JP3269910B2 - 磁器コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
磁器コンデンサ及びその製造方法Info
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- JP3269910B2 JP3269910B2 JP08390594A JP8390594A JP3269910B2 JP 3269910 B2 JP3269910 B2 JP 3269910B2 JP 08390594 A JP08390594 A JP 08390594A JP 8390594 A JP8390594 A JP 8390594A JP 3269910 B2 JP3269910 B2 JP 3269910B2
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、１又は２以上の誘電体
磁器層を少なくとも２以上の内部電極によって各々挟持
させてなる単層又は積層構造の磁器コンデンサ及びその
製造方法に関する。
磁器層を少なくとも２以上の内部電極によって各々挟持
させてなる単層又は積層構造の磁器コンデンサ及びその
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、積層磁器コンデンサを製造するに
は、次のような方法が用いられている。即ち、ドクター
ブレード法等によりセラミックグリーンシートを作成
し、このグリーンシート上に内部電極となる金属粉末の
ペーストを印刷し、これらを複数枚積み重ねて熱圧着
し、１３００℃以上の自然雰囲気中で焼成して焼結体を
作り、内部電極と導通する外部電極を焼結体の端面に焼
き付けていた。
は、次のような方法が用いられている。即ち、ドクター
ブレード法等によりセラミックグリーンシートを作成
し、このグリーンシート上に内部電極となる金属粉末の
ペーストを印刷し、これらを複数枚積み重ねて熱圧着
し、１３００℃以上の自然雰囲気中で焼成して焼結体を
作り、内部電極と導通する外部電極を焼結体の端面に焼
き付けていた。
【０００３】ここで、パラジウム、白金、銀−パラジウ
ム等の貴金属は上記製造条件下でもセラミックと接触し
て酸化したり、セラミックと直接反応を起こさないた
め、内部電極の材料としてこれまで多くの積層磁器コン
デンサに使用されていたが、高価であるためコスト高の
最大の原因になっていた。
ム等の貴金属は上記製造条件下でもセラミックと接触し
て酸化したり、セラミックと直接反応を起こさないた
め、内部電極の材料としてこれまで多くの積層磁器コン
デンサに使用されていたが、高価であるためコスト高の
最大の原因になっていた。
【０００４】この様な問題を解決する手段として、内部
電極の材料に卑金属を用いることが試みられている。し
かるに、内部電極の材料として、例えば、ニッケルを用
いると、自然雰囲気中の焼成で酸化され、セラミックと
容易に反応するため内部電極を形成することが出来なく
なる。この様な卑金属の酸化を防止するために、還元雰
囲気中で焼成を行わなければならないが、還元雰囲気中
で焼成するとセラミックは著しく還元されてしまい、コ
ンデンサとして機能しなくなる。
電極の材料に卑金属を用いることが試みられている。し
かるに、内部電極の材料として、例えば、ニッケルを用
いると、自然雰囲気中の焼成で酸化され、セラミックと
容易に反応するため内部電極を形成することが出来なく
なる。この様な卑金属の酸化を防止するために、還元雰
囲気中で焼成を行わなければならないが、還元雰囲気中
で焼成するとセラミックは著しく還元されてしまい、コ
ンデンサとして機能しなくなる。
【０００５】そこで、この様な問題を解決するため、本
件特許出願人は次に述べる公開公報に開示されているよ
うな多数の誘電体磁器組成物を提案した。
件特許出願人は次に述べる公開公報に開示されているよ
うな多数の誘電体磁器組成物を提案した。
【０００６】例えば、特開平５−２７０９０４号公報に
は、(1−α）((Bak-(x+y)MxLy)OkTiO2 +α(R1-zR'z)O
3/2 （但し、ＭはＭｇ及び／又はＺｎ、ＬはＣａ及び／
又はＳｒ、ＲはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及
びＥｕから選択された１種又は２種以上の元素、Ｒ’は
Ｓｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ及びＹｂから選択さ
れた１種又は２種以上の元素）からなる基本成分と、Ｌ
ｉ2 Ｏ，ＳｉＯ2 及びＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ，Ｃａ
Ｏ及びＳｒＯから選択された１種又は２種以上の酸化
物）からなる添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示
されている。
は、(1−α）((Bak-(x+y)MxLy)OkTiO2 +α(R1-zR'z)O
3/2 （但し、ＭはＭｇ及び／又はＺｎ、ＬはＣａ及び／
又はＳｒ、ＲはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及
びＥｕから選択された１種又は２種以上の元素、Ｒ’は
Ｓｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ及びＹｂから選択さ
れた１種又は２種以上の元素）からなる基本成分と、Ｌ
ｉ2 Ｏ，ＳｉＯ2 及びＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ，Ｃａ
Ｏ及びＳｒＯから選択された１種又は２種以上の酸化
物）からなる添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示
されている。
【０００７】また、特開平５−２７０９０５号公報に
は、(1−α)(Bak-(x+y)MxLy)OkTiO2 +α(R1-zR'z)O3/2
（但し、ＭはＭｇ及び／又はＺｎ、ＬはＣａ及び／又は
Ｓｒ、ＲはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥ
ｕから選択された１種又は２種以上の元素、Ｒ’はＳ
ｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ及びＹｂから選択され
た１種又は２種以上の元素）からなる基本成分と、Ｂ2
Ｏ3 ，ＳｉＯ2 及びＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ，ＣａＯ
及びＳｒＯから選択された１種又は２種以上の酸化物）
からなる添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示され
ている。
は、(1−α)(Bak-(x+y)MxLy)OkTiO2 +α(R1-zR'z)O3/2
（但し、ＭはＭｇ及び／又はＺｎ、ＬはＣａ及び／又は
Ｓｒ、ＲはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥ
ｕから選択された１種又は２種以上の元素、Ｒ’はＳ
ｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ及びＹｂから選択され
た１種又は２種以上の元素）からなる基本成分と、Ｂ2
Ｏ3 ，ＳｉＯ2 及びＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ，ＣａＯ
及びＳｒＯから選択された１種又は２種以上の酸化物）
からなる添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示され
ている。
【０００８】これら開示されている誘電体磁器組成物
は、非酸化性雰囲気中における１２００℃以下の焼成で
磁器コンデンサを得ることが出来、その比誘電率が３０
００以上、誘電損失ｔａｎδが２．５％以下、抵抗率ρ
が４×１０6 ＭΩ・ｃｍ以上であり、かつ比誘電率の温
度変化率が−５５℃〜１２５℃で−１５％〜＋１５％
（２５℃を基準）、−２５℃〜８５℃で−１０％＋１０
％（２０℃を基準）の範囲にすることができるものであ
る。
は、非酸化性雰囲気中における１２００℃以下の焼成で
磁器コンデンサを得ることが出来、その比誘電率が３０
００以上、誘電損失ｔａｎδが２．５％以下、抵抗率ρ
が４×１０6 ＭΩ・ｃｍ以上であり、かつ比誘電率の温
度変化率が−５５℃〜１２５℃で−１５％〜＋１５％
（２５℃を基準）、−２５℃〜８５℃で−１０％＋１０
％（２０℃を基準）の範囲にすることができるものであ
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】近年、電子回路の小型
化、高密度化にともない磁器コンデンサも小型大容量の
ものが強く求められている。その一つの手法として、積
層磁器コンデンサが知られており、その誘電体グリーン
シートの薄膜化、又はその積層数の増加により大容量化
することが試みられている。しかしながら、積層磁器コ
ンデンサにおいて、その誘電体磁器層を薄膜化すること
は、単位厚みあたりの交流電圧が増すことになり、誘電
損失（ｔａｎδ）が大きくなる。そこで、本発明は、上
記各公報に開示されている誘電体磁器組成物よりも更
に、誘電損失の交流電圧特性が良好な誘電体磁器組成物
を備えた磁器コンデンサを提供することにある。
化、高密度化にともない磁器コンデンサも小型大容量の
ものが強く求められている。その一つの手法として、積
層磁器コンデンサが知られており、その誘電体グリーン
シートの薄膜化、又はその積層数の増加により大容量化
することが試みられている。しかしながら、積層磁器コ
ンデンサにおいて、その誘電体磁器層を薄膜化すること
は、単位厚みあたりの交流電圧が増すことになり、誘電
損失（ｔａｎδ）が大きくなる。そこで、本発明は、上
記各公報に開示されている誘電体磁器組成物よりも更
に、誘電損失の交流電圧特性が良好な誘電体磁器組成物
を備えた磁器コンデンサを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する請求
項１及び請求項２記載の発明は、誘電体磁器組成物から
なる１又は２以上の誘電体磁器層と、この誘電体磁器層
を挟持している少なくとも２以上の内部電極とを備えた
磁器コンデンサにおいて、前記誘電体磁器組成物が、１
００．０重量部の基本成分と、０．２〜５．０重量部の
添加成分との混合物を焼成したものからなり、前記基本
成分が、(1−γ)(Bak-(x+y)MxLy)OkTiO2 +γ(R1-zR'z)O
3/2+αAO5/2+βＤ（但し、ＭはＭｇ及び／又はＺｎ、Ｌ
はＣａ及び／又はＳｒ、ＲはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，
Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕから選択された１種又は２種以上の
元素、Ｒ’はＳｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅ
ｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕから選択された１種又は２種以
上の元素、ＡはＰ及び／又はＶ、ＤはＣｒ，Ｍｎ，Ｆ
ｅ，Ｃｏ及びＮｉから選択された１種又は２種以上の酸
化物、α，β，γ，ｋ，ｘ，ｙ及びｚは、 ０．０００５≦α≦０．０１ ０．０００５≦β≦０．０１ ０．００２≦γ≦０．０６ １．００≦ｋ≦１．０５ ０≦ｘ＜０．１０ ０≦ｙ≦０．０５ ０．０１≦ｘ＋ｙ≦０．１０ ０．５≦ｚ≦０．９ を満足する数値）で表わされる物質からなる。
項１及び請求項２記載の発明は、誘電体磁器組成物から
なる１又は２以上の誘電体磁器層と、この誘電体磁器層
を挟持している少なくとも２以上の内部電極とを備えた
磁器コンデンサにおいて、前記誘電体磁器組成物が、１
００．０重量部の基本成分と、０．２〜５．０重量部の
添加成分との混合物を焼成したものからなり、前記基本
成分が、(1−γ)(Bak-(x+y)MxLy)OkTiO2 +γ(R1-zR'z)O
3/2+αAO5/2+βＤ（但し、ＭはＭｇ及び／又はＺｎ、Ｌ
はＣａ及び／又はＳｒ、ＲはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，
Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕから選択された１種又は２種以上の
元素、Ｒ’はＳｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅ
ｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕから選択された１種又は２種以
上の元素、ＡはＰ及び／又はＶ、ＤはＣｒ，Ｍｎ，Ｆ
ｅ，Ｃｏ及びＮｉから選択された１種又は２種以上の酸
化物、α，β，γ，ｋ，ｘ，ｙ及びｚは、 ０．０００５≦α≦０．０１ ０．０００５≦β≦０．０１ ０．００２≦γ≦０．０６ １．００≦ｋ≦１．０５ ０≦ｘ＜０．１０ ０≦ｙ≦０．０５ ０．０１≦ｘ＋ｙ≦０．１０ ０．５≦ｚ≦０．９ を満足する数値）で表わされる物質からなる。
【００１１】ここで、基本成分の組成式中におけるＡ成
分の割合、すなわちαの値は、０．０００５≦α≦０．
０１の範囲が好ましい。αの値が０．０００５未満で
は、交流電圧２００Ｖ／ｍｍにおける誘電損失ｔａｎδ
が３．０％を越えてしまい、αの値が０．０１を越える
と抵抗率ρが４．０×１０6 ＭΩ・ｃｍより小さくな
り、静電容量の温度変化率△Ｃ-55 ，△Ｃ125 が−１５
％〜＋１５％から外れ、△Ｃ-25 ，△Ｃ85が−１０％〜
＋１０％から外れてしまうが、αの値が０．０００５≦
α≦０．０１の範囲では所望の電気的特性を有するもの
が得られるためである。
分の割合、すなわちαの値は、０．０００５≦α≦０．
０１の範囲が好ましい。αの値が０．０００５未満で
は、交流電圧２００Ｖ／ｍｍにおける誘電損失ｔａｎδ
が３．０％を越えてしまい、αの値が０．０１を越える
と抵抗率ρが４．０×１０6 ＭΩ・ｃｍより小さくな
り、静電容量の温度変化率△Ｃ-55 ，△Ｃ125 が−１５
％〜＋１５％から外れ、△Ｃ-25 ，△Ｃ85が−１０％〜
＋１０％から外れてしまうが、αの値が０．０００５≦
α≦０．０１の範囲では所望の電気的特性を有するもの
が得られるためである。
【００１２】なお、Ａ成分のＰとＶはほぼ同様に働き、
０．０００５≦α≦０．０１を満足する範囲ではＰとＶ
のうち一方又は両方を使用することが出来る。
０．０００５≦α≦０．０１を満足する範囲ではＰとＶ
のうち一方又は両方を使用することが出来る。
【００１３】また、基本成分の組成式中におけるＤ成分
の割合、すなわちβの値は、０．０００５≦β≦０．０
１の範囲が好ましい。βの値が０．０００５未満では、
交流電圧２００Ｖ／ｍｍにおける誘電損失ｔａｎδが
３．０％を越えてしまい、βの値が０．０１を越えると
比誘電率が３３００より小さくなるが、βの値が０．０
００５≦β≦０．０１の範囲では所望の電気特性を有す
るものが得られるためである。
の割合、すなわちβの値は、０．０００５≦β≦０．０
１の範囲が好ましい。βの値が０．０００５未満では、
交流電圧２００Ｖ／ｍｍにおける誘電損失ｔａｎδが
３．０％を越えてしまい、βの値が０．０１を越えると
比誘電率が３３００より小さくなるが、βの値が０．０
００５≦β≦０．０１の範囲では所望の電気特性を有す
るものが得られるためである。
【００１４】なお、Ｄ成分であるＣｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃ
ｏ及びＮｉの酸化物はそれぞれほぼ同様に働き、これら
から選択された一つを使用しても、又は複数を組み合わ
せて使用しても同様な効果が得られるものである。
ｏ及びＮｉの酸化物はそれぞれほぼ同様に働き、これら
から選択された一つを使用しても、又は複数を組み合わ
せて使用しても同様な効果が得られるものである。
【００１５】また、基本成分の組成式中におけるγの値
は、０．００２≦γ≦０．０６の範囲が好ましい。γの
値が０．００２未満では、静電容量の温度変化率△Ｃ
-55 が−１５％〜＋１５％から外れ、△Ｃ-25 が−１０
％〜＋１０％から外れてしまい、またγの値が０．０６
を越えると緻密な焼結体が得られなくなってしまうが、
γの値が０．００２≦γ≦０．０６の範囲では所望の電
気的特性を有する緻密な焼結体が得られるためである。
は、０．００２≦γ≦０．０６の範囲が好ましい。γの
値が０．００２未満では、静電容量の温度変化率△Ｃ
-55 が−１５％〜＋１５％から外れ、△Ｃ-25 が−１０
％〜＋１０％から外れてしまい、またγの値が０．０６
を越えると緻密な焼結体が得られなくなってしまうが、
γの値が０．００２≦γ≦０．０６の範囲では所望の電
気的特性を有する緻密な焼結体が得られるためである。
【００１６】また、ｋの値は、１．００≦ｋ≦１．０５
の範囲が好ましい。ｋの値が１．００未満では、抵抗率
ρが４．０×１０6 ＭΩ・ｃｍより小さくなり、静電容
量の温度変化率△Ｃ-55 ，△Ｃ125 が−１５％〜＋１５
％から外れ、△Ｃ-25 ，△Ｃ85が−１０％〜＋１０％か
ら外れてしまい、またｋの値が１．０５を越えると緻密
な焼結体が得られなくなってしまうが、ｋの値が１．０
０≦ｋ≦１．０５の範囲では所望の電気的特性を有する
緻密な焼結体が得られるためである。
の範囲が好ましい。ｋの値が１．００未満では、抵抗率
ρが４．０×１０6 ＭΩ・ｃｍより小さくなり、静電容
量の温度変化率△Ｃ-55 ，△Ｃ125 が−１５％〜＋１５
％から外れ、△Ｃ-25 ，△Ｃ85が−１０％〜＋１０％か
ら外れてしまい、またｋの値が１．０５を越えると緻密
な焼結体が得られなくなってしまうが、ｋの値が１．０
０≦ｋ≦１．０５の範囲では所望の電気的特性を有する
緻密な焼結体が得られるためである。
【００１７】また、ｘ＋ｙの値は、０．０１≦ｘ＋ｙ≦
０．１０の範囲が好ましい。ｘ＋ｙの値が０．０１未満
では、静電容量の温度変化率△Ｃ-55 が−１５％〜＋１
５％から外れ、ｘ＋ｙの値が０．１０を越えると、静電
容量の温度変化率△Ｃ85が−１０％〜＋１０％から外れ
てしまうが、ｘ＋ｙの値が０．０１０≦ｘ＋ｙ≦０．１
０の範囲では所望の電気的特性を有する緻密な焼結体が
得られるためである。
０．１０の範囲が好ましい。ｘ＋ｙの値が０．０１未満
では、静電容量の温度変化率△Ｃ-55 が−１５％〜＋１
５％から外れ、ｘ＋ｙの値が０．１０を越えると、静電
容量の温度変化率△Ｃ85が−１０％〜＋１０％から外れ
てしまうが、ｘ＋ｙの値が０．０１０≦ｘ＋ｙ≦０．１
０の範囲では所望の電気的特性を有する緻密な焼結体が
得られるためである。
【００１８】ただし、ｘ＋ｙ≦０．１０であっても、ｙ
≦０．０５が好ましい。ｘ＋ｙ≦０．１０が満足してい
ても、ｙの値が０．０５を越えると静電容量の温度変化
率△Ｃ85が−１０％〜＋１０％から外れてしまうためで
ある。
≦０．０５が好ましい。ｘ＋ｙ≦０．１０が満足してい
ても、ｙの値が０．０５を越えると静電容量の温度変化
率△Ｃ85が−１０％〜＋１０％から外れてしまうためで
ある。
【００１９】なお、Ｍ成分のＭｇとＺｎ及びＬ成分のＣ
ａとＳｒはほぼ同様に働き、０≦ｘ≦０．１０を満足す
る範囲ではＭｇとＺｎのうち一方又は両方を使用するこ
と、また０≦ｙ≦０．０５を満足する範囲でＣａとＳｒ
のうちの一方又は両方を使用することが出来る。
ａとＳｒはほぼ同様に働き、０≦ｘ≦０．１０を満足す
る範囲ではＭｇとＺｎのうち一方又は両方を使用するこ
と、また０≦ｙ≦０．０５を満足する範囲でＣａとＳｒ
のうちの一方又は両方を使用することが出来る。
【００２０】また、ｚの値は、０．５≦ｚ≦０．９の範
囲が好ましい。ｚの値が０．５未満ではｔａｎδが２．
５％を越えてしまい、交流電圧２００Ｖ／ｍｍにおける
誘電損失ｔａｎδが３．０％を越えてしまい、抵抗率ρ
が４．０×１０6 ＭΩ・ｃｍより小さくなり、静電容量
の温度変化率△Ｃ-55 が−１５％〜＋１５％から外れ、
△Ｃ-25 ，△Ｃ85が−１０％〜＋１０％から外れ、ｚの
値が０．９を越えると比誘電率が３３００以下になって
しまうが、０．５≦ｚ≦０．９の範囲では、所望の電気
的特性を有するものが得られるためである。
囲が好ましい。ｚの値が０．５未満ではｔａｎδが２．
５％を越えてしまい、交流電圧２００Ｖ／ｍｍにおける
誘電損失ｔａｎδが３．０％を越えてしまい、抵抗率ρ
が４．０×１０6 ＭΩ・ｃｍより小さくなり、静電容量
の温度変化率△Ｃ-55 が−１５％〜＋１５％から外れ、
△Ｃ-25 ，△Ｃ85が−１０％〜＋１０％から外れ、ｚの
値が０．９を越えると比誘電率が３３００以下になって
しまうが、０．５≦ｚ≦０．９の範囲では、所望の電気
的特性を有するものが得られるためである。
【００２１】なお、Ｒ成分のＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，
Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕ、また、Ｒ’成分のＳｃ，Ｙ，Ｇ
ｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕはそ
れぞれほゞ同様に働き、これ等から選択された１つを使
用しても、又は複数を使用しても同様な結果が得られる
ものである。
Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕ、また、Ｒ’成分のＳｃ，Ｙ，Ｇ
ｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕはそ
れぞれほゞ同様に働き、これ等から選択された１つを使
用しても、又は複数を使用しても同様な結果が得られる
ものである。
【００２２】ただし、ｚの値は、Ｒ成分及びＲ’成分の
それぞれが１種又は複数種のいずれの場合においても、
０．５≦ｚ≦０．９の範囲にすることが望ましい。
それぞれが１種又は複数種のいずれの場合においても、
０．５≦ｚ≦０．９の範囲にすることが望ましい。
【００２３】なお、基本成分のｘ，ｙ，ｚ及びｋは、前
述した基本成分の組成式の各元素の原子数、すなわちＴ
ｉの原子数を１とした場合の各元素の原子数の割合を示
す。また、α及びβは、前述した基本成分の組成式の各
酸化物の原子数、すなわち、前述した基本成分の組成式
のうち(1−γ)(Bak-(x+y)MxLy)OkTiO2 +γ(R1-zR'z)O
3/2 の分子数を１とした場合の各酸化物の原子数の割合
を示す。
述した基本成分の組成式の各元素の原子数、すなわちＴ
ｉの原子数を１とした場合の各元素の原子数の割合を示
す。また、α及びβは、前述した基本成分の組成式の各
酸化物の原子数、すなわち、前述した基本成分の組成式
のうち(1−γ)(Bak-(x+y)MxLy)OkTiO2 +γ(R1-zR'z)O
3/2 の分子数を１とした場合の各酸化物の原子数の割合
を示す。
【００２４】また、基本成分を得るための出発原料を、
実施例で示したもの以外の、例えばＢａＯ，ＳｒＯ，Ｃ
ａＯなどの酸化物又は水酸化物又はその他の化合物とし
てもよい。
実施例で示したもの以外の、例えばＢａＯ，ＳｒＯ，Ｃ
ａＯなどの酸化物又は水酸化物又はその他の化合物とし
てもよい。
【００２５】次に、添加成分としては、Ｌｉ2 Ｏ−Ｓｉ
Ｏ2 −ＭＯ及びＢ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2−ＭＯのいずれか一
方又は両方を使用することができる。添加成分の添加量
は、１００重量部の基本成分に対し、０．２〜５重量部
の範囲が好ましい。添加成分の添加量が０．２重量部未
満の場合には、焼成温度が１２５０℃であっても緻密な
焼結体が得られず、また、添加成分の添加量が５重量部
を越える場合には、比誘電率が３３００未満となり、静
電容量の温度変化率△Ｃ-55 が−１５％〜＋１５％から
外れるが、添加成分が０．２〜５重量部の範囲にある場
合は、所望の電気的特性を有する緻密な焼結体が得られ
るためである。
Ｏ2 −ＭＯ及びＢ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2−ＭＯのいずれか一
方又は両方を使用することができる。添加成分の添加量
は、１００重量部の基本成分に対し、０．２〜５重量部
の範囲が好ましい。添加成分の添加量が０．２重量部未
満の場合には、焼成温度が１２５０℃であっても緻密な
焼結体が得られず、また、添加成分の添加量が５重量部
を越える場合には、比誘電率が３３００未満となり、静
電容量の温度変化率△Ｃ-55 が−１５％〜＋１５％から
外れるが、添加成分が０．２〜５重量部の範囲にある場
合は、所望の電気的特性を有する緻密な焼結体が得られ
るためである。
【００２６】そして、請求項１記載の発明は、前記添加
成分がＬｉ2 ＯとＳｉＯ2 とＭＯ（但し、ＭＯはＢａ
Ｏ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選択された
１種又は２種以上の酸化物）とからなり、前記Ｌｉ2 Ｏ
と前記ＳｉＯ2 と前記ＭＯとの組成範囲が、これらの組
成をモル％で示す三角図における、前記Ｌｉ2 Ｏが１モ
ル％、前記ＳｉＯ2 が８０モル％、前記ＭＯが１９モル
％の組成を示す第一の点Ａと、前記Ｌｉ2 Ｏが１モル
％、前記ＳｉＯ2 が３９モル％、前記ＭＯが６０モル％
の組成を示す第二の点Ｂと、前記Ｌｉ2 Ｏが３０モル
％、前記ＳｉＯ2 が３０モル％、前記ＭＯが４０モル％
の組成を示す第三の点Ｃと、前記Ｌｉ2 Ｏが５０モル
％、前記ＳｉＯ2 が５０モル％、前記ＭＯが０モル％の
組成を示す第四の点Ｄと、前記Ｌｉ2 Ｏが２０モル％、
前記ＳｉＯ2 が８０モル％、前記ＭＯが０モル％の組成
を示す第五の点Ｅとをこの順に結ぶ５本の直線で囲まれ
た領域内のものである。
成分がＬｉ2 ＯとＳｉＯ2 とＭＯ（但し、ＭＯはＢａ
Ｏ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選択された
１種又は２種以上の酸化物）とからなり、前記Ｌｉ2 Ｏ
と前記ＳｉＯ2 と前記ＭＯとの組成範囲が、これらの組
成をモル％で示す三角図における、前記Ｌｉ2 Ｏが１モ
ル％、前記ＳｉＯ2 が８０モル％、前記ＭＯが１９モル
％の組成を示す第一の点Ａと、前記Ｌｉ2 Ｏが１モル
％、前記ＳｉＯ2 が３９モル％、前記ＭＯが６０モル％
の組成を示す第二の点Ｂと、前記Ｌｉ2 Ｏが３０モル
％、前記ＳｉＯ2 が３０モル％、前記ＭＯが４０モル％
の組成を示す第三の点Ｃと、前記Ｌｉ2 Ｏが５０モル
％、前記ＳｉＯ2 が５０モル％、前記ＭＯが０モル％の
組成を示す第四の点Ｄと、前記Ｌｉ2 Ｏが２０モル％、
前記ＳｉＯ2 が８０モル％、前記ＭＯが０モル％の組成
を示す第五の点Ｅとをこの順に結ぶ５本の直線で囲まれ
た領域内のものである。
【００２７】ここで、添加成分の組成を、Ｌｉ2 Ｏ−Ｓ
ｉＯ2 −ＭＯの組成比をモル％で示す三角図において、
前記した点Ａ〜Ｅをこの順に結ぶ５本の直線で囲まれた
領域内としたのは、添加成分の組成をこの範囲内のもの
とすれば、所望の電気的特性の誘電体磁器組成物を得る
ことができるが、添加成分の組成をこの範囲外とすれ
ば、１２５０℃の焼成でも緻密な焼結体を得ることがで
きなくなるからである。なお、ＭＯ成分となるＢａＯ，
ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯは適当な比率で使用
してもよい。添加成分の出発原料は酸化物、水酸化物等
の他の化合物としてもよい。
ｉＯ2 −ＭＯの組成比をモル％で示す三角図において、
前記した点Ａ〜Ｅをこの順に結ぶ５本の直線で囲まれた
領域内としたのは、添加成分の組成をこの範囲内のもの
とすれば、所望の電気的特性の誘電体磁器組成物を得る
ことができるが、添加成分の組成をこの範囲外とすれ
ば、１２５０℃の焼成でも緻密な焼結体を得ることがで
きなくなるからである。なお、ＭＯ成分となるＢａＯ，
ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯは適当な比率で使用
してもよい。添加成分の出発原料は酸化物、水酸化物等
の他の化合物としてもよい。
【００２８】また、請求項２記載の発明は、前記添加成
分がＢ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 とＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ，
ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選択された１種
又は２種以上の金属酸化物）とからなり、前記Ｂ2 Ｏ3
０が１モル％、前記ＳｉＯ2 が８０モル％、前記ＭＯが
１９モル％の組成を示す第六の点Ｆと、前記Ｂ2 Ｏ3 が
１モル％、前記ＳｉＯ2 が３９モル％、前記ＭＯが６０
モル％の組成を示す第七の点Ｇと、前記Ｂ2 Ｏ3 が２９
モル％、前記ＳｉＯ2 が１モル％、前記ＭＯが７０モル
％の組成を示す第八の点Ｈと、前記Ｂ2 Ｏ3 が９０モル
％、前記ＳｉＯ2 が１モル％、前記ＭＯが９モル％の組
成を示す第九の点Ｉと、前記Ｂ2 Ｏ3 が９０モル％、前
記ＳｉＯ2 が９モル％、前記ＭＯが１モル％の組成を示
す第十の点Ｊと、前記Ｂ2 Ｏ3 が１９モル％、前記Ｓｉ
Ｏ2 が８０モル％、前記ＭＯが１モル％の組成を示す第
十一の点Ｋとをこの順に結ぶ６本の直線で囲まれた領域
内のものである。
分がＢ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 とＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ，
ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選択された１種
又は２種以上の金属酸化物）とからなり、前記Ｂ2 Ｏ3
０が１モル％、前記ＳｉＯ2 が８０モル％、前記ＭＯが
１９モル％の組成を示す第六の点Ｆと、前記Ｂ2 Ｏ3 が
１モル％、前記ＳｉＯ2 が３９モル％、前記ＭＯが６０
モル％の組成を示す第七の点Ｇと、前記Ｂ2 Ｏ3 が２９
モル％、前記ＳｉＯ2 が１モル％、前記ＭＯが７０モル
％の組成を示す第八の点Ｈと、前記Ｂ2 Ｏ3 が９０モル
％、前記ＳｉＯ2 が１モル％、前記ＭＯが９モル％の組
成を示す第九の点Ｉと、前記Ｂ2 Ｏ3 が９０モル％、前
記ＳｉＯ2 が９モル％、前記ＭＯが１モル％の組成を示
す第十の点Ｊと、前記Ｂ2 Ｏ3 が１９モル％、前記Ｓｉ
Ｏ2 が８０モル％、前記ＭＯが１モル％の組成を示す第
十一の点Ｋとをこの順に結ぶ６本の直線で囲まれた領域
内のものである。
【００２９】ここで、添加成分の組成を、Ｂ2 Ｏ3 −Ｓ
ｉＯ2 −ＭＯの組成比をモル％で示す三角図において、
前記した点Ｆ〜Ｋをこの順に結ぶ６本の直線で囲まれた
領域内としたのは、添加成分の組成をこの範囲内のもの
とすれば、所望の電気的特性の誘電体磁器組成物を得る
ことができるが、添加成分の組成をこの範囲外とすれ
ば、１２５０℃の焼成でも緻密な焼結体を得ることがで
きなくなるからである。なお、ＭＯ成分となるＢａＯ，
ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯは適当な比率で使用
してもよい。添加成分の出発原料は酸化物、水酸化物等
の他の化合物としてもよい。
ｉＯ2 −ＭＯの組成比をモル％で示す三角図において、
前記した点Ｆ〜Ｋをこの順に結ぶ６本の直線で囲まれた
領域内としたのは、添加成分の組成をこの範囲内のもの
とすれば、所望の電気的特性の誘電体磁器組成物を得る
ことができるが、添加成分の組成をこの範囲外とすれ
ば、１２５０℃の焼成でも緻密な焼結体を得ることがで
きなくなるからである。なお、ＭＯ成分となるＢａＯ，
ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯは適当な比率で使用
してもよい。添加成分の出発原料は酸化物、水酸化物等
の他の化合物としてもよい。
【００３０】また、上記課題を解決する請求項３及び請
求項４記載の発明は、前記の基本成分と添加成分とから
なる未焼結の磁器粉末からなる混合物を調製する工程
と、前記混合物からなる未焼結磁器シートを形成する工
程と、前記未焼結磁器シートを少なくとも２以上の導電
性ペースト膜で挟持させた積層物を形成する工程と、前
記積層物を非酸化性雰囲気中において焼成する工程と、
前記焼成を受けた積層物を酸化性雰囲気中において熱処
理する工程とを備えたものである。
求項４記載の発明は、前記の基本成分と添加成分とから
なる未焼結の磁器粉末からなる混合物を調製する工程
と、前記混合物からなる未焼結磁器シートを形成する工
程と、前記未焼結磁器シートを少なくとも２以上の導電
性ペースト膜で挟持させた積層物を形成する工程と、前
記積層物を非酸化性雰囲気中において焼成する工程と、
前記焼成を受けた積層物を酸化性雰囲気中において熱処
理する工程とを備えたものである。
【００３１】ここで、添加成分としては、請求項１記載
の発明のもの（Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2−ＭＯ）及び請求項
２記載の発明のもの（Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −ＭＯ）のい
ずれか一方又は両方を使用することができる。また、非
酸化性雰囲気としては、Ｈ2やＣＯなどの還元性雰囲気
のみならず、Ｎ2 やＡｒなどの中性雰囲気であってもよ
い。また、非酸化性雰囲気中における焼成温度は、電極
材料を考慮して種々変更することができる。ニッケルを
内部電極とする場合には、１０５０℃〜１２００℃の範
囲でニッケル粒子の凝集をほとんど生じさせることなく
焼成することができる。
の発明のもの（Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2−ＭＯ）及び請求項
２記載の発明のもの（Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −ＭＯ）のい
ずれか一方又は両方を使用することができる。また、非
酸化性雰囲気としては、Ｈ2やＣＯなどの還元性雰囲気
のみならず、Ｎ2 やＡｒなどの中性雰囲気であってもよ
い。また、非酸化性雰囲気中における焼成温度は、電極
材料を考慮して種々変更することができる。ニッケルを
内部電極とする場合には、１０５０℃〜１２００℃の範
囲でニッケル粒子の凝集をほとんど生じさせることなく
焼成することができる。
【００３２】また、酸化性雰囲気中における熱処理温度
は、非酸化性雰囲気中における焼成温度より低い温度で
あればよく、５００℃〜１０００℃の範囲が好ましい。
酸化性雰囲気としては、大気雰囲気に限定することな
く、例えば、Ｎ2 に数ｐｐｍのＯ2 を混合したような低
酸素濃度の雰囲気から任意の酸素濃度の雰囲気を使用す
ることができる。どのような温度あるいはどのような酸
素濃度の雰囲気にするかは、電極材料（ニッケル等）の
酸化と誘電体磁器層の酸化とを考慮して種々変更する必
要がある。後述した実施例ではこの熱処理の温度を６０
０℃としたが、この温度に限定されるものではない。
は、非酸化性雰囲気中における焼成温度より低い温度で
あればよく、５００℃〜１０００℃の範囲が好ましい。
酸化性雰囲気としては、大気雰囲気に限定することな
く、例えば、Ｎ2 に数ｐｐｍのＯ2 を混合したような低
酸素濃度の雰囲気から任意の酸素濃度の雰囲気を使用す
ることができる。どのような温度あるいはどのような酸
素濃度の雰囲気にするかは、電極材料（ニッケル等）の
酸化と誘電体磁器層の酸化とを考慮して種々変更する必
要がある。後述した実施例ではこの熱処理の温度を６０
０℃としたが、この温度に限定されるものではない。
【００３３】また、後述する実施例では、非酸化性雰囲
気中における熱処理と、酸化性雰囲気中における熱処理
を一つの連続した焼成プロファイルの中で行なっている
が、もちろん非酸化性雰囲気中における焼成工程と、酸
化性雰囲気における熱処理工程とを独立した工程に分け
て行なうことも可能である。
気中における熱処理と、酸化性雰囲気中における熱処理
を一つの連続した焼成プロファイルの中で行なっている
が、もちろん非酸化性雰囲気中における焼成工程と、酸
化性雰囲気における熱処理工程とを独立した工程に分け
て行なうことも可能である。
【００３４】また、後述する実施例では、外部電極とし
てＺｎ電極を使用しているが、電極焼付け条件を選択す
ることによりＮｉ，Ａｇ，Ｃｕ等の電極を用いることが
できるものはもちろん、Ｎｉ外部電極を未焼結積層体の
端面に塗布して積層体の焼成と外部電極の焼付けを同時
に行うことも可能である。
てＺｎ電極を使用しているが、電極焼付け条件を選択す
ることによりＮｉ，Ａｇ，Ｃｕ等の電極を用いることが
できるものはもちろん、Ｎｉ外部電極を未焼結積層体の
端面に塗布して積層体の焼成と外部電極の焼付けを同時
に行うことも可能である。
【００３５】なお、本発明は積層磁器コンデンサ以外の
一般的な単層の磁器コンデンサにも勿論適応可能であ
る。
一般的な単層の磁器コンデンサにも勿論適応可能であ
る。
【００３６】
【実施例】以下、本発明の実施例を、試料番号１の試料
の場合を中心に説明する。まず、ＢａＣＯ3 ，ＭｇＯ，
ＺｎＯ，ＣａＣＯ3 ，ＳｒＣＯ3 ，ＴｉＯ2 及びＥｒ2
Ｏ3 を表１に示すように各々秤量した。
の場合を中心に説明する。まず、ＢａＣＯ3 ，ＭｇＯ，
ＺｎＯ，ＣａＣＯ3 ，ＳｒＣＯ3 ，ＴｉＯ2 及びＥｒ2
Ｏ3 を表１に示すように各々秤量した。
【００３７】
【表１】
【００３８】ここで、表１の各化合物の重量は、前記基
本成分の組成式(1−γ)(Bak-(x+y)MxLy)OkTiO2 +γ(R
1-zR'z)O3/2+αAO5/2+βD …（１）における第１項の(B
ak-(x+y)MxLy)OkTiO2 …（２）が(Ba0.96Mg0.03Zn0.01C
a0.01Sr0.0 1)O1.02TiO2 …（３）となるように計算して
求めたものである。また、これらの各化合物としては９
９．０％以上の純度のものを用いた。
本成分の組成式(1−γ)(Bak-(x+y)MxLy)OkTiO2 +γ(R
1-zR'z)O3/2+αAO5/2+βD …（１）における第１項の(B
ak-(x+y)MxLy)OkTiO2 …（２）が(Ba0.96Mg0.03Zn0.01C
a0.01Sr0.0 1)O1.02TiO2 …（３）となるように計算して
求めたものである。また、これらの各化合物としては９
９．０％以上の純度のものを用いた。
【００３９】次に、これらの化合物を２．５リットルの
水とともにボールミルに入れ、湿式で約２０時間混合
し、１５０℃で４時間乾燥した後粉砕し、この粉砕物を
大気中において約１２００℃で２時間仮焼し、上記組成
式（１）の第１項の成分粉末を得た。
水とともにボールミルに入れ、湿式で約２０時間混合
し、１５０℃で４時間乾燥した後粉砕し、この粉砕物を
大気中において約１２００℃で２時間仮焼し、上記組成
式（１）の第１項の成分粉末を得た。
【００４０】次に、Ｓｍ2 Ｏ3 の粉末を１８５．６１
ｇ、Ｅｒ2 Ｏ3 の粉末を８１４．３９ｇ秤量し、これら
をボールミルで約２０時間湿式混合し、１５０℃で４時
間乾燥した後粉砕し、上記組成式（１）における第２項
の（Ｒ1-z Ｒ’）Ｏ3/2 …（４）が（Ｓｍ0.2 Ｅｒ
0.8 ）Ｏ3/2 …（５）となったものの粉末を得た。
ｇ、Ｅｒ2 Ｏ3 の粉末を８１４．３９ｇ秤量し、これら
をボールミルで約２０時間湿式混合し、１５０℃で４時
間乾燥した後粉砕し、上記組成式（１）における第２項
の（Ｒ1-z Ｒ’）Ｏ3/2 …（４）が（Ｓｍ0.2 Ｅｒ
0.8 ）Ｏ3/2 …（５）となったものの粉末を得た。
【００４１】そして、上記組成式（１）の第１項の成分
粉末９８２．４４ｇ（９８モル部）と、第２項の成分粉
末１６．３３ｇ（２モル部）と、第３項の成分（ＰＯ
5/2 ）粉末０．６２ｇ（０．２モル部）と、第４項の成
分（ＭｎＯ）粉末０．６２ｇ（０．２モル部）とを湿式
で混合した後、１５０℃で乾燥させ、第１項の成分が
０．９８モル、第２項の成分が０．０２モル、第３項の
成分が０．００２モル、第４項の成分が０．００２モル
で表わされる基本成分の粉末を得た。
粉末９８２．４４ｇ（９８モル部）と、第２項の成分粉
末１６．３３ｇ（２モル部）と、第３項の成分（ＰＯ
5/2 ）粉末０．６２ｇ（０．２モル部）と、第４項の成
分（ＭｎＯ）粉末０．６２ｇ（０．２モル部）とを湿式
で混合した後、１５０℃で乾燥させ、第１項の成分が
０．９８モル、第２項の成分が０．０２モル、第３項の
成分が０．００２モル、第４項の成分が０．００２モル
で表わされる基本成分の粉末を得た。
【００４２】一方、Ｌｉ2 Ｏ，ＳｉＯ2 ，ＣａＣＯ3 ，
ＳｒＣＯ3 及びＢａＣＯ3 を表２に示すように各々秤量
した。
ＳｒＣＯ3 及びＢａＣＯ3 を表２に示すように各々秤量
した。
【００４３】
【表２】
【００４４】ここで、表２の化合物の重量は、添加成分
について、Ｌｉ2 Ｏが３０モル％、ＳｉＯ2 が６０モル
％、ＭＯが１０モル％｛ＣａＯ（８モル％）、ＳｒＯ
（１モル％）、ＢａＯ（１モル％）｝となるように計算
して求めたものである。また、これらの各化合物として
は９９．０％以上の純度のものを用いた。
について、Ｌｉ2 Ｏが３０モル％、ＳｉＯ2 が６０モル
％、ＭＯが１０モル％｛ＣａＯ（８モル％）、ＳｒＯ
（１モル％）、ＢａＯ（１モル％）｝となるように計算
して求めたものである。また、これらの各化合物として
は９９．０％以上の純度のものを用いた。
【００４５】次に、これらの各化合物を３００ｃｃのア
ルコールとともにポリエチレンポットに入れて約１０時
間混合した後、大気中において１０００℃で２時間仮焼
し、この仮焼によって得られたものを３００ｃｃのアル
コールと共にアルミナポットに入れ、アルミナボールで
１５時間粉砕し、その後、１５０℃で４時間乾燥させ、
添加成分の粉末を得た。
ルコールとともにポリエチレンポットに入れて約１０時
間混合した後、大気中において１０００℃で２時間仮焼
し、この仮焼によって得られたものを３００ｃｃのアル
コールと共にアルミナポットに入れ、アルミナボールで
１５時間粉砕し、その後、１５０℃で４時間乾燥させ、
添加成分の粉末を得た。
【００４６】次に、基本成分の粉末１０００ｇ（１００
重量部）に対して上記添加成分の粉末１０ｇ（１重量
部）を加え、更に、アクリル酸エステルポリマー、グリ
セリン、縮合リン酸塩の水溶液からなる有機バインダー
を基本成分と添加成分との合計重量に対して１５重量％
添加し、更に、水を５０重量％加え、これらをボールミ
ルに入れて粉砕及び混合し、磁器原料のスラリーを作成
した。
重量部）に対して上記添加成分の粉末１０ｇ（１重量
部）を加え、更に、アクリル酸エステルポリマー、グリ
セリン、縮合リン酸塩の水溶液からなる有機バインダー
を基本成分と添加成分との合計重量に対して１５重量％
添加し、更に、水を５０重量％加え、これらをボールミ
ルに入れて粉砕及び混合し、磁器原料のスラリーを作成
した。
【００４７】次に、上記スラリーを真空脱泡器にいれて
脱泡し、このスラリーをリバースロールコーターに入
れ、これを使用してポリエステルフィルム上にこのスラ
リーに基づく薄膜を形成し、この薄膜をフィルム上で１
００℃に加熱して乾燥させ、厚さ約２０μｍのグリーン
シートを得た。このシートを１０ｃｍ角の正方形に打ち
抜いて使用した。
脱泡し、このスラリーをリバースロールコーターに入
れ、これを使用してポリエステルフィルム上にこのスラ
リーに基づく薄膜を形成し、この薄膜をフィルム上で１
００℃に加熱して乾燥させ、厚さ約２０μｍのグリーン
シートを得た。このシートを１０ｃｍ角の正方形に打ち
抜いて使用した。
【００４８】一方、内部電極の導電ペーストは、平均粒
径が１．５μｍのニッケル粉末１０ｇと、エチルセルロ
ース０．９ｇをブチルカルビトール９．１ｇに溶解させ
たものとを攪拌器にいれ、１０時間攪拌することにより
得た。この導電ペーストを長さ１４ｍｍ、幅７ｍｍのパ
ターンを５０個有するスクリーンを介して上記グリーン
シートの片面に印刷した後、これを乾燥した。
径が１．５μｍのニッケル粉末１０ｇと、エチルセルロ
ース０．９ｇをブチルカルビトール９．１ｇに溶解させ
たものとを攪拌器にいれ、１０時間攪拌することにより
得た。この導電ペーストを長さ１４ｍｍ、幅７ｍｍのパ
ターンを５０個有するスクリーンを介して上記グリーン
シートの片面に印刷した後、これを乾燥した。
【００４９】次に、上記印刷面を上にしてグリーンシー
トを２枚積層した。この際、隣接する上下のシートにお
いて、その印刷面がパターンの長手方向に約半分ほどず
れるように配置した。更に、この積層物の上下両面にそ
れぞれ１０枚づつ印刷の施されていないグリーンシート
を積層した。次いで、この積層物を約５０℃の温度で厚
さ方向に約４０トンの圧力を加えて圧着させた。しかる
後、この積層物を格子状に裁断し、約５０個の積層チッ
プを得た。
トを２枚積層した。この際、隣接する上下のシートにお
いて、その印刷面がパターンの長手方向に約半分ほどず
れるように配置した。更に、この積層物の上下両面にそ
れぞれ１０枚づつ印刷の施されていないグリーンシート
を積層した。次いで、この積層物を約５０℃の温度で厚
さ方向に約４０トンの圧力を加えて圧着させた。しかる
後、この積層物を格子状に裁断し、約５０個の積層チッ
プを得た。
【００５０】次に、この積層チップを雰囲気可能な炉に
入れ、大気中で１００℃／ｈｒの速度で６００℃まで加
熱して、有機バインダーを燃焼させた。しかる後、炉の
雰囲気を大気からＨ2 （２体積％）＋Ｎ2 （９８体積
％）の雰囲気に変えた。そして、炉を上記のごとき還元
性雰囲気とした状態を保って、積層体チップの加熱温度
を６００℃から焼成温度の１１５０℃（最高温度）を３
時間保持した後、１００℃／ｈｒの速度で６００℃まで
降温し、雰囲気を大気雰囲気（酸化性雰囲気）に置き換
えて、６００℃を３０分間保持して酸化処理を行い、そ
の後、室温まで冷却して、焼結体チップを得た。
入れ、大気中で１００℃／ｈｒの速度で６００℃まで加
熱して、有機バインダーを燃焼させた。しかる後、炉の
雰囲気を大気からＨ2 （２体積％）＋Ｎ2 （９８体積
％）の雰囲気に変えた。そして、炉を上記のごとき還元
性雰囲気とした状態を保って、積層体チップの加熱温度
を６００℃から焼成温度の１１５０℃（最高温度）を３
時間保持した後、１００℃／ｈｒの速度で６００℃まで
降温し、雰囲気を大気雰囲気（酸化性雰囲気）に置き換
えて、６００℃を３０分間保持して酸化処理を行い、そ
の後、室温まで冷却して、焼結体チップを得た。
【００５１】次に、電極が露出する焼結体チップの側面
に亜鉛とガラスフリットとビヒクルとからなる導電性ペ
ーストを塗布して乾燥し、これを大気中で５５０℃の温
度で１５分間焼き付け、亜鉛電極層を形成し、更にこの
うえに銅を無電解メッキで被着させ、更にこの上に電気
メッキ法でＰｂ−Ｓｎ半田層を設けて、一対の外部電極
を形成した。
に亜鉛とガラスフリットとビヒクルとからなる導電性ペ
ーストを塗布して乾燥し、これを大気中で５５０℃の温
度で１５分間焼き付け、亜鉛電極層を形成し、更にこの
うえに銅を無電解メッキで被着させ、更にこの上に電気
メッキ法でＰｂ−Ｓｎ半田層を設けて、一対の外部電極
を形成した。
【００５２】これにより、図１に示すように、誘電体磁
器層１２と、内部電極１４と、外部電極１６からなる積
層磁器コンデンサ１０が得られた。なお、このコンデン
サ１０の誘電体磁器層１２の厚さは０．０１５ｍｍ、内
部電極の対抗面積は、５ｍｍ×５ｍｍ＝２５ｍｍ2 であ
る。また、焼結後の誘電体磁器層１２の組成は、焼結前
の基本成分と添加成分との混合組成と実質的に同じであ
る。
器層１２と、内部電極１４と、外部電極１６からなる積
層磁器コンデンサ１０が得られた。なお、このコンデン
サ１０の誘電体磁器層１２の厚さは０．０１５ｍｍ、内
部電極の対抗面積は、５ｍｍ×５ｍｍ＝２５ｍｍ2 であ
る。また、焼結後の誘電体磁器層１２の組成は、焼結前
の基本成分と添加成分との混合組成と実質的に同じであ
る。
【００５３】次に、完成した積層磁器コンデンサの電気
的特性を測定したところ、表６の試料番号１の欄に示
すように、比誘電率εs が３３８０、ｔａｎδが１．６
％、抵抗率ρが５．７×１０6 ＭΩ・ｃｍ、交流電圧２
００Ｖ／ｍｍにおけるｔａｎδが２．１％、２５℃の静
電容量を基準にした−５５℃及＋１２５℃の静電容量の
変化率△Ｃ-55 ，△Ｃ125 が−９．７％，４．３％，２
０℃の静電容量を基準にした−２５℃、＋８５℃の静電
容量の変化率△Ｃ-25 ，△Ｃ85が−４．５％，−２．６
％であった。
的特性を測定したところ、表６の試料番号１の欄に示
すように、比誘電率εs が３３８０、ｔａｎδが１．６
％、抵抗率ρが５．７×１０6 ＭΩ・ｃｍ、交流電圧２
００Ｖ／ｍｍにおけるｔａｎδが２．１％、２５℃の静
電容量を基準にした−５５℃及＋１２５℃の静電容量の
変化率△Ｃ-55 ，△Ｃ125 が−９．７％，４．３％，２
０℃の静電容量を基準にした−２５℃、＋８５℃の静電
容量の変化率△Ｃ-25 ，△Ｃ85が−４．５％，−２．６
％であった。
【００５４】なお、電気的特性は次の容量で測定した。 (A) 比誘電率εs は、温度２０℃、周波数１ｋＨｚ、電
圧（実効値）１．０Ｖの条件で静電容量を測定し、この
測定値と、一対の内部電極の対向面積２５ｍｍ 2 と、一
対の内部電極間の誘電体磁器層の厚さ０．０１５ｍｍか
ら計算で求めた。 (B) 誘電体損失ｔａｎδ（％）は、上記した比誘電率の
測定の場合と同一の条件で測定した。 (C) 抵抗率ρ（ＭΩ・ｃｍ）は、温度２０℃においてＤ
Ｃ１００Ｖを６０秒間印加した後に、一対の外部電極間
の抵抗値を測定し、この測定値と寸法とに基づいて計算
で求めた。 (D) 交流電圧２００Ｖ／ｍｍでの誘電損失ｔａｎδ
（％）は、温度２０℃、周波数１ｋＨｚ、電圧（実行
値）３．０Ｖの条件で測定した。 (E) 静電容量の温度特性は、恒温槽中に試料を入れ、−
５５℃，−２５℃，０℃，＋２０℃，＋２５℃，＋５０
℃，＋８５℃，＋１１０℃，＋１２５℃の各温度におい
て、周波数１ｋＨｚ、電圧（実効値）１．０Ｖの条件で
静電容量を測定し、温度２０℃及び２５℃における静電
容量に対して各温度の静電容量の変化率を求めることに
より得た。
圧（実効値）１．０Ｖの条件で静電容量を測定し、この
測定値と、一対の内部電極の対向面積２５ｍｍ 2 と、一
対の内部電極間の誘電体磁器層の厚さ０．０１５ｍｍか
ら計算で求めた。 (B) 誘電体損失ｔａｎδ（％）は、上記した比誘電率の
測定の場合と同一の条件で測定した。 (C) 抵抗率ρ（ＭΩ・ｃｍ）は、温度２０℃においてＤ
Ｃ１００Ｖを６０秒間印加した後に、一対の外部電極間
の抵抗値を測定し、この測定値と寸法とに基づいて計算
で求めた。 (D) 交流電圧２００Ｖ／ｍｍでの誘電損失ｔａｎδ
（％）は、温度２０℃、周波数１ｋＨｚ、電圧（実行
値）３．０Ｖの条件で測定した。 (E) 静電容量の温度特性は、恒温槽中に試料を入れ、−
５５℃，−２５℃，０℃，＋２０℃，＋２５℃，＋５０
℃，＋８５℃，＋１１０℃，＋１２５℃の各温度におい
て、周波数１ｋＨｚ、電圧（実効値）１．０Ｖの条件で
静電容量を測定し、温度２０℃及び２５℃における静電
容量に対して各温度の静電容量の変化率を求めることに
より得た。
【００５５】以上、試料番号１の試料の場合について述
べたが、試料番号２〜８９についても、基本成分の組成
を表３〜表３及び表４〜表４に示すように変
え、添加成分の組成及び割合を表５〜表５に示すよ
うに変えた他は、試料番号１の試料の場合と全く同一の
条件で積層磁器コンデンサを作成し、同一の方法で電気
的特性を測定した。試料番号１〜８９の試料の場合の焼
成温度及び電気的特性は表６〜表６に示す通りとな
った。
べたが、試料番号２〜８９についても、基本成分の組成
を表３〜表３及び表４〜表４に示すように変
え、添加成分の組成及び割合を表５〜表５に示すよ
うに変えた他は、試料番号１の試料の場合と全く同一の
条件で積層磁器コンデンサを作成し、同一の方法で電気
的特性を測定した。試料番号１〜８９の試料の場合の焼
成温度及び電気的特性は表６〜表６に示す通りとな
った。
【００５６】なお、表３〜表３及び表４〜表４
には、各試料の基本成分の組成及びその割合が示されて
いる。すなわち、ｘ，ｙ，ｋは、前述した基本成分の組
成式（２）中の各元素の原子数の割合、すなわち、Ｔｉ
の原子数を１とした場合の各元素の原子数の割合を示
す。また、１−ｚ及びｚは、前述した基本成分の組成式
（４）の各元素の原子数の割合を示す。また、α，β
は、前述した基本成分の組成式（１）の各酸化物の原子
数の割合、すなわち、前述した基本成分の組成式（１）
中の第１項、第２項及び第３項の(1−γ)(Bak-(x+y)MxL
y)OkTiO2 +γ(R1-zR'z)O3/2 の分子数を１とした場合の
各酸化物の原子数の割合を示す。
には、各試料の基本成分の組成及びその割合が示されて
いる。すなわち、ｘ，ｙ，ｋは、前述した基本成分の組
成式（２）中の各元素の原子数の割合、すなわち、Ｔｉ
の原子数を１とした場合の各元素の原子数の割合を示
す。また、１−ｚ及びｚは、前述した基本成分の組成式
（４）の各元素の原子数の割合を示す。また、α，β
は、前述した基本成分の組成式（１）の各酸化物の原子
数の割合、すなわち、前述した基本成分の組成式（１）
中の第１項、第２項及び第３項の(1−γ)(Bak-(x+y)MxL
y)OkTiO2 +γ(R1-zR'z)O3/2 の分子数を１とした場合の
各酸化物の原子数の割合を示す。
【００５７】また、ｘの欄のＭｇ，Ｚｎは、前述した基
本成分の組成式（１）中のＭの内容を示し、ｙの欄のＣ
ａ，Ｓｒは、基本成分の組成式（１）中のＬの内容を示
し、、１−ｚの欄のＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓ
ｍ及びＥｕは前述した基本成分の組成式（１）のＲの内
容を示し、ｚの欄のＳｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈ
ｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕは前述した基本成分の組
成式（１）中のＲ’の内容を示し、αの欄のＰ，Ｖは、
前述した基本成分の組成式（１）中のＡの内容を示し、
βの欄のＣｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉは、前述した基
本成分の組成式（１）中のＤの内容を示している。
本成分の組成式（１）中のＭの内容を示し、ｙの欄のＣ
ａ，Ｓｒは、基本成分の組成式（１）中のＬの内容を示
し、、１−ｚの欄のＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓ
ｍ及びＥｕは前述した基本成分の組成式（１）のＲの内
容を示し、ｚの欄のＳｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈ
ｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕは前述した基本成分の組
成式（１）中のＲ’の内容を示し、αの欄のＰ，Ｖは、
前述した基本成分の組成式（１）中のＡの内容を示し、
βの欄のＣｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉは、前述した基
本成分の組成式（１）中のＤの内容を示している。
【００５８】また、表５〜表５には、各々の試料に
ついての添加成分の組成及びその割合が示されている。
表５〜表５の添加成分の添加量は、基本成分１００
重量部に対する重量部で示されており、添加成分のＭＯ
の欄には、ＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯ
の割合がモル％で示されている。
ついての添加成分の組成及びその割合が示されている。
表５〜表５の添加成分の添加量は、基本成分１００
重量部に対する重量部で示されており、添加成分のＭＯ
の欄には、ＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯ
の割合がモル％で示されている。
【００５９】また、表６〜表６には、各々の試料に
ついての焼成温度及び積層磁器コンデンサの電気的特性
が示されている。表６〜表６において、静電容量の
温度特性は、２５℃の静電容量を基準にした−５５℃お
よび＋１２５℃の静電容量の変化率を△Ｃ-55 （％）お
よび△Ｃ125 （％）で、２０℃の静電容量を基準にした
−２５℃および＋８５℃の静電容量の変化率を△Ｃ-25
（％）および△Ｃ85（％）で示されている。
ついての焼成温度及び積層磁器コンデンサの電気的特性
が示されている。表６〜表６において、静電容量の
温度特性は、２５℃の静電容量を基準にした−５５℃お
よび＋１２５℃の静電容量の変化率を△Ｃ-55 （％）お
よび△Ｃ125 （％）で、２０℃の静電容量を基準にした
−２５℃および＋８５℃の静電容量の変化率を△Ｃ-25
（％）および△Ｃ85（％）で示されている。
【００６０】
【表３】
【００６１】
【表３】
【００６２】
【表３】
【００６３】
【表３】
【００６４】
【表３】
【００６５】
【表３】
【００６６】
【表４】
【００６７】
【表４】
【００６８】
【表４】
【００６９】
【表４】
【００７０】
【表４】
【００７１】
【表４】
【００７２】
【表５】
【００７３】
【表５】
【００７４】
【表５】
【００７５】
【表５】
【００７６】
【表５】
【００７７】
【表５】
【００７８】
【表６】
【００７９】
【表６】
【００８０】
【表６】
【００８１】
【表６】
【００８２】
【表６】
【００８３】
【表６】
【００８４】以上の結果から明らかなように、本発明に
従う試料によれば、非酸化性雰囲気中における１２００
℃以下の焼成により、誘電体磁器層の比誘電率εs が３
３００以上、ｔａｎδが２．５％以下、抵抗率ρが４．
０×１０6 ＭΩ・ｃｍ以上、交流電圧２００Ｖ／ｍｍに
おけるｔａｎδが３．０％以下、静電容量の温度変化率
△Ｃ-55 及び△Ｃ125 が−１５％〜＋１５％、△Ｃ-25
及び△Ｃ85が−１０％〜＋１０％の範囲の電気的特性を
有する磁器コンデンサを得ることができるものである。
従う試料によれば、非酸化性雰囲気中における１２００
℃以下の焼成により、誘電体磁器層の比誘電率εs が３
３００以上、ｔａｎδが２．５％以下、抵抗率ρが４．
０×１０6 ＭΩ・ｃｍ以上、交流電圧２００Ｖ／ｍｍに
おけるｔａｎδが３．０％以下、静電容量の温度変化率
△Ｃ-55 及び△Ｃ125 が−１５％〜＋１５％、△Ｃ-25
及び△Ｃ85が−１０％〜＋１０％の範囲の電気的特性を
有する磁器コンデンサを得ることができるものである。
【００８５】これに対し、試料番号２，５，６，９，１
０，１３，２３，２８，２９，３１，３２，３４，３
８，３９，４４，４５，４９，６２〜６７，７４〜７８
及び８３の試料によれば、所望の電気的特性を有する磁
器コンデンサを得ることができない。従って、これらの
試料番号の試料は本発明の範囲外のものである。
０，１３，２３，２８，２９，３１，３２，３４，３
８，３９，４４，４５，４９，６２〜６７，７４〜７８
及び８３の試料によれば、所望の電気的特性を有する磁
器コンデンサを得ることができない。従って、これらの
試料番号の試料は本発明の範囲外のものである。
【００８６】なお、表６〜表６には静電容量の温度
変化率△Ｃ-55 ，△Ｃ125 ，△Ｃ-2 5 ，△Ｃ85のみが表
示されているが、本発明に従う試料では、−２５℃〜＋
８５℃の範囲の静電容量の温度変化率△Ｃは、−１０％
〜＋１０％の範囲に収まっており、又、−５５℃〜＋１
２５℃の範囲の静電容量の温度変化率△Ｃは、−１５％
〜＋１５％の範囲に収まっている。
変化率△Ｃ-55 ，△Ｃ125 ，△Ｃ-2 5 ，△Ｃ85のみが表
示されているが、本発明に従う試料では、−２５℃〜＋
８５℃の範囲の静電容量の温度変化率△Ｃは、−１０％
〜＋１０％の範囲に収まっており、又、−５５℃〜＋１
２５℃の範囲の静電容量の温度変化率△Ｃは、−１５％
〜＋１５％の範囲に収まっている。
【００８７】次に、本発明に係る磁器コンデンサに用い
られている誘電体磁器組成物の組成範囲の限定理由につ
いて、表３〜表３、表４〜表４、表５〜表５
及び表６〜表６に示す実験結果を参照しながら説
明する。
られている誘電体磁器組成物の組成範囲の限定理由につ
いて、表３〜表３、表４〜表４、表５〜表５
及び表６〜表６に示す実験結果を参照しながら説
明する。
【００８８】まず、αの値は、試料番号２，６に示すよ
うに、α＝０．０００２の場合は、交流電圧２００Ｖ／
ｍｍにおけるｔａｎδが３．０％以上になってしまう
が、試料番号３，７に示すように、α＝０．０００５の
場合には、所望の電気的特性が得られる。また、試料番
号５，９に示すように、α＝０．０１１の場合は、抵抗
率ρが４．０×１０6 ＭΩ・ｃｍより小さくなり、静電
容量の温度変化率△Ｃ-5 5 ，△Ｃ125 が−１５％〜＋１
５％からはずれ、△Ｃ-25 ，△Ｃ85が−１０％〜＋１０
％からはずれるが、試料番号４，８に示すように、α＝
０．０１の場合には、所望の電気的特性が得られる。従
って、αの範囲は、０．０００５≦α≦０．０１でなけ
ればならない。
うに、α＝０．０００２の場合は、交流電圧２００Ｖ／
ｍｍにおけるｔａｎδが３．０％以上になってしまう
が、試料番号３，７に示すように、α＝０．０００５の
場合には、所望の電気的特性が得られる。また、試料番
号５，９に示すように、α＝０．０１１の場合は、抵抗
率ρが４．０×１０6 ＭΩ・ｃｍより小さくなり、静電
容量の温度変化率△Ｃ-5 5 ，△Ｃ125 が−１５％〜＋１
５％からはずれ、△Ｃ-25 ，△Ｃ85が−１０％〜＋１０
％からはずれるが、試料番号４，８に示すように、α＝
０．０１の場合には、所望の電気的特性が得られる。従
って、αの範囲は、０．０００５≦α≦０．０１でなけ
ればならない。
【００８９】なお、Ａ成分のＰとＶはほぼ同様に働き、
０．０００５≦α≦０．０１を満足する範囲ではＰとＶ
のうち一方または両方を使用することができる。
０．０００５≦α≦０．０１を満足する範囲ではＰとＶ
のうち一方または両方を使用することができる。
【００９０】次に、βの値は、試料番号１０に示すよう
に、β＝０．０００２の場合は、交流電圧２００Ｖ／ｍ
ｍにおけるｔａｎδが３．０％以上になってしまうが、
試料番号１１に示すように、β＝０．０００５の場合に
は、所望の電気的特性が得られる。また、試料番号１３
に示すように、β＝０．０１１の場合は、比誘電率が３
３００以下になってしまうが、試料番号１２に示すよう
に、β＝０．０１の場合には、所望の電気的特性が得ら
れる。従って、βの範囲は、０．０００５≦β≦０．０
１でなければならない。
に、β＝０．０００２の場合は、交流電圧２００Ｖ／ｍ
ｍにおけるｔａｎδが３．０％以上になってしまうが、
試料番号１１に示すように、β＝０．０００５の場合に
は、所望の電気的特性が得られる。また、試料番号１３
に示すように、β＝０．０１１の場合は、比誘電率が３
３００以下になってしまうが、試料番号１２に示すよう
に、β＝０．０１の場合には、所望の電気的特性が得ら
れる。従って、βの範囲は、０．０００５≦β≦０．０
１でなければならない。
【００９１】なお、Ｄ成分のＣｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，
Ｎｉの酸化物はそれぞれほぼ同様に働き、これらから選
択された一つを使用しても、また複数を組み合わせて使
用しても同様な効果が得られるものである。
Ｎｉの酸化物はそれぞれほぼ同様に働き、これらから選
択された一つを使用しても、また複数を組み合わせて使
用しても同様な効果が得られるものである。
【００９２】次に、γの値は、試料番号３９に示すよう
に、γ＝０の場合は、静電容量の温度変化率ΔＣ-55 が
−１５％〜＋１５％から外れ、ΔＣ-25 が−１０％〜＋
１０％から外れてしまうが、試料番号４０に示すよう
に、γ＝０．００２の場合には、所望の電気的特性が得
られる。また、試料番号４４に示すように、γ＝０．０
７の場合には、所望の電気的特性を有する緻密な焼結体
が得られないが、試料番号４３に示すように、γ＝０．
０６の場合には、所望の電気的特性が得られる。従っ
て、γの範囲は、０．００２≦γ≦０．０６でなければ
ならない。
に、γ＝０の場合は、静電容量の温度変化率ΔＣ-55 が
−１５％〜＋１５％から外れ、ΔＣ-25 が−１０％〜＋
１０％から外れてしまうが、試料番号４０に示すよう
に、γ＝０．００２の場合には、所望の電気的特性が得
られる。また、試料番号４４に示すように、γ＝０．０
７の場合には、所望の電気的特性を有する緻密な焼結体
が得られないが、試料番号４３に示すように、γ＝０．
０６の場合には、所望の電気的特性が得られる。従っ
て、γの範囲は、０．００２≦γ≦０．０６でなければ
ならない。
【００９３】次に、ｘ＋ｙの値は、試料番号２３に示す
ように、ｘ＋ｙ＝０の場合には、静電容量の温度変化率
△Ｃ-55 が−１５％〜＋１５％からはずれるが、試料番
号２４，２５に示すように、ｘ＋ｙ＝０．０１の場合に
は所望の電気的特性が得られる。また試料番号２９，３
１に示すように、ｘ＋ｙ＝０．１１の場合には、静電容
量の温度変化率△Ｃ85が−１０％〜＋１０％からはずれ
てしまうが、試料番号３３に示すように、ｘ＋ｙ＝０．
１０の場合には所望の電気的特性が得られる。ただし、
試料番号２８，３２に示すように、ｘ＋ｙ≦０．１０で
あっても、ｙの値が０．０５を越えると静電容量の温度
変化率△Ｃ85が−１０％〜＋１０％からはずれてしま
う。従って、ｘ＋ｙの範囲は、０．０１≦ｘ＋ｙ≦０．
１０であるが、同時に、ｙ≦０．０５でなければならな
い。
ように、ｘ＋ｙ＝０の場合には、静電容量の温度変化率
△Ｃ-55 が−１５％〜＋１５％からはずれるが、試料番
号２４，２５に示すように、ｘ＋ｙ＝０．０１の場合に
は所望の電気的特性が得られる。また試料番号２９，３
１に示すように、ｘ＋ｙ＝０．１１の場合には、静電容
量の温度変化率△Ｃ85が−１０％〜＋１０％からはずれ
てしまうが、試料番号３３に示すように、ｘ＋ｙ＝０．
１０の場合には所望の電気的特性が得られる。ただし、
試料番号２８，３２に示すように、ｘ＋ｙ≦０．１０で
あっても、ｙの値が０．０５を越えると静電容量の温度
変化率△Ｃ85が−１０％〜＋１０％からはずれてしま
う。従って、ｘ＋ｙの範囲は、０．０１≦ｘ＋ｙ≦０．
１０であるが、同時に、ｙ≦０．０５でなければならな
い。
【００９４】なお、Ｍ成分のＭｇとＺｎ及びＬ成分のＣ
ａとＳｒはほぼ同様に働き、０≦ｘ≦０．１０を満足す
る範囲ではＭｇとＺｎのうち一方または両方を使用する
こと、また、０≦ｙ≦０．０５を満足する範囲でＣａと
Ｓｒのうち一方または両方を使用することができる。し
かるに、Ｍ成分及びＬ成分の１種または複数種のいずれ
の場合においてもｘ＋ｙの値は０．０１〜０．１０の範
囲にしなければならない。
ａとＳｒはほぼ同様に働き、０≦ｘ≦０．１０を満足す
る範囲ではＭｇとＺｎのうち一方または両方を使用する
こと、また、０≦ｙ≦０．０５を満足する範囲でＣａと
Ｓｒのうち一方または両方を使用することができる。し
かるに、Ｍ成分及びＬ成分の１種または複数種のいずれ
の場合においてもｘ＋ｙの値は０．０１〜０．１０の範
囲にしなければならない。
【００９５】次に、ｋの値は、試料番号３４に示すよう
に、ｋ＜１．００の場合には、抵抗率ρが４．０×１０
6 ＭΩ・ｃｍより大幅に小さくなり、静電容量の温度変
化率△Ｃ-55 ，△Ｃ125 が−１５％〜＋１５％からはず
れ、△Ｃ-25 ，△Ｃ85が−１０％〜＋１０％からはずれ
てしまうが、試料番号３５に示すように、ｋ＝１．００
の場合には、所望の電気的特性が得られる。一方、ｋの
値が、試料番号３８に示すように、ｋ＞１．０５の場合
には緻密な焼結体が得られなくなってしまうが、試料番
号３７に示すように、ｋ＝１．０５の場合には、所望の
電気的特性が得られる。従って、ｋの範囲は、１．００
≦ｋ≦１．０５である。
に、ｋ＜１．００の場合には、抵抗率ρが４．０×１０
6 ＭΩ・ｃｍより大幅に小さくなり、静電容量の温度変
化率△Ｃ-55 ，△Ｃ125 が−１５％〜＋１５％からはず
れ、△Ｃ-25 ，△Ｃ85が−１０％〜＋１０％からはずれ
てしまうが、試料番号３５に示すように、ｋ＝１．００
の場合には、所望の電気的特性が得られる。一方、ｋの
値が、試料番号３８に示すように、ｋ＞１．０５の場合
には緻密な焼結体が得られなくなってしまうが、試料番
号３７に示すように、ｋ＝１．０５の場合には、所望の
電気的特性が得られる。従って、ｋの範囲は、１．００
≦ｋ≦１．０５である。
【００９６】次に、ｚの値は、試料番号４５に示すよう
に、ｚ＝０．４の場合には、ｔａｎδが２．５％以上に
なり、交流電圧２００Ｖ／ｍｍにおけるｔａｎδが３．
０％以上になり、抵抗率ρが４．０×１０6 ＭΩ・ｃｍ
より小さくなり、静電容量の温度変化率△Ｃ-55 ，△Ｃ
125 が−１５％〜＋１５％からはずれ、△Ｃ-25 ，△Ｃ
85が−１０％〜＋１０％からはずれてしまうが、試料番
号４６に示すように、ｚ＝０．５の場合には所望の電気
的特性が得られる。また、試料番号４９に示すように、
ｚ＝０．９５の場合には、比誘電率が３３００以下にな
ってしまうが、試料番号４８に示すように、ｚ＝０．９
の場合には、所望の電気的特性が得られる。従って、ｚ
の範囲は、０．５≦ｚ≦０．９である。
に、ｚ＝０．４の場合には、ｔａｎδが２．５％以上に
なり、交流電圧２００Ｖ／ｍｍにおけるｔａｎδが３．
０％以上になり、抵抗率ρが４．０×１０6 ＭΩ・ｃｍ
より小さくなり、静電容量の温度変化率△Ｃ-55 ，△Ｃ
125 が−１５％〜＋１５％からはずれ、△Ｃ-25 ，△Ｃ
85が−１０％〜＋１０％からはずれてしまうが、試料番
号４６に示すように、ｚ＝０．５の場合には所望の電気
的特性が得られる。また、試料番号４９に示すように、
ｚ＝０．９５の場合には、比誘電率が３３００以下にな
ってしまうが、試料番号４８に示すように、ｚ＝０．９
の場合には、所望の電気的特性が得られる。従って、ｚ
の範囲は、０．５≦ｚ≦０．９である。
【００９７】なお、Ｒ成分のＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，
Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕ、Ｒ’成分のＳｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｔ
ｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕはそれぞれ
ほぼ同様に働き、これらから選択された一つを使用して
も、または複数を組み合わせて使用しても同様な効果が
得られるものである。
Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕ、Ｒ’成分のＳｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｔ
ｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕはそれぞれ
ほぼ同様に働き、これらから選択された一つを使用して
も、または複数を組み合わせて使用しても同様な効果が
得られるものである。
【００９８】次に、添加成分の好ましい範囲について検
討する。まず、添加成分がＬｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 −ＭＯの
場合、添加成分の好ましい組成範囲は、Ｌｉ2 Ｏ−Ｓｉ
Ｏ2 −ＭＯの組成比をモル％で示す図２の三角図に基づ
いて決定することができる。
討する。まず、添加成分がＬｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 −ＭＯの
場合、添加成分の好ましい組成範囲は、Ｌｉ2 Ｏ−Ｓｉ
Ｏ2 −ＭＯの組成比をモル％で示す図２の三角図に基づ
いて決定することができる。
【００９９】この三角図（図２）における第一の点Ａ
は、試料番号５２に示すように、Ｌｉ2 Ｏが１モル％、
ＳｉＯ2 が８０モル％、ＭＯが１９モル％の組成を示
し、第二の点Ｂは、試料番号５３に示すように、Ｌｉ2
Ｏが１モル％、ＳｉＯ2 が３９モル％、ＭＯが６０モル
％の組成を示し、第三の点Ｃは、試料番号５４に示すよ
うに、Ｌｉ2 Ｏが３０モル％、ＳｉＯ2 が３０モル％、
ＭＯが４０モル％の組成を示し、第四の点Ｄは、試料番
号５５に示すように、Ｌｉ2 Ｏが５０モル％、ＳｉＯ2
が５０モル％、ＭＯが０モル％の組成を示し、第五の点
Ｅは、試料番号５６に示すように、Ｌｉ2 Ｏが２０モル
％、ＳｉＯ2 が８０モル％、ＭＯが０モル％の組成を示
す。
は、試料番号５２に示すように、Ｌｉ2 Ｏが１モル％、
ＳｉＯ2 が８０モル％、ＭＯが１９モル％の組成を示
し、第二の点Ｂは、試料番号５３に示すように、Ｌｉ2
Ｏが１モル％、ＳｉＯ2 が３９モル％、ＭＯが６０モル
％の組成を示し、第三の点Ｃは、試料番号５４に示すよ
うに、Ｌｉ2 Ｏが３０モル％、ＳｉＯ2 が３０モル％、
ＭＯが４０モル％の組成を示し、第四の点Ｄは、試料番
号５５に示すように、Ｌｉ2 Ｏが５０モル％、ＳｉＯ2
が５０モル％、ＭＯが０モル％の組成を示し、第五の点
Ｅは、試料番号５６に示すように、Ｌｉ2 Ｏが２０モル
％、ＳｉＯ2 が８０モル％、ＭＯが０モル％の組成を示
す。
【０１００】試料番号５２〜６１に示されるように、添
加成分の組成範囲が、Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 −ＭＯの組成
比をモル％で示す三角図（図２）の第一〜五の点Ａ〜Ｅ
を順に結ぶ５本の直線で囲まれた範囲内であれば所望の
電気的特性を得ることができるが、試料番号６２〜６７
に示されるように、添加成分の組成を上記範囲外とすれ
ば、緻密な焼結体を得ることができない。
加成分の組成範囲が、Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 −ＭＯの組成
比をモル％で示す三角図（図２）の第一〜五の点Ａ〜Ｅ
を順に結ぶ５本の直線で囲まれた範囲内であれば所望の
電気的特性を得ることができるが、試料番号６２〜６７
に示されるように、添加成分の組成を上記範囲外とすれ
ば、緻密な焼結体を得ることができない。
【０１０１】次に、添加成分がＢ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｍ
Ｏの場合、添加成分の好ましい組成範囲は、Ｂ2 Ｏ3 −
ＳｉＯ2 −ＭＯの組成比をモル％で示す図３の三角図に
基づいて決定することができる。
Ｏの場合、添加成分の好ましい組成範囲は、Ｂ2 Ｏ3 −
ＳｉＯ2 −ＭＯの組成比をモル％で示す図３の三角図に
基づいて決定することができる。
【０１０２】この三角図（図３）における第六の点Ｆ
は、試料番号６８に示すように、Ｂ2Ｏ3 が１モル％、
ＳｉＯ2 が８０モル％、ＭＯが１９モル％の組成を示
し、第七の点Ｇは、試料番号６９に示すように、Ｂ2 Ｏ
3 が１モル％、ＳｉＯ2 が３９モル％、ＭＯが６０モル
％の組成を示し、第八の点Ｈは、試料番号７０に示すよ
うに、Ｂ2 Ｏ3 が２９モル％、ＳｉＯ2 が１モル％、Ｍ
Ｏが７０モル％の組成を示し、第九の点Ｉは、試料番号
７１に示すように、Ｂ2 Ｏ3 が９０モル％、ＳｉＯ2 が
１モル％、ＭＯが９モル％の組成を示し、第十の点Ｊ
は、試料番号７２に示すように、Ｂ2 Ｏ3 が９０モル
％、ＳｉＯ2 が９モル％、ＭＯが１モル％の組成を示
し、第十一の点Ｋは、試料番号７３に示すように、Ｂ2
Ｏ3 が１９モル％、ＳｉＯ2 が８０モル％、ＭＯが１モ
ル％の組成を示す。
は、試料番号６８に示すように、Ｂ2Ｏ3 が１モル％、
ＳｉＯ2 が８０モル％、ＭＯが１９モル％の組成を示
し、第七の点Ｇは、試料番号６９に示すように、Ｂ2 Ｏ
3 が１モル％、ＳｉＯ2 が３９モル％、ＭＯが６０モル
％の組成を示し、第八の点Ｈは、試料番号７０に示すよ
うに、Ｂ2 Ｏ3 が２９モル％、ＳｉＯ2 が１モル％、Ｍ
Ｏが７０モル％の組成を示し、第九の点Ｉは、試料番号
７１に示すように、Ｂ2 Ｏ3 が９０モル％、ＳｉＯ2 が
１モル％、ＭＯが９モル％の組成を示し、第十の点Ｊ
は、試料番号７２に示すように、Ｂ2 Ｏ3 が９０モル
％、ＳｉＯ2 が９モル％、ＭＯが１モル％の組成を示
し、第十一の点Ｋは、試料番号７３に示すように、Ｂ2
Ｏ3 が１９モル％、ＳｉＯ2 が８０モル％、ＭＯが１モ
ル％の組成を示す。
【０１０３】試料番号６８〜７３に示されるように、添
加成分の組成範囲が、Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −ＭＯの組成
比をモル％で示す三角図（図３）の第六〜十一の点Ｆ〜
Ｋを順に結ぶ６本の直線で囲まれた範囲内であれば所望
の電気的特性を得ることができるが、試料番号７４〜７
７に示されるように、添加成分の組成を上記範囲外とす
れば、緻密な焼結体を得ることができない。
加成分の組成範囲が、Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −ＭＯの組成
比をモル％で示す三角図（図３）の第六〜十一の点Ｆ〜
Ｋを順に結ぶ６本の直線で囲まれた範囲内であれば所望
の電気的特性を得ることができるが、試料番号７４〜７
７に示されるように、添加成分の組成を上記範囲外とす
れば、緻密な焼結体を得ることができない。
【０１０４】なお、ＭＯの成分は、試料番号８４〜８８
に示されるように、ＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ，
ＺｎＯのいずれか１種であってもよいし、他の試料に示
すように２種以上の適当な比率であってもよい。
に示されるように、ＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ，
ＺｎＯのいずれか１種であってもよいし、他の試料に示
すように２種以上の適当な比率であってもよい。
【０１０５】次に、添加成分の添加量の値は、試料番号
７８に示すように、添加量が０重量部の場合には、その
焼成温度が１２５０℃であっても、緻密な焼結体は得ら
れないが、試料番号７９に示すように、添加量が基本成
分１００重量部に対して０．２重量部の場合には、１１
９０℃の焼成温度で所望の電気的特性が得られる。一
方、試料番号８３に示すように、添加成分の添加量が、
基本成分１００重量部に呈して７．０重量部の場合に
は、比誘電率が３３００未満となり、静電容量の温度変
化率△Ｃ-55 が−１５％〜＋１５％からはずれてしまう
が、試料番号８２に示すように、添加成分の添加量が、
基本成分１００重量部に対して５．０重量部の場合に
は、所望の電気的特性を得ることができる。従って、添
加成分の添加量は、基本成分１００重量部に対して０．
２〜５．０重量部の範囲である。
７８に示すように、添加量が０重量部の場合には、その
焼成温度が１２５０℃であっても、緻密な焼結体は得ら
れないが、試料番号７９に示すように、添加量が基本成
分１００重量部に対して０．２重量部の場合には、１１
９０℃の焼成温度で所望の電気的特性が得られる。一
方、試料番号８３に示すように、添加成分の添加量が、
基本成分１００重量部に呈して７．０重量部の場合に
は、比誘電率が３３００未満となり、静電容量の温度変
化率△Ｃ-55 が−１５％〜＋１５％からはずれてしまう
が、試料番号８２に示すように、添加成分の添加量が、
基本成分１００重量部に対して５．０重量部の場合に
は、所望の電気的特性を得ることができる。従って、添
加成分の添加量は、基本成分１００重量部に対して０．
２〜５．０重量部の範囲である。
【０１０６】なお、以上の説明では、添加成分として、
Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 −ＭＯ又はＢ2Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｍ
Ｏを単独で用いているが、試料番号８９に示すように、
基本成分１００重量部に対して０．２〜５．０重量部の
範囲であれば、これら２種類の添加成分を混合して用い
ても同様の効果を示す。
Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 −ＭＯ又はＢ2Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｍ
Ｏを単独で用いているが、試料番号８９に示すように、
基本成分１００重量部に対して０．２〜５．０重量部の
範囲であれば、これら２種類の添加成分を混合して用い
ても同様の効果を示す。
【０１０７】
【発明の効果】本発明によれば、誘電体磁器層の比誘電
率εs が３３００以上、誘電損失ｔａｎδが２．５％以
下、抵抗率ρが４．０×１０6 ＭΩ・ｃｍ以上、交流電
圧２００Ｖ／ｍｍにおける誘電損失ｔａｎδが３．０％
以下であり、且つ、静電容量の温度変化率が−５５℃〜
１２５℃で−１５％〜＋１５％（２５℃を基準）、−２
５℃〜８５℃で−１０％〜＋１０％（２０℃を基準）の
範囲に収まる磁器コンデンサを提供することができると
いう効果がある。
率εs が３３００以上、誘電損失ｔａｎδが２．５％以
下、抵抗率ρが４．０×１０6 ＭΩ・ｃｍ以上、交流電
圧２００Ｖ／ｍｍにおける誘電損失ｔａｎδが３．０％
以下であり、且つ、静電容量の温度変化率が−５５℃〜
１２５℃で−１５％〜＋１５％（２５℃を基準）、−２
５℃〜８５℃で−１０％〜＋１０％（２０℃を基準）の
範囲に収まる磁器コンデンサを提供することができると
いう効果がある。
【０１０８】特に、本発明によれば、交流電圧２００Ｖ
／ｍｍにおける誘電損失ｔａｎδが３．０％以下と良好
になるので、誘電体磁器層を薄膜化した場合の誘電損失
の増大を抑制することができ、従って、小型大容量の磁
器コンデンサを提供することができるという効果があ
る。
／ｍｍにおける誘電損失ｔａｎδが３．０％以下と良好
になるので、誘電体磁器層を薄膜化した場合の誘電損失
の増大を抑制することができ、従って、小型大容量の磁
器コンデンサを提供することができるという効果があ
る。
【０１０９】また、本発明によれば、磁器コンデンサの
誘電体層を構成している誘電体磁器組成物を非酸化性雰
囲気中の焼成によって形成させるので、内部電極をニッ
ケル等の安価な卑金属の導電性ペーストで形成すること
ができ、従って、安価な磁器コンデンサを提供すること
ができるという効果がある。
誘電体層を構成している誘電体磁器組成物を非酸化性雰
囲気中の焼成によって形成させるので、内部電極をニッ
ケル等の安価な卑金属の導電性ペーストで形成すること
ができ、従って、安価な磁器コンデンサを提供すること
ができるという効果がある。
【図１】本発明の実施例に係る積層磁器コンデンサの断
面図である。
面図である。
【図２】本発明に係る磁器コンデンサの誘電体層を構成
する誘電体磁器組成物の添加成分（Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2
−ＭＯ）の組成範囲を示す三角図である。
する誘電体磁器組成物の添加成分（Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2
−ＭＯ）の組成範囲を示す三角図である。
【図３】本発明に係る磁器コンデンサの誘電体層を構成
する誘電体磁器組成物の添加成分（Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2
−ＭＯ）の組成範囲を示す三角図である。
する誘電体磁器組成物の添加成分（Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2
−ＭＯ）の組成範囲を示す三角図である。
１２ 誘電体磁器層 １４ 内部電極 １５ 積層焼結体チップ １６ 外部電極 １８ 亜鉛電極層 ２０ 銅層 ２２ Ｐｂ−Ｓｎ半田層
【表３○１】
【表３○２】
【表３○３】
【表３○４】
【表３○５】
【表３○６】
【表４○１】
【表４○２】
【表４○３】
【表４○４】
【表４○５】
【表４○６】
【表５○１】
【表５○２】
【表５○３】
【表５○４】
【表５○５】
【表５○６】
【表６○１】
【表６○２】
【表６○３】
【表６○４】
【表６○５】
【表６○６】
フロントページの続き (72)発明者 岸 弘志 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽 誘電株式会社内 (56)参考文献 特開 平５−282918（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−282917（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−174710（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−177010（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−133116（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01G 4/12
Claims (4)
- 【請求項１】 誘電体磁器組成物からなる１又は２以上
の誘電体磁器層と、この誘電体磁器層を挟持している少
なくとも２以上の内部電極とを備えた磁器コンデンサに
おいて、 前記誘電体磁器組成物が、１００．０重量部の基本成分
と、０．２〜５．０重量部の添加成分との混合物を焼成
したものからなり、 前記基本成分が、(1−γ)(Bak-(x+y)MxLy)OkTiO2 +γ(R
1-zR'z)O3/2+αAO5/2+βＤ（但し、ＭはＭｇ及び／又は
Ｚｎ、ＬはＣａ及び／又はＳｒ、ＲはＬａ，Ｃｅ，Ｐ
ｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕから選択された１種又は
２種以上の元素、Ｒ’はＳｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，
Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕから選択された１種又
は２種以上の元素、ＡはＰ及び／又はＶ、ＤはＣｒ，Ｍ
ｎ，Ｆｅ，Ｃｏ及びＮｉから選択された１種又は２種以
上の酸化物、α，β，γ，ｋ，ｘ，ｙ及びｚは、 ０．０００５≦α≦０．０１ ０．０００５≦β≦０．０１ ０．００２≦γ≦０．０６ １．００≦ｋ≦１．０５ ０≦ｘ＜０．１０ ０≦ｙ≦０．０５ ０．０１≦ｘ＋ｙ≦０．１０ ０．５≦ｚ≦０．９ を満足する数値）で表わされる物質からなり、 前記添加成分がＬｉ2 ＯとＳｉＯ2 とＭＯ（但し、ＭＯ
はＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選択
された１種又は２種以上の酸化物）とからなり、 前記Ｌｉ2 Ｏと前記ＳｉＯ2 と前記ＭＯとの組成範囲
が、これらの組成をモル％で示す三角図における、 前記Ｌｉ2 Ｏが１モル％、前記ＳｉＯ2 が８０モル％、
前記ＭＯが１９モル％の組成を示す第一の点Ａと、 前記Ｌｉ2 Ｏが１モル％、前記ＳｉＯ2 が３９モル％、
前記ＭＯが６０モル％の組成を示す第二の点Ｂと、 前記Ｌｉ2 Ｏが３０モル％、前記ＳｉＯ2 が３０モル
％、前記ＭＯが４０モル％の組成を示す第三の点Ｃと、 前記Ｌｉ2 Ｏが５０モル％、前記ＳｉＯ2 が５０モル
％、前記ＭＯが０モル％の組成を示す第四の点Ｄと、 前記Ｌｉ2 Ｏが２０モル％、前記ＳｉＯ2 が８０モル
％、前記ＭＯが０モル％の組成を示す第五の点Ｅとをこ
の順に結ぶ５本の直線で囲まれた領域内にあることを特
徴とする磁器コンデンサ。 - 【請求項２】 誘電体磁器組成物からなる１又は２以上
の誘電体磁器層と、この誘電体磁器層を挟持している少
なくとも２以上の内部電極とを備えた磁器コンデンサに
おいて、 前記誘電体磁器組成物が、１００．０重量部の基本成分
と、０．２〜５．０重量部の添加成分との混合物を焼成
したものからなり、を満足する数値）で表わされる物質
からなり、 前記基本成分が、(1−γ)(Bak-(x+y)MxLy)OkTiO2 +γ(R
1-zR'z)O3/2+αAO5/2+βＤ（但し、ＭはＭｇ及び／又は
Ｚｎ、ＬはＣａ及び／又はＳｒ、ＲはＬａ，Ｃｅ，Ｐ
ｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕから選択された１種又は
２種以上の元素、Ｒ’はＳｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，
Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕから選択された１種又
は２種以上の元素、ＡはＰ及び／又はＶ、ＤはＣｒ，Ｍ
ｎ，Ｆｅ，Ｃｏ及びＮｉから選択された１種又は２種以
上の酸化物、α，β，γ，ｋ，ｘ，ｙ及びｚは、 ０．０００５≦α≦０．０１ ０．０００５≦β≦０．０１ ０．００２≦γ≦０．０６ １．００≦ｋ≦１．０５ ０≦ｘ＜０．１０ ０≦ｙ≦０．０５ ０．０１≦ｘ＋ｙ≦０．１０ ０．５≦ｚ≦０．９ 前記添加成分がＢ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 とＭＯ（但し、ＭＯ
はＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選択
された１種又は２種以上の酸化物）とからなり、 前記Ｂ2 Ｏ3 と前記ＳｉＯ2 と前記ＭＯとの組成範囲
が、これらの組成をモル％で示す三角図における、 前記Ｂ2 Ｏ3 ０が１モル％、前記ＳｉＯ2 が８０モル
％、前記ＭＯが１９モル％の組成を示す第六の点Ｆと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が１モル％、前記ＳｉＯ2 が３９モル％、
前記ＭＯが６０モル％の組成を示す第七の点Ｇと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が２９モル％、前記ＳｉＯ2 が１モル％、
前記ＭＯが７０モル％の組成を示す第八の点Ｈと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が９０モル％、前記ＳｉＯ2 が１モル％、
前記ＭＯが９モル％の組成を示す第九の点Ｉと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が９０モル％、前記ＳｉＯ2 が９モル％、
前記ＭＯが１モル％の組成を示す第十の点Ｊと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が１９モル％、前記ＳｉＯ2 が８０モル
％、前記ＭＯが１モル％の組成を示す第十一の点Ｋとを
この順に結ぶ６本の直線で囲まれた領域内にあることを
特徴とする磁器コンデンサ。 - 【請求項３】 未焼結の磁器粉末からなる混合物を調製
する工程と、前記混合物からなる未焼結磁器シートを形
成する工程と、前記未焼結磁器シートを少なくとも２以
上の導電性ペースト膜で挟持させた積層物を形成する工
程と、前記積層物を非酸化性雰囲気中において焼成する
工程と、前記焼成を受けた積層物を酸化性雰囲気中にお
いて熱処理する工程とを備え、 前記誘電体磁器組成物が、１００．０重量部の基本成分
と、０．２〜５．０重量部の添加成分との混合物を焼成
したものからなり、を満足する数値）で表わされる物質
からなり、 前記基本成分が、(1−γ)(Bak-(x+y)MxLy)OkTiO2 +γ(R
1-zR'z)O3/2+αAO5/2+βＤ（但し、ＭはＭｇ及び／又は
Ｚｎ、ＬはＣａ及び／又はＳｒ、ＲはＬａ，Ｃｅ，Ｐ
ｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕから選択された１種又は
２種以上の元素、Ｒ’はＳｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，
Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕから選択された１種又
は２種以上の元素、ＡはＰ及び／又はＶ、ＤはＣｒ，Ｍ
ｎ，Ｆｅ，Ｃｏ及びＮｉから選択された１種又は２種以
上の酸化物、α，β，γ，ｋ，ｘ，ｙ及びｚは、 ０．０００５≦α≦０．０１ ０．０００５≦β≦０．０１ ０．００２≦γ≦０．０６ １．００≦ｋ≦１．０５ ０≦ｘ＜０．１０ ０≦ｙ≦０．０５ ０．０１≦ｘ＋ｙ≦０．１０ ０．５≦ｚ≦０．９ 前記添加成分がＬｉ2 ＯとＳｉＯ2 とＭＯ（但し、ＭＯ
はＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選択
された１種又は２種以上の酸化物）とからなり、 前記Ｌｉ2 Ｏと前記ＳｉＯ2 と前記ＭＯとの組成範囲
が、これらの組成をモル％で示す三角図における、 前記Ｌｉ2 Ｏが１モル％、前記ＳｉＯ2 が８０モル％、
前記ＭＯが１９モル％の組成を示す第一の点Ａと、 前記Ｌｉ2 Ｏが１モル％、前記ＳｉＯ2 が３９モル％、
前記ＭＯが６０モル％の組成を示す第二の点Ｂと、 前記Ｌｉ2 Ｏが３０モル％、前記ＳｉＯ2 が３０モル
％、前記ＭＯが４０モル％の組成を示す第三の点Ｃと、 前記Ｌｉ2 Ｏが５０モル％、前記ＳｉＯ2 が５０モル
％、前記ＭＯが０モル％の組成を示す第四の点Ｄと、 前記Ｌｉ2 Ｏが２０モル％、前記ＳｉＯ2 が８０モル
％、前記ＭＯが０モル％の組成を示す第五の点Ｅとをこ
の順に結ぶ５本の直線で囲まれた領域内にあることを特
徴とする磁器コンデンサの製造方法。 - 【請求項４】 未焼結の磁器粉末からなる混合物を調製
する工程と、前記混合物からなる未焼結磁器シートを形
成する工程と、前記未焼結磁器シートを少なくとも２以
上の導電性ペースト膜で挟持させた積層物を形成する工
程と、前記積層物を非酸化性雰囲気中において焼成する
工程と、前記焼成を受けた積層物を酸化性雰囲気中にお
いて熱処理する工程とを備え、 前記誘電体磁器組成物が、１００．０重量部の基本成分
と、０．２〜５．０重量部の添加成分との混合物を焼成
したものからなり、を満足する数値）で表わされる物質
からなり、 前記基本成分が、(1−γ)(Bak-(x+y)MxLy)OkTiO2 +γ(R
1-zR'z)O3/2+αAO5/2+βＤ（但し、ＭはＭｇ及び／又は
Ｚｎ、ＬはＣａ及び／又はＳｒ、ＲはＬａ，Ｃｅ，Ｐ
ｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕから選択された１種又は
２種以上の元素、Ｒ’はＳｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，
Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕから選択された１種又
は２種以上の元素、ＡはＰ及び／又はＶ、ＤはＣｒ，Ｍ
ｎ，Ｆｅ，Ｃｏ及びＮｉから選択された１種又は２種以
上の酸化物、α，β，γ，ｋ，ｘ，ｙ及びｚは、 ０．０００５≦α≦０．０１ ０．０００５≦β≦０．０１ ０．００２≦γ≦０．０６ １．００≦ｋ≦１．０５ ０≦ｘ＜０．１０ ０≦ｙ≦０．０５ ０．０１≦ｘ＋ｙ≦０．１０ ０．５≦ｚ≦０．９ 前記添加成分がＢ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 とＭＯ（但し、ＭＯ
はＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選択
された１種又は２種以上の酸化物）とからなり、 前記Ｂ2 Ｏ3 と前記ＳｉＯ2 と前記ＭＯとの組成範囲
が、これらの組成をモル％で示す三角図における、 前記Ｂ2 Ｏ3 ０が１モル％、前記ＳｉＯ2 が８０モル
％、前記ＭＯが１９モル％の組成を示す第六の点Ｆと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が１モル％、前記ＳｉＯ2 が３９モル％、
前記ＭＯが６０モル％の組成を示す第七の点Ｇと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が２９モル％、前記ＳｉＯ2 が１モル％、
前記ＭＯが７０モル％の組成を示す第八の点Ｈと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が９０モル％、前記ＳｉＯ2 が１モル％、
前記ＭＯが９モル％の組成を示す第九の点Ｉと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が９０モル％、前記ＳｉＯ2 が９モル％、
前記ＭＯが１モル％の組成を示す第十の点Ｊと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が１９モル％、前記ＳｉＯ2 が８０モル
％、前記ＭＯが１モル％の組成を示す第十一の点Ｋとを
この順に結ぶ６本の直線で囲まれた領域内にあることを
特徴とする磁器コンデンサの製造方法。
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|---|---|---|---|
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08390594A JP3269910B2 (ja) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
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|---|---|
| JPH07272973A JPH07272973A (ja) | 1995-10-20 |
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|---|---|---|---|
| JP08390594A Expired - Fee Related JP3269910B2 (ja) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| JP3180690B2 (ja) * | 1996-07-19 | 2001-06-25 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
| JP3039417B2 (ja) * | 1997-02-07 | 2000-05-08 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
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| JP3599645B2 (ja) * | 2000-07-27 | 2004-12-08 | 三星電機株式会社 | 誘電体磁器組成物とそれを用いた磁器コンデンサ及びその製造方法 |
| JP4392821B2 (ja) * | 2000-10-24 | 2010-01-06 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミックおよびその製造方法ならびに積層セラミックコンデンサ |
| JP2002284571A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-03 | Kyocera Corp | 温度特性及びｄｃバイアス特性に優れた誘電体磁器 |
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