JP2008199147A - 圧電振動子の製造方法および圧電発振器の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】圧電振動片に励振電極を形成する電極形成工程と、前記圧電振動片を容器にマウントするマウント工程と、前記励振電極の質量を調整して圧電振動子の周波数を調整する第1の周波数調整工程と、前記第1の周波数調整工程の後で、前記圧電振動片がマウントされた前記容器を加熱放置する熱処理工程と、前記熱処理工程の後で、前記励振電極の質量を調整して圧電振動子の周波数を調整する第2の周波数調整工程と、前記容器を気密に封止する封止工程と、を有する。
【選択図】図2
Description
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、周波数の合せ込み精度を向上させる圧電振動子の製造方法および圧電発振器の製造方法を提供することにある。
このようにすれば、第1の周波数調整工程の後における熱処理工程で周波数がばらついても、第2の周波数調整工程において所望の値に調整することができ、かつ周波数のばらつきを少なくすることができる。
また、第2の周波数工程の後における封止工程の熱の影響は、熱処理工程の温度を適宜選ぶことで、その影響を小さくすることができ、封止工程後の周波数ばらつきを抑えることが可能である。
このようにして、周波数の合せ込み精度を向上させる圧電振動子の製造方法を提供することができる。
このことから、圧電振動子の製造における製造ライン構成の自由度を上げることができ、効率的な圧電振動子の製造方法を得ることができる。
このようにすれば、第1の周波数調整工程の後における熱処理工程で周波数がばらついても、第2の周波数調整工程において所望の値に調整することができ、かつ周波数のばらつきを少なくすることができる。
また、第2の周波数工程の後における封止工程の熱の影響は、熱処理工程の温度を適宜選ぶことで、その影響を小さくすることができ、封止工程後の周波数ばらつきを抑えることが可能である。
このようにして、周波数の合せ込み精度を向上させる圧電発振器の製造方法を提供することができる。
このことから、圧電発振器の製造における製造ライン構成の自由度を上げることができ、効率的な圧電発振器の製造方法を得ることができる。
(第1の実施形態)
図1は本実施形態に係る水晶振動子の構成を示す構成図であり、図1(a)は平面図、図1(b)は同図(a)のA−A断線に沿う断面図である。
水晶振動子1は、容器としてのセラミックパッケージ10に圧電振動片としての水晶振動片15が収納され、蓋体20によりセラミックパッケージ10内を気密に封止されている。
セラミックパッケージ10は、セラミックシートが積層されたセラミック基板11上に、コバールなどの金属からなるシームリング12が固着されている。セラミック基板11の一方の面には、接続パッド13が形成され他方の面に形成された外部接続端子14と接続されるように構成されている。
セラミックパッケージ10の上方には蓋体20が配置され、シームリング12と蓋体20とがN2などの不活性ガス雰囲気でシーム溶接され、セラミックパッケージ10内が気密に封止されている。
図2は水晶振動子の製造方法を説明する工程フローチャートである。図3、図4は各工程を示す模式工程説明図である。以下、図2の工程フローチャートの順を追い、図3、図4の模式工程説明図を参考にして説明する。
次に、マウント工程として、図3(b)に示すように、励振電極16が形成された水晶振動片15を、セラミックパッケージ10の接続パッド13に導電性接着剤17を介して固着してマウントする(ステップS11)。
続いて、第1の周波数調整工程として、図3(c)に示すように、水晶振動片15の励振電極16にイオンビームノズル23からイオンビームを照射して、励振電極16の一部を削り取ることで、質量を除去する。このことで、周波数を高くなる方向で周波数調整が行われ、所望の周波数の近傍まで加工が行われる(ステップS12)。
そして、第2の周波数調整工程として、図4(b)に示すように、水晶振動片15の励振電極16にイオンビームノズル23からイオンビームを照射して、励振電極16の一部を削り取ることで、質量を除去する。このことで、周波数を高くなる方向で周波数調整が行われ、所望の周波数まで加工が行われる(ステップS14)。
次に、封止工程として、図4(c)に示すように、N2雰囲気内にてセラミックパッケージ10の上方に蓋体20を配置し、電極ローラ24に電流を流して蓋体20とシームリング12とをシーム溶接する。このようにして、蓋体20によりセラミックパッケージ10内を気密に封止する(ステップS15)。
図5は各工程における周波数の推移の概要を説明する説明図である。
水晶振動片に励振電極を形成した状態(電極形成工程)では、周波数は所望の周波数より低く設定されており、マウント工程後の周波数は所望の周波数より低く、ばらつきが大きい。
そして、第1の周波数調整工程後の周波数は、イオンビームを照射して励振電極の一部を削り取ることで質量が除去され、周波数が高くなる。この第1の周波数調整工程では、所望の周波数より少し周波数が低くなる様に調整し、また、周波数のばらつきも小さくなる様に調整する。
続いて、熱処理工程後の周波数は、イオンビーム照射による励振電極および水晶振動片に蓄積された加工歪みやその他の応力が緩和されることで、周波数が少し高い方向に移動し、かつばらつきが増大する。
その後、第2の周波数調整工程後の周波数は、イオンビームを照射して励振電極の一部を削り取ることで質量が除去され、周波数が高くなる。ここでは、周波数の微調整が行われ、所望の周波数にばらつきなく合せ込まれる。
そして、封止後の周波数は、熱処理工程における温度を適宜選択することでほぼ第2の周波数調整工程後の周波数と同等に周波数が推移する。例えば、封入時のシーム溶接でかかる熱よりも高い温度で熱処理工程を処理することで、封止工程後の周波数がばらつくことを抑制することができる。
このようにすれば、第1の周波数調整工程の後における熱処理工程で周波数がばらついても、第2の周波数調整工程において所望の値に調整することができ、かつ周波数のばらつきを少なくすることができる。
また、第2の周波数工程の後における封止工程の熱の影響は、熱処理工程の温度を適宜選ぶことで、その影響を小さくすることができ、封止工程後の周波数ばらつきを抑えることが可能である。
このようにして、周波数の合せ込み精度を向上させる水晶振動子1の製造方法を提供することができる。
(第2の実施形態)
第1の実施形態で説明した、図2の水晶振動子の製造方法を説明する工程フローチャートおよび図3、図4の各工程を示す模式工程説明図は、本実施形態においても同じ工程であるため説明を省略する。ただし、図3(c)、図4(b)における、第1、第2の周波数調整工程において、蒸着ノズル25から金属蒸気が吐出して励振電極16にAuなどの金属膜を蒸着している。
図6は各工程における周波数の推移の概要を説明する説明図である。
水晶振動片に励振電極を形成した状態(電極形成工程)では、周波数は所望の周波数より高く設定されており、マウント工程後の周波数は所望の周波数より高く、ばらつきが大きい。
そして、第1の周波数調整工程後の周波数は、励振電極に金属膜を蒸着することで質量が付加され、周波数が低くなる。この第1の周波数調整工程では、所望の周波数より少し周波数が高くなる様に調整し、また、周波数のばらつきも小さくなる様に調整する。
続いて、熱処理工程後の周波数は、蒸着時の熱による励振電極および水晶振動片に蓄積された加工歪みやその他の応力が緩和されることで、周波数が少し高い方向に移動し、かつばらつきが増大する。
その後、第2の周波数調整工程後の周波数は、励振電極に金属膜を蒸着することで質量が付加され、周波数が低くなる。ここでは、周波数の微調整が行われ、所望の周波数にばらつきなく合せ込まれる。
そして、封止後の周波数は、熱処理工程における温度を適宜選択することでほぼ第2の周波数調整工程後の周波数と同等に周波数が推移する。例えば、封入時のシーム溶接でかかる熱よりも高い温度で熱処理工程を処理することで、封止工程後の周波数がばらつくことを抑制することができる。
また、第2の周波数工程の後における封止工程の熱の影響は、熱処理工程の温度を適宜選ぶことで、その影響を小さくすることができ、封止工程後の周波数ばらつきを抑えることが可能である。
このようにして、周波数の合せ込み精度を向上させる水晶振動子1の製造方法を提供することができる。
このように、周波数の調整方法において、周波数を高くする方向での調整、低くする方向での調整、および両者の組合せによる調整を可能とし、水晶振動子の製造における、製造ライン構成の自由度を上げることができ、効率的な水晶振動子1の製造方法を得ることができる。
(第3の実施形態)
図7は本実施形態に係る水晶発振器の構成を示す構成図であり、図7(a)は平面図、図7(b)は同図(a)のB−B断線に沿う断面図である。
水晶発振器2は、容器としてのセラミックパッケージ30に圧電振動片としての水晶振動片35および回路素子としての集積回路(IC)40が収納され、蓋体50によりセラミックパッケージ30内を気密に封止されている。
セラミックパッケージ30は、セラミックシートが積層されたセラミック基板31上に、コバールなどの金属からなるシームリング32が固着されている。セラミック基板31の凹部には接続パッド33が形成され、外周面に形成された外部接続端子38と接続されるように構成されている。
集積回路40には水晶振動片35を励振させる発振回路を含んでいる。この集積回路40はセラミックパッケージ30の凹部に固着され、集積回路40のAlパッド41とセラミックパッケージ30の接続パッド34がAuなどの金属ワイヤ42にて接続されている。
セラミックパッケージ30の上方には蓋体50が配置され、シームリング32と蓋体50とがN2などの不活性ガス雰囲気でシーム溶接され、セラミックパッケージ30内が気密に封止されている。
図8は水晶発振器の製造方法を説明する工程フローチャートである。図9、図10は各工程を示す模式工程説明図である。以下、図8の工程フローチャートの順を追い、図9、図10の模式工程説明図を参考にして説明する。
次に、マウント工程として、図9(b)に示すように、励振電極36が形成された水晶振動片35を、セラミックパッケージ30に導電性接着剤37を介してマウントする(ステップS21)。
その後、回路素子実装工程として、図9(c)に示すように、集積回路40をセラミックパッケージ30に固着し、Au線などの金属ワイヤ42にて実装する(ステップS22)。
続いて、第1の周波数調整工程として、図9(d)に示すように、水晶振動片35の励振電極36にイオンビームノズル43からイオンビームを照射して、励振電極36の一部を削り取ることで、質量を除去する。このことで、周波数を高くなる方向で周波数調整が行われ、所望の周波数の近傍まで加工が行われる(ステップS23)。
そして、第2の周波数調整工程として、図10(b)に示すように、水晶振動片35の励振電極36にイオンビームノズル43からイオンビームを照射して、励振電極36の一部を削り取ることで、質量を除去する。このことで、周波数を高くなる方向で周波数調整が行われ、所望の周波数まで加工が行われる(ステップS25)。
次に、封止工程として、図10(c)に示すように、N2雰囲気内にてセラミックパッケージ30の上方に蓋体50を配置し、電極ローラ44に電流を流して蓋体50とシームリング32とをシーム溶接する。このようにして、蓋体50によりセラミックパッケージ30内を気密に封止する(ステップS26)。
なお、第1、第2の周波数調整工程における励振電極の質量を除去する他の方法として、プラズマを照射する方法、微粒子をあてて励振電極を削り取る方法などを利用することができる。
図5において、水晶振動片に励振電極を形成した状態(電極形成工程)では、周波数は所望の周波数より低く設定されており、マウント工程後の周波数は所望の周波数より低く、ばらつきが大きい。
そして、第1の周波数調整工程後の周波数は、イオンビームを照射して励振電極の一部を削り取ることで質量が除去され、周波数が高くなる。この第1の周波数調整工程では、所望の周波数より少し周波数が低くなる様に調整され、また、周波数のばらつきも小さくなる様に調整される。
続いて、熱処理工程後の周波数は、イオンビーム照射による励振電極および水晶振動片に蓄積された加工歪みやその他の応力が緩和されることで、周波数が少し高い方向に移動し、かつばらつきが増大する。
その後、第2の周波数調整工程後の周波数は、イオンビームを照射して励振電極の一部を削り取ることで質量が除去され、周波数が高くなる。ここでは、周波数の微調整が行われ、所望の周波数にばらつきなく合せ込まれる。
そして、封止後の周波数は、熱処理工程における温度を適宜選択することでほぼ第2の周波数調整工程後の周波数と同等に周波数が推移する。例えば、封入時のシーム溶接でかかる熱よりも高い温度で熱処理工程を処理することで、封止工程後の周波数がばらつくことを抑制することができる。
このようにすれば、第1の周波数調整工程の後における熱処理工程で周波数がばらついても、第2の周波数調整工程において所望の値に調整することができ、かつ周波数のばらつきを少なくすることができる。
また、第2の周波数工程の後における封止工程の熱の影響は、熱処理工程の温度を適宜選ぶことで、その影響を小さくすることができ、封止工程後の周波数ばらつきを抑えることが可能である。
このようにして、周波数の合せ込み精度を向上させる水晶発振器2の製造方法を提供することができる。
(第4の実施形態)
第3の実施形態で説明した、図8の水晶振動子の製造方法を説明する工程フローチャートおよび図9、図10の各工程を示す模式工程説明図は、本実施形態においても同じ工程であるため説明を省略する。ただし、図9(d)、図10(b)における、第1、第2の周波数調整工程において、蒸着ノズル45から金属蒸気が吐出して励振電極36にAuなどの金属膜を蒸着している。
図6において、水晶振動片に励振電極を形成した状態(電極形成工程)では、周波数は所望の周波数より高く設定されており、マウント工程後の周波数は所望の周波数より高く、ばらつきが大きい。
そして、第1の周波数調整工程後の周波数は、励振電極に金属膜を蒸着することで質量が付加され、周波数が低くなる。この第1の周波数調整工程では、所望の周波数より少し周波数が高くなる様に調整され、また、周波数のばらつきも小さくなる様に調整される。
続いて、熱処理工程後の周波数は、蒸着時の熱による励振電極および水晶振動片に蓄積された加工歪みやその他の応力が緩和されることで、周波数が少し高い方向に移動し、かつばらつきが増大する。
その後、第2の周波数調整工程後の周波数は、励振電極に金属膜を蒸着することで質量が付加され、周波数が低くなる。ここでは、周波数の微調整が行われ、所望の周波数にばらつきなく合せ込まれる。
そして、封止後の周波数は、熱処理工程における温度を適宜選択することでほぼ第2の周波数調整工程後の周波数と同等に周波数が推移する。例えば、封入時のシーム溶接でかかる熱よりも高い温度で熱処理工程を処理することで、封止工程後の周波数がばらつくことを抑制することができる。
また、第2の周波数工程の後における封止工程の熱の影響は、熱処理工程の温度を適宜選ぶことで、その影響を小さくすることができ、封止工程後の周波数ばらつきを抑えることが可能である。
このようにして、周波数の合せ込み精度を向上させる水晶発振器2の製造方法を提供することができる。
このように、周波数の調整方法において、周波数を高くする方向での調整、低くする方向での調整、および両者の組合せによる調整を可能とし、水晶振動子の製造における、製造ライン構成の自由度を上げることができ、効率的な水晶発振器の製造方法を得ることができる。
Claims (4)
- 容器に圧電振動片を備えた圧電振動子の製造方法であって、
前記圧電振動片に励振電極を形成する電極形成工程と、
前記圧電振動片を前記容器にマウントするマウント工程と、
前記励振電極の質量を調整して前記圧電振動子の周波数を調整する第1の周波数調整工程と、
前記第1の周波数調整工程の後で、前記圧電振動片がマウントされた前記容器を加熱放置する熱処理工程と、
前記熱処理工程の後で、前記励振電極の質量を調整して前記圧電振動子の周波数を調整する第2の周波数調整工程と、
前記容器を気密に封止する封止工程と、
を有することを特徴とする圧電振動子の製造方法。 - 請求項1に記載の圧電振動子の製造方法において、
前記第1の周波数調整工程および前記第2の周波数調整工程が、前記励振電極に質量を付加する方法または前記励振電極の質量を除去する方法から選択される周波数調整方法にて行われる工程であることを特徴とする圧電振動子の製造方法。 - 容器に圧電振動片と回路素子とを備えた圧電発振器の製造方法であって、
前記圧電振動片に励振電極を形成する電極形成工程と、
前記圧電振動片を前記容器にマウントするマウント工程と、
前記回路素子を前記容器に実装する回路素子実装工程と、
前記励振電極の質量を調整して前記圧電発振器の周波数を調整する第1の周波数調整工程と、
前記第1の周波数調整工程の後で、前記圧電振動片および前記回路素子が配置された前記容器を加熱放置する熱処理工程と、
前記熱処理工程の後で、前記励振電極の質量を調整して前記圧電発振器の周波数を調整する第2の周波数調整工程と、
前記容器を気密に封止する封止工程と、
を有することを特徴とする圧電発振器の製造方法。 - 請求項3に記載の圧電発振器の製造方法において、
前記第1の周波数調整工程および前記第2の周波数調整工程が、前記励振電極に質量を付加する方法または前記励振電極の質量を除去する方法から選択される周波数調整方法にて行われる工程であることを特徴とする圧電発振器の製造方法。
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