JP3345529B2 - ワイヤボンディング用端子とその製造方法並びにそのワイヤボンディング端子を用いた半導体搭載用基板の製造方法 - Google Patents
ワイヤボンディング用端子とその製造方法並びにそのワイヤボンディング端子を用いた半導体搭載用基板の製造方法Info
- Publication number
- JP3345529B2 JP3345529B2 JP15313995A JP15313995A JP3345529B2 JP 3345529 B2 JP3345529 B2 JP 3345529B2 JP 15313995 A JP15313995 A JP 15313995A JP 15313995 A JP15313995 A JP 15313995A JP 3345529 B2 JP3345529 B2 JP 3345529B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating film
- wire bonding
- electroless
- terminal
- minutes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/1012—Auxiliary members for bump connectors, e.g. spacers
- H01L2224/10122—Auxiliary members for bump connectors, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body to be connected
- H01L2224/10125—Reinforcing structures
- H01L2224/10126—Bump collar
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01028—Nickel [Ni]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01046—Palladium [Pd]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ワイヤボンディング用
端子とその製造方法に関する。
端子とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】プリント配線板は、近年、高密度化が進
んでおり、配線板に直接半導体チップを搭載する半導体
搭載用パッケージであるチップオンボード（以下、ＣＯ
Ｂという。）やマルチチップモジュール（以下、ＭＣＭ
という。）等の需要が伸びている。これらのパッケージ
と半導体チップとの電気的接続は、通常、ワイヤボンデ
ィングが用いられる。このパッケージにおけるワイヤボ
ンディング用端子としては、例えば、社団法人プリント
回路学会誌「サーキットテクノロジー」（１９９３年Ｖ
ｏｌ．８ Ｎｏ．５ ３６８〜３７２頁）に掲載されて
いるように、端子部分の銅箔表面に、ニッケルめっき皮
膜／置換金めっき皮膜／無電解金めっき皮膜を形成する
ことが知られている。また、特開平５−５５７２７号公
報には、端子部分の回路銅の表面に、ニッケルめっき皮
膜／パラジウムめっき皮膜を形成することが記載されて
いる。
んでおり、配線板に直接半導体チップを搭載する半導体
搭載用パッケージであるチップオンボード（以下、ＣＯ
Ｂという。）やマルチチップモジュール（以下、ＭＣＭ
という。）等の需要が伸びている。これらのパッケージ
と半導体チップとの電気的接続は、通常、ワイヤボンデ
ィングが用いられる。このパッケージにおけるワイヤボ
ンディング用端子としては、例えば、社団法人プリント
回路学会誌「サーキットテクノロジー」（１９９３年Ｖ
ｏｌ．８ Ｎｏ．５ ３６８〜３７２頁）に掲載されて
いるように、端子部分の銅箔表面に、ニッケルめっき皮
膜／置換金めっき皮膜／無電解金めっき皮膜を形成する
ことが知られている。また、特開平５−５５７２７号公
報には、端子部分の回路銅の表面に、ニッケルめっき皮
膜／パラジウムめっき皮膜を形成することが記載されて
いる。
【０００３】また、配線板の端部にコネクタへ挿入する
端子部として、金めっきを行なうことは、古くから知ら
れており、例えば、特開平１−１８０９８５号公報に
は、銅箔の表面に、ニッケルめっき皮膜／パラジウムの
めっき核の形成／無電解金めっき皮膜を形成することが
記載され、特開平５−３２７１８７号公報には、銅箔の
表面に、パラジウムめっき皮膜／金めっき皮膜あるいは
パラジウムめっき皮膜を形成することが記載され、特開
平６−２２８７６２号公報には、銅箔の表面に、ニッケ
ルめっき皮膜／パラジウムストライクめっき皮膜／置換
金めっき皮膜を形成することが記載されている。
端子部として、金めっきを行なうことは、古くから知ら
れており、例えば、特開平１−１８０９８５号公報に
は、銅箔の表面に、ニッケルめっき皮膜／パラジウムの
めっき核の形成／無電解金めっき皮膜を形成することが
記載され、特開平５−３２７１８７号公報には、銅箔の
表面に、パラジウムめっき皮膜／金めっき皮膜あるいは
パラジウムめっき皮膜を形成することが記載され、特開
平６−２２８７６２号公報には、銅箔の表面に、ニッケ
ルめっき皮膜／パラジウムストライクめっき皮膜／置換
金めっき皮膜を形成することが記載されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記した従
来の構造や方法においては、めっきを行なった後の加熱
処理によって、ワイヤボンディングの成功率が著しく低
下するという課題がある。このような加熱処理とは、例
えば、めっきを行なった後に、水分を除去するために乾
燥するときに加わる熱がある。
来の構造や方法においては、めっきを行なった後の加熱
処理によって、ワイヤボンディングの成功率が著しく低
下するという課題がある。このような加熱処理とは、例
えば、めっきを行なった後に、水分を除去するために乾
燥するときに加わる熱がある。
【０００５】本発明は、加熱処理を行なってもワイヤボ
ンディングの成功を妨げない、ワイヤボンディング用端
子とその製造方法並びにそのワイヤボンディング端子を
用いた半導体搭載用基板の製造方法を提供することを目
的とする。
ンディングの成功を妨げない、ワイヤボンディング用端
子とその製造方法並びにそのワイヤボンディング端子を
用いた半導体搭載用基板の製造方法を提供することを目
的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のワイヤボンディ
ング用端子は、端子形状の銅の表面に、無電解ニッケル
めっき皮膜、置換パラジウムめっき皮膜または無電解パ
ラジウムめっき皮膜、置換金めっき皮膜、無電解金めっ
き皮膜を、この順序に形成したことを特徴とする。
ング用端子は、端子形状の銅の表面に、無電解ニッケル
めっき皮膜、置換パラジウムめっき皮膜または無電解パ
ラジウムめっき皮膜、置換金めっき皮膜、無電解金めっ
き皮膜を、この順序に形成したことを特徴とする。
【０００７】無電解ニッケルめっき皮膜の厚さは、１μ
ｍ以上であることが好ましく、１μｍ未満であると、加
熱処理後のワイヤボンディングの成功率が低下する。ま
た、上限は、ほとんど経済的な理由によってのみ制限さ
れ、通常は、１５μｍまでとするのが好ましい。
ｍ以上であることが好ましく、１μｍ未満であると、加
熱処理後のワイヤボンディングの成功率が低下する。ま
た、上限は、ほとんど経済的な理由によってのみ制限さ
れ、通常は、１５μｍまでとするのが好ましい。
【０００８】置換パラジウムめっき皮膜または無電解パ
ラジウムめっき皮膜の厚さは、０．１μｍ以上であるこ
とが好ましく、０．１μｍ未満であると、加熱処理後の
ワイヤボンディングの成功率が低下する。また、上限
は、ほとんど経済的な理由によってのみ制限され、通常
は、２μｍまでとするのが好ましい。
ラジウムめっき皮膜の厚さは、０．１μｍ以上であるこ
とが好ましく、０．１μｍ未満であると、加熱処理後の
ワイヤボンディングの成功率が低下する。また、上限
は、ほとんど経済的な理由によってのみ制限され、通常
は、２μｍまでとするのが好ましい。
【０００９】置換金めっき皮膜と無電解金めっき皮膜の
厚さの和は、０．０４μｍ以上であることが好ましく、
０．０４μｍ未満であると、加熱処理後のワイヤボンデ
ィングの成功率が低下するまた、上限は、ほとんど経済
的な理由によってのみ制限され、通常は、２μｍまでと
するのが好ましい。
厚さの和は、０．０４μｍ以上であることが好ましく、
０．０４μｍ未満であると、加熱処理後のワイヤボンデ
ィングの成功率が低下するまた、上限は、ほとんど経済
的な理由によってのみ制限され、通常は、２μｍまでと
するのが好ましい。
【００１０】このようなワイヤボンディング用端子を製
造するには、端子形状の銅の表面に、無電解ニッケルめ
っき皮膜を形成し、その表面に置換パラジウムめっき皮
膜または無電解パラジウムめっき皮膜を形成し、その表
面に置換金めっき皮膜を形成し、その表面に無電解金め
っき皮膜を形成することによって、得られる。
造するには、端子形状の銅の表面に、無電解ニッケルめ
っき皮膜を形成し、その表面に置換パラジウムめっき皮
膜または無電解パラジウムめっき皮膜を形成し、その表
面に置換金めっき皮膜を形成し、その表面に無電解金め
っき皮膜を形成することによって、得られる。
【００１１】このようなワイヤボンディング用端子を有
する半導体搭載用基板としては、ＣＯＢ，ＭＣＭの他、
ピングリッドアレイ（以下、ＰＧＡという。）、ボール
グリッドアレイ（以下、ＢＧＡという。）等、どのよう
な基板に用いることもでき、絶縁基材としては、セラミ
クス等無機質基板や、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、
ポリイミド樹脂等の有機質基板等、どのような材料でも
用いることができる。
する半導体搭載用基板としては、ＣＯＢ，ＭＣＭの他、
ピングリッドアレイ（以下、ＰＧＡという。）、ボール
グリッドアレイ（以下、ＢＧＡという。）等、どのよう
な基板に用いることもでき、絶縁基材としては、セラミ
クス等無機質基板や、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、
ポリイミド樹脂等の有機質基板等、どのような材料でも
用いることができる。
【００１２】
実施例１ 銅張り積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７（日立化成工業株
式会社製、商品名）に孔をあけ、スルーホールめっきを
行ない、エッチングレジストを形成し、不要な銅をエッ
チング除去し、不要な箇所にめっきを析出させないよう
に、ソルダーレジストを兼ねためっきレジストを形成し
た後、以下の工程によりワイヤボンディング端子を形成
した。 工程１：（前処理） 上記基板を、脱脂液Ｚ−２００（株式会社ワールドメタ
ル製、商品名）に、５０℃で３分間浸漬し、２分間水洗
し、その後、１００ｇ／ｌの過硫酸アンモニウム溶液に
１分間浸漬し、２分間水洗し、１０％の硫酸で１分間浸
漬し、２分間水洗する。 工程２：（活性化） 続いて、めっき活性化処理液であるＳＡ−１００（日立
化成工業株式会社製、商品名）に、２５℃で５分間、浸
漬処理し、２分間水洗する。 工程３：（無電解ニッケルめっき） 続いて、無電解ニッケルめっき液であるＮＩＰＳ−１０
０（日立化成工業株式会社製、商品名）に、８５℃で２
０分間、浸漬処理する。 工程４：（無電解パラジウムめっき） 続いて、無電解パラジウムめっき液であるＡＰＰ（石原
薬品工業株式会社製、商品名）に、５０℃で２０分間、
浸漬処理する。 工程５：（置換金めっき） 続いて、置換金めっき液であるＨＧＳ−１００（日立化
成工業株式会社製、商品名）に、８５℃で１０分間、浸
漬処理する。 工程６：（無電解金めっき） 続いて、無電解金めっき液であるＨＧＳ−２０００（日
立化成工業株式会社製、商品名）に、６５℃で４０分
間、浸漬処理する。
式会社製、商品名）に孔をあけ、スルーホールめっきを
行ない、エッチングレジストを形成し、不要な銅をエッ
チング除去し、不要な箇所にめっきを析出させないよう
に、ソルダーレジストを兼ねためっきレジストを形成し
た後、以下の工程によりワイヤボンディング端子を形成
した。 工程１：（前処理） 上記基板を、脱脂液Ｚ−２００（株式会社ワールドメタ
ル製、商品名）に、５０℃で３分間浸漬し、２分間水洗
し、その後、１００ｇ／ｌの過硫酸アンモニウム溶液に
１分間浸漬し、２分間水洗し、１０％の硫酸で１分間浸
漬し、２分間水洗する。 工程２：（活性化） 続いて、めっき活性化処理液であるＳＡ−１００（日立
化成工業株式会社製、商品名）に、２５℃で５分間、浸
漬処理し、２分間水洗する。 工程３：（無電解ニッケルめっき） 続いて、無電解ニッケルめっき液であるＮＩＰＳ−１０
０（日立化成工業株式会社製、商品名）に、８５℃で２
０分間、浸漬処理する。 工程４：（無電解パラジウムめっき） 続いて、無電解パラジウムめっき液であるＡＰＰ（石原
薬品工業株式会社製、商品名）に、５０℃で２０分間、
浸漬処理する。 工程５：（置換金めっき） 続いて、置換金めっき液であるＨＧＳ−１００（日立化
成工業株式会社製、商品名）に、８５℃で１０分間、浸
漬処理する。 工程６：（無電解金めっき） 続いて、無電解金めっき液であるＨＧＳ−２０００（日
立化成工業株式会社製、商品名）に、６５℃で４０分
間、浸漬処理する。
【００１３】実施例２ 銅張り積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７（日立化成工業株
式会社製、商品名）に孔をあけ、スルーホールめっきを
行ない、エッチングレジストを形成し、不要な銅をエッ
チング除去し、不要な箇所にめっきを析出させないよう
に、ソルダーレジストを兼ねためっきレジストを形成し
た後、以下の工程によりワイヤボンディング端子を形成
した。 工程１：（前処理） 上記基板を、脱脂液Ｚ−２００（株式会社ワールドメタ
ル製、商品名）に、５０℃で３分間浸漬し、２分間水洗
し、その後、１００ｇ／ｌの過硫酸アンモニウム溶液に
１分間浸漬し、２分間水洗し、１０％の硫酸で１分間浸
漬し、２分間水洗する。 工程２：（活性化） 続いて、めっき活性化処理液であるＳＡ−１００（日立
化成工業株式会社製、商品名）に、２５℃で５分間、浸
漬処理し、２分間水洗する。 工程３：（無電解ニッケルめっき） 続いて、無電解ニッケルめっき液であるＮＩＰＳ−１０
０（日立化成工業株式会社製、商品名）に、８５℃で２
０分間、浸漬処理する。 工程４：（置換パラジウムめっき） 続いて、置換パラジウムめっき液であるＭＣＡ（株式会
社ワールドメタル製、商品名）に、２５℃で２０分間、
浸漬処理する。 工程５：（置換金めっき） 続いて、置換金めっき液であるＨＧＳ−１００（日立化
成工業株式会社製、商品名）に、８５℃で１０分間、浸
漬処理する。 工程６：（無電解金めっき） 続いて、無電解金めっき液であるＨＧＳ−２０００（日
立化成工業株式会社製、商品名）に、６５℃で４０分
間、浸漬処理する。
式会社製、商品名）に孔をあけ、スルーホールめっきを
行ない、エッチングレジストを形成し、不要な銅をエッ
チング除去し、不要な箇所にめっきを析出させないよう
に、ソルダーレジストを兼ねためっきレジストを形成し
た後、以下の工程によりワイヤボンディング端子を形成
した。 工程１：（前処理） 上記基板を、脱脂液Ｚ−２００（株式会社ワールドメタ
ル製、商品名）に、５０℃で３分間浸漬し、２分間水洗
し、その後、１００ｇ／ｌの過硫酸アンモニウム溶液に
１分間浸漬し、２分間水洗し、１０％の硫酸で１分間浸
漬し、２分間水洗する。 工程２：（活性化） 続いて、めっき活性化処理液であるＳＡ−１００（日立
化成工業株式会社製、商品名）に、２５℃で５分間、浸
漬処理し、２分間水洗する。 工程３：（無電解ニッケルめっき） 続いて、無電解ニッケルめっき液であるＮＩＰＳ−１０
０（日立化成工業株式会社製、商品名）に、８５℃で２
０分間、浸漬処理する。 工程４：（置換パラジウムめっき） 続いて、置換パラジウムめっき液であるＭＣＡ（株式会
社ワールドメタル製、商品名）に、２５℃で２０分間、
浸漬処理する。 工程５：（置換金めっき） 続いて、置換金めっき液であるＨＧＳ−１００（日立化
成工業株式会社製、商品名）に、８５℃で１０分間、浸
漬処理する。 工程６：（無電解金めっき） 続いて、無電解金めっき液であるＨＧＳ−２０００（日
立化成工業株式会社製、商品名）に、６５℃で４０分
間、浸漬処理する。
【００１４】比較例１ 銅張り積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７（日立化成工業株
式会社製、商品名）に孔をあけ、スルーホールめっきを
行ない、エッチングレジストを形成し、不要な銅をエッ
チング除去し、不要な箇所にめっきを析出させないよう
に、ソルダーレジストを兼ねためっきレジストを形成し
た後、以下の工程によりワイヤボンディング端子を形成
した。 工程１：（前処理） 上記基板を、脱脂液Ｚ−２００（株式会社ワールドメタ
ル製、商品名）に、５０℃で３分間浸漬し、２分間水洗
し、その後、１００ｇ／ｌの過硫酸アンモニウム溶液に
１分間浸漬し、２分間水洗し、１０％の硫酸で１分間浸
漬し、２分間水洗する。 工程２：（活性化） 続いて、めっき活性化処理液であるＳＡ−１００（日立
化成工業株式会社製、商品名）に、２５℃で５分間、浸
漬処理し、２分間水洗する。 工程３：（無電解ニッケルめっき） 続いて、無電解ニッケルめっき液であるＮＩＰＳ−１０
０（日立化成工業株式会社製、商品名）に、８５℃で２
０分間、浸漬処理する。 工程４：（置換金めっき） 続いて、置換金めっき液であるＨＧＳ−１００（日立化
成工業株式会社製、商品名）に、８５℃で１０分間、浸
漬処理する。 工程５：（無電解金めっき） 続いて、無電解金めっき液であるＨＧＳ−２０００（日
立化成工業株式会社製、商品名）に、６５℃で４０分
間、浸漬処理する。
式会社製、商品名）に孔をあけ、スルーホールめっきを
行ない、エッチングレジストを形成し、不要な銅をエッ
チング除去し、不要な箇所にめっきを析出させないよう
に、ソルダーレジストを兼ねためっきレジストを形成し
た後、以下の工程によりワイヤボンディング端子を形成
した。 工程１：（前処理） 上記基板を、脱脂液Ｚ−２００（株式会社ワールドメタ
ル製、商品名）に、５０℃で３分間浸漬し、２分間水洗
し、その後、１００ｇ／ｌの過硫酸アンモニウム溶液に
１分間浸漬し、２分間水洗し、１０％の硫酸で１分間浸
漬し、２分間水洗する。 工程２：（活性化） 続いて、めっき活性化処理液であるＳＡ−１００（日立
化成工業株式会社製、商品名）に、２５℃で５分間、浸
漬処理し、２分間水洗する。 工程３：（無電解ニッケルめっき） 続いて、無電解ニッケルめっき液であるＮＩＰＳ−１０
０（日立化成工業株式会社製、商品名）に、８５℃で２
０分間、浸漬処理する。 工程４：（置換金めっき） 続いて、置換金めっき液であるＨＧＳ−１００（日立化
成工業株式会社製、商品名）に、８５℃で１０分間、浸
漬処理する。 工程５：（無電解金めっき） 続いて、無電解金めっき液であるＨＧＳ−２０００（日
立化成工業株式会社製、商品名）に、６５℃で４０分
間、浸漬処理する。
【００１５】比較例２ 銅張り積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７（日立化成工業株
式会社製、商品名）に孔をあけ、スルーホールめっきを
行ない、エッチングレジストを形成し、不要な銅をエッ
チング除去し、不要な箇所にめっきを析出させないよう
に、ソルダーレジストを兼ねためっきレジストを形成し
た後、以下の工程によりワイヤボンディング端子を形成
した。 工程１：（前処理） 上記基板を、脱脂液Ｚ−２００（株式会社ワールドメタ
ル製、商品名）に、５０℃で３分間浸漬し、２分間水洗
し、その後、１００ｇ／ｌの過硫酸アンモニウム溶液に
１分間浸漬し、２分間水洗し、１０％の硫酸で１分間浸
漬し、２分間水洗する。 工程２：（活性化） 続いて、めっき活性化処理液であるＳＡ−１００（日立
化成工業株式会社製、商品名）に、２５℃で５分間、浸
漬処理し、２分間水洗する。 工程３：（無電解ニッケルめっき） 続いて、無電解ニッケルめっき液であるＮＩＰＳ−１０
０（日立化成工業株式会社製、商品名）に、８５℃で２
０分間、浸漬処理する。 工程４：（無電解パラジウムめっき） 続いて、無電解パラジウムめっき液であるＡＰＰ（石原
薬品株式会社製、商品名）に、５０℃で２０分間、浸漬
処理する。
式会社製、商品名）に孔をあけ、スルーホールめっきを
行ない、エッチングレジストを形成し、不要な銅をエッ
チング除去し、不要な箇所にめっきを析出させないよう
に、ソルダーレジストを兼ねためっきレジストを形成し
た後、以下の工程によりワイヤボンディング端子を形成
した。 工程１：（前処理） 上記基板を、脱脂液Ｚ−２００（株式会社ワールドメタ
ル製、商品名）に、５０℃で３分間浸漬し、２分間水洗
し、その後、１００ｇ／ｌの過硫酸アンモニウム溶液に
１分間浸漬し、２分間水洗し、１０％の硫酸で１分間浸
漬し、２分間水洗する。 工程２：（活性化） 続いて、めっき活性化処理液であるＳＡ−１００（日立
化成工業株式会社製、商品名）に、２５℃で５分間、浸
漬処理し、２分間水洗する。 工程３：（無電解ニッケルめっき） 続いて、無電解ニッケルめっき液であるＮＩＰＳ−１０
０（日立化成工業株式会社製、商品名）に、８５℃で２
０分間、浸漬処理する。 工程４：（無電解パラジウムめっき） 続いて、無電解パラジウムめっき液であるＡＰＰ（石原
薬品株式会社製、商品名）に、５０℃で２０分間、浸漬
処理する。
【００１６】比較例３ 銅張り積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７（日立化成工業株
式会社製、商品名）に孔をあけ、スルーホールめっきを
行ない、エッチングレジストを形成し、不要な銅をエッ
チング除去し、不要な箇所にめっきを析出させないよう
に、ソルダーレジストを兼ねためっきレジストを形成し
た後、以下の工程によりワイヤボンディング端子を形成
した。 工程１：（前処理） 上記基板を、脱脂液Ｚ−２００（株式会社ワールドメタ
ル製、商品名）に、５０℃で３分間浸漬し、２分間水洗
し、その後、１００ｇ／ｌの過硫酸アンモニウム溶液に
１分間浸漬し、２分間水洗し、１０％の硫酸で１分間浸
漬し、２分間水洗する。 工程２：（活性化） 続いて、めっき活性化処理液であるＳＡ−１００（日立
化成工業株式会社製、商品名）に、２５℃で５分間、浸
漬処理し、２分間水洗する。 工程３：（無電解ニッケルめっき） 続いて、無電解ニッケルめっき液であるＮＩＰＳ−１０
０（日立化成工業株式会社製、商品名）に、８５℃で２
０分間、浸漬処理する。 工程４：（無電解パラジウムめっき） 続いて、無電解パラジウムめっき液であるＡＰＰ（石原
薬品株式会社製、商品名）に、５０℃で２０分間、浸漬
処理する。 工程５：（置換金めっき） 続いて、置換金めっき液であるＨＧＳ−１００（日立化
成工業株式会社製、商品名）に、８５℃で１０分間、浸
漬処理する。
式会社製、商品名）に孔をあけ、スルーホールめっきを
行ない、エッチングレジストを形成し、不要な銅をエッ
チング除去し、不要な箇所にめっきを析出させないよう
に、ソルダーレジストを兼ねためっきレジストを形成し
た後、以下の工程によりワイヤボンディング端子を形成
した。 工程１：（前処理） 上記基板を、脱脂液Ｚ−２００（株式会社ワールドメタ
ル製、商品名）に、５０℃で３分間浸漬し、２分間水洗
し、その後、１００ｇ／ｌの過硫酸アンモニウム溶液に
１分間浸漬し、２分間水洗し、１０％の硫酸で１分間浸
漬し、２分間水洗する。 工程２：（活性化） 続いて、めっき活性化処理液であるＳＡ−１００（日立
化成工業株式会社製、商品名）に、２５℃で５分間、浸
漬処理し、２分間水洗する。 工程３：（無電解ニッケルめっき） 続いて、無電解ニッケルめっき液であるＮＩＰＳ−１０
０（日立化成工業株式会社製、商品名）に、８５℃で２
０分間、浸漬処理する。 工程４：（無電解パラジウムめっき） 続いて、無電解パラジウムめっき液であるＡＰＰ（石原
薬品株式会社製、商品名）に、５０℃で２０分間、浸漬
処理する。 工程５：（置換金めっき） 続いて、置換金めっき液であるＨＧＳ−１００（日立化
成工業株式会社製、商品名）に、８５℃で１０分間、浸
漬処理する。
【００１７】比較例４ 銅張り積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７（日立化成工業株
式会社製、商品名）に孔をあけ、スルーホールめっきを
行ない、エッチングレジストを形成し、不要な銅をエッ
チング除去し、不要な箇所にめっきを析出させないよう
に、ソルダーレジストを兼ねためっきレジストを形成し
た後、以下の工程によりワイヤボンディング端子を形成
した。 工程１：（前処理） 上記基板を、脱脂液Ｚ−２００（株式会社ワールドメタ
ル製、商品名）に、５０℃で３分間浸漬し、２分間水洗
し、その後、１００ｇ／ｌの過硫酸アンモニウム溶液に
１分間浸漬し、２分間水洗し、１０％の硫酸で１分間浸
漬し、２分間水洗する。 工程２：（活性化） 続いて、めっき活性化処理液であるＳＡ−１００（日立
化成工業株式会社製、商品名）に、２５℃で５分間、浸
漬処理し、２分間水洗する。 工程３：（無電解パラジウムめっき） 続いて、無電解パラジウムめっき液であるＡＰＰ（石原
薬品株式会社製、商品名）に、５０℃で２０分間、浸漬
処理する。 工程４：（置換金めっき） 続いて、置換金めっき液であるＨＧＳ−１００（日立化
成工業株式会社製、商品名）に、８５℃で１０分間、浸
漬処理する。 工程５：（無電解金めっき） 続いて、無電解金めっき液であるＨＧＳ−２０００（日
立化成工業株式会社製、商品名）に、６５℃で４０分
間、浸漬処理する。
式会社製、商品名）に孔をあけ、スルーホールめっきを
行ない、エッチングレジストを形成し、不要な銅をエッ
チング除去し、不要な箇所にめっきを析出させないよう
に、ソルダーレジストを兼ねためっきレジストを形成し
た後、以下の工程によりワイヤボンディング端子を形成
した。 工程１：（前処理） 上記基板を、脱脂液Ｚ−２００（株式会社ワールドメタ
ル製、商品名）に、５０℃で３分間浸漬し、２分間水洗
し、その後、１００ｇ／ｌの過硫酸アンモニウム溶液に
１分間浸漬し、２分間水洗し、１０％の硫酸で１分間浸
漬し、２分間水洗する。 工程２：（活性化） 続いて、めっき活性化処理液であるＳＡ−１００（日立
化成工業株式会社製、商品名）に、２５℃で５分間、浸
漬処理し、２分間水洗する。 工程３：（無電解パラジウムめっき） 続いて、無電解パラジウムめっき液であるＡＰＰ（石原
薬品株式会社製、商品名）に、５０℃で２０分間、浸漬
処理する。 工程４：（置換金めっき） 続いて、置換金めっき液であるＨＧＳ−１００（日立化
成工業株式会社製、商品名）に、８５℃で１０分間、浸
漬処理する。 工程５：（無電解金めっき） 続いて、無電解金めっき液であるＨＧＳ−２０００（日
立化成工業株式会社製、商品名）に、６５℃で４０分
間、浸漬処理する。
【００１８】以上のようにして作成した配線板を、その
ままの状態のものと、１８０℃で２時間熱処理したもの
の両方に、ワイヤボンディングを行なった。このとき
に、１つの配線板に行なうワイヤボンディングの数を１
００本とし、ワイヤボンディングに成功したものの数を
付着率で表す。熱処理をしないものは、実施例１、２、
比較例１では、付着率は１００％であり、密着強度は９
〜１３ｇであったが、比較例２、３、４では付着しない
ものが発生し、密着強度も０〜１０ｇとばらついた。熱
処理を行なったものは、実施例１、２では１００％であ
り密着強度も９〜１３ｇであったが、比較例ではいずれ
も付着しないものが多く、密着強度も０〜１０ｇとばら
ついた。
ままの状態のものと、１８０℃で２時間熱処理したもの
の両方に、ワイヤボンディングを行なった。このとき
に、１つの配線板に行なうワイヤボンディングの数を１
００本とし、ワイヤボンディングに成功したものの数を
付着率で表す。熱処理をしないものは、実施例１、２、
比較例１では、付着率は１００％であり、密着強度は９
〜１３ｇであったが、比較例２、３、４では付着しない
ものが発生し、密着強度も０〜１０ｇとばらついた。熱
処理を行なったものは、実施例１、２では１００％であ
り密着強度も９〜１３ｇであったが、比較例ではいずれ
も付着しないものが多く、密着強度も０〜１０ｇとばら
ついた。
【００１９】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によっ
て、加熱処理によってもワイヤボンディングの成功を妨
げないワイヤボンディング用端子とその製造方法並びに
そのワイヤボンディング端子を用いた半導体搭載用基板
の製造方法を提供することができる。
て、加熱処理によってもワイヤボンディングの成功を妨
げないワイヤボンディング用端子とその製造方法並びに
そのワイヤボンディング端子を用いた半導体搭載用基板
の製造方法を提供することができる。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−122700（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−327187（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−117390（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−111881（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−144876（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−216485（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05K 3/24 C23C 18/52 H01L 21/60 H01L 23/12
Claims (6)
- 【請求項１】端子形状の銅の表面に、無電解ニッケルめ
っき皮膜、置換パラジウムめっき皮膜または無電解パラ
ジウムめっき皮膜、置換金めっき皮膜、無電解金めっき
皮膜を、この順序に形成したことを特徴とするワイヤボ
ンディング用端子。 - 【請求項２】無電解ニッケル皮膜の厚さが、１μｍ以上
であることを特徴とする請求項１に記載のワイヤボンデ
ィング用端子。 - 【請求項３】置換パラジウムめっき皮膜または無電解パ
ラジウムめっき皮膜の厚さが、０．１μｍ以上であるこ
とを特徴とする請求項１または２に記載のワイヤボンデ
ィング用端子。 - 【請求項４】置換金めっき皮膜と無電解金めっき皮膜の
厚さの和が、０．０４μｍ以上であることを特徴とする
請求項１〜３のうちいずれかに記載のワイヤボンディン
グ用端子。 - 【請求項５】端子形状の銅の表面に、無電解ニッケルめ
っき皮膜を形成し、その表面に置換パラジウムめっき皮
膜または無電解パラジウムめっき皮膜を形成し、その表
面に置換金めっき皮膜を形成し、その表面に無電解金め
っき皮膜を形成したことを特徴とするワイヤボンディン
グ用端子の製造方法。 - 【請求項６】半導体搭載部と、ワイヤボンディング用端
子と、外部接続用端子と、前記ワイヤボンディング用端
子と外部接続用端子とを電気的に接続する導体回路と、
これらを支持する絶縁部からなる半導体搭載用基板の製
造方法において、端子形状の銅の表面に、無電解ニッケ
ルめっき皮膜を形成し、その表面に置換パラジウムめっ
き皮膜または無電解パラジウムめっき皮膜を形成し、そ
の表面に置換金めっき皮膜を形成し、その表面に無電解
金めっき皮膜を形成したことを特徴とするワイヤボンデ
ィング端子を用いた半導体搭載用基板の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15313995A JP3345529B2 (ja) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | ワイヤボンディング用端子とその製造方法並びにそのワイヤボンディング端子を用いた半導体搭載用基板の製造方法 |
| JP5526099A JP3596335B2 (ja) | 1995-06-20 | 1999-03-03 | ワイヤボンディング端子を用いた半導体搭載用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15313995A JP3345529B2 (ja) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | ワイヤボンディング用端子とその製造方法並びにそのワイヤボンディング端子を用いた半導体搭載用基板の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5526099A Division JP3596335B2 (ja) | 1995-06-20 | 1999-03-03 | ワイヤボンディング端子を用いた半導体搭載用基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH098438A JPH098438A (ja) | 1997-01-10 |
| JP3345529B2 true JP3345529B2 (ja) | 2002-11-18 |
Family
ID=15555871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15313995A Expired - Lifetime JP3345529B2 (ja) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | ワイヤボンディング用端子とその製造方法並びにそのワイヤボンディング端子を用いた半導体搭載用基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3345529B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010031312A (ja) * | 2008-07-28 | 2010-02-12 | Ne Chemcat Corp | パターンめっき皮膜、及びその形成方法 |
| US8124174B2 (en) | 2007-04-16 | 2012-02-28 | C. Uyemura & Co., Ltd. | Electroless gold plating method and electronic parts |
| JP2013194291A (ja) * | 2012-03-21 | 2013-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10242205A (ja) * | 1997-03-03 | 1998-09-11 | Hitachi Chem Co Ltd | ワイヤボンディング端子とその形成方法 |
| US5910644A (en) * | 1997-06-11 | 1999-06-08 | International Business Machines Corporation | Universal surface finish for DCA, SMT and pad on pad interconnections |
| JP3910363B2 (ja) | 2000-12-28 | 2007-04-25 | 富士通株式会社 | 外部接続端子 |
| JP4926053B2 (ja) * | 2005-04-01 | 2012-05-09 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | めっき基材 |
| JP2007031826A (ja) * | 2005-06-23 | 2007-02-08 | Hitachi Chem Co Ltd | 接続用端子、およびこれを有する半導体搭載用基板 |
| JP2007009250A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Daiken Kagaku Kogyo Kk | 電子部品の結線方法及び電子部品 |
| JP2007031740A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電子部品及びその製造方法 |
| JP4499752B2 (ja) * | 2006-03-03 | 2010-07-07 | 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 | 電子部品 |
| JP4598782B2 (ja) | 2006-03-03 | 2010-12-15 | 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 | パラジウムめっき液 |
| JP5286893B2 (ja) | 2007-04-27 | 2013-09-11 | 日立化成株式会社 | 接続端子、接続端子を用いた半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法 |
| JP5466600B2 (ja) * | 2010-08-27 | 2014-04-09 | 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 | 置換金めっき液及び接合部の形成方法 |
| JP5929722B2 (ja) | 2011-11-30 | 2016-06-08 | Tdk株式会社 | 端子構造、プリント配線板、モジュール基板、電子デバイス及び端子構造の製造方法 |
| JP5946665B2 (ja) * | 2012-03-19 | 2016-07-06 | Ｊｘ金属株式会社 | ワイヤボンディング用またはＡｕスタッドバンプ用電極 |
| CN105762129B (zh) * | 2016-04-27 | 2018-03-30 | 山东科大鼎新电子科技有限公司 | 一种铜基表面镀镍钯金键合丝的制备方法 |
| JP6329589B2 (ja) * | 2016-06-13 | 2018-05-23 | 上村工業株式会社 | 皮膜形成方法 |
-
1995
- 1995-06-20 JP JP15313995A patent/JP3345529B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8124174B2 (en) | 2007-04-16 | 2012-02-28 | C. Uyemura & Co., Ltd. | Electroless gold plating method and electronic parts |
| JP2010031312A (ja) * | 2008-07-28 | 2010-02-12 | Ne Chemcat Corp | パターンめっき皮膜、及びその形成方法 |
| JP2013194291A (ja) * | 2012-03-21 | 2013-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH098438A (ja) | 1997-01-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3345529B2 (ja) | ワイヤボンディング用端子とその製造方法並びにそのワイヤボンディング端子を用いた半導体搭載用基板の製造方法 | |
| US3761309A (en) | Ctor components into housings method of producing soft solderable contacts for installing semicondu | |
| KR100362866B1 (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| US20020094449A1 (en) | Laminated structure for electronic equipment and method of electroless gold plating | |
| JP3596335B2 (ja) | ワイヤボンディング端子を用いた半導体搭載用基板 | |
| JPH11140659A (ja) | 半導体搭載用基板とその製造方法 | |
| JP4449459B2 (ja) | ワイヤボンディング用端子とその製造方法及びそのワイヤボンディング用端子を有する半導体搭載用基板。 | |
| JP2000277897A (ja) | はんだボール接続用端子とその形成方法並びに半導体搭載用基板の製造方法 | |
| JP3349166B2 (ja) | 回路基板 | |
| JP2002016100A (ja) | 電子部品搭載用基板及びその製造方法 | |
| JP2000252380A (ja) | はんだ接続用パッドおよびそのはんだ接続用パッドを用いた半導体搭載用基板 | |
| JPH11140658A (ja) | 半導体搭載用基板とその製造方法 | |
| JP3191617B2 (ja) | リードフレーム及びこれを用いた半導体装置 | |
| JP2005317729A (ja) | 接続端子、その接続端子を用いた半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法 | |
| JP3037603B2 (ja) | 半導体パッケージ用プリント回路基板 | |
| JP3582111B2 (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| JP3363065B2 (ja) | 半導体パッケージ用チップ支持基板の製造法及び半導体装置 | |
| JP3801334B2 (ja) | 半導体素子搭載用基板とその製造方法 | |
| JPH1056261A (ja) | ボールグリッドアレイ型パッケージにおけるスルーホール部又はフォトビア部のめっき処理方法 | |
| JPH06268095A (ja) | Ｃｏｂ回路基板構造 | |
| JP2002118134A (ja) | 接続端子とその接続端子を用いた半導体パッケージ並びに半導体パッケージの製造方法 | |
| JP3703864B2 (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| JPH11204674A (ja) | 半導体搭載用基板とその製造方法 | |
| JP4390908B2 (ja) | 配線部材の製造方法 | |
| JP3669460B2 (ja) | 無電解めっき方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070830 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080830 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090830 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090830 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100830 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110830 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110830 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120830 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120830 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130830 Year of fee payment: 11 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130830 Year of fee payment: 11 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |