JP3300359B2 - 17−ハロゲノ−4−アザアンドロステン誘導体およびその製造方法 - Google Patents
17−ハロゲノ−4−アザアンドロステン誘導体およびその製造方法Info
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Description
る。
阻害する化合物の製造に有利に使用しうる。本合成目的
のために、一般式(I)の化合物を、第一または第二ア
ルキルアミンと、好ましくはジメチルホルムアミド媒体
中、一酸化炭素雰囲気で、酢酸パラジウム(II)、トリ
フェニルホスフィンおよびトリエチルアミンの存在下に
反応させ、次いで、所望により△16−17β−カルボキサ
ミド誘導体の二重結合を接触還元する。(実施例9およ
び10参照。) 5α−レダクターゼ酵素のインヒビターは、テストス
テロンのジヒドロテストステロンへの転換を防げ、従っ
て、それらはジヒドロテストステロン依存病、例えば前
立腺過形成、アクネ、脂漏および女性多毛症を治すのに
有用でありうる。
体とヨウ素元素とをテトラヒドロフラン中、トリエチル
アミンの存在下に反応させることにより、17−ヨード−
アンドロスタ−5,16−ジエン−3β−オールが得られる
ことは知られている[J.Chem.Soc.,470−476頁(196
2)]。同様の反応条件下、出発原料としてプレグネノ
ロン−20−ヒドラゾンを用いることにより、20−ヨード
プレグナ−5,20−ジエン−3β−オールを製造すること
ができる。
なる発展が他の引用文献で検討されている[Tetrahedro
n Letters 24,1605−1608頁(1983)]。本発表によれ
ば、同じくデヒドロエピアンドロステロンの17−ヒドラ
ゾンが出発原料として用いられるが、テトラメチルグア
ニジンが塩基として採用されている。非ステロイドヒド
ラゾン誘導体の転換も例示されている。
ハク酸イミドとの反応が刊行物[Chem.Pharm.Bull.Japa
n 11,1413−1417頁(1963)]中で検討されており、こ
れによれば、エピアンドロステロンの17−ヒドラゾン誘
導体が出発原料として用いられ、これをN−ブロモ−ま
たはN−クロロコハク酸イミドと反応させる。本反応は
数分で終了し、それは窒素の発生の停止によって観察で
きる。反応混合物を水に注いだ後、抽出し、次いで生成
した「塩化ビニル型」化合物をクロマトグラフィーまた
は再結晶により精製する。
れている。この方法では、アンドロスト−2−エン−17
−オンのヒドラゾンを、N−ハロゲノコハク酸イミドと
ピリジン中、−30℃と+20℃の間の温度で反応させて
「塩化ビニル型」最終生成物を得るものである。
は、 工程a)一般式(II): (式中、Rおよび結合線 は上記と同じ意味である) で示される化合物とヨウ素元素とを、ハロゲン化炭化水
素または芳香族炭化水素溶媒またはそれらの混合物中、
またはエーテル型溶媒中、第3アミン塩基の存在下で反
応させて、Xとしてヨウ素を含む一般式(I)の化合物
を得るか、または 工程b)一般式(II)(式中、Rおよび結合線___は
上記の定義の通りである) で示される化合物とN−クロロ−またはN−ブロモコハ
ク酸イミドとを、溶媒として所望により1またはそれ以
上のC1-4アルキル基(複数もあり)によって置換された
ピリジン中、−10℃〜+10℃の温度でそれぞれ反応させ
て、Xとして塩素または臭素を含む一般式(I)の化合
物を得ること、を含む。
行う。反応終了後(窒素ガス発生の停止により示され
る)、第3アミン塩基と過剰のヨウ素を、希塩酸水溶液
で、次いでチオ硫酸ナトリウムで処理することによって
除去する。次いで溶媒を留去し、得られた粗生成物をク
ロマトグラフィーおよび再結晶により精製する。ヨウ素
化反応は、好ましくはハロゲン化または芳香族炭化水素
溶媒中、好ましくはクロロホルム、ベンゼンまたはこれ
ら溶媒の混合物またはエーテル型溶媒、好ましくはテト
ラヒドロフラン中、第3アミン塩基、好ましくはトリエ
チルアミンまたはテトラメチルグアニジンの存在下で、
室温にて行う。
れ塩素または臭素を含む一般式(I)の化合物は、一般
式(II)の化合物をピリジンに溶解し、次いで上記溶液
に、−10℃〜+10℃の温度で、N−クロロ−またはN−
ブロモコハク酸イミドをそれぞれ少しずつ加えることに
より製造される。窒素ガス発生の停止によって示される
反応の終了後、粗生成物は水を加えることにより沈殿さ
せ、濾過し、ピリジンがなくなるまで水で洗浄し、乾燥
し、クロマトグラフィー、ついで再結晶により精製す
る。N−クロロ−またはN−ブロモコハク酸イミドによ
るハロゲン化は、それぞれ好ましくは0℃で実施する。
般式(II)の17−ヒドラゾン誘導体は以下のように製造
される。
−アザアンドロスト−5−エン−3,17−ジオンまたは4
−メチル−4−アザ−5α−アンドロスタン−3,17−ジ
オン[引用文献、J.Pharm.Sci.63,19〜23頁(1974);J.
Med.Chem.27,1690頁(1984);J.Org.Chem.46,1442〜144
6頁(1981)から公知]をそれぞれアルコールに溶解
後、この溶液にトリエチルアミンとヒドラジンヒドラー
トを加え、得られる反応混合物を還流下に沸騰させる。
反応終了後、過剰のヒドラジンヒドラートとトリエチル
アミンを(反応混合物を元の容量の約1/10まで蒸発させ
ることにより)留去する。残査は水を加えることにより
沈殿させ、沈殿物を濾取し、中性になるまで水で洗浄
し、乾燥する。得られた粗生成物は何ら精製することな
く一般式(I)の化合物の製造に用いることができる。
これに限定されるものではない。
−オンの製造 エタノール100ml中に4−アザ−5α−アンドロスタ
ン−3,17−ジオン10g(0.0346モル)を含む懸濁液に、
トリエチルアミン14ml(0.1モル)とヒドラジンヒドラ
ート50ml(1.0モル)を加え、混合物を還流下3時間沸
騰させる。(反応の進行は薄層クロマトグラフィーによ
り追跡する)反応終了後、反応混合物を冷却し、溶液を
元の容量の1/10まで蒸発させ、約10倍容量の水を加える
ことにより生成物を沈殿させる。沈殿物を堆積させた
後、濾過し、水で中性になるまで洗浄、乾燥し。標題化
合物を得る。収量:9.44g(90%)、融点:254−258℃。1 H−NMR(300 MHz,CDCl3)δppm:0.86(s,3H,18−C
H3),0.93(s,3H,19−CH3),2.41(m,2H,H−2),3.07
(dd,1H,H−5),4.77(br,2H,NH2),5.74(br,1H,N
H)。
−オンの製造 4−アザアンドロスト−5−エン−3,17−ジオンを出
発物質として用いる以外、実施例1に記載される方法に
従って標題化合物を得る。収率:35%、融点:379−382
℃。
=O),3200(NH),3350(NH2)cm-1。
ロスタン−3−オンの製造 出発物質として4−メチル−4−アザ−5α−アンド
ロスタン−3,17−ジオンを用いる以外、実施例1に記載
される方法に従って標題化合物を得る。収率:75%、融
点:211−218℃。1 H−NMR(300 MHz,CDCl3)δppm:0.86(s,3H,18−C
H3),0.91(s,3H,19−CH3),2.93(s,3H,N−CH3),3.05
[dd(J=3.6;J=12.6),1H,H−5],4.78(v br,2H,N
H2)。
−3−オンの製造 1:1クロロホルム/ベンゼン混合物1200ml中に17−ヒ
ドラゾノ−4−アザ−5α−アンドロスタン−3−オン
9.1g(0.03モル)を溶解し、トリエチルアミン90mlを加
えた後、ベンゼン110mlに溶解したヨウ素11.4g(0.045
モル)を上記溶液に滴下しながら加える。反応混合物を
室温でさらに60−90分間撹拌する。(反応の進行は薄層
クロマトグラフィーにより追跡する。)反応の終了後、
得られた溶液をクロロホルム500mlで希釈し、10%水性
塩酸溶液、水、5%水性チオ硫酸ナトリウム溶液、水、
5%水性炭酸水素ナトリウム溶液、最後に水で連続的に
洗浄し、無水硫酸ナトリウム上で乾燥する。減圧下に溶
媒を蒸発させた後、残査を溶出液として初めにクロロホ
ルム、次いで95:5クロロホルム/アセトン混合液を用い
ることによるシリカゲルカラム上のクロマトグラフィー
により精製する。得られた生成物をエタノールから再結
晶して標題化合物を得る。収量:5.9g(50%)、融点:27
8−282℃。1 H−NMR(300 MHz,CDCl3)δppm:0.73(s,3H,18−C
H3),0.91(s,3H,19−CH3),3.1(dd,1H,H−5),6.18
(m,1H,H−16),6.9(br,1H,NH)。
メチルグアニジンを用いることにより、上で示したのと
同じ物理特性の標題化合物が65%の収率で得られる。
−オンの製造 出発物質として17−ヒドラゾノ−4−アザアンドロス
ト−5−エン−3−オンを用いる以外、実施例4に記載
の方法に従って標題化合物を得る。収率:57%、融点:22
7−230℃。1 H−NMR(300 MHz,CDCl3)δppm:0.78(s,3H,18−C
H3),1.13(s,3H,19−CH3),4.9[dd(J=2.4;J=5.
1),1H,H−6],6.15[dd(J=3.2;J=1.7),1H,H−1
6],8.27(br,1H,NH)。
ト−16−エン−3−オンの製造 17−ヒドラゾノ−4−メチル−4−アザ−5α−アン
ドロスタン−3−オンを出発物質として用い、反応をベ
ンゼン中で実施する以外、実施例4に記載の方法に従
う。標題化合物が52%の収率、融点:176−181℃で得ら
れる。1 H−NMR(300 MHz,CDCl3)δppm:0.74(s,3H,18−C
H3),0.92(s,3H,19−CH3),2.94(s,3H,N−CH3),3.07
[dd(J=3.7;J=12.6),1H,H−5],6.13[dd(J=
3.2;J=1.7),1H,H−16]。
ト−16−エン−3−オンの製造 無水ピリジン40ml中17−ヒドラゾノ−4−メチル−4
−アザ−5α−アンドロスタン−3−オン4g(0.0126モ
ル)を含む溶液を0℃に冷却し、激しく撹拌しながらピ
リジン40ml中N−クロロコハク酸イミド3.2g(0.024モ
ル)の溶液を滴下しながら加える。激しい窒素ガス発生
の停止後、反応混合物をさらに15分間撹拌し、次いで水
800mlに滴下する。沈殿物を静置後、粗生成物を濾取
し、中性になるまで水で洗浄し、減圧下、室温で五酸化
リン上で乾燥する。得られた粗生成物を、溶出液として
クロロホルムを用いるシリカゲルカラム上のクロマトグ
ラフィーにより精製する。石油エーテルから蒸発残査を
再結晶後、標題化合物が2.15g(53%)の収量、融点:13
9−140℃で得られる。1 H−NMR(300 MHz,CDCl3)δppm:0.88(s,3H,18−C
H3),0.93(s,3H,19−CH3),2.89(s,3H,N−CH3),3.0
(dd,1H,H−5),5.53(m,1H,H−16)。
ト−16−エン−3−オンの製造 出発物質として17−ヒドラゾノ−4−メチル−4−ア
ザ−5α−アンドロスタン−3−オンおよび反応物とし
てN−ブロモコハク酸イミドを用いて、実施例7に記載
の方法に従って標題化合物を得る。収率:55%、融点:15
9−161℃。1 H−NMR(300 MHz,CDCl3)δppm:0.82(s,3H,18−C
H3),0.91(s,3H,19−CH3),2.86(s,3H,N−CH3),3.0
(dd,1H,H−5),5.68(m,1H,H−16)。
−17β−(N−第3級ブチルカルボキサミド)の製造 ジメチルホルムアミド150ml中、17−ヨード−4−ア
ザ−5α−アンドロスト−16−エン−3−オン3.99g
(0.01モル)を含む溶液に、酢酸パラジウム(II)0.22
4g(0.001モル)、トリフェニルホスフィン0.524g(0.0
02モル)、トリエチルアミン10mlおよび第3級ブチルア
ミン15ml(0.14モル)を加えて、混合物を一酸化炭素
下、60℃で90−120分間加熱する。(反応の進行は薄層
およびガスクロマトグラフィーにより追跡する。)反応
終了後、アミンとジメチルホルムアミドを減圧下に留去
し、次いで残査をクロロホルム150mlに溶解し、続け
て、水、5%水性塩酸溶液、水性飽和炭酸水素ナトリウ
ム溶液および水性飽和塩化ナトリウム溶液で中性になる
まで洗浄し、最後に無水硫酸ナトリウム上で乾燥する。
溶媒を蒸発させた後、残査を溶出液として酢酸エチルを
用いて、シリカゲルカラム上のクロマトグラフィーによ
り精製して標題化合物を得る。収量:3.16g(85%)、融
点:292−297℃。1 H−NMR(300 MHz,CDCl3)δppm:0.93(s,3H,19−C
H3),1.0(s,3H,18−CH3),1.4(s,3H,C(CH3)3),2.
15(m,2H,H−15a+H−15b),2.4(m,2,H,H−2),3.08
[dd,(J=4.5;J=7.0),1H,H−5],5.48(br s,1H,N
H),5.6(br s,1H,NH),6.18[dd(J=1.7;J=1.4),1
H,H−16]。
(N−第3級ブチルカルボキサミド)の製造 水6mlにパラジウム炭酸触媒1gを含む懸濁液を、ギ酸4
0ml中3−オキソ−4−アザ−5α−アンドロスト−16
−エン−17β−(N−第3級ブチルカルボキサミド)1g
を含む溶液を窒素雰囲気下に加える。不均一混合物を室
温で4−5時間撹拌する。反応の進行は薄層クロマトグ
ラフィーにより追跡する。反応が終了したのち、触媒を
溜去し、クロロホルム/メタノールの1:1の混合物で洗
浄する。混合した溶液を蒸発乾固させた後、残査を水で
粉砕し、沈殿を濾過し、水で洗浄して標題化合物を得
る。収率:90%、融点:283−286℃。
Claims (10)
- 【請求項1】一般式(I): (式中、Rは水素またはC1-3アルキル基を示し、 Xは塩素、臭素またはヨウ素を示し、 結合線 は一重結合または二重結合を示す) で示される新規4−アザアンドロステン誘導体。
- 【請求項2】17−ヨード−4−アザ−5α−アンドロス
ト−16−エン−3−オン、17−ヨード−4−アザ−アン
ドロスタ−5,16−ジエン−3−オン、 17−ヨード−4−メチル−4−アザ−5α−アンドロス
ト−16−エン−3−オン、 17−クロロ−4−メチル−4−アザ−5α−アンドロス
ト−16−エン−3−オンおよび17−ブロモ−4−メチル
−4−アザ−5α−アンドロスト−16−エン−3−オン からなる群から選択される化合物。 - 【請求項3】一般式(I): (式中、Rは水素またはC1-3アルキル基を示し、 Xは塩素、臭素またはヨウ素を示し、 結合線 は一重結合または二重結合を示す)の新規4−アザアン
ドロステン誘導体の製造方法であって、 工程a)一般式(II): (式中、Rおよび結合線 は上記と同じ意味である)で示される化合物とヨウ素元
素とを、ハロゲン化炭化水素または芳香族炭化水素溶媒
中またはそれらの混合物中、またはエーテル型溶媒中、
第3アミン塩基の存在下で反応させて、Xとしてヨウ素
を含む一般式(I)で示される化合物を得ることを特徴
とする方法。 - 【請求項4】工程a)において、ハロゲン化炭化水素溶
媒としてクロロホルムを、芳香族溶媒としてベンゼン
を、またはエーテル型溶媒としてテトラヒドロフランを
用いることを含む、請求項3記載の方法。 - 【請求項5】工程a)において、第3アミン塩基として
トリエチルアミンまたはテトラメチルグアニジンを用い
ることを含む、請求項3または4記載の方法。 - 【請求項6】工程a)において、出発原料として17−ヒ
ドラゾノ−4−アザ−5α−アンドロスタン−3−オ
ン、17−ヒドラゾノ−4−アザアンドロスト−5−エン
−3−オンまたは17−ヒドラゾノ−4−メチル−4−ア
ザ−5α−アンドロスタン−3−オンをそれぞれ用いる
ことを含む、17−ヨード−4−アザ−5α−アンドロス
ト−16−エン−3−オン、17−ヨード−4−アザアンド
ロスタ−5,16−ジエン−3−オンまたは17−ヨード−4
−メチル−4−アザ−5α−アンドロスト−16−エン−
3−オンの製造のための請求項3〜5のいずれか1項記
載の方法。 - 【請求項7】一般式(I): (式中、Rは水素またはC1-3アルキル基を示し、 Xは塩素、臭素またはヨウ素を示し、 結合線 は一重結合または二重結合を示す)の新規4−アザアン
ドロステン誘導体の製造方法であって、 工程b)一般式(II): (式中、Rおよび結合線 は上記と同じ意味である)で示される化合物とN−クロ
ロ−またはN−ブロモ−コハク酸イミドとを、溶媒とし
て所望により1個またはそれ以上のC1−4アルキル基で
置換されたピリジン中、−10℃〜+10℃の温度で、それ
ぞれ反応させて、Xとして塩素または臭素を含む一般式
(I)で示される化合物を得ることを特徴とする方法。 - 【請求項8】工程b)において、溶媒としてピリジンを
用いることを含む、請求項7記載の方法。 - 【請求項9】工程b)において、反応を0℃で実施する
ことを含む、請求項7または8記載の方法。 - 【請求項10】工程b)において、出発原料として17−
ヒドラゾノ−4−メチル−4−アザ−5α−アンドロス
タン−3−オンを用いることを含む、17−クロロ−4−
メチル−4−アザ−5α−アンドロスト−16−エン−3
−オンまたは17−ブロモ−4−メチル−4−アザ−5α
−アンドロスト−16−エン−3−オンの製造のための請
求項7〜9のいずれか1項記載の方法。
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