JP3400287B2 - ワイヤボンディング方法 - Google Patents
ワイヤボンディング方法Info
- Publication number
- JP3400287B2 JP3400287B2 JP06928897A JP6928897A JP3400287B2 JP 3400287 B2 JP3400287 B2 JP 3400287B2 JP 06928897 A JP06928897 A JP 06928897A JP 6928897 A JP6928897 A JP 6928897A JP 3400287 B2 JP3400287 B2 JP 3400287B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- point
- bonding
- capillary
- reverse operation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
- B23K20/002—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
- B23K20/004—Wire welding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48095—Kinked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/851—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector the connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8512—Aligning
- H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
- H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
- H01L2224/8518—Translational movements
- H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)
- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
Description
工程において、第1ボンディング点と第2ボンディング
点との間をワイヤで接続するワイヤボンディング方法に
係り、特にワイヤループ形成方法に関する。 【0002】 【従来の技術】ワイヤボンディング方法には、図6に示
すように、リードフレーム1にマウントされた半導体チ
ップ2のパッド2a(第1ボンディング点)とリードフ
レーム1のリード1a(第2ボンディング点)とをワイ
ヤ3により接続する工程がある。この場合におけるワイ
ヤ3のループ形状として、図6(a)に示す三角ループ
と、図6(b)に示す台形ループとがある。図6(a)
に示す三角ループは、ネック高さ部31の頂点に癖3a
を付けたものである。図6(b)に示す台形ループは、
前記癖3aの他に、台形長さ部分32と傾斜部33との
折れ曲がり部分に癖3bを付けたものである。なお、こ
の種のワイヤループ形成方法として、例えば特公平5−
60657号公報、特開平4−318943号公報があ
げられる。 【0003】従来、癖3aを付けるワイヤボンディング
方法として、例えば特公平5−60657号公報があげ
られる。この方法を図7により説明する。図7(a)に
示すように、ワイヤ3をクランプするクランパ4は開い
た状態で、キャピラリ5が下降して第1ボンディング点
Aにワイヤ3の先端に形成されたボールをボンディング
後、キャピラリ5はB点まで僅かに上昇してワイヤ3を
繰り出す。次に図7(b)に示すように、キャピラリ5
は第2ボンディング点H(リード1a)(図6参照)と
反対方向のC点まで僅かに水平移動する。その後図7
(c)に示すように、キャピラリ5は上昇する。一般
に、キャピラリ5を第2ボンディング点1aと反対方向
に移動させるループ形成動作のことをリバース動作とい
う。これにより、ワイヤ3は、A点からC点までの間を
結ぶ傾斜した形状となり、キャピラリ5の下端部(先端
部)によってワイヤ3に癖3aが付く。このA点からC
点までの工程で繰り出されたワイヤ3は、図6に示すル
ープのネック高さ部31となる。 【0004】 【発明が解決しようとする課題】ワイヤ3には、例えば
特公昭63−52778号公報に示すように、エアーノ
ズルよりエアーを吹き付けてバックテンションを与えて
いる。このため、ワイヤ3は上方に引っ張られた状態に
ある。しかし、エアーノズルはキャピラリ5から離れた
上方にあり、またワイヤ3は非常に細いので、バックテ
ンションの強さは自ずと制限され、キャピラリ5付近の
ワイヤ3部分に充分なバックテンションが掛けられてい
ない。 【0005】このため、図8に示すように、キャピラリ
5の下端部付近におけるのワイヤ3部分は第1ボンディ
ング点Aの方向に充分に傾斜しなく、キャピラリ5の下
端部で強い癖3aが付かない。またキャピラリ5がB点
からC点に移動するリバース動作によりワイヤ3cが繰
り出されるので、キャピラリ5の下端部によって付けら
れる癖3aの位置及びワイヤ形状が変動する。これらの
ことにより、安定したワイヤループ形状及び高い形状保
持力が得られないという問題があった。 【0006】癖3aを強くするには、キャピラリ5のリ
バース動作量を多くし、キャピラリ5下端の前記ワイヤ
3cの繰り出しによるワイヤ3の弛みを除去すればよ
い。しかし、リバース動作量を多くすると、その分ワイ
ヤ3cが繰り出されるために、前記ネック高さ部31が
高くなり、低いワイヤループ形状が得られないといった
別の問題が生ずる。 【0007】本発明の第1の課題は、ネック高さの頂点
に、また台形ループの場合はネック高さの頂点及び折れ
曲がり部に強い癖を付けることができ、安定したワイヤ
ループ形状及び形状保持力の高いワイヤループ形状を形
成することができるワイヤボンディング方法を提供する
ことにある。 【0008】本発明の第2の課題は、低いワイヤループ
形状を形成することができるワイヤボンディング方法を
提供することにある。 【0009】 【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の手段は、第1ボンディング点と第2ボンディ
ング点との間をワイヤで接続するループ形成動作中に、
キャピラリを第2ボンディング点と反対方向に移動させ
るリバース動作を行わせるワイヤボンディング方法にお
いて、前記リバース動作は水平移動又は斜め上方に移動
させる動作であり、このリバース動作途中からリバース
動作終了まで前記クランパを一時閉じた状態にしてワイ
ヤにテンションを掛けることを特徴とする。 【0010】 【発明の実施の形態】本発明の第1の実施の形態を図1
乃至図3により説明する。本実施の形態は、図6(a)
に示す三角ループを形成する場合を示す。図1(a)及
び図3に示すように、ワイヤ3をクランプするクランパ
4は開いた状態で、キャピラリ5が下降して第1ボンデ
ィング点Aにワイヤ3の先端に形成されたボールをボン
ディング後、キャピラリ5はB点まで僅かに上昇してワ
イヤ3を繰り出す。この動作は従来と同じである。 【0011】次に図1(b)及び図3に示すように、キ
ャピラリ5は第2ボンディング点Hと反対方向のC点ま
で僅かに水平移動するリバース動作を行う。本実施の形
態においては、図1(b)及び図2に示すように、この
リバース動作中のC’点でクランパ4が閉じる。このよ
うにリバース動作中にクランパ4が閉じると、キャピラ
リ5からワイヤ3の繰り出しは止まり、またそれまでの
リバース動作によってキャピラリ5下端部分にワイヤ3
の弛みが現れるが、第1ボンディング点AからC点まで
のワイヤ3にテンションが与えられることにより無くな
る。 【0012】これにより、ワイヤ3はA点からC点まで
傾斜した形状となり、また前記したようにキャピラリ5
下端部の弛みは無くなるので、キャピラリ5の下端部で
ワイヤ3に強い癖3aが付く。またこの癖3aは所望と
するネック高さ部31(図6参照)の位置に付けること
ができる。これにより、ネック高さ部31が安定したワ
イヤループ形状が得られると共に、形状保持力の高いワ
イヤループ形状が得られる。またリバース動作量に関係
なく強い癖3aが付けられるので、ネック高さ部31を
低くすることができる。 【0013】前記リバース動作後のC点からは、クラン
パ4は開いた状態となり、その後は従来と同様の動作を
行う。例えば、図1(c)及び図3に示すように、キャ
ピラリ5はワイヤループ形成に必要な量のF点まで上昇
してワイヤ3を繰り出す。その後クランパ4は閉じる。
クランパ4が閉じると、以後キャピラリ5が移動しても
ワイヤ3の繰り出しは行われない。次に第1ボンディン
グ点A又はその近傍を中心とした半径の円弧で第2ボン
ディング点Hの上方のG点まで移動し、続いて第2ボン
ディング点Hに下降してボンディングする。なお、C点
から第2ボンディング点Hまでの動作は、本発明の要旨
と直接関係ないので、前記した従来例に開示されている
動作と同様の動作を行わせても、またその他の種々の動
作を行わせてもよいことは言うまでもない。 【0014】図4は本発明の第2の実施の形態を示す。
本実施の形態は、図6(b)に示す台形ループを形成す
る場合を示し、第1ボンディング点AからC点までの工
程は、前記第1の実施の形態と同じである。従って、前
記第1の実施の形態と同様に、ネック高さの頂点に強い
癖3aが付く。 【0015】そこで、以下、C点以降の工程について説
明する。C点でクランパ4が開き、キャピラリ5はD点
まで上昇してワイヤ3を繰り出す。その後、キャピラリ
5は第2ボンディング点Hと反対方向のE点まで僅かに
水平移動するリバース動作を行う。本実施の形態におい
ては、前記実施の形態のC’点からC点までと同様に、
D点からE点までのリバース動作中のE’点でクランパ
4が閉じる。このようにリバース動作中にクランパ4が
閉じると、前記実施の形態と同様に、キャピラリ5から
ワイヤ3の繰り出しは止まり、またそれまでのリバース
動作によって繰り出されたワイヤ3cによるキャピラリ
5下端部分の弛みは、C点からE点までのワイヤ3にテ
ンションが与えられることにより無くなる。 【0016】これにより、ワイヤ3はC点からE点まで
傾斜した形状となり、また前記したようにキャピラリ5
下端部の弛みは無くなるので、キャピラリ5の下端部で
ワイヤ3に強い癖3bが付く。このC点からE点まで繰
り出したワイヤ3は、図6(b)に示す台形長さ部分3
2となる。 【0017】前記リバース動作後のE点からは、クラン
パ4は開いた状態となり、F点まで上昇して図6(b)
に示す傾斜部分33分だけワイヤ3を繰り出す。その後
クランパ4は閉じる。クランパ4が閉じると、以後キャ
ピラリ5が移動してもワイヤ3の繰り出しは行われな
い。次に第1ボンディング点A又はその近傍を中心とし
た半径の円弧で第2ボンディング点Hの上方のG点まで
移動し、続いて第2ボンディング点Hに下降してボンデ
ィングする。なお、E点から第2ボンディング点Hまで
の動作は、本発明の要旨と直接関係ないので、前記した
従来例に開示されている動作と同様の動作を行わせて
も、またその他の種々の動作を行わせてもよいことは言
うまでもない。 【0018】図5は本発明の第3の実施の形態を示す。
前記第1及び第2の実施の形態(図1乃至図4)におい
ては、キャピラリ5は第1ボンディング点AからB点ま
で上昇し、その後C点まで水平移動するリバース動作を
行った。本実施の形態は、第1ボンディング点AからC
点に斜めに移動するリバース動作、即ちキャピラリ5が
第1ボンディング点Aから上昇する動作と第2ボンディ
ング点Hと反対方向に移動する動作を伴ったリバース動
作の場合に適用した例を示す。即ち、斜めのリバース動
作中のC’点でクランパ4を閉じ、C点でクランパ4を
開くことにより、前記第1の実施の形態と同様の効果が
得られる。 【0019】なお、前記各実施の形態においては、クラ
ンパ4がキャピラリ5と共に上下動するタイプを図示及
び説明したが、クランパ4は上下動しないタイプでも、
またキャピラリ5と独立して上下動するタイプであって
もよい。 【0020】 【発明の効果】本発明によれば、水平移動又は斜め上方
に移動させるリバース動作途中からリバース動作終了ま
でクランパを一時閉じた状態にしてワイヤにテンション
を掛けるので、ループネック高さ部の頂点に強い癖を付
けることができ、安定したワイヤループ形状及び形状保
持力の高いワイヤループ形状を形成することができ、ま
た低いワイヤループ形状を形成することができる。また
台形ループの場合には、折れ曲がり部にも強い癖を付け
ることができる。
の形態であり、各工程のキャピラリ移動によるワイヤ形
状を示す要部説明図である。 【図2】図1(b)工程の拡大説明図である。 【図3】キャピラリの軌跡を示す説明図である。 【図4】本発明のワイヤボンディング方法の第2の実施
の形態であり、キャピラリの軌跡を示す要部説明図であ
る。 【図5】本発明のワイヤボンディング方法の第3の実施
の形態であり、キャピラリの軌跡を示す要部説明図であ
る。 【図6】(a)は三角ループのワイヤループ形状を示す
図、(b)は台形ループのワイヤループ形状を示す図で
ある。 【図7】従来のワイヤボンディング方法の各工程のキャ
ピラリ移動によるワイヤ形状を示す要部説明図である。 【図8】図7(b)工程の拡大説明図である。 【符号の説明】 A 第1ボンディング点 F 第2ボンディング点 3 ワイヤ 3a、3b 癖 3c リバース動作により繰り出されたワイヤ 31 ネック高さ部 4 クランパ 5 キャピラリ
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項1】 第1ボンディング点と第2ボンディング
点との間をワイヤで接続するループ形成動作中に、キャ
ピラリを第2ボンディング点と反対方向に移動させるリ
バース動作を行わせるワイヤボンディング方法におい
て、前記リバース動作は水平移動又は斜め上方に移動さ
せる動作であり、このリバース動作途中からリバース動
作終了まで前記クランパを一時閉じた状態にしてワイヤ
にテンションを掛けることを特徴とするワイヤボンディ
ング方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP06928897A JP3400287B2 (ja) | 1997-03-06 | 1997-03-06 | ワイヤボンディング方法 |
KR1019970067579A KR100275254B1 (ko) | 1997-03-06 | 1997-12-10 | 와이어 본딩방법 |
TW087101975A TW375785B (en) | 1997-03-06 | 1998-02-13 | Wire joining method |
US09/035,608 US6036080A (en) | 1997-03-06 | 1998-03-05 | Wire bonding method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP06928897A JP3400287B2 (ja) | 1997-03-06 | 1997-03-06 | ワイヤボンディング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10256297A JPH10256297A (ja) | 1998-09-25 |
JP3400287B2 true JP3400287B2 (ja) | 2003-04-28 |
Family
ID=13398270
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP06928897A Expired - Fee Related JP3400287B2 (ja) | 1997-03-06 | 1997-03-06 | ワイヤボンディング方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6036080A (ja) |
JP (1) | JP3400287B2 (ja) |
KR (1) | KR100275254B1 (ja) |
TW (1) | TW375785B (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3455092B2 (ja) * | 1997-10-27 | 2003-10-06 | 株式会社新川 | 半導体装置及びワイヤボンディング方法 |
JP3377748B2 (ja) * | 1998-06-25 | 2003-02-17 | 株式会社新川 | ワイヤボンディング方法 |
US6391759B1 (en) * | 2000-04-27 | 2002-05-21 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Bonding method which prevents wire sweep and the wire structure thereof |
JP2004172477A (ja) * | 2002-11-21 | 2004-06-17 | Kaijo Corp | ワイヤループ形状、そのワイヤループ形状を備えた半導体装置、ワイヤボンディング方法及び半導体製造装置 |
US7314157B2 (en) * | 2004-08-13 | 2008-01-01 | Asm Technology Singapore Pte Ltd | Wire bond with improved shear strength |
KR101133123B1 (ko) | 2005-03-25 | 2012-04-06 | 삼성테크윈 주식회사 | 와이어 본딩 방법 및 그에 의한 반도체 패키지 |
US8016182B2 (en) * | 2005-05-10 | 2011-09-13 | Kaijo Corporation | Wire loop, semiconductor device having same and wire bonding method |
US8063305B2 (en) * | 2007-04-02 | 2011-11-22 | Kulicke And Soffa Industries, Inc. | Method of forming bends in a wire loop |
JP5686912B1 (ja) * | 2014-02-20 | 2015-03-18 | 株式会社新川 | バンプ形成方法、バンプ形成装置及び半導体装置の製造方法 |
JP6519599B2 (ja) | 2017-01-27 | 2019-05-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP2018137342A (ja) * | 2017-02-22 | 2018-08-30 | 株式会社村田製作所 | 半導体装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6342135A (ja) * | 1986-08-08 | 1988-02-23 | Shinkawa Ltd | ワイヤボンデイング方法 |
JPS6352778A (ja) * | 1986-08-20 | 1988-03-05 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 高周波溶接装置の高周波電圧測定方法 |
JPH04273135A (ja) * | 1991-02-27 | 1992-09-29 | Shinkawa Ltd | ワイヤボンデイング方法 |
JP2883463B2 (ja) * | 1991-04-17 | 1999-04-19 | 株式会社東芝 | ワイヤボンディング装置 |
JPH0560657A (ja) * | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Nippon Seiko Kk | 複列玉軸受の外輪軌道のピツチを測定する装置 |
US5205463A (en) * | 1992-06-05 | 1993-04-27 | Kulicke And Soffa Investments, Inc. | Method of making constant clearance flat link fine wire interconnections |
-
1997
- 1997-03-06 JP JP06928897A patent/JP3400287B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-12-10 KR KR1019970067579A patent/KR100275254B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-02-13 TW TW087101975A patent/TW375785B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-03-05 US US09/035,608 patent/US6036080A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW375785B (en) | 1999-12-01 |
US6036080A (en) | 2000-03-14 |
KR100275254B1 (ko) | 2001-01-15 |
JPH10256297A (ja) | 1998-09-25 |
KR19980079523A (ko) | 1998-11-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7262124B2 (en) | Wire loop, semiconductor device having same, wire bonding method and wire bonding apparatus | |
JP3189115B2 (ja) | 半導体装置及びワイヤボンディング方法 | |
US7815095B2 (en) | Wire loop, semiconductor device having same and wire bonding method | |
JP3455092B2 (ja) | 半導体装置及びワイヤボンディング方法 | |
JP3400287B2 (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
JP2000114304A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
JP3370539B2 (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
JP3333413B2 (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
JP2004282015A (ja) | ワイヤボンディング機を用いて半導体相互接続のためのバンプを形成する方法及び装置 | |
JP3377747B2 (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
JP2814151B2 (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
US6182885B1 (en) | Wire bonding method | |
JP3049515B2 (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
JP3377748B2 (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
US6595400B2 (en) | Wire bonding apparatus | |
JP3522123B2 (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
US7510958B2 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device including a bump forming process | |
JP3128718B2 (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
US6270000B1 (en) | Wire bonding method | |
JPH05211192A (ja) | 半導体装置のワイヤボンディング方法 | |
US5207786A (en) | Wire bonding method | |
JPH07147296A (ja) | ワイヤーボンディング方法及びその装置 | |
JPH0126531B2 (ja) | ||
JPH03263842A (ja) | ワイヤボンディング方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20030130 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090221 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100221 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110221 Year of fee payment: 8 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |