JP3358559B2 - 低電力消費回路及び二次電池保護回路 - Google Patents
低電力消費回路及び二次電池保護回路Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J7/00—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
- H02J7/0029—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries with safety or protection devices or circuits
- H02J7/0031—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries with safety or protection devices or circuits using battery or load disconnect circuits
-
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J7/00—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
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- H02J7/00306—Overdischarge protection
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Charge And Discharge Circuits For Batteries Or The Like (AREA)
- Protection Of Static Devices (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、低電力消費回路及
び二次電池保護回路に係り、特に、外乱ノイズに強い低
電力消費回路及び二次電池保護回路に関する。
び二次電池保護回路に係り、特に、外乱ノイズに強い低
電力消費回路及び二次電池保護回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】二次電池の一つであるリチウムイオン電
池は、ニカド電池やニッケル水素蓄電池と比較し、約３
倍の作動電圧であり、重量エネルギー密度で約２倍のエ
ネルギー密度を有し、体積エネルギー密度も大きい。従
って、同一のエネルギーを有する他の二次電池と比較し
て、小型でしかも軽い電池である。この軽いということ
から、ビデオカメラ、携帯電話、ＰＨＳ、ノート型パソ
コン等の携帯用電気機器に多く使用されている。
池は、ニカド電池やニッケル水素蓄電池と比較し、約３
倍の作動電圧であり、重量エネルギー密度で約２倍のエ
ネルギー密度を有し、体積エネルギー密度も大きい。従
って、同一のエネルギーを有する他の二次電池と比較し
て、小型でしかも軽い電池である。この軽いということ
から、ビデオカメラ、携帯電話、ＰＨＳ、ノート型パソ
コン等の携帯用電気機器に多く使用されている。
【０００３】リチウムイオン電池は、安全性と電池の性
能を十分に引き出すために、保護回路が使用されてい
る。図４に従来のリチウム電池等の二次電池保護回路を
示す。電源端子＋Ｂ及び電源端子−Ｂ間に、充電器又は
負荷が接続される。充電器が接続されたときは、リチウ
ムイオン電池等の二次電池１を充電し、負荷が接続され
たときは、リチウムイオン電池等の二次電池１から負荷
に電源が供給される。
能を十分に引き出すために、保護回路が使用されてい
る。図４に従来のリチウム電池等の二次電池保護回路を
示す。電源端子＋Ｂ及び電源端子−Ｂ間に、充電器又は
負荷が接続される。充電器が接続されたときは、リチウ
ムイオン電池等の二次電池１を充電し、負荷が接続され
たときは、リチウムイオン電池等の二次電池１から負荷
に電源が供給される。
【０００４】リチウム電池等の二次電池保護回路は、二
次電池保護回路２、二次電池１と電源端子＋Ｂを結ぶ電
源線５、該電源線５と二次電池保護回路２との間に接続
された抵抗３、電源端子−Ｂに接続された電源線１２と
二次電池保護回路２との間に接続された抵抗４、放電制
御ＦＥＴ＃１及び充電制御ＦＥＴ＃２を有する。二次電
池保護回路２は、過放電を検出する過放電検出手段１
３，過充電を検出する過充電検出手段１４、過充電検出
手段１４が過充電を検出すると端子に制御信号を印加
し、充電制御ＦＥＴ＃２を遮断する過充電制御手段１５
及び過放電検出手段１３が過放電を検出すると端子に
制御信号を印加し、放電制御ＦＥＴ＃１を遮断する過放
電制御手段１６を有している。
次電池保護回路２、二次電池１と電源端子＋Ｂを結ぶ電
源線５、該電源線５と二次電池保護回路２との間に接続
された抵抗３、電源端子−Ｂに接続された電源線１２と
二次電池保護回路２との間に接続された抵抗４、放電制
御ＦＥＴ＃１及び充電制御ＦＥＴ＃２を有する。二次電
池保護回路２は、過放電を検出する過放電検出手段１
３，過充電を検出する過充電検出手段１４、過充電検出
手段１４が過充電を検出すると端子に制御信号を印加
し、充電制御ＦＥＴ＃２を遮断する過充電制御手段１５
及び過放電検出手段１３が過放電を検出すると端子に
制御信号を印加し、放電制御ＦＥＴ＃１を遮断する過放
電制御手段１６を有している。
【０００５】また、二次電池保護回路２は、端子、
、、及びを有している。端子は、二次電池１
の負側の電位を検知するための端子で、端子は、抵抗
４を介して、電源端子−Ｂに接続された電源線１２の電
位を検出するための端子である。端子の電位が端子
の電位より低くなると、二次電池保護回路２の放電制御
及び充電制御に係る回路が起動される構成となってい
る。
、、及びを有している。端子は、二次電池１
の負側の電位を検知するための端子で、端子は、抵抗
４を介して、電源端子−Ｂに接続された電源線１２の電
位を検出するための端子である。端子の電位が端子
の電位より低くなると、二次電池保護回路２の放電制御
及び充電制御に係る回路が起動される構成となってい
る。
【０００６】端子は、二次電池１の正側の電位を検知
するための端子で、過放電検出手段１３及び過充電検出
手段１４はこの端子の電位に基づいて、二次電池の過放
電状態又は過充電状態についての判断を行う。その検出
の結果、電位が所定電位より下がり、過放電であること
を過放電検出手段１３が検出すると、過放電制御手段１
６が端子をローレベルにして、放電制御ＦＥＴ＃１を
遮断する。一方、端子の電位が所定電位より上がり、
過充電検出手段１４が過充電であることを検出すると、
過充電制御手段１５が端子をローレベルにして、充電
制御ＦＥＴ＃２を遮断する。これにより、二次電池１に
対して、過大な充電及び過大な放電を防ぐことができ
る。
するための端子で、過放電検出手段１３及び過充電検出
手段１４はこの端子の電位に基づいて、二次電池の過放
電状態又は過充電状態についての判断を行う。その検出
の結果、電位が所定電位より下がり、過放電であること
を過放電検出手段１３が検出すると、過放電制御手段１
６が端子をローレベルにして、放電制御ＦＥＴ＃１を
遮断する。一方、端子の電位が所定電位より上がり、
過充電検出手段１４が過充電であることを検出すると、
過充電制御手段１５が端子をローレベルにして、充電
制御ＦＥＴ＃２を遮断する。これにより、二次電池１に
対して、過大な充電及び過大な放電を防ぐことができ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図４におい
て、電源端子＋Ｂ及び電源端子−Ｂ間に、負荷が接続さ
れた場合を考える。二次電池１は、負荷に電源を供給す
る。長く負荷に電源を供給した結果、過放電状態となっ
たとき、端子の電位が下がり、過放電検出手段１３
は、過放電を検出する。過放電を検出すると、過放電制
御手段１６により放電制御ＦＥＴ＃１が遮断される。ま
た、同時に、二次電池の劣化を防ぐために二次電池保護
回路２の一部の回路を除いてバイアスをオフとし、二次
電池保護回路２の動作を停止する。その結果、電源端子
−Ｂに接続された電源線１２がハイインピーダンスとな
る。
て、電源端子＋Ｂ及び電源端子−Ｂ間に、負荷が接続さ
れた場合を考える。二次電池１は、負荷に電源を供給す
る。長く負荷に電源を供給した結果、過放電状態となっ
たとき、端子の電位が下がり、過放電検出手段１３
は、過放電を検出する。過放電を検出すると、過放電制
御手段１６により放電制御ＦＥＴ＃１が遮断される。ま
た、同時に、二次電池の劣化を防ぐために二次電池保護
回路２の一部の回路を除いてバイアスをオフとし、二次
電池保護回路２の動作を停止する。その結果、電源端子
−Ｂに接続された電源線１２がハイインピーダンスとな
る。
【０００８】ところで、ハイインピーダンスである電源
線１２は、外乱ノイズ（例えば、電源端子−Ｂ又は電源
線１２を手で触ること等によるノイズ）の影響を受けや
すく、電位が変動することがある。その変動により、端
子の電位が端子の電位より低下し、その結果、二次
電池保護回路２の放電制御及び充電制御回路が起動され
る場合がある。
線１２は、外乱ノイズ（例えば、電源端子−Ｂ又は電源
線１２を手で触ること等によるノイズ）の影響を受けや
すく、電位が変動することがある。その変動により、端
子の電位が端子の電位より低下し、その結果、二次
電池保護回路２の放電制御及び充電制御回路が起動され
る場合がある。
【０００９】二次電池保護回路２の放電制御及び充電制
御回路が起動されるということは、二次電池が過放電と
なり、二次電池の劣化を防ぐために、二次電池保護回路
２の動作を停止させたにも拘わらず、外乱ノイズによっ
て、二次電池保護回路２が動作するということであり、
問題である。本発明は、上記問題に鑑みなされたもので
あり、電力消費を低減するために、電源の供給停止を行
った場合、電源供給の停止に伴うハイインピーダンス回
路における外乱ノイズの影響を防止することを目的とす
るものである。
御回路が起動されるということは、二次電池が過放電と
なり、二次電池の劣化を防ぐために、二次電池保護回路
２の動作を停止させたにも拘わらず、外乱ノイズによっ
て、二次電池保護回路２が動作するということであり、
問題である。本発明は、上記問題に鑑みなされたもので
あり、電力消費を低減するために、電源の供給停止を行
った場合、電源供給の停止に伴うハイインピーダンス回
路における外乱ノイズの影響を防止することを目的とす
るものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載された発
明は、電力消費を低減するために、予め設定された条件
（例えば、二次電池保護回路において、過放電の検出）
のとき、一部の回路への電源供給を停止することにより
ハイインピーダンス回路（例えば、電源線１２）が生じ
る低電力消費回路において、微少電流を供給する微少電
流供給手段（１１）を設け、該微少電流供給手段の出力
を前記ハイインピーダンス回路に供給することにより、
外乱による誤動作防止を行うことを特徴とする。
明は、電力消費を低減するために、予め設定された条件
（例えば、二次電池保護回路において、過放電の検出）
のとき、一部の回路への電源供給を停止することにより
ハイインピーダンス回路（例えば、電源線１２）が生じ
る低電力消費回路において、微少電流を供給する微少電
流供給手段（１１）を設け、該微少電流供給手段の出力
を前記ハイインピーダンス回路に供給することにより、
外乱による誤動作防止を行うことを特徴とする。
【００１１】請求項１記載の発明によれば、微少電流を
供給する微少電流供給手段（１１）を設け、該微少電流
供給手段の出力を前記ハイインピーダンス回路に供給す
ることにより、電力消費を低減するために、回路への電
源供給を停止することに伴い一部の回路がハイインピー
ダンスとなることにより生じる外乱ノイズの影響を防止
することができる。
供給する微少電流供給手段（１１）を設け、該微少電流
供給手段の出力を前記ハイインピーダンス回路に供給す
ることにより、電力消費を低減するために、回路への電
源供給を停止することに伴い一部の回路がハイインピー
ダンスとなることにより生じる外乱ノイズの影響を防止
することができる。
【００１２】請求項２に記載された発明は、二次電池１
の電池電圧に応じて、二次電池の放電を制御する放電制
御手段１６を有する二次電池保護回路２において、二次
電池の過放電を検出する過放電検出手段１３と、微少電
流を供給する微少電流供給手段１１とを設け、前記過放
電検出手段が二次電池の過放電を検出した場合、前記二
次電池保護回路への一部又は全部の電源供給を停止し、
電源供給が停止されてハイインピーダンスとなった電源
線１２に、前記微少電流供給手段からの微少電流を供給
することを特徴とする。
の電池電圧に応じて、二次電池の放電を制御する放電制
御手段１６を有する二次電池保護回路２において、二次
電池の過放電を検出する過放電検出手段１３と、微少電
流を供給する微少電流供給手段１１とを設け、前記過放
電検出手段が二次電池の過放電を検出した場合、前記二
次電池保護回路への一部又は全部の電源供給を停止し、
電源供給が停止されてハイインピーダンスとなった電源
線１２に、前記微少電流供給手段からの微少電流を供給
することを特徴とする。
【００１３】請求項２記載の発明によれば、微少電流を
供給する微少電流供給手段１１を設け、過放電時、二次
電池保護回路への一部又は全部の電源供給が停止されて
ハイインピーダンスとなった電源線１２に、前記微少電
流供給手段からの微少電流を供給することにより、電源
線１２のインピーダンスを下げることにより、外乱ノイ
ズに影響されないようにすることができる。
供給する微少電流供給手段１１を設け、過放電時、二次
電池保護回路への一部又は全部の電源供給が停止されて
ハイインピーダンスとなった電源線１２に、前記微少電
流供給手段からの微少電流を供給することにより、電源
線１２のインピーダンスを下げることにより、外乱ノイ
ズに影響されないようにすることができる。
【００１４】請求項３に記載された発明は、請求項２記
載の二次電池保護回路２において、前記微少電流供給手
段１１は、前記二次電池保護回路内に設けられ、前記過
放電検出手段が二次電池の過放電を検出した場合、前記
微少電流供給手段以外の一部又は全部の二次電池保護回
路への電源供給を停止することを特徴とする。請求項３
記載の発明によれば、微少電流供給手段１１は、二次電
池保護回路２内に設けることにより、コンパクトな二次
電池保護回路を提供することができる。
載の二次電池保護回路２において、前記微少電流供給手
段１１は、前記二次電池保護回路内に設けられ、前記過
放電検出手段が二次電池の過放電を検出した場合、前記
微少電流供給手段以外の一部又は全部の二次電池保護回
路への電源供給を停止することを特徴とする。請求項３
記載の発明によれば、微少電流供給手段１１は、二次電
池保護回路２内に設けることにより、コンパクトな二次
電池保護回路を提供することができる。
【００１５】請求項４に記載された発明は、請求項２又
は３記載の二次電池保護回路において、前記過放電検出
手段１３は、前記二次電池保護回路内に設けられたこと
を特徴とする。請求項４記載の発明によれば、過放電検
出手段１３は、二次電池保護回路２内に設けることによ
り、コンパクトな二次電池保護回路を提供することがで
きる。
は３記載の二次電池保護回路において、前記過放電検出
手段１３は、前記二次電池保護回路内に設けられたこと
を特徴とする。請求項４記載の発明によれば、過放電検
出手段１３は、二次電池保護回路２内に設けることによ
り、コンパクトな二次電池保護回路を提供することがで
きる。
【００１６】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面と共に説明する。図１は、本発明の第１の実施の
形態を説明するためのブロック図である。同図中、図４
と同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略す
る。二次電池保護回路２内に微少電流供給手段１１を有
し、充電制御ＦＥＴ＃２のゲート端子と電源線１２との
間に抵抗６を設けた構成が、図４と相違する。第１の実
施の形態では、このように構成することにより、微少電
流供給手段１１から抵抗６を介して、電源線１２に微少
電流Ｉ0 を常時供給する。微少電流Ｉ0 は、小さく、微
少電流供給手段１１の出力インピーダンスは大きく設定
されているので、充電制御ＦＥＴ＃２の動作に影響を与
えることはない。
て図面と共に説明する。図１は、本発明の第１の実施の
形態を説明するためのブロック図である。同図中、図４
と同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略す
る。二次電池保護回路２内に微少電流供給手段１１を有
し、充電制御ＦＥＴ＃２のゲート端子と電源線１２との
間に抵抗６を設けた構成が、図４と相違する。第１の実
施の形態では、このように構成することにより、微少電
流供給手段１１から抵抗６を介して、電源線１２に微少
電流Ｉ0 を常時供給する。微少電流Ｉ0 は、小さく、微
少電流供給手段１１の出力インピーダンスは大きく設定
されているので、充電制御ＦＥＴ＃２の動作に影響を与
えることはない。
【００１７】次に図１の動作を説明する。二次電池保護
回路２は、端子の電位が所定電位より上がり、過充電
検出手段１４が過充電であることを検出すると、過充電
制御手段１５が端子をローレベルにして、充電制御Ｆ
ＥＴ＃２を遮断して、充電を停止させる。一方、二次電
池保護回路２は、端子の電位が所定電位より下がり、
過放電であることを過放電検出手段１３が検出すると、
過放電制御手段１６が端子をローレベルにして、放電
制御ＦＥＴ＃１を遮断して、放電を停止させる。一方、
同時に、二次電池の劣化を防ぐために、微少電流供給手
段１１以外の二次電池保護回路２のバイアスをオフとし
て、二次電池保護回路２の動作を停止する。
回路２は、端子の電位が所定電位より上がり、過充電
検出手段１４が過充電であることを検出すると、過充電
制御手段１５が端子をローレベルにして、充電制御Ｆ
ＥＴ＃２を遮断して、充電を停止させる。一方、二次電
池保護回路２は、端子の電位が所定電位より下がり、
過放電であることを過放電検出手段１３が検出すると、
過放電制御手段１６が端子をローレベルにして、放電
制御ＦＥＴ＃１を遮断して、放電を停止させる。一方、
同時に、二次電池の劣化を防ぐために、微少電流供給手
段１１以外の二次電池保護回路２のバイアスをオフとし
て、二次電池保護回路２の動作を停止する。
【００１８】本発明の第１の実施の形態では、微少電流
供給手段１１からの微少電流Ｉ0 が、抵抗６を介して、
電源線１２に供給されているために、電源線１２は、イ
ンピーダンスが低く設定され、多少の外乱（例えば、手
による接触等）があっても、電位変動は起きにくい。そ
の結果、二次電池が過放電となり、二次電池の劣化を防
ぐために、二次電池保護回路２の動作を停止させたにも
拘わらず、外乱ノイズによって、端子が端子の電位
より低下し、二次電池保護回路が動作するということは
無くなる。
供給手段１１からの微少電流Ｉ0 が、抵抗６を介して、
電源線１２に供給されているために、電源線１２は、イ
ンピーダンスが低く設定され、多少の外乱（例えば、手
による接触等）があっても、電位変動は起きにくい。そ
の結果、二次電池が過放電となり、二次電池の劣化を防
ぐために、二次電池保護回路２の動作を停止させたにも
拘わらず、外乱ノイズによって、端子が端子の電位
より低下し、二次電池保護回路が動作するということは
無くなる。
【００１９】図２は、本発明の第２の実施の形態を説明
するためのブロック図である。同図中、図１と同一構成
部分には同一符号を付し、その説明は省略する。充電制
御ＦＥＴ＃２のゲート回路に抵抗７、抵抗８、抵抗９及
びスイッチングトランジスタ１０を設けた構成が、図１
と相違する。第２の実施の形態では、このように構成す
ることにより、第１の実施の形態と同様に、微少電流供
給手段１１から抵抗８及び抵抗９を介して、電源線１２
に微少電流Ｉ0 を常時供給している。
するためのブロック図である。同図中、図１と同一構成
部分には同一符号を付し、その説明は省略する。充電制
御ＦＥＴ＃２のゲート回路に抵抗７、抵抗８、抵抗９及
びスイッチングトランジスタ１０を設けた構成が、図１
と相違する。第２の実施の形態では、このように構成す
ることにより、第１の実施の形態と同様に、微少電流供
給手段１１から抵抗８及び抵抗９を介して、電源線１２
に微少電流Ｉ0 を常時供給している。
【００２０】動作を説明する。二次電池保護回路２は、
端子の電位が所定電位より上がり、過充電であること
を検出すると、端子をハイレベルにする。その結果、
スイッチングトランジスタ１０のベースに、ハイレベル
の信号が印加され、スイッチングトランジスタ１０が導
通される。スイッチングトランジスタ１０が導通する
と、今まで、抵抗７を介して、ハイレベルの信号が印加
され導通していた充電制御ＦＥＴ＃２のゲートにローレ
ベルの信号が印加され、充電制御ＦＥＴ＃２が遮断され
る。その結果、充電制御が行われる。
端子の電位が所定電位より上がり、過充電であること
を検出すると、端子をハイレベルにする。その結果、
スイッチングトランジスタ１０のベースに、ハイレベル
の信号が印加され、スイッチングトランジスタ１０が導
通される。スイッチングトランジスタ１０が導通する
と、今まで、抵抗７を介して、ハイレベルの信号が印加
され導通していた充電制御ＦＥＴ＃２のゲートにローレ
ベルの信号が印加され、充電制御ＦＥＴ＃２が遮断され
る。その結果、充電制御が行われる。
【００２１】また、二次電池保護回路２は、端子の電
位が所定電位より下がり、過放電であることを検出する
と、端子をローレベルにして、放電制御ＦＥＴ＃１を
遮断して、放電を停止させる。一方、同時に、二次電池
の劣化を防ぐために、微少電流供給手段１１以外の二次
電池保護回路２のバイアスをオフとして、二次電池保護
回路２の動作を停止する。その結果、電源１２線がハイ
インピーダンスとなる。
位が所定電位より下がり、過放電であることを検出する
と、端子をローレベルにして、放電制御ＦＥＴ＃１を
遮断して、放電を停止させる。一方、同時に、二次電池
の劣化を防ぐために、微少電流供給手段１１以外の二次
電池保護回路２のバイアスをオフとして、二次電池保護
回路２の動作を停止する。その結果、電源１２線がハイ
インピーダンスとなる。
【００２２】本発明の第２の実施の形態では、微少電流
供給手段１１からの微少電流Ｉ0 が、抵抗８及び抵抗９
を介して、電源線１２に供給されているために、第１の
実施の形態と同じく、電源線１２は、インピーダンスが
低く設定され、多少の外乱があっても、電位変動は起き
にくい。その結果、外乱ノイズによって、二次電池保護
回路２が動作するということは無くなる。
供給手段１１からの微少電流Ｉ0 が、抵抗８及び抵抗９
を介して、電源線１２に供給されているために、第１の
実施の形態と同じく、電源線１２は、インピーダンスが
低く設定され、多少の外乱があっても、電位変動は起き
にくい。その結果、外乱ノイズによって、二次電池保護
回路２が動作するということは無くなる。
【００２３】また、微少電流Ｉ0 は、小さく、微少電流
供給手段１１の出力インピーダンスは大きく設定されて
いるので、スイッチングトランジスタ１０及び充電制御
ＦＥＴ＃２の動作に影響を与えることはない。以上の説
明では、トランジスタ１０をＮＰＮ型で説明したが、ト
ランジスタ１０をＰＮＰ型でもよい。
供給手段１１の出力インピーダンスは大きく設定されて
いるので、スイッチングトランジスタ１０及び充電制御
ＦＥＴ＃２の動作に影響を与えることはない。以上の説
明では、トランジスタ１０をＮＰＮ型で説明したが、ト
ランジスタ１０をＰＮＰ型でもよい。
【００２４】図３は、微少電流供給手段１１の具体例で
ある。図３（Ａ）は、トランジスタ２１、トランジスタ
２２及び抵抗３１から構成されている。トランジスタ２
１とトランジスタ２２は、カレントミラー回路を構成
し、トランジスタ２２及び抵抗３１に流れる電流Ｉ1 と
ほぼ同じ電流Ｉ2 がトランジスタ２１に流れ、端子に
微少電流Ｉ0 が出力される。
ある。図３（Ａ）は、トランジスタ２１、トランジスタ
２２及び抵抗３１から構成されている。トランジスタ２
１とトランジスタ２２は、カレントミラー回路を構成
し、トランジスタ２２及び抵抗３１に流れる電流Ｉ1 と
ほぼ同じ電流Ｉ2 がトランジスタ２１に流れ、端子に
微少電流Ｉ0 が出力される。
