JP3500032B2 - 配線基板及びその製造方法 - Google Patents
配線基板及びその製造方法Info
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半田バンプを用い
て半導体素子と配線基板とが接合された半導体素子付き
配線基板に用いられる配線基板及びその製造方法に関す
るものである。
て半導体素子と配線基板とが接合された半導体素子付き
配線基板に用いられる配線基板及びその製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、いわゆるフリップチップ法に
よって、半導体素子（以下フリップチップと記す）をフ
リップチップ搭載用基板（以下単に基板とも記す）に実
装する場合には、下記の手順が採用されている。
よって、半導体素子（以下フリップチップと記す）をフ
リップチップ搭載用基板（以下単に基板とも記す）に実
装する場合には、下記の手順が採用されている。
【０００３】例えば図１６（ａ）に示す様に、フリップ
チップＰ１のパッドＰ２上に、高温半田からなるバンプ
Ｐ３を形成し、一方、フリップチップ搭載用基板Ｐ４の
パッドＰ５上に、高温半田より融点の低い共晶半田から
なるバンプＰ６を形成し、お互いのバンプＰ３，Ｐ６を
接触させて約２１０℃に加熱して、共晶半田のみを溶融
させることで接合を行っている。
チップＰ１のパッドＰ２上に、高温半田からなるバンプ
Ｐ３を形成し、一方、フリップチップ搭載用基板Ｐ４の
パッドＰ５上に、高温半田より融点の低い共晶半田から
なるバンプＰ６を形成し、お互いのバンプＰ３，Ｐ６を
接触させて約２１０℃に加熱して、共晶半田のみを溶融
させることで接合を行っている。
【０００４】このうち、フリップチップＰ１のパッド
（チップ側パッド）Ｐ２は、主としてＣｕスパッタによ
り形成されたＣｕ層を備えたものであり、一方、フリッ
プチップ搭載用基板Ｐ４のパッド（基板側パッド）Ｐ５
は、Ｃｕメッキにより形成されたＣｕ層の上に、Ｎｉメ
ッキ及びＡｕメッキを施したものである。
（チップ側パッド）Ｐ２は、主としてＣｕスパッタによ
り形成されたＣｕ層を備えたものであり、一方、フリッ
プチップ搭載用基板Ｐ４のパッド（基板側パッド）Ｐ５
は、Ｃｕメッキにより形成されたＣｕ層の上に、Ｎｉメ
ッキ及びＡｕメッキを施したものである。
【０００５】また、前記フリップチップ搭載用基板Ｐ４
のバンプＰ６を形成する方法としては、例えば下記〜
の各種の方法が知られている。 半田ペースト印刷法 基板上に形成した下地導電性パッドの上に、印刷によっ
て半田ペーストを配置し、その後、加熱して半田ペース
トを溶融させることよって、パッド上に半球状又は球状
の半田バンプを形成する方法。
のバンプＰ６を形成する方法としては、例えば下記〜
の各種の方法が知られている。 半田ペースト印刷法 基板上に形成した下地導電性パッドの上に、印刷によっ
て半田ペーストを配置し、その後、加熱して半田ペース
トを溶融させることよって、パッド上に半球状又は球状
の半田バンプを形成する方法。
【０００６】半田プリフォーム搭載法
半田プリフォームを基板のパッド上に搭載した後に、加
熱して半田プリフォームを溶融させることによって半田
バンプを形成する方法。 半田ボンディング法 半田をボンディングで基板のパッド上に付着させた後
に、加熱して半田を溶融させることによって半田バンプ
を形成する方法。
熱して半田プリフォームを溶融させることによって半田
バンプを形成する方法。 半田ボンディング法 半田をボンディングで基板のパッド上に付着させた後
に、加熱して半田を溶融させることによって半田バンプ
を形成する方法。
【０００７】ボール搭載法
少量の共晶半田ペーストを基板のパッド上に塗布し、こ
の上にボールを搭載した後に、加熱して共晶半田ペース
トを溶融させることによってボールをパッドに固着して
半田バンプを形成する方法。
の上にボールを搭載した後に、加熱して共晶半田ペース
トを溶融させることによってボールをパッドに固着して
半田バンプを形成する方法。
【０００８】半田ディッピング法
溶融半田中に製品を浸漬、又は溶融半田の噴流に製品を
接触させて、パッド上に半田バンプを形成する方法。 無電解半田メッキ法 パッド上に、無電解メッキにて半田を供給して、半田バ
ンプを形成する方法。
接触させて、パッド上に半田バンプを形成する方法。 無電解半田メッキ法 パッド上に、無電解メッキにて半田を供給して、半田バ
ンプを形成する方法。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記〜
のような方法で半田バンプを形成する場合には、下記の
ような問題があり、一層の改善が求められている。つま
り、図１６（ｂ）に示す様に、フリップチップＰ１とフ
リップチップ搭載用基板Ｐ４を接合する場合には、フリ
ップチップ搭載用基板４上のバンプＰ６の共晶半田が溶
融によってチップ側パッドＰ２部分まで這上がるが、共
晶半田はその約６０％がＳｎであるため、Ｓｎとチップ
側パッドＰ２中のＣｕが反応して、固くてもろい金属間
化合物Ｐ７が大量に形成されてしまう。
のような方法で半田バンプを形成する場合には、下記の
ような問題があり、一層の改善が求められている。つま
り、図１６（ｂ）に示す様に、フリップチップＰ１とフ
リップチップ搭載用基板Ｐ４を接合する場合には、フリ
ップチップ搭載用基板４上のバンプＰ６の共晶半田が溶
融によってチップ側パッドＰ２部分まで這上がるが、共
晶半田はその約６０％がＳｎであるため、Ｓｎとチップ
側パッドＰ２中のＣｕが反応して、固くてもろい金属間
化合物Ｐ７が大量に形成されてしまう。
【００１０】この金属間化合物Ｐ７がチップ側パッドＰ
２に形成されると、フリップチップＰ１とフリップチッ
プ搭載用基板Ｐ４の熱膨張差による応力などで、長期間
使用しているうちにその部分にクラックが生じて、チッ
プ側パッドＰ２とバンプＰ３の接合部分が破断するとい
う問題があった。
２に形成されると、フリップチップＰ１とフリップチッ
プ搭載用基板Ｐ４の熱膨張差による応力などで、長期間
使用しているうちにその部分にクラックが生じて、チッ
プ側パッドＰ２とバンプＰ３の接合部分が破断するとい
う問題があった。
【００１１】 本発明は、接合部分の耐久性が高く、し
かも生産性、品質、コストの点で優れた配線基板及びそ
の製造方法を提供することを目的とする。
かも生産性、品質、コストの点で優れた配線基板及びそ
の製造方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１の配線基板の発
明は、Ｃｕを含む素子側パッド上に、Ｓｎを含まないか
あるいは多くとも２０ｗｔ％以下含む素子側半田材料か
らなる素子側半田バンプを有する半導体素子と、前記素
子側半田バンプより融点が低く、かつ２０ｗｔ％以上の
Ｓｎを含む基板側半田材料からなる基板側半田バンプを
有する配線基板とを備え、溶融していない（但し半溶融
の状態を除く）前記素子側半田バンプの側面に溶融した
前記基板側半田材料が這い上がって融着して前記素子側
半田バンプと前記基板側半田バンプとが接合することに
より、前記半導体素子と前記配線基板とが接合してなる
とともに、前記基板側半田材料が、前記素子側パッドか
ら離隔している半導体素子付き配線基板に用いる配線基
板であって、前記素子側半田バンプの高さが７０μｍ以
上である場合に、前記基板側半田バンプの高さが、前記
融着時に前記基板側半田材料が前記素子側パッドから離
隔する高さであって、１０〜４０μｍの高さに設定され
ている。尚、この半田バンプの高さとは、半田バンプ自
身の高さ、即ち各半田バンプの底面（パッドの上面）か
ら半田バンプの頂部までの高さをいう。
明は、Ｃｕを含む素子側パッド上に、Ｓｎを含まないか
あるいは多くとも２０ｗｔ％以下含む素子側半田材料か
らなる素子側半田バンプを有する半導体素子と、前記素
子側半田バンプより融点が低く、かつ２０ｗｔ％以上の
Ｓｎを含む基板側半田材料からなる基板側半田バンプを
有する配線基板とを備え、溶融していない（但し半溶融
の状態を除く）前記素子側半田バンプの側面に溶融した
前記基板側半田材料が這い上がって融着して前記素子側
半田バンプと前記基板側半田バンプとが接合することに
より、前記半導体素子と前記配線基板とが接合してなる
とともに、前記基板側半田材料が、前記素子側パッドか
ら離隔している半導体素子付き配線基板に用いる配線基
板であって、前記素子側半田バンプの高さが７０μｍ以
上である場合に、前記基板側半田バンプの高さが、前記
融着時に前記基板側半田材料が前記素子側パッドから離
隔する高さであって、１０〜４０μｍの高さに設定され
ている。尚、この半田バンプの高さとは、半田バンプ自
身の高さ、即ち各半田バンプの底面（パッドの上面）か
ら半田バンプの頂部までの高さをいう。
【００１３】つまり、従来では、素子側半田バンプに基
板側半田バンプを融着して接合する場合に、Ｃｕを含む
素子側パッドに２０ｗｔ％以上のＳｎを含む基板側半田
材料が這上がって到達すると、ＣｕとＳｎとが反応して
脆い金属間化合物が多量に形成され、その部分にクラッ
ク等が生じることがある。
板側半田バンプを融着して接合する場合に、Ｃｕを含む
素子側パッドに２０ｗｔ％以上のＳｎを含む基板側半田
材料が這上がって到達すると、ＣｕとＳｎとが反応して
脆い金属間化合物が多量に形成され、その部分にクラッ
ク等が生じることがある。
【００１４】 これに対して、本発明では、基板側半田
材料が素子側パッドから離隔し接していないので、当然
ながら、ＣｕとＳｎとの反応による脆い金属間化合物が
形成されることはない。そのため、半導体素子と配線基
板との熱膨張差によって接合部分に応力がかかっても、
クラックが生じにくく、長期間にわたって接合部分の破
断を効果的に防止できる。また、本発明では、基板側半
田バンプの高さを、上述した融着の際に、溶融していな
い（但し半溶融の状態を除く）素子側半田バンプの側面
に溶融した基板側半田材料が這い上がっても、その基板
側半田材料が素子側パッドに到達しない高さ、具体的に
は従来より低い高さにしている。そのため、この様な高
さに設定された基板側半田バンプを有する配線基板に、
半導体素子を接合すると、融着の際に基板側半田材料が
素子側パッドに到達しないので、当然ながら、ＣｕとＳ
ｎとの反応による脆い金属間化合物が形成されない。こ
れは、基板側半田材料が、素子側半田バンプ上に濡れ広
がるが、その濡れ広がりの程度は、基板側半田バンプの
高さの影響を受けるからである。よって、半導体素子と
配線基板との熱膨張差によって接合部分に応力がかかっ
ても、クラックが生じにくく、長期間にわたって接合部
分の破断を効果的に防止できる。更に、本発明では、素
子側半田バンプの高さが７０μｍ以上である場合に、基
板側半田バンプの高さが、１０〜４０μｍに設定されて
いる。実際に半導体素子に設けられる素子側半田バンプ
の高さは、通常、約７０μｍであるので、この素子側半
田バンプに基板側半田材料が融着する際に、基板側半田
材料が素子側パッドに到達しない様にし、かつ十分な接
合を行うためには、基板側半田バンプの高さを１０〜４
０μｍの高さに設定するのがよい。従って、基板側半田
バンプの高さが１０μｍ以上であると、基板側半田材料
の体積が十分で接合力が確保でき、高さが４０μｍ以下
であると、溶融時に基板側半田材料が素子側パッドに至
らないので好適である。
材料が素子側パッドから離隔し接していないので、当然
ながら、ＣｕとＳｎとの反応による脆い金属間化合物が
形成されることはない。そのため、半導体素子と配線基
板との熱膨張差によって接合部分に応力がかかっても、
クラックが生じにくく、長期間にわたって接合部分の破
断を効果的に防止できる。また、本発明では、基板側半
田バンプの高さを、上述した融着の際に、溶融していな
い（但し半溶融の状態を除く）素子側半田バンプの側面
に溶融した基板側半田材料が這い上がっても、その基板
側半田材料が素子側パッドに到達しない高さ、具体的に
は従来より低い高さにしている。そのため、この様な高
さに設定された基板側半田バンプを有する配線基板に、
半導体素子を接合すると、融着の際に基板側半田材料が
素子側パッドに到達しないので、当然ながら、ＣｕとＳ
ｎとの反応による脆い金属間化合物が形成されない。こ
れは、基板側半田材料が、素子側半田バンプ上に濡れ広
がるが、その濡れ広がりの程度は、基板側半田バンプの
高さの影響を受けるからである。よって、半導体素子と
配線基板との熱膨張差によって接合部分に応力がかかっ
ても、クラックが生じにくく、長期間にわたって接合部
分の破断を効果的に防止できる。更に、本発明では、素
子側半田バンプの高さが７０μｍ以上である場合に、基
板側半田バンプの高さが、１０〜４０μｍに設定されて
いる。実際に半導体素子に設けられる素子側半田バンプ
の高さは、通常、約７０μｍであるので、この素子側半
田バンプに基板側半田材料が融着する際に、基板側半田
材料が素子側パッドに到達しない様にし、かつ十分な接
合を行うためには、基板側半田バンプの高さを１０〜４
０μｍの高さに設定するのがよい。従って、基板側半田
バンプの高さが１０μｍ以上であると、基板側半田材料
の体積が十分で接合力が確保でき、高さが４０μｍ以下
であると、溶融時に基板側半田材料が素子側パッドに至
らないので好適である。
【００１５】なお、Ｓｎを含まないか、あるいは多くと
も２０ｗｔ％以下含む半田材料としては、例えば、Ｐｂ
単体、Ｐｂ基半田（９７．５Ｐｂ−２．５Ａｇ、９５Ｐ
ｂ−５Ａｇ、９０Ｐｂ−５Ａｇ−５Ｓｂ、９０Ｐｂ−５
Ａｇ−５Ｓｎ等）、Ｐｂ−Ｓｎ半田のうち、Ｓｎを２０
ｗｔ％以下含むもの（９７Ｐｂ−３Ｓｎ、９５Ｐｂ−５
Ｓｎ、９０Ｐｂ−１０Ｓｎ）、更に他の成分（Ａｇ、Ｓ
ｂ、Ｃｕ、Ｉｎ等）を添加したものなどが挙げられる。
も２０ｗｔ％以下含む半田材料としては、例えば、Ｐｂ
単体、Ｐｂ基半田（９７．５Ｐｂ−２．５Ａｇ、９５Ｐ
ｂ−５Ａｇ、９０Ｐｂ−５Ａｇ−５Ｓｂ、９０Ｐｂ−５
Ａｇ−５Ｓｎ等）、Ｐｂ−Ｓｎ半田のうち、Ｓｎを２０
ｗｔ％以下含むもの（９７Ｐｂ−３Ｓｎ、９５Ｐｂ−５
Ｓｎ、９０Ｐｂ−１０Ｓｎ）、更に他の成分（Ａｇ、Ｓ
ｂ、Ｃｕ、Ｉｎ等）を添加したものなどが挙げられる。
【００１６】また、２０ｗｔ％以上のＳｎを含む半田材
料としては、例えばＰｂ−Ｓｎ系半田においては、Ｐｂ
−Ｓｎ共晶半田（３７Ｐｂ−６３Ｓｎ）や、その近傍の
組成（３３Ｐｂ−６７Ｓｎ、３５Ｐｂ−６５Ｓｎ、４０
Ｐｂ−６０Ｓｎ、４５Ｐｂ−５５Ｓｎ等、概略２０〜４
５ｗｔ％、Ｓｎ８０〜５５ｗｔ％）のものが挙げられ
る。これらは、融点が２００℃程度以下であり、素子側
半田材料との融点の違いが大きくなるので、取扱が容易
になる。なお、その他の成分（Ａｇ、Ｓｂ、Ｃｕ、Ｉ
ｎ、Ｂｉ、Ｃｄ等）を添加したもの（例えば３６Ｐｂ−
６０Ｓｎ−４Ａｇ、４０Ｐｂ−５７Ｓｎ−３Ｂｉ等）を
用いてもよい。
料としては、例えばＰｂ−Ｓｎ系半田においては、Ｐｂ
−Ｓｎ共晶半田（３７Ｐｂ−６３Ｓｎ）や、その近傍の
組成（３３Ｐｂ−６７Ｓｎ、３５Ｐｂ−６５Ｓｎ、４０
Ｐｂ−６０Ｓｎ、４５Ｐｂ−５５Ｓｎ等、概略２０〜４
５ｗｔ％、Ｓｎ８０〜５５ｗｔ％）のものが挙げられ
る。これらは、融点が２００℃程度以下であり、素子側
半田材料との融点の違いが大きくなるので、取扱が容易
になる。なお、その他の成分（Ａｇ、Ｓｂ、Ｃｕ、Ｉ
ｎ、Ｂｉ、Ｃｄ等）を添加したもの（例えば３６Ｐｂ−
６０Ｓｎ−４Ａｇ、４０Ｐｂ−５７Ｓｎ−３Ｂｉ等）を
用いてもよい。
【００１７】 また、融着された基板側半田材料中に
は、基板側半田バンプや素子側半田バンプの酸化防止の
ため表面に形成されていたＡｕが、溶食により含まれて
いることもある。請求項２の配線基板の発明では、素子
側半田材料がＰｂを主成分とする高温半田からなり、基
板側半田材料がＰｂ−Ｓｎ共晶半田からなる。
は、基板側半田バンプや素子側半田バンプの酸化防止の
ため表面に形成されていたＡｕが、溶食により含まれて
いることもある。請求項２の配線基板の発明では、素子
側半田材料がＰｂを主成分とする高温半田からなり、基
板側半田材料がＰｂ−Ｓｎ共晶半田からなる。
【００１８】つまり、本発明では、素子側半田材料の溶
融温度が基板側半田材料の溶融温度より高く設定されて
いるので、その両溶融温度の間の温度（即ち素子側半田
材料が溶融せず且つ基板側半田材料が溶融する温度）に
て加熱して、基板側半田材料のみを溶融させ、その後冷
却することにより、基板側半田材料を素子側半田バンプ
に融着させて、半導体素子を配線基板に接合することが
できる。
融温度が基板側半田材料の溶融温度より高く設定されて
いるので、その両溶融温度の間の温度（即ち素子側半田
材料が溶融せず且つ基板側半田材料が溶融する温度）に
て加熱して、基板側半田材料のみを溶融させ、その後冷
却することにより、基板側半田材料を素子側半田バンプ
に融着させて、半導体素子を配線基板に接合することが
できる。
【００１９】なお、Ｐｂを主成分とする高温半田として
は、例えば、Ｐｂ基半田やＰｂ−Ｓｎ半田のうち、９７
Ｐｂ−３Ｓｎ、９５Ｐｂ−５Ｓｎ、９０Ｐｂ−１０Ｓｎ
等を挙げることができる。一方、基板側半田材料のＰｂ
−Ｓｎ共晶半田は、入手し易く融点も低く、高温半田と
も濡れ易く好ましいが、その他、素子側半田材料の融点
を勘案しつつ組成を決めれば良い。例えば、更に低融点
化するために、ＩｎやＢｉ、Ａｇ等を添加したものを用
いてもよい。
は、例えば、Ｐｂ基半田やＰｂ−Ｓｎ半田のうち、９７
Ｐｂ−３Ｓｎ、９５Ｐｂ−５Ｓｎ、９０Ｐｂ−１０Ｓｎ
等を挙げることができる。一方、基板側半田材料のＰｂ
−Ｓｎ共晶半田は、入手し易く融点も低く、高温半田と
も濡れ易く好ましいが、その他、素子側半田材料の融点
を勘案しつつ組成を決めれば良い。例えば、更に低融点
化するために、ＩｎやＢｉ、Ａｇ等を添加したものを用
いてもよい。
【００２０】素子側パッドとしては、Ｃｕを主成分とす
る層を素子側半田バンプとの界面に有する構成とするこ
とができる。この場合には、Ｃｕを含む層に、素子側半
田材料がよく濡れるので、安定した形状の素子側半田バ
ンプが形成できる。しかも、本発明によれば、その層に
おける金属間化合物の形成を防止できるので、前記請求
項１と同様に、長期間にわたって接合部分の破断を効果
的に防止できる。
る層を素子側半田バンプとの界面に有する構成とするこ
とができる。この場合には、Ｃｕを含む層に、素子側半
田材料がよく濡れるので、安定した形状の素子側半田バ
ンプが形成できる。しかも、本発明によれば、その層に
おける金属間化合物の形成を防止できるので、前記請求
項１と同様に、長期間にわたって接合部分の破断を効果
的に防止できる。
【００２１】 請求項３の配線基板の発明は、２０ｗｔ
％以上のＳｎを含む基板側半田材料からなる基板側半田
バンプを有し、素子側パッド上に素子側半田バンプを有
する半導体素子を、溶融していない（但し半溶融の状態
を除く）前記素子側半田バンプの側面に溶融した前記基
板側半田材料が這い上がって融着することにより接合す
るための配線基板であって、前記素子側半田バンプの高
さが７０μｍ以上である場合に、前記基板側半田バンプ
の高さが、前記融着時に前記基板側半田材料が前記素子
側パッドから離隔する高さであって、１０〜４０μｍの
高さに設定されている。尚、この半田バンプの高さと
は、半田バンプ自身の高さ、即ち各半田バンプの底面
（パッドの上面）から半田バンプの頂部までの高さをい
う。Ｓｎは、金属間化合物を形成し易い性質を有し、素
子側パッドに用いられるＣｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ
等と金属間化合物を形成する。しかし、本発明では、Ｓ
ｎを含む基板側半田材料が素子側パッドから離隔するよ
うにされているので、金属間化合物を形成することがな
い。従って、前記請求項１と同様に、半導体素子と配線
基板との熱膨張差によって接合部分に応力がかかって
も、クラックが生じにくく、長期間にわたって接合部分
の破断を効果的に防止できる。
％以上のＳｎを含む基板側半田材料からなる基板側半田
バンプを有し、素子側パッド上に素子側半田バンプを有
する半導体素子を、溶融していない（但し半溶融の状態
を除く）前記素子側半田バンプの側面に溶融した前記基
板側半田材料が這い上がって融着することにより接合す
るための配線基板であって、前記素子側半田バンプの高
さが７０μｍ以上である場合に、前記基板側半田バンプ
の高さが、前記融着時に前記基板側半田材料が前記素子
側パッドから離隔する高さであって、１０〜４０μｍの
高さに設定されている。尚、この半田バンプの高さと
は、半田バンプ自身の高さ、即ち各半田バンプの底面
（パッドの上面）から半田バンプの頂部までの高さをい
う。Ｓｎは、金属間化合物を形成し易い性質を有し、素
子側パッドに用いられるＣｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ
等と金属間化合物を形成する。しかし、本発明では、Ｓ
ｎを含む基板側半田材料が素子側パッドから離隔するよ
うにされているので、金属間化合物を形成することがな
い。従って、前記請求項１と同様に、半導体素子と配線
基板との熱膨張差によって接合部分に応力がかかって
も、クラックが生じにくく、長期間にわたって接合部分
の破断を効果的に防止できる。
【００２２】 また、本発明では、基板側半田バンプの
高さを、上述した融着の際に、溶融していない（但し半
溶融の状態を除く）素子側半田バンプの側面に溶融した
基板側半田材料が這い上がっても、その基板側半田材料
が素子側パッドに到達しない高さ、具体的には従来より
低い高さにしている。そのため、この様な高さに設定さ
れた基板側半田バンプを有する配線基板に、半導体素子
を接合すると、融着の際に基板側半田材料が素子側パッ
ドに到達しないので、当然ながら、ＣｕとＳｎとの反応
による脆い金属間化合物が形成されない。更に、本発明
では、素子側半田バンプの高さが７０μｍ以上である場
合に、基板側半田バンプの高さが、前記融着の際に基板
側半田バンプを構成する基板側半田材料が素子側パッド
から離隔する高さに設定されるとともに、基板側半田バ
ンプの高さが、１０〜４０μｍに設定されている。つま
り、上述した様に、基板側半田バンプの高さが１０μｍ
以上であると、基板側半田材料の体積が十分で接合力が
確保でき、高さが４０μｍ以下であると、溶融時に基板
側半田材料が素子側パッドに至らない。従って、金属間
化合物を形成し易いＳｎを基板側半田材料に用いても、
素子側半田バンプに基板側半田材料が融着する際に、基
板側半田材料が素子側パッドに到達しないので、脆い金
属間化合物が形成されず、よって、クラックが生じにく
く、長期間にわたって接合部分の破断を効果的に防止で
きる。
高さを、上述した融着の際に、溶融していない（但し半
溶融の状態を除く）素子側半田バンプの側面に溶融した
基板側半田材料が這い上がっても、その基板側半田材料
が素子側パッドに到達しない高さ、具体的には従来より
低い高さにしている。そのため、この様な高さに設定さ
れた基板側半田バンプを有する配線基板に、半導体素子
を接合すると、融着の際に基板側半田材料が素子側パッ
ドに到達しないので、当然ながら、ＣｕとＳｎとの反応
による脆い金属間化合物が形成されない。更に、本発明
では、素子側半田バンプの高さが７０μｍ以上である場
合に、基板側半田バンプの高さが、前記融着の際に基板
側半田バンプを構成する基板側半田材料が素子側パッド
から離隔する高さに設定されるとともに、基板側半田バ
ンプの高さが、１０〜４０μｍに設定されている。つま
り、上述した様に、基板側半田バンプの高さが１０μｍ
以上であると、基板側半田材料の体積が十分で接合力が
確保でき、高さが４０μｍ以下であると、溶融時に基板
側半田材料が素子側パッドに至らない。従って、金属間
化合物を形成し易いＳｎを基板側半田材料に用いても、
素子側半田バンプに基板側半田材料が融着する際に、基
板側半田材料が素子側パッドに到達しないので、脆い金
属間化合物が形成されず、よって、クラックが生じにく
く、長期間にわたって接合部分の破断を効果的に防止で
きる。
【００２３】
【００２４】
【００２５】 請求項４の配線基板の発明では、基板側
半田バンプの高さが、素子側半田バンプの高さの６０％
以下である。
半田バンプの高さが、素子側半田バンプの高さの６０％
以下である。
【００２６】つまり、この様な高さに設定されている
と、融着の際に、基板側半田材料が素子側パッドに到達
しないので、脆い金属間化合物が形成されず、よって、
クラックが生じにくく、接合部分の破断を効果的に防止
できる。この６０％の規定は、以下に述べる様に、幾何
学的な理由により設定されるものである。
と、融着の際に、基板側半田材料が素子側パッドに到達
しないので、脆い金属間化合物が形成されず、よって、
クラックが生じにくく、接合部分の破断を効果的に防止
できる。この６０％の規定は、以下に述べる様に、幾何
学的な理由により設定されるものである。
【００２７】まず、半導体素子と配線基板とが接合され
た状態を考える。この状態において半導体素子と配線基
板とが最も近接した場合では、図１（ａ）に示す様に、
素子側半田バンプの頂部が基板側パッドに当接する。こ
の場合において、基板側半田材料が素子側パッドに這上
がらないで、かつ基板側半田材料の体積が最も多い状態
が図１（ａ）に示す状態であり、基板側半田材料の図中
上端が素子側パッドの図中下方外周に至る直前の状態で
ある。
た状態を考える。この状態において半導体素子と配線基
板とが最も近接した場合では、図１（ａ）に示す様に、
素子側半田バンプの頂部が基板側パッドに当接する。こ
の場合において、基板側半田材料が素子側パッドに這上
がらないで、かつ基板側半田材料の体積が最も多い状態
が図１（ａ）に示す状態であり、基板側半田材料の図中
上端が素子側パッドの図中下方外周に至る直前の状態で
ある。
【００２８】ここで、素子側パッドと基板側パッドのパ
ッド径は、通常ほぼ同じであることから、接合部の半田
体積（素子側半田バンプと基板側半田バンプの体積の合
計）を、図１（ｂ）に示す様に、素子側パッドを底面と
し素子側半田バンプのバンプ高さを高さとする円柱の体
積として近似する。更に、例えば通常の高温半田からな
る素子側半田バンプは、パッド径とバンプ高さがほぼ等
しい略半球状とみなせるので、素子側半田バンプの半径
（＝素子側半田バンプ高さ＝基板側半田バンプの半径）
をｒとすると、素子側半田バンプの体積ａ及び接合部の
体積ｂは、下記式（１）及び（２）から求まる。
ッド径は、通常ほぼ同じであることから、接合部の半田
体積（素子側半田バンプと基板側半田バンプの体積の合
計）を、図１（ｂ）に示す様に、素子側パッドを底面と
し素子側半田バンプのバンプ高さを高さとする円柱の体
積として近似する。更に、例えば通常の高温半田からな
る素子側半田バンプは、パッド径とバンプ高さがほぼ等
しい略半球状とみなせるので、素子側半田バンプの半径
（＝素子側半田バンプ高さ＝基板側半田バンプの半径）
をｒとすると、素子側半田バンプの体積ａ及び接合部の
体積ｂは、下記式（１）及び（２）から求まる。
【００２９】
素子側半田バンプの体積ａ＝（２／３）・πｒ3 …（１）
接合部（円柱）の体積ｂ ＝πｒ3 …（２）
従って、基板側半田材料の体積（＝基板側半田バンプの
体積）Ｖは、接合部（円柱）の体積ｂから素子側半田バ
ンプの体積ａを除いたものと見なせるので、下記式
（３）から求まる。
体積）Ｖは、接合部（円柱）の体積ｂから素子側半田バ
ンプの体積ａを除いたものと見なせるので、下記式
（３）から求まる。
【００３０】
基板側半田バンプの体積Ｖ＝ｂ−ａ
＝πｒ3−（２／３）・πｒ3
＝（１／３）πｒ3
＝０．３３πｒ3 …（３）
従って、体積Ｖは、素子側半田バンプの体積ａの１／２
以下にすれば、基板側半田材料が素子側パッドにまで届
くことはない。
以下にすれば、基板側半田材料が素子側パッドにまで届
くことはない。
【００３１】ここで、基板側半田バンプは、溶融時には
表面張力によって概略球を切断した形状になるため、そ
の体積Ｖは、基板側パッドのパッド径ｒとバンプ高さＴ
から、以下、の様に場合分けして計算できる。尚、
以下の計算では、バンプ形状を構成する切断された球の
半径をＬ、球の半径Ｌとバンプ高さＴとの差をｔとす
る。
表面張力によって概略球を切断した形状になるため、そ
の体積Ｖは、基板側パッドのパッド径ｒとバンプ高さＴ
から、以下、の様に場合分けして計算できる。尚、
以下の計算では、バンプ形状を構成する切断された球の
半径をＬ、球の半径Ｌとバンプ高さＴとの差をｔとす
る。
【００３２】図２（ａ）に示す様に、バンプが半球状
より小さい場合 Ｌ2＝ｒ2＋ｔ2、 Ｔ＝Ｌ−ｔ から Ｌ ＝（ｒ2／Ｔ＋Ｔ）／２ …（４） ｔ ＝（ｒ2／Ｔ−Ｔ）／２ …（５）
より小さい場合 Ｌ2＝ｒ2＋ｔ2、 Ｔ＝Ｌ−ｔ から Ｌ ＝（ｒ2／Ｔ＋Ｔ）／２ …（４） ｔ ＝（ｒ2／Ｔ−Ｔ）／２ …（５）
【００３３】
【数１】
【００３４】図２（ｂ）に示す様に、バンプが半球状
より大きい場合 Ｌ2＝ｒ2＋ｔ2、 Ｔ＝Ｌ＋ｔ から Ｌ ＝（ｒ2／Ｔ＋Ｔ）／２ ｔ ＝（Ｔ−ｒ2／Ｔ）／２
より大きい場合 Ｌ2＝ｒ2＋ｔ2、 Ｔ＝Ｌ＋ｔ から Ｌ ＝（ｒ2／Ｔ＋Ｔ）／２ ｔ ＝（Ｔ−ｒ2／Ｔ）／２
【００３５】
【数２】
【００３６】ここで、図１（ｃ）に示す様に、例えば共
晶半田からなる基板側半田バンプの体積Ｖは、半球状の
高温半田からなる素子側半田バンプの体積ｂ（＝（２／
３）πｒ3）の半分（Ｖ＝（１／３）πｒ3）以下である
ので、前記図２（ａ）に示すの場合の様に、半球状よ
り小さいバンプとなる。
晶半田からなる基板側半田バンプの体積Ｖは、半球状の
高温半田からなる素子側半田バンプの体積ｂ（＝（２／
３）πｒ3）の半分（Ｖ＝（１／３）πｒ3）以下である
ので、前記図２（ａ）に示すの場合の様に、半球状よ
り小さいバンプとなる。
【００３７】従って、基板側半田バンプの体積Ｖは、前
記式（６）から算出できる。例えば前記図１（ａ）に示
す許容限界状態における基板側半田バンプの体積Ｖは、
前記式（３）よりＶ＝０．３３πｒ3であるので、下記
式（７）を満たすＬとｔを求めれば、バンプ高さＴが求
まることになる。
記式（６）から算出できる。例えば前記図１（ａ）に示
す許容限界状態における基板側半田バンプの体積Ｖは、
前記式（３）よりＶ＝０．３３πｒ3であるので、下記
式（７）を満たすＬとｔを求めれば、バンプ高さＴが求
まることになる。
【００３８】
０．３３πｒ3＝π（Ｌ3×２／３−Ｌ2ｔ＋ｔ3／３） …（７）
逆に、バンプ高さＴを与えて、Ｌ，ｔを求め、その結
果、Ｖ＝０．３３πｒ3を満たせば、そのバンプ高さＴ
が求める値であることになる。従って、ここで、Ｔ＝
０．６×ｒとすると、即ち、本発明の様に、基板側半田
バンプのバンプ高さＴは、基板側パッドのパッド径ｒ
（＝パッド径が同じで且つ半球状である素子側パッドの
高さ）の６０％とすると、 前記式（４）より、Ｌ＝（ｒ2／０．６ｒ＋０．６ｒ）
／２＝１．１３×ｒ 前記式（５）より、ｔ＝（ｒ2／０．６ｒ−０．６ｒ）
／２＝０．５３×ｒ となる。よって、前記式（６）より、 Ｖ＝π［（１．１３×ｒ）3×２／３−（１．１３×
ｒ）2×０．５３ｒ＋（０．５３ｒ）3／３］＝０．３３
πｒ3 となり、この体積Ｖは、前記図１（ａ）及び前記式
（３）で示した様に、接合時に素子側パッドに基板側半
田材料が達しない限界状態における半田体積と一致す
る。
果、Ｖ＝０．３３πｒ3を満たせば、そのバンプ高さＴ
が求める値であることになる。従って、ここで、Ｔ＝
０．６×ｒとすると、即ち、本発明の様に、基板側半田
バンプのバンプ高さＴは、基板側パッドのパッド径ｒ
（＝パッド径が同じで且つ半球状である素子側パッドの
高さ）の６０％とすると、 前記式（４）より、Ｌ＝（ｒ2／０．６ｒ＋０．６ｒ）
／２＝１．１３×ｒ 前記式（５）より、ｔ＝（ｒ2／０．６ｒ−０．６ｒ）
／２＝０．５３×ｒ となる。よって、前記式（６）より、 Ｖ＝π［（１．１３×ｒ）3×２／３−（１．１３×
ｒ）2×０．５３ｒ＋（０．５３ｒ）3／３］＝０．３３
πｒ3 となり、この体積Ｖは、前記図１（ａ）及び前記式
（３）で示した様に、接合時に素子側パッドに基板側半
田材料が達しない限界状態における半田体積と一致す
る。
【００３９】このことから、基板側半田バンプのバンプ
高さが、素子側半田バンプのバンプ高さの６０％以下で
あれば、接合時に、基板側半田材料が素子側パッドに達
せず、従って、基板側半田材料の成分が素子側パッドの
成分と反応して金属間化合物を形成しないことが分か
る。
高さが、素子側半田バンプのバンプ高さの６０％以下で
あれば、接合時に、基板側半田材料が素子側パッドに達
せず、従って、基板側半田材料の成分が素子側パッドの
成分と反応して金属間化合物を形成しないことが分か
る。
【００４０】
【００４１】
【００４２】 請求項５の配線基板の製造方法の発明で
は、板厚２０〜３０μｍで透孔径１００μｍ以下の透孔
を有するメタルマスクを用いて、主として半田粒径１０
〜２０μｍの半田粒とフラックスからなる半田ペースト
を、基板側パッド上に塗布する工程と、塗布した半田ペ
ーストを加熱により溶融させ、その後冷却して基板側パ
ッド上に基板側半田バンプを形成する工程とを有してい
る。
は、板厚２０〜３０μｍで透孔径１００μｍ以下の透孔
を有するメタルマスクを用いて、主として半田粒径１０
〜２０μｍの半田粒とフラックスからなる半田ペースト
を、基板側パッド上に塗布する工程と、塗布した半田ペ
ーストを加熱により溶融させ、その後冷却して基板側パ
ッド上に基板側半田バンプを形成する工程とを有してい
る。
【００４３】つまり、上述した様に、融着時に基板側半
田材料が素子側パッドに到達しない様にするには、基板
側半田バンプの高さを低く、即ち基板側半田バンプの体
積を小さく必要があるが、実際には、その様な小さな基
板側半田バンプを能率よく形成することは容易ではな
い。
田材料が素子側パッドに到達しない様にするには、基板
側半田バンプの高さを低く、即ち基板側半田バンプの体
積を小さく必要があるが、実際には、その様な小さな基
板側半田バンプを能率よく形成することは容易ではな
い。
【００４４】そこで、本発明では、板厚２０〜３０μｍ
で透孔径１００μｍ以下の透孔を有するメタルマスクを
用いて、主として半田粒径１０〜２０μｍの半田粒とフ
ラックスからなる半田ペーストを、基板側パッド上に塗
布するという方法により、小さな基板側半田バンプを能
率よく形成することを可能にした。
で透孔径１００μｍ以下の透孔を有するメタルマスクを
用いて、主として半田粒径１０〜２０μｍの半田粒とフ
ラックスからなる半田ペーストを、基板側パッド上に塗
布するという方法により、小さな基板側半田バンプを能
率よく形成することを可能にした。
【００４５】つまり、メタルマスクの透孔径を小さくし
さえすれば、小さな基板側半田バンプを形成できるはず
であるが、従来半田バンプの形成に使用されている半田
粒の径（１５〜３８μｍ）では大き過ぎて、うまくメタ
ルマスクを用いて印刷できない。そこで、半田粒径を１
０〜２０μｍとし、しかもメタルマスクの板厚を２０〜
３０μｍと薄くすることにより、小さな透孔でも好適に
印刷でき、それにより、小さな基板側半田バンプを容易
に形成することができる。
さえすれば、小さな基板側半田バンプを形成できるはず
であるが、従来半田バンプの形成に使用されている半田
粒の径（１５〜３８μｍ）では大き過ぎて、うまくメタ
ルマスクを用いて印刷できない。そこで、半田粒径を１
０〜２０μｍとし、しかもメタルマスクの板厚を２０〜
３０μｍと薄くすることにより、小さな透孔でも好適に
印刷でき、それにより、小さな基板側半田バンプを容易
に形成することができる。
【００４６】即ち、半田粒径が１０μｍ以上であると、
半田粒の表面の酸化膜が少なく溶融性を確保でき、半田
粒径が２０μｍ以下で、メタルマスクの板厚を２０〜３
０μｍにすると、メタルマスクの透孔径が小さくても版
抜け性（半田ペーストがメタルマスクの透孔に詰まらず
通過する印刷性）に優れ、安定した量の半田ペーストを
充填することができ好適である。
半田粒の表面の酸化膜が少なく溶融性を確保でき、半田
粒径が２０μｍ以下で、メタルマスクの板厚を２０〜３
０μｍにすると、メタルマスクの透孔径が小さくても版
抜け性（半田ペーストがメタルマスクの透孔に詰まらず
通過する印刷性）に優れ、安定した量の半田ペーストを
充填することができ好適である。
【００４７】特に、本発明では、半田ペーストを印刷法
により充填するので、多数の基板側半田バンプの形成の
ための半田ペーストの充填作業を一度に容易に行うこと
ができ、作業能率が高く、低コストであるという利点が
ある。ここで、半田ペースト印刷法による印刷ボリュー
ム（メタルマスクの透孔内やソルダーレジストの開口部
等の開口部分に充填される半田ペーストの体積）の計算
方法について説明する。尚、通常、基板表面には、基板
用パッドの周囲に（絶縁用の）ソルダーレジストが形成
されているので、ソルダーレジストを有する場合を例に
挙げて説明する。
により充填するので、多数の基板側半田バンプの形成の
ための半田ペーストの充填作業を一度に容易に行うこと
ができ、作業能率が高く、低コストであるという利点が
ある。ここで、半田ペースト印刷法による印刷ボリュー
ム（メタルマスクの透孔内やソルダーレジストの開口部
等の開口部分に充填される半田ペーストの体積）の計算
方法について説明する。尚、通常、基板表面には、基板
用パッドの周囲に（絶縁用の）ソルダーレジストが形成
されているので、ソルダーレジストを有する場合を例に
挙げて説明する。
【００４８】図３に示す様に、半田ペーストの印刷を行
う場合には、予め配線基板上の基板用パッドの周囲にソ
ルダーレジストを形成し、ソルダーレジスト上にメタル
マスクを配置する。このとき、ソルダーレジストの開口
部とメタルマスクの透孔とが、図の上下方向に連通する
様にメタルマスクを配置する。
う場合には、予め配線基板上の基板用パッドの周囲にソ
ルダーレジストを形成し、ソルダーレジスト上にメタル
マスクを配置する。このとき、ソルダーレジストの開口
部とメタルマスクの透孔とが、図の上下方向に連通する
様にメタルマスクを配置する。
【００４９】つまり、この開口部及び透孔からなる開口
部分に半田ペーストが充填されるので、開口部分の容積
が、充填される半田ペーストの体積、ひいては、半田ペ
ースト中の半田粒から形成される基板側半田バンプの体
積を決める。即ち、半田ペースト中の半田の割合は決め
られているので、開口部分の容積を決めることにより、
基板側半田バンプの体積、ひいては、その体積から決ま
る基板側半田バンプの高さを設定することができるので
ある。
部分に半田ペーストが充填されるので、開口部分の容積
が、充填される半田ペーストの体積、ひいては、半田ペ
ースト中の半田粒から形成される基板側半田バンプの体
積を決める。即ち、半田ペースト中の半田の割合は決め
られているので、開口部分の容積を決めることにより、
基板側半田バンプの体積、ひいては、その体積から決ま
る基板側半田バンプの高さを設定することができるので
ある。
【００５０】 例えば、図３及び下記の様に各部の寸法
を設定した場合には、充填される半田ペーストの体積Ｖ
Sは、下記式（８）にて算出される。 メタルマスクの透孔径 ；ＤMMO メタルマスクの厚み ；ＴMM ソルダーレジストの開口径；ＤSRO ソルダーレジストの厚み ；ＴSR パッド径 ；ＤP パッドの厚み ；ＴP ＶS＝π（ＤSRO／２）2×ＴSR＋π（ＤMMO／２）2×ＴM
M−π（ＤP／２）2×ＴP …（８） 請求項６の配線基板の製造方法では、基板側パッドの周
縁部をソルダーレジストで覆い、基板側パッドの略中央
部が露出する開口部を形成する工程と、メタルマスクを
用いて少なくとも開口部に半田ペーストを塗布する工程
と、塗布した半田ペーストを加熱により溶融させ、その
後冷却して基板側パッド上に基板側半田バンプを形成す
る工程とを有する。
を設定した場合には、充填される半田ペーストの体積Ｖ
Sは、下記式（８）にて算出される。 メタルマスクの透孔径 ；ＤMMO メタルマスクの厚み ；ＴMM ソルダーレジストの開口径；ＤSRO ソルダーレジストの厚み ；ＴSR パッド径 ；ＤP パッドの厚み ；ＴP ＶS＝π（ＤSRO／２）2×ＴSR＋π（ＤMMO／２）2×ＴM
M−π（ＤP／２）2×ＴP …（８） 請求項６の配線基板の製造方法では、基板側パッドの周
縁部をソルダーレジストで覆い、基板側パッドの略中央
部が露出する開口部を形成する工程と、メタルマスクを
用いて少なくとも開口部に半田ペーストを塗布する工程
と、塗布した半田ペーストを加熱により溶融させ、その
後冷却して基板側パッド上に基板側半田バンプを形成す
る工程とを有する。
【００５１】 本発明は、前記請求項５と同様に、メタ
ルマスクを用い印刷により半田ペーストを充填する方法
であるが、ソルダーレジストでパッドの周縁部を覆う点
が異なる。つまり、本発明では、基板側パッドの略中央
の開口部を残して周縁部をソルダーレジストで覆うの
で、基板側半田バンプはこの開口部に形成される。
ルマスクを用い印刷により半田ペーストを充填する方法
であるが、ソルダーレジストでパッドの周縁部を覆う点
が異なる。つまり、本発明では、基板側パッドの略中央
の開口部を残して周縁部をソルダーレジストで覆うの
で、基板側半田バンプはこの開口部に形成される。
【００５２】 本発明によっても、前記請求項５と同様
に、能率よくかつ低コストにて多くの基板側半田バンプ
を一度に形成することができる。請求項７の配線基板の
製造方法では、基板側パッドの周縁部をソルダーレジス
トで覆い、該基板側パッドの略中央部が露出する開口部
を形成する工程と、ソルダーレジスト上を直接スキージ
ングし、ソルダーレジストの開口部に半田ペーストを充
填する工程と、充填した半田ペーストを加熱して半田を
溶融させ、その後冷却して基板側半田バンプを形成する
工程とを有する。
に、能率よくかつ低コストにて多くの基板側半田バンプ
を一度に形成することができる。請求項７の配線基板の
製造方法では、基板側パッドの周縁部をソルダーレジス
トで覆い、該基板側パッドの略中央部が露出する開口部
を形成する工程と、ソルダーレジスト上を直接スキージ
ングし、ソルダーレジストの開口部に半田ペーストを充
填する工程と、充填した半田ペーストを加熱して半田を
溶融させ、その後冷却して基板側半田バンプを形成する
工程とを有する。
【００５３】 本発明は、前記請求項５，６の発明の様
な、個々の基板側パッドに対応した透孔を有するメタル
マスクは不要で、ソルダーレジスト上を直接にスキージ
ングするものである。従って、充填される半田ペースト
の体積を規定するものとして、メタルマスクの透孔径や
厚みを考える必要はない。
な、個々の基板側パッドに対応した透孔を有するメタル
マスクは不要で、ソルダーレジスト上を直接にスキージ
ングするものである。従って、充填される半田ペースト
の体積を規定するものとして、メタルマスクの透孔径や
厚みを考える必要はない。
【００５４】 そのため、本発明では、精密な透孔径を
有するメタルマスクを用いる必要がなく、メタルマスク
の精密な（各パッドの対応する）位置合わせが不要であ
るので、製造が容易でコストも低減することができる。
請求頃８の配線基板の製造方法では、半田ペーストを充
填する工程が、基板側パッド及びソルダーレジストを有
する配線基板を、配線基板の外形寸法に対応する凹部で
あって、配線基板を嵌め込んだときにソルダーレジスト
の表面と凹部の周囲表面との高さが揃う深さの凹部を有
する凹版に嵌め込む工程と、この凹版に配線基板を嵌め
込んだ状態で、スキージングを行い開口部に半田ペース
トを充填し、余剰半田ペーストを凹版の凹部周囲表面ま
で移動させる工程と、凹版から配線基板を取り外す工程
とを有する。
有するメタルマスクを用いる必要がなく、メタルマスク
の精密な（各パッドの対応する）位置合わせが不要であ
るので、製造が容易でコストも低減することができる。
請求頃８の配線基板の製造方法では、半田ペーストを充
填する工程が、基板側パッド及びソルダーレジストを有
する配線基板を、配線基板の外形寸法に対応する凹部で
あって、配線基板を嵌め込んだときにソルダーレジスト
の表面と凹部の周囲表面との高さが揃う深さの凹部を有
する凹版に嵌め込む工程と、この凹版に配線基板を嵌め
込んだ状態で、スキージングを行い開口部に半田ペース
トを充填し、余剰半田ペーストを凹版の凹部周囲表面ま
で移動させる工程と、凹版から配線基板を取り外す工程
とを有する。
【００５５】つまり、本発明では、凹版の凹部に配線基
板を嵌め込み、それによって、ソルダーレジストの表面
と凹部の周囲表面との高さが揃うので、この状態でスキ
ージングを行うことにより、半田ペーストをソルダーレ
ジストの複数の開口部、即ち、基板側半田バンプの形成
位置に各々充填することができる。
板を嵌め込み、それによって、ソルダーレジストの表面
と凹部の周囲表面との高さが揃うので、この状態でスキ
ージングを行うことにより、半田ペーストをソルダーレ
ジストの複数の開口部、即ち、基板側半田バンプの形成
位置に各々充填することができる。
【００５６】従って、本発明では、メタルマスクを使用
しなくて済むので、精密なメタルマスクを製造する必要
がなく、コストを低減することができる。また、スキー
ジングを行うためには、凹部に配線基板を嵌め込むだけ
でよく、メタルマスクの位置合わせの様な精密な位置合
わせが不要という利点がある。
しなくて済むので、精密なメタルマスクを製造する必要
がなく、コストを低減することができる。また、スキー
ジングを行うためには、凹部に配線基板を嵌め込むだけ
でよく、メタルマスクの位置合わせの様な精密な位置合
わせが不要という利点がある。
【００５７】 請求頃９の配線基板の製造方法では、半
田ペーストを充填する工程が、基板側パッド及びソルダ
ーレジストを有する配線基板のソルダーレジスト上に、
１つの透孔の中に複数のソルダーレジストの開口部を見
込む透孔を有するメタルマスクを載置する工程と、この
メタルマスクを配置した状態で、スキージングを行いソ
ルダーレジストの開口部に半田ペーストを充填し、余剰
半田ペーストをメタルマスクの透孔周囲表面まで移動さ
せる工程と、メタルマスクを除去する工程とを有する。
田ペーストを充填する工程が、基板側パッド及びソルダ
ーレジストを有する配線基板のソルダーレジスト上に、
１つの透孔の中に複数のソルダーレジストの開口部を見
込む透孔を有するメタルマスクを載置する工程と、この
メタルマスクを配置した状態で、スキージングを行いソ
ルダーレジストの開口部に半田ペーストを充填し、余剰
半田ペーストをメタルマスクの透孔周囲表面まで移動さ
せる工程と、メタルマスクを除去する工程とを有する。
【００５８】つまり、本発明では、ソルダーレジスト上
に、複数のソルダーレジストの開口部を見込む大きな透
孔を有するメタルマスクを載置して、スキージングを行
うことにより、半田ペーストをソルダーレジストの複数
の開口部の各々に充填することができる。
に、複数のソルダーレジストの開口部を見込む大きな透
孔を有するメタルマスクを載置して、スキージングを行
うことにより、半田ペーストをソルダーレジストの複数
の開口部の各々に充填することができる。
【００５９】 従って、本発明では、前記請求項７と同
様に、精密な透孔径の透孔を有するメタルマスクを製造
する必要がないので、製造工程やコストを低減すること
ができる。また、メタルマスクの精密な位置合わせが不
要という利点がある。請求項１０の配線基板の製造方法
では、半田に対して濡れ性の低い材料からなる基材表面
のうち基板側パッドに対応した位置に半田材料を分離可
能に固着してなる半田バンプ形成用シートを、半田材料
が基板側パッドに近接又は接触するように配置する工程
と、半田バンプ形成用シートを配置した状態で、半田材
料を加熱して半田を溶融させ、基板側パッドに半田を移
転させ、その後冷却して基板側パッド上に基板側半田バ
ンプを形成する工程とを有する。
様に、精密な透孔径の透孔を有するメタルマスクを製造
する必要がないので、製造工程やコストを低減すること
ができる。また、メタルマスクの精密な位置合わせが不
要という利点がある。請求項１０の配線基板の製造方法
では、半田に対して濡れ性の低い材料からなる基材表面
のうち基板側パッドに対応した位置に半田材料を分離可
能に固着してなる半田バンプ形成用シートを、半田材料
が基板側パッドに近接又は接触するように配置する工程
と、半田バンプ形成用シートを配置した状態で、半田材
料を加熱して半田を溶融させ、基板側パッドに半田を移
転させ、その後冷却して基板側パッド上に基板側半田バ
ンプを形成する工程とを有する。
【００６０】本発明における半田バンプ形成用シート、
及び半田バンプ形成用シートを用いて基板側半田バンプ
を形成する方法に関しては、既に出願した特願平８−３
２５４７３号に詳述してある。つまり、本発明では、半
田バンプ形成用シートに使用される基材は、半田に対し
て濡れ性の低い（即ち半田と反応して接着し難い）材料
から構成されているので、半田材料を加熱溶融して基板
側パッド上に半田バンプを形成した後に、半田バンプか
ら基材を（基材に半田バンプが付着して基板から脱落す
ることなく）容易に分離することができる。
及び半田バンプ形成用シートを用いて基板側半田バンプ
を形成する方法に関しては、既に出願した特願平８−３
２５４７３号に詳述してある。つまり、本発明では、半
田バンプ形成用シートに使用される基材は、半田に対し
て濡れ性の低い（即ち半田と反応して接着し難い）材料
から構成されているので、半田材料を加熱溶融して基板
側パッド上に半田バンプを形成した後に、半田バンプか
ら基材を（基材に半田バンプが付着して基板から脱落す
ることなく）容易に分離することができる。
【００６１】そのため、半田バンプ形成用シート上の半
田材料を、基板側パッドの位置に合わせて配置して（例
えば半田材料を基板側パッドの接触又は近接させて）、
加熱溶融することにより、基板側パッド上に体積の小さ
な基板側半田バンプを容易に形成することができる。
田材料を、基板側パッドの位置に合わせて配置して（例
えば半田材料を基板側パッドの接触又は近接させて）、
加熱溶融することにより、基板側パッド上に体積の小さ
な基板側半田バンプを容易に形成することができる。
【００６２】特に、配線基板に所定のパターン状に多数
の基板側半田バンプを形成する場合には、半田バンプ形
成用シート上にそのパターンに合わせて半田材料を配置
することにより、一度の加熱溶融により、パターン状に
多数の基板側半田バンプを形成することが可能である。
の基板側半田バンプを形成する場合には、半田バンプ形
成用シート上にそのパターンに合わせて半田材料を配置
することにより、一度の加熱溶融により、パターン状に
多数の基板側半田バンプを形成することが可能である。
【００６３】尚、体積の小さな基板側半田バンプを形成
する場合には、半田バンプ形成用シート上に体積の小さ
な半田材料を配置する必要があるが、この配置方法とし
ては、下記の方法を採用できる。 基材の表面に、半田薄板を圧着し、その後、エッチン
グ等により不要部分を除去する方法。
する場合には、半田バンプ形成用シート上に体積の小さ
な半田材料を配置する必要があるが、この配置方法とし
ては、下記の方法を採用できる。 基材の表面に、半田薄板を圧着し、その後、エッチン
グ等により不要部分を除去する方法。
【００６４】基材の表面に、透孔径（例えば１００μ
ｍ以下）の小さなメタルマスク及び半田粒径（例えば１
０〜３０μｍ）の小さな半田粒を含む半田ペーストを用
い、半田ペースト印刷法により半田材料を配置する方
法。
ｍ以下）の小さなメタルマスク及び半田粒径（例えば１
０〜３０μｍ）の小さな半田粒を含む半田ペーストを用
い、半田ペースト印刷法により半田材料を配置する方
法。
【００６５】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態の例
（実施例）について説明する。ここでは、半導体素子で
ある集積回路チップ（以下フリップチップと称す）を、
フェースダウンで実装する樹脂積層基板（フリップチッ
プ搭載用配線基板、以下単に配線基板と称す）を例を挙
げる。 （実施例１）本実施例では、個々の半田バンプに対応す
る多数の透孔を有するメタルマスクを用い、半田ペース
ト印刷法によって基板側半田バンプを形成した配線基
板、その配線基板にフリップチップを実装したフリップ
チップ付き配線基板及びその製造方法について説明す
る。
（実施例）について説明する。ここでは、半導体素子で
ある集積回路チップ（以下フリップチップと称す）を、
フェースダウンで実装する樹脂積層基板（フリップチッ
プ搭載用配線基板、以下単に配線基板と称す）を例を挙
げる。 （実施例１）本実施例では、個々の半田バンプに対応す
る多数の透孔を有するメタルマスクを用い、半田ペース
ト印刷法によって基板側半田バンプを形成した配線基
板、その配線基板にフリップチップを実装したフリップ
チップ付き配線基板及びその製造方法について説明す
る。
【００６６】ａ）まず、本実施例におけるフリップチッ
プ及び配線基板について説明する。図４（ａ）に示す様
に、フリップチップ１は、外径１２．５×１８ｍｍ、板
厚０．４ｍｍのＳｉ製のＬＳＩ素子であり、その板状の
基材２の（接合側の）片面には、素子側半田バンプ３
が、所定の配置パターンにて多数設けられている。
プ及び配線基板について説明する。図４（ａ）に示す様
に、フリップチップ１は、外径１２．５×１８ｍｍ、板
厚０．４ｍｍのＳｉ製のＬＳＩ素子であり、その板状の
基材２の（接合側の）片面には、素子側半田バンプ３
が、所定の配置パターンにて多数設けられている。
【００６７】つまり、図４（ｂ）に拡大して示す様に、
基材２上（図では下方）には、パッド径（＝２ｒ）１４
０μｍ×厚み１μｍのパッド（素子側パッド）４が、所
定の配置パターンにて多数設けられ、その素子側パッド
４上に、高さ７０μｍの９５Ｐｂ−５Ｓｎ（融点３１４
℃）の高温半田からなる略半球状の素子側半田バンプ４
が形成されている。この素子側半田バンプ３の半田体積
ａは、式（１）より、ａ＝（２／３）・πｒ3＝７．２
×１０-4ｍｍ3である。尚、素子側パッド４は、Ｃｒ蒸
着膜４ａの上にＣｕ蒸着膜４ｂが形成されたものであ
る。
基材２上（図では下方）には、パッド径（＝２ｒ）１４
０μｍ×厚み１μｍのパッド（素子側パッド）４が、所
定の配置パターンにて多数設けられ、その素子側パッド
４上に、高さ７０μｍの９５Ｐｂ−５Ｓｎ（融点３１４
℃）の高温半田からなる略半球状の素子側半田バンプ４
が形成されている。この素子側半田バンプ３の半田体積
ａは、式（１）より、ａ＝（２／３）・πｒ3＝７．２
×１０-4ｍｍ3である。尚、素子側パッド４は、Ｃｒ蒸
着膜４ａの上にＣｕ蒸着膜４ｂが形成されたものであ
る。
【００６８】一方、図５（ａ）に示す様に、フリップチ
ップ１を搭載する配線基板６は、特願平８−７６９６０
号の実施例１に示したものと同様なものであり、外径２
５×２５ｍｍ、板厚約１ｍｍの板状の基材７の（接合側
の）片面には、基板側半田バンプ８が所定の配置パター
ンにて多数設けられている。
ップ１を搭載する配線基板６は、特願平８−７６９６０
号の実施例１に示したものと同様なものであり、外径２
５×２５ｍｍ、板厚約１ｍｍの板状の基材７の（接合側
の）片面には、基板側半田バンプ８が所定の配置パター
ンにて多数設けられている。
【００６９】つまり、図５（ｂ）に拡大して示す様に、
基材７上（図では上方）には、パッド径ＤP＝１００μ
ｍ×厚みＴP＝１５μｍのパッド（基板側パッド）９
が、所定の配置パターンにて多数設けられ、その基板側
パッド９上に、高さＴ＝４０μｍの３７Ｐｂ−６３Ｓｎ
（融点１８３℃）の共晶半田からなる球を切断した形状
の基板側半田バンプ８が形成されている。
基材７上（図では上方）には、パッド径ＤP＝１００μ
ｍ×厚みＴP＝１５μｍのパッド（基板側パッド）９
が、所定の配置パターンにて多数設けられ、その基板側
パッド９上に、高さＴ＝４０μｍの３７Ｐｂ−６３Ｓｎ
（融点１８３℃）の共晶半田からなる球を切断した形状
の基板側半田バンプ８が形成されている。
【００７０】前記基板側パッド９は、Ｃｕの表面にＮｉ
メッキを施したものであり、この基板側パッド９の周囲
に、厚さＴSR＝２５μｍのソルダーレジスト１１が形成
されている。このソルダーレジスト１１は、共晶半田の
溶融時に共晶半田が他の場所に付着することを防止する
絶縁層として設けられており、基板側パッド９の周囲を
所定の間隔を保って囲む様に、直径ＤSRO＝２００μｍ
の開口部１２を備えている。
メッキを施したものであり、この基板側パッド９の周囲
に、厚さＴSR＝２５μｍのソルダーレジスト１１が形成
されている。このソルダーレジスト１１は、共晶半田の
溶融時に共晶半田が他の場所に付着することを防止する
絶縁層として設けられており、基板側パッド９の周囲を
所定の間隔を保って囲む様に、直径ＤSRO＝２００μｍ
の開口部１２を備えている。
【００７１】ｂ）次に、本実施例の要部である基板側半
田バンプ８の形成方法について説明する。尚、チップ側
バンプ３は、従来と同様な半田スパッタ法や半田メッキ
法により形成できるので、ここでは説明しない。本実施
例における基板側半田バンプ８の形成方法は、従来より
粒径の小さな半田粒を用いた半田ペーストを使用すると
ともに、メタルマスク１３の透孔径を縮小し、それによ
って半田体積の少ない基板側半田バンプ８を形成する点
に特徴がある。
田バンプ８の形成方法について説明する。尚、チップ側
バンプ３は、従来と同様な半田スパッタ法や半田メッキ
法により形成できるので、ここでは説明しない。本実施
例における基板側半田バンプ８の形成方法は、従来より
粒径の小さな半田粒を用いた半田ペーストを使用すると
ともに、メタルマスク１３の透孔径を縮小し、それによ
って半田体積の少ない基板側半田バンプ８を形成する点
に特徴がある。
【００７２】まず、基板側半田バンプ８形成前の配線
基板６は、図６（ａ）に示す様に、内部に導通部（図示
せず）を有する樹脂積層基板である基材７の表面に、基
板側パッド９とソルダーレジスト１１が設けられたもの
である。ソルダーレジスト１１は、一般のフォトリソグ
ラフィ技術により、基板側パッド９及びその周囲を除い
た箇所に形成する。具体的には、ネガ型紫外線硬化のエ
ポキシドライフィルムを基材７の表面に貼り付け、ソル
ダーレジスト１１を形成したいところに紫外線を照射し
て、ドライフィルムを硬化させ、その後、炭酸ナトリウ
ム溶液で不要部分のドライフィルムを溶解除去して、ソ
ルダーレジスト１１を形成する。
基板６は、図６（ａ）に示す様に、内部に導通部（図示
せず）を有する樹脂積層基板である基材７の表面に、基
板側パッド９とソルダーレジスト１１が設けられたもの
である。ソルダーレジスト１１は、一般のフォトリソグ
ラフィ技術により、基板側パッド９及びその周囲を除い
た箇所に形成する。具体的には、ネガ型紫外線硬化のエ
ポキシドライフィルムを基材７の表面に貼り付け、ソル
ダーレジスト１１を形成したいところに紫外線を照射し
て、ドライフィルムを硬化させ、その後、炭酸ナトリウ
ム溶液で不要部分のドライフィルムを溶解除去して、ソ
ルダーレジスト１１を形成する。
【００７３】次に、図６（ｂ）に示す様に、ソルダー
レジスト１１上にメタルマスク１３を載置する。このと
き、ソルダーレジスト１１の各開口部１２上にメタルマ
スク１３の各透孔１４が位置する様にして載置する。前
記メタルマスク１３の厚みＴMMは０．０３ｍｍとごく薄
くされており、透孔径ＤMMOは、高さの低い基板側半田
バンプ８を形成するために、０．０７４ｍｍと従来より
かなり小さく設定してある。このメタルマスク１３とし
ては、電鋳（アディティブ）マスク、レーザ穴空けマス
ク、エッチングマスクのどれでも使用可能である。
レジスト１１上にメタルマスク１３を載置する。このと
き、ソルダーレジスト１１の各開口部１２上にメタルマ
スク１３の各透孔１４が位置する様にして載置する。前
記メタルマスク１３の厚みＴMMは０．０３ｍｍとごく薄
くされており、透孔径ＤMMOは、高さの低い基板側半田
バンプ８を形成するために、０．０７４ｍｍと従来より
かなり小さく設定してある。このメタルマスク１３とし
ては、電鋳（アディティブ）マスク、レーザ穴空けマス
ク、エッチングマスクのどれでも使用可能である。
【００７４】ここで、基板側パッド９の寸法、ソルダー
レジスト１１の開口部１２の寸法、及びメタルマスク１
３の透孔１４の寸法により規定される半田ペーストの充
填量について説明する。既に、図３にて説明した様に、
ソルダーレジスト１１の開口部１２やメタルマスク１３
の透孔１４等により形成される開口部分１６に充填され
る半田ペーストの体積ＶSは、前記式（８）にて算出す
ることができるので、この式（８）を用いて、本実施例
における半田ペーストの体積ＶSを算出する。
レジスト１１の開口部１２の寸法、及びメタルマスク１
３の透孔１４の寸法により規定される半田ペーストの充
填量について説明する。既に、図３にて説明した様に、
ソルダーレジスト１１の開口部１２やメタルマスク１３
の透孔１４等により形成される開口部分１６に充填され
る半田ペーストの体積ＶSは、前記式（８）にて算出す
ることができるので、この式（８）を用いて、本実施例
における半田ペーストの体積ＶSを算出する。
【００７５】
ＶS＝π（ＤSRO／２）2×ＴSR＋π（ＤMMO／２）2×ＴMM
−π（ＤP／２）2×ＴP
＝π（０．２０／２）2×０．０２５＋π（０．０７４／２）2×０．０３
−π（０．１４／２）2×０．０１５
＝２．１８×１０-4π
＝６．８４×１０-4［ｍｍ3］
つまり、この体積ＶSとなる様に、与えられたソルダー
レジスト１１の開口部１２の寸法に応じて、メタルマス
ク１３の透孔１４の寸法（板厚、透孔径）を設定する。
この体積ＶSの半田ペーストを充填すれば、後述する様
に、所望の体積及び高さの基板側半田バンプ８が得られ
る。
レジスト１１の開口部１２の寸法に応じて、メタルマス
ク１３の透孔１４の寸法（板厚、透孔径）を設定する。
この体積ＶSの半田ペーストを充填すれば、後述する様
に、所望の体積及び高さの基板側半田バンプ８が得られ
る。
【００７６】次に、図６（ｃ）に示す様に、半田ペー
スト１７として、半田粒径１０〜２０μｍの共晶半田粒
１７ａとフラックス１７ｂからなる半田ペースト１７を
使用し、前記メタルマスク１３を用いてスキージ印刷を
行う。これにより、前記開口部分１６に、所定の体積Ｖ
Sに相当する半田ペースト１７が充填される。
スト１７として、半田粒径１０〜２０μｍの共晶半田粒
１７ａとフラックス１７ｂからなる半田ペースト１７を
使用し、前記メタルマスク１３を用いてスキージ印刷を
行う。これにより、前記開口部分１６に、所定の体積Ｖ
Sに相当する半田ペースト１７が充填される。
【００７７】ここで、従来よりかなり小さな粒径の共晶
半田粒７ａを用いるのは、メタルマスク１３の開口径を
小さく設定した場合の版抜け性を確保するためである。
尚、本実施例の場合、半田粒径が小さく、体積当りの表
面積が大きく、よって半田表面の酸化膜が多く、そのた
め溶融性（リフロー性）が悪いので、フラックスとして
は、還元力の強いＲＡタイプを用いるのがよい。
半田粒７ａを用いるのは、メタルマスク１３の開口径を
小さく設定した場合の版抜け性を確保するためである。
尚、本実施例の場合、半田粒径が小さく、体積当りの表
面積が大きく、よって半田表面の酸化膜が多く、そのた
め溶融性（リフロー性）が悪いので、フラックスとして
は、還元力の強いＲＡタイプを用いるのがよい。
【００７８】次に、図６（ｄ）に示す様に、メタルマ
スク１３を除去する。 次に、図６（ｅ）に示す様に、この半田ペースト１７
を充填した状態で、最高温度２１０℃の遠赤外線リフロ
ー炉に入れて、共晶半田粒１７ａを溶融させ、その後冷
却して基板側半田バンプ８を形成する。
スク１３を除去する。 次に、図６（ｅ）に示す様に、この半田ペースト１７
を充填した状態で、最高温度２１０℃の遠赤外線リフロ
ー炉に入れて、共晶半田粒１７ａを溶融させ、その後冷
却して基板側半田バンプ８を形成する。
【００７９】次に、図６（ｆ）に示す様に、フラック
ス１７ｂを除去し、表面に基板側半田バンプ８を備えた
配線基板６を完成する。この基板側半田バンプ８の体積
Ｖは、約３．４×１０-4ｍｍ3である。これは、半田ペ
ースト１７中の共晶半田粒１７ａの割合は、通常半田ペ
ースト１７の半分であるので、基板側半田バンプ８の体
積Ｖも前記充填された半田ペースト１７の体積ＶS（＝
６．８４×１０-4）の半分となるからである。
ス１７ｂを除去し、表面に基板側半田バンプ８を備えた
配線基板６を完成する。この基板側半田バンプ８の体積
Ｖは、約３．４×１０-4ｍｍ3である。これは、半田ペ
ースト１７中の共晶半田粒１７ａの割合は、通常半田ペ
ースト１７の半分であるので、基板側半田バンプ８の体
積Ｖも前記充填された半田ペースト１７の体積ＶS（＝
６．８４×１０-4）の半分となるからである。
【００８０】一方、基板側半田バンプ８の高さＴは、４
０μｍとなった。既に前記図２（ａ）及び式（４）〜
（６）（以下に再掲する。）の導出部にて説明した様
に、半田バンプの高さＴは、基板側半田バンプ８の体積
Ｖ及びパッドの半径ｒ（＝１／２ＤP）により決まるか
らである。
０μｍとなった。既に前記図２（ａ）及び式（４）〜
（６）（以下に再掲する。）の導出部にて説明した様
に、半田バンプの高さＴは、基板側半田バンプ８の体積
Ｖ及びパッドの半径ｒ（＝１／２ＤP）により決まるか
らである。
【００８１】
Ｌ＝（ｒ2／Ｔ＋Ｔ）／２ …（４）
ｔ＝（ｒ2／Ｔ−Ｔ）／２ …（５）
Ｖ＝π（Ｌ3×２／３−Ｌ2ｔ＋ｔ3／３） …（６）
具体的には、本実施例の場合、ｒ＝０．０７ｍｍであ
り、Ｔ＝０．０４ｍｍとして、これらを前記式（４）〜
（６）に代入してみると、 Ｌ＝０．０８１ ｔ＝０．０４１ Ｖ＝３．４１４×１０-4［ｍｍ3］ となり、これは、前記基板側半田バンプ８の体積Ｖ（＝
３．４×１０-4ｍｍ3）と略一致することからも確かめ
られる。
り、Ｔ＝０．０４ｍｍとして、これらを前記式（４）〜
（６）に代入してみると、 Ｌ＝０．０８１ ｔ＝０．０４１ Ｖ＝３．４１４×１０-4［ｍｍ3］ となり、これは、前記基板側半田バンプ８の体積Ｖ（＝
３．４×１０-4ｍｍ3）と略一致することからも確かめ
られる。
【００８２】つまり、上述した方法により、従来より半
田体積の少ない基板側半田バンプ８、即ち素子側半田バ
ンプ３の高さ（７０μｍ）の６０％以下の高さである低
い基板側半田バンプ（高さ４０μｍ）８を形成すること
ができる。ｃ）次に、フリップチップ１と（基板側半田
バンプ８を備えた）配線基板６との接合方法について説
明する。
田体積の少ない基板側半田バンプ８、即ち素子側半田バ
ンプ３の高さ（７０μｍ）の６０％以下の高さである低
い基板側半田バンプ（高さ４０μｍ）８を形成すること
ができる。ｃ）次に、フリップチップ１と（基板側半田
バンプ８を備えた）配線基板６との接合方法について説
明する。
【００８３】まず、図７（ａ）に示す様に、配線基板
６の基板側半田バンプ８上に、フラックス１８を塗布す
る。 次に、図７（ｂ）に示す様に、基板側半田バンプ８と
素子側半田バンプ３とが相対する様に位置合わせして、
配線基板６上にフリップチップ１を載置する。
６の基板側半田バンプ８上に、フラックス１８を塗布す
る。 次に、図７（ｂ）に示す様に、基板側半田バンプ８と
素子側半田バンプ３とが相対する様に位置合わせして、
配線基板６上にフリップチップ１を載置する。
【００８４】次に、この状態で、配線基板６及びフリ
ップチップ１を最高温度２１０℃の遠赤外線リフロー炉
に入れ、基板側半田バンプ８の共晶半田のみを溶融させ
て、図７（ｃ）に示す様に、共晶半田８ａを素子側半田
バンプ３に融着させる。このとき、共晶半田８ａは完全
に溶融するが、高温半田からなる素子側半田バンプ３は
溶融しないので、フリップチップ１は、その素子側半田
バンプ３が基板側パッド９の上面に当接するまで自重に
より降下する。そして、共晶半田８ａは、高さ７０μｍ
の素子側半田バンプ３の側面を這上がるが、その体積Ｖ
が少ない、即ち、具体的には、素子側半田バンプの体積
ａ＝７．２×１０-4ｍｍ3に対して、体積Ｖは、その半
分以下のＶ＝３．４×１０-4ｍｍ3であるので、素子側
パッド４にまでは至らない。
ップチップ１を最高温度２１０℃の遠赤外線リフロー炉
に入れ、基板側半田バンプ８の共晶半田のみを溶融させ
て、図７（ｃ）に示す様に、共晶半田８ａを素子側半田
バンプ３に融着させる。このとき、共晶半田８ａは完全
に溶融するが、高温半田からなる素子側半田バンプ３は
溶融しないので、フリップチップ１は、その素子側半田
バンプ３が基板側パッド９の上面に当接するまで自重に
より降下する。そして、共晶半田８ａは、高さ７０μｍ
の素子側半田バンプ３の側面を這上がるが、その体積Ｖ
が少ない、即ち、具体的には、素子側半田バンプの体積
ａ＝７．２×１０-4ｍｍ3に対して、体積Ｖは、その半
分以下のＶ＝３．４×１０-4ｍｍ3であるので、素子側
パッド４にまでは至らない。
【００８５】この様に、本実施例では、小さな粒径の共
晶半田粒７ａ及び小さな開口径のメタルマスク１３を使
用してスキージ印刷することにより、従来より半田体積
の少ない基板側半田バンプ８を形成することができる。
この基板側半田バンプ８の高さは、基板側半田バンプ８
の溶融時に共晶半田８ａが素子側パッド４に至る許容限
界である素子側半田バンプ３の高さの６０％以下の４０
μｍであるので、溶融時に、共晶半田８ａは素子側パッ
ド４まで這上がることはない。そのため、共晶半田８ａ
中のＳｎと素子側パッド４中のＣｕとが反応して脆い金
属間化合物をつくることがない。よって、フリップチッ
プ１と配線基板６との熱膨張差による応力が半田による
接合部分に加わったとしても、その部分にクラックが生
じ難く破断し難く、耐久性に富むという顕著な効果を奏
する。
晶半田粒７ａ及び小さな開口径のメタルマスク１３を使
用してスキージ印刷することにより、従来より半田体積
の少ない基板側半田バンプ８を形成することができる。
この基板側半田バンプ８の高さは、基板側半田バンプ８
の溶融時に共晶半田８ａが素子側パッド４に至る許容限
界である素子側半田バンプ３の高さの６０％以下の４０
μｍであるので、溶融時に、共晶半田８ａは素子側パッ
ド４まで這上がることはない。そのため、共晶半田８ａ
中のＳｎと素子側パッド４中のＣｕとが反応して脆い金
属間化合物をつくることがない。よって、フリップチッ
プ１と配線基板６との熱膨張差による応力が半田による
接合部分に加わったとしても、その部分にクラックが生
じ難く破断し難く、耐久性に富むという顕著な効果を奏
する。
【００８６】また、本実施例では、スキージ印刷によ
り、一度に多数の開口部分１６に半田ペースト１７を充
填できるので、生産性に優れており、また、品質及びコ
ストの点でも有利である。 ＜実験例＞次に、本実施例の効果を確認するために行っ
た実験例について説明する。
り、一度に多数の開口部分１６に半田ペースト１７を充
填できるので、生産性に優れており、また、品質及びコ
ストの点でも有利である。 ＜実験例＞次に、本実施例の効果を確認するために行っ
た実験例について説明する。
【００８７】本実験例は、半田バンプの接合部分におけ
る耐久性を調べるための温度サイクル試験である。実験
に使用する試料として、上述した実施例と同様な方法に
より製造したフリップチップ付き配線基板を製造し、比
較例として、従来と同様な半田ペースト印刷法により、
フリップチップ付き配線基板を製造した。
る耐久性を調べるための温度サイクル試験である。実験
に使用する試料として、上述した実施例と同様な方法に
より製造したフリップチップ付き配線基板を製造し、比
較例として、従来と同様な半田ペースト印刷法により、
フリップチップ付き配線基板を製造した。
【００８８】実験条件は、下記の通りである。その結果
を、下記表１に記す。 ＜実験条件＞ (1) 素子側半田バンプの高さ７０μｍのフリップチップ
を使用した。 (2) 基板側半田バンプの高さを３８、４０、３９μｍと
した配線基板を各１個、５５、５２、５４μｍとした配
線基板を各１個、合計６個製作した。
を、下記表１に記す。 ＜実験条件＞ (1) 素子側半田バンプの高さ７０μｍのフリップチップ
を使用した。 (2) 基板側半田バンプの高さを３８、４０、３９μｍと
した配線基板を各１個、５５、５２、５４μｍとした配
線基板を各１個、合計６個製作した。
【００８９】(3) フリップチップを配線基板に接合して
フリップチップ付配線基板とし、外周部分の半田バンプ
の接合状態を観察し、共晶半田（基板側半田材料）が這
上がる高さを拡大鏡で測定した。ここで、７０μｍ未満
となっていれば、素子側パッドには接していない。一
方、素子側パッドまで共晶半田が這上がっている場合に
は、７０μｍとなる。
フリップチップ付配線基板とし、外周部分の半田バンプ
の接合状態を観察し、共晶半田（基板側半田材料）が這
上がる高さを拡大鏡で測定した。ここで、７０μｍ未満
となっていれば、素子側パッドには接していない。一
方、素子側パッドまで共晶半田が這上がっている場合に
は、７０μｍとなる。
【００９０】(4) ＭＩＬ ＳＴＤヒートサイクル試験機
Ｃｏｒｄ Ｂ（−５５〜１２０℃）に、接合したフリッ
プチップ付配線基板を投入し、外周部の半田バンプの接
合部分におけるクラックの有無を拡大鏡でチェックし
た。なお、上記(3)、(4)で、外周に位置する半田バンプ
のみ観察したのは、内部に位置するバンプは観察できな
いからであり、また、クラックは、外周に位置するバン
プで最も生じ易いと考えられるからである。
Ｃｏｒｄ Ｂ（−５５〜１２０℃）に、接合したフリッ
プチップ付配線基板を投入し、外周部の半田バンプの接
合部分におけるクラックの有無を拡大鏡でチェックし
た。なお、上記(3)、(4)で、外周に位置する半田バンプ
のみ観察したのは、内部に位置するバンプは観察できな
いからであり、また、クラックは、外周に位置するバン
プで最も生じ易いと考えられるからである。
【００９１】また、フリップチップと配線基板との間に
は、いわゆるアンダーフィル（樹脂の注入）は行なって
いない。
は、いわゆるアンダーフィル（樹脂の注入）は行なって
いない。
【００９２】
【表１】
【００９３】この表１から明かな様に、本実施例のもの
は耐久性に優れているが、比較例のものは少ないサイク
ル数でクラックが発生しており耐久性が低いことが分か
る。共晶半田の這上がりによって、もろい金属間化合物
が生成したためである。 （実施例２）次に、実施例２について説明するが、前記
実施例１と同様な部分の説明は省略又は簡略化する。
は耐久性に優れているが、比較例のものは少ないサイク
ル数でクラックが発生しており耐久性が低いことが分か
る。共晶半田の這上がりによって、もろい金属間化合物
が生成したためである。 （実施例２）次に、実施例２について説明するが、前記
実施例１と同様な部分の説明は省略又は簡略化する。
【００９４】特に本実施例では、ソルダーレジストの開
口径を、基板側パッドのパッド径より小さく（又は同じ
に）した点に特徴がある。本実施例における基板側半田
バンプ形成前の配線基板では、図８（ａ）に示す様に、
その基材３１の上に、パッド径２００μｍ×厚さ１５μ
ｍの基板側パッド３２と、開口径１４０μｍでパッド３
２の中央部が露出する開口部３３を有する厚さ２５μｍ
（パッド３２を覆っている部分は厚さ１０μｍ）のソル
ダーレジスト３４を備えている。
口径を、基板側パッドのパッド径より小さく（又は同じ
に）した点に特徴がある。本実施例における基板側半田
バンプ形成前の配線基板では、図８（ａ）に示す様に、
その基材３１の上に、パッド径２００μｍ×厚さ１５μ
ｍの基板側パッド３２と、開口径１４０μｍでパッド３
２の中央部が露出する開口部３３を有する厚さ２５μｍ
（パッド３２を覆っている部分は厚さ１０μｍ）のソル
ダーレジスト３４を備えている。
【００９５】このとき、ソルダーレジスト３４の開口径
は基板側パッド３２のパッド径より小さいので、図示す
る様に、ソルダーレジスト３４の開口部３３の内周縁部
が、基板側パッド３２の外周縁部の上部を覆う配置とな
る。そして、半田ペースト４２によるスキージ印刷の際
には、ソルダーレジスト３４上に、透孔径１４０μｍの
透孔３７を有する厚さ３０μｍのメタルマスク３８を載
置する。これにより、基板側パッド３２上に、ソルダー
レジスト３４の開口部３３及びメタルマスク３８の透孔
３７からなる下方に凸の開口部分３９が形成される。
は基板側パッド３２のパッド径より小さいので、図示す
る様に、ソルダーレジスト３４の開口部３３の内周縁部
が、基板側パッド３２の外周縁部の上部を覆う配置とな
る。そして、半田ペースト４２によるスキージ印刷の際
には、ソルダーレジスト３４上に、透孔径１４０μｍの
透孔３７を有する厚さ３０μｍのメタルマスク３８を載
置する。これにより、基板側パッド３２上に、ソルダー
レジスト３４の開口部３３及びメタルマスク３８の透孔
３７からなる下方に凸の開口部分３９が形成される。
【００９６】次に、半田粒径１５〜３８μｍの共晶半田
粒４１を有する半田ペースト４２を用いて、前記実施例
１と同様にしてスキージ印刷を行い、前記開口部分３９
に半田ペーストを充填する。この半田ペースト４２中の
フラックス４３としては、還元力弱い順に、Ｒ、ＲＡ
Ｍ、ＲＡの各タイプや、水溶性フラックスなど、どれで
も使用できる。尚、半田ペースト４２中のフラックス４
３の含有量は、約半分である。
粒４１を有する半田ペースト４２を用いて、前記実施例
１と同様にしてスキージ印刷を行い、前記開口部分３９
に半田ペーストを充填する。この半田ペースト４２中の
フラックス４３としては、還元力弱い順に、Ｒ、ＲＡ
Ｍ、ＲＡの各タイプや、水溶性フラックスなど、どれで
も使用できる。尚、半田ペースト４２中のフラックス４
３の含有量は、約半分である。
【００９７】本実施例では、前記開口部分３９の容積
は、上述した寸法の設定により、約６．２×１０-4ｍｍ
3となるので、その後前記実施例１と同様な加熱によ
り、共晶半田の体積が約３．１×１０-4ｍｍ3、高さ３
７μｍの基板側半田バンプ４０（図８（ｂ）参照）が形
成される。この高さは、前記実施例１に記載した素子側
半田バンプ（図４参照）の高さの５３％である。
は、上述した寸法の設定により、約６．２×１０-4ｍｍ
3となるので、その後前記実施例１と同様な加熱によ
り、共晶半田の体積が約３．１×１０-4ｍｍ3、高さ３
７μｍの基板側半田バンプ４０（図８（ｂ）参照）が形
成される。この高さは、前記実施例１に記載した素子側
半田バンプ（図４参照）の高さの５３％である。
【００９８】尚、実際には、基板側パッド３２の位置と
ソルダーレジスト３４の開口部３３の位置との位置ずれ
が起こりうる（例えば±３０μｍ）ので、この位置ずれ
を勘案して、パッド３２の径を開口部３３の径よりも大
きく（例えば本実施例のように＋６０μｍ）するとよ
い。
ソルダーレジスト３４の開口部３３の位置との位置ずれ
が起こりうる（例えば±３０μｍ）ので、この位置ずれ
を勘案して、パッド３２の径を開口部３３の径よりも大
きく（例えば本実施例のように＋６０μｍ）するとよ
い。
【００９９】本実施例によっても、前記実施例１と同様
な作用効果を奏するとともに、特に本実施例の場合に
は、パッド３２の上方にのみ半田ペーストが充填される
ので、実施例１と同等な大きさの半田バンプ４０を形成
するのに、実施例１と比較して、メタルマスク３８の開
口径を大きくすることができるので、版抜け性がよく、
よって使用する半田ペースト４２の共晶半田粒４１の粒
径を大きくできるという利点がある。つまり、共晶半田
粒４１の粒径を大きくできると、共晶半田粒４１の表面
の酸化膜の影響が低減されて溶融性が向上するととも
に、コスト低減にも寄与する。 （実施例３）次に、実施例３について説明するが、前記
実施例２と同様な部分の説明は省略又は簡略化する。
な作用効果を奏するとともに、特に本実施例の場合に
は、パッド３２の上方にのみ半田ペーストが充填される
ので、実施例１と同等な大きさの半田バンプ４０を形成
するのに、実施例１と比較して、メタルマスク３８の開
口径を大きくすることができるので、版抜け性がよく、
よって使用する半田ペースト４２の共晶半田粒４１の粒
径を大きくできるという利点がある。つまり、共晶半田
粒４１の粒径を大きくできると、共晶半田粒４１の表面
の酸化膜の影響が低減されて溶融性が向上するととも
に、コスト低減にも寄与する。 （実施例３）次に、実施例３について説明するが、前記
実施例２と同様な部分の説明は省略又は簡略化する。
【０１００】特に本実施例では、ソルダーレジスト上に
て直接に半田ペースト印刷を行うとともに、その際に、
配線基板の基材を下治具に嵌め込む点に特徴がある。本
実施例における基板側半田バンプ形成前の配線基板で
は、図９（ａ）に示す様に、外径２５×２５ｍｍ、厚さ
１ｍｍの基材５１の上に、パッド径１４０μｍ×厚さ１
５μｍの基板側パッド５２と、開口径２００μｍの開口
部５３を有する厚さ２５μｍのソルダーレジスト５４を
備えている。
て直接に半田ペースト印刷を行うとともに、その際に、
配線基板の基材を下治具に嵌め込む点に特徴がある。本
実施例における基板側半田バンプ形成前の配線基板で
は、図９（ａ）に示す様に、外径２５×２５ｍｍ、厚さ
１ｍｍの基材５１の上に、パッド径１４０μｍ×厚さ１
５μｍの基板側パッド５２と、開口径２００μｍの開口
部５３を有する厚さ２５μｍのソルダーレジスト５４を
備えている。
【０１０１】本実施例では、以下に述べる様にして、こ
のソルダーレジスト５４上を直接スキージングする。 まず、図１０（ａ）に示す様に、表面に基板側パッド
５２及びソルダーレジスト５４を備えた基材５１を、下
治具５６の凹部５７に嵌め込む。この凹部５７の寸法
は、その内寸が基材５１の外寸と略同じであり、その深
さは基材５１を嵌め込んだ時に、ソルダーレジスト５４
の表面と下治具５６の表面とが略同じ高さとなる様に、
１ｍｍに設定されている。
のソルダーレジスト５４上を直接スキージングする。 まず、図１０（ａ）に示す様に、表面に基板側パッド
５２及びソルダーレジスト５４を備えた基材５１を、下
治具５６の凹部５７に嵌め込む。この凹部５７の寸法
は、その内寸が基材５１の外寸と略同じであり、その深
さは基材５１を嵌め込んだ時に、ソルダーレジスト５４
の表面と下治具５６の表面とが略同じ高さとなる様に、
１ｍｍに設定されている。
【０１０２】次に、図１０（ｂ）に示す様に、基材５
１を下治具５６に嵌め込んだ状態で、半田粒径１５〜３
８μｍの共晶半田粒を有する半田ペースト５８を用い
て、ソルダーレジスト５４の表面にて直接にスキージン
グを行なう。 これにより、図１０（ｃ）に示す様に、ソルダーレジ
スト５４の開口部５３に、半田ペースト５８が充填され
る。
１を下治具５６に嵌め込んだ状態で、半田粒径１５〜３
８μｍの共晶半田粒を有する半田ペースト５８を用い
て、ソルダーレジスト５４の表面にて直接にスキージン
グを行なう。 これにより、図１０（ｃ）に示す様に、ソルダーレジ
スト５４の開口部５３に、半田ペースト５８が充填され
る。
【０１０３】尚、スキージングは、下治具５６の図中左
上表面からソルダーレジスト５４の表面を経由して、下
治具５６の右上表面まで行うようにする。開口部５３に
充填されなかった余剰半田ペースト５８を下治具５６上
に退避させ、ソルダーレジスト５４等の上に残さないよ
うにするためである。
上表面からソルダーレジスト５４の表面を経由して、下
治具５６の右上表面まで行うようにする。開口部５３に
充填されなかった余剰半田ペースト５８を下治具５６上
に退避させ、ソルダーレジスト５４等の上に残さないよ
うにするためである。
【０１０４】その後、図１０（ｄ）に示す様に、下治
具５６から、充填された半田ペースト５８を有する基材
５１を取り出す。 本実施例では、前記開口部分３９の容積は、上述した寸
法の設定により、約５．５×１０-4ｍｍ3となるので、
その後前記実施例２と同様な加熱により、共晶半田の体
積が約２．８×１０-4ｍｍ3、高さ３４μｍの基板側半
田バンプ５０（図９（ｂ）参照）が形成される。
具５６から、充填された半田ペースト５８を有する基材
５１を取り出す。 本実施例では、前記開口部分３９の容積は、上述した寸
法の設定により、約５．５×１０-4ｍｍ3となるので、
その後前記実施例２と同様な加熱により、共晶半田の体
積が約２．８×１０-4ｍｍ3、高さ３４μｍの基板側半
田バンプ５０（図９（ｂ）参照）が形成される。
【０１０５】尚、基材５１の表面に、半田バンプを形成
しないパッド（アライメントマークなど）がある場合に
は、スキージングの前に、半田バンプを形成しないパッ
ド上に、ポリイミド等の耐熱性のマスキングテープを貼
り、その後スキージングを行うとよい。
しないパッド（アライメントマークなど）がある場合に
は、スキージングの前に、半田バンプを形成しないパッ
ド上に、ポリイミド等の耐熱性のマスキングテープを貼
り、その後スキージングを行うとよい。
【０１０６】本実施例によっても、前記実施例３と同様
な作用効果を奏するとともに、特に本実施例の場合に
は、メタルマスクを使用しないで直接にスキージングを
行うので、基板側半田バンプ５０の半田体積を一層少な
くすることができるという利点がある。 （実施例４）次に、実施例４について説明するが、前記
実施例３と同様な部分の説明は省略又は簡略化する。
な作用効果を奏するとともに、特に本実施例の場合に
は、メタルマスクを使用しないで直接にスキージングを
行うので、基板側半田バンプ５０の半田体積を一層少な
くすることができるという利点がある。 （実施例４）次に、実施例４について説明するが、前記
実施例３と同様な部分の説明は省略又は簡略化する。
【０１０７】特に本実施例では、ソルダーレジスト上に
て直接に半田ペースト印刷を行うとともに、その際に、
枠状のメタルマスクを使用する点に特徴がある。本実施
例における基板側半田バンプ形成前の配線基板では、図
１１（ａ）に示す様に、外径２５×２５ｍｍ、厚さ１ｍ
ｍの基材６１の上に、パッド径１４０μｍ×厚さ１５μ
ｍの基板側パッド６２と、開口径２００μｍの開口部６
３を有する厚さ２０μｍのソルダーレジスト６４を備え
ている。
て直接に半田ペースト印刷を行うとともに、その際に、
枠状のメタルマスクを使用する点に特徴がある。本実施
例における基板側半田バンプ形成前の配線基板では、図
１１（ａ）に示す様に、外径２５×２５ｍｍ、厚さ１ｍ
ｍの基材６１の上に、パッド径１４０μｍ×厚さ１５μ
ｍの基板側パッド６２と、開口径２００μｍの開口部６
３を有する厚さ２０μｍのソルダーレジスト６４を備え
ている。
【０１０８】本実施例では、以下に述べる様にして、こ
のソルダーレジスト６４に直接にスキージングを行う。 まず、図１２（ａ）に示す様に、ソルダーレジスト６
４上に、厚さ３０μｍの枠状のメタルマスク６６を配置
する。
のソルダーレジスト６４に直接にスキージングを行う。 まず、図１２（ａ）に示す様に、ソルダーレジスト６
４上に、厚さ３０μｍの枠状のメタルマスク６６を配置
する。
【０１０９】このメタルマスク６６は、図１３に示す様
に、略四角形の透孔６７を有する略四角形の枠状のメタ
ルマスク６６である。つまり、このメタルマスク６６の
透孔６７は、後に基板側半田バンプ６０（図１１（ｃ）
参照）がその上に形成される基板側パッド６２をすべて
透孔６７内に見込むように形成されている。なお、本実
施例では、その上にバンプを形成しないパッド（非バン
プ形成パッド）６８が基材６１の四隅に配置されている
ので、このパッド６８はマスク６６で覆われるように、
透孔６７が形成されている。
に、略四角形の透孔６７を有する略四角形の枠状のメタ
ルマスク６６である。つまり、このメタルマスク６６の
透孔６７は、後に基板側半田バンプ６０（図１１（ｃ）
参照）がその上に形成される基板側パッド６２をすべて
透孔６７内に見込むように形成されている。なお、本実
施例では、その上にバンプを形成しないパッド（非バン
プ形成パッド）６８が基材６１の四隅に配置されている
ので、このパッド６８はマスク６６で覆われるように、
透孔６７が形成されている。
【０１１０】また、図１１（ｂ）に示す様に、例えばゴ
ムのヘラを用いてスキージングを行う場合には、メタル
マスク６６の開口部６７の内縁部にヘラが届かないで半
田ペーストが残留する部分ができるので、メタルマスク
６６の開口６７の内縁部は基板側パッド６２の外周端部
から所定の間隔（本実施例では２ｍｍ程度）離すのが望
ましい。尚、ヘラが届かない部分に残留した半田ペース
トは、加熱溶融させるとボール状になるので容易に除去
できる。
ムのヘラを用いてスキージングを行う場合には、メタル
マスク６６の開口部６７の内縁部にヘラが届かないで半
田ペーストが残留する部分ができるので、メタルマスク
６６の開口６７の内縁部は基板側パッド６２の外周端部
から所定の間隔（本実施例では２ｍｍ程度）離すのが望
ましい。尚、ヘラが届かない部分に残留した半田ペース
トは、加熱溶融させるとボール状になるので容易に除去
できる。
【０１１１】次に、図１２（ｂ）に示す様に、ソルダ
ーレジスト６４上にメタルマスク６６を載置した状態
で、半田粒径１５〜３５μｍの共晶半田粒を有する半田
ペースト６９を用いて、ソルダーレジスト６４の表面に
て直接にスキージングを行なう。
ーレジスト６４上にメタルマスク６６を載置した状態
で、半田粒径１５〜３５μｍの共晶半田粒を有する半田
ペースト６９を用いて、ソルダーレジスト６４の表面に
て直接にスキージングを行なう。
【０１１２】これにより、図１２（ｃ）に示す様に、
ソルダーレジスト６４の開口部６３に、半田ペースト６
９が充填される。なお、メタルマスク６６の透孔６７内
では、スキージが変形してソルダーレジスト６４に直接
接触するので、半田ペーストが透孔６７の内縁部以外の
ソルダーレジスト６４上に残ることはない。
ソルダーレジスト６４の開口部６３に、半田ペースト６
９が充填される。なお、メタルマスク６６の透孔６７内
では、スキージが変形してソルダーレジスト６４に直接
接触するので、半田ペーストが透孔６７の内縁部以外の
ソルダーレジスト６４上に残ることはない。
【０１１３】その後、図１２（ｄ）に示す様に、ソル
ダーレジスト６４上からメタルマスク６６を取り外す。 本実施例では、ソルダーレジスト６４の開口部６３の
（基板側パッド６２分を除いた）容積は、上述した寸法
の設定により、約５．５×１０-4ｍｍ3となるので、そ
の後の前記実施例４と同様な加熱により、共晶半田の体
積が約２．８×１０-4ｍｍ3、高さ３４μｍの基板側半
田バンプ６０が形成される。この高さは、前記実施例１
に記載した素子側半田バンプ（図４参照）の高さの４９
％である。
ダーレジスト６４上からメタルマスク６６を取り外す。 本実施例では、ソルダーレジスト６４の開口部６３の
（基板側パッド６２分を除いた）容積は、上述した寸法
の設定により、約５．５×１０-4ｍｍ3となるので、そ
の後の前記実施例４と同様な加熱により、共晶半田の体
積が約２．８×１０-4ｍｍ3、高さ３４μｍの基板側半
田バンプ６０が形成される。この高さは、前記実施例１
に記載した素子側半田バンプ（図４参照）の高さの４９
％である。
【０１１４】本実施例によっても、前記実施例４と同様
な作用効果を奏するとともに、特に本実施例では、従来
の様に多数の透孔を有するメタルマスクを用いるのでは
なく、簡単な枠形状のメタルマスク６６を用いて直接に
スキージングを行うので、その作業が極めて容易であ
る。
な作用効果を奏するとともに、特に本実施例では、従来
の様に多数の透孔を有するメタルマスクを用いるのでは
なく、簡単な枠形状のメタルマスク６６を用いて直接に
スキージングを行うので、その作業が極めて容易であ
る。
【０１１５】また、メタルマスク６６を載置する際に
は、従来の様に、個々の基板側パッド６２とメタルマス
クの個々の透孔の位置を合わせる様な精密な位置合わせ
の必要がないので、その点からも作業が簡易化される。
更に、このメタルマスク６６を用いれば、アライメント
マーク等の非バンプ形成パッド６８上には、半田ペース
ト６９が塗布されないので、前記実施例３で挙げたテー
プを用いたマスキングが不要となるという利点もある。 （実施例５）次に、実施例５について説明するが、前記
実施例４と同様な部分の説明は省略又は簡略化する。
は、従来の様に、個々の基板側パッド６２とメタルマス
クの個々の透孔の位置を合わせる様な精密な位置合わせ
の必要がないので、その点からも作業が簡易化される。
更に、このメタルマスク６６を用いれば、アライメント
マーク等の非バンプ形成パッド６８上には、半田ペース
ト６９が塗布されないので、前記実施例３で挙げたテー
プを用いたマスキングが不要となるという利点もある。 （実施例５）次に、実施例５について説明するが、前記
実施例４と同様な部分の説明は省略又は簡略化する。
【０１１６】特に本実施例では、半田バンプ形成用シー
トを用いて基板側半田バンプを形成する点に特徴があ
る。 ａ）まず、半田バンプ形成用シートについて説明する。
本実施例に使用する半田バンプ形成用シートは、既に出
願した特願平８−３２５４７３号に記載のものと同様な
ものである。
トを用いて基板側半田バンプを形成する点に特徴があ
る。 ａ）まず、半田バンプ形成用シートについて説明する。
本実施例に使用する半田バンプ形成用シートは、既に出
願した特願平８−３２５４７３号に記載のものと同様な
ものである。
【０１１７】具体的には、図１４（ａ）に示す様に、基
板側半田バンプ７１（図１４（ｂ）参照）の形成に使用
される半田バンプ形成用シート７２は、ポリテトラフル
オロエチレン（テフロン；商標）からなる耐熱性を有す
るシート基材７３の一方の表面に、共晶半田（３７Ｐｂ
−６３Ｓｎ）からなる円板形の多数の半田プリフォーム
７４が固着されたものである。
板側半田バンプ７１（図１４（ｂ）参照）の形成に使用
される半田バンプ形成用シート７２は、ポリテトラフル
オロエチレン（テフロン；商標）からなる耐熱性を有す
るシート基材７３の一方の表面に、共晶半田（３７Ｐｂ
−６３Ｓｎ）からなる円板形の多数の半田プリフォーム
７４が固着されたものである。
【０１１８】前記シート基材７３の寸法は、外径１２．
５×１８ｍｍ、厚さ１００μｍであり、図１４（ｂ）に
示す様に、基板側半田バンプ７１を備えた配線基板７６
に搭載するフリップチップ７７の外径寸法と同じとされ
ている。一方、各半田プリフォーム７４は、直径１００
μｍ、厚み３０μｍの半田箔からなり、形成する基板側
半田バンプ７１の位置と対応する位置に配置されてい
る。つまり、半田バンプ形成用シート７２を配線基板７
６上に向かい合わせることにより基板側半田バンプ７１
を形成するので、半田プリフォーム７４の配置パターン
は、基板側半田バンプ７１の配置パターンとは対称なパ
ターンとなっている。
５×１８ｍｍ、厚さ１００μｍであり、図１４（ｂ）に
示す様に、基板側半田バンプ７１を備えた配線基板７６
に搭載するフリップチップ７７の外径寸法と同じとされ
ている。一方、各半田プリフォーム７４は、直径１００
μｍ、厚み３０μｍの半田箔からなり、形成する基板側
半田バンプ７１の位置と対応する位置に配置されてい
る。つまり、半田バンプ形成用シート７２を配線基板７
６上に向かい合わせることにより基板側半田バンプ７１
を形成するので、半田プリフォーム７４の配置パターン
は、基板側半田バンプ７１の配置パターンとは対称なパ
ターンとなっている。
【０１１９】また、前記寸法の各半田プリフォーム７４
の体積は、基板側半田バンプ７１の形成に必要な体積を
確保するために、約２．４×１０-4ｍｍ3とされてい
る。 ｂ）上述した半田バンプ形成用シート７２を製造するに
は、前記特願平８−３２５４７３号に記載したものと同
様な方法を採用できる。例えば、 シート基材７３上に、厚さ３０μｍの半田箔を圧着す
る。
の体積は、基板側半田バンプ７１の形成に必要な体積を
確保するために、約２．４×１０-4ｍｍ3とされてい
る。 ｂ）上述した半田バンプ形成用シート７２を製造するに
は、前記特願平８−３２５４７３号に記載したものと同
様な方法を採用できる。例えば、 シート基材７３上に、厚さ３０μｍの半田箔を圧着す
る。
【０１２０】半田箔上にて、感光性エッチングレジス
ト塗布及び露光現像によって、半田プリフォーム７４形
成部分に、エッチングエジストを形成する。 半田箔をエッチングして、不要部分を除去し、半田プ
リフォーム７４を形成する。
ト塗布及び露光現像によって、半田プリフォーム７４形
成部分に、エッチングエジストを形成する。 半田箔をエッチングして、不要部分を除去し、半田プ
リフォーム７４を形成する。
【０１２１】エッチングレジストを除去する。
以上の工程により、テフロン製のシート基材７３上に、
共晶半田の半田プリフォーム７４が所定の配置パターン
で圧着された半田バンプ形成用シート７２が製造され
る。
共晶半田の半田プリフォーム７４が所定の配置パターン
で圧着された半田バンプ形成用シート７２が製造され
る。
【０１２２】尚、半田バンプ形成用シート７２及びその
製造方法に関しては、上述した内容以外に、前記特願平
８−３２５４７３号に記載した各種の部材及びその製造
方法を採用できる。 ｃ）次に、半田バンプ形成用シート７２を使用して基板
側半田バンプ７１を形成する方法について説明する。
製造方法に関しては、上述した内容以外に、前記特願平
８−３２５４７３号に記載した各種の部材及びその製造
方法を採用できる。 ｃ）次に、半田バンプ形成用シート７２を使用して基板
側半田バンプ７１を形成する方法について説明する。
【０１２３】まず、図１５（ａ）に示す様に、半田バ
ンプ形成用シート７２を、シート基材７３上の半田プリ
フォーム７４が配線基板７６側（即ち基板側パッド７８
側）に向くように配置する。このとき、基板側パッド７
８を覆うようにフラックス（図示せず）を塗布してお
く。
ンプ形成用シート７２を、シート基材７３上の半田プリ
フォーム７４が配線基板７６側（即ち基板側パッド７８
側）に向くように配置する。このとき、基板側パッド７
８を覆うようにフラックス（図示せず）を塗布してお
く。
【０１２４】そして、図１５（ｂ）に示す様に、各半
田プリフォーム７４の位置と各基板側パッド７８の位置
が一致する様に位置合わせてして、半田バンプ形成用シ
ート７２と配線基板７６とを重ね合わせる。特に、本実
施例では、シート基材７３の平面寸法はフリップチップ
７７と同じにしてあるので、フリップチップ７７の搭載
に使用する周知のチップマウンターを使用して、半田バ
ンプ形成用シート７２の位置合わせを行なうことができ
る。
田プリフォーム７４の位置と各基板側パッド７８の位置
が一致する様に位置合わせてして、半田バンプ形成用シ
ート７２と配線基板７６とを重ね合わせる。特に、本実
施例では、シート基材７３の平面寸法はフリップチップ
７７と同じにしてあるので、フリップチップ７７の搭載
に使用する周知のチップマウンターを使用して、半田バ
ンプ形成用シート７２の位置合わせを行なうことができ
る。
【０１２５】次に、半田バンプ形成用シート７２と配
線基板７６を重ね合わせた状態で、図示しない遠赤外線
半田リフロー炉に通し、半田プリフォーム７４を約２１
０℃加熱して溶融する。これにより、図１５（ｃ）に示
す様に、溶融した半田は、半田の濡れ性の低いシート基
材７３側から落下して半田の濡れ性の高い基板側パッド
７８上に移転する。
線基板７６を重ね合わせた状態で、図示しない遠赤外線
半田リフロー炉に通し、半田プリフォーム７４を約２１
０℃加熱して溶融する。これにより、図１５（ｃ）に示
す様に、溶融した半田は、半田の濡れ性の低いシート基
材７３側から落下して半田の濡れ性の高い基板側パッド
７８上に移転する。
【０１２６】その後、図１５（ｄ）に示す様に、冷却
して基板側半田バンプ７１を完成した後に、シート基材
７３を剥し、最後にフラックスを溶剤で除去する。この
様にして形成された基板側半田バンプ７１は、半田プリ
フォーム７４が溶融した後に凝固したものであるので、
その体積は約２．４×１０-4ｍｍ3と変化しないが、そ
の高さは約３０μｍとなる。この高さは、前記実施例１
に記載した素子側半田バンプ（図４参照）の高さの４３
％である。
して基板側半田バンプ７１を完成した後に、シート基材
７３を剥し、最後にフラックスを溶剤で除去する。この
様にして形成された基板側半田バンプ７１は、半田プリ
フォーム７４が溶融した後に凝固したものであるので、
その体積は約２．４×１０-4ｍｍ3と変化しないが、そ
の高さは約３０μｍとなる。この高さは、前記実施例１
に記載した素子側半田バンプ（図４参照）の高さの４３
％である。
【０１２７】本実施例によっても、前記実施例４と同様
な作用効果を奏するとともに、特に半田ペーストを用い
るのでなく、エッチングによって形成した半田プリフォ
ーム７４を用いて基板側半田バンプ７１を形成するの
で、半田体積の少ない基板側半田バンプ７１を容易に形
成することができる。
な作用効果を奏するとともに、特に半田ペーストを用い
るのでなく、エッチングによって形成した半田プリフォ
ーム７４を用いて基板側半田バンプ７１を形成するの
で、半田体積の少ない基板側半田バンプ７１を容易に形
成することができる。
【０１２８】また、エッチングの際に使用するエッチン
グレジストは、露光現像により形成するので、半田プリ
フォーム７４の径及び半田体積を精密に設定できるとい
う利点がある。尚、本発明は前記実施例になんら限定さ
れるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲にお
いて種々の態様で実施しうることはいうまでもない。
グレジストは、露光現像により形成するので、半田プリ
フォーム７４の径及び半田体積を精密に設定できるとい
う利点がある。尚、本発明は前記実施例になんら限定さ
れるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲にお
いて種々の態様で実施しうることはいうまでもない。
【０１２９】（１）例えば、前記実施例１と実施例２と
を組み合わせることにより、即ち、半田ペーストの半田
粒径を小さくするとともに、メタルマスクの開口径を小
さくする手法と、ソルダーレジストの開口径をパッド径
と同じかそれより小さくする手法とを組み合わせること
により、一層半田体積の少ない基板側半田バンプを形成
することができる。
を組み合わせることにより、即ち、半田ペーストの半田
粒径を小さくするとともに、メタルマスクの開口径を小
さくする手法と、ソルダーレジストの開口径をパッド径
と同じかそれより小さくする手法とを組み合わせること
により、一層半田体積の少ない基板側半田バンプを形成
することができる。
【０１３０】（２）更に、前記実施例２と実施例３（又
は実施例４）とを組み合わせることにより、即ち、ソル
ダーレジストの開口径をパッド径と同じかそれより小さ
くする手法と、メタルマスク上ではなく（或は枠状のメ
タルマスクを用いて）、ソルダーレジスト上で直接半田
ペーストをスキージングする手法とを組み合わせること
により、一層半田体積の少ない基板側半田バンプを形成
することができる。
は実施例４）とを組み合わせることにより、即ち、ソル
ダーレジストの開口径をパッド径と同じかそれより小さ
くする手法と、メタルマスク上ではなく（或は枠状のメ
タルマスクを用いて）、ソルダーレジスト上で直接半田
ペーストをスキージングする手法とを組み合わせること
により、一層半田体積の少ない基板側半田バンプを形成
することができる。
【０１３１】
【発明の効果】以上詳述したように、請求項１の配線基
板の発明では、基板側半田材料が素子側パッドから離隔
しているので、素子側パッドに含まれるＣｕとＳｎとの
反応による脆い金属間化合物が形成されることはない。
そのため、半導体素子と配線基板との熱膨張差によって
接合部分に応力がかかっても、クラックが生じにくく、
長期間にわたって接合部分の破断を効果的に防止でき
る。また、本発明では、素子側半田バンプの高さが７０
μｍ以上である場合に、基板側半田バンプの高さが、前
記融着の際に基板側半田材料が素子側パッドから離隔す
る高さに設定されるとともに、１０〜４０μｍの高さに
設定されている。従って、十分な接合力を確保できると
ともに、金属間化合物を形成し易いＳｎを基板側半田材
料に用いても、素子側パッドの成分との間でもろい金属
間化合物を生成しないので、接合部分に応力がかかって
も、クラックが生じにくく、長期間にわたって接合部分
の破断を効果的に防止できる。
板の発明では、基板側半田材料が素子側パッドから離隔
しているので、素子側パッドに含まれるＣｕとＳｎとの
反応による脆い金属間化合物が形成されることはない。
そのため、半導体素子と配線基板との熱膨張差によって
接合部分に応力がかかっても、クラックが生じにくく、
長期間にわたって接合部分の破断を効果的に防止でき
る。また、本発明では、素子側半田バンプの高さが７０
μｍ以上である場合に、基板側半田バンプの高さが、前
記融着の際に基板側半田材料が素子側パッドから離隔す
る高さに設定されるとともに、１０〜４０μｍの高さに
設定されている。従って、十分な接合力を確保できると
ともに、金属間化合物を形成し易いＳｎを基板側半田材
料に用いても、素子側パッドの成分との間でもろい金属
間化合物を生成しないので、接合部分に応力がかかって
も、クラックが生じにくく、長期間にわたって接合部分
の破断を効果的に防止できる。
【０１３２】請求項２の半導体素子付き配線基板の発明
では、素子側半田材料の溶融温度が基板側半田材料の溶
融温度より高く設定されているので、基板側半田材料の
みを溶融させることにより、基板側半田材料を素子側半
田バンプに融着させて、半導体素子を配線基板に接合す
ることができる。
では、素子側半田材料の溶融温度が基板側半田材料の溶
融温度より高く設定されているので、基板側半田材料の
みを溶融させることにより、基板側半田材料を素子側半
田バンプに融着させて、半導体素子を配線基板に接合す
ることができる。
【０１３３】 請求項３の配線基板の発明では、素子側
半田バンプの高さが７０μｍ以上である場合に、基板側
半田バンプの高さが、前記融着の際に基板側半田バンプ
を構成する基板側半田材料が素子側パッドから離隔する
高さに設定されるとともに、１０〜４０μｍの高さに設
定されている。従って、十分な接合力を確保できるとと
もに、金属間化合物を形成し易いＳｎを基板側半田材料
に用いても、素子側パッドの成分との間でもろい金属間
化合物を生成しないので、接合部分に応力がかかって
も、クラックが生じにくく、長期間にわたって接合部分
の破断を効果的に防止できる。
半田バンプの高さが７０μｍ以上である場合に、基板側
半田バンプの高さが、前記融着の際に基板側半田バンプ
を構成する基板側半田材料が素子側パッドから離隔する
高さに設定されるとともに、１０〜４０μｍの高さに設
定されている。従って、十分な接合力を確保できるとと
もに、金属間化合物を形成し易いＳｎを基板側半田材料
に用いても、素子側パッドの成分との間でもろい金属間
化合物を生成しないので、接合部分に応力がかかって
も、クラックが生じにくく、長期間にわたって接合部分
の破断を効果的に防止できる。
【０１３４】
【０１３５】 請求項４の配線基板の発明では、基板側
半田バンプの高さが、素子側半田バンプの高さの６０％
以下である。そのため、融着の際に、基板側半田材料が
素子側パッドに到達しないので、脆い金属間化合物が形
成されず、よって、クラックが生じにくく、接合部分の
破断を効果的に防止できる。
半田バンプの高さが、素子側半田バンプの高さの６０％
以下である。そのため、融着の際に、基板側半田材料が
素子側パッドに到達しないので、脆い金属間化合物が形
成されず、よって、クラックが生じにくく、接合部分の
破断を効果的に防止できる。
【０１３６】
【０１３７】 請求項５の配線基板の製造方法の発明で
は、板厚２０〜３０μｍで透孔径１００μｍ以下の透孔
を有するメタルマスクを用いて、主として半田粒径１０
〜２０μｍの半田粒とフラックスからなる半田ペースト
を、基板側パッド上に塗布するという方法により、小さ
な基板側半田バンプを能率よく形成することできる。
は、板厚２０〜３０μｍで透孔径１００μｍ以下の透孔
を有するメタルマスクを用いて、主として半田粒径１０
〜２０μｍの半田粒とフラックスからなる半田ペースト
を、基板側パッド上に塗布するという方法により、小さ
な基板側半田バンプを能率よく形成することできる。
【０１３８】 特に、本発明では、半田ペースト印刷法
を採用できるので、多数の基板側半田バンプの形成のた
めの半田ペーストの充填作業を一度に容易に行うことが
でき、作業能率が高く、低コストであるという利点があ
る。請求項６の配線基板の製造方法では、基板側パッド
の周縁部をソルダーレジストで覆い、基板側パッドの略
中央部が露出する開口部を形成するので、この開口部の
径や厚みを設定することにより、請求項５と同様に、能
率よくかつ低コストにて多くの基板側半田バンプを一度
に形成することができる。
を採用できるので、多数の基板側半田バンプの形成のた
めの半田ペーストの充填作業を一度に容易に行うことが
でき、作業能率が高く、低コストであるという利点があ
る。請求項６の配線基板の製造方法では、基板側パッド
の周縁部をソルダーレジストで覆い、基板側パッドの略
中央部が露出する開口部を形成するので、この開口部の
径や厚みを設定することにより、請求項５と同様に、能
率よくかつ低コストにて多くの基板側半田バンプを一度
に形成することができる。
【０１３９】 請求項７の配線基板の製造方法では、直
接にスキージングを行うので、従来より容易に半田ペー
ストの充填を行なうことができる。つまり、精密な透孔
径を有する高価なメタルマスクを使用しないので、製造
容易でコストを低減することができる。
接にスキージングを行うので、従来より容易に半田ペー
ストの充填を行なうことができる。つまり、精密な透孔
径を有する高価なメタルマスクを使用しないので、製造
容易でコストを低減することができる。
【０１４０】 請求頃８の配線基板の製造方法では、凹
版の凹部に配線基板を嵌め込んで、ソルダーレジストの
表面と凹部の周囲表面との高さを揃え、この状態でスキ
ージングを行なうので、メタルマスクを使用しなくて済
む。よって、精密なメタルマスクを製造する必要がな
く、コストを低減することができる。また、スキージン
グを行うためには、凹部に配線基板を嵌め込むだけでよ
く、メタルマスクの位置合わせの様な精密な位置合わせ
が不要という利点がある。
版の凹部に配線基板を嵌め込んで、ソルダーレジストの
表面と凹部の周囲表面との高さを揃え、この状態でスキ
ージングを行なうので、メタルマスクを使用しなくて済
む。よって、精密なメタルマスクを製造する必要がな
く、コストを低減することができる。また、スキージン
グを行うためには、凹部に配線基板を嵌め込むだけでよ
く、メタルマスクの位置合わせの様な精密な位置合わせ
が不要という利点がある。
【０１４１】 請求頃９の配線基板の製造方法では、ソ
ルダーレジスト上に、複数のソルダーレジストの開口部
を見込む大きな透孔を有するメタルマスクを載置して、
スキージングを行なう。よって、請求項７と同様に、精
密な透孔径の透孔を有する高価なメタルマスクを使用す
る必要がないので、製造容易でコストを低減することが
できる。また、メタルマスクの精密な位置合わせが不要
という利点がある。
ルダーレジスト上に、複数のソルダーレジストの開口部
を見込む大きな透孔を有するメタルマスクを載置して、
スキージングを行なう。よって、請求項７と同様に、精
密な透孔径の透孔を有する高価なメタルマスクを使用す
る必要がないので、製造容易でコストを低減することが
できる。また、メタルマスクの精密な位置合わせが不要
という利点がある。
【０１４２】 請求項１０の配線基板の製造方法では、
半田バンプ形成用シートを用いて基板側半田バンプを形
成するので、基板側パッド上に体積の小さな基板側半田
バンプを容易に形成することができる。特に、配線基板
に所定のパターン状に多数の基板側半田バンプを形成す
る場合には、半田バンプ形成用シート上にそのパターン
に合わせて半田材料を配置することにより、一度の加熱
溶融により、パターン状に多数の基板側半田バンプを形
成することができる。
半田バンプ形成用シートを用いて基板側半田バンプを形
成するので、基板側パッド上に体積の小さな基板側半田
バンプを容易に形成することができる。特に、配線基板
に所定のパターン状に多数の基板側半田バンプを形成す
る場合には、半田バンプ形成用シート上にそのパターン
に合わせて半田材料を配置することにより、一度の加熱
溶融により、パターン状に多数の基板側半田バンプを形
成することができる。
【図１】 基板側半田バンプの高さの設定方法を示す説
明図である。
明図である。
【図２】 基板側半田バンプの各部の寸法の関係を示す
説明図である。
説明図である。
【図３】 充填される半田ペーストの体積の設定方法を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図４】 実施例１にかかるフリップチップを示し、
（ａ）はその平面図、（ｂ）は素子側半田バンプ近傍を
拡大して示す断面図である。
（ａ）はその平面図、（ｂ）は素子側半田バンプ近傍を
拡大して示す断面図である。
【図５】 実施例１にかかる配線基板を示し、（ａ）は
その平面図、（ｂ）は基板側半田バンプ近傍を拡大して
示す断面図である。
その平面図、（ｂ）は基板側半田バンプ近傍を拡大して
示す断面図である。
【図６】 実施例１にかかる基板側半田バンプの形成方
法を示す説明図である。す断面図である。
法を示す説明図である。す断面図である。
【図７】 実施例１にかかるフリップチップと配線基板
の接合方法を示す説明図である。
の接合方法を示す説明図である。
【図８】 実施例２にかかり、（ａ）は基板側半田バン
プの形成方法を示す説明図、（ｂ）は基板側半田バンプ
近傍を拡大して示す断面図である。
プの形成方法を示す説明図、（ｂ）は基板側半田バンプ
近傍を拡大して示す断面図である。
【図９】 実施例３にかかり、（ａ）は基板側半田バン
プの形成方法を示す説明図、（ｂ）は基板側半田バンプ
近傍を拡大して示す断面図である。
プの形成方法を示す説明図、（ｂ）は基板側半田バンプ
近傍を拡大して示す断面図である。
【図１０】 実施例３にかかる基板側半田バンプを形成
する手順を下治具とともに示す説明図である。
する手順を下治具とともに示す説明図である。
【図１１】 実施例４にかかり、（ａ）は基板側半田バ
ンプ形成前の配線基板を示す断面図、（ｂ）はスキージ
ングの際の要部を示す説明図、（ｃ）は基板側半田バン
プ近傍を拡大して示す断面図である。
ンプ形成前の配線基板を示す断面図、（ｂ）はスキージ
ングの際の要部を示す説明図、（ｃ）は基板側半田バン
プ近傍を拡大して示す断面図である。
【図１２】 実施例４にかかる基板側半田バンプを形成
する手順をメタルマスクとともに示す説明図である。
する手順をメタルマスクとともに示す説明図である。
【図１３】 実施例４にかかる基板側半田バンプの形成
に使用するメタルマスク等を示す説明図である。
に使用するメタルマスク等を示す説明図である。
【図１４】 実施例５にかかり、（ａ）は基板側半田バ
ンプの形成に使用する半田バンプ形成用シートを示す斜
視図、（ｂ）は配線基板及びフリップチップを示す説明
図である。
ンプの形成に使用する半田バンプ形成用シートを示す斜
視図、（ｂ）は配線基板及びフリップチップを示す説明
図である。
【図１５】 実施例５にかかる基板側半田バンプの形成
方法を示す説明図である。
方法を示す説明図である。
【図１６】 従来技術を示す説明図である。
１…フリップチップ（集積回路チップ，半導体素子）
２，７，３１，５１，６１…基材
３…素子側半田バンプ
４…素子側パッド
６，７６…配線基板（フリップチップ搭載用配線基板）
８，４０，５０，６０，７１…基板側半田バンプ
９，３２，５２，６２，７８…基板側パッド
１１，３４，５４，６４…ソルダーレジスト
１２，３３，５３，６３…開口部
１３，３８，６６…メタルマスク
１４，３７，６７…透孔
１７，３９，４２，５８，６９…半田ペースト
１７ａ，４１…共晶半田粒
１７ｂ…フラックス
７２…半田バンプ形成用シート
７４…半田プリフォーム
５６…下治具
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭63−187638（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−203953（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−229422（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−204322（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−252152（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−273439（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−264932（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−321113（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−112212（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−204230（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−267963（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−92685（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−41351（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/60 311
H01L 21/60
Claims (10)
- 【請求項１】 Ｃｕを含む素子側パッド上に、Ｓｎを含
まないかあるいは多くとも２０ｗｔ％以下含む素子側半
田材料からなる素子側半田バンプを有する半導体素子
と、 前記素子側半田バンプより融点が低く、かつ２０ｗｔ％
以上のＳｎを含む基板側半田材料からなる基板側半田バ
ンプを有する配線基板とを備え、 溶融していない（但し半溶融の状態を除く）前記素子側
半田バンプの側面に溶融した前記基板側半田材料が這い
上がって融着して前記素子側半田バンプと前記基板側半
田バンプとが接合することにより、前記半導体素子と前
記配線基板とが接合してなるとともに、前記基板側半田
材料が、前記素子側パッドから離隔している半導体素子
付き配線基板に用いる配線基板であって、前記素子側半田バンプの高さが７０μｍ以上である場合
に、 前記基板側半田バンプの高さが、前記融着時に前記
基板側半田材料が前記素子側パッドから離隔する高さで
あって、１０〜４０μｍの高さに設定されていることを
特徴とする配線基板。 - 【請求項２】 前記素子側半田材料が、Ｐｂを主成分と
する高温半田からなり、前記基板側半田材料が、Ｐｂ−
Ｓｎ共晶半田からなることを特徴とする前記請求項１に
記載の配線基板。 - 【請求項３】 ２０ｗｔ％以上のＳｎを含む基板側半田
材料からなる基板側半田バンプを有し、素子側パッド上
に素子側半田バンプを有する半導体素子を、溶融してい
ない（但し半溶融の状態を除く）前記素子側半田バンプ
の側面に溶融した前記基板側半田材料が這い上がって融
着することにより接合するための配線基板であって、前記素子側半田バンプの高さが７０μｍ以上である場合
に、 前記基板側半田バンプの高さが、前記融着時に前記
基板側半田材料が前記素子側パッドから離隔する高さで
あって、１０〜４０μｍの高さに設定されていることを
特徴とする配線基板。 - 【請求項４】 前記基板側半田バンプの高さが、前記素
子側半田バンプの高さの６０％以下であることを特徴と
する前記請求項１〜３のいずれかに記載の配線基板。 - 【請求項５】 前記請求項１〜４のいずれかに記載の配
線基板の製造方法であって、 板厚２０〜３０μｍで、透孔径１００μｍ以下の透孔を
有するメタルマスクを用いて、主として半田粒径１０〜
２０μｍの半田粒とフラックスからなる半田ペースト
を、基板側パッド上に塗布する工程と、 前記塗布した半田ペーストを加熱により溶融させ、その
後冷却して前記基板側パッド上に前記基板側半田バンプ
を形成する工程と、 を有することを特徴とする配線基板の製造方法。 - 【請求項６】 前記請求項１〜４のいずれかに記載の配
線基板の製造方法であって、 基板側パッドの周縁部をソルダーレジストで覆い、該基
板側パッドの略中央部が露出する開口部を形成する工程
と、 メタルマスクを用いて少なくとも前記開口部に半田ペー
ストを塗布する工程と、 前記塗布した半田ペーストを
加熱により溶融させ、その後冷却して前記基板側パッド
上に前記基板側半田バンプを形成する工程と、 を有することを特徴とする配線基板の製造方法。 - 【請求項７】 前記請求項１〜４のいずれかに記載の配
線基板の製造方法であって、 基板側パッドの周縁部をソルダーレジストで覆い、該基
板側パッドの略中央部が露出する開口部を形成する工程
と、 前記ソルダーレジスト上を直接スキージングし、該ソル
ダーレジストの開口部に半田ペーストを充填する工程
と、 前記充填した半田ペーストを加熱して半田を溶融させ、
その後冷却して前記基板側半田バンプを形成する工程
と、 を有することを特徴とする配線基板の製造方法。 - 【請求項８】 前記半田ペーストを充填する工程が、 前記基板側パッド及び前記ソルダーレジストを有する配
線基板を、該配線基板の外形寸法に対応する凹部であっ
て、該配線基板を嵌め込んだときに前記ソルダーレジス
トの表面と該凹部の周囲表面との高さが揃う深さの凹部
を有する凹版に嵌め込む工程と、 この凹版に前記配線基板を嵌め込んだ状態で、前記スキ
ージングを行い前記開口部に半田ペーストを充填し、余
剰半田ペーストを前記凹版の凹部周囲表面まで移動させ
る工程と、 前記凹版から配線基板を取り外す工程と、 を有することを特徴とする前記請求項７に記載の配線基
板の製造方法。 - 【請求項９】 前記半田ペーストを充填する工程が、 前記基板側パッド及び前記ソルダーレジストを有する配
線基板の該ソルダーレジスト上に、１つの透孔の中に複
数の前記ソルダーレジストの開口部を見込む透孔を有す
るメタルマスクを載置する工程と、 このメタルマスクを配置した状態で、前記スキージング
を行い前記ソルダーレジストの開口部に半田ペーストを
充填し、余剰半田ペーストを該メタルマスクの透孔周囲
表面まで移動させる工程と、 該メタルマスクを除去する工程と、 を有することを特徴とする前記請求項７に記載の配線基
板の製造方法。 - 【請求項１０】 前記請求項１〜４のいずれかに記載の
配線基板の製造方法であって、 半田に対して濡れ性の低い材料からなる基材表面のうち
基板側パッドに対応した位置に半田材料を分離可能に固
着してなる半田バンプ形成用シートを、前記半田材料が
前記基板側パッドに近接又は接触するように配置する工
程と、 前記半田バンプ形成用シートを配置した状態で、前記半
田材料を加熱して半田を溶融させ、前記基板側パッドに
該半田を移転させ、その後冷却して該基板側パッド上に
前記基板側半田バンプを形成する工程と、 を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05961297A JP3500032B2 (ja) | 1997-03-13 | 1997-03-13 | 配線基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05961297A JP3500032B2 (ja) | 1997-03-13 | 1997-03-13 | 配線基板及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10256307A JPH10256307A (ja) | 1998-09-25 |
| JP3500032B2 true JP3500032B2 (ja) | 2004-02-23 |
Family
ID=13118256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05961297A Expired - Lifetime JP3500032B2 (ja) | 1997-03-13 | 1997-03-13 | 配線基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3500032B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006100552A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Rohm Co Ltd | 配線基板および半導体装置 |
| JP2010283404A (ja) * | 2010-09-27 | 2010-12-16 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| US20240343055A1 (en) * | 2023-03-29 | 2024-10-17 | STATS ChipPAC Pte. Ltd. | Selective stencil mask and a stencil printing method |
| US12552192B2 (en) * | 2023-03-29 | 2026-02-17 | STATS ChipPAC Pte. Ltd. | Selective stencil mask and a stencil printing method |
Families Citing this family (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3314741B2 (ja) * | 1998-11-27 | 2002-08-12 | 日本電気株式会社 | 半導体パッケージ組立体及びその組立方法 |
| US10388626B2 (en) | 2000-03-10 | 2019-08-20 | STATS ChipPAC Pte. Ltd. | Semiconductor device and method of forming flipchip interconnect structure |
| DE60141391D1 (de) | 2000-03-10 | 2010-04-08 | Chippac Inc | Flipchip-Verbindungsstruktur und dessen Herstellungsverfahren |
| WO2005048307A2 (en) | 2003-11-08 | 2005-05-26 | Chippac, Inc. | Flip chip interconnection pad layout |
| US8853001B2 (en) | 2003-11-08 | 2014-10-07 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of forming pad layout for flipchip semiconductor die |
| US9029196B2 (en) | 2003-11-10 | 2015-05-12 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of self-confinement of conductive bump material during reflow without solder mask |
| US8026128B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-09-27 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of self-confinement of conductive bump material during reflow without solder mask |
| US8574959B2 (en) | 2003-11-10 | 2013-11-05 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of forming bump-on-lead interconnection |
| WO2005048311A2 (en) | 2003-11-10 | 2005-05-26 | Chippac, Inc. | Bump-on-lead flip chip interconnection |
| US8216930B2 (en) | 2006-12-14 | 2012-07-10 | Stats Chippac, Ltd. | Solder joint flip chip interconnection having relief structure |
| US8129841B2 (en) | 2006-12-14 | 2012-03-06 | Stats Chippac, Ltd. | Solder joint flip chip interconnection |
| US20060216860A1 (en) | 2005-03-25 | 2006-09-28 | Stats Chippac, Ltd. | Flip chip interconnection having narrow interconnection sites on the substrate |
| USRE44500E1 (en) | 2003-11-10 | 2013-09-17 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of forming composite bump-on-lead interconnection |
| US7659633B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-02-09 | Stats Chippac, Ltd. | Solder joint flip chip interconnection having relief structure |
| US20070105277A1 (en) | 2004-11-10 | 2007-05-10 | Stats Chippac Ltd. | Solder joint flip chip interconnection |
| USRE47600E1 (en) | 2003-11-10 | 2019-09-10 | STATS ChipPAC Pte. Ltd. | Semiconductor device and method of forming electrical interconnect with stress relief void |
| WO2005093817A1 (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-06 | Nec Corporation | 半導体装置及びその製造方法 |
| US8841779B2 (en) | 2005-03-25 | 2014-09-23 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of forming high routing density BOL BONL and BONP interconnect sites on substrate |
| US9258904B2 (en) | 2005-05-16 | 2016-02-09 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of forming narrow interconnect sites on substrate with elongated mask openings |
| US20060255473A1 (en) | 2005-05-16 | 2006-11-16 | Stats Chippac Ltd. | Flip chip interconnect solder mask |
| US7713782B2 (en) | 2006-09-22 | 2010-05-11 | Stats Chippac, Inc. | Fusible I/O interconnection systems and methods for flip-chip packaging involving substrate-mounted stud-bumps |
| US9847309B2 (en) | 2006-09-22 | 2017-12-19 | STATS ChipPAC Pte. Ltd. | Semiconductor device and method of forming vertical interconnect structure between semiconductor die and substrate |
| JP4963998B2 (ja) * | 2007-03-28 | 2012-06-27 | ローム株式会社 | 回路基板、半導体装置、及び半田バンプの形成方法 |
| US8349721B2 (en) | 2008-03-19 | 2013-01-08 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of forming insulating layer on conductive traces for electrical isolation in fine pitch bonding |
| US7759137B2 (en) | 2008-03-25 | 2010-07-20 | Stats Chippac, Ltd. | Flip chip interconnection structure with bump on partial pad and method thereof |
| US9345148B2 (en) | 2008-03-25 | 2016-05-17 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of forming flipchip interconnection structure with bump on partial pad |
| US7897502B2 (en) | 2008-09-10 | 2011-03-01 | Stats Chippac, Ltd. | Method of forming vertically offset bond on trace interconnects on recessed and raised bond fingers |
| US8198186B2 (en) | 2008-12-31 | 2012-06-12 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of confining conductive bump material during reflow with solder mask patch |
| US8659172B2 (en) | 2008-12-31 | 2014-02-25 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of confining conductive bump material with solder mask patch |
| US8039384B2 (en) | 2010-03-09 | 2011-10-18 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of forming vertically offset bond on trace interconnects on different height traces |
| US8409978B2 (en) | 2010-06-24 | 2013-04-02 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of forming vertically offset bond on trace interconnect structure on leadframe |
| US8492197B2 (en) | 2010-08-17 | 2013-07-23 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of forming vertically offset conductive pillars over first substrate aligned to vertically offset BOT interconnect sites formed over second substrate |
| US8435834B2 (en) | 2010-09-13 | 2013-05-07 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of forming bond-on-lead interconnection for mounting semiconductor die in FO-WLCSP |
| JP5709326B2 (ja) * | 2013-05-02 | 2015-04-30 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
| CN112185928A (zh) * | 2020-10-22 | 2021-01-05 | 上海艾为电子技术股份有限公司 | 一种芯片封装结构及其制备方法、封装芯片 |
| CN118073276B (zh) * | 2024-03-01 | 2024-10-15 | 无锡中微高科电子有限公司 | 一种改善倒扣焊器件凸点焊接强度的后处理方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63187638A (ja) * | 1987-01-30 | 1988-08-03 | Hitachi Ltd | 半導体チツプ接続方法 |
| JP2891427B2 (ja) * | 1990-02-02 | 1999-05-17 | 田中電子工業株式会社 | 半導体素子のＡｌ電極パッド構造 |
| JPH06112212A (ja) * | 1992-09-25 | 1994-04-22 | Rohm Co Ltd | 電子部品におけるバンプ電極の形成方法 |
| JP3121464B2 (ja) * | 1992-12-28 | 2000-12-25 | ローム株式会社 | バンプ形成法およびバンプ製造装置 |
| JPH06252152A (ja) * | 1993-02-22 | 1994-09-09 | Ibiden Co Ltd | セラミックス配線板のはんだバンプ形成方法 |
| JPH06267963A (ja) * | 1993-03-17 | 1994-09-22 | Rohm Co Ltd | 半導体部品におけるバンプ電極の形成方法 |
| JPH07273439A (ja) * | 1994-03-31 | 1995-10-20 | Du Pont Kk | 半田バンプ形成方法 |
| JPH07321113A (ja) * | 1994-05-23 | 1995-12-08 | Sony Corp | 半田バンプの形成方法 |
| JPH08203953A (ja) * | 1995-01-25 | 1996-08-09 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置のボンディングパッド部の構造 |
| JPH08204322A (ja) * | 1995-01-26 | 1996-08-09 | Ibiden Co Ltd | バンプの形成方法 |
| JPH08264932A (ja) * | 1995-03-23 | 1996-10-11 | Hitachi Techno Eng Co Ltd | はんだバンプ形成法 |
| JP3311215B2 (ja) * | 1995-09-28 | 2002-08-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| JPH1041351A (ja) * | 1996-07-24 | 1998-02-13 | Shinko Electric Ind Co Ltd | バンプ付きセラミックパッケージ |
-
1997
- 1997-03-13 JP JP05961297A patent/JP3500032B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006100552A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Rohm Co Ltd | 配線基板および半導体装置 |
| JP2010283404A (ja) * | 2010-09-27 | 2010-12-16 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| US20240343055A1 (en) * | 2023-03-29 | 2024-10-17 | STATS ChipPAC Pte. Ltd. | Selective stencil mask and a stencil printing method |
| US12552192B2 (en) * | 2023-03-29 | 2026-02-17 | STATS ChipPAC Pte. Ltd. | Selective stencil mask and a stencil printing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10256307A (ja) | 1998-09-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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