JP3398331B2

JP3398331B2 - 温度補償型水晶発振器の製造方法

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Publication number: JP3398331B2
Application number: JP24427798A
Authority: JP
Inventors: 英文畠中
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1998-08-31
Filing date: 1998-08-31
Publication date: 2003-04-21
Anticipated expiration: 2018-08-31
Also published as: JP2000077941A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は例えば移動体通信機
器等に用いられる温度補償型水晶発振器の製造方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】水晶発振器は、移動体通信機器等に送受
信を制御する基準周波数を発生させる非常に重要な部品
である。このような移動体通信機器等に用いられる水晶
発振器は、移動体通信機器の小型化に伴い、容積を非常
に小型化しなくてはならない。

【０００３】また、周囲の温度が激しく変動する環境で
使用しても、周波数が安定化するようにしなくてはなら
ない。

【０００４】このため、後述の要求に対しては、水晶振
動子の固有温度周波数特性（例えばＡＴカット厚み滑り
水晶振動子の場合には、３次の曲線で示される温度周波
数特性を有する）を、周囲の温度に対して周波数が平坦
化するための温度補償が行われている。

【０００５】この温度補償を、小型で且つ高性能に行う
ために、発振インバータをはじめ、少なくとも、所定温
度に対する温度補償データを記憶させるメモリ機能、電
圧変換機能、バリキャップダイオード機能、制御機能が
集積化されたＩＣチップを用いて、周囲の温度に対して
変動してしまう水晶振動子の発振周波数を、温度補償デ
ータに基づいて動作するバリキャップダイオードの容量
値を所定値に設定して、発振器全体としての発振周波数
を平坦化していた。

【０００６】このような小型化及び高精度の温度補償を
達成する温度補償型水晶発振器としては、特開平１０−
２８０２４号に示すような温度補償型水晶発振器が提案
されていた。この温度補償型水晶発振器は、単板状基板
の底面に開口形状が矩形状の枠状脚部とから成り、底面
に開口が矩形状で凹部状のキャビティー部を有した容器
体を用いていた。そして、容器体の表面に水晶振動子
を、容器体のキャビティー部内に制御回路を夫々振り分
けて実装していた。

【０００７】図７〜９は、その従来の温度補償型水晶発
振器を示す図である。

【０００８】従来の温度補償型水晶発振器は、容器体５
１、矩形状の水晶振動子５２、発振制御用回路を構成す
るＩＣチップ５３及び金属製蓋体５４とから主に構成さ
れている。

【０００９】この温度補償型水晶発振器では、単板状の
セラミック基板５５に、単板状のセラミック基板５５の
底面周囲に形成した開口形状が矩形状の枠状脚部５６を
一体的に形成した容器体５１を用いていた。これによ
り、容器体５１の底面にキャビティー部５７が形成され
る。

【００１０】容器体５１の表面とキャビティー部５７の
底面を仕切る単板状のセラミック基板５５には、表面側
とキャビティー部５７とを導通するビアホール導体５８
が形成されており、その表面には金属製蓋体５４を封止
するための封止導体パターン５９が形成されている。ま
た、キャビティー部５７の底面には、ＩＣ電極パッドを
含む所定配線パターン６０が形成されている。さらに、
枠状脚部５６の底面の例えば一対の長辺側端辺に、夫々
２つの外部端子電極６１〜６４が形成されている。ま
た、容器体１の一対の短辺の端面には底面にまで延びる
複数の凹み部を形成し、この凹み部の内壁面に温度補償
データ書き込み端子電極６５〜６８が形成されている。

【００１１】そして、この容器体１の表面側に、水晶振
動子支持台６９、７０を介して短冊状の水晶振動子５２
が導電性接着材７１、７２で導電的接合し、さらに、水
晶振動子５２を気密的に封止するために封止用導体パタ
ーン５９を用いて概略皿状の金属製蓋体５４を一体的に
接合していた。

【００１２】また、キャビティー部５７には、ＩＣチッ
プ５３が実装されている。このＩＣチップ５３は、ＩＣ
電極パッドとバンプまたはボンディングワイヤを介して
接続されている。さらに、キャビティー部５７内には充
填樹脂７３が充填・硬化されている。これにより、ＩＣ
チップ５３が完全に被覆され、耐湿性を向上させてい
る。

【００１３】上述の構造において、容器体５１の表面に
実装した水晶振動子５２は、ビアホール導体５８、５８
を介してＩＣチップ５３と接続して、ＩＣチップ５３は
所定配線パターン６０・・・を介して外部端子電極６１
〜６４、温度補償データ書き込み端子電極６５〜６８に
接続されている。

【００１４】上述の温度補償型水晶発振器では、ＩＣチ
ップ５３に書き込むための書き込み端子電極６５〜６８
が、容器体５１の一対の側面に形成されている。しか
し、実際には、書き込み端子電極６５〜６８は、容器体
５１の側面から底面にかけて形成されている。

【００１５】このような構造の水晶発振器は、以下の工
程によって製造される。

【００１６】まず、容器体５１、水晶振動子５２、ＩＣ
チップ５３などを用意する。

【００１７】次に、容器体５１の表面の支持台６９、７
０に水晶振動子５２を実装し、金属製蓋体５４によっ
て、水晶振動子５２を気密的に封止する。例えば、容器
体５１の上面に予めシールリングを周設しておき、金属
製蓋体５４を載置し、シーム接合する。

【００１８】次に、容器体５１の下部側キャビティー部
５７内に、ＩＣチップ５３を実装する。具体的には、Ｉ
Ｃチップ５３はキャビティー部５７の底面に接合され、
ＩＣチップ５３とＩＣ電極パッドを含む所定配線パター
ン６０とをＡｕワイヤを介してボンディング接続する。

【００１９】次に、キャビティー部５７内に充填樹脂７
３を充填・硬化する。

【００２０】その後、容器体５１の外表に導出された書
き込み端子電極６５〜６８を用いて所定温度補償データ
をＩＣチップ５３に書き込み処理を行う。

【００２１】

【発明が解決しようとする課題】上述の温度補償型水晶
発振器では、容器体５１のセラミック基板５５によっ
て、水晶振動子５２とＩＣチップ５３とを仕切るように
分離されており、夫々別個に実装されている。

【００２２】しかし、先に実装した水晶振動子５２の発
振特性が温度補償回路によって制御できない特性を有し
ていたり、発振不良があった場合には、容器体５１の底
面のキャビティー部５７内にＩＣチップ５３を実装し
て、外部端子電極６１〜６４を用いて測定して、初めて
水晶振動子５２の不具合状態が判別できる。

【００２３】従って、仮に水晶振動子５２が不具合であ
った場合、容器体５１に実装した水晶振動子５２及びＩ
Ｃチップ５３毎廃棄しなくてはならず、非常にコスト的
に不利であった。

【００２４】また、水晶振動子５２を容器体５１に実装
した後、水晶振動子５２の発振特性を測定するためのモ
ニタ電極パッドを、容器体５１の外表面に形成しておく
ことも考えられる。しかし、最終的な温度補償型水晶発
振器においては、このモニタ電極パッドがプリント配線
基板に実装された後に、容器体５１の外表面に露出され
ていると、外部からの不要な電気ノイズが加わらないよ
うに処理しなくてはならないという問題がある。

【００２５】本発明は上述の問題点に鑑みて案出された
ものであり、その目的は、容器体に実装した水晶振動子
の特性を測定でき、且つ安定した所定発振が可能であ
り、しかも、ＩＣチップの無駄を省き、且つＩＣチップ
の安定した動作が可能で小型化な温度補償型水晶発振器
の製造方法を提供するものである。

【００２６】

【課題を解決するための手段】第１の発明は、下面にキ
ャビティー部を有し、上面に水晶振動子が実装される電
極パッドを、該キャビティー部の内表面にモニタ電極パ
ッドを設けた容器体を準備する工程と、前記容器体の上
面に水晶振動子を実装するとともに、該水晶振動子を前
記モニタ電極パッドに接続する工程と、前記モニタ電極
パッドを用いて前記水晶振動子の発振特性を測定しつ
つ、必要に応じて発振特性の調整を行う工程と、前記水
晶振動子を熱エージングする工程と、前記水晶振動子を
蓋体で気密封止する蓋体を被覆する工程と、前記キャビ
ティー部内にＩＣチップを収容する工程と、前記ＩＣチ
ップに前記水晶振動子の温度補償を行うための温度補償
データを書き込む工程とから成ることを特徴とする温度
補償型水晶発振器の製造方法である。

【００２７】また、好ましくは、前記容器体の側面に
は、ＩＣチップと接続し、温度補償データを書き込むた
めのＩＣ制御端子電極が形成されている温度補償型水晶
発振器の製造方法である。

【００２８】

【作用】本発明では、下面にキャビティー部が形成され
た容器体の上面側に水晶振動子が、キャビティー部内に
ＩＣチップが夫々実装されている。即ち、容器体の厚み
方向に水晶振動子とＩＣチップとが配置されているた
め、プリント配線基板上での実装面積を小さくすること
ができる小型な温度補償水晶発振器となる。

【００２９】しかも、水晶振動子、ＩＣチップが互いに
異なる収容領域に別々に配置されているため、水晶振動
子を長期にわたり安定した収容環境で維持できるので、
水晶振動子の発振動作の安定化が可能となる。

【００３０】また、容器体の上面に実装した水晶振動子
の発振特性を測定するモニタ電極パッドが、キャビティ
ー部の内表面に形成されている。従って、モニタ電極パ
ッドが容器体の外表面に露出していないため、プリント
配線基板に温度補償型水晶発振器を実装した後に、外部
からの不要な電気ノイズや電気的な衝撃が加わらないこ
とからも水晶振動子の安定した動作が維持できる。

【００３１】また、モニタ電極パッドを用いて容器体に
実装した水晶振動子単独の発振特性を、ＩＣチップの実
装前に測定することができる。これにより、ＩＣチップ
の実装前に水晶振動子の周波数の測定や調整が容易に行
え、且つ温度補償データによって補償し易い水晶振動子
の発振特性とすることができる。

【００３２】尚、水晶振動子の実装にあたり、調整した
周波数の安定化のために、熱エージング工程を実施する
ものの、この熱エージング工程をＩＣチップの実装前で
行える。これによって、ＩＣチップにとって熱エージン
グ工程による不要な熱印加がないため、安定したＩＣチ
ップの動作が可能になる。

【００３３】また、水晶振動子の不具合によって、容器
体全体の廃棄を余儀なくされても、ＩＣチップが未実装
状態であるため、ＩＣチップの無駄な消費、その後の無
駄な製造工程を実施する必要がなくなる。

【００３４】その製造方法は、まず、容器体の上面に水
晶振動子を実装し、水晶振動子の周波数調整を行い、周
波数安定化の熱エージング工程を行っている。そして、
水晶振動子の封止を行った後、ＩＣチップを初めてキャ
ビティー部内に実装している。

【００３５】即ち、水晶振動子の実装に必要な熱処理工
程が終了したのちに、ＩＣチップが実装されるため、Ｉ
Ｃチップにかかる熱履歴回数を減少することができる。

【００３６】このため、ＩＣチップの動作信頼性を高め
ることができる。また、同時にＩＣチップの電極と接続
部材（バンプやワイヤ）などの接合面で発生するカーゲ
ンダールボイド現象を有効に抑えることもできるため、
ＩＣチップの接合状態も安定し、これによっても、ＩＣ
チップの安定した動作が可能となる。

【００３７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の温度補償型水晶発
振器の製造方法を図面に基づいて詳説する。

【００３８】図１は本発明にかかる温度補償型水晶発振
器の断面図であり、図２は側面図であり、図３は蓋体を
省略した状態の上面図であり、図４は充填樹脂を省略し
た状態の下面図である。図５は、内部配線パターンを示
す概略平面図である。尚、図１は、図３のＸ−Ｘ線断面
を示している。

【００３９】本発明にかかる温度補償型水晶発振器は、
上面（以下、表面という）が平坦で且つ下面（以下、底
面という）側に凹部状キャビティー部が形成された概略
直方体状の容器体１、矩形状の水晶振動子２、制御回路
を構成するＩＣチップ３及び２つの電子部品素子４、
５、金属製蓋体６及び充填樹脂７とから主に構成されて
いる。

【００４０】容器体１は、複数の略矩形状のセラミック
絶縁層１ａ、１ｂ、異形状の開口を有する概略枠状セラ
ミック絶縁層１ｃ、１ｄが一体的に積層されて構成され
ている。このセラミック絶縁層１ａ、１ｂによって、水
晶振動子２とＩＣチップ３、電子部品素子４、５とを仕
切る仕切部８となり、また、セラミック絶縁層１ｃ、１
ｄによって枠状脚部９となる。この枠状脚部９によっ
て、仕切部８の底面に、該底面と枠状脚部９とに囲まれ
た凹部状のキャビティー部１０が構成される。

【００４１】そして、容器体１の底面の４つの隅部に
は、各々外部端子電極１１〜１４が形成されている。ま
た、容器体１の一対の長辺側側面には、ＩＣチップ３に
必要な温度補償データや制御のため各種情報を書き込む
ための複数のＩＣ制御端子電極１５〜１８が形成されて
いる。

【００４２】容器体１の表面、即ち、仕切部８の表面に
は、その外周を取り囲むように封止用導体パターン１９
が形成されており、また、容器体１表面の長手方向の一
端部寄りに水晶振動子２と接続するための水晶振動子用
電極パッド２０、２１が並設されている。また、上述の
水晶振動子用電極パッド２０、２１上には水晶振動子２
を容器体１の表面との間に所定間隔を形成するための接
続用バンプ２２、２３が形成されている。尚、本発明で
は、接続用バンプ２２、２３を含めて水晶振動子２が実
装される電極パッドとしている。

【００４３】また、容器体１表面の長手方向の他端部寄
りに、水晶振動子２の他方端部側を支持する保持用バン
プ２４が形成されている。

【００４４】また、セラミック絶縁層１ａには、水晶振
動子用電極パッド２０、２１と接続する２つのビアホー
ル導体２５、２６（尚、２６は図では省略する）が形成
され、セラミック絶縁層１ｂには、キャビティー部１０
の底面に導出する第２のビアホール導体２７、２８が形
成され、さらに、セラミック絶縁層１ａと１ｂとの層間
には両ビアホール導体２５と２７、２６と２８とを接続
する内部配線パターン２９、３０が形成されている。

【００４５】また、セラミック絶縁層１ｂの底面側主面
には、ＩＣチップ３と上述のＩＣ制御端子電極１５〜１
８とを接続し、また、ＩＣチップ３と電子部品素子４、
５とを接続し、さらにＩＣチップ３、電子部品素子４、
５と外部端子電極１１〜１４と接続する各種配線パター
ン３１・・・が形成されている。尚、キャビティー部１
０の底面領域に各種配線パターン３１の一部を構成する
ＩＣ電極パッド３２・・・、素子電極パッド３３・・・
が形成されている。尚、第２のビアホール導体２７、２
８は、直接または所定配線パターン３１を介して、ＩＣ
チップ３の入力電極に接続するが、同時に、キャビティ
ー部１０の底面にはモニタ電極パッド３４、３５が形成
されている。

【００４６】以上のように、容器体１の内部には、一方
端が表面に、他端がキャビティー部１０内に導出される
ビアホール導体２５、内部配線パターン２９、ビアホー
ル導体２７及びビアホール導体２６、内部配線パターン
３０、ビアホール導体２８からなる導電経路が形成され
ることになる。

【００４７】尚、外部端子電極１１〜１４の構造につい
ては、容器体１の底面の４隅部に形成した平面部１１ａ
〜１４ａと、セラミック絶縁層１ｃ、１ｄの４つの角部
を厚み方向に概略１/４円形状の切り欠いた凹部の内壁
に形成した端面部１１ｂ〜１４ｂとから構成されてい
る。また、グランド電位の外部端子電極１３は、容器体
１の表面に形成した封止用導体パターン１９と接続し、
金属製蓋体６にシールド効果を達成させている。このた
め、グランド電位の外部端子電極１３に関しては図のよ
うにセラミック絶縁層１ａ〜１ｄの全てを貫通するビア
ホール導体及び配線パターンによって、封止用導体パタ
ーン１９と接続したり、また、外部端子電極１３の端面
部１３ｂを容器体１の表面にまで延出して、封止用導体
パターン１９と接続したりする。

【００４８】また、ＩＣ制御端子電極１５〜１８は、セ
ラミック絶縁層１ａ、１ｄには形成されておらず、セラ
ミック絶縁層１ａ、１ｄに挟まれた中間層、例えばセラ
ミック絶縁層１ｂ、１ｃ部分の長辺の端面に形成されて
いる。従って、図２に示すように、ＩＣ制御端子電極１
５〜１８（図２では１５、１６）は、容器体１の側面で
底面及び表面に接することが一切なく形成されている。
これは、容器体１の表面側においては表面側に形成され
た封止用導体パターン１９との短絡を避け、また、容器
体１の底面側においてはプリント配線基板に半田接合し
た時、プリント配線基板の配線パターンと短絡を避ける
ためである。さらに、ＩＣ制御端子電極１５〜１８は、
セラミック絶縁層１ｂ、１ｃの長辺側端面に凹み部を形
成して、この凹み部の内壁面に形成されていることが望
ましい。これにより、外部要因、例えば、温度補償型水
晶発振器をプリント配線基板上に搬送する場合の搬送手
段などがＩＣ制御端子電極１５〜１８に接触し、ＩＣチ
ップ３に書き込まれた温度補償データが変動し、温度補
償動作に誤動作が発生しないようにしている。

【００４９】上述の容器体１は、セラミック絶縁層１ａ
〜１ｄとなるセラミックグリーンシートを用いて形成す
る。具体的には、絶縁層１ａとなる矩形状セラミックグ
リーンシートに例えば第１ビアホール導体２５、２６と
なる貫通孔を形成し、モリブデンやタングステンなどの
高融点金属ペーストで貫通孔を充填する。同時に、表面
に水晶振動子用電極パッド２０、２１となる導体膜、バ
ンプ２２〜２４となる導体膜、封止用導体パターン１９
となる導体膜を上述の導電性ペーストの印刷により形成
する。

【００５０】また、絶縁層１ｂとなる矩形状セラミック
グリーンシートに第２ビアホール導体２７、２８となる
貫通孔及びＩＣ制御端子電極１５〜１８が形成される凹
み部を形成し、上述の高融点金属ペーストで該貫通孔を
充填し、該凹み部の内壁面に導体膜を形成する。同時
に、このグリーンシートのキャビティー部１０の底面と
なる面に、ＩＣ電極パッド３２、素子電極パッド３３、
モニタ電極パッド３４、３５及びＩＣ電極パッド３２、
素子電極パッド３３と各端子電極１１〜１８とを接続し
所定回路網を構成する各種配線パターン３１となる導体
膜を形成する。

【００５１】また、セラミック絶縁層１ａ又はセラミッ
ク絶縁層１ｂとなるグリーンシートのいずれかに、その
接合面に、第１のビアホール導体２５、２６と第２のビ
アホール導体２７、２８とを接続する内部配線パターン
２９、３０となる導体膜を、上述の高融点金属ペースト
の印刷により形成する。

【００５２】また、セラミック絶縁層１ｃとなる異形状
の開口を有する枠状セラミックグリーンシートに、外部
端子電極の端面部１１ｂ〜１４ｂ及びＩＣ制御端子電極
１５〜１８となる凹み部を形成し、その凹み部の内壁表
面を上述の高融点金属ペーストで外部端子電極の端面部
１１ｂ〜１４ｂ及びＩＣ制御端子電極１５〜１８となる
導体膜を形成する。

【００５３】また、セラミック絶縁層１ｄとなる異形状
の開口を有する枠状セラミックグリーンシートに、外部
端子電極１１〜１４の端面部１１ｂ〜１４ｂとなる凹み
部を形成し、その凹み部の内壁表面を上述の高融点金属
ペーストで外部端子電極１１〜１４の端面部１１ｂ〜１
４ｂとなる導体膜を形成する。同時に、このグリーンシ
ートの底面となる面の四隅部に概略矩形状の外部端子電
極１１〜１４の平面部１１ａ〜１４ａとなる導体膜を形
成する。尚、概略矩形状の平面部１１ａ〜１４ａは、４
つの隅部の凹み部に形成される端面部１１ｂ〜１４ｂに
導通するように延出されて形成されている。

【００５４】次に、このような各グリーンシートを積層
・圧着した後、焼成処理を行う。特に、容器体１の表面
に水晶振動子２を実装し、キャビティー部１０にＩＣチ
ップ３を実装するため、両面の平坦度が重要である。圧
着工程においては、容器体１の表面を基準面としてプレ
スを行うが、キャビティー部１０の底面領域にも均一な
圧力でプレスを行うために、例えばキャビティー部１０
に補助充填部材を充填したり、また、プレス先端面が平
坦な上パンチが凸状の治具でプレスを行ったり、セラミ
ック絶縁層１ａ、１ｂとセラミック絶縁層１ｃ、１ｄと
を分けてプレスを行い、その後両者をプレスにより圧着
を行う。

【００５５】次に、容器体１の表面に露出する外部端子
電極１１〜１４、ＩＣ制御端子電極１５〜１８、封止用
導体パターン１９、水晶振動子用電極パッド２０、２
１、IＣ電極パッド３２・・・、素子電極パッド３３・
・・、モニタ電極パッド３４、３５、各種配線パターン
３１、バンプ２２〜２４上にＮｉメッキ、フラッシュ金
メッキなどを施して、容器体１が達成される。

【００５６】これにより、容器体１の内部に形成される
ビアホール導体２５〜２８及び配線パターン２９、３１
は、モリブデンやタングステンなどの高融点金属導体か
らなり、容器体１の表面に露出される各電極１１〜１
８、封止用導体パターン１９、各電極パッド２０、２
１、３２・・・、３３・・・、モニタ電極パッド３４、
３５及び各種配線パターン３１は、高融点金属導体上に
Ｎｉ層、金層の多層構造となる。

【００５７】尚、グランド電位となる外部端子電極１３
と封止用導体パターン１９との接続構造によって、例え
ば、セラミック絶縁層１ａ〜１ｄを貫くビアホール導体
及び内部配線パターンを、上述のビアホール導体形成及
び配線パターン形成時に同時に形成したり、また、例え
ばセラミック絶縁層１ａ、１ｂの１つの角部のみにも、
凹み部を形成し、端面部１３ｂを延出させるよう導体膜
を形成すればよい。これは、グランド電位に限らず、例
えば大きな電流が流れ得るＶＣＣの端子電極、例えば１
１において、所定配線パターン３１に接続させるにあた
り、セラミック絶縁層１ｃ、１ｄの１つの角部のみなら
ず、枠状脚部９内にビアホール導体を形成して、互いに
接続させるようにしてもよい。

【００５８】また、容器体１の表面において、水晶振動
子用電極パッド２０、２１上に接続用バンプ２２、２
３、他方端部側に保持用バンプ２４を、導電性ペースト
の重ね印刷により形成したが、Ａｇ粉末を含む導電性ペ
ーストの塗布・焼き付けやＡｇ粉末を含む樹脂ペースト
の塗布・硬化などにより形成してもよい。また、接続用
バンプ２２、２３を所定高さとするために複数回の塗布
を行えばよい。好ましくは、容器体１の表面から接続用
バンプ２２、２３の頂点部分までの高さは、例えば１５
〜２０μｍであり、保持用バンプ２４の頂点部分までの
高さは、接続用バンプ２２、２３よりも例えば５〜１０
μｍ程度低い値となっている。

【００５９】さらに、封止用導体パターン１９上に、概
略矩形状の金属枠体であるシールリング３６を接合す
る。シールリング３６は４２アロイ、コバール、リン青
銅などからなり封止用導体パターン１９の形状に対応す
る構造となっている。このシールリング３６は封止用導
体パターン１９にろう付けによって接合されている。

【００６０】上述のような容器体１の表面には、水晶振
動子２が配置されている。水晶振動子２は、所定カッ
ト、例えばＡＴカットされた矩形状の水晶板２ａの両主
面に形成された振動電極２ｂ、２ｃ、該振動電極２ｂ、
２ｃから一方他端部に延出された島状の引出電極部２
ｄ、２ｅとから構成されている。尚、図３において下面
側の振動電極２ｃ及び引出電極２ｅは点線で示す。この
引出電極２ｄ、２ｅは、水晶振動子用電極パッド２０、
２１と導電性接着材２ｆ、２ｇを介して接続するもので
ある。

【００６１】また、振動電極２ｂ、２ｃ及び引出電極２
ｄ、２ｅは、水晶板２ａの両面に下地としてＣｒやＮ
ｉ、表面層としてＡｇやＡｕなどの導電性材料の蒸着、
スパッタリングなどの薄膜技法により被着形成する。

【００６２】容器体１の表面側に実装された水晶振動子
２は金属製蓋体６によって気密的に封止されている。金
属製蓋体６は、コバールや４２アロイなどの金属材料か
らなり、例えば０．１ｍｍの厚みであり、容器体１の表
面の封止用導体パターン１９にろう付けされた枠状のシ
ールリング３６と密接するように溶接・接合される。
尚、金属製蓋体６の外表面側主面にはＮｉ、アルミニウ
ム等を被着する。これは、溶接時にろう材が融け表面側
主面に回り込まないようにして、安定かつ強固な溶接・
接合できるようにするものである。

【００６３】容器体１のキャビティー部１０の底面に
は、発振を制御する制御回路を構成するＩＣチップ３が
実装されている。ＩＣチップ３は、例えば３次の曲線で
示される固有温度周波数特性による水晶振動子２の周波
数変動を、常温を含む広い温度範囲で平坦化するように
制御して発振出力するものである。具体的には、シリコ
ンチップに周知のＰＮドープにより、発振回路を構成す
る発振インバータ、負荷容量成分、帰還抵抗に加え、水
晶振動子２の固有温度周波数特性を平坦化するために必
要な温度補償データを記憶するメモリ部、周囲の温度検
知する感温センサ部、バリキャップダイオード、所定温
度補償データに基づいて所定電圧に変換してバリキャッ
プダイオードに供給するＤＡ変換手段、外部から書き込
まれる信号をメモリ部に保持するＡＤ変換手段、これら
の動作を制御するプロセッサー部などから構成されてい
る。

【００６４】このようなＩＣチップ３には、例えば、電
源電圧が供給されるＶＣＣ端子、グランド電位となるＧ
ＮＤ端子、水晶振動子２と接続される水晶接続端子、発
振出力を行うＯＵＴ端子、外部から周波数の調整を可能
とするＶＣＯＮ端子、補償データ書き込みのために用い
る例えば４つのデータ書き込み制御端子とを有してい
る。

【００６５】ＩＣチップ３のＶＣＣ端子（電源部）は、
所定ＩＣ電極パッド３２、所定配線パターン３１を介し
て外部端子電極１１に導出されている。また、ＯＵＴ端
子は、所定ＩＣ電極パッド３２、所定配線パターン３１
を介して外部端子電極１２に導出されている。

【００６６】また、ＧＮＤ端子（一種の電源部）は、所
定ＩＣ電極パッド３２、所定配線パターン３１を介して
外部端子電極１３に導出されている。ＶＣＯＮ端子は所
定ＩＣ電極パッド３２、所定配線パターン３１を介して
外部端子電極１４に導出されている。また、２つの水晶
接続端子は、所定ＩＣパッド３２、所定配線パターン３
１やモニタ電極３４(３５)、第２のビアホール導体２
７、２８、内部配線パターン２９、３０、第１のビアホ
ール導体２５、２６からなる導電経路を介して容器体１
の表面の電極パッド２０、２１に各々導出されている。
さらに、４つのデータ書き込み制御端子は、所定ＩＣ電
極パッド３２、所定配線パターン３１を介して各々ＩＣ
制御端子電極１５〜１８に導出されている。

【００６７】これらの各端子は例えばＩＣチップ３の実
装面上にアルミ電極として形成されている。尚、各アル
ミ電極上に金や半田などのバンプを形成しておき、上述
のＩＣ電極パッド３２・・・に超音波ボンディングや導
電性フィラーを用いたボンディングなどによって接合及
び接続される。尚、ＩＣチップ６の上面側に各アルミ電
極を形成し、例えばボンディングワイヤを介してＩＣ電
極パッド３２・・・に接続しても構わないが、キャビテ
ィー部１０の形状が大きくならないよう留意する必要が
ある。

【００６８】電子部品素子４、５は、例えばチップ状コ
ンデンサである。例えば、電子部品素子４、５は、一対
の素子電極パッド３３、３３間に、Ａｇ粉末を含む導電
性樹脂接着材を介して接合される。

【００６９】電子部品素子４であるコンデンサは、ＩＣ
チップ３とＯＵＴとなる外部端子電極１２との間で、一
方がグランド電位となるように接続される。これは、出
力信号中にノイズとなる直流成分を除去するものであ
る。

【００７０】また、電子部品素子５であるコンデンサ
は、ＩＣチップ３とVＣＣとなる外部端子電極１１との
間に接続され、VＣＣとなる外部端子電極１１に供給さ
れる電源電圧に重畳する高周波ノイズを除去するもので
ある。

【００７１】そして、キャビティー部１０内には、この
ＩＣチップ３と２つ電子部品素子４、５とがキャビティ
ー部１０の形状に応じて、最も実装スペースを最小にす
るように並設されている。

【００７２】例えば、図４に示すよう、例えば、平面形
状がＩＣチップ３の容器体１の短辺の幅の中心軸上に、
平面形状の小さい電子部品素子４、５が並設されてい
る。即ち、図中、電子部品素子４、ＩＣチップ３、電子
部品素子５の順に配置され、電子部品素子４、ＩＣチッ
プ３、電子部品素子５の全体の配置形状が概略十字形状
となっている。

【００７３】しかも、キャビティー部１０の平面開口
（底面）形状は、電子部品素子４、ＩＣチップ３、電子
部品素子５の全体の配置構造に略相似関係の概略十字形
状となっている。

【００７４】例えば、キャビティー部１０は、矩形状の
中心部１０ｅから各辺に向かって、且つ、容器体１の４
つの隅部に形成された外部端子電極１１〜１４の隣接し
あう領域間に延出する張出部１０ａ〜１０ｄが形成され
ており、これにより、概略十字形状となっている。そし
て、張出部１０ａに電子部品素子５が、張出部１０ｃに
電子部品素子４が主に配置されている。中央部１０ｅ及
び張出部１０ｂ、１０ｄ部分にＩＣチップ３が配置され
ている。即ち、キャビティー部１０は外部端子電極１１
〜１４の配置箇所を避けて、キャビティー部１０に配置
するＩＣチップ３及び電子部品素子４、５の配置形状を
考慮して、最も小型化及び外部端子電極１１〜１４の接
合強度の維持が可能な形状となっている。

【００７５】また、キャビティー部１０には、上述のＩ
Ｃチップ３、電子部品素子４、５を強固に接合させ、ま
た、耐湿信頼性を向上させるために、充填樹脂７が充填
形成されている。充填樹脂７は、例えば、少なくとも２
種類の充填樹脂から成り、例えばキャビティー部１０底
面側に主に充填・硬化される樹脂層７ａと、該樹脂層７
ａ上に充填・硬化される樹脂層７ｂである。具体的に、
キャビティー部１０の底面側に充填・硬化される収縮率
が比較的大きい樹脂材料で構成される。一般にアンダー
フィル樹脂と言われるエポキシ樹脂などの樹脂成分が多
い材料である。この樹脂層７ａは、少なくともＩＣチッ
プ３の上面を完全に被覆する程度に充填・硬化されてい
る。

【００７６】即ち、ＩＣチップ３、電子部品素子４、５
とキャビティー部１０の底面との間に充填された樹脂層
７ａの収縮によって発生する応力によって、両者の接合
強度が向上する。しかも、ＩＣチップ３を完全に覆うよ
うに形成された樹脂層７ａの収縮によって発生する応力
が、ＩＣチップ３に向かって発生する。これにより、応
力がＩＣチップ３の上面側からキャビティー部１０の底
面側に押しつけるように働き、キャビティー部１０の底
面に接合したＩＣチップ３の接合強度が向上する。

【００７７】また、樹脂層７ｂは、収縮応力の大きい樹
脂層７ａによって、ＩＣチップ３や電子部品素子４、５
を被覆する樹脂層７ａの膜厚が薄くなってしまい、その
結果、耐湿性などが充分に得られないという問題を解消
するために充填・硬化されるものである。これにより、
キャビティー部１０内に実装したＩＣチップ３や電子部
品素子４、５の接合強度が向上し、また、耐湿性信頼性
が向上する。

【００７８】尚、充填樹脂７は、キャビティー部１０の
開口面から突出させないようにする。

【００７９】これは、温度補償型水晶発振器を安定して
プリント配線基板に配置するためである。

【００８０】本発明において、容器体１の底面側にキャ
ビティー部１０が形成されており、この容器体１の表面
に水晶振動子２が実装されており、容器体１の底面のキ
ャビティー部１０にＩＣチップ３が実装されている。
尚、このキャビティー部１０には、同時に電子部品素子
４、５が配置されている。

【００８１】即ち、水晶振動子２は、容器体１の表面
と、シールリング３６と金属製蓋体６とに囲まれた気密
領域に単独に配置され、ＩＣチップ３は容器体１のキャ
ビティー部１０内の領域とに実装されており、両者が全
く異なる領域に配置されている。

【００８２】従って、水晶振動子２の動作環境が、経時
的に変動しないため、水晶振動子２の安定的な動作が図
れる。

【００８３】また、水晶振動子２とＩＣチップ３とが容
器体１の仕切り部８を介して、装置の厚み方向に積層さ
れて配置されているため、温度補償型水晶発振器のプリ
ント配線基板への実装面積も小さくなる。

【００８４】また、キャビティー部１０の内部に、実装
された水晶振動子２に、第１のビアホール導体２５、２
６、内部配線パターン２９、３０、第２のビアホール導
体２７、２８の導電経路を介して接続されるモニタ電極
パッド３４、３５が形成されている。

【００８５】即ち、容器体１の外表面にモニタ電極パッ
ド３４、３５が露出することがない。これにより、プリ
ント配線基板上に温度補償型水晶発振器を接合した後
に、外部からの不要な電気ノイズや電気的な衝撃、浮遊
容量などが加わらないため、水晶振動子２の安定した動
作が維持できる。しかも、図４、図５に示すように、Ｉ
Ｃチップ３によって、モニタ電極パッド３４、３５が隠
蔽されておれば、ＩＣチップ３の本体が実質的にグラン
ド電位化されていることから、プリント配線基板とモニ
タ電極パッド３４、３５に発生する浮遊容量を遮断する
ことができるため、例えば、充填樹脂７の外表面にシー
ルド電極が不要となり、プリント配線基板上の配線パタ
ーンの引き回し設計が自由に行えることにもなる。

【００８６】また、モニタ電極パッド３４、３５を用い
て容器体１に実装した水晶振動子２単独の発振特性を、
ＩＣチップ３の実装前に測定することができる。これに
より、水晶振動子２の周波数変動の調整が容易に行え、
特に、温度補償データによって補償し易い水晶振動子２
の発振特性とすることができる。

【００８７】また、水晶振動子２の発振不具合によっ
て、容器体１全体を廃棄しなくてはならない場合でも、
ＩＣチップ３が容器体１に未実装状態であるため、ＩＣ
チップ３を無駄にすることがない。これにより、全体と
して安価な温度補償型水晶発振器となる。

【００８８】また、ＩＣチップ３の動作に関して、水晶
振動子２の調整した周波数の安定化のために、熱エージ
ング工程を実施するものの、この熱エージング工程で
は、ＩＣチップの実装する必要がない。これは、上述の
ように、水晶振動子２の発振特性を測定するモニタ電極
パッド３４、３５がキャビティー部１０内に延出されて
いるためである。従って、ＩＣチップ３への熱エージン
グ工程などの不要な熱印加がないため、安定したＩＣチ
ップの動作が可能になる。

【００８９】次に、上述の温度補償型水晶発振器の組立
方法を図６の工程図を用いて説明する。

【００９０】まず、図６の（ａ）工程である容器体１を
形成する。詳細な構造及びその形成方法については、上
述した通りである。尚、容器体１の表面には、シールリ
ング３６がろう付けなどにより接合しておいても構わな
い。

【００９１】同時に、図６の（ｂ）工程である水晶振動
子２の選別工程を行う。即ち、水晶振動子２はカット角
の微小な変動により周波数特性が大きく変化してしま
う。従って、ＩＣチップ３によって温度補償が可能な水
晶振動子、周波数のバラツキによるランク分けなどが行
われる。

【００９２】次に、図６の（ｃ）工程である選別されて
所定特性を満足する良品の水晶振動子２を容器体１表面
に実装する。具体的には、容器体１の表面の水晶振動子
用電極パッド２０、２１上に形成した接続用バンプ２
２、２３と、水晶振動子２の引出電極部２ｄ、２ｅとが
合致するように位置決め載置し、引出電極部２ｄ、２ｅ
と電極パッド２０、２１とをＡｇ等の導電性接着材２
ｆ、２ｇを用いて両者を接合する。尚、水晶振動子５の
他端側の下面は、保持用バンプ２４上に載置されて接合
が行われるが、この時、導電性接着材の硬化時に収縮応
力が働き、水晶振動子２の他端側先端を持ち上がり、容
器体１の表面との間に、接続用バンプ２２、２３の高さ
に相当する間隙が形成されることになる。

【００９３】これにより、水晶振動子２の振動電極２
ｂ、２ｃは、電極パッド２０、２１、第１のビアホール
導体２５、２６、内部配線パターン２９、３０及び第２
ビアホール導体２７、２８を介して、キャビティー部１
０の底面に形成した所定配線パターン３１及びモニタ電
極パッド３４、３５に導出されることになる。

【００９４】次に、図６の（ｄ）工程である水晶振動子
２の周波数の測定を行う。具体的には、キャビティー部
１０の底面に形成されたモニタ電極パッド３４、３５に
周波数測定装置の測定用端子（プローブ）を接触させ、
水晶振動子２を所定発振させて、周波数を測定する。

【００９５】次に、図６の（ｅ）工程である水晶振動子
２の周波数の調整を行う。具体的には、容器体１に接合
された水晶振動子２の上面側の振動電極２ｂ上に、Ａｇ
などの金属の蒸着を行い、実質的に振動電極２ｂの質量
を変動させて発振周波数の調整を行う。この時、周波数
を調整して、ＩＣチップ３で温度補償が行い易いよう、
例えば、常温での周波数が、要求される周波数に設定し
たりする。これにより、ＩＣチップ３の温度補償動作の
信頼が向上する。また、補償データの情報量が非常に小
さくて済み、このデータを記憶するメモリ部の小容量化
によりＩＣチップ３の小型化、低コストに有利である。

【００９６】尚、蒸着装置の構造次第で、図６の(ｄ)工
程である水晶振動子２の周波数の測定と（ｅ）工程であ
る水晶振動子２の周波数の調整を同時に行うこともでき
る。

【００９７】次に、図６の（ｆ）工程である水晶振動子
２の周波数特性の安定化を行う。具体的には、水晶振動
子２が接合した容器体１全体を、１５０〜２５０℃で熱
処理を行う。この熱処理を一般に熱エージングという。
この熱エージングにより、振動電極２ｂ上に被着した周
波数調整用の蒸着物を安定化させる。これにより、水晶
振動子２の周波数特性が安定化する。また、水晶振動子
２を接合する導電性ペーストなどに含まれている溶剤な
どの不純物を揮発させる。これは、水晶振動子２を収容
する環境が経時的に変動しないようにするためであり、
長期にわたり水晶振動子２の所定発振動作の安定化が図
れる。

【００９８】この工程では、金属製蓋体６が被覆される
前に行われる。これは、不純物を水晶振動子２の収納領
域から外部に完全に揮発させるためである。また、ＩＣ
チップ３がキャビティー部１０に実装される前に行われ
る。これは、ＩＣチップ３の動作信頼性を低下させる原
因である熱印加の回数を減少させるためである。これに
より、ＩＣチップ３も同時に動作信頼性が向上する。

【００９９】次に、図６の（ｇ）工程である金属製蓋体
６による水晶振動子２の被覆を行う。

【０１００】具体的には、容器体１の表面に周設したシ
ールリング３６上に、金属製蓋体６を載置し、金属製蓋
体６の周囲をシーム溶接用のローラー電極（図示せず）
で、溶接電流を印加しながら接触移動させて両者を溶接
する。この時、容器体１表面、シールリング３６及び金
属製蓋体６によって囲まれる水晶振動子２の収容領域が
所定雰囲気になるようにする。また、その後、必要に応
じて熱エージング処理を再度行う。これは、先の熱エー
ジング工程からこの工程にかけて、収容領域内の不純物
などが侵入してしまうことが考えられ、このような不純
物などを金属製蓋体６の内表面に付着固定されて、収容
領域が所定雰囲気に保たれるようにするためである。

【０１０１】また、この工程が終了したのち、気密領域
に収容された水晶振動子２の最終的な発振特性を、キャ
ビティー部１０の底面に形成したモニタ電極パッド３
４、３５で測定しておくことが望ましい。これは最終工
程の温度補償データを書き込むにあたり、書き込むべき
データの判断材料とするためである。

【０１０２】次に、図６の（ｈ）の工程であるＩＣチッ
プ３の前処理を行う。この前処理とは、ＩＣチップ３の
接合方法によっては省略できる。本実施では、ＩＣチッ
プ３をバンプを介してキャビティー部１０底面のＩＣ電
極パッド３２・・・に接合するため、この工程でバンプ
を形成する。例えば、ＩＣチップ３の実装面の各入出力
部のアルミ電極上に、Ａｕワイヤなどを用いてＡｕバン
プを形成しておく。

【０１０３】尚、アルミ電極上Ａｕバンプを形成した状
態で、高い熱印加を施すと、ＡｌとＡｕの拡散スピード
の差によりカーゲンダールボイド現象が発生し、Ａｌと
Ａｕとの接合界面における接続強度が低下するが、上術
のように、熱エージング工程または熱エージング処理を
既に完了しているため、このような問題が起こらない。

【０１０４】次に、図６の（ｉ）工程であるＩＣチップ
３をキャビティー部１０内に実装を行う。尚、同時に電
子部品素子４、５の実装も行う。

【０１０５】ＩＣチップ３の実装は、ＩＣチップ３に形
成した各Ａｕバンプと各ＩＣ電極パッド３２・・・とが
合致するように、ＩＣチップ３を位置決め載置し、その
後、ＩＣチップ３に超音波などを印加して互いに融着さ
せる。

【０１０６】また、電子部品素子４、５の接合は、素子
電極パッド３３・・・・にＡｇ粉末などを含む導電性樹
脂ペーストを塗布し、電子部品素子４、５を載置し、導
電性樹脂ペーストをキュアー処理して硬化する。

【０１０７】このキュアー処理時の熱をＩＣチップ３に
印加させたくない場合には、電子部品素子４、５を実装
した後、ＩＣチップ３を実装すればよい。

【０１０８】次に、図６の(j)工程であるキャビティー
部１０内に充填樹脂７を充填・硬化する。

【０１０９】具体的には、ＩＣチップ３や電子部品素子
４、５の全体を一般にアンダーフィルと言われる樹脂材
料で完全に覆い硬化し樹脂層７ａを形成し、続いてこの
樹脂層７ａ上に耐湿性に優れたエポキシ樹脂を充填・硬
化して樹脂層７ｂを形成する。

【０１１０】この工程により、１バンプあたり６０ｇ重
程度の強度しかない接合強度が、このアンダーフィルを
特にＩＣチップ３の上面にまで被覆されるように形成す
ることにより、飛躍的に向上する。

【０１１１】次に図(６)の（ｋ）の工程であるＩＣチッ
プ３へのデータ書き込み工程である。

【０１１２】書き込むデータとは、容器体１の表面に実
装されている水晶振動子２の周波数特性に応じて、常温
を含む広い温度範囲で発振周波数を平坦化するデータ
と、必要に応じ、このデータを処理するプログラムなど
のデータである。

【０１１３】具体的には、容器体１側面の凹部の内壁に
形成されたＩＣ制御端子電極１５〜１８に、例えば、メ
モリーライタ装置のプローブを接触させて、所定データ
を書き込む。

【０１１４】尚、必要に応じて、書き込みによって記憶
された補償データに基づいて、温度変化による周波数補
償状態を確認し、再度修正が必要な場合、修正補償デー
タを書き込んでも構わない。

【０１１５】温度補償動作によっては、書き込むデータ
は異なり、例えば、所定温度における水晶振動子２の発
振周波数を、基準周波数からの変動量に応じて、バリキ
ャップダイオードの動作制御によって補正するためのデ
ータである。即ち、感温手段による周囲温度に基づい
て、周波数変位量を補正するために、バリキャップダイ
オードの容量を制御する電圧を適正化するデータであ
る。これにより、水晶振動子２が有する固有の温度周波
数特性は、常温を含む広い温度範囲で平坦化されること
になる。

【０１１６】上述の製造方法では、図６の（ａ）工程で
水晶振動子２を実装し、図６の(ｃ)〜（ｆ）の工程で水
晶振動子２の周波数測定、調整を行い、さらに、周波数
の安定化の熱エージング工程を行っている。その後、図
６の（ｇ）の工程で水晶振動子２の封止を行った後、図
６の（ｉ）工程で初めて、ＩＣチップ３をキャビティー
部１０内に収容・実装している。

【０１１７】従って、少なくともＩＣチップ３を実装す
る際には、水晶振動子２の発振周波数の特性の安定化な
どに必要な熱印加工程は終了しており、ＩＣチップ３に
かかる熱履歴回数を減少できる。これにより、ＩＣチッ
プ３の動作信頼性が向上する。

【０１１８】また、上述の実装順により、ＩＣチップ３
のアルミ電極とＡｕバンプとの接合部分で発生するカー
ゲンダールボイド現象の発生を抑えることができ、ＩＣ
チップ３の安定した動作及び強固な接合が達成できる。

【０１１９】また、キャビティー部１０の底面に形成し
たモニタ電極パッド３４、３５によって、容器体１に実
装した水晶振動子２の発振特性を、ＩＣチップ１０の実
装前であれば、各工程後においても測定することができ
る。各工程後の発振特性の結果次第、水晶振動子２のみ
を実装した状態で容器体１を廃棄できるため、ＩＣチッ
プ３の無駄な消費がなくなり、製造方法の全体をとおし
て無駄な作業がなくなり、全体的として、非常に安価な
製造方法となる。

【０１２０】また、温度補償に必要なデータを書き込む
際に、ＩＣチップ３が実装される前であって、容器体１
に実装された水晶振動子２の純粋な発振特性（周波数特
性）を、キャビティー部１０の底面に形成したモニタ電
極パッド３４、３５を用いて測定することができる。こ
のため、予め温度補償に必要とすされるデータを認識す
ることもでき、ＩＣチップ３が実装される後、ＩＣチッ
プ３に書き込まれる温度補償に必要なデータ書き込み工
程が非常に効率よく行えることになる。

【０１２１】尚、上述の実施例では、ＩＣチップ３を容
器体１のＩＣ電極パッド３２・・・に接続する方法とし
ては、バンプを用いた超音波融着でおこなっているが、
その他に導電性接着材を介在させて接続してもよい。ま
た、ＩＣチップ３の入出力部の形成位置を上面側にし
て、ボンディングワイヤを用いて接続してもよい。

【０１２２】この場合、充填樹脂７に、収縮率の大きい
樹脂を避けるべきである。これは、ワイヤが収縮応力に
よって倒れたりすることを防止するためである。即ち、
本実施例であっても、充分なキャビティー部１０内でＩ
Ｃチップ３を充分な強度で接合できるのであれば、あえ
て充填樹脂７を多層構造とせず、主に耐湿性を重視した
１種類の樹脂材料で充填樹脂を形成してもよい。

【０１２３】また、容器体１の仕切り部８を多層構造と
しているが、水晶振動子２の収納領域と、ＩＣチップ３
の収納領域（キャビティー部）との間のリークが完全に
防止できるのであれば、仕切り部８を単板上基板で構成
しても構わない。この場合には、ＩＣ制御端子電極１５
〜１８が容器体１の表面及び底面に隣接しないようにす
ることが重要であるため、枠状脚部９を多層構造とす
る。

【０１２４】

【発明の効果】本発明によれば、容器体の表面に水晶振
動子を実装し、底面側にＩＣチップを実装しているた
め、表面面積の小さい小型な温度補償水晶発振器とな
る。

【０１２５】また、水晶振動子とＩＣチップとを全く異
なる領域に収納することができるため、水晶振動子の発
振動作を長期にわたり安定させることができる。

【０１２６】また、水晶振動子の発振特性を測定するモ
ニタ電極パッドがキャビティー部の底面に形成され、容
器体の外表面に露出していない。このため、水晶振動子
が外部と遮断されることからも、外部要因による動作不
良は発生しない。

【０１２７】また、モニタ電極パッドを用いることによ
り、水晶振動子単独の発振特性を、ＩＣチップの実装前
に測定することができる。水晶振動子の周波数調整や温
度補償データの選択が非常に簡単になる。

【０１２８】水晶振動子の発振特性の不良を製造工程中
に簡単に検出できるため、ＩＣチップの無駄な消費、無
駄な製造工程の未実施により、安価な温度補償型水晶発
振器となる。

【０１２９】また、容器体の表面に水晶振動子を実装し
た後に、ＩＣチップを実装している。従って、水晶振動
子の実装に必要な熱処理が、ＩＣチップに印加されず、
ＩＣチップの動作信頼性や実装信頼性を高めることがで
きる。これによっても、ＩＣチップの安定した動作が可
能となる。

【０１３０】よって、小型で、且つ発振動作、ＩＣチッ
プによる温度補償動作が安定化し、安定した所定発振が
可能で、安価な温度補償型水晶発振器の製造方法とな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかる温度補償型水晶発振器の断面図
である。

【図２】本発明にかかる温度補償型水晶発振器の側面図
である。

【図３】本発明にかかる温度補償型水晶発振器の蓋体省
略した状態の上面図である。

【図４】本発明にかかる温度補償型水晶発振器の充填樹
脂を省略した下面図である。

【図５】内部配線パターンを示す概略平面図である。

【図６】製造工程を示す工程流れ図である。

【図７】従来の温度補償型水晶発振器の断面図である。

【図８】従来の温度補償型水晶発振器の省略した上面図
である。

【図９】従来の温度補償型水晶発振器の下面図である。

【符号の説明】

１・・容器体２・・水晶振動子３・・ＩＣチップ４、５・・電子部品素子６・・・金属製蓋体７・・・充填樹脂１０・・・キャビティー部１１〜１４・・・外部端子電極１５〜１８・・・ＩＣ制御端子電極

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H03B 5/32 H03H 3/02 H03H 9/02

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】下面にキャビティー部を有し、上面に水
晶振動子が実装される電極パッドを、該キャビティー部
の内表面にモニタ電極パッドを設けた容器体を準備する
工程と、前記容器体の上面に水晶振動子を実装するとともに、該
水晶振動子を前記モニタ電極パッドに接続する工程と、前記モニタ電極パッドを用いて前記水晶振動子の発振特
性を測定しつつ、必要に応じて発振特性の調整を行う工
程と、前記水晶振動子を熱エージングする工程と、前記水晶振動子を蓋体で気密封止する蓋体を被覆する工
程と、前記キャビティー部内にＩＣチップを収容する工程と、前記ＩＣチップに前記水晶振動子の温度補償を行うため
の温度補償データを書き込む工程とから成ることを特徴
とする温度補償型水晶発振器の製造方法。
【請求項２】前記容器体の側面には、ＩＣチップと接続
し且つ温度補償データを書き込むためのＩＣ制御端子電
極が形成されていることを特徴とする請求項１記載の温
度補償型水晶発振器の製造方法。