JP3404674B2 - 超高温熱処理装置 - Google Patents
超高温熱処理装置Info
- Publication number
- JP3404674B2 JP3404674B2 JP2000013511A JP2000013511A JP3404674B2 JP 3404674 B2 JP3404674 B2 JP 3404674B2 JP 2000013511 A JP2000013511 A JP 2000013511A JP 2000013511 A JP2000013511 A JP 2000013511A JP 3404674 B2 JP3404674 B2 JP 3404674B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- furnace
- heater
- heat treatment
- high temperature
- temperature heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 33
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 18
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 claims 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 21
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 description 1
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B3/00—Hearth-type furnaces, e.g. of reverberatory type; Electric arc furnaces ; Tank furnaces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Furnace Details (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、超高温熱処理装置
の技術分野に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】従来、殊にウエハーに関する超高温熱処
理装置における加熱ヒーターは、電気炉内の断熱材の内
側壁面にスパイラル状または折返し状に設置され、各ゾ
ーンが一体構造で製作されていた。 【０００３】さらに前記加熱ヒーターの固定は、前記電
気炉内の断熱材に直接発熱部を固定していた。 【０００４】そのため、加熱ヒーターが損傷すると、全
体の加熱ヒーターを交換し、そのため補修費が著しく増
大していた。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】本発明は、第１に、超
高温熱処理装置の加熱ヒーターが１本単位で交換可能に
して補修費を著しく節減した。 【０００６】第２に本発明は、前記加熱ヒーターの発熱
部を直接固定しないで、電力導入部のみを固定し、炉材
との反応、炉材の収縮を低減せしめた。 【０００７】さらに前記のように加熱ヒーターの加熱部
は、拘束させないで熱変形に対する強度を増し製品の寿
命を延命させた。 【０００８】 【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
超高温熱処理装置Ａを構成する電気炉Ｂにおいて、正面
よりみてＵ形状の発熱部４と上方が折曲する非発熱部５
からなる加熱ヒーター１が、その非発熱部５を炉内断熱
材２内に貫通せしめ、前記炉内断熱材２を所定間隔をも
って被覆する外側囲み壁部２−１に前記非発熱部５を固
定して取着し、当該加熱ヒーター１の発熱部４は、前記
炉内断熱材２の内側壁面３に間隙部６を設け、密着する
ことなく、且１本単位で交換可能に装着せしめたことを
特徴とする超高温熱処理装置である。 【０００９】 【発明の実施の形態】請求項１記載の発明に関する実施
の形態を説明する。 【００１０】図面中、Ａは超高温熱処理装置であり、Ｂ
は前記Ａを構成する１，５００℃対応の電気炉である。
１は炉内断熱材２の内側壁面３に、密着することなく、
且１本単位で交換可能とした図４Ａ、Ｂの如き加熱ヒー
ターである。 【００１１】前記加熱ヒーター１は、図４Ａ、Ｂに図示
するＵ形状を有している。該ヒーター１は正面よりみて
Ｕ形状の発熱部４と上方を直角状（但し、これに限定し
ない。）に折曲する非発熱部５からなる。 【００１２】本発明の前記ヒーター１は、図１〜図３の
如く、前記炉内断熱材２内に非発熱部５を貫通せしめ、
発熱部４は、前記炉内断熱材２の壁面３に密着させない
こと、さらに固定しないことを条件に固定する。このよ
うに前記ヒーター１を固定するので、万一損傷したとき
は、１本単位で交換する。この点従来の加熱ヒーターの
ように、損傷すると全部取替えなければならなかった構
造とは著しく相違している。したがって、補修工事費を
著しく節減できた。６は加熱ヒーター１と発熱部４との
間の間隙部である。 【００１３】さらに本発明は、前記ヒーター１を図１〜
図３の如く、壁面３より所定の間隔を設けて取着するの
で、前記炉内断熱材２との反応と該断熱材２の収縮を低
減せしめ、さらに所定の高温まで安定して加熱すること
が可能となった。 【００１４】また、本発明の加熱ヒーター１は、図１〜
図３の如く、発熱部４が拘束されていないため、熱変形
に対して強く、且耐久性を有し寿命を延長できた。 【００１５】さらに本発明の加熱ヒーター１は、図１〜
図３の如く、前記炉内断熱材２に直接触れていないの
で、発熱部４のロスも低減せしめた。 【００１６】本発明は、前記加熱ヒーター１の使用数に
ついては、電気炉Ｂの大きさに対応せしめ使用する。 【００１７】前記加熱ヒーター１は、炉内断熱材２を所
定間隔をもって被覆する外側囲み壁部２−１に非発熱部
５を固定して取着する。前記外側囲み壁部２−１より外
側方に突出させた前記非発熱部５をストッパー５−１と
網線５−２をもって固定する。 【００１８】本発明に関連する実施の形態を説明する。 【００１９】本実施形態は、図１〜３及び図５の如く、
超高温熱処理装置Ａを構成する多孔質ＳｉＣ／ＣＶＤ−
ＳｉＣ製炉心管７の下方に設置する装置を、石英製マニ
ホールド８にしたものである。 【００２０】従来は、前記炉心管７の下方に水冷型金属
マニホールドを設けていた。したがって従来の炉心管７
と水冷型金属マニホールドとの合せ部には、外部からの
汚染物等の巻き込みを防止するためＯリング等を入れて
いた。また炉心管長に製作上の限界があった。 【００２１】しかるに本実施形態は、前記の各図面図示
のように、炉心管７と石英製マニホールド８にしたの
で、合せ部を高温部に配置することが可能となり、且温
度均熱長を長くすることが可能となった。 【００２２】さらに本実施形態は、多孔質ＳｉＣ／ＣＶ
Ｄ−ＳｉＣ製炉心管７への熱衝撃に対する問題も緩和で
きた。また本装置Ａのコスト面も低減できた。 【００２３】異なる実施の形態を説明する。 【００２４】本実施形態は、図６、図７に示す如く、超
高温熱処理装置Ａを構成する多孔質ＳｉＣ／ＣＶＤ−Ｓ
ｉＣ製炉心管７の下方に、石英製マニホールド８を設置
すると共に、前記炉心管７と合わさる石英製マニホール
ド８の上面１１に、スリット部９を設ける。さらに、前
記スリット部９にバキューム排気管１０を接続させた。 【００２５】さらに前記スリット部９は、図面図示の如
く限定しない。 【００２６】本実施形態において、前記スリット部９を
設ける理由は、ＳｉＣ／ＣＶＤ−ＳｉＣ製炉心管７と石
英製マニホールド８の合せ部を高温部に配置しているた
め、Ｏリング等を入れることができない。そこで前記石
英製マニホールド８の上面１１にスリット部９を入れ、
バキューム排気管１０と接続させる。そのため前記の合
せ部に発生した高温熱を排気し、外部よりの巻き込みを
も防止した。 【００２７】さらに本実施形態は、前記の石英製マニホ
ールド８の石英とＳｉＣ／ＣＶＤ−ＳｉＣ製炉心管７の
ＳｉＣのみで排気できるよう製作しているので、金属汚
染を減らすことができた。 【００２８】次にまた、異なる実施の形態を説明する。 【００２９】本実施形態は、超高温熱処理装置Ａを構成
する多孔質ＳｉＣ／ＣＶＤ−ＳｉＣ製炉心管７内に嵌挿
せしめる遮熱、断熱装置として、ＳｉＣ製バッファー１
２の下方に石英製バッファー１３を設置せしめた。 【００３０】従来の多孔質ＳｉＣ／ＣＶＤ−ＳｉＣ製炉
心管７の下方部には、遮熱、断熱用として、ＳｉＣ製バ
ッファー１２のみで行っていた。 【００３１】本実施形態は、前記の如く、ＳｉＣ製バッ
ファー１２と石英製バッファー１３を積重状態にしたの
で、炉心管７の下方への熱伝導を低減せしめると共に、
前記バッファー設置部の冷却を簡単にした。そのため従
来に比しコストの低減を図ることができた。 【００３２】さらに異なる実施の形態を説明する。 【００３３】本実施形態は、図６に示すとおり、超高温
熱処理装置Ａを構成する多孔質ＳｉＣ／ＣＶＤ−ＳｉＣ
製炉心管７の下方に設置する前記炉内の汚染防止用とし
て石英製マニホールド８と石英製フランジ１５を設け
た。そして、前記石英製マニホールド８の内側面を傾斜
させて傾斜状部１４とした。さらに前記石英製マニホー
ルド８の下方に設置の石英製フランジ１５の外側面を傾
斜せしめて傾斜状部１６とし、且前記傾斜状部１６に凹
部１７を設け、Ｏリング１８を該凹部１７に嵌挿し離脱
を防止したものである。 【００３４】前記両部材の傾斜状部１４、１６の傾斜角
