JP3375850B2 - 半導体レーザ装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスクの記録
再生装置用光源に関するもので、特に、ＤＶＤ、ＣＤ−
Ｒ（Rewritable）の両ディスクの記録再生が可能な記録
再生装置用光源として用いられる半導体レーザ装置及び
その製造方法に関するものである。
再生装置用光源に関するもので、特に、ＤＶＤ、ＣＤ−
Ｒ（Rewritable）の両ディスクの記録再生が可能な記録
再生装置用光源として用いられる半導体レーザ装置及び
その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図６に従来の半導体レーザ装置を示す。
Ｃu リング１の素子付面にレーザチップ３が取り付けら
れている。レーザチップ３はリードピン７とＡu 線ワイ
ヤー５により電気的に接続されている。ステム２には光
出力モニター用フォトダイオード４が取り付けられてお
り、Ａu 線ワイヤー６によりリードピン８に電気的に接
続されている。リードピン７、８、９はステム２に取り
付けられており、Ｃu リング１とステム２は抵抗溶接に
より接着されている。リードピン７、８はピンの回りの
絶縁体によりステム２とは電気的に絶縁されている。Ｃ
u リング１、ステム２は導電体でできている。以上よ
り、レーザチップ３はリードピン７と電気的に接続され
ている。光出力モニター用フォトダイオード４はリード
ピン８、９と電気的に接続されている。
Ｃu リング１の素子付面にレーザチップ３が取り付けら
れている。レーザチップ３はリードピン７とＡu 線ワイ
ヤー５により電気的に接続されている。ステム２には光
出力モニター用フォトダイオード４が取り付けられてお
り、Ａu 線ワイヤー６によりリードピン８に電気的に接
続されている。リードピン７、８、９はステム２に取り
付けられており、Ｃu リング１とステム２は抵抗溶接に
より接着されている。リードピン７、８はピンの回りの
絶縁体によりステム２とは電気的に絶縁されている。Ｃ
u リング１、ステム２は導電体でできている。以上よ
り、レーザチップ３はリードピン７と電気的に接続され
ている。光出力モニター用フォトダイオード４はリード
ピン８、９と電気的に接続されている。
【０００３】このレーザ装置の製造方法を図７及び図８
に示す。まず、（１）Ｃu リング１にレーザチップ３を
取り付ける。これとは別に、（２）ステム２に光出力モ
ニター用フォトダイオード４を取り付ける。（３）フォ
トダイオード４とリードピン８とをＡu 線ワイヤー６で
つなぐ。それから、（４）Ｃu リング１とステム２とを
抵抗溶接で接着する。（５）レーザチップ３とリードピ
ン７とをＡu 線ワイヤー５でつなぐ、ことで完成する。
このような従来の半導体レーザ装置は１つのパッケージ
に１つのレーザチップしか取り付けられていない。
に示す。まず、（１）Ｃu リング１にレーザチップ３を
取り付ける。これとは別に、（２）ステム２に光出力モ
ニター用フォトダイオード４を取り付ける。（３）フォ
トダイオード４とリードピン８とをＡu 線ワイヤー６で
つなぐ。それから、（４）Ｃu リング１とステム２とを
抵抗溶接で接着する。（５）レーザチップ３とリードピ
ン７とをＡu 線ワイヤー５でつなぐ、ことで完成する。
このような従来の半導体レーザ装置は１つのパッケージ
に１つのレーザチップしか取り付けられていない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、波長７８０
ｎｍのレーザ光では、光をＤＶＤのディスク上のピット
の大きさまで絞り込むことができず、波長６３５ｎｍ若
しくは６５０ｎｍの半導体レーザ装置が必要である。一
方、ＣＤ−Ｒのディスクに用いられる色素は波長６３５
ｎｍ若しくは６５０ｎｍのレーザ光では反射せず透過し
てしまい、読み取りをすることができない。したがっ
て、ＣＤ−Ｒのディスクを記録再生するには波長７８０
ｎｍの半導体レーザ装置が必要である。
ｎｍのレーザ光では、光をＤＶＤのディスク上のピット
の大きさまで絞り込むことができず、波長６３５ｎｍ若
しくは６５０ｎｍの半導体レーザ装置が必要である。一
方、ＣＤ−Ｒのディスクに用いられる色素は波長６３５
ｎｍ若しくは６５０ｎｍのレーザ光では反射せず透過し
てしまい、読み取りをすることができない。したがっ
て、ＣＤ−Ｒのディスクを記録再生するには波長７８０
ｎｍの半導体レーザ装置が必要である。
【０００５】ＣＤ、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ等
色々なディスクが普及している現在では、１つの記録再
生装置ですべてのディスクを記録再生できることが必要
となっている。特に、ＣＤ−ＲとＤＶＤを１つの記録再
生装置で記録再生できるようにするためには、波長７８
０ｎｍ及び波長６３５ｎｍ若しくは６５０ｎｍの２つの
半導体レーザ装置を用いなければならない。このため、
ピックアップが大型かつ複雑になってしまう。
色々なディスクが普及している現在では、１つの記録再
生装置ですべてのディスクを記録再生できることが必要
となっている。特に、ＣＤ−ＲとＤＶＤを１つの記録再
生装置で記録再生できるようにするためには、波長７８
０ｎｍ及び波長６３５ｎｍ若しくは６５０ｎｍの２つの
半導体レーザ装置を用いなければならない。このため、
ピックアップが大型かつ複雑になってしまう。
【０００６】そこで、波長６３５ｎｍ若しくは６５０ｎ
ｍの半導体レーザチップと波長７８０ｎｍの半導体レー
ザチップを１つのパッケージ上に水平方向に取り付けら
れた半導体レーザ装置が提案されているが、これはレー
ザチップ幅やサブマウント幅の影響を受け２つのレーザ
チップの発光点位置間隔が大きくなってしまうため、ピ
ックアップを作るのが困難であり、作れても制約が大き
い。
ｍの半導体レーザチップと波長７８０ｎｍの半導体レー
ザチップを１つのパッケージ上に水平方向に取り付けら
れた半導体レーザ装置が提案されているが、これはレー
ザチップ幅やサブマウント幅の影響を受け２つのレーザ
チップの発光点位置間隔が大きくなってしまうため、ピ
ックアップを作るのが困難であり、作れても制約が大き
い。
【０００７】本発明はＤＶＤとＣＤ−Ｒを１つの記録再
生装置で記録再生するためのピックアップにおいて、１
つのパッケージの半導体レーザ装置で実現可能でピック
アップを容易に小型化、単純化することを目的としてい
る。
生装置で記録再生するためのピックアップにおいて、１
つのパッケージの半導体レーザ装置で実現可能でピック
アップを容易に小型化、単純化することを目的としてい
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明においては、ステ
ム上にもレーザ素子付面を持つ金属ブロックが取り付け
られており、ステム、Ｃu リングそれぞれにレーザチッ
プを取り付け、ステムとＣu リングとのうちの一方のレ
ーザチップとこの一方のレーザチップのリードピンにＡ
u 線ワイヤーを取り付け、ステムとＣu リングとのうち
の他方のレーザチップと中継リードピンにＡu 線ワイヤ
ーを取り付けた後、２つのレーザチップの設置角度が異
なるようにステムとＣu リングを抵抗溶接により接着
し、中継リードピンと上記他方のレーザチップのリード
ピンにＡu 線ワイヤーを取り付けるため、２つのレーザ
チップが光学系から見てほぼ光軸を合わせる（２つのレ
ーザチップ発光点位置間隔が極めて小さい）ように１つ
のパッケージに収めた半導体レーザ装置を提供すること
を特徴とする。
ム上にもレーザ素子付面を持つ金属ブロックが取り付け
られており、ステム、Ｃu リングそれぞれにレーザチッ
プを取り付け、ステムとＣu リングとのうちの一方のレ
ーザチップとこの一方のレーザチップのリードピンにＡ
u 線ワイヤーを取り付け、ステムとＣu リングとのうち
の他方のレーザチップと中継リードピンにＡu 線ワイヤ
ーを取り付けた後、２つのレーザチップの設置角度が異
なるようにステムとＣu リングを抵抗溶接により接着
し、中継リードピンと上記他方のレーザチップのリード
ピンにＡu 線ワイヤーを取り付けるため、２つのレーザ
チップが光学系から見てほぼ光軸を合わせる（２つのレ
ーザチップ発光点位置間隔が極めて小さい）ように１つ
のパッケージに収めた半導体レーザ装置を提供すること
を特徴とする。
【０００９】本発明では、波長６３５ｎｍ若しくは６５
０ｎｍの半導体レーザチップと波長７８０ｎｍの半導体
レーザチップが光学系から見てほぼ光軸を合わせる（２
つのレーザチップ発光点位置間隔が極めて小さい）よう
に１つのパッケージに収められているため、１つのパッ
ケージの半導体レーザ装置を用いるだけでＤＶＤとＣＤ
−Ｒを１つの記録再生装置で記録再生するピックアップ
を作ることができ、ピックアップを容易に小型化、単純
化することができる。
０ｎｍの半導体レーザチップと波長７８０ｎｍの半導体
レーザチップが光学系から見てほぼ光軸を合わせる（２
つのレーザチップ発光点位置間隔が極めて小さい）よう
に１つのパッケージに収められているため、１つのパッ
ケージの半導体レーザ装置を用いるだけでＤＶＤとＣＤ
−Ｒを１つの記録再生装置で記録再生するピックアップ
を作ることができ、ピックアップを容易に小型化、単純
化することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図１
〜図３に基づいて説明する。図１は本発明の半導体レー
ザ装置の上面図である。（図２の矢印方向から見た図） Ｃu リング１１の素子付面に絶縁性のサブマウント１３
を介して波長６３５ｎｍ若しくは６５０ｎｍの半導体レ
ーザチップ１４が取り付けられている。サブマウント１
３の表面はＡu 等の導電材が蒸着されており、サブマウ
ント１３はＡu線ワイヤー１７により中継リードピン２
０に、レーザチップ１４はＡu 線ワイヤー１８によりＣ
u リング１１と電気的に接続されている。ステム１２上
には素子付面を持つ金属ブロック１５が取り付けられて
おり。金属ブロック１５には波長７８０ｎｍの半導体レ
ーザチップ１６が取り付けられている。レーザチップ１
６はＡu 線ワイヤー１９によりリードピン２１に電気的
に接続されている。ステム１２上には光出力モニター用
フォトダイオード２７が取り付けられ、フォトダイオー
ド２７とリードピン２９はＡu 線ワイヤー２８により電
気的に接続されているが、図１では省略している。
〜図３に基づいて説明する。図１は本発明の半導体レー
ザ装置の上面図である。（図２の矢印方向から見た図） Ｃu リング１１の素子付面に絶縁性のサブマウント１３
を介して波長６３５ｎｍ若しくは６５０ｎｍの半導体レ
ーザチップ１４が取り付けられている。サブマウント１
３の表面はＡu 等の導電材が蒸着されており、サブマウ
ント１３はＡu線ワイヤー１７により中継リードピン２
０に、レーザチップ１４はＡu 線ワイヤー１８によりＣ
u リング１１と電気的に接続されている。ステム１２上
には素子付面を持つ金属ブロック１５が取り付けられて
おり。金属ブロック１５には波長７８０ｎｍの半導体レ
ーザチップ１６が取り付けられている。レーザチップ１
６はＡu 線ワイヤー１９によりリードピン２１に電気的
に接続されている。ステム１２上には光出力モニター用
フォトダイオード２７が取り付けられ、フォトダイオー
ド２７とリードピン２９はＡu 線ワイヤー２８により電
気的に接続されているが、図１では省略している。
【００１１】図１を見れば分かるように、レーザチップ
１４とレーザチップ１６は互いに設置角度が１８０°異
なるように背中合わせに搭載されるので、それぞれのレ
ーザチップの厚さと、それぞれのレーザチップに接続さ
れているＡu 線ワイヤーのループの許す限り、ぎりぎり
まで光軸を合わせるように近づけて取り付けることがで
きる。
１４とレーザチップ１６は互いに設置角度が１８０°異
なるように背中合わせに搭載されるので、それぞれのレ
ーザチップの厚さと、それぞれのレーザチップに接続さ
れているＡu 線ワイヤーのループの許す限り、ぎりぎり
まで光軸を合わせるように近づけて取り付けることがで
きる。
【００１２】図２に本発明の半導体レーザ装置の立体図
を示す。図２では分かりやすくするため、金属ブロック
１５、波長７８０ｎｍ半導体レーザチップ１６、Ａu 線
ワイヤー１９は省略している。ステム１２上のリードピ
ン２１、２６、２９はリードピンの回りの絶縁材２３、
２２、３０によりステム１２とは電気的に絶縁されてい
る。Ａu 線ワイヤー１７によりサブマウント１３と電気
的に接続されている中継リードピン２０は回りを絶縁材
２４によって覆われており、Ｃu リング１１とは電気的
に絶縁されている。また、中継リードピン２０はステム
１２には接続しておらず、ステム１２上のリードピン２
６とＡu 線ワイヤー２５により電気的に接続されてい
る。この中継リードピン２０を設けて、サブマウント１
３と中継リードピン２０とをＡu 線ワイヤー１７により
予め電気的に接続しておくことにより、Ｃu リング１１
とステム１２とを接着組み立てて、サブマウント１３と
金属ブロック１５との間の隙間が極めて狭くなった後で
も、サブマウント１３とリードピン２６とを電気的に接
続することができるようになり、本発明の半導体レーザ
装置が製造可能となっている。
を示す。図２では分かりやすくするため、金属ブロック
１５、波長７８０ｎｍ半導体レーザチップ１６、Ａu 線
ワイヤー１９は省略している。ステム１２上のリードピ
ン２１、２６、２９はリードピンの回りの絶縁材２３、
２２、３０によりステム１２とは電気的に絶縁されてい
る。Ａu 線ワイヤー１７によりサブマウント１３と電気
的に接続されている中継リードピン２０は回りを絶縁材
２４によって覆われており、Ｃu リング１１とは電気的
に絶縁されている。また、中継リードピン２０はステム
１２には接続しておらず、ステム１２上のリードピン２
６とＡu 線ワイヤー２５により電気的に接続されてい
る。この中継リードピン２０を設けて、サブマウント１
３と中継リードピン２０とをＡu 線ワイヤー１７により
予め電気的に接続しておくことにより、Ｃu リング１１
とステム１２とを接着組み立てて、サブマウント１３と
金属ブロック１５との間の隙間が極めて狭くなった後で
も、サブマウント１３とリードピン２６とを電気的に接
続することができるようになり、本発明の半導体レーザ
装置が製造可能となっている。
【００１３】次に、本発明の半導体レーザ装置の製造方
法を図４に示す。まず、（１）Ｃuリング１１に波長６
３５ｎｍ若しくは６５０ｎｍの半導体レーザチップ１４
の取り付けられたサブマウント１３を取り付ける。
（２）レーザチップ１４とＣu リング１１とをＡu 線ワ
イヤー１８でつなぐ。（３）サブマウント１３と中継リ
ードピン２０とをＡu 線ワイヤー１７でつなぐ。これと
は別に、（４）ステム１２上に光出力モニター用フォト
ダイオード２７を取り付ける。（５）ステム１２上の金
属ブロック１５に波長７８０ｎｍの半導体レーザチップ
１６を取り付ける。（６）フォトダイオード２７とリー
ドピン２９とをＡu 線ワイヤー２８でつなぐ。（７）レ
ーザチップ１６とリードピン２１とをＡu 線ワイヤー１
９でつなぐ。それから、（８）Ｃu リング１１とステム
１２とを抵抗溶接で接着する。（図３では紙面に対して
ステム１２を１８０°左右方向に回転させて、レーザチ
ップ１４と１６とが向き合うように接着する。）（９）
中継リードピン２０とステム１２に取り付けられている
リードピン２６とをＡu 線ワイヤー２５でつなぐ、こと
で完成する。
法を図４に示す。まず、（１）Ｃuリング１１に波長６
３５ｎｍ若しくは６５０ｎｍの半導体レーザチップ１４
の取り付けられたサブマウント１３を取り付ける。
（２）レーザチップ１４とＣu リング１１とをＡu 線ワ
イヤー１８でつなぐ。（３）サブマウント１３と中継リ
ードピン２０とをＡu 線ワイヤー１７でつなぐ。これと
は別に、（４）ステム１２上に光出力モニター用フォト
ダイオード２７を取り付ける。（５）ステム１２上の金
属ブロック１５に波長７８０ｎｍの半導体レーザチップ
１６を取り付ける。（６）フォトダイオード２７とリー
ドピン２９とをＡu 線ワイヤー２８でつなぐ。（７）レ
ーザチップ１６とリードピン２１とをＡu 線ワイヤー１
９でつなぐ。それから、（８）Ｃu リング１１とステム
１２とを抵抗溶接で接着する。（図３では紙面に対して
ステム１２を１８０°左右方向に回転させて、レーザチ
ップ１４と１６とが向き合うように接着する。）（９）
中継リードピン２０とステム１２に取り付けられている
リードピン２６とをＡu 線ワイヤー２５でつなぐ、こと
で完成する。
【００１４】本発明により波長７８０ｎｍの半導体レー
ザとの発光点位置間隔は約１００μｍまで近づけること
ができる。また、上記実施例は１つのパッケージに２つ
のレーザチップを取り付けたものであるが、同様にして
３個以上のレーザチップを取り付けることもできる。
ザとの発光点位置間隔は約１００μｍまで近づけること
ができる。また、上記実施例は１つのパッケージに２つ
のレーザチップを取り付けたものであるが、同様にして
３個以上のレーザチップを取り付けることもできる。
【００１５】図５に１つのパッケージに３個のレーザチ
ップを取り付ける場合の実施例の上面図を示す。サブマ
ウント４０の断面形状を台形とし、その山の頂に相当す
るところにレーザチップ１４を取り付ける。そして、２
つの金属ブロック４１、４４の断面形状を六角形にし
て、その山の頂に相当するところにレーザチップ４２、
４５を取り付け、これらレーザチップ１４、４２、４４
を光軸に垂直な面内で正三角形の各頂点にあるように配
置する。すなわち、レーザチップのそれぞれは互いに設
置角度が１２０°異なるように搭載される。この場合
も、中継リードピン２０があることにより、サブマウン
ト４０と中継リードピン２０とをＡu 線ワイヤー１７に
より予め電気的に接続しておくことにより、Ｃu リング
１１とステム１２とを接着組み立てて、サブマウント４
０と金属ブロック４１、４４との間の隙間が極めて狭く
なった後でも、サブマウント４０とリードピン２６とを
電気的に接続することができる。
ップを取り付ける場合の実施例の上面図を示す。サブマ
ウント４０の断面形状を台形とし、その山の頂に相当す
るところにレーザチップ１４を取り付ける。そして、２
つの金属ブロック４１、４４の断面形状を六角形にし
て、その山の頂に相当するところにレーザチップ４２、
４５を取り付け、これらレーザチップ１４、４２、４４
を光軸に垂直な面内で正三角形の各頂点にあるように配
置する。すなわち、レーザチップのそれぞれは互いに設
置角度が１２０°異なるように搭載される。この場合
も、中継リードピン２０があることにより、サブマウン
ト４０と中継リードピン２０とをＡu 線ワイヤー１７に
より予め電気的に接続しておくことにより、Ｃu リング
１１とステム１２とを接着組み立てて、サブマウント４
０と金属ブロック４１、４４との間の隙間が極めて狭く
なった後でも、サブマウント４０とリードピン２６とを
電気的に接続することができる。
【００１６】
【発明の効果】本発明は、波長６３５ｎｍ若しくは６５
０ｎｍの半導体レーザチップと波長７８０ｎｍの半導体
レーザチップが互いの設置角度が異なるように１つのパ
ッケージに収められているため、両者の光軸を近接させ
ることができ、１つのパッケージの半導体レーザ装置を
用いるだけでＤＶＤとＣＤ−Ｒを１つの記録再生装置で
記録再生するピックアップを作ることができ、ピックア
ップを容易に小型化、単純化することができる。
０ｎｍの半導体レーザチップと波長７８０ｎｍの半導体
レーザチップが互いの設置角度が異なるように１つのパ
ッケージに収められているため、両者の光軸を近接させ
ることができ、１つのパッケージの半導体レーザ装置を
用いるだけでＤＶＤとＣＤ−Ｒを１つの記録再生装置で
記録再生するピックアップを作ることができ、ピックア
ップを容易に小型化、単純化することができる。
【図１】本発明の半導体レーザ装置の上面図。
【図２】本発明の半導体レーザ装置の立体図。
【図３】本発明の半導体レーザ装置のＣu リングとステ
ム分割図。
ム分割図。
【図４】本発明の半導体レーザ装置の製造方法フロー
図。
図。
【図５】本発明の半導体レーザ装置の他の実施例。
【図６】従来の半導体レーザ装置の立体図。
【図７】従来の半導体レーザ装置の製造方法フロー図。
【図８】従来の半導体レーザ装置のＣu リングとステム
分割図。
分割図。
１、１１ Ｃu リング
２、１２ ステム
３ 半導体レーザチップ
４、２７ 光出力用モニター用フォトダイオード
５、６、１７、１８、１９、２５、２８、４３、４６
Ａu 線ワイヤー ７、８、９、２１、２６、２９、３１、４７ リードピ
ン １０、２２、２３、２４、３０、４８ 絶縁材 １３、４０ サブマウント １４ 波長６３５ｎｍ若しくは６５０ｎｍ半導体レーザ
チップ １５、４１、４４ 金属ブロック １６、４２ 波長７８０ｎｍ半導体チップ ２０ 中継リードピン
Ａu 線ワイヤー ７、８、９、２１、２６、２９、３１、４７ リードピ
ン １０、２２、２３、２４、３０、４８ 絶縁材 １３、４０ サブマウント １４ 波長６３５ｎｍ若しくは６５０ｎｍ半導体レーザ
チップ １５、４１、４４ 金属ブロック １６、４２ 波長７８０ｎｍ半導体チップ ２０ 中継リードピン
Claims (3)
- 【請求項１】 １パッケージ内に複数個のレーザチップ
を互いの設置角度を異ならせて搭載した半導体レーザ装
置であって、 少なくとも１つのレーザチップと該レーザチップと電気
的に接続する少なくとも１つのリードピンとの間の電気
的ないずれかの位置に中継リードピンを設けたことを特
徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 ２つのレーザチップを互いに１８０°設
置角度を異ならせて搭載した半導体レーザ装置であっ
て、 ２つのレーザチップのうちの一方のレーザチップと該一
方のレーザチップと電気的に接続するリードピンとの間
の電気的ないずれかの位置に中継リードピンを設けたこ
とを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 第１のレーザチップをサブマウントに取
り付け、該サブマウント及び中継リードピンをＣu リン
グに取り付け、上記サブマウントと上記中継リードピン
とを電気的に接続しておき、次に、上記Ｃu リングと第
２等他のレーザチップを取り付けたステムとを組み立て
た後、上記中継リードピンと上記第１のレーザチップの
リードピンとを電気的に接続することを特徴とする請求
項１又は２記載の半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13817597A JP3375850B2 (ja) | 1997-05-28 | 1997-05-28 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13817597A JP3375850B2 (ja) | 1997-05-28 | 1997-05-28 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10335746A JPH10335746A (ja) | 1998-12-18 |
| JP3375850B2 true JP3375850B2 (ja) | 2003-02-10 |
Family
ID=15215806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13817597A Expired - Fee Related JP3375850B2 (ja) | 1997-05-28 | 1997-05-28 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3375850B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100333027B1 (ko) | 1998-07-14 | 2002-04-15 | 마찌다 가쯔히꼬 | 반도체 레이저 장치 |
| KR100630027B1 (ko) * | 2000-02-10 | 2006-09-27 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 레이저 구동장치, 광 헤드장치 및 광 정보 처리장치 |
| JP2007184627A (ja) * | 2007-02-22 | 2007-07-19 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置およびそれを用いた光ピックアップ装置 |
-
1997
- 1997-05-28 JP JP13817597A patent/JP3375850B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10335746A (ja) | 1998-12-18 |
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