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JP3349111B2 - Surface mount type light emitting diode and method of manufacturing the same - Google Patents

Surface mount type light emitting diode and method of manufacturing the same

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JP3349111B2
JP3349111B2 JP06787099A JP6787099A JP3349111B2 JP 3349111 B2 JP3349111 B2 JP 3349111B2 JP 06787099 A JP06787099 A JP 06787099A JP 6787099 A JP6787099 A JP 6787099A JP 3349111 B2 JP3349111 B2 JP 3349111B2
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emitting diode
light emitting
sealing body
resin sealing
glass epoxy
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晃 小池
由夫 村野
孝一 深澤
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株式会社シチズン電子
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、マザーボード上に
表面実装することのできる表面実装型発光ダイオード及
びその製造方法に係り、特に発光ダイオード素子の波長
を変換することで発光色を変えるタイプの表面実装型発
光ダイオードに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface-mounted light-emitting diode which can be surface-mounted on a motherboard and a method of manufacturing the same, and more particularly to a surface-light-emitting type in which the wavelength of a light-emitting diode element is changed to change the emission color. The present invention relates to a mounting type light emitting diode.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、この種の波長変換型の発光ダイオ
ードとしては、例えば図14に示したものが知られてい
る(特開平7−99345号)。これはリードフレーム
型の発光ダイオード1であって、リードフレームの一方
側のメタルポスト2に凹部3を設け、この凹部3内に発
光ダイオード素子4を載せて固着すると共に、この発光
ダイオード素子4とリードフレームの他方側のメタルス
テム5とをボンディングワイヤ6によって接続する一
方、前記凹部3内に波長変換用の蛍光物質等が混入され
ている樹脂材7を充填し、さらに全体を砲弾形の透明エ
ポキシ樹脂8によって封止した構造のものである。この
ような構造からなる発光ダイオード1にあっては、発光
ダイオード素子4での発光波長が凹部3内に充填された
樹脂材7によって波長変換されるために、発光ダイオー
ド素子4の元来の発光色とは異なる発光を照射させるこ
とが出来る。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a wavelength conversion type light emitting diode of this type, for example, the one shown in FIG. 14 is known (Japanese Patent Laid-Open No. 7-99345). This is a lead frame type light emitting diode 1. A concave portion 3 is provided in a metal post 2 on one side of the lead frame, and a light emitting diode element 4 is placed and fixed in the concave portion 3. The other side of the lead frame is connected to the metal stem 5 by a bonding wire 6, while the concave portion 3 is filled with a resin material 7 mixed with a fluorescent substance for wavelength conversion and the like, and the whole is made of a transparent shell. It has a structure sealed with an epoxy resin 8. In the light emitting diode 1 having such a structure, the light emission wavelength of the light emitting diode element 4 is converted by the resin material 7 filled in the concave portion 3, so that the light emitting diode element 4 originally emits light. Light emission different from the color can be applied.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところで、樹脂材7に
混入されている波長変換用の蛍光物質等は、外部からの
紫外線などによって老化し易いといった性質を有してい
るが、上述した従来の発光ダイオード1は、全体を透明
エポキシ樹脂8によって封止しているだけなので、上記
蛍光物質が外部からの紫外線による影響を受け易いとい
った問題があった。
By the way, the fluorescent substance for wavelength conversion and the like mixed in the resin material 7 has the property of being easily aged by external ultraviolet rays or the like. Since the entire light emitting diode 1 is only sealed with the transparent epoxy resin 8, there is a problem that the fluorescent substance is easily affected by external ultraviolet rays.

【0004】そこで本発明の第1の目的は、発光ダイオ
ードの構造を表面実装型とし、且つ上記蛍光物質等の波
長変換用材料が外部からの紫外線などによる影響を受け
にくいものとすることで、波長変換用材料の老化を抑え
ることにある。
Accordingly, a first object of the present invention is to make the structure of the light emitting diode a surface mount type and to make the wavelength conversion material such as the fluorescent substance less susceptible to external ultraviolet rays. It is to suppress aging of the wavelength conversion material.

【0005】また、本発明の第2の目的は、紫外線の影
響を受けにくい構造としたことが原因で発光ダイオード
の輝度の低下を伴わないようにすることにある。
A second object of the present invention is to prevent the brightness of the light emitting diode from being reduced due to the structure which is hardly affected by ultraviolet rays.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の請求項1に係る表面実装型発光ダイオード
は、ガラエポ基板の上面に搭載された発光ダイオード素
子と、ガラエポ基板の上面側に充填されて前記発光ダイ
オード素子を封止する樹脂封止体とを備えた表面実装型
発光ダイオードにおいて、前記発光ダイオード素子の周
囲に配置された反射枠と、この反射枠内に充填され前記
発光ダイオード素子を封止する第1の樹脂封止体と、前
記ガラエポ基板の上面外周部を残して前記反射枠を含む
ガラエポ基板の上面側に充填された第2の樹脂封止体
と、この第2の樹脂封止体の上面及び周側面に被せられ
て第2の樹脂封止体の外表面を覆い隠し且つ前記ガラエ
ポ基板の上面外周部に接着固定されたキャップ状の第3
の樹脂封止体とを備え、上記第1の樹脂封止体には波長
変換用材料が混入され、第2の樹脂封止体には波長変換
された光を拡散する拡散剤が混入され、そして第3の樹
脂封止体には紫外線吸収剤が混入されていることを特徴
とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a surface mount type light emitting diode, comprising: a light emitting diode element mounted on an upper surface of a glass epoxy substrate; A light-emitting diode provided with a resin sealing body that seals the light-emitting diode element by filling the light-emitting diode element with a reflective frame disposed around the light-emitting diode element; A first resin sealing body for sealing the diode element, a second resin sealing body filled on the upper surface side of the glass epoxy substrate including the reflection frame while leaving the outer peripheral portion of the upper surface of the glass epoxy substrate; 2 on the top and peripheral sides of the resin sealing body
A third cap-shaped third resin that covers the outer surface of the second resin sealing body and is fixed to the outer periphery of the upper surface of the glass epoxy substrate by adhesive.
A wavelength conversion material is mixed in the first resin sealing body, and the wavelength conversion material is mixed in the second resin sealing body.
A diffuser for diffusing the light is mixed therein, and an ultraviolet absorber is mixed in the third resin sealing body.

【0007】また、本発明の請求項2に係る表面実装型
発光ダイオードは、前記充填された第1の樹脂封止体
上面が、反射枠の上端縁より低いことを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a surface mount type light emitting diode, wherein an upper surface of the filled first resin sealing body is lower than an upper edge of a reflection frame.

【0008】また、本発明の請求項3に係る表面実装型
発光ダイオードは、前記第1の樹脂に混入される波長変
換用材料が、蛍光染料又は蛍光顔料からなる蛍光物質で
あることを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, in the surface mount type light emitting diode, the wavelength conversion material mixed in the first resin is a fluorescent substance made of a fluorescent dye or a fluorescent pigment. I do.

【0009】また、本発明の請求項4に係る表面実装型
発光ダイオードは、前記第2の樹脂封止体に混入される
拡散剤が、酸化アルミニウム又は二酸化ケイ素である
とを特徴とする。
Further, a surface-mounted light emitting diode according to a fourth aspect of the present invention is mixed with the second resin sealing body.
The diffusing agent is characterized in that it is aluminum oxide or silicon dioxide .

【0010】また、本発明の請求項5に係る表面実装型
発光ダイオードは、前記第3の樹脂封止体の上面に集光
レンズ部が形成されていることを特徴とする。
[0010] A surface mount type light emitting diode according to a fifth aspect of the present invention is characterized in that a condensing lens portion is formed on an upper surface of the third resin sealing body.

【0011】また、本発明の請求項6に係る表面実装型
発光ダイオードは、前記発光ダイオード素子が、窒化ガ
リウム系化合物半導体あるいはシリコンカーバイド系化
合物半導体からなる青色発光の素子であることを特徴と
する。
According to a sixth aspect of the present invention, in the surface mounted light emitting diode, the light emitting diode element is a blue light emitting element made of a gallium nitride compound semiconductor or a silicon carbide compound semiconductor. .

【0012】また、本発明の請求項7に係る表面実装型
発光ダイオードの製造方法は、ガラエポ集合基板の上面
に電極パターンを形成し、この電極パターン上に反射枠
を接着固定する工程と、それぞれの反射枠の内部に発光
ダイオード素子を搭載し、この発光ダイオード素子の電
極と前記電極パターンとを接続する工程と、前記それぞ
れの反射枠内に波長変換用材料が混入された第1の樹脂
封止体を充填して発光ダイオード素子を封止する工程
と、それぞれのガラエポ基板の上面外周部がマスクされ
る金型を用い、前記反射枠を含むガラエポ集合基板の上
面側に拡散材が混入された第2の樹脂封止体を充填する
工程と、紫外線吸収剤が混入された第3の樹脂封止体の
集合体を別工程で形成し、この第3の樹脂封止体の集合
体を前記第2の樹脂封止体の上からガラエポ集合基板上
に被せ、前記金型のマスクによって露出しているガラエ
ポ集合基板の上面外周部と第3の樹脂封止体の集合体と
を接着する工程と、ガラエポ集合基板に想定された切断
ラインに沿ってそれぞれの発光_イオードを構成する基
板の大きさ毎に切断し、一つ一つの発光ダイオードに分
割する工程とを備えたことを特徴とする。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a surface mount type light emitting diode, comprising the steps of: forming an electrode pattern on an upper surface of a glass epoxy aggregate substrate; and bonding and fixing a reflection frame on the electrode pattern. Mounting a light-emitting diode element inside the reflection frame and connecting the electrode of the light-emitting diode element to the electrode pattern; and forming a first resin seal in which a wavelength conversion material is mixed in each of the reflection frames. A step of filling the stopper and sealing the light emitting diode elements, and using a mold in which the outer peripheral portion of the upper surface of each glass epoxy substrate is masked, and a diffusing material is mixed on the upper surface side of the glass epoxy aggregate substrate including the reflection frame. A second resin encapsulant filling step and an aggregate of the third resin encapsulant mixed with the ultraviolet absorber are formed in separate steps. The second resin A step of covering the glass epoxy aggregate substrate from above the stationary body and bonding an outer peripheral portion of the upper surface of the glass epoxy aggregate substrate exposed by the mold mask to the aggregate of the third resin sealing body; And cutting each light emitting diode along a cutting line assumed for each size of the substrate constituting each light emitting diode and dividing the light emitting diode into individual light emitting diodes.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて本発明
に係る表面実装型発光ダイオード及び製造方法の実施の
形態を詳細に説明する。図1乃至図3は、本発明に係る
表面実装型発光ダイオードの実施例を示したものであ
る。ここで、図1は表面実装型発光ダイオードを示す斜
視図であり、図2は上記表面実装型発光ダイオードをマ
ザーボードに実装した時の上記図1におけるA−A線に
沿った断面図、図3は同じく上記図1におけるB−B線
に沿った断面図である。この実施例に係る表面実装型発
光ダイオード11は、矩形状のガラエポ基板(ガラスエ
ポキシ基板)12の上面に一対の電極(例えばカソード
電極13とアノード電極14)をパターン形成し、カソ
ード電極13の中央電極部20に発光ダイオード素子1
5を搭載し、上面電極をアノード電極14にボンディン
グワイヤ23で接続した後、ガラエポ基板12の上面側
を樹脂で封止した構造のものである。前記ガラエポ基板
12の裏面側に形成されたカソード電極13及びアノー
ド電極14の各裏面電極13a,14aは、図2及び図
3に示したように、マザーボード18に設けられたプリ
ント配線19a,19bと導通している。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of a surface mount type light emitting diode and a manufacturing method according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. 1 to 3 show an embodiment of a surface-mounted light emitting diode according to the present invention. Here, FIG. 1 is a perspective view showing a surface-mounted light-emitting diode, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 1 when the surface-mounted light-emitting diode is mounted on a motherboard. FIG. 2 is a sectional view taken along the line BB in FIG. 1. In the surface-mounted light emitting diode 11 according to this embodiment, a pair of electrodes (for example, a cathode electrode 13 and an anode electrode 14) are pattern-formed on the upper surface of a rectangular glass epoxy substrate (glass epoxy substrate) 12, and the center of the cathode electrode 13 is formed. The light emitting diode element 1 is
5, the upper electrode is connected to the anode electrode 14 by bonding wires 23, and then the upper surface of the glass epoxy substrate 12 is sealed with resin. As shown in FIGS. 2 and 3, the back electrodes 13a and 14a of the cathode electrode 13 and the anode electrode 14 formed on the back side of the glass epoxy substrate 12 are connected to the printed wirings 19a and 19b provided on the motherboard 18, respectively. Conducted.

