発生の度合い
は、上述したような正常でない光１３１Ｘと同様な経路
をたどる光が増加するほど大きくなり、結果的にコント
ラストが低下するようになる。このコントラストの低下
は、散乱板１２５により引き起こされる散乱の起点、す
なわち、散乱板１２５の存在している位置が液晶１０３
から遠くなるほど顕著になる。
カラーフィルタにまたがって光が通過することは混色が
生じることを意味しており、本来Ｒ色が表示されるべき
ところを、Ｒ色とＧ色とが混合した色が表示されるよう
になる。また、２つの画素領域の液晶を通過すること
は、異なった制御をされた液晶層１０３Ｒ及び１０３Ｂ
を通過して、位相差の予測できない制御不能な光１３５
が発生するようになるので、例えばＲ画素１１３Ｒが黒
表示しようとしても、黒表示時の輝度が上昇してしまう
ようになる。もちろん、光１３６のように隣接画素のカ
ラーフィルタと液晶のどちらをも通過する場合は、混色
と制御不能な光の発生が同時に生じている。このような
混色の度合い、あるいは制御不能な光の発生の度合い
は、上述したような正常でない光１３１Ｘと同様な経路
をたどる光が増加するほど大きくなり、結果的にコント
ラストが低下するようになる。このコントラストの低下
は、散乱板１２５により引き起こされる散乱の起点、す
なわち、散乱板１２５の存在している位置が液晶１０３
から遠くなるほど顕著になる。
【００１０】また、従来の構成の反射型カラー液晶表示
装置では、光を出射させる場合に、視認性が低下する。
図１６は、視認性が低下する理由を概略的に説明する図
である。観察者が例えば正面位置１３２から観察した場
合、反射板１０６で反射されて出射される光は正面位置
１３２に向かう正常な光１３３以外に、画素の境界から
斜め方向に向かう光１３７が発生して、この光１３７が
散乱板１２５により散乱されてその一部が正面位置１３
２に向かう光１３８となる。したがって、観察者は光１
３３と光１３８との間の距離だけずれた表示像を観察す
るようになり、ぼけた二重像を観察する結果となるの
で、視認性を低下させることになる。
装置では、光を出射させる場合に、視認性が低下する。
図１６は、視認性が低下する理由を概略的に説明する図
である。観察者が例えば正面位置１３２から観察した場
合、反射板１０６で反射されて出射される光は正面位置
１３２に向かう正常な光１３３以外に、画素の境界から
斜め方向に向かう光１３７が発生して、この光１３７が
散乱板１２５により散乱されてその一部が正面位置１３
２に向かう光１３８となる。したがって、観察者は光１
３３と光１３８との間の距離だけずれた表示像を観察す
るようになり、ぼけた二重像を観察する結果となるの
で、視認性を低下させることになる。
【００１１】この発明は、上述の事情に鑑みてなされた
もので、光散乱手段を設けて白色を表示させる場合、コ
ントラスト及び視認性を向上させることができるように
した反射型カラー液晶表示装置及びその製造方法を提供
することを目的としている。
もので、光散乱手段を設けて白色を表示させる場合、コ
ントラスト及び視認性を向上させることができるように
した反射型カラー液晶表示装置及びその製造方法を提供
することを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、液晶駆動素子形成基板と対
向基板との間に液晶が挟持されてなる反射型カラー液晶
表示装置に係り、前記液晶駆動素子形成基板は、第１の
透明絶縁基板と、該第１の透明絶縁基板の上に形成され
たゲート電極及び反射板と、前記ゲート電極及び前記反
射板の上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート電極
の上方のゲート絶縁膜上に形成された半導体層と、前記
半導体層の両端からそれぞれ引き出されたドレイン電極
及びソース電極と、前記ドレイン電極、前記半導体層及
び前記ソース電極を覆う第１絶縁保護膜と、該第１絶縁
保護膜の上に形成されたカラーフィルタと、該カラーフ
ィルタを覆う第２絶縁保護膜と、該第２絶縁保護膜の上
に前記ソース電極と接続される態様で形成された画素電
極とを有してなる一方、前記対向基板は、第２の透明絶
縁基板からなり、かつ、該第２の透明絶縁基板の前記液
晶に面する側の表面が、光散乱面として処理されている
ことを特徴としている。
に、請求項１記載の発明は、液晶駆動素子形成基板と対
向基板との間に液晶が挟持されてなる反射型カラー液晶
表示装置に係り、前記液晶駆動素子形成基板は、第１の
透明絶縁基板と、該第１の透明絶縁基板の上に形成され
たゲート電極及び反射板と、前記ゲート電極及び前記反
射板の上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート電極
の上方のゲート絶縁膜上に形成された半導体層と、前記
半導体層の両端からそれぞれ引き出されたドレイン電極
及びソース電極と、前記ドレイン電極、前記半導体層及
び前記ソース電極を覆う第１絶縁保護膜と、該第１絶縁
保護膜の上に形成されたカラーフィルタと、該カラーフ
ィルタを覆う第２絶縁保護膜と、該第２絶縁保護膜の上
に前記ソース電極と接続される態様で形成された画素電
極とを有してなる一方、前記対向基板は、第２の透明絶
縁基板からなり、かつ、該第２の透明絶縁基板の前記液
晶に面する側の表面が、光散乱面として処理されている
ことを特徴としている。
【００１３】請求項２記載の発明は、請求項１記載の反
射型カラー液晶表示装置に係り、前記光散乱面が、凹凸
面から構成されていることを特徴としている。
射型カラー液晶表示装置に係り、前記光散乱面が、凹凸
面から構成されていることを特徴としている。
【００１４】請求項３記載の発明は、請求項２記載の反
射型カラー液晶表示装置に係り、前記光散乱面を構成す
る凹凸面が、平坦化膜によって被覆されて平坦化されて
いることを特徴としている。
射型カラー液晶表示装置に係り、前記光散乱面を構成す
る凹凸面が、平坦化膜によって被覆されて平坦化されて
いることを特徴としている。
【００１５】請求項４記載の発明は、液晶駆動素子形成
基板と対向基板との間に液晶が挟持されてなる反射型カ
ラー液晶表示装置に係り、前記液晶駆動素子形成基板
は、第１の透明絶縁基板と、該第１の透明絶縁基板の上
に形成されたゲート電極及び反射板と、前記ゲート電極
及び前記反射板の上に形成されたゲート絶縁膜と、前記
ゲート電極の上方のゲート絶縁膜上に形成された半導体
層と、前記半導体層の両端からそれぞれ引き出されたド
レイン電極及びソース電極と、前記ドレイン電極、前記
半導体層及び前記ソース電極を覆う第１絶縁保護膜と、
該第１絶縁保護膜の上に形成されたカラーフィルタと、
該カラーフィルタを覆う第２絶縁保護膜と、該第２絶縁
保護膜の上に前記ソース電極と接続される態様で形成さ
れた画素電極とを有してなる一方、前記対向基板は、第
２の透明絶縁基板と、表面が散乱面として凹凸処理され
た凹凸状絶縁膜とからなり、かつ、該凹凸状絶縁膜は、
第２の透明絶縁基板の前記液晶に面する側の表面に形成
されていることを特徴としている。
基板と対向基板との間に液晶が挟持されてなる反射型カ
ラー液晶表示装置に係り、前記液晶駆動素子形成基板
は、第１の透明絶縁基板と、該第１の透明絶縁基板の上
に形成されたゲート電極及び反射板と、前記ゲート電極
及び前記反射板の上に形成されたゲート絶縁膜と、前記
ゲート電極の上方のゲート絶縁膜上に形成された半導体
層と、前記半導体層の両端からそれぞれ引き出されたド
レイン電極及びソース電極と、前記ドレイン電極、前記
半導体層及び前記ソース電極を覆う第１絶縁保護膜と、
該第１絶縁保護膜の上に形成されたカラーフィルタと、
該カラーフィルタを覆う第２絶縁保護膜と、該第２絶縁
保護膜の上に前記ソース電極と接続される態様で形成さ
れた画素電極とを有してなる一方、前記対向基板は、第
２の透明絶縁基板と、表面が散乱面として凹凸処理され
た凹凸状絶縁膜とからなり、かつ、該凹凸状絶縁膜は、
第２の透明絶縁基板の前記液晶に面する側の表面に形成
されていることを特徴としている。
【００１６】請求項５記載の発明は、請求項４記載の反
射型カラー液晶表示装置に係り、前記凹凸状絶縁膜が、
該凹凸状絶縁膜と屈折率を異にすることで散乱を助ける
散乱補助膜によって被覆されていることを特徴としてい
る。
射型カラー液晶表示装置に係り、前記凹凸状絶縁膜が、
該凹凸状絶縁膜と屈折率を異にすることで散乱を助ける
散乱補助膜によって被覆されていることを特徴としてい
る。
【００１７】請求項６記載の発明は、請求項４記載の反
射型カラー液晶表示装置に係り、前記凹凸状絶縁膜の屈
折率が、前記散乱補助膜のそれより大きいことを特徴と
している。
射型カラー液晶表示装置に係り、前記凹凸状絶縁膜の屈
折率が、前記散乱補助膜のそれより大きいことを特徴と
している。
【００１８】請求項７記載の発明は、請求項４記載の反
射型カラー液晶表示装置に係り、前記凹凸状絶縁膜が、
平坦化膜によって被覆されて平坦化されていることを特
徴としている。
射型カラー液晶表示装置に係り、前記凹凸状絶縁膜が、
平坦化膜によって被覆されて平坦化されていることを特
徴としている。
【００１９】請求項８記載の発明は、請求項７記載の反
射型カラー液晶表示装置に係り、前記平坦化膜が、該凹
凸状絶縁膜と屈折率を異にすることで散乱を助ける散乱
補助膜を兼ねることを特徴としている。
射型カラー液晶表示装置に係り、前記平坦化膜が、該凹
凸状絶縁膜と屈折率を異にすることで散乱を助ける散乱
補助膜を兼ねることを特徴としている。
【００２０】また、請求項９記載の発明は、液晶駆動素
子形成基板と対向基板との間に液晶が挟持されてなる反
射型カラー液晶表示装置の製造方法に係り、第１の透明
絶縁基板の上にゲート電極及び反射板を形成する工程
と、前記ゲート電極及び前記反射板の上にゲート絶縁膜
を形成する工程と、前記ゲート電極の上方の前記ゲート
絶縁膜の上に半導体層を形成する工程と、該半導体層の
両端からそれぞれ引き出されたドレイン電極及びソース
電極を形成する工程と、前記ドレイン電極、前記半導体
層及び前記ソース電極を覆う第１絶縁保護膜とを形成す
る工程と、前記第１絶縁保護膜の上の所定の領域にブラ
ックマトリクスを形成する工程と、前記第１絶縁保護膜
の上の所定の領域にカラーフィルタを形成する工程と、
前記ブラックマトリクス及び前記カラーフィルタを覆う
第２絶縁保護膜を形成する工程と、前記第２絶縁保護膜
の上に前記ソース電極と接続される態様で形成された透
明導電膜からなる画素電極を形成する工程と、前記画素
電極の上に液晶配向層を形成する工程とを経て前記液晶
駆動素子形成基板を形成する一方、第２の透明絶縁基板
の一方の表面を、直接又は絶縁層を介して、光散乱面に
仕上げることで、前記対向基板を形成した後、前記第２
の透明絶縁基板の前記光散乱面が前記液晶に面する態様
で、前記液晶駆動素子形成基板と前記対向基板との間に
液晶を挟持することを特徴としている。
子形成基板と対向基板との間に液晶が挟持されてなる反
射型カラー液晶表示装置の製造方法に係り、第１の透明
絶縁基板の上にゲート電極及び反射板を形成する工程
と、前記ゲート電極及び前記反射板の上にゲート絶縁膜
を形成する工程と、前記ゲート電極の上方の前記ゲート
絶縁膜の上に半導体層を形成する工程と、該半導体層の
両端からそれぞれ引き出されたドレイン電極及びソース
電極を形成する工程と、前記ドレイン電極、前記半導体
層及び前記ソース電極を覆う第１絶縁保護膜とを形成す
る工程と、前記第１絶縁保護膜の上の所定の領域にブラ
ックマトリクスを形成する工程と、前記第１絶縁保護膜
の上の所定の領域にカラーフィルタを形成する工程と、
前記ブラックマトリクス及び前記カラーフィルタを覆う
第２絶縁保護膜を形成する工程と、前記第２絶縁保護膜
の上に前記ソース電極と接続される態様で形成された透
明導電膜からなる画素電極を形成する工程と、前記画素
電極の上に液晶配向層を形成する工程とを経て前記液晶
駆動素子形成基板を形成する一方、第２の透明絶縁基板
の一方の表面を、直接又は絶縁層を介して、光散乱面に
仕上げることで、前記対向基板を形成した後、前記第２
の透明絶縁基板の前記光散乱面が前記液晶に面する態様
で、前記液晶駆動素子形成基板と前記対向基板との間に
液晶を挟持することを特徴としている。
【００２１】請求項１０記載の発明は、請求項９記載の
反射型カラー液晶表示装置の製造方法に係り、前記第２
の透明絶縁基板の一方の表面を、直接又は絶縁層を介し
て、凹凸処理することで、前記光散乱面に仕上げること
を特徴としている。
反射型カラー液晶表示装置の製造方法に係り、前記第２
の透明絶縁基板の一方の表面を、直接又は絶縁層を介し
て、凹凸処理することで、前記光散乱面に仕上げること
を特徴としている。
【００２２】請求項１１記載の発明は、請求項１０記載
の反射型カラー液晶表示装置の製造方法に係り、前記第
２の透明絶縁基板の一方の表面を、直接又は絶縁層を介
して、かつ、サンドブラスト法、又はフォトエッチング
法を含む加工方法を用いて凹凸処理することで、前記光
散乱面に仕上げることを特徴としている。
の反射型カラー液晶表示装置の製造方法に係り、前記第
２の透明絶縁基板の一方の表面を、直接又は絶縁層を介
して、かつ、サンドブラスト法、又はフォトエッチング
法を含む加工方法を用いて凹凸処理することで、前記光
散乱面に仕上げることを特徴としている。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施の形態について説明する。説明は実施例を用いて
具体的に行う。 ◇第１実施例 図１は、この発明の第１実施例である反射型カラー液晶
表示装置の構成を示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ矢視
断面図、図３は同反射型カラー液晶表示装置においてコ
ントラストが向上する理由を概略的に説明する図、また
図４は同反射型カラー液晶表示装置において視認性に優
れた理由を概略的に説明する図、図５及び図６は同反射
型カラー液晶表示装置の製造方法を工程順に示す工程
図、図７及び図８は同反射型カラー液晶表示装置の製造
方法において光散乱手段を形成する加工方法の例を示す
図である。この例の反射型カラー液晶表示装置は、図１
及び図２に示すように、液晶を駆動するスイッチング素
子（駆動素子）として動作するＴＦＴが形成された液晶
駆動素子形成基板１と、対向基板２と、両基板１、２間
に挟持された液晶３とから構成されている。
の実施の形態について説明する。説明は実施例を用いて
具体的に行う。 ◇第１実施例 図１は、この発明の第１実施例である反射型カラー液晶
表示装置の構成を示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ矢視
断面図、図３は同反射型カラー液晶表示装置においてコ
ントラストが向上する理由を概略的に説明する図、また
図４は同反射型カラー液晶表示装置において視認性に優
れた理由を概略的に説明する図、図５及び図６は同反射
型カラー液晶表示装置の製造方法を工程順に示す工程
図、図７及び図８は同反射型カラー液晶表示装置の製造
方法において光散乱手段を形成する加工方法の例を示す
図である。この例の反射型カラー液晶表示装置は、図１
及び図２に示すように、液晶を駆動するスイッチング素
子（駆動素子）として動作するＴＦＴが形成された液晶
駆動素子形成基板１と、対向基板２と、両基板１、２間
に挟持された液晶３とから構成されている。
【００２４】液晶駆動素子形成基板１は、図１及び図２
に示すように、ガラス等から成る第１の透明絶縁基板４
と、第１の透明絶縁基板４上に形成されたアルミニウム
又はアルミニウム合金等から成るゲート電極５及び反射
板６と、ゲート電極５及び反射板６上に形成された窒化
シリコン等から成るゲート絶縁膜７と、ゲート電極５の
上方のゲート絶縁膜７上に形成された非晶質シリコン等
から成る半導体層８と、半導体層８の両端からそれぞれ
引き出されたクロム等から成るドレイン電極９及びソー
ス電極１０と、ドレイン電極９、半導体層８及びソース
電極１０を覆う窒化シリコン等から成る絶縁保護膜１１
とを備えている。ここで、ゲート電極５、ゲート絶縁膜
７、半導体層８、ドレイン電極９及びソース電極１０に
より、ＴＦＴが構成されている。
に示すように、ガラス等から成る第１の透明絶縁基板４
と、第１の透明絶縁基板４上に形成されたアルミニウム
又はアルミニウム合金等から成るゲート電極５及び反射
板６と、ゲート電極５及び反射板６上に形成された窒化
シリコン等から成るゲート絶縁膜７と、ゲート電極５の
上方のゲート絶縁膜７上に形成された非晶質シリコン等
から成る半導体層８と、半導体層８の両端からそれぞれ
引き出されたクロム等から成るドレイン電極９及びソー
ス電極１０と、ドレイン電極９、半導体層８及びソース
電極１０を覆う窒化シリコン等から成る絶縁保護膜１１
とを備えている。ここで、ゲート電極５、ゲート絶縁膜
７、半導体層８、ドレイン電極９及びソース電極１０に
より、ＴＦＴが構成されている。
【００２５】さらに、液晶駆動素子形成基板１は、絶縁
保護膜１１上に形成されＴＦＴの光入射防止及び表示に
関係のない部分の遮光をするためのブラックマトリクス
１２と、絶縁保護膜１１上に形成されたカラーフィルタ
１３と、ブラックマトリクス１２及びカラーフィルタ１
３を覆うアクリル系ポリマー等から成る絶縁保護膜１４
と、絶縁保護膜１４上にソース電極１０と接続されるよ
うに形成されたＩＴＯから成る画素電極１５と、画素電
極１５上に形成されたポリイミド等から成る液晶配向層
１６とを備えている。
保護膜１１上に形成されＴＦＴの光入射防止及び表示に
関係のない部分の遮光をするためのブラックマトリクス
１２と、絶縁保護膜１１上に形成されたカラーフィルタ
１３と、ブラックマトリクス１２及びカラーフィルタ１
３を覆うアクリル系ポリマー等から成る絶縁保護膜１４
と、絶縁保護膜１４上にソース電極１０と接続されるよ
うに形成されたＩＴＯから成る画素電極１５と、画素電
極１５上に形成されたポリイミド等から成る液晶配向層
１６とを備えている。
【００２６】また、対向基板２は、液晶３側に凹凸部２
４が形成されたガラス等から成る第２の透明絶縁基板２
１と、第２の透明絶縁基板２１の凹凸部２４を覆うよう
に形成されたアクリル、ポリイミド等から成る平坦化膜
２５と、平坦化膜２５上に形成されたＩＴＯ等から成る
共通の対向電極２２と、対向電極２２上に形成されたポ
リイミド等から成る液晶配向層２３とを備えている。こ
こで、第２の透明絶縁基板２１の凹凸部２４は平坦化膜
２５で覆われて、光散乱手段を構成している。すなわ
ち、この例では、対向基板２の液晶３側に光散乱手段を
設けたことを特徴としている。
４が形成されたガラス等から成る第２の透明絶縁基板２
１と、第２の透明絶縁基板２１の凹凸部２４を覆うよう
に形成されたアクリル、ポリイミド等から成る平坦化膜
２５と、平坦化膜２５上に形成されたＩＴＯ等から成る
共通の対向電極２２と、対向電極２２上に形成されたポ
リイミド等から成る液晶配向層２３とを備えている。こ
こで、第２の透明絶縁基板２１の凹凸部２４は平坦化膜
２５で覆われて、光散乱手段を構成している。すなわ
ち、この例では、対向基板２の液晶３側に光散乱手段を
設けたことを特徴としている。
【００２７】ここで、第２の透明絶縁基板２１の表面の
高低差は液晶３の膜厚を均一にするため、１mm以下が望
ましい。このためには、凹凸部２４の高低差を十分に覆
うことができる膜厚の平坦化膜２５が必要である。ま
た、凹凸部２４の頂部２４Ａと谷部２４Ｂとの間の高低
差は、液晶３の厚さ（３〜１０μｍ）に比べて、同程度
あるいはそれ以下になっていることが望ましい。この理
由としては、液晶駆動素子形成基板１と対向基板２との
間に液晶３を挟持して反射型カラー液晶表示装置を組み
立てる場合に、万一平坦化膜２５の不良等が原因で凹凸
部２４を十分に平坦化しきれなかった場合、液晶駆動素
子形成基板１に到達して傷をつけないようにするためで
ある。第２の透明絶縁基板２１の凹凸部２４は、後述す
るようにサンドブラスト法、又はフォトエッチング法等
の加工方法により形成される。
高低差は液晶３の膜厚を均一にするため、１mm以下が望
ましい。このためには、凹凸部２４の高低差を十分に覆
うことができる膜厚の平坦化膜２５が必要である。ま
た、凹凸部２４の頂部２４Ａと谷部２４Ｂとの間の高低
差は、液晶３の厚さ（３〜１０μｍ）に比べて、同程度
あるいはそれ以下になっていることが望ましい。この理
由としては、液晶駆動素子形成基板１と対向基板２との
間に液晶３を挟持して反射型カラー液晶表示装置を組み
立てる場合に、万一平坦化膜２５の不良等が原因で凹凸
部２４を十分に平坦化しきれなかった場合、液晶駆動素
子形成基板１に到達して傷をつけないようにするためで
ある。第２の透明絶縁基板２１の凹凸部２４は、後述す
るようにサンドブラスト法、又はフォトエッチング法等
の加工方法により形成される。
【００２８】上述したように、この例の構成によれば、
対向基板２の液晶３側に光散乱手段を設けるようにした
ので、対向基板２における散乱の起点を液晶３から近い
点に設定できるため、混色や制御不能な光等の望ましく
ない光の発生が減少し、コントラストを向上させること
ができるようになる。
対向基板２の液晶３側に光散乱手段を設けるようにした
ので、対向基板２における散乱の起点を液晶３から近い
点に設定できるため、混色や制御不能な光等の望ましく
ない光の発生が減少し、コントラストを向上させること
ができるようになる。
【００２９】図３は、この例においてコントラストが向
上する理由を概略的に説明する図である。第２の透明絶
縁基板２１の液晶３側に凹凸部２４及び平坦化膜２５か
ら成る光散乱手段を設けたことにより、図１７と比較し
て明らかなように、散乱の起点は液晶３から近い点に設
定される。したがって、外部から特定の入射光領域３０
に入射する光３１Ａ、３１Ｂ、３１Ｃは、光散乱手段を
構成している凹凸部２４で乱反射して反射板６で反射さ
れて隣接画素のカラーフィルタであるＢ画素１３Ｂ、隣
接画素の液晶３Ｂを通過して正常でない光３１Ｘとなっ
て出射するが、図１７と比較して明らかなように、この
ようにして出射する正常でない光３１Ｘの量は減少す
る。一方、Ｒ画素１３Ｒに入射されて反射板１０で反射
された後も、Ｒ画素１３Ｒ及び液晶３Ｒのみを通過して
出射する正常な光３１Ｚの量は増加する。すなわち、混
色や制御不能な光を発生するのに寄与する特定の入射光
領域３０の幅は、従来よりも狭くなる。これにより、混
色や制御不能な光の発生の度合いを小さくすることがで
きる。したがって、コントラストや色度再現域が向上す
る。
上する理由を概略的に説明する図である。第２の透明絶
縁基板２１の液晶３側に凹凸部２４及び平坦化膜２５か
ら成る光散乱手段を設けたことにより、図１７と比較し
て明らかなように、散乱の起点は液晶３から近い点に設
定される。したがって、外部から特定の入射光領域３０
に入射する光３１Ａ、３１Ｂ、３１Ｃは、光散乱手段を
構成している凹凸部２４で乱反射して反射板６で反射さ
れて隣接画素のカラーフィルタであるＢ画素１３Ｂ、隣
接画素の液晶３Ｂを通過して正常でない光３１Ｘとなっ
て出射するが、図１７と比較して明らかなように、この
ようにして出射する正常でない光３１Ｘの量は減少す
る。一方、Ｒ画素１３Ｒに入射されて反射板１０で反射
された後も、Ｒ画素１３Ｒ及び液晶３Ｒのみを通過して
出射する正常な光３１Ｚの量は増加する。すなわち、混
色や制御不能な光を発生するのに寄与する特定の入射光
領域３０の幅は、従来よりも狭くなる。これにより、混
色や制御不能な光の発生の度合いを小さくすることがで
きる。したがって、コントラストや色度再現域が向上す
る。
【００３０】また、この例の構成によれば、光を出射さ
せる場合に、視認性を向上させることができる。図４
は、この例において視認性が向上する理由を概略的に説
明する図である。観察者が例えば正面位置３２から観察
した場合、反射板６で反射されて出射される光は正面位
置３２に向かう光３３以外に、画素の境界から斜め方向
に向かう光３７が発生して、この光３７が第２の透明絶
縁基板２１の凹凸部２４により散乱されてその一部が正
面位置３２に向かう３８となる。この場合、第２の透明
絶縁基板２１の凹凸部２４を液晶３側に形成して、従来
例に比較して散乱の起点を液晶３から近い点に設定して
いるので、図１６と比較して明らかなように、光３３と
光３８との距離は小さくなるので、その分表示像のぼけ
の度合いを小さくすることができる。したがって、視認
性を向上させることができるようになる。
せる場合に、視認性を向上させることができる。図４
は、この例において視認性が向上する理由を概略的に説
明する図である。観察者が例えば正面位置３２から観察
した場合、反射板６で反射されて出射される光は正面位
置３２に向かう光３３以外に、画素の境界から斜め方向
に向かう光３７が発生して、この光３７が第２の透明絶
縁基板２１の凹凸部２４により散乱されてその一部が正
面位置３２に向かう３８となる。この場合、第２の透明
絶縁基板２１の凹凸部２４を液晶３側に形成して、従来
例に比較して散乱の起点を液晶３から近い点に設定して
いるので、図１６と比較して明らかなように、光３３と
光３８との距離は小さくなるので、その分表示像のぼけ
の度合いを小さくすることができる。したがって、視認
性を向上させることができるようになる。
【００３１】次に、図５及び図６を参照して、同反射型
カラー液晶表示装置の製造方法について工程順に説明す
る。まず、図５（ａ）に示すように、ガラス等から成る
第１の透明絶縁基板４を用いて、スパッタ法により、全
面にアルミニウムを形成した後、周知のフォトリソグラ
フィ法によりアルミニウムをパターニングして所望の形
状のゲート電極５及び反射板６を同時に形成する。アル
ミニウムは反射率の高い材料なので反射板として優れた
特性を発揮する。なお、純粋なアルミニウムはヒロック
を生じ易いので、数％のネオジウム等の他の材料を混入
させてアルミニウム合金を用いることが好ましい。
カラー液晶表示装置の製造方法について工程順に説明す
る。まず、図５（ａ）に示すように、ガラス等から成る
第１の透明絶縁基板４を用いて、スパッタ法により、全
面にアルミニウムを形成した後、周知のフォトリソグラ
フィ法によりアルミニウムをパターニングして所望の形
状のゲート電極５及び反射板６を同時に形成する。アル
ミニウムは反射率の高い材料なので反射板として優れた
特性を発揮する。なお、純粋なアルミニウムはヒロック
を生じ易いので、数％のネオジウム等の他の材料を混入
させてアルミニウム合金を用いることが好ましい。
【００３２】次に、ＣＶＤ(Chemical Vapor Depositio
n)法により、全面に窒化シリコンを形成してゲート絶縁
膜７を形成する。次に、ＣＶＤ法により、全面にＮ型の
非晶質シリコンを形成した後、フォトリソグラフィ法に
より非晶質シリコンをパターニングして、ゲート電極５
の上方のゲート絶縁膜７上に半導体層８を形成する。次
に、スパッタ法により、全面にクロムを形成した後、フ
ォトリソグラフィ法によりクロムをパターニングして、
ドレイン電極９及びソース電極１０を形成する。次に、
ＣＶＤ法により、全面に窒化シリコンを形成して絶縁保
護膜１１を形成する。この絶縁保護膜１１は、半導体層
８を外部雰囲気から保護するために形成している。以上
により、第１の透明絶縁基板４上にゲート電極５、ゲー
ト絶縁膜７、半導体層８、ドレイン電極９及びソース電
極１０から構成されたＴＦＴを形成する。
n)法により、全面に窒化シリコンを形成してゲート絶縁
膜７を形成する。次に、ＣＶＤ法により、全面にＮ型の
非晶質シリコンを形成した後、フォトリソグラフィ法に
より非晶質シリコンをパターニングして、ゲート電極５
の上方のゲート絶縁膜７上に半導体層８を形成する。次
に、スパッタ法により、全面にクロムを形成した後、フ
ォトリソグラフィ法によりクロムをパターニングして、
ドレイン電極９及びソース電極１０を形成する。次に、
ＣＶＤ法により、全面に窒化シリコンを形成して絶縁保
護膜１１を形成する。この絶縁保護膜１１は、半導体層
８を外部雰囲気から保護するために形成している。以上
により、第１の透明絶縁基板４上にゲート電極５、ゲー
ト絶縁膜７、半導体層８、ドレイン電極９及びソース電
極１０から構成されたＴＦＴを形成する。
【００３３】次に、図５（ｂ）に示すように、例えばア
クリル系の感光性ポリマー中に黒色の顔料を添加したブ
ラックレジストを全面に塗布した後、フォトリソグラフ
ィ法によりブラックレジストをパターニングして、ＴＦ
Ｔの表面を覆うようにブラックマトリクス１２を形成す
る。このブラックマトリクス１２は、ＴＦＴの耐光性が
十分な場合には、必ずしも必要ではない。次に、例えば
アクリル系の感光性ポリマー中に赤色（Red）、緑色（G
reen）、青色（Blue）の顔料を添加したレジストを全面
に塗布した後、フォトリソグラフィ法によりそのレジス
トをパターニングして、絶縁保護膜１１上にカラーフィ
ルタ１３を形成する。次に、例えばアクリル系ポリマー
から成る絶縁保護膜１４を形成する。この絶縁保護膜１
４は、後述のように形成する液晶３にカラーフィルタ１
３からのイオン等の有害な物質が混入するのを防止する
ために形成している。
クリル系の感光性ポリマー中に黒色の顔料を添加したブ
ラックレジストを全面に塗布した後、フォトリソグラフ
ィ法によりブラックレジストをパターニングして、ＴＦ
Ｔの表面を覆うようにブラックマトリクス１２を形成す
る。このブラックマトリクス１２は、ＴＦＴの耐光性が
十分な場合には、必ずしも必要ではない。次に、例えば
アクリル系の感光性ポリマー中に赤色（Red）、緑色（G
reen）、青色（Blue）の顔料を添加したレジストを全面
に塗布した後、フォトリソグラフィ法によりそのレジス
トをパターニングして、絶縁保護膜１１上にカラーフィ
ルタ１３を形成する。次に、例えばアクリル系ポリマー
から成る絶縁保護膜１４を形成する。この絶縁保護膜１
４は、後述のように形成する液晶３にカラーフィルタ１
３からのイオン等の有害な物質が混入するのを防止する
ために形成している。
【００３４】次に、ブラックマトリクス１２及び絶縁保
護膜１４にフォトリソグラフィ法によりソース電極１０
を露出するコンタクトホール１７を形成した後、このコ
ンタクトホール１７を含む全面にスパッタ法によりＩＴ
Ｏを形成し、次にフォトリソグラフィ法によりＩＴＯを
パターニングして、所望の形状の画素電極１５を形成す
る。次に、画素電極１５上にポリイミドから成る液晶配
光層１６を形成する。以上により、液晶駆動素子形成基
板１が形成される。
護膜１４にフォトリソグラフィ法によりソース電極１０
を露出するコンタクトホール１７を形成した後、このコ
ンタクトホール１７を含む全面にスパッタ法によりＩＴ
Ｏを形成し、次にフォトリソグラフィ法によりＩＴＯを
パターニングして、所望の形状の画素電極１５を形成す
る。次に、画素電極１５上にポリイミドから成る液晶配
光層１６を形成する。以上により、液晶駆動素子形成基
板１が形成される。
【００３５】次に、図６（ｃ）に示すように、ガラス等
から成る厚さが０．５〜１．５mmの第２の透明絶縁基板
２１を用いて、この第２の透明絶縁基板２１の表面（後
述するように液晶３側となる面）を加工して、頂部２４
Ａと谷部２４Ｂとの間の高低差が、後で反射型カラー液
晶表示装置を組み立てる場合に用いる液晶３の厚さ（３
〜１０μｍ）に比べて、同程度あるいはその厚さ以下と
なるような凹凸部２４を形成する。
から成る厚さが０．５〜１．５mmの第２の透明絶縁基板
２１を用いて、この第２の透明絶縁基板２１の表面（後
述するように液晶３側となる面）を加工して、頂部２４
Ａと谷部２４Ｂとの間の高低差が、後で反射型カラー液
晶表示装置を組み立てる場合に用いる液晶３の厚さ（３
〜１０μｍ）に比べて、同程度あるいはその厚さ以下と
なるような凹凸部２４を形成する。
【００３６】ここで、第２の透明絶縁基板２１に凹凸部
２４を形成する加工方法としては、図７に示すようなサ
ンドブラスト法を利用して行う。すなわち、第２の透明
絶縁基板２１の液晶３と対向させる面に、研磨ノズル１
８から研磨砥粒１９を吹き付けて凹凸部２４を形成す
る。この場合、研磨砥粒の粒径、吹き付け速度等を調整
することにより、凹凸部２４の粗さ、深さを制御するよ
うにする。
２４を形成する加工方法としては、図７に示すようなサ
ンドブラスト法を利用して行う。すなわち、第２の透明
絶縁基板２１の液晶３と対向させる面に、研磨ノズル１
８から研磨砥粒１９を吹き付けて凹凸部２４を形成す
る。この場合、研磨砥粒の粒径、吹き付け速度等を調整
することにより、凹凸部２４の粗さ、深さを制御するよ
うにする。
【００３７】また、第２の透明絶縁基板２１に凹凸部２
４を形成する別の加工方法としては、図８に示すような
フォトエッチング法を利用して行う。すなわち、第２の
透明絶縁基板２１の液晶３と対向させる面に、ランダム
にレジスト２０を形成した後、このレジスト２０をマス
クとしてドライエッチング、あるいはウエットエッチン
グを行って凹凸部２４を形成する。この場合、レジスト
２０の形成をフォトリソグラフィ法を利用して行うこと
により、高精度なマスクの形成ができるので、凹凸部２
４の粗さ、深さを所望な範囲に制御することが可能とな
る。
４を形成する別の加工方法としては、図８に示すような
フォトエッチング法を利用して行う。すなわち、第２の
透明絶縁基板２１の液晶３と対向させる面に、ランダム
にレジスト２０を形成した後、このレジスト２０をマス
クとしてドライエッチング、あるいはウエットエッチン
グを行って凹凸部２４を形成する。この場合、レジスト
２０の形成をフォトリソグラフィ法を利用して行うこと
により、高精度なマスクの形成ができるので、凹凸部２
４の粗さ、深さを所望な範囲に制御することが可能とな
る。
【００３８】次に、図６（ｄ）に示すように、ＳＯＧ(S
pin On Glass)法、印刷法等によりアクリル、あるいは
ポリイミドを形成して、第２の透明絶縁基板２１の凹凸
部２４を覆うように平坦化膜２５を形成する。これによ
り、凹凸部２４及び平坦化膜２５から成る光散乱手段が
構成されたことになる。次に、スパッタ法により全面に
ＩＴＯを形成して、共通の対向電極２２を形成した後、
この対向電極２２上にポリイミドから成る液晶配向層２
３を形成する。以上により、対向基板２が形成される。
pin On Glass)法、印刷法等によりアクリル、あるいは
ポリイミドを形成して、第２の透明絶縁基板２１の凹凸
部２４を覆うように平坦化膜２５を形成する。これによ
り、凹凸部２４及び平坦化膜２５から成る光散乱手段が
構成されたことになる。次に、スパッタ法により全面に
ＩＴＯを形成して、共通の対向電極２２を形成した後、
この対向電極２２上にポリイミドから成る液晶配向層２
３を形成する。以上により、対向基板２が形成される。
【００３９】次に、上述のような工程を経て得られた液
晶駆動素子形成基板１及び対向基板２を用いて、両基板
１、２間に対向基板２の凹凸部２４が液晶３側となるよ
うに配置して、例えばネマティック液晶から成る液晶３
を用いて挟持することにより、図１及び図２に示したよ
うな構成の反射型カラー液晶表示装置を完成させる。
晶駆動素子形成基板１及び対向基板２を用いて、両基板
１、２間に対向基板２の凹凸部２４が液晶３側となるよ
うに配置して、例えばネマティック液晶から成る液晶３
を用いて挟持することにより、図１及び図２に示したよ
うな構成の反射型カラー液晶表示装置を完成させる。
【００４０】このように、この例の構成の反射型カラー
液晶表示装置によれば、液晶３側に凹凸部２４が形成さ
れたガラス等から成る第２の透明絶縁基板２１と、第２
の透明絶縁基板２１の凹凸部２４を覆うように形成され
たアクリル、ポリイミド等から成る平坦化膜２５と、平
坦化膜２５上に形成されたＩＴＯ等から成る共通の対向
電極２２と、対向電極２２上に形成されたポリイミド等
から成る液晶配光層２３とを備えた対向基板２を形成
し、凹凸部２４及び平坦化膜２５により光散乱手段を構
成するようにしたので、対向基板２における散乱の起点
を液晶３から近い点に設定できるため、混色や制御不能
な光等の望ましくない光の発生を減少させることができ
る。また、この例の構成の反射型カラー液晶表示装置の
製造方法によれば、対向基板２となる第２の透明絶縁基
板２１の液晶３側に凹凸部２４を形成することにより光
散乱手段を構成させるようにしたので、簡単な方法で光
散乱手段を設けることができる。したがって、光散乱手
段を設けて白色を表示させる場合、コントラスト及び視
認性を向上させることができる。
液晶表示装置によれば、液晶３側に凹凸部２４が形成さ
れたガラス等から成る第２の透明絶縁基板２１と、第２
の透明絶縁基板２１の凹凸部２４を覆うように形成され
たアクリル、ポリイミド等から成る平坦化膜２５と、平
坦化膜２５上に形成されたＩＴＯ等から成る共通の対向
電極２２と、対向電極２２上に形成されたポリイミド等
から成る液晶配光層２３とを備えた対向基板２を形成
し、凹凸部２４及び平坦化膜２５により光散乱手段を構
成するようにしたので、対向基板２における散乱の起点
を液晶３から近い点に設定できるため、混色や制御不能
な光等の望ましくない光の発生を減少させることができ
る。また、この例の構成の反射型カラー液晶表示装置の
製造方法によれば、対向基板２となる第２の透明絶縁基
板２１の液晶３側に凹凸部２４を形成することにより光
散乱手段を構成させるようにしたので、簡単な方法で光
散乱手段を設けることができる。したがって、光散乱手
段を設けて白色を表示させる場合、コントラスト及び視
認性を向上させることができる。
【００４１】◇第２実施例
図９はこの発明の第２実施例である反射型カラー液晶表
示装置の構成を示す断面図である。この発明の第２実施
例である反射型カラー液晶表示装置の構成が、上述した
第１実施例の構成と大きく異なるところは、凹凸の度合
いを小さくした凹凸部を形成し、平坦化膜の形成を不要
にして光散乱手段を構成するようにした点である。すな
わち、この例においては、図９に示すように、第２の透
明絶縁基板２１の液晶３側に形成される凹凸部４０は、
頂部４０Ａと谷部４０Ｂとの間の高低差は、第１実施例
の場合よりも小さく、略１μｍ以下に形成して、光散乱
手段を構成する。凹凸部４０上にはＩＴＯ等から成る共
通の対向電極２２が、対向電極２２上にはポリイミド等
から成る液晶配向層２３がそれぞれ形成されている。こ
のように凹凸の度合いが小さい凹凸部４０を形成して光
散乱手段を構成しても、光散乱手段として十分に機能さ
せることができる。
示装置の構成を示す断面図である。この発明の第２実施
例である反射型カラー液晶表示装置の構成が、上述した
第１実施例の構成と大きく異なるところは、凹凸の度合
いを小さくした凹凸部を形成し、平坦化膜の形成を不要
にして光散乱手段を構成するようにした点である。すな
わち、この例においては、図９に示すように、第２の透
明絶縁基板２１の液晶３側に形成される凹凸部４０は、
頂部４０Ａと谷部４０Ｂとの間の高低差は、第１実施例
の場合よりも小さく、略１μｍ以下に形成して、光散乱
手段を構成する。凹凸部４０上にはＩＴＯ等から成る共
通の対向電極２２が、対向電極２２上にはポリイミド等
から成る液晶配向層２３がそれぞれ形成されている。こ
のように凹凸の度合いが小さい凹凸部４０を形成して光
散乱手段を構成しても、光散乱手段として十分に機能さ
せることができる。
【００４２】凹凸部４０を形成する加工方法としては、
第１実施例の場合と同様に、図７に示したようなサンド
ブラスト法又は図８に示したようなフォトエッチング法
を利用することができる。特に、この例の場合には、高
精度の加工が可能なフォトエッチング法を利用すること
が望ましい。これ以外は、上述した第１実施例と略同様
である。それゆえ、図９において、図１及び図２の構成
部分と対応する各部には、同一の番号を付してその説明
を省略する。
第１実施例の場合と同様に、図７に示したようなサンド
ブラスト法又は図８に示したようなフォトエッチング法
を利用することができる。特に、この例の場合には、高
精度の加工が可能なフォトエッチング法を利用すること
が望ましい。これ以外は、上述した第１実施例と略同様
である。それゆえ、図９において、図１及び図２の構成
部分と対応する各部には、同一の番号を付してその説明
を省略する。
【００４３】このように、この例の構成によっても、第
１実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。加えて、この例の構成によれば、平坦化膜を不
要にすることができる。
１実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。加えて、この例の構成によれば、平坦化膜を不
要にすることができる。
【００４４】◇第３実施例
図１０はこの発明の第３実施例である反射型カラー液晶
表示装置の構成を示す断面図である。この発明の第３実
施例である反射型カラー液晶表示装置の構成が、上述し
た第１実施例の構成と大きく異なるところは、透明絶縁
基板の表面に外部から凹凸状絶縁膜を形成し、基板自身
への凹凸の形成を不要にして光散乱手段を構成するよう
にした点である。すなわち、この例においては、図１０
に示すように、第２の透明絶縁基板２１の表面の液晶３
側に例えばアクリル、あるいはポリイミドを外部から形
成して凹凸状絶縁膜４１を形成して、光散乱手段を構成
する。この場合凹凸状絶縁膜４１の頂部４１Ａと谷部４
１Ｂとの間の高低差は、第２実施例の場合と同程度に形
成する。凹凸状絶縁膜４１上にはＩＴＯ等から成る共通
の対向電極２２が、対向電極２２上にはポリイミド等か
ら成る液晶配向層２３がそれぞれ形成されている。この
ように第２の透明絶縁基板２１の表面に外部から形成し
た凹凸状絶縁膜４１により光散乱手段を構成しても、光
散乱手段として十分に機能させることができる。
表示装置の構成を示す断面図である。この発明の第３実
施例である反射型カラー液晶表示装置の構成が、上述し
た第１実施例の構成と大きく異なるところは、透明絶縁
基板の表面に外部から凹凸状絶縁膜を形成し、基板自身
への凹凸の形成を不要にして光散乱手段を構成するよう
にした点である。すなわち、この例においては、図１０
に示すように、第２の透明絶縁基板２１の表面の液晶３
側に例えばアクリル、あるいはポリイミドを外部から形
成して凹凸状絶縁膜４１を形成して、光散乱手段を構成
する。この場合凹凸状絶縁膜４１の頂部４１Ａと谷部４
１Ｂとの間の高低差は、第２実施例の場合と同程度に形
成する。凹凸状絶縁膜４１上にはＩＴＯ等から成る共通
の対向電極２２が、対向電極２２上にはポリイミド等か
ら成る液晶配向層２３がそれぞれ形成されている。この
ように第２の透明絶縁基板２１の表面に外部から形成し
た凹凸状絶縁膜４１により光散乱手段を構成しても、光
散乱手段として十分に機能させることができる。
【００４５】凹凸状絶縁膜４１を形成する方法として
は、フォトリソグラフィ法を利用して第２の透明絶縁基
板２１の表面にランダムにレジストを塗布した状態で、
このレジストをマスクとしてＳＯＧ法、印刷法等により
アクリル、あるいはポリイミドを形成した後に、レジス
トを除去することにより形成することができる。
は、フォトリソグラフィ法を利用して第２の透明絶縁基
板２１の表面にランダムにレジストを塗布した状態で、
このレジストをマスクとしてＳＯＧ法、印刷法等により
アクリル、あるいはポリイミドを形成した後に、レジス
トを除去することにより形成することができる。
【００４６】このように、この例の構成によっても、第
１実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。加えて、この例の構成によれば、凹凸形成を基
板自身へ行うよりも形成が容易ととなる。
１実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。加えて、この例の構成によれば、凹凸形成を基
板自身へ行うよりも形成が容易ととなる。
【００４７】◇第４実施例
図１１はこの発明の第４実施例である反射型カラー液晶
表示装置の構成を示す断面図である。この発明の第４実
施例である反射型カラー液晶表示装置の構成が、上述し
た第３実施例の構成と大きく異なるところは、透明絶縁
基板の表面に外部から形成した凹凸状絶縁膜及びこの凹
凸状絶縁膜と屈折率の異なる散乱補助膜により光散乱手
段を構成するようにした点である。すなわち、この例に
おいては、図１１に示すように、第２の透明絶縁基板２
１の表面の液晶３側に形成した凹凸状絶縁膜４１及びこ
の凹凸状絶縁膜４１上に形成されて凹凸状絶縁膜４１と
屈折率の異なる散乱補助膜４２により、光散乱手段を構
成する。この場合凹凸状絶縁膜４１の屈折率ｎ１と、散
乱補助膜４２の屈折率ｎ２との関係は、ｎ１＞ｎ２とな
るように設定する。散乱補助膜４２上にはＩＴＯ等から
成る共通の対向電極２２が、対向電極２２上にはポリイ
ミド等から成る液晶配向層２３がそれぞれ形成されてい
る。このように屈折率の異なる凹凸状絶縁膜４１と散乱
補助膜４２を組み合わせて光散乱手段を構成しても、光
散乱手段として十分に機能させることができる。
表示装置の構成を示す断面図である。この発明の第４実
施例である反射型カラー液晶表示装置の構成が、上述し
た第３実施例の構成と大きく異なるところは、透明絶縁
基板の表面に外部から形成した凹凸状絶縁膜及びこの凹
凸状絶縁膜と屈折率の異なる散乱補助膜により光散乱手
段を構成するようにした点である。すなわち、この例に
おいては、図１１に示すように、第２の透明絶縁基板２
１の表面の液晶３側に形成した凹凸状絶縁膜４１及びこ
の凹凸状絶縁膜４１上に形成されて凹凸状絶縁膜４１と
屈折率の異なる散乱補助膜４２により、光散乱手段を構
成する。この場合凹凸状絶縁膜４１の屈折率ｎ１と、散
乱補助膜４２の屈折率ｎ２との関係は、ｎ１＞ｎ２とな
るように設定する。散乱補助膜４２上にはＩＴＯ等から
成る共通の対向電極２２が、対向電極２２上にはポリイ
ミド等から成る液晶配向層２３がそれぞれ形成されてい
る。このように屈折率の異なる凹凸状絶縁膜４１と散乱
補助膜４２を組み合わせて光散乱手段を構成しても、光
散乱手段として十分に機能させることができる。
【００４８】このように、この例の構成によっても、第
３実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。加えて、この例の構成によれば、散乱補助膜に
より散乱度合いを制御することができる。
３実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。加えて、この例の構成によれば、散乱補助膜に
より散乱度合いを制御することができる。
【００４９】◇第５実施例
図１２はこの発明の第５実施例である反射型カラー液晶
表示装置の構成を示す断面図である。この発明の第５実
施例である反射型カラー液晶表示装置の構成が、上述し
た第３実施例の構成と大きく異なるところは、透明絶縁
基板の表面に外部から形成した凹凸状絶縁膜及び平坦化
膜により光散乱手段を構成するようにした点である。す
なわち、この例においては、図１２に示すように、第２
の透明絶縁基板２１の表面の液晶３側に例えばアクリ
ル、あるいはポリイミドを外部から形成して凹凸状絶縁
膜４１を形成し、この凹凸状絶縁膜４１を平坦化膜２５
で覆って光散乱手段を構成する。平坦化膜２５上にはＩ
ＴＯ等から成る共通の対向電極２２が、対向電極２２上
にはポリイミド等から成る液晶配向層２３がそれぞれ形
成されている。このように第２の透明絶縁基板２１の表
面に外部から形成した凹凸状絶縁膜４１及び平坦化膜２
５により光散乱手段を構成しても、光散乱手段として十
分に機能させることができる。
表示装置の構成を示す断面図である。この発明の第５実
施例である反射型カラー液晶表示装置の構成が、上述し
た第３実施例の構成と大きく異なるところは、透明絶縁
基板の表面に外部から形成した凹凸状絶縁膜及び平坦化
膜により光散乱手段を構成するようにした点である。す
なわち、この例においては、図１２に示すように、第２
の透明絶縁基板２１の表面の液晶３側に例えばアクリ
ル、あるいはポリイミドを外部から形成して凹凸状絶縁
膜４１を形成し、この凹凸状絶縁膜４１を平坦化膜２５
で覆って光散乱手段を構成する。平坦化膜２５上にはＩ
ＴＯ等から成る共通の対向電極２２が、対向電極２２上
にはポリイミド等から成る液晶配向層２３がそれぞれ形
成されている。このように第２の透明絶縁基板２１の表
面に外部から形成した凹凸状絶縁膜４１及び平坦化膜２
５により光散乱手段を構成しても、光散乱手段として十
分に機能させることができる。
【００５０】このように、この例の構成によっても、第
３実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。
３実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。
【００５１】◇第６実施例
図１３はこの発明の第６実施例である反射型カラー液晶
表示装置の構成を示す断面図である。この発明の第６実
施例である反射型カラー液晶表示装置の構成が、上述し
た第５実施例の構成と大きく異なるところは、透明絶縁
基板の表面に外部から形成した凹凸状絶縁膜及び平坦化
膜兼散乱補助膜により光散乱手段を構成するようにした
点である。すなわち、この例においては、図１３に示す
ように、第２の透明絶縁基板２１の表面の液晶３側に例
えばアクリル、あるいはポリイミドを外部から形成して
凹凸状絶縁膜４１を形成し、この凹凸状絶縁膜４１を平
坦化膜及び散乱補助膜を兼用した平坦化膜兼散乱補助膜
４３で覆って光散乱手段を構成する。平坦化膜兼散乱補
助膜４３上にはＩＴＯ等から成る共通の対向電極２２
が、対向電極２２上にはポリイミド等から成る液晶配向
層２３がそれぞれ形成されている。このように第２の透
明絶縁基板２１の表面に外部から形成した凹凸状絶縁膜
４１及び平坦化膜兼散乱補助膜４３により光散乱手段を
構成しても、光散乱手段として十分に機能させることが
できる。
表示装置の構成を示す断面図である。この発明の第６実
施例である反射型カラー液晶表示装置の構成が、上述し
た第５実施例の構成と大きく異なるところは、透明絶縁
基板の表面に外部から形成した凹凸状絶縁膜及び平坦化
膜兼散乱補助膜により光散乱手段を構成するようにした
点である。すなわち、この例においては、図１３に示す
ように、第２の透明絶縁基板２１の表面の液晶３側に例
えばアクリル、あるいはポリイミドを外部から形成して
凹凸状絶縁膜４１を形成し、この凹凸状絶縁膜４１を平
坦化膜及び散乱補助膜を兼用した平坦化膜兼散乱補助膜
４３で覆って光散乱手段を構成する。平坦化膜兼散乱補
助膜４３上にはＩＴＯ等から成る共通の対向電極２２
が、対向電極２２上にはポリイミド等から成る液晶配向
層２３がそれぞれ形成されている。このように第２の透
明絶縁基板２１の表面に外部から形成した凹凸状絶縁膜
４１及び平坦化膜兼散乱補助膜４３により光散乱手段を
構成しても、光散乱手段として十分に機能させることが
できる。
【００５２】このように、この例の構成によっても、第
５実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。
５実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。
【００５３】以上、この発明の実施例を図面により詳述
してきたが、具体的な構成はこの実施例に限られるもの
ではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変
更などがあってもこの発明に含まれる。例えば、液晶を
駆動するスイッチング素子としてはＴＦＴを用いる例で
示したが、これに限らずダイオード等の他のスイッチン
グ素子を用いることができる。
してきたが、具体的な構成はこの実施例に限られるもの
ではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変
更などがあってもこの発明に含まれる。例えば、液晶を
駆動するスイッチング素子としてはＴＦＴを用いる例で
示したが、これに限らずダイオード等の他のスイッチン
グ素子を用いることができる。
【００５４】また、液晶駆動素子形成基板としては透明
絶縁基板を用いてこれにスイッチング素子を形成する例
で示したが、これに限らずシリコン基板等から成る半導
体基板等の他の基板を用いてこれにスイッチング素子を
形成することができる。また、各種絶縁膜、導電膜等の
形成手段、膜厚等の条件等は一例を示したものであり、
目的、用途等に応じて変更することができる。
絶縁基板を用いてこれにスイッチング素子を形成する例
で示したが、これに限らずシリコン基板等から成る半導
体基板等の他の基板を用いてこれにスイッチング素子を
形成することができる。また、各種絶縁膜、導電膜等の
形成手段、膜厚等の条件等は一例を示したものであり、
目的、用途等に応じて変更することができる。
【００５５】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の反射型
カラー液晶表示装置によれば、対向基板の液晶側に光散
乱手段を設けるようにしたので、対向基板における散乱
の起点を液晶から近い点に設定できるため、混色や制御
不能な光等の望ましくない光の発生を減少させることが
できる。また、この発明の反射型カラー液晶表示装置の
製造方法によれば、対向基板の液晶側に凹凸部を形成す
ることにより光散乱手段を構成させるようにしたので、
簡単な方法で光散乱手段を設けることができる。したが
って、光散乱手段を設けて白色を表示させる場合、コン
トラスト及び視認性を向上させることができる。
カラー液晶表示装置によれば、対向基板の液晶側に光散
乱手段を設けるようにしたので、対向基板における散乱
の起点を液晶から近い点に設定できるため、混色や制御
不能な光等の望ましくない光の発生を減少させることが
できる。また、この発明の反射型カラー液晶表示装置の
製造方法によれば、対向基板の液晶側に凹凸部を形成す
ることにより光散乱手段を構成させるようにしたので、
簡単な方法で光散乱手段を設けることができる。したが
って、光散乱手段を設けて白色を表示させる場合、コン
トラスト及び視認性を向上させることができる。
【図１】この発明の第１実施例である反射型カラー液晶
表示装置の構成を示す平面図である。
表示装置の構成を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図３】同反射型カラー液晶表示装置においてコントラ
ストが向上する理由を概略的に説明する図である。
ストが向上する理由を概略的に説明する図である。
【図４】同反射型カラー液晶表示装置において視認性が
向上する理由を概略的に説明する図である。
向上する理由を概略的に説明する図である。
【図５】同反射型カラー液晶表示装置の製造方法を工程
順に示す工程図である。
順に示す工程図である。
【図６】同反射型カラー液晶表示装置の製造方法を工程
順に示す工程図である。
順に示す工程図である。
【図７】同反射型カラー液晶表示装置の製造方法におい
て光散乱手段を形成する加工方法の一例を示す図であ
る。
て光散乱手段を形成する加工方法の一例を示す図であ
る。
【図８】同半導体装置の製造方法において光散乱手段を
形成する加工方法の一例を示す図である。
形成する加工方法の一例を示す図である。
【図９】この発明の第２実施例である反射型カラー液晶
表示装置の構成を示す断面図である。
表示装置の構成を示す断面図である。
【図１０】この発明の第３実施例である反射型カラー液
晶表示装置の構成を示す断面図である。
晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図１１】この発明の第４実施例である反射型カラー液
晶表示装置の構成を示す断面図である。
晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図１２】この発明の第５実施例である反射型カラー液
晶表示装置の構成を示す断面図である。
晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図１３】この発明の第６実施例である反射型カラー液
晶表示装置の構成を示す断面図である。
晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図１４】従来の反射型カラー液晶表示装置の構成を示
す断面図である。
す断面図である。
【図１５】同反射型カラー液晶表示装置の構成を示す断
面図である。
面図である。
【図１６】同反射型カラー液晶表示装置において視認性
が低下する理由を概略的に説明する図である。
が低下する理由を概略的に説明する図である。
【図１７】同反射型カラー液晶表示装置においてコント
ラストが低下する理由を概略的に説明する図である。
ラストが低下する理由を概略的に説明する図である。
【図１８】同反射型カラー液晶表示装置においてコント
ラストが低下する理由を概略的に説明する図である。
ラストが低下する理由を概略的に説明する図である。
１ 液晶駆動素子形成基板
２ 対向基板
３、３Ｂ、３Ｒ 液晶
４、２１ 透明絶縁基板
５ ゲート電極
６ 反射板
７ ゲート絶縁膜
８ 半導体層
９ ドレイン電極
１０ ソース電極
１１、１４ 絶縁保護膜
１２ ブラックマトリクス
１３ カラーフィルタ
１５ 画素電極
１６、２３ 液晶配光層
１７ コンタクトホール
１８ 研磨ノズル
１９ 研磨砥粒
２０ レジスト
２２ 対向電極
２４、４０ 凹凸部
２４Ａ、４０Ａ、４１Ａ 頂部
２４Ｂ、４０Ｂ、４１Ｂ 谷部
２５ 平坦化膜
３０ 特定の入射光領域
３１Ａ〜３１Ｃ 特定の入射光領域に入射する光
３１Ｘ、３８ 正常でない光
３２ 正面位置
３３ 正面位置に向かう光
３７ 斜め方向に向かう光
４１ 凹凸状絶縁膜
４２ 散乱補助膜
４３ 平坦化膜兼散乱補助膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 坂本 道昭
東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気
株式会社内
(72)発明者 丸山 宗生
東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気
株式会社内
(72)発明者 渡邊 貴彦
東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気
株式会社内
(56)参考文献 特開 平８−338993（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−324358（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−243226（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−84415（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−48669（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G02F 1/1335 520
G02F 1/1333 500
G02F 1/1333 505
G02F 1/1368
Claims (11)
- 【請求項１】 液晶駆動素子形成基板と対向基板との間
に液晶が挟持されてなる反射型カラー液晶表示装置であ
って、 前記液晶駆動素子形成基板は、第１の透明絶縁基板と、
該第１の透明絶縁基板の上に形成されたゲート電極及び
反射板と、前記ゲート電極及び前記反射板の上に形成さ
れたゲート絶縁膜と、前記ゲート電極の上方のゲート絶
縁膜上に形成された半導体層と、前記半導体層の両端か
らそれぞれ引き出されたドレイン電極及びソース電極
と、前記ドレイン電極、前記半導体層及び前記ソース電
極を覆う第１絶縁保護膜と、該第１絶縁保護膜の上に形
成されたカラーフィルタと、該カラーフィルタを覆う第
２絶縁保護膜と、該第２絶縁保護膜の上に前記ソース電
極と接続される態様で形成された画素電極とを有してな
る一方、 前記対向基板は、第２の透明絶縁基板からなり、かつ、
該第２の透明絶縁基板の前記液晶に面する側の表面が、
光散乱面として処理されていることを特徴とする反射型
カラー液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記光散乱面は、凹凸面から構成されて
いることを特徴とする請求項１記載の反射型カラー液晶
表示装置。 - 【請求項３】 前記光散乱面を構成する凹凸面は、平坦
化膜によって被覆されて平坦化されていることを特徴と
する請求項２記載の反射型カラー液晶表示装置。 - 【請求項４】 液晶駆動素子形成基板と対向基板との間
に液晶が挟持されてなる反射型カラー液晶表示装置であ
って、 前記液晶駆動素子形成基板は、第１の透明絶縁基板と、
該第１の透明絶縁基板の上に形成されたゲート電極及び
反射板と、前記ゲート電極及び前記反射板の上に形成さ
れたゲート絶縁膜と、前記ゲート電極の上方のゲート絶
縁膜上に形成された半導体層と、前記半導体層の両端か
らそれぞれ引き出されたドレイン電極及びソース電極
と、前記ドレイン電極、前記半導体層及び前記ソース電
極を覆う第１絶縁保護膜と、該第１絶縁保護膜の上に形
成されたカラーフィルタと、該カラーフィルタを覆う第
２絶縁保護膜と、該第２絶縁保護膜の上に前記ソース電
極と接続される態様で形成された画素電極とを有してな
る一方、 前記対向基板は、第２の透明絶縁基板と、表面が散乱面
として凹凸処理された凹凸状絶縁膜とからなり、かつ、
該凹凸状絶縁膜は、第２の透明絶縁基板の前記液晶に面
する側の表面に形成されていることを特徴とする反射型
カラー液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記凹凸状絶縁膜は、該凹凸状絶縁膜と
屈折率を異にすることで散乱を助ける散乱補助膜によっ
て被覆されていることを特徴とする請求項４記載の反射
型カラー液晶表示装置。 - 【請求項６】 前記凹凸状絶縁膜の屈折率が、前記散乱
補助膜のそれより大きいことを特徴とする請求項４記載
の反射型カラー液晶表示装置。 - 【請求項７】 前記凹凸状絶縁膜は、平坦化膜によって
被覆されて平坦化されていることを特徴とする請求項４
記載の反射型カラー液晶表示装置。 - 【請求項８】 前記平坦化膜は、該凹凸状絶縁膜と屈折
率を異にすることで散乱を助ける散乱補助膜を兼ねるこ
とを特徴とする請求項７記載の反射型カラー液晶表示装
置。 - 【請求項９】 液晶駆動素子形成基板と対向基板との間
に液晶が挟持されてなる反射型カラー液晶表示装置の製
造方法であって、 第１の透明絶縁基板の上にゲート電極及び反射板を形成
する工程と、前記ゲート電極及び前記反射板の上にゲー
ト絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート電極の上方の前
記ゲート絶縁膜の上に半導体層を形成する工程と、該半
導体層の両端からそれぞれ引き出されたドレイン電極及
びソース電極を形成する工程と、前記ドレイン電極、前
記半導体層及び前記ソース電極を覆う第１絶縁保護膜と
を形成する工程と、前記第１絶縁保護膜の上の所定の領
域にブラックマトリクスを形成する工程と、前記第１絶
縁保護膜の上の所定の領域にカラーフィルタを形成する
工程と、前記ブラックマトリクス及び前記カラーフィル
タを覆う第２絶縁保護膜を形成する工程と、前記第２絶
縁保護膜の上に前記ソース電極と接続される態様で形成
された透明導電膜からなる画素電極を形成する工程と、
前記画素電極の上に液晶配向層を形成する工程とを経て
前記液晶駆動素子形成基板を形成する一方 、第２の透明絶縁基板の一方の表面を、直接又は絶縁層を
介して、光散乱面に仕上げることで、前記対向基板を形
成した後、 前記第２の透明絶縁基板の前記光散乱面が前記液晶に面
する態様で、前記液晶駆動素子形成基板と前記対向基板
との間に液晶を挟持することを特徴とする反射型カラー
液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１０】 前記第２の透明絶縁基板の一方の表面
を、直接又は絶縁層を介して、凹凸処理することで、前
記光散乱面に仕上げることを特徴とする請求項９記載の
反射型カラー液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１１】 前記第２の透明絶縁基板の一方の表面
を、直接又は絶縁層を介して、かつ、サンドブラスト
法、又はフォトエッチング法を含む加工方法を用いて凹
凸処理することで、前記光散乱面に仕上げることを特徴
とする請求項１０記載の反射型カラー液晶表示装置の製
造方法。
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