JP3468685B2 - カルボラン含有ケイ素系重合体及びその製造方法 - Google Patents
カルボラン含有ケイ素系重合体及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は耐熱性、難燃性に優
れた機能性材料として有用な新規カルボラン含有ケイ素
系重合体及びその製造方法に関するものである。
れた機能性材料として有用な新規カルボラン含有ケイ素
系重合体及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、耐熱性、難燃性に優れたケイ
素系重合体が開発されている。また、高分子反応により
重合体を架橋させる方法で高分子量化、機械強度の向上
が試みられている〔Organometallics, 15, 75(1996) 〕
が、耐熱性、難燃性は必ずしも十分なものではなかっ
た。一方、カルボラン含有ケイ素系重合体についてはい
くつか知られており、例えば、J. Macromol. Sci. -Re
v. Macromol. Chem., C17(2), 173-208 (1979) には、
ポリ（ドデカカルボラン−シロキサン）について報告さ
れている。
素系重合体が開発されている。また、高分子反応により
重合体を架橋させる方法で高分子量化、機械強度の向上
が試みられている〔Organometallics, 15, 75(1996) 〕
が、耐熱性、難燃性は必ずしも十分なものではなかっ
た。一方、カルボラン含有ケイ素系重合体についてはい
くつか知られており、例えば、J. Macromol. Sci. -Re
v. Macromol. Chem., C17(2), 173-208 (1979) には、
ポリ（ドデカカルボラン−シロキサン）について報告さ
れている。
【０００３】また、特表平８−５０５６４９号公報に
は、有機ホウ素ポリマーが開示されており、カルボラン
を導入することによりシロキサンポリマーの熱安定性が
向上することが報告されている。しかしながら、上記有
機ホウ素ポリマーはアセチレン基含有ジリチオ塩と両末
端クロロ基含有カルボランシロキサンとの反応から得ら
れるものであり、モノマーからカルボラン含有ケイ素系
化合物を合成するのに数段階を要するため、簡便な方法
ではなかった。
は、有機ホウ素ポリマーが開示されており、カルボラン
を導入することによりシロキサンポリマーの熱安定性が
向上することが報告されている。しかしながら、上記有
機ホウ素ポリマーはアセチレン基含有ジリチオ塩と両末
端クロロ基含有カルボランシロキサンとの反応から得ら
れるものであり、モノマーからカルボラン含有ケイ素系
化合物を合成するのに数段階を要するため、簡便な方法
ではなかった。
【０００４】また、上記従来の有機ホウ素ポリマー以外
に、カルボラン含有ケイ素系重合体は殆ど知られておら
ず、耐熱性に優れた新規なカルボラン含有ケイ素系重合
体の開発が期待されている。
に、カルボラン含有ケイ素系重合体は殆ど知られておら
ず、耐熱性に優れた新規なカルボラン含有ケイ素系重合
体の開発が期待されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、耐熱
性及び難燃性に優れた新規なカルボラン含有ケイ素系重
合体及びその製造方法を提供することにある。
性及び難燃性に優れた新規なカルボラン含有ケイ素系重
合体及びその製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明では、反応性二重
結合基を側鎖に含有するケイ素系重合体とシリル置換カ
ルボラン誘導体とを複合化させることを試みた。二重結
合とシリル基との反応は非常に効率がよく、重合体中に
カルボランを簡便に導入することができる。また、重合
体の側鎖に反応性の二重結合が結合するため、効率的に
より多くのカルボランを導入することができ、重合体の
耐熱性及び難燃性の一層の向上が期待できる。
結合基を側鎖に含有するケイ素系重合体とシリル置換カ
ルボラン誘導体とを複合化させることを試みた。二重結
合とシリル基との反応は非常に効率がよく、重合体中に
カルボランを簡便に導入することができる。また、重合
体の側鎖に反応性の二重結合が結合するため、効率的に
より多くのカルボランを導入することができ、重合体の
耐熱性及び難燃性の一層の向上が期待できる。
【０００７】請求項１記載の発明（以下、本発明１とい
う）のカルボラン含有ケイ素系重合体は、一般式（１）
及び／もしくは一般式（２）で表されるカルボラン含有
ユニットと、一般式（４）〜（７）で表されるユニット
の組合わせからなる炭化水素基と一般式（１４）で表さ
れるフェニルメチルシリレン基とからなり、重量平均分
子量が５００以上であることを特徴とする。
う）のカルボラン含有ケイ素系重合体は、一般式（１）
及び／もしくは一般式（２）で表されるカルボラン含有
ユニットと、一般式（４）〜（７）で表されるユニット
の組合わせからなる炭化水素基と一般式（１４）で表さ
れるフェニルメチルシリレン基とからなり、重量平均分
子量が５００以上であることを特徴とする。
【０００８】請求項２記載の発明（以下、本発明２とい
う）のカルボラン含有ケイ素系重合体の製造方法は、本
発明１のカルボラン含有ケイ素系重合体の製造方法であ
って、一般式（４）〜（７）で表されるユニットの組合
わせからなる炭化水素基と一般式（１４）で表されるフ
ェニルメチルシリレン基と一般式（８）で表されるシリ
レン基とからなるケイ素系重合体における一般式（８）
中の二重結合と、一般式（９）又は（１０）で表される
シリル置換カルボラン誘導体とを反応させることを特徴
とする。
う）のカルボラン含有ケイ素系重合体の製造方法は、本
発明１のカルボラン含有ケイ素系重合体の製造方法であ
って、一般式（４）〜（７）で表されるユニットの組合
わせからなる炭化水素基と一般式（１４）で表されるフ
ェニルメチルシリレン基と一般式（８）で表されるシリ
レン基とからなるケイ素系重合体における一般式（８）
中の二重結合と、一般式（９）又は（１０）で表される
シリル置換カルボラン誘導体とを反応させることを特徴
とする。
【０００９】以下、本発明について詳細に説明する。
【００１０】本発明１のカルボラン含有ケイ素系重合体
は、一般式（１）及び／もしくは一般式（２）で表され
るカルボラン含有ユニットと、一般式（４）〜（７）で
表されるユニットの組合わせからなる炭化水素基と一般
式（１４）で表されるフェニルメチルシリレン基とから
なる。
は、一般式（１）及び／もしくは一般式（２）で表され
るカルボラン含有ユニットと、一般式（４）〜（７）で
表されるユニットの組合わせからなる炭化水素基と一般
式（１４）で表されるフェニルメチルシリレン基とから
なる。
【００１１】
【化１２】
【００１２】
【化１３】
【００１３】
【化１４】
【００１４】
【化１５】
【００１５】式（１）、（２）中、Ｒ1 は、ケイ素原子
に結合した水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基又は
炭素数６〜３０のアリール基を表し、それぞれ同一であ
っても異なっていてもよい。Ｒ2 は、ケイ素原子に結合
した炭素数１〜２０のアルキレン基又は炭素数６〜３０
のアリーレン基を表わすが、必ずしも必要はなく、な い
場合はケイ素原子に直接ＣＨ 2 −ＣＨ 2 が結合する。Ｒ
3 は、カルボランの炭素原子に結合した水素原子、炭素
数１〜２０のアルキル基、炭素数６〜３０のアリール基
又は一般式（３）で表されるケイ素化合物を表す。ＣＢ
ｘＨｘ’Ｃは、２価のかご状のホウ素化合物であるカル
ボランを表し、ｘ，ｘ’は３〜１６の整数を表す。式
（４）、（５）中、Ｒ5 は、炭素原子に結合した水素原
子、炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数６〜３０の
アリール基を表し、それぞれ同一であっても異なってい
てもよい。式（７）中、Ｒ6 は、炭素数６〜３０のアリ
ーレン基を表す。
に結合した水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基又は
炭素数６〜３０のアリール基を表し、それぞれ同一であ
っても異なっていてもよい。Ｒ2 は、ケイ素原子に結合
した炭素数１〜２０のアルキレン基又は炭素数６〜３０
のアリーレン基を表わすが、必ずしも必要はなく、な い
場合はケイ素原子に直接ＣＨ 2 −ＣＨ 2 が結合する。Ｒ
3 は、カルボランの炭素原子に結合した水素原子、炭素
数１〜２０のアルキル基、炭素数６〜３０のアリール基
又は一般式（３）で表されるケイ素化合物を表す。ＣＢ
ｘＨｘ’Ｃは、２価のかご状のホウ素化合物であるカル
ボランを表し、ｘ，ｘ’は３〜１６の整数を表す。式
（４）、（５）中、Ｒ5 は、炭素原子に結合した水素原
子、炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数６〜３０の
アリール基を表し、それぞれ同一であっても異なってい
てもよい。式（７）中、Ｒ6 は、炭素数６〜３０のアリ
ーレン基を表す。
【００１６】
【化１６】
【００１７】式（３）中、Ｒ4 は、ケイ素原子に結合し
た水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数６
〜３０のアリール基を表し、それぞれ同一であっても異
なっていてもよい。
た水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数６
〜３０のアリール基を表し、それぞれ同一であっても異
なっていてもよい。
【００１８】上記Ｒ1 〜Ｒ4 で表される炭化水素基の炭
素数は、脂肪族の場合多くなると結合が切れやすくな
り、耐熱性が低下するため、また、芳香族の場合多くな
ると溶媒に対する溶解性が低下するため、上記範囲にそ
れぞれ限定される。
素数は、脂肪族の場合多くなると結合が切れやすくな
り、耐熱性が低下するため、また、芳香族の場合多くな
ると溶媒に対する溶解性が低下するため、上記範囲にそ
れぞれ限定される。
【００１９】上記Ｒ1 、Ｒ3 、Ｒ4 で表されるアルキル
基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、
オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデ
シル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル
基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル
基、ノナデシル基、エイコシル基等が挙げられる。
基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、
オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデ
シル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル
基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル
基、ノナデシル基、エイコシル基等が挙げられる。
【００２０】上記Ｒ1 、Ｒ3 、Ｒ4 で表されるアリール
基としては、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル
基、ビフェニル基、ナフチル基等が挙げられる。
基としては、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル
基、ビフェニル基、ナフチル基等が挙げられる。
【００２１】上記Ｒ2 で表されるアルキレン基として
は、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、
ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン
基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基、ウンデシ
レン基、ドデシレン基、トリシレン基、テトラデシレン
基、ペンタデシレン基、ヘキサデシレン基、ヘプタデシ
レン基、オクタデシレン基、ノナデシレン基、エイコシ
レン基等が挙げられる。
は、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、
ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン
基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基、ウンデシ
レン基、ドデシレン基、トリシレン基、テトラデシレン
基、ペンタデシレン基、ヘキサデシレン基、ヘプタデシ
レン基、オクタデシレン基、ノナデシレン基、エイコシ
レン基等が挙げられる。
【００２２】上記Ｒ2 で表されるアリーレン基として
は、例えば、フェニレン基、トリレン基、キシレン基、
ビフェニレン基、ナフタレニレン基、アントラセニレン
基等が挙げられる。
は、例えば、フェニレン基、トリレン基、キシレン基、
ビフェニレン基、ナフタレニレン基、アントラセニレン
基等が挙げられる。
【００２３】上記ＣＢｘＨｘ’Ｃで表されるカルボラン
としては、例えば、ドデカカルボラン、デカカルボラ
ン、ヘプタカルボラン、ヘキサカルボラン、ペンタカル
ボラン等が挙げられる。
としては、例えば、ドデカカルボラン、デカカルボラ
ン、ヘプタカルボラン、ヘキサカルボラン、ペンタカル
ボラン等が挙げられる。
【００２４】上記Ｒ1 〜Ｒ4 で表される炭化水素基及び
ＣＢｘＨｘ’Ｃで表されるカルボランとしては、以後に
ついても同様の成分が挙げられる。
ＣＢｘＨｘ’Ｃで表されるカルボランとしては、以後に
ついても同様の成分が挙げられる。
【００２５】上記一般式（４）〜（７）で表されるユニ
ットの組合わせからなる炭化水素基としては、以下に示
すものが挙げられる。
ットの組合わせからなる炭化水素基としては、以下に示
すものが挙げられる。
【００２６】
【化１７】
【００２７】上記Ｒ5 で表されるアルキル基、アリール
基としては、上記Ｒ1 と同様のアルキル基、アリール基
が挙げられ、以下についても同様である。また、上記Ｒ
6 で表されるアリーレン基としては、上記Ｒ2 と同様の
アリーレン基が挙げられ、以下についても同様である。
基としては、上記Ｒ1 と同様のアルキル基、アリール基
が挙げられ、以下についても同様である。また、上記Ｒ
6 で表されるアリーレン基としては、上記Ｒ2 と同様の
アリーレン基が挙げられ、以下についても同様である。
【００２８】上記（４）〜（７）の組合わせからなる炭
化水素基の具体例としては、例えば、メチレン基、エチ
レン基、プロピレン基、メチルメチレン基、メチルエチ
レン基、ジメチルメチレン基、ジメチルエチレン基、ビ
ニレン基、ブチレン−１，３−ジエン基、エチニレン
基、ジエチニレン基、フェニレン基、ビフェニレン基、
ナフタレニレン基、プロピレン−１−エン基、ブチレン
−２−エン基、ペンチレン−１，４−ジエン基、プロピ
レン−１−イン基、ブチレン−２−イン基、ペンチレン
−１，４−ジイン基、メチレンフェニレン基、１，４−
ジメチレンベンゼン基、ジフェニレンメタン基、ビニレ
ンフェニレン基、１，４−ジビニレンベンゼン基、１，
２−ジフェニレンビニレン基、エチニレンフェニレン
基、１，４−ジエチニレンベンゼン基、ジフェニレンア
セチレン基等が挙げられる。
化水素基の具体例としては、例えば、メチレン基、エチ
レン基、プロピレン基、メチルメチレン基、メチルエチ
レン基、ジメチルメチレン基、ジメチルエチレン基、ビ
ニレン基、ブチレン−１，３−ジエン基、エチニレン
基、ジエチニレン基、フェニレン基、ビフェニレン基、
ナフタレニレン基、プロピレン−１−エン基、ブチレン
−２−エン基、ペンチレン−１，４−ジエン基、プロピ
レン−１−イン基、ブチレン−２−イン基、ペンチレン
−１，４−ジイン基、メチレンフェニレン基、１，４−
ジメチレンベンゼン基、ジフェニレンメタン基、ビニレ
ンフェニレン基、１，４−ジビニレンベンゼン基、１，
２−ジフェニレンビニレン基、エチニレンフェニレン
基、１，４−ジエチニレンベンゼン基、ジフェニレンア
セチレン基等が挙げられる。
【００２９】本発明１のケイ素系重合体の重量平均分子
量は、小さくなると十分な耐熱性が得られなくなるた
め、５００以上に限定される。重量平均分子量の上限
は、特に限定されないが、大きくなり過ぎると溶解性が
低下し、成形体を得ることが困難になるため、５００万
以下が好ましい。
量は、小さくなると十分な耐熱性が得られなくなるた
め、５００以上に限定される。重量平均分子量の上限
は、特に限定されないが、大きくなり過ぎると溶解性が
低下し、成形体を得ることが困難になるため、５００万
以下が好ましい。
【００３０】次に、本発明２について説明する。本発明
２のカルボラン含有ケイ素系重合体の製造方法では、一
般式（４）〜（７）で表されるユニットの組合わせから
なる炭化水素基と一般式（１４）で表されるフェニルメ
チルシリレン基と一般式（８）で表されるシリレン基と
からなるケイ素系重合体における一般式（８）中の二重
結合と、一般式（９）又は（１０）で表されるシリル置
換カルボラン誘導体とを反応させることにより、本発明
１のカルボラン含有ケイ素系重合体が得られる。
２のカルボラン含有ケイ素系重合体の製造方法では、一
般式（４）〜（７）で表されるユニットの組合わせから
なる炭化水素基と一般式（１４）で表されるフェニルメ
チルシリレン基と一般式（８）で表されるシリレン基と
からなるケイ素系重合体における一般式（８）中の二重
結合と、一般式（９）又は（１０）で表されるシリル置
換カルボラン誘導体とを反応させることにより、本発明
１のカルボラン含有ケイ素系重合体が得られる。
【００３１】
【化１８】
【００３２】
【化１９】
【００３３】
【化２０】
【００３４】
【化２１】
【００３５】
【化２２】
【００３６】式中、Ｒ1 は、ケイ素原子に結合した水素
原子、炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数６〜３０
のアリール基を表し、それぞれ同一であっても異なって
いてもよい。Ｒ3 は、カルボランの炭素原子に結合した
水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数６〜３
０のアリール基又は一般式（３）で表されるケイ素化合
物を表す。ＣＢｘＨｘ’Ｃは、２価のかご状のホウ素化
合物であるカルボランを表し、ｘ，ｘ’は３〜１６の整
数を表す。Ｒ5 は、炭素原子に結合した水素原子、炭素
数１〜２０のアルキル基又は炭素数６〜３０のアリール
基を表し、それぞれ同一であっても異なっていてもよ
い。Ｒ6 は、炭素数６〜３０のアリーレン基を表す。Ｒ
7 は、ケイ素原子に結合した炭素数１〜２０のアルキレ
ン基又は炭素数６〜３０のアリーレン基を表わすが、必
ずしも必要はなく、ない場合はケイ素原子に直接二重結
合基が結合する。
原子、炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数６〜３０
のアリール基を表し、それぞれ同一であっても異なって
いてもよい。Ｒ3 は、カルボランの炭素原子に結合した
水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数６〜３
０のアリール基又は一般式（３）で表されるケイ素化合
物を表す。ＣＢｘＨｘ’Ｃは、２価のかご状のホウ素化
合物であるカルボランを表し、ｘ，ｘ’は３〜１６の整
数を表す。Ｒ5 は、炭素原子に結合した水素原子、炭素
数１〜２０のアルキル基又は炭素数６〜３０のアリール
基を表し、それぞれ同一であっても異なっていてもよ
い。Ｒ6 は、炭素数６〜３０のアリーレン基を表す。Ｒ
7 は、ケイ素原子に結合した炭素数１〜２０のアルキレ
ン基又は炭素数６〜３０のアリーレン基を表わすが、必
ずしも必要はなく、ない場合はケイ素原子に直接二重結
合基が結合する。
【００３７】
【化２３】
【００３８】式中、Ｒ4 は、ケイ素原子に結合した水素
原子、炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数６〜３０
のアリール基を表し、それぞれ同一であっても異なって
いてもよい。
原子、炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数６〜３０
のアリール基を表し、それぞれ同一であっても異なって
いてもよい。
【００３９】上記（４）〜（７）の組合わせからなる炭
化水素基の具体例としては、本発明１と同様のものが挙
げられる。
化水素基の具体例としては、本発明１と同様のものが挙
げられる。
【００４０】上記一般式（８）で表されるシリレン基と
しては、例えば、メチルビニルシリレン、エチルビニル
シリレン、プロピルビニルシリレン、ブチルビニルシリ
レン、ペンチルビニルシリレン、ヘキシルビニルシリレ
ン、フェニルビニルシリレン、トリルビニルシリレン、
キシリルビニルシリレン、メチルアリルシリレン、エチ
ルアリルシリレン、プロピルアリルシリレン、ブチルア
リルシリレン、ペンチルアリルシリレン、ヘキシルアリ
ルシリレン、フェニルアリルシリレン、トリルアリルシ
リレン、キシリルアリルシリレン、メチルプロペニルシ
リレン、エチルプロペニルシリレン、プロピルプロペニ
ルシリレン、ブチルプロペニルシリレン、ペンチルプロ
ペニルシリレン、ヘキシルプロペニルシリレン、フェニ
ルプロペニルシリレン、トリルプロペニルシリレン、キ
シリルプロペニルシリレン、メチルブテニルシリレン、
エチルブテニルシリレン、プロピルブテニルシリレン、
ブチルブテニルシリレン、ペンチルブテニルシリレン、
ヘキシルブテニルシリレン、フェニルブテニルシリレ
ン、トリルブテニルシリレン、キシリルブテニルシリレ
ン等が挙げられる。
しては、例えば、メチルビニルシリレン、エチルビニル
シリレン、プロピルビニルシリレン、ブチルビニルシリ
レン、ペンチルビニルシリレン、ヘキシルビニルシリレ
ン、フェニルビニルシリレン、トリルビニルシリレン、
キシリルビニルシリレン、メチルアリルシリレン、エチ
ルアリルシリレン、プロピルアリルシリレン、ブチルア
リルシリレン、ペンチルアリルシリレン、ヘキシルアリ
ルシリレン、フェニルアリルシリレン、トリルアリルシ
リレン、キシリルアリルシリレン、メチルプロペニルシ
リレン、エチルプロペニルシリレン、プロピルプロペニ
ルシリレン、ブチルプロペニルシリレン、ペンチルプロ
ペニルシリレン、ヘキシルプロペニルシリレン、フェニ
ルプロペニルシリレン、トリルプロペニルシリレン、キ
シリルプロペニルシリレン、メチルブテニルシリレン、
エチルブテニルシリレン、プロピルブテニルシリレン、
ブチルブテニルシリレン、ペンチルブテニルシリレン、
ヘキシルブテニルシリレン、フェニルブテニルシリレ
ン、トリルブテニルシリレン、キシリルブテニルシリレ
ン等が挙げられる。
【００４１】上記一般式（10）で表されるシリル置換カ
ルボラン誘導体としては、例えば、ジメチルシリルカル
ボラン、ジエチルシリルカルボラン、ジプロピルシリル
カルボラン、ジブチルシリルカルボラン、ジペンチルシ
リルカルボラン、ジヘキシルシリルカルボラン、ジフェ
ニルシリルカルボラン、ジトリルシリルカルボラン、ジ
キシリルシリルカルボラン、ジビフェニルシリルカルボ
ラン、ジナフチルシリルカルボラン、ジアントラセニル
シリルカルボラン、メチルエチルシリルカルボラン、メ
チルプロピルシリルカルボラン、メチルブチルシリルカ
ルボラン、メチルペンチルシリルカルボラン、メチルヘ
キシルシリルカルボラン、エチルプロピルシリルカルボ
ラン、エチルブチルシリルカルボラン、エチルペンチル
シリルカルボラン、エチルヘキシルシリルカルボラン、
プロピルブチルシリルカルボラン、プロピルペンチルシ
リルカルボラン、プロピルヘキシルシリルカルボラン、
ブチルペンチルシリルカルボラン、ブチルヘキシルシリ
ルカルボラン、ペンチルヘキシルシリルカルボラン、メ
チルフェニルシリルカルボラン、エチルフェニルシリル
カルボラン、プロピルフェニルシリルカルボラン、ブチ
ルフェニルシリルカルボラン、ペンチルフェニルシリル
カルボラン、ヘキシルフェニルシリルカルボラン等が挙
げられる。
ルボラン誘導体としては、例えば、ジメチルシリルカル
ボラン、ジエチルシリルカルボラン、ジプロピルシリル
カルボラン、ジブチルシリルカルボラン、ジペンチルシ
リルカルボラン、ジヘキシルシリルカルボラン、ジフェ
ニルシリルカルボラン、ジトリルシリルカルボラン、ジ
キシリルシリルカルボラン、ジビフェニルシリルカルボ
ラン、ジナフチルシリルカルボラン、ジアントラセニル
シリルカルボラン、メチルエチルシリルカルボラン、メ
チルプロピルシリルカルボラン、メチルブチルシリルカ
ルボラン、メチルペンチルシリルカルボラン、メチルヘ
キシルシリルカルボラン、エチルプロピルシリルカルボ
ラン、エチルブチルシリルカルボラン、エチルペンチル
シリルカルボラン、エチルヘキシルシリルカルボラン、
プロピルブチルシリルカルボラン、プロピルペンチルシ
リルカルボラン、プロピルヘキシルシリルカルボラン、
ブチルペンチルシリルカルボラン、ブチルヘキシルシリ
ルカルボラン、ペンチルヘキシルシリルカルボラン、メ
チルフェニルシリルカルボラン、エチルフェニルシリル
カルボラン、プロピルフェニルシリルカルボラン、ブチ
ルフェニルシリルカルボラン、ペンチルフェニルシリル
カルボラン、ヘキシルフェニルシリルカルボラン等が挙
げられる。
【００４２】上記一般式（９）で表されるシリル置換カ
ルボラン誘導体としては、例えば、ｍ−ビス（ジメチル
シリル）カルボラン、ｍ−ビス（ジエチルシリル）カル
ボラン、ｍ−ビス（ジプロピルシリル）カルボラン、ｍ
−ビス（ジブチルシリル）カルボラン、ｍ−ビス（ジペ
ンチルシリル）カルボラン、ｍ−ビス（ジヘキシルシリ
ル）カルボラン、ｍ−ビス（ジフェニルシリル）カルボ
ラン、ｍ−ビス（ジトリルシリル）カルボラン、ｍ−ビ
ス（ジキシリルシリル）カルボラン、ｍ−ビス（ジビフ
ェニルシリル）カルボラン、ｍ−ビス（ジナフチルシリ
ル）カルボラン、ｍ−ビス（ジアントラセニルシリル）
カルボラン、ｍ−ビス（メチルエチルシリル）カルボラ
ン、ｍ−ビス（メチルプロピルシリル）カルボラン、ｍ
−ビス（メチルブチルシリル）カルボラン、ｍ−ビス
（メチルペンチルシリル）カルボラン、ｍ−ビス（メチ
ルヘキシルシリル）カルボラン、ｍ−ビス（エチルプロ
ピルシリル）カルボラン、ｍ−ビス（エチルブチルシリ
ル）カルボラン、ｍ−ビス（エチルペンチルシリル）カ
ルボラン、ｍ−ビス（エチルヘキシルシリル）カルボラ
ン、ｍ−ビス（プロピルブチルシリル）カルボラン、ｍ
−ビス（プロピルペンチルシリル）カルボラン、ｍ−ビ
ス（プロピルヘキシルシリル）カルボラン、ｍ−ビス
（ペンチルヘキシルシリル）カルボラン、ｍ−ビス（メ
チルフェニルシリル）カルボラン、ｍ−ビス（エチルフ
ェニルシリル）カルボラン、ｍ−ビス（プロピルフェニ
ルシリル）カルボラン、ｍ−ビス（ブチルフェニルシリ
ル）カルボラン、ｍ−ビス（ペンチルフェニルシリル）
カルボラン、ｍ−ビス（ヘキシルフェニルシリル）カル
ボラン、及びこれらのｏ−、ｐ−異性体等が挙げられ
る。
ルボラン誘導体としては、例えば、ｍ−ビス（ジメチル
シリル）カルボラン、ｍ−ビス（ジエチルシリル）カル
ボラン、ｍ−ビス（ジプロピルシリル）カルボラン、ｍ
−ビス（ジブチルシリル）カルボラン、ｍ−ビス（ジペ
ンチルシリル）カルボラン、ｍ−ビス（ジヘキシルシリ
ル）カルボラン、ｍ−ビス（ジフェニルシリル）カルボ
ラン、ｍ−ビス（ジトリルシリル）カルボラン、ｍ−ビ
ス（ジキシリルシリル）カルボラン、ｍ−ビス（ジビフ
ェニルシリル）カルボラン、ｍ−ビス（ジナフチルシリ
ル）カルボラン、ｍ−ビス（ジアントラセニルシリル）
カルボラン、ｍ−ビス（メチルエチルシリル）カルボラ
ン、ｍ−ビス（メチルプロピルシリル）カルボラン、ｍ
−ビス（メチルブチルシリル）カルボラン、ｍ−ビス
（メチルペンチルシリル）カルボラン、ｍ−ビス（メチ
ルヘキシルシリル）カルボラン、ｍ−ビス（エチルプロ
ピルシリル）カルボラン、ｍ−ビス（エチルブチルシリ
ル）カルボラン、ｍ−ビス（エチルペンチルシリル）カ
ルボラン、ｍ−ビス（エチルヘキシルシリル）カルボラ
ン、ｍ−ビス（プロピルブチルシリル）カルボラン、ｍ
−ビス（プロピルペンチルシリル）カルボラン、ｍ−ビ
ス（プロピルヘキシルシリル）カルボラン、ｍ−ビス
（ペンチルヘキシルシリル）カルボラン、ｍ−ビス（メ
チルフェニルシリル）カルボラン、ｍ−ビス（エチルフ
ェニルシリル）カルボラン、ｍ−ビス（プロピルフェニ
ルシリル）カルボラン、ｍ−ビス（ブチルフェニルシリ
ル）カルボラン、ｍ−ビス（ペンチルフェニルシリル）
カルボラン、ｍ−ビス（ヘキシルフェニルシリル）カル
ボラン、及びこれらのｏ−、ｐ−異性体等が挙げられ
る。
【００４３】本発明２の製造方法において反応に使用さ
れる触媒としては、例えば、塩化白金酸、ヘキサロジウ
ムヘキサデカカルボニル、ビス（ジビニルテトラメチル
ジシロキサン）白金等が挙げられるが、これらに限定さ
れるものではない。触媒の使用量は、少なすぎると反応
が十分進行せず、多すぎると合成後の重合体中に残存し
易くなり、残存によって耐熱性が低下するため、一般式
（８）及び一般式（４）〜（７）で表されるケイ素系重
合体の構成単位に対して０．００１〜２０ｍｏｌ％が好
ましく、より好ましくは０．０１〜１０ｍｏｌ％であ
る。
れる触媒としては、例えば、塩化白金酸、ヘキサロジウ
ムヘキサデカカルボニル、ビス（ジビニルテトラメチル
ジシロキサン）白金等が挙げられるが、これらに限定さ
れるものではない。触媒の使用量は、少なすぎると反応
が十分進行せず、多すぎると合成後の重合体中に残存し
易くなり、残存によって耐熱性が低下するため、一般式
（８）及び一般式（４）〜（７）で表されるケイ素系重
合体の構成単位に対して０．００１〜２０ｍｏｌ％が好
ましく、より好ましくは０．０１〜１０ｍｏｌ％であ
る。
【００４４】上記反応に使用されるケイ素系重合体とシ
リル置換カルボラン誘導体のモル比は、カルボランの導
入量が少なくなると得られる重合体の耐熱性及び難燃性
があまり向上しないため、ケイ素系重合体：シリル置換
カルボラン誘導体＝１：０．０１〜２０が好ましく、よ
り好ましくは１：０．１〜１０である。
リル置換カルボラン誘導体のモル比は、カルボランの導
入量が少なくなると得られる重合体の耐熱性及び難燃性
があまり向上しないため、ケイ素系重合体：シリル置換
カルボラン誘導体＝１：０．０１〜２０が好ましく、よ
り好ましくは１：０．１〜１０である。
【００４５】上記反応に使用される溶媒は極性、無極性
いずれでもよいが、好ましくはトルエン、テトラヒドロ
フランなどの非プロトン性溶媒である。上記溶媒の使用
量は、ケイ素系重合体の構成単位の濃度で０．０１〜５
０ｍｏｌ／Ｌが好ましく、より好ましくは０．０５〜５
ｍｏｌ／Ｌである。
いずれでもよいが、好ましくはトルエン、テトラヒドロ
フランなどの非プロトン性溶媒である。上記溶媒の使用
量は、ケイ素系重合体の構成単位の濃度で０．０１〜５
０ｍｏｌ／Ｌが好ましく、より好ましくは０．０５〜５
ｍｏｌ／Ｌである。
【００４６】上記反応は室温から溶媒の沸点の間で行う
ことが好ましい。また、この反応は空気中または不活性
ガス雰囲気下のいずれでも可能であるが、好ましくはア
ルゴンガス又は窒素ガス雰囲気下である。
ことが好ましい。また、この反応は空気中または不活性
ガス雰囲気下のいずれでも可能であるが、好ましくはア
ルゴンガス又は窒素ガス雰囲気下である。
【００４７】上記反応の反応時間は、短かくなるとカル
ボランの導入反応が十分進行せず、得られる重合体の耐
熱性が向上せず、逆に長くなると架橋等の副反応が進行
して溶媒に溶けなくなり取り扱いが困難になり、また、
耐熱性が低下するため、１〜７２時間が好ましい。反応
終了後、ケイ素系重合体の精製方法としては、再沈殿法
又はゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰ
Ｃ）による分取等が挙げられる。
ボランの導入反応が十分進行せず、得られる重合体の耐
熱性が向上せず、逆に長くなると架橋等の副反応が進行
して溶媒に溶けなくなり取り扱いが困難になり、また、
耐熱性が低下するため、１〜７２時間が好ましい。反応
終了後、ケイ素系重合体の精製方法としては、再沈殿法
又はゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰ
Ｃ）による分取等が挙げられる。
【００４８】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施例を説明す
る。
る。
【００４９】（実施例１）
アルゴン置換した還流管及び滴下ロート還流管付１Ｌの
４つ口フラスコに１，４−ジエチニルベンゼン１５．１
４ｇ（１２０．０ｍｍｏｌ）を入れ、テトラヒドロフラ
ン５００ｍＬに溶解した。フラスコをドライアイス・メ
タノール浴で冷却した後、ｎ−ブチルリチウムのヘキサ
ン溶液（１．６ｍｏｌ／Ｌ）１５０ｍＬを４５分かけて
滴下し１時間撹拌した。次いで、フェニルビニルジクロ
ロシラン１２．１９ｇ（６０．０ｍｍｏｌ）及びメチル
フェニルジクロロシラン１１．４７ｇ（６０．０ｍｍｏ
ｌ）のテトラヒドロフラン混合溶液１２０ｍＬを３０分
かけて滴下し室温で２４時間撹拌した。得られた反応液
を塩化アンモニウム飽和水溶液５００ｍＬ中に投入して
数分撹拌後、テトラヒドロフラン層を分離した。水層を
ジエチルエーテルで３回抽出後、有機層を合わせて無水
硫酸マグネシウムで乾燥した。有機溶媒を濃縮してメタ
ノール１．８Ｌ中に投入した後沈殿を濾別することによ
り、黄白色の粉末（重合体）としてポリ（１，４−ジエ
チニルベンゼン・フェニルビニルシリレン・メチルフェ
ニルシリレン）２１．７５ｇを得た。
４つ口フラスコに１，４−ジエチニルベンゼン１５．１
４ｇ（１２０．０ｍｍｏｌ）を入れ、テトラヒドロフラ
ン５００ｍＬに溶解した。フラスコをドライアイス・メ
タノール浴で冷却した後、ｎ−ブチルリチウムのヘキサ
ン溶液（１．６ｍｏｌ／Ｌ）１５０ｍＬを４５分かけて
滴下し１時間撹拌した。次いで、フェニルビニルジクロ
ロシラン１２．１９ｇ（６０．０ｍｍｏｌ）及びメチル
フェニルジクロロシラン１１．４７ｇ（６０．０ｍｍｏ
ｌ）のテトラヒドロフラン混合溶液１２０ｍＬを３０分
かけて滴下し室温で２４時間撹拌した。得られた反応液
を塩化アンモニウム飽和水溶液５００ｍＬ中に投入して
数分撹拌後、テトラヒドロフラン層を分離した。水層を
ジエチルエーテルで３回抽出後、有機層を合わせて無水
硫酸マグネシウムで乾燥した。有機溶媒を濃縮してメタ
ノール１．８Ｌ中に投入した後沈殿を濾別することによ
り、黄白色の粉末（重合体）としてポリ（１，４−ジエ
チニルベンゼン・フェニルビニルシリレン・メチルフェ
ニルシリレン）２１．７５ｇを得た。
【００５０】アルゴン置換した還流管付５００ｍＬの３
つ口フラスコに、上記ポリ（１，４−ジエチニルベンゼ
ン・フェニルビニルシリレン・メチルフェニルシリレ
ン）１０．０２ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）を入れ、トルエ
ン３００ｍｌに溶解した後５０℃に昇温し、０．１０ｍ
ｍｏｌの触媒〔ビス（ジビニルテトラメチルジシロキサ
ン）白金〕｛Ｐｔ [ＣＨ2 ＝ＣＨＳｉ (ＣＨ3)2 ＯＳｉ
(ＣＨ3)2 ＣＨ＝ＣＨ2]2 ｝のトルエン溶液を入れ、１
０分間撹拌した。次いで、１，７−ビス（ジメチルシリ
ル）ドデカカルボラン２．６１ｇ（１０．２ｍｍｏｌ）
のトルエン溶液２５ｍｌを滴下後、オイルバスの温度を
１２０℃に昇温し、１０時間加熱還流した。さらに、反
応溶液を減圧留去した後メタノール２Ｌ中に投入した。
得られた沈殿物を濾別し、黄白色の粉末（重合体）１
１．２ｇを得た。この重合体の重量平均分子量はポリス
チレン換算で４１，２００であった。
つ口フラスコに、上記ポリ（１，４−ジエチニルベンゼ
ン・フェニルビニルシリレン・メチルフェニルシリレ
ン）１０．０２ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）を入れ、トルエ
ン３００ｍｌに溶解した後５０℃に昇温し、０．１０ｍ
ｍｏｌの触媒〔ビス（ジビニルテトラメチルジシロキサ
ン）白金〕｛Ｐｔ [ＣＨ2 ＝ＣＨＳｉ (ＣＨ3)2 ＯＳｉ
(ＣＨ3)2 ＣＨ＝ＣＨ2]2 ｝のトルエン溶液を入れ、１
０分間撹拌した。次いで、１，７−ビス（ジメチルシリ
ル）ドデカカルボラン２．６１ｇ（１０．２ｍｍｏｌ）
のトルエン溶液２５ｍｌを滴下後、オイルバスの温度を
１２０℃に昇温し、１０時間加熱還流した。さらに、反
応溶液を減圧留去した後メタノール２Ｌ中に投入した。
得られた沈殿物を濾別し、黄白色の粉末（重合体）１
１．２ｇを得た。この重合体の重量平均分子量はポリス
チレン換算で４１，２００であった。
【００５１】上記で実施例１の黄白色の粉末について測
定された、 1 Ｈ−ＮＭＲスペクトル（ブルカー社製「Ｄ
ＲＸ３００」で測定）を図１に、ＩＲスペクトル（バイ
オラッド製「ＦＴＳ１３５システム」で測定）を図２に
それぞれ示した。
定された、 1 Ｈ−ＮＭＲスペクトル（ブルカー社製「Ｄ
ＲＸ３００」で測定）を図１に、ＩＲスペクトル（バイ
オラッド製「ＦＴＳ１３５システム」で測定）を図２に
それぞれ示した。
【００５２】図１では、０．７〜４ｐｐｍにかけてカル
ボランに基づくプロトンのピークがみられる。また、
０．０７〜０．６ｐｐｍにケイ素原子に結合したメチル
基、メチレン基のプロトンのピークが、７〜８ｐｐｍに
はフェニル基のプロトンのピークがそれぞれ確認され
た。また、図２では、２５９４ｃｍ-1にカルボランに起
因する吸収がみられ、これらのことから実施例１で得ら
れた重合体は、式（１２）で表されるカルボラン含有ケ
イ素系重合体であることを確認した。
ボランに基づくプロトンのピークがみられる。また、
０．０７〜０．６ｐｐｍにケイ素原子に結合したメチル
基、メチレン基のプロトンのピークが、７〜８ｐｐｍに
はフェニル基のプロトンのピークがそれぞれ確認され
た。また、図２では、２５９４ｃｍ-1にカルボランに起
因する吸収がみられ、これらのことから実施例１で得ら
れた重合体は、式（１２）で表されるカルボラン含有ケ
イ素系重合体であることを確認した。
【００５３】
【化２４】
【００５４】（比較例１）
アルゴン置換した還流管付１００ｍｌの２つ口フラスコ
にポリ（１，３−ジエチニルベンゼン・フェニルビニル
シラン）０．５１ｇ（２．０ｍｍｏｌ）を入れ、テトラ
ヒドロフラン１０ｍｌに溶解した後、反応液を５５℃に
昇温し、触媒（Ｈ2 ＰｔＣｌ6 ・６Ｈ2 Ｏ）０．００５
ｇ（０．０１ｍｍｏｌ）のイソプロパノール溶液１ｍＬ
を入れ、１０分間撹拌した。次いで、１，４−ビス（ジ
メチルシリル）ベンゼン０．１９ｇ（１．０ｍｍｏｌ）
のテトラヒドロフラン溶液５ｍＬを滴下後、オイルバス
の温度を７５℃に昇温し、１０時間加熱還流した。次
に、反応溶液を室温まで冷却し、メタノール５００ｍｌ
中に投入した。得られた沈殿物を濾別し、黄白色の粉末
（重合体）０．４７８ｇを得た。
にポリ（１，３−ジエチニルベンゼン・フェニルビニル
シラン）０．５１ｇ（２．０ｍｍｏｌ）を入れ、テトラ
ヒドロフラン１０ｍｌに溶解した後、反応液を５５℃に
昇温し、触媒（Ｈ2 ＰｔＣｌ6 ・６Ｈ2 Ｏ）０．００５
ｇ（０．０１ｍｍｏｌ）のイソプロパノール溶液１ｍＬ
を入れ、１０分間撹拌した。次いで、１，４−ビス（ジ
メチルシリル）ベンゼン０．１９ｇ（１．０ｍｍｏｌ）
のテトラヒドロフラン溶液５ｍＬを滴下後、オイルバス
の温度を７５℃に昇温し、１０時間加熱還流した。次
に、反応溶液を室温まで冷却し、メタノール５００ｍｌ
中に投入した。得られた沈殿物を濾別し、黄白色の粉末
（重合体）０．４７８ｇを得た。
【００５５】得られた重合体について、実施例１と同様
の 1Ｈ−ＮＭＲスペクトル測定及びＩＲスペクトル測定
を行い、式（１３）で表されるケイ素系重合体であるこ
とを確認した。
の 1Ｈ−ＮＭＲスペクトル測定及びＩＲスペクトル測定
を行い、式（１３）で表されるケイ素系重合体であるこ
とを確認した。
【００５６】
【化２５】
【００５７】上記実施例１及び比較例１で得られた重合
体の熱重量分析をセイコー電子社製「ＳＳＣ５２００シ
ステム」を使用して測定し、測定結果を図３に示した。
また、空気雰囲気下での５重量％分解温度（Ｔｄ5)、及
び８００℃での重量残存率（Ｗ800)を表１に示した。
体の熱重量分析をセイコー電子社製「ＳＳＣ５２００シ
ステム」を使用して測定し、測定結果を図３に示した。
また、空気雰囲気下での５重量％分解温度（Ｔｄ5)、及
び８００℃での重量残存率（Ｗ800)を表１に示した。
【００５８】
【表１】
【００５９】表１から実施例１のカルボラン含有ケイ素
系重合体は、耐熱性に非常に優れた材料であることがわ
かる。
系重合体は、耐熱性に非常に優れた材料であることがわ
かる。
【００６０】
【発明の効果】本発明のケイ素系重合体は、上述の通り
であり、耐熱性に優れており、宇宙・航空材料、建築材
料などに好適に用いられる。
であり、耐熱性に優れており、宇宙・航空材料、建築材
料などに好適に用いられる。
【図１】実施例１のケイ素系重合体の 1Ｈ−ＮＭＲスペ
クトルである。
クトルである。
【図２】実施例１のケイ素系重合体のＩＲスペクトルで
ある。
ある。
【図３】実施例１及び比較例１のケイ素系重合体の熱分
解曲線である。
解曲線である。
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平11−1561（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−240956（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−240957（ＪＰ，Ａ)
特開 昭50−44299（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−262878（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−49430（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−172712（ＪＰ，Ａ)
特公 昭44−2240（ＪＰ，Ｂ１)
特表 平８−505649（ＪＰ，Ａ)
特表 平８−507795（ＪＰ，Ａ)
特表 平10−509750（ＪＰ，Ａ)
米国特許3388090（ＵＳ，Ａ)
米国特許3388091（ＵＳ，Ａ)
米国特許5552505（ＵＳ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C08G 77/00 - 77/62
C08G 79/00 - 79/14
ＣＡ（ＳＴＮ)
ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (2)
- 【請求項１】 一般式（１）及び／もしくは一般式
（２）で表されるカルボラン含有ユニットと、一般式
（４）〜（７）で表されるユニットの組合わせからなる
炭化水素基と一般式（１４）で表されるフェニルメチル
シリレン基とからなり、重量平均分子量が５００以上で
あることを特徴とするカルボラン含有ケイ素系重合体。 【化１】 【化２】 【化３】 【化４】 〔式中、Ｒ1 は、ケイ素原子に結合した水素原子、炭素
数１〜２０のアルキル基又は炭素数６〜３０のアリール
基を表し、それぞれ同一であっても異なっていてもよ
い。Ｒ2 は、ケイ素原子に結合した炭素数１〜２０のア
ルキレン基又は炭素数６〜３０のアリーレン基を表わす
が、必ずしも必要はなく、ない場合はケイ素原子に直接
ＣＨ 2 −ＣＨ 2 が結合する。Ｒ3 は、カルボランの炭素
原子に結合した水素原子、炭素数１〜２０のアルキル
基、炭素数６〜３０のアリール基又は一般式（３）で表
されるケイ素化合物を表す。ＣＢｘＨｘ’Ｃは、２価の
かご状のホウ素化合物であるカルボランを表し、ｘ，
ｘ’は３〜１６の整数を表す。Ｒ5は、炭素原子に結合
した水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数
６〜３０のアリール基を表し、それぞれ同一であっても
異なっていてもよい。Ｒ6 は、炭素数６〜３０のアリー
レン基を表す〕 【化５】 （式中、Ｒ4 は、ケイ素原子に結合した水素原子、炭素
数１〜２０のアルキル基又は炭素数６〜３０のアリール
基を表し、それぞれ同一であっても異なっていてもよ
い） - 【請求項２】 一般式（４）〜（７）で表されるユニッ
トの組合わせからなる炭化水素基と一般式（１４）で表
されるフェニルメチルシリレン基と一般式（８）で表さ
れるシリレン基とからなるケイ素系重合体における一般
式（８）中の二重結合と、一般式（９）又は（１０）で
表されるシリル置換カルボラン誘導体とを反応させるこ
とを特徴とする請求項１記載のカルボラン含有ケイ素系
重合体の製造方法。 【化６】 【化７】 【化８】 【化９】 【化１０】 〔式中、Ｒ1 は、ケイ素原子に結合した水素原子、炭素
数１〜２０のアルキル基又は炭素数６〜３０のアリール
基を表し、それぞれ同一であっても異なっていてもよ
い。Ｒ3 は、カルボランの炭素原子に結合した水素原
子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数６〜３０のア
リール基又は一般式（３）で表されるケイ素化合物を表
す。ＣＢｘＨｘ’Ｃは、２価のかご状のホウ素化合物で
あるカルボランを表し、ｘ，ｘ’は３〜１６の整数を表
す。Ｒ5 は、炭素原子に結合した水素原子、炭素数１〜
２０のアルキル基又は炭素数６〜３０のアリール基を表
し、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。Ｒ6
は、炭素数６〜３０のアリーレン基を表す。Ｒ7 は、ケ
イ素原子に結合した炭素数１〜２０のアルキレン基又は
炭素数６〜３０のアリーレン基を表わすが、必ずしも必
要はなく、ない場合はケイ素原子に直接二重結合基が結
合する。 【化１１】 （式中、Ｒ4 は、ケイ素原子に結合した水素原子、炭素
数１〜２０のアルキル基又は炭素数６〜３０のアリール
基を表し、それぞれ同一であっても異なっていてもよ
い）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07224398A JP3468685B2 (ja) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | カルボラン含有ケイ素系重合体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07224398A JP3468685B2 (ja) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | カルボラン含有ケイ素系重合体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11269270A JPH11269270A (ja) | 1999-10-05 |
| JP3468685B2 true JP3468685B2 (ja) | 2003-11-17 |
Family
ID=13483667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07224398A Expired - Fee Related JP3468685B2 (ja) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | カルボラン含有ケイ素系重合体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3468685B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016030743A (ja) * | 2014-07-29 | 2016-03-07 | 国立大学法人 東京大学 | キラルケイ素化合物及びその製造方法 |
-
1998
- 1998-03-20 JP JP07224398A patent/JP3468685B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11269270A (ja) | 1999-10-05 |
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