【００２５】図３（Ｂ）は、図３（Ａ）の抵抗３１に代
えて、微少電流の低電流源４１を設けたもので、動作
は、図３（Ａ）と同じである。微少電流の低電流源４１
の電流Ｉ3 とほぼ同じ電流Ｉ4 がトランジスタ２３に流
れ、端子に微少電流Ｉ0 が出力される。図３（Ｃ）
は、トランジスタ２５のベースバイアスが、抵抗３２の
値と抵抗３３の値の分割比で定まる。そのベースバイア
スに対応する電流Ｉ5 がトランジスタ２５に流れ、端子
に微少電流Ｉ0 が出力される。
えて、微少電流の低電流源４１を設けたもので、動作
は、図３（Ａ）と同じである。微少電流の低電流源４１
の電流Ｉ3 とほぼ同じ電流Ｉ4 がトランジスタ２３に流
れ、端子に微少電流Ｉ0 が出力される。図３（Ｃ）
は、トランジスタ２５のベースバイアスが、抵抗３２の
値と抵抗３３の値の分割比で定まる。そのベースバイア
スに対応する電流Ｉ5 がトランジスタ２５に流れ、端子
に微少電流Ｉ0 が出力される。
【００２６】図３（Ｄ）は、図３（Ｃ）の抵抗３３に代
えて、低電流源４２を設けたものである。トランジスタ
２６のベースバイアスが、抵抗３４の値と定電流４２の
積により定まる。そのベースバイアスに対応する電流Ｉ
6 がトランジスタ２６に流れ、端子に微少電流Ｉ0 が
出力される。なお、上記実施の形態では、微少電流供給
手段１１は、常時流すとして説明したが、微少電流供給
手段１１は、必要なときのみ、流すようにしてもよい。
えて、低電流源４２を設けたものである。トランジスタ
２６のベースバイアスが、抵抗３４の値と定電流４２の
積により定まる。そのベースバイアスに対応する電流Ｉ
6 がトランジスタ２６に流れ、端子に微少電流Ｉ0 が
出力される。なお、上記実施の形態では、微少電流供給
手段１１は、常時流すとして説明したが、微少電流供給
手段１１は、必要なときのみ、流すようにしてもよい。
【００２７】また、微少電流供給手段１１は、二次電池
保護回路内に設けると説明したが、外部に設けてもよ
い。また、放電制御ＦＥＴ及び充電制御ＦＥＴとして、
ＮチャネルＭＯＳＦＥＴを用いて説明したが、他の形の
ＦＥＴ（例えば、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ、Ｐチャネル
ＪＦＥＴ、ＮチャネルＪＦＥＴ）であってもよい。
保護回路内に設けると説明したが、外部に設けてもよ
い。また、放電制御ＦＥＴ及び充電制御ＦＥＴとして、
ＮチャネルＭＯＳＦＥＴを用いて説明したが、他の形の
ＦＥＴ（例えば、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ、Ｐチャネル
ＪＦＥＴ、ＮチャネルＪＦＥＴ）であってもよい。
【００２８】二次電池としては、リチウムイオン電池以
外のニカド電池やニッケル水素蓄電池等の二次電池に対
して本発明は有効である。また、本発明は、二次電池保
護回路に限らず、電力の低消費化が求められる回路にお
いて有効である。つまり、電力消費を低減するために、
電源の供給停止を行い、その結果、電源供給の停止に伴
うハイインピーダンス回路が生じ、該ハイインピーダン
ス回路が外乱により誤動作するような場合に有効であ
る。
外のニカド電池やニッケル水素蓄電池等の二次電池に対
して本発明は有効である。また、本発明は、二次電池保
護回路に限らず、電力の低消費化が求められる回路にお
いて有効である。つまり、電力消費を低減するために、
電源の供給停止を行い、その結果、電源供給の停止に伴
うハイインピーダンス回路が生じ、該ハイインピーダン
ス回路が外乱により誤動作するような場合に有効であ
る。
【００２９】
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、次に述べる
種々の効果を実現することができる。請求項１記載の発
明によれば、微少電流を供給する微少電流供給手段（１
１）を設け、該微少電流供給手段の出力を前記ハイイン
ピーダンス回路に供給することにより、電力消費を低減
するために、回路への電源供給を停止することに伴い一
部の回路がハイインピーダンスとなることにより生じる
外乱ノイズの影響を防止することができる。
種々の効果を実現することができる。請求項１記載の発
明によれば、微少電流を供給する微少電流供給手段（１
１）を設け、該微少電流供給手段の出力を前記ハイイン
ピーダンス回路に供給することにより、電力消費を低減
するために、回路への電源供給を停止することに伴い一
部の回路がハイインピーダンスとなることにより生じる
外乱ノイズの影響を防止することができる。
【００３０】請求項２記載の発明によれば、微少電流を
供給する微少電流供給手段１１を設け、過放電時、二次
電池保護回路への一部又は全部の電源供給が停止されて
ハイインピーダンスとなった電源線１２に、微少電流供
給手段からの微少電流を供給することにより、電源線１
２のインピーダンスを下げることにより、外乱ノイズに
影響されないようにすることができる。
供給する微少電流供給手段１１を設け、過放電時、二次
電池保護回路への一部又は全部の電源供給が停止されて
ハイインピーダンスとなった電源線１２に、微少電流供
給手段からの微少電流を供給することにより、電源線１
２のインピーダンスを下げることにより、外乱ノイズに
影響されないようにすることができる。
【００３１】請求項３記載の発明によれば、微少電流供
給手段１１は、二次電池保護回路２内に設けることによ
り、コンパクトな二次電池保護回路を提供することがで
きる。請求項４記載の発明によれば、過放電検出手段１
３は、二次電池保護回路２内に設けることにより、コン
パクトな二次電池保護回路を提供することができる。
給手段１１は、二次電池保護回路２内に設けることによ
り、コンパクトな二次電池保護回路を提供することがで
きる。請求項４記載の発明によれば、過放電検出手段１
３は、二次電池保護回路２内に設けることにより、コン
パクトな二次電池保護回路を提供することができる。
【図１】本発明の実施の形態（その１）を説明するため
のブロック図である。
のブロック図である。
【図２】本発明の実施の形態（その２）を説明するため
のブロック図である。
のブロック図である。
【図３】微少電流供給手段を説明するための図である。
【図４】従来のリチウム電池等の二次電池保護回路を説
明するためのブロック図である。
明するためのブロック図である。
１ リチウムイオン電池等の二次電池 ２ 二次電池保護回路 ３、４，６、７，８，９ 抵抗 ５ 二次電池と電源を結ぶ電源線 １０ スイッチトランジスタ １１ 微少電流供給手段 １２ 電源端子−Ｂに接続された電源線（ハイインピ
ーダンス回路） １３ 過放電検出手段 １４ 過充電検出手段 ＦＥＴ＃１ 放電制御ＦＥＴ ＦＥＴ＃２ 充電制御ＦＥＴ
ーダンス回路） １３ 過放電検出手段 １４ 過充電検出手段 ＦＥＴ＃１ 放電制御ＦＥＴ ＦＥＴ＃２ 充電制御ＦＥＴ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−37737（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−140066（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−219935（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−234911（ＪＰ，Ａ) 特開2000−92723（ＪＰ，Ａ) 米国特許5909103（ＵＳ，Ａ) 米国特許5909104（ＵＳ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H02H 7/18 H02J 7/00 - 7/12 H02J 7/34 - 7/36
Claims (4)
- 【請求項１】 電力消費を低減するために、予め設定さ
れた条件のとき、一部の回路への電源供給を停止するこ
とによりハイインピーダンス回路が生じる低電力消費回
路において、 微少電流を供給する微少電流供給手段を設け、 該微少電流供給手段の出力を前記ハイインピーダンス回
路に供給することにより、外乱による誤動作防止を行う
ことを特徴とする低電力消費回路。 - 【請求項２】 二次電池の電池電圧に応じて、二次電池
の放電を制御する放電制御手段を有する二次電池保護回
路において、 二次電池の過放電を検出する過放電検出手段と、 微少電流を供給する微少電流供給手段とを設け、 前記過放電検出手段が二次電池の過放電を検出した場
合、前記二次電池保護回路への一部又は全部の電源供給
を停止し、電源供給が停止されてハイインピーダンスと
なった電源線に、前記微少電流供給手段からの微少電流
を供給することを特徴とする二次電池保護回路。 - 【請求項３】 前記微少電流供給手段は、前記二次電池
保護回路内に設けられ、 前記過放電検出手段が二次電池の過放電を検出した場
合、前記微少電流供給手段以外の一部又は全部の二次電
池保護回路への電源供給を停止することを特徴とする請
求項２記載の二次電池保護回路。 - 【請求項４】 前記過放電検出手段は、前記二次電池保
護回路内に設けられたことを特徴とする請求項２又は３
記載の二次電池保護回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28034498A JP3358559B2 (ja) | 1998-10-01 | 1998-10-01 | 低電力消費回路及び二次電池保護回路 |
| US09/538,124 US6320355B1 (en) | 1998-10-01 | 2000-03-29 | Low power consumption circuit and secondary battery cell protection circuit |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28034498A JP3358559B2 (ja) | 1998-10-01 | 1998-10-01 | 低電力消費回路及び二次電池保護回路 |
| US09/538,124 US6320355B1 (en) | 1998-10-01 | 2000-03-29 | Low power consumption circuit and secondary battery cell protection circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000116015A JP2000116015A (ja) | 2000-04-21 |
| JP3358559B2 true JP3358559B2 (ja) | 2002-12-24 |
Family
ID=26553730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28034498A Expired - Lifetime JP3358559B2 (ja) | 1998-10-01 | 1998-10-01 | 低電力消費回路及び二次電池保護回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6320355B1 (ja) |
| JP (1) | JP3358559B2 (ja) |
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| AU2002258369A1 (en) * | 2000-12-19 | 2002-09-19 | Smal Camera Technologies, Inc. | Compact digital camera system |
| JP4204446B2 (ja) * | 2003-11-14 | 2009-01-07 | ソニー株式会社 | バッテリパック、バッテリ保護処理装置、およびバッテリ保護処理装置の起動制御方法 |
| JP4570094B2 (ja) * | 2006-01-31 | 2010-10-27 | 日本特殊陶業株式会社 | ガス検出装置及びこのガス検出装置に用いるガスセンサ制御回路 |
| JP4844468B2 (ja) * | 2007-05-08 | 2011-12-28 | 富士電機株式会社 | 二次電池保護装置及び半導体集積回路装置 |
| US7830120B2 (en) * | 2007-09-18 | 2010-11-09 | Nexergy, Inc. | Low side N-channel FET protection circuit |
| JP5708021B2 (ja) * | 2011-02-24 | 2015-04-30 | セイコーエプソン株式会社 | ２次電池保護回路、２次電池を用いる装置 |
| JP5801605B2 (ja) | 2011-05-16 | 2015-10-28 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 比較回路、半導体装置、電池監視システム、充電禁止方法、及び充電禁止プログラム |
| JP6460218B1 (ja) * | 2017-12-08 | 2019-01-30 | ミツミ電機株式会社 | 二次電池保護集積回路、二次電池保護装置及び電池パック |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3713770B2 (ja) * | 1995-11-09 | 2005-11-09 | ソニー株式会社 | 二次電池パック |
| US5909103A (en) * | 1997-07-24 | 1999-06-01 | Siliconix Incorporated | Safety switch for lithium ion battery |
| US5909104A (en) * | 1998-02-26 | 1999-06-01 | Motorola, Inc. | Electrostatic enhanced lithium battery circuit |
-
1998
- 1998-10-01 JP JP28034498A patent/JP3358559B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-03-29 US US09/538,124 patent/US6320355B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000116015A (ja) | 2000-04-21 |
| US6320355B1 (en) | 2001-11-20 |
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