【0014】上記カソード電極13の中央電極部20に
は導電性接着剤22によって発光ダイオード素子15の
下面電極が固着され、この発光ダイオード素子15の周
囲に円筒状の反射枠21が配置される。この反射枠21
は、前記発光ダイオード素子15と同様に中央電極部2
0に固着されている。また、内周面がすりばち状に傾斜
しており、発光ダイオード素子15の発光を内周面に反
射させて上方向へ集光する働きを持つ。なお、発光ダイ
オード素子15からの光の反射率を上げるために、内周
面を鏡面仕上げにする場合もある。
The lower electrode of the light emitting diode element 15 is fixed to the central electrode portion 20 of the cathode electrode 13 by a conductive adhesive 22, and a cylindrical reflection frame 21 is arranged around the light emitting diode element 15. This reflection frame 21
Is the central electrode part 2 in the same manner as the light emitting diode element 15.
0. Further, the inner peripheral surface is inclined like a slash, and has a function of reflecting light emitted from the light emitting diode element 15 to the inner peripheral surface and condensing the light upward. Note that the inner peripheral surface may be mirror-finished in order to increase the reflectance of light from the light emitting diode element 15.

【0015】前記反射枠21内に配置される発光ダイオ
ード素子15は略立方体形状の微小チップであり、下面
と上面にそれぞれ電極を有する。前述したように、下面
電極はカソード電極13の中央電極部20に導電性接着
剤22を介して導通され、一方上面電極はボンディング
ワイヤ23によってアノード電極14に接続されてい
る。この実施例における発光ダイオード素子15には、
シリコンカーバイド系化合物半導体からなる青色発光素
子であるが、窒化ガリウム系化合物半導体の青色発光素
子を用いることもできる。
The light emitting diode element 15 disposed in the reflection frame 21 is a small chip having a substantially cubic shape, and has electrodes on the lower surface and the upper surface, respectively. As described above, the lower electrode is electrically connected to the center electrode portion 20 of the cathode electrode 13 via the conductive adhesive 22, while the upper electrode is connected to the anode electrode 14 by the bonding wire 23. The light emitting diode element 15 in this embodiment includes:
Although the blue light emitting device is made of a silicon carbide compound semiconductor, a blue light emitting device made of a gallium nitride compound semiconductor can also be used.

【0016】この実施例において、前記反射枠21内に
は発光ダイオード素子15の波長を変換する目的で、第
1の樹脂封止体25が充填されている。この第1の樹脂
封止体25は、エポキシ系の透明樹脂を主成分とし、そ
の中に青色の発光ダイオード素子に励起されて長波長の
可視光を発する波長変換用材料を混入させたものであ
り、例えば青色の発光ダイオードを白色に変換して発光
させることができる。この波長変換用材料には蛍光染料
や蛍光顔料等からなる蛍光物質が用いられる。蛍光染料
としては、例えばフルオレセインやローダミン等の有機
蛍光体が、また蛍光顔料としては、タングステン酸カル
シウム等の無機蛍光体が用いられる。なお、これら蛍光
物質の混入量を変えることで変換する波長領域を調整す
ることができる。
In this embodiment, a first resin sealing body 25 is filled in the reflection frame 21 for the purpose of converting the wavelength of the light emitting diode element 15. The first resin sealing body 25 is mainly composed of an epoxy-based transparent resin, into which a wavelength conversion material that emits long-wavelength visible light when excited by a blue light-emitting diode element is mixed. For example, a blue light emitting diode can be converted to white light to emit light. As the wavelength conversion material, a fluorescent substance made of a fluorescent dye, a fluorescent pigment, or the like is used. Organic fluorescent substances such as fluorescein and rhodamine are used as fluorescent dyes, and inorganic fluorescent substances such as calcium tungstate are used as fluorescent pigments. The wavelength region to be converted can be adjusted by changing the mixing amount of these fluorescent substances.

【0017】上記第1の樹脂封止体25の充填量は、図
1乃至図3にも示したように、その上面が反射枠21の
上端縁26より低い位置になるように留めることが望ま
しい。そうすることで、複数の表面実装型発光ダイオー
ド11を近接配置した時に、一方の発光ダイオードから
の発光を他方の発光ダイオードの反射枠21の上端縁2
6で遮ることができるので、両方の発光ダイオードの発
光色が混ざり合うのを防げることになる。
As shown in FIGS. 1 to 3, the filling amount of the first resin sealing body 25 is desirably set so that the upper surface thereof is lower than the upper edge 26 of the reflection frame 21. . By doing so, when a plurality of surface-mounted light-emitting diodes 11 are arranged close to each other, light emitted from one light-emitting diode is transmitted to the upper edge 2
6, it is possible to prevent the emission colors of both light emitting diodes from being mixed.

【0018】また、この実施例では上記反射枠21を含
むガラエポ基板12の上面側が、第2の樹脂封止体27
によって封止されている。この第2の樹脂封止体27
は、前記第1の樹脂封止体25によって波長変換された
後の発光色をそのまま透過させるものであり、エポキシ
系の透明樹脂の中に酸化アルミニウムや二酸化ケイ素等
の拡散剤を混入させることによって、より均一性のある
発光色が得られる。なお、第2の樹脂封止体27は、ガ
ラエポ基板12の上面全体を封止することなく、上面外
周部12aを露出させた状態で形成されている。
In this embodiment, the upper surface side of the glass epoxy substrate 12 including the reflection frame 21 is provided with a second resin sealing body 27.
Is sealed by. This second resin sealing body 27
Is the emission color after being wavelength-converted by the first resin sealing body 25 is intended to be directly transmitted, epoxy
Aluminum oxide, silicon dioxide, etc. in transparent resin
By mixing the diffusing agent , a more uniform emission color can be obtained. The second resin sealing body 27 is formed without exposing the entire upper surface of the glass epoxy substrate 12 and exposing the outer peripheral portion 12a of the upper surface.

【0019】さらに、この実施例では前記第2の樹脂封
止体27の上部に第3の樹脂封止体28が形成されてい
る。図4に示すように、この第3の樹脂封止体28は、
前述までの工程とは別工程で作られており、前記第2の
樹脂封止体27の上面27a及び周側面27bに被せる
凹所30が設けられている。この凹所30は、前記第2
の樹脂封止体27の形状に対応した空間を形作ってお
り、第3の樹脂封止体28を被せた時に、第2の樹脂封
止体27の上面27a及び周側面27bにそれぞれ密着
する上壁面30a及び側壁面30bとで形成されてい
る。また、第3の樹脂封止体28の下壁面30cには全
周に亘って接着剤24が塗布されており、第2の樹脂封
止体27の上に被せた時にガラエポ基板12の上面外周
部12aに接着固定される。
Further, in this embodiment, a third resin sealing body 28 is formed above the second resin sealing body 27. As shown in FIG. 4, the third resin sealing body 28
The recess 30 is formed in a step different from the steps described above, and covers the upper surface 27 a and the peripheral side surface 27 b of the second resin sealing body 27. This recess 30 is provided in the second
A space corresponding to the shape of the resin sealing body 27 is formed, and when the third resin sealing body 28 is covered, the space closely contacts the upper surface 27a and the peripheral side surface 27b of the second resin sealing body 27, respectively. It is formed by a wall surface 30a and a side wall surface 30b. The adhesive 24 is applied to the lower wall surface 30c of the third resin sealing body 28 over the entire circumference, and when the adhesive 24 is put on the second resin sealing body 27, the outer periphery of the upper surface of the glass epoxy substrate 12 is removed. It is adhesively fixed to the portion 12a.

【0020】上記第3の樹脂封止体28は、第2の樹脂
封止体27と同様、エポキシ系の透明樹脂を主成分とす
るものであるが、その中にサリチル酸誘導体や2−ヒド
ロキシベンゾフェノン誘導体等の紫外線吸収剤が混入さ
れている。このように、紫外線吸収剤が混入された第3
の樹脂封止体28で第2の樹脂封止体27の外側を覆う
ことによって外光からの紫外線が遮断され、結果的に第
1の樹脂封止体25に混入されている蛍光物質への紫外
線の影響が少なくなって老化が抑えられることになる。
この第3の樹脂封止体28は、紫外線による蛍光物質の
老化防止を目的とするものであるから、紫外線を有効に
遮断できるだけの厚みを有していればよい。
The third resin sealing body 28 is mainly composed of an epoxy-based transparent resin, similar to the second resin sealing body 27, and includes a salicylic acid derivative and 2-hydroxybenzophenone. An ultraviolet absorber such as a derivative is mixed. As described above, the third UV-absorbing agent is mixed.
By covering the outside of the second resin sealing body 27 with the resin sealing body 28, ultraviolet rays from external light are blocked, and as a result, the fluorescent substance mixed in the first resin sealing body 25 is The influence of ultraviolet rays is reduced and aging is suppressed.
Since the third resin sealing body 28 is intended to prevent the aging of the fluorescent substance due to ultraviolet rays, it is sufficient that the third resin sealing body 28 has a thickness that can effectively block ultraviolet rays.

【0021】この実施例において、前記第3の樹脂封止
体28の上面中央部には半球状の集光レンズ部29が一
体に突出形成されている。この集光レンズ部29は、反
射枠21の上方に位置しており、反射枠21の内周面で
上方向に向けて反射された発光ダイオード素子15から
の光を集光するための凸レンズとしての働きを持つ。即
ち、発光ダイオード素子15から発した光は、そのまま
上方に直進するものと、反射枠21の内周面で反射して
から上方に向かうものに分かれるが、いずれの光も第1
の樹脂封止体25によって波長変換され、さらに第2の
樹脂封止体27で発光色を均一にしてから集光レンズ部
29で集光されるため、高輝度の白色発光が得られるこ
とになる。この集光レンズ部29の曲率半径や形状、屈
折率は、集光が得られる範囲では特に限定されるもので
はない。なお、第3の樹脂封止体28に集光レンズ部2
9を設けない場合もある。
In this embodiment, a hemispherical condenser lens portion 29 is integrally formed at the center of the upper surface of the third resin sealing body 28 so as to protrude. The condenser lens portion 29 is located above the reflection frame 21 and serves as a convex lens for condensing light from the light emitting diode element 15 reflected upward from the inner peripheral surface of the reflection frame 21. Has the function of That is, the light emitted from the light-emitting diode element 15 is divided into a light that goes straight upward and a light that goes upward after being reflected by the inner peripheral surface of the reflection frame 21.
The wavelength is converted by the resin sealing body 25, and the light emission color is further made uniform by the second resin sealing body 27, and then the light is condensed by the condensing lens portion 29, so that high-luminance white light emission can be obtained. Become. The radius of curvature, the shape, and the refractive index of the condenser lens portion 29 are not particularly limited as long as light can be collected. Note that the condenser lens portion 2 is provided on the third resin sealing body 28.
9 may not be provided.

【0022】図2及び図3に示したように、上記構成か
らなる表面実装型発光ダイオード11は、マザーボード
18の上面に直接実装することができる。即ち、マザー
ボード18の上面に形成されているプリント配線19
a,19b上に表面実装型発光ダイオード11を上向き
に載置し、ガラエポ基板12の左右両側の裏面電極13
a,13bを半田接合することによって高さ寸法を抑え
た発光ダイオードの実装が完了する。このようにしてマ
ザーボード18に実装された表面実装型発光ダイオード
11からは青色発光から白色発光に変換された光が変色
することなく上方向への指向性を有しながら発せられ
る。
As shown in FIGS. 2 and 3, the surface-mounted light-emitting diode 11 having the above structure can be directly mounted on the upper surface of the motherboard 18. That is, the printed wiring 19 formed on the upper surface of the motherboard 18
a, 19b, the surface mount type light emitting diode 11 is placed upward, and the back electrodes 13 on both right and left sides of the glass epoxy substrate 12 are placed.
The mounting of the light-emitting diode with the height reduced by soldering a and 13b is completed. In this manner, light converted from blue light emission to white light emission is emitted from the surface-mounted light emitting diode 11 mounted on the motherboard 18 while having directivity upward without discoloration.

【0023】図5乃至図13は、上記構成からなる表面
実装型発光ダイオード11の製造方法を示したものであ
り、多数の発光ダイオードを同時に製造するためにガラ
エポ集合基板31が用いられる。図5は、ガラエポ集合
基板31に、上述した個々のガラエポ基板12毎にカソ
ード電極及びアノード電極を構成する電極パターン32
と、個々のガラエポ基板12を仕切る長孔スルーホール
部33を形成するまでの工程を示したものである。
FIGS. 5 to 13 show a method of manufacturing the surface-mounted light-emitting diode 11 having the above-described configuration. In order to manufacture a large number of light-emitting diodes at the same time, a glass epoxy aggregate substrate 31 is used. FIG. 5 shows an electrode pattern 32 constituting a cathode electrode and an anode electrode for each of the above-mentioned glass epoxy substrates 12 on the glass epoxy aggregate substrate 31.
And the steps up to the formation of the long-hole through-hole portion 33 for partitioning the individual glass epoxy substrates 12.

【0024】図6は、ガラエポ集合基板31の上面に反
射枠集合体35を位置決めし、電極パターン32の所定
位置に反射枠21を載置して接着固定するまでの工程を
示したものである。
FIG. 6 shows a process of positioning the reflection frame assembly 35 on the upper surface of the glass epoxy assembly substrate 31, placing the reflection frame 21 at a predetermined position of the electrode pattern 32, and bonding and fixing the same. .

【0025】次の工程では、図7に示したように、上記
ガラエポ集合基板31の各反射枠21内に発光ダイオー
ド素子15を載置し、中央電極部20に発光ダイオード
素子15の下面電極を導電性接着剤22で接着する。キ
ュア炉に入れて発光ダイオード素子15を固着したの
ち、発光ダイオード素子15の上面電極とガラエポ集合
基板31のアノード電極14とをボンディングワイヤ2
3によって接続する。
In the next step, as shown in FIG. 7, the light emitting diode elements 15 are placed in the respective reflection frames 21 of the glass epoxy assembly board 31, and the lower electrode of the light emitting diode elements 15 is mounted on the central electrode portion 20. The conductive adhesive 22 is used for bonding. After the light emitting diode element 15 is fixed in a curing furnace, the upper surface electrode of the light emitting diode element 15 and the anode electrode 14 of the glass epoxy aggregate substrate 31 are bonded to the bonding wire 2.
Connect by 3.

【0026】図8は、第1の樹脂封止体25の封止工程
を示したものである。この封止工程では、蛍光物質が混
入された第1の樹脂封止体25を各反射枠21内にそれ
ぞれ流し込み、発光ダイオード素子15の上面電極より
上部まで充填する。なお、充填の際には、第1の樹脂封
止体25の上面が反射枠21の上端縁26まで達しない
ように注意する。充填後キュア炉に入れて第1の樹脂封
止体25を熱硬化させる。
FIG. 8 shows a sealing step of the first resin sealing body 25. In this sealing step, the first resin sealing body 25 into which the fluorescent substance has been mixed is poured into each of the reflection frames 21, and is filled above the upper electrode of the light emitting diode element 15. At the time of filling, care is taken so that the upper surface of the first resin sealing body 25 does not reach the upper edge 26 of the reflection frame 21. After the filling, the first resin sealing body 25 is cured by heat in a curing furnace.

【0027】図9及び10は、第2の樹脂封止体27の
封止工程を示したものである。この封止工程では、ガラ
エポ集合基板31の上面に金型36を設置し、この金型
36内に第2の樹脂封止体27を流し込んでガラエポ集
合基板31の上面全体を同時に封止するものである。金
型36は、ガラエポ集合基板31の外周を囲むと同時
に、長孔スルーホール部33に沿ったY方向の金型マス
ク部37と、これと直交するX方向の金型マスク部38
とを有しており、各金型マスク部37,38によってガ
ラエポ集合基板31を格子状に仕切っている。ガラエポ
集合基板31の上面に充填された第2の樹脂封止体27
は、キュア炉での加熱によって熱硬化される。
FIGS. 9 and 10 show a sealing step of the second resin sealing body 27. FIG. In this sealing step, a mold 36 is set on the upper surface of the glass epoxy aggregate substrate 31, and the second resin sealing body 27 is poured into the mold 36 to simultaneously seal the entire upper surface of the glass epoxy aggregate substrate 31. It is. The mold 36 surrounds the outer periphery of the glass epoxy assembly substrate 31 and at the same time, a mold mask portion 37 in the Y direction along the elongated through-hole portion 33 and a mold mask portion 38 in the X direction orthogonal to this.
The mold mask portions 37 and 38 divide the glass epoxy aggregate substrate 31 into a lattice shape. Second resin sealing body 27 filled on the upper surface of glass epoxy aggregate substrate 31
Is thermally cured by heating in a curing furnace.

