JP3250366B2 - 圧電発振器 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路と圧電
振動子及び電子部品を内蔵した、特に通信機器産業分野
用の高精度で高信頼性の圧電発振器に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の圧電発振器の一例を、圧電振動子
に水晶振動子を用いた図１０［ａ］、１０［ｂ］の構造
図、及び図１１［ａ］、１１［ｂ］の構造図で示される
水晶発振器を用いて説明する。

【０００３】図１０［ａ］の平面図、及び図１０［ｂ］
の断面図に示すように、４２Ａｌｌｏｙ（４２％のＮｉ
を含んだＦｅ系の合金）あるいはＣｕ合金等の高導電性
金属材料からなるリードフレーム１０１のアイランド部
１０２に、ＣＭＯＳタイプ等の半導体集積回路１０３が
導電性接着剤等によりマウントされており、半導体集積
回路１０３のパッドとアイランド部１０２の周囲を取り
囲むインナーリード端子１０４とがＡｕワイヤーボンデ
ィング線１０５により電気的に接続されている。そして
矩形状のＡＴ水晶振動子片を内臓するシリンダー形タイ
プの水晶振動子１０６は、リードフレーム１０１のイン
ナーリード１０７、１０８に電気的に接続されている。
このように構成されたリードフレーム１０１、半導体集
積回路１０３、水晶振動子１０６等を樹脂１０９でトラ
ンスファーモールドしたプラスティックパッケージタイ
プの圧電発振器が一般的である。なかでも図１０
［ａ］、１０［ｂ］に示すような表面実装タイプ（ＳＭ
Ｄ）が主流になっている。

【０００４】また図１１［ａ］の平面図及び図１１
［ｂ］の断面図に示すように、内部及び外面に金属配線
がメタライズされた積層セラミック基板で形成されたケ
ース１２１に、ＣＭＯＳタイプ等の半導体集積回路１２
２が導電性接着剤等によりマウントされており、半導体
集積回路１２２のパッドとケース１２１にメタライズさ
れた金属配線のランド１２３とが、ＡｕあるいはＡｌワ
イヤーボンディング線１２４により電気的に接続されて
いる。そして矩形状のＡＴ水晶振動子片１２５を半導体
集積回路１２２の上部に半導体集積回路１２２の表面に
平行して配置させ、ケース１２１に形成されたＡＴ水晶
振動子片１２５用のマウント部１２６に電気的に接続固
定させている。そしてケース１２１に金属性の蓋１２７
を、ガラスフリットやシーム溶接等により接合させ気密
封止した薄型タイプの水晶発振器も最近開発され市場投
入されはじめている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】携帯電話やページャー
等に代表される移動体通信機器、あるいはＰＨＰ（パー
ソナル・ハンディホーン）等の通信機器や、自動車等の
産業用機器に使用される電子部品は高精度、高品質、高
信頼性が要求され、また厳しい環境に耐えられる特性を
有していなければならない。即ちそれらの機器の基準発
振源である圧電発振器も、高精度、高品質、高信頼性の
特性が要求され、その周波数精度は数ｐｐｍ以下（例え
ば±３ｐｐｍ以下、更には±１ｐｐｍ以下）、更には
０．１ｐｐｍ以下という高精度も要求されている。また
長期エージングの信頼性も、例えば１０年以上の周波数
偏差が数ｐｐｍ以下という保証が求められている。

【０００６】ところで図１０で示される従来の水晶発振
器は、水晶振動子１０６のリード１１０と半導体集積回
路１０３のゲート及びドレインをインナーリード１０
７、１０８により接続している。図のようにインナーリ
ード１０７と１０８は平行に配線されており、その間に
は樹脂１０９がモールドされている。このように平行な
電極間には静電容量が発生することが一般に知られてお
り、その発生するリードフレームの配線容量Ｃαは次式
で与えられる。

【０００７】

【数１】

【０００８】ε₀ ：真空中の誘電率＝８．８５５ Ｘ
１０^-15 Ｆ／ｍｍ ε_S ：モールド材の比誘電率 Ｓ ：相対するリードフレームの表面積 ｄ ：リードフレームの間隔 つまり図１０で示される水晶発振器では、上式で与えら
れる容量値を水晶振動子の固有容量と半導体集積回路の
ゲート〜ドレイン間の負荷容量に付加して考えなくては
ならない。即ち図１２で示される水晶振動子及びその発
振回路を含む等価回路のＣ₀、Ｃ₁、Ｃ_L及びＣαの各容
量が水晶発振器の発振周波数に影響を与え、その周波数
変化率（単位はｐｐｍ）は次式で示される。

【０００９】

【数２】

【００１０】 ｄＦ／Ｆ ：周波数変化率 Ｃ₀ ：水晶振動子の並列容量 Ｃ₁ ：水晶振動子の等価直列容量 Ｃ_L ：負荷容量 Ｃα ：配線容量 ところで、樹脂は高湿度下におかれると水分を吸湿す
る。これにより樹脂の誘電率が増加し、その結果吸湿前
の配線容量Ｃαが増加することになる。その増加量は樹
脂の吸湿率の差や、水晶発振器の樹脂パッケージの厚み
等により異なるが、およそ吸湿前の約１．５〜２倍に増
加することが実験で確認されている。この値をもとにし
て、数式２の周波数変化率ｄＦ／Ｆを算出すると約−３
ｐｐｍ〜−６ｐｐｍとなり、周波数はマイナスにシフト
する。

【００１１】このように吸湿による配線容量Ｃαの変化
により、水晶発振器の周波数が数ｐｐｍのオーダーで変
化してしまい、通信機器が通信エラー等を起こすという
課題を有している。

【００１２】また、図１１で示される圧電発振器は、セ
ラミック等の積層絶縁基板で形成されたケースに水晶振
動子片を直接マウントしている。また高精度、高信頼性
を確保するために、封止にはシーム溶接が用いられてい
る。しかしながらシーム溶接時には封止する金属性の蓋
とケースの界面に局部的に約２００℃〜３００℃の高熱
が発生し、蓋とケース及び水晶振動子片等の線膨張係数
のミスマッチにより、水晶振動子片が蓋及びケースから
の熱応力を受け、水晶振動子片のマウント部付近が凹状
に歪み、それにより周波数が変化してしまうという課題
を有している。

【００１３】また半田リフロー等により通信機器等の基
板に実装する時も、同様に水晶振動子片に熱応力及び歪
が発生し、それにより周波数変化を起こしてしまうとい
う課題も有している。そしてこれらの周波数変化率も数
ｐｐｍのオーダーで発生することが実験で確認されてい
る。

【００１４】更に図１１で示すように、半導体集積回路
の真上に水晶振動子片が配置されており、水晶発振器の
高周波化や半導体集積回路の高集積化に伴い半導体集積
回路に発生する熱により、水晶振動子片の中央部の温度
が高くなる。これにより水晶振動子の発振周波数が変化
するという課題も有している。これは特に自動車あるい
は通信機器等の使用温度環境の厳しい装置に使用される
場合には、その信頼性において最も重要な課題である。

【００１５】本発明の目的は、以上の従来技術の課題を
解決するためになされたものであり、その目的とすると
ころは、小型で薄型の高精度かつ高信頼性の表面実装用
圧電発振器を歩留まり良く安価に提供することである。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明に係る圧電発振器
は、半導体集積回路と圧電振動子を内蔵した圧電発振器
において、前記半導体集積回路は、内部に金属配線を含
んだ積層の絶縁基板で形成されたケースの第一面に搭載
され、ワイヤーボンディングにより前記ケースの第一面
に形成された金属配線のランドに電気的に配線されてお
り、前記圧電振動子は、前記半導体集積回路と平行に前
記ケースの第一面に配置され、前記ケースに形成された
前記圧電振動子を接続するランド部に位置決めされ、前
記圧電振動子の電極と前記ランド部が電気的に接続され
ており、前記半導体集積回路に電気的に接続された外部
電極端子を、前記ケースの外面に形成し、更にケースを
蓋で封止し、前記半導体集積回路に電気的に接続され、
外部から前記半導体集積回路のデータを制御する信号入
力用端子を、前記ケースの裏面と段差を有する第二面に
形成したことを特徴とするものである。

【００１７】また、本発明は、半導体集積回路と圧電振
動子及び電子部品を内蔵した圧電発振器において、前記
半導体集積回路は、内部に金属配線を含んだ積層の絶縁
基板で形成されたケースの第一面に搭載され、ワイヤー
ボンディングによりケースの第一面に形成された金属配
線のランドに電気的に配線されており、前記電子部品
は、少なくとも前記ケースの第一面あるいは第二面に配
置され、金属配線により前記半導体集積回路と電気的に
接続されており、前記圧電振動子は、前記半導体集積回
路及び前記電子部品と平行に前記ケースの第一面に配置
され、前記ケースに形成された前記圧電振動子を接続す
るランド部に位置決めされ、前記圧電振動子の電極と前
記ランド部が電気的に接続されており、前記半導体集積
回路に電気的に接続された外部電極端子を、前記ケース
の外面に形成し、更にケースを蓋で封止し、前記半導体
集積回路に電気的に接続され、外部から前記半導体集積
回路のデータを制御する信号入力用端子を、前記ケース
の裏面と段差を有する第二面に形成した構成としてもよ
い。

【００１８】

【００１９】

【００２０】また、上記構成において、前記ケースの第
一面に、少なくとも一つ以上の突起を形成し、この突起
により、気密封止された圧電振動子が位置決めされるよ
うに構成できる。

【００２１】また、前記圧電振動子がシリンダー形ケー
スに内蔵された水晶振動子またはＳＡＷ共振子として構
成することができる。

【００２２】前記圧電振動子を箱型ケースに内蔵された
水晶振動子またはＳＡＷ共振子として構成してもよい。

【００２３】前記ケースに形成された前記圧電振動子を
接続する前記ランド部に溝を形成した構成とするのが望
ましい。

【００２４】前記突起の上面と、前記ランド部が同一平
面に形成することができる。

【００２５】前記ケースは内部及び外部に金属配線をメ
タライズした積層セラミック基板により構成させてもよ
い。

【００２６】

【００２７】

【００２８】

【００２９】

【実施例】本発明の圧電発振器の一実施例を、圧電振動
子にシリンダー形ケースに内蔵した水晶振動子を用いた
表面実装用積層セラミックパッケージの水晶発振器を例
として、図面に基づいて説明する。

【００３０】〔実施例１〕 図１、図２、図３及び図４は、本発明に係わる圧電発振
器の実施例の構造図及び回路構成図である。

【００３１】図１［ａ］の平面図、図１［ｂ］の断面図
及び図２の側面図に示すように、内部及び外部にＷ、Ｍ
ｏ等の金属配線材料を印刷（メタライゼーションの一方
法）し、その上にＮｉメッキ及びＡｕメッキ等を施し
た、積層セラミック絶縁基板で形成されたケース１に、
特開平２−１７０７０３号の図１に示されるＣＭＯＳタ
イプの半導体集積回路（ＩＣチップ：以下ＩＣチップと
記す）２が、導電性接着剤３等によりケース１の第一面
４にマウントされており、ＩＣチップ２のパッドとＩＣ
チップ２を取り囲む金属配線のランド５とが、Ａｕある
いはＡｌワイヤーボンディング線６により電気的に接続
されている。矩形状のＡＴ水晶振動子片７を内蔵するシ
リンダータイプの水晶振動子８は、そのリード９をＩＣ
チップ２の水晶振動子８を発振させるためのゲート端子
１０及びドレイン端子１１に、ＡｕあるいはＡｌワイヤ
ーボンディング線６により電気的に接続されたケース１
のランド部１２において、融点が約３００℃の高融点半
田等で固定され、同時に電気的に接続されている。

【００３２】そして、ケース１の第一面４に設けた突起
１３ａ及び１３ｂにより、水晶振動子８はＩＣチップ２
と平行にケース１の第一面４に位置決めされる。ここで
水晶振動子８のリード９を接続するランド部１２と、突
起１３ａ及び１３ｂの表面は同一面となっており、これ
によりアルミナを積層して一体に焼結するケース１の製
造においてこの積層部が共通となる利点がある。

【００３３】また水晶振動子８のリード９を接続するラ
ンド部１２は、図１［ａ］に示すように溝１４が形成さ
れている。ここで図示しないが水晶振動子８のリード９
を曲げてランド部１２に接続してもよい。

【００３４】また図１［ａ］及び図３に示すように、信
号入力手段としてケース１の裏面にＤＩＮ（Ｄａｔａ
Ｉｎ）端子１５及びＷＲ（Ｗｒｉｔｅ）端子１６の各信
号入力用端子が一列に設けられている。ここで各信号入
力用端子１５及び１６はＩＣチップ２のＤＩＮ、ＷＲの
各端子と、ＡｕあるいはＡｌワイヤーボンディング線６
により電気的に接続されている。

【００３５】ここで各信号入力用端子１５及び１６はケ
ース１のどの方向でもよく、またどの面に形成されてい
てもよい。

【００３６】更にケース１をコバールや４２Ａｌｌｏｙ
等の金属、あるいはセラミックあるいは樹脂等の蓋１７
で封止する。ここで封止方法はシーム溶接あるいは接着
剤等による接着固定で良い。

【００３７】そして、図４に示すように封止されたケー
ス１を、データ制御装置３１の治具部にセットする。デ
ータ制御装置３１のコンタクトプローブ３２を、ケース
１の電源端子１８及び１９、出力端子２０及び各信号入
力用端子１５及び１６に接触させる。これによりデータ
制御装置３１からシリアルデータの信号を入力して、ケ
ース１に内蔵されたＩＣチップ２にデータを書き込むこ
とにより、水晶発振器の発振周波数（Ｆ₀）を高精度に
調整する。

【００３８】ところで図４は周波数調整方法の一実施例
であり、ここでコンタクトプローブ３２を接触させる方
向は本実施例に限らずどの方向からでも良い。また水晶
発振器をデータ制御装置３１に複数個を並べて同時に周
波数調整しても良い。また水晶発振器のデータ制御装置
３１の治具部へのセット方向はケース１の表裏どちらで
も良い。

【００３９】上述のような構成によれば、水晶振動子片
は直接ケースからの応力を受けない構造でしかも気密に
保持されており、また水晶振動子の配線（リードフレー
ム）容量Ｃαが湿度により変化しない構造となっている
ので、周波数変化率（周波数精度）が数ｐｐｍ以下（本
実施例の周波数精度は常温２５℃で約±３ｐｐｍ）とい
う高精度で、高信頼性の水晶発振器が得られる。更に水
晶振動子はＩＣチップと平行に配置されているため、Ｉ
Ｃチップの発熱による熱はケースに伝導され外部に放出
される。従って直接水晶振動子片が加熱されることはな
く、水晶振動子片の温度は上昇しない。

【００４０】〔実施例２〕 図５［ａ］及び図５［ｂ］は本発明に係わる圧電発振器
の第２の実施例を示す構造図である。第１の実施例にお
いてケース１の第一面４に、チップコンデンサー４１、
あるいはチップ抵抗４２等を水晶振動子８と平行に配置
し、更にケース１の第二面４３に可変容量ダイオード４
４等を配置した水晶発振器である。このタイプの水晶発
振器は、電圧制御により発振周波数を可変することが可
能である。そして実施例１と同様に各信号入力用端子か
らＩＣチップ４５のデータを制御する。

【００４１】上述のような構成によれば、水晶振動子片
は直接ケースからの応力を受けない構造でしかも気密に
保持されており、また水晶振動子の配線容量Ｃαが湿度
により変化しない構造となっているので、周波数精度が
数ｐｐｍ以下という高精度で、高信頼性の電圧制御タイ
プの水晶発振器が得られる。更に水晶振動子はＩＣチッ
プと平行に配置されているため、ＩＣチップの発熱によ
る熱はケースに伝導され外部に放出される。従って直接
水晶振動子片が加熱されることはなく、水晶振動子片の
温度は上昇しない。

【００４２】〔実施例３〕 図６は本発明に係わる圧電発振器の第１の実施例の要部
を示す構造図である。図６はＩＣチップ２に電気的に接
続され、外部からＩＣチップ２のデータを制御する各信
号入力用端子１５及び１６を、ケース１の第二面４３に
形成した実施例である。

【００４３】上述のような構成によれば、各信号入力用
端子をケースの第二面に形成したことによりケースの裏
面との段差が確保でき、水晶発振器を実装する際、通信
機器等の基板の配線とのショートを防止することができ
る。

【００４４】〔実施例４〕 図７は本発明に係わる圧電発振器の第３の実施例を示す
構造図である。圧電振動子に、ＡＴ水晶振動子片８を箱
型のセラミックあるいは金属等のケースに内蔵した水晶
振動子５１を用いた実施例である。ここで水晶振動子５
１の電極は箱型のケースの裏面に形成されている。

【００４５】上述のような構成によれば、水晶振動子片
は気密に保持されており、また水晶振動子の配線容量Ｃ
αが湿度により変化しない構造となっているので、周波
数精度が数ｐｐｍ以下という高精度で、高信頼性の水晶
発振器が得られる。また図７で示すように箱型のケース
はシリンダータイプに比較して薄いため、これを内蔵す
る水晶発振器は薄型化が可能となる。

【００４６】〔実施例５〕 図８及び図９は本発明に係わる圧電発振器の第４の実施
例を示す構造図である。図８は圧電振動子に、ＳＡＷ共
振子片６１をシリンダータイプのケースに内蔵したＳＡ
Ｗ共振子６２を用いた実施例であり、図９は箱型のセラ
ミックあるいは金属等のケースに内蔵したＳＡＷ共振子
６３を用いた実施例である。

【００４７】このように水晶振動子と同形状のシリンダ
ータイプ、あるいは箱型のケースのＳＡＷ共振子６２及
び６３をケース１の第一面４に位置決めして配置するこ
とにより、ＳＡＷ共振子６２及び６３を用いた１００Ｍ
Ｈｚ〜５００ＭＨｚ等といった高周波帯域用の高精度で
高信頼性のＳＡＷ発振器が得られる。

【００４８】

【発明の効果】本発明によれば、圧電振動子片は直接ケ
ースからの応力を受けない構造でしかも気密に封止され
ており、また圧電振動子の配線容量Ｃαが湿度により変
化しない構造となっているので、周波数精度が数ｐｐｍ
以下という高精度で、高信頼性の圧電発振器が得られる
という効果を有する。また半導体集積回路と圧電振動子
は平行に配置されているため、半導体集積回路の自己発
熱による影響を直接受けない。このため使用環境による
周波数変化がない高信頼性の圧電発振器が得られるとい
う効果を有する。特に本発明では、外部から半導体集積
回路にデータを書き込む信号入力用手段を、ケースに設
けることにより、圧電発振器の完成後に周波数調整を確
実かつ簡単に行えるという効果を有する。それにより高
精度に周波数調整する時の歩留まりが良くなるという効
果も有する。信号入力用端子をケースの第二面に形成し
たことによりケースの下面との段差が確保でき、圧電発
振器を実装する際、通信機器等の基板の配線とのショー
トを防止することができる。

【００４９】請求項２記載の発明によれば、圧電振動子
片は直接ケースからの応力を受けない構造でしかも気密
に封止されており、また圧電振動子の配線容量Ｃαが湿
度により変化しない構造となっているので、周波数精度
が数ｐｐｍ以下という高精度で、高信頼性の電圧制御タ
イプの圧電発振器が得られるという効果を有する。また
半導体集積回路と圧電振動子は平行に配置されているた
め、半導体集積回路の自己発熱による影響を直接受けな
い。このため使用環境による周波数変化がない高信頼性
の圧電発振器が得られるという効果を有する。この発明
においても、特に、外部から半導体集積回路にデータを
書き込む信号入力用手段を、ケースに設けることによ
り、圧電発振器の完成後に周波数調整を確実かつ簡単に
行えるという効果を有する。それにより高精度に周波数
調整する時の歩留まりが良くなるという効果も有する。
信号入力用端子をケースの第二面に形成したので、ケー
スの下面との段差が確保でき、圧電発振器を実装する
際、通信機器等の基板の配線とのショートを防止するこ
とができる。

【００５０】

【００５１】

【００５２】請求項３記載の発明によれば、ケースの第
一面に突起を形成することにより、シリンダータイプあ
るいは矩形のケースの圧電振動子の位置決めはもちろ
ん、圧電発振器の落下等による衝撃から圧電振動子を保
護する役目を果たしている。また、圧電振動子が気密封
止されていることにより圧電振動子の振動が安定し高品
質の圧電発振器を提供できる。

【００５３】

【００５４】請求項４記載の発明によれば、圧電振動子
にシリンダータイプの水晶振動子を用いることにより、
信頼性の高い安価な圧電発振器を提供できる。また、圧
電振動子にシリンダータイプのＳＡＷ共振子を用いるこ
とにより、信頼性の高い安価な高周波帯域用の圧電発振
器を提供できる。

【００５５】請求項５記載の発明によれば、圧電振動子
に箱型のケースの水晶振動子を用いることにより、薄型
の信頼性の高い圧電発振器を提供できる。また、圧電振
動子に箱型のケースのＳＡＷ共振子を用いることによ
り、薄型の信頼性の高い安価な高周波帯域用の圧電発振
器を提供できる。

【００５６】

【００５７】

【００５８】請求項６記載の発明によれば、ケースの第
一面に形成された圧電振動子を接続するランド部に溝を
設けることにより、圧電振動子をマウントする時に不要
な高融点半田が溝に流れこみ、圧電振動子がショートす
るのを防止するという効果を有する。また半田リフロー
等の熱によるケースからの応力を緩和し、マウント部の
半田のクラックを防止する効果も有する。

【００５９】請求項７記載の発明によれば、ケースに形
成された突起の上面と圧電振動子を接続するランド部を
同一平面に形成することにより、アルミナを積層して一
体に焼結するケースの製造においてこの積層部が共通と
なり、製造コストを低くすることができる。

【００６０】請求項８記載の発明によれば、ケースを積
層セラミック基板により構成したことにより、放熱性が
良く耐湿性のよいケースを提供でき、高精度で高信頼性
の圧電発振器を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の圧電発振器の一実施例を示す構造図。

【図２】本発明の圧電発振器の一実施例を示す側面図。

【図３】本発明の圧電発振器の一実施例を示す回路構成
図。

【図４】本発明の圧電発振器をデータ制御装置にセット
した配置図。

【図５】本発明の他の実施例を示す構造図。

【図６】本発明の圧電発振器の一実施例の要部を示す構
造図。

【図７】本発明の他の実施例を示す構造図。

【図８】本発明の他の実施例を示す構造図。

【図９】本発明の他の実施例を示す構造図。

【図１０】従来の圧電発振器を示す構造図。

【図１１】従来の圧電発振器を示す構造図。

【図１２】従来の圧電発振器の等価回路図。

【符号の説明】

１ ケース ２ 半導体集積回路（ＩＣチップ） ３ 導電性接着剤 ４ 第一面 ５ ランド ６ ワイヤーボンディング線 ７ ＡＴ水晶振動子片 ８ 水晶振動子 ９ リード １０ ゲート端子 １１ ドレイン端子 １２ ランド部 １３ａ、１３ｂ 突起 １４ 溝 １５ ＤＩＮ端子 １６ ＷＲ端子 １７ 蓋 １８、１９ 電源端子 ２０ 出力端子 ３１ データ制御装置 ３２ コンタクトプローブ ４１ チップコンデンサー ４２ チップ抵抗 ４３ 第二面 ４４ 可変容量ダイオード ４５ ＩＣチップ ５１ 水晶振動子 ６１ ＳＡＷ共振子片 ６２、６３ ＳＡＷ共振子 １０１ リードフレーム １０２ アイランド部 １０３ 半導体集積回路 １０４ インナーリード端子 １０５ ワイヤーボンディング線 １０６ 水晶振動子 １０７、１０８ インナーリード １０９ 樹脂 １１０ リード １２１ ケース １２２ 半導体集積回路 １２３ ランド １２４ ワイヤーボンディング線 １２５ ＡＴ水晶振動子片 １２６ マウント部 １２７ 蓋

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ Ｈ０３Ｈ 9/64 Ｈ０３Ｈ 9/64 Ａ (56)参考文献 特開 平３−19406（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−3609（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−183508（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−244208（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H03B 5/32 H03H 9/02 H03H 9/10 H03H 9/64

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体集積回路と圧電振動子を内蔵した
   圧電発振器において、 前記半導体集積回路は、内部に金属配線を含んだ積層の
   絶縁基板で形成されたケースの第一面に搭載され、ワイ
   ヤーボンディングにより前記ケースの第一面に形成され
   た金属配線のランドに電気的に配線されており、 前記圧電振動子は、前記半導体集積回路と平行に前記ケ
   ースの第一面に配置され、前記ケースに形成された前記
   圧電振動子を接続するランド部に位置決めされ、前記圧
   電振動子の電極と前記ランド部が電気的に接続されてお
   り、 前記半導体集積回路に電気的に接続された外部電極端子
   を、前記ケースの外面に形成し、更にケースを蓋で封止
   し、 前記半導体集積回路に電気的に接続され、外部から前記
   半導体集積回路のデータを制御する信号入力用端子を、
   前記ケースの裏面と段差を有する第二面に形成したた こ
   とを特徴とする圧電発振器。
2. 【請求項２】 半導体集積回路と圧電振動子及び電子部
   品を内蔵した圧電発振器において、 前記半導体集積回路は、内部に金属配線を含んだ積層の
   絶縁基板で形成されたケースの第一面に搭載され、ワイ
   ヤーボンディングにより前記ケースの第一面に形成され
   た金属配線のランドに電気的に配線されており、 前記電子部品は、少なくとも前記ケースの第一面あるい
   は第二面に配置され、金属配線により前記半導体集積回
   路と電気的に接続されており、 前記圧電振動子は、前記半導体集積回路及び前記電子部
   品と平行に前記ケースの第一面に配置され、前記ケース
   に形成された前記圧電振動子を接続するランド部に位置
   決めされ、前記圧電振動子の電極と前記ランド部が電気
   的に接続されており、 前記半導体集積回路に電気的に接続された外部電極端子
   を、前記ケースの外面に形成し、更にケースを蓋で封止
   し、 前記半導体集積回路に電気的に接続され、外部から前記
   半導体集積回路のデータを制御する信号入力用端子を、
   前記ケースの裏面と段差を有する第二面に形成した こと
   を特徴とする圧電発振器。
3. 【請求項３】 前記ケースの第一面に、少なくとも一つ
   以上の突起を形成し、この突起により、気密封止された
   圧電振動子が位置決めされることを特徴とする請求項１
   又は２記載の圧電発振器。
4. 【請求項４】 前記圧電振動子がシリンダー形ケースに
   内蔵された水晶振動子またはＳＡＷ共振子であることを
   特徴とする請求項３記載の圧電発振器。
5. 【請求項５】 前記圧電振動子が箱型ケースに内蔵され
   た水晶振動子またはＳＡＷ共振子であることを特徴とす
   る請求項３記載の圧電発振器。
6. 【請求項６】 前記ランド部に溝を形成したことを特徴
   とする請求項４記載の圧電発振器。
7. 【請求項７】 前記突起の上面と、前記ランド部が同一
   平面に形成されていることを特徴とする請求項４記載の
   圧電発振器。
8. 【請求項８】 前記ケースが内部及び外部に金属配線を
   メタライズした積層セラミック基板により構成されてい
   ることを特徴とする請求項１又は２記載の圧電発振器。