JP3339299B2 - ランタンクロマイト緻密薄膜の形成方法 - Google Patents
ランタンクロマイト緻密薄膜の形成方法Info
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Description
電池のインターコネクターに好適なランタンクロマイト
緻密薄膜の形成方法に関する。特には、スラリー法によ
り気孔率1%以下の緻密薄膜を得ることも可能なランタ
ンクロマイト緻密薄膜の形成方法に関する。
池(以下T−SOFCとも言う)のインターコネクター
を例にとって従来技術を説明する。T−SOFCは、特
公平1−59705等に開示されている固体電解質型燃
料電池(以下SOFCとも言う)の一タイプである。T
−SOFCは、多孔質支持管−空気電極−固体電解質−
燃料電極−インターコネクターで構成される円筒型セル
を有する。空気電極側に酸素(空気)を流し、燃料電極
側にガス燃料(H2 、CO等)を流してやると、このセ
ル内でO2-イオンが移動して化学的燃焼が起り、空気電
極と燃料電極の間に電位が生じ発電が行われる。なお、
空気電極が支持管を兼用する形式のものもある。T−S
OFCの実証試験は、1993年段階で25kw級のもの
(セル有効長50cm、セル数1152本) までが進行中
である。
厚さ及び製造方法は以下のとおりである(Proc. of the
3rd Int. Symp. on SOFC, 1993 )。 支持管:ZrO2 (CaO)、厚さ1.2mm、押し出し 空気電極:La(Sr)MnO3 、厚さ1.4mm、スラ
リーコート 固体電解質:ZrO2 (Y2 O3 )、厚さ40μm 、E
VD インターコネクター:LaCr(Mg)O3 、厚さ40
μm 、EVD 燃料電極:Ni−ZrO2 (Y2 O3 )、厚さ100μ
m 、スラリーコート−EVD
方法に関しては、より具体的には、下記のものが知られ
ている。 (1)CVD・EVD法(特開昭61−15328
0):この方法においては、酸素源を含む第一反応剤が
基材物質中の小孔部を透過し、基材の他面側のハロゲン
化金属ガスと反応して、基材上に金属酸化物の膜を形成
する。反応生成物である金属酸化物が基材上で成長する
につれて、化学的な蒸着(CVD)により、反応生成物
が基材中の複数の小孔部を密に閉め切る。酸素源から成
長途上の酸化物層を介する酸素の移動が起こるので、塗
膜は電気化学的蒸着(EVD)により成長を続ける。
この方法は、ランタンクロマイト粉末100重量部に対
して1〜15重量部の酸化クロム粉末を混合して溶射用
粉末を得、この粉末を基体上に溶射し、その溶射膜を熱
処理(一例1,450℃)するというものである。膜厚
100〜500μm の緻密で電気伝導度も高いランタン
クロマイト薄膜が得られたとされている。
いる方法には次のような問題点がある。 (1) CVD・EVD法:この方法は、密着性の良い
薄膜を形成するのに適している。しかし、成膜を大気と
遮断された特殊な雰囲気・物理条件下で行う必要がある
ため、高価な装置を必要とする。大型の部材用には、当
然その部材を収容可能な大型の装置を必要とする。その
ため、大形部材への膜付が困難で、かつ生産性も低く、
高コストである。また、CVD・EVD法では、形成す
る膜の材料の組成が限定される。
ンタンクロマイトからクロム成分が一部蒸発するのを補
うために、調整用の酸化クロム粉末を加えているのであ
るが、その調整が不確実なため、得られるランタンクロ
マイト膜の組成が不均一になるおそれが強い。また、得
られた粉末の粒径が実施例においては5〜40μm とさ
れており、たとえ溶射によったとしても粉末粒度が大の
ため緻密膜を得にくいと思われる。
緻密なランタンクロマイト薄膜を得るこのとできるラン
タンクロマイト緻密薄膜の形成方法を提供することを目
的とする。
め、本発明のランタンクロマイト緻密薄膜の形成方法
は、多孔質セラミック基体上にランタンクロマイトから
なる緻密薄膜を形成する方法であって; 粉砕・分級に
より、膜の骨格をつくる役割を果たす平均粒径1〜2μ
m のランタンクロマイト粉末(粗粉)、及び、焼結助剤
の役割を果す平均粒径0.1〜1μm のランタンクロマ
イト粉末(微紛)を準備する工程と、 得られた粉末
を、粗粉:微粉比(wt%)90:10〜50:50の割
合で混合する工程と、 混合した粉末をバインダー・溶
媒等と混合してスラリーを得る工程と、多孔質セラミッ
ク基体上に該スラリーを適用してランタンクロマイト膜
を得る工程と、 該ランタンクロマイト膜を焼成する工
程と、 を含むことを特徴とする。
マイトに、Ca、Mg、Srをドープすることができ
る。その中では、カルシウムドープ、すなわちLa1-x
Cax CrO3(0<X≦0.4)が好ましい。その理
由は、Sr、Mgドープに比べLa2 O3 (吸水性があ
り、耐久性を低下させる)の析出量が少なく、特にCa
ドープ量が10%以上あると共存し得ないからである。
Xが0<X≦0.4が好ましい理由は、カルシウムがな
いと焼結せず緻密膜が得られず、0.4以上あると焼結
するが、カルシウムクロメイトを多く含むため導電性が
低下し、かつ高温での耐久性も低下するためである。こ
の観点からはさらに0.1≦X≦0.3が好ましい。
孔質セラミック基体が固体電解質型燃料電池の空気電極
であり、ランタンクロマイト緻密薄膜がインターコネク
ターである。固体電解質型燃料電池のインターコネクタ
ーには以下のような特性が求められるが、本発明のラン
タンクロマイト緻密薄膜の形成方法は、そのようなイン
ターコネクターの形成方法として好適である。 導電性が高いこと。インターコネクターの役割は固
体電解質型燃料電池の単位セル間の電気的導通をとるこ
とであるので最も基本的な要求事項である。導電性か低
いと、インターコネクター内で電力の自己消費が大きく
なり、セルの発電効率が低下する。導電性は、成膜状態
で10S・cm-1以上(より好ましくは40S・cm-1以上)が
要求される。
ーの表裏面には燃料ガス(H2 、Co等)と酸化剤(空
気等)が流れるが、これらがインターコネクターを通っ
て混じり合ったのではセルの発電機能が低下する。通気
性は、1.0×10-2m3/m2・hr・atm以下(より好ましく
は1.0×10-4m3/m2・hr・atm以下)が要求される。 酸化・還元いずれにも耐久性があること。 熱膨張係数がYSZ(イットリア安定化ジルコニ
ア)等の他のセル構成材と近似していること。 LaSrMnO3 やLaCaMnO3 のような空気
電極材及びYSZと反応性が低いこと。 薄膜に成膜できること。インターコネクターには、
その厚み方向に電流が流れるので、薄い方が抵抗が少な
くなる。膜厚は200μm 以下が要求される。
体の合成方法は特に限定されるものではない。熱分解
法、噴霧熱分解法、ゾルゲル法等を採用できる。この中
では噴霧熱分解法が、組成の均一性が高いこと、シリ
カ、鉄等の不純物の混入が少ないこと、作業工程が短い
(コストが安い)こと等の観点から好ましい。
ものではない。ボールミル、ジェットミル法等を採用で
きる。この中ではジェットミル法が作業時間が短いこ
と、コンタミが少ないこと等の観点から好ましい。
ものではない。気流分級法、沈降分級法等を採用でき
る。この中では気流分級法が作業工程が短いこと等の観
点から好ましい。
末の粗粉と微粉を混合したスラリーを用いるのが一つの
特徴である。ここで、粗粉は膜の骨格をつくる役割を、
微粉は焼結助剤の役割を果す。粗粉の平均粒径が1〜2
μm とされる理由は、1〜2μm より粒径が大きいと気
孔率が大きくなって緻密性が落ち、逆にこの径より小さ
いと焼成収縮が大きくなり、焼成切れ、剥離等が発生す
るおそれがある。微粉の平均粒径が0.1〜1μm とさ
れる理由は、1μm 越えでは焼結助剤としての効果がな
く、0.1μm 未満に粉砕することは現時点の技術では
困難である。なお、ここで平均粒径とは、粒度分布の5
0%径のことである。
50:50とされるのも本発明の一つの特徴である。こ
のように限定される理由は、微粉が少なすぎると膜の気
孔率が大きくなり緻密膜が得られず、微粉が多すぎると
焼成収縮が大きくなり、焼成切れ、めくれ、ふくれ等が
多くなり、均一な膜が得られないからである。
スラリーを得るための水溶液は、以下を含むこととして
よい。 バインダー:PVA、EC(エチルセルロース)
等。その含有量は、溶剤100重量部に対して0.1〜
10重量部が好ましい。 難揮発性溶剤:α−テルピネオール等。その含有量
は、溶剤100重量部に対して10〜80重量部が好ま
しい。 溶媒:エタノール、2−プロパノール、メタノール
等。その含有量は、溶剤100重量部に対して20〜9
0重量部が好ましい。 分散剤:ポリオキシエチレンアルキルリン酸エステ
ル、CTAB等。その含有量は、溶剤100重量部に対
して0.1〜4重量部が好ましい。 消泡剤:ソルビタンセスキオレエート等。その含有
量は、溶剤100重量部に対して0.1〜4重量部が好
ましい。
用方法は特に限定されない。ディッピング法、スプレー
法、ハケ塗り法等であってよい。この中ではディッピン
グ法が好ましい。簡易であり、量産性に富み、低コスト
だからである。ディッピング法としては、大気中でスラ
リーの中に基体を浸漬させる通常のディッビング法の
他、加圧ガス中や真空中でディッピングを行う方法を採
用できる。その場合、ディッピングの回数は、必要とさ
れる膜厚と使用するスラリー組成とに応じて選択でき
る。
でも良いが、乾燥中のクラックを防ぐため、徐々に乾燥
させることが望ましい。
成方法においては、ランタンクロマイトがLa1-x Ca
x CrO3 (0<X≦0.4)である場合には、焼成温
度が1300〜1,550℃であることが好ましい。
1,300℃以下では液相成分がほとんど出ないので緻
密膜が得にくく、1,550℃以上では焼成収縮が著し
く起こり、めくれ、焼成切れ等を引き起こし、安定な膜
が得られにくいからである。この観点からは、焼成温度
は1,400〜1,500℃であることがより好まし
い。なお、焼成時の雰囲気はAir雰囲気が好ましい。
して硝酸ランタン、硝酸クロム・九水和物及び硝酸カル
シウム・四水和物を用いて、La0.8 Ca0.2 CrO3
粉を合成した。 (2)粉砕・分級:ボールミル、気流式粉砕機と分級機
を用いて上記ランタンクロマイト粉を、平均粒径0.1
〜1μm 、1〜2μm 、2〜4μm 、5〜10μm の4
種類に粉砕・分級した。
ール35重量部、エタノール60重量部、CTAB2重
量部、ソルビタンセスキオレエート2重量部を混合して
スラリー溶液を調整した。
重量部に以下の3種類のランタンクロマイト粉末60重
量部を混合して3種類のスラリーを得た。 実施例:A粉(1〜2μm 粉) 平均粒径0.5μm の微粉30重量部と平均粒径1〜2
μm の粗粉粉70重量部、粘度40cps 比較例1:B粉(2〜4μm 粉) 平均粒径0.5μm の微粉30重量部と平均粒径2〜4
μm の粗粉粉70重量部、粘度35cps 比較例2:C粉(5〜10μm 粉) 平均粒径0.5μm の微粉30重量部と平均粒径5〜1
0μm の粗粉粉70重量部、粘度28cps
0.25)0.99MnO3 基板(LSM基板)及びCSZ(カ
ルシア安定化ジルコニア)管上にディップ法によりスラ
リーコートした。LSM基板の平均空孔径は7μm であ
り、CSZ管の平均空孔径は5μm であった。 (6)乾燥:上記スラリーコート膜を80℃×1Hrで乾
燥した。 (7)焼成:上記スラリーコート膜を1,400℃×1
0Hrで焼成した。焼成後の膜厚は約70μm であった。
1atm の条件下で各試料のガス透過性を測定した。その
結果を図1に示す。図1から分るように、比較例2の粗
粉平均粒径5〜10μm (三角印)については、全ての
粗微粉の混合割合において0.01m3/m2・h・atm 以上の
通気性があり、ガス透過性が高かった。比較例1の粗粉
平均粒径2〜4μm (四角印)についても、三角印より
は低いが通気性があった。一方、実施例の粗粉平均粒径
1〜2μm (丸印)については、粗粉の割合50〜80
%の範囲できわめて通気性が低かった。特にLSM管上
に成膜したものについては、最低5×10-5m3/m2・h・at
m ときわめてガス透過性が低かった(緻密性が高かっ
た)。このランタンクロマイト緻密薄膜について、SE
M写真からの画像処理法により気孔率を測定したところ
0.5%であり、観察された気孔は全て閉気孔であっ
た。電気伝導度は40S・cm-1であった。
のランタンクロマイト緻密薄膜の形成方法は、比較的簡
便に成膜の行えるスラリーコート法によっても、きわめ
て緻密なランタンクロマイト緻密薄膜を得ることができ
る。また、得られたランタンクロマイト緻密薄膜の電気
抵抗が小さく、かつ高温条件下での耐酸化性、耐還元性
にも優れる。
透過性を示すグラフである。
Claims (5)
- 【請求項1】 多孔質セラミック基体上にランタンクロ
マイトからなる緻密薄膜を形成する方法であって; 粉砕・分級により、膜の骨格をつくる役割を果たす平均
粒径1〜2μm のランタンクロマイト粉末(粗粉)、及
び、焼結助剤の役割を果す平均粒径0.1〜1μm のラ
ンタンクロマイト粉末(微紛)を準備する工程と、 得られた粉末を、粗粉:微粉比(wt%)90:10〜5
0:50の割合で混合する工程と、 混合した粉末をバインダー・溶媒等と混合してスラリー
を得る工程と、 多孔質セラミック基体上に該スラリーを適用してランタ
ンクロマイト膜を得る工程と、 該ランタンクロマイト膜を焼成する工程と、 を含むことを特徴とするランタンクロマイト緻密薄膜の
形成方法。 - 【請求項2】 上記ランタンクロマイトがLa1-x Ca
x CrO3 (0<X≦0.4)である請求項1記載のラ
ンタンクロマイト緻密薄膜の形成方法。 - 【請求項3】 焼成温度が1,300〜1,550℃で
ある請求項2記載のランタンクロマイト緻密薄膜の形成
方法。 - 【請求項4】 上記多孔質セラミック基体が固体電解質
型燃料電池の空気電極であり、上記ランタンクロマイト
緻密薄膜がインターコネクターである請求項1〜3いず
れか1項記載のランタンクロマイト緻密薄膜の形成方
法。 - 【請求項5】 上記多孔質セラミック基体がランタンマ
ンガナイトからなり、その平均空孔径が0.05〜10
μm である請求項4記載のランタンクロマイト緻密薄膜
の形成方法。
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