【0028】図11及び図12は、第3の樹脂封止体2
8の封止工程を示したものである。前述の金型36を外
すとガラエポ集合基板31は、隣り合う第2の樹脂封止
体27間に空隙39が形成されるから、各ガラエポ基板
12の上面外周部12aが露出される。一方、第3の樹
脂封止体28は、別工程で集合体40として形成してお
き、これを前記ガラエポ集合基板31の上から被せる。
集合体40の各凹所30を第2の樹脂封止体27に嵌め
入れ、予め集合体40の下壁面30cに塗布しておいた
接着剤24を介して上面外周部12aに接着する。その
後、これをキュア炉に入れて接着剤24を固化する。
FIGS. 11 and 12 show the third resin sealing body 2.
8 shows a sealing step of No. 8; When the mold 36 is removed, the glass epoxy aggregate substrate 31 has a gap 39 formed between the adjacent second resin sealing bodies 27, so that the outer peripheral portion 12a of the upper surface of each glass epoxy substrate 12 is exposed. On the other hand, the third resin sealing body 28 is formed as an aggregate 40 in a separate step, and is covered over the glass epoxy aggregate substrate 31.
Each of the recesses 30 of the assembly 40 is fitted into the second resin sealing body 27, and is bonded to the outer peripheral portion 12a via the adhesive 24 applied to the lower wall surface 30c of the assembly 40 in advance. Thereafter, this is put into a cure furnace to solidify the adhesive 24.

【0029】図13は、ガラエポ集合基板31に搭載さ
れた発光ダイオード素子15が、第1の樹脂封止体2
5、第2の樹脂封止体27及び第3の樹脂封止体28の
3層構造で封止された状態を示したものである。このよ
うなガラエポ集合基板31を、図11及び図13に示し
たように、予め基板上に想定されたX,Y方向の切断ラ
イン41,42に沿って桝目状にダイシング又はスライ
シングし、図1に示したような1個ずつの表面実装側発
光ダイオード11に分割する。分割された一つ一つの表
面実装型発光ダイオード11は、自動マウント機(図示
せず)によって真空吸着されマザーボード18上に移送
される。
FIG. 13 shows that the light emitting diode element 15 mounted on the glass epoxy assembly substrate 31 is
5 shows a state of being sealed by a three-layer structure of a second resin sealing body 27 and a third resin sealing body 28. As shown in FIGS. 11 and 13, such a glass epoxy aggregate substrate 31 is diced or sliced in a grid along cutting lines 41 and 42 in the X and Y directions assumed on the substrate in advance. Are divided into the surface-mount-side light-emitting diodes 11 as shown in FIG. Each of the divided surface-mounted light emitting diodes 11 is vacuum-adsorbed by an automatic mounting machine (not shown) and transferred onto the motherboard 18.

【0030】なお、上記いずれの実施例もボンディング
ワイヤ23を用いた接続方法について説明したが、この
発明はこれに限定されるものではなく、例えば半田バン
プを用いたフリップチップ実装などの接続方法も含まれ
るものである。
In each of the above embodiments, the connection method using the bonding wire 23 has been described. However, the present invention is not limited to this. For example, a connection method such as flip chip mounting using solder bumps is also available. Included.

【0031】[0031]

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る表面
実装型発光ダイオードによれば、第2の樹脂封止体の外
表面を紫外線吸収剤が混入してある第3の樹脂封止体で
被覆したので、第2の樹脂封止体より内側に位置する波
長変換用材料が外部からの紫外線などによる影響を受け
にくいものとなり、波長変換用材料の老化を抑えること
ができる。また、波長変換用材料が混入された第1の樹
脂封止体の上に拡散剤が混入された第2の樹脂封止体を
設けたので、第1の樹脂封止体によって波長変換された
発光色をより均一に発光させることができる。
As described above, according to the surface mount type light emitting diode of the present invention, the third resin encapsulant in which the outer surface of the second resin encapsulant is mixed with an ultraviolet absorbent. , The wavelength conversion material located inside the second resin sealing body is hardly affected by external ultraviolet rays and the like, and the aging of the wavelength conversion material can be suppressed. The first tree mixed with the wavelength conversion material
The second resin encapsulant mixed with the diffusing agent on the grease encapsulant
Provided, the wavelength was converted by the first resin sealing body.
Emitting color can be emitted more uniformly.

【0032】また、本発明によれば、第3の樹脂封止体
を別工程で形成し、これを第2の樹脂封止体の上に被せ
るようにしたので、第2の樹脂封止体の周側面まで第3
の樹脂封止体で被覆することができ、紫外線吸収効果が
一段と発揮される。
Further, according to the present invention, the third resin sealing body is formed in a separate step, and this is put on the second resin sealing body. Third to the peripheral side of
, And the ultraviolet absorbing effect is further exhibited.

【0033】また、本発明によれば、紫外線吸収剤を第
3の樹脂封止体のみに混入し、第2の樹脂封止体には混
入させてないので、紫外線吸収剤による発光ダイオード
の輝度低下を最小限に抑えることができる。
Further, according to the present invention, since the ultraviolet absorbent is mixed only in the third resin sealing body and is not mixed in the second resin sealing body, the luminance of the light emitting diode by the ultraviolet absorber is reduced. Reduction can be minimized.

【0034】また、本発明によれば、反射枠内に充填さ
れる第1の樹脂封止体の上面を該反射枠の上端縁より低
くしたので、複数の表面実装型発光ダイオードを近接配
置した時でも、一方の発光ダイオードからの発光を他方
の発光ダイオードの反射枠の上端縁で遮ることができ、
両方の発光ダイオードの発光色が混ざり合うといったこ
とがない。
Further, according to the present invention, since the upper surface of the first resin sealing body filled in the reflection frame is lower than the upper edge of the reflection frame, a plurality of surface-mounted light emitting diodes are arranged close to each other. Even at the time, light emission from one light emitting diode can be blocked by the upper edge of the reflection frame of the other light emitting diode,
The emission colors of both light emitting diodes do not mix.

【0035】また、本発明に係る表面実装型発光ダイオ
ードの製造方法によれば、ガラエポ集合基板に多数の表
面実装型発光ダイオードを同時に作ることができるの
で、大幅なコストダウンが可能で経済的効果が大であ
る。さらに、集光レンズ部が封止樹脂封止体と一体に成
形されている他、マザーボードへの自動マウントも可能
であるなど、工数削減や歩留りの向上、更には信頼性の
向上なども図ることができる。
Further, according to the method of manufacturing a surface-mounted light-emitting diode according to the present invention, a large number of surface-mounted light-emitting diodes can be simultaneously formed on the glass epoxy aggregate substrate, so that the cost can be greatly reduced and the economical effect can be obtained. Is big. Furthermore, in addition to the condensing lens part being molded integrally with the sealing resin encapsulant, automatic mounting on the motherboard is also possible, such as reducing man-hours, improving yield, and improving reliability. Can be.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る表面実装型発光ダイオードの実施
例を示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view illustrating an embodiment of a surface-mounted light emitting diode according to the present invention.

【図2】上記表面実装型発光ダイオードをマザーボード
に実装した時の上記図1におけるA−A線に沿った断面
図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 1 when the surface-mounted light-emitting diode is mounted on a motherboard.

【図3】上記表面実装型発光ダイオードをマザーボード
に実装した時の上記図1におけるB−B線に沿った断面
図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. 1 when the surface-mounted light emitting diode is mounted on a motherboard.

【図4】別工程で作った第3の樹脂封止体を第2の樹脂
封止体の上に被せる時の断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view when a third resin sealing body made in another process is put on the second resin sealing body.

【図5】上記表面実装型発光ダイオードを集合基板で製
造する際の電極パターン形成工程を示す斜視図である。
FIG. 5 is a perspective view showing an electrode pattern forming step when the surface-mounted light emitting diode is manufactured on a collective substrate.

【図6】上記集合基板上に反射枠集合体を載置する工程
を示す斜視図である。
FIG. 6 is a perspective view showing a step of mounting a reflection frame assembly on the assembly substrate.

【図7】上記集合基板上に発光ダイオード素子を搭載
し、ワイヤボンドする工程を示す断面図である。
FIG. 7 is a sectional view showing a step of mounting a light emitting diode element on the collective substrate and performing wire bonding.

【図8】上記集合基板上の発光ダイオード素子を第1の
樹脂封止体で封止する工程を示す断面図である。
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a step of sealing the light emitting diode elements on the collective substrate with a first resin sealing body.

【図9】上記集合基板の上部を金型を用いて第2の樹脂
封止体で封止する工程を示す斜視図である。
FIG. 9 is a perspective view showing a step of sealing the upper portion of the collective substrate with a second resin seal using a mold.

【図10】上記図9のC−C線に沿った断面図である。FIG. 10 is a sectional view taken along the line CC of FIG. 9;

【図11】前記第2の樹脂封止体の上部を第3の樹脂封
止体で封止する工程を示す斜視図である。
FIG. 11 is a perspective view showing a step of sealing an upper portion of the second resin sealing body with a third resin sealing body.

【図12】上記図11のD−D線に沿った断面図であ
る。
FIG. 12 is a sectional view taken along the line DD in FIG. 11;

【図13】第3の樹脂封止体で封止した集合基板をX,
y方向の切断ラインに沿って分割する場合の断面説明図
である。
FIG. 13 shows a collective substrate sealed with a third resin sealant,
It is sectional explanatory drawing at the time of dividing | segmenting along the cutting line of ay direction.

【図14】従来における波長変換型の発光ダイオードの
一例を示す断面図である。
FIG. 14 is a cross-sectional view illustrating an example of a conventional wavelength conversion type light emitting diode.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 表面実装型発光ダイオード 12 ガラエポ基板 12a 上面外周部 13 カソード電極 14 アノード電極 15 発光ダイオード素子 21 反射枠 25 第1の樹脂封止体 26 反射枠の上端縁 27 第2の樹脂封止体 28 第3の樹脂封止体 29 集光レンズ部 31 ガラエポ集合基板 36 金型 40 第3の樹脂封止体の集合体 41 X方向の切断ライン 42 Y方向の切断ライン DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Surface mount type light emitting diode 12 Glass epoxy substrate 12a Upper surface outer peripheral part 13 Cathode electrode 14 Anode electrode 15 Light emitting diode element 21 Reflection frame 25 First resin sealing body 26 Upper edge of reflection frame 27 Second resin sealing body 28 3 Resin sealing body 29 Condensing lens part 31 Glass epoxy assembly substrate 36 Mold 40 Aggregation of third resin sealing body 41 Cutting line in X direction 42 Cutting line in Y direction

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平10−242526(JP,A) 特開 平7−99345(JP,A) 特開 昭61−158606(JP,A) 実開 平4−109556(JP,U) 実開 昭63−108655(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 33/00 H01L 23/28 H01L 23/29 H01L 23/31 JICSTファイル(JOIS)──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-10-242526 (JP, A) JP-A-7-99345 (JP, A) JP-A-61-158606 (JP, A) 109556 (JP, U) Real opening 63-108655 (JP, U) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 33/00 H01L 23/28 H01L 23/29 H01L 23/31 JICST File (JOIS)

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 ガラエポ基板の上面に搭載された発光ダ
イオード素子と、ガラエポ基板の上面側に充填されて前
記発光ダイオード素子を封止する樹脂封止体とを備えた
表面実装型発光ダイオードにおいて、 前記発光ダイオード素子の周囲に配置された反射枠と、
この反射枠内に充填され前記発光ダイオード素子を封止
する第1の樹脂封止体と、前記ガラエポ基板の上面外周
部を残して前記反射枠を含むガラエポ基板の上面側に充
填された第2の樹脂封止体と、この第2の樹脂封止体の
上面及び周側面に被せられて第2の樹脂封止体の外表面
を覆い隠し且つ前記ガラエポ基板の上面外周部に接着固
定されたキャップ状の第3の樹脂封止体とを備え、 上記第1の樹脂封止体には波長変換用材料が混入され、
第2の樹脂封止体には波長変換された光を拡散する拡散
剤が混入され、そして第3の樹脂封止体には紫外線吸収
剤が混入されていることを特徴とする表面実装型発光ダ
イオード。
1. A surface-mounted light emitting diode comprising: a light emitting diode element mounted on an upper surface of a glass epoxy substrate; and a resin sealing body filled on the upper surface side of the glass epoxy substrate to seal the light emitting diode element. A reflection frame arranged around the light emitting diode element,
A first resin sealing body filled in the reflection frame and sealing the light emitting diode element, and a second resin filling the upper surface side of the glass epoxy substrate including the reflection frame except for an outer peripheral portion of the upper surface of the glass epoxy substrate. And an outer surface of the second resin-sealed body covered on the upper surface and the peripheral side surface of the second resin-sealed body.
And a cap-shaped third resin sealing body adhered and fixed to an outer peripheral portion of the upper surface of the glass epoxy substrate, wherein a wavelength conversion material is mixed in the first resin sealing body ,
The second resin sealing body has a diffusion for diffusing the wavelength-converted light.
Agent is mixed, and the third resin for sealing body, characterized in that the ultraviolet absorber is mixed a surface mounted light emitting diode.
【請求項2】 前記充填された第1の樹脂封止体の上面
が、反射枠の上端縁より低いことを特徴とする請求項1
記載の表面実装型発光ダイオード。
2. An upper surface of the filled first resin sealing body is lower than an upper edge of a reflection frame.
A surface-mounted light emitting diode as described.
【請求項3】 前記第1の樹脂封止体に混入される波長
変換用材料が、蛍光染料又は蛍光顔料からなる蛍光物質
であることを特徴とする請求項1記載の表面実装型発光
ダイオード。
3. The surface-mounted light-emitting diode according to claim 1, wherein the wavelength conversion material mixed into the first resin sealing body is a fluorescent substance made of a fluorescent dye or a fluorescent pigment.
【請求項4】 前記第2の樹脂封止体に混入される拡散
剤が、酸化アルミニウム又は二酸化ケイ素であることを
特徴とする請求項1記載の表面実装型発光ダイオード。
4. Diffusion mixed in the second resin sealing body.
The surface mount type light emitting diode according to claim 1 , wherein the agent is aluminum oxide or silicon dioxide .
【請求項5】 前記第3の樹脂封止体の上面には集光レ
ンズ部が形成されていることを特徴とする請求項1記載
の表面実装型発光ダイオード。
5. The surface mounted light emitting diode according to claim 1, wherein a condenser lens portion is formed on an upper surface of the third resin sealing body.
【請求項6】 前記発光ダイオード素子が、窒化ガリウ
ム系化合物半導体あるいはシリコンカーバイド系化合物
半導体からなる青色発光の素子であることを特徴とする
請求項1記載の表面実装型発光ダイオード。
6. The surface-mounted light emitting diode according to claim 1, wherein the light emitting diode element is a blue light emitting element made of a gallium nitride compound semiconductor or a silicon carbide compound semiconductor.
【請求項7】 ガラエポ集合基板の上面に電極パターン
を形成し、この電極パターン上に反射枠を接着固定する
工程と、 それぞれの反射枠の内部に発光ダイオード素子を搭載
し、この発光ダイオード素子の電極と前記電極パターン
とを接続する工程と、 前記それぞれの反射枠内に波長変換用材料が混入された
第1の樹脂封止体を充填して発光ダイオード素子を封止
する工程と、 それぞれのガラエポ基板の上面外周部がマスクされる金
型を用い、前記反射枠を含むガラエポ集合基板の上面側
に拡散材が混入された第2の樹脂封止体を充填する工程
と、 紫外線吸収剤が混入された第3の樹脂封止体の集合体を
別工程で形成し、この第3の樹脂封止体の集合体を前記
第2の樹脂封止体の上からガラエポ集合基板上に被せ、
前記金型のマスクによって露出しているガラエポ集合基
板の上面外周部と第3の樹脂封止体の集合体とを接着す
る工程と、 ガラエポ集合基板に想定された切断ラインに沿ってそれ
ぞれの発光ダイオードを構成する基板の大きさ毎に切断
し、一つ一つの発光ダイオードに分割する工程とを備え
たことを特徴とする表面実装型発光ダイオードの製造方
法。
7. A step of forming an electrode pattern on the upper surface of the glass epoxy aggregate substrate and bonding and fixing a reflection frame on the electrode pattern; mounting a light emitting diode element inside each reflection frame; A step of connecting an electrode and the electrode pattern, a step of filling the first resin sealing body in which the wavelength conversion material is mixed into the respective reflection frames, and sealing the light emitting diode element; A step of filling the upper surface side of the glass epoxy aggregate substrate including the reflection frame with a second resin sealing body mixed with a diffusing material, using a mold in which the outer peripheral portion of the upper surface of the glass epoxy substrate is masked; Forming an aggregate of the mixed third resin encapsulant in a separate step, covering the aggregate of the third resin encapsulant on the glass epoxy aggregate substrate from above the second resin encapsulant,
Bonding the outer peripheral portion of the upper surface of the glass epoxy aggregate substrate exposed by the mold mask to the aggregate of the third resin sealing body; and emitting light along respective cutting lines assumed for the glass epoxy aggregate substrate. Cutting the substrate for each size of the substrate constituting the diode and dividing the substrate into individual light emitting diodes.
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