JP3386043B2 - 弾性表面波デバイス - Google Patents
弾性表面波デバイスInfo
- Publication number
- JP3386043B2 JP3386043B2 JP2000241674A JP2000241674A JP3386043B2 JP 3386043 B2 JP3386043 B2 JP 3386043B2 JP 2000241674 A JP2000241674 A JP 2000241674A JP 2000241674 A JP2000241674 A JP 2000241674A JP 3386043 B2 JP3386043 B2 JP 3386043B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acoustic wave
- surface acoustic
- wave device
- package
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims description 110
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 7
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 27
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 208000024891 symptom Diseases 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders or supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1071—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the SAW device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
用いられる弾性表面波デバイスに関するものである。
からなる従来の弾性表面波デバイスについて説明する。
パッケージは、中空構造を有するパッケージ本体とパッ
ケージ本体の開口部を閉鎖する蓋とからなっている。パ
ッケージ本体は、基板と、基板上の周縁に設けた少なく
とも一つの枠体からなる構造を有している。基板にはア
ース電極と信号電極とが形成されるとともに、ほぼ中心
部に弾性表面波素子が固定され、弾性表面波素子の電極
とアース電極および信号電極とがそれぞれ金属ワイヤに
より電気的に接続されている。
の辺の中点付近を結ぶように形成され、弾性表面波素子
の底面と接している。またアース電極は、パッケージの
外側面とパッケージ底面とにわたって連続して設けられ
ている。このアース電極により、弾性表面波素子などか
ら発生する不要な電磁波を吸収している。また、信号電
極は、基板の他方の相対する2つの辺の中点付近からそ
れぞれ弾性表面波素子方向に延び、パッケージの外側面
とパッケージ底面とにわたって連続して設けられてい
る。信号電極は、また基板上の弾性表面波素子付近でア
ース電極と接しないように弾性表面波素子から一定の距
離を保っている。この信号電極により、外部からの信号
を弾性表面波素子に入力し、弾性表面波素子からの信号
を外部に出力することができる。
に、枠体の上面には蓋が設けられている。蓋と枠体との
接合は、絶縁性接着剤や熱により融解させたガラスなど
の絶縁性接合材を用いて接合されている。そして、この
絶縁性接合材の底面、すなわち枠体の上面の全部または
一部には、Auなどのメタライズ電極が設けられており
アース電極と導通している。このことで、弾性表面波素
子および信号電極から発生する不要な電磁波を吸収させ
る効果を得ることができ、パッケージ内部を電気的にシ
ールドしている。
接合材として用いられる絶縁性接着剤またはガラスと、
メタライズ電極に用いられるAuは、接合面どうしの密
着性が悪く、隙間ができてパッケージの気密性が保てな
いことがあり、また、この隙間に水分(湿気)が浸入す
ると弾性表面波素子に悪影響を及ぼす可能性があった。
一方、メタライズ電極を設けないと電気的なシールドが
十分に行えず、弾性表面波デバイスの特性の悪化するこ
とがあった。
題を解決するために提供されるものであり、蓋と枠体と
の接合にガラスまたは絶縁性樹脂などの絶縁体接合材を
用いたとき、パッケージのシールドを十分に行うことが
でき、また、蓋が隙間なくパッケージに接合できる弾性
表面波デバイスを提供することを目的としている。
に、本発明の請求項1にかかる弾性表面波デバイスは、
弾性表面波素子と弾性表面波素子を収納したパッケージ
とからなり、パッケージは、中空構造を有するパッケー
ジ本体と、パッケージ本体の上面に設けられ、パッケー
ジ本体の開口部を閉鎖する蓋と、パッケージ外部から入
力される信号と弾性表面波素子から出力される信号とを
伝達する信号電極と、パッケージ内部に発生する不要な
電磁波をアースするために設けられたアース電極とを有
し、パッケージ本体と蓋とが絶縁性接合材によって接合
されている弾性表面波デバイスにおいて、信号電極より
上部で、かつ信号電極と絶縁性接合材とに接しないパッ
ケージ本体の所定の位置にメタライズ電極を設け、メタ
ライズ電極がアース電極と導通していることを特徴とす
る弾性表面波デバイスである。
によれば、絶縁性接合材が接合する面がメタライズ電極
でなくなるため、十分な接合強度を得ることができる。
そのため、水分(湿気)のパッケージ内部への浸入を防
ぐことができる。また、信号電極より上部で、かつ信号
電極と絶縁性接合材とに接しないパッケージ本体の所定
の位置に設けられ、アース電極と導通しているメタライ
ズ電極が、不要な電磁波を吸収しアースするので、パッ
ケージ内部を十分にシールドすることができる。
イスは、弾性表面波素子と弾性表面波素子を収納したパ
ッケージとからなり、パッケージは、絶縁材料からなり
中空構造を有するパッケージ本体と、パッケージ本体の
上面に設けられ、パッケージ本体の開口部を閉鎖する絶
縁材料からなる蓋と、パッケージ外部から入力される信
号と弾性表面波素子から出力される信号とを伝達する信
号電極と、パッケージ内部に発生する不要な電磁波をア
ースするために設けられたアース電極とを有し、パッケ
ージ本体と蓋とが熱圧着によって接合されている弾性表
面波デバイスにおいて、信号電極より上部で、かつ信号
電極と蓋とに接しないパッケージ本体の所定の位置にメ
タライズ電極を設け、メタライズ電極がアース電極と導
通していることを特徴とする弾性表面波デバイスであ
る。
によれば、絶縁材料からなる蓋とパッケージ本体とが熱
圧着された弾性表面波デバイスの場合でも、請求項1の
弾性表面波デバイスと同様に、パッケージ内部を十分に
シールドすることができる。
スの実施例について、図1から図17を用いて説明す
る。図1(a),(b)および図2(a),(b)はそ
れぞれ本発明における弾性表面波デバイスの第1の実施
例を示す図である。図1(a)は、弾性表面波デバイス
1を示す斜視図であり、図1(b)は、その弾性表面波
デバイス1を分解して示す分解斜視図である。また、図
2(a)は、図1(a)におけるA−A’間の断面図で
あり、図2(b)は、図1(a)におけるB−B’間の
断面図である。
2と、例えば絶縁樹脂またはセラミックスなどからな
り、内部に弾性表面波素子2を収納したパッケージ3と
で構成されている。パッケージ3は中空構造を有するパ
ッケージ本体と、パッケージ本体の開口部を閉鎖する蓋
8からなっている。パッケージ本体は、本実施例では、
アルミナなどからなる基板10と、基板10上の周縁に
設けられた上面視ロの字型の一つまたは複数の枠体4か
らなっている。
子2が例えば、導電性接着剤(図示せず)で固定されて
いる。また、弾性表面波素子2の電極(図示せず)は、
金属ワイヤ9による公知のワイヤボンディングなどの手
段で、アース電極5と信号電極6とに電気的に接続して
いる。
されている基板10の表面の一方の相対する2つの辺の
中点付近をそれぞれ結ぶように形成され、弾性表面波素
子2の底面と接している。さらにアース電極5は、基板
10の外側面と基板10の底面とにわたって連続して設
けられている。このアース電極5により、弾性表面波素
子2から発生する不要な電磁波を吸収し、アースしてい
る。
する2つの辺の中点付近からそれぞれ弾性表面波方向に
延び、さらに基板10の外側面と基板10の底面とにわ
たって連続して設けられている。信号電極6は、また、
基板10上の弾性表面波素子2付近でアース電極5と接
しないように弾性表面波素子2から一定の距離を保って
いる。この信号電極6により、弾性表面波素子2または
外部からの信号を入出力し、互いに伝達することができ
る。
体下部4bの2層になっている。基板10と枠体下部4
bとの間には、アース電極5と信号電極6が弾性表面波
素子2側からそれぞれ基板10の外側面に向かって延び
ており、さらに、それぞれが外側面を経由して基板10
の底面まで延びている。これは、弾性表面波デバイス1
を実装したときに容易に実装した回路と導通がとれるよ
うにするためである。
には、Auなどからなるメタライズ電極7が設けられて
いる。このメタライズ電極7は、基板10の外側面から
さらに、パッケージ3の上部に向かって延びたアース電
極5と接しており、メタライズ電極7をアースできるよ
うにしている。こうすることで、不要な電磁波がアース
電極5に吸収され、アースされることで、パッケージ3
内部が電気的にシールドされる。
さは同じである必要はなく、例えば枠体下部4bの方が
弾性表面波素子2方向に若干突出していてもよい。
部を閉鎖するために設けられた、例えば絶縁樹脂または
セラミックスなどからなる蓋8が設けられている。蓋8
と枠体4との接合は、例えば、絶縁性接着剤や熱により
融解させたガラスなどの絶縁性接合材15を用いて接合
されている。具体的には絶縁性接合材15が枠体4の上
面の全面にわたり形成されている。
る枠体上部4aと枠体下部4bとの間に、メタライズ電
極7が基板10に平行に1つ設けられているが、これに
限るものではなく、メタライズ電極7が信号電極6より
上部で、かつ信号電極6と絶縁性接合材15とに接しな