度については限定しない。 【００３５】さらにＯリング１８の材質は、耐高温熱及
び耐久性にもすぐれた材質のものを使用する。 【００３６】さらに本実施形態は、前記マニホールド８
とフランジ１５の傾斜状部１４、１６の間に、Ｏリング
１８を直接嵌め込むものでなく、下方の受け手になって
いるフランジ１５に凹部１７を形成し、その凹部１７内
にＯリング１８を嵌め込む。 【００３７】したがって、前記Ｏリング１８がマニホー
ルド８とフランジ１５との間から離脱することがない。 【００３８】また異なる実施の形態を説明する。 【００３９】本実施形態は、図８〜図１０の如く、超高
温熱処理装置Ａを構成する多孔質ＳｉＣ／ＣＶＤ−Ｓｉ
Ｃ製炉心管７内において熱処理を施すウエハー１９をウ
エハー１９より径が大きいホルダー２０より分離する機
構において、前記ホルダー２０の外周縁部２１が載置可
能な段部２２付き分離装置２３を設ける。前記の段部２
２は、ホルダー２０の形状に応じて載置可能なように複
数形成する。 【００４０】さらにウエハー１９とホルダー２０は、重
合状態にある。この両部材を分離せしめるには、ホルダ
ー２０にウエハー１９が重合したまま前記分離装置２３
に前記ホルダー２０だけを載置する。 【００４１】他方、前記ウエハー１９だけが単体で載せ
台２４上に載置されている。 【００４２】したがって、前記のように密着状態にあっ
たウエハー１９が載せ台２４の上面に位置し、これを自
動搬送装置を介して他の位置に搬送せしめ積層状態にす
る。 【００４３】２５は前記台２４に接続するウエハー１９
を吸着するバキューム排気管である。 【００４４】次に上記超高温熱処理装置Ａに共通する構
成部材につき説明する。 【００４５】２６は多孔質ＳｉＣ製炉心管７内を昇降す
る膜単体ＳｉＣ製ボート及び膜単体ホルダー、２７は炉
心断熱材２の下方の内側に取着のウール断熱材取付部で
ある。２８は石英製マニホールド８のロック機構、２９
は炉内へのガス導入部、３０はボートエレベーター機
構、３１、３２は冷却水出入口、３３は内部測定用Ｓｉ
Ｃ製管、３４は排気管、３５は炉口石英製シャッターユ
ニット、３６はボートエレベーター機構、３７は外気導
入部、３８は円筒型断熱材、３９は二ツ割断熱材であ
る。１ａは各ゾーン毎の温度測定用熱電対である。 【００４６】 【発明の効果】請求項１記載の発明は、超高温熱処理装
置を構成する電気炉において、正面よりみてＵ形状の発
熱部と上方が折曲する非発熱部からなる加熱ヒーター
が、その非発熱部を炉内断熱材内に貫通せしめ、前記炉
内断熱材を所定間隔をもって被覆する外側囲み壁部に前
記非発熱部を固定して取着し、当該加熱ヒーターの発熱
部は、前記炉内断熱材の内側壁面に間隙部を設け、密着
することなく、且１本単位で交換可能に装着せしめた超
高温熱処理装置なので、加熱ヒーターを１本単位で交換
可能となり、そのため製造及び補修コストを著しく節減
できた。また、炉内との反応及び収縮を低減させ高温ま
で安定して加熱できる。さらに、発熱部を拘束させない
ので、熱変形に対して強くせしめて、製品の寿命を延長
した。
の技術分野に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】従来、殊にウエハーに関する超高温熱処
理装置における加熱ヒーターは、電気炉内の断熱材の内
側壁面にスパイラル状または折返し状に設置され、各ゾ
ーンが一体構造で製作されていた。 【０００３】さらに前記加熱ヒーターの固定は、前記電
気炉内の断熱材に直接発熱部を固定していた。 【０００４】そのため、加熱ヒーターが損傷すると、全
体の加熱ヒーターを交換し、そのため補修費が著しく増
大していた。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】本発明は、第１に、超
高温熱処理装置の加熱ヒーターが１本単位で交換可能に
して補修費を著しく節減した。 【０００６】第２に本発明は、前記加熱ヒーターの発熱
部を直接固定しないで、電力導入部のみを固定し、炉材
との反応、炉材の収縮を低減せしめた。 【０００７】さらに前記のように加熱ヒーターの加熱部
は、拘束させないで熱変形に対する強度を増し製品の寿
命を延命させた。 【０００８】 【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
超高温熱処理装置Ａを構成する電気炉Ｂにおいて、正面
よりみてＵ形状の発熱部４と上方が折曲する非発熱部５
からなる加熱ヒーター１が、その非発熱部５を炉内断熱
材２内に貫通せしめ、前記炉内断熱材２を所定間隔をも
って被覆する外側囲み壁部２−１に前記非発熱部５を固
定して取着し、当該加熱ヒーター１の発熱部４は、前記
炉内断熱材２の内側壁面３に間隙部６を設け、密着する
ことなく、且１本単位で交換可能に装着せしめたことを
特徴とする超高温熱処理装置である。 【０００９】 【発明の実施の形態】請求項１記載の発明に関する実施
の形態を説明する。 【００１０】図面中、Ａは超高温熱処理装置であり、Ｂ
は前記Ａを構成する１，５００℃対応の電気炉である。
１は炉内断熱材２の内側壁面３に、密着することなく、
且１本単位で交換可能とした図４Ａ、Ｂの如き加熱ヒー
ターである。 【００１１】前記加熱ヒーター１は、図４Ａ、Ｂに図示
するＵ形状を有している。該ヒーター１は正面よりみて
Ｕ形状の発熱部４と上方を直角状（但し、これに限定し
ない。）に折曲する非発熱部５からなる。 【００１２】本発明の前記ヒーター１は、図１〜図３の
如く、前記炉内断熱材２内に非発熱部５を貫通せしめ、
発熱部４は、前記炉内断熱材２の壁面３に密着させない
こと、さらに固定しないことを条件に固定する。このよ
うに前記ヒーター１を固定するので、万一損傷したとき
は、１本単位で交換する。この点従来の加熱ヒーターの
ように、損傷すると全部取替えなければならなかった構
造とは著しく相違している。したがって、補修工事費を
著しく節減できた。６は加熱ヒーター１と発熱部４との
間の間隙部である。 【００１３】さらに本発明は、前記ヒーター１を図１〜
図３の如く、壁面３より所定の間隔を設けて取着するの
で、前記炉内断熱材２との反応と該断熱材２の収縮を低
減せしめ、さらに所定の高温まで安定して加熱すること
が可能となった。 【００１４】また、本発明の加熱ヒーター１は、図１〜
図３の如く、発熱部４が拘束されていないため、熱変形
に対して強く、且耐久性を有し寿命を延長できた。 【００１５】さらに本発明の加熱ヒーター１は、図１〜
図３の如く、前記炉内断熱材２に直接触れていないの
で、発熱部４のロスも低減せしめた。 【００１６】本発明は、前記加熱ヒーター１の使用数に
ついては、電気炉Ｂの大きさに対応せしめ使用する。 【００１７】前記加熱ヒーター１は、炉内断熱材２を所
定間隔をもって被覆する外側囲み壁部２−１に非発熱部
５を固定して取着する。前記外側囲み壁部２−１より外
側方に突出させた前記非発熱部５をストッパー５−１と
網線５−２をもって固定する。 【００１８】本発明に関連する実施の形態を説明する。 【００１９】本実施形態は、図１〜３及び図５の如く、
超高温熱処理装置Ａを構成する多孔質ＳｉＣ／ＣＶＤ−
ＳｉＣ製炉心管７の下方に設置する装置を、石英製マニ
ホールド８にしたものである。 【００２０】従来は、前記炉心管７の下方に水冷型金属
マニホールドを設けていた。したがって従来の炉心管７
と水冷型金属マニホールドとの合せ部には、外部からの
汚染物等の巻き込みを防止するためＯリング等を入れて
いた。また炉心管長に製作上の限界があった。 【００２１】しかるに本実施形態は、前記の各図面図示
のように、炉心管７と石英製マニホールド８にしたの
で、合せ部を高温部に配置することが可能となり、且温
度均熱長を長くすることが可能となった。 【００２２】さらに本実施形態は、多孔質ＳｉＣ／ＣＶ
Ｄ−ＳｉＣ製炉心管７への熱衝撃に対する問題も緩和で
きた。また本装置Ａのコスト面も低減できた。 【００２３】異なる実施の形態を説明する。 【００２４】本実施形態は、図６、図７に示す如く、超
高温熱処理装置Ａを構成する多孔質ＳｉＣ／ＣＶＤ−Ｓ
ｉＣ製炉心管７の下方に、石英製マニホールド８を設置
すると共に、前記炉心管７と合わさる石英製マニホール
ド８の上面１１に、スリット部９を設ける。さらに、前
記スリット部９にバキューム排気管１０を接続させた。 【００２５】さらに前記スリット部９は、図面図示の如
く限定しない。 【００２６】本実施形態において、前記スリット部９を
設ける理由は、ＳｉＣ／ＣＶＤ−ＳｉＣ製炉心管７と石
英製マニホールド８の合せ部を高温部に配置しているた
め、Ｏリング等を入れることができない。そこで前記石
英製マニホールド８の上面１１にスリット部９を入れ、
バキューム排気管１０と接続させる。そのため前記の合
せ部に発生した高温熱を排気し、外部よりの巻き込みを
も防止した。 【００２７】さらに本実施形態は、前記の石英製マニホ
ールド８の石英とＳｉＣ／ＣＶＤ−ＳｉＣ製炉心管７の
ＳｉＣのみで排気できるよう製作しているので、金属汚
染を減らすことができた。 【００２８】次にまた、異なる実施の形態を説明する。 【００２９】本実施形態は、超高温熱処理装置Ａを構成
する多孔質ＳｉＣ／ＣＶＤ−ＳｉＣ製炉心管７内に嵌挿
せしめる遮熱、断熱装置として、ＳｉＣ製バッファー１
２の下方に石英製バッファー１３を設置せしめた。 【００３０】従来の多孔質ＳｉＣ／ＣＶＤ−ＳｉＣ製炉
心管７の下方部には、遮熱、断熱用として、ＳｉＣ製バ
ッファー１２のみで行っていた。 【００３１】本実施形態は、前記の如く、ＳｉＣ製バッ
ファー１２と石英製バッファー１３を積重状態にしたの
で、炉心管７の下方への熱伝導を低減せしめると共に、
前記バッファー設置部の冷却を簡単にした。そのため従
来に比しコストの低減を図ることができた。 【００３２】さらに異なる実施の形態を説明する。 【００３３】本実施形態は、図６に示すとおり、超高温
熱処理装置Ａを構成する多孔質ＳｉＣ／ＣＶＤ−ＳｉＣ
製炉心管７の下方に設置する前記炉内の汚染防止用とし
て石英製マニホールド８と石英製フランジ１５を設け
た。そして、前記石英製マニホールド８の内側面を傾斜
させて傾斜状部１４とした。さらに前記石英製マニホー
ルド８の下方に設置の石英製フランジ１５の外側面を傾
斜せしめて傾斜状部１６とし、且前記傾斜状部１６に凹
部１７を設け、Ｏリング１８を該凹部１７に嵌挿し離脱
を防止したものである。 【００３４】前記両部材の傾斜状部１４、１６の傾斜角
度については限定しない。 【００３５】さらにＯリング１８の材質は、耐高温熱及
び耐久性にもすぐれた材質のものを使用する。 【００３６】さらに本実施形態は、前記マニホールド８
とフランジ１５の傾斜状部１４、１６の間に、Ｏリング
１８を直接嵌め込むものでなく、下方の受け手になって
いるフランジ１５に凹部１７を形成し、その凹部１７内
にＯリング１８を嵌め込む。 【００３７】したがって、前記Ｏリング１８がマニホー
ルド８とフランジ１５との間から離脱することがない。 【００３８】また異なる実施の形態を説明する。 【００３９】本実施形態は、図８〜図１０の如く、超高
温熱処理装置Ａを構成する多孔質ＳｉＣ／ＣＶＤ−Ｓｉ
Ｃ製炉心管７内において熱処理を施すウエハー１９をウ
エハー１９より径が大きいホルダー２０より分離する機
構において、前記ホルダー２０の外周縁部２１が載置可
能な段部２２付き分離装置２３を設ける。前記の段部２
２は、ホルダー２０の形状に応じて載置可能なように複
数形成する。 【００４０】さらにウエハー１９とホルダー２０は、重
合状態にある。この両部材を分離せしめるには、ホルダ
ー２０にウエハー１９が重合したまま前記分離装置２３
に前記ホルダー２０だけを載置する。 【００４１】他方、前記ウエハー１９だけが単体で載せ
台２４上に載置されている。 【００４２】したがって、前記のように密着状態にあっ
たウエハー１９が載せ台２４の上面に位置し、これを自
動搬送装置を介して他の位置に搬送せしめ積層状態にす
る。 【００４３】２５は前記台２４に接続するウエハー１９
を吸着するバキューム排気管である。 【００４４】次に上記超高温熱処理装置Ａに共通する構
成部材につき説明する。 【００４５】２６は多孔質ＳｉＣ製炉心管７内を昇降す
る膜単体ＳｉＣ製ボート及び膜単体ホルダー、２７は炉
心断熱材２の下方の内側に取着のウール断熱材取付部で
ある。２８は石英製マニホールド８のロック機構、２９
は炉内へのガス導入部、３０はボートエレベーター機
構、３１、３２は冷却水出入口、３３は内部測定用Ｓｉ
Ｃ製管、３４は排気管、３５は炉口石英製シャッターユ
ニット、３６はボートエレベーター機構、３７は外気導
入部、３８は円筒型断熱材、３９は二ツ割断熱材であ
る。１ａは各ゾーン毎の温度測定用熱電対である。 【００４６】 【発明の効果】請求項１記載の発明は、超高温熱処理装
置を構成する電気炉において、正面よりみてＵ形状の発
熱部と上方が折曲する非発熱部からなる加熱ヒーター
が、その非発熱部を炉内断熱材内に貫通せしめ、前記炉
内断熱材を所定間隔をもって被覆する外側囲み壁部に前
記非発熱部を固定して取着し、当該加熱ヒーターの発熱
部は、前記炉内断熱材の内側壁面に間隙部を設け、密着
することなく、且１本単位で交換可能に装着せしめた超
高温熱処理装置なので、加熱ヒーターを１本単位で交換
可能となり、そのため製造及び補修コストを著しく節減
できた。また、炉内との反応及び収縮を低減させ高温ま
で安定して加熱できる。さらに、発熱部を拘束させない
ので、熱変形に対して強くせしめて、製品の寿命を延長
した。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の超高温熱処理装置を示した正面図であ
る。 【図２】超高温熱処理装置の背面図である。 【図３】図１の装置における要部の一部切欠拡大正面図
である。 【図４】Ａ、Ｂは、同装置に取着する発熱ヒーターの一
部切欠正面図と右側面図である。 【図５】同装置の概略図である。 【図６】同装置の要部の一部切欠拡大縦断面図である。 【図７】同装置を構成する石英製マニホールドの斜視図
である。 【図８】同装置における被熱処理用ウエハーをホルダー
から分離させる分離装置の縦断正面図である。 【図９】図８における分離装置の右側面図である。 【図１０】図９における分離装置の平面図である。 【符号の説明】 Ａ 超高温熱処理装置 １ 加熱ヒーター ２ 炉内断熱材 ３ 内側壁面 ４ 発熱部 ５ 非発熱部 ７ 多孔質ＳｉＣ／ＣＶＤ−ＳｉＣ製炉心管 ８ 石英製マニホールド ９ スリット部 １０ バキューム排気管 １２ ＳｉＣ製バッファー １３ 石英製バッファー １４ 傾斜状部 １５ 石英製フランジ １６ 傾斜状部 １７ 凹部 １８ Ｏリング １９ ウエハー ２０ ホルダー ２１ 外周縁部 ２３ 分離装置 ２４ 載せ台
る。 【図２】超高温熱処理装置の背面図である。 【図３】図１の装置における要部の一部切欠拡大正面図
である。 【図４】Ａ、Ｂは、同装置に取着する発熱ヒーターの一
部切欠正面図と右側面図である。 【図５】同装置の概略図である。 【図６】同装置の要部の一部切欠拡大縦断面図である。 【図７】同装置を構成する石英製マニホールドの斜視図
である。 【図８】同装置における被熱処理用ウエハーをホルダー
から分離させる分離装置の縦断正面図である。 【図９】図８における分離装置の右側面図である。 【図１０】図９における分離装置の平面図である。 【符号の説明】 Ａ 超高温熱処理装置 １ 加熱ヒーター ２ 炉内断熱材 ３ 内側壁面 ４ 発熱部 ５ 非発熱部 ７ 多孔質ＳｉＣ／ＣＶＤ−ＳｉＣ製炉心管 ８ 石英製マニホールド ９ スリット部 １０ バキューム排気管 １２ ＳｉＣ製バッファー １３ 石英製バッファー １４ 傾斜状部 １５ 石英製フランジ １６ 傾斜状部 １７ 凹部 １８ Ｏリング １９ ウエハー ２０ ホルダー ２１ 外周縁部 ２３ 分離装置 ２４ 載せ台
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/324
F27D 11/02
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】超高温熱処理装置を構成する電気炉におい
て、正面よりみてＵ形状の発熱部と上方が折曲する非発熱部
からなる加熱ヒーターが、その非発熱部を炉内断熱材内
に貫通せしめ、前記炉内断熱材を所定間隔をもって被覆
する外側囲み壁部に前記非発熱部を固定して取着し、当
該加熱ヒーターの発熱部は、前記炉内断熱材の内側壁面
に間隙部を設け、密着することなく、且１本単位で交換
可能に 装着せしめたことを特徴とする超高温熱処理装
置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000013511A JP3404674B2 (ja) | 2000-01-21 | 2000-01-21 | 超高温熱処理装置 |
| TW089105352A TW451048B (en) | 2000-01-21 | 2000-03-23 | Ultra-high-temperature heat treatment apparatus |
| KR1020000015402A KR20010076133A (ko) | 2000-01-21 | 2000-03-27 | 초고온 열처리장치 |
| US09/561,192 US6414277B1 (en) | 2000-01-21 | 2000-04-27 | Ultra-high-temperature heat treatment apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000013511A JP3404674B2 (ja) | 2000-01-21 | 2000-01-21 | 超高温熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001210649A JP2001210649A (ja) | 2001-08-03 |
| JP3404674B2 true JP3404674B2 (ja) | 2003-05-12 |
Family
ID=18541095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000013511A Ceased JP3404674B2 (ja) | 2000-01-21 | 2000-01-21 | 超高温熱処理装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6414277B1 (ja) |
| JP (1) | JP3404674B2 (ja) |
| KR (1) | KR20010076133A (ja) |
| TW (1) | TW451048B (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3912208B2 (ja) * | 2002-02-28 | 2007-05-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| JP4132932B2 (ja) * | 2002-04-12 | 2008-08-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
| CN1643322A (zh) * | 2002-07-15 | 2005-07-20 | 阿维扎技术公司 | 热处理系统和可成形的垂直腔 |
| US20060083495A1 (en) * | 2002-07-15 | 2006-04-20 | Qiu Taiquing | Variable heater element for low to high temperature ranges |
| SG155057A1 (en) * | 2003-02-27 | 2009-09-30 | Asahi Glass Co Ltd | Outer tube made of silicon carbide and thermal treatment system for semiconductors |
| TWI315080B (en) * | 2005-08-24 | 2009-09-21 | Hitachi Int Electric Inc | Baseplate processing equipment, heating device used on the baseplate processing equipment and method for manufacturing semiconductors with those apparatus, and heating element supporting structure |
| US20070141523A1 (en) * | 2005-12-19 | 2007-06-21 | Ye-Long Su | Sintering furnace for pipe fittings |
| JP4739057B2 (ja) * | 2006-02-20 | 2011-08-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置、ヒータ及びその製造方法 |
| JP2008311587A (ja) * | 2007-06-18 | 2008-12-25 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| JP4929199B2 (ja) * | 2008-02-01 | 2012-05-09 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
| US8536491B2 (en) * | 2009-03-24 | 2013-09-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Rotatable and tunable heaters for semiconductor furnace |
| TWM413957U (en) * | 2010-10-27 | 2011-10-11 | Tangteck Equipment Inc | Diffusion furnace apparatus |
| CN105316642B (zh) * | 2015-11-20 | 2018-06-12 | 苏州赛森电子科技有限公司 | 溅射工艺中的硅片加热装置 |
| US10998205B2 (en) * | 2018-09-14 | 2021-05-04 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus and manufacturing method of semiconductor device |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4101759A (en) * | 1976-10-26 | 1978-07-18 | General Electric Company | Semiconductor body heater |
| US4553022A (en) * | 1984-06-04 | 1985-11-12 | The Perkin-Elmer Corporation | Effusion cell assembly |
| US5578132A (en) * | 1993-07-07 | 1996-11-26 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Apparatus for heat treating semiconductors at normal pressure and low pressure |
| US5775889A (en) * | 1994-05-17 | 1998-07-07 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment process for preventing slips in semiconductor wafers |
| KR100461292B1 (ko) * | 1996-10-31 | 2005-02-28 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 수직형열처리장치,수직형열처리장치의분해방법및수직형열처리장치의유지보수방법 |
-
2000
- 2000-01-21 JP JP2000013511A patent/JP3404674B2/ja not_active Ceased
- 2000-03-23 TW TW089105352A patent/TW451048B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-03-27 KR KR1020000015402A patent/KR20010076133A/ko not_active Application Discontinuation
- 2000-04-27 US US09/561,192 patent/US6414277B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6414277B1 (en) | 2002-07-02 |
| TW451048B (en) | 2001-08-21 |
| KR20010076133A (ko) | 2001-08-11 |
| JP2001210649A (ja) | 2001-08-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3404674B2 (ja) | 超高温熱処理装置 | |
| TW463228B (en) | Vertical rapid heating and cooling furnace for treating semiconductor wafers | |
| JP4285789B2 (ja) | 縦型電気炉 | |
| KR101142686B1 (ko) | 열처리로 | |
| US7974525B2 (en) | Heat processing furnace and vertical-type heat processing apparatus | |
| TWI310215B (en) | Heating insulating wall, supporting structure for a heating element, heating device and substrate processing apparatus | |
| EP1225393A2 (en) | Flat heating surface type gas stove | |
| WO2012108569A1 (ko) | 전기 오븐 및 그 서비스 방법 | |
| US20080232787A1 (en) | Heat processing furnace and vertical-type heat processing apparatus | |
| KR19980071421A (ko) | 열처리장치 | |
| JP2016057142A (ja) | 温度検出装置 | |
| CN110500885B (zh) | 多晶硅还原炉法兰连接处保温装置 | |
| WO2012108570A1 (ko) | 전기 오븐 | |
| JP2001270798A (ja) | シリコン単結晶製造装置 | |
| CN107448960A (zh) | 一种便于更换电热丝的voc废气高效净化炉 | |
| JPH075631Y2 (ja) | 縦型炉 | |
| JP3887914B2 (ja) | 高温炉用マッフルチューブ支持具 | |
| CN216954037U (zh) | 一种低温管式炉体 | |
| JP4178304B2 (ja) | ヒータ保持構造およびそれを用いた熱処理炉 | |
| JP2000208236A (ja) | 炉壁へのセラミックヒ―タ取付構造 | |
| JP2003243310A (ja) | 高温熱処理用ウェーハボート支え治具 | |
| WO2017007253A1 (ko) | 열전달 구조체를 구비한 오븐 조리장치 | |
| JP2000291948A (ja) | 加熱炉等の煙突および煙道 | |
| JP2001182912A (ja) | 三重管式シングルエンド型ラジアントチューブ、及びこれを用いた加熱方法 | |
| JPS6337740Y2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| RVOP | Cancellation by post-grant opposition | ||
| R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |