JP3315012B2 - 情報記録方法 - Google Patents
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/135—Liquid crystal cells structurally associated with a photoconducting or a ferro-electric layer, the properties of which can be optically or electrically varied
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光センサ及び液晶記録
媒体を積層した一体型情報記録媒体の記録方法に関す
る。
媒体を積層した一体型情報記録媒体の記録方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶を樹脂中に分散固定した液晶
層を電極上に形成した高分子分散型液晶記録媒体と、電
極層上に光導電層が形成された光センサとを積層し、電
圧印加露光により画像記録する一体型情報記録媒体が知
られている。図１はこのような一体型情報記録媒体を示
しており、図１（ａ）に示すように光センサ１０上に液
晶記録媒体２０を直接積層するものと、図１（ｂ）に示
すように、透明な誘電体の中間層２４を介在させた透過
型、または中間層を誘電体ミラーとした反射型のものと
がある。光センサ１０は透明支持体１１上に透明電極１
２、光導電層１３が順次積層され、液晶記録媒体２０
は、透明電極２２上に高分子分散型液晶層２３が積層さ
れている。光導電層１３は、無機光導電層としてアモル
ファスセレン、アモルファスシリコン等、有機光導電層
としてポリビニルカルバゾールにトリニトロフルオレノ
ンを添加した単層構造のものや、電荷発生層としてアゾ
系の顔料をポリビニルブチラール等の樹脂中に分散した
ものと電荷移動層としてヒドラゾン誘導体をポリカーボ
ネート等の樹脂と混合したものを積層したもの等が使用
可能である。
層を電極上に形成した高分子分散型液晶記録媒体と、電
極層上に光導電層が形成された光センサとを積層し、電
圧印加露光により画像記録する一体型情報記録媒体が知
られている。図１はこのような一体型情報記録媒体を示
しており、図１（ａ）に示すように光センサ１０上に液
晶記録媒体２０を直接積層するものと、図１（ｂ）に示
すように、透明な誘電体の中間層２４を介在させた透過
型、または中間層を誘電体ミラーとした反射型のものと
がある。光センサ１０は透明支持体１１上に透明電極１
２、光導電層１３が順次積層され、液晶記録媒体２０
は、透明電極２２上に高分子分散型液晶層２３が積層さ
れている。光導電層１３は、無機光導電層としてアモル
ファスセレン、アモルファスシリコン等、有機光導電層
としてポリビニルカルバゾールにトリニトロフルオレノ
ンを添加した単層構造のものや、電荷発生層としてアゾ
系の顔料をポリビニルブチラール等の樹脂中に分散した
ものと電荷移動層としてヒドラゾン誘導体をポリカーボ
ネート等の樹脂と混合したものを積層したもの等が使用
可能である。
【０００３】図２に示すように、このような一体型情報
記録媒体の電極１２、２２間に電源３０により電圧を印
加し、書き込み光として可視光を照射すると、露光強度
に応じて光導電層１３の導電性が変化し、液晶層２３に
かかる電界が変化して液晶層の配向状態が変化し、印加
電圧をＯＦＦして電界を取り除いた後もその状態が維持
され、画像情報の記録が行われる。
記録媒体の電極１２、２２間に電源３０により電圧を印
加し、書き込み光として可視光を照射すると、露光強度
に応じて光導電層１３の導電性が変化し、液晶層２３に
かかる電界が変化して液晶層の配向状態が変化し、印加
電圧をＯＦＦして電界を取り除いた後もその状態が維持
され、画像情報の記録が行われる。
【０００４】記録された画像情報の読み取りは、図３
（ａ）（透過型）、図３（ｂ）（反射型）に示すよう
に、光源６０からの光をフィルタ７０を介して波長光を
選択し、液晶記録媒体２０に読み取り光を照射して行
う。入射した光は液晶記録媒体の液晶の配向により変調
され、透過光（または反射光）は光電変換装置８０で電
気信号に変換され、変換された電気信号は必要に応じて
プリンタやＣＲＴに出力される。光源６０としては、キ
セノンランプ、ハロゲンランプ等の白色光源やレーザー
光が用いられる。
（ａ）（透過型）、図３（ｂ）（反射型）に示すよう
に、光源６０からの光をフィルタ７０を介して波長光を
選択し、液晶記録媒体２０に読み取り光を照射して行
う。入射した光は液晶記録媒体の液晶の配向により変調
され、透過光（または反射光）は光電変換装置８０で電
気信号に変換され、変換された電気信号は必要に応じて
プリンタやＣＲＴに出力される。光源６０としては、キ
セノンランプ、ハロゲンランプ等の白色光源やレーザー
光が用いられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、一体型液晶
記録媒体で画像記録を行う場合、光センサの特性によっ
ては画像記録に必要な露光量（露光強度×露光時間）が
大きくなり過ぎる場合、あるいは全く画像記録が行われ
ない場合がある。液晶媒体にはしきい値電圧があり、図
４に示すように液晶の変調範囲は液晶層にかかる電圧
が、例えば２００〜２５０Ｖの場合に露光量に応じた記
録が行われ、２００Ｖ以下ではほとんど液晶が配向しな
いため画像記録ができず、また２５０Ｖ以上になると配
向が飽和してしまうため同様に画像記録ができない。
記録媒体で画像記録を行う場合、光センサの特性によっ
ては画像記録に必要な露光量（露光強度×露光時間）が
大きくなり過ぎる場合、あるいは全く画像記録が行われ
ない場合がある。液晶媒体にはしきい値電圧があり、図
４に示すように液晶の変調範囲は液晶層にかかる電圧
が、例えば２００〜２５０Ｖの場合に露光量に応じた記
録が行われ、２００Ｖ以下ではほとんど液晶が配向しな
いため画像記録ができず、また２５０Ｖ以上になると配
向が飽和してしまうため同様に画像記録ができない。
【０００６】本発明は上記課題を解決するためのもの
で、誘電体中間層を有する一体型情報記録媒体におい
て、誘電体中間層の容量、抵抗、液晶記録層の容量、抵
抗、しきい値電圧等の値が変化したときにも、最適な光
センサを特定し、かつ最適な印加電圧、電圧印加時間で
情報記録を行うことができる情報記録方法を提供するこ
とを目的とする。
で、誘電体中間層を有する一体型情報記録媒体におい
て、誘電体中間層の容量、抵抗、液晶記録層の容量、抵
抗、しきい値電圧等の値が変化したときにも、最適な光
センサを特定し、かつ最適な印加電圧、電圧印加時間で
情報記録を行うことができる情報記録方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、透明電極上
に、光導電層、誘電体中間層、高分子分散型液晶記録
層、電極層を順次積層した一体型情報記録場体の両電極
間に電圧印加し、光導電層に情報露光して液晶を配向さ
せ、露光量に応じて画像情報を記録する方法において、
両電極間への印加電圧をＶAP、光導電層、液晶記録層、
中間層の容量、各層にかかる電圧、各層を流れる電流を
それぞれ、ＣS 、ＣL 、ＣM 、ＶS 、ＶL 、ＶM 、
ＩS 、ＩL 、ＩM としたとき、 ＩS ＋ＣS （ｄＶS ／ｄｔ） ＝ＩM ＋ＣM （ｄＶM ／ｄｔ） ＝ＩL ＋ＣL （ｄＶL ／ｄｔ） ＶS ＋ＶM ＋ＶL ＝ＶAP ＶM （ｔ＋Δｔ）＝ＶM （ｔ）＋（ｄＶM ／ｄｔ）Δｔ ＶL （ｔ＋Δｔ）＝ＶL （ｔ）＋（ｄＶL ／ｄｔ）Δｔ （ただし、ＶS （０）、ＶM （０）、ＶL （０）は電圧
印加直後にかかる電圧）の関係式から、暗電流値の異な
る光導電層に対して、それぞれ、露光部と未露光部分の
液晶記録層にかかる電圧の時間変位を印加電圧を変化さ
せて求め、未露光部分における液晶記録層の電圧が、液
晶記録層のしきい値電圧に達したときの露光部と未露光
部の電圧の差が最大になるような、印加電圧および光導
電層の暗電流値を求め、このときの露光部と未露光部に
おける液晶にかかる電圧の差（最大コントラスト）の１
／２以上の電位差が得られるような光導電層および印加
電圧で情報記録することを特徴とする。
に、光導電層、誘電体中間層、高分子分散型液晶記録
層、電極層を順次積層した一体型情報記録場体の両電極
間に電圧印加し、光導電層に情報露光して液晶を配向さ
せ、露光量に応じて画像情報を記録する方法において、
両電極間への印加電圧をＶAP、光導電層、液晶記録層、
中間層の容量、各層にかかる電圧、各層を流れる電流を
それぞれ、ＣS 、ＣL 、ＣM 、ＶS 、ＶL 、ＶM 、
ＩS 、ＩL 、ＩM としたとき、 ＩS ＋ＣS （ｄＶS ／ｄｔ） ＝ＩM ＋ＣM （ｄＶM ／ｄｔ） ＝ＩL ＋ＣL （ｄＶL ／ｄｔ） ＶS ＋ＶM ＋ＶL ＝ＶAP ＶM （ｔ＋Δｔ）＝ＶM （ｔ）＋（ｄＶM ／ｄｔ）Δｔ ＶL （ｔ＋Δｔ）＝ＶL （ｔ）＋（ｄＶL ／ｄｔ）Δｔ （ただし、ＶS （０）、ＶM （０）、ＶL （０）は電圧
印加直後にかかる電圧）の関係式から、暗電流値の異な
る光導電層に対して、それぞれ、露光部と未露光部分の
液晶記録層にかかる電圧の時間変位を印加電圧を変化さ
せて求め、未露光部分における液晶記録層の電圧が、液
晶記録層のしきい値電圧に達したときの露光部と未露光
部の電圧の差が最大になるような、印加電圧および光導
電層の暗電流値を求め、このときの露光部と未露光部に
おける液晶にかかる電圧の差（最大コントラスト）の１
／２以上の電位差が得られるような光導電層および印加
電圧で情報記録することを特徴とする。
【０００８】
【作用】まず、光センサ、液晶媒体、中間層の３層から
なる一体型情報記録媒体の液晶媒体、中間層にかかる電
圧変化の算出について説明する。一体型情報記録媒体
は、図５に示す等価回路で表される。光センサ、液晶
層、中間層の容量を、それぞれＣS 、ＣL 、ＣM 、電源
電圧をＶAPとすると、電圧印加直後に光センサ、液晶
層、中間層に分配される電圧ＶS （０）、ＶL （０）、
ＶM （０）はそれぞれ次式で表される。 その後、各層の抵抗成分を通して電流が流れるため各層
の電圧が変化する。このとき、次の微分方程式が成り立
つ。 ＩS ＋ＣS （ｄＶS ／ｄｔ）＝ＩM ＋ＣM （ｄＶM ／ｄｔ） ＝ＩL ＋ＣL （ｄＶL ／ｄｔ）……（１−４） ここで、 ＶS ＋ＶM ＋ＶL ＝ＶAP ……（１−５） ｄＶS ／ｄｔ＋ｄＶM ／ｄｔ＋ｄＶL ／ｄｔ＝０ ……（１−６） ＩS 、ＩM 、ＩL はそれぞれ光センサ、中間層、液晶記
録層の電流値である。光センサの電流値は、既に提案し
ているように（特願平６ー８８２００号）、明部と暗部
で異なり、電圧と時間に依存する。これについて、概略
説明する。図６は光センサに電圧３００Ｖを印加し、露
光強度２０Ｌｘで３３ｍｓｅｃ間光照射した時に測定し
た光電流を示しており、横軸は光照射開始後の時間を表
し、ｔ＝０の時の電流値を光センサの暗電流Ｉd とし、
測定した電流値と暗電流の差ΔＩを光電流と定義する。
暗電流Ｉd は図の破線で示すように電圧を印加している
間一定値であり、光電流は光照射をＯＦＦした後も持続
して流れる。いま、光センサに一定電圧Ｖを印加した状
態において、光センサに流れる電流は、光照射に関係な
く流れるベース電流部分と、光照射にともなう増加部分
とに分けることができる。ベース電流は光を照射しない
ときの暗電流として測定され、一定電圧印加時には（２
−１）式で表される電流が流れる。 Ｉd ＝αＶp 2 ……（２−１） ただし、Ｉd ：ベース電流（暗電流）、α：定数、
Ｖp ：光センサの電圧一定光強度の光を一定時間照射し
たときの光センサの電流値は、図６に示したように時間
とともに変化する。光照射開始時における電流値がベー
ス電流であり、（２−１）式で与えられる。光電流部分
は光照射時と光照射終了後に分けられる。光電流の変化
を正確に単純な式で表現することはできないが、、電界
強度（５〜４９Ｖ／μｍ）、低露光強度（５０Ｌｕｘ以
下）、短時間（１００ｍｓｅｃ以下）の領域では、（２
−２）式のように直線近似できる。 ΔＩ（ｔ）≒ｋＶp ｔ（０＜ｔ≦ｔ1 ） ……（２−２） 光照射終了後は、光電流は２００〜５００ｍｓｅｃの時
定数で減衰し、（２−３）式のように近似できる。 ΔＩ（ｔ）≒ｋＶp ｔ1 ｅｘｐ｛（ｔ1 ─ｔ）／τ｝（ｔ1 ＜ｔ） ……（２−３） ΔＩ（ｔ）：光電流 ｋ：定数（光強度に比例） ｔ1 ：光照射をＯＦＦした時間 τ：時定数（２００〜５００ｍｓｅｃ） なお、暗電流値が印加電圧に比例するような光センサの
場合には、ベース電流に相当する暗電流値Ｉd は、 Ｉd ＝α′Ｖp ……（２−４） で表される。従って、明部における光センサの電流値Ｉ
p （ベース電流と光電流の合計）は、光照射中および光
照射後についてそれぞれ次式で表される。 Ｉp （Ｖp,ｔ）≒αＶp 2 ＋ｋＶp ｔ1 （０＜ｔ≦ｔ1 ） ……（２−５） Ｉp （Ｖp,ｔ）≒αＶp 2 ＋ｋＶp ｔ1 ｅｘｐ｛（ｔ1 ─ｔ）／τ｝ （ｔ1 ＜ｔ）……（２−６） 暗電流値が電圧に比例するような光センサの場合には、
ベース電流部分は電圧に比例し、光電流部分は電圧の１
／２乗に比例するため、（２−７）、（２−８）式で表
される。 Ｉp （Ｖp,ｔ）＝α′Ｖp （Ｉp , ｔ）＋ｋ′Ｖp 1/2 ｔ （０＜ｔ≦ｔ1 ）……（２−７） Ｉp （Ｖp,ｔ） ＝α′Ｖp （Ｉp , ｔ）＋ｋ′Ｖp 1/2 ｔ1 ｅｘｐ｛（ｔ1 ─ｔ）／τ｝ （ｔ1 ＜ｔ）……（２−８） 一方、液晶層と中間層の電流は電圧に比例し、次式で表
される。 ＩM ＝ＶM ／ＲM ……（３−１） ＩL ＝ＶL ／ＲL ……（３−２） ここで、ＲM 、ＲL は中間層、液晶層の抵抗成分であ
る。（１−４）、（１−６）式より 中間層および液晶記録層の電圧は、次式に（３−１）〜
（３−４）式を代入することにより順次計算することが
できる。
なる一体型情報記録媒体の液晶媒体、中間層にかかる電
圧変化の算出について説明する。一体型情報記録媒体
は、図５に示す等価回路で表される。光センサ、液晶
層、中間層の容量を、それぞれＣS 、ＣL 、ＣM 、電源
電圧をＶAPとすると、電圧印加直後に光センサ、液晶
層、中間層に分配される電圧ＶS （０）、ＶL （０）、
ＶM （０）はそれぞれ次式で表される。 その後、各層の抵抗成分を通して電流が流れるため各層
の電圧が変化する。このとき、次の微分方程式が成り立
つ。 ＩS ＋ＣS （ｄＶS ／ｄｔ）＝ＩM ＋ＣM （ｄＶM ／ｄｔ） ＝ＩL ＋ＣL （ｄＶL ／ｄｔ）……（１−４） ここで、 ＶS ＋ＶM ＋ＶL ＝ＶAP ……（１−５） ｄＶS ／ｄｔ＋ｄＶM ／ｄｔ＋ｄＶL ／ｄｔ＝０ ……（１−６） ＩS 、ＩM 、ＩL はそれぞれ光センサ、中間層、液晶記
録層の電流値である。光センサの電流値は、既に提案し
ているように（特願平６ー８８２００号）、明部と暗部
で異なり、電圧と時間に依存する。これについて、概略
説明する。図６は光センサに電圧３００Ｖを印加し、露
光強度２０Ｌｘで３３ｍｓｅｃ間光照射した時に測定し
た光電流を示しており、横軸は光照射開始後の時間を表
し、ｔ＝０の時の電流値を光センサの暗電流Ｉd とし、
測定した電流値と暗電流の差ΔＩを光電流と定義する。
暗電流Ｉd は図の破線で示すように電圧を印加している
間一定値であり、光電流は光照射をＯＦＦした後も持続
して流れる。いま、光センサに一定電圧Ｖを印加した状
態において、光センサに流れる電流は、光照射に関係な
く流れるベース電流部分と、光照射にともなう増加部分
とに分けることができる。ベース電流は光を照射しない
ときの暗電流として測定され、一定電圧印加時には（２
−１）式で表される電流が流れる。 Ｉd ＝αＶp 2 ……（２−１） ただし、Ｉd ：ベース電流（暗電流）、α：定数、
Ｖp ：光センサの電圧一定光強度の光を一定時間照射し
たときの光センサの電流値は、図６に示したように時間
とともに変化する。光照射開始時における電流値がベー
ス電流であり、（２−１）式で与えられる。光電流部分
は光照射時と光照射終了後に分けられる。光電流の変化
を正確に単純な式で表現することはできないが、、電界
強度（５〜４９Ｖ／μｍ）、低露光強度（５０Ｌｕｘ以
下）、短時間（１００ｍｓｅｃ以下）の領域では、（２
−２）式のように直線近似できる。 ΔＩ（ｔ）≒ｋＶp ｔ（０＜ｔ≦ｔ1 ） ……（２−２） 光照射終了後は、光電流は２００〜５００ｍｓｅｃの時
定数で減衰し、（２−３）式のように近似できる。 ΔＩ（ｔ）≒ｋＶp ｔ1 ｅｘｐ｛（ｔ1 ─ｔ）／τ｝（ｔ1 ＜ｔ） ……（２−３） ΔＩ（ｔ）：光電流 ｋ：定数（光強度に比例） ｔ1 ：光照射をＯＦＦした時間 τ：時定数（２００〜５００ｍｓｅｃ） なお、暗電流値が印加電圧に比例するような光センサの
場合には、ベース電流に相当する暗電流値Ｉd は、 Ｉd ＝α′Ｖp ……（２−４） で表される。従って、明部における光センサの電流値Ｉ
p （ベース電流と光電流の合計）は、光照射中および光
照射後についてそれぞれ次式で表される。 Ｉp （Ｖp,ｔ）≒αＶp 2 ＋ｋＶp ｔ1 （０＜ｔ≦ｔ1 ） ……（２−５） Ｉp （Ｖp,ｔ）≒αＶp 2 ＋ｋＶp ｔ1 ｅｘｐ｛（ｔ1 ─ｔ）／τ｝ （ｔ1 ＜ｔ）……（２−６） 暗電流値が電圧に比例するような光センサの場合には、
ベース電流部分は電圧に比例し、光電流部分は電圧の１
／２乗に比例するため、（２−７）、（２−８）式で表
される。 Ｉp （Ｖp,ｔ）＝α′Ｖp （Ｉp , ｔ）＋ｋ′Ｖp 1/2 ｔ （０＜ｔ≦ｔ1 ）……（２−７） Ｉp （Ｖp,ｔ） ＝α′Ｖp （Ｉp , ｔ）＋ｋ′Ｖp 1/2 ｔ1 ｅｘｐ｛（ｔ1 ─ｔ）／τ｝ （ｔ1 ＜ｔ）……（２−８） 一方、液晶層と中間層の電流は電圧に比例し、次式で表
される。 ＩM ＝ＶM ／ＲM ……（３−１） ＩL ＝ＶL ／ＲL ……（３−２） ここで、ＲM 、ＲL は中間層、液晶層の抵抗成分であ
る。（１−４）、（１−６）式より 中間層および液晶記録層の電圧は、次式に（３−１）〜
（３−４）式を代入することにより順次計算することが
できる。
【０００９】 ＶM （ｔ＋Δｔ）＝ＶM （ｔ）＋（ｄＶM ／ｄｔ）Δｔ ……（３−５） ＶL （ｔ＋Δｔ）＝ＶL （ｔ）＋（ｄＶL ／ｄｔ）Δｔ ……（３−６） 中間層が、抵抗率または誘電率の異なる、２種類以上の
層が積層されている場合には等価回路は図７のようにな
り、それぞれの層構成に応じた計算方法で計算する必要
がある。以下に、中間層が２層以上の積層構成になって
いるときの、電圧の計算方法を示す。
層が積層されている場合には等価回路は図７のようにな
り、それぞれの層構成に応じた計算方法で計算する必要
がある。以下に、中間層が２層以上の積層構成になって
いるときの、電圧の計算方法を示す。
【００１０】中間層がｎ層構成であるとき、それぞれの
層の容量および抵抗をＣn （ｎ＝１、２、３……）とす
ると、積層型記録媒体の容量Ｃｔは次式で表される。
層の容量および抵抗をＣn （ｎ＝１、２、３……）とす
ると、積層型記録媒体の容量Ｃｔは次式で表される。
【００１１】 Ｃｔ＝１／｛（１／ＣS ）＋（１／Ｃ）＋（１／Ｃ1 ）＋（１／Ｃ2 ）……｝ ……（４−１） 電圧印加初期に、光センサ、液晶記録層、中間層各層に
分配される電圧はそれぞれ次式で表される。
分配される電圧はそれぞれ次式で表される。
【００１２】 中間層が一層の場合と同様に、電圧印加後は各層の抵抗
成分を通して電流が流れるため電圧が変化し、この過度
状態の微分方程式は次式で表される。 ここで、 ＶS ＋ＶL ＋Ｖ1 ＋Ｖ2 ＋………＝ＶAP ……（４−４） ｄＶS ／ｄｔ＋ｄＶL ／ｄｔ＋ｄＶ1 ／ｄｔ＋ｄＶ2 ／ｄｔ＝０ ……（４−５） 次式により液晶記録層、中間層、の電圧を順次計算する
ことができる。 以上のように算出した式に基づいて、一体型液晶記録媒
体の液晶媒体、中間層にかかる電圧を求める。図８は、
式（３−５）、（３−６）を用いて液晶記録層と中間層
それぞれにかかる電圧を計算した例である。計算に用い
た光センサ、液晶記録層、中間層の各物性値は以下の通
りである。 光センサの容量：３１０ｐＦ／ｃｍ2 光センサの暗電流値５．０×１０-7Ａ／ｃｍ2 （１００
Ｖ電圧印加した状態） 液晶記録媒体の容量：９５０ｐＦ／ｃｍ2 液晶記録媒体抵抗：１６０ＭΩ／ｃｍ2 中間層の容量：２０００ｐＦ／ｃｍ2 中間層抵抗：６４ＭΩ／ｃｍ2 印加電圧：４３０Ｖ 図８（ａ）において、曲線ＬL 、ＬD はそれぞれ液晶媒
体の明部、暗部にかかる電圧、曲線ＭL 、ＭD はそれぞ
れ中間層にかかる電圧を表しており、電圧印加直後に
は、液晶層および中間層にそれぞれ約９５Ｖ、４５Ｖの
電圧が分配されている。その後、抵抗成分を通して電流
が流れるため、液晶記録層および中間層にかかる電圧が
変化する。暗部に比べて明部では光センサの導電率が高
いため、液晶記録層に余計に電圧がかかっている。
成分を通して電流が流れるため電圧が変化し、この過度
状態の微分方程式は次式で表される。 ここで、 ＶS ＋ＶL ＋Ｖ1 ＋Ｖ2 ＋………＝ＶAP ……（４−４） ｄＶS ／ｄｔ＋ｄＶL ／ｄｔ＋ｄＶ1 ／ｄｔ＋ｄＶ2 ／ｄｔ＝０ ……（４−５） 次式により液晶記録層、中間層、の電圧を順次計算する
ことができる。 以上のように算出した式に基づいて、一体型液晶記録媒
体の液晶媒体、中間層にかかる電圧を求める。図８は、
式（３−５）、（３−６）を用いて液晶記録層と中間層
それぞれにかかる電圧を計算した例である。計算に用い
た光センサ、液晶記録層、中間層の各物性値は以下の通
りである。 光センサの容量：３１０ｐＦ／ｃｍ2 光センサの暗電流値５．０×１０-7Ａ／ｃｍ2 （１００
Ｖ電圧印加した状態） 液晶記録媒体の容量：９５０ｐＦ／ｃｍ2 液晶記録媒体抵抗：１６０ＭΩ／ｃｍ2 中間層の容量：２０００ｐＦ／ｃｍ2 中間層抵抗：６４ＭΩ／ｃｍ2 印加電圧：４３０Ｖ 図８（ａ）において、曲線ＬL 、ＬD はそれぞれ液晶媒
体の明部、暗部にかかる電圧、曲線ＭL 、ＭD はそれぞ
れ中間層にかかる電圧を表しており、電圧印加直後に
は、液晶層および中間層にそれぞれ約９５Ｖ、４５Ｖの
電圧が分配されている。その後、抵抗成分を通して電流
が流れるため、液晶記録層および中間層にかかる電圧が
変化する。暗部に比べて明部では光センサの導電率が高
いため、液晶記録層に余計に電圧がかかっている。
【００１３】図８（ｂ）は液晶層における明部と暗部の
電圧差を示したものであり、この電圧差は時間と共に大
きくなり、この例では、約１００ｍｓｅｃで最大値にな
る。本発明の記録システムで画像記録する場合には、こ
のように明部と暗部の電位差が最大になる時間で画像記
録を行うことが好ましく、このとき、暗部の液晶記録媒
体の電圧がしきい値電圧になるように、印加電圧を調整
することが望ましい。これは、液晶記録媒体の電圧がし
きい値電圧以上になると、露光に関係なく液晶が配向し
てしまい、しきい値電圧より低いと液晶が動作（配向）
しないため、いずれも良好な画像記録ができないためで
ある。
電圧差を示したものであり、この電圧差は時間と共に大
きくなり、この例では、約１００ｍｓｅｃで最大値にな
る。本発明の記録システムで画像記録する場合には、こ
のように明部と暗部の電位差が最大になる時間で画像記
録を行うことが好ましく、このとき、暗部の液晶記録媒
体の電圧がしきい値電圧になるように、印加電圧を調整
することが望ましい。これは、液晶記録媒体の電圧がし
きい値電圧以上になると、露光に関係なく液晶が配向し
てしまい、しきい値電圧より低いと液晶が動作（配向）
しないため、いずれも良好な画像記録ができないためで
ある。
【００１４】これに対して、光センサの暗電流値（導電
率）および中間層の抵抗率を変化（暗電流値：増加、中
間層の抵抗率：大）させて、同様に液晶記録層および中
間層にかかる電圧を計算した結果を図９に示す。計算に
用いた物性値は以下の通りである。 光センサの容量：３１０ｐＦ／ｃｍ2 光センサ暗電流値：１．０×１０-6Ａ／ｃｍ2 （１００
Ｖ電圧印加した状態） 液晶記録媒体の容量：９５０ｐＦ／ｃｍ2 液晶記録媒体抵抗：１６０ＭΩ／ｃｍ2 中間層の容量：２０００ｐＦ／ｃｍ2 中間層抵抗：１６０ＭΩ／ｃｍ2 印加電圧：３９０Ｖ 図９（ａ）より、液晶記録媒体には電圧印加直後に約９
０Ｖの電圧がかかり、その後、光センサの抵抗成分を通
して電流が流れるため液晶記録層の電圧は増加し、約１
００ｍｓｅｃ後に最大になりその後減少する。これは、
中間層部分の抵抗値が大きく、これにかかる電圧が増加
するためである。一方、図９（ｂ）より、液晶記録層の
明部と暗部との電圧差は約７５ｍｓｅｃで最大値となっ
ており、図８（ｂ）に比して速いが、これは光センサの
暗電流値が増えたためである。
率）および中間層の抵抗率を変化（暗電流値：増加、中
間層の抵抗率：大）させて、同様に液晶記録層および中
間層にかかる電圧を計算した結果を図９に示す。計算に
用いた物性値は以下の通りである。 光センサの容量：３１０ｐＦ／ｃｍ2 光センサ暗電流値：１．０×１０-6Ａ／ｃｍ2 （１００
Ｖ電圧印加した状態） 液晶記録媒体の容量：９５０ｐＦ／ｃｍ2 液晶記録媒体抵抗：１６０ＭΩ／ｃｍ2 中間層の容量：２０００ｐＦ／ｃｍ2 中間層抵抗：１６０ＭΩ／ｃｍ2 印加電圧：３９０Ｖ 図９（ａ）より、液晶記録媒体には電圧印加直後に約９
０Ｖの電圧がかかり、その後、光センサの抵抗成分を通
して電流が流れるため液晶記録層の電圧は増加し、約１
００ｍｓｅｃ後に最大になりその後減少する。これは、
中間層部分の抵抗値が大きく、これにかかる電圧が増加
するためである。一方、図９（ｂ）より、液晶記録層の
明部と暗部との電圧差は約７５ｍｓｅｃで最大値となっ
ており、図８（ｂ）に比して速いが、これは光センサの
暗電流値が増えたためである。
【００１５】このように、光センサの導電率や液晶記録
媒体の抵抗率により、液晶記録媒体の電圧がある時間で
最大になり、その後減少する場合がある。このとき、暗
部と明部の電位差が最大になる前に、暗部の電圧が最大
になるような場合には、暗部の電圧が最大になる前に画
像記録を行う必要がある。すなわち、印加電圧は、暗部
の電圧の最大値が液晶のしきい値電圧より少し高い程度
の電圧になるように設定する必要があり、このときの明
部と暗部の電位差（コントラスト電位）で画像記録が行
われる。もし、暗部の電圧が最大になり、その後減少す
る過程で、明部と暗部の電位差が最大になるような場合
があっても、すでに液晶記録層の電圧が減少して行く過
程では、さらに液晶を配向させることはできないので画
像記録はできない。このような場合には、暗部の電圧が
最大になったときには画像記録を終了する必要がある。
媒体の抵抗率により、液晶記録媒体の電圧がある時間で
最大になり、その後減少する場合がある。このとき、暗
部と明部の電位差が最大になる前に、暗部の電圧が最大
になるような場合には、暗部の電圧が最大になる前に画
像記録を行う必要がある。すなわち、印加電圧は、暗部
の電圧の最大値が液晶のしきい値電圧より少し高い程度
の電圧になるように設定する必要があり、このときの明
部と暗部の電位差（コントラスト電位）で画像記録が行
われる。もし、暗部の電圧が最大になり、その後減少す
る過程で、明部と暗部の電位差が最大になるような場合
があっても、すでに液晶記録層の電圧が減少して行く過
程では、さらに液晶を配向させることはできないので画
像記録はできない。このような場合には、暗部の電圧が
最大になったときには画像記録を終了する必要がある。
【００１６】暗電流値の異なる光センサ（式（２−１）
における係数αを変化させる）に対して、液晶記録層に
かかる電圧を計算するシミュレーションにおいて、暗部
と明部の電位差が最大になる時間で、暗部の液晶記録層
の電圧がしきい値電圧になるように設定された印加電圧
に対して計算した明部と暗部の電圧の最大値と、電圧印
加時間の最適値とを計算により求めた。このとき、暗部
における液晶記録媒体の電圧が最大値を持つような場合
（図９のようなケース）、明部と暗部の電位差が最大に
なる時間ｔ１より、暗部の液晶記録層の電圧が最大値に
なる時間ｔ２が短いときは、時間ｔ２が電圧印加時間の
最適値になる。
における係数αを変化させる）に対して、液晶記録層に
かかる電圧を計算するシミュレーションにおいて、暗部
と明部の電位差が最大になる時間で、暗部の液晶記録層
の電圧がしきい値電圧になるように設定された印加電圧
に対して計算した明部と暗部の電圧の最大値と、電圧印
加時間の最適値とを計算により求めた。このとき、暗部
における液晶記録媒体の電圧が最大値を持つような場合
（図９のようなケース）、明部と暗部の電位差が最大に
なる時間ｔ１より、暗部の液晶記録層の電圧が最大値に
なる時間ｔ２が短いときは、時間ｔ２が電圧印加時間の
最適値になる。
【００１７】このことから、シミュレーションでは、明
部と暗部の電位差が最大になる条件と、暗部の電圧が最
大になる条件で行った。シミュレーションに用いた物性
値は、以下の通りである。 光センサの容量：３１０ｐＦ／ｃｍ2 液晶記録媒体の容量：９５０ｐＦ／ｃｍ2 液晶記録媒体抵抗：１６０ＭΩ／ｃｍ2 中間層の容量：２０００ｐＦ／ｃｍ2 中間層抵抗：１６０ＭΩ／ｃｍ2 図１０は光センサの暗電流値を変化させたときの、印加
電圧と暗電流密度との関係を示している。実線は明部と
暗部の電位差が最大になるときの印加電圧、破線は暗部
の電圧が最大（しきい値電圧）になる条件での印加電圧
をそれぞれ示している。なお、印加電圧８００Ｖ以上で
は、液晶層に初期に分配される電圧がしきい値電圧にな
ってしまうため、印加電圧の範囲を２００〜８００Ｖの
範囲として計算した。図１０において、光センサの暗電
流が５×１０-8Ａ／ｃｍ2 以下では、印加電圧が８００
Ｖを越えてしまうため、本システムに使用することはで
きない。
部と暗部の電位差が最大になる条件と、暗部の電圧が最
大になる条件で行った。シミュレーションに用いた物性
値は、以下の通りである。 光センサの容量：３１０ｐＦ／ｃｍ2 液晶記録媒体の容量：９５０ｐＦ／ｃｍ2 液晶記録媒体抵抗：１６０ＭΩ／ｃｍ2 中間層の容量：２０００ｐＦ／ｃｍ2 中間層抵抗：１６０ＭΩ／ｃｍ2 図１０は光センサの暗電流値を変化させたときの、印加
電圧と暗電流密度との関係を示している。実線は明部と
暗部の電位差が最大になるときの印加電圧、破線は暗部
の電圧が最大（しきい値電圧）になる条件での印加電圧
をそれぞれ示している。なお、印加電圧８００Ｖ以上で
は、液晶層に初期に分配される電圧がしきい値電圧にな
ってしまうため、印加電圧の範囲を２００〜８００Ｖの
範囲として計算した。図１０において、光センサの暗電
流が５×１０-8Ａ／ｃｍ2 以下では、印加電圧が８００
Ｖを越えてしまうため、本システムに使用することはで
きない。
【００１８】図１１に液晶記録媒体に電圧印加初期に分
配される電圧の関係を示すが、初期の電圧はしきい値電
圧以下である必要があり、しきい値電圧が１８０Ｖ程度
とすれば、１．０×１０-7Ａ／ｃｍ2 の光センサは使用
できる。しかし、初期電圧はしきい値電圧の１／２以下
が好ましいため、図１１のグラフからは、このような光
センサは暗電流値が８×１０-7Ａ／ｃｍ2 以上の光セン
サとなる。
配される電圧の関係を示すが、初期の電圧はしきい値電
圧以下である必要があり、しきい値電圧が１８０Ｖ程度
とすれば、１．０×１０-7Ａ／ｃｍ2 の光センサは使用
できる。しかし、初期電圧はしきい値電圧の１／２以下
が好ましいため、図１１のグラフからは、このような光
センサは暗電流値が８×１０-7Ａ／ｃｍ2 以上の光セン
サとなる。
【００１９】図１２は明部と暗部の電位差と光センサの
暗電流値との関係を示しており、実線は明部と暗部の電
位差が最大になる条件で求めた電位差、破線は暗部の電
圧が最大になる条件で求めた明部と暗部の電位差であ
る。求め方は、各暗電流値に対して図１１、図１２のよ
うに印加電圧と各層の初期分配電圧が決まり、式（３−
１）〜（３−６）より液晶媒体にかかる電圧が求めら
れ、明部と暗部の電位差の最大値として実線が、暗部の
電圧が最大値（しきい値電圧）になったときの明部と暗
部の電位差として破線が求められる。図１２の実線にお
いては、暗電流値が５×１０-8Ａ／ｃｍ2 のときに電位
差３４Ｖの最大値が得られている。このとき、破線で示
した暗部の電圧が最大（しきい値電圧）になる条件（破
線）では、明部と暗部の電位差は２５Ｖであり、これは
明部と暗部の電位差が最大になるときには、すでに暗部
の液晶記録層の電圧は最大値をとり、減少過程にあるこ
とを示している。なお、減少過程にあることは、暗電流
値と電圧印加時間の関係を示す図１３からも分かる。図
１３においても実線と破線を求める条件は図１２の場合
と同じであり、暗電流値が５×１０-8Ａ／ｃｍ2 のとき
には破線が実線より下側にあり、暗部の電位が最大にな
るのが、明部と暗部の電位差が最大になるよりも速いこ
とを示している。なお、図１３において、破線が実線よ
り上側にある暗電流値に対しては、明部と暗部の電位差
が最大になった時点では、暗部の電位は最大になってい
ない。このような減少過程にあっては画像記録をするこ
とはできないため、電位差の最大値は、図１２の破線で
示した光センサの暗電流値が８．０×１０-8Ａ／ｃｍ 2
のときの条件で３２Ｖである。
暗電流値との関係を示しており、実線は明部と暗部の電
位差が最大になる条件で求めた電位差、破線は暗部の電
圧が最大になる条件で求めた明部と暗部の電位差であ
る。求め方は、各暗電流値に対して図１１、図１２のよ
うに印加電圧と各層の初期分配電圧が決まり、式（３−
１）〜（３−６）より液晶媒体にかかる電圧が求めら
れ、明部と暗部の電位差の最大値として実線が、暗部の
電圧が最大値（しきい値電圧）になったときの明部と暗
部の電位差として破線が求められる。図１２の実線にお
いては、暗電流値が５×１０-8Ａ／ｃｍ2 のときに電位
差３４Ｖの最大値が得られている。このとき、破線で示
した暗部の電圧が最大（しきい値電圧）になる条件（破
線）では、明部と暗部の電位差は２５Ｖであり、これは
明部と暗部の電位差が最大になるときには、すでに暗部
の液晶記録層の電圧は最大値をとり、減少過程にあるこ
とを示している。なお、減少過程にあることは、暗電流
値と電圧印加時間の関係を示す図１３からも分かる。図
１３においても実線と破線を求める条件は図１２の場合
と同じであり、暗電流値が５×１０-8Ａ／ｃｍ2 のとき
には破線が実線より下側にあり、暗部の電位が最大にな
るのが、明部と暗部の電位差が最大になるよりも速いこ
とを示している。なお、図１３において、破線が実線よ
り上側にある暗電流値に対しては、明部と暗部の電位差
が最大になった時点では、暗部の電位は最大になってい
ない。このような減少過程にあっては画像記録をするこ
とはできないため、電位差の最大値は、図１２の破線で
示した光センサの暗電流値が８．０×１０-8Ａ／ｃｍ 2
のときの条件で３２Ｖである。
【００２０】電位差はこの値が最大値で、導電率が上が
っても下がっても電位差は減少する。良好な画像を記録
するためには、できるだけ大きな明暗の電位差が必要
で、この最大値３２Ｖの１／２以上の電位差があること
が望ましく、暗電流値が４．０×１０-8〜２．０×１０
-6Ａ／ｃｍ2 Ａ／ｃｍ2 の範囲の光センサが望ましい。
暗電流値と電圧印加時間の関係を示す図１３において、
電圧印加時間は２００ｍｓｅｃ以下になるようなものが
使用できるが、できれば１００ｍｓｅｃ以下の条件が望
ましい。図１３から分かるように、このような光センサ
としては暗電流値が３．０×１０-7Ａ／ｃｍ2 以上の光
センサが好ましい。
っても下がっても電位差は減少する。良好な画像を記録
するためには、できるだけ大きな明暗の電位差が必要
で、この最大値３２Ｖの１／２以上の電位差があること
が望ましく、暗電流値が４．０×１０-8〜２．０×１０
-6Ａ／ｃｍ2 Ａ／ｃｍ2 の範囲の光センサが望ましい。
暗電流値と電圧印加時間の関係を示す図１３において、
電圧印加時間は２００ｍｓｅｃ以下になるようなものが
使用できるが、できれば１００ｍｓｅｃ以下の条件が望
ましい。図１３から分かるように、このような光センサ
としては暗電流値が３．０×１０-7Ａ／ｃｍ2 以上の光
センサが好ましい。
【００２１】以上示したのはシミュレーションの一例で
あって、光センサの膜厚や、中間層の容量、抵抗、液晶
記録層の容量、抵抗、しきい値電圧等の値が変化した場
合には、それに対して最適な光センサをシミュレーショ
ンから得ることができる。
あって、光センサの膜厚や、中間層の容量、抵抗、液晶
記録層の容量、抵抗、しきい値電圧等の値が変化した場
合には、それに対して最適な光センサをシミュレーショ
ンから得ることができる。
【００２２】
（実施例１）電荷発生物質として下記構造を有するフル
オレノンアゾ顔料３部とポリエステル樹脂１部とをジオ
キサン：シクロヘキサノン＝１：１の混合溶媒１９６部
と混合し、混合機により十分混練を行い、塗布液を作製
した。
オレノンアゾ顔料３部とポリエステル樹脂１部とをジオ
キサン：シクロヘキサノン＝１：１の混合溶媒１９６部
と混合し、混合機により十分混練を行い、塗布液を作製
した。
【００２３】
【化１】
【００２４】この溶液をＩＴＯ透明電極（膜厚５００
Å、抵抗８０Ω／□）を有するガラス基板上のＩＴＯ側
の面に塗布し、１００℃、１時間乾燥して膜厚０．３μ
ｍの電荷発生層を形成した。次に電荷輸送物質として下
記構造を有するパラジメチルスチルベン３部とポリスチ
レン樹脂１部とをジクロロメタン：１，１，２─トリク
ロロエタン＝６８：１０２の混合溶媒１８０部と混合溶
解し、塗布液を作製した。
Å、抵抗８０Ω／□）を有するガラス基板上のＩＴＯ側
の面に塗布し、１００℃、１時間乾燥して膜厚０．３μ
ｍの電荷発生層を形成した。次に電荷輸送物質として下
記構造を有するパラジメチルスチルベン３部とポリスチ
レン樹脂１部とをジクロロメタン：１，１，２─トリク
ロロエタン＝６８：１０２の混合溶媒１８０部と混合溶
解し、塗布液を作製した。
【００２５】
【化２】
【００２６】この溶液を上記電荷発生層上に塗布し、８
０℃、２時間乾燥して電荷輸送層を形成し、膜厚１０μ
ｍの光センサを作製した。
０℃、２時間乾燥して電荷輸送層を形成し、膜厚１０μ
ｍの光センサを作製した。
【００２７】（実施例２）電荷発生物質として上記（化
１）式の構造を有するアゾ系顔料３部とポリビニルホル
マール樹脂１部とをジオキサン：シクロヘキサノン＝
１：１の混合溶媒１８０部と混合し、混合機により十分
混練を行い、塗布液を作製した。この溶液をＩＴＯ透明
電極（膜厚５００Å、抵抗８０Ω／□）を有するガラス
基板上のＩＴＯ側の面に塗布し、１００℃、１時間乾燥
して膜厚０．３μｍの電荷発生層を形成した。次に、電
荷輸送物質として上記（化２）式の構造を有するパラジ
メチルスチルベン３部とポリスチレン樹脂１部とをジク
ロロメタン：１，１，２─トリクロロエタン＝６８：１
０２の混合溶媒１８０部と混合溶解し、塗布液を作製し
た。この溶液を上記電荷発生層上に塗布し、８０℃、２
時間乾燥して電荷輸送層を形成し、膜厚１０μｍの光セ
ンサを作製した。
１）式の構造を有するアゾ系顔料３部とポリビニルホル
マール樹脂１部とをジオキサン：シクロヘキサノン＝
１：１の混合溶媒１８０部と混合し、混合機により十分
混練を行い、塗布液を作製した。この溶液をＩＴＯ透明
電極（膜厚５００Å、抵抗８０Ω／□）を有するガラス
基板上のＩＴＯ側の面に塗布し、１００℃、１時間乾燥
して膜厚０．３μｍの電荷発生層を形成した。次に、電
荷輸送物質として上記（化２）式の構造を有するパラジ
メチルスチルベン３部とポリスチレン樹脂１部とをジク
ロロメタン：１，１，２─トリクロロエタン＝６８：１
０２の混合溶媒１８０部と混合溶解し、塗布液を作製し
た。この溶液を上記電荷発生層上に塗布し、８０℃、２
時間乾燥して電荷輸送層を形成し、膜厚１０μｍの光セ
ンサを作製した。
【００２８】（実施例３）電荷発生物質として上記（化
１）式の構造を有するアゾ系顔料３部とポリビニルホル
マール樹脂１部とをジオキサン：シクロヘキサノン＝
１：１の混合溶媒２０２部と混合し、混合機により十分
混練を行い、塗布液を作製した。この溶液をＩＴＯ透明
電極（膜厚５００Å、抵抗８０Ω／□）を有するガラス
基板上のＩＴＯ側の面に塗布し、１００℃、１時間乾燥
して膜厚０．３μｍの電荷発生層を形成した。次に、電
荷輸送物質として4-メチルトリフェニルアミン３部とポ
リカーボネート樹脂１部とをジクロロメタン：１，１，
２─トリクロロエタン＝６８：１０２の混合溶媒１８０
部と混合溶解し、塗布液を作製した。この溶液を上記電
荷発生層上に塗布し、８０℃、２時間乾燥して電荷輸送
層を形成し、膜厚１０μｍの光センサを作製した。
１）式の構造を有するアゾ系顔料３部とポリビニルホル
マール樹脂１部とをジオキサン：シクロヘキサノン＝
１：１の混合溶媒２０２部と混合し、混合機により十分
混練を行い、塗布液を作製した。この溶液をＩＴＯ透明
電極（膜厚５００Å、抵抗８０Ω／□）を有するガラス
基板上のＩＴＯ側の面に塗布し、１００℃、１時間乾燥
して膜厚０．３μｍの電荷発生層を形成した。次に、電
荷輸送物質として4-メチルトリフェニルアミン３部とポ
リカーボネート樹脂１部とをジクロロメタン：１，１，
２─トリクロロエタン＝６８：１０２の混合溶媒１８０
部と混合溶解し、塗布液を作製した。この溶液を上記電
荷発生層上に塗布し、８０℃、２時間乾燥して電荷輸送
層を形成し、膜厚１０μｍの光センサを作製した。
【００２９】（実施例４）実施例１〜３の方法で作製し
た光センサの電荷輸送層上に４ｍｍ×４ｍｍの面積にな
るように、金電極を蒸着法により形成し、暗所において
透明電極と金電極との間に透明電極側が正になるように
１００Ｖの電圧を印加し、電圧印加後５００ｍｓｅｃ後
の電流値を測定したところ、１ｃｍ2 当たりに直すと、
それぞれ８．０×１０-7、２．４×１０-8、３．６×１
０-5Ａ／ｃｍ2 であった。
た光センサの電荷輸送層上に４ｍｍ×４ｍｍの面積にな
るように、金電極を蒸着法により形成し、暗所において
透明電極と金電極との間に透明電極側が正になるように
１００Ｖの電圧を印加し、電圧印加後５００ｍｓｅｃ後
の電流値を測定したところ、１ｃｍ2 当たりに直すと、
それぞれ８．０×１０-7、２．４×１０-8、３．６×１
０-5Ａ／ｃｍ2 であった。
【００３０】（実施例５）ポリビニルアルコール５部を
純水９５部に溶解させて、塗布液とし、実施例１〜３で
作製した光センサの電荷輸送層上にスピンナーで塗布
し、８０℃で２時間真空乾燥し、膜厚１．５μｍの中間
層を形成した。
純水９５部に溶解させて、塗布液とし、実施例１〜３で
作製した光センサの電荷輸送層上にスピンナーで塗布
し、８０℃で２時間真空乾燥し、膜厚１．５μｍの中間
層を形成した。
【００３１】（実施例６）実施例１〜３および５で作製
した光センサの中間層上に膜厚６μｍの液晶記録層をそ
れぞれ積層した。液晶記録媒体の作製方法は以下の通り
である。ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート４
部、スメクチック液晶Ｓ６（商品名；メルク社製）６
部、ふっ素系活性剤フロラードＦＣ−４３０（商品名；
３Ｍ社製）０．２部、光重合開始剤『ダロキュア１１７
３』（商品名；メルク社製）０．２部の混合物をキシレ
ンにて固形分３０％に調整した。この溶液をＩＴＯ透明
電極（膜厚５００Å、抵抗８０Ω／□）を有するガラス
基板上のＩＴＯ側の面に５０μｍのギャップ厚さブレー
ドコーターで塗布し、これを５０℃に保持し、０．３Ｊ
／ｃｍ2 のＵＶ光を照射して膜厚約６μｍの情報記録層
を有する情報記録媒体を作製した。この情報記録媒体断
面を熱メタノールを用いて液晶を抽出し、乾燥させた
後、走査型電子顕微鏡（日立製作所（株）製、Ｓ─８０
０、１００００倍）で内部構造を観察したところ、層の
表面は０．６μｍ厚の紫外線硬化型樹脂で覆われ、層内
部は粒径０．１μｍの樹脂粒子が充填している構造を有
していることがわかった。さらに、液晶記録層を形成し
た後、スパッタ法において、ＩＴＯ電極を約１０００Å
の厚さで形成した。
した光センサの中間層上に膜厚６μｍの液晶記録層をそ
れぞれ積層した。液晶記録媒体の作製方法は以下の通り
である。ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート４
部、スメクチック液晶Ｓ６（商品名；メルク社製）６
部、ふっ素系活性剤フロラードＦＣ−４３０（商品名；
３Ｍ社製）０．２部、光重合開始剤『ダロキュア１１７
３』（商品名；メルク社製）０．２部の混合物をキシレ
ンにて固形分３０％に調整した。この溶液をＩＴＯ透明
電極（膜厚５００Å、抵抗８０Ω／□）を有するガラス
基板上のＩＴＯ側の面に５０μｍのギャップ厚さブレー
ドコーターで塗布し、これを５０℃に保持し、０．３Ｊ
／ｃｍ2 のＵＶ光を照射して膜厚約６μｍの情報記録層
を有する情報記録媒体を作製した。この情報記録媒体断
面を熱メタノールを用いて液晶を抽出し、乾燥させた
後、走査型電子顕微鏡（日立製作所（株）製、Ｓ─８０
０、１００００倍）で内部構造を観察したところ、層の
表面は０．６μｍ厚の紫外線硬化型樹脂で覆われ、層内
部は粒径０．１μｍの樹脂粒子が充填している構造を有
していることがわかった。さらに、液晶記録層を形成し
た後、スパッタ法において、ＩＴＯ電極を約１０００Å
の厚さで形成した。
【００３２】（実施例７）実施例１の方法で作製した光
センサを用いた一体型記録媒体に、光センサの透明支持
体側から３３ｍｓｅｃ画像露光し、両電極間に光センサ
側が正になるように４２０Ｖ、８０ｍｓｅｃ電圧印加し
た。電圧印加後、情報記録媒体に青色光を照射し、透過
光をＣＣＤセンサで読み取ったところ、コントラストの
大きな画像信号が得られた。
センサを用いた一体型記録媒体に、光センサの透明支持
体側から３３ｍｓｅｃ画像露光し、両電極間に光センサ
側が正になるように４２０Ｖ、８０ｍｓｅｃ電圧印加し
た。電圧印加後、情報記録媒体に青色光を照射し、透過
光をＣＣＤセンサで読み取ったところ、コントラストの
大きな画像信号が得られた。
【００３３】（実施例８）実施例２の方法で作製した光
センサを用いた一体型媒体に、光センサの透明支持体側
から３３ｍｓｅｃ画像露光し、両電極間に光センサ側が
正になるように４２０Ｖ、８０ｍｓｅｃ電圧印加した。
電圧印加後、情報記録媒体を観察したところ何の変化を
見られなかった。
センサを用いた一体型媒体に、光センサの透明支持体側
から３３ｍｓｅｃ画像露光し、両電極間に光センサ側が
正になるように４２０Ｖ、８０ｍｓｅｃ電圧印加した。
電圧印加後、情報記録媒体を観察したところ何の変化を
見られなかった。
【００３４】（実施例９）実施例２の方法で作製した光
センサを用いた一体型記録媒体に、光センサの透明支持
体側から３３ｍｓｅｃ画像露光し、両電極間に光センサ
側が正になるように８５０Ｖ、８０ｍｓｅｃ電圧印加し
た。電圧印加後、情報記録媒体を観察したところ、露光
画像に関係なく、液晶記録層の全体が配向しているのが
観察された。
センサを用いた一体型記録媒体に、光センサの透明支持
体側から３３ｍｓｅｃ画像露光し、両電極間に光センサ
側が正になるように８５０Ｖ、８０ｍｓｅｃ電圧印加し
た。電圧印加後、情報記録媒体を観察したところ、露光
画像に関係なく、液晶記録層の全体が配向しているのが
観察された。
【００３５】（実施例１０）実施例３の方法で作製した
光センサを用いた一体型記録媒体に、光センサの透明支
持体側から３３ｍｓｅｃ画像露光し、両電極間に光セン
サ側が正になるように３２０Ｖ、５０ｍｓｅｃ電圧印加
した。電圧印加後、情報記録媒体に青色光を照射し、透
過光をＣＣＤセンサで読み取ったところ、コントラスト
の低い画像信号が得られた。
光センサを用いた一体型記録媒体に、光センサの透明支
持体側から３３ｍｓｅｃ画像露光し、両電極間に光セン
サ側が正になるように３２０Ｖ、５０ｍｓｅｃ電圧印加
した。電圧印加後、情報記録媒体に青色光を照射し、透
過光をＣＣＤセンサで読み取ったところ、コントラスト
の低い画像信号が得られた。
【００３６】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、誘電体中
間層を有する一体型情報記録媒体において、誘電体中間
層の容量、抵抗、液晶記録層の容量、抵抗、しきい値電
圧等の値が変化したときにも、最適な光センサを特定
し、かつ最適な印加電圧、電圧印加時間で情報記録を行
うことが可能となる。
間層を有する一体型情報記録媒体において、誘電体中間
層の容量、抵抗、液晶記録層の容量、抵抗、しきい値電
圧等の値が変化したときにも、最適な光センサを特定
し、かつ最適な印加電圧、電圧印加時間で情報記録を行
うことが可能となる。
【図１】 一体型液晶記録媒体を示す図である。
【図２】 一体型液晶記録媒体の記録方法を説明する図
である。
である。
【図３】 読み取り方法を説明する図である。
【図４】 液晶変調範囲を説明する図である。
【図５】 一体型液晶記録媒体の等価回路を示す図であ
る。
る。
【図６】 光センサの電流測定結果を示す図である。
【図７】 中間層が複数層ある一体型液晶記録媒体の等
価回路を示す図である。
価回路を示す図である。
【図８】 液晶層、中間層にかかる電圧変化を示す図で
ある。
ある。
【図９】 液晶層、中間層にかかる電圧変化を示す図で
ある。
ある。
【図１０】 露光部と未露光部との最大電位差を与える
印加電圧と暗電流との関係を示す図である。
印加電圧と暗電流との関係を示す図である。
【図１１】 露光部と未露光部との最大電位差を与える
電圧印加時間と暗電流との関係を示す図である。
電圧印加時間と暗電流との関係を示す図である。
【図１２】 露光部と未露光部との最大電位差と暗電流
密度との関係を示す図である。
密度との関係を示す図である。
【図１３】 露光部と未露光部との最大電位差を与える
電圧印加時間と暗電流密度との関係を示す図である。
電圧印加時間と暗電流密度との関係を示す図である。
１０…光センサ、２０…液晶記録層、２４…誘電体中間
層、６０…光源、７０…フィルタ、８０…光電変換装
置。
層、６０…光源、７０…フィルタ、８０…光電変換装
置。
Claims (5)
- 【請求項１】 透明電極上に、光導電層、誘電体中間
層、高分子分散型液晶記録層、電極層を順次積層した一
体型情報記録場体の両電極間に電圧印加し、光導電層に
情報露光して液晶を配向させ、露光量に応じて画像情報
を記録する方法において、 両電極間への印加電圧をＶAP、光導電層、液晶記録層、
中間層の容量、各層にかかる電圧、各層を流れる電流を
それぞれ、ＣS 、ＣL 、ＣM 、ＶS 、ＶL 、ＶM 、
ＩS 、ＩL 、ＩM としたとき、 ＩS ＋ＣS （ｄＶS ／ｄｔ） ＝ＩM ＋ＣM （ｄＶM ／ｄｔ） ＝ＩL ＋ＣL （ｄＶL ／ｄｔ） ＶS ＋ＶM ＋ＶL ＝ＶAP VM （ｔ＋Δｔ）＝ＶM （ｔ）＋（ｄＶM ／ｄｔ）Δｔ ＶL （ｔ＋Δｔ）＝ＶL （ｔ）＋（ｄＶL ／ｄｔ）Δｔ （ただし、ＶS （０）、ＶM （０）、ＶL （０）は電圧
印加直後にかかる電圧）の関係式から、暗電流値の異な
る光導電層に対して、それぞれ、露光部と未露光部分の
液晶記録層にかかる電圧の時間変位を印加電圧を変化さ
せて求め、未露光部分における液晶記録層の電圧が、液
晶記録層のしきい値電圧に達したときの露光部と未露光
部の電圧の差が最大になるような、印加電圧および光導
電層の暗電流値を求め、このときの露光部と未露光部に
おける液晶にかかる電圧の差（最大コントラスト）の１
／２以上の電位差が得られるような光導電層および印加
電圧で情報記録することを特徴とする情報記録方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の方法において、露光部と
未露光部の液晶記録層の電圧の差が最大になる電圧を印
加したとき、電圧印加直後に、液晶記録層と光導電層、
誘電体中間層の容量の比に応じて液晶記録層に印加され
る電圧が、該液晶記録層のしきい値電圧以下になるよう
な、暗電流値の光導電層を用いることを特徴とする情報
記録方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の方法において、露光部と
未露光部の液晶記録層の電圧の差が最大になる電圧を印
加したとき、電圧印加直後に、液晶記録層と光導電層、
誘電体中間層の容量の比に応じて液晶記録層に印加され
る電圧が、該液晶記録層のしきい値電圧の１／２以下に
なるような、暗電流値の光導電層を用いることを特徴と
する情報記録方法。 - 【請求項４】 請求項１または２記載の方法において、
露光部と未露光部の液晶記録層の電圧の差が最大になる
電圧を印加したとき、未露光部の液晶記録層のかかる電
圧がしきい値電圧に到達する時間が２００ｍｓｅｃ以下
になるような暗電流値の光導電層を用いることを特徴と
する情報記録方法。 - 【請求項５】 請求項１または２記載の方法において、
露光部と未露光部の液晶記録層の電圧の差が最大になる
電圧を印加したとき、未露光部の液晶記録層のかかる電
圧がしきい値電圧に到達する時間が１００ｍｓｅｃ以下
になるような暗電流値の光導電層をを用いることを特徴
とする情報記録方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22794494A JP3315012B2 (ja) | 1994-09-22 | 1994-09-22 | 情報記録方法 |
| US08/532,153 US5587987A (en) | 1994-09-22 | 1995-09-22 | Information recording method having a liquid crystal substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22794494A JP3315012B2 (ja) | 1994-09-22 | 1994-09-22 | 情報記録方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0895081A JPH0895081A (ja) | 1996-04-12 |
| JP3315012B2 true JP3315012B2 (ja) | 2002-08-19 |
Family
ID=16868730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22794494A Expired - Fee Related JP3315012B2 (ja) | 1994-09-22 | 1994-09-22 | 情報記録方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5587987A (ja) |
| JP (1) | JP3315012B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3626560B2 (ja) * | 1996-02-22 | 2005-03-09 | ペンタックス株式会社 | 電子現像型記録媒体の良否判定装置 |
| US6678237B1 (en) * | 1997-03-27 | 2004-01-13 | Imation Corp. | Dual layer optical storage medium having partially reflecting layer comprising amorphous selenium |
| JP4104718B2 (ja) * | 1997-04-11 | 2008-06-18 | 富士ゼロックス株式会社 | 光記録方法 |
| DE10035281B4 (de) * | 2000-07-18 | 2004-09-30 | Eads Deutschland Gmbh | Sensorsystem und Verfahren zur Ermittlung von System-Zuständen |
| US20070041288A1 (en) * | 2005-08-17 | 2007-02-22 | Ping-Sheng Chen | Methods and apparatuses for accessing a hybrid disc |
| US8972707B2 (en) | 2010-12-22 | 2015-03-03 | Via Technologies, Inc. | Multi-core processor with core selectively disabled by kill instruction of system software and resettable only via external pin |
| US8782451B2 (en) | 2010-12-22 | 2014-07-15 | Via Technologies, Inc. | Power state synchronization in a multi-core processor |
| US8930676B2 (en) * | 2010-12-22 | 2015-01-06 | Via Technologies, Inc. | Master core discovering enabled cores in microprocessor comprising plural multi-core dies |
| US8637212B2 (en) | 2010-12-22 | 2014-01-28 | Via Technologies, Inc. | Reticle set modification to produce multi-core dies |
| US8631256B2 (en) | 2010-12-22 | 2014-01-14 | Via Technologies, Inc. | Distributed management of a shared power source to a multi-core microprocessor |
| US9460038B2 (en) | 2010-12-22 | 2016-10-04 | Via Technologies, Inc. | Multi-core microprocessor internal bypass bus |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4147932A (en) * | 1977-09-06 | 1979-04-03 | Xonics, Inc. | Low light level and infrared viewing system |
| US4679910A (en) * | 1985-03-20 | 1987-07-14 | Hughes Aircraft Company | Dual liquid-crystal cell-based visible-to-infrared dynamic image converter |
-
1994
- 1994-09-22 JP JP22794494A patent/JP3315012B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-09-22 US US08/532,153 patent/US5587987A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5587987A (en) | 1996-12-24 |
| JPH0895081A (ja) | 1996-04-12 |
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|---|---|---|---|
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