い位置に設けられ、かつアース電極5と接していれば、
メタライズ電極7の位置および数は任意である。
にわたって設けられる必要はなく、アース電極5と接し
ていれば一部が途切れていてもかまわない。また、この
第1実施例では、基板の周縁に枠体4を設けたが、その
数は任意であり、例えば、1つであってもよい。また、
枠体4を、基板10と一体化させた1つの部品として構
成しても全く問題ない。
極パターンも上記の構成に限るものではなく、さまざま
な状況に応じて、発明の主旨の範囲で変更がなされる。
(a)のA−A’間に相当する部分の縦断面図であり、
(b)が図1(a)のB−B’間に相当する部分の縦断
面図である第1の実施例にかかる弾性表面波デバイス1
の変形実施例を示しており、例えば、図3,図11に示
すように、一つの枠体の内部にメタライズ電極を基板と
平行または垂直にして埋め込んだり、図3から図5,図
7,図8に示すように、アース電極5が枠体4の内側面
または枠体4の内部に設けられたスルーホール(図示せ
ず)から上方向に延びてメタライズ電極7と導通した
り、図6から図8に示すように、基板10と平行にメタ
ライズ電極7を複数設けたり、あるいは、図9から図1
3に示すように、基板10と垂直にメタライズ電極7を
1つまたは複数設けたり、あるいは、図14,図15に
示すように、基板10に平行なメタライズ電極7と垂直
なメタライズ電極7とを組み合わせてアース電極5に接
続したりすることができる。
ディングによりアース電極5および信号電極6との導通
を図ったが、これに限るものではなく、図1(a)にお
けるA−A’間に相当する部分の縦断面図である図16
(a)および図1(a)におけるB−B’間に相当する
部分の縦断面図である図16(b)に示すように、弾性
表面波素子2の底面とアース電極5および弾性表面波素
子2の底面と信号電極6との間に金属バンプ20を形成
して、弾性表面波素子2とアース電極5および信号電極
6との電気的導通を図る、いわゆる公知のフェイスダウ
ンボンディングなどの手段を用いてもよい。
接合した本発明の第2の実施例にかかる弾性表面波デバ
イス11を示す縦断面図であり、図17(a)が、図1
(a)における弾性表面波デバイスのA−A’間に相当
する部分の縦断面図であり、図17(b)が、図1
(a)における弾性表面波デバイスのB−B’間に相当
する部分の縦断面図である。なお、各部分の構成要素
は、第1の実施例の弾性表面波デバイス1とほぼ同様で
あるため、共通する部分は同一の符号を付与し、説明を
省略する。
および枠体4がともに絶縁樹脂からなる場合、絶縁性接
合材15を用いずに熱圧着により接合を行ってもよい。
なお、図17では、図1,図2に示したパッケージ3を
熱圧着した構成となっているが、これに限定されるもの
ではなく、上記第1の実施例で記載されている内容に準
じて、メタライズ電極7の位置および数、枠体4の数、
およびボンディング方法などの変更が可能である。
合材が接合する面がメタライズ電極でなくなるため、十
分な接合強度を得ることができる。そのため、水分(湿
気)のパッケージ内部への浸入を防ぐことができる。ま
た、信号電極より上部で、かつ信号電極と絶縁性接合材
とに接しないパッケージ本体の所定の位置に設けられ、
アース電極に導通したメタライズ電極が不要な電磁波を
吸収しアースするので、パッケージ内部を十分にシール
ドすることができる。
蓋とパッケージ本体とが熱圧着された弾性表面波デバイ
スの場合でも、パッケージ内部を十分にシールドするこ
とができる。
イスを示す斜視図 (b)は第1の実施例にかかる弾性表面波デバイスを示
す分解斜視図
イスを示す図1(a)におけるA−A’間の縦断面図 (b)は第1の実施例にかかる弾性表面波デバイスを示
す図1(a)におけるB−B’間の縦断面図
イスの変形実施例を示す縦断面図 (b)は第1の実施例にかかる弾性表面波デバイスの変
形実施例を示す縦断面図
イスの変形実施例を示す縦断面図 (b)は第1の実施例にかかる弾性表面波デバイスの変
形実施例を示す縦断面図
イスの変形実施例を示す縦断面図 (b)は第1の実施例にかかる弾性表面波デバイスの変
形実施例を示す縦断面図
イスの変形実施例を示す縦断面図 (b)は第1の実施例にかかる弾性表面波デバイスの変
形実施例を示す縦断面図
イスの変形実施例を示す縦断面図 (b)は第1の実施例にかかる弾性表面波デバイスの変
形実施例を示す縦断面図
イスの変形実施例を示す縦断面図 (b)は第1の実施例にかかる弾性表面波デバイスの変
形実施例を示す縦断面図
イスの変形実施例を示す縦断面図 (b)は第1の実施例にかかる弾性表面波デバイスの変
形実施例を示す縦断面図
バイスの変形実施例を示す縦断面図 (b)は第1の実施例にかかる弾性表面波デバイスの変
形実施例を示す縦断面図
バイスの変形実施例を示す縦断面図 (b)は第1の実施例にかかる弾性表面波デバイスの変
形実施例を示す縦断面図
バイスの変形実施例を示す縦断面図 (b)は第1の実施例にかかる弾性表面波デバイスの変
形実施例を示す縦断面図
バイスの変形実施例を示す縦断面図 (b)は第1の実施例にかかる弾性表面波デバイスの変
形実施例を示す縦断面図
バイスの変形実施例を示す縦断面図 (b)は第1の実施例にかかる弾性表面波デバイスの変
形実施例を示す縦断面図
バイスの変形実施例を示す縦断面図 (b)は第1の実施例にかかる弾性表面波デバイスの変
形実施例を示す縦断面図
バイスの変形実施例を示す縦断面図 (b)は第1の実施例にかかる弾性表面波デバイスの変
形実施例を示す縦断面図
バイスを示す縦断面図 (b)は第2の実施例にかかる弾性表面波デバイスを示
す縦断面図
Claims (2)
- 【請求項1】弾性表面波素子と該弾性表面波素子を収納
したパッケージとからなり、 前記パッケージは、中空構造を有するパッケージ本体
と、該パッケージ本体の上面に設けられ、該パッケージ
本体の開口部を閉鎖する蓋と、前記パッケージ外部から
入力される信号と前記弾性表面波素子から出力される信
号とを伝達する信号電極と、前記パッケージ内部に発生
する不要な電磁波をアースするために設けられたアース
電極とを有し、前記パッケージ本体と前記蓋とが絶縁性
接合材によって接合されている弾性表面波デバイスにお
いて、 前記信号電極より上部で、かつ前記信号電極と前記絶縁
性接合材とに接しない前記パッケージ本体の所定の位置
にメタライズ電極を設け、該メタライズ電極が前記アー
ス電極と導通していることを特徴とする弾性表面波デバ
イス。 - 【請求項2】弾性表面波素子と該弾性表面波素子を収納
したパッケージとからなり、 前記パッケージは、絶縁材料からなり中空構造を有する
パッケージ本体と、該パッケージ本体の上面に設けら
れ、該パッケージ本体の開口部を閉鎖する絶縁材料から
なる蓋と、前記パッケージ外部から入力される信号と前
記弾性表面波素子から出力される信号とを伝達する信号
電極と、前記パッケージ内部に発生する不要な電磁波を
アースするために設けられたアース電極とを有し、前記
パッケージ本体と前記蓋とが熱圧着によって接合されて
いる弾性表面波デバイスにおいて、 前記信号電極より上部で、かつ前記信号電極と前記蓋と
に接しない前記パッケージ本体の所定の位置にメタライ
ズ電極を設け、該メタライズ電極が前記アース電極と導
通していることを特徴とする弾性表面波デバイス。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000241674A JP3386043B2 (ja) | 2000-08-09 | 2000-08-09 | 弾性表面波デバイス |
US09/917,993 US6664709B2 (en) | 2000-08-09 | 2001-07-30 | Surface acoustic wave device |
CNB011249765A CN1179410C (zh) | 2000-08-09 | 2001-08-09 | 表面声波器件 |
DE10139166A DE10139166B4 (de) | 2000-08-09 | 2001-08-09 | Oberflächenwellenbauelement |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000241674A JP3386043B2 (ja) | 2000-08-09 | 2000-08-09 | 弾性表面波デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002057548A JP2002057548A (ja) | 2002-02-22 |
JP3386043B2 true JP3386043B2 (ja) | 2003-03-10 |
Family
ID=18732833
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000241674A Expired - Fee Related JP3386043B2 (ja) | 2000-08-09 | 2000-08-09 | 弾性表面波デバイス |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6664709B2 (ja) |
JP (1) | JP3386043B2 (ja) |
CN (1) | CN1179410C (ja) |
DE (1) | DE10139166B4 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7434305B2 (en) | 2000-11-28 | 2008-10-14 | Knowles Electronics, Llc. | Method of manufacturing a microphone |
US8629005B1 (en) | 2000-11-28 | 2014-01-14 | Knowles Electronics, Llc | Methods of manufacture of bottom port surface mount silicon condenser microphone packages |
KR100398364B1 (ko) * | 2001-05-24 | 2003-09-19 | 삼성전기주식회사 | 수정진동자의 제조방법 및 그로부터 제조된 수정진동자 |
US6756619B2 (en) | 2002-08-26 | 2004-06-29 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor constructions |
JP2007158039A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Epson Toyocom Corp | 電子部品 |
JP5048471B2 (ja) * | 2007-12-05 | 2012-10-17 | セイコーインスツル株式会社 | パッケージの製造方法、パッケージ、電子デバイス、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計 |
CN103999484B (zh) | 2011-11-04 | 2017-06-30 | 美商楼氏电子有限公司 | 作为声学设备中的屏障的嵌入式电介质和制造方法 |
US9078063B2 (en) | 2012-08-10 | 2015-07-07 | Knowles Electronics, Llc | Microphone assembly with barrier to prevent contaminant infiltration |
US9794661B2 (en) | 2015-08-07 | 2017-10-17 | Knowles Electronics, Llc | Ingress protection for reducing particle infiltration into acoustic chamber of a MEMS microphone package |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3766616A (en) * | 1972-03-22 | 1973-10-23 | Statek Corp | Microresonator packaging and tuning |
US3931388A (en) * | 1974-05-31 | 1976-01-06 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Crystal resonator housing configurations |
US4354133A (en) * | 1980-08-29 | 1982-10-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Hermetically sealed container |
US5162822A (en) * | 1988-10-31 | 1992-11-10 | Hitachi, Ltd. | Saw filter chip mounted on a substrate with shielded conductors on opposite surfaces |
JPH04170811A (ja) * | 1990-11-05 | 1992-06-18 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波デバイス |
US5459368A (en) * | 1993-08-06 | 1995-10-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave device mounted module |
US5939817A (en) * | 1994-09-22 | 1999-08-17 | Nippon Electric Co | Surface acoustic wave device |
JP3301262B2 (ja) * | 1995-03-28 | 2002-07-15 | 松下電器産業株式会社 | 弾性表面波装置 |
JPH08288790A (ja) * | 1995-04-10 | 1996-11-01 | Fujitsu Ltd | 素子用基板、圧電振動装置及び弾性表面波装置 |
JP3306272B2 (ja) * | 1995-10-20 | 2002-07-24 | 富士通株式会社 | 弾性表面波装置 |
JPH10112517A (ja) * | 1996-10-03 | 1998-04-28 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 電子部品収納用パッケージ |
JP3303791B2 (ja) * | 1998-09-02 | 2002-07-22 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法 |
JP3178452B2 (ja) * | 1999-02-24 | 2001-06-18 | 日本電気株式会社 | 半導体装置用パッケージとその実装構造 |
-
2000
- 2000-08-09 JP JP2000241674A patent/JP3386043B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-07-30 US US09/917,993 patent/US6664709B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-08-09 DE DE10139166A patent/DE10139166B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2001-08-09 CN CNB011249765A patent/CN1179410C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE10139166B4 (de) | 2004-06-03 |
US20020043892A1 (en) | 2002-04-18 |
US6664709B2 (en) | 2003-12-16 |
CN1338819A (zh) | 2002-03-06 |
JP2002057548A (ja) | 2002-02-22 |
DE10139166A1 (de) | 2002-02-28 |
CN1179410C (zh) | 2004-12-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9831414B2 (en) | Surface mounted piezoelectric vibrator | |
US7002282B2 (en) | Surface acoustic wave device and method of fabricating the same | |
US7095161B2 (en) | Piezoelectric resonator | |
JP2002083925A (ja) | 集積回路装置 | |
JP2004080221A (ja) | 弾性波デバイス及びその製造方法 | |
WO2012014527A1 (ja) | 高周波モジュールおよび通信装置 | |
JPH04293310A (ja) | 弾性表面波装置 | |
JP3386043B2 (ja) | 弾性表面波デバイス | |
JPS62109420A (ja) | 弾性表面波素子 | |
US6404303B1 (en) | Surface acoustic wave element with an input/output ground pattern forming capacitance with both the input and output signal patterns | |
US6396154B1 (en) | Semiconductor device | |
JP4161267B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
CN102468816B (zh) | 双工器和具有该双工器的电子设备 | |
JPH11122072A (ja) | 弾性表面波装置 | |
JP7018968B2 (ja) | 配線基板、電子装置及び電子モジュール | |
US20220123713A1 (en) | Electronic component and method for manufacturing the same | |
JP5082726B2 (ja) | 弾性波装置 | |
US8217551B2 (en) | Surface acoustic wave package with air hole that prevents thermal expansion | |
JPWO2002058235A1 (ja) | 弾性表面波装置 | |
JPH1093012A (ja) | 高周波集積回路装置 | |
JP7361343B2 (ja) | モジュール | |
JPH10327039A (ja) | 弾性表面波装置 | |
KR20000076967A (ko) | 적층화 칩 반도체 장치 | |
JP7055499B1 (ja) | 弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュール | |
CN111200413B (zh) | 压电设备 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090110 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090110 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100110 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110110 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110110 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120110 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |