JP3278532B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JP3278532B2 JP3278532B2 JP15738594A JP15738594A JP3278532B2 JP 3278532 B2 JP3278532 B2 JP 3278532B2 JP 15738594 A JP15738594 A JP 15738594A JP 15738594 A JP15738594 A JP 15738594A JP 3278532 B2 JP3278532 B2 JP 3278532B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- film
- polished
- viscosity
- polishing liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 51
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 302
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 69
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 16
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 13
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 6
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 claims description 6
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 5
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910020177 SiOF Inorganic materials 0.000 claims description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 77
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 36
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 20
- 229920005646 polycarboxylate Polymers 0.000 description 18
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 5
- 125000000020 sulfo group Chemical group O=S(=O)([*])O[H] 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 4
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- -1 α-Si Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
- H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に係り、基板表面の平坦化工程、特に、層間絶縁膜の平
坦化工程、埋め込み金属配線の形成工程、埋め込み素子
分離膜の形成工程、または埋め込みキャパシタ形成工程
等において使用される研磨方法に関する。
に係り、基板表面の平坦化工程、特に、層間絶縁膜の平
坦化工程、埋め込み金属配線の形成工程、埋め込み素子
分離膜の形成工程、または埋め込みキャパシタ形成工程
等において使用される研磨方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在の超々大規模集積回路では、トラン
ジスタおよび他の半導体素子を縮小して実装密度を高め
る傾向にある。このため、種々の微細加工技術が研究・
開発されており、既にデザインルールにおいては、サブ
ハーフミクロンのオーダーとなっている。
ジスタおよび他の半導体素子を縮小して実装密度を高め
る傾向にある。このため、種々の微細加工技術が研究・
開発されており、既にデザインルールにおいては、サブ
ハーフミクロンのオーダーとなっている。
【０００３】そのような厳しい微細化の要求を満たすた
めに開発されている技術の一つにＣＭＰ（ケミカルメカ
ニカルポリッシング）技術がある。この技術は、半導体
装置の製造工程において、例えば層間絶縁膜の平坦化、
プラグ形成、埋め込み金属配線形成、埋め込み素子分
離、埋め込みキャパシタ形成等を行う際に必須となる技
術である。
めに開発されている技術の一つにＣＭＰ（ケミカルメカ
ニカルポリッシング）技術がある。この技術は、半導体
装置の製造工程において、例えば層間絶縁膜の平坦化、
プラグ形成、埋め込み金属配線形成、埋め込み素子分
離、埋め込みキャパシタ形成等を行う際に必須となる技
術である。
【０００４】図１６（Ａ）〜（Ｅ）は、ＣＭＰ技術を用
いた層間絶縁膜の平坦化工程を示す断面図である。ま
ず、図１６（Ａ）に示すように、凸部の割合が基板全体
の５０％であるシリコン基板１上に絶縁膜としてシリコ
ン酸化膜２を形成し、シリコン酸化膜２上に通常のフォ
トリソグラフィー法およびエッチング法により、幅０．
３μｍ、高さ０．４μｍの第１のＡｌ配線３を形成す
る。次いで、図１６（Ｂ）に示すように、プラズマＣＶ
Ｄ法により、厚さ１．３μｍのシリコン酸化膜４を形成
した後、これにポリッシング処理を施してシリコン酸化
膜４の平坦化を行う。このときの断面形状の変化を図１
６（Ｃ）〜（Ｅ）に示す。図１６（Ｃ）は理想的な位置
でポリッシング処理が終了した場合の断面形状を示し、
図１６（Ｄ）および（Ｅ）は過剰にポリッシング処理が
施された場合の断面形状を示す。
いた層間絶縁膜の平坦化工程を示す断面図である。ま
ず、図１６（Ａ）に示すように、凸部の割合が基板全体
の５０％であるシリコン基板１上に絶縁膜としてシリコ
ン酸化膜２を形成し、シリコン酸化膜２上に通常のフォ
トリソグラフィー法およびエッチング法により、幅０．
３μｍ、高さ０．４μｍの第１のＡｌ配線３を形成す
る。次いで、図１６（Ｂ）に示すように、プラズマＣＶ
Ｄ法により、厚さ１．３μｍのシリコン酸化膜４を形成
した後、これにポリッシング処理を施してシリコン酸化
膜４の平坦化を行う。このときの断面形状の変化を図１
６（Ｃ）〜（Ｅ）に示す。図１６（Ｃ）は理想的な位置
でポリッシング処理が終了した場合の断面形状を示し、
図１６（Ｄ）および（Ｅ）は過剰にポリッシング処理が
施された場合の断面形状を示す。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のポリッシング技
術では、ポリッシング速度が経時的に変化するため、ポ
リッシング処理を図１６（Ｃ）に示すような理想的な位
置で停止することが非常に困難である。また、Ａｌ配線
間のスペースが広い、すなわちシリコン酸化膜４が幅広
の場合には、シリコン酸化膜の中央部が優先的にポリッ
シングされてしまい、いわゆるディッシングが発生して
しまう。
術では、ポリッシング速度が経時的に変化するため、ポ
リッシング処理を図１６（Ｃ）に示すような理想的な位
置で停止することが非常に困難である。また、Ａｌ配線
間のスペースが広い、すなわちシリコン酸化膜４が幅広
の場合には、シリコン酸化膜の中央部が優先的にポリッ
シングされてしまい、いわゆるディッシングが発生して
しまう。
【０００６】また、図１６（Ｄ）に示すように過剰にポ
リッシングされたときには、シリコン酸化膜４上に形成
した第２のＡｌ配線（図示せず）と第１のＡｌ配線３と
の間の耐圧が劣化する。さらに、図１６（Ｅ）に示すよ
うに過剰にポリッシングされたときには、第１のＡｌ配
線３の断線が生じてしまうことがある。
リッシングされたときには、シリコン酸化膜４上に形成
した第２のＡｌ配線（図示せず）と第１のＡｌ配線３と
の間の耐圧が劣化する。さらに、図１６（Ｅ）に示すよ
うに過剰にポリッシングされたときには、第１のＡｌ配
線３の断線が生じてしまうことがある。
【０００７】このような問題を解決するために、図１７
に示すように、幅広いシリコン酸化膜４上に、被研磨物
（ここではシリコン酸化膜）より研磨速度が遅い物質、
例えばＳｉ3 Ｎ4 等からなる耐研磨膜５を形成する方法
が提案されている（特開平５−３１５３０８号公報）。
しかしながら、この方法では、選択比（Ｓｉ3 Ｎ4 膜の
研磨速度／シリコン酸化膜の研磨速度）が大きくとれな
いという問題があり、さらに耐研磨膜５の形成・除去等
の工程が増えるという問題がある。
に示すように、幅広いシリコン酸化膜４上に、被研磨物
（ここではシリコン酸化膜）より研磨速度が遅い物質、
例えばＳｉ3 Ｎ4 等からなる耐研磨膜５を形成する方法
が提案されている（特開平５−３１５３０８号公報）。
しかしながら、この方法では、選択比（Ｓｉ3 Ｎ4 膜の
研磨速度／シリコン酸化膜の研磨速度）が大きくとれな
いという問題があり、さらに耐研磨膜５の形成・除去等
の工程が増えるという問題がある。
【０００８】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、ディッシングを発生させることなく、所望の凸状
部のみを効率よく研磨することができる研磨方法を提供
することを目的とする。
あり、ディッシングを発生させることなく、所望の凸状
部のみを効率よく研磨することができる研磨方法を提供
することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、被研磨膜
と相互作用が非常に強い有機化合物を研磨液に加えるこ
とにより、研磨中における被研磨膜の凹部表面と研磨布
の表面との間の平均的な間隔が研磨粒子の平均粒径より
広くなり、あるいは研磨中における被研磨膜と研磨液と
の間の摩擦係数が研磨布と研磨液との間の摩擦係数より
も大きくなり、これにより凹凸を有する被研磨膜の凸状
部だけが優先的にポリッシングされ、表面が平坦になる
とポリッシング速度が遅くなることを見出だし本発明を
するに至った。
と相互作用が非常に強い有機化合物を研磨液に加えるこ
とにより、研磨中における被研磨膜の凹部表面と研磨布
の表面との間の平均的な間隔が研磨粒子の平均粒径より
広くなり、あるいは研磨中における被研磨膜と研磨液と
の間の摩擦係数が研磨布と研磨液との間の摩擦係数より
も大きくなり、これにより凹凸を有する被研磨膜の凸状
部だけが優先的にポリッシングされ、表面が平坦になる
とポリッシング速度が遅くなることを見出だし本発明を
するに至った。
【００１０】すなわち、本発明の第１の態様は、基板上
に表面に凹凸部を有する被研磨膜を形成する工程と、前
記被研磨膜を有する基板を研磨定盤の研磨布に押圧し、
研磨粒子を含む研磨液を前記被研磨膜と前記研磨布との
間に供給しながら、前記基板と前記研磨定盤を相対的に
動かして前記被研磨膜を研磨する工程とを具備し、研磨
中における前記被研磨膜の凹部表面と前記研磨布の表面
との間の平均的な間隔を前記研磨粒子の平均粒径より広
く設定することを特徴とする研磨方法である。
に表面に凹凸部を有する被研磨膜を形成する工程と、前
記被研磨膜を有する基板を研磨定盤の研磨布に押圧し、
研磨粒子を含む研磨液を前記被研磨膜と前記研磨布との
間に供給しながら、前記基板と前記研磨定盤を相対的に
動かして前記被研磨膜を研磨する工程とを具備し、研磨
中における前記被研磨膜の凹部表面と前記研磨布の表面
との間の平均的な間隔を前記研磨粒子の平均粒径より広
く設定することを特徴とする研磨方法である。
【００１１】また、本発明の第２の態様は、基板上に表
面に凹凸部を有する被研磨膜を形成する工程と、前記被
研磨膜を有する基板を研磨定盤の研磨布に押圧し、研磨
粒子を含む研磨液を前記被研磨膜と前記研磨布との間に
供給しながら、前記基板と前記研磨定盤を相対的に動か
して前記被研磨膜を研磨する工程とを具備し、研磨中に
おける前記被研磨膜と前記研磨液との間の摩擦係数が前
記研磨布と前記研磨液との間の摩擦係数よりも大きくな
るようにすることを特徴とする研磨方法である。
面に凹凸部を有する被研磨膜を形成する工程と、前記被
研磨膜を有する基板を研磨定盤の研磨布に押圧し、研磨
粒子を含む研磨液を前記被研磨膜と前記研磨布との間に
供給しながら、前記基板と前記研磨定盤を相対的に動か
して前記被研磨膜を研磨する工程とを具備し、研磨中に
おける前記被研磨膜と前記研磨液との間の摩擦係数が前
記研磨布と前記研磨液との間の摩擦係数よりも大きくな
るようにすることを特徴とする研磨方法である。
【００１２】また、本発明の第３の態様は、基板上に表
面に凹凸部を有する被研磨膜を形成する工程と、前記被
研磨膜を有する基板を研磨定盤の研磨布に押圧し、研磨
粒子を含む研磨液を前記被研磨膜と前記研磨布との間に
供給しながら、前記基板と前記研磨定盤を相対的に動か
して前記被研磨膜を研磨する工程とを具備し、前記研磨
液に、ＣＯＯＨ（カルボキシル基）、ＣＯＯＭ1 （Ｍ1
はカルボキシル基の水素原子と置換して塩を形成し得る
原子もしくは官能基）、ＳＯ3 Ｈ（スルホ基）、および
ＳＯ3 Ｍ2 （Ｍ2 はスルホ基の水素原子と置換して塩を
形成し得る原子もしくは官能基）からなる群より選ばれ
た少なくとも１つの親水基を有する分子量１００以上の
有機化合物を添加することを特徴とする研磨方法であ
る。
面に凹凸部を有する被研磨膜を形成する工程と、前記被
研磨膜を有する基板を研磨定盤の研磨布に押圧し、研磨
粒子を含む研磨液を前記被研磨膜と前記研磨布との間に
供給しながら、前記基板と前記研磨定盤を相対的に動か
して前記被研磨膜を研磨する工程とを具備し、前記研磨
液に、ＣＯＯＨ（カルボキシル基）、ＣＯＯＭ1 （Ｍ1
はカルボキシル基の水素原子と置換して塩を形成し得る
原子もしくは官能基）、ＳＯ3 Ｈ（スルホ基）、および
ＳＯ3 Ｍ2 （Ｍ2 はスルホ基の水素原子と置換して塩を
形成し得る原子もしくは官能基）からなる群より選ばれ
た少なくとも１つの親水基を有する分子量１００以上の
有機化合物を添加することを特徴とする研磨方法であ
る。
【００１３】また、本発明の第４の態様は、基板上に表
面に凹凸部を有する被研磨膜を形成する工程と、前記被
研磨膜を有する基板を研磨定盤の研磨布に押圧し、研磨
粒子を含む研磨液を前記被研磨膜と前記研磨布との間に
供給しながら、前記基板と前記研磨定盤を相対的に動か
して前記被研磨膜を研磨する工程とを具備し、供給する
研磨液の粘度を研磨中に変化させることを特徴とする研
磨方法である。
面に凹凸部を有する被研磨膜を形成する工程と、前記被
研磨膜を有する基板を研磨定盤の研磨布に押圧し、研磨
粒子を含む研磨液を前記被研磨膜と前記研磨布との間に
供給しながら、前記基板と前記研磨定盤を相対的に動か
して前記被研磨膜を研磨する工程とを具備し、供給する
研磨液の粘度を研磨中に変化させることを特徴とする研
磨方法である。
【００１４】ここで、第１〜第４の態様において、基板
の材料としては、シリコン、石英、サファイア、Ａｌ2
Ｏ3 、 III−Ｖ族化合物等を用いることができる。被研
磨膜としては、ＳｉＯ2 、α−Ｓｉ、poly−Ｓｉ、Ｓｉ
ＯＮ、ＳｉＯＦ、ＢＰＳＧ (Boro-Phospho-Silicate Gl
ass)、ＰＳＧ (Phospho-Silicate Glass) 、ＳｉＮ、Ｓ
ｉ3 Ｎ4 、Ｓｉ、Ａｌ、Ｗ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｔｉ
Ｎ、Ａｕ、Ｐｔ等を主として含む膜を用いることができ
る。
の材料としては、シリコン、石英、サファイア、Ａｌ2
Ｏ3 、 III−Ｖ族化合物等を用いることができる。被研
磨膜としては、ＳｉＯ2 、α−Ｓｉ、poly−Ｓｉ、Ｓｉ
ＯＮ、ＳｉＯＦ、ＢＰＳＧ (Boro-Phospho-Silicate Gl
ass)、ＰＳＧ (Phospho-Silicate Glass) 、ＳｉＮ、Ｓ
ｉ3 Ｎ4 、Ｓｉ、Ａｌ、Ｗ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｔｉ
Ｎ、Ａｕ、Ｐｔ等を主として含む膜を用いることができ
る。
【００１５】研磨粒子としては、ＳｉＯ2 、ＣｅＯ2 、
Ａｌ2 Ｏ3 、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＺｒＯ2 、
ＴｉＯ2 等を主成分とするものを用いることができ、こ
の研磨粒子を純水等の分散媒に分散させることにより研
磨液が構成される。研磨粒子の平均粒径は、０．０１〜
５．０μｍであることが好ましい。これは、研磨粒子の
平均粒径が０．０１μｍ未満であるとポリッシング速度
が低くなりすぎ、５．０μｍを超えると被研磨膜の傷の
原因となるからである。
Ａｌ2 Ｏ3 、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＺｒＯ2 、
ＴｉＯ2 等を主成分とするものを用いることができ、こ
の研磨粒子を純水等の分散媒に分散させることにより研
磨液が構成される。研磨粒子の平均粒径は、０．０１〜
５．０μｍであることが好ましい。これは、研磨粒子の
平均粒径が０．０１μｍ未満であるとポリッシング速度
が低くなりすぎ、５．０μｍを超えると被研磨膜の傷の
原因となるからである。
【００１６】研磨布としては通常使用されているものを
用いることができる。また、研磨の際の押圧力や供給
量、基板と研磨定盤の相対回転速度については通常の条
件を採用することができる。
用いることができる。また、研磨の際の押圧力や供給
量、基板と研磨定盤の相対回転速度については通常の条
件を採用することができる。
【００１７】第１の態様において、研磨中における被研
磨膜の凹部表面と研磨布の表面との間の平均的な間隔が
研磨粒子の平均粒径より広くなるとは、凹部または平坦
な被研磨膜を研磨したときの研磨速度がほぼ飽和してい
る状態を意味する。具体的には、図５において低粘度側
からの接線と高粘度側からの接線との交点、すなわち粘
度２．６ｃＰ以上のことである。その交点付近でなだら
かに変化しているのは、粒径にバラツキがあるからであ
る。
磨膜の凹部表面と研磨布の表面との間の平均的な間隔が
研磨粒子の平均粒径より広くなるとは、凹部または平坦
な被研磨膜を研磨したときの研磨速度がほぼ飽和してい
る状態を意味する。具体的には、図５において低粘度側
からの接線と高粘度側からの接線との交点、すなわち粘
度２．６ｃＰ以上のことである。その交点付近でなだら
かに変化しているのは、粒径にバラツキがあるからであ
る。
【００１８】第２の態様において、研磨中における被研
磨膜と研磨液との間の摩擦係数を研磨布と研磨液との間
の摩擦係数よりも大きくなるとは、研磨布を備えた研磨
定盤にかかるトルクが飽和している状態を意味する。
磨膜と研磨液との間の摩擦係数を研磨布と研磨液との間
の摩擦係数よりも大きくなるとは、研磨布を備えた研磨
定盤にかかるトルクが飽和している状態を意味する。
【００１９】第３の態様において研磨液に添加する有機
化合物としては、高分子ポリカルボン酸アンモニウム塩
または高分子ポリスルホン酸アンモニウム塩であること
が好ましい。また、これらの有機化合物に含まれる親水
基としては、−ＣＯＯＨ（カルボキシル基）、−ＣＯＯ
Ｍ（Ｍ：カルボキシル基の水素原子と置換して塩を形成
し得る原子もしくは官能基、例えば−Ｎａ，−ＮＨ
4 ）、−ＳＯ3 Ｈ（スルホ基）、−ＳＯ3 Ｍ（Ｍ：スル
ホ基の水素原子と置換して塩を形成し得る原子、例えば
−Ｎａ，−ＮＨ4 ）等を挙げることができる。特に、こ
れらの親水基のうち、−ＣＯＯＭ、−ＳＯ3 Ｈ、−ＳＯ
3 Ｍが水に良く溶解するので好ましい。また、これらの
有機化合物の分子量は１００以上であることが好まし
い。これは、有機化合物の分子量が１００未満であると
後述する停滞層を形成しづらくなるからである。なお、
研磨液に添加する上記有機化合物の量は、研磨液の粘度
が２．６〜４．５ｃＰとなるように適宜設定することが
好ましい。
化合物としては、高分子ポリカルボン酸アンモニウム塩
または高分子ポリスルホン酸アンモニウム塩であること
が好ましい。また、これらの有機化合物に含まれる親水
基としては、−ＣＯＯＨ（カルボキシル基）、−ＣＯＯ
Ｍ（Ｍ：カルボキシル基の水素原子と置換して塩を形成
し得る原子もしくは官能基、例えば−Ｎａ，−ＮＨ
4 ）、−ＳＯ3 Ｈ（スルホ基）、−ＳＯ3 Ｍ（Ｍ：スル
ホ基の水素原子と置換して塩を形成し得る原子、例えば
−Ｎａ，−ＮＨ4 ）等を挙げることができる。特に、こ
れらの親水基のうち、−ＣＯＯＭ、−ＳＯ3 Ｈ、−ＳＯ
3 Ｍが水に良く溶解するので好ましい。また、これらの
有機化合物の分子量は１００以上であることが好まし
い。これは、有機化合物の分子量が１００未満であると
後述する停滞層を形成しづらくなるからである。なお、
研磨液に添加する上記有機化合物の量は、研磨液の粘度
が２．６〜４．５ｃＰとなるように適宜設定することが
好ましい。
【００２０】第４の態様において、供給する研磨液の粘
度を調整する方法としては、異なる粘度の研磨液を収容
した２つ以上の研磨液供給タンクを用い、それぞれの研
磨液供給タンクからの供給を切り換える方法等を用いる
ことができる。
度を調整する方法としては、異なる粘度の研磨液を収容
した２つ以上の研磨液供給タンクを用い、それぞれの研
磨液供給タンクからの供給を切り換える方法等を用いる
ことができる。
【００２１】なお、本発明の第１〜第４の態様において
は、被研磨膜に加わる荷重、すなわち基板を研磨定盤に
押し付ける圧力（押圧力）、研磨液に含まれる研磨粒子
の粒径、研磨粒子を分散させた研磨液の粘度、および基
板と研磨定盤の回転数を適宜設定して上記第１〜第４の
態様の要件を満足するようにしてもよい。ここで、基板
の回転数の調整は、真空チャックホルダ等を基板支持に
用いる場合、該ホルダの回転数を調整することにより行
う。
は、被研磨膜に加わる荷重、すなわち基板を研磨定盤に
押し付ける圧力（押圧力）、研磨液に含まれる研磨粒子
の粒径、研磨粒子を分散させた研磨液の粘度、および基
板と研磨定盤の回転数を適宜設定して上記第１〜第４の
態様の要件を満足するようにしてもよい。ここで、基板
の回転数の調整は、真空チャックホルダ等を基板支持に
用いる場合、該ホルダの回転数を調整することにより行
う。
【００２２】
【作用】本発明の研磨方法においては、被研磨膜と相互
作用が強い有機化合物、例えば、カルボキシル基やスル
ホ基等の親水基を有する分子量１００以上の有機化合物
を研磨液に添加することにより、被研磨膜の凹部表面に
おいて停滞層が形成され、研磨中における被研磨膜の凹
部表面と研磨布の表面との間の平均的な間隔が研磨粒子
の平均粒径より広くなる。
作用が強い有機化合物、例えば、カルボキシル基やスル
ホ基等の親水基を有する分子量１００以上の有機化合物
を研磨液に添加することにより、被研磨膜の凹部表面に
おいて停滞層が形成され、研磨中における被研磨膜の凹
部表面と研磨布の表面との間の平均的な間隔が研磨粒子
の平均粒径より広くなる。
【００２３】このため、研磨においては、被研磨膜の凹
部のポリッシングに有効に作用する研磨粒子の数が見掛
け上少なくなるので、被研磨膜の凸部が優先的にポリッ
シングされ、さらに、被研磨膜の表面が平坦になるにし
たがってポリッシング速度が遅くなる。したがって、デ
ィッシングの発生を防止しながら、研磨終点でポリッシ
ングを停止することができ、すなわちポリッシング膜厚
を制御することができ、凸部のみを除去して被研磨膜の
表面を平坦にすることができる。
部のポリッシングに有効に作用する研磨粒子の数が見掛
け上少なくなるので、被研磨膜の凸部が優先的にポリッ
シングされ、さらに、被研磨膜の表面が平坦になるにし
たがってポリッシング速度が遅くなる。したがって、デ
ィッシングの発生を防止しながら、研磨終点でポリッシ
ングを停止することができ、すなわちポリッシング膜厚
を制御することができ、凸部のみを除去して被研磨膜の
表面を平坦にすることができる。
【００２４】また、本発明の研磨方法においては、研磨
中における被研磨膜と研磨液との間の摩擦係数を研磨布
と研磨液との間の摩擦係数よりも大きくすることによっ
ても、上記の如くポリッシングの制御を行うことがで
き、精度良く被研磨膜表面の平坦化を行うことができ
る。
中における被研磨膜と研磨液との間の摩擦係数を研磨布
と研磨液との間の摩擦係数よりも大きくすることによっ
ても、上記の如くポリッシングの制御を行うことがで
き、精度良く被研磨膜表面の平坦化を行うことができ
る。
【００２５】さらに、本発明の研磨方法においては、被
研磨膜と相互作用が強い上記有機化合物を添加すること
により、供給する研磨液の粘度を調整することができ
る。したがって、研磨中にポリッシング速度を変化させ
ることもでき、研磨の制御性が向上する。例えば、研磨
の途中で研磨液に上記した有機化合物を添加することに
より、研磨の途中までポリッシング速度を大きくすると
共に、研磨の最終段階で被研磨膜の表面平滑度を向上さ
せることができる。
研磨膜と相互作用が強い上記有機化合物を添加すること
により、供給する研磨液の粘度を調整することができ
る。したがって、研磨中にポリッシング速度を変化させ
ることもでき、研磨の制御性が向上する。例えば、研磨
の途中で研磨液に上記した有機化合物を添加することに
より、研磨の途中までポリッシング速度を大きくすると
共に、研磨の最終段階で被研磨膜の表面平滑度を向上さ
せることができる。
【００２６】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して具体
的に説明する。 （実施例１）まず、図１（Ａ）に示すように、凸部の割
合が基板全体の５０％であるシリコン基板１１上に絶縁
膜としてシリコン酸化膜１２を形成し、シリコン酸化膜
１２上に通常のフォトリソグラフィー法およびエッチン
グ法により、幅０．３μｍ、高さ０．４μｍのＡｌ配線
１３を形成する。次いで、図１（Ｂ）に示すように、プ
ラズマＣＶＤ法により、厚さ１．３μｍのシリコン酸化
膜１４を形成して試料２０を作製した。なお、図中１５
は凸部を示し、１６は凹部を示す。
的に説明する。 （実施例１）まず、図１（Ａ）に示すように、凸部の割
合が基板全体の５０％であるシリコン基板１１上に絶縁
膜としてシリコン酸化膜１２を形成し、シリコン酸化膜
１２上に通常のフォトリソグラフィー法およびエッチン
グ法により、幅０．３μｍ、高さ０．４μｍのＡｌ配線
１３を形成する。次いで、図１（Ｂ）に示すように、プ
ラズマＣＶＤ法により、厚さ１．３μｍのシリコン酸化
膜１４を形成して試料２０を作製した。なお、図中１５
は凸部を示し、１６は凹部を示す。
【００２７】次いで、この試料２０に図２に示す研磨装
置を用いてＣＭＰを施して層間絶縁膜の平坦化を行っ
た。この装置は、回転可能な研磨定盤２１と、研磨定盤
２１上に貼付された研磨クロス２２と、研磨定盤２１の
上方に配置されており、回転可能な真空チャックホルダ
２３と、研磨液タンクに接続され、吐出部が研磨クロス
２２近傍まで延出した研磨液供給用配管２４とから構成
されている。試料２０は、研磨クロス２２に被研磨面が
対向するように真空チャックホルダ２３に真空チャック
される。また、研磨液供給用配管２４は、研磨液の供給
量を制御する手段を備えている。なお、研磨クロス２２
には、樹脂含浸不織布からなる厚さ１．２mm、硬度８５
のものを用いた。
置を用いてＣＭＰを施して層間絶縁膜の平坦化を行っ
た。この装置は、回転可能な研磨定盤２１と、研磨定盤
２１上に貼付された研磨クロス２２と、研磨定盤２１の
上方に配置されており、回転可能な真空チャックホルダ
２３と、研磨液タンクに接続され、吐出部が研磨クロス
２２近傍まで延出した研磨液供給用配管２４とから構成
されている。試料２０は、研磨クロス２２に被研磨面が
対向するように真空チャックホルダ２３に真空チャック
される。また、研磨液供給用配管２４は、研磨液の供給
量を制御する手段を備えている。なお、研磨クロス２２
には、樹脂含浸不織布からなる厚さ１．２mm、硬度８５
のものを用いた。
【００２８】ＣＭＰにおいて、研磨液としては、平均粒
径０．６μｍの酸化セリウム粒子を、純水に１．０重量
％の割合で分散させ、これにポリカルボン酸アンモニウ
ム塩６．０重量％を加え、オストワルド計で粘度を測定
して３．０ｃＰに粘度調整を行ったものを用いた。ま
た、研磨条件は、研磨圧力３００gf／cm2 、研磨定盤お
よび真空チャックホルダの回転数１００rpm とした（以
後、この条件をポリッシングの標準条件という）。な
お、試料２０が研磨クロス２２に当接するときの圧力
は、圧縮空気により任意に制御できるようになってい
る。
径０．６μｍの酸化セリウム粒子を、純水に１．０重量
％の割合で分散させ、これにポリカルボン酸アンモニウ
ム塩６．０重量％を加え、オストワルド計で粘度を測定
して３．０ｃＰに粘度調整を行ったものを用いた。ま
た、研磨条件は、研磨圧力３００gf／cm2 、研磨定盤お
よび真空チャックホルダの回転数１００rpm とした（以
後、この条件をポリッシングの標準条件という）。な
お、試料２０が研磨クロス２２に当接するときの圧力
は、圧縮空気により任意に制御できるようになってい
る。
【００２９】本発明の研磨方法を用いて試料２０をポリ
ッシングした場合の断面形状の経時変化を図３（Ａ）〜
（Ｃ）に示す。図３（Ａ）は、６０秒ポリッシング処理
を施した後の断面形状、図３（Ｂ）は、１２０秒ポリッ
シング処理を施した後の断面形状を示す。図３（Ｂ）に
示すように、凸部がポリッシングされて平坦な表面が得
られた後は、図３（Ｃ）に示すように、ポリッシングが
ほとんど進行せず、常に理想的な断面形状が得られる。
また、図３（Ｃ）から分かるように、ディッシングも大
幅に抑制される。
ッシングした場合の断面形状の経時変化を図３（Ａ）〜
（Ｃ）に示す。図３（Ａ）は、６０秒ポリッシング処理
を施した後の断面形状、図３（Ｂ）は、１２０秒ポリッ
シング処理を施した後の断面形状を示す。図３（Ｂ）に
示すように、凸部がポリッシングされて平坦な表面が得
られた後は、図３（Ｃ）に示すように、ポリッシングが
ほとんど進行せず、常に理想的な断面形状が得られる。
また、図３（Ｃ）から分かるように、ディッシングも大
幅に抑制される。
【００３０】この場合の凸部と凹部の残り膜厚の経時変
化を図４に示す。図４には比較のために、平均粒径０．
６μｍの酸化セリウム粒子を、純水に１．０重量％の割
合で分散させてなる粘度１．０ｃＰの研磨剤を用いて標
準条件でＣＭＰを行った結果を併記した。図４から分か
るように、本発明の研磨方法によれば、凸部１５の膜厚
と凹部１６の膜厚との間の差が小さくなる（図中の円
部）と、凸部１５および凹部１６のポリッシングが共に
進まなくなる。このため、理想的な残り膜厚でポリッシ
ングを停止することが可能になり、さらにディッシング
を抑制することができる。これは、ポリカルボン酸アン
モニウム塩が研磨液に添加されていることにより、研磨
中におけるシリコン酸化膜の主面と研磨クロスの主面と
の間の平均的な間隔が酸化セリウム粒子の平均粒径
（０．６μｍ）より広くなる、もしくは研磨中における
シリコン酸化膜と研磨液との間の摩擦係数が研磨クロス
と研磨液との間の摩擦係数よりも大きくなることに起因
すると考えられる。すなわち、シリコン酸化膜の主面と
研磨クロスの主面との間の平均的な間隔が広がると、酸
化セリウム粒子がシリコン酸化膜面に作用しにくくな
り、このため、研磨液粘度に反比例して徐々にポリッシ
ング速度が低下する。そして、上記間隔がある一定以上
に広がると、ポリッシング速度は飽和する。この状態で
ポリッシングを行うと、酸化セリウム粒子が凸部に優先
的に作用し、凹凸が緩和された後は作用しなくなり、膜
厚の制御性が良くディッシングが抑制されると考えられ
る。
化を図４に示す。図４には比較のために、平均粒径０．
６μｍの酸化セリウム粒子を、純水に１．０重量％の割
合で分散させてなる粘度１．０ｃＰの研磨剤を用いて標
準条件でＣＭＰを行った結果を併記した。図４から分か
るように、本発明の研磨方法によれば、凸部１５の膜厚
と凹部１６の膜厚との間の差が小さくなる（図中の円
部）と、凸部１５および凹部１６のポリッシングが共に
進まなくなる。このため、理想的な残り膜厚でポリッシ
ングを停止することが可能になり、さらにディッシング
を抑制することができる。これは、ポリカルボン酸アン
モニウム塩が研磨液に添加されていることにより、研磨
中におけるシリコン酸化膜の主面と研磨クロスの主面と
の間の平均的な間隔が酸化セリウム粒子の平均粒径
（０．６μｍ）より広くなる、もしくは研磨中における
シリコン酸化膜と研磨液との間の摩擦係数が研磨クロス
と研磨液との間の摩擦係数よりも大きくなることに起因
すると考えられる。すなわち、シリコン酸化膜の主面と
研磨クロスの主面との間の平均的な間隔が広がると、酸
化セリウム粒子がシリコン酸化膜面に作用しにくくな
り、このため、研磨液粘度に反比例して徐々にポリッシ
ング速度が低下する。そして、上記間隔がある一定以上
に広がると、ポリッシング速度は飽和する。この状態で
ポリッシングを行うと、酸化セリウム粒子が凸部に優先
的に作用し、凹凸が緩和された後は作用しなくなり、膜
厚の制御性が良くディッシングが抑制されると考えられ
る。
【００３１】これに対して、従来の研磨方法によれば、
凸部１５の膜厚と凹部１６の膜厚との間の差が小さくな
っても、凸部１５および凹部１６のポリッシングが進行
してしまう。
凸部１５の膜厚と凹部１６の膜厚との間の差が小さくな
っても、凸部１５および凹部１６のポリッシングが進行
してしまう。
【００３２】次に、研磨液に添加したポリカルボン酸ア
ンモニウム塩の効果を調べるために、ポリカルボン酸ア
ンモニウム塩の添加量を調整して粘度を変えた研磨液を
用いて図１（Ｂ）に示す試料２０に標準条件でＣＭＰ処
理を施した。この結果を図５および図６に示す。
ンモニウム塩の効果を調べるために、ポリカルボン酸ア
ンモニウム塩の添加量を調整して粘度を変えた研磨液を
用いて図１（Ｂ）に示す試料２０に標準条件でＣＭＰ処
理を施した。この結果を図５および図６に示す。
【００３３】図５は、凸部１５および凹部１６のポリッ
シング速度と研磨液粘度との関係を示すグラフである。
図５から分かるように、ポリカルボン酸アンモニウム塩
の添加量が増加するにつれてポリッシング速度が減少す
る。具体的には、凹部１６のポリッシング速度は２．６
ｃＰ以上で飽和し、凸部１５のポリッシング速度は２．
０ｃＰ付近で急速に減少し、５．０ｃＰ以上で飽和す
る。
シング速度と研磨液粘度との関係を示すグラフである。
図５から分かるように、ポリカルボン酸アンモニウム塩
の添加量が増加するにつれてポリッシング速度が減少す
る。具体的には、凹部１６のポリッシング速度は２．６
ｃＰ以上で飽和し、凸部１５のポリッシング速度は２．
０ｃＰ付近で急速に減少し、５．０ｃＰ以上で飽和す
る。
【００３４】図６は、ＣＭＰ処理後の膜における面内均
一性および面内最大段差と研磨液粘度との関係を示すグ
ラフである。図６から分かるように、粘度が１．５〜
４．５ｃＰの範囲では、面内の均一性が良く、かつ面内
のばらつきも小さく、理想的な断面形状が得られた。
一性および面内最大段差と研磨液粘度との関係を示すグ
ラフである。図６から分かるように、粘度が１．５〜
４．５ｃＰの範囲では、面内の均一性が良く、かつ面内
のばらつきも小さく、理想的な断面形状が得られた。
【００３５】したがって、ポリカルボン酸アンモニウム
塩を研磨液に添加して粘度を高くすることにより、凸部
１５および凹部１６をポリッシングする選択比が大きく
なり、凸部１５のみを優先的にポリッシングすることが
でき、粘度が１．４〜４．５ｃＰにおいて面内均一性が
向上する。しかも、粘度が２．６〜４．５においては、
表面が平坦になったときにポリッシングが進行しなくな
るので、研磨終点で制御性良くポリッシングを停止させ
ることができる。
塩を研磨液に添加して粘度を高くすることにより、凸部
１５および凹部１６をポリッシングする選択比が大きく
なり、凸部１５のみを優先的にポリッシングすることが
でき、粘度が１．４〜４．５ｃＰにおいて面内均一性が
向上する。しかも、粘度が２．６〜４．５においては、
表面が平坦になったときにポリッシングが進行しなくな
るので、研磨終点で制御性良くポリッシングを停止させ
ることができる。
【００３６】次に、研磨液に添加したポリカルボン酸ア
ンモニウム塩の効果をさらに詳しく調べるために、ポリ
カルボン酸アンモニウム塩、エタノールまたは分子量２
００００〜３００００のポリビニルアルコールを添加し
てなる研磨液を用いて図１（Ｂ）に示す試料２０に標準
条件でＣＭＰ処理を施した。その結果を図７に示す。図
７は、凹部１６のポリッシング速度と研磨液粘度との関
係を示すグラフである。図７から分かるように、ポリカ
ルボン酸アンモニウム塩を添加した研磨液を用いた場合
は、上述したように２．０ｃＰ付近でポリッシング速度
は飽和する。ポリカルボン酸アンモニウム塩を添加した
研磨液が図７に示すような特性を示すので、凸部１５の
みを優先的にポリッシングし、表面が平坦になったとき
にポリッシングが進行しなくなると考えられる。これに
対して、エタノールまたはポリビニルアルコールを添加
した研磨液を用いた場合は、粘度が高くなるにしたがっ
てポリッシング速度が減少する直線となる。
ンモニウム塩の効果をさらに詳しく調べるために、ポリ
カルボン酸アンモニウム塩、エタノールまたは分子量２
００００〜３００００のポリビニルアルコールを添加し
てなる研磨液を用いて図１（Ｂ）に示す試料２０に標準
条件でＣＭＰ処理を施した。その結果を図７に示す。図
７は、凹部１６のポリッシング速度と研磨液粘度との関
係を示すグラフである。図７から分かるように、ポリカ
ルボン酸アンモニウム塩を添加した研磨液を用いた場合
は、上述したように２．０ｃＰ付近でポリッシング速度
は飽和する。ポリカルボン酸アンモニウム塩を添加した
研磨液が図７に示すような特性を示すので、凸部１５の
みを優先的にポリッシングし、表面が平坦になったとき
にポリッシングが進行しなくなると考えられる。これに
対して、エタノールまたはポリビニルアルコールを添加
した研磨液を用いた場合は、粘度が高くなるにしたがっ
てポリッシング速度が減少する直線となる。
【００３７】次に、ポリカルボン酸アンモニウム塩の添
加と研磨液粘度との関係を回転粘度計およびオストワル
ド計により調べ、その結果を図８に示す。図８から分か
るように、ポリカルボン酸アンモニウム塩が増加する
と、研磨液粘度が直線的に増加する。したがって、ポリ
カルボン酸アンモニウム塩が添加された研磨液は、ニュ
ートン粘性流体であることが分かる。なお、回転粘度計
により測定された値は、オストワルド計により測定され
た値より小さい。これは、研磨剤のガラスとの間の相互
作用が大きいために、見掛けの粘度が大きくなったから
である。
加と研磨液粘度との関係を回転粘度計およびオストワル
ド計により調べ、その結果を図８に示す。図８から分か
るように、ポリカルボン酸アンモニウム塩が増加する
と、研磨液粘度が直線的に増加する。したがって、ポリ
カルボン酸アンモニウム塩が添加された研磨液は、ニュ
ートン粘性流体であることが分かる。なお、回転粘度計
により測定された値は、オストワルド計により測定され
た値より小さい。これは、研磨剤のガラスとの間の相互
作用が大きいために、見掛けの粘度が大きくなったから
である。
【００３８】次に、上述した結果から推察される本発明
の研磨方法の作用について説明する。図９（Ａ）は、本
発明の研磨方法により図１（Ｂ）に示す試料２０にＣＭ
Ｐ処理を施した場合を示す断面図である。図９（Ａ）か
ら分かるように、所定量のポリカルボン酸アンモニウム
塩が添加されている研磨液をＣＭＰ処理に使用すると、
研磨液の粘性によりシリコン酸化膜１４の主面と研磨ク
ロス２２との間の間隔が広がる。このとき、凸部１５で
は、研磨粒子３１によりポリッシングが進行する。一
方、凹部１６では、シリコン酸化膜１４の主面と研磨ク
ロス２２との間の間隔が研磨粒子３１の平均粒径よりも
広くなり、研磨粒子３１を包含する研磨液３２からなる
停滞層３３が形成される。このため、凹部１６のポリッ
シングに有効に作用する研磨粒子の数が見掛け上少なく
なる。これにより、凸部１５が優先的にポリッシングさ
れ、シリコン酸化膜１４の表面が平坦になったときにポ
リッシングが進行しなくなる。
の研磨方法の作用について説明する。図９（Ａ）は、本
発明の研磨方法により図１（Ｂ）に示す試料２０にＣＭ
Ｐ処理を施した場合を示す断面図である。図９（Ａ）か
ら分かるように、所定量のポリカルボン酸アンモニウム
塩が添加されている研磨液をＣＭＰ処理に使用すると、
研磨液の粘性によりシリコン酸化膜１４の主面と研磨ク
ロス２２との間の間隔が広がる。このとき、凸部１５で
は、研磨粒子３１によりポリッシングが進行する。一
方、凹部１６では、シリコン酸化膜１４の主面と研磨ク
ロス２２との間の間隔が研磨粒子３１の平均粒径よりも
広くなり、研磨粒子３１を包含する研磨液３２からなる
停滞層３３が形成される。このため、凹部１６のポリッ
シングに有効に作用する研磨粒子の数が見掛け上少なく
なる。これにより、凸部１５が優先的にポリッシングさ
れ、シリコン酸化膜１４の表面が平坦になったときにポ
リッシングが進行しなくなる。
【００３９】これに対して、図９（Ｂ）は、エタノール
またはポリビニルアルコールを添加した研磨液を用いて
図１（Ｂ）に示す試料２０にＣＭＰ処理を施した場合を
示す断面図である。図９（Ｂ）から分かるように、研磨
液の粘性によりシリコン酸化膜１４の主面と研磨クロス
２２との間の間隔が広がるが、凹部１６には停滞層は形
成されない。このため、研磨粒子３１は、凸部１５およ
び凹部１６に同じように作用する。したがって、凸部１
５と凹部１６との間でポリッシングの選択比を取ること
が困難となる。この場合、凹部１６に作用する研磨粒子
の数を減少させるためには、研磨液の粘度をさらに高く
すればよいが、凸部１５をポリッシングする速度まで遅
くなるので好ましくない。
またはポリビニルアルコールを添加した研磨液を用いて
図１（Ｂ）に示す試料２０にＣＭＰ処理を施した場合を
示す断面図である。図９（Ｂ）から分かるように、研磨
液の粘性によりシリコン酸化膜１４の主面と研磨クロス
２２との間の間隔が広がるが、凹部１６には停滞層は形
成されない。このため、研磨粒子３１は、凸部１５およ
び凹部１６に同じように作用する。したがって、凸部１
５と凹部１６との間でポリッシングの選択比を取ること
が困難となる。この場合、凹部１６に作用する研磨粒子
の数を減少させるためには、研磨液の粘度をさらに高く
すればよいが、凸部１５をポリッシングする速度まで遅
くなるので好ましくない。
【００４０】次に、表面が平坦になった後にポリッシン
グが進行しなくなる現象をさらに詳しく検討した。ここ
では、使用する研磨粒子の粒径または研磨圧力を変化さ
せたときの研磨液粘度の変化について調べた。試料に
は、図１０に示すように、シリコン基板４１上にプラズ
マＣＶＤ法により厚さ１μｍのシリコン酸化膜４２を形
成したもの、すなわち平坦な表面を有するものを用い
た。
グが進行しなくなる現象をさらに詳しく検討した。ここ
では、使用する研磨粒子の粒径または研磨圧力を変化さ
せたときの研磨液粘度の変化について調べた。試料に
は、図１０に示すように、シリコン基板４１上にプラズ
マＣＶＤ法により厚さ１μｍのシリコン酸化膜４２を形
成したもの、すなわち平坦な表面を有するものを用い
た。
【００４１】まず、研磨粒子の粒径を変えたときの研磨
液粘度とポリッシング速度との関係を調べた。その結果
を図１１に示す。なお、研磨液としては、平均粒径が
２．０μｍの酸化セリウム粒子を純水に１．０重量％の
割合で分散させてなるものを使用した。また、研磨条件
は上記標準条件を採用し、被研磨膜には図１（Ｂ）に示
す試料２０を用いた。図１１から分かるように、表面が
平坦になった後にポリッシングがほとんど進行しなくな
る現象が生じるグラフ上の領域（以下、特異領域とい
う）は、平均粒径が０．６μｍの酸化セリウム粒子を用
いた場合に比べて高粘度側にシフトしている。
液粘度とポリッシング速度との関係を調べた。その結果
を図１１に示す。なお、研磨液としては、平均粒径が
２．０μｍの酸化セリウム粒子を純水に１．０重量％の
割合で分散させてなるものを使用した。また、研磨条件
は上記標準条件を採用し、被研磨膜には図１（Ｂ）に示
す試料２０を用いた。図１１から分かるように、表面が
平坦になった後にポリッシングがほとんど進行しなくな
る現象が生じるグラフ上の領域（以下、特異領域とい
う）は、平均粒径が０．６μｍの酸化セリウム粒子を用
いた場合に比べて高粘度側にシフトしている。
【００４２】次に、研磨圧力を変化させたときの研磨液
粘度とポリッシング速度との関係を調べた。その結果を
図１２に示す。なお、研磨液としては、平均粒径が０．
６μｍの酸化セリウム粒子を純水に１．０重量％の割合
で分散させてなるものを使用した。また、研磨条件は研
磨圧力以外は上記標準条件と同様とし、被研磨膜には図
１（Ｂ）に示す試料２０を用いた。図１２から分かるよ
うに、特異領域は、研磨圧力が高くなるにしたがい高粘
度側にシフトした。
粘度とポリッシング速度との関係を調べた。その結果を
図１２に示す。なお、研磨液としては、平均粒径が０．
６μｍの酸化セリウム粒子を純水に１．０重量％の割合
で分散させてなるものを使用した。また、研磨条件は研
磨圧力以外は上記標準条件と同様とし、被研磨膜には図
１（Ｂ）に示す試料２０を用いた。図１２から分かるよ
うに、特異領域は、研磨圧力が高くなるにしたがい高粘
度側にシフトした。
【００４３】このように、特異領域は、研磨粒子の粒径
および研磨圧力に依存して変化することが分かった。な
お、本実施例において得られた効果は、ポリカルボン酸
アンモニウム塩の分子量が１００以上、より好ましくは
５００以上である場合において同様に得られた。また、
その分子量が３０００以下である場合に一層効果を発揮
した。 （実施例２）次に、本発明の研磨方法を埋め込み金属配
線の形成に適用した場合について説明する。まず、図１
３（Ａ）に示すように、シリコン基板５１上に絶縁膜と
してシリコン酸化膜５２を形成し、このシリコン酸化膜
５２表面に幅０．４〜１０μｍ、深さ０．４μｍの配線
用の溝を形成し、その上にスパッタリング法により厚さ
０．６μｍの多結晶のＡｌ膜５３を形成した後、熱処理
を施してＡｌを溝に埋め込んで試料６０を作製した。
および研磨圧力に依存して変化することが分かった。な
お、本実施例において得られた効果は、ポリカルボン酸
アンモニウム塩の分子量が１００以上、より好ましくは
５００以上である場合において同様に得られた。また、
その分子量が３０００以下である場合に一層効果を発揮
した。 （実施例２）次に、本発明の研磨方法を埋め込み金属配
線の形成に適用した場合について説明する。まず、図１
３（Ａ）に示すように、シリコン基板５１上に絶縁膜と
してシリコン酸化膜５２を形成し、このシリコン酸化膜
５２表面に幅０．４〜１０μｍ、深さ０．４μｍの配線
用の溝を形成し、その上にスパッタリング法により厚さ
０．６μｍの多結晶のＡｌ膜５３を形成した後、熱処理
を施してＡｌを溝に埋め込んで試料６０を作製した。
【００４４】次いで、この試料６０に図２に示す研磨装
置を用いてＣＭＰを施して埋め込み金属配線を形成し
た。ＣＭＰにおいて、研磨液としては、平均粒径０．０
５μｍのシリカ粒子を、純水に１．０重量％の割合で分
散させて粘度２．１ｃＰのコロイド状としたものを用い
た。また、研磨条件は、実施例１の標準条件を採用し
た。
置を用いてＣＭＰを施して埋め込み金属配線を形成し
た。ＣＭＰにおいて、研磨液としては、平均粒径０．０
５μｍのシリカ粒子を、純水に１．０重量％の割合で分
散させて粘度２．１ｃＰのコロイド状としたものを用い
た。また、研磨条件は、実施例１の標準条件を採用し
た。
【００４５】図１３（Ｂ）に示す断面形状が得られるま
でポリッシングを行い、その後研磨液にポリカルボン酸
アンモニウム塩を６重量％の割合で加えて研磨液粘度を
４．０ｃＰに調整し、その他は同じ条件で再びポリッシ
ングを行った。このようなポリッシングを行うことによ
り、図１３（Ｃ）に示すように、ディッシングが生じる
ことなく表面が平坦な埋め込み金属配線を形成すること
ができた。
でポリッシングを行い、その後研磨液にポリカルボン酸
アンモニウム塩を６重量％の割合で加えて研磨液粘度を
４．０ｃＰに調整し、その他は同じ条件で再びポリッシ
ングを行った。このようなポリッシングを行うことによ
り、図１３（Ｃ）に示すように、ディッシングが生じる
ことなく表面が平坦な埋め込み金属配線を形成すること
ができた。
【００４６】このように、従来の研磨方法を用いた場合
には、たとえ理想的なポイントでポリッシングを停止し
たとしても、図１３（Ｄ）に示すように、幅広い金属配
線部でＡｌ膜５３のディッシングが発生するが、本発明
の研磨方法によれば、段差が小さい、あるいは幅広い金
属配線部においてもポリッシング速度が低下せず、しか
もディッシングが大幅に抑制される。 （実施例３）次に、本発明の研磨方法をコンタクト形成
に適用した場合について説明する。まず、図１４（Ａ）
に示すように、シリコン基板７１上に絶縁膜としてシリ
コン酸化膜７２を形成し、このシリコン酸化膜７２表面
に幅０．４μｍ、深さ０．４μｍの配線用の溝を形成
し、その上にＣＶＤ法により厚さ０．６μｍのタングス
テン７３を形成して試料８０を作製した。
には、たとえ理想的なポイントでポリッシングを停止し
たとしても、図１３（Ｄ）に示すように、幅広い金属配
線部でＡｌ膜５３のディッシングが発生するが、本発明
の研磨方法によれば、段差が小さい、あるいは幅広い金
属配線部においてもポリッシング速度が低下せず、しか
もディッシングが大幅に抑制される。 （実施例３）次に、本発明の研磨方法をコンタクト形成
に適用した場合について説明する。まず、図１４（Ａ）
に示すように、シリコン基板７１上に絶縁膜としてシリ
コン酸化膜７２を形成し、このシリコン酸化膜７２表面
に幅０．４μｍ、深さ０．４μｍの配線用の溝を形成
し、その上にＣＶＤ法により厚さ０．６μｍのタングス
テン７３を形成して試料８０を作製した。
【００４７】次いで、この試料８０に図２に示す研磨装
置を用いてＣＭＰを施してコンタクトを形成した。ＣＭ
Ｐにおいて、研磨液としては、平均粒径０．０５μｍの
アルミナ粒子を、純水に１．０重量％の割合で分散さ
せ、高分子ポリスルホン酸塩を添加し、粘度３．０ｃ
Ｐ、ｐＨ５としたものを用いた。また、研磨条件は、実
施例１の標準条件を採用した。このようなポリッシング
を行うことにより、図１４（Ｂ）に示す断面形状を経て
図１４（Ｃ）に示すように、ディッシングが生じること
なく表面が平坦なコンタクトを形成することができた。
置を用いてＣＭＰを施してコンタクトを形成した。ＣＭ
Ｐにおいて、研磨液としては、平均粒径０．０５μｍの
アルミナ粒子を、純水に１．０重量％の割合で分散さ
せ、高分子ポリスルホン酸塩を添加し、粘度３．０ｃ
Ｐ、ｐＨ５としたものを用いた。また、研磨条件は、実
施例１の標準条件を採用した。このようなポリッシング
を行うことにより、図１４（Ｂ）に示す断面形状を経て
図１４（Ｃ）に示すように、ディッシングが生じること
なく表面が平坦なコンタクトを形成することができた。
【００４８】このように、従来の研磨方法を用いた場合
には、たとえ理想的なポイントでポリッシングを停止し
たとしても、図１４（Ｄ）に示すように、タングステン
膜７３のディッシングが発生するが、本発明の研磨方法
によれば、段差が小さい、あるいは大きい凸部を有する
被研磨膜においてもポリッシング速度が低下せず、しか
もディッシングが大幅に抑制される。
には、たとえ理想的なポイントでポリッシングを停止し
たとしても、図１４（Ｄ）に示すように、タングステン
膜７３のディッシングが発生するが、本発明の研磨方法
によれば、段差が小さい、あるいは大きい凸部を有する
被研磨膜においてもポリッシング速度が低下せず、しか
もディッシングが大幅に抑制される。
【００４９】本実施例においては、ポリスルホン酸アン
モニウム塩のｐＨは３．５であるため、研磨液にポリス
ルホン酸アンモニウム塩を添加することにより、タング
ステンのポリッシングの際に化学的な作用が付与され
る。このため、タングステン膜７３上の傷を抑制するこ
とができる。また、ポリッシング中には、シリコン酸化
膜７２に停滞層が形成されるので、シリコン酸化膜７２
上の傷も抑制することができる。
モニウム塩のｐＨは３．５であるため、研磨液にポリス
ルホン酸アンモニウム塩を添加することにより、タング
ステンのポリッシングの際に化学的な作用が付与され
る。このため、タングステン膜７３上の傷を抑制するこ
とができる。また、ポリッシング中には、シリコン酸化
膜７２に停滞層が形成されるので、シリコン酸化膜７２
上の傷も抑制することができる。
【００５０】ここで、研磨液粘度の変化に対する研磨定
盤のモータ電流値を図１５に示す。図１５から分かるよ
うに、研磨液粘度が上昇するにしたがいモータ電流値が
小さくなった。これは、研磨液粘度が上昇することによ
り、タングステンのような硬い金属と研磨クロスとの間
の摩擦係数が減少することを意味する。したがって、本
発明の研磨方法によれば、ポリッシング中の研磨クロス
の劣化を防止することができる。
盤のモータ電流値を図１５に示す。図１５から分かるよ
うに、研磨液粘度が上昇するにしたがいモータ電流値が
小さくなった。これは、研磨液粘度が上昇することによ
り、タングステンのような硬い金属と研磨クロスとの間
の摩擦係数が減少することを意味する。したがって、本
発明の研磨方法によれば、ポリッシング中の研磨クロス
の劣化を防止することができる。
【００５１】本発明は上記実施例１〜３に限定されるこ
とはなく、種々の変形が可能である。例えば、研磨粒子
として、Ｆｅ2 Ｏ3 粒子、ＳｉＣ粒子、ＳｉＮ粒子、Ｚ
ｒＯ2 粒子、ＴｉＯ2 粒子を用いても上記と同様の効果
を得ることができる。また、ポリッシング速度を高くす
るために、研磨液にＫＯＨ、ＮａＯＨ、ＮＨ4 ＯＨ等の
アルカリやＨＣｌ等の酸を加えても上記と同様の効果を
得ることができる。さらに、研磨液の温度を０〜９０℃
の範囲で変化させても上記と同様の効果を得ることがで
きる。
とはなく、種々の変形が可能である。例えば、研磨粒子
として、Ｆｅ2 Ｏ3 粒子、ＳｉＣ粒子、ＳｉＮ粒子、Ｚ
ｒＯ2 粒子、ＴｉＯ2 粒子を用いても上記と同様の効果
を得ることができる。また、ポリッシング速度を高くす
るために、研磨液にＫＯＨ、ＮａＯＨ、ＮＨ4 ＯＨ等の
アルカリやＨＣｌ等の酸を加えても上記と同様の効果を
得ることができる。さらに、研磨液の温度を０〜９０℃
の範囲で変化させても上記と同様の効果を得ることがで
きる。
【００５２】なお、本発明は上記実施例に限定されるこ
とはない。上記実施例１〜３においては、被研磨膜がシ
リコン酸化膜、Ａｌ膜、タングステン膜である場合につ
いて説明しているが、被研磨膜がＡｇ膜、Ｃｕ膜、Ｓｉ
膜、Ｓｉ3 Ｎ4 膜である場合も上記と同様の効果を得る
ことができる。
とはない。上記実施例１〜３においては、被研磨膜がシ
リコン酸化膜、Ａｌ膜、タングステン膜である場合につ
いて説明しているが、被研磨膜がＡｇ膜、Ｃｕ膜、Ｓｉ
膜、Ｓｉ3 Ｎ4 膜である場合も上記と同様の効果を得る
ことができる。
【００５３】また、研磨において用いる被研磨膜と相互
作用が強い有機化合物も、上記実施例に限定されること
はなく、被研磨膜と研磨液との間で表面活性剤となるも
のを用いてもよい。
作用が強い有機化合物も、上記実施例に限定されること
はなく、被研磨膜と研磨液との間で表面活性剤となるも
のを用いてもよい。
【００５４】また、被研磨膜の凸部表面と研磨布の表面
との間の平均的な間隔は、研磨粒子の平均粒径以下とな
ることがポリッシング速度、ポリッシング選択比等の点
で好ましく、例えば５．０ｃＰ以下が好ましい。
との間の平均的な間隔は、研磨粒子の平均粒径以下とな
ることがポリッシング速度、ポリッシング選択比等の点
で好ましく、例えば５．０ｃＰ以下が好ましい。
【００５５】さらに、本発明は、位相シフトマスクやＸ
線マスク等の露光用マスクの吸収パターン（Ｗ，Ｃｒ
等）の形成に対しても適用することが可能である。その
他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施
することができる。
線マスク等の露光用マスクの吸収パターン（Ｗ，Ｃｒ
等）の形成に対しても適用することが可能である。その
他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施
することができる。
【００５６】
【発明の効果】以上説明した如く本発明の研磨方法は、
研磨液に少なくとも１つの親水基を有する分子量１００
以上の有機化合物を添加することにより、研磨中におけ
る被研磨膜の主面と研磨布の主面との間の平均的な間隔
を研磨粒子の平均粒径より広く設定し、または研磨中に
おける被研磨膜と研磨液との間の摩擦係数を研磨布と研
磨液との間の摩擦係数よりも大きくなるようにするの
で、ディッシングを発生させることなく、所望の凸状部
のみを効率よく研磨することができる。
研磨液に少なくとも１つの親水基を有する分子量１００
以上の有機化合物を添加することにより、研磨中におけ
る被研磨膜の主面と研磨布の主面との間の平均的な間隔
を研磨粒子の平均粒径より広く設定し、または研磨中に
おける被研磨膜と研磨液との間の摩擦係数を研磨布と研
磨液との間の摩擦係数よりも大きくなるようにするの
で、ディッシングを発生させることなく、所望の凸状部
のみを効率よく研磨することができる。
【図１】（Ａ），（Ｂ）は本発明の研磨方法に供される
被研磨膜の形成を説明するための断面図。
被研磨膜の形成を説明するための断面図。
【図２】本発明の研磨方法に使用される研磨装置を示す
概略図。
概略図。
【図３】（Ａ）〜（Ｃ）は本発明の研磨方法によりポリ
ッシングされた試料の断面形状を示す断面図。
ッシングされた試料の断面形状を示す断面図。
【図４】凸部および凹部のポリッシングによる残り膜厚
の経時変化を示すグラフ。
の経時変化を示すグラフ。
【図５】凸部および凹部のポリッシング速度と研磨液粘
度との関係を示すグラフ。
度との関係を示すグラフ。
【図６】ポリッシング後の膜における面内均一性および
面内最大段差と研磨液粘度との関係を示すグラフ。
面内最大段差と研磨液粘度との関係を示すグラフ。
【図７】凹部のポリッシング速度と研磨液粘度との関係
を示すグラフ。
を示すグラフ。
【図８】ポリカルボン酸アンモニウム塩の添加と研磨液
粘度との関係を示すグラフ。
粘度との関係を示すグラフ。
【図９】（Ａ）は本発明の研磨方法のメカニズムを説明
するための図、（Ｂ）は従来の研磨方法を説明するため
の図。
するための図、（Ｂ）は従来の研磨方法を説明するため
の図。
【図１０】本発明の研磨方法に供される被研磨膜を示す
断面図。
断面図。
【図１１】研磨粒子の粒径が変化した場合のポリッシン
グ速度と研磨液粘度との関係を示すグラフ。
グ速度と研磨液粘度との関係を示すグラフ。
【図１２】研磨圧力が変化した場合のポリッシング速度
と研磨液粘度との関係を示すグラフ。
と研磨液粘度との関係を示すグラフ。
【図１３】（Ａ）〜（Ｄ）は本発明の研磨方法を埋め込
み金属配線の形成に適用した場合を示す断面図、従来の
研磨方法で埋め込み金属配線の形成に適用した場合を示
す断面図。
み金属配線の形成に適用した場合を示す断面図、従来の
研磨方法で埋め込み金属配線の形成に適用した場合を示
す断面図。
【図１４】（Ａ）〜（Ｄ）は本発明の研磨方法をコンタ
クト形成に適用した場合を示す断面図、従来の研磨方法
でコンタクト形成に適用した場合を示す断面図。
クト形成に適用した場合を示す断面図、従来の研磨方法
でコンタクト形成に適用した場合を示す断面図。
【図１５】研磨液粘度の変化に対する研磨定盤のモータ
電流値を示すグラフ。
電流値を示すグラフ。
【図１６】（Ａ）〜（Ｅ）は従来の研磨方法を説明する
ための断面図。
ための断面図。
【図１７】従来の研磨方法を説明するための断面図。
１１，４１，５１，７１…シリコン基板、１２，１４，
４２，５２，７２…シリコン酸化膜、１３…Ａｌ配線、
１５…凸部、１６…凹部、２０，６０，８０…試料、２
１…研磨定盤、２２…研磨クロス、２３…真空チャック
ホルダ、２４…研磨液供給用配管、３１…研磨粒子、３
２…研磨液、３３…停滞層、５３…Ａｌ膜、７３…タン
グステン膜。
４２，５２，７２…シリコン酸化膜、１３…Ａｌ配線、
１５…凸部、１６…凹部、２０，６０，８０…試料、２
１…研磨定盤、２２…研磨クロス、２３…真空チャック
ホルダ、２４…研磨液供給用配管、３１…研磨粒子、３
２…研磨液、３３…停滞層、５３…Ａｌ膜、７３…タン
グステン膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 早坂 伸夫 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株式会社東芝研究開発センター内 (56)参考文献 特開 平４−291724（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−135167（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−283536（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−221067（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−221055（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304 B24B 37/00
Claims (2)
- 【請求項１】基板上に形成され、凹凸部を有する被研磨
膜に、研磨粒子と表面活性剤を含む研磨剤を施す工程
と、 前記被研磨膜の表面が平坦となるまで前記被研磨膜を研
磨する工程とを具備し、 前記被研磨膜は、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＦ、ホウ
素リン珪酸ガラス、およびリン珪酸ガラスからなる群よ
り選ばれた１種からなり、前記研磨粒子は主成分として
ＣｅＯ２を含み、前記表面活性剤は、ＣＯＯＨ（カルボ
キシル基）およびＣＯＯＭ１（Ｍ１はカルボキシル基の
水素原子と置換して塩を形成し得る原子もしくは官能
基）からなる群より選ばれた少なくとも１つの親水基を
有する有機化合物であることを特徴とする半導体装置の
製造方法。 - 【請求項２】基板上に形成され、凹凸部を有する被研磨
膜に、研磨粒子と表面活性剤を含む研磨剤を施す工程
と、 前記被研磨膜の表面が平坦となるまで前記被研磨膜を研
磨する工程とを具備し、 前記被研磨膜は、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＦ、ホウ
素リン珪酸ガラス、およびリン珪酸ガラスからなる群よ
り選ばれた１種からなり、前記表面活性剤は、ＣＯＯＨ
（カルボキシル基）およびＣＯＯＭ１（Ｍ１はカルボキ
シル基の水素原子と置換して塩を形成し得る原子もしく
は官能基）からなる群より選ばれた少なくとも１つの親
水基を有する有機化合物であることを特徴とする半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15738594A JP3278532B2 (ja) | 1994-07-08 | 1994-07-08 | 半導体装置の製造方法 |
| KR1019950019909A KR100219787B1 (ko) | 1994-07-08 | 1995-07-07 | 연마방법 및 그것에 사용하는 연마제 |
| US08/763,342 US6224464B1 (en) | 1994-07-08 | 1996-12-11 | Polishing method and polisher used in the method |
| US09/834,730 US6419557B2 (en) | 1994-07-08 | 2001-04-16 | Polishing method and polisher used in the method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15738594A JP3278532B2 (ja) | 1994-07-08 | 1994-07-08 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0822970A JPH0822970A (ja) | 1996-01-23 |
| JP3278532B2 true JP3278532B2 (ja) | 2002-04-30 |
Family
ID=15648493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15738594A Expired - Lifetime JP3278532B2 (ja) | 1994-07-08 | 1994-07-08 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6224464B1 (ja) |
| JP (1) | JP3278532B2 (ja) |
| KR (1) | KR100219787B1 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008032681A1 (fr) | 2006-09-13 | 2008-03-20 | Asahi Glass Co., Ltd. | Agent de polissage pour dispositif à semi-conducteur en circuit intégré, procédé de polissage, et procédé de fabrication du dispositif à semi-conducteur en circuit intégré |
| CN100503167C (zh) * | 2004-05-19 | 2009-06-24 | 日产化学工业株式会社 | 研磨用组合物 |
| US7678703B2 (en) | 2005-05-20 | 2010-03-16 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Production method of polishing composition |
| US7695345B2 (en) | 2005-03-28 | 2010-04-13 | Asahi Glass Company, Limited | Polishing compound for semiconductor integrated circuit device, polishing method and method for producing semiconductor integrated circuit device |
| US7700489B2 (en) | 2003-09-12 | 2010-04-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing a semiconductor device |
| US7829406B2 (en) | 2007-09-13 | 2010-11-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing semiconductor device |
| KR20140039143A (ko) | 2010-12-24 | 2014-04-01 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 연마액 및 이 연마액을 이용한 기판의 연마 방법 |
| US8900335B2 (en) | 2004-09-28 | 2014-12-02 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | CMP polishing slurry and method of polishing substrate |
| JP2015112695A (ja) * | 2013-12-13 | 2015-06-22 | 株式会社ディスコ | 研磨方法 |
| KR20200021519A (ko) | 2017-08-14 | 2020-02-28 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 연마액, 연마액 세트 및 연마 방법 |
Families Citing this family (72)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3278532B2 (ja) * | 1994-07-08 | 2002-04-30 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| EP1610367B1 (en) | 1996-09-30 | 2010-03-17 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Cerium oxide abrasive and method of polishing substrates |
| JP3462052B2 (ja) * | 1996-09-30 | 2003-11-05 | 日立化成工業株式会社 | 酸化セリウム研磨剤および基板の研磨法 |
| JP3676030B2 (ja) * | 1997-04-10 | 2005-07-27 | 株式会社東芝 | 研磨パッドのドレッシング方法及び半導体装置の製造方法 |
| AU7147798A (en) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Advanced Chemical Systems International, Inc. | Planarization compositions for cmp of interlayer dielectrics |
| US6022400A (en) * | 1997-05-22 | 2000-02-08 | Nippon Steel Corporation | Polishing abrasive grains, polishing agent and polishing method |
| JPH11181403A (ja) | 1997-12-18 | 1999-07-06 | Hitachi Chem Co Ltd | 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法 |
| KR100754103B1 (ko) * | 1998-12-25 | 2007-08-31 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | Ｃｍｐ 연마제, ｃｍｐ 연마제용 첨가액 및 기판의 연마방법 |
| JP4491857B2 (ja) * | 1999-06-18 | 2010-06-30 | 日立化成工業株式会社 | Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法 |
| EP1691401B1 (en) * | 1999-06-18 | 2012-06-13 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Method for polishing a substrate using CMP abrasive |
| JP3957924B2 (ja) | 1999-06-28 | 2007-08-15 | 株式会社東芝 | Ｃｍｐ研磨方法 |
| JP2001055560A (ja) * | 1999-08-18 | 2001-02-27 | Hitachi Chem Co Ltd | 研磨剤及びそれを用いた基板の研磨方法 |
| EP1077108B1 (en) | 1999-08-18 | 2006-12-20 | Ebara Corporation | Polishing method and polishing apparatus |
| JP2001077060A (ja) | 1999-09-08 | 2001-03-23 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP3945964B2 (ja) | 2000-06-01 | 2007-07-18 | 株式会社ルネサステクノロジ | 研磨剤、研磨方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP2002126998A (ja) * | 2000-10-26 | 2002-05-08 | Hitachi Ltd | 研磨方法および研磨装置 |
| JP3768401B2 (ja) * | 2000-11-24 | 2006-04-19 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 化学的機械的研磨用スラリー |
| JP5017574B2 (ja) | 2001-05-25 | 2012-09-05 | エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド | 酸化セリウム研磨剤及び基板の製造方法 |
| CN100378145C (zh) * | 2001-06-21 | 2008-04-02 | 花王株式会社 | 研磨液组合物 |
| US6677239B2 (en) * | 2001-08-24 | 2004-01-13 | Applied Materials Inc. | Methods and compositions for chemical mechanical polishing |
| US7199056B2 (en) * | 2002-02-08 | 2007-04-03 | Applied Materials, Inc. | Low cost and low dishing slurry for polysilicon CMP |
| JP2003318140A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-07 | Applied Materials Inc | 研磨方法及び装置 |
| TWI285668B (en) * | 2002-07-22 | 2007-08-21 | Seimi Chem Kk | Semiconductor abrasive, process for producing the same and method of polishing |
| US6641632B1 (en) * | 2002-11-18 | 2003-11-04 | International Business Machines Corporation | Polishing compositions and use thereof |
| US7553345B2 (en) * | 2002-12-26 | 2009-06-30 | Kao Corporation | Polishing composition |
| JP4285480B2 (ja) | 2003-05-28 | 2009-06-24 | 日立化成工業株式会社 | 研磨剤及び研磨方法 |
| KR100856171B1 (ko) | 2004-07-23 | 2008-09-03 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | Ｃｍｐ연마제 및 기판의 연마방법 |
| US20070218811A1 (en) * | 2004-09-27 | 2007-09-20 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Cmp polishing slurry and method of polishing substrate |
| KR101029929B1 (ko) * | 2005-11-11 | 2011-04-18 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 산화규소용 연마제, 첨가액 및 연마 방법 |
| JP5290769B2 (ja) * | 2006-01-25 | 2013-09-18 | エルジー・ケム・リミテッド | Ｃｍｐスラリー及びこれを用いる半導体ウェハーの研磨方法 |
| SG136886A1 (en) * | 2006-04-28 | 2007-11-29 | Asahi Glass Co Ltd | Method for producing glass substrate for magnetic disk, and magnetic disk |
| US20070264829A1 (en) * | 2006-05-12 | 2007-11-15 | Hynix Semiconductor Inc. | Slurry and method for chemical mechanical polishing |
| EP2090400A4 (en) | 2006-09-15 | 2010-11-03 | Hitachi Chemical Co Ltd | MEANS FOR CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING (CMP), ADDITIVE SOLUTION FOR THE CMP POLISHERS AND METHOD FOR POLISHING A SUBSTRATE THROUGH THE USE OF THE POLISHING AGENT AND THE ADDITIVE SOLUTION |
| WO2009046311A2 (en) * | 2007-10-05 | 2009-04-09 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Composite slurries of nano silicon carbide and alumina |
| JP2008132593A (ja) * | 2007-12-14 | 2008-06-12 | Hitachi Chem Co Ltd | 酸化セリウムスラリー、酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法 |
| JP2009267367A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-11-12 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| CN102017091B (zh) | 2008-04-23 | 2014-10-29 | 日立化成株式会社 | 研磨剂及使用该研磨剂的基板研磨方法 |
| JP2009010406A (ja) * | 2008-08-18 | 2009-01-15 | Hitachi Chem Co Ltd | 研磨剤及び基板の研磨法 |
| WO2010067844A1 (ja) | 2008-12-11 | 2010-06-17 | 日立化成工業株式会社 | Ｃｍｐ用研磨液及びこれを用いた研磨方法 |
| JP2009105455A (ja) * | 2009-02-10 | 2009-05-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 素子分離形成方法 |
| JP4894981B2 (ja) | 2009-10-22 | 2012-03-14 | 日立化成工業株式会社 | 研磨剤、濃縮１液式研磨剤、２液式研磨剤及び基板の研磨方法 |
| JP2010030041A (ja) * | 2009-11-04 | 2010-02-12 | Hitachi Chem Co Ltd | 酸化セリウム研磨剤および基板の研磨法 |
| EP2500928A4 (en) | 2009-11-12 | 2014-06-25 | Hitachi Chemical Co Ltd | CHEMICAL MECHANICAL POLISHING LIQUID AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND POLISHING METHOD USING THE POLISHING LIQUID |
| CN102666014B (zh) | 2010-03-12 | 2017-10-31 | 日立化成株式会社 | 悬浮液、研磨液套剂、研磨液以及使用它们的基板的研磨方法 |
| KR20130129399A (ko) | 2010-11-22 | 2013-11-28 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 지립의 제조 방법, 슬러리의 제조 방법 및 연마액의 제조 방법 |
| US9988573B2 (en) | 2010-11-22 | 2018-06-05 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Slurry, polishing liquid set, polishing liquid, method for polishing substrate, and substrate |
| CN103222036B (zh) | 2010-11-22 | 2016-11-09 | 日立化成株式会社 | 悬浮液、研磨液套剂、研磨液、基板的研磨方法及基板 |
| CN103339219B (zh) | 2011-01-25 | 2015-01-14 | 日立化成株式会社 | Cmp研磨液及其制造方法、复合粒子的制造方法以及基体的研磨方法 |
| KR102004570B1 (ko) | 2012-02-21 | 2019-07-26 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 연마제, 연마제 세트 및 기체의 연마 방법 |
| SG11201405091TA (en) | 2012-02-21 | 2014-09-26 | Hitachi Chemical Co Ltd | Polishing agent, polishing agent set, and substrate polishing method |
| CN104321854B (zh) | 2012-05-22 | 2017-06-20 | 日立化成株式会社 | 悬浮液、研磨液套剂、研磨液、基体的研磨方法及基体 |
| WO2013175856A1 (ja) | 2012-05-22 | 2013-11-28 | 日立化成株式会社 | スラリー、研磨液セット、研磨液、基体の研磨方法及び基体 |
| US10557059B2 (en) | 2012-05-22 | 2020-02-11 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Slurry, polishing-solution set, polishing solution, substrate polishing method, and substrate |
| US9346978B2 (en) | 2012-05-22 | 2016-05-24 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Slurry, polishing-solution set, polishing solution, substrate polishing method, and substrate |
| JP2014011408A (ja) * | 2012-07-02 | 2014-01-20 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法および研磨装置 |
| CN104582899B (zh) | 2012-08-30 | 2018-11-09 | 日立化成株式会社 | 研磨剂、研磨剂套剂及基体的研磨方法 |
| JP5836992B2 (ja) | 2013-03-19 | 2015-12-24 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| US10155886B2 (en) | 2013-06-12 | 2018-12-18 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Polishing liquid for CMP, and polishing method |
| JP6428625B2 (ja) | 2013-08-30 | 2018-11-28 | 日立化成株式会社 | スラリー、研磨液セット、研磨液、及び、基体の研磨方法 |
| JP6243791B2 (ja) | 2014-05-09 | 2017-12-06 | 信越化学工業株式会社 | Ｃｍｐ研磨剤及びその製造方法、並びに基板の研磨方法 |
| JP6170027B2 (ja) | 2014-10-09 | 2017-07-26 | 信越化学工業株式会社 | Ｃｍｐ研磨剤及びその製造方法、並びに基板の研磨方法 |
| WO2018179061A1 (ja) | 2017-03-27 | 2018-10-04 | 日立化成株式会社 | 研磨液、研磨液セット及び研磨方法 |
| JP6708994B2 (ja) | 2017-03-27 | 2020-06-10 | 日立化成株式会社 | スラリ及び研磨方法 |
| WO2019043819A1 (ja) | 2017-08-30 | 2019-03-07 | 日立化成株式会社 | スラリ及び研磨方法 |
| WO2019142292A1 (ja) | 2018-01-18 | 2019-07-25 | 日立化成株式会社 | 研磨液、研磨液セット及び研磨方法 |
| CN111819263A (zh) | 2018-03-22 | 2020-10-23 | 日立化成株式会社 | 研磨液、研磨液套剂和研磨方法 |
| WO2020021680A1 (ja) | 2018-07-26 | 2020-01-30 | 日立化成株式会社 | スラリ及び研磨方法 |
| KR102382508B1 (ko) | 2018-09-25 | 2022-04-01 | 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 | 슬러리 및 연마 방법 |
| WO2022070314A1 (ja) | 2020-09-30 | 2022-04-07 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | スラリ及び研磨方法 |
| WO2022070313A1 (ja) | 2020-09-30 | 2022-04-07 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | スラリ及び研磨方法 |
| US20230145080A1 (en) | 2020-11-11 | 2023-05-11 | Showa Denko Materials Co., Ltd. | Polishing liquid and polishing method |
| KR20240024995A (ko) | 2021-08-31 | 2024-02-26 | 가부시끼가이샤 레조낙 | 연마액, 연마 방법, 부품의 제조 방법, 및, 반도체 부품의 제조 방법 |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3979239A (en) * | 1974-12-30 | 1976-09-07 | Monsanto Company | Process for chemical-mechanical polishing of III-V semiconductor materials |
| US4759917A (en) * | 1987-02-24 | 1988-07-26 | Monsanto Company | Oxidative dissolution of gallium arsenide and separation of gallium from arsenic |
| JPS63245365A (ja) | 1987-03-31 | 1988-10-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US4959113C1 (en) * | 1989-07-31 | 2001-03-13 | Rodel Inc | Method and composition for polishing metal surfaces |
| US5234867A (en) * | 1992-05-27 | 1993-08-10 | Micron Technology, Inc. | Method for planarizing semiconductor wafers with a non-circular polishing pad |
| US5104828A (en) * | 1990-03-01 | 1992-04-14 | Intel Corporation | Method of planarizing a dielectric formed over a semiconductor substrate |
| US5036015A (en) * | 1990-09-24 | 1991-07-30 | Micron Technology, Inc. | Method of endpoint detection during chemical/mechanical planarization of semiconductor wafers |
| JPH04135167A (ja) | 1990-09-25 | 1992-05-08 | Mitsubishi Kasei Corp | 平滑面加工方法 |
| JPH04291724A (ja) | 1991-03-20 | 1992-10-15 | Asahi Denka Kogyo Kk | シリコンウェハーの研摩方法 |
| US5320706A (en) * | 1991-10-15 | 1994-06-14 | Texas Instruments Incorporated | Removing slurry residue from semiconductor wafer planarization |
| US5222329A (en) * | 1992-03-26 | 1993-06-29 | Micron Technology, Inc. | Acoustical method and system for detecting and controlling chemical-mechanical polishing (CMP) depths into layers of conductors, semiconductors, and dielectric materials |
| US5264010A (en) * | 1992-04-27 | 1993-11-23 | Rodel, Inc. | Compositions and methods for polishing and planarizing surfaces |
| US5445996A (en) * | 1992-05-26 | 1995-08-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for planarizing a semiconductor device having a amorphous layer |
| US5225034A (en) * | 1992-06-04 | 1993-07-06 | Micron Technology, Inc. | Method of chemical mechanical polishing predominantly copper containing metal layers in semiconductor processing |
| US5272117A (en) * | 1992-12-07 | 1993-12-21 | Motorola, Inc. | Method for planarizing a layer of material |
| US5302233A (en) * | 1993-03-19 | 1994-04-12 | Micron Semiconductor, Inc. | Method for shaping features of a semiconductor structure using chemical mechanical planarization (CMP) |
| JP3554759B2 (ja) | 1994-02-02 | 2004-08-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 配線の形成方法、及び砥粒液 |
| JP3278532B2 (ja) * | 1994-07-08 | 2002-04-30 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| CA2152860A1 (en) | 1994-07-15 | 1996-01-16 | Argyrios A. Chatzipetros | Antenna for communication device |
| US5693239A (en) * | 1995-10-10 | 1997-12-02 | Rodel, Inc. | Polishing slurries comprising two abrasive components and methods for their use |
| US5783489A (en) * | 1996-09-24 | 1998-07-21 | Cabot Corporation | Multi-oxidizer slurry for chemical mechanical polishing |
| US6022400A (en) * | 1997-05-22 | 2000-02-08 | Nippon Steel Corporation | Polishing abrasive grains, polishing agent and polishing method |
-
1994
- 1994-07-08 JP JP15738594A patent/JP3278532B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-07-07 KR KR1019950019909A patent/KR100219787B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-12-11 US US08/763,342 patent/US6224464B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-04-16 US US09/834,730 patent/US6419557B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7700489B2 (en) | 2003-09-12 | 2010-04-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing a semiconductor device |
| CN100503167C (zh) * | 2004-05-19 | 2009-06-24 | 日产化学工业株式会社 | 研磨用组合物 |
| US8900335B2 (en) | 2004-09-28 | 2014-12-02 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | CMP polishing slurry and method of polishing substrate |
| US7695345B2 (en) | 2005-03-28 | 2010-04-13 | Asahi Glass Company, Limited | Polishing compound for semiconductor integrated circuit device, polishing method and method for producing semiconductor integrated circuit device |
| US7678703B2 (en) | 2005-05-20 | 2010-03-16 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Production method of polishing composition |
| WO2008032681A1 (fr) | 2006-09-13 | 2008-03-20 | Asahi Glass Co., Ltd. | Agent de polissage pour dispositif à semi-conducteur en circuit intégré, procédé de polissage, et procédé de fabrication du dispositif à semi-conducteur en circuit intégré |
| US7829406B2 (en) | 2007-09-13 | 2010-11-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing semiconductor device |
| KR20140039143A (ko) | 2010-12-24 | 2014-04-01 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 연마액 및 이 연마액을 이용한 기판의 연마 방법 |
| US9564337B2 (en) | 2010-12-24 | 2017-02-07 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Polishing liquid and method for polishing substrate using the polishing liquid |
| JP2015112695A (ja) * | 2013-12-13 | 2015-06-22 | 株式会社ディスコ | 研磨方法 |
| KR20200021519A (ko) | 2017-08-14 | 2020-02-28 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 연마액, 연마액 세트 및 연마 방법 |
| KR20220066438A (ko) | 2017-08-14 | 2022-05-24 | 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 | 연마액, 연마액 세트 및 연마 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6419557B2 (en) | 2002-07-16 |
| KR960005827A (ko) | 1996-02-23 |
| US20010034191A1 (en) | 2001-10-25 |
| JPH0822970A (ja) | 1996-01-23 |
| US6224464B1 (en) | 2001-05-01 |
| KR100219787B1 (ko) | 1999-09-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3278532B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP6030703B2 (ja) | 誘電性ＣＭＰスラリーにおけるＣｓＯＨの使用 | |
| JP4489191B2 (ja) | 金属膜除去のための平坦化組成物 | |
| KR100508838B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 및 그의 연마액 | |
| JP5957777B2 (ja) | ポリシリコン、酸化ケイ素および窒化ケイ素を含む基体を研磨する方法 | |
| JP2003514061A5 (ja) | ||
| JP2005175498A (ja) | スラリー組成物及びそれを用いる化学機械的研磨工程を含む半導体素子の製造方法 | |
| US20070202702A1 (en) | Chemical mechanical polishing process | |
| WO2021135806A1 (zh) | 一种化学机械抛光液 | |
| US6746314B2 (en) | Nitride CMP slurry having selectivity to nitride | |
| JP4202826B2 (ja) | 有機膜の化学的機械的研磨方法および半導体装置の製造方法 | |
| TW200418967A (en) | CMP slurry for nitride and CMP method using the same | |
| US20040023491A1 (en) | Preparation and use of an abrasive slurry composition | |
| JP2000164595A (ja) | 金属配線形成方法 | |
| JP2001223216A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07193034A (ja) | 研磨方法 | |
| KR101371853B1 (ko) | 연마슬러리 | |
| JP2009094450A (ja) | アルミニウム膜研磨用研磨液及び基板の研磨方法 | |
| WO2006042466A1 (en) | The system, method and abrasive slurry for chemical mechanical polishing | |
| JP2003277731A (ja) | 研磨用粒子および研磨材 | |
| JP2003336039A (ja) | 研磨用組成物 | |
| US20070264829A1 (en) | Slurry and method for chemical mechanical polishing | |
| JP2000026841A (ja) | 半導体基板の研磨方法および半導体装置の製造方法 | |
| JP2003100676A (ja) | 研磨用組成物 | |
| KR20230099993A (ko) | 무정형 탄소막이 증착된 기판의 연마 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080215 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090215 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100215 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100215 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110215 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120215 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120215 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130215 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140215 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |