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JP3347279B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

半導体装置およびその製造方法

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JP3347279B2
JP3347279B2 JP35121197A JP35121197A JP3347279B2 JP 3347279 B2 JP3347279 B2 JP 3347279B2 JP 35121197 A JP35121197 A JP 35121197A JP 35121197 A JP35121197 A JP 35121197A JP 3347279 B2 JP3347279 B2 JP 3347279B2
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JP
Japan
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solder
insulating substrate
semiconductor device
joint
protrusion
Prior art date
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JP35121197A
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Inventor
建一 林
吾朗 出田
秀雄 松本
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明はパワーモジュール
に関し、特に絶縁基板と金属板とをはんだ接合した半導
体装置およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図９は従来の半導体装置のはんだ接合部
を示す断面図である。図において、１は半導体リードフ
レームのダイパッド、２は半導体ダイ、３ははんだ、４
は突起台である。また、図１０は従来の半導体リードフ
レームのダイパッドを示す斜視図である。図９および図
１０に示すように、ダイパッド１の表面に表面が平坦な
同一高さの突起台４を設け、ダイパッド１の突起台４を
含む全面にはんだ３を付着させて半導体ダイ２を載置す
る。これにより半導体ダイ２の下面は突起台４およびは
んだ３によって載置される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一般に、半導体装置を
実際に使用する場合、電源をオン・オフするのである
が、これに伴って半導体装置に温度変化が生じる。半導
体装置の各構成部材の線膨張係数が異なることから半導
体装置の温度変化によって半導体装置のはんだ接合部に
歪みが生じ、はんだ接合部に亀裂が発生・進展して熱的
および電気的信頼性を著しく低下させるという問題点が
あった。
【０００４】この亀裂の発生・進展を抑制するものとし
てはんだ接合部を厚く形成することが一般に良く知られ
ている。しかし、半導体チップや基板等の比較的大きな
はんだ接合面積を有する部材では、はんだ接合部の厚さ
は均一にならず半導体チップや基板等に傾きが生じ、単
に供給するはんだ量を多くしてもはんだ厚さの薄い部分
がかならず発生し、亀裂発生に対する余裕度を高めるこ
とにはならないという問題点があった。
【０００５】これを解決するものとして従来の半導体装
置では図９，図１０に示すように、半導体ダイ２と接触
する部分に平坦な突起台４を設けた半導体リードフレー
ムのダイパッド１を使用することによりはんだ接合部の
厚さを均一に形成している。ところが、突起台とはんだ
との接触部近傍の拡大断面図である図１１に示すよう
に、突起台４とはんだ３との接触部界面において金属間
化合物層５が形成される。また、突起台４とはんだ３と
の接触部においてははんだ３の形状は角を持ち、いわゆ
る角部６となる。
【０００６】ここで、一般に角部６には応力集中が生
じ、突起台４とはんだ３との界面近傍部においてはんだ
３に亀裂が発生しやすいという問題点があった。さら
に、金属間化合物層５が一般に硬くて脆い性質を有して
おり、強度や伸び等の機械的物性がはんだ３に比べて著
しく劣るためにはんだ３に亀裂が発生しやすいという問
題点があった。以上のような問題点は、セラミックス製
絶縁基板と金属板とのはんだ接合のようにはんだ接合面
積の大きな場合により大きな問題となる。
【０００７】更に、セラミックス製絶縁基板と金属板と
のはんだ接合部において突起台を形成すると、はんだ溶
融状態においてセラミックス製絶縁基板が大きく左右に
傾くことがなく、発生したボイドを自然に排出する駆動
力に欠けることになる。そのために、冷却凝固後のはん
だ接合部にボイドが残存してしまい、放熱性が悪くなる
という問題点があった。
【０００８】この発明は上記のような問題点を解消する
ために成されたもので、絶縁基板と金属板との間のはん
だ接合部の厚さを均一にできるとともに、はんだ接合部
において亀裂の発生および進展を抑制でき、ボイドの発
生も抑えることのできる放熱性に優れた信頼性の高い半
導体装置およびその製造方法を提供することを目的とし
ている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係
る半導体装置は、突起がはんだに濡れないＡｌからな
り、突起ははんだ接合部の金属板側に金属接合によって
固着されている、または 、はんだ接合部の絶縁基板側に
金属接合によって固着されているとともに、突起の周囲
とはんだ接合部との間にボイドが形成されるものであ
る。
【００１０】この発明の請求項２に係る半導体装置は、
突起がはんだに濡れないワイヤ片であって、上記ワイヤ
径によってはんだ接合部の厚さを規制するようにしたも
のである。
【００１１】この発明の請求項３に係る半導体装置は、
はんだに濡れないワイヤ片が直径５０〜４００ミクロン
のＡｌのボンディングワイヤであるものである。
【００１２】この発明の請求項４に係る半導体装置の製
造方法は、金属板上または上記絶縁基板上に金属接合に
より固着されたはんだに濡れないＡｌの突起を形成する
工程を備え、はんだ接合する工程が、大気圧下ではんだ
を溶融し溶融はんだを形成する工程と、上記溶融はんだ
を減圧した後に、上記溶融はんだを大気圧に戻すことに
より、上記突起の周囲と上記溶融はんだとの間に形成さ
れるボイドを収縮して小さくする工程と、上記溶融はん
だを凝固する工程からなるものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】実施の形態１． 図１はこの発明の実施の形態１のパワーモジュールを示
したもので、図１（ａ）は斜視図であり、図１（ｂ）は
断面図である。図において、７はＳｉ製の半導体チップ
（以下、チップと称す）、８はセラミックスである窒化
アルミ（以下、ＡｌＮと称す）、９，１０はＡｌＮ８の
両面に備えられた導体層である銅製のパターン、１１は
ＡｌＮ８と銅製のパターン９，１０とからなる絶縁基
板、１２は金属板としての銅板、１３はチップ７と絶縁
基板１１との固着に用いたはんだ、１４は絶縁基板１１
と銅板１２との固着に用いたすず−鉛系のはんだ、１５
は絶縁基板１１と銅板１２とのはんだ１４接合部に複数
個設置された突起であり、はんだ１４に濡れないＡｌ製
でできている。更に、１６は突起１５の周囲に生じるボ
イドである。
【００１４】図１に示すように、パワーモジュールはチ
ップ７をはんだ１３によって固着した絶縁基板１１を銅
板１２上に固着した構造をしており、通常はヒートシン
ク（図示なし）上に搭載されている。このとき、Ｓｉ，
ＡｌＮ，Ｃｕの線膨張係数はそれぞれ４ｐｐｍ／℃，５
ｐｐｍ／℃，１７ｐｐｍ／℃程度である。したがって、
Ｓｉからなるチップ７とＡｌＮからなる絶縁基板１１と
は線膨張係数が近くはんだ１３では亀裂発生・進展に対
する余裕度は大きいのであるが、絶縁基板１１と銅板１
２とでは線膨張係数の差が大きくはんだ１４では亀裂発
生・進展に対する余裕度が小さいことがわかる。
【００１５】また、はんだ１３よりもはんだ１４の方が
放熱性の関係から、はんだ接合部の面積が大きいのが一
般的であり、はんだ１４ははんだ１３に比べて更に亀裂
発生・進展が起こりやすくなっている。そこで、従来と
同様にして、はんだ１４接合部においては絶縁基板１１
と銅板１２との間に突起１５を設けることによりはんだ
１４の厚さを均一に形成し、局部的にはんだ１４が薄く
なるようなことがなく、はんだ厚さの不均一による亀裂
の発生・進展は防止することができる。
【００１６】更に、突起１５ははんだ１４に濡れないＡ
ｌ製であるので、突起１５の周囲にはボイド１６が突起
１５を取り囲むように生じてしまう。しかし、ボイド１
６の周囲では、はんだは滑らかなフィレット形状とな
り、従来のように突起台４とはんだ３との接触部界面に
おいて金属間化合物層５や角部６が形成されることがな
い。したがって、突起１５の部分が亀裂発生の起点とな
ることがない。
【００１７】また、図２（ａ）（ｂ）ははんだ端部から
亀裂が発生した場合のはんだ部分の拡大断面図であり、
図２（ａ）に示すように、亀裂１７がはんだ１４の端部
から発生したとき、亀裂１７の先端部の形状は先が細く
鋭く尖った形状となり、先端部に局部的な応力集中が生
じ亀裂１７の進展を促進させる。ところが、図２（ｂ）
に示すように、亀裂１７がボイド１６に達すると、亀裂
１７はボイド１６と一体化することにより先端部の応力
集中を解消する。その結果、たとえこのように、はんだ
端部から亀裂が発生したとしても、亀裂１７の進展を停
止させることができる。
【００１８】この様に、はんだ１４接合部において、は
んだ１４に濡れることのない材料で突起１５を形成した
ので、亀裂１７の発生・進展を抑制でき、熱的、電気的
に信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【００１９】また、ここでは絶縁基板１１上にチップ７
が一個だけ実装されたパワーモジュールを例にとって説
明したが、一枚の絶縁基板１１上にチップ７が複数個実
装されている場合であっても良い。また、銅板１２上に
絶縁基板１１が一枚だけ実装されたパワーモジュールを
例にとって説明したが、一枚の銅板１２上に絶縁基板１
１が複数枚実装されていても良い。
【００２０】また、絶縁基板１１の主材としてのセラミ
ックスとしてＡｌＮ８について説明をしたが、アルミ
ナ，窒化珪素等でもよい。また、金属板として銅板１２
について説明をしたが、表面処理を施したＡｌ，Ｃｕを
主体とする合金，表面処理を施したＡｌを主体とする合
金でも良い。また、はんだ１４としてすず−鉛系のはん
だを例に説明をしたが、Ｓｎ，Ｉｎ，Ｐｂ，Ｂｉを基と
するはんだであればよい。
【００２１】実施の形態２． 図３はこの発明の実施の形態２のパワーモジュールの構
成を示したもので、図３（ａ）は断面図であり、図３
（ｂ）は突起部分の拡大断面図である。図において、１
５ａははんだに濡れないワイヤ片を用いた突起であり、
１８は突起１５ａと銅板１２とが金属接合によって固着
している金属接合部である。
【００２２】突起１５ａをワイヤ片とすると突起１５ａ
の高さはワイヤ径できまるので突起１５ａの高さを容易
に揃えることができる。したがって、はんだ１４接合部
は平坦性に優れるとともに厚さを容易に制御することが
でき、亀裂に対する信頼性と放熱性とを考慮した所望の
はんだ１４厚さを有する半導体装置を容易に製造するこ
とができる。
【００２３】更に、実施の形態１では突起の固着につい
ては特に言及しなかったが、ここでは、突起１５ａは金
属接合部１８で銅板１２に金属接合されており、突起１
５ａとそれに伴うボイド１６とを所望の位置に形成する
ことができる。したがって、放熱性に影響を及ぼすボイ
ド１６の位置を確実にコントロールすることができ、チ
ップ７直下におけるボイド１６の発生を防止することが
でき、半導体装置の放熱性を向上させることができる。
【００２４】また、突起１５ａをＡｌ製のボンディング
ワイヤを用いて形成し、金属接合手段として超音波ボン
ディング技術を用いることにより、突起材料を容易に入
手でき、突起１５ａの固着作業性に優れ、簡単に、短時
間に、低コストで突起１５ａを作成することができる。
更に、突起１５ａの高さを決めるボンディングワイヤの
直径は放熱性および信頼性を考慮して５０〜４００ミク
ロン程度が良い。
【００２５】図４は銅板上の突起を示した斜視図であ
る。図において、突起１５ａはＡｌ製のボンディングワ
イヤであり、銅板１２へは超音波ボンディング技術を用
いて金属接合部１８で固着させている。図に示すよう
に、、突起１５ａの金属接合部１８が２か所のものと１
か所のものが示されている。一般に、ワイヤ径の細いも
のは端部の変形を防ぐために両端の２か所で金属接合さ
れ、ワイヤ径の太いものは端部が変形することがないの
で中央の１か所で金属接合されることが多い。いずれの
接合方法でもワイヤ径が突起１５ａの高さとなり、はん
だ１４の厚さを制御する。
【００２６】図４では金属接合部１８が１か所または２
か所の突起１５ａが混在する場合について示したが、ど
ちらか一方のみでも良い。また、突起１５ａが４個の場
合について示したが、突起１５ａは３個以上でかつ一直
線に並ぶことがなければ幾つであっても良い。
【００２７】この様に、突起１５ａをワイヤで形成すれ
ば、突起１５ａの高さを容易に揃えることができ、はん
だ１４接合部は平坦性に優れるとともに厚さを容易に制
御することができる。また、突起１５ａを銅板１２上に
金属接合すれば突起１５ａに伴うボイド１６がチップ７
直下に位置することを避けることができ、放熱性を向上
させることができる。また、突起１５ａをＡｌ製のボン
ディングワイヤで形成し超音波ボンディング技術で金属
接合すれば、突起１５ａを簡単に、短時間に、低コスト
で作成することができる。
【００２８】実施の形態３． 図５はこの発明の実施の形態３のパワーモジュールの構
成を示したもので、図５（ａ）は断面図であり、図５
（ｂ）は突起部分の拡大断面図である。図に示すよう
に、ここではワイヤ片からなる突起１５ａは絶縁基板１
１に金属接合部１８を設けている。
【００２９】ここで、一般に、絶縁基板１１と銅板１２
とのはんだ１４接合方法は、まず、所定の位置に開口部
を設けたはんだ印刷用スクリーンマスク（以下、印刷マ
スクと称す）を用いて、適量にフラックス（１０％ｗｔ
程度）を含有したはんだペーストを銅板１２の所定位置
に印刷、供給するはんだ印刷工程の後、この銅板１２上
のはんだ印刷位置に絶縁基板１１を載置する。その後、
はんだペーストを加熱溶融させ、はんだ接合を行う。
【００３０】したがって、突起１５ａを絶縁基板１１へ
固着しておけば、銅板１２上には突起１５ａがないの
で、銅板１２上へのはんだ印刷工程において銅板１２上
へのスムーズなはんだ印刷が可能となり、絶縁基板１１
と銅板１２とのはんだ１４接合をより簡単に行うことが
できる。
【００３１】また、一般に、絶縁基板１１の方が銅板１
２よりも小さく、軽く、薄いので、突起１５ａを金属接
合する場合にも銅板１２よりも絶縁基板１１のほうが取
り扱いやすく、突起１５ａの固着をスムーズに行える。
【００３２】更に、図６はこの発明の実施の形態３のパ
ワーモジュールの断面図である。図に示すように、一枚
の銅板１２上に２個の絶縁基板１１を搭載しているが、
突起１５ａは絶縁基板１１に固着されているので、通常
のはんだ印刷工程において銅板１２上の２か所の所定位
置に同時にはんだを供給することができ、はんだ１４接
合方法が複雑になることがない。
【００３３】実施の形態４． 上記実施の形態１〜３ではパワーモジュールの構造につ
いて説明を行なってきたが、ここではパワーモジュール
の製造方法について説明する。図７はこの発明の実施の
形態４のパワーモジュールのはんだ接合方法を示す工程
断面図である。図に示すように、はんだ印刷工程におい
て、銅板１２上にフラックスを含むはんだペースト１９
を印刷・供給後、フラックスを含まない板はんだ２０を
追加供給して所望のはんだ量となるようにはんだ供給量
を調節する。
【００３４】この様にすれば、はんだ量とフラックス量
との両方のコントロールが可能となり、フラックスの過
剰供給によるボイドの発生を抑えることができる。した
がって、はんだ１４の厚さが厚くても平坦性の良い、ボ
イドの少ない良好なはんだ１４接合部を形成することが
できる。なお、ここでは板はんだについて説明を行った
が、糸はんだや棒はんだなどフラックスを含有しない固
形のはんだであれば良い。
【００３５】実施の形態５． 図８（ａ）〜（ｄ）はこの発明の実施の形態５のパワー
モジュールのはんだ接合方法を示す工程断面図である。
図にしたがって順次説明をする。まず、図８（ａ）に示
すように、パワーモジュールをはんだ１４の溶融温度以
上の温度で大気圧下におく。このとき、はんだ１４は溶
融状態となり、溶融はんだ１４ａを形成する。溶融はん
だ１４ａ中には無数の小径ボイド２１が発生している。
【００３６】次に、図８（ｂ）に示すように、その後、
減圧を行うと、ボイド２１中の圧力が外気圧に比べて高
くなるためボイド２１は膨張し、近辺のボイド２１と合
併するなどして大型化する。また、ボイド２１は大型化
することによって流動性を増し溶融はんだ１４ａ中を徐
々に移動して周囲の外気に散逸する。
【００３７】次に、図８（ｃ）に示すように、減圧状態
を暫く続けると、ボイド２１はほとんど周囲の外気に散
逸してしまい、突起１５の周囲のボイド１６とほんの僅
かのボイド２１とだけになる。
【００３８】次に、図８（ｄ）に示すように、圧力を大
気圧に戻す。溶融はんだ１４ａ内部の圧力が外気圧に比
べて小さくなるため突起１５の周囲に存在するボイド１
６も溶融はんだ１４ａ中に僅かに残ったボイド２１も収
縮し、小さくなる。その後、溶融はんだ１４ａを凝固さ
せることによって絶縁基板１１と銅板１２とのはんだ１
４接合を行う。
【００３９】以上のようにはんだ１４接合工程を行え
ば、突起１５を有するはんだ１４接合部においてボイド
１６，２１は充分小さくなり放熱性に悪影響を及ぼすこ
とがない。
【００４０】なお、上記実施の形態４と実施の形態５と
を併せて行えば各々の実施の形態の効果が相乗され、よ
り効果的にボイドの発生を抑制することができる。
【００４１】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、突起が
はんだに濡れないＡｌからなり、突起 ははんだ接合部の
金属板側に金属接合によって固着されている、または、
はんだ接合部の絶縁基板側に金属接合によって固着され
ているとともに、突起の周囲とはんだ接合部との間にボ
イドが形成されるので、突起の周囲のボイドにより、は
んだが滑らかなフィレット形状を作り、突起とはんだと
の接触界面において金属間化合物層や角部を形成するこ
とがなく、突起の部分が亀裂発生の起点となることがな
い。また、はんだ端部から亀裂が発生しても突起周囲の
ボイドで亀裂の進展を停止させることができる効果があ
る。また、突起がはんだ接合部の金属板側に金属接合に
よって固着している場合には、突起を任意の位置におく
ことができ、突起に伴うボイドが半導体チップ直下に位
置することを避けることができ、放熱性を向上させるこ
とができる効果がある。また、突起がはんだ接合部の絶
縁基板側に金属接合によって固着している場合には、金
属板に突起が無く、金属板上へのはんだ印刷工程がスム
ーズにでき、絶縁基板と金属板とのはんだ接合をより簡
単に行うことができるという効果がある。
【００４２】また、突起がはんだに濡れないワイヤ片で
あって、上記ワイヤ径によってはんだ接合部の厚さを規
制するようにしたので、突起の周囲にボイドがフィレッ
ト形状を作り、突起とはんだとの接触界面において金属
間化合物層や角部を形成することがなく、突起の部分が
亀裂発生の起点となることがない。また、はんだ端部か
ら亀裂が発生しても突起周囲のボイドで亀裂の進展を停
止させることができる。更に、突起の高さはワイヤ径で
きまるので突起の高さを容易に揃えることができ、はん
だ接合部は平坦性に優れるとともに厚さを容易に制御す
ることができ、亀裂に対する信頼性をより高めることが
できる効果がある。
【００４３】また、はんだに濡れないワイヤ片が直径５
０〜４００ミクロンのＡｌのボンディングワイヤである
ので、放熱性および信頼性に最適なはんだの厚さを容易
に決定することができるとともに、突起材料を容易に入
手でき、突起の固着作業性に優れ、簡単に、短時間に、
低コストで突起を作成することができる効果がある。
【００４４】また、金属板上または上記絶縁基板上に金
属接合により固着されたはんだに濡れないＡｌの突起を
形成する工程を備え、はんだ接合する工程が、大気圧下
ではんだを溶融し溶融はんだを形成する工程と、上記溶
融はんだを減圧した後に、上記溶融はんだを大気圧に戻
すことにより、上記突起の周囲と上記溶融はんだとの間
に形成されるボイドを収縮して小さくする工程と、上記
溶融はんだを凝固する工程からなるので、はんだ接合部
において放熱性に悪影響を及ぼす可能性のある突起の周
囲に形成されるボイドの発生を極力抑えることができる
効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の実施の形態１のパワーモジュール
を示した斜視図および断面図である。
【図２】 はんだ部分の拡大断面図である。
【図３】 この発明の実施の形態２のパワーモジュール
の構成を示した断面図および拡大断面図である。
【図４】 銅板上の突起を示した斜視図である。
【図５】 この発明の実施の形態３のパワーモジュール
の構成を示した断面図および拡大断面図である。
【図６】 この発明の実施の形態３のパワーモジュール
の断面図である。
【図７】 この発明の実施の形態４のパワーモジュール
のはんだ接合方法を示す工程断面図である。
【図８】 この発明の実施の形態５のパワーモジュール
のはんだ接合方法を示す工程断面図である。
【図９】 従来の半導体装置のはんだ接合部を示す断面
図である。
【図１０】 従来の半導体リードフレームのダイパッド
を示す斜視図である。
【図１１】 従来の半導体装置の突起台とはんだとの接
触部近傍の拡大断面図である。
【符号の説明】
７ 半導体チップ、８ 窒化アルミ、９，１０ 銅製パ
ターン、１１ 絶縁基板、１２ 銅板、１３ はんだ、
１４ すず−鉛系のはんだ、１４ａ 溶融はんだ、１
５，１５ａ 突起、１６，２１ ボイド、１８ 金属接
合部、１９ フラックスを含むはんだペースト、２０
フラックスを含まない板はんだ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−216167（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−8168（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−249632（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−120741（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−148347（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−152094（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−155081（ＪＰ，Ａ) 実開 昭61−86940（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/52 H01L 21/60

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 金属板上に、セラミックスからなる主材
    の両面にはんだ接合可能な導体層を有する絶縁基板を備
    え、上記絶縁基板上に半導体チップを備え、上記絶縁基
    板と金属板とがはんだ接合部を介して接合されており、
    上記はんだ接合部に上記はんだ接合部の厚さを規制する
    複数個の突起が設けられている半導体装置において、 上記突起ははんだに濡れないＡｌからなり、上記突起は
    上記はんだ接合部の上記金属板側に金属接合によって固
    着されている、または、上記はんだ接合部の上記絶縁基
    板側に金属接合によって固着されているとともに、上記
    突起の周囲と上記はんだ接合部との間にボイドが形成さ
    れることを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 突起がはんだに濡れないワイヤ片であっ
    て、上記ワイヤ径によってはんだ接合部の厚さを規制す
    るようにしたことを特徴とする請求項１記載の半導体装
    置。
  3. 【請求項３】 はんだに濡れないワイヤ片が直径５０〜
    ４００ミクロンのＡｌのボンディングワイヤであること
    を特徴とする請求項２記載の半導体装置。
  4. 【請求項４】 金属板上に、セラミックスからなる主材
    の両面にはんだ接合可能な導体層を有する絶縁基板をは
    んだ接合する工程と、上記絶縁基板上に半導体チップを
    搭載する工程とを備えた半導体装置の製造方法におい
    て、上記金属板上または上記絶縁基板上に金属接合により固
    着されたはんだに濡れないＡｌの突起を形成する工程を
    備え、 上記はんだ接合する工程が、大気圧下ではんだを
    溶融し溶融はんだを形成する工程と、上記溶融はんだを
    減圧した後に、上記溶融はんだを大気圧に戻すことによ
    り、上記突起の周囲と上記溶融はんだとの間に形成され
    るボイドを収縮して小さくする工程と、上記溶融はんだ
    を凝固する工程からなることを特徴とする半導体装置の
    製造方法。
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