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JP3476906B2 - 積層インダクタ基板 - Google Patents

積層インダクタ基板

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JP3476906B2
JP3476906B2 JP11938694A JP11938694A JP3476906B2 JP 3476906 B2 JP3476906 B2 JP 3476906B2 JP 11938694 A JP11938694 A JP 11938694A JP 11938694 A JP11938694 A JP 11938694A JP 3476906 B2 JP3476906 B2 JP 3476906B2
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  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【産業上の利用分野】本発明は、セラミック層もしくは
磁性体材料の層からなる積層体内に、該層間に配置した
コイルパターンによって構成されるコイル、内部配線に
よって構成される所定回路網を内装した積層インダクタ
基板に関するものであり、特に、コイルの側面方向への
漏洩磁束防止に優れた積層インダクタに関するものであ
る。 【0002】 【従来の技術】一般に、インダクタ部品は、コア部材に
絶縁被覆された導線を巻回して構成され、シールドケー
スに収納され、所定プリント配線基板に実装されてい
た。 【0003】また、近時、電子機器などの実装機器の小
型化の要求に伴い、積層セラミック技術を応用した積層
インダクタがある。この構造は、複数のセラミック層か
ら成る積層体において、各セラミック層の各層間にコイ
ルパターンを形成し、また各セラミック層にビアホール
導体を形成して、複数のコイルパターンとビアホール導
体とでコイルを達成するとともに、各セラミック層の各
層間に所定回路となる内部配線を形成し、また各セラミ
ック層にビアホール導体を形成して、所定回路を達成し
た積層インダクタ基板がある(特開昭63−29910
号参照)。 【0004】さらに、上述のコイルの漏洩磁束を防止す
る方法としては、本出願人は先に、コイルの周囲に、積
層体の積層方向を貫く例えば4つの複数のビアホール導
体を形成した積層インダクタを提案した。 【0005】この積層インダクタは、図6に示すよう
に、例えば積層体80は、例えば9層のセラミック層8
1a〜81f、81x、81yから構成されており、セ
ラミック層81x、81a〜81fの各層間には所定タ
ーン数、例えば1ターンのコイルパターン82a〜82
fが配置されており、さらに、セラミック層81a〜8
1eには、各コイルパターン82a〜82eの他端と各
コイルパターン82b〜82fの一端とを接続するため
のビアホール導体83a〜83eが形成されている。こ
れにより、コイルパターン82aの一端からコイルパタ
ーン82fの他端で一連のコイルが達成される。 【0006】このコイルからの漏洩磁束を防止するため
に、例えば、セラミック層81x、81y上に短絡導体
膜84x、84yを形成し、各セラミック81x、81
a〜81fの周囲には、短絡導体膜84x、84yを接
続するビアホール導体85a〜85dが形成されてい
る。 【0007】これにより、短絡導体膜84x、84y及
びビアホール導体85a〜85dによって、コイルの周
囲には4つの閉ループ回路が形成されることになる。 【0008】 【発明が解決しようとする課題】ここで、この積層イン
ダクタ内に、所定回路網を内装する積層インダクタ基板
において、コイルの特性や回路の構成によもよるが、例
えばコイルをトランスとして用いる場合、所定コイルを
達成するためのコイルパターンの積層数と、所定回路網
を形成するに必要な内部配線の積層数とでは、コイルパ
ターンの積層数が多く必要となる。 【0009】このような場合、短絡導体膜84x、84
y、ビアホール導体85a〜85dから成る閉ループ回
路の開口が大きくなり、コイルからの漏洩磁束を閉ルー
プ回路で、充分に電流に変化させることができず、若干
量の漏洩磁束が発生してしまうという問題が発生してい
た。 【0010】これにより、所定回路網に悪影響を与えて
しまい、所定回路の動作に誤動作を与えることが考えら
れる。 【0011】本発明は、上述の問題点に鑑みて、案出さ
れたものであり、その目的は、コイルと所定回路網とを
積層体に一体化するにあたり、コイルからの漏洩磁束を
完全に遮断して、信頼性の高い回路動作を達成すること
ができる積層インダクタ基板を提供することにある。 【0012】 【課題を解決するための手段】本発明の積層イダクタ基
板は、セラミック層もしくは磁性体層を複数積層して成
る積層体に、各層間に配置されたコイルパターン、各層
に形成されコイルパターンどうしを接続するビアホール
導体から成るコイルを内装するとともに、各層に配置し
た内部配線から成る所定回路網を内装して成る積層イン
ダクタ基板において、前記コイルの周囲に、異なる層間
に配置した導体パターンとその導体パターンの両端に形
成したビアホール導体との接続によって形成した閉ルー
プ回路を、前記コイルパターンが存在する全ての層間に
前記導体パターンを位置させるようにして積層方向に複
数配置したことを特徴するものである。 【0013】 【作用】本発明によれば、複数積層したセラミック層内
に配置されたコイルの周囲に、異なる層間に配置された
導体パターンとその導体パターンの両端を接続するビア
ホール導体による閉ループ回路を、コイルパターンが存
在する全ての層間に前記導体パターンを位置させるよう
にして積層方向に多数配置している。 【0014】従って、コイル周囲へのコイルの漏洩磁束
を、積層方向に配置された複数の閉ループ回路で有効に
遮断することができ、同一積層体内に形成した回路網に
対して悪影響を与えることがなく、安定した回路動作が
可能となる。 【0015】 【実施例】以下、本発明の積層インダクタ基板を図面を
用いて詳説する。 【0016】図1は本発明の積層インダクタ基板の外観
斜視図であり、図2は断面図を示す、図3は積層体のコ
イル部分の分解斜視図を示す。 【0017】図1において、積層インダクタ基板10
は、セラミック層もしくは磁性体材料層が複数積層され
た積層体1とから主に構成されて、必要に応じて積層体
1の主面に端子電極、接続用パッドを含む表面配線2
0、やチップ状電子部品、リード型電子部品、ICチッ
プなどの電子部品30が搭載されている。尚、実施例で
は、コイル特性を向上させるために積層体1のコイルの
中心部に貫通穴11を形成し、この貫通穴11に積層方
向の上下から概略E字状の部材40a、40bからなる
コア部材40を配置している。 【0018】積層体1は、図2、3に示すように、アル
ミナなどを絶縁体セラミック、Mn・Znフェライトな
どの磁性体材料(広義でセラミックとする)と必要に応
じて添加するガラス成分を含むセラミック層1a〜1g
が積層されており、その各セラミック1a〜1g層間に
は、コイル成分を構成するコイルパターン2b〜2g、
このコイルと接続する所定回路とを構成する内部配線8
・・・とが配置されている。尚、図3では、セラミック
層1c〜1gとの層間の内部配線8・・・を省略してい
る。 【0019】また、積層体1には、コイル成分の中心軸
を貫通穴11が形成されおり、この貫通穴11に2つの
E字状部材40a、40bを組み合わせて成るコア部材
40が配置される。 【0020】コイル成分は、各セラミック層1aと1
b、1bと1c・・・に配置されたコイルパターン2
b、2c・・・と、各セラミック層1b〜1fを貫くビ
アホール導体3b〜3fとによって達成される。 【0021】即ち、コイルパターン2bの他端は、ビア
ホール導体3bを介してコイルパターン2cの一端に接
続し、コイルパターン2cの他端は、ビアホール導体3
cを介してコイルパターン2dの一端に接続し、コイル
パターン2dの他端は、ビアホール導体3dを介してコ
イルパターン2eの一端に接続し、コイルパターン2e
の他端は、ビアホール導体3eを介してコイルパターン
2fの一端に接続し、コイルパターン2fの他端は、ビ
アホール導体3fを介してコイルパターン2gの一端に
接続している。これにより、コイルパターン2bの一端
からコイルパターン2gの他端で所定ターン数のコイル
が達成されることになる。 【0022】尚、コイルパターン2bの一端、コイルパ
ターン2gの他端は、積層体1の回路を構成する内部配
線8に接続されたり、また、積層体の主面に導出されて
表面配線20などに接続される。 【0023】回路網は、各セラミック層1aと1b、1
bと1c・・・に配置された内部配線8・・、及び所定
回路網に応じて各内部配線8間を接続するビアホール導
体9・・から構成されており、さらに、内部配線8の一
部は、積層体1の主面の表面配線20などに接続されて
いる。 【0024】ここで、本発明の特徴的なことは、コイル
パターン2b〜2g、ビアホール導体3b〜6gから成
るコイル成分と内部配線8・・・、ビアホール導体9・
・・から成る所定回路網との間に、即ちコイル成分の周
囲、図では対向する二辺に、導体パターン4b〜4g、
5b〜5gとビアホール導体6a、6b、7a、7bか
ら成る複数の、例えば5つの閉ループ回路を積層方向に
配置したことであり、しかも導体パターン4b〜4g、
5b〜5gはコイルパターン2b〜2gが存在する全て
の層間に位置させてある。 【0025】例えば、一方側の導体パターン4bと導体
パターン4cとをその両端でビアホール導体6a、6b
とで接続して第1の閉ループ回路を構成し、導体パター
ン4cと導体パターン4dとをその両端でビアホール導
体6a、6bcとで接続して第2の閉ループ回路を構成
し、導体パターン4dと導体パターン4eとをその両端
でビアホール導体6a、6bとで接続して第3の閉ルー
プ回路を構成し、導体パターン4eと導体パターン4f
とをその両端でビアホール導体6a、6bとで接続して
第4の閉ループ回路を構成し、導体パターン4fと導体
パターン4gとをその両端でビアホール導体6a、6b
とで接続して第5の閉ループ回路を構成する。尚、コイ
ルの他方側も同様に導体パターン5b〜5e、ビアホー
ル導体7a、7bによって5つの閉ループ回路を形成し
ている。 【0026】尚、図2において、導体パターン4b〜4
e、ビアホール導体6a、5bによって形成される閉ル
ープ回路群を「4」で表記して、導体パターン5b〜5
e、ビアホール導体7a、7bによって形成される閉ル
ープ回路群を「5」で表記している。また、何れかの閉
ループ回路は内部配線8・・・や表面配線20のアース
電位に接続することが望ましい。 【0027】また、別の構造として、図4に示すよう
に、各セラミック層1a〜1gの間に上述のコイルパタ
ーン2a〜2b(総称して2と記す)を配置するととも
に、セラミック層1aと1bとの間に導体パターン41
b、51bを、セラミック層1c〜1fとの間に並設さ
れた導体パターン41c〜41f、42c〜42f、5
1c〜51f、52c〜52fを、セラミック層1b〜
1fに導体パターン41g、51gを夫々配置する。ま
た、セラミック層1b〜1fの導体パターン41b〜4
1g、42c〜42f、51b〜51g、52c〜51
fの両端位置に、セラミック層1b〜1fの厚みを貫く
ビアホール導体61b〜61f、62b〜62f、71
b〜71f、72b〜72fを形成する。 【0028】これにより、コイルの一方側において、導
体パターン41bと導体パターン41cとをその両端で
ビアホール導体61b、62bとで接続して第1の閉ル
ープ回路を構成し、導体パターン42cと導体パターン
42dとをその両端でビアホール導体61c、62cと
で接続して第2の閉ループ回路を構成し、導体パターン
41dと導体パターン41eとをその両端でビアホール
導体61d、62dとで接続して第3の閉ループ回路を
構成し、導体パターン42eと導体パターン42fとを
その両端でビアホール導体61e、62eとで接続して
第4の閉ループ回路を構成し、導体パターン41fと導
体パターン41gとをその両端でビアホール導体61
f、62fとで接続して第5の閉ループ回路を構成され
ることになる。尚、コイルの他方側も導体パターン51
b〜51g、52c〜51f及びビアホール導体71b
〜71f、72b〜72fによって5つの閉ループ回路
が構成される。 【0029】さらに、別の構造として、図5に示すよう
に、各セラミック層1a〜1gの間に上述のコイルパタ
ーン2a〜2b(総称して2と記す)を配置するととも
に、セラミック層1a〜1gとの間に導体パターン43
b〜43g、53b〜53gを配置し、また、セラミッ
ク層1b〜1fの導体パターン43b〜43g、53b
〜51gの両端位置にビアホール導体63a〜63c、
64a〜64c、73a〜73c、74a〜74cを形
成する。 【0030】これにより、例えばコイルの一方側におい
て、3つの閉ループ回路が形成されている。即ち、導体
パターン43bと導体パターン43dと、その両端を接
続するセラミック層1b、1cの厚み貫らぬくビアホー
ル導体63a、64aとによって第1の閉ループ回路を
構成し、導体パターン43cと導体パターン43fと、
その両端を接続するセラミック層1c、1d、1eの厚
み貫らぬくビアホール導体63b、64bとによって第
2の閉ループ回路を構成し、導体パターン43eと導体
パターン43gと、その両端を接続するセラミック層1
e、1fの厚み貫らぬくビアホール導体63c、64c
とによって第3の閉ループ回路を構成する。尚、コイル
の他方側においても、導体パターン53b〜53g、ビ
アホール導体73a〜73c、74a〜74cによって
3つの閉ループ回路が構成されている。尚、図4、図5
においては、コア部材40が配置される貫通穴、所定回
路を達成するための内部配線、表面配線20を省略し
た。 【0031】上述の図3〜図5において、図3では、各
セラミック層1b〜1gの厚み分で、積層方向に5つの
閉ループ回路を配置し、且つ導体パターン4b〜4g、
5b〜5gが共用しており、図4では各セラミック層1
b〜1gの厚み分、積層方向に5つの閉ループ回路を構
成し、且つ導体パターン41b〜41g、42c〜42
f、51b〜51g、52c〜52fが独立されてお
り、図5では複数の層、2層又は3層の厚み分で、積層
方向に複数の閉ループ回路を構成され、その閉ループ回
路が互いに重なりあっている。 【0032】以上のように、コイルパターン2b〜2g
から成るコイルの周囲で、積層体1の積層方向に複数の
閉ループ回路が複数が配置されているので、閉ループ回
路の開口を小さくすることができ、コイル成分から発生
する漏洩磁束を有効に防止することができる。 【0033】これにより、内部配線8・・・から成る所
定回路網側に影響を与えることがなく、特に、積層イン
ダクタに所定回路網を複合化した積層インダクタ基板に
おいては、極めて有効な構造と言える。 【0034】上述のような積層インダクタ基板の製造方
法としは、多層セラミック基板の製造方法に用いられる
周知の方法すべて適用できる。最も一般的なグリーンシ
ート多層方法で、図3の積層体を例に簡単に説明する。 【0035】まず、アルミナや各種フェライト(本発明
では広義にフェライト焼結体をセラミックという)など
のセラミック粉末、必要に応じてガラスフリットの固形
成分に有機ビヒクルなどを混合して、スリップ材化し、
ドクターブレード法などでテープ化し、所定形状のグリ
ーンシートを作成する。 【0036】その後、セラミック層1b〜1fに対応す
るグリーンシートに、コイル構造、所定回路構造、閉ル
ープ回路の構造に応じて、ビアホール導体3b〜3f、
6a、6b、7a、7b、9となる貫通穴をパンチ加工
により形成する。 【0037】次に、セラミック層1b〜1fに対応する
グリーンシートに形成した貫通穴に導電性ペーストを充
填印刷するとともに、各グリーンシート上に、コイルパ
ターン2b〜2d、導体パターン4b〜4g、5b〜5
g、内部配線8・・・となる導体膜を導電性ペーストの
印刷により形成する。 【0038】尚、セラミック層1a、1gとなるグリー
ンシートには、内部配線8と表面配線20との接続に応
じて、またコイルパターン2a、2gと表面配線20と
の接続に応じて、ビアホール導体となる貫通穴を形成
し、導電性ペーストの充填を行う。 【0039】このようして得られたグリーンシートをセ
ラミック層1a〜1gの積層順序を考慮して、積層・圧
着を行う。また、最終的な積層インダクタ基板の形状と
なるように分割溝を形成するとともに、必要に応じて、
コイルの中心軸にコア部材が配置される貫通穴をプレス
成型で形成する。 【0040】次に、焼成処理を行う。焼成処理は脱バイ
ンダー工程と焼結工程とから成る。 【0041】その後、必要に応じて、表面配線20を焼
きつけ処理により形成し、所定形状に分割を行い、電子
部品30やコア部材40を搭載・装着する。 【0042】尚、上述の実施例において、閉ループ回路
がコイルの周囲の対向する2辺に形成させれているが、
コイルを全て取り囲むように、4辺に夫々形成しても構
わない。 【0043】また、上述の実施例では、積層体1内に1
つのコイルが形成されているが、複数のコイルを形成し
て、これらをコア部材で結合したトランス部品としても
構わない。 【0044】さらに、支持基板に焼成済みセラミック基
板を用いて、支持基板から積層体を剥離せず、この支持
基板を積層体の一部として用いることができる。この場
合、焼成済みセラミック基板表面に予めコイルパターン
を形成しておいても構わない。 【0045】 【発明の効果】以上、本発明によればコイルから発生す
る漏洩磁束を閉ループ回路で遮断することができ、同一
積層体内に配置した内部配線からなる所定回路網に悪影
響を与えることがなく、安定した回路動作が可能とな
る。
【図面の簡単な説明】 【図1】本発明に係る積層インダクタ基板の外観斜視図
である。 【図2】本発明に係る積層インダクタ基板の断面図であ
る。 【図3】図1中の積層体の分解斜視図である。 【図4】本発明の他の積層インダクタ基板の積層体の分
解斜視図である。 【図5】本発明の別の積層インダクタ基板の積層体の分
解斜視図である。 【図6】従来の積層インダクタ部品の積層体の分解斜視
図である。 【符号の説明】 1・・・積層体 1a〜1g・・・シート 2b〜2g・・・コイルパターン 3b〜3f・・・ビアホール導体 4b〜4g、5b〜5g・・・導体パターン 6a、6b、7a、7b・・・ビアホール導体 41b 〜41g 、42c 〜42f 、51b 〜51g 、52c 〜52f ・・
・導体パターン 61b 〜61f 、 62b 〜62f 、71b 〜71f 、72b 〜72f ・
・・ビアホール導体 43b〜43g、53b〜53g・・・導体パターン 63a 〜63c 、 64a 〜64c 、73a 〜73c 、 74a 〜74c ・
・・ビアホール導体 8 ・・・内部配線 9 ・・・ビアホール導体

Claims (1)

  1. (57)【特許請求の範囲】 【請求項1】セラミック層もしくは磁性体層を複数積層
    して成る積層体に、各層間に配置されたコイルパター
    ン、各層に形成されコイルパターンどうしを接続するビ
    アホール導体から成るコイルを内装するとともに、各層
    に配置した内部配線から成る所定回路網を内装して成る
    積層インダクタ基板において、 前記コイルの周囲に、異なる層間に配置した導体パター
    ンとその導体パターンの両端に形成したビアホール導体
    との接続によって形成した閉ループ回路を、前記コイル
    パターンが存在する全ての層間に前記導体パターンを位
    置させるようにして積層方向に複数配置したことを特徴
    する積層インダクタ基板。
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